KR20170094363A - 고주파 스위치 모듈 - Google Patents
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Abstract
고주파 스위치 모듈(10)은 스위치 소자(20), LC 병렬 공진 회로(31, 32)를 구비한다. 스위치 소자(20)는 상이한 주파수를 이용하는 통신 신호를 각각에 전송하는 피선택 단자(P14)와 피선택 단자(P21)를 구비한다. LC 병렬 공진 회로(31, 32)는 피선택 단자(P14)가 접속하는 접속 도체(901)와 피선택 단자(P21)가 접속하는 접속 도체(902) 사이에 접속되어 있다. LC 병렬 공진 회로(31, 32)는 접속 도체(901, 902) 사이에 직렬 접속되어 있다. LC 병렬 공진 회로(31, 32)는 다른 감쇠극 주파수를 갖는다.
Description
본 발명은 무선 통신 장치의 프론트 엔드부 등에 이용되는 고주파 스위치 모듈에 관한 것이다.
현재, 통신 밴드의 다양화에 따라 휴대전화기 등의 무선 통신 장치에서는 많은 통신 밴드를 통신 가능한 프론트 엔드 회로를 구비하고 있다. 이러한 프론트 엔드 회로에서는 복수의 통신 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를 이들 통신 밴드에 공통의 안테나를 사용하여 송수신함으로써 소형화를 실현하고 있다. 그리고, 복수의 통신 밴드에서 안테나를 공용하기 위하여 특허문헌 1에 나타내는 바와 같이 스위치 모듈이 많이 채용되어 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 스위치 모듈은 복수의 통신 밴드의 송수신 회로 및 SPnT(n은 2 이상의 정수)의 스위치 소자를 구비한다. 스위치 소자의 공통 단자는 안테나에 접속되고, 복수의 피선택 단자는 각 통신 밴드의 송수신 회로에 접속된다. 이 구성에 의해 복수의 통신 밴드의 송수신 회로 중 어느 하나를 안테나로 스위칭하여 접속하고 있다.
이러한 스위치 소자를 사용한 고주파 스위치 모듈에서는 어떤 피선택 단자에 입력되는 고주파 신호가 다른 피선택 단자 및 이것에 접속하는 신호 경로에 누설하는 경우가 있다. 이러한 누설이 발생하면 누설한 측의 피선택 단자를 전송하는 통신 밴드에 대한 전송 특성이 열화되어 버린다.
본 발명의 목적은 스위치 소자를 통해 전송하는 복수의 통신 밴드에 대한 전송 특성의 열화를 억제할 수 있는 고주파 스위치 모듈을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 고주파 스위치 모듈은 스위치 소자 및 필터 회로를 구비한다. 스위치 소자는 상이한 주파수를 이용하는 통신 신호를 각각에 전송하는 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자를 구비한다. 필터 회로는 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자 사이에 접속되어 있고, 복수의 감쇠극을 갖는다.
이 구성에서는 제 2 피선택 단자를 전송하는 통신 신호의 기본 주파수와 그 고조파 성분의 주파수를 필터 회로의 감쇠극의 주파수로 함으로써 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자 사이에서 제 2 피선택 단자를 전송하는 통신 신호의 기본 주파수와 그 고조파 성분의 주파수에 대한 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 다음의 구성인 것이 바람직하다. 스위치 소자는 제 1 공통 단자, 제 2 공통 단자, 제 1 공통 단자로 스위칭하여 접속되는 제 1 공통 단자용의 피선택 단자 및 제 2 공통 단자로 스위칭하여 접속되는 제 2 공통 단자용의 피선택 단자를 구비한다. 제 1 피선택 단자는 제 1 공통 단자용의 피선택 단자의 1개이다. 제 2 피선택 단자는 제 2 공통 단자용의 피선택 단자의 1개이다.
이 구성에서는 상이한 안테나에서 송수신하는 통신 신호의 전송 경로 간에서의 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 다음의 구성이어도 좋다. 제 1 공통 단자, 제 2 공통 단자, 제 1 공통 단자용의 피선택 단자 및 제 2 공통 단자용의 피선택 단자는 1개의 패키지에 형성되어 있다.
이 구성에서는 스위치 소자를 소형으로 할 수 있고, 고주파 스위치 모듈을 소형으로 할 수 있다. 그리고, 이렇게 스위치 소자를 소형화해도 복수의 통신 신호의 전송 경로 간의 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자는 스위치 소자에 의해 동시에 선택되어 있어도 좋다.
이 구성에서는 고주파 스위치 모듈을 사용하여 캐리어 어그리게이션을 실행하는 형태를 실현하고 있다. 이러한 캐리어 어그리게이션을 행할 경우에 상술한 구성이 보다 유효하게 작용한다.
또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 다음의 구성이어도 좋다. 필터 회로는 제 1 인덕터와 제 1 커패시터를 병렬 접속한 제 1 병렬 공진 회로와, 제 2 인덕터와 제 2 커패시터를 병렬 접속한 제 2 병렬 공진 회로를 구비한다. 제 1 병렬 공진 회로와 제 2 병렬 공진 회로는 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자 사이에 직렬 접속되어 있다. 제 1 병렬 공진 회로의 공진 주파수와 제 2 병렬 공진 회로의 공진 주파수는 상이하다.
이 구성에서는 필터 회로의 구체적인 구성예를 나타내고 있고, 이러한 LC 병렬 공진 회로를 2개 직접 접속함으로써 간소한 구성으로 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈은 다음의 구성이어도 좋다. 고주파 스위치 모듈은 스위치 소자, 제 1, 제 2 필터 회로를 구비한다. 스위치 소자는 제 1 공통 단자, 제 2 공통 단자, 제 1 공통 단자로 스위칭하여 접속되는 제 1 공통 단자용의 피선택 단자 및 제 2 공통 단자로 스위칭하여 접속되는 제 2 공통 단자용의 피선택 단자를 구비한다. 제 1 필터 회로는 제 1 공통 단자용의 피선택 단자 중의 제 1 피선택 단자와, 제 2 공통 단자용의 피선택 단자 중의 제 2 피선택 단자 사이에 접속되어 있다. 제 2 필터 회로는 제 1 공통 단자용의 피선택 단자 중의 제 3 피선택 단자와, 제 2 공통 단자용의 피선택 단자 중의 제 2 피선택 단자 사이에 접속되어 있다. 제 1 필터 회로의 감쇠극의 주파수와 제 2 필터 회로의 감쇠극의 주파수는 상이하다.
이 구성에서는 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자 사이의 아이솔레이션과, 제 3 피선택 단자와 제 2 피선택 단자 사이의 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면 스위치 소자를 통해 전송하는 복수의 통신 밴드를 전송하는 전송 경로 간의 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다. 이에 따라 각 통신 밴드에 대한 전송 특성의 열화를 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 필터 회로의 감쇠 특성을 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 있어서의 제 1 RF 단자와 제 2 RF 단자 사이의 전송 특성을 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 있어서의 제 1 RF 단자를 사용하는 전송 경로의 삽입 손실의 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 6은 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 7은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 필터 회로의 감쇠 특성을 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 있어서의 제 1 RF 단자와 제 2 RF 단자 사이의 전송 특성을 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 있어서의 제 1 RF 단자를 사용하는 전송 경로의 삽입 손실의 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 6은 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 7은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
본 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10)은 스위치 소자(20) 및 LC 병렬 공진 회로(31, 32)를 구비한다. LC 병렬 공진 회로(31)는 인덕터(311)와 커패시터(322)를 병렬 접속한 회로이다. LC 병렬 공진 회로(32)는 인덕터(312)와 커패시터(322)를 병렬 접속한 회로이다.
고주파 스위치 모듈(10)은 제 1 안테나 접속 단자(Pant1), 제 2 안테나 접속 단자(Pant2) 및 복수의 RF 단자를 구비한다. 복수의 RF 단자는 제 1 RF 단자(Pfe1) 및 제 2 RF 단자(Pfe2)를 구비한다. 제 1 RF 단자(Pfe1)가 본 발명의 제 1 피선택 단자에 상당한다. 제 2 RF 단자(Pfe2)가 본 발명의 제 2 피선택 단자에 상당한다.
스위치 소자(20)는 제 1 공통 단자(P10), 제 2 공통 단자(P20), 피선택 단자(P11, P12, P13, P14, P21, P22, P23, P24)를 구비한다. 스위치 소자(20)는 반도체 스위치로 이루어지는 DPnT 스위치이다. n은 4 이상의 정수이면 좋다. 제 1 공통 단자(P10)는 피선택 단자(P11, P12, P13, P14) 중 어느 하나에 선택적으로 접속된다. 제 2 공통 단자(P20)는 피선택 단자(P21, P22, P23, P24) 중 어느 하나에 선택적으로 접속된다.
제 1 공통 단자(P10)는 제 1 안테나 접속 단자(Pant1)에 접속되어 있다. 제 1 안테나 접속 단자(Pant1)는 안테나(ANT1)에 접속되어 있다. 제 2 공통 단자(P20)는 제 2 안테나 접속 단자(Pant2)에 접속되어 있다. 제 2 안테나 접속 단자(Pant2)는 안테나(ANT2)에 접속되어 있다.
피선택 단자(P14)는 접속 도체(901)를 통해 제 1 RF 단자(Pfe1)에 접속되어 있다. 제 1 RF 단자(Pfe1)는 각종 회로 소자, 예를 들면 SAW 필터 등의 탄성파 필터나 LC 필터에 접속되어 있다.
피선택 단자(P21)는 접속 도체(902)를 통해 제 2 RF 단자(Pfe2)에 접속되어 있다. 제 2 RF 단자(Pfe2)는 각종 회로 소자, 예를 들면 SAW 필터 등의 탄성파 필터나 LC 필터, PA 등에 접속되어 있다.
제 1 RF 단자(Pfe1)와 제 2 RF 단자(Pfe2)는 상이한 통신 밴드의 통신 신호를 전송하는 단자이다.
LC 병렬 공진 회로(31)와 LC 병렬 공진 회로(32)는 접속 도체(901)와 접속 도체(902) 사이에 직렬 접속되어 있다. 이 LC 병렬 공진 회로(31)와 LC 병렬 공진 회로(32)의 직렬 회로가 본 발명의 필터 회로의 하나에 상당한다.
LC 병렬 공진 회로(31)의 공진 주파수와 LC 병렬 공진 회로(32)의 공진 주파수는 상이하다. 즉, LC 병렬 공진 회로(31)의 감쇠극의 주파수와 LC 병렬 공진 회로(32)의 감쇠극의 주파수는 상이하다.
예를 들면, 제 2 RF 단자(Pfe2)가 BAND 17의 통신 신호의 입출력 단자이며, 제 1 RF 단자(Pfe1)가 BAND 4의 수신 신호의 출력 단자일 경우, LC 병렬 공진 회로(31)의 공진 주파수는 BAND 17의 송신 신호의 3배 고조파 성분의 주파수 또는 이 주파수 부근에 설정되어 있다. 또한, LC 병렬 공진 회로(32)의 공진 주파수는 BAND 17의 송신 신호의 기본파 주파수 또는 이 주파수 부근에 설정되어 있다.
이러한 구성으로 함으로써 필터 회로는 도 2에 나타내는 바와 같은 감쇠 특성을 갖는다. 도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 필터 회로의 감쇠 특성을 나타내는 그래프이다. 도 2에 있어서 실선은 본원 구성의 특성을 나타낸다. 파선은 접속 도체(901, 902) 사이에 아무것도 접속하지 않은 경우를 나타낸다. 1점 쇄선은 접속 도체(901, 902) 사이에 1개의 LC 병렬 공진 회로를 접속했을 경우의 특성을 나타낸다.
도 2에 나타내는 바와 같이 본 실시형태의 구성을 사용함으로써 제 1 RF 단자(Pfe1)와 제 2 RF 단자(Pfe2) 사이에서는 BAND 17의 송신 신호의 기본파 주파수의 부근과, BAND 17의 송신 신호의 3배 고조파 성분의 주파수의 부근에서 큰 감쇠량을 얻을 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 있어서의 제 1 RF 단자와 제 2 RF 단자 사이의 전송 특성을 나타내는 그래프이다. 도 3의 세로축은 감쇠량을 나타낸다. 도 3에 있어서 실선은 본원 구성의 특성을 나타낸다. 파선은 접속 도체(901, 902) 사이에 아무것도 접속하지 않은 경우를 나타낸다. 1점 쇄선은 접속 도체(901, 902) 사이에 1개의 LC 병렬 공진 회로를 접속했을 경우의 특성을 나타낸다.
도 3에 나타내는 바와 같이 본 실시형태의 구성을 사용함으로써 제 1 RF 단자(Pfe1)와 제 2 RF 단자(Pfe2) 사이에서는 BAND 17의 송신 신호의 기본파 주파수의 부근과, BAND 17의 송신 신호의 3배 고조파 성분의 주파수 부근에 대한 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 있어서의 제 1 RF 단자를 사용하는 전송 경로의 삽입 손실의 주파수 특성을 나타내는 그래프이다. 도 4에 있어서 실선은 본원 구성의 특성을 나타낸다. 파선은 접속 도체(901, 902) 간에 아무것도 접속하지 않은 경우를 나타낸다. 1점 쇄선은 접속 도체(901, 902) 간에 1개의 LC 병렬 공진 회로를 접속했을 경우의 특성을 나타낸다.
도 5에 나타내는 바와 같이 본 실시형태의 구성을 사용함으로써 제 2 RF 단자(Pfe2)를 사용하여 전송해야 할 BAND 17의 송신 신호의 주파수 대역에서의 삽입 손실을 비교 구성과 비교하여 작게 할 수 있다. 이에 따라 BAND 17의 송신 신호를 저손실로 전송할 수 있다.
이상과 같이 본 실시형태의 구성을 사용함으로써 고조파 성분의 주파수가 근접하거나 또는 겹치고 있는 다른 전송 경로로의 고조파 성분의 누설을 억제하며, 또한 자경로에서 전송해야 할 기본파의 전송 손실을 억제할 수 있다. 이에 따라 각 통신 밴드의 통신 신호의 전송 특성의 열화를 억제하고, 각 통신 밴드의 통신 신호를 저손실로 전송할 수 있다.
특히, 캐리어 어그리게이션에서 BAND 17의 송신 신호의 송신과, BAND 4의 수신 신호의 수신을 동시에 행할 경우, 본 실시형태의 구성은 보다 유효하게 작용한다. 구체적으로는 이 구성을 사용함으로써 BAND 17의 송신 신호의 전송 경로와 BAND 4의 수신 신호의 전송 경로 간에서의 아이솔레이션을 확보할 수 있고, BNAD 4의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다. 동시에 BAND 17의 송신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 BNAD 17의 송신과 BNAD 4의 수신을 행하는 경우를 나타냈지만, 한쪽 통신 신호의 고조파 성분이 다른쪽 통신 신호의 기본파 주파수에 근접하거나 또는 겹치는 경우이면 본 실시형태의 구성을 적용할 수 있다. 이때, LC 병렬 공진 회로(31, 32)의 공진 주파수를 전송하는 통신 밴드에 따라 적당히 설정하면 좋다.
또한, 본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10)에서는 2개의 안테나로 송수신하는 전송 경로가 1개의 스위치에 의해 스위칭되므로 스위치의 기능을 실현하는 부분을 작게 할 수 있고, 고주파 스위치 모듈(10)을 후술하는 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10A)보다 소형화할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
본 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10A)은 스위치 소자(20) 대신에 스위치 소자(21, 22)를 구비한 점에서 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10)과 상이하다.
스위치 소자(21)는 반도체 스위치로 이루어지는 SPnT 스위치이다. n은 4 이상의 정수이면 좋다. 스위치 소자(21)는 제 1 공통 단자(P10) 및 피선택 단자(P11, P12, P13, P14)를 구비한다. 제 1 공통 단자(P10)는 피선택 단자(P11, P12, P13, P14) 중 어느 하나에 선택적으로 접속된다.
스위치 소자(22)는 반도체 스위치로 이루어지는 SPnT 스위치이다. n은 4 이상의 정수이면 좋다. 스위치 소자(22)는 제 2 공통 단자(P20) 및 피선택 단자(P21, P22, P23, P24)를 구비한다. 제 2 공통 단자(P20)는 피선택 단자(P21, P22, P23, P24) 중 어느 하나에 선택적으로 접속된다.
이러한 구성이어도 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다. 또한, 본 실시형태의 구성에서는 안테나(ANT1)로 송수신하는 전송 경로와, 안테나(ANT2)로 송수신하는 전송 경로가 스위치 소자(21, 22)에서 물리적으로 분리되어 있다. 따라서, 피선택 단자(P14)와 피선택 단자(P21) 사이의 전자계 결합을 저감할 수 있다. 이에 따라 아이솔레이션을 높게 유지해야 할 전송 경로 간의 아이솔레이션을 더 높게 유지할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 도 6은 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
본 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10B)은 스위치 소자(21, 22) 및 LC 병렬 공진 회로(31, 32)를 구비한다. LC 병렬 공진 회로(31)는 인덕터(311)와 커패시터(322)를 병렬 접속한 회로이다. LC 병렬 공진 회로(32)는 인덕터(312)와 커패시터(322)를 병렬 접속한 회로이다.
고주파 스위치 모듈(10B)은 제 1 안테나 접속 단자(Pant1), 제 2 안테나 접속 단자(Pant2), 및 복수의 RF 단자를 구비한다. 복수의 RF 단자는 제 1 RF 단자(Pfe1), 제 2 RF 단자(Pfe2), 및 제 3 RF 단자(Pfe3)를 구비한다. 제 1 RF 단자(Pfe1)가 본 발명의 제 1 피선택 단자에 상당한다. 제 2 RF 단자(Pfe2)가 본 발명의 제 2 피선택 단자에 상당한다. 제 3 RF 단자(Pfe3)가 본 발명의 제 3 피선택 단자에 상당한다.
스위치 소자(21)는 반도체 스위치로 이루어지는 SPnT 스위치이다. n은 4 이상의 정수이면 좋다. 스위치 소자(21)는 제 1 공통 단자(P10) 및 피선택 단자(P11, P12, P13, P14)를 구비한다. 제 1 공통 단자(P10)는 피선택 단자(P11, P12, P13, P14) 중 어느 하나에 선택적으로 접속된다.
스위치 소자(22)는 반도체 스위치로 이루어지는 SPnT 스위치이다. n은 4 이상의 정수이면 좋다. 스위치 소자(22)는 제 2 공통 단자(P20) 및 피선택 단자(P21, P22, P23, P24)를 구비한다. 제 2 공통 단자(P20)는 피선택 단자(P21, P22, P23, P24) 중 어느 하나에 선택적으로 접속된다.
제 1 공통 단자(P10)는 제 1 안테나 접속 단자(Pant1)에 접속되어 있다. 제 1 안테나 접속 단자(Pant1)는 안테나(ANT1)에 접속되어 있다. 제 2 공통 단자(P20)는 제 2 안테나 접속 단자(Pant2)에 접속되어 있다. 제 2 안테나 접속 단자(Pant2)는 안테나(ANT2)에 접속되어 있다.
피선택 단자(P14)는 접속 도체(901)를 통해 제 1 RF 단자(Pfe1)에 접속되어 있다. 제 1 RF 단자(Pfe1)는 각종 회로 소자, 예를 들면 SAW 필터 등의 탄성파 필터나 LC 필터에 접속되어 있다.
피선택 단자(P21)는 접속 도체(902)를 통해 제 2 RF 단자(Pfe2)에 접속되어 있다. 제 2 RF 단자(Pfe2)는 각종 회로 소자, 예를 들면 SAW 필터 등의 탄성파 필터나 LC 필터, PA 등에 접속되어 있다.
피선택 단자(P13)는 접속 도체(903)를 통해 제 3 RF 단자(Pfe3)에 접속되어 있다. 제 3 RF 단자(Pfe3)는 각종 회로 소자, 예를 들면 SAW 필터 등의 탄성파 필터나 LC 필터에 접속되어 있다.
제 1 RF 단자(Pfe1)와 제 2 RF 단자(Pfe2)는 상이한 통신 밴드의 통신 신호를 전송하는 단자이다. 제 2 RF 단자(Pfe2)와 제 3 RF 단자(Pfe3)는 같은 통신 밴드의 송신 신호와 수신 신호를 각각에 전송하는 단자이다. 구체적으로는 제 2 RF 단자(Pfe2)가 송신 신호를 전송하는 단자이며, 제 3 RF 단자(Pfe3)가 수신 신호를 전송하는 단자이다.
LC 병렬 공진 회로(31)는 접속 도체(901)와 접속 도체(902) 사이에 열접속되어 있다. LC 병렬 공진 회로(31)가 본 발명의 제 1 필터 회로에 상당한다.
LC 병렬 공진 회로(32)는 접속 도체(902)와 접속 도체(903) 사이에 접속되어 있다. LC 병렬 공진 회로(32)가 본 발명의 제 2 필터 회로에 상당한다.
LC 병렬 공진 회로(31)의 공진 주파수와 LC 병렬 공진 회로(32)의 공진 주파수는 상이하다. 즉, LC 병렬 공진 회로(31)의 감쇠극의 주파수와 LC 병렬 공진 회로(32)의 감쇠극의 주파수는 상이하다.
예를 들면, 제 2 RF 단자(Pfe2)가 BAND 17의 송신 신호의 입력 단자이며, 제 1 RF 단자(Pfe1)가 BAND 4의 수신 신호의 출력 단자일 경우, LC 병렬 공진 회로(31)의 공진 주파수는 BAND 17의 송신 신호의 3배 고조파 성분의 주파수 또는 이 주파수 부근에 설정되어 있다.
또한, 제 2 RF 단자(Pfe2)가 BAND 17의 송신 신호의 입력 단자이며, 제 3 RF 단자(Pfe3)가 BAND 17의 수신 신호의 출력 단자일 경우, LC 병렬 공진 회로(32)의 공진 주파수는 BAND 17의 송신 신호의 기본파 주파수의 근방에서 수신 신호의 기본파 주파수가 감쇠역에 들어가도록 설정되어 있다.
이러한 구성으로 함으로써 제 2 RF 단자(Pfe2)로부터 제 1 RF 단자(Pfe1)로의 BAND 17의 송신 신호의 고조파 성분의 누설을 억제할 수 있다. 또한, 제 2 RF 단자(Pfe2)로부터 제 3 RF 단자(Pfe3)로의 BAND 17의 송신 신호의 기본파 성분의 누설을 억제할 수 있다. 이에 따라 제 2 RF 단자(Pfe2)와 제 1 RF 단자(Pfe1) 사이의 BAND 4의 수신 신호의 기본 주파수의 근방에서의 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다. 또한, 제 2 RF 단자(Pfe2)와 제 3 RF 단자(Pfe3) 사이의 BAND 14의 수신 신호의 기본 주파수의 근방에서의 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다.
특히, BAND 17의 송신 신호와 BAND 4의 수신 신호를 동시에 전송하는 캐리어 어그리게이션과, BAND 17의 송신 신호와 BAN17의 수신 신호를 동시에 전송하는 캐리어 어그리게이션을 실행할 경우에 각 통신 신호의 전송 경로에 대한 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 7은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
본 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10C)은 스위치 소자(20)가 스위치 소자(20C)로 치환되고, 제 2 안테나 접속 단자(Pant2)가 생략된 점에서 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10)과 상이하다. 또한, 필터 회로(31D)의 구성도 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10)과 상이하다.
스위치 소자(20C)는 반도체 스위치로 이루어지는 SPnT 스위치이다. n은 4 이상의 정수이면 좋다. 스위치 소자(20C)는 제 1 공통 단자(P10) 및 피선택 단자(P11, P12, P13, P14, P15, P16, P17, P18)를 구비한다. 제 1 공통 단자(P10)는 피선택 단자(P11, P12, P13, P14, P15, P16, P17, P18) 중 어느 하나에 선택적으로 접속된다.
피선택 단자(P14)는 접속 도체(901)를 통해 제 1 RF 단자(Pfe1)에 접속되어 있다. 피선택 단자(P15)는 접속 도체(902)를 통해 제 2 RF 단자(Pfe2)에 접속되어 있다.
필터 회로(31D)는 접속 도체(901)와 접속 도체(902) 사이에 접속되어 있다. 필터 회로(31D)는 인덕터(311D, 321D), 및 커패시터(322D)를 구비한다. 인덕터(321D)와 커패시터(322D)는 병렬 접속되어 있다. 인덕터(311D)는 인덕터(321D)와 커패시터(322D)의 병렬 회로에 직렬 접속되어 있다. 인덕터(321D)는 접속 도체(901)에 접속되어 있다. 인덕터(321D)와 커패시터(322D)의 병렬 회로는 접속 도체(902)에 접속되어 있다.
필터 회로(31D)는 제 2 RF 단자(Pfe2)를 이용하는 통신 밴드의 송신 신호의 3배 고조파 성분의 주파수 또는 이 주파수 부근과 기본파 주파수 또는 이 주파수 부근에 감쇠극을 갖도록 설정되어 있다.
이러한 구성으로 함으로써 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
10, 10A, 10B, 10C : 고주파 스위치 모듈
20, 20C, 21, 22 : 스위치 소자
31, 32 : LC 병렬 공진 회로 31D : 필터 회로
311, 321, 311D, 321D : 인덕터 312, 322, 322D : 커패시터
901, 902, 903 : 접속 도체
31, 32 : LC 병렬 공진 회로 31D : 필터 회로
311, 321, 311D, 321D : 인덕터 312, 322, 322D : 커패시터
901, 902, 903 : 접속 도체
Claims (6)
- 상이한 주파수를 이용하는 통신 신호를 각각에 전송하는 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자를 구비한 스위치 소자와,
상기 제 1 피선택 단자와 상기 제 2 피선택 단자 사이에 접속된 복수의 감쇠극을 갖는 필터 회로를 구비한 고주파 스위치 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 스위치 소자는 제 1 공통 단자, 제 2 공통 단자, 상기 제 1 공통 단자로 스위칭하여 접속되는 제 1 공통 단자용의 피선택 단자 및 상기 제 2 공통 단자로 스위칭하여 접속되는 제 2 공통 단자용의 피선택 단자를 구비하고,
상기 제 1 피선택 단자는 상기 제 1 공통 단자용의 피선택 단자 중 하나이며,
상기 제 2 피선택 단자는 상기 제 2 공통 단자용의 피선택 단자 중 하나인 고주파 스위치 모듈. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 공통 단자, 제 2 공통 단자, 상기 제 1 공통 단자용의 피선택 단자 및 상기 제 2 공통 단자용의 피선택 단자는 1개의 패키지에 형성되어 있는 고주파 스위치 모듈. - 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 피선택 단자와 상기 제 2 피선택 단자는 상기 스위치 소자에 의해 동시에 선택되는 고주파 스위치 모듈. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 필터 회로는,
제 1 인덕터와 제 1 커패시터를 병렬 접속한 제 1 병렬 공진 회로와,
제 2 인덕터와 제 2 커패시터를 병렬 접속한 제 2 병렬 공진 회로를 구비하고,
상기 제 1 병렬 공진 회로와 상기 제 2 병렬 공진 회로는 상기 제 1 피선택 단자와 상기 제 2 피선택 단자 사이에 직렬 접속되고,
상기 제 1 병렬 공진 회로의 공진 주파수와 상기 제 2 병렬 공진 회로의 공진 주파수는 상이한 고주파 스위치 모듈. - 제 1 공통 단자, 제 2 공통 단자, 상기 제 1 공통 단자로 스위칭하여 접속되는 제 1 공통 단자용의 피선택 단자 및 상기 제 2 공통 단자로 스위칭하여 접속되는 제 2 공통 단자용의 피선택 단자를 구비한 스위치 소자와,
상기 제 1 공통 단자용의 피선택 단자 중의 제 1 피선택 단자와, 상기 제 2 공통 단자용의 피선택 단자 중의 제 2 피선택 단자 사이에 접속된 제 1 필터 회로와,
상기 제 1 공통 단자용의 피선택 단자 중의 제 3 피선택 단자와, 상기 제 2 공통 단자용의 피선택 단자 중의 제 2 피선택 단자 사이에 접속된 제 2 필터 회로와,
상기 제 1 필터 회로의 감쇠극의 주파수와 상기 제 2 필터 회로의 감쇠극의 주파수는 상이한 고주파 스위치 모듈.
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