KR20180050979A - 감광성 수지 및 반사방지막의 도포성 향상 및 제거용 신너 조성물 - Google Patents
감광성 수지 및 반사방지막의 도포성 향상 및 제거용 신너 조성물 Download PDFInfo
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 16
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 title description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- -1 alkylene glycol Chemical compound 0.000 claims abstract description 27
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 42
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 23
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 abstract 2
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 67
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 108010001861 pregnancy-associated glycoprotein 1 Proteins 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 2
- MTWNQMHWLWHXGH-XEUPFTBBSA-N pag 8 Chemical compound C([C@H]1O[C@H]([C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@@H]1OC(C)=O)OC(C)=O)OC[C@H](C(C1O[C@H](COC(C)=O)[C@@H](OC(C)=O)[C@@H]([C@H]1OC(C)=O)O[C@@H]1O[C@H](COC(C)=O)[C@@H](OC(O)=O)[C@@H]([C@H]1OC(C)=O)O[C@@H]1O[C@H](COC(C)=O)[C@@H](OC(C)=O)[C@@H]([C@H]1OC(C)=O)O[C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC(O)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O2)OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)OC(C)=O)COC(=O)C)C(O)=O)[C@@H](OC(C)=O)[C@@H](C(CC(C(C)=O)C(C)=O)OC(C)=O)C(C(C)=O)C(C)=O)OC(=C)O[C@@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O MTWNQMHWLWHXGH-XEUPFTBBSA-N 0.000 description 2
- 108010001843 pregnancy-associated glycoprotein 2 Proteins 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2003—Alcohols; Phenols
- C11D3/2006—Monohydric alcohols
- C11D3/201—Monohydric alcohols linear
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2003—Alcohols; Phenols
- C11D3/2006—Monohydric alcohols
- C11D3/2024—Monohydric alcohols cyclic; polycyclic
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
본 발명은 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트, (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르, 및 (c) 사이클로펜타논 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물을 제공한다.
Description
본 발명은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지 및 반사방지막의 도포성 향상 및 제거용 신너 조성물에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조공정 중 포토리소그래피(photo lithography) 공정은 웨이퍼 상에 감광성 수지 조성물을 도포하고, 사전에 설계된 패턴을 전사한 후 전사된 패턴에 따라 적절하게 식각 공정을 통하여 전자회로를 구성해나가는 작업으로 매우 중요한 작업중의 하나이다.
이러한 포토리소그래피 공정은 (1)웨이퍼의 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 도포공정, (2)도포된 감광막으로부터 용매를 증발시켜 감광막이 웨이퍼의 표면에 부착하게 하는 소프트 베이킹(soft baking) 공정, (3)자외선 등의 광원을 이용하여 마스크 상의 회로패턴을 반복적, 순차적으로 축소 투영하면서 감광막을 노광시켜 마스크의 패턴을 감광막 상으로 전사하는 노광(露光)공정, (4)광원에의 노출에 의한 감광에 따라 용해도 차와 같은 물리적 성질이 다르게 된 부분들을 현상액을 사용하여 선택적으로 제거하는 현상(現像)공정, (5)현상작업 후 웨이퍼 상에 잔류하는 감광막을 웨이퍼에 보다 긴밀하게 고착시키기 위한 하드 베이킹(hard baking) 공정, (6)현상된 감광막의 패턴에 따라 일정부위를 에칭하는 식각(蝕刻)공정 및 (7)상기 공정 후 불필요하게 된 감광막을 제거하는 박리(剝離) 공정 등으로 진행된다.
상기 포토리소그래피 공정 중에서 웨이퍼 상에 감광막을 공급하고 기판을 회전시켜 원심력에 의해 표면을 고르게 퍼지게 하는 회전도포 공정은 원심력으로 인해 기판의 에지부위와 후면에 감광막이 몰리게 되어 작은 구형물질이 형성된다. 상기 구형물질은 베이크 공정을 거친 후 기판의 이송도중 박리되어 장치 내의 파티클의 원인이 되기도 하고, 노광 시 디포커스(defocus)의 원인이 되기도 한다. 이런 불필요한 감광물질이 장비오염의 원인이 되어 반도체 소자의 제조공정에 있어서 수율을 저하시키므로, 이를 제거하기 위하여 기판의 에지부위와 후면부위의 상하에 분사노즐을 설치하고 상기 노즐을 통하여 에지부위와 후면부위에 유기용매 성분으로 구성된 신너 조성물을 분사하여 이를 제거하고 있다.
상기 신너 조성물의 성능을 결정짓는 요소로 용해속도 및 휘발성 등을 들 수 있다. 신너 조성물의 용해속도는 감광성 수지를 얼마나 효과적으로 빠르게 용해시켜 제거할 수 있느냐 하는 능력으로 매우 중요하다. 구체적으로 에지부위의 린스에 있어서, 적절한 용해속도를 가져야만 매끄러운 처리단면을 가질 수 있으며, 용해속도가 너무 높은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 감광막 어택(attack)이 나타날 수 있다. 반대로 용해속도가 너무 낮은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 테일링(tailing)이라고 하는 부분 용해된 감광막 테일(tail) 흐름 현상이 나타날 수 있다. 특히 최근 들어 반도체 직접회로의 고집적화, 고밀도화에 따른 기판의 대구경화로 인해 회전도포기를 이용한 린스공정의 경우 회전속도의 저회전(rpm)화는 필연적이라고 할 수 있다. 이런 린스의 공정에서 저회전 속도에 따른 기판의 요동과 분사되는 신너 조성물의 접촉속도에서 적절한 용해속도를 지니지 못할 경우 튐(bounding) 현상이 나타나며, 불필요한 신너 조성물의 사용이 늘게 된다. 이와 같은 기판의 대구경화로 인한 저회전 린스 공정에서는 종래의 고회전 린스 공정보다 더욱 신너의 강력한 용해 속도가 요구되고 있다.
또한, 휘발성은 감광성 수지를 제거하고 난 후, 쉽게 휘발하여 기판의 표면에 잔류하지 않을 것이 요구된다. 휘발성이 너무 낮아 신너 조성물의 휘발되지 못하고 잔류하는 경우, 잔류하는 신너의 자체가 각종의 공정, 특히 후속 식각 공정 등에서 오염원으로 작용하여 반도체 소자의 수율을 저하시키는 문제점으로 작용할 수 있다. 휘발성이 너무 높으면 기판이 급속히 냉각하여 도포된 감광막의 두께 편차가 심해지는 현상과 사용 중에 대기 중으로 쉽게 휘발되어 청정성 자체를 오염시킬 수 있는 원인이 될 수 있다. 이로 인한 각종 테일링이나 감광막 어택 등의 불량은 모두 반도체 소자의 제조 수율을 저하시키는 직접적인 원인이 되고 있다.
대한민국 특허등록 제10-0503967호는 프로필렌글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트 1 내지 80 중량부, 씨클로 케톤 1 내지 99 중량부, 폴리에틸렌옥사이드계 축합물 0.001 내지 1 중량부 및 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머 0.001 내지 1 중량부 를 포함하는 세정용 신너 조성물을 개시한다. 그러나 상기 신너 조성물은 폴리에틸렌 옥사이드계 축합물 및 플루오리네이티드 아클릴릭 코폴리머 등의 폴리머가 포함됨으로서 파티클을 잔존시킬 가능성이 높다는 단점을 가지며, 신너의 용해도가 떨어져 PAG나 수지의 성분이 석출되는 문제를 야기할 수 있다.
한편 웨이퍼 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 공정에 있어서 대한민국 공개특허 제10-2003-0095033호에서와 같이, 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 도포하기 이전에 신너를 먼저 도포하여 웨이퍼의 표면장력을 낮춘 상태에서 포토레지스트를 도포하여 적은 량의 포토레지스트의 양으로 패턴의 단차를 극복하면서 고르게 도포하는 공정이 이루어지고 있다.
그러나, 이 경우에도 신너의 휘발성이 높으면 포토레지스트가 고르게 퍼지지 못하고, 웨이퍼 위에 미세한 패턴의 단차를 극복하지 못하여 웨이퍼 가장자리에서 갈라지는 현상이 발생한다. 휘발성이 너무 낮으면, 포토레지스트 도포 시에 잔존 신너에 의해 포토레지스가 어택을 받는 문제점이 발생한다. 휘발도 뿐만 아니라 도포되는 형상은 유기용매의 표면장력, 포토레지스트에 포함된 유기용매 및 포토레지스트의 주성분인 감광성 레진의 구조에 기인하므로, 이를 모두 만족시키는 신너 조성물을 필요로 한다.
본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서,
반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인해 기판의 에지부위나 후면부위에서 발생하는 불필요한 감광막에 대해 균일한 제거 성능을 지닌 신너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
특히, 본 발명은 i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트, SOH(Spin-on-Hardmask), SOC(Spin-on_carbon) 및 하부반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해도를 가짐으로써 EBR 공정뿐만 아니라 리워크 등의 공정에서도 효과적으로 사용할 수 있으며, 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 포토레지스트 도포 전에 신너 조성물을 먼저 도포하여 웨이퍼 표면을 전처리하는 공정(RRC 공정)에서도 우수한 특성을 제공하는 신너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 종래기술과 비교하여 더 우수한 효과를 제공하면서도, 인체에 대한 독성이 없고, 냄새로 인한 불쾌감이 없어서 작업안정성이 높은 신너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트, (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르, 및 (c) 사이클로펜타논 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물을 제공한다.
상기 신너 조성물은 조성물 총 중량에 대하여, 상기 (a) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트 10 내지 70중량%; (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 10 내지 70중량%; 및 (c) 사이클로펜타논 1 내지 50중량%를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 신너 조성물은, 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조방법에 사용되는 기판의 에지부위와 후면부위에 사용되어 불필요하게 부착된 감광막을 단시간에 효율적으로 제거하는 효과를 제공한다.
특히, i-라인, KrF, ArF 용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트, SOH, SOC, 및 하부반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해성 및 EBR 특성을 제공한다.
또한 포토레지스트가 도포된 웨이퍼의 재생 공정에 사용되어 우수한 리워크 특성을 제공하며, 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 포토레지스트 도포 전에 신너 조성물을 먼저 도포하는 공정(RRC)에서도 우수한 성능을 발휘하므로 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)의 사용량 절감과 동시에 균일한 도포를 용이하게 한다.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 인체에 대한 독성이 없고, 냄새로 인한 불쾌감이 없어서 작업안정성이 높으며, 부식성이 낮아서 세정 대상 기판에 대한 어텍을 발생시키지 않는다.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 컵홀더 등의 생산설비의 오염이나 배출구의 막힘 등을 발생시키지 않으므로 신나 조성물을 사용하는 공정의 생산성을 크게 향상시킨다.
도 1은 시험예 2의 EBR(Edge Bead Removal) 테스트에서 EBR 공정 수행 후 촬영한 사진이다((a): 라인 균일성(line uniformity)우수한 상태, (b): 엣지 부위의 막에 테일링 (tailing) 현상이 발생한 상태).
도 2는 시험예 3의 RRC(Reducing Resist Coating) 테스트에서 RRC 공정 수행 후 촬영한 사진이다((a): 포토레지스트가 웨이퍼 상에 99~100% 도포된 상태, (b): 포토레지스트가 웨이퍼 상에 85% 미만 도포된 상태).
도 3은 시험예 4에서 포토레지스트 종류에 따른 코팅 균일성을 평가하기 위하여 웨이퍼 상에서 코팅의 균일성을 평가한 지점을 나타낸 도면이다.
도 2는 시험예 3의 RRC(Reducing Resist Coating) 테스트에서 RRC 공정 수행 후 촬영한 사진이다((a): 포토레지스트가 웨이퍼 상에 99~100% 도포된 상태, (b): 포토레지스트가 웨이퍼 상에 85% 미만 도포된 상태).
도 3은 시험예 4에서 포토레지스트 종류에 따른 코팅 균일성을 평가하기 위하여 웨이퍼 상에서 코팅의 균일성을 평가한 지점을 나타낸 도면이다.
본 발명은 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트, (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 (c) 사이클로케톤을 포함하는 신너 조성물에 관한 것이다.
상기 신너 조성물은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지, SOH(Spin-on-Hardmask), SOC(Spin-on_carbon) 및 반사방지막의 도포성 향상용 및 제거용으로 바람직하게 사용될 수 있다.
본 발명의 신너 조성물에 포함되는 C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트 는 조성물 총 중량에 대하여, 10 내지 70 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 30 내지 50 중량%로 포함되는 것이 좋다. 상술한 범위를 만족하면 모든 포토레지스트에 대한 용해성이 우수하고, 적절한 표면장력이 구현되어 포토레지스트가 균일하게 도포되는 이점이 있다. 상술한 범위를 벗어나면, 표면장력이 높아져서 포토레지스트의 도포 시 고르게 퍼지지 못하고 웨이퍼 상의 미세한 패턴 단차를 극복하지 못하여 가장자리가 갈라지는 현상이 발생한다.
상기 C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트로는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이 바람직하게 사용될 수 있으며,
특히, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이 더욱 바람직하게 사용될 수 있다.
본 발명의 신너 조성물에 포함되는 프로필렌 글리콜 알킬에테르는 조성물의 총 중량에 대하여, 10 내지 70 중량%로 포함되고, 바람직하게는 30 내지 50중량%로 포함된다. 상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르는 메타아크릴레이트 계열의 ArF용 포토레지스트를 비롯하여 다양한 종류의 감광막에 대한 용해도가 우수하다. 따라서 상술한 함량범위 내에서는 프로필렌 글리콜알킬 에테르의 함량이 증가함에 따라 ArF용 포토레지스트의 용해도가 향상될 수 있다. 그러나 프로필렌 글리콜 알킬 에테르는 상대적으로 휘발도가 높기 때문에 상술한 범위 이상이 사용되면 두께 편차나 리프팅이 발생할 수 있다.
구체적으로, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르의 함량이 10중량% 미만으로 포함되면, 신너 조성물의 ArF용 포토레지스트에 대한 용해도가 저하되어, ArF용 포토레지스트를 사용한 감광막에 대한 에지 비드 특성이 저하될 수 있고, 결함 발생으로 인한 리워크(Rework) 공정시 감광막이 용이하게 제거되지 않을 수 있다. 또한 프로필렌 글리콜 알킬 에테르의 함량이 70중량%를 초과하면, 신너 조성물의 휘발도가 증가하여 프리 웨팅 후 형성되는 감광막이 두께 편차가 크고 불균일하게 도포될 수 있다.
상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르로는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용될 수 있다.
본 발명의 신너 조성물 포함되는 사이클로펜타논은 신너 조성물의 극성을 증가시켜, KrF, ArF 등 높은 극성의 포토레지스트에 대한 용해력을 개선 시킨다.
특히, 상기 사이클로펜타논은 사이클로헥사논에 비해 휘발도가 높고 용해도가 우수하여 본 발명의 신너 조성물이 EBR이나 RRC에서 종래기술보다 더 뛰어난 효과를 제공할 수 있게 하며, 흡입시나 눈·피부 접촉시 인체에 대한 유해성이 적고 냄새로 인한 불쾌감이 없어 작업안정성도 크게 향상시킨다.
상기 사이클로펜타논은 조성물의 총 중량에 대하여 1 내지 50 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 10 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. 상술한 범위를 만족하면, 모든 포토레지스트에 대해 우수한 용해능을 제공하며, 적당한 표면장력을 구현하여 우수한 RRC 및 EBR 특성을 제공할 수 있다.
구체적으로 사이클로펜타논이 1 중량% 미만으로 포함되는 경우 KrF, ArF 등 높은 극성의 포토레지스트에 대한 용해력이 저하되며, RRC 및 EBR 특성이 저하된다. 그러나 50 중량%를 초과하는 경우 사이클로펜타논의 휘발도가 상대적으로 높기 때문에 두께 편차나 리프팅이 발생할 수 있다.
본 발명의 신너 조성물은 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 상기 계면활성제로는 불소계열, 비이온성 계열 또는 이온성 계열의 계면활성제를 사용할 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 계면활성제는 본 발명의 신너 조성물에 대하여 약 10 내지 500중량 ppm으로 포함될 수 있다. 상술한 범위로 포함되는 것이, EBR 특성 개선에 바람직하다.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 신너 조성물은 RRC 공정에 사용되어 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)의 사용량 절감과 동시에 균일한 도포를 용이하게 하며, 도포 후 불필요한 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)의 제거(EBR 공정)에 우수한 성능을 제공한다. 또한, 발명의 신너 조성물은 리워크(Rework) 공정, 웨이퍼 하부면 세척공정 등에서 우수한 효과를 제공한다.
또한 본 발명의 신너 조성물은 500nm 이하의 고에너지선, X선 및 전자선 등을 광원으로 사용하는 감광성 수지에 바람직하게 적용될 수 있는데, 예를 들면 감광성 수지가 i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트인 경우에 적용될 수 있다.
본 발명의 신너 조성물은 감광성 수지 조성물이 도포된 기판의 에지부위 및 후면부위에 분사하여 불필요한 감광막을 제거하는 반도체 소자 또는 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조공정에 사용될 수 있으며, 이 때 상기 신너 조성물의 분사량은 5 내지 50cc/min인 것이 바람직하다. 이후 공정은, 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조와 관련해 당기술 분야에 알려진 일반적인 공정이 적용될 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물은 반도체 소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인하여 발생하는 기판의 에지부위나 후면부위에서의 불필요한 포토레지스트를 균일하게 그리고 단시간에 제거할 수 있다. 또한, 본 발명의 신너 조성물은 다양한 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해도를 가지며, EBR 특성, 리워크(Rework) 특성 및 포토레지스트의 도포성능을 향상시킬 수 있다. 특히 i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트의 경우, 구성하는 감광성 수지의 기본 구조가 서로 다르기 때문에, 이들 모두의 용해성 및 도포성을 향상시키기 위한 유기용매의 조성 함량의 조절이 필요하지만, 본 발명의 신너 조성물은 이를 만족시킨다. 또한 본 발명의 신너 조성물은 극성이 높은 구조를 갖는 포토레지스트 및 반사방지막의 주요 성분들에 대한 용해능이 우수하여, EBR 공정, 웨이퍼 하부 세척공정 및 포토레지스트 도포 이전의 웨이퍼 상부의 전처리 공정이 끝난 후, 코터의 컵홀더를 오염시키거나 배출구를 막는 현상을 발생시키지 않아 생산성 향상에 도움을 준다.
이하에서, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예
1 내지 4 및
비교예
1 내지 9:
신너
조성물의 제조
교반기가 설치되어 있는 혼합조에 하기 표 1에 기재된 조성을 첨가 한 후, 상온에서 1 시간 동안 500 rpm의 속도로 교반하여 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 제조하였다.
| 구분 | 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 | 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 | 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 | 사이클로 펜타논 |
사이클로 헥사논 |
에틸 락테이트 |
| 실시예 1 | 30 | - | 40 | 30 | - | - |
| 실시예 2 | 40 | - | 50 | 10 | - | - |
| 실시예 3 | 50 | - | 30 | 20 | - | - |
| 실시예 4 | - | 50 | 30 | 20 | - | - |
| 비교예 1 | 30 | - | 40 | - | 30 | - |
| 비교예 2 | 40 | - | 50 | - | 10 | - |
| 비교예 3 | 50 | - | 30 | - | 20 | - |
| 비교예 4 | 30 | - | - | 30 | - | 40 |
| 비교예 5 | 40 | - | - | 10 | - | 50 |
| 비교예 6 | 50 | - | - | 20 | - | 30 |
| 비교예 7 | 70 | - | 30 | - | - | - |
| 비교예 8 | 70 | - | - | 30 | - | -- |
| 비교예 9 | - | - | 30 | 70 | - |
(단위: 중량%)
시험예
:
신너
조성물의 특성 평가
(1)
PAG
(
Photoacid
generator) 에 대한 용해도 테스트
교반 중인 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 9의 신너 조성물 50ml에 PAG 1 내지 PAG 9 를 각각 0.5g씩 첨가하여 신너 조성물 내에서 완전히 용해되는 시간을 측정하였다. 교반 속도는 150rpm이었으며 온도는 25℃를 유지 하였다.
| 구분 | PAG 1 | PAG 2 | PAG 3 | PAG 4 | PAG 5 | PAG 6 | PAG 7 | PAG 8 | PAG 9 |
| 실시예 1 | 40 | 10 | 20 | 15 | 15 | 5 | 80 | 30 | 50 |
| 실시예 2 | 70 | 40 | 50 | 15 | 30 | 30 | 110 | 50 | 70 |
| 실시예 3 | 60 | 20 | 40 | 20 | 20 | 10 | 90 | 30 | 60 |
| 실시예 4 | 70 | 60 | 50 | 20 | 30 | 30 | 100 | 60 | 80 |
| 비교예 1 | 80 | 60 | 70 | 50 | 60 | 50 | 150 | 60 | 120 |
| 비교예 2 | 90 | 80 | 90 | 60 | 80 | 60 | 150 | 100 | 180 |
| 비교예 3 | 80 | 50 | 50 | 30 | 40 | 50 | 120 | 80 | 150 |
| 비교예 4 | 90 | 60 | 70 | 50 | 60 | 50 | 160 | 60 | 120 |
| 비교예 5 | 90 | 80 | 90 | 60 | 90 | 60 | 150 | 100 | 180 |
| 비교예 6 | 80 | 60 | 50 | 30 | 50 | 50 | 120 | 90 | 140 |
| 비교예 7 | 100 | 120 | 120 | 90 | 100 | 90 | 불용 | 150 | 불용 |
| 비교예 8 | 90 | 80 | 90 | 80 | 80 | 80 | 180 | 70 | 150 |
| 비교예 9 | 70 | 40 | 50 | 40 | 50 | 30 | 120 | 60 | 90 |
(단위: 초)
PAG 1: SP-302, PAG 2: NT-256, PAG 3: NT-1045, PAG 4: NT-552,
PAG 5: NT-595, PAG 6: NT-962, PAG 7: NT-1029, PAG 8: NT-1266, PAG 9: NT-876
표 2를 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 모든 PAG 에 대하여 우수한 용해도를 나타냈다. 반면, 비교예 1 내지 9의 신너 조성물은 실시예1 내지 4에 따른 본 발명의 신너 조성물에 비해 용해되는 속도가 현저히 떨어짐을 알 수 있었다. 이는 본 발명에 따른 신너 조성물이 특정한 PAG가 아니라 다양한 PAG에서 종래의 신너 조성물보다 매우 우수한 용해도를 나타냄을 의미한다.
(2)
EBR
(Edge Bead Removal) 테스트
8 인치 산화 실리콘 기판에 하기 표 3에 기재되어 있는 감광성 수지 조성물을 각각 도포한 후, 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 사용하여 하기 표 4에 기재되어 있는 조건으로 Edge 부위의 불필요한 감광막을 제거하는 EBR 테스트를 진행 하였다. 각 실시예 1 내지 4 및 비교예1 내지 9의 신너 조성물들은 압력계가 장치된 가압통에서 공급되며, 이때의 압력은 압력은 1kgf이였고, EBR 노즐에서 나오는 신너 조성물의 유량은 10 내지 30cc/min으로 하였다. 그리고 광학현미경을 이용하여 불필요한 감광막의 제거성능을 평가하여, 그 결과를 하기의 표 5에 나타내었다.
| 구분 | PR 종류 |
| PR 1 | i-line용 PR |
| PR 2 | KrF용 PR |
| PR 3 | PTD ArF용 PR |
| PR 4 | NTD ArF용 PR |
| BARC | ArF용 BARC |
| SOH | 미세패턴 가공 보조재 (Spin on hardmask) |
| 구분 | 회전속도 (rpm) | 시간 (sec) |
| 분배 (dispense) 조건 | 300~2000 | 7 |
| 스핀코팅 | 감광막 두께에 따라 조절 | 15 |
| EBR 조건 | 2000 | 20 |
| 건조 조건 | 1300 | 6 |
| 구분 | PR 1 | PR 2 | PR 3 | PR 4 | BARC | SOH |
| 실시예 1 | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실시예 2 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실시예 3 | ◎ | ○ | ◎ | ○ | ○ | ○ |
| 실시예 4 | ◎ | ○ | ◎ | ○ | ○ | ◎ |
| 비교예 1 | △ | X | △ | △ | X | △ |
| 비교예 2 | ○ | △ | ○ | △ | △ | △ |
| 비교예 3 | △ | △ | △ | △ | X | X |
| 비교예 4 | △ | X | X | △ | X | X |
| 비교예 5 | △ | X | △ | X | △ | X |
| 비교예 6 | △ | △ | △ | X | X | △ |
| 비교예 7 | X | X | X | X | X | X |
| 비교예 8 | X | △ | △ | △ | △ | X |
| 비교예 9 | X | X | △ | X | X | X |
<평가기준>
◎: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성 (line uniformity)이 일정한 상태 (도 1 (a) 참고)
○: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성이 75% 이상으로 양호한 직선 상태
△: EBR 후 엣지 부분의 모양이 신너의 용해작용에 영향을 받아 일그러진 상태
X: EBR 후 엣지 부위의 막에 테일링 (tailing) 현상이 발생한 상태 (도 1 (b) 참고)
상기 표 5의 결과에 의하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 모든 감광막에 대하여 우수한 EBR 성능을 나타냈다. 반면, 비교예 1 내지 9의 신너 조성물은 실시예 1 내지 4에 따른 본 발명의 신너 조성물에 비해 EBR 성능이 현저히 떨어짐을 확인할 수 있었다. 이러한 결과는 본 발명의 신너 조성물은 4종류의 포토레지스트, 하부 반사 방지막(BARC) 및 SOH에 대하여 매우 우수한 EBR 성능을 제공한다는 것을 나타낸다.
또한, EBR의 회전 속도(rpm) 조건을 변화시킬 경우에도 동등하게 우수한 형태를 유지하였다. 이는 본 발명에 따른 신너 조성물이 특정조건에서만 효과를 나타내는 것이 아니라, 다양한 조건에서 동일한 성능을 제공하는 것을 보여주는 것이다. 즉, 상기 결과는 본 발명의 신너 조성물이 공정조건의 변화에 대해 종래의 신너 조성물보다 더 안정하다는 것을 나타낸다.
(3)
포토레지스트
종류 및
BARC에
대한 RRC(Reducing Resist Coating) 성능 평가
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 사용하여 상기 표 3의 4가지의 포토레지스트, BARC 및 SOH에 대한 RRC 성능을 시험하였다. 표 6과 같은 레시피에 따라 8인치 산화실리콘 기판에 상기 표 3의 4가지의 포토레지스트, BARC 및 SOH를 도포하기 전에 각각의 신너 조성물을 도포한 후, 신너에 따른 포토레지스트의 도포 분포 및 소비량를 측정하는 RRC 공정을 실시하였다. BARC의 경우에도 열처리를 하지 않은 상태에서 각각의 신너 조성물을 사용하여 RRC 공정을 실시하였다. 표 7은 8 inch 웨이퍼 위에 신너 0.5cc 를 도포한 후 PR1~4, BARC 1.0 cc, SOH 0.5cc를 각각 도포한 후 포토레지스트 소비량을 측정하여 나타낸 결과이다.
| 스텝 | 시간(sec) | 스피드(rpm) | 액셀(rpm/sec) | 디스펜스 (cc) |
| 1 | 2.5 | 0 | 10,000 | 0.5(Thinner) |
| 2 | 1.5 | 900 | 10,000 | 0 |
| 3 | 9.5 | 1500 | 10,000 | 0 |
| 4 | 5.0 | 600 | 10,000 | 0.5~1.0(PR, BARC) |
| 5 | 5.0 | 1500 | 10,000 | 0 |
| 6 | 10.0 | 1000 | 10,000 | 0 |
| PR1(0.5cc) | PR2(0.5cc) | PR3(0.5cc) | PR4(0.5cc) | BARC(1.0cc) | SOH(0.5cc) | |
| 실시예1 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실시예2 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실시예3 | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ | ○ |
| 실시예4 | ◎ | ○ | ◎ | ○ | ◎ | ○ |
| 비교예1 | △ | △ | X | △ | △ | △ |
| 비교예2 | △ | ○ | △ | ○ | △ | △ |
| 비교예3 | X | △ | △ | △ | X | X |
| 비교예4 | X | △ | X | X | △ | X |
| 비교예5 | X | X | X | △ | △ | X |
| 비교예6 | X | △ | X | △ | X | X |
| 비교예7 | △ | X | △ | X | X | △ |
| 비교예8 | X | X | △ | X | X | △ |
| 비교예9 | X | X | X | X | X | X |
<평가기준>
◎: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 99~100% 도포된 경우(도 2 (a) 참고)
○: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 97~98% 도포된 경우
△: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 85~90% 도포된 경우
X: RRC결과 8inch 웨이퍼에 위에 신너 0.5cc 도포 후 포토레지스트 도포 시 포토레지스트가 웨이퍼 상에 85% 미만 도포된 경우(도 2 (b) 참고)
표 7을 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 모든 감광막에 대하여 우수한 RRC 성능을 나타냈다. 반면, 비교예 1 내지 9의 신너 조성물은 포토레지스트, BARC 및 SOH의 도포성능 측면에서 본 발명의 실시예 1 내지 4의 신너 조성물과 비교하여 현저히 떨어지는 효과를 제공하였다. 또한, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 RRC의 회전 속도(rpm) 조건을 변화시킬 경우에도 동등하게 우수한 형태를 유지하였다. 이는 본 발명에 따른 신너 조성물이 특정조건에서만 효과를 나타내는 것이 아니라, 다양한 조건에서 동일한 성능을 제공하는 것을 보여주는 것이다. 즉, 상기 결과는 본 발명의 신너 조성물이 공정조건의 변화에 대해 종래의 신너 조성물보다 더 안정하다는 것을 나타낸다.
(4)
포토레지스트
종류에 따른 코팅 균일성 평가(Coating Uniformity)
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 사용하여 상기 표 3의 4가지의 Photoresist, BARC 및 SOH에 대한 코팅 균일성을 시험하였다. 표 8과 같은 레시피에 따라 8인치 산화실리콘 기판 위에 포토레지스트를 도포한 후, 웨이퍼의 중앙과 웨이퍼의 중앙에서 1인치, 2인치, 3인치, 4인치 거리의 지점을 X자 모양으로 총 12곳, 모두 13곳(도3 참고)의 막두께를 측정하여 포토레지스트가 균일하게 도포 되었는지를 확인하였고 그 결과를 하기의 표 9에 나타내었다.
| 스텝 | 시간(sec) | 스피드(rpm) | 액셀(rpm/sec) | 디스펜스 (cc) |
| 1 | 2.5 | 0 | 10,000 | 0.5(Thinner) |
| 2 | 1.5 | 900 | 10,000 | 0 |
| 3 | 9.5 | 1500 | 10,000 | 0 |
| 4 | 5.0 | 600 | 10,000 | 0.5(PR) |
| 5 | 5.0 | 1500 | 10,000 | 0 |
| 6 | 10.0 | 1000 | 10,000 | 0 |
| PR 1 | PR 2 | PR 3 | PR 4 | BARC | SOH | |
| 실시예1 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ○ | ◎ |
| 실시예2 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실시예3 | ○ | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | ○ |
| 실시예4 | ○ | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ○ |
| 비교예1 | △ | X | ○ | X | X | ○ |
| 비교예2 | △ | △ | ○ | △ | X | △ |
| 비교예3 | X | X | △ | △ | X | △ |
| 비교예4 | △ | X | △ | △ | X | △ |
| 비교예5 | △ | X | X | X | X | △ |
| 비교예6 | X | X | △ | X | X | X |
| 비교예7 | X | X | △ | X | △ | X |
| 비교예5 | X | X | X | X | X | X |
| 비교예6 | X | X | X | X | X | X |
<평가기준>
◎: 도포 막두께의 표준편차가 1% 이하인 경우
○: 도포 막두께의 표준편차가 2% 이하인 경우
△: 도포 막두께의 표준편차가 3% 이하인 경우
X: 도포 막두께의 표준편차가 3% 초과인 경우
(5)
포토레지스트
종류에 따른
리워크
(Rework) 성능 평가
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 9의 신너 조성물을 사용하여 상기 표 3의 4가지의 포토레지스트, BARC 및 SOH에 대한 리워크 성능을 시험하였다. 하기 표 10과 같은 레시피에 따라 8인치 산화실리콘 기판에 4가지 포토레지스트, BARC 및 SOH를 도포한 후 소프트베이킹 공정이 끝난 웨이퍼를 각각의 신너 조성물을 사용하여 리워크 공정을 실시하였다. BARC의 경우에는 도포 이후 열처리를 하지 않은 상태에서 각각의 신너 조성물을 사용하여 리워크 공정을 실시하였다. 리워크된 산화실리콘 기판을 TOPCON사의 surface scan 장비(Model명: WM-1500)를 사용하여 표면 상태를 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 11에 나타내었다.
| 스텝 | 시간(sec) | 스피드(rpm) | 액셀(rpm/sec) | 디스펜스 (cc) |
| 1 | 2 | 0 | 10,000 | 0 |
| 2 | 2 | 1000 | 10,000 | 0 |
| 3 | 4 | 1000 | 10,000 | 2.0 (Thinner) |
| 4 | 9.5 | 4000 | 10,000 | 0 |
| 5 | 0 | 0 | 10,000 | 0 |
| PR1(0.5cc) | PR2(0.5cc) | PR3(0.5cc) | PR4(0.5cc) | BARC(1.0cc) | SOH(0.5cc) | |
| 실시예1 | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실시예2 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실시예3 | ○ | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | ○ |
| 실시예4 | ○ | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ○ |
| 비교예1 | X | △ | △ | X | X | X |
| 비교예2 | ○ | △ | ○ | △ | X | △ |
| 비교예3 | X | X | ○ | X | X | △ |
| 비교예4 | X | X | △ | X | X | X |
| 비교예5 | △ | △ | △ | △ | X | △ |
| 비교예6 | X | X | △ | X | X | X |
| 비교예7 | △ | △ | X | X | X | X |
| 비교예8 | X | X | △ | △ | △ | △ |
| 비교예9 | X | X | X | X | X | X |
<판단기준>
◎: Surface scan 결과 리워크된 산화실피콘 표면 파티클의 개수가 1,000개 미만인 경우
○: Surface scan 결과 리워크된 산화실피콘 표면 파티클의 개수가 1,000개 이상 2000개 미만인 경우
△: Surface scan 결과 리워크된 산화실피콘 표면 파티클의 개수가 2,000개 이상 3000개 미만인 경우
X: Surface scan 결과 리워크된 산화실피콘 표면 파티클의 개수가 3,000개 이상인 경우
상기 시험예 1 내지 5의 시험결과에 의하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물은 비교예 1 내지 9의 신너 조성물과 비교하여 PAG 에 대한 용해도, EBR, RRC, 코팅 균일성 및 리워크 특성의 모든 면에서 현저히 우수한 결과를 제공함을 확인할 수 있었다.
Claims (6)
- (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트, (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르, 및 (c) 사이클로펜타논 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 신너 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
조성물 총 중량에 대하여, 상기 (a) C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트 10 내지 70중량%; (b) 프로필렌 글리콜 알킬에테르 10 내지 70중량%; 및 (c) 사이클로펜타논 1 내지 50중량%를 포함하는 신너 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 신너 조성물에 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신너 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 (a)의 C2~C4 알킬렌 글리콜 C1~C4 알킬에테르 아세테이트가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 및 이들의 혼합물로 이루어진 중에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 신너 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 (b) 프로필렌글리콜 알킬에테르가 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 및 프로필렌글리콜 모노부틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 신너 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 신너 조성물은 반사방지막, SOC, SOH, i-라인, KrF, ArF, EUV용 포토레지스트에 따르는 RRC 공정, EBR 공정, 리워크 공정, 및 웨이퍼 하부면 세척공정에 사용되는 것을 특징으로 하는 신너 조성물.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160147695A KR102652985B1 (ko) | 2016-11-07 | 2016-11-07 | 감광성 수지 및 반사방지막의 도포성 향상 및 제거용 신너 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020160147695A KR102652985B1 (ko) | 2016-11-07 | 2016-11-07 | 감광성 수지 및 반사방지막의 도포성 향상 및 제거용 신너 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180050979A true KR20180050979A (ko) | 2018-05-16 |
| KR102652985B1 KR102652985B1 (ko) | 2024-03-29 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160147695A KR102652985B1 (ko) | 2016-11-07 | 2016-11-07 | 감광성 수지 및 반사방지막의 도포성 향상 및 제거용 신너 조성물 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR102652985B1 (ko) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000023107A (ko) * | 1998-09-24 | 2000-04-25 | 무네유키 가코우 | 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물 및 이것을이용한 레지스트 패턴형성방법 |
| KR20030095033A (ko) | 2002-06-11 | 2003-12-18 | 삼성전자주식회사 | 포토 레지스트 도포 방법 |
| KR100503967B1 (ko) | 2002-03-29 | 2005-07-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 제거용 씬너 조성물 |
| KR100511083B1 (ko) * | 2002-11-07 | 2005-08-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 및 폴리머 박리액 조성물 및 이를 이용한반도체소자의 박리, 세정방법 |
| KR20080016930A (ko) * | 2005-07-19 | 2008-02-22 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 감광성 조성물용 제거액 |
| KR20160075577A (ko) * | 2013-10-21 | 2016-06-29 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 표면 잔류물 제거용 세정 제형 |
-
2016
- 2016-11-07 KR KR1020160147695A patent/KR102652985B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000023107A (ko) * | 1998-09-24 | 2000-04-25 | 무네유키 가코우 | 포토레지스트용 바닥반사방지막 재료 조성물 및 이것을이용한 레지스트 패턴형성방법 |
| KR100503967B1 (ko) | 2002-03-29 | 2005-07-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 제거용 씬너 조성물 |
| KR20030095033A (ko) | 2002-06-11 | 2003-12-18 | 삼성전자주식회사 | 포토 레지스트 도포 방법 |
| KR100511083B1 (ko) * | 2002-11-07 | 2005-08-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 및 폴리머 박리액 조성물 및 이를 이용한반도체소자의 박리, 세정방법 |
| KR20080016930A (ko) * | 2005-07-19 | 2008-02-22 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 감광성 조성물용 제거액 |
| KR20160075577A (ko) * | 2013-10-21 | 2016-06-29 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 표면 잔류물 제거용 세정 제형 |
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| Publication number | Publication date |
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| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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