KR20100027511A - 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물 - Google Patents

감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물 Download PDF

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KR20100027511A
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이경호
오영남
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 (a)하기 화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물 및 (b)프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 알킬알콕시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112008062546005-PAT00001
상기 식에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기 및 탄소수 1~10의 히드록시알킬기로부터 선택되며, 상기 R1과 R2는 서로 결합되어 고리를 형성할 수 있다.
감광성 수지, 반사방지막, 씬너, 포토리소그래피, 반도체 소자

Description

감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물{Thinner composition for removing photosensitive resin and anti-reflective coating}
본 발명은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너(Thinner) 조성물에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조공정 중 포토리소그래피(photo lithography) 공정은 웨이퍼 상에 감광성 수지 조성물을 도포하고, 사전에 설계된 패턴을 전사한 후 전사된 패턴에 따라 적절하게 식각 공정을 통하여 전자회로를 구성해나가는 작업으로 매우 중요한 작업중의 하나이다. 이러한 포토리소그래피 공정은 (1)웨이퍼의 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 도포공정, (2)도포된 감광막으로부터 용매를 증발시켜 감광막이 웨이퍼의 표면에 부착하게 하는 소프트 베이킹(soft baking) 공정, (3)자외선 등의 광원을 이용하여 마스크 상의 회로패턴을 반복적, 순차적으로 축소 투영하면서 감광막을 노광시켜 마스크의 패턴을 감광막 상으로 전사하는 노광(露光)공정, (4)광원에 대한 노출에 의한 감광에 따라 용해도 차와 같은 물리적 성질이 다르게 된 부분들을 현상액을 사용하여 선택적으로 제거하는 현상(現像)공정, (5)현상작업 후 웨이퍼 상에 잔류하는 감광막을 웨이퍼에 보다 긴밀 하게 고착시키기 위한 하드 베이킹(hard baking) 공정, (6)현상된 감광막의 패턴에 따라 일정부위를 에칭하는 식각(蝕刻)공정 및 (7)상기 공정 후 불필요하게 된 감광막을 제거하는 박리(剝離) 공정 등으로 진행된다.
상기 포토리소그래피 공정 중에서 웨이퍼 상에 감광막을 공급하고 기판을 회전시켜 원심력에 의해 표면을 고르게 퍼지게 하는 회전도포 공정은 원심력으로 인해 기판의 에지부위와 후면에 감광막이 몰리게 되어 작은 구형물질이 형성된다. 상기 구형물질은 베이크 공정을 거친 후 기판의 이송도중 박리되어 장치 내의 파티클의 원인이 되기도 하고, 노광 시 디포커스(defocus)의 원인이 되기도 한다. 이런 불필요한 감광물질이 장비오염의 원인이 되어 반도체 소자의 제조공정에 있어서 수율을 저하시키므로, 이를 제거하기 위하여 기판의 에지부위와 후면부위의 상하에 분사노즐을 설치하고 상기 노즐을 통하여 에지부위와 후면부위에 유기용매 성분으로 구성된 씬너 조성물을 분사하여 이를 제거하고 있다.
상기 씬너 조성물의 성능을 결정짓는 요소로 용해속도 및 휘발성 등을 들 수 있다. 씬너 조성물의 용해속도는 감광성 수지를 얼마나 효과적으로 빠르게 용해시켜 제거할 수 있느냐 하는 능력으로 매우 중요하다. 구체적으로 에지부위의 린스에 있어서, 적절한 용해속도를 가져야만 매끄러운 처리단면을 가질 수 있으며, 용해속도가 너무 높은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 감광막 어택(attack)이 나타날 수 있다. 반대로 용해속도가 너무 낮은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 테일링(tailing)이라고 하는 부분 용해된 감광막 테일(tail) 흐름 현상이 나타날 수 있다. 특히 최근 들어 반도체 직접회로의 고집적화, 고밀도 화에 따른 기판의 대구경화로 인해 회전도포기를 이용한 린스공정의 경우 회전속도의 저회전(rpm)화는 필연적이라고 할 수 있다. 이런 린스의 공정에서 저회전 속도에 따른 기판의 요동과 분사되는 씬너 조성물의 접촉속도에서 적절한 용해속도를 지니지 못할 경우 튐(bounding) 현상이 나타나며, 불필요한 씬너 조성물의 사용이 늘게 된다. 이와 같은 기판의 대구경화로 인한 저회전 린스 공정에서는 종래의 고회전 린스 공정보다 더욱 씬너의 강력한 용해 속도가 요구되고 있다.
또한, 휘발성은 감광성 수지를 제거하고 난 후, 쉽게 휘발하여 기판의 표면에 잔류하지 않을 것이 요구된다. 휘발성이 너무 낮아 씬너 조성물이 휘발되지 못하고 잔류하는 경우, 잔류하는 씬너 자체가 각종의 공정, 특히 후속 식각 공정 등에서 오염원으로 작용하여 반도체 소자의 수율을 저하시키는 문제점으로 작용할 수 있다. 휘발성이 너무 높으면 기판이 급속히 냉각하여 도포된 감광막의 두께 편차가 심해지는 현상과 사용 중에 대기 중으로 쉽게 휘발되어 청정성 자체를 오염시킬 수 있는 원인이 될 수 있다. 이로 인한 각종 테일링이나 감광막 어택 등의 불량은 모두 반도체 소자의 제조 수율을 저하시키는 직접적인 원인이 되고 있다.
또한, 현재 반도체 리소그라피 공정에서 포토레지스트로 사용하고 있는 i-라인 포토레지스트, KrF 포토레지스트, ArF 포토레지스트, KrF 포토레지스트용 반사방지막 및 ArF 포토레지스트용 반사방지막 등은 모두 구성하고 있는 주성분이 다르기 때문에 단일 성분으로는 충분한 세정효과를 얻을 수 없다는 문제점이 있다. 이를 극복하기 위해 종래의 단일용제들을 혼합하는 방법 등이 연구개발 되었으며, 그 예는 다음과 같다.
일본공개특허공보 평4-130715호는 피루핀산 알킬계 용매와 메틸에틸케톤으로 이루어진 혼합용매로 이루어진 씬너 조성물을 사용한다. 일본공개특허공보 평7-146562호는 프로필렌글리콜 알킬에테르와 3-알콕시 프로피온산 알킬류의 혼합물로 이루어진 씬너 조성물을 사용한다. 일본공개특허공보 평7-128867호는 프로필렌글리콜 알킬에테르와 부틸아세테이트와 에틸락테이트의 혼합물 또는 부틸아세테이트와 에틸락테이트, 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트의 혼합물로 이루어진 씬너 조성물을 사용한다. 일본공개특허공보 평7-160008호는 프로필렌글리콜 알킬에테르 프로피오네이트와 메틸에틸케톤의 혼합물, 혹은 프로필렌글리콜 알킬에테르 프로피오네이트와 초산부틸의 혼합물로 이루어진 씬너 조성물을 사용한다. 미국특허 제4,983,490호는 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트와 프로필렌글리콜 알킬에테르로 이루어진 혼합용매를 씬너 조성물로 사용하였으며, 미국특허 제4,886,728호에서는 에틸락테이트와 메틸에틸케톤으로 이루어진 혼합물을 씬너 조성물로 사용한 바 있다.
그러나 상기에서 서술된 혼합용제들도 점차 고집적화, 대구경화 되고 있는 반도체 소자와 박막 트랜지스터 액정표시소자에 적용되는 경우에는 많은 문제를 야기하고 있다. 또한 ArF 및 ArF 이멀젼 포토레지스트의 사용량이 증가하고 있는 추세이며, 레진의 화학적 구조 측면에서도 극성이 높은 구조들이 채택되고 있다. 따라서 기존의 씬너 조성들은 이들 레진에 대한 용해능이 낮으며, 충분히 EBR 및 포토레지스트 도포 이전에 웨이퍼 상부의 전처리가 가능하더라도, 이들 레진이 씬너 성분에 완전히 용해되지 않아서 코터의 컵홀더의 오염을 발생 시키거나 컵홀더의 배출구를 막는 현상들을 발생시킨다. 이는 반도체 생산공정의 생산성 및 수율을 저하시키는 원인이 된다.
웨이퍼 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 공정에 있어서 대한민국 공개특허공보 특2003-0095033호에서와 같이 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 도포하기 이전에 씬너를 먼저 도포하여 웨이퍼의 표면장력을 낮춘 상태에서 포토레지스트를 도포하여 적은 량의 포토레지스트로 패턴의 단차를 극복하면서 고르게 도포하는 공정이 실시되고 있다.
그러나, 이 경우에도 씬너의 휘발성이 높으면 포토레지스트가 고르게 퍼지지 못하고 웨이퍼 위에 미세한 패턴의 단차를 극복하지 못하여 웨이퍼 가장자리가 갈라지는 현상이 발생한다. 또한, 휘발성이 너무 낮으면 포토레지스트 도포시에 잔존 씬너에 의해 포토레지스가 어택을 받는 문제점이 발생한다. 휘발도 뿐만 아니라 도포되는 형상은 유기용매의 표면장력, 포토레지스트에 포함된 유기용매 및 포토레지스트의 주성분인 감광성 레진의 구조에 기인하므로, 이를 모두 만족시키는 씬너 조성물이 요구된다.
본 발명은 상기 종래의 씬너 조성물의 단점을 보완하여, 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인해, 기판의 에지부위나 후면부위에서 발생하는 불필요한 포토레지스트에 대해, 균일한 제거 성 능을 지닌 씬너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트 및 하부 반사 방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해성 및 EBR 특성을 가지며, 포토레지스트를 도포하기 이전에 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 씬너 조성물을 먼저 도포하여 웨이퍼 표면을 전처리 하는 공정에서도 우수한 특성을 갖는 씬너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 씬너 조성물에 의해 용해된 용액에서 포토레지스트 및 반사방지막의 구성물들이 석출되는 것을 방지하는 특성을 갖는 씬너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 (a)하기 화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물 및 (b)프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 알킬알콕시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물을 제공한다.
Figure 112008062546005-PAT00002
상기 식에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기 및 탄소수 1~10의 히드록시알킬기로부터 선택되며, 상기 R1과 R2는 서로 결합되어 고리를 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 씬너 조성물을 사용하여 제조되는 기판을 포함하는 반도체 소자 또는 박막트랜지스터 액정표시소자를 제공한다.
본 발명에 따른 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조방법에 사용되는 기판의 에지부위와 후면부위에 사용되어 불필요하게 부착된 포토레지스트를 단시간에 효율적으로 제거할 수 있다. 특히, i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트 및 하부 반사 방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해성 및 EBR 특성을 갖는다. 또한, 포토레지스트를 도포하기 이전에 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 씬너 조성물을 먼저 도포하는 공정에서 우수한 성능을 가진다. 또한, 본 발명의 씬너 조성물은 컵홀더 등의 생산설비의 오염이나 배출구의 막힘 등이 발생하지 않아, 생산성 향상에 도움을 준다.
본 발명은 (a)하기 화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물 및 (b)프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 알킬알콕시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112008062546005-PAT00003
상기 식에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기 및 탄소수 1~10의 히드록시알킬기로부터 선택되며, 상기 R1과 R2는 서로 결합되어 고리를 형성할 수 있다.
상기 씬너 조성물은 조성물 총 중량에 대하여, 상기 (a)화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물 0.1~25 중량% 및 (b)프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 알킬알콕시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분을 75~99.9 중량%로 포함하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 (a)화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물 1~10 중량% 및 (b)프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 알킬알콕시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분을 90~99 중량%로 포함하는 것이 좋다.
상기에서 카보네이트 화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우 본 발명에서 목적으로 하는 효과를 얻기 어려우며, 25 중량%를 초과하여 포함되면 EBR(엣지 비드 리무빙) 프로세서에서 씬너조성물이 뭉치는 현상이 발생하여 바람직하지 않다.
상기 (a)화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물로는 에틸렌 카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 부틸렌 카보네이트, 및 글리세린 카보네이트 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트에서 알킬기로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트로서 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것을 사용하는 것이 좋다.
상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르에서 알킬기로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르로서 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것을 사용하는 것이 좋다.
상기 알킬알콕시프로피오네이트로는 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 및 에틸-3-에톡시 프로피오네이트 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 씬너 조성물은 상기에서 기술된 성분외에 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 본 상기 계면활성제로는 불소계열, 비이온성 계열 또는 이온성 계열의 계면활성제가 바람직하게 사용될 수 있다. 상기 계면활성제는 본 발명의 씬너 조성물 총 중량에 대하여 약 10 내지 500중량ppm으로 포함될 수 있다. 상술한 범위로 포함되는 것이 EBR 특성 개선에 바람직하다.
본 발명의 씬너 조성물은 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
본 발명에서 탄소수가 특별히 한정되지 않은 알킬기, 알콕시기 등은 탄소수가 1~10인 것으로 본다.
본 발명의 씬너 조성물은 EBR 공정, 웨이퍼 하부면 세척공정 및 포토레지스트의 도포 공정에서 포토레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼 표면을 전처리 하는 과정에 바람직하게 사용될 수 있다.
본 발명의 씬너 조성물은 500nm 이하의 고에너지선, X선 및 전자선 등을 광원으로 사용하는 감광성 수지에 바람직하게 적용될 수 있다.
본 발명의 씬너 조성물은 감광성 수지 조성물이 도포된 기판의 에지부위 및 후면부위에 분사하여 불필요한 감광막을 제거하는 반도체 소자 또는 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조 공정에 사용될 수 있으며, 이때 상기 씬너 조성물의 분사량은 5 내지 50cc/min인 것이 바람직하다.
본 발명의 씬너 조성물은 다양한 포토레지스트막 및 하부 반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해도를 가지며, EBR 특성 및 포토레지스트의 도포성능을 향상시킬 수 있다. 특히, i-라인, KrF, ArF용 포토레지스트의 경우 구성하는 감 광성 레진의 기본 구조가 다르기 때문에, 이들의 사용시 불필요한 포토레지스트을 제거하기 위해서는 이들 모두에 대한 용해성 및 도포성을 만족하는 성분 및 조성비로 구성되는 유기용매가 필요하다. 본 발명의 씬너 조성물은 상기와 같은 까다로운 조건을 만족 시킨다. 또한, 본 발명의 씬너 조성물은 극성이 높은 구조를 갖는 포토레지스트 및 반사방지막의 주요 성분들에 대한 용해성능이 우수하여 EBR 공정, 웨이퍼 하부 세척공정 및 포토레지스트 도포이전의 웨이퍼 상부의 전처리 공정이 끝난 후, 코터의 컵홀더를 오염시키거나 배출구를 막는 현상을 발생시키지 않는다.
또한, 본 발명은 상기 씬너 조성물을 사용하여 제조되는 기판을 포함하는 반도체 소자 또는 박막트랜지스터 액정표시소자를 제공한다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
실시예1 내지 4 및 비교예1 내지 2: 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물의 제조
교반기가 설치되어 있는 혼합조에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 메틸-3-메톡시 프로피오네이트(MMP), 프로필렌 카보네이트(PC), 부틸렌 카보네이트(BC)을 표 1에 기재된 조성비로 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물을 제조하였다.
PC(중량%) BC(중량%) PGMEA(중량%) MMP(중량%)
실시예1 10 - 90 -
실시예2 10 10 80 -
실시예3 - 10 - 90
실시예4 10 10 - 80
비교예1 - - 100 -
비교예2 - - - 100
[주] PGMEA: 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (propyleneglycol monomethylether acetate)
MMP: 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 (Methyl-3-methoxy Propionate)
PC: 프로필렌 카보네이트 (Propylene carbonate)
BC: 부틸렌 카보네이트 (Butylene carbonate)
시험예1 : 씬너 조성물에 의한 불필요한 감광막 제거 실험
4인치(inch) 산화 실리콘 기판에 하기 표 2에 기재되어 있는 감광성 수지 조성물을 도포한 후, 실시예1 내지 4 및 비교예1 내지 2의 씬너 조성물을 사용하여 표 3에 기재되어 있는 조건 하에서 에지부위의 불필요한 감광막을 제거하는 실험(Edge Bead Removing 실험: 이하 EBR 실험이라 함)을 진행하였다. 각 실시예1 내지 4 및 비교예1 내지 2의 씬너 조성물들은 압력계가 장치된 가압통에서 공급되며, 이때의 압력은 압력은 1kgf이였고, EBR 노즐에서 나오는 씬너 조성물의 유량은 10 내지 30cc/min으로 하였다. 그리고 광학현미경 및 주사전자현미경을 이용하여 불필요한 감광막의 제거성능을 평가하여, 그 결과를 하기의 표 4에 나타내었다.
구분 조성물 종류 레진 계열 막두께(㎛)
PR 1 KrF용 PR Acetal (PHS) 1.30
PR 2 ArF용 PR Acrylate 0.25
BARC-1 KrF용 BARC 0.06
구분 회전속도(rpm) 시간(Sec)
분배(dispense)조건 300~2000 7
스핀코팅 감광막 두께에 따라 조절 15
EBR 조건1 2000 20
EBR 조건2 2000 25
건조 조건 1300 6
PR 1(KrF용 PR) PR 2(ArF용 PR) BARC-1
실시예1 ◎ ◎ ◎
실시예2 ◎ ◎ ◎
실시예3 ◎ ◎ ◎
실시예4 ◎ ◎ ◎
비교예1 ○ ○ △
비교예2 ○ ○ △
[주] ◎: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성(line uniformity)이 일정
○: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성이 75% 이상으로 양호한 직선 상태
△: EBR 후 에지 부분의 모양이 씬너의 용해작용을 받아서 일그러진 상태
X: EBR 후 에지부위의 막에 테일링(tailing) 현상이 발생한 것
표 4에 의하면, 본 발명에 따른 실시예1 내지 4의 씬너 조성물들은 모든 감광막에 대하여 우수한 EBR 성능을 나타낸다. 반면, 비교예1 내지 2는 실시예1 내지 4의 씬너 조성물에 비해 제거성능이 현저히 떨어짐을 확인할 수 있다.
또한, EBR의 회전 속도(rpm)조건을 변화시킬 경우에도 동등하게 우수한 형태를 유지하였다. 이는 본 발명에 따른 씬너 조성물이 특정조건에서만 효과를 보이는 것이 아니라, 다양한 조건에서 동일한 성능을 보이는 것으로 공정조건의 변화에 대해 종래의 씬너 조성물보다 안정하다는 것을 의미한다.
시험예2 : 포토레지스트 종류에 따른 용해 속도 실험
실시예1 내지 4와 비교예1 내지 2의 씬너 조성물을 사용하여 표 2의 3가지의 포토레지스트에 대한 용해속도를 시험하였다. DRM 기기를 이용하여 6인치 산화실리콘 기판에 3가지 포토레지스트를 도포한 이후 소프트베이킹 공정이 끝난 웨이퍼를 노광하지 않고 전면을 각각의 씬너 조성물에서 현상하면서 용해 속도를 측정하였다. BARC-1의 경우에는 도포 이후 열처리를 하지 않은 상태에서 전면을 각각의 씬너 조성물에서 현상하면서 용해 속도를 측정하였다.
PR 1(KrF용 PR) PR 2(ArF용 PR) BARC-1
실시예1 ◎ ◎ ◎
실시예2 ◎ ◎ ◎
실시예3 ◎ ◎ ◎
실시예4 ◎ ◎ ◎
비교예1 ○ ○ △
비교예2 ◎ ○ ○
[주] ◎: 용해속도가 700nm/sec 이상인 경우.
○: 용해속도가 400nm/sec 이상에서 700nm/sec 미만인 경우.
△: 용해속도가 100nm/sec 이상에서 400nm/sec 미만인 경우.
X: 용해속도가 100nm/sec 미만인 경우
시험예3 : EBR 실험에서 포토레지스트의 제거모양
시험예 1에서 실시예1 및 비교예1의 씬너 조성물에 의하여 포토레지스트가 제거되는 모양을 확인하고 그 결과를 도 1 및 도 2에 그래프로 나타내었다.
도 1은 실시예 1과 비교예 1의 씬너 조성물을 사용하여 PR 1(KrF용 PR)에 대하여 EBR을 진행할 때, PR 1(KrF용 PR)이 제거되어 있는 모양을 나타내고, 도 2는 실시예 1과 비교예 1의 씬너 조성물을 사용하여 PR 2(ArF용 PR)에 대하여 EBR을 진행 할 때, PR 2(ArF용 PR)가 제거되어 있는 모양을 나타낸다. 실시예 1의 경우가 비교예 1의 경우보다 포토레지스트의 막이 레지스트 내부로 적게 밀리고, 도 2의 ArF PR의 경우는 높이도 안정적임을 알 수 있다.
도 1은 실시예 1과 비교예 1의 씬너 조성물을 사용하여 PR 1(KrF용 PR)에 대한 EBR을 진행한 후, PR 1(KrF용 PR)의 도포상태를 막두께로 표시한 그래프이다.
도 2은 실시예 1과 비교예 1의 씬너 조성물을 사용하여 PR 2(ArF용 PR)에 대한 EBR을 진행한 후, PR 2(ArF용 PR)의 도포상태를 막두께로 표시한 도면이다.

Claims (11)

  1. (a)하기 화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물 및 (b)프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 알킬알콕시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112008062546005-PAT00004
    상기 식에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기 및 탄소수 1~10의 히드록시알킬기로부터 선택되며, 상기 R1과 R2는 서로 결합되어 고리를 형성할 수 있다.
  2. 청구항 1에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여, 상기 (a)화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물 0.1~25 중량% 및 (b)프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 알킬에테르 및 알킬알콕시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분을 75~99.9 중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 (a)화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물이 에틸렌 카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 부틸렌 카보네이트 및 글리세린 카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 프로필렌 글리콜 알킬에테르는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 알킬알콕시프로피오네이트는 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 및 에틸-3-에톡시 프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 씬너 조성물이 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.
  8. 청구항 1 에 있어서, 상기 감광성 수지는 500nm 이하의 고에너지선, X선 또는 전자선을 광원으로 사용하는 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 씬너 조성물은 EBR 공정, 웨이퍼 하부면 세척공정 및 포토레지스트의 도포 공정에서 포토레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼 표면을 전처리 하는 과정에 사용되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 및 반사방지막 제거용 씬너 조성물.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9중 어느 한 항의 씬너 조성물을 사용하여 제조되는 기판을 포함하는 반도체 소자.
  11. 청구항 1 내지 청구항 9중 어느 한 항의 씬너 조성물을 사용하여 제조되는 기판을 포함하는 박막트랜지스터 액정표시소자.
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