KR20160108944A - Etching solution composition for silver-containing layer and manufacturing method of an array substrate for display device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an etchant composition of a thin film containing silver (Ag) and a method of manufacturing an array substrate for a display device using the same.
본격적인 정보화시대로 접어들게 됨에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이 분야가 급속도로 발전해 왔으며, 이에 부응하여 다양한 평판 디스플레이가 개발되어 각광받고 있다.As the era of information technology becomes full-scale, the display field for processing and displaying a large amount of information has been rapidly developed, and various flat panel displays have been developed in response to this.
이러한 평판 디스플레이 장치의 예로는 액정디스플레이장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 디스플레이장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출디스플레이장치(Field Emission Display device: FED), 유기발광소자(Organic Light Emitting Diodes: OLED) 등을 들 수 있다.Examples of such flat panel display devices include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel device (PDP), a field emission display device (FED), an organic light emitting device Emitting Diodes (OLED).
특히 OLED는 소자 자체적으로 빛을 발광하면서 저전압에서도 구동될 수 있기 때문에 휴대기기 등의 소형 디스플레이 시장에 빠르게 적용되고 있을 뿐만 아니라, 디스플레이의 대화면화에 대한 트랜드에 따라 대형 TV 등에의 상용화를 목전에 둔 상황이다. 디스플레이가 대화면화 되면서, 배선 등이 길어지게 되어 배선 저항이 증가하게 됨에 따라, 저항을 낮추어 표시장치의 대형화 및 고해상도 실현을 가능하게 하는 방법이 요구되고 있다.In particular, since OLEDs can be driven at a low voltage while emitting light themselves, OLEDs are rapidly applied to the small display market of portable devices and the like. In addition, due to the trend toward large-screen display, It is a situation. As the display becomes a large screen, the wiring becomes longer and the wiring resistance increases. Therefore, a method of making the display device large-sized and realizing a high resolution by lowering the resistance is demanded.
저항 증가에 의한 신호 지연 등의 문제를 해결하기 위해서는, 상기 배선을 최대한 낮은 비저항을 가지는 재료로 형성할 필요가 있고, 그러한 노력의 일환으로 다른 금속들에 비해 낮은 비저항과 높은 휘도, 전도도를 가지고 있는 은(Ag: 비저항 약 1.59μΩ㎝)막, 은합금막 또는 은막이나 은합금막을 포함한 다층막을 칼라필터의 전극, 배선 및 반사막 등에 적용하여 평판 디스플레이장치의 대형화와 고해상도 및 저전력 소비 등을 실현하기 위한 노력이 경주되고 있으며, 이러한 재료에 적용하기 위한 식각액이 요구되고 있다.In order to solve the problem of signal delay due to an increase in resistance, it is necessary to form the wiring with a material having a resistivity as low as possible. As a result of this effort, the wiring has a low specific resistance, high luminance and conductivity (Ag: a resistivity of about 1.59 mu OMEGA cm), a silver alloy film, a silver film, or a silver alloy film is applied to an electrode, a wiring, and a reflection film of a color filter to achieve a large-sized flat panel display device and realize high resolution and low power consumption And an etching solution for application to such a material is required.
은(Ag) 함유 박막이 기판에 증착된 경우, 이를 패터닝, 식각하기 위해 종래의 식각액을 사용하는 경우에는 식각이 불량하여 잔사가 발생하거나 공정 시간이 길어지는 등의 문제가 야기될 수 있다. 또한, 이와는 반대로 은(Ag)이 과도하게 식각되거나 불균일하게 식각되어 배선의 들뜸 또는 벗겨짐 현상이 발생하고, 배선의 측면 프로파일이 불량하게 될 수 있다. 따라서, 이러한 문제점을 해결할 수 있는 새로운 식각액의 개발이 요구되는 실정이다.
When a thin film containing silver (Ag) is deposited on a substrate, if a conventional etchant is used to pattern and etch the thin film, it may lead to problems such as poor etching and residue or long process time. On the contrary, the silver (Ag) is excessively etched or unevenly etched, so that the wiring may be lifted or peeled off, and the side profile of the wiring may become poor. Therefore, there is a need to develop a new etchant that can solve these problems.
본 발명은, 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서,SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems,
은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막 및 산화인듐막을 포함하는 다층막을 식각함에 있어서 임계치수 바이어스(CD bias)가 우수하고, 하부 데이터 배선의 손상 및 잔사의 발생 없이 균일한 식각 특성을 나타내는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.(CD bias) is excellent in etching a single film of silver (Ag) or silver alloy, or a multilayer film including the single film and the indium oxide film, and uniform etching And the like.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하여 OLED, LCD 등의 표시 장치용 어레이 기판을 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing an array substrate for a display device, such as an OLED or an LCD, using the etchant composition.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,According to an aspect of the present invention,
조성물 총 중량에 대하여,With respect to the total weight of the composition,
인산(A) 40 내지 60 중량%;40 to 60% by weight of phosphoric acid (A);
질산(B) 3 내지 8 중량%;3 to 8% by weight of nitric acid (B);
초산(C) 5 내지 20 중량%;5 to 20% by weight of acetic acid (C);
인산염(D) 0.1 내지 3 중량%;0.1 to 3% by weight of phosphate (D);
질산염(E) 0.1 내지 3 중량% 및 초산염(F) 0.1 내지 3 중량%에서 선택되는 1종 이상; 및 0.1 to 3% by weight of nitrate (E) and 0.1 to 3% by weight of acetate (F); And
탈이온수(G) 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물을 제공한다.
And a deionized water (G) balance. The present invention also provides an etchant composition for a thin film containing silver (Ag).
또한, 본 발명은In addition,
a) 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;a) forming a gate wiring on the substrate;
b) 상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring;
c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer;
d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer; And
e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극 또는 반사막을 형성하는 단계; 를 포함하는 표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,e) forming a pixel electrode or a reflective film connected to the drain electrode; The method comprising the steps of:
상기 e) 단계는 기판 상에 은(Ag) 함유 박막을 형성하고, 본 발명의 은 함유 박막의 식각액 조성물로 식각하여 화소전극 또는 반사막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
(E) forming a thin film containing silver (Ag) on the substrate, and etching the thin film containing silver with the etchant composition of the silver-containing thin film of the present invention to form a pixel electrode or a reflective film. Of the present invention.
또한, 본 발명은In addition,
상기 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물로 식각된 배선을 제공한다.Thereby providing an etched wiring with the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film.
본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물은, 인산, 질산, 초산, 인산염, 질산염 및/또는 초산염, 및 탈이온수를 포함함으로써, 은(Ag) 함유 박막을 식각함에 있어서 임계치수 바이어스(CD bias)가 우수하고, 하부 배선의 손상 및 식각 잔사의 발생 없이 균일한 식각 특성을 가지며, 식각 속도 컨트롤이 용이한 식각액 조성물을 제공할 수 있다.The etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention can be used to etch a thin film containing silver (Ag) by including phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, phosphate, nitrate and / it is possible to provide an etchant composition having excellent etching characteristics without sacrificing lower wiring and etching residues and having uniform etching characteristics and being easy to control the etching rate.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하여 표시 장치용 어레이 기판을 제조하는 방법을 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a method of manufacturing an array substrate for a display device using the etchant composition.
도 1은 식각액으로 식각함에 있어서, 임계치수 바이어스(CD bias: Photo resist 너비- 배선 너비, 너비차)를 설명하기 위한 SEM 사진이다.
도 2는 식각액으로 식각한 후, 은(Ag)의 잔사 발생 유/무를 측정한 SEM 사진이다.
도 3은 식각액으로 식각한 후, 은(Ag)의 재흡착 발생 유/무를 측정한 SEM 사진이다.
도 4는 식각액의 식각 속도 평가에서, 종방향의 식각 속도를 설명하기 위해 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a SEM image for explaining a threshold bias (CD bias: photo resist width - wiring width, width difference) in etching with an etching solution.
FIG. 2 is a SEM photograph of the residue of silver (Ag) after etching with an etching solution.
FIG. 3 is a SEM photograph showing the presence / absence of re-adsorption of silver (Ag) after etching with an etching solution.
4 is a view for explaining the etching rate in the longitudinal direction in the evaluation of the etching rate of the etching solution.
본 발명자들은 은(Ag) 함유 박막에 대하여 우수한 식각 특성을 가지고, 잔사 및 재흡착이 발생하지 않으며, 식각 컨트롤이 우수하여 과식각이 발생하지 않는 식각액 조성물을 제공하기 위해 예의 노력한 바, 산으로서 인산, 질산, 초산을 포함하며 인산염, 질산염 및/또는 초산염 등을 포함하는 식각액 조성물로서 본 발명을 완성하게 되었다.
The present inventors have made intensive efforts to provide an etchant composition having excellent etching properties for a silver (Ag) -containing thin film, free from residue and re-adsorption, and excellent in etching control, , Nitric acid, and acetic acid, and has completed the present invention as an etchant composition including phosphates, nitrates and / or nitrates.
본 발명은,According to the present invention,
조성물 총 중량에 대하여,With respect to the total weight of the composition,
인산(A) 40 내지 60 중량%;40 to 60% by weight of phosphoric acid (A);
질산(B) 3 내지 8 중량%;3 to 8% by weight of nitric acid (B);
초산(C) 5 내지 20 중량%;5 to 20% by weight of acetic acid (C);
인산염(D) 0.1 내지 3 중량%;0.1 to 3% by weight of phosphate (D);
질산염(E) 0.1 내지 3 중량% 및 초산염(F) 0.1 내지 3 중량%에서 선택되는 1종 이상; 및 0.1 to 3% by weight of nitrate (E) and 0.1 to 3% by weight of acetate (F); And
탈이온수(G) 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물에 관한 것이다.
And an amount of deionized water (G) remaining in the etchant.
상기 은(Ag) 함유 박막은 막의 구성 성분 중에 은(Ag)이 포함되는 것으로서, 단일막 및 이중막 이상의 다층막을 포함하는 개념이다. 상기 은(Ag) 함유 박막은 은(Ag) 또는 은합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 인듐 산화막으로 구성되는 다층막 등을 들 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
The silver (Ag) -containing thin film contains silver (Ag) as a constituent component of the film, and is a concept including a multilayer film of a single film and a double film or more. The silver (Ag) -containing thin film may be a single film made of silver (Ag) or a silver alloy, or a multi-layered film composed of the single film and the indium oxide film.
이하, 본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물을 구성하는 각 성분을 설명한다. 그러나 본 발명이 이들 성분에 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, each component constituting the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention will be described. However, the present invention is not limited to these components.
(A) 인산(A) Phosphoric acid
본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물에 포함되는 인산(H3PO4)은 주 산화제로 사용되는 성분으로서, 일례로서 인듐산화막/은(Ag)/인듐산화막 등과 같이 은 함유 박막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 수행한다.
Phosphoric acid (H 3 PO 4 ) contained in the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention is a component used as a main oxidizing agent. Examples thereof include oxides such as indium oxide film / silver (Ag) / indium oxide film, Thereby performing wet etching.
상기 인산은 본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 40 내지 60 중량%, 보다 바람직하게는 50 내지 60 중량%로 포함될 수 있다. 상기 인산이 40 중량% 미만으로 포함될 경우에는 은의 식각 속도 저하와 은 잔사 발생에 따른 불량을 야기할 수 있다. 반면 60 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 인듐 산화막의 식각 속도 저하를 야기할 수 있으며, 이에 반하여 은의 식각 속도는 지나치게 빨라지게 된다. 따라서, 이를 은 또는 은합금 및 인듐 산화막의 다층막에 적용할 경우, 상하부 인듐 산화막의 팁(Tip) 발생 또는 과식각 현상 발생으로 후속공정에 문제를 유발할 수 있어 바람직하지 않다.
The phosphoric acid may be contained in an amount of 40 to 60 wt%, more preferably 50 to 60 wt%, based on the total weight of the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention. If the amount of the phosphoric acid is less than 40% by weight, it may lead to a decrease in silver etching rate and a failure due to generation of silver residue. On the other hand, if it exceeds 60 wt%, the etching rate of the indium oxide film may be lowered, whereas the etching rate of silver may be excessively increased. Therefore, when this is applied to a multi-layered film of silver or silver alloy and indium oxide film, occurrence of a tip of the upper and lower indium oxide films or occurrence of an excessive angle phenomenon may cause problems in the subsequent process, which is not preferable.
(B) 질산(B) nitric acid
본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물에 포함되는 질산(HNO3)은 보조 산화제로 사용되는 성분으로, 일례로서는 인듐산화막/은(Ag)/인듐산화막 등과 같은 은 함유 박막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 수행한다.
The nitric acid (HNO 3 ) contained in the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention is a component used as a co-oxidizing agent and oxidizes a thin film containing silver, such as an indium oxide film / silver (Ag) / indium oxide film, It performs the role of etching.
상기 질산(B)은 본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 3 내지 8 중량%, 보다 바람직하게는 5 내지 7 중량% 포함될 수 있다. 상기 질산의 함량이 3 중량% 미만인 경우, 은(Ag), 은 합금(silver alloy) 또는 인듐 산화막의 식각 속도 저하가 발생하게 되며, 이로 인하여 기판 내의 식각 균일성(uniformity)이 불량해지므로 얼룩이 발생하게 된다. 상기 질산의 함량이 8 중량%를 초과하는 경우에는 상하부 인듐 산화막의 식각 속도가 가속화되어, 과식각 발생으로 후속 공정에 문제가 발생될 수 있다.
The nitric acid (B) may be contained in an amount of 3 to 8 wt%, more preferably 5 to 7 wt%, based on the total weight of the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention. If the content of nitric acid is less than 3% by weight, etching rate of silver (Ag), silver alloy, or indium oxide film is lowered, and uniformity of etching in the substrate is poor, . If the content of nitric acid is more than 8 wt%, the etching rate of the upper and lower indium oxide films accelerates, which may cause problems in the subsequent process due to overeating.
(C) 초산(C) Acetic acid
본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물에 포함되는 초산(CH3COOH)은 보조 산화제로 사용되는 성분이며, 일례로서 인듐산화막/은(Ag)/인듐산화막 등의 은 함유 박막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 수행한다.
The acetic acid (CH 3 COOH) contained in the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention is a component used as a co-oxidant. For example, a thin film containing silver such as indium oxide / silver / indium oxide is oxidized And performs a wet etching process.
상기 초산은 본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 5 내지 20 중량%, 보다 바람직하게는 5 내지 15 중량%로 포함될 수 있다. 상기 초산의 함량이 5 중량% 미만인 경우에는 기판 내의 식각 속도 불균일로 인하여 얼룩이 발생하는 문제점이 있다. 함량이 20 중량%를 초과하는 경우에는 거품 발생이 야기되며, 이러한 거품이 기판 내에 존재하게 될 경우 완전한 식각이 이루어지지 않아 후속 공정에 문제를 야기할 수 있다.
The acetic acid may be contained in an amount of 5 to 20 wt%, more preferably 5 to 15 wt%, based on the total weight of the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention. If the content of the acetic acid is less than 5% by weight, unevenness of the etching rate in the substrate may cause unevenness. If the content exceeds 20% by weight, foaming occurs, and if such a foam is present in the substrate, complete etching may not be performed, which may cause problems in the subsequent process.
(D) 인산염(D) Phosphate
본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물에 포함되는 인산염은 습식 식각 시 박막에 대한 임계치수 바이어스(CD Bias)를 감소시키고, 식각이 균일하게 진행되도록 식각 속도를 조절한다. 상기 인산염은 구체예로서 제 1 인산나트륨(NaH2PO4), 제 2 인산나트륨(Na2HPO4), 제 3 인산나트륨(Na3PO4), 제 1 인산칼륨(KH2PO4), 제 2 인산칼륨(K2HPO4), 제 1 인산암모늄((NH4)H2PO4), 제 2 인산암모늄((NH4)2HPO4) 및 제 3 인산암모늄((NH4)3PO4) 등을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니며, 이로부터 선택되는 1 종 이상을 사용할 수 있다.
The phosphate contained in the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention reduces the critical bias (CD Bias) for the thin film during wet etching and adjusts the etching rate so that the etching proceeds uniformly. Specific examples of the phosphate include NaH 2 PO 4 , Na 2 HPO 4 , Sodium Phosphate (Na 3 PO 4 ), Potassium Phosphate (KH 2 PO 4 ) dipotassium hydrogen phosphate (K 2 HPO 4), first ammonium phosphate ((NH 4) H 2 PO 4), the second ammonium phosphate ((NH 4) 2 HPO 4 ) and a third ammonium phosphate ((NH 4) 3 PO 4 ), and the like, but not limited thereto, and at least one selected from these can be used.
상기 인산염은 본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 3 중량%, 보다 바람직하게는 0.5 내지 2 중량%로 포함될 수 있다. 상기 인산염의 함량이 0.1 중량% 미만일 경우, 기판 내의 식각 균일성(uniformity)이 저하되거나 은 잔사가 발생할 수 있다. 함량이 3 중량%를 초과하는 경우에는 식각 속도가 저하되어 원하는 식각 속도를 구현할 수 없으며, 이로 인해 공정 시간이 길어지는 등 공정 효율이 저하될 수 있다.
The phosphate may be contained in an amount of 0.1 to 3 wt%, more preferably 0.5 to 2 wt%, based on the total weight of the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention. When the content of the phosphate is less than 0.1% by weight, etching uniformity in the substrate may be lowered or silver residue may be generated. When the content exceeds 3 wt%, the etching rate is lowered and a desired etching rate can not be achieved. As a result, the process time may be prolonged and the process efficiency may be lowered.
(E) 질산염 (E) Nitrate
본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물에 포함되는 질산염은 식각 후 발생하게 되는 은 이온(Ag+) 또는 콜로이드 형태의 은이 원하지 않는 위치에 재흡착되어 암점 불량 또는 배선간 불필요한 연결을 만들어 전기적 쇼트(합선)가 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 질산염의 구체예로서 질산칼륨(KNO3), 질산나트륨(NaNO3) 및 질산암모늄(NH4NO3) 등을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니며, 이로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
The silver nitrate contained in the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention is reabsorbed in an undesired position by silver ions (Ag + ) or colloidal silver ions generated after etching, Thereby preventing a short circuit (short circuit) from occurring. Specific examples of the nitrate salt include potassium nitrate (KNO 3 ), sodium nitrate (NaNO 3 ) and ammonium nitrate (NH 4 NO 3 ), but not limited thereto, and at least one selected from the above can be used .
상기 질산염은 본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 3 중량%로 포함될 수 있으며, 보다 바람직하게는 0.5 내지 2 중량%로 포함될 수 있다. 상기 질산염의 함량이 0.1 중량% 미만인 경우에는 기판 내 은의 재흡착을 방지하는 역할을 제대로 수행할 수 없으며, 3 중량%를 초과하는 경우에는 식각 속도가 저하되어 원하는 식각 속도를 구현할 수 없고, 은 잔사 발생으로 인한 후속 공정에 문제를 유발할 수 있다.
The nitrate may be contained in an amount of 0.1 to 3% by weight, more preferably 0.5 to 2% by weight based on the total weight of the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention. If the content of the nitrate is less than 0.1 wt%, the function of preventing the re-adsorption of silver in the substrate can not be properly performed. If the content is more than 3 wt%, the etching rate is lowered and the desired etching rate can not be achieved. Which can cause problems in the subsequent process due to the occurrence.
(F) 초산염(F) Acetate
본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물에 포함되는 초산염(F)은 표시 장치의 고해상도에 따른 배선, 화소 전극 또는 반사막의 미세패턴화 시(동일 영역에 더 많은 화소를 넣기 위해 배선의 너비 및 크기가 작아지는 현상), 식각량의 감소를 위해 배선의 유실을 방지하는 역할을 한다. 상기 초산염은 은 또는 은합금의 식각량 뿐만 아니라 인듐 산화막의 식각량 또한 감소시킴으로써 다중막에서 더욱 우수한 식각 감소 효과를 얻을 수 있다.The nitrate (F) contained in the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention can be used for fine patterning of wirings, pixel electrodes or reflective films according to the high resolution of a display device And size reduction), and to prevent the loss of the wiring to reduce the etching amount. The nitrate can reduce the etching amount of the silver or silver alloy as well as the etching amount of the indium oxide film to obtain a more excellent etching reduction effect in the multi-layered structure.
또한, 식각액 조성물 사용 시간 경과에 의해 인산(A)이 농축됨에 따라, 식각액 조성물 총 중량에 대한 인산의 중량%가 증가할 수 있는데, 이 때문에 발생하는 배선, 화소전극 또는 반사막의 유실을 방지하는 역할을 수행한다.In addition, as the phosphoric acid (A) is concentrated due to the elapse of use time of the etchant composition, the weight percentage of phosphoric acid with respect to the total weight of the etchant composition may increase. In order to prevent the loss of wiring, the pixel electrode, .
본 발명의 은 함유 박막의 식각액 조성물에 포함되는 초산염은 구체적인 예로서 초산칼륨(CH3COOK), 초산나트륨(CH3COONa) 및 초산암모늄(CH3COONH4) 등을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니며, 이로부터 1종 이상을 선택하여 사용할 수 있다.
Examples of the acetate included in the etchant composition of the silver-containing thin film of the present invention include potassium acetate (CH 3 COOK), sodium acetate (CH 3 COONa) and ammonium acetate (CH 3 COONH 4 ) , And one or more of them can be selected and used.
상기 초산염(F)은 본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 3 중량%, 보다 바람직하게는 0.5 내지 2 중량%로 포함될 수 있다. 상기 초산염의 함량이 0.1 중량% 미만인 경우에는 식각 효과가 미미하여 식각량을 줄이는 역할을 제대로 수행할 수 없으며, 3 중량%를 초과하는 경우에는 식각 속도가 저하되어 원하는 식각 속도를 구현할 수 없고, 은 잔사 발생으로 인한 후속 공정에 문제를 유발할 수 있다.
The acetate (F) may be contained in an amount of 0.1 to 3% by weight, more preferably 0.5 to 2% by weight based on the total weight of the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention. If the content of the nitrate is less than 0.1 wt%, the etching effect is insufficient and the etching rate can not be properly reduced. If the content of the nitrate exceeds 3 wt%, the etching rate is lowered and the desired etching rate can not be achieved. Which can cause problems in the subsequent process due to the occurrence.
(G) (G) 탈이온수Deionized water
본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물에 포함되는 탈이온수는 특별히 한정하지 않으며, 반도체 공정용으로서 비저항값이 18 ㏁/㎝ 이상인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
The deionized water contained in the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention is not particularly limited, and a resistivity value of 18 MΩ / cm or more is preferably used for semiconductor processing.
상기 탈이온수는 본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물 총 100 중량%에 대하여 잔량으로 포함될 수 있다.
The deionized water may be contained in a residual amount relative to a total of 100 wt% of the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention.
본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물은 상기에 언급한 성분들 외에 식각 조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제, pH 조절제 및 이에 국한되지 않는 다른 첨가제로부터 선택되는 1종 이상을 추가로 포함할 수 있다. 상기 첨가제는, 본 발명의 범위 내에서 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당해 분야에서 통상적으로 사용하는 첨가제들로부터 선택하여 사용할 수 있다. The etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention may contain, in addition to the above-mentioned components, at least one selected from an etchant, a surfactant, a sequestering agent, a corrosion inhibitor, a pH adjuster, May be further included. The above additives can be selected from additives commonly used in the art in order to further improve the effects of the present invention within the scope of the present invention.
또한, 본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물을 구성하는 성분들은 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
In addition, it is preferable that the components constituting the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention have purity for semiconductor processing.
본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물이 적용되는 은(Ag) 함유 박막은, 막의 구성 성분 중에 은(Ag)이 포함되는 것으로서, 은(Ag) 또는 은 합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 인듐 산화막으로 구성된 다층막 등을 들 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. The silver-containing thin film to which the etching solution composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention is applied is a single film of silver (Ag) or a silver alloy containing silver (Ag) And a multilayer film composed of a film and an indium oxide film, but the present invention is not limited thereto.
상기 은 함유 박막은 특별히 한정하지 않으나 구체적인 예로서, 은(Ag)막, 은을 주성분으로 하며 네오디늄(Nd), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 프로트악티늄(Pa) 및 티타늄(Ti) 등으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 은 합금막, 은의 질화물, 은의 규화물, 은의 탄화물, 또는 은의 산화물 등의 단일막; 상기 단일막과 인듐산화막으로 구성된 다층막; 등을 들 수 있다.The silver-containing thin film is not particularly limited, but specific examples thereof include a silver (Ag) film, a silver-based thin film containing neodymium (Nd), copper (Cu), palladium (Pd), niobium (Nb) A silver alloy film containing at least one metal selected from the group consisting of molybdenum (Mo), chromium (Cr), magnesium (Mg), tungsten (W), protactinium (Pa) and titanium (Ti) , A single film such as a silver carbide, or an oxide of silver; A multi-layered film composed of the single film and the indium oxide film; And the like.
상기 인듐 산화막의 구체예로서 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 또는 산화갈륨아연인듐(IGZO) 등을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. Specific examples of the indium oxide film include, but are not limited to, indium tin oxide (ITO), zinc oxide indium (IZO), zinc tin oxide indium (ITZO), or gallium indium gallium oxide (IGZO).
상기 다층막의 보다 구체적인 예로서, 인듐산화막/은(Ag) 또는 인듐산화막/은 합금(silver alloy) 등의 이중막, 인듐산화막/은(Ag)/인듐산화막 또는 인듐산화막/은 합금/인듐산화막 등의 삼중막 등을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.
As a more specific example of the multi-layered film, a double layer film such as an indium oxide film / silver (Ag) film or an indium oxide film / silver alloy film, an indium oxide film / silver / indium oxide film or an indium oxide film / silver alloy / indium oxide film And the like, but the present invention is not limited thereto.
또한, 본 발명은In addition,
(1) 기판 상에 은(Ag) 함유 박막을 형성하는 단계;(1) forming a silver (Ag) -containing thin film on a substrate;
(2) 상기 은 함유 박막상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및(2) selectively leaving a photoreactive material on the silver-containing thin film; And
(3) 상기 본 발명의 은 함유 박막의 식각액 조성물을 사용하여 상기 은함유 박막을 식각하는 단계를 포함하는 은 함유 박막의 식각 방법에 관한 것이다.(3) etching the silver-containing thin film using the silver-containing thin film etching solution composition of the present invention.
본 발명의 식각방법에서, 상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.
In the etching method of the present invention, the photoreactive material is preferably a conventional photoresist material, and may be selectively left by conventional exposure and development processes.
또한, 본 발명은In addition,
a) 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;a) forming a gate wiring on the substrate;
b) 상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring;
c) 상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;c) forming an oxide semiconductor layer on the gate insulating layer;
d) 상기 산화물 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및d) forming source and drain electrodes on the oxide semiconductor layer; And
e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극 또는 반사막을 형성하는 단계; 를 포함하는 표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,e) forming a pixel electrode or a reflective film connected to the drain electrode; The method comprising the steps of:
상기 e) 단계는 기판 상에 은(Ag) 함유 박막을 형성하고, 본 발명의 은 함유 박막의 식각액 조성물로 식각하여 화소전극 또는 반사막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다. (E) forming a thin film containing silver (Ag) on the substrate, and etching the thin film containing silver with the etchant composition of the silver-containing thin film of the present invention to form a pixel electrode or a reflective film. Of the present invention.
상기 표시장치는 유기발광소자(OLED) 또는 액정표시장치(LCD)일 수 있으며, 상기 표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다.The display device may be an organic light emitting diode (OLED) or a liquid crystal display (LCD), and the array substrate may be a thin film transistor (TFT) array substrate.
상기 은 함유 박막은, 은(Ag) 또는 은 합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 인듐 산화막으로 구성된 다층막일 수 있으며, 상기 은 합금은 은(Ag)을 주성분으로 하며, 네오디늄(Nd), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 프로트악티늄(Pa) 또는 티타늄(Ti) 등의 다른 금속을 포함하는 합금 형태이거나, 은의 질화물, 은의 규화물, 은의 탄화물, 또는 은의 산화물 등의 형태일 수 있다.The silver-containing thin film may be a single layer of silver (Ag) or a silver alloy, or a multi-layered film composed of the single layer and an indium oxide layer. The silver alloy may be composed of silver (Ag) (Pd), niobium (Ni), nickel (Ni), molybdenum (Mo), chromium (Cr), magnesium (Mg), tungsten (W), protactinium (Pa) , Or a nitride of silver, a silicide of silver, a carbide of silver, or an oxide of silver, or the like.
상기 인듐 산화막은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 또는 산화갈륨아연인듐(IGZO) 등을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. The indium oxide film may include, but is not limited to, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc indium tin oxide (ITZO), or gallium indium zinc oxide (IGZO).
즉, 상기한 표시장치용 어레이 기판의 제조방법으로 제조된 표시 장치용 어레이 기판도 본 발명의 범위에 포함된다. 이 때, 상기 표시장치는 유기발광소자(OLED) 또는 액정표시장치(LCD)일 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.
That is, the array substrate for a display device manufactured by the method for manufacturing an array substrate for a display device described above is also included in the scope of the present invention. At this time, the display device may be an organic light emitting diode (OLED) or a liquid crystal display (LCD), but is not limited thereto.
또한, 본 발명은In addition,
본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물을 사용하여 식각된 배선을 제공할 수 있다.The etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention can be used to provide etched wiring.
보다 상세하게, 상기 배선은 터치스크린 패널(Touch Screen Panel, TSP)에서 주로 X, Y 좌표에 센싱된 신호를 읽어들이는 트레이스(Trace) 배선 또는 플렉서블용 은 나노와이어 배선일 수 있다.More specifically, the wiring may be a trace wiring for reading a signal mainly sensed in X, Y coordinates in a touch screen panel (TSP), or a nanowire wiring for flexible wiring.
상기 배선은 은(Ag) 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 인듐산화막으로 구성된 다층막일 수 있다. 상기 은 합금의 단일막, 상기 단일막과 인듐 산화막으로 구성된 다층막에 대한 내용은 은(Ag) 함유 박막에 대해 상술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.
The wiring may be a single film made of silver (Ag) or a silver alloy, or a multilayer film composed of the single film and the indium oxide film. The contents of the single layer of the silver alloy, the single layer and the indium oxide layer can be applied to the silver (Ag) containing thin film.
본 발명의 은 함유 박막의 식각액 조성물은 표시 장치(OLED, LCD 등)의 제조 시, 배선 및 반사막으로 사용되는 은(Ag) 또는 은합금으로 이루어진 단일막 및 상기 단일막과 인듐산화막으로 구성된 다층막의 식각에 사용할 수 있다. 또한, 터치스크린 패널의 배선 형성 시 식각에 사용할 수 있다. 즉, 본 발명의 은 함유 박막의 식각액 조성물은 OLED, LCD, TSP 등의 제조에 다양하게 적용될 수 있다.
The etchant composition of the silver-containing thin film of the present invention can be used for the production of a display device (OLED, LCD, etc.), a single film made of silver (Ag) or silver alloy used for wiring and a reflective film, and a multi- It can be used for etching. In addition, it can be used for etching when wiring of a touch screen panel is formed. That is, the etching solution composition of the silver-containing thin film of the present invention can be variously applied to the production of OLED, LCD, TSP and the like.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않으며, 다양하게 수정 및 변경될 수 있다. 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해질 것이다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the following examples illustrate the present invention and the present invention is not limited by the following examples, and various modifications and changes may be made. The scope of the present invention will be determined by the technical idea of the following claims.
<< 실시예Example 및 And 비교예Comparative Example > > 식각액Etchant 조성물의 제조 Preparation of composition
하기 표 1에 나타낸 조성 및 함량으로 실시예 1~14 및 비교예 1~12의 식각액 조성물을 제조하였다.
The etching composition compositions of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 12 were prepared by the compositions and contents shown in Table 1 below.
인산나트륨1st
Sodium phosphate
인산칼륨1st
Potassium phosphate
칼륨nitric acid
potassium
암모늄nitric acid
ammonium
칼륨Acetic acid
potassium
암모늄Acetic acid
ammonium
<< 실험예Experimental Example > > 식각액Etchant 조성물의 성능 테스트 Performance testing of the composition
기판 상에 유기 절연막을 증착하고, 그 위에 ITO/Ag/ITO 삼중막을 증착한 것을 다이아몬드 칼을 이용하여 500 X 600mm로 절단하여 시편을 준비하였다.An organic insulating film was deposited on the substrate, and ITO / Ag / ITO triplet deposited thereon was cut into 500 × 600 mm using a diamond knife to prepare a specimen.
상기 실시예 1~14 및 비교예 1~12의 식각액 조성물을 사용하여 하기와 같이 성능 테스트를 진행하였다.
Using the etchant compositions of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 12, performance tests were carried out as follows.
실험예Experimental Example 1. 임계치수 바이어스 (CD bias) 측정 1. Measurement of CD bias
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER, K.C.Tech사) 내에 상기 실시예 1~14 및 비교예 1~12의 은 식각액 조성물을 각각 넣고, 온도를 40℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 상기 시편의 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 100초로 실시하였다.The silver etching compositions of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 12 were placed in an experimental apparatus (model name: ETCHER, KCTech) of a spray-type etching system, the temperature was set to 40 DEG C, When the temperature reached ± 0.1 ° C, the etching process of the specimen was performed. The total etching time was 100 seconds.
기판을 넣고 분사를 시작하여 100초의 식각 시간이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하였다. 세정 및 건조 후 기판을 절단하고 단면을 전자주사현미경(SEM; 모델명:SU-8010, HITACHI사 제조)을 이용하여 측정하였다. 임계치수 바이어스 측정 기준으로는 포토레지스트 양끝 부분의 너비에서 배선의 너비의 차를 측정하였고(도 1), 하기의 기준으로 평가하였으며, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
After the substrate was injected and spraying was started, when the etching time of 100 seconds had elapsed, the substrate was taken out, washed with deionized water, and dried using a hot air dryer. After cleaning and drying, the substrate was cut and its cross-section was measured using an electron microscope (SEM; model: SU-8010, manufactured by Hitachi). The difference in the width of the wirings at the width of the photoresist width was measured (FIG. 1) as the threshold value bias measurement standard, and evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 2 below.
<평가기준><Evaluation Criteria>
0.5 ㎛ 미만: 우수Less than 0.5 ㎛: Excellent
0.5 내지 1.0 ㎛: 양호0.5 to 1.0 占 퐉: Good
1.0 ㎛ 초과: 불량
Above 1.0 탆: Bad
실험예Experimental Example 2. 2. 잔사Residue 측정 Measure
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER, K.C.Tech사) 내에 상기 실시예 1~14 및 비교예 1~12의 은 식각액 조성물을 각각 넣고, 온도를 40℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 상기 시편의 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 100초로 실시하였다.The silver etching compositions of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 12 were placed in an experimental apparatus (model name: ETCHER, KCTech) of a spray-type etching system, the temperature was set to 40 DEG C, When the temperature reached ± 0.1 ° C, the etching process of the specimen was performed. The total etching time was 100 seconds.
기판을 넣고 분사를 시작하여 100초의 식각 시간이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트 박리기(PR stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM; 모델명: SU-8010, HITACHI사 제조)을 이용하여 포토레지스트가 덮여 있지 않은 부분에 은(Ag)이 식각 되지 않고 남아 있는 현상인 잔사를 측정하였으며, 하기의 기준으로 평가하여, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
After the substrate was injected and the etching was started for 100 seconds, the substrate was taken out, washed with deionized water, dried using a hot air drier, and photoresist was removed using a photoresist stripper. After cleaning and drying, residual silver halide (Ag) was left unetched in a portion not covered with photoresist using an electron microscope (SEM; model name: SU-8010, manufactured by Hitachi) The results are shown in Table 2 below.
<잔사 평가기준><Evaluation Criteria>
잔사 없음: 무No residue: No
잔사 발생: 유
Residual occurrence: Yes
실험예Experimental Example 3. 은 재흡착 측정 3. Silver resorption measurement
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER, K.C.Tech사) 내에 상기 실시예 1~14 및 비교예 1~12의 은 식각액 조성물을 각각 넣고, 온도를 40℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 상기 시편의 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 100초로 실시하였다.The silver etching compositions of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 12 were placed in an experimental apparatus (model name: ETCHER, KCTech) of a spray-type etching system, the temperature was set to 40 DEG C, When the temperature reached ± 0.1 ° C, the etching process of the specimen was performed. The total etching time was 100 seconds.
기판을 넣고 분사를 시작하여 100초의 식각 시간이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트 박리기(PR stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM; 모델명: SU-8010, HITACHI사 제조)을 이용하여 식각이 된 후, 주로 데이터 배선 등 이종 금속이 노출 된 부분이나 굴곡 현상에 의해 마찰이 발생할 수 있는 특정 부위에 식각된 은(Ag)이 흡착되어 있는 현상을 전면 관찰을 통해 분석을 진행하였고, 하기의 기준으로 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
After the substrate was injected and the etching was started for 100 seconds, the substrate was taken out, washed with deionized water, dried using a hot air drier, and photoresist was removed using a photoresist stripper. After being cleaned and dried, it is etched using a scanning electron microscope (SEM; model: SU-8010, manufactured by HITACHI), and then exposed to a part of different metals such as data lines or a specific region where friction may occur due to bending (Ag) adsorbed on the surface of the substrate was observed through a full observation. The results were evaluated according to the following criteria, and the results are shown in Table 2 below.
<재흡착 평가기준>≪ Criteria for re-adsorption &
재흡착 없음: 무No re-adsorption: No
재흡착 발생: 유
Re-adsorption occurs:
실험예Experimental Example 4. 4. 식각Etching 속도 측정 Speed measurement
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), K.C.Tech사) 내에 상기 실시예 1~14 및 비교예 1~12의 은 식각액 조성물을 각각 넣고, 온도를 40℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 상기 시편의 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 100초로 실시하였다. The silver etching compositions of Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 to 12 were placed in an experimental apparatus (model name: ETCHER (TFT), manufactured by KC Tech Co., Ltd.) in a spray-type etching system, When the temperature reached 40 + - 0.1 [deg.] C, the etching process of the specimen was performed. The total etching time was 100 seconds.
육안으로 엔드포인트 검출(End Point Detection, EPD)을 측정하여 시간에 따른 식각 속도(E/R, Etch Rate)를 얻었으며, 식각 속도는 종방향의 식각 속도만으로 평가하였다 (도 4). 식각을 진행한 금속막의 두께를 EPD로 나누면 초(시간)당 Å/(두께) (Å/sec)의 식각 속도를 구할 수 있으며, 하기의 기준으로 평가하여, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
The etch rate (E / R, Etch Rate) was obtained by measuring the end point detection (EPD) with the naked eye, and the etch rate was evaluated only by the longitudinal etch rate (FIG. The etch rate of the Å / (thickness) (Å / sec) per second (hour) can be obtained by dividing the thickness of the etched metal film by the EPD. The etch rate was evaluated according to the following criteria, and the results are shown in Table 2 below.
<식각 속도 평가 기준><Evaluation Criteria of Etching Rate>
20 Å/sec 미만: 불량Below 20 Å / sec: Bad
20 Å/sec 내지 50 Å/sec 미만: 양호20 Å / sec to less than 50 Å / sec: Good
50 Å/sec 이상: 우수
50 Å / sec or more: Excellent
상기 표 2의 결과를 통해 알 수 있듯이, 본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물인 실시예 1~14는, 임계치수 바이어스(CD bias), 식각 속도 평가 결과에서 우수하거나 양호한 수준으로 확인되었으며, 은 잔사 및 재흡착 현상이 발생하지 않는 것으로 평가되었다.As can be seen from the results of Table 2, Examples 1 to 14, which are the etching solution compositions of the silver (Ag) -containing thin film of the present invention, show excellent or good levels in the results of the CD bias and etch rate evaluation. , And it was evaluated that silver residue and reabsorption did not occur.
반면 비교예 1~12는, 임계치수 바이어스, 식각 속도, 은 잔사 발생, 재흡착 발생 평가 결과 중 하나 이상의 평가에서 불량하거나 적합하지 못한 평가 결과를 나타냄을 확인하였다.
On the other hand, in Comparative Examples 1 to 12, it was confirmed that the evaluation results were unsatisfactory or unsatisfactory in at least one of the evaluation results of critical water bias, etching speed, silver residue, and re-adsorption.
Claims (16)
인산(A) 40 내지 60 중량%;
질산(B) 3 내지 8 중량%;
초산(C) 5 내지 20 중량%;
인산염(D) 0.1 내지 3 중량%;
질산염(E) 0.1 내지 3 중량% 및 초산염(F) 0.1 내지 3 중량%에서 선택되는 1종 이상; 및
탈이온수(G) 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물. With respect to the total weight of the composition,
40 to 60% by weight of phosphoric acid (A);
3 to 8% by weight of nitric acid (B);
5 to 20% by weight of acetic acid (C);
0.1 to 3% by weight of phosphate (D);
0.1 to 3% by weight of nitrate (E) and 0.1 to 3% by weight of acetate (F); And
And a deionized water (G) balance.
은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물은 은 또는 은합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 인듐산화막으로 구성되는 다층막을 식각할 수 있는 것을 특징으로 하는 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the etchant composition of the silver (Ag) -containing thin film is capable of etching a single film made of silver or silver alloy, or a multilayer film composed of the single film and the indium oxide film.
상기 인듐산화막은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물.The method of claim 2,
Wherein the indium oxide film is at least one selected from indium tin oxide (ITO), zinc oxide indium (IZO), zinc tin zinc indium (ITZO) and gallium gallium indium zinc oxide (IGZO) Etchant composition.
상기 단일막과 인듐산화막으로 구성되는 다층막은 인듐산화막/은, 인듐산화막/은 합금, 인듐산화막/은/인듐산화막 또는 인듐산화막/은 합금/인듐산화막인 것을 특징으로 하는 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물.The method of claim 2,
Wherein the multilayer film composed of the single film and the indium oxide film is a thin film of silver containing at least one of indium oxide / silver, indium oxide / silver alloy, indium oxide / silver / indium oxide or indium oxide / silver alloy / indium oxide Etchant composition.
상기 은합금은 은(Ag) 및, 네오디늄(Nd), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 프로트악티늄(Pa) 및 티타늄(Ti)으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물.The method of claim 2,
The silver alloy silver may be at least one selected from the group consisting of silver (Ag), neodymium (Nd), copper (Cu), palladium (Pd), niobium (Nb), nickel (Ni), molybdenum (Mo), chromium (Cr) , Tungsten (W), protactinium (Pa), and titanium (Ti).
상기 인산염은 제 1 인산나트륨(NaH2PO4), 제 2 인산나트륨(Na2HPO4), 제 3 인산나트륨(Na3PO4), 제 1 인산칼륨(KH2PO4), 제 2 인산칼륨(K2HPO4), 제 1 인산암모늄((NH4)H2PO4), 제 2 인산암모늄((NH4)2HPO4) 및 제 3 인산암모늄((NH4)3PO4)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물.The method according to claim 1,
The phosphate is selected from the group consisting of NaH 2 PO 4 , Na 2 HPO 4 , Na 3 PO 4 , potassium phosphate KH 2 PO 4 , potassium (K 2 HPO 4), first ammonium phosphate ((NH 4) H 2 PO 4), the second ammonium phosphate ((NH 4) 2 HPO 4 ) and a third ammonium phosphate ((NH 4) 3 PO 4 ) (Ag) -containing thin film.
상기 질산염은 질산칼륨(KNO3), 질산나트륨(NaNO3) 및 질산암모늄(NH4NO3)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the nitrate is at least one selected from potassium nitrate (KNO 3 ), sodium nitrate (NaNO 3 ) and ammonium nitrate (NH 4 NO 3 ).
상기 초산염은 초산칼륨(CH3COOK), 초산나트륨(CH3COONa) 및 초산암모늄(CH3COONH4)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the nitrate salt is at least one selected from potassium acetate (CH 3 COOK), sodium acetate (CH 3 COONa) and ammonium acetate (CH 3 COONH 4 ).
b) 상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c) 상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;
d) 상기 산화물 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극 또는 반사막을 형성하는 단계; 를 포함하는 표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 e) 단계는 기판 상에 은(Ag) 함유 박막을 형성하고, 본 발명의 은 함유 박막의 식각액 조성물로 식각하여 화소전극 또는 반사막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치용 어레이 기판의 제조방법.a) forming a gate wiring on the substrate;
b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring;
c) forming an oxide semiconductor layer on the gate insulating layer;
d) forming source and drain electrodes on the oxide semiconductor layer; And
e) forming a pixel electrode or a reflective film connected to the drain electrode; The method comprising the steps of:
(E) forming a thin film containing silver (Ag) on the substrate, and etching the thin film containing silver with the etchant composition of the silver-containing thin film of the present invention to form a pixel electrode or a reflective film. ≪ / RTI >
상기 표시장치는 유기발광소자(OLED) 또는 액정표시장치(LCD)인 것을 특징으로 하는 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법.The method of claim 9,
Wherein the display device is an organic light emitting diode (OLED) or a liquid crystal display (LCD).
상기 표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 표시장치용 어레이 기판의 제조방법.The method of claim 9,
Wherein the array substrate for a display device is a thin film transistor (TFT) array substrate.
상기 배선은 터치스크린패널(TSP)용 트레이스(trace) 배선인 것을 특징으로 하는 배선.14. The method of claim 13,
Wherein the wiring is a trace wiring for a touch screen panel (TSP).
상기 배선은 플렉서블용 은 나노와이어인 것을 특징으로 하는 배선.14. The method of claim 13,
Wherein the wiring is a nanowire for flexible wiring.
상기 배선은 은(Ag) 또는 은합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 인듐산화막으로 구성된 다층막인 것을 특징으로 하는 배선.
14. The method of claim 13,
Wherein the wiring is a single film made of silver (Ag) or silver alloy, or a multilayer film composed of the single film and the indium oxide film.
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