KR20180035711A - 가열장치 - Google Patents

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Abstract

(과제) 가열장치에 있어서의 유지면의 면내 균열성을 향상시킨다.
(해결수단) 가열장치는, 제 1 방향에 대략 직교하는 제 1 및 제 2 표면을 가지는 판형상이며 내부에 서로 다른 1쌍의 전극 단자에 접속되는 복수의 저항 발열체를 가지는 유지체와, 유지체의 제 2 표면에 접합된 기둥형상 지지체를 구비하며, 유지체의 제 1 표면 상에 유지된 대상물을 가열한다. 상기 복수의 저항 발열체는, 제 1 방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체와 겹치는 영역을 포함하는 제 1 영역과 제 1 방향에서 보았을 때 제 1 영역의 외주측에 위치함과 아울러 기둥형상 지지체와 겹치지 않는 영역을 포함하는 제 2 영역에 걸쳐서 배치된 제 1 저항 발열체와, 제 1 영역과 제 2 영역에 걸쳐서 배치되며 제 1 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량이 제 2 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량보다 큰 제 2 저항 발열체를 포함한다.

Description

가열장치{HEATING DEVICE}
본 명세서에 개시되는 기술은 가열장치에 관한 것이다.
대상물(예를 들면, 반도체 웨이퍼)을 유지하면서 소정의 처리 온도(예를 들면, 400∼650℃ 정도)로 가열하는 가열장치("서셉터"라고도 한다)가 알려져 있다. 가열장치는 예를 들면 성막장치(CVD 성막장치나 스퍼터링 성막장치 등)나 에칭장치(플라스마 에칭장치 등)라고 하는 반도체 제조장치의 일부로서 사용된다.
일반적으로 가열장치는 소정의 방향(이하, "제 1 방향"이라 한다)에 대략 직교하는 유지면 및 이면을 가지는 판형상의 유지체와, 제 1 방향으로 연장되는 기둥형상이며 유지체의 이면에 접합된 기둥형상 지지체를 구비한다. 유지체의 내부에는 저항 발열체가 배치되어 있다. 저항 발열체에 전압이 인가되면, 저항 발열체가 발열되어 유지체의 유지면에 유지된 대상물(예를 들면, 반도체 웨이퍼)이 예를 들면 400∼650℃ 정도로 가열된다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1 :　일본국 특개평10-242252호 공보
최근에는 반도체 제조 프로세스에 있어서의 패턴 미세화나 제조수율 향상 등을 도모하기 위해서, 가열장치의 유지면 내의 온도 균일성{면내 균열성(面內 均熱性)}의 향상에 대한 요구가 높아지고 있다. 그러나, 유지체의 내부의 저항 발열체에서 발생한 열은 기둥형상 지지체를 통해서 달아나기 때문에(이하, 이 현상을 "열도피"라 한다), 유지체의 유지면 중 제 1 방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체와 겹치는 부분에서 온도가 낮아지기 쉬우며, 그 결과, 유지면의 면내 균열성이 낮아지게 될 우려가 있다.
본 명세서에서는 상술한 과제를 해결하는 것이 가능한 기술을 개시한다.
본 명세서에 개시되는 기술은, 예를 들면 이하의 형태로서 실현하는 것이 가능하다.
(1) 본 명세서에 개시되는 가열장치는, 제 1 방향에 대략 직교하는 제 1 및 제 2 표면을 가지는 판형상이며 내부에 서로 다른 1쌍의 전극 단자에 접속되는 복수의 저항 발열체를 가지는 유지체와, 상기 제 1 방향으로 연장되는 기둥형상이며 상기 유지체의 상기 제 2 표면에 접합된 기둥형상 지지체를 구비하며, 상기 유지체의 상기 제 1 표면 상에 유지된 대상물을 가열하는 가열장치에 있어서, 상기 복수의 저항 발열체는, 상기 제 1 방향에서 보았을 때 상기 기둥형상 지지체와 겹치는 영역을 포함하는 제 1 영역과 상기 제 1 방향에서 보았을 때 상기 제 1 영역의 외주측에 위치함과 아울러 상기 기둥형상 지지체와 겹치지 않는 영역을 포함하는 제 2 영역에 걸쳐서 배치되며, 상기 제 1 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량이 상기 제 2 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량과 거의 동일한 제 1 저항 발열체와, 상기 제 1 방향에 있어서 상기 제 1 저항 발열체와는 다른 위치에 배치되며 또한 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역에 걸쳐서 배치되며, 상기 제 1 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량이 상기 제 2 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량보다 큰 제 2 저항 발열체를 포함한다.
이와 같이, 본 가열장치에서는 유지체의 내부에 서로 다른 1쌍의 전극 단자에 접속된 복수의 저항 발열체가 형성되어 있으며, 이 복수의 저항 발열체가 제 1 영역과 제 2 영역에 걸쳐서 배치되며 제 1 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량이 제 2 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량과 거의 동일한 제 1 저항 발열체와, 제 1 방향에 있어서 제 1 저항 발열체와는 다른 위치에 배치되며 또한 제 1 영역과 제 2 영역에 걸쳐서 배치된 제 2 저항 발열체를 포함한다. 제 2 저항 발열체는 제 1 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량이 제 2 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량보다 크다. 그렇기 때문에, 본 가열장치에서는 제 1 저항 발열체를 발열시킴으로써 유지체에 있어서의 제 1 영역 및 제 2 영역을 가열하면서, 이것과는 독립하여 제 2 저항 발열체를 발열시킴으로써 유지체에 있어서의 제 1 영역 및 제 2 영역을 가열할 수 있다. 이 때, 제 2 저항 발열체의 발열량은 제 2 영역과 비교하여 제 1 영역에 있어서 크다.
따라서, 본 가열장치에서는 제 1 영역에 있어서의 제 2 저항 발열체의 큰 발열량에 의해서 기둥형상 지지체를 통한 열도피의 영향에 의한 제 1 표면의 면내 균열성의 저하를 억제할 수 있다.
(2) 상기 가열장치에 있어서, 상기 제 2 저항 발열체는 상기 제 1 방향에 있어서 상기 제 1 저항 발열체보다 상기 제 1 표면에 가까운 위치에 배치되어 있는 구성으로 하여도 좋다.
본 가열장치에 의하면, 제 2 저항 발열체를 발열시킴으로써 제 1 표면에 있어서의 제 1 영역에 속하는 부분의 온도를 신속하게 높일 수 있어 제 1 표면의 면내 균열성을 신속하게 또한 고도로 향상시킬 수 있다.
(3) 상기 가열장치에 있어서, 상기 제 2 저항 발열체는 상기 제 1 방향에 있어서 상기 제 1 저항 발열체보다 상기 제 1 표면으로부터 멀어진 위치에 배치되어 있는 구성으로 하여도 좋다.
본 가열장치에 의하면, 제 2 저항 발열체를 발열시킴으로써 기둥형상 지지체를 통한 열도피를 효과적으로 억제할 수 있어 제 1 표면의 면내 균열성을 향상시킬 수 있다.
(4) 상기 가열장치에 있어서, 상기 제 2 저항 발열체는 상기 제 1 방향에서 보았을 때 소정의 축선을 따라서 연장되며, 상기 제 1 영역에 있어서의 폭이 상기 제 2 영역에 있어서의 폭보다 좁은 형상인 구성으로 하여도 좋다.
본 가열장치에 의하면, 간단한 구성에 의해서 제 1 영역에 있어서의 제 2 저항 발열체의 단위 면적당 발열량을 제 2 영역에 있어서의 제 2 저항 발열체의 단위 면적당 발열량보다 크게 할 수 있다.
(5) 상기 가열장치에 있어서, 상기 복수의 저항 발열체는, 상기 제 1 방향에 있어서 상기 제 1 저항 발열체와 거의 동일한 위치에 배치되며 또한 상기 제 1 방향에서 보았을 때 상기 제 2 영역의 외주측에 위치하는 제 3 영역에만 배치된 제 3 저항 발열체를 더 포함하는 구성으로 하여도 좋다.
본 가열장치에 의하면, 제 1 저항 발열체나 제 2 저항 발열체를 이용한 유지체의 가열과는 독립하여 제 3 저항 발열체를 발열시킴으로써 유지체에 있어서의 제 3 영역을 가열할 수 있다. 따라서, 본 가열장치에서는, 제 3 저항 발열체를 이용한 유지체의 제 3 영역의 가열에 의해서 제 1 표면의 주연부(周緣部)의 온도를 제어할 수 있어 제 1 표면의 면내 균열성을 한층 더 향상시킬 수 있다.
(6) 상기 가열장치에 있어서, 상기 제 2 저항 발열체는 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역과 상기 제 3 영역에 걸쳐서 배치되며, 상기 제 1 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량이 상기 제 2 영역 및 상기 제 3 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량보다 큰 것을 특징으로 하는 구성으로 하여도 좋다.
본 가열장치에 의하면, 제 3 영역에, 제 3 저항 발열체에 더하여 제 2 저항 발열체도 존재하기 때문에, 제 1 표면의 주연부의 온도의 균일성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 본 명세서에 개시되는 기술은 여러 가지 형태로 실현하는 것이 가능하며, 예를 들면 가열장치, 반도체 제조장치, 이것들의 제조방법 등의 형태로 실현하는 것이 가능하다.
도 1은 제 1 실시형태에 있어서의 가열장치(100)의 외관 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 제 1 실시형태에 있어서의 가열장치(100)의 평면 구성을 개략적으로 나타내는 설명도이다.
도 3은 제 1 실시형태에 있어서의 가열장치(100)의 단면 구성(도 2, 4, 5의 Ⅲ-Ⅲ 위치에서의 단면 구성)을 개략적으로 나타내는 설명도이다.
도 4는 제 1 실시형태에 있어서의 가열장치(100)의 단면 구성(도 3의 Ⅳ-Ⅳ 위치에서의 단면 구성)을 개략적으로 나타내는 설명도이다.
도 5는 제 1 실시형태에 있어서의 가열장치(100)의 단면 구성(도 3의 Ⅴ-Ⅴ 위치에서의 단면 구성)을 개략적으로 나타내는 설명도이다.
도 6은 제 2 실시형태의 가열장치(100a)의 단면 구성(도 7, 8의 Ⅵ-Ⅵ 위치에서의 단면 구성)을 개략적으로 나타내는 설명도이다.
도 7은 제 2 실시형태의 가열장치(100a)의 단면 구성(도 6의 Ⅶ-Ⅶ 위치에서의 단면 구성)을 개략적으로 나타내는 설명도이다.
도 8은 제 2 실시형태의 가열장치(100a)의 단면 구성(도 6의 Ⅷ-Ⅷ 위치에서의 단면 구성)을 개략적으로 나타내는 설명도이다.
A. 제 1 실시형태 :
A-1. 가열장치(100)의 구성 :
도 1은 제 1 실시형태에 있어서의 가열장치(100)의 외관 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 2는 제 1 실시형태에 있어서의 가열장치(100)의 평면(상면) 구성을 개략적으로 나타내는 설명도이고, 도 3 내지 도 5는 제 1 실시형태에 있어서의 가열장치(100)의 단면 구성을 개략적으로 나타내는 설명도이다. 도 3에는 도 2, 4, 5의 Ⅲ-Ⅲ 위치에서의 가열장치(100)의 XZ 단면 구성이 도시되어 있고, 도 4에는 도 3의 IV-IV 위치에서의 가열장치(100)의 XY 단면 구성이 도시되어 있고, 도 5에는 도 3의 V-V 위치에서의 가열장치(100)의 XY 단면 구성이 도시되어 있다. 각 도면에는 방향을 특정하기 위한 서로 직교하는 XYZ축이 도시되어 있다. 본 명세서에서는 편의적으로 Z축 정방향을 상측방향으로 하고, Z축 부방향을 하측방향으로 하는 것이지만, 가열장치(100)는 실제로는 이러한 방향과는 다른 방향으로 설치되어도 좋다. 도 6 이후에 대해서도 마찬가지이다.
가열장치(100)는 대상물{예를 들면, 반도체 웨이퍼(W)}을 유지하면서 소정의 처리 온도(예를 들면, 400∼650℃ 정도)로 가열하는 장치이며, 서셉터라고도 한다. 가열장치(100)는 예를 들면 성막장치(CVD 성막장치나 스퍼터링 성막장치 등)나 에칭장치(플라스마 에칭장치 등)라고 하는 반도체 제조장치의 일부로서 사용된다.
가열장치(100)는 유지체(10)와 기둥형상 지지체(20)를 구비한다.
유지체(10)는 소정의 방향(본 실시형태에서는 상하방향, 즉 Z축방향)에 대략 직교하는 유지면(S1) 및 이면(S2)을 가지는 대략 원판형상의 부재이다. 유지체(10)는 예를 들면 AlN(질화알루미늄)이나 Al2O3(알루미나)를 주성분으로 하는 세라믹스에 의해서 형성되어 있다. 또한, 여기서 말하는 주성분이란 함유 비율(중량 비율)이 가장 많은 성분을 의미한다. 유지체(10)의 직경은 예를 들면 100㎜ 이상 500㎜ 이하 정도이고, 유지체(10)의 두께(상하방향에 있어서의 길이)는 예를 들면 3㎜ 이상 10㎜ 이하 정도이다. 상기 소정의 방향(상하방향)은 특허청구범위에 있어서의 제 1 방향에 상당하고, 유지체(10)의 유지면(S1)은 특허청구범위에 있어서의 제 1 표면에 상당하고, 유지체(10)의 이면(S2)은 특허청구범위에 있어서의 제 2 표면에 상당한다.
기둥형상 지지체(20)는 상기 소정의 방향(상하방향)으로 연장되는 대략 원기둥형상 부재이다. 기둥형상 지지체(20)에는 상면(S3)에서부터 하면(S4)까지 상하방향으로 관통하는 관통구멍(22)이 형성되어 있다. 기둥형상 지지체(20)는 유지체(10)와 마찬가지로 예를 들면 AlN이나 Al2O3를 주성분으로 하는 세라믹스에 의해서 형성되어 있다. 기둥형상 지지체(20)의 외경은 예를 들면 30㎜ 이상 90㎜ 이하 정도이고, 기둥형상 지지체(20)의 높이(상하방향에 있어서의 길이)는 예를 들면 100㎜ 이상 300㎜ 이하 정도이다.
유지체(10)와 기둥형상 지지체(20)는 유지체(10)의 이면(S2)과 기둥형상 지지체(20)의 상면(S3)이 상하방향으로 대향하도록 배치되어 있다. 기둥형상 지지체(20)는 유지체(10)의 이면(S2)의 중심부 부근에 공지의 접합재료에 의해 형성된 접합층(30)을 통해서 접합되어 있다.
도 3 내지 도 5에 나타낸 바와 같이, 유지체(10)의 내부에는 유지체(10)를 가열하는 히터로서의 3개의 저항 발열체{제 1 저항 발열체(51), 제 2 저항 발열체(52), 제 3 저항 발열체(53)}가 배치되어 있다. 각 저항 발열체(51, 52, 53)는 예를 들면 텅스텐이나 몰리브덴 등의 도전성 재료에 의해서 형성되어 있다.
여기서, 본 실시형태의 가열장치(100)에서는 유지체(10)에 있어서 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)과 제 3 영역(R3)이 설정되어 있다. 제 1 영역(R1)은 Z축방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체(20)와 겹치는 대략 원기둥형상의 영역이다. 또, 제 2 영역(R2)은 Z축방향에서 보았을 때 제 1 영역(R1)의 외주측에 인접하도록 위치하며 또한 기둥형상 지지체(20)와 겹치지 않는 대략 원통형상의 영역이다. 또, 제 3 영역(R3)은 Z축방향에서 보았을 때 제 2 영역(R2)의 외주측에 인접하도록 위치하며 또한 유지체(10)의 외주선(外周線)을 포함하는 대략 원통형상의 영역이다. 즉, Z축방향에서 보았을 때 제 1 영역(R1)은 유지체(10)의 중심부에 위치하고, 제 3 영역(R3)은 유지체(10)의 주연부에 위치하고, 제 2 영역(R2)은 제 1 영역(R1)과 제 3 영역(R3)의 사이에 위치한다. Z축방향에서 보았을 때에 있어서의 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)의 경계선(B1)의 위치는 기둥형상 지지체(20)의 외주선의 위치에 상당한다. 또, Z축방향에서 보았을 때에 있어서의 제 2 영역(R2)과 제 3 영역(R3)의 경계선(B2)의 위치는 적절히 설정된다. 예를 들면, 경계선(B2)의 위치는 유지체(10)의 외주선의 위치로부터 유지체(10)의 직경의 1/5에서 1/18 정도만큼 내측으로 들어간 위치에 설정된다. 또한, "Z축방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체(20)와 겹친다"라는 것은 Z축방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체(20)의 외주선에 둘러싸인 영역과 겹치는 것을 의미하고, "Z축방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체(20)와 겹치지 않는다"라는 것은 Z축방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체(20)의 외주선에 둘러싸인 영역과 겹치지 않는 것을 의미한다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 제 1 저항 발열체(51)는 유지체(10)에 있어서의 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)에 걸쳐서 배치되어 있다. 즉, 제 1 저항 발열체(51)는 Z축방향에서 보았을 때 유지체(10)에 있어서의 주연부를 제외한 부분에 배치되어 있다. 또, 제 3 저항 발열체(53)는 유지체(10)에 있어서의 제 3 영역(R3)에만 배치되어 있다. 즉, 제 3 저항 발열체(53)는 Z축방향에서 보았을 때 유지체(10)에 있어서의 주연부에 배치되어 있다. 제 3 저항 발열체(53)의 상하방향에 있어서의 위치는 제 1 저항 발열체(51)의 상하방향에 있어서의 위치와 거의 동일하다. 제 1 저항 발열체(51) 및 제 3 저항 발열체(53)는 Z축방향에서 보았을 때 소정의 축선을 따라서 연장되며, 대략 균등 간격으로 주회하는 대략 나선형상의 패턴을 구성하고 있다.
한편, 도 5에 나타낸 바와 같이, 제 2 저항 발열체(52)는 유지체(10)에 있어서의 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)과 제 3 영역(R3)에 걸쳐서 배치되어 있다. 즉, 제 2 저항 발열체(52)는 Z축방향에서 보았을 때 유지체(10)의 전체에 걸쳐서 배치되어 있다. 제 2 저항 발열체(52)의 상하방향에 있어서의 위치는 제 1 저항 발열체(51)보다 유지면(S1)에 가까운 위치{즉, 제 1 저항 발열체(51)보다 상측인 위치}이다. 제 2 저항 발열체(52)는 Z축방향에서 보았을 때 소정의 축선을 따라서 연장되며, 대략 균등 간격으로 주회하는 대략 나선형상의 패턴을 구성하고 있다.
가열장치(100)는 3개의 저항 발열체(51, 52, 53)의 각각에 전압을 인가하기 위한 구성을 구비하고 있다. 구체적으로는, 기둥형상 지지체(20)의 관통구멍(22) 내에는 3개의 저항 발열체(51, 52, 53)의 각각에 대응하는 1쌍의 전극 단자(56)가 수용되어 있다. 제 1 저항 발열체(51)에 대응하는 1쌍의 전극 단자(56) 중의 일방은 유지체(10)의 이면(S2) 측에 형성된 수전(受電) 전극(전극 패드)(54) 및 유지체(10)의 내부에 형성된 비아 도체(55)를 통해서 제 1 저항 발열체(51)의 일방의 단부에 전기적으로 접속되어 있다. 또, 제 1 저항 발열체(51)에 대응하는 1쌍의 전극 단자(56) 중의 타방은 다른 수전 전극(54) 및 비아 도체(55)를 통해서 제 1 저항 발열체(51)의 타방의 단부에 전기적으로 접속되어 있다. 제 2 저항 발열체(52)에 대응하는 1쌍의 전극 단자(56) 및 제 3 저항 발열체(53)에 대응하는 1쌍의 전극 단자(56)에 대해서도, 상기한 바와 마찬가지로 각각 대응하는 수전 전극(54) 및 비아 도체(55)를 통해서 제 2 저항 발열체(52) 또는 제 3 저항 발열체(53)의 각 단부에 전기적으로 접속되어 있다.
이와 같이, 3개의 저항 발열체(51, 52, 53)는 서로 다른 1쌍의 전극 단자(56)에 접속되어 있다. 또한, 여기서 말하는 "서로 다른 1쌍의 전극 단자(56)"란, 전극 단자(56)의 조합이 완전히 동일하지 않은 것을 의미한다. 즉, 3개의 저항 발열체(51, 52, 53)가 서로 다른 1쌍의 전극 단자(56)에 접속되어 있다는 것은, 1개의 저항 발열체{예를 들면 제 1 저항 발열체(51)}에 접속된 1쌍의 전극 단자(56)의 일방은 다른 1개의 저항 발열체{예를 들면 제 2 저항 발열체(52)}에 접속되어 있지 않지만, 상기 1개의 저항 발열체{예를 들면 제 1 저항 발열체(51)}에 접속된 1쌍의 전극 단자(56)의 타방은 상기 다른 1개의 저항 발열체{예를 들면 제 2 저항 발열체(52)}에 접속되어 있는 형태를 포함하고 있다.
전원(도시생략)으로부터 제 1 저항 발열체(51)에 대응하는 1쌍의 전극 단자(56), 1쌍의 수전 전극(54) 및 1쌍의 비아 도체(55)를 통해서 제 1 저항 발열체(51)에 전압이 인가되면, 제 1 저항 발열체(51)가 발열한다. 제 2 저항 발열체(52) 및 제 3 저항 발열체(53)에 대해서도 상기한 바와 마찬가지로 전압이 인가되면 발열한다. 각 저항 발열체(51, 52, 53)가 발열함으로써 유지체(10)가 가열되고, 유지체(10)의 유지면(S1) 상에 유지된 대상물{예를 들면, 반도체 웨이퍼(W)}이 소정의 온도(예를 들면, 400∼650℃ 정도)로 가열된다. 상술한 바와 같이, 각 저항 발열체(51, 52, 53)는 서로 다른 1쌍의 전극 단자(56)에 접속되어 있기 때문에, 각 저항 발열체(51, 52, 53)의 발열 제어는 개별적으로 실행 가능하다.
또한, 기둥형상 지지체(20)의 관통구멍(22) 내에는 도시하지 않은 열전대가 수용되어 있으며, 열전대의 상단부는 유지체(10)의 중앙부에 매립되어 있다. 열전대에 의해서 유지체(10)의 온도가 측정되며, 그 측정 결과에 근거하여 유지체(10)의 유지면(S1)의 온도 제어가 실현된다.
A-2. 각 저항 발열체(51, 52, 53)의 상세 구성 :
상술한 바와 같이, 제 1 저항 발열체(51)는 유지체(10)에 있어서의 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)에 걸쳐서 배치되어 있다. 제 1 저항 발열체(51)에 대해서, 제 1 영역(R1)에 있어서의 단위 면적당 발열량은 제 2 영역(R2)에 있어서의 단위 면적당 발열량과 거의 동일하다. 본 실시형태에서는, 제 1 영역(R1)에 있어서의 제 1 저항 발열체(51)의 선폭(W11)이 제 2 영역(R2)에 있어서의 제 1 저항 발열체(51)의 선폭(W12)과 거의 동일하게 되어 있는 결과, 이와 같은 발열량의 관계가 실현되고 있다.
한편, 제 2 저항 발열체(52)는 유지체(10)에 있어서의 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)과 제 3 영역(R3)에 걸쳐서 배치되어 있다. 제 2 저항 발열체(52)에 대해서, 제 1 영역(R1)에 있어서의 단위 면적당 발열량은 제 2 영역(R2)에 있어서의 단위 면적당 발열량보다 크다. 본 실시형태에서는, 제 1 영역(R1)에 있어서의 제 2 저항 발열체(52)의 선폭(W21)이 제 2 영역(R2)에 있어서의 제 2 저항 발열체(52)의 선폭(W22)보다 좁게 되어 있는 결과, 이와 같은 발열량의 관계가 실현되고 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 제 2 저항 발열체(52)에 대해서, 제 3 영역(R3)에 있어서의 단위 면적당 발열량은 제 2 영역(R2)에 있어서의 단위 면적당 발열량과 거의 동일하다. 구체적으로는, 제 3 영역(R3)에 있어서의 제 2 저항 발열체(52)의 선폭(W23)은 제 2 영역(R2)에 있어서의 제 2 저항 발열체(52)의 선폭(W22)과 거의 동일하게 되어 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 유지체(10)에 있어서의 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)을 합친 영역에 관해서, 제 2 저항 발열체(52)의 발열량은 제 1 저항 발열체(51)의 발열량보다 작다. 즉, 본 실시형태에서는 제 1 저항 발열체(51)가 메인 히터로서 기능하고, 제 2 저항 발열체(52)는 제 1 저항 발열체(51)를 보조하는 보조 히터로서 기능한다.
또, 본 실시형태에서는, 유지체(10)에 있어서의 제 3 영역(R3)에만 배치된 제 3 저항 발열체(53)에 대해서는 전체 길이에 걸쳐서 선폭이 거의 일정하게 되어 있다.
A-3. 가열장치(100)의 제조방법 :
가열장치(100)의 제조방법은 예를 들면 다음과 같다. 우선, 유지체(10)와 기둥형상 지지체(20)를 제작한다.
유지체(10)의 제작방법은 예를 들면 다음과 같다. 우선, 질화알루미늄 분말 100중량부에 산화이트륨(Y2O3) 분말 1중량부와 아크릴계 바인더 20중량부와 적량의 분산제 및 가소제를 첨가한 혼합물에 톨루엔 등의 유기용제를 첨가하고서 볼밀로 혼합하여 그린시트용 슬러리를 제작한다. 이 그린시트용 슬러리를 캐스팅 장치로 시트형상으로 성형한 후에 건조시켜서 그린시트를 복수매 제작한다.
또, 질화알루미늄 분말, 아크릴계 바인더, 테르피네올 등의 유기용제의 혼합물에 텅스텐이나 몰리브덴 등의 도전성 분말을 첨가하고서 혼련(混練)함으로써 메탈라이즈 페이스트를 제작한다. 이 메탈라이즈 페이스트를 예를 들면 스크린 인쇄장치를 이용하여 인쇄함으로써, 특정한 각 그린시트에 나중에 각 저항 발열체(51, 52, 53)나 수전 전극(54) 등이 되는 미소결 도체층을 형성한다. 또, 그린시트에 미리 비아 구멍을 형성한 상태로 인쇄함으로써, 나중에 비아 도체(55)가 되는 미소결 도체부를 형성한다.
그리고, 이러한 그린시트를 복수매(예를 들면 20매) 열압착하고, 필요에 따라서 외주를 절단하여 그린시트 적층체를 제작한다. 이 그린시트 적층체를 머시닝으로 절삭가공하여 원판형상의 성형체를 제작하고, 이 성형체를 탈지하고, 또한 이 탈지체를 소성하여 소성체를 제작한다. 이 소성체의 표면을 연마가공한다. 이상의 공정에 의해서 유지체(10)가 제작된다.
또, 기둥형상 지지체(20)의 제작방법은 예를 들면 다음과 같다. 우선, 질화알루미늄 분말 100중량부에 산화이트륨 분말 1중량부와 PVA 바인더 3중량부와 적량의 분산제 및 가소제를 첨가한 혼합물에 메타놀 등의 유기용제를 첨가하고서 볼밀로 혼합하여 슬러리를 얻는다. 이 슬러리를 스프레이 드라이어로 과립화하여 원료 분말을 제작한다. 그리고, 관통구멍(22)에 대응하는 코어가 배치된 고무 틀에 원료 분말을 충전하고 냉간 정수압 프레스하여 성형체를 얻는다. 얻어진 성형체를 탈지하고, 또한 이 탈지체를 소성한다. 이상의 공정에 의해서 기둥형상 지지체(20)가 제작된다.
그리고, 유지체(10)와 기둥형상 지지체(20)를 접합한다. 유지체(10)의 이면(S2) 및 기둥형상 지지체(20)의 상면(S3)에 대해서 필요에 따라서 래핑가공을 실시한 후, 유지체(10)의 이면(S2)과 기둥형상 지지체(20)의 상면(S3)의 적어도 일방에 예를 들면 희토류나 유기용제 등을 혼합하여 페이스트 형상으로 한 공지의 접합제를 균일하게 도포한 후, 탈지 처리한다. 그리고, 유지체(10)의 이면(S2)과 기둥형상 지지체(20)의 상면(S3)을 서로 겹치고서 핫프레스 소성을 실시함으로써, 유지체(10)와 기둥형상 지지체(20)를 접합한다.
유지체(10)와 기둥형상 지지체(20)의 접합 후, 각 전극 단자(56)를 관통구멍(22) 내에 삽입하고, 각 전극 단자(56)의 상단부를 각 수전 전극(54)에 예를 들면 금납재로 납땜한다. 또, 열전대를 관통구멍(22) 내에 삽입하고, 열전대의 상단부를 매설 고정한다. 이상의 제조방법에 의해서 상술한 구성의 가열장치(100)가 제조된다.
A-4. 제 1 실시형태의 효과 :
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 가열장치(100)는, Z축방향에 대략 직교하는 유지면(S1) 및 이면(S2)을 가지는 판형상이며 내부에 서로 다른 1쌍의 전극 단자(56)에 접속되는 복수의 저항 발열체를 가지는 유지체(10)와, Z축방향으로 연장되는 기둥형상이며 유지체(10)의 이면(S2)에 접합된 기둥형상 지지체(20)를 구비하며, 유지체(10)의 유지면(S1) 상에 유지된 반도체 웨이퍼(W) 등의 대상물을 가열하는 장치이다.
여기서, 유지체(10)에 있어서, Z축방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체(20)와 겹치는 영역인 제 1 영역(R1)은 기둥형상 지지체(20)를 통한 열도피에 의해서 온도가 저하되기 쉬운 영역이다. 한편, 유지체(10)에 있어서, Z축방향에서 보았을 때 제 1 영역(R1)의 외주측에 위치함과 아울러 기둥형상 지지체(20)와 겹치지 않는 영역인 제 2 영역(R2)은 기둥형상 지지체(20)를 통한 열도피의 영향을 받기 어려운 영역이다. 그렇기 때문에, 유지면(S1) 중의 제 1 영역(R1)에 속하는 부분은 유지면(S1) 중의 제 2 영역(R2)에 속하는 부분에 비해서 온도가 낮아지기 쉬우며, 그 결과, 유지면(S1)의 면내 균열성이 낮아지게 될 우려가 있다.
본 실시형태의 가열장치(100)에서는, 상기 복수의 저항 발열체가 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)에 걸쳐서 배치되며 제 1 영역(R1)에 있어서의 단위 면적당 발열량이 제 2 영역(R2)에 있어서의 단위 면적당 발열량과 거의 동일한 제 1 저항 발열체(51)를 포함한다. 또한, 상기 복수의 저항 발열체는 Z축방향에 있어서 제 1 저항 발열체(51)와는 다른 위치에 배치되며 또한 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)에 걸쳐서 배치된 제 2 저항 발열체(52)를 포함한다. 제 2 저항 발열체(52)는 제 1 영역(R1)에 있어서의 선폭(W21)이 제 2 영역(R2)에 있어서의 선폭(W22)보다 좁은 형상이기 때문에, 제 1 영역(R1)에 있어서의 단위 면적당 발열량이 제 2 영역(R2)에 있어서의 단위 면적당 발열량보다 크다. 또, 제 2 저항 발열체(52)는 제 1 저항 발열체(51)에 접속되는 1쌍의 전극 단자(56)와는 다른 1쌍의 전극 단자(56)에 접속되기 때문에, 제 1 저항 발열체(51)와는 독립하여 제어될 수 있다. 그렇기 때문에, 본 실시형태의 가열장치(100)에서는 제 1 저항 발열체(51)를 발열시킴으로써 유지체(10)에 있어서의 제 1 영역(R1) 및 제 2 영역(R2)을 가열하면서, 이것과는 독립하여 제 2 저항 발열체(52)를 발열시킴으로써 유지체(10)에 있어서의 제 1 영역(R1) 및 제 2 영역(R2)를 가열할 수 있다. 이 때, 제 2 저항 발열체(52)의 발열량은 제 2 영역(R2)과 비교하여 제 1 영역(R1)에 있어서 크다.
따라서, 본 실시형태의 가열장치(100)에서는 제 1 영역(R1)에 있어서의 제 2 저항 발열체(52)의 큰 발열량에 의해서 기둥형상 지지체(20)를 통한 열도피의 영향에 의한 유지면(S1)의 면내 균열성의 저하를 억제할 수 있다.
또, 본 실시형태의 가열장치(100)에서는, 제 2 저항 발열체(52)가 Z축방향에 있어서 제 1 저항 발열체(51)보다 유지면(S1)에 가까운 위치에 배치되어 있다. 그렇기 때문에, 제 2 저항 발열체(52)를 발열시킴으로써 유지면(S1)에 있어서의 제 1 영역(R1)에 속하는 부분의 온도를 신속하게 높일 수 있어 유지면(S1)의 면내 균열성을 신속하게 고도로 향상시킬 수 있다.
또, 본 실시형태의 가열장치(100)에서는, 상기 복수의 저항 발열체는, Z축방향에 있어서 제 1 저항 발열체(51)와 거의 동일한 위치에 배치되며 또한 Z축방향에서 보았을 때 제 2 영역(R2)의 외주측에 위치하는 제 3 영역(R3)에만 배치된 제 3 저항 발열체(53)를 더 포함한다. 유지체(10)에 있어서의 제 3 영역(R3)은 Z축방향에서 보았을 때 주연부의 영역이다. 제 3 저항 발열체(53)는 제 1 저항 발열체(51) 및 제 2 저항 발열체(52)에 접속되는 1쌍의 전극 단자(56)와는 다른 1쌍의 전극 단자(56)에 접속되기 때문에, 제 1 저항 발열체(51) 및 제 2 저항 발열체(52)와는 독립하여 제어될 수 있다. 그렇기 때문에, 본 실시형태의 가열장치(100)에서는, 제 1 저항 발열체(51)나 제 2 저항 발열체(52)를 이용한 유지체(10)의 가열과는 독립하여 제 3 저항 발열체(53)를 발열시킴으로써 유지체(10)에 있어서의 제 3 영역(R3)을 가열할 수 있다.
따라서, 본 실시형태의 가열장치(100)에서는, 제 3 저항 발열체(53)를 이용한 유지체(10)의 제 3 영역(R3)의 가열에 의해서 유지면(S1)의 주연부의 온도를 제어할 수 있어 유지면(S1)의 면내 균열성을 한층 더 향상시킬 수 있다.
또, 본 실시형태의 가열장치(100)에서는 제 3 저항 발열체(53)가 Z축방향에 있어서 제 1 저항 발열체(51)와 거의 동일한 위치, 즉 제 2 저항 발열체(52)에 비해서 유지면(S1)으로부터 멀어진 위치에 배치되어 있기 때문에, 제 3 저항 발열체(53)에서 발열된 열이 유지면(S1)에 전해질 때까지의 경로를 길게 할 수 있어, 유지면(S1)에 있어서의 제 2 영역(R2)과 제 3 영역(R3)의 경계 부근에 있어서의 온도차를 저하시켜서 유지면(S1)의 면내 균열성을 한층 더 향상시킬 수 있다.
또, 본 실시형태의 가열장치(100)에서는, 제 2 저항 발열체(52)가 제 1 영역(R1) 및 제 2 영역(R2)에 더하여 제 3 영역(R3)에도 걸쳐지도록 배치되어 있으며, 제 1 영역(R1)에 있어서의 단위 면적당 발열량이 제 2 영역(R2) 및 제 3 영역(R3)에 있어서의 단위 면적당 발열량보다 크게 되어 있다. 이와 같이, 본 실시형태의 가열장치(100)에서는, 제 3 영역(R3)에, 제 3 저항 발열체(53)에 더하여 제 2 저항 발열체(52)도 존재하기 때문에, 유지면(S1)의 주연부의 온도를 정밀도 좋게 제어할 수 있어, 유지면(S1)의 면내 균열성을 한층 더 향상시킬 수 있다.
B. 제 2 실시형태 :
도 6 내지 도 8은 제 2 실시형태의 가열장치(100a)의 단면 구성을 개략적으로 나타내는 설명도이다. 도 6에는 도 7 및 도 8의 Ⅵ-Ⅵ 위치에서의 가열장치(100a)의 XZ 단면 구성이 도시되어 있고, 도 7에는 도 6의 Ⅶ-Ⅶ 위치에서의 가열장치(100a)의 XY 단면 구성이 도시되어 있고, 도 8에는 도 6의 Ⅷ-Ⅷ 위치에서의 가열장치(100a)의 XY 단면 구성이 도시되어 있다. 이하에서는 제 2 실시형태의 가열장치(100a)의 구성 중 상술한 제 1 실시형태의 가열장치(100)의 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 그 설명을 생략한다.
제 2 실시형태의 가열장치(100a)는 제 1 저항 발열체(51) 및 제 3 저항 발열체(53)와 제 2 저항 발열체(52)의 위치 관계의 구성이 상술한 제 1 실시형태의 가열장치(100)와 다르다. 구체적으로는, 제 2 실시형태의 가열장치(100a)에서는 제 2 저항 발열체(52)의 상하방향에 있어서의 위치가 제 1 저항 발열체(51) 및 제 3 저항 발열체(53)보다 유지면(S1)으로부터 멀어진 위치{즉, 제 1 저항 발열체(51) 및 제 3 저항 발열체(53)보다 하측인 위치}이다. 제 2 실시형태의 가열장치(100a)의 그 외의 구성은 상술한 제 1 실시형태의 가열장치(100)의 구성과 같다.
제 2 실시형태의 가열장치(100a)에서는 상술한 제 1 실시형태의 가열장치(100)와 마찬가지로, 유지체(10)의 내부에 복수의 저항 발열체가 형성되어 있으며, 상기 복수의 저항 발열체가 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)에 걸쳐서 배치된 제 1 저항 발열체(51)에 더하여, 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)에 걸쳐서 배치되며 제 1 영역(R1)에 있어서의 단위 면적당 발열량이 제 2 영역(R2)에 있어서의 단위 면적당 발열량보다 큰 제 2 저항 발열체(52)를 포함한다. 그렇기 때문에, 제 2 저항 발열체(52)를 이용한 유지체(10)의 가열에 의해서 기둥형상 지지체(20)를 통한 열도피의 영향에 의한 유지면(S1)의 면내 균열성의 저하를 억제할 수 있다.
또, 제 2 실시형태의 가열장치(100a)에서는, 제 2 저항 발열체(52)가 Z축방향에 있어서 제 1 저항 발열체(51)보다 유지면(S1)으로부터 멀어진 위치, 즉 기둥형상 지지체(20)에 가까운 위치에 배치되어 있다. 그렇기 때문에, 제 2 저항 발열체(52)를 발열시킴으로써 기둥형상 지지체(20)를 통한 열도피를 효과적으로 억제할 수 있어 유지면(S1)의 면내 균열성을 향상시킬 수 있다.
또, 제 2 실시형태의 가열장치(100a)에서는 상술한 제 1 실시형태의 가열장치(100)와 마찬가지로, 상기 복수의 저항 발열체는 Z축방향에 있어서 제 1 저항 발열체(51)와 거의 동일한 위치에 배치되며 또한 Z축방향에서 보았을 때 제 2 영역(R2)의 외주측에 위치하는 제 3 영역(R3)에만 배치된 제 3 저항 발열체(53)를 더 포함하기 때문에, 제 3 저항 발열체(53)를 이용한 유지체(10)의 제 3 영역(R3)의 가열에 의해서 유지면(S1)의 주연부의 온도를 제어할 수 있어 유지면(S1)의 면내 균열성을 한층 더 향상시킬 수 있다.
또, 제 2 실시형태의 가열장치(100a)에서는, 제 3 저항 발열체(53)가 Z축방향에 있어서 제 2 저항 발열체(52)에 비해서 유지면(S1)에 가까운 위치에 배치되어 있기 때문에, 제 3 저항 발열체(53)를 발열시킴으로써 유지면(S1)에 있어서의 제 3 영역(R3)에 속하는 부분의 온도를 신속하게 높일 수 있어, 유지면(S1)의 면내 균열성을 신속하게 또한 고도로 향상시킬 수 있다.
C. 변형예 :
본 명세서에서 개시되는 기술은 상술한 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 예를 들면 다음과 같은 변형도 가능하다.
상기 실시형태에 있어서의 가열장치(100)의 구성은 어디까지나 예시이며, 여러 가지 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시형태에서는 유지체(10) 및 기둥형상 지지체(20)의 Z축방향에서 보았을 때의 외형이 대략 원형으로 되어 있으나 다른 형상이어도 좋다. 또, 상기 실시형태에서는 각 저항 발열체(51, 52, 53)의 Z축방향에서 보았을 때의 형상이 대략 나선형상으로 되어 있으나 다른 형상이어도 좋다.
또, 상기 실시형태에서는, 제 1 영역(R1)에 있어서의 제 2 저항 발열체(52)의 단위 면적당 발열량이 제 2 영역(R2)에 있어서의 제 2 저항 발열체(52)의 단위 면적당 발열량보다 크다고 하는 관계를, 제 1 영역(R1)에 있어서의 제 2 저항 발열체(52)의 선폭(W21)을 제 2 영역(R2)에 있어서의 제 2 저항 발열체(52)의 선폭(W22)보다 좁게 함으로써 실현하고 있으나, 다른 구성에 의해서 상기 발열량의 관계를 실현하여도 좋다. 예를 들면, 제 2 저항 발열체(52)의 선폭은 일정하게 하고, 제 1 영역(R1)에 있어서 제 2 저항 발열체(52)의 배치 밀도를 높게 함으로써{선간(線間)의 간격을 좁게 함으로써} 상기 발열량의 관계를 실현하여도 좋다.
또, 상기 실시형태에서는, 유지체(10)에 설정되는 제 1 영역(R1)은 Z축방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체(20)와 겹치는 영역으로 되어 있으나, 제 1 영역(R1)은 반드시 전체 영역이 Z축방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체(20)와 겹치는 영역일 필요는 없으며, Z축방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체(20)와 겹치는 영역을 포함하는 영역이면 좋다. 또, 상기 실시형태에서는, 유지체(10)에 설정되는 제 2 영역(R2)은 Z축방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체(20)와 겹치지 않는 영역으로 되어 있으나, 제 2 영역(R2)은 반드시 전체 영역이 Z축방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체(20)와 겹치지 않는 영역일 필요는 없으며, Z축방향에서 보았을 때 기둥형상 지지체(20)와 겹치지 않는 영역을 포함하는 영역이면 좋다.
또, 상기 실시형태에서는, 제 2 영역(R2)은 Z축방향에서 보았을 때 제 1 영역(R1)의 외주측에 인접하는 것으로 되어 있으나, 제 2 영역(R2)은 Z축방향에서 보았을 때 제 1 영역(R1)의 외주측에 위치하면 좋으며, 반드시 제 1 영역(R1)에 인접할 필요는 없다. 또, 상기 실시형태에서는, 제 3 영역(R3)은 Z축방향에서 보았을 때 제 2 영역(R2)의 외주측에 인접하는 것으로 되어 있으나, 제 3 영역(R3)은 Z축방향에서 보았을 때 제 2 영역(R2)의 외주측에 위치하면 좋으며, 반드시 제 2 영역(R2)에 인접할 필요는 없다.
또, 상기 실시형태에서는, 제 1 영역(R1)은 Z축방향에서 보았을 때 대략 원기둥형상이고, 제 2 영역(R2) 및 제 3 영역(R3)은 Z축방향에서 보았을 때 대략 원통형상이지만, 각 영역(R1, R2, R3)의 형상은 임의로 변형 가능하다. 또, 상기 실시형태에서는 유지체(10)에 3개의 영역{제 1 영역(R1), 제 2 영역(R2), 제 3 영역(R3)}이 형성되어 있으나, 반드시 유지체(10)에 제 3 영역(R3)이 설정될 필요는 없다. 즉, 반드시 유지체(10)의 내부에 제 3 저항 발열체(53)가 형성될 필요는 없다. 또, 반드시 제 2 저항 발열체(52)가 제 3 영역(R3)까지 연장되도록 배치될 필요는 없다. 또, 유지체(10)의 내부에 제 1∼3 저항 발열체(51, 52, 53) 이외의 저항 발열체가 형성되어 있는 것으로 하여도 좋다.
또, 상기 실시형태에 있어서의 가열장치(100)를 구성하는 각 부재의 형성 재료는 어디까지나 예시이며, 각 부재가 다른 재료에 의해서 형성되어도 좋다. 예를 들면, 상기 실시형태에 있어서의 가열장치(100)에서는, 유지체(10) 및 기둥형상 지지체(20)는 질화알루미늄 또는 알루미나를 주성분으로 하는 세라믹스제로 하고 있으나, 유지체(10)와 기둥형상 지지체(20)의 적어도 일방은 다른 세라믹스제로 하여도 좋고, 세라믹스 이외의 재료제(예를 들면, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 금속제)로 하여도 좋다.
또, 상기 실시형태에 있어서의 가열장치(100)의 제조방법은 어디까지나 일례이며, 여러 가지 변형이 가능하다.
10 : 유지체 20 : 기둥형상 지지체　
22 : 관통구멍 30 : 접합층　
51 : 제 1 저항 발열체 52 : 제 2 저항 발열체　
53 : 제 3 저항 발열체 54 : 수전(受電) 전극
55 : 비아 도체 56 : 전극 단자　
100 : 가열장치

Claims (8)

  1. 제 1 방향에 직교하는 제 1 및 제 2 표면을 가지는 판형상이며 내부에 서로 다른 1쌍의 전극 단자에 접속되는 복수의 저항 발열체를 가지는 유지체와, 상기 제 1 방향으로 연장되는 기둥형상이며 상기 유지체의 상기 제 2 표면에 접합된 기둥형상 지지체를 구비하며, 상기 유지체의 상기 제 1 표면 상에 유지된 대상물을 가열하는 가열장치에 있어서,
    상기 복수의 저항 발열체는,
    상기 제 1 방향에서 보았을 때 상기 기둥형상 지지체와 겹치는 영역을 포함하는 제 1 영역과 상기 제 1 방향에서 보았을 때 상기 제 1 영역의 외주측에 위치함과 아울러 상기 기둥형상 지지체와 겹치지 않는 영역을 포함하는 제 2 영역에 걸쳐서 배치되며, 상기 제 1 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량이 상기 제 2 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량과 동일한 제 1 저항 발열체와,
    상기 제 1 방향에 있어서 상기 제 1 저항 발열체와는 다른 위치에 배치되며 또한 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역에 걸쳐서 배치되며, 상기 제 1 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량이 상기 제 2 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량보다 큰 제 2 저항 발열체를 포함하는 것을 특징으로 하는 가열장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 2 저항 발열체는, 상기 제 1 방향에 있어서 상기 제 1 저항 발열체보다 상기 제 1 표면에 가까운 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 가열장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 2 저항 발열체는, 상기 제 1 방향에 있어서 상기 제 1 저항 발열체보다 상기 제 1 표면으로부터 멀어진 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 가열장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 2 저항 발열체는, 상기 제 1 방향에서 보았을 때 소정의 축선을 따라서 연장되며, 상기 제 1 영역에 있어서의 폭이 상기 제 2 영역에 있어서의 폭보다 좁은 형상인 것을 특징으로 하는 가열장치.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 제 2 저항 발열체는, 상기 제 1 방향에서 보았을 때 소정의 축선을 따라서 연장되며, 상기 제 1 영역에 있어서의 폭이 상기 제 2 영역에 있어서의 폭보다 좁은 형상인 것을 특징으로 하는 가열장치.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 제 2 저항 발열체는, 상기 제 1 방향에서 보았을 때 소정의 축선을 따라서 연장되며, 상기 제 1 영역에 있어서의 폭이 상기 제 2 영역에 있어서의 폭보다 좁은 형상인 것을 특징으로 하는 가열장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 저항 발열체는, 상기 제 1 방향에 있어서 상기 제 1 저항 발열체와 동일한 위치에 배치되며 또한 상기 제 1 방향에서 보았을 때 상기 제 2 영역의 외주측에 위치하는 제 3 영역에만 배치된 제 3 저항 발열체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가열장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제 2 저항 발열체는, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역과 상기 제 3 영역에 걸쳐서 배치되며, 상기 제 1 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량이 상기 제 2 영역 및 상기 제 3 영역에 있어서의 단위 면적당 발열량보다 큰 것을 특징으로 하는 가열장치.
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