KR20180016693A - 선형 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치 - Google Patents

선형 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180016693A
KR20180016693A KR1020160099964A KR20160099964A KR20180016693A KR 20180016693 A KR20180016693 A KR 20180016693A KR 1020160099964 A KR1020160099964 A KR 1020160099964A KR 20160099964 A KR20160099964 A KR 20160099964A KR 20180016693 A KR20180016693 A KR 20180016693A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
crucible
heater
nozzle
disposed
molybdenum
Prior art date
Application number
KR1020160099964A
Other languages
English (en)
Inventor
안병구
오진호
윤창선
차민철
강유진
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160099964A priority Critical patent/KR20180016693A/ko
Priority to US15/660,450 priority patent/US20180037982A1/en
Priority to CN201710660922.9A priority patent/CN107686967B/zh
Publication of KR20180016693A publication Critical patent/KR20180016693A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • H01L21/203—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/045—Alloys based on refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/10—Alloys containing non-metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
    • C22C27/04—Alloys based on tungsten or molybdenum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
    • C22C32/001—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides
    • C22C32/0015—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides with only single oxides as main non-metallic constituents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 증발 물질을 저장하는 도가니, 상기 도가니를 둘러싸며 상기 도가니를 가열하는 히터부, 상기 도가니의 상부에 배치되며 노즐판 및 상기 노즐판으로부터 돌출된 적어도 하나의 노즐을 갖는 노즐부 및 상기 도나기에 배치된 적어도 하나의 분리벽을 포함하며, 상기 도가니는, 폭보다 5 내지 30배 큰 길이를 가지며, 길이 방향을 따라 배치된 적어도 하나의 분리벽을 포함하고, 전체 중량에 대하여, 95.0 중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.01 중량% 내지 5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함하는 선형 증착원을 제공한다.

Description

선형 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치{LINEAR EVAPORATION SOURCE AND DEPOSITION APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 선형 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치에 대한 것으로, 특히 몰리브텐-란타늄 합금으로 이루어진 도가니를 포함하는 선형 증착원 및 증착 장치에 대한 것이다.
기판에 박막을 형성하는 방법으로는 진공 증착(evaporation)법, 이온 플레이팅(ion plating)법 또는 스퍼터링(sputtering)법과 같은 물리 기상 증착(PVD)법과, 가스 반응에 의한 화학 기상 증착(CVD)법이 있다.
진공 증착법을 수행하기 위한 증착 장치는, 일반적으로 증발 물질을 저장하기 위한 도가니(crucible), 도가니를 가열하기 위한 히터 및 증발된 물질이 방출되는 노즐을 포함하는 증착원을 갖는다.
이러한 증착원으로, 일측 방향으로 길게 연장된 형태의 선형 증착원이 있다. 선형 증착원은 대면적 기판에 증착막을 형성하는 데 유용하게 사용될 수 있다. 그러나, 선형 증착원은 길게 연장된 형태를 가지기 때문에, 고온에서 쉽게 부러지거나 깨질 수 있으며, 위치에 따른 온도 편차 및 낮은 열 안정성을 가진다.
본 발명의 일 실시예는 우수한 열 안정성을 갖는 선형 증착원을 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 일 실시예는 금속 증착에 사용될 수 있는 선형 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는, 증발 물질을 저장하는 도가니; 상기 도가니를 둘러싸며, 상기 도가니를 가열하는 히터부; 및 상기 도가니의 상부에 배치되며, 노즐판 및 상기 노즐판으로부터 돌출된 적어도 하나의 노즐을 갖는 노즐부;를 포함하며, 상기 도가니는, 폭보다 5 내지 30배 큰 길이를 가지며, 전체 중량에 대하여, 95.0 중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.01 중량% 내지 5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함하는 선형 증착원을 제공한다.
상기 도가니는 전체 중량에 대하여 99.5 중량% 내지 99.9 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.1중량% 내지 0.5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함한다.
상기 도가니는 50 내지 500cm의 길이, 5 내지 30cm의 폭 및 10 내지 60cm의 높이를 갖는다.
상기 도가니는 전체 중량에 대하여 95.0중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 분말 및 0.01 중량% 내지 5 중량%의 산화란타늄(La2O3) 분말의 혼합물을 성형, 소결 및 단조(forging)하여 제조될 수 있다.
상기 선형 증착원은 상기 도가니의 길이 방향을 따라 배치된 적어도 하나의 분리벽을 더 포함할 수 있다.
상기 도가니는 길이방향을 따라 측벽에 형성된 적어도 하나의 슬릿을 가지며, 상기 분리벽은 상기 슬릿에 탈착 가능하게 장착된다.
상기 분리벽은 상기 도가니의 바닥면으로부터 이격된다.
상기 히터부는 1000℃ 내지 2000℃의 온도가 되도록 상기 도가니를 가열한다.
상기 히터부는 히터 프레임 및 상기 히터 프레임에 배치된 히터를 포함하며, 상기 히터는 상기 히터 프레임의 길이방향을 따라 배치된 복수개의 발열체를 포함한다.
상기 복수개의 발열체는 상기 히터 프레임의 길이 방향을 따라 서로 이격되어 있다.
상기 히터 프레임의 하부 보다 상기 히터 프레임의 상부에서 상기 복수개의 발열체의 배치 밀도가 높다.
상기 복수개의 발열체는 상기 히터 프레임의 상부에 배치된 상단 발열체 및 상기 상단 발열체의 하부에 배치된 하단 발열체를 포함한다.
상기 선형 증착원은 상기 노즐의 삽입을 위한 개구부를 가지며, 상기 노즐부를 커버하는 복사열 방지판을 더 포함한다.
상기 복사열 방지판은 망간(Mn), 티타늄(Ti), ZrO2, Al2O3, TiO2, PBN(Boron Nitride), ALN(Aluminium nitride) 및 SUS(steel use stainless) 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 선형 증착원은 상기 노즐부의 노즐판과 상기 복사열 방지판 사이에 배치되며, 노즐에 대응되는 홀을 가지며, 열전도성을 갖는 열전도 플레이트를 더 포함한다.
상기 선형 증착원은 상기 도가니의 바닥면과 상기 노즐부 사이에 배치되며, 복수개의 홀을 갖는 내부 플레이트를 더 포함한다.
상기 선형 증착원은 상기 도가니와 상기 히터부 사이에 배치된 보호 용기를 더 포함한다.
상기 보호 용기는 탄탈륨(Ta), PBN(Boron Nitride), SUS(steel use stainless), ALN(Aluminium nitride) 및 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴-란타늄 합금(Mo-La)으로 이루어진다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는, 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 배치된 선형 증착원; 및 상기 선형 증착원과 이격되어 배치된 기판 홀더;를 포함하고, 상기 선형 증착원은, 증발 물질을 저장하는 도가니; 상기 도가니를 둘러싸며, 상기 도가니를 가열하는 히터부; 및 상기 도가니의 상부에 배치되며, 노즐판 및 상기 노즐판으로부터 돌출된 적어도 하나의 노즐을 갖는 노즐부;를 포함하며, 상기 도가니는, 폭보다 5 내지 30배 큰 길이를 가지며, 전체 중량에 대하여 95.0 중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.01 중량% 내지 5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함하는 증착 장치를 제공한다.
상기 도가니는 전체 중량에 대하여 99.5중량% 내지 99.9 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.1중량% 내지 0.5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 선형 증착원은 우수한 열 안정성을 갖는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 선형 증착원의 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 선형 증착원의 사시도이다.
도 4는 도 3의 I-I'를 따라 자른 단면도이다.
도 5는 도 3의 II-II'를 따라 자른 단면도이다.
도 6은 도가니가 히터부에 배치된 상태에 대한 부분 사시도이다.
도 7a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 도가니의 사시도이고, 도 7b는 도 7a의 III-III'를 따라 자른 도가니의 길이방향 단면도이다.
도 8a는 본 발명의 제4 실시예에 따른 도가니의 길이방향 단면도이고, 도 8b는 본 발명의 제4 실시예에 따른 도가니의 폭방향 단면도이다.
도 9a는 본 발명의 제5 실시예에 따른 분리벽의 평면도이고, 도 9b는 본 발명의 제5 실시예에 따른 분리벽의 배치에 대한 단면도이다.
도 10은 히터부의 일 실시예에 대한 사시도이다.
도 11은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 히터부의 길이방향 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 히터부의 길이방향 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 히터부의 길이방향 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 히터부의 길이방향 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제6 실시예에 따른 선형 증착원의 분해 사시도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 범위가 하기 설명하는 실시예나 도면들로 한정되는 것은 아니다.
도면에서, 발명의 이해를 돕기 위하여 각 구성요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하며, 실제 제품에 있는 구성요소가 표현되지 않고 생략되기도 한다. 따라서 도면은 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 한다. 예를 들어, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다.
동일 또는 유사한 역할을 하는 구성요소들은 도면에서 동일한 부호로 표시된다. 즉, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은, 도면에 도시되어 있는 바와 같이, 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 간접적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 그에 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 실시예를 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전 반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 제1 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 장치(101)의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 장치(101)는 공정 챔버(200), 공정 챔버(200)의 내부에 배치된 선형 증착원(300) 및 선형 증착원(300)에 대향 배치된 기판 홀더(500)를 포함한다.
공정 챔버(200)는 증착 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하는 것으로, 공정 챔버(200) 내부의 압력을 제어하며 기판(150) 상에 증착되지 않은 증발 물질을 배기시키기 위한 진공 펌프(600)와 연결된다.
또한, 공정 챔버(200)는 증착 대상 기판(150)의 반출입을 위한 반출입구(미도시)를 포함할 수 있다.
기판 홀더(500)는 공정 챔버(200) 내측으로 반입되는 기판(150)을 안착시키기 위한 것으로, 증착 공정 동안 기판(150)을 고정하기 위한 고정 부재를 포함할 수 있다. 기판 홀더(500)는 고정 수단(511)에 의해 공정 챔버(200)에 고정될 수 있다.
증착 과정에서 증발 물질이 기판(150) 상에 일정 패턴으로 증착되도록 하기 위해, 선형 증착원(300)과 기판 홀더(500) 사이에 마스크(M)가 배치된다. 마스크(M)는 다수의 슬릿(slit)을 포함할 수 있다. 기판 홀더(500)는 마스크 지지부재(521)를 포함할 수 있다.
도 1을 참조하면, 선형 증착원(300)이 공정 챔버(200)의 하부에 배치되고, 기판 홀더(500)가 공정 챔버(200)의 상부에 배치되어, 기판 홀더(500)에 의해 기판(150)이 지면과 수평하도록 고정되는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 제1 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 선형 증착원(300)이 공정 챔버(200)의 일측 측면에 배치되고, 기판 홀더(500)는 공정 챔버(200)의 타측 측면에 배치되어, 기판 홀더(500)에 고정된 기판(150)이 지면과 70 내지 110°의 각도를 가질 수도 있다. 이 경우, 중력에 의한 기판(150)의 처짐이 방지될 수 있다.
선형 증착원(300)은 증발 물질을 저장하고, 증발 물질을 가열하여 기판(150) 상에 분사함으로써, 기판(150) 상에 증발 물질이 성막되도록 한다. 선형 증착원(300)은 제1 방향(D1)으로 연장된 길이를 갖는다. 도 1을 참조하면, 제1 방향(D1)은 도면의 가로 방향이다.
증착 장치(101)는 증착원 이송부(400)를 더 포함할 수 있다. 증착원 이송부(400)는 선형 증착원(300)을 제1 방향(D1) 또는 제1 방향과 교차되는 방향으로 이동 시키는 역할을 한다. 증착원 이송부(400)는, 예를 들어, 볼 스크류(ball screw, 440), 볼 스크류(440)를 회전시키는 모터(430), 및 선형 증착원(300)의 이동 방향을 제어하기 위한 가이드(420)를 포함할 수 있다.
이하, 선형 증착원 및 선형 증착원의 구성요소를 상세히 설명한다.
먼저, 도 2 내지 6을 참조하여 본 발명의 제2 실시예를 설명한다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 선형 증착원(302)의 분해 사시도이고, 도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 선형 증착원(302)의 사시도이고, 도 4는 도 3의 I-I'를 따라 자른 단면도이고, 도 5는 도 3의 II-II'를 따라 자른 단면도이고, 도 6은 도가니(320)가 히터부(310)에 배치된 상태에 대한 부분 사시도이다.
도 2 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 선형 증착원(302)은 히터부(310), 도가니(320), 내부 플레이트(330), 노즐부(340), 열전도 플레이트(350) 및 복사열 방지판(360)을 포함한다. 도시되지 않았지만, 선형 증착원(302)은 온도 감지부를 더 포함할 수 있다.
도가니(320)는 증발 물질을 저장하여, 그 상부가 노출된다. 증발 물질은 증착에 의해 막을 형성하는 물질로 증착 소스라고도 한다.
도가니(320)는 제1 방향(D1)으로 연장된 길이를 갖는다. 즉, 도가니(320)은 선형이다.
도가니(320)는 폭보다 5 내지 30배 큰 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 도가니(320)는 50 내지 500cm의 길이, 5 내지 30cm의 폭 및 10 내지 60cm의 높이를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 도가니(320)는 50 내지 200cm의 길이, 10 내지 20cm의 폭 및 20 내지 30cm의 높이를 가질 수 있다. 그러나, 본 발명의 제2 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 도가니(320)의 크기는 필요에 따라 달라질 수 있다. 도 6을 참조하면, D1이 길이 방향이고, D2가 폭 방향이고, D1과 D2에 수직한 방향, 즉, 도면의 상하 방향이 높이 방향이다.
이러한 선형의 도가니(320)를 포함하는 선형 증착원(302)은, 보울(bowl) 또는 보트(boat) 형태의 점 증착원과 비교하여 대형 기판에 증착막을 형성할 때 유리하다.
1000℃ 이상의 고온에서 증발되는 물질, 예를 들어, 금속 재료를 증착하기 위해 고온 안정성이 우수한 도가니가 필요하다. 종래 고온 안정성의 문제로 인하여 1000℃ 이상의 고온에 이루어지는 고온 증착을 위해 점 증착원이 사용되었다.
점 증착원은 상대적으로 크기가 작기 때문에, 점 증착원 내에서의 온도편차가 적고 열안정성이 우수하다. 그러나, 하나의 점 증착원에 의하여 이루어지는 증착 범위, 즉 증착 면적에 한계가 있다. 따라서, 대형 기판 상에 증착막을 형성하기 위해 여러 개의 점 증착원이 사용되어야 한다. 그러나 이 경우, 증착의 편차로 인하여 균일한 증착막을 얻는데 어려움이 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 도가니(320)는 몰리브덴(Mo)과 란타늄(La2O3)의 합금으로 만들어지며 우수한 고온 안정성을 갖는다. 그에 따라, 1000℃ 이상의 온도에서 증발되는 물질이 이용되는 고온 증착에 유리하게 적용될 수 있다. 또한, 도가니(320)가 선형으로 만들어지더라도, 고온에서 깨지거나 마모되지 않는다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 도가니(320)는 고온에서 사용되는 선형 증착원(302)에 유용하게 적용될 수 있다.
이러한 도가니(320)를 포함하는 본 발명의 제2 실시예에 따른 선형 증착원(302)은 금속 재료를 이용하는 증착 공정 및 대면적 기판에 증착막을 형성하는 공정에 유용하게 적용될 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따르면, 도가니(320)가 몰리브덴(Mo)과 란타늄(La)의 합금으로 만들어진다. 도가니(320)의 열 안정성, 기계적 특성, 성형 특성을 고려하여, 란타늄(La) 또는 산화란타늄(La2O3)의 함량이 조정된다. 예를 들어, 도가니(320)는 전체 중량에 대하여 95.0 중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.01 중량% 내지 5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함할 수 있다. 산화란타늄(La2O3)의 함량이 0.01 중량% 미만이거나, 5 중량%를 초과하는 경우, 도가니(320)의 열 안정성, 기계적 특성, 성형 특성이 저하될 수 있다.
구체적으로, 도가니(320)는 전체 중량에 대하여 98.0 중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.01 중량% 내지 2 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 도가니(320)는 전체 중량에 대하여 99.5 중량% 내지 99.9 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.1 중량% 내지 0.5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함할 수도 있다.
예를 들어, 도가니(320)는 99.5 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함할 수 있다. 몰리브덴(Mo)과 란타늄(La2O3)을 포함하는 합금은 몰리브덴(Mo)으로 된 BCC 결정구조의 침입형 자리(interstitial site)에 산화란타늄(La2O3)이 위치하는 구조를 가질 수 있다.
도가니(320)는 몰리브덴(Mo)과 란타늄(La)의 분말 혼합물 또는 몰리브덴(Mo)과 산화란타늄(La2O3)의 분말 혼합물을 이용한 성형 및 소결에 의하여 만들어질 수 있다. 또한, 소결 후 열처리 또는 단조 공정이 수반될 수 있다.
소결은 2000℃ 내지 2500℃의 온도에서 이루어질 수 있는데, 예를 들어, 2200℃의 온도에서 소결이 이루어질 수 있다.
열처리 또는 단조(forging)는 1300℃ 내지 1500℃의 온도에서 이루어질 수 있는데, 예를 들어, 1400℃의 온도에서 단조가 이루어질 수 있다. 단조 또는 열처리에 의하여 도가니(320)의 고온 안정성이 향상될 수 있다.
선형 증착원(302)은 도가니(320)에 배치된 적어도 하나의 분리벽(325)을 포함할 수 있다. 분리벽(325)은 도가니(320)에 수용되는 증발 물질을 구분하는 역할을 하며, 증발 물질이 불필요하게 한쪽으로 쏠리는 것을 방지한다. 그에 따라, 히터부(310)에서 공급되는 열이 균일하게 증발 물질로 전달될 수 있다. 분리벽(325)은 반드시 필요한 것은 아니며, 생략될 수도 있다.
분리벽(325)은 증발 물질이 이동할 수 있도록 하는 통로(도 8b, 9b 참조)를 가질 수 있다. 이러한 통로를 통하여 증발 물질이 이동함으로써, 분리벽(325)에 의하여 구분된 각 영역에 수용된 증발 물질의 양이 균일하게 조정될 수 있다.
분리벽(325)은 도가니(320)와 동일한 재료로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 분리벽(325)은 전체 중량에 대하여 95.0 중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.01 중량% 내지 5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함할 수 있다. 분리벽(325)의 열 안정성, 기계적 특성, 성형 특성을 고려하여, 란타늄(La) 또는 산화란타늄(La2O3)의 함량이 조정된다. 산화란타늄(La2O3)의 함량이 0.01 중량% 미만이거나, 5 중량%를 초과하는 경우, 분리벽(325)의 열 안정성, 기계적 특성, 성형 특성이 저하될 수 있다.
보다 구체적으로, 분리벽(325)은 전체 중량에 대하여, 98.0 중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.01 중량% 내지 2 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함할 수 있다.
노즐부(340)는 도가니(320)의 노출된 상부에 구비되는 노즐판(341) 및 노즐판(341)으로부터 돌출된 적어도 하나의 노즐(342)을 포함한다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 노즐부(340)는 복수개의 노즐(342)를 포함한다. 복수개의 노즐(342)은 제1 방향(D1)으로 따라, 등간격으로 배치될 수도 있고, 그렇지 않을 수도 있다. 도 2 및 도 4를 참조하면, 복수개의 노즐(342)이 제1 방향(D1)으로 따라, 불균일한 간격으로 배치되어 있다. 증착에 의해 형성되는 막이 균일한 두께를 가지도록 하기 위해, 노즐(342)들 사이의 간격이 조정될 수 있다. 노즐(342)들의 간격은 증발 물질의 종류, 도가니(320)의 가열 온도, 도가니(320)의 크기, 증착 대상 기판의 크기에 따라 달라질 수 있다.
노즐(342)은 노즐판(341)을 관통하는 홀(343)을 가지며, 노즐(342)을 통해 도가니(320) 내의 증발 물질이 선형 증착원(302) 외부로 분산되어 증착 대상인 기판(150)에 증착된다.
히터부(310)는 도가니(320)를 가열한다. 히터부(310)는 히터 프레임(311) 및 히터 프레임(311)에 고정된 히터(312)를 포함한다.
히터 프레임(311)은 도가니(320)와 이격되어 도가니(320)의 상면을 제외한 측면과 저면을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 히터 프레임(311)은 히터(312)를 지지할 수 있다면, 형태에 제한되지 않는다.
히터(312)는 도가니(320)와 마주하는 히터 프레임(311)의 내벽(도 10의 311a, 311b)에 배치된다. 히터(312)는 발열 코일을 포함할 수 있으며, 도가니(320)의 측면 및 저면을 가열하여 상기 도가니(320)의 온도를 일률적으로 제어할 수 있다.
히터부(310)는 도가니(320)의 온도가 1000℃ 내지 2000℃가 되도록 도가니(320)를 가열할 수 있다.
히터부(310)는 단일의 히터를 포함할 수도 있고 분리된 복수개의 히터를 포함할 수도 있다. 도 4, 5 및 6을 참조하면, 복수개의 발열체를 포함하는 히터(312)가 히터 프레임(311)에 배치된다. 도 6에서 D1은 히터 프레임(311)의 길이방향이다. 히터(312)는 적어도 히터 프레임(311)의 길이 방향 측벽에 배치된다.
도 6에, 히터 프레임(311)의 내벽을 따라 배치된 복수개의 발열체를 포함하는 히터(312)가 도시되어 있다. 그러나, 본 발명의 제2 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 독립적인 복수개의 플레이트형 또는 원형 히트가 히터 프레임(311)의 내벽에 배치될 수도 있다. 또한, 각 히터(312)의 온도는 독립적으로 조정될 수 있다.
히터(312)의 위치와 수는 필요에 따라 달라질 수 있다, 도가니(320)가 고온으로 가열되는 경우 많은 수의 히터(312)가 사용될 수 있다. 예를 들어, 도가니(320)가 1500℃ 이상의 고온으로 가열되는 경우, 노즐부(340)에서 증발 물질이 응집되는 것을 방지하기 위해, 도가니(320)의 상부에 인접하여 히터(312)가 주로 배치될 수 있다. 필요에 따라 히터(312)가 도가니(320)의 하부에 주로 배치될 수도 있다.
선형 증착원(302)은 온도 감지부(미도시)를 포함할 수 있다. 온도 감지부는, 예를 들어, 히터 프레임(311)에 고정되어, 도가니(320)와 히터(312) 사이에 배치될 수 있다.
온도 감지부의 위치와 개수는 도가니(320)와 히터(312)의 크기에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 온도 감지부는 도가니(320)의 온도를 영역별로 측정하는 역할을 한다. 온도 감지부에 의해 측정된 도가니(320)의 영역별 온도를 근거로 히터(312)의 온도를 제어함으로써 도가니(320)의 전체 온도를 균일하게 제어할 수 있다.
복사열 방지판(360)은 노즐(342) 삽입을 위한 개구부(362)를 가지며, 노즐부(340)를 커버한다.
복사열 방지판(360)는 도가니(320)와 노즐부(340)를 둘러싸도록 히터부(310)상에 배치될 수 있다. 복사열 방지판(360)는 히터부(310)에서 발생한 열이 공정 챔버(200) 내부로 발산되는 것을 억제하는 역할을 한다. 그에 따라, 고온의 히터부(310) 및 도가니(320)로부터 방출된 열이 증착막에 영향을 주거나 챔버 내부의 구조물을 손상시키는 것을 방지한다.
노즐(342)은 복사열 방지판(360)의 개구부(362)에 삽입된다. 노즐(342)의 말단은 개구부(362)를 통해 노출된다. 노즐(342)은 개구부(362)로부터 돌출될 수도 있고, 그렇지 않을 수도 있다. 도 4를 참조하면, 노즐(342)은 복사열 방지판(360)의 상부 표면과 동일한 높이를 가진다. 노즐(342)은 복사열 방지판(360)의 상부 표면으로부터 함몰된 상태로 배치될 수도 있다.
복사열 방지판(360)은 열 전달율 및 열 방사율이 비교적 낮은 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 복사열 방지판(360)은 망간(Mn), 티타늄(Ti), ZrO2, Al2O3, TiO2, PBN(Boron Nitride), ALN(Aluminium nitride) 및 SUS (steel use stainless) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
열전도 플레이트(350)는 노즐부(340)의 노즐판(341)과 복사열 방지판(360) 사이에 배치된다. 열전도 플레이트(350)는 열전도성을 가지며, 노즐(342)에 대응되는 홀(352)을 갖는다.
열전도 플레이트(350)의 홀(352)에 노즐(342)이 삽입된다.
열전도 플레이트(350)는 열전도성 물질로 만들어질 수 있다. 열전도 플레이트(350)는, 예를 들어 탄탄륨(Ta)을 포함할 수 있다. 열전도 플레이트(350)는 알루미늄 합금, 몰리브덴 합금 등과 같은 금속의 합금으로 만들어질 수도 있다.
열전도 플레이트(350)는 복사열 방지판(360)과 이격되어 배치될 수도 있고 접촉하여 배치될 수도 있다.
또한, 열전도 플레이트(350)는 노즐(342)과 인접하여 배치되거나 노즐(342)과 접촉하여 배치된다. 열전도 플레이트(350)를 통하여 열이 이동됨으로써 노즐(342)들이 균일한 온도를 가질 수 있다. 즉, 열전도 플레이트(350)는 노즐(342)들 중 어느 한 곳에 열이 집중되는 것을 방지하여, 노즐(342)들 사이의 온도 편차를 줄이는 역할을 할 수 있다. 그에 따라, 도가니(320)에서 증발된 물질들이 노즐(342)을 통해 균일하게 공정 챔버(200) 내부로 확산된다.
열전도 플레이트(350)는 도가니(320)의 상부에 배치되기 때문에 상부 플레이트라고도 한다.
내부 플레이트(330)는 도가니(320) 내에 배치된다. 구체적으로, 내부 플레이트(330)는 도가니(320)의 바닥면(322)과 노즐부(340) 사이에 배치되며, 복수개의 홀(332)을 갖는다.
내부 플레이트(330)는 필터 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 내부 플레이트(330)는 도가니(320)에서 증발된 물질이 골고루 분산되어 노즐(342)로 유입되도록 한다.
내부 플레이트(330)는 도가니(320)와 동일한 재료로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 내부 플레이트(330)는 전체 중량에 대하여 95.0 중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.01 중량% 내지 5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함할 수 있다. 내부 플레이트(330)의 열 안정성, 기계적 특성, 성형 특성을 고려하여, 란타늄(La) 또는 산화란타늄(La2O3)의 함량이 조정된다. 산화란타늄(La2O3)의 함량이 0.01 중량% 미만이거나, 5 중량%를 초과하는 경우, 내부 플레이트(330)의 열 안정성, 기계적 특성, 성형 특성이 저하될 수 있다.
보다 구체적으로, 내부 플레이트(330)는 전체 중량에 대하여 98.0 중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.01 중량% 내지 2 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함할 수 있다.
내부 플레이트(330)는 도가니(320)에 형성된 걸림턱에 배치될 수 있다. 도가니(320)는 별도의 내부 플레이트(330) 거치대(미도시)를 더 포함할 수도 있다.
이하, 도 7a 및 7b를 참조하여, 본 발명의 제3 실시예를 설명한다.
도 7a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 도가니(3203)의 사시도이고, 도 7b는 도 7a의 III-III'를 따라 자른 도가니(3203)의 길이방향 단면도이다.
도 7a를 참조하면, 도가니(3203)는 길이 방향(D1)을 따라 측벽(321)에 형성된 적어도 하나의 슬릿(323)을 가진다. 분리벽(325)은 슬릿(323)에 탈착 가능하게 장착될 수 있다.
슬릿(323)의 개수나 위치는 필요에 따라 달라질 수 있다. 분리벽(325)의 개수 역시 필요에 따라 달라질 수 있다. 그에 따라, 분리벽(325)을 이용하여 도가니(3203)의 내부 공간을 필요에 따라 분할할 수 있다.
이하, 도 8a 및 8b를 참조하여, 본 발명의 제4 실시예를 설명한다.
도 8a 및 8b는 각각 본 발명의 제4 실시예에 따른 도가니(3204)의 길이방향 단면도 및 폭방향 단면도이다.
도 8a 및 8b를 참조하면, 분리벽(326)은 도가니(3204)의 바닥면(322)으로부터 이격된다. 도 8b를 참조하면, 도가니(3204)의 측벽(321)에 슬릿(323)이 형성되어 있으며, 슬릿(323)은 도가니(3204)의 바닥면(322)까지 연장되지 않고 측벽(321)의 상부에만 형성되어 있다. 그에 따라, 분리벽(326)이 슬릿(323)에 삽입되더라도 분리벽(326)은 도가니(3204)의 바닥면(322)과 접촉하지 않으며, 도가니(3204)의 바닥면(322)과 분리벽(326) 사이에 공간이 생긴다.
도가니(3204)의 바닥면(322)과 분리벽(326) 사이의 공간은 도가니(3204)에 수용된 증발 물질의 이동 통로가 된다. 도가니(3204)의 바닥면(322)과 분리벽(326)과 사이의 공간을 통해 용융된 증발 물질이 이동될 수도 있다. 그 결과, 분리벽(325)에 의하여 구분된 각 영역에 수용된 증발 물질의 양이 균일해질 수 있다.
이하, 도 9a 및 9b를 참조하여, 본 발명의 제5 실시예를 설명한다.
도 9a 및 9b는 각각 본 발명의 제5 실시예에 따른 분리벽(327)의 평면도 및 분리벽(327)이 배치된 도가니(3205)의 단면도이다.
도 9b를 참조하면, 분리벽(327)은 반전된 U자형을 갖는다. 이러한 분리벽(327)이 도가니(3205)에 배치되는 경우, 분리벽(327)과 도가니(3205)의 바닥면(322) 사이에 공간이 생길 수 있다. 도가니(3205)의 바닥면(322)과 분리벽(327) 사이의 공간을 통해 증발 물질이 용이하게 이동될 수 있다.
도 10은 히터부(3103)의 일 실시예에 대한 사시도이다.
도 10을 참조하면, 복수개의 발열체(312a, 312b, 312c)을 포함하는 히터(312)가 히터 프레임(311)의 내벽(311a, 311b)에 배치된다. 발열체(312a, 312b, 312c)의 종류에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 발열체로, 예를 들어, 발열 코일이 있다. 발열 코일 외에 다른 공지의 발열 수단들이 발열체(312a, 312b, 312c)로 사용될 수도 있음은 물론이다.
히터 프레임(311) 중 길이가 긴 쪽을 길이 방향이라 하고, 길이가 짧은 쪽을 폭 방향이라 한다. 길이 방향은 도 6의 D1 방향에 대응되고, 폭 방향은 도 6의 D2 방향에 대응된다. 도 10에서, 각각의 발열체(312a, 312b, 312c)는 길이 방향 내벽(311a) 및 폭 방향의 내벽(311b)에서 연속적으로 배치된다.
도 11은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 히터부(410)의 길이방향 단면도이다.
도 11에 도시된 히터부(410)에 있어서, 히터(412)는 히터 프레임(311)의 길이 방향 내벽(311a)에 배치된 복수개의 발열체(412a, 412b, 412c)를 포함한다. 발열체(412a, 412b, 412c)로 발열 코일이 사용될 수 있다.
도 11을 참조하면, 발열체(412a, 412b, 412c)는 노즐부(340)와 가까운 히터 프레임(311)의 상부쪽에 조밀하게 배치된다. 즉, 히터 프레임(311)의 하부 보다 히터 프레임(311)의 상부에서 발열체(412a, 412b, 412c)의 배치 밀도가 더 크다.
구체적으로, 히터(412)는 3개의 발열체(412a, 412b, 412c)를 포함하며, 각 발열체(412a, 412b, 412c)는 반전된 U자 형상(∩)을 갖는다.
이러한 형상을 갖는 도 11에 도시된 히터(412)는 도가니(320)의 상부를 원활하게 가열할 수 있다.
또한, 도 11에 도시된 히터부(410)는 온도 감지부(415a, 415b)를 포함한다. 온도 감지부(415a, 415b)를 온도를 측정한다. 온도 감지부(415a, 415b)에서 측정된 온도에 따라 발열체(412a, 412b, 412c)의 온도가 조정될 수 있다. 온도 감지부(415a, 415b)는 발열체와 인접하여 배치된 상단 온도 감지부(415a) 및 발열체로부터 이격되어 있는 하단 온도 감지부(415b)를 포함한다.
상단 온도 감지부(415a)는 발열체(412a, 412b, 412c)의 온도를 직접적으로 측정할 수 있다. 하단 온도 감지부(415b)는 발열체(412a, 412b, 412c)로부터 멀리 떨어진 곳의 온도를 측정하여, 히터부(410)의 온도가 소정의 온도 이하로 내려가는지 여부를 확인할 수 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 히터부(510)의 길이방향 단면도이다.
도 12에 도시된 히터부(510)는 히터 프레임(311)의 길이 방향 내벽(311a)에 배치된 복수개의 발열체(512a, 512b, 512c)를 포함한다.
도 12을 참조하면, 히터(512)는 노즐부(340)와 가까운 히터 프레임(311)의 상부에 배치된 상단 발열체(512b) 및 상단 발열체(512b)의 하부에 배치된 2개의 하단 발열체(512a, 512c)를 포함한다. 여기서, 각각의 발열체(512a, 512b, 512c)는 반전된 U자 형상(∩)을 갖는다.
도 12를 참조하면, 발열체(512a, 512b, 512c)는 히터 프레임(311)의 상부쪽에 조밀하게 배치된다. 즉, 히터 프레임(311)의 하부 보다 히터 프레임(311)의 상부에서 발열체(512a, 512b, 512c)의 배치 밀도가 더 크다. 이러한 형상을 갖는 히터(512)는 도가니(320)의 상부를 원활하게 가열할 수 있다.
또한, 도 12에 도시된 히터부(510)는 온도 감지부(515a, 515b)를 포함한다. 온도 감지부(515a, 515b)는 발열체(512a, 512b, 512c)와 인접하여 배치된 상단 온도 감지부(515a) 및 발열체(512a, 512b, 512c)로부터 이격되어 있는 하단 온도 감지부(515b)를 포함한다.
도 13은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 히터부(610)의 길이방향 단면도이다.
도 13에 도시된 히터부(610)는 히터 프레임(311)의 길이 방향 내벽(311a)에 배치된 복수개의 발열체(612a, 612b, 612c, 612d)를 포함한다.
도 13을 참조하면, 히터(612)는 노즐부(340)와 가까운 히터 프레임(311)의 상부쪽에 배치된 2개의 상단 발열체(612b, 612c) 및 각각의 상단 발열체(612b, 612c)의 하부에 배치된 2개의 하단 발열체(612a, 612d)를 포함한다. 여기서, 각각의 발열체(612a, 612b, 612c, 612d)는 반전된 U자 형상(∩)을 갖는다.
도 13를 참조하면, 발열체(612a, 612b, 612c, 612d)는 노즐부(340)와 가까운 히터 프레임(311)의 상부쪽에 조밀하게 배치된다. 이러한 형상을 갖는 히터(612)는 도가니(320)의 상부를 원활하게 가열할 수 있다.
또한, 도 13에 도시된 히터부(610)는 온도 감지부(615a, 615b)를 포함한다. 온도 감지부(615a, 615b)는 발열체(612a, 612b, 612c, 612d)와 인접하여 배치된 상단 온도 감지부(615a) 및 발열체(612a, 612b, 612c, 612d)로부터 이격되어 있는 하단 온도 감지부(615b)를 포함한다.
도 14는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 히터부(710)의 길이방향 단면도이다.
도 14에 도시된 히터부(710)는 히터 프레임(311)의 길이 방향 내벽(311a)에 배치된 복수개의 발열체(712a, 712b, 712c, 712d, 712e)를 포함한다.
도 14를 참조하면, 히터(712)는 히터 프레임(311)의 길이 방향 내벽(311a)의 좌우측에 각각 배치된 측면 발열체(712a, 712b, 712d, 712e) 및 그 사이에 배치된 중앙 발열체(712c)를 포함한다. 측면 발열체(712a, 712b, 712d, 712e)는 노즐부(340)와 가까운 히터 프레임(311)의 상부쪽에 배치된 2개의 상단 발열체(712a, 712e) 및 상단 발열체(712a, 712e) 각각의 하부에 배치된 2개의 하단 발열체(712b, 712d)를 포함한다. 여기서, 각각의 발열체(712a, 712b, 712c, 712d, 712e)는 반전된 U자 형상(∩)을 갖는다.
도 14를 참조하면, 발열체(712a, 712b, 712c, 712d, 712e)는 노즐부(340)와 가까운 히터 프레임(311)의 상부쪽에 조밀하게 배치된다. 이러한 형상을 갖는 히터(612)는 도가니(320)의 상부를 원활하게 가열할 수 있다.
또한, 도 14에 도시된 히터부(710)는 온도 감지부(715a, 715b)를 포함한다. 온도 감지부(715a, 715b)는 발열체(712a, 712b, 712c, 712d, 712e)와 인접하여 배치된 상단 온도 감지부(715a) 및 발열체(712a, 712b, 712c, 712d, 712e)로부터 이격되어 있는 하단 온도 감지부(715b)를 포함한다.
이하, 도 15를 참조하여, 본 발명의 제6 실시예를 설명한다.
도 15는 본 발명의 제6 실시예에 따른 선형 증착원(106)의 분해 사시도이다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 선형 증착원(302)과 비교하여, 본 발명의 제6 실시예에 따른 선형 증착원(106)은 도가니(320)와 히터부(310) 사이에 배치된 보호 용기(370)를 더 포함한다. 이하, 중복을 피하기 위하여, 이미 설명된 구성요소에 대한 설명은 생략된다.
도 15의 보호 용기(370)는 도가니(320)를 수용할 수 있는 공간을 가진다. 보호 용기(370)는 도가니(320)를 수용하여 보호하며, 도가니(320)가 균일하게 가열될 수 있도록 돕는 역할을 한다. 보호 용기(370)는 도가니(320)의 외부에 배치되기 때문에, 외부 도가니 라고도 한다.
보호 용기(370)는 도가니(320)와 동일한 물질로 만들어질 수도 있고, 다른 물질로 만들어질 수도 있다. 보호 용기(370)는 탄탈륨(Ta), PBN(Boron Nitride), SUS(steel use stainless), ALN(Aluminium nitride) 및 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴-란타늄 합금(Mo-La)으로 만들어질 수 있다.
예를 들어, 보호 용기(370)는 전체 중량에 대하여 95.0 중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.001 중량% 내지 5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함할 수 있다. 보호 용기(370)의 열 안정성, 기계적 특성, 성형 특성을 고려하여, 란타늄(La) 또는 산화란타늄(La2O3)의 함량이 조정된다. 산화란타늄(La2O3)의 함량이 0.01 중량% 미만이거나, 5 중량%를 초과하는 경우, 보호 용기(370)의 열 안정성, 기계적 특성, 성형 특성이 저하될 수 있다.
보다 구체적으로, 보호 용기(370)는 전체 중량에 대하여 98.0 중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo), 0.001 중량% 내지 2 중량%의 산회란타늄(La2O3)을 포함할 수 있다.
또한, 도 15를 참조하면, 도가니(320)에 분리벽이 배치되지 않는다. 그러나, 본 발명의 제6 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 도가니(320)에 분리벽이 배치될 수도 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 도가니는 열안정성 및 내구성이 우수하기 때문에 증착 진행 중 도가니의 깨짐에 의한 공정 리스크가 감소된다. 본 발명의 실시예들에 따른 선형 증착원은 종래의 점 증착원에 비하여 많은 양의 증발 물질을 수용할 수 있다. 그에 따라, 증착 장치의 연속 가동시간이 증가되어 공정 효율이 향상되고 재료비가 절감된다.
이상, 도면 및 실시예를 중심으로 본 발명을 설명하였다. 상기 설명된 도면과 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예를 생각해 내는 것이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
101: 증착 장치 200: 공정 챔버
300, 302, 106: 선형 증착원 310, 410, 510, 610, 710: 히터부
320, 3203, 3204, 3205: 도가니 330: 내부 플레이트
340: 노즐부 350: 열전도 플레이트
360: 복사열 방지판 325, 326, 327: 분리벽
370: 보호 용기 400: 증착원 이송부
500: 기판 홀더

Claims (20)

  1. 증발 물질을 저장하는 도가니;
    상기 도가니를 둘러싸며, 상기 도가니를 가열하는 히터부; 및
    상기 도가니의 상부에 배치되며, 노즐판 및 상기 노즐판으로부터 돌출된 적어도 하나의 노즐을 갖는 노즐부;를 포함하며,
    상기 도가니는,
    폭보다 5 내지 30배 큰 길이를 가지며,
    전체 중량에 대하여, 95.0중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.01 중량% 내지 5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함하는 증착원.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도가니는 전체 중량에 대하여 99.5중량% 내지 99.9 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.1중량% 내지 0.5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함하는 선형 증착원.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 도가니는 50 내지 500cm의 길이, 5 내지 30cm의 폭 및 10 내지 60cm의 높이를 갖는 선형 증착원.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도가니는 전체 중량에 대하여 95.0중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 분말 및 0.01 중량% 내지 5 중량%의 산화란타늄(La2O3) 분말의 혼합물을 성형, 소결 및 단조(forging)하여 제조된 선형 증착원.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 도가니의 길이 방향을 따라 배치된 적어도 하나의 분리벽을 더 포함하는 선형 증착원.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 도가니는 길이방향을 따라 측벽에 형성된 적어도 하나의 슬릿을 가지며,
    상기 분리벽은 상기 슬릿에 탈착 가능하게 장착되는 선형 증착원.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 분리벽은 상기 도가니의 바닥면으로부터 이격되어 있는 선형 증착원.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 히터부는 1000℃ 내지 2000℃의 온도가 되도록 상기 도가니를 가열하는 선형 증착원.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 히터부는 히터 프레임 및 상기 히터 프레임에 배치된 히터를 포함하며,
    상기 히터는 상기 히터 프레임의 길이방향을 따라 배치된 복수개의 발열체를 포함하는 선형 증착원.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 복수개의 발열체는 상기 히터 프레임의 길이 방향을 따라 서로 이격되어 있는 선형 증착원.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 히터 프레임의 하부 보다 상기 히터 프레임의 상부에서 상기 복수개의 발열체의 배치 밀도가 높은 선형 증착원.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 복수개의 발열체는 상기 히터 프레임의 상부에 배치된 상단 발열체 및 상기 상단 발열체의 하부에 배치된 하단 발열체를 포함하는 선형 증착원.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 노즐의 삽입을 위한 개구부를 가지며, 상기 노즐부를 커버하는 복사열 방지판을 더 포함하는 선형 증착원.
  14. 제9항에 있어서, 상기 복사열 방지판은 망간(Mn), 티타늄(Ti), ZrO2, Al2O3, TiO2, PBN(Boron Nitride), ALN(Aluminium nitride) 및 SUS(steel use stainless) 중 적어도 하나를 포함하는 선형 증착원.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 노즐부의 노즐판과 상기 복사열 방지판 사이에 배치되며, 노즐에 대응되는 홀을 가지며, 열전도성을 갖는 열전도 플레이트를 더 포함하는 선형 증착원.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 도가니의 바닥면과 상기 노즐부 사이에 배치되며, 복수개의 홀을 갖는 내부 플레이트를 더 포함하는 선형 증착원.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 도가니와 상기 히터부 사이에 배치된 보호 용기를 더 포함하는 선형 증착원.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 보호 용기는 탄탈륨(Ta), PBN(Boron Nitride), SUS(steel use stainless), ALN(Aluminium nitride) 및 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴-란타늄 합금(Mo-La)으로 이루어진 선형 증착원.
  19. 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내부에 배치된 선형 증착원; 및
    상기 선형 증착원과 이격되어 배치된 기판 홀더;를 포함하고,
    상기 선형 증착원은,
    증발 물질을 저장하는 도가니;
    상기 도가니를 둘러싸며, 상기 도가니를 가열하는 히터부; 및
    상기 도가니의 상부에 배치되며, 노즐판 및 상기 노즐판으로부터 돌출된 적어도 하나의 노즐을 갖는 노즐부;를 포함하며,
    상기 도가니는,
    폭보다 5 내지 30배 큰 길이를 가지며,
    전체 중량에 대하여 95.0 중량% 내지 99.99 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.01 중량% 내지 5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함하는 증착 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 도가니는 전체 중량에 대하여 99.5중량% 내지 99.9 중량%의 몰리브덴(Mo) 및 0.1중량% 내지 0.5 중량%의 산화란타늄(La2O3)을 포함하는 증착 장치.
KR1020160099964A 2016-08-05 2016-08-05 선형 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치 KR20180016693A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160099964A KR20180016693A (ko) 2016-08-05 2016-08-05 선형 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치
US15/660,450 US20180037982A1 (en) 2016-08-05 2017-07-26 Linear evaporation source and deposition apparatus including the same
CN201710660922.9A CN107686967B (zh) 2016-08-05 2017-08-04 线性蒸发源及包括线性蒸发源的沉积装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160099964A KR20180016693A (ko) 2016-08-05 2016-08-05 선형 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180016693A true KR20180016693A (ko) 2018-02-19

Family

ID=61071927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160099964A KR20180016693A (ko) 2016-08-05 2016-08-05 선형 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20180037982A1 (ko)
KR (1) KR20180016693A (ko)
CN (1) CN107686967B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200109603A (ko) * 2019-03-13 2020-09-23 주식회사 선익시스템 박스형 선형 증발원용 도가니 및 선형 증발원
KR20220090334A (ko) * 2020-12-22 2022-06-29 (주)데포랩 선형 증발원의 도가니
KR20220115653A (ko) * 2021-02-08 2022-08-18 (주)에스브이엠테크 박막 증착 설비용 유도가열 장치

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108531866A (zh) * 2018-05-02 2018-09-14 昆山国显光电有限公司 线性蒸发源及蒸发装置
KR20200104976A (ko) * 2019-02-27 2020-09-07 삼성디스플레이 주식회사 증착원 증발 장치 및 그 제조방법
KR102265055B1 (ko) * 2019-06-05 2021-06-15 엘지전자 주식회사 증착 장치
JP7409799B2 (ja) * 2019-07-29 2024-01-09 キヤノントッキ株式会社 ノズルユニット，坩堝，蒸発源及び蒸着装置
CN115135800A (zh) * 2020-01-16 2022-09-30 Lg电子株式会社 蒸镀用坩埚及包括它的蒸镀装置
CN113088918B (zh) * 2021-04-19 2022-11-25 辽宁分子流科技有限公司 一种智能蒸发镀膜机
WO2024030562A1 (en) * 2022-08-04 2024-02-08 Emagin Corporation Evaporation system having improved collimation

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4439232A (en) * 1982-02-26 1984-03-27 Union Oil Company Of California Samarium metal production
US5034604A (en) * 1989-08-29 1991-07-23 Board Of Regents, The University Of Texas System Refractory effusion cell to generate a reproducible, uniform and ultra-pure molecular beam of elemental molecules, utilizing reduced thermal gradient filament construction
JPH03287761A (ja) * 1990-04-04 1991-12-18 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
US6830626B1 (en) * 1999-10-22 2004-12-14 Kurt J. Lesker Company Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum
US20030150377A1 (en) * 2000-08-31 2003-08-14 Nobuhiro Arimoto Silicon monoxide vapor deposition material, process for producing the same, raw material for producing the same, and production apparatus
ATE354683T1 (de) * 2002-09-04 2007-03-15 Osram Sylvania Inc Verfahren zur herstellung von sag-beständigen molybdän-lanthanoxid-legierungen
JP4312555B2 (ja) * 2003-09-18 2009-08-12 富士フイルム株式会社 真空蒸着用ルツボおよび蛍光体シート製造装置
US20090087545A1 (en) * 2005-09-20 2009-04-02 Tadahiro Ohmi Film Forming Apparatus, Evaporating Jig, and Measurement Method
US20070178225A1 (en) * 2005-12-14 2007-08-02 Keiji Takanosu Vapor deposition crucible, thin-film forming apparatus comprising the same, and method of producing display device
JP4768584B2 (ja) * 2006-11-16 2011-09-07 財団法人山形県産業技術振興機構 蒸発源およびこれを用いた真空蒸着装置
US8461071B2 (en) * 2008-12-12 2013-06-11 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
KR101108152B1 (ko) * 2009-04-30 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 소스
JP4831841B2 (ja) * 2009-07-10 2011-12-07 三菱重工業株式会社 真空蒸着装置及び方法
KR101233482B1 (ko) * 2011-05-08 2013-02-18 주식회사 야스 물질분사 각도를 제한한 선형 소스
DK2524974T3 (da) * 2011-05-18 2014-08-11 Riber Injektor til et vakuuminddampningssystem
US8724974B2 (en) * 2011-09-30 2014-05-13 Fujikin Incorporated Vaporizer
CN102990054B (zh) * 2012-04-01 2016-05-25 鹤山市沃得钨钼实业有限公司 稀土钼坩埚坯料及利用该坯料制造稀土钼坩埚的方法
KR102124588B1 (ko) * 2012-10-22 2020-06-22 삼성디스플레이 주식회사 선형 증착원 및 이를 포함하는 진공 증착 장치
CN104109834B (zh) * 2014-06-19 2016-06-15 合肥鑫晟光电科技有限公司 蒸镀机的蒸发源装置及蒸镀机

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200109603A (ko) * 2019-03-13 2020-09-23 주식회사 선익시스템 박스형 선형 증발원용 도가니 및 선형 증발원
KR20220090334A (ko) * 2020-12-22 2022-06-29 (주)데포랩 선형 증발원의 도가니
KR20220115653A (ko) * 2021-02-08 2022-08-18 (주)에스브이엠테크 박막 증착 설비용 유도가열 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN107686967A (zh) 2018-02-13
CN107686967B (zh) 2021-08-03
US20180037982A1 (en) 2018-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180016693A (ko) 선형 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치
TWI588278B (zh) 線型蒸發源及包含其之真空沉積設備
KR101263005B1 (ko) 증착 장치 및 방법
US6830626B1 (en) Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum
KR101450339B1 (ko) 증발원 및 이것을 이용한 진공 증착 장치
JP4842039B2 (ja) 蒸発源及びそれを用いた薄膜蒸着方法
KR100805531B1 (ko) 증발원
KR100495751B1 (ko) 진공 상태에서의 기판 도포 방법 및 그 장치
JP2022113863A (ja) 蒸発源及び蒸着装置
TWI447246B (zh) 真空蒸鍍裝置
JPWO2018199184A1 (ja) 蒸発源及び成膜装置
TWI408242B (zh) 蒸發器以及具有該蒸發器的真空沉積裝置
JP6291696B2 (ja) 蒸着装置および蒸発源
KR101520335B1 (ko) 기판 증착 장치
JP5732531B2 (ja) 側面放出型線状蒸発源、その製造方法及び線状蒸発器
JP2023075126A (ja) 真空チャンバ内で基板をコーティングするための気相堆積装置及び方法
KR20090047630A (ko) 증발원
JP6982695B2 (ja) 蒸着源及び真空処理装置
JP2020176287A (ja) 蒸着源及び真空処理装置
KR101528709B1 (ko) 증착 균일도를 향상시키는 증착 용기
US20200283887A1 (en) Effusion cell
CN114381693A (zh) 真空蒸镀装置用的蒸镀源
KR100889761B1 (ko) 유기박막 형성장치의 가열용기
KR20140141311A (ko) 도가니 장치 및 이를 포함하는 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal