KR20170062892A - 연료전지용 탄소나노튜브의 정제 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 불순물이 포함된 탄소나노튜브를 정제하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 촉매, 비정질 탄소 등의 불순물을 포함하는 탄소나노튜브를 산화, 초음파 처리, 산 처리, 진공 여과 및 열처리하여 고순도로 정제하는 탄소나노튜브의 정제 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 불순물이 포함된 미정제 탄소나노튜브를 정제하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 연료전지의 막전극접합체(Membrane Electrode Assembly, MEA)에 사용되는 탄소나노튜브를 고순도로 정제하는 방법에 관한 것이다.
최근 환경문제, 에너지원의 고갈, 및 연료전지 자동차의 실용화에 따라 높은 에너지 효율을 가지며 상온에서 작동이 가능하고, 신뢰성이 있는 고성능 연료전지의 개발이 절실히 요구되고 있다. 이에 연료 전지의 효율을 증가시킬 수 있는 고분자막의 개발 또한 요구되고 있으며, 연료전지에 포함되는 막전극접합체의 제조에 탄소나노튜브를 이용한다.
탄소나노튜브(Carbon Nanotube, CNT)는 우수한 전도성, 높은 강도, 높은 탄성계수 및 낮은 마찰계수 등의 뛰어난 물성과 구조로 인하여 도전성 소재 및 고강도 구조용 소재분야 등 산업적 응용에 대한 기대가 큰 소재이며, 향후 나노기술을 이끌고 갈 중요한 빌딩 블록으로 많은 기대를 모으고 있다.
그러나 탄소나노튜브는 기대되는 높은 응용성에 비해 대량생산, 불순물제거 등의 측면에서 많은 한계가 있다. 특히, 연료전지에 사용되는 탄소나노튜브가 우수한 특성을 제대로 발현하고 내구성을 유지하기 위해서는 금속 촉매 등의 불순물이 포함되지 않은 고순도가 요구된다. 이 때문에 최근에는 불순물이 적게 생기는 새로운 탄소나노튜브의 제조법에 대한 연구가 이루어지고 있다.
하지만, 일반적으로 알려진 레이저 증발법(laser ablation), 아크방전법(arc discharge) 및 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD) 등과 같은 탄소나노튜브 합성법에서는 탄소로 코팅된 금속 촉매입자, 탄소 나노입자 및 비정질 탄소 등의 불순물이 다량 포함되어 있다.
이러한 불순물 제거를 위한 기존의 방법으로는 열 및 산 처리에 의한 산화법, 마이크로 필터링법, 크로마토그래피법 등이 있다. 일반적으로 산화성 분위기하에서 열처리한 후 산처리를 추가하는 정제법이 가장 높은 순도를 보여 효과적인 방법으로 알려져 있으나, 이 방법은 정제 도중 불순물과 함께 많은 양의 탄소나노튜브도 함께 파괴, 손실되는 부작용으로 인해 50% 이하의 낮은 수율을 보이고 있다. 또한, 수시간에서 수일이 걸리는 건조과정을 포함한 여러 단계의 정제 과정을 거치기 때문에 장시간의 정제공정이라는 단점이 있다. 뿐만 아니라, 필터링을 포함한 기타 방법도 낮은 수율 및 긴 정제 시간의 단점이 있어 이를 개선한 고효율의 탄소나노튜브 정제법이 필요하다.
본 발명은, 상기 종래 기술의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서,
탄소나노튜브 고유의 우수한 특성을 유지하면서, 짧은 공정시간 동안 금속 촉매입자, 비정질 탄소 등의 불순물을 효과적으로 제거하는 탄소나노튜브의 정제 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기의 방법으로 정제되어 물리적 내구성이 우수하고, 화학적, 구조적 결함을 최소화한 탄소나노튜브를 연료전지의 막전극접합체에 사용함으로써 우수한 내구성 및 효율을 갖는 연료전지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은,
1) 탄소나노튜브를 농도 2M 미만의 산 수용액에 침지하여 산화하는 단계;
2) 상기 1) 단계의 산 수용액에 침지된 탄소나노튜브에 초음파를 조사하여 분산시키는 단계;
3) 상기 2) 단계에서 분산된 탄소나노튜브를 산 처리하는 단계;
4) 상기 3) 단계에서 산 처리된 탄소나노튜브를 진공 여과하는 단계; 및
5) 상기 4) 단계에서 진공 여과된 탄소나노튜브를 열처리하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브의 정제 방법을 제공한다.
본 발명의 탄소나노튜브의 정제 방법을 이용하면, 탄소나노튜브에 포함될 수 있는 탄소로 코팅된 금속 촉매입자, 탄소 나노입자 및 비정질 탄소 등의 다양한 불순물을 짧은 시간 안에 효과적으로 제거하면서도, 탄소나노튜브의 화학적, 구조적 결함을 발생시키지 않는 정제 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 탄소나노튜브의 정제 방법은 단일벽, 이중벽 또는 다중벽 탄소나노튜브의 정제에 모두 적용 가능하다.
도 1은 실시예 1에 따라 정제된 탄소나노튜브의 배율(x10,000, x20,000, x20,000, x40,000)에 따른 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
도 2는 비교예 1에 따라 정제된 탄소나노튜브의 배율(x10,000, x20,000, x20,000, x40,000)에 따른 SEM 사진이다.
도 3은 비교예 2에 따라 정제된 탄소나노튜브의 배율(x10,000, x20,000, x20,000, x40,000)에 따른 SEM 사진이다.
도 4는 비교예 3에 따라 정제된 탄소나노튜브의 배율(x10,000, x20,000, x20,000, x40,000)에 따른 SEM 사진이다.
도 5는 비교예 4에 따라 정제된 탄소나노튜브의 배율(x10,000, x20,000, x40,000, x80,000)에 따른 SEM 사진이다.
도 6은 실시예 1에 따라 정제된 탄소나노튜브의 배율 (A) x80,000, (B) x40,000에 따른 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
도 2는 비교예 1에 따라 정제된 탄소나노튜브의 배율(x10,000, x20,000, x20,000, x40,000)에 따른 SEM 사진이다.
도 3은 비교예 2에 따라 정제된 탄소나노튜브의 배율(x10,000, x20,000, x20,000, x40,000)에 따른 SEM 사진이다.
도 4는 비교예 3에 따라 정제된 탄소나노튜브의 배율(x10,000, x20,000, x20,000, x40,000)에 따른 SEM 사진이다.
도 5는 비교예 4에 따라 정제된 탄소나노튜브의 배율(x10,000, x20,000, x40,000, x80,000)에 따른 SEM 사진이다.
도 6은 실시예 1에 따라 정제된 탄소나노튜브의 배율 (A) x80,000, (B) x40,000에 따른 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
이하 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명은 탄소나노튜브를 정제하는 방법에 관한 것으로 탄소나노튜브 제조 시 필연적으로 포함되는 탄소로 코팅된 금속 촉매입자, 탄소 나노입자, 비정질 탄소 입자 및 이에 국한되지 않는 다양한 불순물을 제거하여 고순도의 탄소 나노튜브를 얻는 방법을 제공한다. 상기 탄소나노튜브는 고순도가 요구되는 연료전지의 막전극접합체(Membrane Electrode Assembly, MEA)에 사용되는 것일 수 있으며 그 정제 방법으로서,
1) 탄소나노튜브를 농도 2M 미만의 산 수용액에 침지하여 산화하는 단계;
2) 상기 1) 단계의 산 수용액에 침지된 탄소나노튜브에 초음파를 조사하여 분산시키는 단계;
3) 상기 2) 단계에서 분산된 탄소나노튜브를 산 처리하는 단계;
4) 상기 3) 단계에서 산 처리된 탄소나노튜브를 진공 여과하는 단계; 및
5) 상기 4) 단계에서 진공 여과된 탄소나노튜브를 열처리하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브의 정제 방법을 제공한다.
본 발명의 탄소나노튜브 정제 방법은 단일벽, 이중벽 및 다중벽 탄소나노튜브로부터 선택되는 1종 이상에 적용 가능하며, 그 직경은 10 내지 100nm일 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 1) 단계는 탄소나노튜브를 산 수용액에 침지시켜 산화하는 단계로, 상기 산 수용액은 농도 2M 미만의 산 수용액이며, 보다 바람직하게는 1M 내지 1.2M의 산 수용액일 수 있다. 만약 농도가 2M 이상인 산 수용액을 이용할 경우 탄소나노튜브가 파괴 또는 손실되는 문제가 있어 바람직하지 않다. 상기 산 수용액으로는 예를 들면, 황산 수용액, 질산 수용액 또는 이에 한정하지 않는 다양한 종류의 산 수용액을 사용하여도 무방하다.
상기 1) 단계 공정을 통해, 금속 촉매 등의 불순물을 제거하고, 탄소나노튜브 표면에 옥사이드(oxide)기, 카르복시기 등의 관능기를 생성하도록 함으로써 이후 초음파 조사 공정에서 탄소나노튜브의 분산을 돕는다.
2) 단계에서는 상기 1) 단계에서 수용액에 침지된 탄소나노튜브에 초음파를 조사한다. 정제하고자 하는 탄소나노튜브에 초음파 조사를 통하여 탄소나노튜브에 포함된 금속 촉매 입자, 탄소 나노 입자 및 비정질 탄소 등의 불순물을 분산시켜 정제를 용이하도록 하여, 정제에 소요되는 시간을 단축하고 전체 공정 시간을 줄이는 장점이 있다.
이때, 조사하는 초음파로는 마이크로파를 이용할 수 있으나 이에 한정하지 않으며, 초음파의 조사 시간은 5 내지 120 분이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30 내지 60분이 좋다. 초음파 조사 시간이 상기한 범위 이내일 경우 탄소나노튜브의 내구성에 영향을 미치지 않으면서도 우수한 분산이 이루어지므로 바람직하다.
상기 2) 단계의 초음파 조사는 탄소나노튜브가 농도 2M 미만의 산 수용액에 침지된 상태로 수행되는데, 이때 상기 탄소나노튜브가 침지된 산 수용액에 용매로서 유기용매를 더 첨가하는 것이 바람직하다. 유기용매를 포함하지 않는 수용액에 침지된 탄소나노튜브에 초음파를 조사할 경우, 분산된 입자의 재응집(re-aggregation)이 발생하는 문제가 있을 수 있다. 상기 산 수용액에 유기용매를 첨가한 뒤 초음파를 조사하는 경우, 이러한 응집을 방지할 수 있어 탄소나노튜브를 보다 고순도로 정제할 수 있으므로 바람직하다.
상기 유기용매로는 알코올류 용매를 사용하는 것이 바람직할 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 상기 알코올류 용매로는 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부탄다이올, 펜탄다이올, 헥산다이올, 네오펜틸글리콜, 다이에틸렌글리콜, 벤젠 다이올 및 헥사데칸다이올로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
상기 유기용매를 산 수용액에 첨가할 경우, 산 수용액과 유기용매의 혼합비는 2: 8 내지 3: 7의 부피비인 것이 바람직하다. 부피비가 상기와 같은 범위 이내일 경우 분산이 보다 잘 이루어지며, 비용의 낭비가 없으므로 바람직하다.
3) 단계에서는, 상기 2) 단계에서 초음파 조사에 의해 탄소나노튜브가 분산된 용액에 산을 첨가함으로써 탄소나노튜브를 산 처리한다. 상기 산 처리를 통하여 불순물로 존재할 수 있는 금속물질 또는 비정질 탄소 등을 용해하여 제거할 수 있다.
상기 산으로는 염산(HCl), 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 시트르산 및 카르복실산 등을 들 수 있으나 이에 한정하지 않으며, 이로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다. 상기 3) 단계의 산 처리시 산의 사용량은 pH를 이용하여 조절할 수 있는데, 산을 적가하는 탄소나노튜브가 침지된 용액의 pH가 바람직하게는 0.1 내지 4가 되도록 산을 처리하는 것이 좋다. pH가 0.1 미만일 경우 정제하려는 탄소나노튜브가 손상될 우려가 있고, pH가 4를 초과하는 경우 불순물 용해가 잘 이루어지지 않는 문제가 있다.
또한, 이때 탄소나노튜브가 침지된 용액에 적가하는 산은 희석하지 않은 것이 바람직할 수 있다.
상기 3) 단계에서 탄소나노튜브가 침지된 용액에 산을 첨가한 뒤 침지시키는 산 처리 시간은 30분 내지 8일이 바람직하며, 2 내지 72 시간이 보다 바람직할 수 있다. 산 처리하는 시간이 30분 미만인 경우 불순물의 용해 정도가 부족하고, 8일을 초과할 경우 탄소나노튜브에 결점이 생길 수 있으므로 30 분 내지 8일이 바람직하다.
또한, 상기 산 처리시 용액의 온도는 20 내지 250℃인 것이 바람직하며, 140 내지 250℃인 것이 보다 바람직하다. 산 처리시 온도가 20℃ 미만일 경우 불순물을 용해 정도가 부족하고, 250℃를 초과하는 경우에는 탄소나노튜브에 결함이 생길 우려가 있다.
4) 단계에서는 상기 3) 단계에서 산 처리 된 탄소나노튜브가 포함된 용액을 진공 여과(vacuum filtration)를 통해 걸러내어 여과된 탄소나노튜브를 얻는다. 상기의 진공 여과는 일례로서 진공 펌프를 이용하여 감압하고, 1 내지 1.6 μm 포어사이즈를 갖는 글래스필터를 통해 여과하는 방법으로 수행될 수 있다.
상기 4) 단계의 진공 여과를 통해 나노 사이즈의 금속 촉매 및 탄소 나노 파티클을 제거할 수 있다.
상기 4) 단계 이후, 여과된 탄소나노튜브를 건조하는 공정을 더 포함하는 것도 가능하다.
이러한 공정을 통하여 얻어지는 탄소나노튜브는 상기 3) 단계의 산 처리 공정으로 인해 양성화(protonation)되어 있거나, 카르복시기와 같은 기능기가 붙어있을 수 있다. 이 때문에, 양성화되거나 기능기가 붙은 탄소나노튜브를 열처리함으로써 탄소나노튜브를 중성화(neutralization)하고, 기능기를 제거하여 정제할 수 있도록 한다.
즉, 5) 단계에서는 상기 4) 단계에서 여과된 탄소나노튜브를 열처리하는 공정을 실시한다.
열처리를 위하여, 상기 4) 단계에서 여과된 탄소나노튜브를 세라믹 보트에 담고 가열로 내에 넣은 후, 가열로에 구비된 가스 주입구를 통해 가열로 내로 수증기가 포함된 불활성 기체를 약 300 내지 1,000 sccm의 유량으로 흘려준다. 상기 불활성 기체로는 아르곤 기체, 질소 기체 등을 들 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
상기 가열로 내의 온도는 300 내지 900℃인 것이 바람직하며, 600 내지 800℃인 것이 보다 바람직하다. 상기한 범위 이내의 온도로 가열하여 탄소나노튜브를 열처리함으로써 효과적으로 기능기를 제거하고, 중성화할 수 있다.
이때, 상기 열처리 시간은 10 내지 120분인 것이 바람직하며, 60 내지 90분인 것이 보다 바람직하다.
이후, 온도를 낮추어줌으로써 정제된 탄소나노튜브를 얻을 수 있다.
즉, 본 발명의 탄소나노튜브의 정제 방법을 통하여 고순도로 정제된 탄소나노튜브를 사용하여 제조된 연료전지도 본 발명의 범위에 포함되며, 상기 연료전지의 제조 방법은 당해 분야에서 사용되는 통상적인 방법을 사용하는 것이 가능하다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않으며, 다양하게 수정 및 변경될 수 있다. 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해질 것이다.
<
실시예
및
비교예
> 탄소나노튜브의 정제
실시예
1.
정제에 사용한 탄소나노튜브: 평균 직경 64.2nm, 단일벽 탄소나노튜브
1) 정제하고자 하는 탄소나노튜브 20mg을 1M의 묽은 황산 수용액 30mL에 침지하였다.
2) 이후, 상기 묽은 황산 수용액에 침지된 탄소나노튜브에 유기용매로 에탄올 70mL를 첨가하여 잘 혼합하고, 마이크로파를 60분간 조사하여 탄소나노튜브를 분산시켰다.
3) 여기에 질산을 넣어 pH가 1 이 되도록 하였다. 산 처리는 용액의 온도를 200℃로 유지한 상태에서 16 시간 동안 진행하였다.
4) 이후, 진공 펌프를 이용하여 감압 상태에서 1.5μm의 포어사이즈를 갖는 글래스필터를 이용해 여과하였다.
5) 여과된 탄소나노튜브는 건조하는 과정 없이 세라믹 보트에 담고 가열로 내에 넣어 열처리하였다. 가열로에 구비된 가스 주입구를 이용하여 가열로 내로 수증기가 포함된 질소 가스를 약 400 sccm의 유량으로 흘려주었다. 가열로 내의 온도는 700℃로 설정하였으며, 열처리는 1시간 동안 진행하였다.
이후, 온도를 상온으로 내려줌으로써 정제된 탄소나노튜브 18.3mg을 얻었다.
비교예
1~3.
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 탄소나노튜브를 정제하되, 하기 표 1에 기재된 조건을 반영하여 진행하였다.
| 구분 | 황산 수용액 농도(M) | 처리 시간(시간) | 처리 온도(℃) | ||
| 2) 초음파조사 | 3) 산 처리 | 5) 열처리 | 산 처리 | 열처리 | |
| 실시예 1 | 1 | 16 | 1 | 200 | 700 |
| 비교예 1 | X | X | X | - | - |
| 비교예 2 | 0.5 | 8 | X | 80 | - |
| 비교예 3 | 0.5 | 8 | X | 200 | - |
| 비교예 4 | 2 | 8 | 1 | 200 | 700 |
주) "X" 는 진행하지 않은 단계임.
<
실험예
>
실험예
1. ICP-MS를 통한 탄소나노튜브 내 불순물 분석
상기 실시예 1 및 비교예 1~4에서 정제된 탄소나노튜브에 포함된 불순물 함량을 ICP-MS(제조사: 퍼킨엘머 OPTIMA 8300)을 통해 분석하여 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
또한, 상기 실시예 1 및 비교예 1~4에서 정제된 탄소나노튜브를 주사전자현미경(SEM)을 통해 관찰하여 도 1~6에 나타내었다.
| 구분(중량) | Ni | Mo | Mg | Al | Fe | 합계 |
| 실시예 1 | 27 | 10 | 14 | 336 | 150 | 537 |
| 비교예 1 | 44,100 | 1,600 | - | 12,800 | - | 58,500 |
| 비교예 2 | 8,700 | 700 | - | 8,200 | 200 | 17,800 |
| 비교예 3 | 3,300 | 500 | 33 | 4,100 | 57 | 7,990 |
| 비교예 4 | 6,800 | 3,600 | - | 16,500 | - | 26,900 |
상기 표 2의 결과를 통해 알 수 있듯이, 본 발명의 탄소나노튜브 정제 방법으로 정제된 실시예 1의 탄소나노튜브의 경우, 불순물의 함량이 비교예 1~4에 비해 현저하게 낮은 것을 확인하였다.
또한, 도 1~6을 통해 실시예 1의 탄소나노튜브의 불순물 제거 정도가 비교예와 비교해 우수할 뿐만 아니라, 탄소나노튜브의 손상도 발생하지 않았음을 확인할 수 있었다. 반면, 2M 농도 이상의 산 수용액에 침지하여 산화한 후 초음파 조사한 비교예 4의 경우(도 5), 탄소나노튜브가 끊기고 표면이 손상된 것을 확인하였다.
Claims (10)
1) 탄소나노튜브를 농도 2M 미만의 산 수용액에 침지하여 산화하는 단계;
2) 상기 1) 단계의 산 수용액에 침지된 탄소나노튜브에 초음파를 조사하여 분산시키는 단계;
3) 상기 2) 단계에서 분산된 탄소나노튜브를 산 처리하는 단계;
4) 상기 3) 단계에서 산 처리된 탄소나노튜브를 진공 여과하는 단계; 및
5) 상기 4) 단계에서 진공 여과된 탄소나노튜브를 열처리하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
2) 상기 1) 단계의 산 수용액에 침지된 탄소나노튜브에 초음파를 조사하여 분산시키는 단계;
3) 상기 2) 단계에서 분산된 탄소나노튜브를 산 처리하는 단계;
4) 상기 3) 단계에서 산 처리된 탄소나노튜브를 진공 여과하는 단계; 및
5) 상기 4) 단계에서 진공 여과된 탄소나노튜브를 열처리하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 2) 단계의 산 수용액에 유기용매를 더 첨가한 뒤 초음파를 조사하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
상기 2) 단계의 산 수용액에 유기용매를 더 첨가한 뒤 초음파를 조사하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
청구항 2에 있어서,
상기 유기용매는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부탄다이올, 펜탄다이올, 헥산다이올, 네오펜틸글리콜, 다이에틸렌글리콜, 벤젠 다이올 및 헥사데칸다이올로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
상기 유기용매는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부탄다이올, 펜탄다이올, 헥산다이올, 네오펜틸글리콜, 다이에틸렌글리콜, 벤젠 다이올 및 헥사데칸다이올로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 2) 단계의 초음파 조사는 5 내지 120 분 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
상기 2) 단계의 초음파 조사는 5 내지 120 분 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 3) 단계의 산 처리시 사용하는 산은 염산(HCl), 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 시트르산 및 카르복실산으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
상기 3) 단계의 산 처리시 사용하는 산은 염산(HCl), 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 시트르산 및 카르복실산으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 3) 단계의 산 처리는 20 내지 250℃의 온도에서, 30분 내지 8일 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
상기 3) 단계의 산 처리는 20 내지 250℃의 온도에서, 30분 내지 8일 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 5) 단계의 열처리는 300 내지 900℃에서, 10 내지 120분 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
상기 5) 단계의 열처리는 300 내지 900℃에서, 10 내지 120분 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 탄소나노튜브는 단일벽, 이중벽 및 다중벽 탄소나노튜브로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
상기 탄소나노튜브는 단일벽, 이중벽 및 다중벽 탄소나노튜브로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 탄소나노튜브의 직경은 10 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
상기 탄소나노튜브의 직경은 10 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 정제 방법.
청구항 1의 정제 방법으로 정제된 탄소나노튜브를 사용하여 제조된 연료전지.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150168637A KR20170062892A (ko) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 연료전지용 탄소나노튜브의 정제 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150168637A KR20170062892A (ko) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 연료전지용 탄소나노튜브의 정제 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170062892A true KR20170062892A (ko) | 2017-06-08 |
Family
ID=59221747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150168637A KR20170062892A (ko) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 연료전지용 탄소나노튜브의 정제 방법 |
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| Country | Link |
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| KR (1) | KR20170062892A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022005163A1 (ko) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | 한국생산기술연구원 | 이온성 액체를 이용한 탄소나노튜브의 정제방법 |
| KR20220002127A (ko) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | 한국생산기술연구원 | 이온성 액체를 이용한 탄소나노튜브의 정제방법 |
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2015
- 2015-11-30 KR KR1020150168637A patent/KR20170062892A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022005163A1 (ko) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | 한국생산기술연구원 | 이온성 액체를 이용한 탄소나노튜브의 정제방법 |
| KR20220002127A (ko) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | 한국생산기술연구원 | 이온성 액체를 이용한 탄소나노튜브의 정제방법 |
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