KR20170090271A - Electroplating apparatus - Google Patents

Abstract

Disclosed is an electrolytic plating device. According to one aspect of the present invention, the electrolytic plating device comprises: a plating tank storing plating solution; an anode disposed inside the plating tank; a cathode disposed inside the plating tank, and electrically connected to a body to be plated; and a current density control unit disposed between the anode and the cathode to be spaced from the body to be plated, and having metal electrolyzed by the plating solution.

Description

전해 도금장치{ELECTROPLATING APPARATUS}[0001] ELECTROPLATING APPARATUS [0002]

본 발명은 전해 도금장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electroplating apparatus.

인쇄회로기판은 전해도금 공정을 통해 도금층을 형성한 후 노광 및 현상, 에칭 공정을 통해 회로를 형성하거나, 노광, 현상 후 전해도금 공정을 통해 회로를 직접 형성하게 된다.A printed circuit board is formed by forming a plating layer through an electroplating process, forming a circuit through exposure, development and etching, or directly forming a circuit through an electroplating process after exposure and development.

인쇄회로기판의 단면 또는 양면에 전해도금을 하는 경우 도금액이 수용된 도금조 내에 음극에 전기적으로 연결되고 도금 대상물인 인쇄회로기판과 양극을 서로 대향되도록 배치하고, 양극으로부터 인쇄회로기판을 향해 전류를 흘려 도금층을 형성하게 된다.When electroplating is carried out on one or both sides of a printed circuit board, a printed circuit board and an anode are electrically connected to a cathode in a plating bath containing a plating solution, and an anode is disposed so as to face each other. A current is flowed from the anode toward the printed circuit board Thereby forming a plating layer.

그러나, 도금액에 인쇄회로기판을 침지시켜 도금층을 형성할 경우 인쇄회로기판의 외곽부에 전류 밀도가 집중되어 중앙부와 외곽부의 도금 두께가 다르게 형성되게 된다.However, when the plating layer is formed by immersing the printed circuit board in the plating solution, the current density is concentrated on the outer periphery of the printed circuit board, and the plating thickness of the central portion and the outer portion is formed differently.

한국공개특허 제10- 2011-0028029호 (2011. 03. 17. 공개)Korean Patent Publication No. 10- 2011-0028029 (disclosed on Mar. 17, 2011)

본 발명의 실시예에 따르면, 도금편차를 완화할 수 있는 전해 도금장치가 제공될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, an electrolytic plating apparatus capable of alleviating the plating variation can be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전해 도금장치를 개략적으로 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전해 도금장치에 적용되는 전류밀도 조절부의 일부를 나타내는 도면.
도 3은 전류밀도 조절부를 적용한 실험장치로 헐셀(Hull Cell)을 나타내는 도면.
도 4는 도 3의 실험 이후 전류밀도 조절부의 전해(electro-dissolution)된 모습을 나타내는 도면.
도 5는 도 3의 실험예 및 비교예에 따라 발생하는 피도금체의 양극과의 거리별 도금층 형성두께를 개략적으로 비교하여 나타내는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view of an electrolytic plating apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG.
2 is a view showing a part of a current density control unit applied to an electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view showing a hull cell as an experimental apparatus to which a current density control unit is applied. FIG.
FIG. 4 is a view showing an electro-dissolution state of the current density regulating portion after the experiment of FIG. 3; FIG.
Fig. 5 is a diagram schematically showing the thicknesses of plating layers formed by distances from the anode of the plated bodies generated according to the experimental example and the comparative example of Fig. 3; Fig.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 그리고, 명세서 전체에서, "상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것이 아니다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof. In the specification, "on" means to be located above or below the object portion, and does not necessarily mean that the object is located on the upper side with respect to the gravitational direction.

또한, 결합이라 함은, 각 구성 요소 간의 접촉 관계에 있어, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.In addition, the term " coupled " is used not only in the case of direct physical contact between the respective constituent elements in the contact relation between the constituent elements, but also means that other constituent elements are interposed between the constituent elements, Use them as a concept to cover each contact.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.The sizes and thicknesses of the respective components shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, and thus the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings.

이하, 본 발명에 따른 전해 도금장치의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of an electroplating apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, A description thereof will be omitted.

전해 도금장치Electrolytic plating apparatus

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전해 도금장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전해 도금장치에 적용되는 전류밀도 조절부의 일부를 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing an electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a view showing a part of a current density control unit applied to an electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전해 도금장치(100)는 도금액(L)을 수용하는 도금조(10), 도금조(10) 내에 배치되는 양극(20), 도금조(10) 내에 배치되고 피도금체(S)와 전기적으로 연결되는 음극(30) 및 피도금체(S)와 이격되게 양극(20)과 음극(30) 사이에 배치되고 도금액(L)에 전해(electro-dissolution)되는 금속을 포함하는 전류밀도 조절부(40)를 포함한다.1 and 2, an electrolytic plating apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a plating tank 10 for containing a plating liquid L, a cathode 20 disposed in the plating tank 10, The plating liquid L is disposed between the anode 20 and the cathode 30 so as to be spaced apart from the cathode 30 and the object to be plated S disposed in the plating vessel 10 and electrically connected to the object S to be plated, And a current density regulating part 40 including a metal electro-dissolving in the current density regulating part 40.

도금조(10)는 도금액(L)을 수용한다. 도금조(10)는 후술할 양극(20), 음극(30) 및 음극(30)과 연결되는 피도금체(S)를 수용한다. 도금조(10)는 도금액(L)에 전해(electro-dissolution)되지 않는 재질로 형성된다. 예로써, 도금조(10)는 도금액에 내화학성을 지닌 재료를 사용할 수 있으며, 통상 PVC(polyvinyl chloride), Polycarbonate, Teflon, PET 등의 합성수지 및/또는 세라믹을 이용해 제조될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The plating tank (10) receives the plating liquid (L). The plating tank 10 accommodates a plating object S connected to the cathode 20, the cathode 30 and the cathode 30 to be described later. The plating bath 10 is formed of a material that is not electro-dissolvable in the plating liquid L. For example, the plating tank 10 may be made of a material having chemical resistance to a plating solution, and may be manufactured using a synthetic resin such as PVC (polyvinyl chloride), Polycarbonate, Teflon, PET, and / or ceramics. no.

피도금체(S)는 인쇄회로기판일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 피도금체(S)가 실리콘 웨이퍼(Si-wafer)인 경우와 달리, 피도금체(S)가 인쇄회로기판인 경우에는 도금조(10)의 높이 방향으로 도금조(10) 내에 인쇄회로기판이 배치될 수 있다.The plated body S may be a printed circuit board, but is not limited thereto. In the case where the object to be plated S is a printed circuit board, the printed circuit board 10 is placed in the plating vessel 10 in the height direction of the plating vessel 10, unlike the case where the object to be plated S is a silicon wafer (Si- Can be arranged.

양극(20)은 전원공급 장치(P)와 연결되어, 도금조(10) 내에 양의 전하를 인가한다. 음극(30)은 전원공급 장치(P)와 연결되어, 도금조(10) 내에 음의 전하를 인가한다. 음극(30)은 피도금체(S)와 전기적으로 연결된다. 따라서, 도금액(L)의 양이온이 피도금체(S)에 석출되어 도금막이 피도금체(S)에 형성될 수 있다.The anode 20 is connected to the power supply device P and applies a positive charge in the plating tank 10. [ The cathode 30 is connected to the power supply device P to apply a negative charge to the plating bath 10. The cathode (30) is electrically connected to the object to be plated (S). Therefore, positive ions of the plating liquid L are precipitated on the object to be plated S, and a plating film can be formed on the object to be plated S.

양극(20)과 음극(30) 각각은 도금액(L)에 전해(electro-dissolution)되는 재질 또는 전해(electro-dissolution)되지 않는 재질로 형성될 수 있다. 양극(20)과 음극(30) 각각은 도금조(10)의 높이 방향을 따라 배치되어, 서로 대향되게 도금조(10) 내에 배치될 수 있다.Each of the positive electrode 20 and the negative electrode 30 may be formed of a material that is electro-dissolvable to the plating liquid L or a material that is not electro-dissolvable. The anode 20 and the cathode 30 may be disposed along the height direction of the plating vessel 10 and disposed in the plating vessel 10 so as to face each other.

한편, 도 1에는 설명의 편의를 위해 양극(20)과 음극(30)이 각각 하나씩 도금조(10) 내에 배치되는 것을 도시하고 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 생산성 또는 대면적의 도금을 위해 양극(20) 및/또는 음극(30)은 복수로 형성될 수 있다.1, the anode 20 and the cathode 30 are disposed in the plating tank 10 for convenience of explanation, but the present invention is not limited thereto. That is, the anode 20 and / or the cathode 30 may be formed in plural for productivity or large area plating.

그리고, 도 1에는 도시되지 않았으나, 본 실시예에 따른 전해 도금장치(100)는 도금액(L)의 공급 및 유동을 위해, 분리 또는 일체로 형성된 도금액 공급부 및 노즐을 더 포함할 수 있다. 또한, 도금액 공급부 및/또는 노즐은, 예로써, 양극에(20)에 일체로 형성되거나 양극(20)과 결합하거나 양극(20)과 분리되어 도금조(10) 내에 배치될 수 있다.Although not shown in FIG. 1, the electroplating apparatus 100 according to the present embodiment may further include a plating liquid supply unit and a nozzle which are separately or integrally formed to supply and flow the plating liquid L. The plating liquid supply portion and / or the nozzle may be integrally formed on the anode 20 or may be disposed in the plating bath 10, for example, in association with the anode 20 or separate from the anode 20, for example.

전류밀도 조절부(40)는 피도금체(S)와 이격되게 양극(20)과 음극(30) 사이에 배치된다. 전류밀도 조절부(40)는 도금액(L)에 전해(electro-dissolution)되는 금속을 포함한다. 구체적으로 도금액(L)이 구리도금액인 경우, 전류밀도 조절부(40)는 구리(Cu)를 포함하는 재질로 형성될 수 있다. 즉, 도금액(L)이 황산구리(CuSO₄) 등을 포함하는 구리도금액인 경우, 전류밀도 조절부(40)로는 전해(electro-dissolution) 특성이 좋고, 일반적인 구리도금공정에서 양극으로 사용되고, 인을 0.02~0.06 wt% 함유한 함인동을 이용하는 것이 바람직하나 이에 제한되는 것은 아니다.The current density control section 40 is disposed between the anode 20 and the cathode 30 so as to be spaced apart from the workpiece S to be plated. The current density regulator 40 includes a metal electro-dissolving in the plating liquid L. Specifically, when the plating liquid L is a copper plating solution, the current density control unit 40 may be formed of a material containing copper (Cu). That is, when the plating liquid L is a copper plating solution containing copper sulfate (CuSO ₄ ) or the like, the current density controller 40 has good electro-dissolution characteristics and is used as an anode in a general copper plating process. Is used in an amount of 0.02 to 0.06 wt%, but the present invention is not limited thereto.

전류밀도 조절부(40)는 도금액(L)에 전해(electro-dissolution)되어, 도금조(10) 내의 전류밀도 편차를 보상한다. 전류밀도 조절부(40)가 도금조(10) 내의 전류밀도 편차를 보상하는 원리를 설명한다. The current density regulating portion 40 is electrodissolved in the plating liquid L to compensate for the current density variation in the plating bath 10. [ The principle that the current density adjusting section 40 compensates the current density variation in the plating bath 10 will be described.

도금조(10) 내의 양극(20)과 음극(30)에 전하가 인가되면 전류밀도 조절부(40)에서는 양극(20)과의 거리 차이에 의한 전해질의 경로 차이가 발생하고 이로 인해 iR 전압강하 정도가 달라져 전압차가 발생한다. 즉, 전류밀도 조절부(40) 중 상대적으로 양극(20)과의 거리가 가까운 영역은상대적으로 높은 전압이 인가되는 고전압부가 되고, 전류밀도 조절부(40) 중 상대적으로 양극(20)과의 거리가 먼 영역은 상대적으로 낮은 전압이 인가되는 저전압부가 된다.When electric charge is applied to the anode 20 and the cathode 30 in the plating bath 10, a difference in the path of the electrolyte occurs due to the difference in distance from the anode 20 in the current density controller 40, The voltage difference is generated. That is, a relatively high voltage is applied to a region of the current density control unit 40 where the relative distance from the anode 20 is relatively high, and a relatively high voltage is applied to the region of the current density control unit 40 relative to the anode 20 The far-off region is a low-voltage portion to which a relatively low voltage is applied.

전류밀도 조절부(40)는 금속으로 형성되므로, 전류밀도 조절부(40)에 발생한 전압차에 따라 전류밀도 조절부(40)의 전자는 고전압부로 이동한다. 고전압부로 이동한 전자는 도금액(L) 내의 양이온과 반응하므로 도금액(L) 내의 양이온은 고전압부에 금속으로 석출된다. 이와 반대로, 저전압부에서는 전자의 결핍으로 인해 전류밀도 조절부(40)를 형성하는 금속이 양이온의 형태로 도금액(L) 내로 전해(electro-dissolution)된다. 이와 같은 전기화학적 반응을 통해 전류밀도 조절부(40)에 발생한 전류밀도 차이는 보상되고, 결국 음극(30)과 연결된 피도금체(S)의 양극(20)과의 거리차에 따라 발생하는 전류밀도 차이는 완화된다.Since the current density adjusting unit 40 is formed of metal, the electrons of the current density adjusting unit 40 move to the high voltage unit according to the voltage difference generated in the current density adjusting unit 40. The electrons moved to the high voltage part react with the positive ions in the plating solution L, so that the positive ions in the plating solution L precipitate as a metal in the high voltage part. On the contrary, in the low-voltage portion, the metal forming the current density regulating portion 40 is electrodissolved into the plating liquid L in the form of a cation due to the lack of electrons. The difference in the current density occurring in the current density control unit 40 is compensated for by the electrochemical reaction and the current generated due to the difference in distance from the anode 20 of the plated body S connected to the cathode 30 The density difference is mitigated.

한편, 도 1과 도 2에는 전류밀도 조절부(40)의 형상이 판형인 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않고 전류밀도 조절부(40)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 예로써, 전류밀도 조절부(40)는 피도금체(S)의 형상 또는 피도금체(S)의 피도금면 형상에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 전류밀도 조절부(40)의 형상이 피도금체(S) 또는 피도금면의 형상에 대응되는 경우, 피도금면이 복잡한 형상인 경우라도 보다 정밀하게 도금막을 형성할 수 있다.1 and 2 illustrate that the shape of the current density regulator 40 is a plate shape, but the shape of the current density regulator 40 may be variously modified without being limited thereto. For example, the current density adjusting section 40 may be formed in a shape corresponding to the shape of the material S to be plated or the shape of the surface to be plated of the material S to be plated. When the shape of the current density regulating portion 40 corresponds to the shape of the object to be plated S or the surface to be plated, the plating film can be formed more precisely even when the surface to be plated is complicated.

도 2를 참조하면, 전류밀도 조절부(40)에는 관통공(41)이 형성될 수 있다. 도금액(L)은 관통공(41)에 의해 전류밀도 조절부(40)를 관통하여 유동할 수 있다. 관통공(41)은 도금액(L) 내의 전류 흐름과 도금액(L)의 유동을 조절할 수 있다. 한편, 도 2에 도시된 관통공(41)의 직경이나 개수 등은 예시적인 것으로, 필요에 따라 관통공의 형태, 크기, 개수 및 피치 등은 다양하게 변경되어 전류밀도 조절부(40)에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, a through hole 41 may be formed in the current density adjusting portion 40. The plating liquid L can flow through the current density regulating part 40 by the through hole 41. [ The through holes 41 can control the current flow in the plating liquid L and the flow of the plating liquid L. The diameter, number and the like of the through holes 41 shown in FIG. 2 are illustrative, and the shape, size, number and pitch of the through holes may be variously changed to form the current density adjusting portion 40 .

전류밀도 조절부(40)는, 도금액(L)에 불가용성인 재질로 형성되는 코어와, 코어의 표면에 형성되고 도금액(L)에 전해(electro-dissolution)되는 금속을 포함하는 전해피막을 포함할 수 있다.The current density regulating section 40 includes an electrode formed of a material that is insoluble in the plating liquid L and an electrolytic coating formed on the surface of the core and including a metal electrodissolving in the plating liquid L can do.

코어는 세라믹 또는 도금액(L) 내의 양이온의 환원전위 값 미만의 환원전위 값을 가지는 금속 등 도금액(L)에 불가용성인 재질로 형성된다. 코어는 피도금체(S) 또는 피도금면의 형상에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 코어에는 관통공(41)이 형성될 수 있다.The core is formed of a material that is unavailable to the plating liquid L, such as a metal or a metal having a reduction potential value less than the reduction potential value of the positive ion in the plating liquid L. The core may be formed in a shape corresponding to the shape of the body to be plated (S) or the surface to be plated. A through hole 41 may be formed in the core.

전해피막은 관통공(41)을 포함하는 코어의 표면에 형성되고, 도금액(L)에 전해(electro-dissolution)되는 금속을 포함한다. 전해피막은 상술한 전기화학적 반응이 발생하는 부재로 코어의 표면에 도금 등을 통해 형성될 수 있다. 전해피막은 도금액(L)에 전해(electro-dissolution)되도록 도금액(L) 내의 양이온의 환원전위 값 이상의 환원전위 값을 가지는 금속으로 형성된다.The electrolytic coating is formed on the surface of the core including the through hole 41 and includes a metal electro-dissolving in the plating liquid L. The electrolytic coating may be formed on the surface of the core through plating or the like as a member in which the above-described electrochemical reaction occurs. The electrolytic coating is formed of a metal having a reduction potential value equal to or higher than the reduction potential value of the cation in the plating liquid L so as to be electrodissolved in the plating liquid L.

실험예와Experimental Example 비교예의Comparative example 비교 compare

도 3은 전류밀도 조절부를 적용한 실험장치로 헐셀(Hull Cell)을 나타내는 도면이다. 도 4는 도 3의 실험 이후 전류밀도 조절부의 전해(electro-dissolution)된 모습을 나타내는 도면이다. 도 5는 도 3의 실험예 및 비교예에 따라 발생하는 피도금체의 극간거리별 도금층 형성두께를 개략적으로 비교하여 나타내는 도면이다.3 is a view showing a hull cell as an experimental apparatus to which a current density control unit is applied. FIG. 4 is a view showing an electro-dissolution state of the current density regulator after the experiment of FIG. 3; FIG. Fig. 5 is a diagram schematically showing the thicknesses of plating layers formed according to the inter-pole distances of the plated bodies generated according to the experimental example and the comparative example of Fig. 3; Fig.

(실험예)(Experimental Example)

도 3과 같이, 통상의 헐셀(Hull Cell, HC) 내에 피도금체(S)와 전류밀도 조절부(40)를 배치한다. 전류밀도 조절부(40)로는 인을 0.02~0.06 wt% 함유한 함인동으로 구성된 함인동판을 사용하였다. 피도금체(S)는 음극(30)과 전기적으로 연결되고, 함인동판(40)은 양극(20)과 피도금체(S) 사이에 배치된다. 이 때, 함인동판(40)에는 복수의 관통공(41)이 형성되고, 함인동판(40)은 피도금체(S)와 0.5㎝~1.0㎝로 이격된 상태로 피도금체(S)와 평행하게 배치된다. As shown in FIG. 3, a plated body S and a current density control unit 40 are disposed in a normal Hull cell (HC). As the current density controlling part 40, a copper copper plate comprising phosphorus containing 0.02 to 0.06 wt% phosphorus was used. The object to be plated S is electrically connected to the cathode 30 and the copper plate 40 to be bonded is disposed between the anode 20 and the object S to be plated. At this time, a plurality of through holes 41 are formed in the cup copper plate 40, and the cup copper plate 40 is bonded to the plated body S in a state of being separated from the plated body S by 0.5 cm to 1.0 cm Are arranged in parallel.

피도금체(S)에 100㎛의 구리도금막을 형성하기 위해 통상의 구리도금액(L)으로 도금을 수행한다.Plating is carried out with an ordinary copper plating solution (L) in order to form a copper plating film of 100 mu m in the plating body (S).

도금 후 함인동판(40)을 살펴보면, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 함인동판(40)의 A영역은 구리(Cu)가 석출되고 함인동판(40)의 B영역은 전해(electro-dissolution)된다. 이는 A영역은 B영역과 비교하여 상대적으로 양극(20)과의 거리가 가까워 상대적으로 고전압이 인가되는 고전압부가 되고, B영역은 A영역과 비교하여 상대적으로 양극(20)과의 거리가 멀어 상대적으로 저전압이 인가되는 저전압부가 되기 때문이다. 즉, 상술한 전기화학적 반응에 의해 함인동판(40)의 A영역에는 구리도금액(L) 중 구리이온이 석출되고, B영역의 구리(Cu)는 구리이온의 형태로 구리도금액(L)으로 용해(dissolution)된다.As shown in FIGS. 3 and 4, the region B of the copper plate 40 in which copper (Cu) is deposited in the region A of the copper copper plate 40 is electro- dissolution. The A region has a relatively high voltage applied to the anode 20 and a relatively high voltage applied to the anode 20. The B region is relatively far from the anode 20 as compared to the A region, Voltage portion to which a low voltage is applied. That is, copper ions in the copper plating solution L are precipitated in the region A of the copper plate 40 and copper (Cu) in the region B is precipitated in the form of copper ions by the electrochemical reaction, . ≪ / RTI >

이렇게 함인동판(40)에서 선행적으로 일어나는 전기화학반응이 피도금체(S)에서의 위치 별(양극과의 거리 차이 별) 전압 차이를 감소시키고, 도금두께의 편차를 감소시킨다.The electrochemical reaction that occurs in the copper plating layer 40 in this manner decreases the voltage difference by position (difference in distance from the anode) in the plating object S and reduces the deviation of the plating thickness.

(비교예)(Comparative Example)

도 3에 도시된 실험예와 동일한 도금조건으로 도금을 수행하되, 함인동판을 제거하고 도금을 수행한다.Plating is performed under the same plating conditions as in the experimental example shown in FIG. 3, but the copper plate is removed and plating is performed.

(비교)(compare)

도 5는 도 3의 실험예 및 비교예에 따라 발생하는 피도금체의 양극과의 거리별 도금층 형성두께를 개략적으로 비교하여 나타내는 도면이다.Fig. 5 is a diagram schematically showing the thickness of the plating layer formed by distances to the anode of the plated body generated according to the experimental example and the comparative example of Fig. 3. Fig.

도 5의 (A)는 실험예에 따라 피도금체(도 3의 S)에 형성된 도금층의 두께를 도시한 것이고, 도 5의 (B)는 비교예에 따라 피도금체에 형성된 도금층의 두께를 도시한 것이다. 도 5의 (A)와 도 5의 (B) 각각에서 X축은 피도금체(S)의 영역 중 양극(20)과의 거리를 나타내고, Y축은 피도금체에 형성된 도금층의 두께를 나타낸다.5A shows the thickness of the plating layer formed on the plated body (S in Fig. 3) according to the experimental example, and Fig. 5B shows the thickness of the plating layer formed on the plated body according to the comparative example Respectively. 5A and 5B, the X axis represents the distance from the anode 20 in the region of the plated body S, and the Y axis represents the thickness of the plating layer formed on the plated body.

비교예와 비교하여 전류밀도 조절부(40)로 함인동판(40)이 이용된 실험예의 경우, 양극(20)과의 거리가 상대적으로 가까운 피도금체(도 3의 S)의 영역과 양극(20)과의 거리가 상대적으로 먼 피도금체(도 3의 S)의 영역을 비교할 때 도금층의 두께가 상대적으로 균일함을 알 수 있다.In the experimental example in which the copper plate 40 serving as the current density adjusting part 40 is used as compared with the comparative example, the area of the plated body (S in FIG. 3) and the area of the anode (S in Fig. 3) in which the distance between the plated layer and the plated body (S in Fig. 3) is relatively long, the thickness of the plated layer is relatively uniform.

실험예의 경우 피도금체(도 3의 S)의 도금층 두께 편차비율은 평균두께 대비 대략 80%정도이지만, 비교예의 경우 피도금체(도 3의 S)의 도금층 두께 편차비율은 평균두께 대비 145%정도로 측정되었다.In the experimental example, the coating layer thickness deviation ratio of the plated body (S of FIG. 3) was about 80% of the average thickness, but in the comparative example, the plating layer thickness deviation ratio of the plated body (S of FIG. 3) Respectively.

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경 또는 삭제 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

10: 도금조
20: 양극
30: 음극
40: 전류밀도 조절부
41: 관통공
100: 전해 도금장치
HC: 헐셀
S: 피도금체
L: 도금액
P: 전원공급 장치10: Plating tank
20: anode
30: cathode
40: Current density control unit
41: Through-hole
100: Electroplating apparatus
HC: Hulse
S: Plated body
L: plating solution
P: Power supply

Claims (5)

도금액을 수용하는 도금조;
상기 도금조 내에 배치되는 양극;
상기 도금조 내에 배치되고, 피도금체와 전기적으로 연결되는 음극; 및
상기 피도금체와 이격되게 상기 양극과 상기 음극 사이에 배치되고, 상기 도금액에 전해(electro-dissolution)되는 금속을 포함하는 전류밀도 조절부;
를 포함하는 전해 도금장치.
A plating tank for containing the plating liquid;
A cathode disposed within the plating bath;
An anode disposed in the plating vessel and electrically connected to the body to be plated; And
A current density regulator disposed between the anode and the cathode so as to be spaced apart from the body to be plated and including a metal electro-dissolving in the plating liquid;
And an electrolytic plating apparatus.
제1항에 있어서,
상기 전류밀도 조절부에는 관통공이 형성되는, 전해 도금장치.
The method according to claim 1,
And the through hole is formed in the current density adjusting portion.
제1항에 있어서,
상기 전류밀도 조절부는,
상기 도금액에 불가용성인 재질로 형성되는 코어와
상기 코어의 표면에 형성되고 상기 금속을 포함하는 전해피막
을 포함하는 전해 도금장치.
The method according to claim 1,
The current density controller may include:
A core formed of a material that is invisible to the plating liquid;
An electrolyte film formed on the surface of the core and containing the metal;
And an electroplating apparatus.
제1항에 있어서,
상기 전류밀도 조절부는,
상기 피도금체의 피도금면의 형상에 대응되는 형상으로 형성되는, 전해 도금장치.
The method according to claim 1,
The current density controller may include:
And the second electrode is formed in a shape corresponding to a shape of a surface to be plated of the object to be plated.
제1항에 있어서,
상기 금속은 구리(Cu)를 포함하는, 전해 도금장치.
The method according to claim 1,
Wherein the metal comprises copper (Cu).

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