KR20180025388A - 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 표시 기판, 상기 표시 기판 상에 배치된 광량 조절층, 상기 광량 조절층 상에 배치된 제1 편광판 및 상기 제1 편광판 상에 배치된 색 변환층을 포함하며, 상기 색 변환층은 형광체를 포함하고, 상기 형광체는 코어, 상기 코어를 둘러싸는 제1 쉘 및 상기 제1 쉘을 둘러싸는 제2 쉘을 포함하는 양자점이고, 상기 양자점은 2nm 내지 32nm의 직경을 갖는 표시장치를 제공한다.

Description

표시장치 및 그 제조방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 색 변환층을 갖는 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다.
액정 표시장치(liquid crystal display, LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시장치(flat panel display, FPD) 중 하나로서 전극이 형성되어 있는 2개의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층을 포함한다.
액정 표시장치는 두 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시장치다. 이러한 액정 표시장치는 색을 표현하기 위한 컬러 필터를 포함한다.
최근, 기존의 액정 표시장치에 사용되는 컬러 필터를 형광 패턴으로 대체한 표시장치가 연구되고 있다. 이러한 형광 패턴을 갖는 표시장치를 포토루미네선트 표시장치(Photo-Luminescent Display 또는 PLD)라고도 한다. 포토루미네선트 표시장치는 색 변환층과 광량 조절층 사이에 배치된 편광판을 포함한다.
한편, 유기발광 표시장치에도 컬러 필터를 도입하고자 하는 연구들이 최근 이루어지고 있다.
본 발명의 일 실시예는 색상 구현 능력이 우수한 표시장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는, 표시 기판; 상기 표시 기판 상에 배치된 광량 조절층; 상기 광량 조절층 상에 배치된 제1 편광판; 및 상기 제1 편광판 상에 배치된 색 변환층;을 포함하며, 상기 색 변환층은 형광체를 포함하고, 상기 형광체는 코어; 상기 코어를 둘러싸는 제1 쉘; 및 상기 제1 쉘을 둘러싸는 제2 쉘;을 포함하는 양자점이고, 상기 양자점은 2nm 내지 32nm의 직경을 갖는 표시장치를 제공한다.
상기 양자점은 9nm 내지 15nm의 직경을 가질 수 있다.
상기 코어는 0.4nm 내지 7nm의 직경을 갖는다.
상기 코어는 2nm 내지 4nm의 직경을 가질 수 있다.
상기 제1 쉘은 0.2nm 내지 2.5nm의 두께를 갖는다.
상기 제1 쉘은 0.3nm 내지 1.5nm의 두께를 가질 수 있다.
상기 제2 쉘은 0.5nm 내지 10nm의 두께를 갖는다.
상기 제2 쉘은 3nm 내지 5nm의 두께를 가질 수 있다.
상기 색 변환층은, 청색 광을 흡수하여 적색을 발광하는 적색 변환부; 및 청색 광을 흡수하여 녹색을 발광하는 녹색 변환부;를 포함한다.
상기 색 변환층은, 청색 광을 투과하는 투과부를 더 포함한다.
상기 표시장치는 상기 표시기판 상에 배치된 제2 편광판을 더 포함한다.
상기 광량 조절층은 액정층이다.
상기 코어는 ZnTe, CdS 및 GaP 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 제1 쉘은 InP, CdSe, ZnSe 및 ZnTe 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 제2 쉘은 ZnS, CdS, GaP 및 ZnTe 중 적어도 하나를 포함한다.
본 발명의 다른 일 실시예는, 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 배치된 유기 발광 소자; 및 상기 유기 발광 소자 상에 배치된 색 변환층;을 포함하며, 상기 색 변환층은 형광체를 포함하고, 상기 형광체는 코어; 상기 코어를 둘러싸는 제1 쉘; 및 상기 제1 쉘을 둘러싸는 제2 쉘;을 포함하는 양자점이고, 상기 양자점은 2nm 내지 32nm의 직경을 갖는 유기발광 표시장치를 제공한다.
상기 양자점은 9nm 내지 15nm의 직경을 가질 수 있다.
상기 코어는 0.4nm 내지 7nm의 직경을 갖는다.
상기 코어는 1nm 내지 4nm의 직경을 가질 수 있다.
상기 제1 쉘은 0.2nm 내지 2.5nm의 두께를 갖는다.
상기 제1 쉘은 0.3nm 내지 1.5nm의 두께를 가질 수 있다.
상기 제2 쉘은 0.5nm 내지 10nm의 두께를 갖는다.
상기 제2 쉘은 3nm 내지 5nm의 두께를 가질 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 청색광을 발광한다.
상기 색 변환층은, 청색 광을 흡수하여 적색을 발광하는 적색 변환부; 및 청색 광을 흡수하여 녹색을 발광하는 녹색 변환부;를 포함한다.
상기 색 변환층은, 청색 광을 투과하는 투과부를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 형광체를 포함하는 색 변환층을 가지며, 우수한 색상 표현 능력을 갖는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시장치의 화소에 대한 평면도이다.
도 3은 도 2의 절단선 I-I'를 따라 자른 단면도이다.
도 4는 양자점의 일 실시예에 대한 단면 구조도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 절단선 II-II'를 따라 자른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 그에 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성 요소가 제 2 또는 제 3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 분해 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치는 순차적으로 배치된 백라이트부(140), 제2 편광판(160), 표시기판(110), 광량 조절층(180) 및 대향기판(120)을 포함한다. 대향기판(120)은 공통전극(CE), 제1 편광판(150), 색 변환층(170) 및 제2 기판(121)을 포함한다.
백라이트부(140)는 자외선, 근자외선(rear ultraviolet) 등을 조사할 수 있다. 백라이트부(140)는, 예를 들어, 백색광 또는 청색광을 표시기판(110)으로 조사할 수 있다. 이하, 청색광을 발광하는 백라이트부(140)를 포함하는 표시장치를 중심으로 제1 실시예를 설명한다.
도 2는 도 1에 도시된 표시장치의 화소에 대한 평면도이고, 도 3은 도 2의 절단선 I-I'를 따라 자른 단면도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(101)는 표시기판(110), 표시기판(110)과 대향하는 대향기판(120) 및 표시기판(110)과 대향하는 대향기판(120) 사이에 배치된 광량 조절층(180)을 포함한다.
광량 조절층(180)은 백라이트부(140)로부터 제공된 광의 투과도를 제어할 수 있는 것이면 어느 것이든 가능하다. 예를 들어, 광량 조절층(180)은 액정층, 전기 습윤층 및 전기 영동층 중 어느 하나일 수 있다. 이하에서는 광량 조절층(180)이 액정층인 것을 예를 들어 설명한다. 이 경우, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(101)는 액정표시장치라고 할 수 있다.
표시기판(110)은 제1 기판(111), 박막트랜지스터(TFT), 화소 전극(PE), 게이트 절연막(131) 및 보호막(132)을 포함한다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(SM), 저항성 접촉층(115), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.
제1 기판(111)은 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진다.
제1 기판(111) 상에 복수의 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE)이 배치된다. 게이트 전극(GE)은 게이트 라인(GL)과 일체로 구성된다. 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금과 같은 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)이나 은 합금과 같은 은 계열의 금속, 구리(Cu)나 구리 합금과 같은 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금과 같은 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 중 어느 하나로 만들어질 수 있다. 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE) 중 적어도 하나는 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.
게이트 절연막(131)은 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE)을 포함한 제1 기판(111)의 전면(全面)에 배치된다. 게이트 절연막(131)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx) 등으로 만들어질 수 있다. 또는, 게이트 절연막(131)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층들을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다.
반도체층(SM)은 게이트 절연막(131) 상에 배치된다. 이 때, 반도체층(SM)은 게이트 절연막(131)의 하부에 위치한 게이트 전극(GE)과 중첩한다. 반도체층(SM)은 비정질 규소 또는 다결정 규소 등으로 만들어질 수 있다. 반도체층(SM)은 산화물 반도체로 이루어질 수도 있다.
저항성 접촉층(115)은 반도체층(SM) 상에 배치된다. 예를 들어, 저항성 접촉층(115)은 채널 부분 이외의 반도체층(SM) 상에 배치된다.
또한, 게이트 절연막(131) 상에 복수의 데이터 라인(DL)이 배치된다. 데이터 라인(DL)은 게이트 라인(GL)과 교차한다. 소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)과 일체로 구성된다. 소스 전극(SE)은 저항성 접촉층(115) 상에 배치된다. 드레인 전극(DE)은 저항성 접촉층(115) 상에 배치되며, 화소 전극(PE)에 연결된다.
데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 중 적어도 하나는 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어질 수 있다. 또는, 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 중 적어도 하나는 내화성 금속막과 저저항 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다.
보호막(132)은 반도체층(SM), 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한 제1 기판(111)의 전면에 배치된다. 보호막(132)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx)와 같은 무기 절연물로 만들어질 수 있다. 이와 달리, 보호막(132)은 유기막으로 만들어질 수도 있다. 보호막(132)은 하부 무기막과 상부 유기막으로 된 이중막 구조를 가질 수도 있다.
화소 전극(PE)은 보호막(132) 상에 배치된다. 이때, 화소 전극(PE)은 보호막(132)의 콘택홀(CH)을 통해 드레인 전극(DE)과 연결된다. 화소 전극(PE)은 ITO(Indium tin oxide) 또는 IZO(Indium zinc oxide) 등의 투명한 도전성 물질로 만들어질 수 있다.
제2 편광판(160)은 표시기판(110)에 배치된다. 구체적으로, 제2 편광판(160)은 제1 기판(111)의 배면에 배치될 수 있다.
대향기판(120)은 제2 기판(121), 색 변환층(170), 제1 편광판(150) 및 공통 전극(CE)을 포함한다. 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 대향기판(120)은 차광층(BM)을 더 포함한다.
제2 기판(121)은 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진다.
차광층(BM)은 제2 기판(121) 상에 배치된다. 차광층(BM)은 복수의 개구부들을 갖는다. 개구부는 제1 및 제2 화소(PX1, PX2)의 각 화소 전극(PE)에 대응하여 배치된다. 차광층(BM)은 개구부들을 제외한 부분에서의 광을 차단한다. 예를 들어, 차광층(BM)은 박막트랜지스터들(TFT), 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL) 상에 위치하여 이들을 통과한 광이 외부로 방출되는 것을 차단한다. 차광층(BM)은 반드시 필요한 것은 아니며, 생략될 수도 있다.
색 변환층(170)은 제2 기판(121) 상에 배치되며, 백라이트부(140)로부터 입사된 광의 파장을 변환하여 다른 파장을 갖는 광을 방출한다. 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 색 변환층(170)은 형광체를 포함한다.
보다 구체적으로, 색 변환층(170)은 복수의 색 변환부(171, 172)를 포함한다. 색 변환부(171, 172)는 소정의 파장을 갖는 빛을 흡수하여 다른 파장을 갖는 빛을 방출하는 형광체를 포함한다. 색 변환부(171, 172)는 차광층(BM)에 의하여 서로 구분될 수 있다.
각각의 색 변환부(171, 172)는 화소(PX1, PX2)와 중첩하여 배치된다. 예를 들어, 각각의 색 변환부(171, 172)는 화소 전극(PE)에 대응하여 차광층(BM)의 개구부에 위치할 수 있다.
도 3을 참조하면, 색 변환층(170)은 제1 색 변환부(171) 및 제2 색 변환부(172)를 포함한다. 예를 들면, 제1 색 변환부(171)는 적색 화소(PX1)에 대응되고, 제2 색 변환부(172)는 녹색 화소(PX2)에 대응될 수 있다. 즉, 제1 색 변환부(171)는 적색을 발광하고, 제2 색 변환부(172)는 녹색을 발광한다.
제1 색 변환부(171)는 적색 형광체를 포함하고, 제2 색 변환부(172)는 녹색 형광체를 포함한다. 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 적색 형광체는 청색 광을 흡수하여 적색을 발광하고, 녹색 형광체는 청색 광을 흡수하여 녹색을 발광한다.
도 3의 색 변환층(170)은 투과부(173)를 포함한다. 투과부(173)를 통과하는 광은 파장이 변하지 않는다. 백라이트부(140)가 청색광을 조사하는 경우, 투과부(173)는 청색 화소(PX3)에 대응된다.
도시되지 않았지만, 색 변환층(170)은 청색 광을 흡수하여 적색과 녹색 이외의 다른 색을 발광하는 제3 색 변환부를 더 포함할 수도 있다.
색 변환층(170)을 구성하는 색 변환부(171, 172)는 형광체를 포함하는 수지(resin)로 이루어질 수 있다. 형광체는 빛, 방사선 등의 조사로 형광을 발하는 물질로, 형광체 고유의 색을 가진 광을 방출한다. 또한, 형광체는 조사되는 광의 방향에 관계없이 전 영역으로 광을 방출한다. 형광체의 종류 및 구성은 후술된다.
또한, 색 변환층(170)은 반사체를 더 포함할 수 있다. 반사체로 TiO2 등이 있다. 반사체는 입자 형태를 가질 수 있으며, 형광체를 포함하는 수지 내에 분산되어 배치될 수 있다.
제1 편광판(150)은 색 변환층(170)상에 배치되며, 색 변환층(170)보다 광량 조절층(180)에 가까이 배치된다. 도 3을 참조하면, 제1 편광판(150)은 색 변환층(170) 아래에 배치된다.
제1 편광판(150)의 투과축과 제2 편광판(160)의 투과축은 직교하며, 이들 중 하나의 투과축은 게이트 라인(GL)에 나란하게 배열될 수 있다.
공통 전극(CE)은 제1 편광판(150) 상에 배치된다. 예를 들어, 공통 전극(CE)은 제1 편광판(150)을 포함한 제2 기판(121)의 전면에 위치할 수 있다. 공통 전극(CE)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.
공통 전극(CE)은 화소 전극들(PE)과 함께 광량 조절층(180)에 전계를 인가한다. 이에 따라, 공통 전극(CE)과 화소 전극(PE) 사이의 광량 조절층(180)인 액정층에 전계가 형성된다.
도 3을 참조하면, 표시 기판(110) 상에 광량 조절층(180)이 배치되고, 광량 조절층(180) 상에 공통 전극(CE)이 배치되고, 공통 전극(CE) 상에 제1 편광판(150)이 배치되고, 제1 편광판(150) 상에 색 변환층(170)이 배치되고, 색 변환층(170) 상에 제2 기판(121)이 배치된다.
또한, 제1 편광판(150)과 색 변환층(170) 사이에 제1 패시베이션층(151)이 배치되고, 색 변환층(170)과 제2 기판(121) 사이에 제2 패시베이션층(152)이 배치될 수 있다.
또한, 접착을 위하여 각 층들 사이에 점착층이 배치될 수도 있다.
이하, 색 변환층(170)에 포함된 형광체를 상세히 설명한다.
본 발명의 제1 실시예에 따르면, 형광체로 양자점(quantum dot)이 사용될 수 있다. 양자점은 양자점으로 입사된 입사광을 흡수한 후 입사광과 다른 파장을 갖는 광을 방출한다. 즉, 양자점은 양자점으로 입사된 광의 파장을 변환시킬 수 있는 파장변환 입자이다. 양자점은 그 크기에 따라 변환할 수 있는 파장이 달라질 수 있다. 예를 들어, 양자점의 직경 조절에 의하여, 양자점이 원하는 색상의 광을 방출하도록 할 수 있다.
양자점은 일반적인 형광 염료에 비해 높은 흡광계수(extinction coefficient) 및 높은 양자효율(quantum yield)을 가져, 매우 강한 형광을 발생한다. 특히, 양자점은 짧은 파장의 빛을 흡수하여 더 긴 파장을 갖는 빛을 방출할 수 있다.
양자점은 코어(core) 및 코어를 둘러싸는 쉘(shell)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 쉘은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 또한, 양자점은 쉘에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있고, 쉘을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수도 있다.
양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 및 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 양자점을 구성하는 코어는 PbSe, InAs, PbS, CdSe, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 및 HgS 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 쉘은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 및 HgS 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
동일 조성의 양자점이라도 직경에 따라 서로 다른 빛을 발생할 수 있다.
양자점은 화학적 습식방법에 의해 제조될 수 있다. 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법이다.
도 4는 양자점(410)의 일 실시예에 대한 단면 구조도이다.
본 발명의 제1 실시예에 따르면, 양자점(410)은 코어(411), 코어(411)를 둘러싸는 제1 쉘(412) 및 제1 쉘(412)을 둘러싸는 제2 쉘(413)을 포함한다.
코어(411)는 ZnTe, CdS 및 GaP 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 쉘(412)은 InP, CdSe, ZnSe 및 ZnTe 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 쉘(413)은 ZnS, CdS, GaP 및 ZnTe 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 양자점(410)은 코어(411)/제1 쉘(412)/제2 쉘(413)의 배치 순서로, ZnTe/InP/ZnS, CdS/CdSe/CdS, GaP/InP/GaP, ZnTe/ZnSe/ZnTe, ZnS/ZnSe/ZnS, 또는 ZnS/ZnTe/ZnS로 이루어진 구조를 가질 수 있다.
발명의 제1 실시예에 따른 양자점(410)에 대하여 양자 효율을 시험하였다.
구체적으로, 코어(411)/제1 쉘(412)/제2 쉘(413)의 순서로 CdS/CdSe/CdS의 구조를 갖는 양자점(QD)(410)으로 이루어진 고형분 30 중량부와, 광중합성 단량체로서 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트 호박산모노에스테르(카르복시산함유 5관능 광중합성 화합물)(TO-1382, 동아합성 제조) 9 중량부와, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(KAYARAD DPHA; 닛본 카야꾸(주) 제조) 24 중량부, 제1광중합 개시제로서 1-2-Octanedione-1[(4-phenylthio)phenyl]-2-o-benzoyl-oxime(CGI-184, Ciba 제조) 3 중량부와, 제2광중합 개시제로서 4-페녹시디클로로아세토페논 2 중량부와, 바인더 수지로서 하이드록실프로필 아크릴레이트계 수지 30 중량부를 혼합하고, 여기에 산화방지제로 Irganox 1010(BASF 제조) 2중량부를 혼합하여 제1 혼합물을 제조하였다.
고형분인 양자점(QD)(410)의 함량이 20중량%가 되도록 제1 혼합물에 용매를 첨가하여 제1 혼합물을 희석함으로써 제2 혼합물을 제조하였다. 이때, 용매로 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트가 사용되었다. 제2 혼합물을 교반하여 색변환층 형성용 조성물을 제조하였다.
적분반구(QE-2100, 오츠카社)를 이용하여 색변환층 형성용 조성물의 양자효율, 중심발광파장 및 반치폭(full width at half maximum, FWHM)을 측정하였다.
7cm X 7cm 크기의 투명 유리(glass) 기판에 색변환층 형성용 조성물 5mL를 도포하여 코팅층을 형성하였다. 제1 코팅층을 1차 베이크(Soft bake), 노광, 2차 베이크(hard bake) 시킨 후, 코팅층의 막두께가 3.0㎛가 되도록 유리 기판을 회전시켰다.
코팅층을 100℃의 온도에서 2분간 소프트 베이크(soft bake)하여 1차 색변환층을 제조하였다. 적분반구(QE-2100, 오츠카社)를 이용하여 1차 색변환층의 정면 외부양자효율을 측정하였다. 이를 제1 측정이라 한다.
UV 노광기를 이용하여 코팅층에 100mJ 에너지의 자외선(UV)를 조사 후, 200℃의 온도에서 60분간 하드 베이크(hard bake)하여 2차 색변환층을 제조하였다. 적분반구(QE-2100, 오츠카社)를 이용하여 2차 색변환층의 정면 외부양자효율을 측정하였다. 이를 제2 측정이라 한다.
표 1에 도시된 바와 같이, 서로 다른 규격을 갖는 CdS(코어)/CdSe(제1 쉘)/ CdS(제2 쉘)의 구조를 갖는 23종의 양자점(QD)(410)을 이용하여, 시험예 1 내지 23에 따른 색변환층 형성용 조성물, 1차 색변환층 및 2차 색변환층이 제조되었다.
시험예 1 내지 20에 따른 색변환층 형성용 조성물의 양자효율, 반치폭(full width at half maximum, FWHM), 중심발광파장이 표 1에 도시되어 있다.
또한, 시험예 1 내지 20에 따른 1 차 색변환층 및 2차 색변환층의 양자효율이 표 1에 도시되어 있다. 여기서, 1차 색변환층의 양자효율(제1 측정)은 패터닝 전 색변환층의 양자 효율에 대응되며, 2차 색변환층의 양자효율(제2 측정)은 패터닝 후 색변환층의 양자 효율에 대응된다.
표 1에서 유지율은 1차 측정에 대한 2차 측정의 비율(2차 측정/1차 측정)으로 계산된다. 유기율은, 패터닝 전 색변환층의 양자효율 대비 패터닝 후 색변환층의 상대적인 비를 나타낸다.
양자점 분석 색변환층 형성용 조성물 색변환층
번호 코어 직경 (nm) 제1쉘 두께 (nm) 제2쉘 두께 (nm) 양자점 직경 (nm) 중심 파장 (nm) 반치폭 (FWHM)
(nm)		 양자 효율 (%) ① 제1 측정(%) ② 제2 측정 (%) 유지율
(②/①) (%)
1 2.6 0.3 1.8 6.8 575 35 46.4 43 33 76%
2 2.6 0.3 2.8 8.8 577 35 59.6 55 48 87%
3 2.6 0.3 3.8 10.8 580 35 61.8 61 56 92%
4 2.6 0.3 4.4 12.0 582 36 64.3 57 52 92%
5 2.6 0.3 5.8 14.8 589 37 65.5 55 55 100%
6 2.6 0.6 1.4 6.6 593 32 60.6 48 37 77%
7 2.6 0.6 2.8 9.4 596 32 79.7 74 64 87%
8 2.6 0.6 3.3 10.4 600 33 81.1 78 73 93%
9 2.6 0.6 4.6 13.0 605 33 83.3 75 73 97%
10 2.6 0.6 5.3 14.4 608 35 91.0 85 84 99%
11 2.6 0.9 1.3 7.0 609 35 73.8 75 56 74%
12 2.6 0.9 2.4 9.2 614 33 86.9 83 71 85%
13 2.6 0.9 3.0 10.4 614 33 94.0 90 81 90%
14 2.6 0.9 4.0 12.4 615 34 99.0 100 99 99%
15 2.6 0.9 5.2 14.8 618 35 99.0 91 90 99%
16 2.6 1.2 0.9 6.8 618 38 55.3 58 40 69%
17 2.6 1.2 1.7 8.4 625 36 74.1 76 57 75%
18 2.6 1.2 2.7 10.4 627 36 86.0 82 72 88%
19 2.6 1.2 4.1 13.2 630 41 98.9 96 91 95%
20 2.6 1.2 4.9 14.8 636 39 99.5 93 90 97%
21 2.6 1.5 4.7 15.0 640 41 91.0 86 83 96%
22 3.0 0.8 5.2 15.0 621 35 99.0 92 91 99%
23 3.8 0.6 5.0 15.0 620 36 91.2 87 86 99%
표 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 색변환층은 우수한 유지율을 가진다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 색변환층은, 패터닝 후 양자 효율의 감소가 크지 않다.
이와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 양자점(410)은 높은 양자 효율을 갖는다.
한편, 양자점에서 발생된 광을 양자점이 재흡수 하는 비율을 자기 재흡수율이라고 하는데, 본 발명의 제1 실시예에 따른 양자점(410)은 낮은 자기 재흡수율을 가진다. 그에 따라, 표시장치(101)의 소비 전력이 저감된다.
표 1을 참조할 때, 본 발명의 제1 실시예에 따른 양자점(410)은 2nm 내지 32nm의 직경(d3)을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 양자점(410)은 9nm 내지 15nm의 직경(d3)을 가질 수 있다.
양자점(410)의 코어(411)는 0.4nm 내지 7nm의 직경(d1)을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 코어(411)는 2nm 내지 4nm의 직경(d1)을 가질 수 있다.
양자점(410)의 제1 쉘(412)은 0.2nm 내지 2.5nm의 두께를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 쉘(412)은 0.3nm 내지 1.5nm의 두께를 가질 수 있다. 도 4를 참조하면, 제1 쉘(412)의 두께는 (d2-d1)/2로 구해질 수 있다.
양자점(410)의 제2 쉘(413)은 0.5nm 내지 10nm의 두께를 갖는다. 제2 쉘(413)은 3nm 내지 5nm의 두께를 가질 수 있다. 도 4를 참조하면, 제2 쉘(413)의 두께는 (d3-d2)/2로 구해질 수 있다.
이러한 양자점으로 이루어진 형광체을 포함하는 색 변환층(230)을 갖는 제1 실시예에 따른 표시장치(101)는 우수한 발광 효율을 가지며, 우수한 색상 표현 능력을 갖는다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치(102)의 평면도이고, 도 6은 도 5의 절단선 II-II'를 따라 자른 단면도이다.
구체적으로, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치(102)는 베이스 기판(211), 구동 회로부(230) 및 유기 발광 소자(310)를 포함한다.
베이스 기판(211)은 유리, 석영, 세라믹, 및 플라스틱 등으로 이루어진 군에서 선택된 절연성 재료로 만들어질 수 있다. 또한, 베이스 기판(211)으로 고분자 필름이 사용될 수도 있다.
베이스 기판(211) 상에 버퍼층(220)이 배치된다. 버퍼층(220)은 다양한 무기막들 및 유기막들 중에서 선택된 하나 이상의 막을 포함할 수 있다. 버퍼층(220)은 생략될 수도 있다.
구동 회로부(230)는 버퍼층(220) 상에 배치된다. 구동 회로부(230)는 복수의 박막트랜지스터들(10, 20)을 포함하며, 유기 발광 소자(310)를 구동한다. 즉, 유기 발광 소자(310)는 구동 회로부(230)로부터 전달받은 구동 신호에 따라 빛을 방출하여 화상을 표시한다.
도 5 및 6에, 하나의 화소에 두 개의 박막트랜지스터(TFT)(10, 20)와 하나의 축전 소자(capacitor)(80)가 구비된 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기발광 표시장치(102)가 도시되어 있다. 그러나, 본 발명의 제2 실시예가 이러한 구조로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 유기발광 표시장치(102)는 하나의 화소에 셋 이상의 박막트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 포함할 수 있으며, 별도의 배선을 더 포함할 수 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기발광 표시장치(102)는 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
하나의 화소는 스위칭 박막트랜지스터(10), 구동 박막트랜지스터(20), 축전 소자(80), 및 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(310)를 포함한다. 또한, 일 방향을 따라 연장되는 게이트 라인(251)과, 게이트 라인(251)과 절연 교차되는 데이터 라인(271) 및 공통 전원 라인(272)도 구동 회로부(230)에 배치된다. 하나의 화소는 게이트 라인(251), 데이터 라인(271) 및 공통 전원 라인(272)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 화소정의막(290) 또는 블랙 매트릭스에 의하여 화소가 정의될 수도 있다.
유기 발광 소자(310)는 제1 전극(311), 제1 전극(311) 상에 배치된 유기 발광층(312), 및 유기 발광층(312) 상에 배치된 제2 전극(313)을 포함한다. 유기 발광층(312)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 제1 전극(311) 및 제2 전극(313)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(312) 내부로 주입되고, 이와 같이 주입된 정공과 전자가 결합되어 형성된 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
축전 소자(80)는 층간 절연막(260)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(258, 278)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(260)은 유전체가 된다. 축전 소자(80)에서 축전된 전하와 양 축전판(258, 278) 사이의 전압에 의해 축전용량이 결정된다.
스위칭 박막트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(231), 스위칭 게이트 전극(252), 스위칭 소스 전극(273), 및 스위칭 드레인 전극(274)을 포함한다. 구동 박막트랜지스터(20)는 구동 반도체층(232), 구동 게이트 전극(255), 구동 소스 전극(276), 및 구동 드레인 전극(277)을 포함한다. 반도체층(231, 232)과 게이트 전극(252, 255)은 게이트 절연막(240)에 의하여 절연된다.
스위칭 박막트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(252)은 게이트 라인(251)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(273)은 데이터 라인(271)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(274)은 스위칭 소스 전극(273)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(258)과 연결된다.
구동 박막트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(310)의 유기 발광층(312)을 발광시키기 위한 구동 전원을 화소 전극인 제1 전극(311)에 인가한다. 구동 게이트 전극(255)은 스위칭 드레인 전극(274)과 연결된 축전판(258)과 연결된다. 구동 소스 전극(276) 및 다른 한 축전판(278)은 각각 공통 전원 라인(272)과 연결된다. 구동 드레인 전극(277)은 평탄화막(265)에 구비된 컨택홀(contact hole)을 통해 유기 발광 소자(310)의 제1 전극(311)과 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막트랜지스터(10)는 게이트 라인(251)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동되어 데이터 라인(271)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(272)으로부터 구동 박막트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(310)로 흘러 유기 발광 소자(310)가 발광한다.
본 발명의 제2 실시예에서, 제1 전극(311)은 양극이다.
제1 전극(311)은 광투과성을 갖는 투광성 전극일 수도 있으며, 광반사성을 갖는 반사 전극일 수도 있다. 제2 전극(313)은 반투과막으로 형성될 수도 있고, 반사막으로 형성될 수도 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따르면, 제1 전극(311)은 반사 전극이며, 제2 전극(313)은 반투과 전극이다. 유기 발광층(312)에서 발생된 빛은 제2 전극(313)을 통과해 방출된다.
제1 전극(311)과 유기 발광층(312) 사이에 정공 주입층(hole injection layer; HIL) 및 정공 수송층(hole transporting layer; HTL) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있으며, 유기 발광층(312)과 제2 전극(313) 사이에 전자 수송층(electron transporting layer; ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer; EIL) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있다. 유기 발광층(312), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)은 유기 물질로 만들어질 수 있기 때문에, 이들을 유기층이라고도 한다.
화소 정의막(290)은 개구부를 갖는다. 화소 정의막(290)의 개구부는 제1 전극(311)의 일부를 드러낸다. 화소 정의막(290)의 개구부에서 제1 전극(311) 상에 유기 발광층(312) 및 제2 전극(313)이 차례로 적층된다. 여기서, 상기 제2 전극(313)은 유기 발광층(312) 뿐만 아니라 화소 정의막(290) 위에도 형성된다. 한편, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층은 화소 정의막(290)과 제2 전극(313) 사이에도 배치될 수 있다. 유기 발광 소자(310)는 화소 정의막(290)의 개구부 내에 위치한 유기 발광층(312)에서 빛을 발생시킨다. 이와 같이, 화소 정의막(290)은 발광 영역을 정의할 수도 있다.
외부 환경으로부터 유기 발광 소자(310)를 보호하기 위해 제2 전극(313)상에 캡핑층(미도시)이 배치될 수도 있다.
제2 전극(313) 상에 봉지 기판(212)가 배치된다. 봉지 기판(212)은 베이스 기판(211)과 함께 유기 발광 소자(310)를 밀봉하는 역할을 한다. 봉지 기판(212)는 베이스 기판(211)과 마찬가지로 유리, 석영, 세라믹, 및 플라스틱 등으로 이루어진 군에서 선택된 절연성 재료로 만들어질 수 있다.
봉지 기판(212) 상에 색 변환층(320)이 배치된다. 색 변환층(320)은 유기 발광 소자(310)로부터 입사된 광의 파장을 변환하여 다른 파장을 갖는 광을 방출한다. 본 발명이 제2 실시예에 따르면, 색 변환층(320)은 형광체를 포함한다.
색 변환층(320)은 복수의 색 변환부(321, 322)를 포함한다. 색 변환부(321, 322)는 소정의 파장을 갖는 빛을 흡수하여 다른 파장을 갖는 빛을 방출하는 형광체를 포함한다. 색 변환부(321, 322)는 차광층(BM)에 의하여 서로 구분될 수 있다.
각각의 색 변환부(321, 322)는 유기 발광층(312)과 중첩하여 배치된다.
본 발명의 제2 실시예에 따르면, 유기 발광 소자(310)는 청색 광을 발광한다. 즉, 유기 발광층(312)이 청색 광을 발광한다.
도 5를 참조하면, 색 변환층(320)은 제1 색 변환부(321) 및 제2 색 변환부(322)를 포함한다. 예를 들면, 제1 색 변환부(321)는 적색 화소에 대응되고, 제2 색 변환부(322)는 녹색 화소에 대응될 수 있다. 즉, 제1 색 변환부(321)는 청색 광을 흡수하여 적색을 발광하고, 제2 색 변환부(322)는 청색 광을 흡수하여 녹색을 발광한다. 제1 색 변환부(321)는 적색 형광체를 포함하고, 제2 색 변환부(322)는 녹색 형광체를 포함한다. 형광체는 이미 설명되었으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략된다.
본 발명의 제2 실시예에 따르면. 색 변환층(320)은 투과부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 투과부를 통과하는 광은 파장이 변하지 않는다. 투과부는 청색 화소에 대응될 수 있다.
도시되지 않았지만, 색 변환층(320)은 청색 광을 흡수하여 적색과 녹색 이외의 다른 색을 발광하는 제3 색 변환부를 더 포함할 수도 있다.
또한, 도 6을 참조하면, 색 변환층(320) 상에 색 변환부(321, 322) 보호를 위한 투명 보호층(325)이 배치된다.
도 7는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광 표시장치(103)의 단면도이다. 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광 표시장치(103)는 제2 전극(313)상에 배치되어 유기 발광 소자(310)를 보호하는 박막 봉지층(350)을 포함한다.
박막 봉지층(350)은 하나 이상의 무기막(351, 353) 및 하나 이상의 유기막(352)을 포함하며, 수분이나 산소와 같은 외기가 유기 발광 소자(310)로 침투하는 것을 방지한다.
박막 봉지층(350)은 무기막(351, 353)과 유기막(352)이 교호적으로 적층된 구조를 갖는다. 도 7에서 박막 봉지층(350)은 2개의 무기막(351, 353)과 1개의 유기막(352)을 포함하고 있으나, 본 발명의 제3 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
무기막(351, 353)은 Al2O3, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, AlN, SiON, Si3N4, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상의 무기물을 포함한다. 무기막(351, 353)은 화학증착(chemical vapor deposition, CVD)법 또는 원자층 증착(atomic layer depostion, ALD)법을 통해 형성된다. 하지만, 본 발명의 제3 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 무기막(351, 353)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
유기막(352)은 고분자(polymer) 계열의 소재로 만들어진다. 여기서, 고분자 계열의 소재는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 및 폴리에틸렌 등을 포함한다. 또한, 유기막(352)은 열증착 공정을 통해 형성된다. 유기막(352)을 형성하기 위한 열증착 공정은 유기 발광 소자(310)를 손상시키지 않는 온도 범위 내에서 진행된다. 하지만, 본 발명의 제3 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 유기막(352)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
박막의 밀도가 치밀하게 형성된 무기막(351, 353)이 주로 수분 또는 산소의 침투를 억제한다. 대부분의 수분 및 산소는 무기막(351, 353)에 의해 유기 발광 소자(210)로의 침투가 차단된다.
무기막(351, 353)을 통과한 수분 및 산소는 유기막(352)에 의해 다시 차단된다. 유기막(352)은 무기막(351, 353)에 비해 상대적으로 투습 방지 효과는 적다. 하지만, 유기막(352)은 투습 억제 외에, 무기막(351, 353)과 무기막(351, 353) 사이에서 각층들 간의 응력을 줄여주는 완충층의 역할도 수행한다. 또한, 유기막(352)은 평탄화 특성을 가지므로, 박막 봉지층(350)의 최상부면이 평탄해질 수 있다.
박막 봉지층(350)은 10㎛ 이하의 얇은 두께를 가질 수 있다. 따라서, 유기발광 표시장치(103) 역시 얇은 두께를 가질 수 있다. 이와 같이 박막 봉지층(350)이 적용됨으로써, 유기발광 표시장치(103)가 플렉서블 특성을 가질 수 있다.
박막 봉지층(350) 상에 색 변환층(320)이 배치된다. 색 변환층(320)은 이미 설명되었으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략된다.
봉지 기판(212)이 사용되지 않고, 베이스 기판(211)으로 가요성 기판이 사용되는 경우, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광 표시장치(103)는 플렉서블 표시장치가 될 수 있다.
이상에서 설명된 표시장치의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.
110: 표시기판 120: 대향기판
140: 백라이트부 150: 제1 편광판
160: 제2 편광판 170: 색 변환층
171: 제1 색 변환부 172: 제2 색 변환부
173: 투과부 180: 광량 조절층

Claims (26)

  1. 표시 기판;
    상기 표시 기판 상에 배치된 광량 조절층;
    상기 광량 조절층 상에 배치된 제1 편광판; 및
    상기 제1 편광판 상에 배치된 색 변환층;을 포함하며,
    상기 색 변환층은 형광체를 포함하고,
    상기 형광체는,
    코어;
    상기 코어를 둘러싸는 제1 쉘; 및
    상기 제1 쉘을 둘러싸는 제2 쉘;을 포함하는 양자점이고,
    상기 양자점은 2nm 내지 32nm의 직경을 갖는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 양자점은 9nm 내지 15nm의 직경을 갖는 표시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 코어는 0.4nm 내지 7nm의 직경을 갖는 표시장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 코어는 2nm 내지 4nm의 직경을 갖는 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 쉘은 0.2nm 내지 2.5nm의 두께를 갖는 표시장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 쉘은 0.3nm 내지 1.5nm의 두께를 갖는 표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 쉘은 0.5nm 내지 10nm의 두께를 갖는 표시장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 쉘은 3nm 내지 5nm의 두께를 갖는 표시장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 색 변환층은,
    청색 광을 흡수하여 적색을 발광하는 적색 변환부; 및
    청색 광을 흡수하여 녹색을 발광하는 녹색 변환부;
    를 포함하는 표시장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 색 변환층은,
    청색 광을 투과하는 투과부를 더 포함하는 표시장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 표시기판 상에 배치된 제2 편광판을 더 포함하는 표시장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 광량 조절층은 액정층인 표시장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 코어는 ZnTe, CdS 및 GaP 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 쉘은 InP, CdSe, ZnSe 및 ZnTe 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제2 쉘은 ZnS, CdS, GaP 및 ZnTe 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치.
  16. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치된 유기 발광 소자; 및
    상기 유기 발광 소자 상에 배치된 색 변환층;을 포함하며,
    상기 색 변환층은 형광체를 포함하고,
    상기 형광체는,
    코어;
    상기 코어를 둘러싸는 제1 쉘; 및
    상기 제1 쉘을 둘러싸는 제2 쉘;을 포함하는 양자점이고,
    상기 양자점은 2nm 내지 32nm의 직경을 갖는 유기발광 표시장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 양자점은 9nm 내지 15nm의 직경을 갖는 유기발광 표시장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 코어는 0.4nm 내지 7nm의 직경을 갖는 유기발광 표시장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 코어는 2nm 내지 4nm의 직경을 갖는 유기발광 표시장치.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 제1 쉘은 0.2nm 내지 2.5nm의 두께를 갖는 유기발광 표시장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제1 쉘은 0.3nm 내지 1.5nm의 두께를 갖는 유기발광 표시장치.
  22. 제16항에 있어서,
    상기 제2 쉘은 0.5nm 내지 10nm의 두께를 갖는 유기발광 표시장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 제2 쉘은 3nm 내지 5nm의 두께를 갖는 유기발광 표시장치.
  24. 제16항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자는 청색광을 발광하는 유기발광 표시장치.
  25. 제16항에 있어서, 상기 색 변환층은,
    청색 광을 흡수하여 적색을 발광하는 적색 변환부; 및
    청색 광을 흡수하여 녹색을 발광하는 녹색 변환부;
    를 포함하는 유기발광 표시장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 색 변환층은,
    청색 광을 투과하는 투과부를 더 포함하는 유기발광 표시장치.
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