KR20170048013A - Method of forming fine wiring - Google Patents

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최철진
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Abstract

The present invention provides a fine wire forming method to form, on a flexible substrate, a metal wire having a small wiring width and pitch as well as a low resistance and high adhesion to the flexible substrate. The method comprises the steps of: forming a sacrificial layer on the flexible substrate; forming a concave part by removing a part of the sacrificial layer and the flexible substrate; forming a seed layer on the whole surface of the flexible substrate having the concave part formed thereon; removing the sacrificial layer through a lift-off process, and removing the seed layer excluding the part formed on the concave part; and forming a coating pattern through a coating process on the seed layer existing on the concave part.

Description

미세배선 형성 방법{Method of forming fine wiring} [0001] METHOD FOR FORMING WELDING [0002]

본 발명은 미세배선 형성 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 유연 기판 상에 미세배선을 형성하는 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of forming a fine wiring, and more particularly, to a method of forming a fine wiring on a flexible substrate.

유연 기판(flexible substrate)은 여러 종류의 칩이나 수동소자와 같은 부품소자들이 장착될 수 있는 일면을 제공하는 기판으로서, 기판을 움직여야 하거나 또는 부품소자를 삽입하기 위하여 기판을 굴곡지게 하는 경우에 유연하게 대응할 수 있는 기판을 말한다. BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] A flexible substrate is a substrate that provides a surface on which component elements such as various kinds of chips or passive elements can be mounted. The substrate is required to be movable or flexible in the case of bending the substrate to insert a component element A substrate which can cope with this.

이러한 유연 기판은 잘 휘어지는 연성을 가지고 있으므로 연성 기판이라고도 지칭되기도 한다. 이러한 유연 기판은 고분자 소재를 이용하여 제조할 수 있으며, 배선회로면의 수에 따라 단면기판, 양면기판, 다층기판 등으로 분류될 수 있다. 이러한 유연 기판 일면에는 부품소자로서 반도체칩과 같은 능동소자와 저항, 콘덴서와 같은 수동소자가 다수 탑재되며, 이러한 부품소자 사이 또는 외부 입출력 장치와의 사이에는 전기적 신호를 송수신하기 위한 금속 배선이 형성되어 있다. Such a flexible substrate is also referred to as a flexible substrate because it has a flexible flexibility. Such a flexible substrate can be manufactured using a polymer material, and can be classified into a single-sided substrate, a double-sided substrate, and a multi-layer substrate depending on the number of wiring circuit surfaces. A plurality of passive elements such as resistors and capacitors are mounted on one surface of such a flexible substrate as a component element, such as a semiconductor chip, and a metal wiring for transmitting and receiving an electrical signal is formed between the component elements and the external input / have.

이러한 금속 배선 형성기술은 전자부품산업의 기반기술로서, 거의 모든 전자부품에 적용되는 핵심소재기술에 해당된다. 특히 최근 들어 격심해지고 있는 전자부품의 고집적화, 고기능화 추세의 직접적인 영향으로 배선 기술의 미세피치화가 더욱 중요해지고 있으며, 미세피치화에 따른 높은 종횡비를 가지는 금속 배선의 구현이 절대적으로 요구되고 있다. Such a metal wiring forming technology corresponds to a core material technology applied to almost all electronic parts as an underlying technology of the electronic parts industry. Particularly in recent years, miniaturization of wiring technology becomes more important due to the direct influence of the increasingly high integration and high-functioning trend of electronic components, which are becoming more and more serious, and it is absolutely required to realize metal wiring with high aspect ratio due to fine pitch.

더욱이 유연 기판을 이용한 플렉시블 소자(flexible device)에 대한 수요가 급증하면서 유연 기판 상에 적용되는 금속 배선 기술은 디스플레이, 조명, 유기태양전지 등 다양한 분야에서 요구되는 대면적 제조, 유연 기판성 확보, 친환경적이면서 제조비용이 낮아야 한다는 조건이 부가되고 있다.Furthermore, as the demand for flexible devices using flexible substrates is rapidly increasing, metal wiring technology applied on flexible substrates is required to produce large areas required in various fields such as display, illumination, and organic solar cell, secure flexible substrate, And the manufacturing cost must be low.

그러나 이러한 분야에서는 기존의 식각 공정에 기반으로 한 배선 기술로는 곧 한계에 봉착할 것으로 예상된다. 이는 미세피치화에 따른 저항 감소를 막기 위하여 배선의 두께가 증가되어야 하는 바, 식각 공정에 의하여 5㎛ 이하의 배선폭을 가지며 100㎛ 이하의 피치 간격을 가지는 금속 배선을 안정적으로 형성하기 어려울 것으로 예상되기 때문이다. However, in this field, it is expected that the wiring technology based on the existing etching process will soon reach the limit. In order to prevent reduction in resistance due to fine pitching, it is necessary to increase the thickness of the wiring, and it is difficult to stably form a metal wiring having a wiring width of 5 μm or less and a pitch distance of 100 μm or less by the etching process .

본 발명은 유연 기판 상에 낮은 배선폭과 피치 간격을 가지면서도 낮은 저항값 및 유연기판과의 높은 밀착성을 가지는 금속배선을 형성하는 경제적인 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.It is an object of the present invention to provide an economical method of forming a metal wiring having a low resistance value and a high adhesion with a flexible substrate while having a low wiring width and a pitch interval on a flexible substrate. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 관점에 의한 미세배선 형성 방법이 제공된다. 상기 미세배선 형성 방법은 유연 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판 상의 전면에 씨앗층을 형성하는 단계; 리프트 오프(lift-off) 공정으로 상기 희생층을 제거하고 상기 씨앗층 중에서 상기 오목부에 형성된 부분을 제외한 나머지를 제거하는 단계; 및 상기 오목부에 존재하는 씨앗층 상에 도금 공정으로 도금 패턴을 형성하는 단계;를 포함한다. A method of forming a fine wiring according to one aspect of the present invention is provided. The fine wiring forming method includes: forming a sacrificial layer on a flexible substrate; Removing a portion of the flexible substrate and the sacrificial layer to form a concave portion; Forming a seed layer on the entire surface of the flexible substrate on which the concave portion is formed; Removing the sacrificial layer by a lift-off process and removing the remaining portion of the seed layer except the portion formed in the recess; And forming a plating pattern on the seed layer in the recess by a plating process.

상기 미세배선 형성 방법에서, 상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;에서 상기 오목부의 내부면은 상기 희생층이 존재하지 않고 상기 유연 기판이 노출될 수 있다. In the fine interconnect formation method, the flexible substrate and the sacrificial layer are partially removed to form a recess, wherein the inner surface of the recess can expose the flexible substrate without the sacrificial layer.

상기 미세배선 형성 방법에서, 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판 상의 전면에 씨앗층을 형성하는 단계;는 상기 희생층 및 상기 오목부 상에 씨앗층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. In the fine wire forming method, the step of forming a seed layer on the entire surface of the flexible substrate on which the concave portion is formed may include forming a seed layer on the sacrificial layer and the concave portion.

상기 미세배선 형성 방법에서, 상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;는 기계적 가공법, 레이저 가공법, 열적 가공법, 물리적 가공법 및 화학적 가공법 중에서 선택된 어느 하나 이상의 가공법으로 수행될 수 있다. In the fine wiring forming method, the step of removing the flexible substrate and a part of the sacrificial layer to form a concave portion may be performed by any one or more processing methods selected from a mechanical processing method, a laser processing method, a thermal processing method, a physical processing method and a chemical processing method have.

상기 미세배선 형성 방법에서, 상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;는 마이크로 인덴터(micro-indentor)를 이용한 스크라이빙(scribing) 공정으로 트렌치를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. Forming a recess by removing a part of the flexible substrate and the sacrificial layer in the fine interconnect formation method includes forming a trench by a scribing process using a microindentor; . ≪ / RTI >

상기 미세배선 형성 방법에서, 상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;는 레이저를 이용한 스크라이빙(scribing) 공정으로 트렌치를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. In the fine interconnect formation method, the step of forming the recess by removing the flexible substrate and a part of the sacrificial layer may include forming a trench by a scribing process using a laser.

상기 미세배선 형성 방법에서, 상기 유연 기판은 폴리이미드 기판을 포함하고, 상기 희생층은 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride)층을 포함하고, 상기 씨앗층은 NiB층을 포함하고, 상기 도금 패턴은 구리 패턴을 포함할 수 있다. Wherein the flexible substrate includes a polyimide substrate, the sacrificial layer includes a polyvinylidene fluoride (PVDF) layer, the seed layer includes a NiB layer, and the plating pattern includes a copper pattern .

상기 미세배선 형성 방법에서, 상기 유연 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;는 상기 유연 기판 상에 DMF(Dimethyl Formamide) 및 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride) 용액을 스핀 코팅하여 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride)층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. Forming a sacrificial layer on the flexible substrate by spin coating a DMF (Dimethyl Formamide) and a PVDF (Poly Vinylidene Fluoride) solution on the flexible substrate to form a polyvinylidene fluoride (PVDF) layer; And forming a second conductive layer.

상기 미세배선 형성 방법에서, 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판 상의 전면에 씨앗층을 형성하는 단계;는 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판을 NaOH 용액으로 세척하는 제 1 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 KMnO4 용액 및 H2SO4 용액으로 에칭하는 제 2 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 SnCl2 용액 및 HCl 용액으로 활성화하는 제 3 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 PdCl2 용액 및 HCl 용액으로 촉매처리하는 제 4 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 증류수로 세척하는 제 5 단계; 및 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 NiB 무전해 도금층을 형성하는 제 6 단계;를 포함할 수 있다. Forming a seed layer on the entire surface of the flexible substrate on which the concave portion is formed, the method comprising: a first step of washing the flexible substrate with the concave portion with NaOH solution; A second step of etching the flexible substrate on which the recess is formed, with a KMnO 4 solution and a H 2 SO 4 solution; A third step of activating the flexible substrate on which the concave portion is formed with SnCl 2 solution and HCl solution; A fourth step of catalytically treating the flexible substrate on which the concave portion is formed with a PdCl 2 solution and an HCl solution; A fifth step of washing the flexible substrate on which the concave portion is formed with distilled water; And a sixth step of forming an NiB electroless plating layer on the flexible substrate on which the concave portion is formed.

상기 미세배선 형성 방법에서, 상기 리프트 오프(lift-off) 공정은 DMF(Dimethyl Formamide) 용액을 이용하여 수행될 수 있다. In the fine interconnect formation method, the lift-off process may be performed using DMF (Dimethyl Formamide) solution.

본 발명의 다른 관점에 의한 미세배선이 제공된다. 상기 미세배선은 오목부를 구비하는 유연 기판; 상기 오목부에만 배치된 씨앗층; 및 상기 씨앗층 상에 형성되어 상기 오목부를 충전하는 도금 패턴;을 포함한다. A fine wiring according to another aspect of the present invention is provided. Wherein the fine wiring comprises: a flexible substrate having a concave portion; A seed layer disposed only on the concave portion; And a plating pattern formed on the seed layer to fill the concave portion.

상기 미세배선에서, 상기 유연 기판은 폴리이미드 유연 기판을 포함하고, 상기 씨앗층은 NiB층을 포함하고, 상기 도금 패턴은 구리 패턴을 포함할 수 있다. In the fine wiring, the flexible substrate includes a polyimide flexible substrate, the seed layer includes a NiB layer, and the plating pattern may include a copper pattern.

상기 미세배선에서, 상기 오목부는 마이크로 인덴터(micro-indentor)를 이용한 스크라이빙(scribing) 공정으로 형성된 트렌치를 포함할 수 있다. In the fine wiring, the recess may include a trench formed by a scribing process using a micro-indentor.

상기 미세배선에서, 상기 오목부는 횡단면이 V자의 쐐기 형상을 가질 수 있다. In the fine wiring, the concave portion may have a V-shaped wedge shape in cross section.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 유연 기판 상에 낮은 배선폭과 피치 간격을 가지면서도 낮은 저항값 및 유연기판과의 높은 밀착성을 가지는 금속배선을 형성하는 경제적인 방법을 제공할 수 있다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention as described above, an economical method of forming a metal wiring having a low resistance value and a high adhesion with a flexible substrate while having a low wiring width and a pitch interval on a flexible substrate is provided . However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세배선 형성 방법을 순차적으로 도해하는 단면도들이다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 형성 방법으로 구현한 기판 상의 미세배선을 나타낸 사진들이다. 1 to 6 are sectional views sequentially illustrating a method of forming a fine wiring according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 7 to 9 are photographs showing fine wiring on a substrate realized by a forming method according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 적어도 일부의 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 도면에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, Is provided to fully inform the user. Also, at least some of the components may be exaggerated or reduced in size for convenience of explanation. Like numbers refer to like elements throughout the drawings.

명세서 전체에 걸쳐서, 층 또는 영역과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 상기 다른 구성요소 "상에" 접하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a layer or a region is referred to as being "on" another element, the element may be directly "on" It will be understood that there may be other intervening components. On the other hand, when an element is referred to as being "directly on" another element, it is understood that there are no other elements intervening therebetween.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세배선 형성 방법을 순차적으로 도해하는 단면도들이다. 1 to 6 are sectional views sequentially illustrating a method of forming a fine wiring according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 희생층(20)을 형성한다. Referring to FIG. 1, a sacrificial layer 20 is formed on a substrate 10.

기판(10)은 유연 기판(flexible substrate)으로서, 여러 종류의 칩이나 수동소자와 같은 부품소자들이 장착될 수 있는 일면을 제공하는 기판일 수 있다. 유연 기판은 기판을 움직여야 하거나 또는 부품소자를 실장하기 위하여 기판을 굴곡지게 하는 경우에 유연하게 대응할 수 있는 기판을 말한다. 이러한 유연 기판은 잘 휘어지는 연성을 가지고 있으므로 연성 기판이라고도 지칭되기도 한다. 이러한 유연 기판은 고분자 소재를 이용하여 제조할 수 있으며, 예를 들어, 폴리이미드 기판을 포함할 수 있다. 그 외에도, 기판(10)은 폴리에스테르, 폴리이미드, 액정 폴리머, 또는 불소 수지 필름을 포함할 수 있다. The substrate 10 may be a flexible substrate, and may be a substrate that provides a surface on which component elements such as various types of chips or passive elements may be mounted. A flexible substrate refers to a substrate that can flexibly respond when the substrate is moved or when the substrate is bent to mount the component element. Such a flexible substrate is also referred to as a flexible substrate because it has a flexible flexibility. Such a flexible substrate may be manufactured using a polymer material, for example, a polyimide substrate. In addition, the substrate 10 may comprise a polyester, a polyimide, a liquid crystal polymer, or a fluororesin film.

희생층(20)은 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride)층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 희생층(20)은 기판(10) 상에 DMF(Dimethyl Formamide) 및 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride) 용액을 스핀 코팅하여 형성된 PVDF층을 포함할 수 있다. The sacrificial layer 20 may comprise a polyvinylidene fluoride (PVDF) layer. For example, the sacrificial layer 20 may include a PVDF layer formed by spin-coating a DMF (Dimethyl Formamide) and a PVDF (Poly Vinylidene Fluoride) solution on the substrate 10.

도 2 및 도 3을 참조하면, 기판(10)과 희생층(20)의 일부를 제거하여 오목부(T)를 형성한다. 오목부(T)의 내부 공간을 한정하는 내부면은 희생층(20)이 존재하지 않고 기판(10)이 노출되는 구조를 가질 수 있다. 즉, 오목부(T)의 내부 공간을 한정하는 내부면은 희생층(20)이 제거될 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 3, the substrate 10 and a part of the sacrificial layer 20 are removed to form a concave portion T. The inner surface defining the inner space of the concavity T may have a structure in which the sacrificial layer 20 is not present and the substrate 10 is exposed. That is, the inner surface defining the inner space of the concave portion T can be removed from the sacrificial layer 20. [

오목부(T)는 내부 공간의 형상에 따라 홀(hole), 트렌치(trench), 그루브(groove), 캐비티(cavity) 등으로 이해될 수 있다. 오목부(T)의 단면 형상은 도면과 같이 V자 형상을 가질 수 있으나, 그 외에도 다양한 다른 형상을 가질 수도 있다. The concave portion T may be understood as a hole, a trench, a groove, a cavity, or the like depending on the shape of the inner space. The cross-sectional shape of the concave portion T may have a V-shape as shown in the figure, but may have various other shapes.

오목부(T)를 형성하는 공정은 기계적 가공법, 레이저 가공법, 열적 가공법, 물리적 가공법 및 화학적 가공법 중에서 선택된 어느 하나 이상의 가공법으로 수행될 수 있다. The step of forming the concave portion T may be performed by at least one of a mechanical processing method, a laser processing method, a thermal processing method, a physical processing method, and a chemical processing method.

예를 들어, 오목부(T)는, 마이크로 인덴터(30, micro-indentor)를 이용한 스크라이빙(scribing) 공정으로 구현할 수 있다. 예컨대, 마이크로 인덴터(30)를 유연 기판(10)의 상부면에 수직한 방향으로 이동하여 희생층(20) 및 유연 기판(10)에 압입한 상태에서 유연 기판(10)의 상부면에 평행한 방향으로 마이크로 인덴터(30)를 이동하는 스크라이빙 공정으로 트렌치(trench) 형상으로 구현된 오목부(T)를 제공할 수 있다.For example, the concave portion T can be realized by a scribing process using a micro-indentor 30. For example, the microindenter 30 is moved in a direction perpendicular to the upper surface of the flexible substrate 10 to be parallel to the upper surface of the flexible substrate 10 while being pressed into the sacrificial layer 20 and the flexible substrate 10 It is possible to provide the concave portion T implemented in a trench shape by the scribing process of moving the microindenter 30 in one direction.

이 외에, 오목부(T)를 형성하는 다양한 공정이 가능한 바, 예를 들어, 레이저를 이용한 스크라이빙(scribing) 공정, 재료의 소성 변형을 유발하는 금형 공정 등이 가능하다. 또한, 알려진 기술인 VIP(Vibrational Indenting Pattering) 공정, DNI(Dynamic Nano Inscribing) 공정 등을 이용하여 오목부(T)를 형성할 수도 있다. In addition, various processes for forming the concave portion T can be performed. For example, a scribing process using a laser, a mold process for causing plastic deformation of a material, and the like are possible. Also, the concave portion T may be formed using a known technique such as a VIP (Vibrational Indenting Patterning) process or a DNI (Dynamic Nano Inscribing) process.

도 4를 참조하면, 오목부(T)가 형성된 기판(10) 상의 전면에 씨앗층(40)을 형성할 수 있다. 즉, 씨앗층(40)은 희생층(20) 및 오목부(T)의 내부면을 덮도록 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4, the seed layer 40 may be formed on the entire surface of the substrate 10 on which the concave portion T is formed. That is, the seed layer 40 may be formed to cover the inner surface of the sacrificial layer 20 and the concave portion T. [

씨앗층(40)은 NiB층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 오목부(T)가 형성된 기판 상의 전면에 씨앗층(40)을 형성하는 단계는 희생층(20)이 형성되되 오목부(T)를 구비하는 기판(10)을 NaOH 용액으로 세척하는 제 1 단계, 상기 기판(10)에 대하여 KMnO4 용액 및 H2SO4 용액으로 에칭하는 제 2 단계, 상기 기판(10)에 대하여 SnCl2 용액 및 HCl 용액으로 활성화하는 제 3 단계, 상기 기판(10)에 대하여 PdCl2 용액 및 HCl 용액으로 촉매처리하는 제 4 단계, 상기 기판(10)에 대하여 증류수로 세척하는 제 5 단계 및 상기 기판(10)에 대하여 NiB 무전해 도금층을 형성하는 제 6 단계를 포함할 수 있다. 이러한 단계들에 대한 구체적인 공정 조건은 표 1에 나타내었다. The seed layer 40 may comprise a NiB layer. For example, in the step of forming the seed layer 40 on the entire surface of the substrate on which the concave T is formed, the substrate 10 having the concavity T formed with the sacrificial layer 20 is washed with NaOH solution A second step of etching the substrate 10 with a KMnO 4 solution and a H 2 SO 4 solution, a third step of activating the substrate 10 with SnCl 2 solution and HCl solution, A fourth step of catalytically treating the substrate 10 with a PdCl 2 solution and an HCl solution, a fifth step of washing the substrate 10 with distilled water, and a fifth step of cleaning the substrate 10 with a sixth step of forming an NiB electroless plating layer on the substrate 10. Step < / RTI > Specific process conditions for these steps are shown in Table 1.

조성Furtherance 온도Temperature 시간time ① 세척① Washing 10g/L NaOH10 g / L NaOH 70℃70 ℃ 3 min3 min ② 에칭② Etching 15g/L KMnO4+40ml/LH2SO4 15 g / L KMnO 4 + 40 ml / LH 2 SO 4 상온Room temperature 3 min ~ 40 min3 min ~ 40 min ③ 활성화③ Activation 10g/L SnCl2+40ml/LHCl10 g / L SnCl 2 + 40 ml / L HCl 30℃30 ℃ 3 min ~ 40 min3 min ~ 40 min ④ 촉매④ Catalyst 0.5g/L PdCl2+20ml/LHCl0.5 g / L PdCl 2 + 20 ml / L HCl 40℃40 ℃ 5 min5 min ⑤ 세척⑤ Cleaning 증류수Distilled water 상온Room temperature 5 min5 min ⑥ NiB 도금⑥ NiB plating 5min5min

도 4 및 5를 참조하면, 리프트 오프(lift-off) 공정으로 희생층(20)을 제거하고 씨앗층(40) 중에서 오목부(T)에 형성된 부분(40a)을 제외한 나머지를 제거할 수 있다. 즉, 희생층(20)을 제거함으로써 희생층(20)과 직접 접촉된 씨앗층(40)이 제거되므로 잔류하는 씨앗층(40)은 오목부(T) 내에 한정된다. 4 and 5, the sacrificial layer 20 may be removed by a lift-off process and the remainder of the seed layer 40, except for the portion 40a formed in the recess T, may be removed . That is, by removing the sacrificial layer 20, the seed layer 40 in direct contact with the sacrificial layer 20 is removed, so that the remaining seed layer 40 is confined within the recess T.

희생층(20)이 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride)층을 포함하고, 씨앗층(40)이 NiB층을 포함하는 경우, 이러한 리프트 오프(lift-off) 공정은 DMF (Dimethyl Formamide) 용액을 이용하여 수행될 수 있다. When the sacrificial layer 20 comprises a polyvinylidene fluoride (PVDF) layer and the seed layer 40 comprises a NiB layer, this lift-off process is performed using a DMF (Dimethyl Formamide) solution .

도 6을 참조하면, 오목부(T) 내에 존재하는 씨앗층(40a) 상에 도금 공정으로 도금 패턴(50)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 씨앗층(40a)이 NiB층을 포함하는 경우, 도금 패턴(50)은 전해 도금 공정으로 형성된 구리 패턴을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 6, the plating pattern 50 may be formed on the seed layer 40a existing in the concave portion T by a plating process. For example, if the seed layer 40a comprises a NiB layer, the plating pattern 50 may comprise a copper pattern formed by an electroplating process.

도 7 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 형성 방법으로 구현한 기판 상의 미세배선을 나타낸 다양한 배율에서의 사진들이다. 도 7 내지 도 9를 참조하면, 기판 상에 라인 패턴 형상으로 신장한 도금 패턴(50)을 구현할 수 있음을 확인하였다. 구현한, 도금 패턴(50)의 비저항은 약 1.7 ㅧ 10-6 Ωcm 로 측정되었으며, 배선간격은 80㎛로 측정되었다. FIGS. 7 to 9 are photographs at various magnifications showing the fine wiring on the substrate realized by the forming method according to the embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 7 to 9, it is confirmed that a plating pattern 50 extending in a line pattern shape can be implemented on a substrate. The resistivity of the plating pattern 50, which was implemented, was measured to be about 1.7 ㅧ 10 -6 Ωcm, and the wiring interval was measured to be 80 탆.

지금까지 설명한 상술한 형성 방법에 따르면, 유연 기판 상에 금속층을 전면 증착하고 식각 공정하는 고비용의 리소그래프 공정을 수행할 필요가 없다. 한편, 도금 공정으로 금속 패턴을 형성하고자 하는 경우 씨드층의 미세 패터닝을 리프트 오프 공정으로 용이하게 구현할 수 있어, 제조 비용을 절감할 수 있는 효과를 기대할 수 있다. According to the above-described forming method described so far, there is no need to carry out a high-cost lithography process in which a metal layer is entirely deposited on a flexible substrate and an etching process is performed. On the other hand, when a metal pattern is to be formed by a plating process, fine patterning of the seed layer can be easily implemented in a lift-off process, and the manufacturing cost can be reduced.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다. While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

10 : 기판
20 : 희생층
30 : 마이크로 인덴터
40 : 씨앗층
50 : 도금 패턴10: substrate
20: sacrificial layer
30: Micro indenter
40: seed layer
50: Plating pattern

Claims (10)

유연 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;
상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;
상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판 상의 전면에 씨앗층을 형성하는 단계;
리프트 오프(lift-off) 공정으로 상기 희생층을 제거하고 상기 씨앗층 중에서 상기 오목부에 형성된 부분을 제외한 나머지를 제거하는 단계; 및
상기 오목부에 존재하는 씨앗층 상에 도금 공정으로 도금 패턴을 형성하는 단계;
를 포함하는, 미세배선 형성 방법.Forming a sacrificial layer on the flexible substrate;
Removing a portion of the flexible substrate and the sacrificial layer to form a concave portion;
Forming a seed layer on the entire surface of the flexible substrate on which the concave portion is formed;
Removing the sacrificial layer by a lift-off process and removing the remaining portion of the seed layer except the portion formed in the recess; And
Forming a plating pattern on the seed layer existing in the recess by a plating process;
And forming a fine wiring. 제 1 항에 있어서,
상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;에서 상기 오목부의 내부면은 상기 희생층이 존재하지 않고 상기 유연 기판이 노출된 것을 특징으로 하는, 미세배선 형성 방법.The method according to claim 1,
Forming a concave portion by removing a part of the flexible substrate and the sacrificial layer, wherein the inner surface of the concave portion is exposed without the sacrificial layer. 제 2 항에 있어서,
상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판 상의 전면에 씨앗층을 형성하는 단계;는 상기 희생층 및 상기 오목부 상에 씨앗층을 형성하는 단계;를 포함하는, 미세배선 형성 방법.3. The method of claim 2,
Forming a seed layer on the entire surface of the flexible substrate on which the concave portion is formed; and forming a seed layer on the sacrificial layer and the concave portion. 제 1 항에 있어서,
상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;는 기계적 가공법, 레이저 가공법, 열적 가공법, 물리적 가공법 및 화학적 가공법 중에서 선택된 어느 하나 이상의 가공법으로 수행되는, 미세배선 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of removing the flexible substrate and the sacrificial layer to form the concave portion is performed by at least one of a mechanical processing method, a laser processing method, a thermal processing method, a physical processing method and a chemical processing method. 제 1 항에 있어서,
상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;는 마이크로 인덴터(micro-indentor)를 이용한 스크라이빙(scribing) 공정으로 트렌치를 형성하는 단계;를 포함하는, 미세배선 형성 방법.The method according to claim 1,
Forming a trench by removing a portion of the flexible substrate and the sacrificial layer to form a trench by a scribing process using a micro-indentor; Way. 제 1 항에 있어서,
상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;는 레이저를 이용한 스크라이빙(scribing) 공정으로 트렌치를 형성하는 단계;를 포함하는, 미세배선 형성 방법.The method according to claim 1,
Forming a recess by removing a portion of the flexible substrate and the sacrificial layer; and forming a trench by a scribing process using a laser. 제 1 항에 있어서,
상기 유연 기판은 폴리이미드 유연 기판을 포함하고, 상기 희생층은 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride)층을 포함하고, 상기 씨앗층은 NiB층을 포함하고, 상기 도금 패턴은 구리 패턴을 포함하는, 미세배선 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the flexible substrate comprises a polyimide flexible substrate, the sacrificial layer comprises a polyvinylidene fluoride (PVDF) layer, the seed layer comprises a NiB layer, the plating pattern comprises a copper pattern, Way. 제 7 항에 있어서,
상기 유연 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;는 상기 유연 기판 상에 DMF(Dimethyl Formamide) 및 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride) 용액을 스핀 코팅하여 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride)층을 형성하는 단계;를 포함하는, 미세배선 형성 방법.8. The method of claim 7,
Forming a sacrificial layer on the flexible substrate includes forming a polyvinylidene fluoride (PVDF) layer by spin coating a DMF (Dimethyl Formamide) and a PVDF (Poly Vinylidene Fluoride) solution on the flexible substrate , A fine wiring formation method. 제 7 항에 있어서,
상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판 상의 전면에 씨앗층을 형성하는 단계;는 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판을 NaOH 용액으로 세척하는 제 1 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 KMnO4 용액 및 H2SO4 용액으로 에칭하는 제 2 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 SnCl2 용액 및 HCl 용액으로 활성화하는 제 3 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 PdCl2 용액 및 HCl 용액으로 촉매처리하는 제 4 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 증류수로 세척하는 제 5 단계; 및 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 NiB 무전해 도금층을 형성하는 제 6 단계;를 포함하는, 미세배선 형성 방법. 8. The method of claim 7,
Forming a seed layer on the entire surface of the flexible substrate on which the concave portion is formed comprises: a first step of washing the flexible substrate with the concave portion with NaOH solution; A second step of etching the flexible substrate on which the recess is formed, with a KMnO 4 solution and a H 2 SO 4 solution; A third step of activating the flexible substrate on which the concave portion is formed with SnCl 2 solution and HCl solution; A fourth step of catalytically treating the flexible substrate on which the concave portion is formed with a PdCl 2 solution and an HCl solution; A fifth step of washing the flexible substrate on which the concave portion is formed with distilled water; And a sixth step of forming an NiB electroless plating layer on the flexible substrate on which the concave portion is formed. 제 7 항에 있어서,
상기 리프트 오프(lift-off) 공정은 DMF(Dimethyl Formamide) 용액을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 미세배선 형성 방법. 8. The method of claim 7,
Wherein the lift-off process is performed using a DMF (Dimethyl Formamide) solution.
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