KR20170143066A - 표시 패널, 및 이를 포함하는 전자 기기 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 128
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
본 발명의 다양한 실시예들에 따른 표시 패널 및 전자 기기가 제공된다. 상기 표시 패널은 제1 방향으로 서로 이격하는 제1 및 제2 표시 영역들을 포함하는 표시 영역, 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 테두리 비표시 영역과 상기 제1 및 제2 표시 영역들 사이의 중간 비표시 영역을 포함하는 비표시 영역이 정의되는 기판, 상기 제1 표시 영역 상에 배열되는 복수의 제1 화소들, 상기 제2 표시 영역 상에 배열되는 복수의 제2 화소들, 상기 비표시 영역 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 화소들에 인가되는 제1 및 제2 구동 전압을 각각 전달하는 제1 및 제2 전압 배선들, 및 상기 중간 비표시 영역 상에서 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향을 따라 연장되어 상기 제1 및 제2 표시 영역들 사이를 완전히 가로지고, 상기 제1 및 제2 전압 배선들 중 하나에 연결되는 보조 배선을 포함한다.
Description
본 발명은 표시 패널, 및 이를 포함하는 전자 기기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 2개의 표시 영역을 갖는 표시 패널, 및 이를 포함하는 전자 기기에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시하며, 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되는 장점이 있다.
유기 발광 표시 장치는 복수의 게이트 라인, 복수의 데이터 라인 및 복수의 전압 라인과 상기 라인들에 연결되고 매트릭스 형태로 배열되는 복수의 화소들을 포함한다. 화소들은 데이터 라인을 통해 입력되는 데이터 전압에 의해 결정되는 크기를 갖는 발광 전류를 이용하여 발광 소자의 휘도를 조절함으로써 계조를 표현한다. 전압 라인의 저항 성분과 전압 라인에 흐르는 전류으로 인하여, 전압 라인에 전압 강하(IR Drop)가 발생하며, 화소들은 위치에 따라 상이한 레벨의 구동 전압들에 의해 구동된다. 그에 따라, 화소들은 동일한 레벨의 데이터 전압을 수신하더라도 위치에 따라 상이한 레벨의 구동 전압들에 의해 상이한 휘도로 발광하게 된다. 유기 발광 표시 장치가 표시하는 영상의 화질이 떨어지는 문제가 발생한다.
한편, 헤드 마운트 디스플레이와 같이 표시 패널이 시청자의 양 눈에 인접하게 위치하는 전자 기기들이 개발되고 있다.
본 발명의 실시예들은 2개의 표시 영역을 갖는 표시 패널의 화소들에 인가되는 구동 전압들의 레벨의 균일도가 개선된 표시 패널, 및 이를 포함하는 전자 기기를 제공한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 표시 패널은 표시 영역 및 비표시 영역이 정의되는 기판, 복수의 제1 화소들, 복수의 제2 화소들, 제1 및 제2 전압 배선들, 및 보조 배선을 포함한다. 상기 표시 영역은 제1 방향으로 서로 이격하는 제1 및 제2 표시 영역들을 포함한다. 상기 비표시 영역은 상기 표시 영역을 둘러싸는 테두리 비표시 영역과 상기 제1 및 제2 표시 영역들 사이의 중간 비표시 영역을 포함한다. 상기 제1 화소들은 상기 제1 표시 영역 상에 배열되고, 상기 제2 화소들은 상기 제2 표시 영역 상에 배열된다. 상기 제1 및 제2 전압 배선들은 상기 비표시 영역 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 화소들에 인가되는 제1 및 제2 구동 전압을 각각 전달한다. 상기 보조 배선은 상기 중간 비표시 영역 상에서 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향을 따라 연장되어 상기 제1 및 제2 표시 영역들 사이를 완전히 가로지고, 상기 제1 및 제2 전압 배선들 중 하나에 연결된다.
상기 제1 및 제2 표시 영역들 사이의 간격은 상기 제1 및 제2 화소들의 상기 제1 방향의 폭보다 클 수 있다.
상기 보조 배선의 상기 제1 방향의 폭은 상기 제1 및 제2 화소들의 상기 제1 방향의 폭보다 클 수 있다.
상기 제1 전압 배선은 상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 보조 배선의 제1 단부와 직접 연결되고, 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 부분, 및 상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 보조 배선의 제2 단부와 직접 연결되고, 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제2 부분을 포함할 수 있다.
상기 제2 전압 배선은 상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 보조 배선의 제1 단부와 직접 연결되고, 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 부분, 및 상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 보조 배선의 제2 단부와 직접 연결되고, 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제2 부분을 포함할 수 있다.
상기 제1 전압 배선은 상기 중간 비표시 영역 상에서 상기 제1 및 제2 표시 영역들 사이를 완전히 가로지는 제1 및 제2 부분들을 포함할 수 있다. 상기 제1 전압 배선의 상기 제1 및 제2 부분들은 상기 보조 배선을 사이에 두고 상기 보조 배선과 평행하게 연장될 수 있다.
상기 제1 전압 배선은 상기 중간 비표시 영역 상에서 상기 제2 방향을 따라 연장되어 상기 제1 및 제2 표시 영역들 사이를 완전히 가로지고 상기 보조 배선과 중첩하는 제1 부분을 포함할 수 있다.
상기 표시 패널은 상기 제1 표시 영역 상에서 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 각각 상기 제1 화소들 중 동일 행의 제1 화소들에 연결되는 제1 게이트 라인들, 상기 제2 표시 영역 상에서 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 각각 상기 제2 화소들 중 동일 행이 제2 화소들에 연결되는 제2 게이트 라인들, 상기 중간 비표시 영역 상에 상기 제1 표시 영역과 상기 보조 배선 사이에 배치되고, 상기 제1 게이트 라인들을 구동하는 제1 게이트 구동 회로부, 및 상기 중간 비표시 영역 상에 상기 제2 표시 영역과 상기 보조 배선 사이에 배치되고, 상기 제2 게이트 라인들을 구동하는 제2 게이트 구동 회로부를 더 포함할 수 있다.
상기 보조 배선에 직접 연결되고, 상기 중간 비표시 영역 상에서 상기 제1 및 제2 게이트 구동 회로부들을 덮는 보호층을 더 포함할 수 있다.
상기 기판은 상기 중간 비표시 영역 내에 위치하는 적어도 하나의 시스루(see-through) 영역을 포함할 수 있다. 상기 보조 배선은 상기 적어도 하나의 시스루 영역에 대응하는 적어도 하나의 개구부를 가질 수 있다.
상기 표시 패널은 상기 제1 표시 영역 상에서 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 각각 상기 제1 화소들 중 동일 열의 제1 화소들에 연결되는 제1 전압 라인들, 및 상기 제2 표시 영역 상에서 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 각각 상기 제2 화소들 중 동일 열이 제2 화소들에 연결되는 제2 전압 라인들을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 전압 배선은 상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 제1 전압 라인들의 제1 단부들에 직접 연결되고 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 부분, 상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 제1 전압 라인들의 제2 단부들에 직접 연결되고 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제2 부분, 상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 제2 전압 라인들의 제1 단부들에 직접 연결되고 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제3 부분, 및 상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 제2 전압 라인들의 제2 단부들에 직접 연결되고 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제4 부분을 포함할 수 있다.
상기 제2 전압 배선에 직접 연결되고 상기 제1 및 제2 화소들에 상기 제2 구동 전압을 인가하도록 상기 제1 및 제2 표시 영역들을 전면적으로 덮는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 화소들 각각은 발광 소자, 및 상기 발광 소자에 흐르는 발광 전류를 생성하는 화소 회로를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자는 화소 전극, 상기 제2 구동 전압이 인가되는 공통 전극 및 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이의 중간층을 포함할 수 있다. 상기 화소 회로는 상기 화소 전극에 연결되고, 상기 제1 구동 전압이 인가되고, 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널은 상기 기판 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터의 소스 영역, 채널 영역 및 드레인 영역을 포함하는 활성층, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 채널 영역과 중첩하는 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 포함하는 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 배치되고, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 중 하나를 상기 화소 전극에 연결하는 연결 전극을 포함하는 제2 도전층, 상기 제2 도전층 상에 배치되고, 상기 화소 전극을 포함하는 제3 도전층, 및 상기 3 도전층 상에 배치되는 상기 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 도전층은 상기 보조 배선으로 기능하는 보조 배선 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 도전층은 상기 보조 배선으로 기능하도록 상기 보조 배선 전극 아래에 직접 연결되는 하부 보조 배선 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 제3 도전층은 상기 보조 배선으로 기능하도록 상기 보조 배선 전극 상에 직접 연결되는 상부 보조 배선 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 전자 기기는 상기 표시 패널, 상기 표시 패널에 상기 제1 및 제2 구동 전압을 공급하는 파워 서플라이, 및 상기 표시 패널에 영상 데이터를 제공하는 프로세서를 포함한다.
상기 전자 기기는 상기 표시 패널의 상기 제1 표시 영역 앞에 위치하는 제1 광학계, 및 상기 표시 패널의 상기 제2 표시 영역 앞에 위치하는 제2 광학계를 더 포함할 수 있다.
상기 전자 기기는 머리 또는 얼굴에 장착되는 헤드 마운트 디스플레이 장치일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 2개의 표시 영역 사이에 영상을 표시할 수 없는 중간 비표시 영역을 이용하여 전압 라인의 전압 강하가 감소될 수 있다. 그에 따라, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기는 고품질의 영상을 표시할 수 있다. 또한, 보호층으로 인하여 정전기 등의 외부 요인으로 인한 문제 발생이 감소될 수 있으며, 시스루를 이용하여 각종 센서들을 패널의 뒷면에 설치할 수 있으므로, 전자 기기의 설계 자유도가 높아질 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 영역에 배치될 수 있는 예시적인 화소의 등가 회로도이다.
도 3은 도 1의 표시 영역에 배치될 수 있는 예시적인 화소의 단면 구조를 도시한다.
도 4a는 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 4b는 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다.
도 4c는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다.
도 4d는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 6는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 10은 도 9의 X-X 선을 따라 절취한 또 다른 실시예에 다른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 12는 다양한 실시예들에 따른 표시 패널이 헤드 마운트 디스플레이 장치로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 13은 도 12의 헤드 마운트 디스플레이 장치를 착용한 사람을 상방향에서 바라본 모습을 도시한다.
도 14는 다양한 실시예들에 따른 표시 패널을 포함하는 전자 기기의 블록도를 도시한다.
도 2는 도 1의 표시 영역에 배치될 수 있는 예시적인 화소의 등가 회로도이다.
도 3은 도 1의 표시 영역에 배치될 수 있는 예시적인 화소의 단면 구조를 도시한다.
도 4a는 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 4b는 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다.
도 4c는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다.
도 4d는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 6는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 10은 도 9의 X-X 선을 따라 절취한 또 다른 실시예에 다른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 12는 다양한 실시예들에 따른 표시 패널이 헤드 마운트 디스플레이 장치로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 13은 도 12의 헤드 마운트 디스플레이 장치를 착용한 사람을 상방향에서 바라본 모습을 도시한다.
도 14는 다양한 실시예들에 따른 표시 패널을 포함하는 전자 기기의 블록도를 도시한다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예들을 가질 수 있으므로, 일부 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
본 명세서에서, 제1, 제2 등과 같은 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 요소(element)를 다른 요소와 구별하는 목적으로 사용된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징이나 요소가 존재한다는 것을 의미할 뿐이고, 하나 이상의 다른 특징이나 요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 막, 영역, 부재 등의 요소가 다른 요소 위에 또는 상에 위치한다고 할 때, 다른 요소의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 부재 등의 또 다른 요소가 개재되어 있는 경우도 포함한다.
설명의 편의를 위하여 도면에 도시된 요소들의 크기는 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에 도시된 각 요소의 크기 및 두께는 용이한 이해를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명은 도면에 도시된 크기로 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 변형되어 구현될 수 있는 경우에 본 발명은 본 명세서에 설명되는 순서로 한정되지 않는다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정은 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 패널(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)이 정의되는 기판(110), 화소들(PX, 도 2 참조), 제1 및 제2 전압 배선들(VW1, VW2), 및 보조 배선(AW)을 포함한다.
표시 영역(DA)은 제1 방향(D1)으로 서로 이격하는 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, Dab)을 포함한다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 테두리 비표시 영역(NDAa)과 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, Dab) 사이의 중간 비표시 영역(NDAb)을 포함한다. 화소들(PX)은 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb) 상에 배열된다. 제1 및 제2 전압 배선들(VW1, VW2)은 비표시 영역(NDA) 상에 배치되고, 화소들(PX)에 인가되는 제1 및 제2 구동 전압(ELVDD, ELVSS, 도 2 참조)을 각각 전달한다. 보조 배선(AW)은 중간 비표시 영역(NDAb) 상에서 제1 방향(D1)에 수직인 제2 방향(D2)을 따라 연장되어 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb) 사이를 완전히 가로지고, 제1 및 제2 전압 배선들(VW1, VW2) 중 하나에 연결된다.
기판(110)의 표시 영역(DA) 상에는 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)을 따라 행열로 배열되는 화소들(PX)이 배치된다. 제1 방향(D1)은 행 방향으로 지칭되고, 제2 방향(D2)은 열 방향으로 지칭될 수 있다.
제1 표시 영역들(DAa) 상의 화소들(PX)은 제1 화소들로 지칭되고, 제2 표시 영역(DAb) 상의 화소들(PX)은 제2 화소들로 지칭된다.
화소들(PX) 각각은 유기 발광 다이오드(organic light-emitting Diode, OLED)와 같은 발광 소자 또는 액정층(liquid crystal layer) 등과 같은 표시 소자, 및 발광 소자 또는 표시 소자를 구동하기 위한 화소 회로를 포함한다. 화소 회로는 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함한다.
표시 영역(DA)은 화소들(PX)이 계조를 표현함으로써 영상이 표시되는 영역이다. 표시 영역(DA)은 화소들(PX)이 배열되는 영역으로서, 각 화소들(PX)의 발광 소자가 배치되어 실제로 광이 방출되는 발광 영역과 각 화소들(PX)의 발광 영역 사이의 비발광 영역을 포함한다. 표시 영역(DA) 내의 비발광 영역은 화소들(PX) 사이의 경계에 해당한다.
제1 표시 영역(DAa)과 제2 표시 영역(DAb)은 서로 제1 방향(D1)으로 이격된다. 제1 표시 영역(DAa)과 제2 표시 영역(DAb)은 서로 실질적으로 동일한 크기를 가질 수 있으며, 동일한 개수의 화소들(PX)이 각각 배열될 수 있다.
제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb) 상에는 화소들(PX) 각각에 연결되는 게이트 라인들(GL, 도 2 참조), 데이터 라인들(DL, 도 2 참조), 및 전압 라인들(VL, 도 2 참조)이 배치된다.
게이트 라인들(GL) 각각은 제1 방향(D1)으로 연장되며, 동일 행의 화소들(PX)에 연결되어 주사 신호와 같은 게이트 신호들을 전달한다. 제1 표시 영역(DAa) 상의 게이트 라인들(GL)은 제1 게이트 라인들로 지칭되고, 제2 표시 영역(DAb) 상의 게이트 라인들(GL)은 제2 게이트 라인들로 지칭될 수 있다.
데이터 라인들(DL) 각각은 제2 방향(D2)으로 연장되며, 동일 열의 화소들(PX)에 연결되어 데이터 전압을 갖는 데이터 신호를 전달한다. 제1 표시 영역(DAa) 상의 데이터 라인들(DL)은 제1 데이터 라인들로 지칭되고, 제2 표시 영역(DAb) 상의 데이터 라인들(DL)은 제2 데이터 라인들로 지칭될 수 있다.
전압 라인들(VL) 각각은 제2 방향(D2)으로 연장되며, 전압 라인들(VL) 각각에 연결되는 열 방향의 화소들(PX)에 제1 구동 전압(ELVDD)을 제공한다. 예컨대, 전압 라인들(VL) 각각은 동일 열의 화소들(PX)에 연결될 수 있다. 제1 표시 영역(DAa) 상의 전압 라인들(VL)은 제1 전압 라인들(VLa)로 지칭되고, 제2 표시 영역(DAb) 상의 전압 라인들(VL)은 제2 전압 라인들(VLb)로 지칭될 수 있다.
화소(PX)에 대하여 도 2 및 도 3을 참조로 아래에서 더욱 자세히 설명한다.
비표시 영역(NDA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로서, 기판(110)에서 표시 영역(DA)을 제외한 영역으로 이해될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 테두리 비표시 영역(NDAa)과 중간 비표시 영역(NDAb)으로 구분될 수 있다. 중간 비표시 영역(NDAb)은 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, Dab) 사이의 영역으로 정의될 수 있다. 테두리 비표시 영역(NDAa)은 제1 표시 영역(DAa), 중간 비표시 영역(NDAb), 및 제2 표시 영역(DAb)을 둘러싸는 영역으로 정의될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 중간 비표시 영역(NDAb)은 테두리 비표시 영역(NDAa)의 두 지점에서 중앙으로 연장되는 연속적인 영역이며, 테두리 비표시 영역(NDAa)과 중간 비표시 영역(NDAb) 사이의 경계는 가상적이다.
테두리 비표시 영역(NDAa)에는 화소들(PX)을 구동하기 위해 필요한 제1 및 제2 구동 전압들(ELVDD, ELVSS)을 전달하기 위한 제1 및 제2 전압 배선들(VW1, VW2)이 배치될 수 있다.
도시되지는 않았지만, 테두리 비표시 영역(NDAa)에는 화소들(PX)을 구동하기 위해 필요한 제어 신호들 및 데이터 신호들을 전달하기 위한 신호 배선들이 배치될 수 있다.
테두리 비표시 영역(NDAa)에는 제1 및 제2 패드들(PDa, PDb)이 각각 배치되는 제1 및 제2 패드부들(PDPa, PDPb)이 배치된다. 제1 패드들(PDa)은 제1 표시 영역(DAa) 내의 화소들(PX)을 구동하는데 필요한 신호들 및 전압들이 인가되는 단자들이며, 제2 패드들(PDb)은 제2 표시 영역(DAb) 내의 화소들(PX)을 구동하는데 필요한 신호들 및 전압들이 인가되는 단자들이다. 제1 패드들(PDa)과 제2 패드들(PDb)은 서로 동일한 개수 및/또는 배치를 가질 수 있다.
일 예에 따르면, 제1 및 제2 패드부들(PDPa, PDPb) 각각에는 표시 패널(100)을 구동하기 위한 디스플레이 구동 칩이 실장될 수 있다. 다른 예에 따르면, 디스플레이 구동 칩은 연성 회로 기판 상이 실장되고, 연성 회로 기판이 제1 및 제2 패드부들(PDPa, PDPb) 각각에 접속될 수 있다. 일 예에 따르면, 디스플레이 구동 칩은 제1 및 제2 구동 전압들(ELVDD, ELVSS)과 같은 전압을 생성할 수 있는 전원 공급부를 포함할 수 있다. 다른 예에 따르면, 제1 및 제2 패드들(PDa, PDb) 중 제1 및 제2 전압 배선들(VW1, VW2)에 연결되는 패드들에는 제1 및 제2 구동 전압들(ELVDD, ELVSS)을 생성할 수 있는 파워 칩이 연성 회로 기판을 통해 연결될 수 있다.
제1 및 제2 패드들(PDa, PDb) 중 일부는 제1 및 제2 전압 배선들(VW1, VW2)에 연결된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 패드들(PDa) 중 적어도 하나는 제1 전압 배선(VW1)에 연결되고, 제1 패드들(PDa) 중 다른 적어도 하나는 제2 전압 배선(VW2)에 연결될 수 있다. 또한, 제2 패드들(PDb) 중 적어도 하나는 제1 전압 배선(VW1)에 연결되고, 제2 패드들(PDb) 중 다른 적어도 하나는 제2 전압 배선(VW2)에 연결될 수 있다. 화소들(PX)을 구동하는데 필요한 예컨대, 초기화 전압, 기준 전압, 로직 하이 전압, 또는 로직 로우 전압 등과 같은 다른 전압들도 제1 및 제2 패드들(PDa, PDb) 중 다른 일부를 통해 인가될 수 있다.
제1 및 제2 패드들(PDa, PDb) 중 일부는 신호 배선들에 연결될 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 패드들(PDa, PDb) 중 일부는 데이터 신호들을 수신하며, 예컨대, 팬아웃 배선들을 통해 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb) 상의 데이터 라인들에 연결된다. 제1 및 제2 패드들(PDa, PDb) 중 다른 일부는 클럭 신호와 같은 제어 신호들을 수신하며, 테두리 비표시 영역(NDAa) 상의 배선들을 통해 게이트 구동 회로에 연결될 수 있다.
제1 전압 배선(VW1)은 도 1에 도시된 바와 같이 테두리 비표시 영역(NDAa) 상에 위치하며, 제1 표시 영역(DAa)의 상측에 배치되는 제1 부분(VW1a), 제2 표시 영역(DAb)의 상측에 배치되는 제2 부분(VW1b), 제1 표시 영역(DAa)의 하측에 배치되고 제1 패드들(PDa) 중 일부에 연결되는 제3 부분(VW1c), 및 제2 표시 영역(DAb)의 하측에 배치되고 제2 패드들(PDb) 중 일부에 연결되는 제4 부분(VW1d)을 포함한다. 상측과 하측은 용이한 설명을 위해 도 1을 바라볼 때의 방향에 의해 결정된 것이다.
제1 부분(VW1a)은 제1 표시 영역(DAa) 상의 제1 전압 라인들(VLa)의 제1 단부들에 직접 연결되고, 제2 부분(VW1b)은 제2 표시 영역(DAb) 상의 제2 전압 라인들(VLb)의 제1 단부들에 직접 연결된다. 제3 부분(VW1c)은 제1 표시 영역(DAa) 상의 제1 전압 라인들(VLa)의 제2 단부들에 직접 연결되어, 제1 패드들(PDa) 중 일부를 통해 공급되는 제1 구동 전압들(ELVDD)을 제1 전압 라인들(VLa)에 전달한다. 제4 부분(VW1d)은 제2 표시 영역(DAb) 상의 제2 전압 라인들(VLb)의 제2 단부들에 직접 연결되어, 제2 패드들(PDb) 중 일부를 통해 공급되는 제1 구동 전압들(ELVDD)을 제2 전압 라인들(VLb)에 전달한다.
전술한 바와 같이, 제1 전압 라인들(VLa) 및 제2 전압 라인들(VLb)에는 화소들(PX)이 연결되며, 화소들(PX)이 발광하기 위해 소모되는 전류들이 흐르게 된다. 제1 전압 라인들(VLa) 및 제2 전압 라인들(VLb)은 저항 성분을 갖고 있기 때문에, 화소들(PX)이 소모하는 전류가 많아질수록 전압 강하(또는 IR 드롭)이 발생한다. 그 결과, 화소들(PX)에 동일한 데이터 전압을 갖는 데이터 신호가 전달되더라도, 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb)의, 제3 및 제4 부분들(VW1c, VW1d)에 인접한, 아래쪽에 위치하는 화소들(PX)은 밝게 발광하는 반면에, 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb)의 위쪽에 위치하는 화소들(PX)은 상대적으로 어둡게 발광하게 된다. 제1 부분(VW1a)과 제2 부분(VW1b)은 제1 및 제2 표시 영역(DAa, DAb) 내의 일부 영역에서만 전류를 많이 소모함으로써 국부적으로 발생하는 전압 강하를 보상할 수 있다. 설계에 따라, 제1 부분(VW1a)과 제2 부분(VW1b)은 생략될 수 있다.
제2 전압 배선(VW2)은 도 1에 도시된 바와 같이 테두리 비표시 영역(NDAa) 상에 위치하며, 테두리 비표시 영역(NDAa)의 상측에 배치되는 제1 부분(VW2a), 테두리 비표시 영역(NDAa)의 하측에 배치되고 제1 패드들(PDa)과 제2 패드들(PDb)의 일부에 연결되는 제2 부분(VW2b), 및 테두리 비표시 영역(NDAa)의 양 측에 배치되는 제3 및 제4 부분들(VW2c, VW2d)을 포함한다.
제2 전압 배선(VW2)은 화소들(PX)에 제2 구동 전압(ELVSS)을 인가하기 위해 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb)을 전면적으로 덮는 공통 전극(200, 도 3 참조)에 연결된다. 공통 전극(200)은 제2 전압 배선(VW2)과 직접 연결될 수 있다. 예컨대, 제2 전압 배선(VW2)의 상부 표면은 전체적으로 공통 전극(200)에 연결될 수 있다. 제2 전압 배선(VW2)이 공통 전극(200)에 단순한 구조로 연결되기 위해, 제2 전압 배선(VW2)은 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 전압 배선(VW1)의 바깥쪽에 위치할 수 있다.
공통 전극(200)의 제2 전압 배선(VW2)에 인접한 부분은 제2 구동 전압(ELVSS)의 레벨과 실질적으로 동일한 전압 레벨을 갖지만, 공통 전극(200)의, 제2 전압 배선(VW2)에 먼, 중앙 부분은 전압 강하로 인하여 제2 구동 전압(ELVSS)의 레벨보다 높은 전압 레벨을 갖게 된다. 그에 따라, 표시 패널(100)의 중앙부에 위치하는 화소들(PX)은 상대적으로 어둡게 발광하게 된다.
중간 비표시 영역(NDAb) 상에는 제2 전압 배선(VW2)에 연결되는 보조 배선(AW)이 배치된다. 중간 비표시 영역(NDAb)의 제1 방향(D1)의 폭, 즉, 제1 표시 영역(DAa)과 제2 표시 영역(DAb) 사이의 간격은 화소(PX)의 제1 방향(D1)의 폭보다 클 수 있다. 예컨대, 중간 비표시 영역(NDAb)의 제1 방향(D1)의 폭은 300㎛보다 클 수 있다. 예컨대, 중간 비표시 영역(NDAb)의 제1 방향(D1)의 폭은 500㎛, 또는 1,000㎛보다 클 수 있다. 예컨대, 예컨대, 중간 비표시 영역(NDAb)의 제1 방향(D1)의 폭은 화소(PX)의 제1 방향(D1)의 폭의 3배, 5배, 또는 10배보다 클 수 있다.
보조 배선(AW)은 제2 전압 배선(VW2)의 제1 부분(VW2a)과 제2 부분(VW2b) 사이에 직접 연결될 수 있다. 보조 배선(AW)은 제2 전압 배선(VW2)과 동시에 일체로 형성될 수 있다. 보조 배선(AW)은 제2 방향(D2)을 따라 연장되며 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb) 사이를 완전히 가로지른다. 즉, 보조 배선(AW)의 제2 방향(D2)의 길이는 중간 비표시 영역(NDAb)의 제2 방향(D2)의 길이와 같거나 이보다 길다.
보조 배선(AW)의 제1 방향(D1)의 폭은 화소(PX)의 제1 방향(D1)의 폭보다 클 수 있다. 다른 예에 따르면, 보조 배선(AW)의 제1 방향(D1)의 폭은 50㎛보다 클 수 있다. 보조 배선(AW)의 제1 방향(D1)의 폭은 100㎛보다 클 수 있다.
제2 전압 배선(VW2)에 연결되는 보조 배선(AW)은 공통 전극(200)과 직접 연결될 수 있다. 전술한 바와 같이, 보조 배선(AW)이 없을 경우, 전압 강하로 인하여 표시 패널(100)의 중앙부에 위치하는 화소들(PX)은 상대적으로 어둡게 발광하지만, 표시 패널(100)의 중앙부를 지나가는 보조 배선(AW)으로 인하여 표시 패널(100)의 중앙부에 위치하는 화소들(PX)에도 제2 구동 전압(ELVSS)의 레벨과 실질적으로 동일한 전압 레벨의 전압이 인가되므로, 표시 패널(100)의 중앙부에 위치하는 화소들(PX)도 밝게 발광할 수 있다. 따라서, 전체적으로 휘도 균일도가 개선되며, 표시 품질이 개선된다.
아래에서는 표시 영역(DA)에 배열되는 화소들(PX)에 대하여 도 2 및 도 3을 참조로 설명한다. 도 2에 도시되는 화소(PX)는 오로지 예시적이며, 본 발명을 한정하지 않는다.
도 2는 도 1의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있는 예시적인 화소(PX)의 등가 회로도이다.
도 2를 참조하면, 화소(PX)는 유기 발광 다이오드(OLED)와 같은 발광 소자 및 발광 소자에 흐르는 발광 전류를 생성하는 화소 회로를 포함한다. 발광 소자는 화소 전극(181, 도 3 참조), 공통 전극(200, 도 3 참조), 화소 전극과 공통 전극 사이에 유기 발광층을 포함하는 중간층(195, 도 3 참조)을 포함하는 유기 발광 다이오드(OLED)일 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드로 기능할 수 있는 공통 전극(200)에는 제2 전압 배선(VW2)을 통해 제2 구동 전압(ELVSS)이 인가된다. 공통 전극(200)은 표시 영역(DA)에 전면적으로 배치될 수 있다.
도 2에 도시된 화소 회로는 2개의 박막 트랜지스터(Ts 및 Td) 및 1개의 커패시터(Cst)를 포함한다. 화소 회로는 주사 신호(Sn)를 전달하는 게이트 라인(GL), 데이터 신호(Dm)를 전달하는 데이터 라인(DL), 및 제1 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 전압 라인(VL)에 연결된다. 제1 구동 전압(ELVDD)의 전압 레벨은 제2 구동 전압(ELVSS)의 전압 레벨보다 높을 수 있다.
구동 박막 트랜지스터(Td)의 소스(S)는 전압 라인(VL)에 연결되고, 드레인(D)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 화소 전극(181)에 연결된다. 커패시터(Cst)는 구동 박박 트랜지스터(Td)의 게이트(G)와 전압 라인(VL) 사이에 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 및 구동 박막 트랜지스터(Td)의 게이트(G)에 연결되어, 주사 신호(Sn)에 응답하여 데이터 신호(Dm)를 구동 박막 트랜지스터(Td)의 게이트(G)에 전달한다. 데이터 신호(Dm)는 데이터 전압의 형태로 구동 박막 트랜지스터(Td)의 게이트(G)로 전달되며, 커패시터(Cst)에는 제1 구동 전압(ELVDD)과 데이터 전압의 차이에 해당하는 전압이 저장된다.
구동 박막 트랜지스터(Td)는 게이트(G)와 소스(S) 사이에 연결되는 커패시터(Cst)의 양단 전압에 기초하여 발광 전류(IOLED)를 생성하고, 발광 전류(IOLED)를 유기 발광 다이오드(OLED)로 출력한다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 발광 전류(IOLED)에 의해 발광 전류(IOLED)의 크기에 상응하는 휘도로 발광한다.
도 2에서는 하나의 화소(PX)가 2개의 박막 트랜지스터와 1개의 커패시터로 이루어지는 회로 구성을 도시하고 있지만, 이는 오로지 예시적이며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 하나의 화소(PX)는 둘 이상의 박막 트랜지스터와 하나 이상의 커패시터를 포함할 수 있다. 또한, 도 2에서는 박막 트랜지스터들(Ts, Td)의 도전형이 모두 p형인 것으로 도시되었지만, 이는 오로지 예시적이며, 화소(PX)에 포함되는 박막 트랜지스들의 도전형은 n형일 수도 있으며, 일부의 박막 트랜지스터들의 도전형은 p형이고, 나머지 박막 트랜지스터들의 도전형은 n형일 수도 있다.
도 2에서는 화소 전극(181)이 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드로 기능하고, 공통 전극(200)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드로 기능하지만, 본 발명이 이에 한정되지 않으며, 이의 반대의 경우도 가능하다. 화소 전극(181)이 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드로 기능하고, 공통 전극(200)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드로 기능할 수도 있다. 이 경우, 제2 전압 배선(VW2)에 의해 공통 전극(200)에 인가되는 제2 구동 전압(ELVSS)의 레벨이 제1 전압 배선(VW1)에 의해 화소 회로에 인가되는 제1 구동 전압(ELVSS)의 레벨보다 높을 수 있다.
도 3은 도 1의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있는 예시적인 화소(PX)의 단면 구조를 도시한다.
도 3을 참조하면, 기판(110) 상의 박막 트랜지스터(TFT) 및 박막 트랜지스터(TFT)에 연결되는 유기 발광 다이오드(OLED)가 도시된다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 제3 도전층(180) 내의 화소 전극(181), 중간층(195), 및 공통 전극(200)을 포함한다. 박막 트랜지스터(TFT)는 도 2의 구동 박막 트랜지스터(Td)에 대응할 수 있다.
기판(110) 상에는, 버퍼층(111), 버퍼층(111) 상의 활성층(120), 활성층(120) 상의 제1 절연막(130), 제1 절연막(130) 상의 제1 도전층(140), 제1 도전층(140) 상의 제2 절연막(150), 제2 절연막(150) 상의 제2 도전층(160), 제2 도전층(160) 상의 제3 절연막(170), 제3 절연막(170) 상의 제3 도전층(180), 제3 도전층(180) 상의 화소 정의막(190), 화소 정의막(190) 상의 공통 전극(200), 및 공통 전극(200) 상의 박막 봉지층(210)이 적층된다.
기판(110)은 유리 물질, 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱 물질로 이루어진 절연성 기판일 수 있다. 기판(110)은 박막 금속 물질로 이루어진 도전성 기판일 수 있다. 기판(110)은 플렉서블 기판 또는 리지드 기판일 수 있다.
버퍼층(111)은 불순물 이온의 확산 및 수분이나 외기의 침투를 방지하고 평탄화된 표면을 제공하기 위해 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiOx)과 같은 산화막, 및/또는 실리콘 질화물(SiNx)와 같은 질화막으로 형성될 수 있다.
활성층(120)은 박막 트랜지스터(T1)의 소스 영역(SR), 채널 영역(CR), 및 드레인 영역(DR)을 포함한다. 활성층(120)은 설계에 따라 다양한 평면 형상을 가질 수 있다.
활성층(120)은 다결정 실리콘으로 형성될 수 있다. 다른 예에 따르면, 활성층(120)은 비정질 실리콘이나, G-I-Z-O층 [(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c층](a, b, c는 각각 a≥0, b≥0, c>0의 조건을 만족시키는 실수)와 같은 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의를 위하여 다결정 실리콘으로 형성되는 경우를 설명한다.
소스 영역(SR)과 드레인 영역(DR)에는 불순물이 고농도로 주입될 수 있다. 불순물은 예컨대, 주기율 5족 물질인 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같은 n형 불순물, 또는 예컨대, 주기율 3족 물질인 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 p형 불순물을 포함할 수 있다.
소스 영역(SR)과 채널 영역(CR) 사이, 및 채널 영역(CR)과 드레인 영역(DR) 사이에 강한 전기장이 유도되는 것을 방지하기 위해, 저농도 도핑(lightly doped) 영역이 소스 영역(SR)과 채널 영역(CR) 사이, 및 채널 영역(CR)과 드레인 영역(DR) 사이에 배치될 수 있다.
활성층(120) 상의 제1 절연막(130)은 게이트 절연막으로 기능하며, 산화물 또는 질화물을 포함하는 무기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 절연막(130)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등의 절연 물질을 포함하며, 단층 또는 복층으로 이루어질 수 있다.
제1 절연막 상의 제1 도전층(140)은 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(GE)을 포함한다. 게이트 전극(GE)은 채널 영역(CR)과 중첩하며, 게이트 전극(GE)에 인가되는 전압에 따라 채널 영역(CR)에 소스 영역(SR)과 드레인 영역(DR) 사이를 연결하는 채널이 형성된다. 제1 도전층(140)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 제1 도전층(140)은 게이트 전극층으로 지칭될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 제1 도전층(140)은 주사 신호(Sn)를 전달하는 게이트 라인(GL, 도 2 참조)을 포함할 수 있다.
제1 도전층(140) 상의 제2 절연막(150)은 산화물 또는 질화물을 포함하는 무기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제3 절연막(170)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등의 절연 물질을 포함하며, 단층 또는 복층으로 이루어질 수 있다. 제2 절연막(150)은 유기물을 포함할 수도 있다. 제2 절연막(150)은 층간 절연막으로 지칭될 수 있다.
제2 절연막(150) 상의 제2 도전층(160)은 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 소스 전극(SE)은 콘택 플러그를 통해 소스 영역(SR)에 연결되고, 드레인 전극(DE)은 콘택 플러그를 통해 드레인 영역(DR)에 연결된다. 드레인 전극(DE)은 드레인 영역(DR)을 화소 전극(181)에 연결하며, 연결 전극으로 지칭될 수 있다. 화소(PX)의 설계에 따라 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 중 하나는 생략될 수도 있다. 이 경우, 소스 영역(SE) 또는 드레인 영역(DE)은 활성층(120) 내의 도전성을 갖는 배선 영역을 통해 다른 박막 트랜지스터 또는 다른 요소에 연결될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 제3 도전층(160)은 데이터 신호(Dm)를 전달하는 데이터 라인(DL, 도 2 참조), 및 제1 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 전압 라인(VL, 도 2 참조)을 포함할 수 있다. 제2 도전층(160)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 제3 도전층(180)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다. 제2 도전층(160)은 소스 드레인 전극층으로 지칭될 수 있다.
제2 도전층(160) 상의 제3 절연막(170)은 아크릴, BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide) 또는 HMDSO(Hexamethyldisiloxane) 등의 유기물을 포함하며, 단층 또는 복층으로 이루어질 수 있다. 제3 절연막(170)은 무기물을 포함할 수도 있다. 제3 절연막(170)은 평탄화 절연막으로 지칭될 수 있다.
제3 절연막(170) 상의 제3 도전층(180)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 화소 전극(181)을 포함한다. 화소 전극(181)은 제3 절연막(170)을 관통하는 비아 플러그를 통해 드레인 전극(DE)에 연결되지만, 이는 예시적이며, 화소(PX)의 설계에 따라 화소 전극(181)은 소스 전극(SE)에 연결될 수도 있다. 화소 설계에 따라 화소 전극(181)이 광 투과 특성을 갖는 경우, 제3 도전층(180)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 도전성 물질을 포함하는 투명 또는 반투명 전극층을 포함할 수 있다. 화소 설계에 따라 화소 전극(181)이 광 반사 특성을 가져야 하는 경우, 제3 도전층(180)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 및 이들의 화합물 등의 물질을 포함하는 반사층을 포함한다. 제3 도전층(180)은 반사층 상에 투명 또는 반투명 전극층을 더 포함할 수 있다.
제3 도전층(180) 상의 화소 정의막(190)은 화소 전극(181)의 적어도 일부를 노출한다. 화소 정의막(190)은 폴리이미드, 폴리아마이드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
화소 정의막(190)에 의해 노출된 화소 전극(181) 상에는 중간층(195)이 배치된다. 중간층(195)은 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출하는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 발광층을 포함할 수 있다. 발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다.
도시되지는 않았으나, 중간층(195)은 발광층의 하부 및 상부에 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
공통 전극(200)은 투광성 전극일 수 있다. 예컨대, 공통 전극(200)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, 리튬(Li), 칼슘(Ca), 불소화리튬/칼슘(LiF/Ca), 불소화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg) 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 TCO(transparent conductive oxide)막이 더 배치될 수 있다.
박막 봉지층(210)은 외부의 수분 및/또는 산소를 차단하며 유기 발광 다이오드(OLED) 및 박막 트랜지스터(TFT)를 밀봉한다. 박막 봉지층(210)은 단일 층 또는 복수 층으로 이루어질 수 있다. 도 3에는 복수의 층으로 이루어지는 박막 봉지층(210)이 도시되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 박막 봉지층(210)은 단일 층으로 이루어질 수 있다.
박막 봉지층(210)는 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함하고, 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막은 서로 교대로 적층될 수 있다. 예컨대, 박막 봉지층(210)은 무기막들(211, 213) 및 무기막들(211, 213) 사이의 유기막(212)을 포함할 수 있다. 무기막(211, 213)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 유기막(212)은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.
도 4a는 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 4a를 참조하면, 보조 배선(AW)은 중간 비표시 영역(NDAb) 상에서 제2 방향을 따라 연장된다. 보조 배선(AW)은 제2 전압 배선(VW2)에 연결될 수 있다.
보조 배선(AW)은 보조 배선 전극(AWE)을 포함할 수 있다. 보조 배선 전극(AWE)은 제2 도전층(160)에 포함될 수 있다. 즉, 보조 배선 전극(AWE)은 소스 전극(SE, 도 3 참조) 및 드레인 전극(DE, 도 3 참조)과 동일 물질로 동일 공정에 의해 형성될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 도시되지는 않았지만, 제3 절연막(170)과 화소 정의막(190)에는 보조 배선 전극(AWE)의 상부 표면의 적어도 일부를 노출하는 개구부가 형성될 수 있으며, 공통 전극(200)은 개구부를 통해 보조 배선 전극(AWE)의 상부 표면에 연결될 수 있다.
도 4b는 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다.
도 4b를 참조하면, 표시 패널(100a)은 보조 배선 전극(AWE) 및 보조 배선 전극(AWE)의 아래에서 보조 배선 전극(AWE)과 직접 접촉하는 하부 보조 배선 전극(AWEa)을 포함한다. 보조 배선 전극(AWE)은 제2 도전층(160)에 포함될 수 있다. 하부 보조 배선 전극(AWEa)은 제1 도전층(140)에 포함될 수 있다. 즉, 하부 보조 배선 전극(AWEa)은 게이트 전극(GE, 도 3 참조)과 동일 물질로 동일 공정에 의해 형성될 수 있다. 보조 배선 전극(AWE) 및 하부 보조 배선 전극(AWEa)은 도 1의 보조 배선(AW)을 구성할 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 도시되지는 않았지만, 제3 절연막(170)과 화소 정의막(190)에는 보조 배선 전극(AWE)의 상부 표면의 적어도 일부를 노출하는 개구부가 형성될 수 있으며, 공통 전극(200)은 개구부를 통해 보조 배선 전극(AWE)의 상부 표면에 연결될 수 있다.
도 4c는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다.
도 4c를 참조하면, 표시 패널(100b)은 보조 배선 전극(AWE) 및 보조 배선 전극(AWE)의 상부에서 보조 배선 전극(AWE)과 직접 접촉하는 상부 보조 배선 전극(AWEb)을 포함한다. 보조 배선 전극(AWE)은 제2 도전층(160)에 포함될 수 있다. 상부 보조 배선 전극(AWEb)은 제3 도전층(180)에 포함될 수 있다. 즉, 상부 보조 배선 전극(AWEb)은 화소 전극(181, 도 3 참조)과 동일 물질로 동일 공정에 의해 형성될 수 있다. 보조 배선 전극(AWE) 및 상부 보조 배선 전극(AWEb)은 도 1의 보조 배선(AW)을 구성할 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 도시되지는 않았지만, 화소 정의막(190)에는 상부 보조 배선 전극(AWEb)의 상부 표면의 적어도 일부를 노출하는 개구부가 형성될 수 있으며, 공통 전극(200)은 개구부를 통해 상부 보조 배선 전극(AWEb)의 상부 표면에 연결될 수 있다.
도 4d는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다.
도 4d를 참조하면, 표시 패널(100c)은 보조 배선 전극(AWE), 보조 배선 전극(AWE)의 아래에서 보조 배선 전극(AWE)과 직접 접촉하는 하부 보조 배선 전극(AWEa), 및 보조 배선 전극(AWE)의 상부에서 보조 배선 전극(AWE)과 직접 접촉하는 상부 보조 배선 전극(AWEb)을 포함한다. 보조 배선 전극(AWE)은 제2 도전층(160)에 포함될 수 있다. 하부 보조 배선 전극(AWEa)은 제1 도전층(140)에 포함될 수 있다. 상부 보조 배선 전극(AWEb)은 제3 도전층(180)에 포함될 수 있다. 보조 배선 전극(AWE), 하부 보조 배선 전극(AWEa) 및 상부 보조 배선 전극(AWEb)은 도 1의 보조 배선(AW)을 구성할 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 도시되지는 않았지만, 화소 정의막(190)에는 상부 보조 배선 전극(AWEb)의 상부 표면의 적어도 일부를 노출하는 개구부가 형성될 수 있으며, 공통 전극(200)은 개구부를 통해 상부 보조 배선 전극(AWEb)의 상부 표면에 연결될 수 있다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 5를 참조하면, 표시 패널(100d)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)이 정의되는 기판(110), 화소들(PX, 도 2 참조), 제1 및 제2 전압 배선들(VW1, VW2), 및 제1 전압 배선(VW1)에 연결되는 보조 배선(AW)을 포함한다. 아래에서는 표시 패널(100)과의 차이점을 중심으로 설명하며, 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는 반복하여 설명하지 않는다.
중간 비표시 영역(NDAb) 상에는 제1 전압 배선(VW1)에 연결되는 보조 배선(AW)이 배치된다. 보조 배선(AW)은 제1 전압 배선(VW1)에 직접 연결될 수 있으며, 제1 전압 배선(VW1)과 동시에 일체로 형성될 수 있다.
제1 전압 배선(VW1)의 제1 부분(VW1a)과 제2 부분(VW1b)은 보조 배선(AW)의 제1 단부에 연결되며, 제1 전압 배선(VW1)의 제3 부분(VW1c)과 제4 부분(VW1d)은 보조 배선(AW)의 제2 단부에 연결된다. 제1 전압 배선(VW1)의 제1 부분(VW1a)과 제2 부분(VW1b)은 테두리 비표시 영역(NDAa) 상에서 보조 배선(AW)의 제1 단부와 직접 연결되고 제1 방향을 따라 연장되는 제1 부분으로 통칭되고, 제1 전압 배선(VW1)의 제3 부분(VW1c)과 제4 부분(VW1d)은 테두리 비표시 영역(NDAa) 상에서 보조 배선(AW)의 제2 단부와 직접 연결되고 제1 방향을 따라 연장되는 제2 부분으로 통칭될 수 있다.
제1 전압 배선(VW1)에 연결되는 보조 배선(AW)이 없을 경우, 전압 강하로 인하여 표시 영역(DA)의 상측에 위치하는 화소들(PX)은 상대적으로 어둡게 발광하지만, 상대적으로 저항이 낮은 보조 배선(AW)을 통해 제1 전압 배선(VW1)의 제1 부분(VW1a)과 제2 부분(VW1b)은 제1 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 제3 부분(VW1c)과 제4 부분(VW1d)와 연결되므로, 표시 영역(DA)의 상측에 위치하는 화소들(PX)에도 제1 구동 전압(ELVDD)의 레벨과 실질적으로 동일한 전압 레벨의 전압이 인가되며, 표시 영역(DA)의 상측에 위치하는 화소들(PX)도 밝게 발광할 수 있다. 따라서, 전체적으로 휘도 균일도가 개선되며, 표시 품질이 개선된다.
도 6는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 6을 참조하면, 표시 패널(100e)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)이 정의되는 기판(110), 화소들(PX, 도 2 참조), 제1 및 제2 전압 배선들(VW1, VW2), 제2 전압 배선(VW2)에 연결되는 보조 배선(AW), 및 제1 전압 배선(VW1)에 연결되는 한 쌍의 서브 보조 배선(AWa, AWb)을 포함한다.
중간 비표시 영역(NDAb) 상에는 제2 전압 배선(VW2)에 연결되는 보조 배선(AW)이 배치된다. 보조 배선(AW)은 제2 전압 배선(VW2)에 직접 연결될 수 있으며, 제2 전압 배선(VW2)과 동시에 일체로 형성될 수 있다.
중간 비표시 영역(NDAb) 상에는 제1 전압 배선(VW1)의 제1 부분(VW1a)과 제3 부분(VW1c)을 서로 연결하도록 제2 방향(D2)을 따라 연장되는 제1 서브 보조 배선(AWa), 및 제1 전압 배선(VW1)의 제2 부분(VW1b)과 제4 부분(VW1d)을 서로 연결하도록 제2 방향(D2)을 따라 연장되는 제2 서브 보조 배선(AWb)이 배치된다. 보조 배선(AW)은 제1 서브 보조 배선(AWa)과 제2 서브 보조 배선(AWb) 사이에 배치될 수 있다.
제1 서브 보조 배선(AWa)은 제1 부분(VW1a)의 단부와 제3 부분(VW1c)의 단부 사이에 직접 연결될 수 있으며, 제2 서브 보조 배선(AWb)은 제2 부분(VW1b)의 단부와 제4 부분(VW1d)의 단부 사이에 직접 연결될 수 있다. 제1 서브 보조 배선(AWa)과 제2 서브 보조 배선(AWb)은 제1 전압 배선(VW1)과 동시에 일체로 형성될 수 있다. 이러한 점에서, 제1 서브 보조 배선(AWa)과 제2 서브 보조 배선(AWb) 각각은 중간 비표시 영역(NDAb) 상에서 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb) 사이를 완전히 가로지는 제1 전압 배선(VW1)의 제1 및 제2 부분들로 각각 지칭될 수도 있다.
제1 서브 보조 배선(AWa)과 제2 서브 보조 배선(AWb) 각각의 제1 방향(D1)의 폭은 보조 배선(AW)의 제1 방향(D1)의 폭의 1/2과 동일하거나 이보다 좁을 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 보조 배선(AW)은 제1 전압 배선(VW1)에 연결되고, 제1 서브 보조 배선(AWa)과 제2 서브 보조 배선(AWb)은 제2 전압 배선(VW2)에 연결될 수도 있다.
제2 전압 배선(VW2)에 연결되는 보조 배선(AW)은 공통 전극(200)과 직접 연결될 수 있다. 전술한 바와 같이, 보조 배선(AW)이 없을 경우, 전압 강하로 인하여 표시 패널(100e)의 중앙부에 위치하는 화소들(PX)은 상대적으로 어둡게 발광하지만, 표시 패널(100e)의 중앙부를 지나가는 보조 배선(AW)으로 인하여 표시 패널(100e)의 중앙부에 위치하는 화소들(PX)에도 제2 구동 전압(ELVSS)의 레벨과 실질적으로 동일한 전압 레벨의 전압이 인가되며, 표시 패널(100e)의 중앙부에 위치하는 화소들(PX)도 밝게 발광할 수 있다. 따라서, 전체적으로 휘도 균일도가 개선되며, 표시 품질이 개선된다.
또한, 제1 서브 보조 배선(AWa)은 제1 전압 배선(VW1)의 제1 부분(VW1a)을 제3 부분(VW1c)에 연결하고, 제2 서브 보조 배선(AWb)은 제1 전압 배선(VW1)의 제2 부분(VW1b)을 제4 부분(VW1d)에 연결한다.
제1 및 제2 서브 보조 배선들(AWa, AWb)이 없을 경우, 전압 강하로 인하여 표시 영역(DA)의 상측에 위치하는 화소들(PX)은 상대적으로 어둡게 발광하지만, 상대적으로 저항이 낮은 제1 및 제2 서브 보조 배선들(AWa, AWb)을 통해 제1 전압 배선(VW1)의 제1 부분(VW1a)과 제2 부분(VW1b)은 제1 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 제3 부분(VW1c)과 제4 부분(VW1d)와 연결되므로, 표시 영역(DA)의 상측에 위치하는 화소들(PX)에도 제1 구동 전압(ELVDD)의 레벨과 실질적으로 동일한 전압 레벨의 전압이 인가되며, 표시 영역(DA)의 상측에 위치하는 화소들(PX)도 밝게 발광할 수 있다. 따라서, 전체적으로 휘도 균일도가 개선되며, 표시 품질이 개선된다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 도 1의 IV-IV 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다.
도 7을 참조하면, 표시 패널(100f)은 제1 보조 배선 전극(AWEc) 및 제2 보조 배선 전극(AWEd)을 포함한다.
제1 보조 배선 전극(AWEc)은 테두리 비표시 영역(NDAa) 상에서 제2 전압 배선(VW2)에 연결될 수 있다. 제1 보조 배선 전극(AWEc)은 도 1의 보조 배선(AW)과 같이 제2 전압 배선(VW2)의 제1 부분(VW2a)과 제2 부분(VW2b)을 서로 직접 연결할 수 있다. 제1 보조 배선 전극(AWEc)은 제2 도전층(160)에 포함될 수 있다. 즉, 제1 보조 배선 전극(AWEc)은 소스 전극(SE, 도 3 참조) 및 드레인 전극(DE, 도 3 참조)과 동일 물질로 동일 공정에 의해 형성될 수 있다.
제2 보조 배선 전극(AWEd)은 테두리 비표시 영역(NDAa) 상에서 제1 전압 배선(VW1)에 연결될 수 있다. 제2 보조 배선 전극(AWEd)은 도 5의 보조 배선(AW)과 같이 제1 전압 배선(VW1)의 제3 부분(VW1c)과 제4 부분(VW1d)을 제1 부분(VW1a)과 제2 부분(VW1b)에 직접 연결할 수 있다. 제2 보조 배선 전극(AWEd)은 제1 도전층(140)에 포함될 수 있다. 즉, 제2 보조 배선 전극(AWEd)은 게이트 전극(GE, 도 3 참조)과 동일 물질로 동일 공정에 의해 형성될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 도시되지는 않았지만, 제3 절연막(170)과 화소 정의막(190)에는 제1 보조 배선 전극(AWEc)의 상부 표면의 적어도 일부를 노출하는 개구부가 형성될 수 있으며, 공통 전극(200)은 개구부를 통해 제1 보조 배선 전극(AWEc)의 상부 표면에 연결될 수 있다.
제1 보조 배선 전극(AWEc)이 없을 경우, 전압 강하로 인하여 표시 패널(100f)의 중앙부에 위치하는 화소들(PX)은 상대적으로 어둡게 발광하지만, 표시 패널(100f)의 중앙부를 지나가는 제1 보조 배선 전극(AWEc)으로 인하여 표시 패널(100f)의 중앙부에 위치하는 화소들(PX)에도 제2 구동 전압(ELVSS)의 레벨과 실질적으로 동일한 전압 레벨의 전압이 인가되며, 표시 패널(100f)의 중앙부에 위치하는 화소들(PX)도 밝게 발광할 수 있다.
제2 보조 배선 전극(AWEd)이 없을 경우, 전압 강하로 인하여 표시 영역(DA)의 상측에 위치하는 화소들(PX)은 상대적으로 어둡게 발광하지만, 제2 보조 배선 전극(AWEd)을 통해 제1 전압 배선(VW1)의 제1 부분(VW1a)과 제2 부분(VW1b)은 제1 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 제3 부분(VW1c)과 제4 부분(VW1d)와 연결되므로, 표시 영역(DA)의 상측에 위치하는 화소들(PX)에도 제1 구동 전압(ELVDD)의 레벨과 실질적으로 동일한 전압 레벨의 전압이 인가되며, 표시 영역(DA)의 상측에 위치하는 화소들(PX)도 밝게 발광할 수 있다. 따라서, 전체적으로 휘도 균일도가 개선되며, 표시 품질이 개선된다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 8을 참조하면, 표시 패널(100g)은 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb) 및 비표시 영역(NDA)이 정의되는 기판(110), 화소들(PX, 도 2 참조), 제1 및 제2 전압 배선들(VW1, VW2), 제2 전압 배선(VW2)에 연결되는 보조 배선(AW), 및 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb) 상의 게이트 라인들(GL, 도 2 참조)을 구동하는 제1 및 제2 게이트 구동 회로부들(GDa, GDb)을 포함한다.
전술한 바와 같이, 제1 표시 영역(DAa) 상의 게이트 라인들(GL)은 제1 게이트 라인들로 지칭되고, 제2 표시 영역(DAb) 상의 게이트 라인들(GL)은 제2 게이트 라인들로 지칭될 수 있다.
중간 비표시 영역(NDAb) 상에는 제2 전압 배선(VW2)에 연결되는 보조 배선(AW)이 배치된다. 보조 배선(AW)은 제2 전압 배선(VW2)에 직접 연결될 수 있으며, 제2 전압 배선(VW2)과 동시에 일체로 형성될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 보조 배선(AW)은 제1 전압 배선(VW1)에 직접 연결될 수도 있다.
제1 게이트 구동 회로부(GDa)는 중간 비표시 영역(NDAa) 상에 제1 표시 영역(DAa)과 보조 배선(AW) 사이에 배치되고, 제1 표시 영역(DAa) 상의 게이트 라인들(GL)을 구동한다. 제1 게이트 구동 회로부(GDa)는 제1 표시 영역(DAa) 상의 게이트 라인들(GL)을 통해 미리 설정된 타이밍에, 주사 신호를 포함하는 제어 신호들을 제1 표시 영역(DAa) 상의 화소들(PX)에 제공한다.
제2 게이트 구동 회로부(GDb)는 중간 비표시 영역(NDAa) 상에 제2 표시 영역(DAb)과 보조 배선(AW) 사이에 배치되고, 제2 표시 영역(DAb) 상의 게이트 라인들(GL)을 구동한다. 제2 게이트 구동 회로부(GDb)는 제2 표시 영역(DAb) 상의 게이트 라인들(GL)을 통해 미리 설정된 타이밍에, 주사 신호를 포함하는 제어 신호들을 제2 표시 영역(DAb) 상의 화소들(PX)에 제공한다.
보조 배선(AW)이 없을 경우, 전압 강하로 인하여 표시 패널(100e)의 중앙부에 위치하는 화소들(PX)은 상대적으로 어둡게 발광하지만, 표시 패널(100e)의 중앙부를 지나가는 보조 배선(AW)으로 인하여 표시 패널(100e)의 중앙부에 위치하는 화소들(PX)에도 제2 구동 전압(ELVSS)의 레벨과 실질적으로 동일한 전압 레벨의 전압이 인가되며, 표시 패널(100e)의 중앙부에 위치하는 화소들(PX)도 밝게 발광할 수 있다. 따라서, 전체적으로 휘도 균일도가 개선되며, 표시 품질이 개선된다.
제1 게이트 구동 회로부(GDa)와 제2 게이트 구동 회로부(GDb)가 테두리 비표시 영역(NDAa)에 배치될 경우, 테두리 비표시 영역(NDAa)의 폭이 늘어나게 된다. 그러나, 본 실시예에서와 같이, 제1 게이트 구동 회로부(GDa)와 제2 게이트 구동 회로부(GDb)가 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb) 사이의 중간 비표시 영역(NDAb)에 배치됨으로써, 영상이 표시되지 않는 테두리 부분이 얇아질 수 있다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다. 도 10은 도 9의 X-X 선을 따라 절취한 또 다른 실시예에 다른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 표시 패널(100h)은 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb) 및 비표시 영역(NDA)이 정의되는 기판(110), 화소들(PX, 도 2 참조), 제1 및 제2 전압 배선들(VW1, VW2), 제2 전압 배선(VW2)에 연결되는 보조 배선(AW), 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb) 상의 게이트 라인들(GL, 도 2 참조)을 구동하는 제1 및 제2 게이트 구동 회로부들(GDa, GDb), 및 보호층(PL)을 포함한다. 표시 패널(100h)은 보호층(PL)을 제외하고는 도 8에 도시된 표시 패널(100g)과 실질적으로 동일하며, 반복되는 구성요소에 대한 설명은 생략한다.
보호층(PL)은 보조 배선(AW)에 직접 연결되고, 중간 비표시 영역(NDAb) 상에서 제1 및 제2 게이트 구동 회로부들(GDa, GDb)을 덮는다. 보호층(PL)은 제3 도전층(180)에 포함될 수 있다. 즉, 보호층(PL)은 화소 전극(181, 도 3 참조)과 동일 물질로 동일 공정에 의해 형성될 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 제1 표시 영역(DAa) 상에는 제1 화소(PXa)가 배치되고, 제2 표시 영역(DAb) 상에는 제2 화소(PXb)가 배치된다. 제1 표시 영역(DAa)과 제2 표시 영역(DAb) 사이의 중간 비표시 영역(NDAb) 상에는, 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함하는 제1 게이트 구동 회로부(GDa)와 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함하는 제2 게이트 구동 회로부(GDb)가 배치된다. 중간 비표시 영역(NDAb) 상에는, 도 8의 보조 배선(AW)으로 기능하는 보조 배선 전극(AWE)이 제1 게이트 구동 회로부(GDa)와 제2 게이트 구동 회로부(GDb) 사이에 배치된다.
제3 절연막(170)에는 보조 배선 전극(AWE)의 상부 표면의 적어도 일부를 노출하는 개구부가 형성되며, 보호층(PL)은 개구부를 통해 보조 배선 전극(AWE)의 상부 표면에 연결될 수 있다. 보조 배선 전극(AWE)은 제2 전압 배선(VW2)에 연결되어, 제2 구동 전압(ELVSS)이 인가되고 있다. 보호층(PL)도 역시 도전 물질로 형성되므로, 보호층(PL)에도 제2 구동 전압(ELVSS)이 인가된다. 따라서, 보호층(PL) 아래의 제1 게이트 구동 회로부(GDa)와 제2 게이트 구동 회로부(GDb)가 정전기 등의 외부 요인으로 인한 오동작의 가능성이 감소될 수 있다. 따라서, 제1 게이트 구동 회로부(GDa)와 제2 게이트 구동 회로부(GDb)의 신뢰성은 향상될 수 있으며, 표시 품질 역시 개선될 수 있다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 11을 참조하면, 표시 패널(100i)은 제1 및 제2 표시 영역들(DAa, DAb) 및 비표시 영역(NDA)이 정의되는 기판(110), 화소들(PX, 도 2 참조), 제1 및 제2 전압 배선들(VW1, VW2), 및 제2 전압 배선(VW2)에 연결되는 보조 배선(AW)을 포함한다.
중간 비표시 영역(NDAb) 상에는 제2 전압 배선(VW2)에 연결되는 보조 배선(AW)이 배치된다. 보조 배선(AW)은 제2 전압 배선(VW2)에 직접 연결될 수 있으며, 제2 전압 배선(VW2)과 동시에 일체로 형성될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 보조 배선(AW)은 제1 전압 배선(VW1)에 직접 연결될 수도 있다.
기판(110)에는 중간 비표시 영역(NDAb) 내에 위치하는 적어도 하나의 시스루(see-through) 영역(STR)이 정의될 수 있다. 보조 배선(AW)에는 적어도 하나의 시스루 영역(STR)에 대응하는 적어도 하나의 개구부(OP)가 형성될 수 있다. 기판(110)의 시스루 영역(STR) 상에는 불투명 물질이 배치되지 않을 수 있다. 따라서, 광은 막힘이나 간섭 없이 시스루 영역을 통과할 수 있다.
보조 배선(AW) 내의 개구부(OP)는 제1 방향(D1)을 따라 복수로 위치할 수도 있고, 중앙에 하나만 위치할 수도 있다.
시스루 영역(STR)을 통해 광이 통과할 수 있으므로, 광을 이용하는 다양한 센서들이 기판(110)의 일면에 시스루 영역(STR)과 중첩하도록 배치되고, 기판(110)의 반대쪽의 광을 감지할 수 있다. 시스루 영역(STR)과 중첩하도록 영상 취득 소자가 배치되고, 영상 취득 소자는 시스루 영역(STR)을 통해 반대쪽 영상을 취득할 수도 있다.
표시 패널(100i)이 헤드 마운트 디스플레이 장치에 사용되는 경우, 눈동자 위치 또는 눈 깜빡임를 감지하는 장치가 시스루 영역(STR)과 중첩하도록 배치되어, 사용자의 눈동자의 위치 또는 눈 깜빡임을 감지할 수 있다. 시스루 영역(STR)이 존재하지 않을 경우, 표시 패널의 외곽에 감지 장치가 배치되어야 하므로, 정확한 감지가 어려울 수 있으며, 디스플레이 장치의 부피가 증가할 수도 있다.
도 12는 다양한 실시예들에 따른 표시 패널이 헤드 마운트 디스플레이 장치로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 13은 도 12의 헤드 마운트 디스플레이 장치를 착용한 사람을 상방향에서 바라본 모습을 도시한다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 헤드 마운트 디스플레이 장치(300)는 제1 표시 영역(DAa)과 제2 표시 영역(DAb)을 포함하는 표시 패널(301)을 포함한다. 표시 패널(301)은 도 1 내지 도 11을 참조로 설명된 다양한 실시예들에 따른 표시 패널들(100, 100a-100i) 중 어느 하나, 또는 이의 균등물일 수 있다.
제1 표시 영역(DAa)은 좌측 눈에 의해 시청되는 좌안용 영상을 표시하고, 제2 표시 영역(DAb)은 우측 눈에 의해 시청되는 우안용 영상을 표시한다. 좌측 눈에 의해 우안용 영상이 보이거나, 우측 눈에 의해 좌안용 영상이 보이는 것을 방지하기 위해, 제1 표시 영역(DAa)과 제2 표시 영역(DAb)의 사이에는 비표시 영역(NDAb)이 존재한다. 비표시 영역(NDAb) 상에는 표시 영상의 품질을 높이기 위해 보조 배선(AW)이 배치될 수 있다.
헤드 마운트 디스플레이 장치(300)는 제1 표시 영역(DAa) 앞에 배치되는 좌안용 광학계(303), 및 제2 표시 영역(DAb) 앞에 배치되는 우안용 광학계(305)를 포함할 수 있다.
헤드 마운트 디스플레이 장치(300)는 머리나 얼굴에 장착될 수 있다. 예를 들면, 헤드 마운트 디스플레이 장치(300)는 도 12에 도시된 바와 같이 안경과 유사하게 안경 다리를 이용하여 얼굴에 장착될 수 있다. 헤드 마운트 디스플레이 장치(300)는 헬멧의 형태로 머리에 씌워지거나, 밴드 등을 이용하여 얼굴 앞에 고정될 수 있다.
도 14는 다양한 실시예들에 따른 표시 패널을 포함하는 전자 기기의 블록도를 도시한다.
도 14를 참조하면, 전자 기기(400)는 프로세서(410), 메모리 장치(420), 저장 장치(430), 입출력 장치(440), 파워 서플라이(450) 및 표시 장치(460)를 포함할 수 있다. 이 때, 표시 장치(460)는 도 1 내지 도 11을 참조로 설명된 다양한 실시예들에 따른 표시 패널들(100, 100a-100i) 중 어느 하나, 또는 이의 균등물을 포함할 수 있다. 전자 기기(400)는 도 12 및 도 13에 도시된 헤드 마운트 디스플레이 장치(300)일 수 있다.
전자 기기(400)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등의 주변 장치와 연결되거나 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다.
프로세서(410)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 프로세서(410)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 장치(CPU) 등일 수 있다. 프로세서(410)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통하여 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 프로세서(410)는 주변 구성요소 상호연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 프로세서(410)는 버스를 통해 수신되는 데이터를 기 설정된 프로세스(process)에 따라서 처리할 수 있다. 수신되는 데이터가 영상 데이터인 경우, 프로세서(410)는 영상 데이터의 영상이 표시될 수 있도록 표시 장치(460)에 영상 데이터를 제공할 수 있다.
메모리 장치(420)는 전자 기기(400)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(420)는 EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory), EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), 플래시 메모리(Flash Memory), PRAM(Phase Change Random Access Memory), RRAM(Resistance Random Access Memory), NFGM(Nano Floating Gate Memory), PoRAM(Polymer Random Access Memory), MRAM(Magnetic Random Access Memory), FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), 모바일 DRAM 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
저장 장치(430)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다.
입출력 장치(440)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단, 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다.
표시 장치(460)는 입출력 장치(440) 내에 구비될 수도 있다.
파워 서플라이(450)는 전자 기기(400)의 동작에 필요한 전력을 공급할 수 있다. 파워 서플라이(450)는 표시 장치(460)의 구동에 필요한 전압들, 예컨대, 제1 구동 전압(ELVDD) 및 제2 구동 전압(ELVSS)을 표시 장치(460)에 공급할 수 있다.
표시 장치(460)는 프로세서(410)로부터 제공된 영상 데이터에 대응하는 영상을 표시할 수 있다. 영상 데이터는 좌안용 영상 데이터와 우안용 영상 데이터를 포함할 수 있다. 표시 장치(460)의 제1 표시 영역(DAa)은 좌안용 영상 데이터에 해당하는 영상을 표시하고, 제2 표시 영역(DAb)은 우안용 영상 데이터에 해당하는 영상을 표시할 수 있다. 표시 장치(460)는 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 표시 패널
110: 기판
DAa: 제1 표시 영역
DAb: 제1 표시 영역
NDAa: 테두리 비표시 영역
NDAb: 중간 비표시 영역
VW1: 제1 전압 배선
VW2: 제2 전압 배선
AW: 보조 배선
300: 헤드 마운트 디스플레이 장치
400: 전자 기기
110: 기판
DAa: 제1 표시 영역
DAb: 제1 표시 영역
NDAa: 테두리 비표시 영역
NDAb: 중간 비표시 영역
VW1: 제1 전압 배선
VW2: 제2 전압 배선
AW: 보조 배선
300: 헤드 마운트 디스플레이 장치
400: 전자 기기
Claims (20)
- 제1 방향으로 서로 이격하는 제1 및 제2 표시 영역들을 포함하는 표시 영역, 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 테두리 비표시 영역과 상기 제1 및 제2 표시 영역들 사이의 중간 비표시 영역을 포함하는 비표시 영역이 정의되는 기판;
상기 제1 표시 영역 상에 배열되는 복수의 제1 화소들;
상기 제2 표시 영역 상에 배열되는 복수의 제2 화소들;
상기 비표시 영역 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 화소들에 인가되는 제1 및 제2 구동 전압을 각각 전달하는 제1 및 제2 전압 배선들(wirings); 및
상기 중간 비표시 영역 상에서 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향을 따라 연장되어 상기 제1 및 제2 표시 영역들 사이를 완전히 가로지고, 상기 제1 및 제2 전압 배선들 중 하나에 연결되는 보조 배선(auxiliary wiring)을 포함하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 표시 영역들 사이의 간격은 상기 제1 및 제2 화소들의 상기 제1 방향의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 보조 배선의 상기 제1 방향의 폭은 상기 제1 및 제2 화소들의 상기 제1 방향의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 전압 배선은,
상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 보조 배선의 제1 단부와 직접 연결되고, 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 부분; 및
상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 보조 배선의 제2 단부와 직접 연결되고, 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제2 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 전압 배선은,
상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 보조 배선의 제1 단부와 직접 연결되고, 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 부분; 및
상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 보조 배선의 제2 단부와 직접 연결되고, 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제2 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널. - 제5 항에 있어서,
상기 제1 전압 배선은 상기 중간 비표시 영역 상에서 상기 제1 및 제2 표시 영역들 사이를 완전히 가로지는 제1 및 제2 부분들을 포함하고,
상기 제1 전압 배선의 상기 제1 및 제2 부분들은 상기 보조 배선을 사이에 두고 상기 보조 배선과 평행하게 연장되는 것을 특징으로 하는 표시 패널. - 제5 항에 있어서,
상기 제1 전압 배선은 상기 중간 비표시 영역 상에서 상기 제2 방향을 따라 연장되어 상기 제1 및 제2 표시 영역들 사이를 완전히 가로지고 상기 보조 배선과 중첩하는 제1 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 표시 영역 상에서 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 각각 상기 제1 화소들 중 동일 행의 제1 화소들에 연결되는 제1 게이트 라인들;
상기 제2 표시 영역 상에서 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 각각 상기 제2 화소들 중 동일 행이 제2 화소들에 연결되는 제2 게이트 라인들;
상기 중간 비표시 영역 상에 상기 제1 표시 영역과 상기 보조 배선 사이에 배치되고, 상기 제1 게이트 라인들을 구동하는 제1 게이트 구동 회로부; 및
상기 중간 비표시 영역 상에 상기 제2 표시 영역과 상기 보조 배선 사이에 배치되고, 상기 제2 게이트 라인들을 구동하는 제2 게이트 구동 회로부를 더 포함하는 표시 패널. - 제8 항에 있어서,
상기 보조 배선에 직접 연결되고, 상기 중간 비표시 영역 상에서 상기 제1 및 제2 게이트 구동 회로부들을 덮는 보호층을 더 포함하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 기판은 상기 중간 비표시 영역 내에 위치하는 적어도 하나의 시스루(see-through) 영역을 포함하며,
상기 보조 배선은 상기 적어도 하나의 시스루 영역에 대응하는 적어도 하나의 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 표시 영역 상에서 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 각각 상기 제1 화소들 중 동일 열의 제1 화소들에 연결되는 제1 전압 라인들; 및
상기 제2 표시 영역 상에서 상기 제2 방향을 따라 연장되고, 각각 상기 제2 화소들 중 동일 열이 제2 화소들에 연결되는 제2 전압 라인들을 더 포함하고,
상기 제1 전압 배선은,
상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 제1 전압 라인들의 제1 단부들에 직접 연결되고 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 부분;
상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 제1 전압 라인들의 제2 단부들에 직접 연결되고 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제2 부분;
상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 제2 전압 라인들의 제1 단부들에 직접 연결되고 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제3 부분; 및
상기 테두리 비표시 영역 상에서 상기 제2 전압 라인들의 제2 단부들에 직접 연결되고 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제4 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 전압 배선에 직접 연결되고 상기 제1 및 제2 화소들에 상기 제2 구동 전압을 인가하도록 상기 제1 및 제2 표시 영역들을 전면적으로 덮는 공통 전극을 더 포함하는 표시 패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 화소들 각각은 발광 소자, 및 상기 발광 소자에 흐르는 발광 전류를 생성하는 화소 회로를 포함하고,
상기 발광 소자는 화소 전극, 상기 제2 구동 전압이 인가되는 공통 전극 및 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이의 중간층을 포함하고,
상기 화소 회로는 상기 화소 전극에 연결되고, 상기 제1 구동 전압이 인가되고, 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 표시 패널. - 제13 항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터의 소스 영역, 채널 영역 및 드레인 영역을 포함하는 활성층;
상기 기판 상에 배치되고, 상기 채널 영역과 중첩하는 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 포함하는 제1 도전층;
상기 제1 도전층 상에 배치되고, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 중 하나를 상기 화소 전극에 연결하는 연결 전극을 포함하는 제2 도전층;
상기 제2 도전층 상에 배치되고, 상기 화소 전극을 포함하는 제3 도전층; 및
상기 3 도전층 상에 배치되는 상기 공통 전극을 더 포함하는 표시 패널. - 제14 항에 있어서,
상기 제2 도전층은 상기 보조 배선으로 기능하는 보조 배선 전극을 더 포함하는 표시 패널. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 도전층은 상기 보조 배선으로 기능하도록 상기 보조 배선 전극 아래에 직접 연결되는 하부 보조 배선 전극을 더 포함하는 표시 패널. - 제14 항에 있어서,
상기 제3 도전층은 상기 보조 배선으로 기능하도록 상기 보조 배선 전극 상에 직접 연결되는 상부 보조 배선 전극을 더 포함하는 표시 패널. - 제1 항 내지 제17 항 중 어느 한 항의 표시 패널;
상기 표시 패널에 상기 제1 및 제2 구동 전압을 공급하는 파워 서플라이; 및
상기 표시 패널에 영상 데이터를 제공하는 프로세서를 포함하는 전자 기기. - 제18 항에 있어서,
상기 표시 패널의 상기 제1 표시 영역 앞에 위치하는 제1 광학계; 및
상기 표시 패널의 상기 제2 표시 영역 앞에 위치하는 제2 광학계를 더 포함하는 전자 기기. - 제19 항에 있어서,
상기 전자 기기는 머리 또는 얼굴에 장착되는 헤드 마운트 디스플레이 장치인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160075833A KR102592955B1 (ko) | 2016-06-17 | 2016-06-17 | 표시 패널, 및 이를 포함하는 전자 기기 |
US15/447,743 US10043453B2 (en) | 2016-06-17 | 2017-03-02 | Display panel and electronic apparatus including the same |
CN201710446536.XA CN107527933B (zh) | 2016-06-17 | 2017-06-14 | 显示面板及包括显示面板的电子设备 |
US16/051,632 US10347187B2 (en) | 2016-06-17 | 2018-08-01 | Display panel and electronic apparatus including the same |
KR1020230137028A KR20230148135A (ko) | 2016-06-17 | 2023-10-13 | 표시 패널, 및 이를 포함하는 전자 기기 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160075833A KR102592955B1 (ko) | 2016-06-17 | 2016-06-17 | 표시 패널, 및 이를 포함하는 전자 기기 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020230137028A Division KR20230148135A (ko) | 2016-06-17 | 2023-10-13 | 표시 패널, 및 이를 포함하는 전자 기기 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170143066A true KR20170143066A (ko) | 2017-12-29 |
KR102592955B1 KR102592955B1 (ko) | 2023-10-24 |
Family
ID=60659744
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160075833A KR102592955B1 (ko) | 2016-06-17 | 2016-06-17 | 표시 패널, 및 이를 포함하는 전자 기기 |
KR1020230137028A KR20230148135A (ko) | 2016-06-17 | 2023-10-13 | 표시 패널, 및 이를 포함하는 전자 기기 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020230137028A KR20230148135A (ko) | 2016-06-17 | 2023-10-13 | 표시 패널, 및 이를 포함하는 전자 기기 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10043453B2 (ko) |
KR (2) | KR102592955B1 (ko) |
CN (1) | CN107527933B (ko) |
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-
2016
- 2016-06-17 KR KR1020160075833A patent/KR102592955B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-03-02 US US15/447,743 patent/US10043453B2/en active Active
- 2017-06-14 CN CN201710446536.XA patent/CN107527933B/zh active Active
-
2018
- 2018-08-01 US US16/051,632 patent/US10347187B2/en active Active
-
2023
- 2023-10-13 KR KR1020230137028A patent/KR20230148135A/ko not_active Application Discontinuation
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KR102592955B1 (ko) | 2023-10-24 |
US20180336825A1 (en) | 2018-11-22 |
US10043453B2 (en) | 2018-08-07 |
US20170365217A1 (en) | 2017-12-21 |
CN107527933A (zh) | 2017-12-29 |
US10347187B2 (en) | 2019-07-09 |
KR20230148135A (ko) | 2023-10-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |