JP2020176287A - 蒸着源及び真空処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
上記蒸発容器は、蒸着材料を収容する内部空間を有する容器本体と、上記容器本体の上記内部空間を閉塞する天板とを有する。
上記噴出ノズルは、上記天板に配置され、上記内部空間に連通する。
蒸気加熱機構は、上記容器本体、上記天板、及び上記噴出ノズルの少なくとも1つを加熱する。
上記容器本体、上記天板、及び上記噴出ノズルのいずれかの表面は、熱輻射率が相対的に低い低輻射領域と、熱輻射率が相対的に高い高輻射領域とを有している。
10…真空容器
20…基板支持機構
30A、30B、30C、30D、30E…蒸着源
30m…蒸着材料
30ms…液面
31…蒸発容器
31n…法線
311…容器本体
311w、312w…側部
311b…底部
311H、312H、32H…高輻射領域
311L、312L、32L…低輻射領域
311c…冷却流路
312…天板
312u…上部
315…内部空間
32…噴出ノズル
320…噴出口
32c…中心軸
33…加熱機構
33u…上部加熱機構
33m…中部加熱機構
33d…下部加熱機構
35…温調機構
40…防着板
50…冷却機構
60…断熱板
70…排気機構
90…基板
91…基板ホルダ
92…マスク部材
Claims (5)
- 蒸着材料を収容する内部空間を有する容器本体と、前記容器本体の前記内部空間を閉塞する天板とを有する蒸発容器と、
前記天板に配置され、前記内部空間に連通する噴出ノズルと、
前記容器本体、前記天板、及び前記噴出ノズルの少なくとも1つを加熱する加熱機構と
を具備し、
前記容器本体、前記天板、及び前記噴出ノズルのいずれかの表面は、熱輻射率が相対的に低い低輻射領域と、熱輻射率が相対的に高い高輻射領域とを有している
蒸着源。 - 請求項1に記載の蒸着源であって、
前記噴出ノズル及び前記天板の少なくとも1つの前記表面においては、前記加熱機構に直面する直面領域または前記蒸着材料の蒸気に直面する直面領域が前記高輻射領域で構成され、前記加熱機構に直面しない非直面領域が前記低輻射領域で構成される
蒸着源。 - 請求項1または2に記載の蒸着源であって、
前記容器本体は、側部と、前記側部に連設された底部とを有し、
前記側部においては、前記加熱機構に直面する直面領域または前記蒸着材料に直面する直面領域が前記高輻射領域で構成され、前記加熱機構に直面しない非直面領域が前記低輻射領域で構成され、
前記底部は、前記加熱機構に直面せず、前記底部の表面が前記低輻射領域の前記熱輻射率よりも高い領域で構成される
蒸着源。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載の蒸着源であって、
前記熱輻射率が相対的に高い前記表面領域の表面粗さは、前記熱輻射率が相対的に低い前記表面領域の表面粗さよりも粗い
蒸着源。 - 蒸着材料を収容する内部空間を有する容器本体と、前記容器本体の前記内部空間を閉塞する天板とを有する蒸発容器と、前記天板に配置され、前記内部空間に連通する噴出ノズルと、前記容器本体、前記天板、及び前記噴出ノズルの少なくとも1つを加熱する加熱機構とを有し、前記容器本体、前記天板、及び前記噴出ノズルのいずれかの表面は、熱輻射率が相対的に低い領域と、熱輻射率が相対的に高い領域とを有する蒸着源と、
前記蒸着源と対向し、基板を支持する基板支持機構と、
前記蒸着源及び前記基板支持機構と収容する真空容器と
を具備する真空処理装置。
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EP4361308A1 (en) * | 2022-10-27 | 2024-05-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition source and deposition apparatus including the same |
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- 2019-04-16 JP JP2019078002A patent/JP2020176287A/ja active Pending
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