KR20160087159A - 발광소자 패키지용 회로기판 - Google Patents

발광소자 패키지용 회로기판 Download PDF

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KR20160087159A
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Abstract

본 발명은 베이스층과, 상기 베이스층 상의 제1절연층, 및 상기 제1절연층의 상의 배선부를 포함하고, 상기 제1절연층은 수지, 및 상기 수지에 분산된 필러를 포함하고, 상기 필러의 함량은 78wt% 내지 92wt%이고, 상기 제1절연층의 두께는 30㎛ 내지 50㎛인 회로기판을 개시한다.

Description

발광소자 패키지용 회로기판{CIRCUIT BOARD FOR LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
본 발명은 발광소자 패키지용 회로기판에 관한 것이다.
LED(Light Emitting Diode)는 광 변환 효율이 높으므로 소비전력이 상대적으로 매우 낮으며, 응답 속도가 빠르고, 점등회로가 간단하며, 안전성이 우수한 장점 때문에 기존의 형광 램프를 대체하고 있다.
종래 기술에는 고출력 LED 램프를 제작하기 위해서는 고광속의 수직형 LED칩, 플립칩(Flip Chip)등을 사용하고 있다. 고성능 LED칩의 경우 높은 열이 발생하며, 이를 해결하기 위해 세라믹 기판을 사용하거나 애노다이징 처리된 기판을 사용하고 있다.
그러나, 세라믹 기판은 제조비용이 높은 단점이 있으며 애노다이징을 적용한 기판은 낮은 내전압으로 인한 신뢰성 저하의 한계를 가지고 있다. 이 문제들을 개선하기 위해 메탈 PCB(metal core printed circuit board)의 사용을 고려할 수 있지만, 열확산도와 내전압이 낮아 고출력 LED에 적용하기 문제가 있다.
또한, 메탈 PCB는 높은 내열성(Eutectic Bonding Reflow: 320℃ 이상)을 갖지 못하며, 절연층에 크랙이 발생하는 문제가 있다.
본 발명의 일 실시예는 높은 열확산도와 내전압을 갖는 회로기판을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 절연층의 크랙이 방지되는 회로기판을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 회로기판은, 베이스층; 상기 베이스층 상의 제1절연층; 및 상기 제1절연층의 상의 배선부를 포함하고, 상기 제1절연층은 수지, 및 상기 수지에 분산된 필러를 포함하고, 상기 필러의 함량은 78wt% 내지 92wt%이고, 상기 제1절연층의 두께는 30㎛ 내지 50㎛를 만족한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 회로기판에서, 상기 제1절연층은 열확산도가 48mm2/s 이상이고, 내전압이 3.0kV 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 회로기판에서, 상기 필러의 함량은 80wt% 내지 90wt%이고, 상기 제1절연층의 두께는 30㎛ 내지 45㎛일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 회로기판에서, 상기 필러의 함량은 80wt% 내지 90wt%이고, 상기 제1절연층의 두께는 35㎛ 내지 45㎛일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 회로기판에서, 상기 배선부의 적어도 일부를 덮는 제2절연층을 포함하고, 상기 제2절연층은 상기 배선부의 일부를 덮는 연장부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 회로기판에서, 상기 배선부는 발광소자 실장면을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 회로기판의 열확산도와 내전압을 향상시킬 수 있다.
또한, 회로기판의 절연층에 형성되는 크랙을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시에에 따른 발광소자 패키지의 회로기판 단면도이고,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한 본 발명에서 첨부된 도면은 설명의 편의를 위하여 확대 또는 축소하여 도시된 것으로 이해되어야 한다.
이제 본 발명에 대하여 도면을 참고하여 상세하게 설명하고, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시에에 따른 발광소자 패키지의 회로기판 단면도이고, 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 회로기판(100)과, 회로기판(100)에 전기적으로 연결되는 복수 개의 발광소자(200), 및 발광소자(200)를 커버하는 광학부재(300)를 포함한다. 이러한 발광소자 패키지는 조명장치, 디스플레이, 헤드램프 등의 광원으로 사용될 수 있다.
발광소자(200)는 LED 또는 OLED와 같은 광-전 변환소자가 모두 적용될 수 있다. 일 예로, 발광소자(200)는 수직형 LED칩 또는 플립칩일 수 있다. 발광소자(200)는 별도의 패키지를 구비하지 않고, 직접 회로기판(100)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 칩 온 보드 타입(COB, Chip On Board)의 패키지는 전력 효율, 내습성, 및 고온특성이 우수하면서도, 박형으로 패키지를 제작할 수 있는 장점이 있다.
광학부재(300)는 발광소자(200)를 커버하는 렌즈일 수 있다. 광학부재(300)는 발광소자(200)를 보호함과 동시에 발광소자(200)에서 출사되는 광의 지향각을 제어한다. 이러한 광학부재(300)는 디스펜서에 의해 고분자 수지를 도트 충진하고, 이를 경화시켜 제작할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 광학부재(300)는 별도로 제작되어 회로기판(100)에 고정됨으로써 발광소자(200)에서 출사되는 광의 광속을 제어할 수 있다.
또한, 광학부재(300)는 내부에 파장변환체가 분사되어 발광소자(200)에서 방출되는 청색광의 파장을 변환하여 백색광을 구현할 수도 있다. 일 예로, 파장변환체는 YAG 계열이나 실리케이트 계열의 형광체, 및/또는 코어와 쉘로 구성되는 양자점(QD)일 수 있다. 광학부재(300)는 제2절연층(140)의 연장부(142)에 의해 노출된 배선부(130) 상에 배치될 수 있다.
도 2를 참고하면, 회로기판(100)은 베이스층(110)과, 베이스층(110) 상부에 배치되는 제1절연층(120)과, 제1절연층(120)의 상부에 배치되어 회로 패턴을 형성하는 배선부(130), 및 배선부(130) 사이에 배치되는 제2절연층(140)을 포함한다.
베이스층(110)은 알루미늄, 구리와 같은 금속 재질일 수 있다. 베이스층(110)은 발광소자(200)에서 발생한 열을 외부로 신속하게 방출하는 역할을 수행한다. 베이스층(110)은 별도의 히트 싱크와 연결될 수 있다.
제1절연층(120)은 베이스층(110)과 배선부(130)를 전기적으로 절연한다. 제1절연층(120)은 고분자 수지에 필러가 분산된 유전층일 수 있다. 고분자 수지는 에폭시를 포함하고, 필러는 Al2O3, BN(Boron Nitride), 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 그러나, 필러의 종류는 열 방출 성능이 우수하고 절연 성능이 우수한 재질이면 제한 없이 적용될 수 있다.
제1절연층(120)은 열 방출 성능을 높이기 위해 열전도도가 높을수록 좋고, 회로 패턴과 베이스층(110)을 절연시키기 위해 내전압(withstand voltage)은 높을수록 좋다. 제1절연층(120)의 열전도도는 약 5W/mk이상일 수 있고, 열확산도는 48mm2/s 이상일 수 있고, 내전압은 약 3.0kV이상일 수 있다.
열확산도가 48mm2/s 이상인 경우 발광소자에서 방출된 열을 외부로 신속히 방출하여 발광소자가 열화되는 문제를 해소할 수 있으며, 내전압이 3.0kV이상인 경우 충분한 절연 효과를 기대할 수 있다.
배선부(130)는 발광소자(200)에 전원을 인가하는 회로 패턴이다. 따라서, 배선부(130)는 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예로 배선부(130)는 금속층에 소정의 패턴을 형성하여 제작할 수 있다.
상술한 베이스층(110)과, 제1절연층(120), 및 배선부(130)는 일반적인 메탈 PCB(metal core printed circuit board) 구조가 적용될 수 있다.
제2절연층(140)은 배선부(130) 사이에 배치된다. 제2절연층(140)은 광감성 수지에 필러가 혼합되어 제작될 수 있다. 제2절연층(140)에 분산된 필러는 Al2O3, BN(Boron Nitride), 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 즉, 제2절연층(140)의 필러는 제1절연층(120)의 필러와 동일할 수 있다.
표 1은 제1절연층(120)의 필러 함량이 75wt% 내지 95wt%인 경우 제1절연층(120)의 두께를 30㎛에서 50㎛로 증가시키면서 변화된 열확산도와 내전압을 각각 측정한 표이다.
표 2는 제1절연층(120)의 필러 함량이 75wt% 내지 95wt%인 경우 제1절연층(120)의 두께를 30㎛에서 50㎛로 증가시키면서 열확산도의 변화량과 내전압의 변화량을 각각 측정한 표이다.
여기서, 열확산도와 내전압은 제1절연층(120)의 열확산도와 내전압이다.
리플로우 처리 후 열확산도, 및 내전압은 발광소자(200)를 회로기판(100)에 접착제로 부착시키고, 챔버 내에서 280도의 분위기로 10초간 3회 리플로우 공정을 실시하여 실리콘 접착제를 경화시킨 후 열확산도의 변화량과 내전압의 변화량을 측정한 것이다. 따라서, 변화량(드롭율)이 적을수록 기판의 성능은 우수해진다.
신뢰성 평가 후 열확산도와 내전압은 -40℃에서 125℃로 분당 5℃씩 승온시켜 1000시간 경과 후 열확산도의 변화량과 내전압의 변화량을 측정한 것이다. 따라서, 변화량(드롭율)이 적을수록 기판의 성능은 우수해진다.
필러 함량
( wt %) 		절연층 두께(㎛) 열확산도
(mm2/s)		 Reflow 후 열확산도 신뢰성 후 열확산도 내전압
( kV ) 		Reflow 후 내전압 신뢰성 후 내전압
75 30 54.9 39.53 33.32 7.5 5.09 4.52
75 33 53.1 37.91 31.86 7.7 5.26 4.68
75 35 52.2 38.00 33.77 7.9 5.65 4.85
75 40 50.8 37.13 32.77 8 5.75 5.03
75 45 50.5 37.12 32.93 8.2 5.82 5.07
75 47 48.2 34.51 29.98 8.3 5.64 4.78
75 50 47.1 33.54 28.78 8.6 5.78 4.88
78 30 57.2 42.16 37.12 6.4 4.13 3.71
78 33 56.2 41.64 36.70 6.7 4.35 3.92
78 35 55.7 41.89 36.87 6.8 4.62 4.18
78 40 54.9 41.61 36.67 7 4.75 4.33
78 45 54.2 40.92 35.93 7.1 4.80 4.38
78 47 53.8 40.08 35.35 7.3 4.82 4.47
78 50 53 39.33 34.50 7.3 4.79 4.44
80 30 60.7 50.93 45.34 6.3 4.98 4.28
80 33 59.2 50.38 44.52 6.5 5.19 4.43
80 35 58.9 52.42 48.59 6.6 5.38 4.79
80 40 57.5 51.52 48.70 6.8 5.56 4.96
80 45 57.2 51.02 48.05 6.8 5.58 4.92
80 47 54.4 48.31 41.40 6.9 5.43 4.84
80 50 53.9 44.41 40.48 7.1 5.45 4.72
83 30 61.9 51.38 45.81 6 4.08 3.50
83 33 61 52.95 47.70 6.1 4.89 4.32
83 35 60.7 57.48 54.02 6.2 5.44 4.95
83 40 59.9 57.26 53.79 6.5 5.81 5.22
83 45 59.2 56.18 52.81 6.7 5.82 5.30
83 47 57.8 52.14 47.28 6.9 5.51 5.19
83 50 57.1 50.53 45.11 7 5.47 4.89
88 30 65.1 54.36 48.04 4.3 3.01 2.58
88 33 64.2 54.63 47.64 4.5 3.68 3.14
88 35 63.5 60.26 57.02 4.7 4.16 3.66
88 40 63 60.35 56.89 5 4.49 3.97
88 45 62.2 58.72 54.86 5.2 4.59 4.06
88 47 60.3 53.73 47.64 5.3 4.36 3.77
88 50 59.7 49.67 46.15 5.4 4.27 3.66
90 30 66.1 53.67 48.19 4.2 3.24 3.02
90 33 65.1 54.81 49.02 4.2 3.48 3.12
90 35 64.2 60.28 57.20 4.4 3.88 3.38
90 40 63.2 59.91 56.88 4.5 4.04 3.56
90 45 62.3 58.62 55.82 4.7 4.09 3.57
90 47 61.8 53.70 46.04 4.9 3.97 3.53
90 50 61 50.08 45.08 5 3.87 3.46
92 30 68 52.56 46.31 3.4 2.20 1.87
92 33 67.8 51.60 47.19 3.7 2.40 2.06
92 35 67.2 52.82 47.38 4.1 2.67 2.23
92 40 66 52.27 47.06 4 2.68 2.27
92 45 65.1 51.36 45.64 4.1 2.73 2.29
92 47 64.2 49.56 44.81 4.5 3.01 2.53
92 50 63.3 49.82 44.44 4.7 3.16 2.66
95 30 73.1 55.04 49.34 2.8 1.74 1.62
95 33 72.2 55.45 49.02 3 1.85 1.75
95 35 71.5 55.13 49.41 3.3 2.11 1.97
95 40 70.8 55.37 49.56 3.5 2.26 2.09
95 45 70 54.25 48.93 3.8 2.41 2.27
95 47 69.2 52.59 47.19 3.9 2.45 2.34
95 50 68.9 51.47 47.33 4.1 2.46 2.49
필러 함량
( wt %) 		절연층 두께(㎛) 열확산도
(mm2/s)		 Reflow 후
변화량 		신뢰성 후
변화량 		내전압
( kV ) 		Reflow 후 변화량 신뢰성 후 변화량
75 30 54.9 28.00% 39.30% 7.5 32.20% 39.80%
75 33 53.1 28.60% 40.00% 7.7 31.70% 39.20%
75 35 52.2 27.20% 35.30% 7.9 28.50% 38.60%
75 40 50.8 26.90% 35.50% 8 28.10% 37.10%
75 45 50.5 26.50% 34.80% 8.2 29.00% 38.20%
75 47 48.2 28.40% 37.80% 8.3 32.10% 42.40%
75 50 47.1 28.80% 38.90% 8.6 32.80% 43.30%
78 30 57.2 26.30% 35.10% 6.4 35.40% 42.10%
78 33 56.2 25.90% 34.70% 6.7 35.10% 41.50%
78 35 55.7 24.80% 33.80% 6.8 32.00% 38.50%
78 40 54.9 24.20% 33.20% 7 32.10% 38.10%
78 45 54.2 24.50% 33.70% 7.1 32.40% 38.30%
78 47 53.8 25.50% 34.30% 7.3 34.00% 38.80%
78 50 53 25.80% 34.90% 7.3 34.40% 39.20%
80 30 60.7 16.10% 25.30% 6.3 21.00% 32.10%
80 33 59.2 14.90% 24.80% 6.5 20.20% 31.80%
80 35 58.9 11.00% 17.50% 6.6 18.50% 27.40%
80 40 57.5 10.40% 15.30% 6.8 18.20% 27.10%
80 45 57.2 10.80% 16.00% 6.8 17.90% 27.60%
80 47 54.4 11.20% 23.90% 6.9 21.30% 29.90%
80 50 53.9 17.60% 24.90% 7.1 23.20% 33.50%
83 30 61.9 17.00% 26.00% 6 32.00% 41.70%
83 33 61 13.20% 21.80% 6.1 19.90% 29.10%
83 35 60.7 5.30% 11.00% 6.2 12.20% 20.10%
83 40 59.9 4.40% 10.20% 6.5 10.60% 19.70%
83 45 59.2 5.10% 10.80% 6.7 13.20% 20.90%
83 47 57.8 9.80% 18.20% 6.9 20.10% 24.80%
83 50 57.1 11.50% 21.00% 7 21.90% 30.20%
88 30 65.1 16.50% 26.20% 4.3 30.00% 40.00%
88 33 64.2 14.90% 25.80% 4.5 18.20% 30.20%
88 35 63.5 5.10% 10.20% 4.7 11.40% 22.20%
88 40 63 4.20% 9.70% 5 10.30% 20.70%
88 45 62.2 5.60% 11.80% 5.2 11.70% 21.90%
88 47 60.3 10.90% 21.00% 5.3 17.80% 28.80%
88 50 59.7 16.80% 22.70% 5.4 21.00% 32.20%
90 30 66.1 18.80% 27.10% 4.2 22.80% 28.00%
90 33 65.1 15.80% 24.70% 4.2 17.10% 25.80%
90 35 64.2 6.10% 10.90% 4.4 11.80% 23.10%
90 40 63.2 5.20% 10.00% 4.5 10.20% 21.00%
90 45 62.3 5.90% 10.40% 4.7 12.90% 24.00%
90 47 61.8 13.10% 25.50% 4.9 19.00% 28.00%
90 50 61 17.90% 26.10% 5 22.70% 30.80%
92 30 68 22.70% 31.90% 3.4 35.20% 45.00%
92 33 67.8 23.90% 30.40% 3.7 35.10% 44.20%
92 35 67.2 21.40% 29.50% 4.1 34.80% 45.50%
92 40 66 20.80% 28.70% 4 33.10% 43.20%
92 45 65.1 21.10% 29.90% 4.1 33.50% 44.10%
92 47 64.2 22.80% 30.20% 4.5 33.20% 43.80%
92 50 63.3 21.30% 29.80% 4.7 32.80% 43.30%
95 30 73.1 24.70% 32.50% 2.8 38.00% 42.20%
95 33 72.2 23.20% 32.10% 3 38.20% 41.80%
95 35 71.5 22.90% 30.90% 3.3 36.20% 40.40%
95 40 70.8 21.80% 30.00% 3.5 35.30% 40.30%
95 45 70 22.50% 30.10% 3.8 36.60% 40.30%
95 47 69.2 24.00% 31.80% 3.9 37.20% 39.90%
95 50 68.9 25.30% 31.30% 4.1 39.90% 39.20%
회로기판(100)의 열확산도가 48mm2/s 이상이고, 내전압이 3.0kV이상을 만족하는 경우 충분한 방열효과와 절연효과를 기대할 수 있다. 열확산도가 48mm2/s 이상인 경우 발광소자(200)에서 방출된 열을 외부로 신속히 방출하여 발광소자(200)가 열화되는 문제를 해소할 수 있으며, 내전압이 3.0kV이상인 경우 베이스층(110)과 배선부(130)를 전기적으로 절연할 수 있다.
표 1과 표 2를 참고하면, 필러 함량이 78wt% 내지 92wt%이고, 제1절연층(120)의 두께는 30㎛ 내지 50㎛인 경우 열확산도는 48mm2/s 이상이고, 내전압은 3.0kV이상임을 알 수 있다.
그러나, 표 1과 표 2를 참고하면,, 리플로우 공정과 신뢰성 평가 후 열확산도와 내전압은 각각 감소하는 것을 알 수 있다.
이때, 필러의 함량이 80wt% 내지 90wt%이고, 제1절연층(120)의 두께가 30㎛ 내지 45㎛인 경우 리플로우 공정 후에도 열확산도는 48mm2/s 이상이고, 내전압은 3.0kV이상임을 알 수 있다.
또한, 필러의 함량은 80wt% 내지 90wt%이고, 제1절연층(120)의 두께는 35㎛ 내지 45㎛인 경우에는 신뢰성 평가 후에도 열확산도는 48mm2/s 이상이고, 내전압은 3.0kV이상으로 유지할 수 있음을 알 수 있다.
다시 도 2를 참고하면, 제2절연층(140)은 배선부(130)의 상면을 일부 커버하는 연장부(142)를 포함한다. 연장부(142)는 배선부(130)의 가장자리(131a)를 약 0.05mm 내지 0.3mm를 덮도록 형성될 수 있다. 연장부(142)에 의해 노출된 배선부의 실장면(131, W2)에는 발광소자(200)가 배치된다. 이러한 구성에 의하면 제2절연층(140)과 배선부(130)의 열팽창계수(CTE)의 차에 의해 제2절연층(140)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
배선부의 폭(W1)과 연장부의 폭(W3)의 비(W1:W3)는 1:0.05 내지 1:0.3일 수 있다. 1:0.05 미만인 경우에는 제2절연층(140)의 연장부(142)가 배선부(130)의 가장자리와 충분히 접착되지 못하여 제2절연층(140)의 연장부에 크랙이 발생하며, 1:0.3을 초과하는 경우 발광소자(200)의 충분한 실장면적을 확보할 수 없는 문제가 있다.
제2절연층(140)의 전체 두께(D)는 20㎛ 내지 50㎛이고, 연장부(142)의 두께(d1)는 5㎛ 내지 10㎛일 수 있다. 따라서, 연장부(142)의 전체 두께와 상기 연장부(142)의 두께의 비는 2:1 내지 10:1일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우 제2절연층(140)에 크랙이 형성되는 것을 방지할 수 있고, 열전도 효율이 높아진다.
도 3을 참고하면, 제2절연층(140)에 요홈(141)이 형성되고, 광학부재(300)는 요홈(141)을 커버할 수 있다. 광학부재(300)를 수지를 충전하여 제작하는 경우 요홈(141)에 수지가 충진되어 회로기판(100)에 광학부재(300)를 고정하는 역할을 수행할 수 있다. 요홈(141)은 하단부(141b)의 폭이 상단부(141a)의 폭보다 넓게 형성되어 더욱 견고하게 광학부재(300)를 회로기판(100)에 고정할 수 있다.
100: 회로기판
110: 베이스층
120: 제1절연층
130: 배선부
140: 제2절연층
142: 연장부

Claims (6)

  1. 베이스층;
    상기 베이스층 상의 제1절연층; 및
    상기 제1절연층의 상의 배선부를 포함하고,
    상기 제1절연층은 수지, 및 상기 수지에 분산된 필러를 포함하고,
    상기 필러의 함량은 78wt% 내지 92wt%이고, 상기 제1절연층의 두께는 30㎛ 내지 50㎛인 회로기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1절연층은 열확산도가 48mm2/s 이상이고, 내전압이 3.0kV 이상인 회로기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 필러의 함량은 80wt% 내지 90wt%이고, 상기 제1절연층의 두께는 30㎛ 내지 45㎛인 회로기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 필러의 함량은 80wt% 내지 90wt%이고, 상기 제1절연층의 두께는 35㎛ 내지 45㎛인 회로기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 배선부의 적어도 일부를 덮는 제2절연층을 포함하고,
    상기 제2절연층은 상기 배선부의 일부를 덮는 연장부를 포함하는 회로기판.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 배선부는 발광소자 실장면을 포함하는 회로기판.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102172594B1 (ko) * 2020-02-14 2020-11-02 주식회사 헤펙 금속 기판과 다른 부품간의 열팽창 차이 감소를 위한 방열층을 구비한 금속 pcb

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120068831A (ko) * 2009-07-17 2012-06-27 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 Ｌｅｄ 칩 접합체, ｌｅｄ 패키지, 및 ｌｅｄ 패키지의 제조 방법
KR20140027210A (ko) * 2011-04-01 2014-03-06 에이티 앤 에스 오스트리아 테크놀로지 앤 시스템테크니크 악치엔게젤샤프트 적어도 하나의 ｌｅｄ를 갖는 회로 보드 엘리먼트

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120068831A (ko) * 2009-07-17 2012-06-27 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 Ｌｅｄ 칩 접합체, ｌｅｄ 패키지, 및 ｌｅｄ 패키지의 제조 방법
KR20140027210A (ko) * 2011-04-01 2014-03-06 에이티 앤 에스 오스트리아 테크놀로지 앤 시스템테크니크 악치엔게젤샤프트 적어도 하나의 ｌｅｄ를 갖는 회로 보드 엘리먼트

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102172594B1 (ko) * 2020-02-14 2020-11-02 주식회사 헤펙 금속 기판과 다른 부품간의 열팽창 차이 감소를 위한 방열층을 구비한 금속 pcb

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