KR20170053750A - 삼차원 형광층 제조 장비 - Google Patents

삼차원 형광층 제조 장비 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수평 프레임, 상기 수평 프레임의 하부에 배치되어 상기 수평 프레임을 지지하는 베이스 및 상기 수평 프레임의 소정의 영역 내에 상기 수평 프레임의 수직 방향으로 삼차원 형광층의 형상대로 관통되어 뚫려 있는 삼차원 형광층 패턴홀을 포함하는 삼차원 형광층 제조 장비를 포함한다.

Description

삼차원 형광층 제조 장비{Apparatus for fabricating three dimensional Fluorescent Layer}
본 발명은 삼차원 형광층 제조 장비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광 다이오드의 측면과 상면으로부터 발광되는 빛의 파장을 변이시켜 발광 다이오드의 측면과 상면이 제공하는 빛을 백색광으로 변환시키는 삼차원 형광층 제조 장비에 관한 것이다.
요즘 GaN에 Al 또는 In을 첨가한 발광 다이오드는 종래의 백열등에 비해 긴 수명, 낮은 전력 소비, 우수한 밝기, 인체에 유해하지 않은 환경 친화적 요소 등으로 인하여 주목받고 있으며, 특히 CSP(Chip Scale Package)를 채용하여 백색광을 제공하는 발광 다이오드 칩이 더욱 더 각광받고 있다.
상술한 CSP(Chip Scale Package)에 적용된 발광 다이오드는 측면과 상면에서 청색이 발광되며, 발광된 청색광을 백색광을 변환하기 위해서는 발광 다이오드의 측면과 상면에 형광층을 배치시켜야만 한다.
종래의 CSP는 발광 다이오드를 배열하고 형광체와 수지재를 코팅한 후에 다이싱(Dicing) 공정 혹은 연마(Grinding) 공정을 거친 후에 제조되었다. 상술한 다이싱 공정이나 연마 공정을 수행하기 위해서는 수지재의 경도가 유리의 경도와 비슷한 정도인 것이 바람직하다. 경도가 유리보다 상당히 낮은 수지재를 사용하는 경우 다이싱 공정이나 연마 공정을 수행하는 과정에서 수지재가 파손되는 빈도가 높았다. 경도가 유리와 비슷한 수지재가 사용되는 경우에는 수지재의 높은 경도로 인하여 고출력 발광 다이오드 발광시에 수지재에 크랙(Crack)이 발생하여 심각한 신뢰성 문제를 발생시켰다.
한편, 대한민국 공개특허공보 10-2008-0070193에는 수지재의 필름 면상에 형광물질이 형성되어 있는 형광필름이 게시되어 있으며, 상술한 형광필름이 발광 다이오드에 부착되는 경우에 형광물질과 수지재의 필름 사이에 정전기력(Electrostatic force)이나 접착력(Adhesive force)으로 인하여 원하는 위치에 효과적으로 부착되지 않아서 백색광의 색 편차를 줄이는 것이 어려웠으며 발광 다이오드와 형광필름의 접착력이 좋지 않아 신뢰성 문제를 발생시켰다.
또한, 상술한 형광필름은 수지재의 필름 면상에 형광물질이 형성되어 있으므로, 전극 패드가 형성되어 있는 발광 다이오드에 부착되기 위해서는 미리 전극 패드 이외의 부분에 배치될 수 있는 형상으로 재단하는 것이 별도로 필요했으며, 이로 인하여 별도의 부가적인 공정이 추가되는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 발광 다이오드 패키지를 제조할 경우 별도의 다이싱(dicing) 공정이나 연마(grinding) 공정을 수행하지 않으면서도 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸는 삼차원 형광층을 제조할 수 있는 삼차원 형광층 제조 장비를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는 수평 프레임, 상기 수평 프레임의 하부에 배치되어 상기 수평 프레임을 지지하는 베이스 및 상기 수평 프레임의 소정의 영역 내에 상기 수평 프레임의 수직 방향으로 삼차원 형광층의 형상대로 관통되어 뚫려 있는 삼차원 형광층 패턴홀을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는, 상기 수평 프레임이 빛이 투과되지 않는 비투과성 물질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는, 발광 다이오드가 상기 삼차원 형광층 패턴홀의 내부에 배치된 상태에서 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸는 삼차원 형광층이 제조될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는, 상기 삼차원 형광층이 형광체, 실리콘 및 필러를 포함할 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는 수평 프레임, 상기 수평 프레임의 하부에 배치되어 상기 수평 프레임을 지지하는 베이스 및 상기 수평 프레임의 소정의 영역 내에 상기 수평 프레임의 수직 방향으로 삼차원 형광층의 형상대로 관통되어 뚫려 있는 삼차원 형광층 패턴홀을 다수로 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는, 상기 수평 프레임이 빛이 투과되지 않는 비투과성 물질로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는, 다수의 발광 다이오드가 상기 삼차원 형광층 패턴홀 각각의 내부에 배치된 상태에서 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸는 삼차원 형광층이 제조될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는, 상기 삼차원 형광층이 형광체, 실리콘 및 필러를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는 발광 다이오드가 삼차원 형광층 패턴홀의 내부에 배치된 상태에서 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸는 삼차원 형광층이 제조되므로, 형광체가 포함된 수지재의 다이싱 공정이나 연마 공정을 수행할 필요가 없다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는 발광 다이오드가 삼차원 형광층 패턴홀의 내부에 배치된 상태에서 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸는 삼차원 형광층이 제조되므로, 형광체의 종류와 입자 크기 등에 크게 영향을 받지 않는다.
본 발명의 실시예들에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는 발광 다이오드가 삼차원 형광층 패턴홀의 내부에 배치된 상태에서 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸는 삼차원 형광층이 제조되므로, 수지제의 종류와 경도 등에 크게 영향을 받지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비의 사시도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비에 발광 다이오드가 배치된 상태에서 삼차원 형광층이 제조된 단면도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비의 사시도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비에 발광 다이오드가 배치된 상태에서 삼차원 형광층이 제조된 단면도.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는 도 1에 도시된 것처럼, 수평 프레임(12000), 베이스(11000) 및 삼차원 형광층 패턴홀(12111)을 포함하여 구성될 수 있으며, 본 발명의 다른 실시예에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는 도 3에 도시된 것처럼, 수평 프레임(22000), 베이스(21000) 및 다수의 삼차원 형광층 패턴홀(22111 내지 22114, 22121 내지 22124, 22131 내지 22134, 22141 내지 22144)을 포함하여 구성될 수 있다.
여기에서, 수평 프레임(12000, 22000)은 빛이 투과되지 않는 비투과성 물질로 형성될 수 있다. 구체적으로, 알루미늄, SUS(Steel Use Stainless) 등의 비투과성 금속 물질이나 실리콘, 실리콘 옥사이드 등 비투과성 절연 물질로 형성될 수 있다. 상술한 것처럼, 수평 프레임(12000, 22000)을 빛이 투과되지 않은 비투과성 물질로 형성하면, 삼차원 형광층 패턴홀(12111, 22111 내지 22114, 22121 내지 22124, 22131 내지 22134, 22141 내지 22144)에서 삼차원 형광층(13110, 23110, 23210, 23310, 23410)을 제조한 뒤에 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)에서 발광되는 빛을 삼차원 형광층(13110, 23110, 23210, 23310, 23410)에 투과시켜 형광층을 통과한 빛의 특성을 테스트를 수행하는 경우에 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)에서 발광되는 빛이 수평 프레임(12000, 22000)에는 투과되지 아니하고, 삼차원 형광층(13110, 23110, 23210, 23310, 23410)에만 투과되므로, 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)의 발광 특성 테스트를 효과적으로 수행할 수 있다. 상술한 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)는 플립 칩 타입의 발광 다이오드, 래터럴 타입의 발광 다이오드, 버티컬 타입의 발광 다이오드 등을 포함하여 다양한 타입의 발광 다이오드가 채용될 수 있다.
한편, 베이스(11000, 21000)는 수평 프레임(12000, 22000)의 하부에 배치되어 상기 수평 프레임(12000, 22000)을 지지하고, 다수의 삼차원 형광층 패턴홀(12111, 22111 내지 22114, 22121 내지 22124, 22131 내지 22134, 22141 내지 22144)은 상기 수평 프레임(12000, 22000)의 소정의 영역 내에 상기 수평 프레임(12000, 22000)의 수직 방향으로 삼차원 형광층(13110, 23110, 23210, 23310, 23410)의 형상대로 관통되어 뚫려 있으며, 이러한 삼차원 형광층 패턴홀(12111, 22111 내지 22114, 22121 내지 22124, 22131 내지 22134, 22141 내지 22144)은 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)의 형상과 동일하게 형성될 수 있다. 즉, 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)의 형상이 사각형인 경우에는 삼차원 형광층 패턴홀(12111, 22111 내지 22114, 22121 내지 22124, 22131 내지 22134, 22141 내지 22144)도 사각형이고, 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)의 형상이 원형인 경우에는 삼차원 형광층 패턴홀(12111, 22111 내지 22114, 22121 내지 22124, 22131 내지 22134, 22141 내지 22144)도 원형이다.
본 발명의 실시예들에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는 도 2 또는 도 4에 도시된 것처럼, 다수의 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)가 상기 삼차원 형광층 패턴홀(12111, 22111 내지 22114, 22121 내지 22124, 22131 내지 22134, 22141 내지 22144) 각각의 내부에 배치된 상태에서 상기 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)의 측면과 상면을 둘러싸는 삼차원 형광층(13110, 23110, 23210, 23310, 23410)이 제조되며, 상기 삼차원 형광층(13110, 23110, 23210, 23310, 23410)은 형광체, 실리콘 및 필러를 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)가 삼차원 형광층 패턴홀(12111, 22111 내지 22114, 22121 내지 22124, 22131 내지 22134, 22141 내지 22144)의 내부에 배치된 상태에서 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)의 측면과 상면을 둘러싸는 삼차원 형광층(13110, 23110, 23210, 23310, 23410)이 제조되므로, 형광체가 포함된 수지재의 다이싱 공정이나 연마 공정을 수행할 필요가 없다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)가 삼차원 형광층 패턴홀(12111, 22111 내지 22114, 22121 내지 22124, 22131 내지 22134, 22141 내지 22144)의 내부에 배치된 상태에서 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)의 측면과 상면을 둘러싸는 삼차원 형광층(13110, 23110, 23210, 23310, 23410)이 제조되므로, 형광체의 종류와 입자 크기 등에 크게 영향을 받지 않는다.
본 발명의 실시예들에 따른 삼차원 형광층 제조 장비는 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)가 삼차원 형광층 패턴홀(12111, 22111 내지 22114, 22121 내지 22124, 22131 내지 22134, 22141 내지 22144)의 내부에 배치된 상태에서 발광 다이오드(13100, 23100, 23200, 23300, 23400)의 측면과 상면을 둘러싸는 삼차원 형광층(13110, 23110, 23210, 23310, 23410)이 제조되므로, 수지제의 종류와 경도 등에 크게 영향을 받지 않는다.
이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다.
오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
12000, 22000 : 수평 프레임
11000, 21000 : 베이스
12111, 22111 내지 22114, 22121 내지 22124, 22131 내지 22134, 22141 내지 22144 : 삼차원 형광층 패턴홀

Claims (8)

  1. 수평 프레임;
    상기 수평 프레임의 하부에 배치되어 상기 수평 프레임을 지지하는 베이스; 및
    상기 수평 프레임의 소정의 영역 내에 상기 수평 프레임의 수직 방향으로 삼차원 형광층의 형상대로 관통되어 뚫려 있는 삼차원 형광층 패턴홀을 포함하는 삼차원 형광층 제조 장비.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수평 프레임은 빛이 투과되지 않는 비투과성 물질로 형성되는 삼차원 형광층 제조 장비.
  3. 제1항에 있어서,
    발광 다이오드가 상기 삼차원 형광층 패턴홀의 내부에 배치된 상태에서 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸는 삼차원 형광층이 제조되는 삼차원 형광층 제조 장비.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 삼차원 형광층은 형광체, 실리콘 및 필러를 포함하는 삼차원 형광층 제조 장비.
  5. 수평 프레임;
    상기 수평 프레임의 하부에 배치되어 상기 수평 프레임을 지지하는 베이스; 및
    상기 수평 프레임의 소정의 영역 내에 상기 수평 프레임의 수직 방향으로 삼차원 형광층의 형상대로 관통되어 뚫려 있는 삼차원 형광층 패턴홀을 다수로 포함하는 삼차원 형광층 제조 장비.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 수평 프레임은 빛이 투과되지 않는 비투과성 물질로 형성되는 삼차원 형광층 제조 장비.
  7. 제5항에 있어서,
    다수의 발광 다이오드가 상기 삼차원 형광층 패턴홀 각각의 내부에 배치된 상태에서 상기 발광 다이오드의 측면과 상면을 둘러싸는 삼차원 형광층이 제조되는 삼차원 형광층 제조 장비.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 삼차원 형광층은 형광체, 실리콘 및 필러를 포함하는 삼차원 형광층 제조 장비.
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KR101104034B1 (ko) * 2007-12-06 2012-01-09 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드, 발광장치 및 그 제조방법
JP5463901B2 (ja) * 2009-12-24 2014-04-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101253586B1 (ko) * 2010-08-25 2013-04-11 삼성전자주식회사 형광체 필름, 이의 제조방법, 형광층 도포 방법, 발광소자 패키지의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR101516287B1 (ko) * 2013-09-27 2015-05-04 (주)라이타이저코리아 형광층 배치 방법
JP6172455B2 (ja) * 2013-10-07 2017-08-02 豊田合成株式会社 発光装置

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