KR20170048473A - Composition for organic electroluminescent elements, organic electroluminescent element, display device and lighting device - Google Patents

Abstract

본 발명은, 보존 안정성이나 성막 프로세스 안정성이 높은 유기 전계 발광 소자용 조성물, 이 조성물을 이용하여 제작한 전류 효율이 높은 유기 전계 발광 소자, 및, 이 유기 전계 발광 소자를 이용한 표시 장치 및 조명 장치를 제공한다. 본 발명은 적어도 인광 발광 재료, 전하 수송성 화합물 및, 페놀성 수산기를 가지며 이 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때에 2-위치, 4-위치, 6-위치에는 어느 2개에만 치환기를 갖는 페놀성 화합물을 함유하는 유기 전계 발광 소자용 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a composition for an organic electroluminescent device having high storage stability and film forming process stability, a high current efficiency organic electroluminescent device manufactured using the composition, and a display device and a lighting device using the organic electroluminescent device to provide. The present invention relates to a phenolic resin composition which has at least a phosphorescent light-emitting material, a charge-transporting compound, and a phenolic hydroxyl group and has a phenolic hydroxyl group having a substituent at only two of the 2-, 4- and 6- And to a composition for an organic electroluminescence device containing the compound.

Description

유기 전계 발광 소자용 조성물, 유기 전계 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치{COMPOSITION FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENTS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to a composition for an organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device, a display device, and a lighting device,

본 발명은 유기 전계 발광 소자용 조성물에 관한 것으로, 효율이 높은 유기 전계 발광 소자를 제공하기 위한 유기 전계 발광 소자용 조성물, 이 조성물을 이용하여 제조되는 유기 전계 발광 소자, 및 이 유기 전계 발광 소자를 포함하는 표시 장치 및 조명 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a composition for an organic electroluminescent device, and more particularly, to a composition for an organic electroluminescent device for providing an organic electroluminescent device with high efficiency, an organic electroluminescent device manufactured using the composition, The present invention relates to a display device and a lighting device.

최근, 유기 전계 발광 조명(유기 EL 조명)이나 유기 전계 발광 디스플레이(유기 EL 디스플레이) 등, 유기 전계 발광 소자(이하, 「유기 EL 소자」로 칭하는 경우도 있음)를 이용하는 각종 전자 디바이스가 실용화되고 있다. 유기 EL 패널은, 인가 전압이 낮고 소비 전력이 작고, 면발광이며, 삼원색 발광도 가능하다는 점에서, 조명이나 디스플레이에 대한 적용이 활발하게 검토되고 있다. 또한, 제조 비용의 저감이나, 대면적의 유기 EL 패널을 이용한 전자 디바이스의 실용화가 요구되고 있다. 2. Description of the Related Art Various electronic devices using organic electroluminescent devices (hereinafter sometimes referred to as " organic EL devices ") such as organic electroluminescent illumination (organic EL illumination) and organic electroluminescence display . The organic EL panel has been actively studied for application to illumination and display in that it has a low applied voltage, low power consumption, surface emission, and three primary colors. In addition, reduction of manufacturing costs and practical use of electronic devices using large-area organic EL panels are required.

한편, 그 실용화에 대해서는, 장수명화, 고효율화가 한층 더 요구되고 있다. 유기 전계 발광 소자는, 양극 및 음극으로부터 주입된 전하가 발광층 상에서 재결합을 일으키고, 여기자가 발생함으로써 발광한다. 그 때문에, 효율 향상의 수단으로서, 발광층 내에 주입된 전하의 가둠이 유효하다. 대표적인 수법으로서는, 발생한 여기자의 확산을 방지하는 방법이 있고, 발광층의 음극측 인접층에 여기자 확산 방지층을 형성하는 것(특허문헌 1)을 들 수 있다. On the other hand, with respect to the practical use, longevity and high efficiency are required more and more. In the organic electroluminescent device, the charges injected from the positive electrode and the negative electrode recombine on the light emitting layer, and excitons are generated to emit light. Therefore, as means for improving the efficiency, the confinement of the charge injected into the light emitting layer is effective. As a typical method, there is a method of preventing the diffusion of generated excitons, and a method of forming an exciton diffusion preventing layer in an adjacent layer on the cathode side of the light emitting layer (Patent Document 1).

발광층 내부에서 고효율화를 실현하기 위한 전하를 발광층 내에 가두는 수법으로서는, 전하 포착성이 있는 재료를 발광층에 이용하는 수단을 생각할 수 있다. 이것을 실현하는 수단의 하나로서, 헤테로 원자가 갖는 고립 전자쌍에 의해 전하를 포착하여 가두는 방법을 생각할 수 있다. 고립 전자쌍을 갖는 헤테로 원자를 갖는 화합물로서, 예컨대 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 그 페놀성 수산기를 갖는 화합물은, 종래 산화 방지제로서 이용되어 왔다(특허문헌 2, 특허문헌 3).As a method for confining charge inside the light emitting layer for achieving high efficiency in the light emitting layer, a means of using a charge trapping material in the light emitting layer can be considered. As a means for realizing this, a method of trapping and trapping charges by a lone pair of electrons possessed by a hetero atom can be considered. Examples of the compound having a heteroatom having a lone pair of electrons include a compound having a phenolic hydroxyl group. The compound having a phenolic hydroxyl group has been conventionally used as an antioxidant (Patent Document 2, Patent Document 3).

또한, 특허문헌 4에서는, 페놀계 산화 방지제가 잔존하면 외부 양자 효율 등의 유기 EL 소자 성능이 저하되기 때문에, 잔존하지 않는 산화 방지제를 이용하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 5에서는, 페놀성 수산기를 갖는 화합물인 안정화제는 소자 성능을 대폭 열화시키기 때문에, 제거하는 것이 기재되어 있다. Further, in Patent Document 4, it is described that, if the phenolic antioxidant remains, the performance of the organic EL element such as external quantum efficiency is deteriorated, and therefore, an antioxidant that does not remain is used. In Patent Document 5, it is described that the stabilizer, which is a compound having a phenolic hydroxyl group, is removed because it significantly deteriorates the performance of the device.

특허문헌 1 : 국제 공개 제2012/070226호Patent Document 1: International Publication No. 2012/070226 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 평10-255981호 공보Patent Document 2: JP-A-10-255981 특허문헌 3 : 일본 특허 공개 제2004-088094호 공보Patent Document 3: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-088094 특허문헌 4 : 일본 특허 공개 제2013-165089호 공보Patent Document 4: JP-A-2013-165089 특허문헌 5 : 일본 특허 공개 제2013-060396호 공보Patent Document 5: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-060396

그러나, 특허문헌 2, 3에 기재된 바와 같이 페놀성 수산기를 갖는 화합물을, 인광 발광 재료를 포함하는 발광층의 재료와 공존시킨 경우, 특성의 악화를 야기할 가능성을 생각할 수 있다. 그 때문에, 특허문헌 4, 5에도 기재된 바와 같이, 페놀성 수산기를 갖는 화합물은 인광 발광 재료를 포함하는 발광 재료에 미치는 악영향을 피하기 위해, 제거하는 것이 전제가 되고 있다. However, when a compound having a phenolic hydroxyl group is coexisted with a material for a light-emitting layer containing a phosphorescent light-emitting material as described in Patent Documents 2 and 3, there is a possibility of causing deterioration of characteristics. Therefore, as described in Patent Documents 4 and 5, a compound having a phenolic hydroxyl group has to be removed in order to avoid adverse effects on a light-emitting material including a phosphorescent light-emitting material.

즉, 당업자에게는 이러한 악영향을 미치는 화합물은 제거되어 잔존하지 않는 것이 바람직하다고 생각되었다. 이러한 기술 배경에 의해 적극적으로 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 이용하는 것, 나아가 전하를 가두는 등의 수단은 실시되지 않았던 것이다.That is, it has been considered to be desirable for those skilled in the art that the compound having such an adverse effect is not removed and remained. These technical backgrounds have not employed a method of actively using a compound having a phenolic hydroxyl group, or further imprisoning a charge.

따라서, 본 발명에 있어서, 효율이 높은 유기 전계 발광 소자에 이용하는 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a composition for use in an organic electroluminescent device having high efficiency.

본 발명자들은, 상기 과제를 감안하여 예의 검토한 결과, 놀랍게도 특정한 페놀성 화합물, 즉 페놀성 수산기를 갖고 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때에 2-위치, 4-위치, 6-위치에는 어느 2개에만 치환기를 갖는 페놀성 화합물 및, 인광 발광 재료, 전하 수송성 화합물을 적어도 함유하는 조성물을 이용하여 제작된 유기 전계 발광 소자는, 전류 효율을 손상하지 않고 오히려 전류 효율을 향상시키며, 또한 장수명화하는 효과를 얻을 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성시켰다. DISCLOSURE OF THE INVENTION The present inventors have intensively studied in view of the above problems and have found that, surprisingly, when a phenolic hydroxyl group at a 2-position, a 4-position and a 6- An organic electroluminescent device manufactured using a composition containing at least a phenolic compound having only a substituent group and at least a phosphorescent light emitting material and a charge transport compound improves the current efficiency rather than damaging the current efficiency, And the present invention has been accomplished.

또, 본 발명의 작용 기구는 이하와 같이 추정된다. The working mechanism of the present invention is estimated as follows.

발광층에 주입된 전하는, 발광층에 함유되는 전하 수송성 화합물 위를 호핑 전도하는 것에 의해 수송된다. 수산기는, 고립 전자쌍을 가지며 전자 밀도가 높기 때문에, 호핑하는 정공의 수송을 저해하여, 발광층 내에 정공을 가두는 효과를 높인다고 추정된다. The charge injected into the light emitting layer is transported by hopping conduction over the charge transporting compound contained in the light emitting layer. Since the hydroxyl group has a lone pair of electrons and has a high electron density, it is presumed that the effect of hindering the transport of holes to be hopped is enhanced and the holes are confined in the luminescent layer.

그러나, 오르토 위치의 양쪽 모두에 치환기가 존재하지 않는 경우는, 수산기가 보호되지 않는 상태가 되어, 주변의 전하 수송성 화합물이나 발광 재료에 악영향을 미친다고 생각된다. 즉, 수산기로부터 볼 때, 오르토 위치, 파라 위치는, 페놀성 수산기에 대한 영향이 크기 때문에, 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때에 2-위치, 4-위치, 6-위치에는 어느 2개에만 치환기를 가짐으로써 본 발명이 효과를 나타낸다고 생각된다. However, in the case where both substituents are not present at the ortho position, it is considered that the hydroxyl group is not protected and adversely affects the surrounding charge-transporting compound and the light emitting material. Namely, when viewed from the hydroxyl group, the ortho position and the para position have a large influence on the phenolic hydroxyl group. Therefore, when the phenolic hydroxyl group is in the 1-position, It is considered that the present invention has an effect by having a substituent.

즉, 본 발명의 요지는 이하와 같다. That is, the gist of the present invention is as follows.

1. 적어도 인광 발광 재료, 전하 수송성 화합물 및, 페놀성 수산기를 가지며 이 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때에 2-위치, 4-위치, 6-위치에는 어느 2개에만 치환기를 갖는 페놀성 화합물을 함유하는 유기 전계 발광 소자용 조성물. 1. A phenolic compound having a substituent at only two of the 2-position, 4-position and 6-position when the phenolic hydroxyl group is at the 1-position and has at least a phosphorescent material, a charge-transporting compound and a phenolic hydroxyl group Based on the total weight of the composition.

2. 상기 페놀성 화합물 중에 페놀 구조가 1개뿐인 상기 1에 기재된 유기 전계 발광 소자용 조성물. 2. The composition for an organic electroluminescent device according to the above 1, wherein the phenolic compound has only one phenolic structure.

3. 상기 페놀성 화합물이, 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때에 2-위치, 4-위치, 6-위치의 어느 2개에만 치환기를 갖고, 3-위치 및 5-위치는 무치환인 페놀성 화합물인 상기 1 또는 2에 기재된 유기 전계 발광 소자용 조성물. 3. The phenolic compound has a substituent at only two of the 2-position, 4-position and 6-position when the phenolic hydroxyl group is at the 1-position, and the 3-position and 5- Wherein R < 1 > and R < 2 >

4. 상기 치환기가, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 1∼12의 알콕시기, 탄소수 6∼18의 아릴기를 이용한 아릴옥시기, 탄소수 1∼24의 아랄킬기에서 선택되는 상기 1∼3 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계 발광 소자용 조성물. 4. The compound according to any one of the above items 1 to 3, wherein the substituent is selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms and an aralkyl group having 1 to 24 carbon atoms, Wherein the organic electroluminescent device is a liquid crystal display device.

5. 상기 치환기가, 탄소수 1∼12의 알킬기 또는 탄소수 1∼12의 알콕시기에서 선택되는 상기 1∼4 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계 발광 소자용 조성물. 5. The composition for an organic electroluminescent device according to any one of 1 to 4 above, wherein the substituent is selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.

6. 상기 페놀성 화합물이, 상기 조성물 중의 상기 전하 수송성 화합물의 총량에 대하여, 0.01 질량% 이상, 10 질량% 이하인 상기 1∼5 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계 발광 소자용 조성물. 6. The composition for an organic electroluminescent device according to any one of 1 to 5 above, wherein the phenolic compound is 0.01% by mass or more and 10% by mass or less based on the total amount of the charge-transporting compound in the composition.

7. 상기 페놀성 화합물이, 상기 조성물 중에 포함되는 상기 전하 수송성 화합물의 총량에 대하여, 0.1 질량% 이상, 1 질량% 이하인 상기 1∼6 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계 발광 소자용 조성물. 7. The composition for an organic electroluminescent device according to any one of items 1 to 6 above, wherein the phenolic compound is at least 0.1 mass% and at most 1 mass% based on the total amount of the charge-transporting compound contained in the composition.

8. 양극, 음극, 및 상기 양극과 상기 음극의 사이에 적어도 1층의 발광층을 갖는 유기 전계 발광 소자로서, 상기 발광층의 적어도 1층이, 상기 1∼7 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계 발광 소자용 조성물을 이용하여 습식 성막함으로써 형성된 유기 전계 발광 소자. 8. An organic electroluminescent device comprising an anode, a cathode, and at least one luminescent layer between the anode and the cathode, wherein at least one layer of the luminescent layer is the organic electroluminescent device according to any one of items 1 to 7 Wherein the organic layer is formed by wet film formation using a composition for a light emitting device.

9. 상기 8에 기재된 유기 전계 발광 소자를 갖는 표시 장치. 9. A display device having the organic electroluminescence device described in 8 above.

10. 상기 8에 기재된 유기 전계 발광 소자를 갖는 조명 장치. 10. An illumination device having the organic electroluminescence device described in 8 above.

본 발명의 유기 전계 발광 소자용 조성물에 의하면, 이것을 이용하여 얻어진 유기 전계 발광 소자가 고전류 효율을 나타내고, 장수명화하는 것이 가능하고, 페놀성 수산기의 특성상, 유기 전계 발광 소자용 조성물의 보존 안정성이나 성막 프로세스 안정성이 기대되고, 그 양립이 가능한 기술이며, 유기 전계 발광 소자용 조성물로서 매우 유용한 것이다. According to the composition for an organic electroluminescence device of the present invention, an organic electroluminescence device obtained using the same exhibits a high current efficiency and a long life. Due to the nature of the phenolic hydroxyl group, the storage stability of a composition for an organic electroluminescence device, Process stability is anticipated and compatible with each other, and it is very useful as a composition for an organic electroluminescence device.

도 1은, 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 구조의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the structure of an organic electroluminescence device of the present invention.

이하에, 본 발명의 실시형태를 상세히 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지의 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail, but the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made within the scope of the present invention.

<인광 발광 재료> &Lt; Phosphorescent material &

본 발명의 인광 발광 재료란, 여기 삼중항 상태로부터 발광을 나타내는 재료를 말한다. 예컨대, Ir, Pt, Eu 등을 갖는 금속 착체 화합물이 그 대표예이며, 재료의 구조로서 금속 착체를 포함하는 것이 바람직하다. The phosphorescent material of the present invention refers to a material that emits light from an excited triplet state. For example, a metal complex compound having Ir, Pt, Eu or the like is a typical example thereof, and it is preferable that the metal complex compound includes a metal complex.

금속 착체 중에서도, 삼중항 상태를 경유하여 발광하는 인광 발광성 유기 금속 착체로서, 장주기형 주기율표(이하, 특별히 언급하지 않는 한 「주기율표」라고 하는 경우에는 장주기형 주기율표를 가리키는 것으로 함) 제7∼11족에서 선택되는 금속을 중심 금속으로서 포함하는 베르너형 착체 또는 유기 금속 착체 화합물을 들 수 있다. 바람직하게는 하기 식(I) 또는 식(II)로 표시되는 화합물을 들 수 있다. Among the metal complexes, phosphorescent organic metal complexes that emit light via a triplet state include a long period periodic table (hereinafter, referred to as a &quot; periodic table &quot; As a center metal, a Werner-type complex or an organometallic complex compound. Preferably a compound represented by the following formula (I) or (II).

ML_(q-j)L'_j ㆍㆍㆍ (I)ML _(qj) L ' _j (I)

(식(I) 중, M은 금속을 나타내고, q는 상기 금속의 가수를 나타낸다. 또한, L 및 L'은 2 배위자를 나타낸다. j는 0, 1 또는 2의 수를 나타낸다. L 또는 L'이 복수인 경우, 복수의 L 또는 복수의 L'는 각각 동일해도 좋고 상이해도 좋다.)(Wherein M represents a metal, q represents a valence of the metal, L and L 'represent two ligands, j represents 0, 1 or 2. L or L' Plural L 's or a plurality of L' s may be the same or different from each other.)

(식(II) 중, M²는 금속을 나타내고, T는 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다. R⁹²∼R⁹⁵는 각각 독립적으로 치환기를 나타낸다. 단, T가 질소 원자인 경우는 R⁹⁴ 및 R⁹⁵는 없다.)(In the formula (II), M ² represents a metal, T represents a carbon atom or a nitrogen atom, R ⁹² to R ⁹⁵ each independently represent a substituent, provided that when T is a nitrogen atom, R ⁹⁴ and R There is no ^95. )

식(I)로 표시되는 화합물에 관해 설명한다. The compound represented by the formula (I) will be described.

식(I) 중, M은 주기율표 제7∼11족에서 선택되는 금속이다. 바람직하게는, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금 등을 들 수 있다. 그 중에서도 보다 바람직하게는 이리듐 또는 백금이다. 안정성이 높은 점 및 발광 효율이 높은 점에서 가장 바람직하게는 이리듐이다. In the formula (I), M is a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Preferably, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, gold and the like can be mentioned. Among them, iridium or platinum is more preferable. And most preferably iridium in terms of high stability and high luminous efficiency.

또한, 식(I) 중, 2 배위자 L은, 이하의 식(III)으로 표시되는 부분 구조를 갖는 배위자를 나타낸다. In the formula (I), the two-coordinate ligand L represents a ligand having a partial structure represented by the following formula (III).

상기 식(III)의 부분 구조에 있어서, 환 A1은, 치환기를 갖고 있어도 좋은 방향환기를 나타낸다. 본 발명에서의 방향환기는, 방향족 탄화수소환기여도 좋고 방향족 복소환기여도 좋다. In the partial structure of the formula (III), the ring A1 represents an aromatic ring which may have a substituent. The aromatic ring in the present invention may have an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocycle group.

또한, 상기 식(III)의 부분 구조에 있어서, 환 A2는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 함질소 방향족 복소환기를 나타낸다. In the partial structure of the formula (III), the ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.

또한, 식(I) 중, 2 배위자 L'는, 이하의 부분 구조를 갖는 배위자를 나타낸다. In formula (I), the two-coordinate ligand L 'represents a ligand having the following partial structure.

이들 중에서도, L'로서는, 착체의 안정성의 관점에서, 이하에 드는 배위자가 바람직하다. Among them, as L ', the following ligands are preferable from the viewpoint of stability of the complex.

식(I)로 표시되는 화합물로서, 더욱 바람직하게는, 하기 식(Ia), (Ib), (Ic)로 표시되는 화합물을 들 수 있다. As the compound represented by the formula (I), the compounds represented by the following formulas (Ia), (Ib) and (Ic) are more preferable.

(식(Ia) 중, M⁴는 M과 동일한 금속을 나타내고, w는 상기 금속의 가수를 나타내고, 환 A1은 치환기를 갖고 있어도 좋은 방향환기를 나타내고, 환 A2는 치환기를 갖고 있어도 좋은 함질소 방향족 복소환기를 나타낸다. w가 2 이상이고 환 A1 및 환 A2가 복수인 경우, 복수의 환 A1 또는 환 A2는 각각 동일해도 좋고 상이해도 좋다.)(In formula (Ia), M ⁴ represents a metal the same as M, w represents a valence of the metal, ring A1 represents an aromatic ring which may have a substituent, and ring A2 represents a nitrogen heteroaromatic When w is 2 or more and the ring A1 and the ring A2 are plural, the plural rings A1 or A2 may be the same or different.)

(식(Ib) 중, M⁵는 M과 동일한 금속을 나타내고, w-1은 상기 금속의 가수를 나타내고, 환 A1은 치환기를 갖고 있어도 좋은 방향환기를 나타내고, 환 A2는 치환기를 갖고 있어도 좋은 함질소 방향족 복소환기를 나타낸다. w가 3 이상이고 환 A1 및 환 A2가 복수인 경우, 복수의 환 A1 또는 환 A2는 각각 동일해도 좋고 상이해도 좋다.)(Formula (Ib) of, M ⁵ represents the same metal as M, w-1 represents the valence of the metal, ring A1 may have a substituent represents a good direction of ventilation, also ring A2 has may have a substituent When w is 3 or more and the ring A1 and the ring A2 are plural, the plural rings A1 or A2 may be the same or different.)

(식(Ic) 중, M⁶은 M과 동일한 금속을 나타내고, w는 상기 금속의 가수를 나타내고, j는 0, 1 또는 2를 나타내고, 환 A1 및 환 A1'는, 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 방향환기를 나타내고, 환 A2 및 환 A2'는, 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 좋은 함질소 방향족 복소환기를 나타낸다. w-j가 2 이상 또는 j가 2 이상이고 환 A1, 환 A1', 환 A2 또는 환 A2'가 복수인 경우, 복수의 환 A1, 환 A1', 환 A2 또는 환 A2'는 각각 동일해도 좋고 상이해도 좋다.)(In the formula (Ic), M ⁶ represents a metal the same as M, w represents a valence of the metal, j represents 0, 1 or 2, and the ring A1 and the ring A1 ' A ring A2 and a ring A2 'each independently represent a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent, wj is 2 or more, j is 2 or more, and the ring A1, ring A1', ring A2 Or when the ring A2 'is plural, the plurality of rings A1, ring A1', ring A2 or ring A2 'may be the same or different.)

상기 식 (Ia)∼(Ic), (III)에 있어서, 환 A1 및 환 A1'의 방향환은, 방향족 탄화수소기 또는 방향족 복소환기이다. 바람직하게는, 2개의 유리 원자가를 갖는 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환, 트리페닐릴환, 아세나프텐환, 플루오란텐환, 플루오렌환, 푸란환, 벤조푸란환, 티오펜환, 벤조티오펜환이다. 더욱 바람직하게는 벤젠환, 나프탈렌환이고, 가장 바람직하게는 벤젠환이다. In the formulas (Ia) to (Ic) and (III), the aromatic ring of the ring A1 and the ring A1 'is an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group. Preferred is a benzene ring having two free valences, a naphthalene ring, an anthracene ring, a triphenyl ring, an acenaphthene ring, a fluoranthene ring, a fluorene ring, a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring and a benzothiophene ring . More preferably a benzene ring or a naphthalene ring, and most preferably a benzene ring.

여기서, 본 명세서에 있어서 유리 원자가란, 유기 화학ㆍ생화학 명명법(상) (개정 제2판, 난코도, 1992년 발행)에 기재된 바와 같이, 다른 유리 원자가와 결합을 형성할 수 있는 것을 말한다. 즉, 예컨대 「1개의 유리 원자가를 갖는 벤젠환」은 페닐기를 말하고, 「2개의 유리 원자가를 갖는 벤젠환」은 페닐렌기를 말한다. Herein, the term "free valency" as used herein refers to a compound capable of forming a bond with another free valence as described in the Organic Chemistry and Biochemistry Nomenclature (Phase) (Second Edition, Nankodo, published in 1992). That is, for example, "a benzene ring having one free valence" refers to a phenyl group, and a "benzene ring having two free valences" refers to a phenylene group.

상기 식 (Ia)∼(Ic), (III)에 있어서, 환 A2 및 환 A2'의 함질소 방향족 복소환기로서, 바람직하게는 피리딜기, 피리미딜기, 피라지닐기, 트리아지닐기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조이미다졸릴기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴녹살릴기, 퀴나졸릴기, 페난트리디닐기, 벤조티아졸기이다. In the formulas (Ia) to (Ic) and (III), the nitrogen-containing aromatic heterocyclic group of ring A2 and ring A2 'is preferably a pyridyl group, a pyrimidyl group, a pyrazinyl group, a triazinyl group, A thiazolyl group, a benzothiazolyl group, a benzoxazolyl group, a benzoimidazolyl group, a quinolyl group, an isoquinolyl group, a quinoxalyl group, a quinazolyl group, a phenanthridinyl group, a benzoimidazolyl group, Thiazole group.

더욱 바람직하게는 피리딜기, 피라지닐기, 피리미딜기, 이미다졸릴기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴녹살릴기, 퀴나졸릴기이고, 특히 바람직하게는 피리딜기, 이미다졸릴기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴녹살릴기, 퀴나졸릴기이다. More preferably a pyridyl group, a pyrazinyl group, a pyrimidyl group, an imidazolyl group, a quinolyl group, an isoquinolyl group, a quinoxalyl group or a quinazolyl group, particularly preferably a pyridyl group, A quinolyl group, an isoquinolyl group, a quinoxalyl group, and a quinazolyl group.

가장 바람직하게는 피리딜기, 이미다졸릴기, 퀴놀릴기, 퀴녹살릴기, 퀴나졸릴기이다.Most preferably a pyridyl group, an imidazolyl group, a quinolyl group, a quinoxalyl group, or a quinazolyl group.

상기 식 (Ia)∼(Ic), (III)에 있어서, 환 A1과 환 A2의 조합 구조, 혹은 환 A1'와 환 A2'의 조합 구조로서 가장 바람직하게는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 페닐-피리딘 구조, 치환기를 갖고 있어도 좋은 페닐-퀴놀린 구조, 치환기를 갖고 있어도 좋은 페닐-퀴녹살린 구조, 치환기를 갖고 있어도 좋은 페닐-이미다졸 구조, 치환기를 갖고 있어도 좋은 페닐-퀴나졸린 구조이다. In the formulas (Ia) to (Ic) and (III), the combination structure of the ring A1 and the ring A2 or the combination structure of the ring A1 'and the ring A2' is most preferably a phenyl- Quinoxaline structure which may have a substituent, a phenyl-quinoxaline structure which may have a substituent, a phenyl-imidazole structure which may have a substituent, and a phenyl-quinazoline structure which may have a substituent.

상기 식 (Ia)∼(Ic), (III)에서의 환 A1, 환 A1', 환 A2 및 환 A2'가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 1∼12의 알케닐기, 탄소수 1∼12의 알콕시카르보닐기, 탄소수 1∼12의 알콕시기, 탄소수 1∼24의 아랄킬기, 탄소수 1∼12의 아릴옥시기, 탄소수 1∼24의 디알킬아미노기, 탄소수 8∼24의 디아릴아미노기, 5 또는 6원 환의 단환 또는 2∼4 축합환인 방향족 탄화수소환기, 탄소수 6∼24의 방향족 탄화수소기, 카르바졸릴기, 아실기, 할로알킬기, 시아노기 등을 들 수 있다. Examples of the substituent which the ring A1, ring A1 ', ring A2 and ring A2' in the formulas (Ia) to (Ic) and (III) may have include a halogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, An alkoxyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aralkyl group having 1 to 24 carbon atoms, an aryloxy group having 1 to 12 carbon atoms, a dialkylamino group having 1 to 24 carbon atoms, a carbonyl group having 8 to 24 carbon atoms An aromatic hydrocarbon ring group which is a monocyclic or bicyclic condensed ring of 5 or 6-membered rings, an aromatic hydrocarbon group of 6 to 24 carbon atoms, a carbazolyl group, an acyl group, a haloalkyl group and a cyano group.

바람직하게는, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 1∼12의 알콕시기, 탄소수 1∼24의 아랄킬기, 탄소수 8∼24의 디아릴아미노기, 5 또는 6원 환의 단환 또는 2∼4 축합환인 방향족 탄화수소 환기, 탄소수 6∼24의 방향족 탄화수소기, 카르바졸릴기이다. Preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aralkyl group having 1 to 24 carbon atoms, a diarylamino group having 8 to 24 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon having 5 or 6 membered monocyclic rings or 2 to 4 condensed rings An aromatic hydrocarbon group having 6 to 24 carbon atoms, and a carbazolyl group.

탄소수 8∼24의 디아릴아미노기, 5 또는 6원 환의 단환 또는 2∼4 축합환인 방향족 탄화수소환기, 탄소수 6∼24의 방향족 탄화수소기, 카르바졸릴기는, 그 기를 구성하는 아릴 부위에 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 그 치환기로서는, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 1∼12의 알콕시기, 탄소수 1∼24의 아랄킬기, 탄소수 1∼12의 알킬기로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 6∼24의 1가의 방향족 탄화수소기를 들 수 있다. 탄소수 6∼24의 1가의 방향족 탄화수소기로서는, 바람직하게는 벤젠 환이 1 내지 4 연결된 1가의 기이다. A diarylamino group having 8 to 24 carbon atoms, a 5 or 6 membered monocyclic ring or an aromatic hydrocarbon ring group as a 2 to 4 condensed ring, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 24 carbon atoms, or a carbazolyl group has a substituent at the aryl moiety constituting the group There may be. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aralkyl group having 1 to 24 carbon atoms, and a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 24 carbon atoms which may be substituted with an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms have. The monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 24 carbon atoms is preferably a monovalent group having 1 to 4 benzene rings.

또, 이들 치환기는 서로 연결하여 환을 형성해도 좋다. 구체예로서는, 환 A1이 갖는 치환기와 환 A2가 갖는 치환기가 결합하거나, 또는, 환 A1'가 갖는 치환기와 환 A2'가 갖는 치환기가 결합함으로써, 하나의 축합환을 형성해도 좋다. These substituents may be connected to each other to form a ring. As specific examples, one substituent group of ring A1 may be bonded to a substituent group of ring A2, or a substituent group of ring A1 'may be combined with a substituent group of ring A2' to form one condensed ring.

이러한 축합환으로서는 7,8-벤조퀴놀린기 등을 들 수 있다. 이들 치환기가 서로 연결되어 형성한 환은, 상기 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 또한, 상기 치환기는 1개 가져도 좋고, 동일 또는 상이한 2 이상의 치환기를 가져도 좋다. Examples of such a condensed ring include a 7,8-benzoquinoline group and the like. The ring formed by connecting these substituents to each other may further have the above substituent. The above substituents may have one or two or more substituents which may be the same or different.

또한, 식(Ia)∼(Ic)에서의 M의 바람직한 예로서는, 식(I)에서의 M과 동일하다. Preferred examples of M in formulas (Ia) to (Ic) are the same as M in formula (I).

다음으로, 식(II)로 표시되는 화합물에 관해 설명한다. Next, the compound represented by the formula (II) will be described.

식(II) 중, M²는 금속을 나타낸다. 구체예로서는, 주기율표 제7∼11족에서 선택되는 금속으로서 전술한 금속을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금 또는 금을 들 수 있고, 특히 바람직하게는, 백금, 팔라듐 등의 2가의 금속을 들 수 있다. In the formula (II), M ² represents a metal. Specific examples thereof include the above-mentioned metals as metals selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Among them, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold can be enumerated, and particularly preferred are bivalent metals such as platinum and palladium.

또한, 식(II)에 있어서, R⁹² 및 R⁹³은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 시아노기, 아미노기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 카르복실기, 알콕시기, 알킬아미노기, 아랄킬아미노기, 할로알킬기, 수산기, 아릴옥시기, 방향족 탄화수소기 또는 방향족 복소환기를 나타낸다. R ⁹² and R ⁹³ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, An amino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.

또한, T가 탄소 원자인 경우, R⁹⁴ 및 R⁹⁵는, 각각 독립적으로 R⁹² 및 R⁹³과 동일한 예시물로 표시되는 치환기를 나타낸다. 또한, T가 질소 원자인 경우는, 이 T에 직접 결합하는 R⁹⁴ 또는 R⁹⁵는 존재하지 않는다. When T is a carbon atom, R ⁹⁴ and R ⁹⁵ each independently represent a substituent represented by the same example as R ⁹² and R ⁹³ . When T is a nitrogen atom, R ⁹⁴ or R ⁹⁵ directly bonded to T is not present.

또한, R⁹²∼R⁹⁵는 치환기를 더 갖고 있어도 좋다. 치환기로서는, 상기 치환기로 할 수 있다. R ⁹² to R ⁹⁵ may further have a substituent. The substituent may be the above substituent.

또한, R⁹²∼R⁹⁵ 중 임의의 2개 이상의 기가 서로 연결되어 환을 형성해도 좋다. 인광 발광성 유기 금속 착체로서 바람직하게는 식(I)로 표시되는 화합물이다. Further, any two or more groups out of R ⁹² to R ⁹⁵ may be connected to each other to form a ring. The phosphorescent organic metal complex is preferably a compound represented by the formula (I).

<페놀성 화합물> <Phenolic compound>

본 발명에서의 페놀성 화합물은, 페놀성 수산기를 가지며, 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때에 2-위치, 4-위치, 6-위치에는 어느 2개에만 치환기를 갖는 페놀성 화합물이라면 특별히 제한은 없고, 3-위치 및/또는 5-위치는 무치환이어도 좋고 치환기를 갖고 있어도 좋다. The phenolic compound in the present invention is a phenolic compound having a phenolic hydroxyl group and having a substituent in only two of the 2-position, 4-position and 6-position when the phenolic hydroxyl group is 1-position, And the 3-position and / or the 5-position may be unsubstituted or may have a substituent.

바람직하게는, 이 화합물은, 고립 전자쌍을 가지며, 전하 수송성을 갖지 않는 화합물이다. 보다 바람직하게는, 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때에 2-위치, 4-위치, 6-위치의 어느 2개에만 치환기를 가지며, 3-위치 및 5-위치는 무치환의 페놀성 화합물이다. Preferably, the compound is a compound having a lone pair of electrons and having no charge transporting property. More preferably, when the phenolic hydroxyl group is at the 1-position, only two of the 2-position, 4-position and 6-position have a substituent, and the 3-position and 5-position are unsubstituted phenolic compounds .

치환기는 특별히 제한은 없고, 본 화합물에 있어서는 페놀 구조가 1개 이상 존재하면 되며, 2개 이상의 페놀 구조가 존재하는 경우는, 어떤 구조 중에 본 발명에서 규정하는 구조가 포함되어 있으면 된다. 바람직하게는 페놀성 화합물 중에 1개만 페놀 구조가 존재한다. The substituent is not particularly limited and one or more phenol structures may be present in the present compound. In the case where two or more phenol structures are present, any structure may contain the structure defined in the present invention. Preferably only one phenolic structure is present in the phenolic compound.

이 치환기 중에서도, 알킬기, 알콕시기, 아릴기를 이용한 아릴옥시기, 아랄킬기가 바람직하다. 구체적으로는, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 1∼12의 알콕시기, 탄소수 6∼18의 아릴기를 이용한 아릴옥시기, 탄소수 1∼24의 아랄킬기에서 선택되는 기인 것이 보다 바람직하다. Of these substituents, an aryloxy group or an aralkyl group using an alkyl group, an alkoxy group or an aryl group is preferable. Specifically, it is more preferably a group selected from an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms, and an aralkyl group having 1 to 24 carbon atoms.

이들 중에서도, 알킬기 또는 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1∼12의 알킬기 또는 탄소수 1∼12의 알콕시기가 보다 바람직하고, 특히 바람직하게는 탄소수 1∼12의 알킬기이다. Among them, an alkyl group or an alkoxy group is preferable, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms is more preferable, and an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms is particularly preferable.

페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때에 2-위치, 4-위치, 6-위치에는 어느 2개에만 유사 π 공액 효과를 가지며, 고립 전자쌍의 효과, 즉 고립 전자쌍이 안정화되는 효과를 약하게 하는 힘을 갖는다고 생각된다. 고립 전자쌍이 안정화되면 페놀성 수산기로부터의 프로톤이 이탈하기 쉬워져, 이탈한 프로톤에 의한 악영향이 우려되지만, 고립 전자쌍의 안정화 효과를 약하게 함으로써, 프로톤이 이탈하기 어려워져 바람직하다. When the phenolic hydroxyl group is in the 1-position, only two of the 2-position, 4-position, and 6-position have a similar π-conjugation effect, and the effect of the lone pair of electrons, . When the isolated electron pair is stabilized, the proton from the phenolic hydroxyl group tends to be easily removed, and the adverse effect due to the protons separated may be worried. However, since the stabilization effect of the isolated electron pair is weakened, the proton is hardly separated and is preferable.

이들 위치에 치환기를 가짐으로써 페놀성 화합물의 안정성이 향상된다. 또한, 치환기가 알킬기 또는 알콕시기와 같은 전자 공여성 기인 경우는, 산소 원자의 고립 전자쌍의 전자 밀도가 증대되어, 정공을 가두는 효과가 향상된다고 생각된다. By having a substituent at these positions, the stability of the phenolic compound is improved. When the substituent is an electron-donating group such as an alkyl group or an alkoxy group, it is considered that the electron density of the isolated electron pair of the oxygen atom is increased and the effect of blocking the hole is improved.

페놀 구조는 공명 효과에 의해, 마이너스 전하가 산소 원자 위 및 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때의 2-위치, 4-위치, 6-위치에 비국재화한다. 마이너스 전하가 국재화한 위치는 반응성이 높기 때문에, 통상 자주 이용되는 산화 방지제인 BHT는, 2-위치, 4-위치, 6-위치에 갖는 알킬기에 의해, 페놀성 화합물 자체의 안정성도 향상된다. The phenolic structure is noncircularized by the resonance effect at the 2-position, 4-position, and 6-position when the negative charge is on the oxygen atom and the phenolic hydroxyl group is on the 1-position. Since the position where the negative charge is localized is highly reactive, the stability of the phenolic compound itself is improved by the alkyl group at the 2-position, the 4-position and the 6-position by BHT which is a commonly used antioxidant.

그런데 놀랍게도, 인광 발광 재료 및 전하 수송성 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자의 발광층에 이용하는 페놀성 화합물의 경우는, 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때의 2-위치, 4-위치, 6-위치에는 어느 2개에만 치환기를 가지며, 굳이 마이너스 전하 밀도가 높고 반응성이 풍부하다고 생각되는 위치의 하나에 치환기를 갖지 않는 화합물을 이용하는 것에 의해, 유기 전계 발광 소자의 효율이 향상되고, 구동 안정성이 향상되는 것이 발견되었다. Incidentally, surprisingly, in the case of the phenolic compound used in the light-emitting layer of the organic electroluminescent device including the phosphorescent light-emitting material and the charge-transporting compound, it is preferable that the phenolic hydroxyl group is in the 2- position, , The efficiency of the organic electroluminescent device is improved and the driving stability is improved by using a compound having substituents only in any two of the positions and having a high negative charge density and a high degree of reactivity Was found.

그 이유는, 산소 원자 이외에, 마이너스 전하 밀도가 높은 위치가 1개 존재하는 것에 의해, 정공을 가두는 효과가 향상되기 때문이라고 생각된다. 그 때문에, 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때의 2-위치, 4-위치, 6-위치의 치환기의 수는 3개가 아니라, 2개인 것이 필요하다. The reason for this is believed to be that the presence of one position having a high negative charge density in addition to the oxygen atoms improves the effect of trapping holes. Therefore, it is necessary that the number of substituents at the 2-position, 4-position, and 6-position when the phenolic hydroxyl group is 1-position is 2, not 3.

더욱 바람직하게는, 페놀성 화합물은, 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때의 2-위치, 4-위치, 6-위치의 어느 2개에만 치환기를 갖는 것이다. 그 이유는, 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때의 2-위치, 4-위치, 6-위치의 어느 2개에만 치환기를 가짐으로써, 전하의 호핑 수송이 저해되기 어렵기 때문이라고 생각된다. More preferably, the phenolic compound has a substituent at only two of the 2-position, 4-position and 6-position when the phenolic hydroxyl group is at the 1-position. This is presumably because hopping transport of the charge is hardly inhibited by having a substituent only in any two of the 2-position, 4-position and 6-position when the phenolic hydroxyl group is at the 1-position.

또한, 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때의 2-위치, 4-위치, 6-위치 중, 2-위치, 6-위치의 2개에만 치환기를 갖는 경우, 수산기의 산소 원자의 고립 전자쌍이 보호되어 페놀성 화합물이 가장 안정하게 되기 때문에, 유기 전계 발광 소자의 효율을 향상시킴과 함께 구동 안정성도 향상된다고 생각되어, 특히 바람직하다. In the case of having a substituent only in two of the 2-position, the 4-position and the 6-position in the 2-position and the 6-position when the phenolic hydroxyl group is 1-position, It is particularly preferable because it is considered that the phenolic compound is most stable and thus the efficiency of the organic electroluminescent device is improved and the driving stability is improved.

또한, 치환기가 알콕시기인 경우, 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때의 2-위치, 4-위치, 6-위치의 어느 2개에만 치환기를 가짐으로써, 페놀성 수산기의 산소 원자 및 알콕시기의 산소 원자의 전자 밀도가 적절히 증대되어, 정공을 가두는 효과를 향상시키면서 안정성도 우수한 상태가 유지된다고 생각된다. When the substituent is an alkoxy group, it is preferable that only two of the 2-position, the 4-position and the 6-position when the phenolic hydroxyl group is the 1-position have a substituent and the oxygen atom and the alkoxy group of the phenolic hydroxyl group It is considered that the electron density of the oxygen atom is appropriately increased and the state of excellent stability is maintained while improving the effect of trapping holes.

또한 구체적인 구조식으로서 본 발명에서의 페놀성 화합물은 하기 식(1)로 나타낼 수도 있다. 단, 본 화합물은 하기 구조식에 한정되는 것이 아니다. As a specific structural formula, the phenolic compound in the present invention may be represented by the following formula (1). However, the present compounds are not limited to the following structural formulas.

단, A는 치환기를 갖는 페놀 구조이다. n은 1∼5의 정수이다. 바람직하게는, L은 n=1인 경우는 존재하지 않고, n=2∼5인 경우는 연결기이다. n이 2∼5인 경우, A가 갖는 치환기는 동일해도 좋고 상이해도 좋다. Provided that A is a phenol structure having a substituent. n is an integer of 1 to 5; Preferably, L does not exist when n = 1, and when n = 2 to 5, it is a linking group. When n is 2 to 5, the substituents of A may be the same or different.

A는, n=1인 경우, 페놀 구조의 수산기를 1-위치로 한 경우, 2-위치, 4-위치, 6-위치에는 어느 2개소에만 치환기를 가지며, 또한 3-위치 또는 5-위치에 치환기를 갖고 있어도 좋다. In the case of n = 1, A has a substituent at only two positions in the 2-position, 4-position and 6-position when the hydroxyl group of the phenol structure is 1-position, And may have a substituent.

A가 갖고 있어도 좋은 치환기는, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 1∼12의 알콕시기, 탄소수 6∼18의 아릴기를 이용한 아릴옥시기, 탄소수 1∼24의 아랄킬기이다. The substituent which A may have is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms, or an aralkyl group having 1 to 24 carbon atoms.

바람직하게는, 화합물의 안정성의 관점에서 페놀 구조의 수산기를 1-위치로 한 경우의 2-위치 또는 6-위치는 알킬기이다. 또한 2-위치 및 6-위치에 치환되는 알킬기는, 발광층 형성용 조성물 중의 다른 재료와 간섭하는 것을 피하기 위해, 입체 장애를 갖는 2급 알킬기(이소프로필기 등) 또는 3급 알킬기(tert-부틸기 등)인 알킬기가 바람직하고, 입체 장애성이 가장 높은 3급 알킬기가 가장 바람직하다. Preferably, the 2-position or 6-position when the hydroxyl group of the phenol structure is in the 1-position from the viewpoint of the stability of the compound is an alkyl group. The alkyl group substituted at the 2-position and the 6-position is preferably a secondary alkyl group having a steric hindrance (such as isopropyl group) or a tertiary alkyl group (tert-butyl group Etc.), and tertiary alkyl groups having the highest steric hindrance are most preferred.

n=2∼5인 경우, A는 연결기 L을 갖는다. L은, A에 대하여, sp³ 혼성 궤도를 갖는 탄소 또는 산소로 결합한다. L은, 2-위치∼6-위치의 어느 것에 치환해도 좋지만, 2-위치, 4-위치, 6-위치에 치환하는 경우에는, 화합물 A의 치환기의 규정인 「2-위치, 4-위치, 6-위치에는 어느 2개소에만 치환기를 갖는다」에 해당한다. When n = 2 to 5, A has a linking group L. L binds to A with carbon or oxygen having an sp ³ hybrid orbit. When L is substituted at the 2-position, the 4-position, and the 6-position, the substituent of the substituent of the compound A, i.e., the 2- Quot; has substituents at only two positions in the 6-position &quot;.

즉, 골격 A의 2-위치, 4-위치, 6-위치에는 어느 2개소에만, 연결기와 그것 이외의 치환기 1종이 치환한다. n은 특별히 한정되는 것이 아니지만, 바람직하게는 3 이하, 더욱 바람직하게는 2 이하이고, 가장 바람직한 것은 1이다. 발광층 형성 후에 균일하게 확대되어, 페놀성 수산기 농도가 균일하게 확대되기 때문에, 전하 트랩이 균일하게 발생하고, 전하 재결합이 막 내에 균일하게 일어남으로써 여기자의 농도 소광을 방지한다고 추정되기 때문이다. That is, only two substituents at the 2-position, the 4-position and the 6-position of the skeleton A are substituted for the connecting group and one substituent other than the connecting group. n is not particularly limited, but is preferably 3 or less, more preferably 2 or less, and most preferably 1. This is because it is presumed that the charge trap is uniformly generated and the charge recombination occurs uniformly in the film, thereby preventing the concentration quenching of the excitons since the concentration of the phenolic hydroxyl groups uniformly expands after the formation of the light emitting layer.

L은, sp³ 혼성 궤도를 갖는 탄소 또는 산소로 결합하는 것이라면, 특별히 한정되는 것이 아니다. 바람직하게는, 탄소수 1∼12의 알킬기의 치환기를 가져도 좋은 알킬렌이다. 공액쇄를 갖는 경우, 상기 알킬기의 탄소수는 2∼6인 것이 바람직하다. 이유로서는, 발광 재료와 공존시키는 경우에 있어서, 소광 인자가 될 수 있는 요소의 배제, 즉 공액쇄의 확대에 의한 에너지 이동형의 소광을 방지하기 때문이다. L is not particularly limited as long as it is bonded with carbon or oxygen having an sp ³ hybrid orbit. Preferably an alkylene which may have a substituent of an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. In the case of having a conjugated chain, the alkyl group preferably has 2 to 6 carbon atoms. This is because, when coexisting with a luminescent material, the elimination of an element that can become a extinction factor, that is, the energy transfer type quenching by the enlargement of the conjugated chain is prevented.

구체적인 구조로서는, 2,6-tert-부틸페놀, 4-메톡시-2-tert-부틸페놀, 4,4'-부틸리덴비스(6-t-부틸-3-메틸페놀) 등, 하기에 기재된 화합물을 들 수 있다. Specific examples of the structure include 2,6-tert-butylphenol, 4-methoxy-2-tert-butylphenol and 4,4'-butylidenebis (6-t- And the like.

<전하 수송성 화합물> <Charge transporting compound>

본 발명의 조성물이 함유할 수 있는 전하 수송성 화합물로서는, 종래 유기 전계 발광 소자용 재료로서 이용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 예컨대, 피리딘, 카르바졸, 나프탈렌, 페릴렌, 피렌, 안트라센, 크리센, 나프타센, 페난트렌, 코로넨, 플루오란텐, 벤조페난트렌, 플루오렌, 아세토나프토플루오란텐, 쿠마린, p-비스(2-페닐에테닐)벤젠 및 이들의 유도체, 퀴나크리돈 유도체, DCM(4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(p-디메틸아미노스티릴)-4H-피란)계 화합물, 벤조피란 유도체, 로다민 유도체, 벤조티옥산텐 유도체, 아자벤조티옥산텐, 아릴아미노기가 치환된 축합 방향족 환 화합물, 아릴아미노기가 치환된 스티릴 유도체 등을 들 수 있다. As the charge-transporting compound that can be contained in the composition of the present invention, those conventionally used as a material for an organic electroluminescence device can be used. For example, there may be mentioned pyridine, carbazole, naphthalene, perylene, pyrene, anthracene, chrysene, naphthacene, phenanthrene, coronene, fluoranthene, benzophenanthrene, fluorene, acetonaphthofluoranthene, coumarin, (Dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) based compounds such as bis (2-phenylethenyl) benzene and derivatives thereof, quinacridone derivatives, DCM , Benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene, condensed aromatic ring compounds substituted with arylamino groups, styryl derivatives substituted with arylamino groups, and the like.

이들은 1종류를 단독으로 이용해도 좋고, 또한 2종류 이상을 임의의 조합 및 비율로 이용해도 좋다. These may be used singly or two or more kinds may be used in any combination and ratio.

본 발명의 조성물에서의 전하 수송성 화합물의 함유량은, 통상 0.01 질량% 이상, 바람직하게는 0.1 질량% 이상이다. 또한, 본 발명의 조성물에서의 전하 수송성 화합물의 함유량은, 통상 50 질량% 이하, 바람직하게는 30 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10 질량% 이하이다. The content of the charge-transporting compound in the composition of the present invention is generally 0.01% by mass or more, preferably 0.1% by mass or more. The content of the charge-transporting compound in the composition of the present invention is usually 50 mass% or less, preferably 30 mass% or less, and more preferably 10 mass% or less.

<발광층 형성용 조성물> &Lt; Composition for forming light emitting layer &

본 발명의 조성물은, 적어도 인광 발광 재료, 전하 수송성 화합물, 상기 페놀성 화합물을 함유한다. 또한, 잉크 등의 조성물에는 용매를 함유해도 좋다. 본 발명의 조성물은 통상 습식 성막법으로 층이나 막을 형성하기 위해 이용되며, 특히 유기 전계 발광 소자의 발광층을 형성하기 위해 이용되는 것이 바람직하다. The composition of the present invention contains at least a phosphorescent light-emitting material, a charge-transporting compound, and the phenolic compound. A composition such as an ink may contain a solvent. The composition of the present invention is usually used for forming a layer or a film by a wet film formation method, and is particularly preferably used for forming a light emitting layer of an organic electroluminescent device.

즉, 본 발명의 조성물은, 유기 전계 발광 소자용 조성물인 것이 바람직하고, 또한 유기 전계 발광 소자의 발광층 형성용 조성물로서 이용되는 것이 특히 바람직하다. That is, the composition of the present invention is preferably a composition for an organic electroluminescence device, and particularly preferably used as a composition for forming a light emitting layer of an organic electroluminescence device.

본 발명의 조성물에서의 인광 발광 재료의 함유량은, 전하 수송성 화합물의 총량에 대하여, 통상 1 질량% 이상, 바람직하게는 5 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15 질량% 이상이다. 또한, 본 발명의 조성물에서의 인광 발광 재료의 함유량은, 전하 수송성 화합물의 총량에 대하여, 통상 50 질량% 이하, 바람직하게는 40 질량% 이하이다. The content of the phosphorescent material in the composition of the present invention is usually 1% by mass or more, preferably 5% by mass or more, and more preferably 15% by mass or more, based on the total amount of the charge-transporting compound. The content of the phosphorescent material in the composition of the present invention is usually 50 mass% or less, preferably 40 mass% or less, based on the total amount of the charge-transporting compound.

조성물 중의 인광 발광 재료의 함유량을 상기 범위로 하는 것에 의해, 예컨대, 이 조성물을 이용하여 발광층을 형성한 경우, 인접하는 층(예컨대, 정공 수송층이나 정공 저지층)으로부터 발광층으로 효율적으로 정공이나 전자의 주입이 행해져, 구동 전압을 저감할 수 있다. 또한, 인광 발광 재료는 조성물 중에, 1종만 포함되어 있어도 좋고, 2종 이상이 조합되어 포함되어 있어도 좋다. When the content of the phosphorescent material in the composition is within the above range, for example, when the light emitting layer is formed using this composition, the hole transport layer or the hole blocking layer, Implantation is performed, and the driving voltage can be reduced. Further, the phosphorescent material may be contained in only one kind or two or more kinds in combination.

또한, 발광 재료의 발광색은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 장파장인 쪽이 바람직하다. 구체적으로는, 이 조성물의 도포막의 발광의 색(피크 파장)이, 녹색보다 장파(500 nm 이상), 더욱 바람직하게는 황녹색보다 장파(550 nm 이상)인 것이 바람직하다. The luminescent color of the luminescent material is not particularly limited, but it is preferable to have a long wavelength. Concretely, it is preferable that the color (peak wavelength) of emission of the coating film of this composition is longer than green (500 nm or more), and more preferably longer wave (550 nm or more) than yellow green.

인광 발광층의 발광 원리로부터, 고립 전자쌍에 의한 3중항 여기 상태의 소광이 발생하지만, 장파장 발광의 여기 상태인 쪽이, 단파장 발광의 여기 상태에 비교하여, 에너지가 낮고 3중항 여기 상태 자신이 안정적이며, 그 때문에 고립 전자쌍에 의한 소광의 영향을 받기 어렵다고 추측된다. From the principle of luminescence of the phosphorescent light-emitting layer, quenching in the triplet excited state by the isolated electron pair occurs, but the excited state of the long wavelength luminescence is lower in energy and stable in the triplet excitation state than the excited state of short- , It is presumed that it is difficult to be affected by quenching by the lone electron pair.

본 발명의 조성물에서의 용매에 대한 페놀성 화합물의 함유량은, 조성물 중의 전하 수송성 화합물의 총량에 대하여, 통상 0.01 질량% 이상이며, 바람직하게는 0.1 질량% 이상이다. 또한, 조성물 중의 전하 수송성 화합물의 총량에 대하여, 통상 10 질량% 이하, 보다 바람직하게는 5 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1 질량% 이하이다. The content of the phenolic compound with respect to the solvent in the composition of the present invention is usually 0.01% by mass or more, preferably 0.1% by mass or more, based on the total amount of the charge-transporting compound in the composition. Further, it is usually 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, further preferably 1% by mass or less based on the total amount of the charge-transporting compound in the composition.

하한 이상이면, 전하의 포착에 의한 효율의 향상이 발생하기 때문이다. 또한, 과잉으로 함유되는 경우는, 조성물을 이용하여 막을 형성했을 때에 2-위치, 6-위치의 입체 장애를 넘은 고립 전자쌍의 상호 작용의 발현에 의한 소광의 가능성이 예측되기 때문이다. If the lower limit is exceeded, the efficiency is improved due to the trapping of charges. Also, in the case where the film is excessively contained, the possibility of quenching due to the expression of the interaction of the lone electron pair beyond the steric hindrance at the 2-position and 6-position is predicted when the film is formed using the composition.

<그 밖의 성분> &Lt; Other components >

본 발명의 조성물을 예컨대 유기 전계 발광 소자용에 이용하는 경우, 조성물에는, 전술한 인광 발광 재료, 페놀성 수산기를 갖는 화합물 및 전하 수송성 화합물 외에, 잉크에 이용할 때에는 용매를 함유할 수 있다. When the composition of the present invention is used, for example, for an organic electroluminescent device, the composition may contain a solvent in addition to the phosphorescent material, the compound having a phenolic hydroxyl group, and the charge-transporting compound described above.

본 발명의 조성물에 함유해도 좋은 용매는, 습식 성막에 의해 금속 착체 화합물을 포함하는 층을 형성하기 위해 이용하는 휘발성을 갖는 액체 성분이다. The solvent which may be contained in the composition of the present invention is a volatile liquid component used for forming a layer containing a metal complex compound by wet film formation.

그 용매는, 용질인 금속 착체 화합물, 후술하는 전하 수송성 화합물, 및 본 발명의 페놀성 화합물이 양호하게 용해되는 용매라면 특별히 한정되지 않는다. The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent in which a metal complex compound as a solute, a charge-transporting compound described later, and a phenolic compound of the present invention are dissolved well.

바람직한 용매로서는, 예컨대, n-데칸, 시클로헥산, 에틸시클로헥산, 데칼린, 비시클로헥산 등의 알칸류; 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 페닐시클로헥산, 테트랄린 등의 방향족 탄화수소류; 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠 등의 할로겐화 방향족 탄화수소류; 1,2-디메톡시벤젠, 1,3-디메톡시벤젠, 아니솔, 페네톨, 2-메톡시톨루엔, 3-메톡시톨루엔, 4-메톡시톨루엔, 2,3-디메틸아니솔, 2,4-디메틸아니솔, 디페닐에테르 등의 방향족 에테르류; 아세트산페닐, 프로피온산페닐, 벤조산메틸, 벤조산에틸, 벤조산프로필, 벤조산 n-부틸 등의 방향족 에스테르류, 시클로헥사논, 시클로옥타논, 펜콘 등의 지환족 케톤류; 시클로헥산올, 시클로옥탄올 등의 지환족 알콜류; 메틸에틸케톤, 디부틸케톤 등의 지방족 케톤류; 부탄올, 헥산올 등의 지방족 알콜류; 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜-1-모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 등의 지방족 에테르류; 등을 들 수 있다. Preferred examples of the solvent include alkanes such as n-decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin and bicyclohexane; Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, phenylcyclohexane and tetralin; Halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene; 2-methoxybenzene, 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetol, 2- methoxytoluene, 3- methoxytoluene, 4- methoxytoluene, Aromatic ethers such as 4-dimethyl anisole and diphenyl ether; Aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate and n-butyl benzoate; alicyclic ketones such as cyclohexanone, cyclooctanone and fencon; Alicyclic alcohols such as cyclohexanol and cyclooctanol; Aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; Aliphatic alcohols such as butanol and hexanol; Aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); And the like.

그 중에서도 바람직하게는, 알칸류나 방향족 탄화수소류이며, 특히, 페닐시클로헥산은 습식 성막 프로세스에 있어서 바람직한 점도와 비점을 갖고 있다. Of these, alkanes and aromatic hydrocarbons are preferable, and phenylcyclohexane has preferable viscosity and boiling point in the wet film forming process.

이들 용매는 1종류를 단독으로 이용해도 좋고, 또한 2종류 이상을 임의의 조합 및 비율로 이용해도 좋다. These solvents may be used alone, or two or more solvents may be used in any combination and ratio.

용매의 비점은, 통상 80℃ 이상, 바람직하게는 90℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상, 특히 바람직하게는 110℃ 이상이다. 또한, 용매의 비점은, 통상 300℃ 이하, 바람직하게는 280℃ 이하, 보다 바람직하게는 250℃ 이하이다. 용매의 비점이 상기 하한을 하회하면, 습식 성막시에 있어서, 조성물로부터의 용매 증발에 의해 성막 안정성이 저하될 가능성이 있다. The boiling point of the solvent is usually 80 占 폚 or higher, preferably 90 占 폚 or higher, more preferably 100 占 폚 or higher, particularly preferably 110 占 폚 or higher. The boiling point of the solvent is usually 300 占 폚 or lower, preferably 280 占 폚 or lower, and more preferably 250 占 폚 or lower. If the boiling point of the solvent is lower than the lower limit described above, there is a possibility that the stability of the film formation may be lowered by the evaporation of the solvent from the composition during the wet film formation.

본 발명의 조성물에서의 용매의 함유량은, 통상 10 질량% 이상, 바람직하게는 20 질량% 이상, 보다 바람직하게는 50 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 80 질량% 이상이다. 또한, 본 발명의 조성물에서의 용매의 함유량은, 통상 99.99 질량% 이하, 바람직하게는 99.95 질량% 이하, 보다 바람직하게는 99.9 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 99.8 질량% 이하이다. The content of the solvent in the composition of the present invention is generally 10% by mass or more, preferably 20% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, and still more preferably 80% by mass or more. The content of the solvent in the composition of the present invention is generally 99.99 mass% or less, preferably 99.95 mass% or less, more preferably 99.9 mass% or less, further preferably 99.8 mass% or less.

예컨대, 발광층은 통상 3∼200 nm 정도의 두께로 형성되지만, 본 발명의 조성물을 이용하여 이와 같은 두께의 발광층을 형성하는 경우, 용매의 함유량이 상기 하한을 하회하면, 조성물의 점성이 지나치게 높아져 성막 작업성이 저하될 가능성이 있다. 한편, 상기 상한을 상회하면, 성막후, 용매를 제거하여 얻어지는 막의 두께를 벌 수 없게 되므로 성막이 어려워지는 경향이 있다. For example, the light emitting layer is usually formed to a thickness of about 3 to 200 nm. When the light emitting layer having such a thickness is formed using the composition of the present invention, if the content of the solvent is less than the above lower limit, the viscosity of the composition becomes excessively high, There is a possibility that the workability is lowered. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the thickness of the film obtained by removing the solvent after the film formation can not be made, which tends to make film formation difficult.

본 발명의 조성물에는, 필요에 따라서 상기 화합물 등 외에, 다른 화합물 등을 더 함유하고 있어도 좋다. 예컨대, 상기 용매 외에, 별도의 용매를 함유하고 있어도 좋다. 그와 같은 용매로서는, 예컨대 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류, 디메틸술폭시드 등을 들 수 있다. 이들은 1종류를 단독으로 이용해도 좋고, 또한 2종류 이상을 임의의 조합 및 비율로 이용해도 좋다. The composition of the present invention may further contain other compounds as well as the above-mentioned compounds, if necessary. For example, in addition to the above-mentioned solvent, an additional solvent may be contained. Examples of such a solvent include amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, and dimethylsulfoxide. These may be used singly or two or more kinds may be used in any combination and ratio.

<습식 성막법> &Lt; Wet film forming method &

습식 성막법이란, 기판 상에, 용매를 포함하는 조성물을 도포하고, 용매를 건조 제거하여 막을 형성하는 방법을 말한다. 도포 방법으로서는, 특별히 한정은 되지 않지만, 예컨대 스핀코트법, 딥코트법, 다이코트법, 바코트법, 블레이드코트법, 롤코트법, 스프레이코트법, 캐필러리코트법, 잉크젯법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법 등을 들 수 있다. The wet film formation method refers to a method in which a composition containing a solvent is applied on a substrate and the solvent is removed by drying to form a film. Examples of the application method include, but not particularly limited to, spin coating, dip coating, die coating, bar coating, blade coating, roll coating, spray coating, capillary coating, A gravure printing method, and a flexographic printing method.

용매를 건조 제거하는 방법으로서는, 통상 가열 건조를 행한다. 가열 공정에 있어서 사용하는 가열 수단의 예로서는, 클린오븐, 핫플레이트, 적외선 가열을 들 수 있다. 적외선 가열로서는, 할로겐 히터나 세라믹코트한 할로겐 히터, 세라믹 히터 등을 사용할 수 있다. As a method for drying and removing the solvent, heating and drying are usually carried out. Examples of the heating means used in the heating step include a clean oven, a hot plate, and infrared heating. As the infrared heating, a halogen heater, a ceramic heater coated with a halogen, a ceramic heater, or the like can be used.

적외선에 의한 가열은 기판 혹은 막에 직접 열에너지를 부여하기 때문에, 오븐이나 핫플레이트를 이용한 가열과 비교해서 단시간의 건조가 가능해진다. 그 때문에 가열 분위기의 가스(수분이나 산소)의 영향이나, 미세한 먼지의 영향을 최소한으로 억제할 수 있고, 생산성이 향상되어 바람직하다. Since heating by infrared rays imparts heat energy directly to the substrate or the film, it is possible to dry for a short time in comparison with heating using an oven or a hot plate. Therefore, it is preferable that the influence of the gas (water or oxygen) in the heating atmosphere and the influence of the fine dust can be minimized and the productivity is improved.

가열 온도는, 통상 70℃ 이상, 바람직하게는 75℃ 이상, 보다 바람직하게는 80℃ 이상이다. 또한, 가열 온도는, 통상 150℃ 이하, 바람직하게는 140℃ 이하, 보다 바람직하게는 130℃ 이하이다. The heating temperature is usually 70 占 폚 or higher, preferably 75 占 폚 or higher, and more preferably 80 占 폚 or higher. The heating temperature is usually 150 占 폚 or lower, preferably 140 占 폚 or lower, and more preferably 130 占 폚 or lower.

가열 시간은, 통상 10초 이상, 바람직하게는 60초 이상, 보다 바람직하게는 90초 이상이며, 통상 120분 이하, 바람직하게는 60분 이하, 보다 바람직하게는 30분 이하이다. The heating time is usually 10 seconds or more, preferably 60 seconds or more, more preferably 90 seconds or more, and usually 120 minutes or less, preferably 60 minutes or less, more preferably 30 minutes or less.

또한, 가열 건조의 전에 진공 건조를 행하는 것도 바람직하다. It is also preferable to perform vacuum drying before heat drying.

본 발명의 조성물을 습식 성막법으로 성막한 유기층의 막두께는, 통상 5 nm 이상, 바람직하게는 10 nm 이상, 더욱 바람직하게는 20 nm 이상이다. 또한, 막두께는, 통상 500 nm 이하, 바람직하게는 300 nm 이하, 더욱 바람직하게는 200 nm 이하이다. The film thickness of the organic layer formed by the wet film-forming method of the composition of the present invention is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and more preferably 20 nm or more. The film thickness is usually 500 nm or less, preferably 300 nm or less, more preferably 200 nm or less.

[유기 전계 발광 소자][Organic electroluminescent device]

본 발명에 관한 유기 전계 발광 소자는, 양극, 음극 및 이들 사이에 적어도 1층의 유기층을 갖는 유기 전계 발광 소자이며, 이 유기층 중 적어도 1층이, 본 발명의 조성물을 이용하여 습식 제막에 의해 형성된 층인 것을 특징으로 한다. 이 층은 발광층인 것이 바람직하다. The organic electroluminescent device according to the present invention is an organic electroluminescent device having an anode, a cathode and at least one organic layer between them, wherein at least one of the organic layers is formed by wet film formation using the composition of the present invention Layer. This layer is preferably a light emitting layer.

도 1은 본 발명에 관한 유기 전계 발광 소자에 적합한 구조예를 나타내는 단면의 모식도이며, 도 1에 있어서, 부호 1은 기판, 부호 2는 양극, 부호 3은 정공 주입층, 부호 4는 정공 수송층, 부호 5는 발광층, 부호 6은 정공 저지층, 부호 7은 전자 수송층, 부호 8은 전자 주입층, 부호 9는 음극을 각각 나타낸다. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structural example suitable for the organic electroluminescence device according to the present invention. In Fig. 1, reference numeral 1 denotes a substrate, reference numeral 2 denotes an anode, reference numeral 3 denotes a hole injecting layer, reference numeral 4 denotes a hole transporting layer, Reference numeral 5 denotes a light emitting layer, reference numeral 6 denotes a hole blocking layer, reference numeral 7 denotes an electron transporting layer, reference numeral 8 denotes an electron injection layer, and reference numeral 9 denotes a cathode.

[1] 기판[1] Substrate

기판(1)은 유기 전계 발광 소자의 지지체가 되는 것이며, 석영이나 유리의 판, 금속판이나 금속박, 플라스틱 필름이나 시트 등이 이용된다. 특히 유리판이나, 폴리에스테르, 폴리메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리술폰 등의 투명한 합성 수지의 판이 바람직하다. The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent device, and may be a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film, or a sheet. Particularly, a transparent plate made of a glass plate, polyester, polymethacrylate, polycarbonate, polysulfone or the like is preferable.

합성 수지 기판을 사용하는 경우에는 가스 배리어성에 유의할 필요가 있다. 기판의 가스 배리어성이 지나치게 작으면, 기판을 통과한 외기에 의해 유기 전계 발광 소자가 열화하는 경우가 있기 때문에 바람직하지 않다. 이 때문에, 합성 수지 기판의 적어도 한 면에 치밀한 실리콘 산화막 등을 형성하여 가스 배리어성을 확보하는 방법도 바람직한 방법의 하나이다.In the case of using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to the gas barrier property. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic EL device may deteriorate due to external air passing through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of forming a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate to secure gas barrier properties is also a preferred method.

[2] 양극 [2] The anode

기판(1) 위에는 양극(2)이 설치된다. 양극(2)은 발광층측의 층(정공 주입층(3), 정공 수송층(4) 또는 발광층(5) 등)에의 정공 주입의 역할을 하는 것이다. On the substrate 1, an anode 2 is provided. The anode 2 serves to inject holes into the layer on the light emitting layer side (the hole injection layer 3, the hole transport layer 4, the light emitting layer 5, or the like).

이 양극(2)은, 통상, 알루미늄, 금, 은, 니켈, 팔라듐, 백금 등의 금속, 인듐 및/또는 주석의 산화물 등의 금속 산화물, 요오드화구리 등의 할로겐화 금속, 카본블랙, 혹은, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리피롤, 폴리아닐린 등의 도전성 고분자 등에 의해 구성된다. The anode 2 is usually made of a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum or the like, a metal oxide such as indium and / or tin oxide, a halogenated metal such as copper iodide, 3-methylthiophene), polypyrrole, and polyaniline.

양극(2)의 형성은 통상, 스퍼터링법, 진공 증착법 등에 의해 행할 수 있다. 또한, 은 등의 금속 미립자, 요오드화구리 등의 미립자, 카본블랙, 도전성의 금속 산화물 미립자, 도전성 고분자 미분말 등을 이용하여 양극을 형성하는 경우에는, 적당한 바인더 수지 용액에 분산시켜 기판(1) 위에 도포함으로써 양극(2)을 형성할 수도 있다. 또한, 도전성 고분자의 경우는, 전해 중합에 의해 직접 기판(1) 위에 박막을 형성하거나, 기판(1) 위에 도전성 고분자를 도포하여 양극(2)을 형성할 수도 있다(Appl. Phys. Lett., 60권, 2711페이지, 1992년). The anode 2 can be usually formed by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like. When an anode is formed using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, conductive polymer fine powder or the like, they are dispersed in a suitable binder resin solution and coated on the substrate 1 Whereby the anode 2 can be formed. In the case of the conductive polymer, a thin film may be formed directly on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the conductive polymer may be applied on the substrate 1 to form the anode 2 (see, for example, Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).

양극(2)은 통상은 단층 구조이지만, 필요에 따라 복수의 재료로 이루어진 적층 구조로 하는 것도 가능하다. The anode 2 is usually a single-layer structure, but it may be of a laminated structure composed of a plurality of materials as required.

양극(2)의 두께는, 필요로 하는 투명성에 따라 상이하다. 투명성이 필요하게 되는 경우는, 가시광의 투과율을, 통상 60% 이상, 바람직하게는 80% 이상으로 한다. 이 경우, 양극의 두께는 통상 5 nm 이상, 바람직하게는 10 nm 이상이다. 또한, 이 경우, 양극의 두께는 통상 1000 nm 이하, 바람직하게는 500 nm 이하 정도이다. 불투명해도 좋은 경우는 양극(2)의 두께는 임의이며, 양극(2)은 기판(1)과 동일해도 좋다. 또한, 나아가 상기 양극(2)의 위에 상이한 도전 재료를 적층하는 것도 가능하다. The thickness of the anode 2 differs depending on the required transparency. When transparency is required, the transmittance of visible light is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more. In this case, the thickness of the anode is usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less. The thickness of the anode 2 may be arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1 in the case where it is desired to be opaque. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2.

양극에 부착된 불순물을 제거하고, 이온화 포텐셜을 조정하여 정공 주입성을 향상시키는 것을 목적으로, 양극 표면을 자외선(UV)/오존 처리를 하거나, 산소 플라즈마 처리나, 아르곤 플라즈마 처리를 하는 것이 바람직하다. It is preferable that the surface of the anode is subjected to an ultraviolet (UV) / ozone treatment, an oxygen plasma treatment or an argon plasma treatment in order to remove impurities adhered to the anode and adjust the ionization potential to improve the hole injection property .

[3] 정공 주입층[3] Hole injection layer

정공 주입층(3)은, 양극(2)으로부터 발광층(5)에 정공을 수송하는 층이며, 통상 양극(2) 위에 형성할 수 있다. The hole injection layer 3 is a layer for transporting holes from the anode 2 to the light emitting layer 5 and can be formed on the anode 2 in general.

본 발명에 관한 정공 주입층(3)의 형성 방법은 진공 증착법이어도 좋고 습식 성막법이어도 좋으며, 특별히 제한은 없지만, 다크 스폿 저감의 관점에서 정공 주입층(3)을 습식 성막법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. The method of forming the hole injection layer 3 according to the present invention may be a vacuum deposition method or a wet film formation method and is not particularly limited. However, from the viewpoint of dark spot reduction, it is preferable that the hole injection layer 3 is formed by a wet film formation method desirable.

정공 주입층(3)의 막두께는, 통상 5 nm 이상, 바람직하게는 10 nm 이상이다. 또한, 정공 주입층(3)의 막두께는, 통상 1000 nm 이하, 바람직하게는 500 nm 이하의 범위이다. The film thickness of the hole injection layer 3 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more. The film thickness of the hole injection layer 3 is usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

<습식 성막법에 의한 정공 주입층의 형성> <Formation of Hole Injection Layer by Wet Film Forming Method>

습식 성막에 의해 정공 주입층(3)을 형성하는 경우, 통상은, 정공 주입층(3)을 구성하는 재료를 적절한 용매(정공 주입층용 용매)와 혼합하여 도포용의 조성물(정공 주입층 형성용 조성물)을 조제하고, 이 정공 주입층 형성용 조성물을 적절한 수법에 의해, 정공 주입층(3)의 하층에 해당하는 층(통상은 양극) 위에 도포하고 건조시킴으로써 정공 주입층(3)을 형성한다. In the case of forming the hole injection layer 3 by wet film formation, usually, the material constituting the hole injection layer 3 is mixed with an appropriate solvent (solvent for the hole injection layer) to form a coating composition The hole injection layer 3 is formed by applying the composition for forming a hole injection layer on a layer (usually an anode) corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 by an appropriate method and drying the composition .

(정공 수송성 화합물)(Hole-transporting compound)

정공 주입층 형성용 조성물은 통상, 정공 주입층의 구성 재료로서 정공 수송성 화합물 및 용매를 함유한다. 정공 수송성 화합물은 통상, 유기 전계 발광 소자의 정공 주입층에 사용되는 정공 수송성을 갖는 화합물이라면, 중합체 등의 고분자 화합물이어도 좋고, 단량체 등의 저분자 화합물이어도 좋지만, 고분자 화합물인 것이 바람직하다. The composition for forming a hole injection layer generally contains a hole transporting compound and a solvent as constituent materials of the hole injection layer. The hole-transporting compound may be a polymer compound such as a polymer or a low molecular compound such as a monomer or the like, as long as it has a hole-transporting property, which is generally used in a hole injection layer of an organic electroluminescent device.

정공 수송성 화합물로서는, 양극(2)으로부터 정공 주입층(3)으로의 전하 주입 장벽의 관점에서 4.5 eV∼6.0 eV의 이온화 포텐셜을 갖는 화합물이 바람직하다. As the hole-transporting compound, a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV from the viewpoint of charge injection barrier from the anode (2) to the hole injection layer (3) is preferable.

정공 수송성 화합물의 예로서는, 방향족 아민 유도체, 프탈로시아닌 유도체, 포르피린 유도체, 올리고티오펜 유도체, 폴리티오펜 유도체, 벤질페닐 유도체, 플루오렌기로 3급 아민을 연결한 화합물, 히드라존 유도체, 실라잔 유도체, 실라나민 유도체, 포스파민 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 폴리아닐린 유도체, 폴리피롤 유도체, 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리티에닐렌비닐렌 유도체, 폴리퀴놀린 유도체, 폴리퀴녹살린 유도체, 카본 등을 들 수 있다. Examples of the hole-transporting compound include aromatic amine derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophen derivatives, polythiophene derivatives, benzylphenyl derivatives, compounds in which a tertiary amine is linked by a fluorene group, hydrazone derivatives, A polypyrrole derivative, a polyphenylene vinylene derivative, a polythienylenevinylene derivative, a polyquinoline derivative, a polyquinoxaline derivative, a carbon, and the like.

또한, 본 명세서에 있어서 유도체란, 예컨대, 방향족 아민 유도체를 예로 하면, 방향족 아민 그 자체 및 방향족 아민을 주골격으로 하는 화합물을 포함하는 것이며, 중합체여도 좋고 단량체여도 좋다. In the present specification, derivatives refer to, for example, an aromatic amine derivative, including a compound having an aromatic amine itself and an aromatic amine as a main skeleton, and may be a polymer or a monomer.

상기 예시한 것 중에서도, 비정질성, 가시광의 투과율의 점에서, 방향족 아민 화합물이 바람직하고, 특히 방향족 3급 아민 화합물이 바람직하다. 여기서, 방향족 3급 아민 화합물이란, 방향족 3급 아민 구조를 갖는 화합물이며, 방향족 3급 아민 유래의 기를 갖는 화합물도 포함한다. Among the above-mentioned examples, aromatic amine compounds are preferable, and aromatic tertiary amine compounds are particularly preferable from the viewpoints of amorphous properties and transmittance of visible light. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure and also includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.

방향족 3급 아민 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 표면 평활화 효과에 의한 균일한 발광의 점에서, 중량 평균 분자량이 1000 이상, 1000000 이하의 고분자 화합물(반복 단위가 이어진 중합형 화합물)이 더욱 바람직하다. The kind of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but from the viewpoint of uniform light emission by the surface smoothing effect, a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (a polymerization type compound having a repeating unit) is more preferable .

이러한 고분자 화합물의 재료로서는, 종래, 정공 주입층용 화합물로서 이용되고 있는 화합물을 이용할 수 있고, 예컨대 일본 특허 공개 제2009-212510호 공보, 국제 공개 제2012/096352호, 국제 공개 제2013/191137호 등에 개시되어 있는 화합물을 이용할 수 있다. As a material of such a polymer compound, a compound which has been conventionally used as a compound for a hole injection layer can be used. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-212510, International Publication No. 2012/096352, International Publication No. 2013/191137 The disclosed compounds can be used.

또한, 정공 수송성 화합물로서는, 폴리티오펜의 유도체인 3,4-ethylenedioxythiophene(3,4-에틸렌디옥시티오펜)을 고분자량 폴리스티렌술폰산 중에서 중합하여 이루어진 도전성 폴리머(PEDOT/PSS)도 또한 바람직하다. 또한, 이 폴리머의 말단을 메타크릴레이트 등으로 캡한 것이어도 좋다. As the hole-transporting compound, a conductive polymer (PEDOT / PSS) obtained by polymerizing 3,4-ethylenedioxythiophene (3,4-ethylenedioxythiophene), which is a derivative of polythiophene, in high molecular weight polystyrenesulfonic acid is also preferable. Further, the terminal of the polymer may be capped with methacrylate or the like.

정공 주입층 형성용 조성물 중의 정공 수송성 화합물의 농도는, 본 발명의 효과를 현저히 손상하지 않는 한 임의이지만, 막두께의 균일성의 점에서 통상 0.01 질량% 이상, 바람직하게는 0.1 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.5 질량% 이상이다. 또한, 정공 주입층 형성용 조성물 중의 정공 수송성 화합물의 농도는, 통상 70 질량% 이하, 바람직하게는 60 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 50 질량% 이하이다. 이 농도가 지나치게 높으면 막두께에 불균일이 생길 가능성이 있고, 또한 지나치게 낮으면 성막된 정공 주입층에 결함이 생길 가능성이 있다. The concentration of the hole-transporting compound in the composition for forming the hole injection layer is not particularly limited so long as it does not significantly impair the effect of the present invention, but is usually 0.01% by mass or more, preferably 0.1% by mass or more, Is not less than 0.5% by mass. The concentration of the hole-transporting compound in the composition for forming a hole injection layer is usually 70 mass% or less, preferably 60 mass% or less, and more preferably 50 mass% or less. If the concentration is too high, the film thickness may be uneven. If the concentration is too low, there is a possibility that defects are formed in the hole injection layer formed.

(전자 수용성 화합물)(Electron-accepting compound)

정공 주입층 형성용 조성물은 정공 주입층의 구성 재료로서, 전자 수용성 화합물을 함유하고 있는 것이 바람직하다. The composition for forming a hole injection layer preferably contains an electron-accepting compound as a constituent material of the hole injection layer.

전자 수용성 화합물이란, 산화력을 가지며, 전술한 정공 수송성 화합물로부터 1 전자 수용할 능력을 갖는 화합물이 바람직하고, 구체적으로는, 전자 친화력이 4 eV 이상인 화합물이 바람직하고, 5 eV 이상인 화합물이 더욱 바람직하다. The electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing ability and capable of accepting one electron from the above-described hole-transporting compound, specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more, more preferably a compound having a electron accepting ability of 5 eV or more .

이러한 전자 수용성 화합물로서는, 예컨대 트리아릴붕소 화합물, 할로겐화 금속, 루이스산, 유기산, 오늄염, 아릴아민과 할로겐화 금속의 염, 아릴아민과 루이스산의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the electron-accepting compound include one or more compounds selected from the group consisting of a triarylboron compound, a halogenated metal, a Lewis acid, an organic acid, an onium salt, a salt of an arylamine and a metal halide, a salt of an arylamine and a Lewis acid Compounds and the like.

더욱 구체적으로는, 염화철(III)(일본 특허 공개 평11-251067호 공보), 퍼옥소이황산암모늄 등의 고원자가의 무기 화합물; 테트라시아노에틸렌 등의 시아노 화합물, 트리스(펜타플루오로페닐)보란(일본 특허 공개 제2003-31365호 공보) 등의 방향족 붕소 화합물; 유기기의 치환한 오늄염(국제 공개 제2005/089024호); 풀러렌 유도체; 요오드; 폴리스티렌술폰산 이온, 알킬벤젠술폰산 이온, 장뇌술폰산 이온 등의 술폰산 이온 등을 들 수 있다. More specifically, inorganic compounds such as iron (III) chloride (Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-251067) and ammonium peroxodisulfate; An aromatic boron compound such as tris (pentafluorophenyl) borane (Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 2003-31365); Substituted onium salts of organic acids (WO 2005/089024); Fullerene derivatives; iodine; Sulfonic acid ions such as polystyrenesulfonic acid ion, alkylbenzenesulfonic acid ion and camphorsulfonic acid ion.

이들 전자 수용성 화합물은, 정공 수송성 화합물을 산화함으로써 정공 주입층의 도전율을 향상시킬 수 있다. These electron-accepting compounds can improve the conductivity of the hole injection layer by oxidizing the hole-transporting compound.

정공 주입층 혹은 정공 주입층 형성용 조성물 중의 전자 수용성 화합물의 정공 수송성 화합물에 대한 함유량은, 통상 0.1 몰% 이상, 바람직하게는 1 몰% 이상이다. 단, 통상 100 몰% 이하, 바람직하게는 40 몰% 이하이다. The content of the electron-accepting compound in the composition for forming the hole injection layer or hole injection layer with respect to the hole-transporting compound is generally 0.1 mol% or more, preferably 1 mol% or more. However, it is usually not more than 100 mol%, preferably not more than 40 mol%.

(용매)(menstruum)

습식 성막법에 이용하는 정공 주입층 형성용 조성물의 용매 중 적어도 1종은, 전술한 정공 주입층의 구성 재료를 용해할 수 있는 화합물인 것이 바람직하다. 또한, 이 용매의 비점은 통상 80℃ 이상, 바람직하게는 100℃ 이상, 더욱 바람직하게는 110℃ 이상이다. 용매의 비점은 통상 300℃ 이하, 바람직하게는 280℃ 이하인 것이 바람직하다. At least one solvent of the composition for forming a hole injection layer used in the wet film formation method is preferably a compound capable of dissolving the constituent material of the above-mentioned hole injection layer. The boiling point of the solvent is usually 80 占 폚 or higher, preferably 100 占 폚 or higher, more preferably 110 占 폚 or higher. The boiling point of the solvent is usually 300 ° C or lower, preferably 280 ° C or lower.

용매의 비점이 지나치게 낮으면, 건조 속도가 지나치게 빨라, 막질이 악화될 가능성이 있다. 또한, 용매의 비점이 지나치게 높으면 건조 공정의 온도를 높게 할 필요가 있어, 다른 층이나 기판에 악영향을 미칠 가능성이 있다. If the boiling point of the solvent is too low, the drying speed is too fast and the film quality may deteriorate. In addition, if the boiling point of the solvent is too high, it is necessary to raise the temperature of the drying step, which may adversely affect other layers and substrates.

용매로서 예컨대, 에테르계 용매, 에스테르계 용매, 방향족 탄화수소계 용매, 아미드계 용매 등을 들 수 있다. Examples of the solvent include ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents and amide solvents.

에테르계 용매로서는, 예컨대, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜-1-모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 등의 지방족 에테르; 1,2-디메톡시벤젠, 1,3-디메톡시벤젠, 아니솔, 페네톨, 2-메톡시톨루엔, 3-메톡시톨루엔, 4-메톡시톨루엔, 2,3-디메틸아니솔, 2,4-디메틸아니솔 등의 방향족 에테르 등을 들 수 있다. Examples of the ether solvent include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 2-methoxybenzene, 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetol, 2- methoxytoluene, 3- methoxytoluene, 4- methoxytoluene, And aromatic ethers such as 4-dimethyl anisole.

에스테르계 용매로서는, 예컨대, 아세트산페닐, 프로피온산페닐, 벤조산메틸, 벤조산에틸, 벤조산프로필, 벤조산 n-부틸 등의 방향족 에스테르 등을 들 수 있다. Examples of ester solvents include aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate.

방향족 탄화수소계 용매로서는, 예컨대, 톨루엔, 크실렌, 시클로헥실벤젠, 3-이소프로필비페닐, 1,2,3,4-테트라메틸벤젠, 1,4-디이소프로필벤젠, 메틸나프탈렌 등을 들 수 있다. Examples of the aromatic hydrocarbon solvent include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, 3-isopropylbiphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene and methylnaphthalene have.

아미드계 용매로서는, 예컨대, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등을 들 수 있다. Examples of the amide solvent include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and the like.

기타, 디메틸술폭시드 등도 이용할 수 있다. Other examples include dimethyl sulfoxide and the like.

이들 용매는 1종만을 이용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 조합 및 비율로 이용해도 좋다. These solvents may be used alone, or two or more solvents may be used in any combination and ratio.

(성막 방법)(Film forming method)

정공 주입층 형성용 조성물을 조제후, 이 조성물을 습식 성막에 의해, 정공 주입층(3)의 하층에 해당하는 층(통상은, 양극(2)) 위에 도포하고 건조시킴으로써 정공 주입층(3)을 형성한다. After the composition for forming the hole injection layer is prepared, this composition is applied onto the layer (usually the anode 2) corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 by wet film formation and dried to form the hole injection layer 3, .

도포 공정에서의 온도는, 조성물 중에 결정이 생기는 것에 의한 막의 결손을 방지하기 위해, 10℃ 이상이 바람직하고, 50℃ 이하가 바람직하다. The temperature in the coating step is preferably 10 ° C or higher, and preferably 50 ° C or lower, in order to prevent the film from being broken due to crystal formation in the composition.

도포 공정에서의 상대 습도는, 본 발명의 효과를 현저히 손상하지 않는 한 한정되지 않지만, 통상 0.01 ppm 이상, 통상 80% 이하이다. The relative humidity in the application step is not limited so long as it does not significantly impair the effect of the present invention, but is usually 0.01 ppm or more, usually 80% or less.

도포후 필요에 따라서, 진공 건조 등에 의해 대략적으로 용매를 제거하고, 그 후 가열에 의해 정공 주입층 형성용 조성물의 막을 건조시킨다. 가열 공정에 있어서 사용하는 가열 수단의 예를 들면, 클린오븐, 핫플레이트, 적외선 히터(할로겐 히터) 등을 들 수 있다. After coating, if necessary, the solvent is roughly removed by vacuum drying or the like, and then the film of the composition for forming a hole injection layer is dried by heating. Examples of the heating means used in the heating process include a clean oven, a hot plate, and an infrared heater (halogen heater).

가열 공정에서의 가열 온도는, 본 발명의 효과를 현저히 손상하지 않는 한, 정공 주입층 형성용 조성물에 이용한 용매의 비점 이상의 온도로 가열하는 것이 바람직하다. 또한, 정공 주입층에 이용한 용매가 2종류 이상 포함되어 있는 혼합 용매인 경우, 적어도 1종류가 그 용매의 비점 이상의 온도로 가열되는 것이 바람직하다. 용매의 비점 상승을 고려하면, 가열 공정에 있어서는, 120℃ 이상, 300℃ 이하로 가열하는 것이 바람직하다. The heating temperature in the heating step is preferably heated to a temperature higher than the boiling point of the solvent used in the composition for forming the hole injection layer, so long as the effect of the present invention is not impaired. In the case of a mixed solvent containing two or more kinds of solvents used in the hole injection layer, it is preferable that at least one kind of the mixed solvent is heated to a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent. When the boiling point of the solvent is taken into consideration, it is preferable that the heating is carried out at 120 ° C or higher and 300 ° C or lower.

가열 공정에 있어서, 가열 온도가 정공 주입층 형성용 조성물의 용매의 비점 이상이고, 또한 막의 충분한 불용화가 발생하지 않으면, 가열 시간은 한정되지 않지만, 바람직하게는 10초 이상이고, 통상 180분 이하이다. 가열 시간이 지나치게 길면 다른 층의 성분이 확산되는 경향이 있고, 지나치게 짧으면 정공 주입층이 불균질해지는 경향이 있다. 가열은 2회로 나눠 행해도 좋다. If the heating temperature is higher than the boiling point of the solvent of the composition for forming a hole injection layer and the film is not sufficiently insolubilized, the heating time is not limited, but is preferably 10 seconds or more, and usually 180 minutes or less . If the heating time is too long, the components of other layers tend to diffuse, and if it is too short, the hole injection layer tends to become heterogeneous. Heating may be done in two separate stages.

<진공 증착법에 의한 정공 주입층의 형성> <Formation of Hole Injection Layer by Vacuum Deposition Method>

진공 증착에 의해 정공 주입층(3)을 형성하는 경우에는, 우선, 정공 주입층(3)의 구성 재료(전술한 정공 수송성 화합물, 전자 수용성 화합물 등)의 1종 또는 2종 이상을 진공 용기 내에 설치된 도가니에 넣는다(2종 이상의 재료를 이용하는 경우는 각각의 도가니에 넣는다). In the case where the hole injection layer 3 is formed by vacuum deposition, at first, one or more of the constituent materials (the above-mentioned hole transporting compound, electron-accepting compound, etc.) of the hole injection layer 3 are introduced into a vacuum container Put it in a crucible (if you use more than two materials, put it in each crucible).

계속해서, 진공 용기 내를 적당한 진공 펌프로 10^-4 Pa 정도까지 배기시킨 후, 도가니를 가열하여(2종 이상의 재료를 이용하는 경우는 각각의 도가니를 가열하여), 증발량을 제어하여 정공 주입층(3)의 구성 재료를 증발시켜(2종 이상의 재료를 이용하는 경우는 각각 독립적으로 증발량을 제어하여 증발시켜), 도가니와 대향하여 배치된 기판의 양극(2) 위에 정공 주입층(3)을 형성한다. Subsequently, the inside of the vacuum container is evacuated to about 10 ^-4 Pa by a suitable vacuum pump, and then the crucible is heated (when two or more kinds of materials are used, the respective crucibles are heated) 3) are evaporated (when two or more kinds of materials are used, the evaporation amount is controlled independently of each other), and the hole injection layer 3 is formed on the anode 2 of the substrate arranged opposite to the crucible .

또, 2종 이상의 재료를 이용하는 경우는, 이들의 혼합물을 도가니에 넣고 가열, 증발시켜 정공 주입층(3)을 형성할 수도 있다. When two or more materials are used, the mixture may be placed in a crucible and heated and evaporated to form the hole injection layer 3.

증착시의 진공도는, 본 발명의 효과를 현저히 손상하지 않는 한 한정되지 않지만, 통상 0.1×10^-7 Torr(1.3×10^-6 Pa) 이상, 통상 9.0×10^-6 Torr(12.0×10^-4 Pa) 이하이다. The degree of vacuum at the time of vapor deposition is not particularly limited as long as it does not impair the effect of the present invention, but is usually in the range of 0.1 × 10 ^-7 Torr (1.3 × 10 ^-6 Pa) or more, usually 9.0 × 10 ^-6 Torr (12.0 × 10 ^-4 Pa) or less.

증착 속도는, 본 발명의 효과를 현저히 손상하지 않는 한 한정되지 않지만, 통상 0.1 Å/초 이상, 통상 5.0 Å/초 이하이다. The deposition rate is not limited so long as it does not impair the effect of the present invention, but is usually 0.1 Å / second or more, usually 5.0 Å / second or less.

[4] 정공 수송층[4] Hole transport layer

정공 수송층(4)은, 정공 주입층(3)이 있는 경우에는 정공 주입층(3)의 위에, 정공 주입층(3)이 없는 경우에는 양극(2)의 위에 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는, 정공 수송층을 생략한 구성이어도 좋다. The hole transport layer 4 can be formed on the hole injection layer 3 when the hole injection layer 3 is present and on the anode 2 when the hole injection layer 3 is not present. The organic electroluminescent device of the present invention may have a structure in which the hole transport layer is omitted.

정공 수송층(4)의 형성 방법은, 진공 증착법이어도 좋고 습식 성막법이어도 좋으며, 특별히 제한은 없지만, 다크 스폿 저감의 관점에서 정공 수송층(4)을 습식 성막법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. The method of forming the hole transporting layer 4 may be a vacuum deposition method or a wet film formation method and is not particularly limited, but from the viewpoint of dark spot reduction, it is preferable to form the hole transporting layer 4 by a wet film formation method.

정공 수송층(4)을 형성하는 재료로서는, 정공 수송성이 높고 주입된 정공을 효율적으로 수송할 수 있는 재료인 것이 바람직하다. 그 때문에, 이온화 포텐셜이 작고, 가시광의 광에 대하여 투명성이 높고, 정공 이동도가 크고, 안정성이 우수하며, 트랩이 되는 불순물이 제조시나 사용시에 발생하기 어려운 것이 바람직하다. 또한, 많은 경우, 발광층(5)에 접하기 때문에, 발광층(5)으로부터의 발광을 소광하거나, 발광층(5)과의 사이에서 엑시플렉스를 형성하여 효율을 저하시키거나 하지 않는 것이 바람직하다. The material for forming the hole transport layer 4 is preferably a material which has high hole transportability and can transport the injected holes efficiently. Therefore, it is preferable that impurities which are small in ionization potential, high in transparency to visible light, high in hole mobility, excellent in stability, and trap are hard to be generated at the time of production or use. In many cases, it is preferable that the light emission from the light emitting layer 5 is extinguished or an exciplex is formed between the light emitting layer 5 and the light emitting layer 5 to reduce the efficiency.

이러한 정공 수송층(4)의 재료로는, 종래 정공 수송층용재로서 이용되고 있는 재료를 이용할 수 있고, 예컨대 일본 특허 공개 제2009-212510호 공보, 국제 공개 제2012/096352호, 국제 공개 제2013/191137호 등에 개시되어 있는 화합물을 이용할 수 있다. As the material of the hole transport layer 4, a material conventionally used as a hole transport layer can be used. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-212510, International Publication No. 2012/096352, International Publication No. 2013/191137 And the like can be used.

습식 성막법으로 정공 수송층(4)을 형성하는 경우는, 상기 정공 주입층(3)의 형성과 동일하게 하여, 정공 수송층 형성용 조성물을 조제한 후 도포하고 가열 건조시킨다. In the case of forming the hole transporting layer 4 by the wet film formation method, the composition for forming the hole transporting layer is prepared in the same manner as the formation of the hole injection layer 3, and then coated and heated and dried.

정공 수송층 형성용 조성물에는, 전술한 정공 수송성 화합물 외에 용매를 함유한다. 이용하는 용매는 상기 정공 주입층 형성용 조성물에 이용한 것과 동일하다. 또한, 도포 조건, 가열 건조 조건 등도 정공 주입층(3)의 형성의 경우와 동일하다.The composition for forming the hole transport layer contains a solvent in addition to the above-described hole transport compound. The solvent used is the same as that used for the composition for forming the hole injection layer. The coating conditions, heating and drying conditions and the like are also the same as in the case of forming the hole injection layer 3.

진공 증착법에 의해 정공 수송층을 형성하는 경우도 또한, 그 성막 조건 등은 상기 정공 주입층(3)의 형성의 경우와 동일하다.In the case of forming the hole transporting layer by the vacuum vapor deposition method, the film forming conditions and the like are the same as in the case of forming the hole injection layer 3.

이와 같이 하여 형성되는 정공 수송층(4)의 막두께는, 통상 5 nm 이상, 바람직하게는 10 nm 이상이고, 또한 통상 1000 nm 이하, 바람직하게는 500 nm 이하이다. The film thickness of the hole transport layer 4 thus formed is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

[5] 발광층[5] Light emitting layer

정공 수송층(4) 위에는 통상 발광층(5)이 형성된다. 발광층(5)은, 전계가 부여된 전극 사이에 있어서, 양극(2)으로부터 정공 주입층(3)을 통하여 주입된 정공과, 음극(9)으로부터 전자 수송층(7)을 통하여 주입된 전자의 재결합에 의해 여기된 주요 발광원이 되는 층이다. On the hole transport layer 4, a light emitting layer 5 is usually formed. The light emitting layer 5 is a layer in which the holes injected from the anode 2 through the hole injection layer 3 and the electrons injected from the cathode 9 through the electron transport layer 7 are recombined Which is the main light emission source excited by the light emitting layer.

발광층(5)은 발광 재료(도펀트)와 1종 또는 2종 이상의 호스트 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 발광 재료는 본 발명에 관한 금속 착체 화합물인 것이 바람직하고, 호스트 재료는 본 발명에 관한 전하 수송성 화합물인 것이 바람직하다. 발광층(5)은, 본 발명의 조성물을 습식 성막하여 형성한 층인 것이 바람직하다. 발광층(5)은, 또한 진공 증착법으로 형성한 층을 갖고 있어도 좋다. It is preferable that the light emitting layer 5 includes a light emitting material (dopant) and one or more host materials. The light emitting material is preferably a metal complex compound according to the present invention, and the host material is preferably a charge transporting compound according to the present invention. The light emitting layer 5 is preferably a layer formed by wet film formation of the composition of the present invention. The light emitting layer 5 may have a layer formed by a vacuum vapor deposition method.

또, 발광층(5)은, 본 발명의 성능을 손상하지 않는 범위에서, 발광 재료(도펀트)와 호스트 재료 이외의 다른 재료, 성분을 포함하고 있어도 좋다. The light emitting layer 5 may contain materials and components other than the light emitting material (dopant) and the host material within a range that does not impair the performance of the present invention.

유기 전계 발광 소자는, 발광층이 2층 이상이어도 좋다. 발광층을 2층 이상 형성하는 경우는, 어느 하나의 발광층이 본 발명의 규정을 만족시키면 된다. 2층 이상인 경우, 각각의 발광층이 직접 접해 있어도 좋고, 사이에 다른 층을 개재시켜도 좋다. 사이에 개재시키는 다른 층으로서는, 전하 수송층, 블록층, 전하 발생층 등을 들 수 있다. The organic electroluminescent device may have two or more light emitting layers. When two or more light-emitting layers are formed, any one light-emitting layer may satisfy the requirements of the present invention. In the case of two or more layers, each of the light-emitting layers may be in direct contact with each other or intervening layers may be interposed therebetween. Other layers interposed between the charge generation layer and the charge generation layer include a charge transport layer, a block layer, and a charge generation layer.

발광층이 2층 이상인 경우, 바람직하게는, 본 발명의 조성물을 습식 성막하여 형성한 층의 위에, 증착 방법으로 형성한 발광층을 갖는 구성이다. 더욱 바람직하게는, 본 발명의 조성물을 습식 성막하여 형성한 층의 위에, 증착 방법으로 형성한 형광 발광층을 갖는 구성이다. When the light emitting layer has two or more layers, preferably, the light emitting layer is formed on the layer formed by wet film formation of the composition of the present invention by a vapor deposition method. More preferably, the composition has a fluorescent light-emitting layer formed by a vapor deposition method on a layer formed by wet film formation of the composition of the present invention.

본 발명의 조성물을 습식 성막하여 형성한 층의 위에 증착 방법으로 발광층을 형성함으로써, 균일하게 발광층을 적층할 수 있어 바람직하다. 또한, 본 발명의 조성물을 습식 성막하여 형성한 층의 위에 증착 방법으로 형성하는 발광층이 형광 발광층이면, 형광 발광 재료는 통상 중원자를 포함하지 않고 비교적 낮은 온도에서 증착할 수 있기 때문에, 형광 발광 재료가 하층인 본 발명의 조성물을 습식 성막하여 형성한 층에 부착했을 때의 에너지가 낮고, 하층에 대한 손상이 없어 바람직하다. It is preferable that the light emitting layer can be laminated uniformly by forming the light emitting layer on the layer formed by wet film formation of the composition of the present invention by a vapor deposition method. Further, if the light-emitting layer formed by the vapor deposition method on the layer formed by wet film formation of the present invention is a fluorescent light-emitting layer, the fluorescent light-emitting material can deposit at a comparatively low temperature, It is preferable that the lower layer of the composition of the present invention is adhered to a layer formed by wet film formation, so that energy is low and there is no damage to the lower layer.

[6] 정공 저지층[6] Hole blocking layer

정공 저지층(6)은, 발광층(5)의 위에, 발광층(5)의 음극측의 계면에 접하도록 적층 형성할 수 있다. 특히, 발광층(5)의 발광 재료로서 인광 발광 재료를 이용하거나, 청색 발광 재료를 이용하거나 하는 경우, 정공 저지층(6)을 형성하는 것은 효과적이다. The hole blocking layer 6 may be formed so as to be in contact with the interface of the light emitting layer 5 on the cathode side. Particularly, when a phosphorescent material is used as the light-emitting material of the light-emitting layer 5 or a blue light-emitting material is used, it is effective to form the hole-blocking layer 6.

정공 저지층(6)은 정공과 전자를 발광층(5) 내에 가두어 발광 효율을 향상시키는 기능을 갖는다. 즉, 정공 저지층(6)은, 발광층(5)으로부터 이동해 오는 정공이 전자 수송층(7)에 도달하는 것을 저지함으로써, 발광층(5) 내에서 전자와의 재결합 확률을 높이고, 생성한 여기자를 발광층(5) 내에 가두는 역할과, 전자 수송층(7)으로부터 주입된 전자를 효율적으로 발광층(5)의 방향으로 수송하는 역할이 있다. The hole blocking layer 6 has a function of confining holes and electrons in the light emitting layer 5 to improve the light emitting efficiency. That is, the hole blocking layer 6 prevents the holes moving from the light emitting layer 5 from reaching the electron transporting layer 7, thereby increasing the probability of recombination with electrons in the light emitting layer 5, (5) and the function of efficiently transporting the electrons injected from the electron transport layer (7) in the direction of the light emitting layer (5).

정공 저지층(6)을 구성하는 재료에 요구되는 물성으로서는, 전자 이동도가 높고 정공 이동도가 낮은 것, 에너지 갭(HOMO, LUMO의 차)이 큰 것, 여기 삼중항 준위(T1)가 높은 것을 들 수 있다. Examples of physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 6 include those having a high electron mobility and a low hole mobility, a large energy gap (difference in HOMO and LUMO), a high excited triplet level (T1) &Lt; / RTI &gt;

이러한 조건을 만족시키는 정공 저지층 재료로서는, 예컨대 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토) (페놀라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토) (트리페닐실라놀라토)알루미늄 등의 혼합 배위자 착체, 비스(2-메틸-8-퀴놀라토)알루미늄-μ-옥소-비스-(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄 2핵 금속 착체 등의 금속 착체, 디스티릴비페닐 유도체 등의 스티릴 화합물(일본 특허 공개 평11-242996호 공보), 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸 등의 트리아졸 유도체(일본 특허 공개 평7-41759호 공보), 바소쿠프로인 등의 페난트롤린 유도체(일본 특허 공개 평10-79297호 공보)를 들 수 있다. 또한, 국제 공개 제2005/022962호에 기재된 2-위치, 4-위치, 6-위치가 치환된 피리딘 환을 적어도 1개 갖는 화합물도 정공 저지 재료로서 바람직하다. Examples of the hole blocking layer material that satisfies these conditions include a metal such as bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8- quinolinolato) Metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-? -Oxo-bis- (2-methyl-8- quinolinolato) aluminum 2 nuclear metal complex, (4-biphenyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4 (JP-A-7-41759), and phenanthroline derivatives such as bazocuproline (JP-A-10-79297). Also, a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2-position, 4-position, and 6-position described in WO 2005/022962 is also preferable as the hole blocking material.

또, 정공 저지층(6)의 재료는, 1종만을 이용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 조합 및 비율로 병용해도 좋다. The hole blocking layer 6 may be made of only one material, or two or more materials may be used in any combination and in any ratio.

정공 저지층(6)의 막두께는, 통상 0.3 nm 이상, 바람직하게는 0.5 nm 이상이다. 정공 저지층(6)의 막두께는, 통상 100 nm 이하, 바람직하게는 50 nm 이하이다. The film thickness of the hole blocking layer 6 is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more. The film thickness of the hole blocking layer 6 is usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.

정공 저지층(6)은, 정공 주입층(3)과 동일한 방법으로 형성할 수 있지만, 통상은 진공 증착법이 이용된다. The hole blocking layer 6 can be formed by the same method as the hole injection layer 3, but a vacuum deposition method is usually used.

[7] 전자 수송층[7] Electron transport layer

전자 수송층(7)은 소자의 발광 효율을 더욱 향상시키는 것을 목적으로, 정공 저지층(6)과 후술하는 전자 주입층(8) 사이에 형성할 수 있다. 전자 수송층(7)은, 전계가 부여된 전극 사이에 있어서 음극(9)으로부터 주입된 전자를 효율적으로 발광층(5)의 방향으로 수송할 수 있는 화합물에 의해 형성된다. The electron transport layer 7 can be formed between the hole blocking layer 6 and the electron injection layer 8 described later for the purpose of further improving the luminous efficiency of the device. The electron transport layer 7 is formed by a compound capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode 9 in the direction of the light emitting layer 5 between electrodes to which an electric field is applied.

전자 수송층(7)에 이용되는 전자 수송성 화합물로서는, 음극(9) 또는 전자 주입층(8)으로부터의 전자 주입 효율이 높고 또한 높은 전자 이동도를 가지고 주입된 전자를 효율적으로 수송할 수 있는 화합물인 것이 필요하다. The electron-transporting compound used in the electron-transporting layer 7 is preferably a compound capable of efficiently injecting electrons with high electron injection efficiency from the cathode 9 or the electron-injecting layer 8 and high electron mobility It is necessary.

이러한 조건을 만족시키는 재료로서는, 8-히드록시퀴놀린의 알루미늄 착체 등의 금속 착체(일본 특허 공개 소59-194393호 공보), 10-히드록시벤조[h]퀴놀린의 금속 착체, 옥사디아졸 유도체, 디스티릴비페닐 유도체, 실롤 유도체, 3-또는 5-히드록시플라본 금속 착체, 벤즈옥사졸 금속 착체, 벤조티아졸 금속 착체, 트리스벤즈이미다졸릴벤젠(미국 특허 제5,645,948호 명세서), 퀴녹살린 화합물(일본 특허 공개 평6-207169호 공보), 페난트롤린 유도체(일본 특허 공개 평5-331459호 공보), 2-t-부틸-9,10-N,N'-디시아노안트라퀴논디이민, n형 수소화 비정질 탄화실리콘, n형 황화아연, n형 셀렌화 아연 등을 들 수 있다. Examples of the material that satisfies these conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives, (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compounds (for example, diisopropylbenzene derivatives, diisopropylbenzene derivatives, dithiarylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3- or 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, 6-207169), phenanthroline derivatives (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinone diimine, n Type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, and n-type zinc selenide.

전자 수송층(7)의 막두께는, 통상 하한은 1 nm, 바람직하게는 5 nm 정도이며, 상한은 통상 300 nm, 바람직하게는 100 nm 정도이다. The film thickness of the electron transport layer 7 is usually about 1 nm, preferably about 5 nm, and the upper limit is usually about 300 nm, preferably about 100 nm.

전자 수송층(7)은, 정공 주입층(3)과 동일하게 하여 습식 성막법, 혹은 진공 증착법에 의해 형성되지만, 통상은 진공 증착법이 이용된다. The electron transport layer 7 is formed by a wet film formation method or a vacuum vapor deposition method in the same manner as the hole injection layer 3, but a vacuum vapor deposition method is usually used.

[8] 전자 주입층[8] Electron injection layer

전자 주입층(8)은 음극(9)으로부터 주입된 전자를 효율적으로 발광층(5)에 주입하는 역할을 한다. 전자 주입을 효율적으로 행하기 위해서는, 전자 주입층(8)을 형성하는 재료는, 일함수가 낮은 금속이 바람직하고, 나트륨이나 세슘 등의 알칼리 금속, 바륨이나 칼슘 등의 알칼리 토류 금속이 이용된다. The electron injection layer 8 efficiently injects electrons injected from the cathode 9 into the light emitting layer 5. [ In order to efficiently perform electron injection, a metal having a low work function is preferably used as the material for forming the electron injection layer 8, and alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium are used.

전자 주입층(8)의 막두께는 0.1∼5 nm가 바람직하다. The thickness of the electron injection layer 8 is preferably 0.1 to 5 nm.

또한, 음극(9)과 전자 수송층(7)의 계면에 전자 주입층(8)으로서, LiF, MgF₂, Li₂O, Cs₂CO₃ 등의 극박 절연막(막두께 0.1∼5 nm 정도)을 삽입하는 것도, 소자의 효율을 향상시키는 유효한 방법이다(Appl. Phys. Lett., 70권, 152페이지, 1997년; 일본 특허 공개 평10-74586호 공보; IEEETrans. Electron. Devices, 44권, 1245페이지, 1997년; SID 04 Digest, 154페이지).An extremely thin insulating film (with a film thickness of about 0.1 to 5 nm) such as LiF, MgF ₂ , Li ₂ O, Cs ₂ CO ₃ or the like is formed on the interface between the cathode 9 and the electron transporting layer 7 as an electron injecting layer 8 Insertion is also an effective method for improving the efficiency of a device (Appl. Phys. Lett., Vol. 70, p. 152, 1997, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-74586, IEE Trans. Pages, 1997; SID 04 Digest, page 154).

또한, 바소페난트롤린 등의 함질소 복소환 화합물이나 8-히드록시퀴놀린의 알루미늄 착체 등의 금속 착체로 대표되는 유기 전자 수송 재료에, 나트륨, 칼륨, 세슘, 리튬, 루비듐 등의 알칼리 금속을 도핑(일본 특허 공개 평10-270171호 공보, 일본 특허 공개 제2002-100478호 공보, 일본 특허 공개 제2002-100482호 공보 등에 기재)함으로써, 전자 주입ㆍ수송성이 향상되어 우수한 막질을 양립시키는 것이 가능해지기 때문에 바람직하다. Further, an alkali metal such as sodium, potassium, cesium, lithium, or rubidium is doped into an organic electron transporting material typified by a nitrogen-containing heterocyclic compound such as a benzophenanthroline or an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline, (Described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-100478, and JP-A-2002-100482), it is possible to improve the electron injecting and transporting property, Therefore, it is preferable.

이 경우의 전자 주입층(8)의 막두께는 통상 5 nm 이상, 바람직하게는 10 nm 이상이다. 전자 주입층(8)의 막두께는 통상 200 nm 이하, 바람직하게는 100 nm 이하이다. In this case, the film thickness of the electron injection layer 8 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more. The film thickness of the electron injection layer 8 is usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.

전자 주입층(8)은, 발광층(5)과 동일하게 하여 습식 성막법, 혹은 진공 증착법에 의해 형성된다. 진공 증착법의 경우에는, 진공 용기 내에 설치된 도가니 또는 금속 보우트에 증착원을 넣고, 진공 용기 내를 적당한 진공 펌프로 10^-4 Pa 정도까지 배기시킨 후, 도가니 또는 금속 보우트를 가열하여 증발시켜, 도가니 또는 금속 보우트와 대향하여 배치된 기판 상에 전자 주입층(8)을 형성한다. The electron injection layer 8 is formed by the wet film formation method or the vacuum deposition method in the same manner as the light emission layer 5. [ In the case of the vacuum vapor deposition method, an evaporation source is placed in a crucible or a metal boat installed in a vacuum container, and the inside of the vacuum container is evacuated to about 10 ^-4 Pa by a suitable vacuum pump. An electron injection layer (8) is formed on a substrate arranged opposite to the metal boat.

알칼리 금속의 증착은, 크롬산 알칼리 금속과 환원제를 니크롬에 충전한 알칼리 금속 디스펜서를 이용하여 행한다. 이 디스펜서를 진공 용기 내에서 가열함으로써, 크롬산 알칼리 금속이 환원되어 알칼리 금속이 증발된다. The deposition of the alkali metal is carried out using an alkali metal chromium oxide and an alkali metal dispenser filled with a reducing agent in nichrome. By heating the dispenser in a vacuum container, the alkali metal chromate is reduced to evaporate the alkali metal.

유기 전자 수송 재료와 알칼리 금속을 공증착하는 경우는, 유기 전자 수송 재료를 진공 용기 내에 설치된 도가니에 넣고, 진공 용기 내를 적당한 진공 펌프로 10^-4 Pa 정도까지 배기시킨 후, 각각의 도가니 및 디스펜서를 동시에 가열하여 증발시켜, 도가니 및 디스펜서와 대향하여 배치된 기판 상에 전자 주입층(8)을 형성한다. When the organic electron transporting material and the alkali metal are co-deposited, the organic electron transporting material is placed in a crucible provided in the vacuum container, the vacuum container is evacuated to about 10 ^-4 Pa by a suitable vacuum pump, Are simultaneously heated and evaporated to form the electron injection layer 8 on the substrate arranged opposite to the crucible and the dispenser.

이 때, 전자 주입층(8)의 막두께 방향에 있어서 균일하게 공증착되지만, 막두께 방향에 있어서 농도 분포가 있어도 상관없다. At this time, co-deposition is uniformly performed in the film thickness direction of the electron injection layer 8, but there may be a concentration distribution in the film thickness direction.

[9] 음극[9] cathode

음극(9)은, 발광층(5)측의 층(전자 주입층(8) 또는 발광층(5) 등)에 전자를 주입하는 역할을 한다. The cathode 9 serves to inject electrons into the layer on the side of the light emitting layer 5 (the electron injection layer 8, the light emitting layer 5, or the like).

음극(9)으로서 이용되는 재료는, 상기 양극(2)에 사용되는 재료를 이용하는 것도 가능하지만, 효율적으로 전자 주입을 행하기 위해서는, 일함수가 낮은 금속이 바람직하다. 예컨대, 주석, 마그네슘, 인듐, 칼슘, 알루미늄, 은 등의 적당한 금속 또는 이들의 합금이 이용된다. 구체예로서는, 마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 알루미늄-리튬 합금 등의 낮은 일함수 합금 전극을 들 수 있다. As the material used for the cathode 9, a material used for the anode 2 can be used, but a metal having a low work function is preferable for efficiently injecting electrons. For example, suitable metals such as tin, magnesium, indium, calcium, aluminum, and silver or alloys thereof are used. Specific examples thereof include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.

음극(9)의 막두께는 통상, 양극(2)과 동일하다. 낮은 일함수 금속으로 이루어진 음극을 보호할 목적으로, 이 위에, 일함수가 높고 대기에 대하여 안정한 금속층을 더 적층하는 것은 소자의 안정성을 높인다. 이 목적을 위해, 알루미늄, 은, 구리, 니켈, 크롬, 금, 백금 등의 금속이 사용된다. The film thickness of the cathode 9 is generally the same as that of the anode 2. For the purpose of protecting the negative electrode made of a low work function metal, further layering of a metal layer having a high work function and stable with respect to the atmosphere on this layer improves the stability of the device. For this purpose, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold and platinum are used.

[10] 그 밖의 구성층[10] Other constituent layers

이상, 도 1에 나타내는 층구성의 소자를 중심으로 설명했지만, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에서의 양극(2) 및 음극(9)과 발광층(5)의 사이에는, 그 성능을 손상하지 않는 한, 상기 설명에 있는 층 외에도, 임의의 층을 갖고 있어도 좋고, 또한 발광층(5) 이외의 임의의 층을 생략해도 좋다. Although the description has been made with reference to the element having the layer structure shown in Fig. 1 as above, the anode 2 and the cathode 9 in the organic electroluminescent element of the present invention and the light emitting layer 5, , In addition to the layers described above, any layer other than the light-emitting layer 5 may be omitted.

예컨대, 정공 저지층(6)과 동일한 목적으로, 정공 수송층(4)과 발광층(5) 사이에 전자 저지층을 형성하는 것도 효과적이다. 전자 저지층은, 발광층(5)으로부터 이동해 오는 전자가 정공 수송층(4)에 도달하는 것을 저지함으로써, 발광층(5) 내에서 정공과의 재결합 확률을 높이고, 생성한 여기자를 발광층(5) 내에 가두는 역할과, 정공 수송층(4)으로부터 주입된 정공을 효율적으로 발광층(5)의 방향으로 수송하는 역할이 있다. For example, it is also effective to form an electron blocking layer between the hole transport layer 4 and the light emitting layer 5 for the same purpose as the hole blocking layer 6. The electron blocking layer prevents the electrons moving from the light emitting layer 5 from reaching the hole transporting layer 4 to increase the probability of recombination with the holes in the light emitting layer 5, And has a role of efficiently transporting the holes injected from the hole transport layer 4 toward the light emitting layer 5.

전자 저지층에 요구되는 특성으로서는, 정공 수송성이 높고, 에너지 갭(HOMO, LUMO의 차)이 큰 것, 여기 삼중항 준위(T1)가 높은 것을 들 수 있다. 또한, 발광층(5)을 습식 성막법으로 형성하는 경우, 전자 저지층도 습식 성막법으로 형성하는 것이, 소자 제조가 용이해지기 때문에 바람직하다. Properties required for the electron blocking layer include high hole transportability, high energy gap (difference between HOMO and LUMO), and high excited triplet level (T1). When the light emitting layer 5 is formed by the wet film formation method, it is preferable that the electron blocking layer is also formed by the wet film formation method because the device is easily manufactured.

이 때문에, 전자 저지층도 습식 성막 적합성을 갖는 것이 바람직하고, 이러한 전자 저지층에 이용되는 재료로서는, F8-TFB로 대표되는 디옥틸플루오렌과 트리페닐아민의 공중합체(국제 공개 제2004/084260호) 등을 들 수 있다. For this reason, it is preferable that the electron blocking layer also has suitability for wet film formation. As a material used for such an electron blocking layer, a copolymer of dioctylfluorene and triphenylamine represented by F8-TFB (WO 2004/084260 And the like).

또, 도 1과는 반대의 구조, 즉, 기판(1) 위에 음극(9), 전자 주입층(8), 전자 수송층(7), 정공 저지층(6), 발광층(5), 정공 수송층(4), 정공 주입층(3), 양극(2)의 순으로 적층하는 것도 가능하고, 적어도 한쪽이 투명성이 높은 2장의 기판 사이에 본 발명의 유기 전계 발광 소자를 설치하는 것도 가능하다. 1, the cathode 9, the electron injection layer 8, the electron transport layer 7, the hole blocking layer 6, the light emitting layer 5, and the hole transport layer (not shown) 4, the hole injection layer 3, and the anode 2 in this order, and it is also possible to provide the organic electroluminescent device of the present invention between two substrates of which at least one has high transparency.

나아가, 도 1에 나타내는 층구성을 복수단 중첩한 구조(발광 유닛을 복수 적층시킨 구조)로 하는 것도 가능하다. 그 때에는 단 사이(발광 유닛 사이)의 계면층(양극이 ITO, 음극이 Al인 경우는 그 2층) 대신에, 예컨대 V₂O₅ 등을 전하 발생층으로서 이용하면 단 사이의 장벽이 적어져, 발광 효율ㆍ구동 전압의 관점에서 보다 바람직하다. Further, it is also possible to adopt a structure in which a plurality of layer structures shown in Fig. 1 are superimposed (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked). At this time, if V ₂ O ₅ or the like is used as the charge generation layer instead of the interfacial layer (between the light emitting units) (the anode is ITO and the cathode is Al), then the barrier between the layers is reduced , More preferable from the viewpoint of luminous efficiency and driving voltage.

본 발명은, 유기 전계 발광 소자를, 단일한 소자, 어레이형으로 배치된 구조로 이루어진 소자, 양극과 음극이 X-Y 매트릭스형으로 배치된 구조의 어디 것에 있어서도 적용할 수 있다. The present invention can be applied to any device in which the organic electroluminescent device is composed of a single element, an element arranged in an array type, and a structure in which an anode and a cathode are arranged in an X-Y matrix.

[표시 장치 및 조명 장치][Display device and lighting device]

본 발명의 표시 장치 및 조명 장치는, 전술한 바와 같은 본 발명의 유기 전계 발광 소자를 이용한 것이다. 본 발명의 표시 장치 및 조명 장치의 형식이나 구조에 관해서는 특별히 제한은 없고, 본 발명의 유기 전계 발광 소자를 이용하여 통상의 방법에 따라서 조립할 수 있다. The display device and the lighting device of the present invention use the organic electroluminescent device of the present invention as described above. The type and structure of the display device and the lighting device of the present invention are not particularly limited, and the organic electroluminescent device of the present invention can be used to assemble according to a conventional method.

예컨대, 「유기 EL 디스플레이」(오움사, 2004년 8월 20일 발행, 토키토 시즈오, 아다치 치하야, 무라타 히데유키 저)에 기재되어 있는 바와 같은 방법으로, 본 발명의 표시 장치 및 조명 장치를 형성할 수 있다. For example, a display device and a lighting device of the present invention can be formed by the method described in &quot; Organic EL Display &quot; (Ohmusa, issued on August 20, 2004, Shizuo Tokido, Chihaya Adachi, Hideyuki Murata) .

실시예Example 1 One

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 한 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples without departing from the gist thereof.

[실시예 1][Example 1]

도 1에 나타내는 유기 전계 발광 소자를 제작했다. An organic electroluminescent device shown in Fig. 1 was produced.

우선, 유리 기판(1) 위에 ITO 투명 도전막을 150 nm의 두께로 퇴적하고, 2 mm 폭의 스트라이프로 패터닝하여 ITO의 양극(2)을 형성한 기판(산요진공사 제조, 스퍼터 성막품)에 관해, 계면 활성제 수용액에 의한 초음파 세정, 초순수에 의한 수세, 초순수에 의한 초음파 세정, 초순수에 의한 수세의 순으로 세정한 후, 압축 공기로 건조시키고, 자외선 오존 세정을 했다. First, an ITO transparent conductive film was deposited on the glass substrate 1 to a thickness of 150 nm and patterned with a stripe of 2 mm width to obtain a substrate (sputter deposited product, manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd.) on which the anode 2 of ITO was formed , Ultrasonic cleaning with an aqueous solution of a surfactant, washing with ultrapure water, ultrasonic cleaning with ultrapure water, and washing with ultrapure water in that order, followed by drying with compressed air, followed by ultraviolet ozone cleaning.

다음으로, 하기 (P1)로 표시되는 반복 구조를 갖는 정공 수송성 고분자 화합물을 2.0 질량%와, 하기 (A1)로 표시되는 4-이소프로필-4'-메틸디페닐요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트를 0.8 질량% 포함하는 벤조산에틸 용액(정공 주입층 형성용 조성물)을 조제했다. Then, 2.0% by mass of a hole-transporting polymer compound having a repeating structure represented by the following formula (P1), 4-isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium tetrakis represented by the following formula (A1) Phenyl) borate in an amount of 0.8% by mass was prepared.

이 정공 주입층 형성용 조성물을, 하기에 나타내는 조건으로 스핀코트법에 의해 상기 ITO 기판 상에 도포하고, 또한 하기에 나타내는 베이크 조건으로 베이크함으로써, 막두께 40 nm의 정공 주입층(3)을 얻었다. The composition for forming the hole injection layer was applied on the ITO substrate by a spin coat method under the following conditions and baked under the baking conditions described below to obtain a hole injection layer 3 having a thickness of 40 nm .

<성막 조건> &Lt;

스핀코트 분위기 대기 분위기 하Spin coat atmosphere Atmospheric atmosphere

베이크 조건 대기 분위기 하, 230℃, 1시간 Baking condition Under atmospheric conditions, at 230 ° C for 1 hour

그 후, 하기 (H1)로 표시되는 정공 수송성 고분자 화합물의 1 질량% 시클로헥실벤젠 용액(정공 수송층 형성용 조성물)을 조제하고, 이것을 하기에 나타내는 조건으로 정공 주입층(3) 위에 스핀코트로 도포하고, 베이크에 의한 가교 처리를 행함으로써, 막두께 10 nm의 정공 수송층(4)을 형성했다. Thereafter, a 1% by mass cyclohexylbenzene solution (composition for forming a hole transporting layer) of the hole-transporting polymer represented by the following formula (H1) was prepared and applied on the hole injection layer 3 by spin coating under the following conditions And a crosslinking treatment by baking was carried out to form a hole transporting layer 4 having a thickness of 10 nm.

<성막 조건> &Lt;

스핀코트 분위기 질소 분위기 하Spin coat atmosphere Under a nitrogen atmosphere

베이크 조건 질소 분위기 하, 230℃, 1시간Baking condition Under a nitrogen atmosphere,

다음으로, 발광층(5)을 형성함에 있어서, 이하에 나타내는 발광 재료(D-1)와, 전하 수송성 화합물(h-1∼h-3), 및 페놀성 화합물로서 부틸히드록시아니솔(3-BHA)을 이용하여, 하기에 나타내는 조성의 발광층 형성용 조성물을 조제했다. Next, in forming the light-emitting layer 5, the following light-emitting material (D-1), charge-transporting compound (h-1 to h-3), and butylhydroxyanisole (3- BHA), a composition for forming a light emitting layer having the composition shown below was prepared.

<발광층 형성용 조성물 조성> &Lt; Composition for forming light emitting layer >

용제 시클로헥실벤젠solvent Cyclohexylbenzene

성분 농도 (D-1) : 0.3 질량%Component concentration (D-1): 0.3 mass%

(h-1) : 2.25 질량% (h-1): 2.25 mass%

(h-2) : 0.375 질량% (h-2): 0.375 mass%

(h-3) : 0.375 질량% (h-3): 0.375 mass%

3-BHA : 0.01 질량% 3-BHA: 0.01 mass%

이 발광층 형성용 조성물을 조제한 당일에, 이 용액을 이용하여, 이하에 나타내는 조건으로 정공 수송층(4) 위에 스핀코트법으로 도포하고, 하기에 나타내는 베이크 조건으로 베이크 처리를 함으로써 막두께 50 nm의 발광층(5)을 형성했다. On the day when the composition for forming a light emitting layer was prepared, this solution was applied on the hole transport layer 4 by the spin coat method under the following conditions and baked under the baking conditions described below to form a light emitting layer (5).

<성막 조건> &Lt;

스핀코트 분위기 질소 분위기 하Spin coat atmosphere Under a nitrogen atmosphere

베이크 조건 질소 분위기 하, 120℃, 10분Baking condition Under a nitrogen atmosphere,

다음으로, 정공 주입층(3), 정공 수송층(4) 및 발광층(5)을 습식 성막한 기판을 진공 증착 장치 내에 반입하여 조(粗)배기를 행한 후, 크라이오 펌프를 이용하여 장치 내의 진공도가 3.0×10^-4 Pa 이하가 될 때까지 배기시켰다. 발광층(5) 위에, 진공도를 2.2×10^-4 Pa 이하로 유지한 상태로, 정공 저지 재료로서 HB1을 증착 속도 0.6∼1.2 Å/초로 막두께 10 nm 적층함으로써 정공 저지층(6)을 형성했다. Subsequently, the substrate on which the hole injection layer 3, the hole transport layer 4 and the light-emitting layer 5 were wet-formed was loaded into a vacuum vapor deposition apparatus and subjected to rough discharge. Thereafter, Was exhausted to 3.0 x 10 &lt; ^-4 &gt; Pa or less. A hole blocking layer 6 was formed on the light emitting layer 5 by laminating HB1 as a hole blocking material at a deposition rate of 0.6 to 1.2 Å / sec to a film thickness of 10 nm while maintaining the degree of vacuum at 2.2 × 10 ^-4 Pa or less .

이어서, 진공도를 2.2×10^-4 Pa 이하로 유지한 상태로, 정공 저지층(6) 위에, 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄(Alq3)을 가열하여 증착 속도 0.7∼1.3 Å/초로 막두께 20 nm 적층함으로써 전자 수송층(7)을 형성했다. Then, tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3) was heated to a deposition rate of 0.7 to 1.3 Å / sec on the hole blocking layer 6 while maintaining the vacuum degree at 2.2 × 10 ^-4 Pa or less And the electron transport layer 7 was formed by laminating a film thickness of 20 nm.

여기서, 전자 수송층(7)까지의 증착을 행한 소자를, 유기층 증착용 챔버로부터 금속 증착용 챔버로 반송했다. 음극 증착용의 마스크로서 2 mm 폭의 스트라이프형 섀도우 마스크를, 양극(2)의 ITO 스트라이프와 직교하도록 소자에 밀착시켜 설치했다. 유기층 증착시와 동일하게 하여 장치 내를 진공도가 1.1×10^-4 Pa 이하가 될 때까지 배기시켰다. Here, the device on which the evaporation to the electron transport layer 7 was performed was transported from the organic layer evaporation chamber to the metal evaporation chamber. A stripe-shaped shadow mask having a width of 2 mm was provided as a mask for negative electrode deposition so as to be in close contact with the device so as to be orthogonal to the ITO stripe of the anode 2. The interior of the apparatus was evacuated to a vacuum degree of 1.1 x 10 &lt; ^-4 &gt; Pa or less in the same manner as in the organic layer deposition.

그 후, 진공도를 1.0×10^-4 Pa 이하로 유지한 상태로, 전자 수송층(7) 위에, 불화리튬(LiF)을 몰리브덴 보우트를 이용하여 가열하는 것에 의해 증착 속도 0.07∼0.15 Å/초로 막두께 0.5 nm 적층함으로써 전자 주입층(8)을 형성했다. 다음으로, 동일하게 하여 진공도를 2.0×10^-4 Pa로 유지한 상태로, 알루미늄을 몰리브덴 보우트를 이용하여 가열하는 것에 의해, 증착 속도 0.6∼10.0 Å/초로 막두께 80 nm 증착함으로써 음극(9)을 형성했다. 이상의 전자 주입층(8) 및 음극(9)의 증착시의 기판 온도는 실온으로 유지했다. Thereafter, lithium fluoride (LiF) was heated on the electron transporting layer 7 by using a molybdenum boat while keeping the degree of vacuum at 1.0 x 10 &lt; ^-4 &gt; Pa or lower, 0.5 nm thick to form the electron injection layer 8. Next, in the same manner, by heating the aluminum with a molybdenum boat while maintaining the degree of vacuum at 2.0 x 10 &lt; ^-4 &gt; Pa, a film thickness of 80 nm was deposited at a deposition rate of 0.6 to 10.0 A / sec, . The temperature of the substrate at the time of depositing the electron injection layer 8 and the cathode 9 was maintained at room temperature.

계속해서, 소자가 보관 중에 대기 중의 수분 등에 의해 열화하는 것을 방지하기 위해, 이하에 기재된 방법으로 봉지 처리를 행했다. Subsequently, in order to prevent the element from deteriorating due to moisture in the air during storage, the sealing treatment was carried out by the method described below.

질소 클로브 박스 내에서, 23 mm×23 mm 사이즈의 유리판의 외주부에, 1 mm의 폭으로 광경화성 수지 30Y-437(스리본드사 제조)을 도포하고, 중앙부에 수분 게터 시트(다이닉사 제조)를 설치했다. 이 위에, 음극의 형성을 종료한 기판을 반입하여, 증착된 면이 건조제 시트와 대향하도록 접합했다. 그 후, 광경화성 수지가 도포된 영역에만 자외광을 조사하여 수지를 경화시켰다. A photocurable resin 30Y-437 (manufactured by Suribond Co., Ltd.) was applied to the outer periphery of a glass plate having a size of 23 mm x 23 mm in a nitrogen clove box with a width of 1 mm and a water getter sheet Respectively. The substrate on which the formation of the negative electrode was completed was carried thereon, and the deposited surface was bonded so as to face the desiccant sheet. Thereafter, ultraviolet light was irradiated to only the region to which the photo-curable resin was applied to cure the resin.

이상과 같이 하여, 2 mm×2 mm의 사이즈의 발광 면적 부분을 가지며, 피크 파장 560 nm에서 발광하는 유기 전계 발광 소자가 얻어졌다.Thus, an organic electroluminescent device having a light emitting area portion having a size of 2 mm x 2 mm and emitting light at a peak wavelength of 560 nm was obtained.

[실시예 2][Example 2]

페놀성 화합물로서 3-BHA 대신에 4,4'-부틸리덴비스(6-t-부틸-3-메틸페놀)을 이용한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 조작함으로써 실시예 2의 유기 전계 발광 소자를 얻었다. The procedure of Example 1 was repeated except that 4,4'-butylidenebis (6-t-butyl-3-methylphenol) was used instead of 3-BHA as the phenolic compound, Device was obtained.

[실시예 3][Example 3]

페놀성 화합물로서 3-BHA 대신에 2,6-디-tert-부틸페놀(BHB)을 이용한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 조작함으로써 실시예 2의 유기 전계 발광 소자를 얻었다. An organic electroluminescent device of Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that 2,6-di-tert-butylphenol (BHB) was used instead of 3-BHA as the phenolic compound.

[비교예 1][Comparative Example 1]

페놀성 화합물을 이용하지 않은 것 외에는, 실시예 1과 동일한 조작을 함으로써 비교예 1의 유기 전계 발광 소자를 얻었다. An organic electroluminescent device of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the phenolic compound was not used.

[비교예 2][Comparative Example 2]

페놀성 화합물로서 3-BHA 대신에 2,6-디-tert-부틸-4-메틸-페놀(BHT)을 이용한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 조작함으로써 실시예 2의 유기 전계 발광 소자를 얻었다. An organic electroluminescent device of Example 2 was obtained by operating in the same manner as in Example 1 except that 2,6-di-tert-butyl-4-methyl-phenol (BHT) was used in place of 3-BHA as a phenolic compound .

[비교예 3][Comparative Example 3]

페놀성 화합물로서 3-BHA 대신에 Irganox1330을 이용한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 조작함으로써 비교예 3의 유기 전계 발광 소자를 얻었다. An organic electroluminescent device of Comparative Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that Irganox 1330 was used instead of 3-BHA as the phenolic compound.

[비교예 4][Comparative Example 4]

페놀성 화합물로서 3-BHA 대신에 4-tert-옥틸페놀을 이용한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 조작함으로써 비교예 4의 유기 전계 발광 소자를 얻었다. An organic electroluminescent device of Comparative Example 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that 4-tert-octylphenol was used instead of 3-BHA as the phenolic compound.

실시예 1∼3, 비교예 1∼4에 관해, 각각 10 mA/cm²의 전류를 흘렸을 때의 휘도 전류 효율과 초기 휘도 5000 cd/m²일 때의 전류값을 이용한 직류 전류 구동에 있어서의 50시간 후의 상대 휘도를 측정했다. 비교예 1을 기준으로 했을 때의 각각의 변화율(상대값) 및 50시간 후의 상대 휘도율의 차를 표 1에 정리했다. 실시예 1∼3에서는 극적으로 휘도 전류 효율이 상승했고, 오르토 및 파라 위치 모두에 알킬기의 치환이 되어 있는 비교예 2, 3에서는 효율이 약간 상승한 것에 그쳤다. 또한, 파라 위치에만 알킬 치환한 페놀성 화합물을 이용하면, 휘도 전류 효율의 저하가 발생한 것을 확인할 수 있었다. In Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4, the relationship between the luminance current efficiency at a current of 10 mA / cm ² and the current value at the initial luminance of 5000 cd / m ² And the relative luminance after 50 hours was measured. Table 1 shows the difference between the rate of change (relative value) and the relative luminance after 50 hours based on Comparative Example 1. In Examples 1 to 3, the luminance current efficiency was dramatically increased. In Comparative Examples 2 and 3 in which alkyl groups were substituted for both the ortho and para positions, the efficiency slightly increased. It was also confirmed that the use of a phenolic compound substituted only at the para position with an alkyl substitution resulted in a decrease in luminance current efficiency.

휘도 전류 효율의 변화율(상대값) : Change rate of luminance current efficiency (relative value):

대상으로 하는 실시예 또는 비교예의 전류 효율을 ηE(cd/A), 비교예 1의 전류 효율을 ηR(cd/A)로 한 경우, When the current efficiency of the target embodiment or comparative example is eta E (cd / A) and the current efficiency of the comparative example 1 is eta R (cd / A)

휘도 전류 효율의 변화율(상대값)=(ηE/ηR-1)×100(%)(Relative value) of luminance current efficiency = (? E /? R-1) × 100 (%)

50시간 후의 상대 휘도율의 차 :Difference in relative brightness after 50 hours:

50시간 후의 휘도를 L50(cd/m²)로 한 경우, 초기 휘도는 5000(cd/m²)이기 때문에,When the luminance after 50 hours is L50 (cd / m ² ), the initial luminance is 5000 (cd / m ² )

50시간 후의 상대 휘도율=L50/5000×100(%).Relative luminance ratio after 50 hours = L50 / 5000 x 100 (%).

대상으로 하는 실시예 또는 비교예의 50시간 후의 상대 휘도율을 τE(%), The relative luminance ratios after 50 hours in the target embodiment or comparative example are represented by τE (%),

비교예 1의 50시간 후의 상대 휘도율을 τR(%)로 한 경우, When the relative luminance ratio after 50 hours of Comparative Example 1 is taken as? R (%),

50시간 후의 상대 휘도율의 차=(τE-τR)(%)Difference in relative luminance after 50 hours = (? E-? R) (%)

본 발명을 특정한 양태를 이용하여 상세히 설명했지만, 본 발명의 의도와 범위에서 벗어나지 않고 여러가지 변경 및 변형이 가능한 것은 당업자에게 분명하다. 또 본 출원은, 2015년 3월 24일자로 출원된 일본 특허 출원(2015-061261) 및 2015년 10월 16일자로 출원된 일본 특허 출원(2015-204901)에 기초하고 있고, 그 전체가 인용에 의해 원용된다. While the invention has been described in detail with reference to specific embodiments thereof, it will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. The present application is based on Japanese Patent Application (2015-061261) filed on March 24, 2015 and Japanese Patent Application (2015-204901) filed on October 16, 2015, all of which are incorporated herein by reference. Quot;

1 : 기판 2 : 양극
3 : 정공 주입층 4 : 정공 수송층
5 : 발광층 6 : 정공 저지층
7 : 전자 수송층 8 : 전자 주입층
9 : 음극 10 : 유기 전계 발광 소자1: substrate 2: anode
3: Hole injection layer 4: Hole transport layer
5: light emitting layer 6: hole blocking layer
7: electron transport layer 8: electron injection layer
9: cathode 10: organic electroluminescent element

Claims (10)

적어도 인광 발광 재료, 전하 수송성 화합물, 및 페놀성 수산기를 가지며 이 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때에 2-위치, 4-위치, 6-위치에는 어느 2개에만 치환기를 갖는 페놀성 화합물을 함유하는 유기 전계 발광 소자용 조성물. A phenolic compound having at least two substituents at the 2-position, the 4-position and the 6-position when the phenolic hydroxyl group is at the 1-position and contains at least a phosphorescent material, a charge transporting compound and a phenolic hydroxyl group Wherein the composition is an organic electroluminescent device. 제1항에 있어서, 상기 페놀성 화합물 중에 페놀 구조가 1개뿐인 유기 전계 발광 소자용 조성물. The composition for an organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the phenolic compound has only one phenolic structure. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 페놀성 화합물이, 페놀성 수산기를 1-위치로 했을 때에 2-위치, 4-위치, 6-위치의 어느 2개에만 치환기를 갖고, 3-위치 및 5-위치는 무치환인 페놀성 화합물인 유기 전계 발광 소자용 조성물. The positive resist composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the phenolic compound has a substituent at only two of the 2-position, 4-position and 6-position when the phenolic hydroxyl group is 1-position, And the 5-position is an amorphous phenolic compound. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 치환기가, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 1∼12의 알콕시기, 탄소수 6∼18의 아릴기를 이용한 아릴옥시기, 탄소수 1∼24의 아랄킬기에서 선택되는 유기 전계 발광 소자용 조성물. 4. The compound according to any one of claims 1 to 3, wherein the substituent is selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms, And an aralkyl group. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 치환기가, 탄소수 1∼12의 알킬기 또는 탄소수 1∼12의 알콕시기에서 선택되는 유기 전계 발광 소자용 조성물. The composition for an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 4, wherein the substituent is selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 페놀성 화합물이, 상기 조성물 중의 상기 전하 수송성 화합물의 총량에 대하여, 0.01 질량% 이상, 10 질량% 이하인 유기 전계 발광 소자용 조성물. The composition for an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 5, wherein the phenolic compound is 0.01% by mass or more and 10% by mass or less based on the total amount of the charge-transporting compound in the composition. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 페놀성 화합물이, 상기 조성물 중에 포함되는 상기 전하 수송성 화합물의 총량에 대하여, 0.1 질량% 이상, 1 질량% 이하인 유기 전계 발광 소자용 조성물. The composition for an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 6, wherein the phenolic compound is 0.1% by mass or more and 1% by mass or less based on the total amount of the charge-transporting compound contained in the composition. 양극, 음극, 및 상기 양극과 상기 음극의 사이에 적어도 1층의 발광층을 갖는 유기 전계 발광 소자로서, 상기 발광층의 적어도 1층이, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계 발광 소자용 조성물을 이용하여 습식 성막함으로써 형성된 유기 전계 발광 소자. An organic electroluminescent device comprising an anode, a cathode, and at least one luminescent layer between the anode and the cathode, wherein at least one layer of the luminescent layer is the organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 7 An organic electroluminescent device formed by wet film formation using a composition for a device. 제8항에 기재된 유기 전계 발광 소자를 갖는 표시 장치. 9. A display device having the organic electroluminescence device according to claim 8. 제8항에 기재된 유기 전계 발광 소자를 갖는 조명 장치.9. An illumination device having the organic electroluminescent device according to claim 8.

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