KR20160088978A - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 제1 전극, 제2 전극, 유기 발광층 및 보조 전극을 포함한다. 상기 기판은 발광부들과 투과부를 각기 포함하는 복수의 픽셀 영역들을 포함한다. 상기 제1 전극은 상기 기판의 상기 발광부 내에 배치된다. 상기 제2 전극은 상기 제1 전극과 대향하도록 배치된다. 상기 유기 발광층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에서, 상기 발광부 내에 배치된다. 상기 보조 전극은 상기 기판의 상기 투과부 내에 배치되며, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결된다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외광에 대해서 높은 투과도를 갖는 투명 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 화소가 출력하는 광에 기초하여 영상을 표시할 수 있고, 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 다이오드를 갖는 화소를 포함할 수 있다. 유기 발광 다이오드는 유기 발광 다이오드가 포함하는 유기 물질에 상응하는 파장을 갖는 광을 출력할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광 다이오드는 적색광, 녹색광, 및 청색광에 상응하는 유기 물질을 포함할 수 있고, 유기 발광 표시 장치는 상기 유기 물질에 의해 출력되는 광을 조합하여 영상을 표시할 수 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치에 대해, 장치 내부의 박막 트랜지스터나 유기 발광 소자를 투명한 형태로 만드는 투명 유기 발광 표시 장치에 대한 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 일 목적은 보다 낮은 저항을 갖는 전극을 구비하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 낮은 저항을 갖는 전극을 구비하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상기 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 제1 전극, 제2 전극, 유기 발광층 및 보조 전극을 포함한다. 상기 기판은 발광부들과 투과부를 각기 포함하는 복수의 픽셀 영역들을 포함한다. 상기 제1 전극은 상기 기판의 상기 발광부 내에 배치된다. 상기 제2 전극은 상기 제1 전극과 대향하도록 배치된다. 상기 유기 발광층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에서, 상기 발광부 내에 배치된다. 상기 보조 전극은 상기 기판의 상기 투과부 내에 배치되며, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결된다.
일 실시예에 의하면, 상기 보조 전극은 도전막 및 도전 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전막은 상기 제1 전극과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전막 및 상기 제1 전극은 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 티타늄 산화물(TiOx), 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT), PEDOT:PSS 또는 전도성 고분자 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전막과 상기 제1 전극과 동일한 높이의 저면을 가지며, 상기 도전막과 상기 제1 전극은 서로 이격될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전 패턴은 상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로 연장하고, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향을 따라서 이격된 복수의 선들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전 패턴은 상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 각기 연장하며, 서로 교차되는 복수의 선들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 선들의 폭은 인접하는 선들 사이의 간격보다 작을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전 패턴은 그리드(grid) 형태로 배열될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전 패턴은 상기 도전막을 구성하는 물질보다 낮은 비저항을 가지는 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전 패턴은 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(CNT), PEDOT:PSS, 전도성 고분자 물질, 금속 나노와이어(metal nanowire), 은(Ag) 또는 금(Au)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 전극은 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 마그네슘-은 합금(MgAg)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 전극과 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 주입층, 상기 정공 주입층과 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층, 상기 제2 전극과 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 전자 주입층 및 상기 전자 주입층과 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 전자 수송층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 주입층 및 상기 전자 수송층을 관통하며, 상기 제2 전극 및 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 콘택을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 콘택과 상기 보조 전극 사이에 배치되며, 상기 도전 패턴과 직접적으로 접촉하는 보조 배선을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 전극은 상기 발광부들 및 상기 투과부를 전체적으로 덮을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 전극은 상기 발광부들을 전체적으로 덮고, 상기 투과부를 노출시킬 수 있다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 발광부들과 투과부를 각기 포함하는 복수의 픽셀 영역들을 포함하는 기판 상에, 상기 발광부들 내에 배치되는 제1 전극과 상기 투과부 내에 배치되는 도전막을 동시에 형성한다. 상기 투과부 내에서 상기 도전막 상에 도전 패턴을 형성하여, 보조 전극을 정의한다. 상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성한다. 상기 유기 발광층 상에 배치되며, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 형성한다.
일 실시예에 의하면, 상기 유기 발광층을 형성하기 전에, 상기 발광부들 및 상기 투과부들을 전체적으로 덮는 정공 수송층을 형성할 수 있다. 상기 유기 발광층을 형성한 후에, 상기 발광부들 및 상기 투과부들을 전체적으로 덮는 전자 수송층을 형성할 수 있다. 상기 제2 전극을 형성하기 전에 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층을 관통하는 콘택을 형성할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 콘택을 형성하는 것은 레이저 드릴링 공정을 통해서, 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층을 관통하는 콘택 홀을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 보조 전극과 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함한다. 또한 보조 전극은 도전막 및 도전 패턴을 포함할 수 있다. 도전 패턴은 일정한 간격을 두고 이격되어 배치되므로, 투과율의 저하를 최소화하면서, 보조 전극의 전기적 저항을 낮출 수 있다. 이에 따라, 제2 전극은 향상된 전기적 저항을 가질 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 보조 전극을 도시한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 6 내지 도 13은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 14는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 평면도이다.
도 15는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 16은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 보조 전극을 도시한 사시도이다.
도 17은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 예시적인 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의해 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.
본 명세서에 있어서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이고, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며, 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접촉되어"있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접촉되어 있을 수도 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 또한, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접촉되어"있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지는 않는다.
제1, 제2, 제3. 제4 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2, 제3 또는 제4 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2, 제3 또는 제4 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 일부분(Z)을 확대한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 제1 기판(100)은 디스플레이 영역(X)과 주변 영역(Y)으로 구분될 수 있다. 디스플레이 영역(X)은 상기 유기 발광 표시 장치에서 화상을 구현하는 디스플레이 영역일 수 있고, 주변 영역(Y)은 상기 디스플레이 영역을 구동하는 구동 회로 및 배선이 배치되는 주변 영역일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 디스플레이 영역(X)은 제1 기판(100)의 중앙부에 위치하고, 주변 영역(Y)은 디스플레이 영역(X)의 가장자리에 위치할 수 있다. 즉, 주변 영역(Y)은 디스플레이 영역(X)의 적어도 하나 이상의 측면을 둘러쌀 수 있다. 도 1에서 주변 영역(Y)은 디스플레이 영역(X)의 4개의 측면을 둘러쌀 수 있으나, 본 발명은 이에 의해서 제한되지 않는다. 주변 영역(Y)은 디스플레이 영역(X)의 우측, 좌측, 상측 및/또는 하측에 배치될 수 있다.
한편, 구동 회로부(IC)는 픽셀 영역(P)들에 전달하는 전기적 신호를 제어하는 데이터 구동부, 주사 구동비, 레벨시프터 및 버퍼 회로를 포함할 수 있으며, 제1 기판(100)의 주변 영역(Y) 내에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 구동 회로부(IC)는 도 1에서 도시된 바와 같이, 디스플레이 영역(X)의 좌측 또는 우측에 배치될 수 있으며, 상기 제2 방향으로 연장되어 배치될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 복수의 픽셀 영역들(P)은 제1 기판(100)의 디스플레이 영역(X) 내에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 복수의 픽셀 영역들(P)은 제1 기판(100) 상에 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 따라 정렬되어 배열될 수 있다.
각각의 픽셀 영역들(P)은 제1 영역(I)과 제2 영역(II)을 포함할 수 있으며, 제1 발광부(S1), 제2 발광부(S2) 및 제3 발광부(S3)는 제1 영역(I) 내에 배치될 수 있다. 즉, 제1 영역(I)은 발광부들(S1, S2, S3)이 배치되는 발광 영역일 수 있으며, 제2 영역(II)은 발광부들이 배치되지 않은 투과 영역일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 발광부(S1), 제2 발광부(S2) 및 제3 발광부(S3)은 각기 주로 적색광, 녹색광 및 청색광을 발생시키는 영역들에 해당될 수 있다. 즉, 제1 발광부(S1) 내지 제3 발광부(S3)에 위치하는 발광 구조물들로부터 각기 적색광, 녹색광 및 청색광이 방출될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 발광부(S1), 제2 발광부(S2) 및 제3 발광부(S3)는 상기 제1 방향을 따라 연장된 다각형 형상을 가질 수 있다. 또한, 제3 발광부(S3)는 제1 발광부(S1) 또는 제2 발광부(S2)보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 의해서 제한되지 않으며, 제3 발광부(S3)는 제1 발광부(S1) 또는 제2 발광부(S2)와 동일한 면적을 가질 수도 있다.
한편, 제2 영역(II)는 제1 영역(I)으로부터 상기 제1 방향으로 떨어져서 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 영역(II)는 픽셀 영역(P) 면적의 약 20% 내지 약 90%를 차지할 수 있다.
도 3은 도 2의 III-III' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 유기 발광 표시 장치는, 제1 기판(100), 스위칭 구조물(switching structure), 제1 전극(150), 보조 전극(160), 발광 구조물(light emitting structure) 및 제2 전극(195) 등을 포함할 수 있다.
제1 기판(100)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 기판(100)은 연성을 갖는 기판(flexible substrate)으로 구성될 수도 있다.
평탄화막(105)은 제1 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 평탄화막(105)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 평탄화막(105)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 티타늄 산화물 또는 티타늄 질화물 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물 또는 이들의 적층체로 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화막(105)은 필요에 따라서 구비되지 않을 수도 있다.
상기 스위칭 구조물(switching structure)은 평탄화막 상에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 스위칭 구조물은 커패시터(도시되지 않음)와 함께 회로부를 구성할 수 있다. 상기 회로부는 각기 제1 발광부(S1), 제2 발광부(S2) 및 제3 발광부(S3)에 대응되어 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 스위칭 구조물은 박막 트랜지스터를 포함할 수 있고, 상기 박막 트랜지스터는 액티브 패턴(110), 게이트 전극(125), 소스 전극(132) 및 드레인 전극(134)을 포함할 수 있다.
액티브 패턴(110)은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 산화물 반도체는 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz) 등을 포함하는 반도체 산화물로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 산화물 반도체는 예를 들면 G-I-Z-O층[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c층](a, b, c는 각각 a≥0, b≥0, c＞0의 조건을 만족시키는 실수)일 수 있다. 액티브 패턴(110)이 상기 산화물 반도체를 포함할 경우, 박막트랜지스터 자체의 광투과도가 더욱 높아질 수 있게 되고, 이에 따라 발광부의 외광 투과도를 상승시킬 수 있다.
한편, 액티브 패턴(110)은 불순물로 도핑된 소스 영역(114)과 드레인 영역(116), 그리고 이들 사이에 배치된 채널 영역(112)을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(120)은 액티브 패턴(110)을 덮도록 배치될 수 있고, 게이트 절연막(120) 상에 게이트 전극(125)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 전극(125)은 액티브 패턴(110)의 채널 영역(112)과 중첩되도록 배치될 수 있다.
제1 층간 절연막(130)은 게이트 전극(125)을 덮도록 배치될 수 있고, 소스 전극(132)과 드레인 전극(134)은 제1 층간 절연막(130)과 게이트 절연막(120)을 관통하여 각기 소스 영역(114)과 드레인 영역(116)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 3에 예시적으로 도시한 상기 박막 트랜지스터에 있어서, 액티브 패턴(110)이 상부에 게이트 전극(125)이 배치되는 탑-게이트(top-gate) 구조의 박막 트랜지스터가 예시적으로 도시되어 있으나, 상기 스위칭 소자의 구성이 여기에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 박막 트랜지스터는 액티브 패턴 아래에 게이트 전극이 위치하는 바텀-게이트(bottom-gate) 구조를 가질 수도 있다.
평탄화막(140)을 상기 스위칭 구조물을 덮도록 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화막(140)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
제1 전극(150)은 평탄화막(140) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극들(150)은 제1 영역(I) 내에서 각각의 발광부들(S1, S2, S3)에 대응하도록 배치될 수 있다. 제1 전극(150)은 평탄화막(140)을 관통하여, 상기 스위칭 구조물에 전기적으로 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(150)은 투명한 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(150)은 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 티타늄 산화물(TiOx), 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT), poly(3,4-ethylenedioxy)thiophenepoly(styrenesulfonate)(PEDOT:PSS)와 같은 전도성 고분자 물질을 포함할 수 있다.
반면에, 보조 전극(160)도 평탄화막(140) 상에 배치될 수 있다. 보조 전극(160)은 제2 영역(II) 내에 배치될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 보조 전극(160)은 도전막(162) 및 도전 패턴(164)을 포함할 수 있다.
도전막(162)은 제2 영역(II) 내에 배치될 수 있으며, 제1 영역(I) 내에 배치된 제1 전극(150)과 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 도전막(162)은 제1 전극(150)과 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다.
도전막(162)은 제1 전극(150)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 제1 전극(150)과 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다. 즉, 도전막(162)과 제1 전극(150)은 동일한 공정을 통해서 동시에 형성될 수 있다. 도전막(162)은 투명한 도전 물질을 포함하므로, 도전막(162)은 제2 영역(II)의 투과율을 악화시키지 않을 수 있다.
한편, 도전 패턴(164)은 제2 영역(II) 내에서 도전막(162) 상에 배치될 수 있다. 도전 패턴(164)의 저면은 도전막(162)의 상면과 직접적으로 접촉하며, 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 도전 패턴(164)이 배치됨에 따라서, 보조 전극(160)의 전기적 저항이 낮아질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도전 패턴(164)은 일정한 간격을 가지는 그리드(grid) 형상을 가질 수 있다. 즉, 도전 패턴(164)은 제1 기판(100)의 상면에 평행한 제1 방향과 제2 방향을 따라서 서로 교차되며 연장될 수 있으며, 각각의 선들이 일정한 간격으로 떨어져서 배치될 수 있다.
도전 패턴(164)의 각 선들은 제1 폭(W1)을 가질 수 있다. 또한, 각각의 선들은 상기 제1 방향을 따라서 서로 제1 거리(D1)만큼 이격되어 배치될 수 있으며, 상기 제2 방향을 따라서 서로 제2 거리(D2)만큼 이격되어 배치될 수 있다. 제1 거리(D1)와 제2 거리(D2)는 실질적으로 동일하거나, 서로 상이할 수 있다.
도전 패턴(164)의 제1 폭(W1), 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)는 보조 전극(160)의 저항 및 투과율을 고려하여 결정될 수 있다. 즉, 제1 폭(W1)이 증가하고, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)가 감소할수록, 보조 전극(160)의 전기적 저항은 감소할 수 있으나, 투과율이 낮아질 수 있다. 반면에, 제1 폭(W1)이 감소하고, 제1 거리(D1) 및 제2 거리(D2)가 증가할수록, 보조 전극(160)의 전기적 저항은 증가할 수 있으나, 투과율이 높아질 수 있다.
도전 패턴(164)은 도전막(162)과 동일한 비저항을 가지거나 도전막(162)보다 낮은 비저항을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도전 패턴(164)은 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT), poly(3,4-ethylenedioxy)thiophenepoly(styrenesulfonate)(PEDOT:PSS)와 같은 전도성 고분자 물질 또는 금속 나노와이어(metal nanowire), 은(Ag) 및 금(Au)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 도전 패턴(164)이 금속을 포함하는 경우에, 도전 패턴(164)은 제2 영역(II)의 투과율을 부분적으로 악화시킬 수 있으나, 도전 패턴(164)이 그리드 형태로 배치되므로 인해서, 투과율의 저하를 최소화할 수 있다.
제1 거리(D1)와 제2 거리(D2)가 동일할 때, 보조 전극(160)의 전기적 저항은 아래와 같은 식으로 계산될 수 있다.
이때, Relectrode는 보조 전극(160)의 전기적 저항을 나타내고, Rplate는 도전막(162)의 전기적 저항을 나타내며, Rpattern은 도전 패턴(164)의 전기적 저항을 나타낸다.
이때, Rsheet,pattern은 도전 패턴(164)의 면저항을 나타내며, 이는 도전 패턴(164)의 구성 물질과 두께에 의해서 결정된다. 한편, A는 아래의 식에서 결정된다.
이때, w는 도전 패턴(164)을 구성하는 선의 폭이고, d1은 도전 패턴(164)을 구성한 선들 사이의 간격이다.
다시 도 3 및 도 2을 참조하면, 보조 전극(160) 상에 보조 배선(168)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 보조 배선(168)은 보조 전극(160)을 부분적으로 덮도록 배치될 수 있다. 보조
보조 배선(168)은 보조 전극(160)의 도전 패턴(164)과 직접적으로 접촉하도록 배치될 수 있다. 보조 배선(168)은 보조 전극(160)과 이후 설명하는 콘택(190) 사이의 접촉 저항을 낮추는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 보조 배선(168)이 배치됨에 따라서, 콘택(190)의 위치를 자유롭게 변경할 수 있다. 이에 따라, 설계 자유도가 향상될 수 있다.
한편, 화소 정의막(155)은 평탄화막(140) 상에 배치되어, 제1 전극(150), 보조 전극(160) 및 보조 배선(168)을 부분적으로 덮도록 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(155)은 실리콘 산화물과 같은 무기 절연물질 또는 유기 절연물질을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 발광 구조물은 제1 전극(150), 보조 전극(160), 보조 배선(168) 및 화소 정의막(155) 상에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 구조물은 정공 수송층(HTL)(175), 유기 발광층(180) 및 전자 수송층(185)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물은 정공 수송층(175) 아래에 배치되는 정공 주입층 및 전자 수송층(185) 위에 배치되는 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
정공 수송층(175) 및 전자 수송층(185)은 제1 기판(100) 상에 전체적으로 배치될 수 있으며, 유기 발광층(180)은 제1 영역(I) 내에서 발광부들(S1, S2, S3)에 대응하여 배치될 수 있다.
콘택(190)은 상기 발광 구조물을 관통하여, 보조 배선(168)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 콘택(190)은 화소 정의막(170)과 인접하게 배치되지만, 화소 정의막(170)과 중첩되지 않는다. 즉, 콘택(190)을 형성하는 과정에서, 상기 발광 구조물만을 관통하는 콘택 홀을 형성하며, 화소 정의막(170)을 관통하는 콘택 홀을 형성할 필요는 없다.
제2 전극(195)은 상기 발광 구조물 및 콘택(190) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2 전극(195)은 콘택(190)을 통해서 보조 전극(160)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(195)은 제1 기판(100) 상에 전체적으로 배치될 수 있다.
제2 전극(195)은 도전성 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(195)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 제2 전극(195)이 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘-은 합금(MgAg)를 포함할 때, 제2 전극(195)은 우수한 전기적 저항 및 투과율을 동시에 만족할 수 있다. 제2 전극(195)의 두께는 제2 전극(195)의 전기적 저항과 투과율을 고려하여 결정될 수 있다. 제2 전극(195)의 두께가 작아지면, 제2 전극(195)의 전기적 저항은 증가하고, 제2 전극(195)의 투과율은 향상될 수 있다. 반면에, 제2 전극(195)의 두께가 증가하면, 제2 전극(195)의 전기적 저항은 감소하고, 제2 전극(195)의 투과율은 저하될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(195)은 보조 전극(160)과 전기적으로 연결되므로, 제2 전극(195)의 전기적 저항이 낮아질 수 있다. 이에 따라, 제2 전극(195)은 보다 얇은 두께를 가질 수 있으며, 제2 전극(195)의 투과율도 향상될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(195)은 약 10ㅕ 이상이고, 약 100 ㅕ이하인 두께를 가질 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
상기 유기 발광 표시 장치의 제1 기판(100) 상에 배치된 스위칭 구조물(switching structure), 제1 전극(150), 보조 전극(160), 발광 구조물(light emitting structure) 및 제2 전극(195)을 포함할 수 있으며, 이는 도 2 내지 도 4를 참조로 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는 제1 기판(100)에 대향하는 제2 기판(200) 및 제2 기판(200) 상에 배치된 차광 패턴(210) 및 컬러 필터(220)를 더 포함할 수 있다.
제2 기판(200)은 제1 기판(100)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다.
차광 패턴(210)은 제2 기판(200)의 일 면 상에 배치될 수 있다. 차광 패턴(210)은 제1 영역(I)에서 각각의 발광부들(S1, S2, S3) 및 제2 영역(II)의 투과부를 노출시키도록 배치될 수 있다.
한편, 컬러 필터(220)는 제1 영역(I)에서 각각의 발광부들(S1, S2, S3)에 대응하여 배치될 수 있다. 컬러 필터(220)은 유기 발광층(180)에서 발생하는 광을 특정 파장의 광으로 필터링하는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 컬러 필터(220)는 외광 반사를 억제하는 역할을 수행할 수 있다. 컬러 필터(220)는 제2 영역(II)에 배치되지 않으므로, 제2 영역(II)은 향상된 투과율을 가질 수 있다.
도 6 내지 도 13은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 6을 참조하면, 제1 기판(100) 상에 스위칭 구조물을 형성할 수 있다.
제1 기판(100)은 도 2를 참조로 설명한 바와 같이, 복수의 픽셀 영역들을 포함할 수 있으며, 각각의 픽셀 영역들은 복수의 발광부들을 포함하는 제1 영역(I)과 투과부를 포함하는 제2 영역(II)으로 구분될 수 있다.
우선, 평탄화막(105)을 제1 기판(100) 상에 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화막(105)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 티타늄 산화물 또는 티타늄 질화물 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 이용하여 증착 또는 코팅 공정을 통해서 형성할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화막(105)은 필요에 따라서 생략될 수도 있다.
액티브 패턴(110)은 평탄화막(105) 상에 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 산화물 반도체를 이용한 반도체 막을 형성한 후, 이를 부분적으로 식각하여 형성할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 산화물 반도체 막은 복수의 타겟을 이용한 스퍼터링(sputtering) 공정을 통해서 형성될 수 있다.
이후, 게이트 절연막(120)은 액티브 패턴(110)을 덮도록 형성할 수 있고, 게이트 전극(125)은 게이트 절연막(120) 상에 액티브 패턴(110)과 부분적으로 중첩되도록 형성될 수 있다.
또한, 게이트 전극(125)을 이온 주입 마스크로 이용하여, 액티브 패턴(110)에 불순물을 투입하여, 소스 영역(114)과 드레인 영역(116)을 형성할 수 있다.
제1 층간 절연막(130)은 게이트 전극(125)을 덮도록 형성될 수 있으며, 소스 전극(132)과 드레인 전극(134)은 제1 층간 절연막(130) 및 게이트 절연막(120)을 관통하여 각기 소스 영역(114)과 드레인 영역(116)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 7을 참조하면, 제1 층간 절연막(130) 상에 평탄화막(140)을 형성하고, 제1 전극(150)과 보조 전극(162)을 형성한다.
평탄화막(140)은 제1 층간 절연막(130) 상에 소스 전극(132)과 드레인 전극(134)을 덮도록 형성될 수 있다.
이후, 평탄화막(140)을 부분적으로 제거하여 드레인 전극(134)을 노출하는 콘택 홀을 형성하고, 평탄화막(140) 상에 상기 콘택 홀을 매립하는 제1 전극막을 형성한 후, 상기 제1 전극막을 부분적으로 제거하여, 제1 전극(150)과 도전막(162)을 동시에 형성할 수 있다.
이에 따라, 제1 전극(150)과 도전막(162)은 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 높이에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극막은 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 티타늄 산화물(TiOx), 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT), PEDOT:PSS와 같은 전도성 고분자 물질을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 전극막이 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 티타늄 산화물(TiOx)을 포함하는 경우, 상기 제1 전극막은 물리기상증착(PVD) 공정, 화학기상증착(CVD) 공정과 같은 비교적 높은 온도의 증착 공정을 통해서 형성될 수 있다.
반면에, 상기 제1 전극막이 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT), PEDOT:PSS와 같은 전도성 고분자 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 전극막은 코팅 공정과 같은 비교적 낮은 온도의 공정을 통해서 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 도전막(162) 상에 도전 패턴(164)을 형성할 수 있다.
도전 패턴(164)은 도전막(162), 제1 전극(150) 및 평탄화막(140) 상에 막을 형성하고, 상기 막을 부분적으로 제거하여 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 막은 도전막(162)과 동일한 비저항을 가지거나, 도전막(162)보다 낮은 비저항을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도전 패턴(164)은 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT), PEDOT:PSS와 같은 전도성 고분자 물질 또는 금속 나노와이어(metal nanowire), 은(Ag) 및 금(Au)과 같은 금속을 포함할 수 있다.
예를 들어, 도전 패턴(164)이 금속 나노와이어(metal nanowire), 은(Ag) 및 금(Au)을 포함하는 경우, 상기 막은 물리기상증착(PVD) 공정, 화학기상증착(CVD) 공정과 같은 비교적 높은 온도의 증착 공정을 통해서 형성될 수 있다.
반면에, 도전 패턴(164)이 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT), PEDOT:PSS와 같은 전도성 고분자 물질을 포함하는 경우, 상기 막은 코팅 공정과 같은 비교적 낮은 온도의 공정을 통해서 형성될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 도전 패턴(164)이 PEDOT:PSS와 같은 전도성 고분자 물질을 포함하는 경우, 상기 막은 블록 공중합체(block copolymer)를 사용하여 형성될 수 있다. 이후, 상기 자기 조립된 상기 블록 공중합체의 일부를 식각액을 통해서 제거하여, 광학적 패터닝 공정을 이용하지 않고, 도전 패턴(164)을 형성할 수 있다.
이에 따라, 도전 패턴(164)과 도전막(162)으로 구성된 보조 전극(160)이 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 보조 전극(160) 상에 보조 배선(168)을 형성한다.
보조 배선(168)은 보조 전극(160), 제1 전극(150) 및 평탄화막(140)을 덮는 배선막을 형성하고, 상기 배선막을 부분적으로 식각하여 형성할 수 있다.
보조 배선(168)은 보조 전극(160)을 부분적으로 덮을 수 있으며, 특히 낮은 비저항을 갖는 도전 패턴(164)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 보조 배선(168)은 보조 전극(160)과 이후 설명하는 콘택(190) 사이의 접촉 저항을 낮추는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 보조 배선(168)이 배치됨에 따라서, 콘택(190)의 위치를 자유롭게 변경할 수 있다. 이에 따라, 설계 자유도가 향상될 수 있다.
도 10을 참조하면, 제1 전극(150), 보조 전극(160) 및 보조 배선(168)을 부분적으로 덮는 화소 정의막(170)을 형성한다.
화소 정의막(170)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 화소 정의막(170)이 형성됨에 따라, 제1 영역(I)에서 화소 정의막(170)이 배치되지 않은 발광부들(S1, S2, S3)이 정의될 수 있으며, 제2 영역(II)에서 화소 정의막(170)이 배치되지 않은 투과부가 정의될 수 있다.
도 11을 참조하면, 제1 전극(150), 보조 전극(160) 및 화소 정의막(170) 상에 발광 구조물을 형성한다.
상기 발광 구조물을 형성하는 공정은 정공 주입층, 정공 수송층(175), 유기 발광층(185), 전자 수송층(185) 및 전자 주입층을 형성하는 공정을 각기 포함할 수 있다.
정공 주입층, 정공 수송층(175), 전자 수송층(185) 및 전자 주입층은 기판(100)에 전체적으로 형성될 수 있으며, 별도의 패터닝 공정을 수행하지 않는다.
반면에, 유기 발광층(185)은 각각의 발광부들(S1, S2, S3)에 대응하도록 배치될 수 있다.
도 12를 참조하면, 상기 발광 구조물을 관통하는 콘택(190)을 형성한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 콘택(190)은 레이저 드릴링(laser drilling) 공정을 통해서 형성될 수 있다. 즉, 점 형상의 레이저 빔을 조사하여, 상기 발광 구조물의 유기층을 부분적으로 제거하여, 콘택 홀을 형성한 후, 상기 콘택 홀을 매립하는 콘택(190)을 형성한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 콘택(190)은 화소 정의막(170)과 인접하지만, 화소 정의막(170)과 중첩되지 않은 부분에 형성될 수 있다. 즉, 상기 콘택 홀을 형성하는 과정에서, 화소 정의막(170)을 제거할 필요는 없다.
도 13을 참조하면, 상기 발광 구조물 및 콘택(190) 상에 제2 전극(195)을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(195)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti) 또는 이들의 합금을 사용하여 형성될 수 있다.
제2 전극(195)은 콘택(190)을 통해서 보조 전극(160)과 전기적으로 연결되므로, 비교적 낮은 저항을 가질 수 있다.
도 14는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 평면도이고, 도 15는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이며, 도 16은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 보조 전극을 도시한 사시도이다.
상기 유기 발광 표시 장치는 보조 전극(161) 및 보조 배선을 제외하면, 도 2 내지 도 4를 참조로 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 유사하다. 이에 따라, 반복되는 설명은 생략한다.
상기 유기 발광 표시 장치는, 제1 기판(100), 스위칭 구조물(switching structure), 제1 전극(150), 보조 전극(161), 발광 구조물(light emitting structure) 및 제2 전극(195) 등을 포함할 수 있다.
보조 전극(161)은 제2 영역(II) 내에서 평탄화막(140) 상에 배치될 수 있다. 보조 전극(161)은 도전막(162) 및 도전 패턴(165)을 포함할 수 있다.
도전막(162)은 제1 전극(150)과 실질적으로 동일한 물질을 포함하며, 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다.
한편, 도전 패턴(165)은 도전막(162) 상에 배치될 수 있다. 도전 패턴(165)은 도전막(162)과 실질적으로 동일한 비저항을 갖는 물질 또는 도전막(162)보다 낮은 비저항을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
도전 패턴(165)은 일정한 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도전 패턴(165)은 상기 제1 방향으로 연장되며, 상기 제2 방향을 따라서 서로 이격된 복수의 선을 포함할 수 있다.
이때, 도전 패턴(165)의 선의 폭은 제1 폭(W)일 수 있으며, 도전 패턴(165)의 선들 사이의 간격은 제1 거리(d1)일 수 있다.
도전 패턴(165)과 도전막(162)을 포함하는 보조 배선(161)의 전기적 저항은 아래와 같이 계산될 수 있다.
이때, Relectrode는 보조 전극(161)의 전기적 저항을 나타내고, Rplate는 도전막(162)의 전기적 저항을 나타내며, Rpattern은 도전 패턴(165)의 전기적 저항을 나타낸다.
Figure pat00001
이때, Rsheet,pattern은 도전 패턴(165)의 면저항을 나타내며, 이는 도전 패턴(165)의 구성 물질과 두께에 의해서 결정된다.
도전 패턴(165)이 배치됨에 따라서, 보조 전극(161)의 전기적 저항이 낮아질 수 있다.
한편, 콘택(190)은 상기 발광 구조물을 관통하여, 보조 전극(161)에 직접적으로 접촉할 수 있다. 즉, 콘택(190)은 보조 전극(161)과 제2 전극(195)을 전기적으로 연결할 수 있다.
이에 따라, 제2 전극(195)의 전기적 저항이 보조 전극(161)으로 인해서 낮아질 수 있다.
도 17은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
상기 유기 발광 표시 장치는 제2 전극(196)을 제외하면, 도 2 내지 도 4를 참조로 설명한 유기 발광 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는, 제1 기판(100), 스위칭 구조물(switching structure), 제1 전극(150), 보조 전극(160), 발광 구조물(light emitting structure) 및 제2 전극(196) 등을 포함할 수 있다.
제2 전극(196)은 제1 영역(I) 내에 배치될 수 있다. 즉, 제2 전극(196)은 제2 영역(II) 내에 배치되지 않거나, 제2 영역(II) 내에 부분적으로만 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2 전극(196)은 제2 영역(II)의 투명부의 투과율을 저하시키지 않을 수 있다. 한편, 제2 전극(196)이 패터닝되어서, 제2 전극(196)의 전기적 저항이 증가할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(196)은 콘택(190) 및 보조 배선(168)을 통해서 보조 전극(160)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제2 전극(196)의 전기적 저항이 낮아질 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 따른 화소 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치용 기판에 대하여 도면을 참조하여 설명하였지만, 상기 설명은 예시적인 것으로서 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비한 전자 기기에 다양하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 컴퓨터, 노트북, 디지털 카메라, 비디오 캠코더, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어, 차량용 네비게이션, 비디오폰, 감시 시스템, 추적 시스템, 동작 감지 시스템, 이미지 안정화 시스템 등에 적용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
100: 제1 기판 105: 평탄화막
110: 액티브 패턴 112: 채널 영역
114: 소스 영역 116: 드레인 영역
120: 게이트 절연막 125: 게이트 전극
130: 제1 층간 절연막 132: 소스 전극
134: 드레인 전극 140: 평탄화막
150: 제1 전극 160, 161: 보조 전극
162: 도전막 164, 165: 도전 패턴
170: 화소 정의막 175: 정공 수송층
180: 유기 발광층 185: 전자 수송층
190: 콘택 195, 196: 제2 전극
200: 제2 기판 210: 차광 패턴
220: 컬러 필터

Claims (20)

  1. 발광부들과 투과부를 각기 포함하는 복수의 픽셀 영역들을 포함하는 기판;
    상기 기판의 상기 발광부 내에 배치되는 제1 전극;
    상기 제1 전극과 대향하도록 배치되는 제2 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에서, 상기 발광부 내에 배치되는 유기 발광층; 및
    상기 기판의 상기 투과부 내에 배치되며, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 보조 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보조 전극은 도전막 및 도전 패턴을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 도전막은 상기 제1 전극과 실질적으로 동일한 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 도전막 및 상기 제1 전극은 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO), 아연 산화물(ZnOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 티타늄 산화물(TiOx), 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT), PEDOT:PSS 또는 전도성 고분자 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 도전막과 상기 제1 전극과 동일한 높이의 저면을 가지며, 상기 도전막과 상기 제1 전극은 서로 이격되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 도전 패턴은 상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로 연장하고, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향을 따라서 이격된 복수의 선들을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 도전 패턴은 상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 각기 연장하며, 서로 교차되는 복수의 선들을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 선들의 폭은 인접하는 선들 사이의 간격보다 작은 유기 발광 표시 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 도전 패턴은 그리드(grid) 형태로 배열되는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제2항에 있어서, 상기 도전 패턴은 상기 도전막을 구성하는 물질보다 낮은 비저항을 가지는 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제2항에 있어서, 상기 도전 패턴은 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(CNT), PEDOT:PSS, 전도성 고분자 물질, 금속 나노와이어(metal nanowire), 은(Ag) 또는 금(Au)을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 마그네슘-은 합금(MgAg)을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 주입층;
    상기 정공 주입층과 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층;
    상기 제2 전극과 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 전자 주입층; 및
    상기 전자 주입층과 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 전자 수송층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 주입층 및 상기 전자 수송층을 관통하며, 상기 제2 전극 및 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 콘택을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 콘택과 상기 보조 전극 사이에 배치되며, 상기 도전 패턴과 직접적으로 접촉하는 보조 배선을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 발광부들 및 상기 투과부를 전체적으로 덮는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 발광부들을 전체적으로 덮고, 상기 투과부를 노출시키는 유기 발광 표시 장치.
  18. 발광부들과 투과부를 각기 포함하는 복수의 픽셀 영역들을 포함하는 기판 상에, 상기 발광부들 내에 배치되는 제1 전극과 상기 투과부 내에 배치되는 도전막을 동시에 형성하고;
    상기 투과부 내에서 상기 도전막 상에 도전 패턴을 형성하여, 보조 전극을 정의하고;
    상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하고;
    상기 유기 발광층 상에 배치되며, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 유기 발광층을 형성하기 전에, 상기 발광부들 및 상기 투과부들을 전체적으로 덮는 정공 수송층을 형성하는 것;
    상기 유기 발광층을 형성한 후에, 상기 발광부들 및 상기 투과부들을 전체적으로 덮는 전자 수송층을 형성하는 것; 및
    상기 제2 전극을 형성하기 전에 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층을 관통하는 콘택을 형성하는 것을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 콘택을 형성하는 것은 레이저 드릴링 공정을 통해서, 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층을 관통하는 콘택 홀을 형성하는 것을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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