KR20160047477A - 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치의 제조 방법, 및 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 형성용 덮개재 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 237
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 528
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 321
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 120
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 53
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract description 40
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 120
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 112
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 33
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 24
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 23
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 21
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 18
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 44
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 24
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001136782 Alca Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000573 alkali metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000941 alkaline earth metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002956 ash Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
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- H01L51/5228—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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Abstract
본 발명은 수지 필름 등의 가요성을 갖는 덮개재를 사용하여, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간을 감압 상태로 하고, 그 후, 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간의 압력을 조정해서 유기 EL층측 기판과 덮개재를 밀착시켰을 때에, 상기 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 감압 상태를 유지해서 유기 EL층측 기판과 덮개재와의 밀착성을 유지하고, 레이저광에 의해 제거된 보조 전극 상의 유기층이 화소 영역으로 비산하는 것을 방지하여, 표시 특성의 저하를 억제하는 것이 가능한 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 주 목적으로 한다. 상기와 같은 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 덮개재로서, 산소 투과도가 100cc/㎡·day 이하인 배리어성을 갖는 수지 필름을 사용한다.
Description
본 발명은 보조 전극을 갖는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 일렉트로루미네센스 소자는 자기 발색에 의해 시인성이 높은 점, 액정 표시 장치와 달리 전 고체 디스플레이이기 때문에 내충격성이 우수한 점, 응답 속도가 빠른 점, 온도 변화에 의한 영향이 적은 점, 및 시야각이 넓은 점 등의 이점이 주목받고 있다. 또한, 이하, 유기 일렉트로루미네센스를 유기 EL로 약칭하는 경우가 있다.
유기 EL 소자의 구성은 양극과 음극 사이에 유기 EL층이 끼움 지지된 적층 구조를 기본으로 하고 있다. 이러한 유기 EL 소자를 갖는 유기 EL 표시 장치의 구동 방식에는, 패시브 매트릭스 구동 및 액티브 매트릭스 구동이 있지만, 대형 디스플레이를 제조하는 데 있어서는, 저전압에 의한 구동이 가능하다는 관점에서, 액티브 매트릭스 구동이 유리하다. 또한, 액티브 매트릭스 구동이란, 유기 EL 소자가 형성된 기판에 TFT 등의 회로를 형성하여, 상기 TFT 등의 회로에 의해 구동하는 방식을 말한다.
이러한 유기 EL 표시 장치에는 유기 EL 소자가 형성된 기판측에서 광을 취출하는 보텀 에미션형과, 유기 EL 소자가 형성된 기판과는 반대측에서 광을 취출하는 톱 에미션형이 있다. 여기서, 액티브 매트릭스 구동의 유기 EL 표시 장치일 경우, 보텀에미션형에서는, 광의 취출면인 기판에 형성된 TFT 등의 회로에 의해 개구율이 제한되어, 광 취출 효율이 저하되어 버린다는 문제가 있다. 이에 비해, 톱 에미션형에서는 기판과는 반대측 면에서 광을 취출하기 때문에, 보텀 에미션형에 비하여 우수한 광 취출 효율이 얻어진다. 또한, 톱 에미션형의 경우에는, 광 취출면이 되는 측의 전극층으로서 투명 전극층이 사용된다.
그런데 일반적인 투명 전극층은 Al이나 Cu 등의 금속으로 구성되는 전극층에 비하여 저항이 크다. 그로 인해, 투명 전극층을 갖는 유기 EL 표시 장치에서는, 투명 전극층의 저항에 의해 전압 강하가 발생하고, 결과로서 유기 EL층의 휘도의 균일성이 저하되는, 소위 휘도 불균일의 발생이 문제가 되고 있다. 또한, 투명 전극층의 면적이 커질수록 그 저항은 더 커지는 점에서, 상술한 휘도 불균일의 문제는 대형 디스플레이를 제조하는 경우에 현저해진다.
상기 과제에 대해서는, 저항값이 낮은 보조 전극을 형성하고, 이것을 투명 전극층과 전기적으로 접속시킴으로써 전압 강하를 억제하는 방법이 알려졌다. 여기서, 보조 전극은 통상 금속층을 성막한 후에 웨트 프로세스에 의한 에칭 처리를 실시하여, 패턴형으로 형성된다. 그로 인해, 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치에서, 유기 EL층을 형성한 후에 보조 전극을 형성하는 경우에는, 보조 전극을 형성할 때에 사용되는 에칭액에 의해 유기 EL층이 침식된다는 문제가 있었다. 그래서, 특허문헌 1 내지 3에 기재되어 있는 바와 같이, 유기 EL층을 형성하기 전에 보조 전극을 형성하는 방법이 알려졌다.
그러나, 유기 EL층을 형성하기 전에 보조 전극을 형성하면, 유기 EL층을 전체 면에 형성하는 경우나 유기 EL층을 구성하는 적어도 1층의 유기층을 전체 면에 형성하는 경우에, 보조 전극 상에 유기 EL층이나 적어도 1층의 유기층이 형성되게 된다. 그로 인해, 보조 전극과 투명 전극층과의 전기적인 접속이, 보조 전극 상의 유기 EL층이나 유기층에 의해 방해받게 되어 버린다는 문제가 있었다.
따라서, 특허문헌 1에서는, 레이저광에 의해 보조 전극 상의 유기 EL층을 제거하여, 보조 전극과 투명 전극층이 전기적으로 접속된 유기 EL 표시 장치를 제작하는 방법이 제안되어 있다. 그러나 이 경우, 레이저광에 의해 제거된 유기 EL층이 비산해서 유기 EL 표시 장치에서의 화소 영역이 오염되어, 표시 특성이 저하되어버린다는 문제가 있다.
또한, 상기 문제를 해결하는 방법으로서, 예를 들어, 특허문헌 2에서는, 레이저광에 의한 유기 EL층의 제거를 행하기 전에, 유기 EL층으로 피복된 보조 전극 전체 면에 투광성을 갖는 제1 전극을 형성하고, 그 후, 제1 전극을 통해서 레이저광에 의해 유기 EL층을 제거하고, 마지막으로 제2 전극을 형성하는 방법이 제안되어 있다. 그러나 이 경우, 상술한 표시 특성의 저하는 억제할 수 있기는 하지만, 투명 전극층으로서 제1 전극 및 제2 전극을 형성하기 때문에, 제조 공정이 증가되어버린다는 문제가 있다.
그런데 특허문헌 3에는, 레이저광에 의해 제거된 유기층이 표시 장치를 오염시키는 것을 방지하는 방법으로서, 다음과 같은 유기 EL 표시 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 즉, 도 12의 (a)에 도시한 바와 같이, 기판(20) 위에 화소 전극(30) 및 보조 전극(40)을 형성하고, 상기 화소 전극(30)과 상기 보조 전극(40) 사이에 격벽(50)을 형성한 후, 도 12의 (b)에 도시한 바와 같이, 유기 EL층(60)을 형성해서 유기 EL층측 기판(100')을 형성한다. 이어서, 도 12의 (c)에 도시한 바와 같이, 감압 하에서, 유기 EL층측 기판(100')에 유리기판이나 수지 필름을 포함하는 덮개재(80)를 대향시켜서, 격벽(50)의 정상부에 덮개재(80)가 접촉하도록 배치하고, 유기 EL층측 기판(100')과 덮개재(80) 사이의 공간(V)을 감압 상태로 한다. 그 후, 유기 EL층측 기판(100') 및 덮개재(80)의 외주 공간을 가압함으로써, 유기 EL층측 기판(100')에 덮개재(80)를 밀착시킨다. 이어서, 레이저광(L)에 의해 보조 전극(40) 상의 유기 EL층(60)을 제거하여, 도 12의 (d)에 도시한 바와 같이, 덮개재(80)를 박리한다. 마지막으로, 도 12의 (e)에 도시한 바와 같이, 유기 EL층측 기판 상에 투명 전극층(70)을 형성함으로써, 보조 전극(40)과 투명 전극층(70)이 전기적으로 접속된 유기 EL 표시 장치(100)를 제작하는 방법이다. 그런데 상술한 방법에 의해 유기 EL 표시 장치를 제조할 때에 유리기판을 포함하는 덮개재를 사용하면, 롤·투·롤 제조 기술로의 전개가 곤란해진다는 문제가 있다. 그로 인해, 수지 필름 등의 가요성을 갖는 덮개재를 사용하는 것이, 제조 효율 향상의 관점에서는 유리하다고 생각된다.
따라서, 본 발명자들은 수지 필름 등의 가요성을 갖는 덮개재를 사용하여, 감압 하에서 유기 EL층측 기판 및 덮개재를 접촉시켜서 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간을 감압 상태로 하고, 이어서 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주 공간을 가압함으로써 유기 EL층측 기판과 덮개재를 밀착시키고, 그 후, 덮개재를 통하여 레이저광을 조사해서 보조 전극 상의 유기층을 제거하는 방법에 대해서 검토를 행하였다. 그 결과, 본 발명자들은 다음과 같은 새로운 과제를 발견하였다. 즉, 감압 하에서 수지 필름을 포함하는 덮개재를 유기 EL층측 기판에 접촉시켜서 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간을 감압 상태로 하고, 그 후, 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주 공간을 가압하면, 시간의 경과에 따라 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 진공도가 저하되어버린다는 것을 알았다. 이것은 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주 공간으로부터, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간으로 기체가 침입하고 있기 때문이라고 생각된다. 또한, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간은 매우 좁기 때문에, 기체가 약간 침입하는 것만으로도 진공도는 현저하게 저하되어버린다. 여기서, 유기 EL층측 기판과 덮개재와의 밀착성은 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 압력과 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주 공간의 압력의 차가 커짐에 따라서 증대하는 것이다. 따라서, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 진공도가 저하되면, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 압력과, 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주 공간의 압력의 차가 줄어들고, 유기 EL층측 기판과 덮개재와의 밀착성이 약해져버린다. 그 결과, 레이저광에 의해 유기층을 제거할 때에, 유기 EL층측 기판과 덮개재와의 접촉면에서의 밀착성을 유지할 수 없게 되고, 레이저광에 의해 제거된 유기층이 화소 영역으로 비산하는 것을 충분히 방지하는 것이 곤란해진다는 문제가 있다.
본 발명은 상기 실정을 감안하여 이루어진 것이며, 수지 필름 등의 가요성을 갖는 덮개재를 사용하여, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간을 감압 상태로 하고, 그 후, 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간의 압력을 조정해서 유기 EL층측 기판과 덮개재를 밀착시켰을 때에, 상기 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 감압 상태를 유지해서 유기 EL층측 기판과 덮개재와의 밀착성을 유지하고, 레이저광에 의해 제거된 보조 전극 상의 유기층이 화소 영역으로 비산하는 것을 방지하여, 표시 특성의 저하를 억제하는 것이 가능한 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 주 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 복수의 화소 전극과, 상기 화소 전극 사이에 형성된 보조 전극과, 상기 기판 상에 형성된 스페이서부와, 상기 화소 전극 상에 형성되고, 복수의 유기층으로 구성되어 있고, 적어도 발광층을 갖는 유기 EL층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 적어도 1층의 상기 유기층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층의 개구부인 접촉부와, 상기 유기 EL층 및 상기 접촉부 상에 형성된 투명 전극층을 갖고, 상기 스페이서부는 상기 접촉부 및 상기 접촉부에 인접하는 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있고, 또한 상기 투명 전극층은 상기 보조 전극과 상기 접촉부에서 전기적으로 접속되어 있는 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치를 제조하는 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법이며, 상기 기판, 상기 화소 전극, 상기 보조 전극, 상기 스페이서부, 및 상기 유기 EL층을 갖고, 상기 보조 전극 상의 전체 면에 적어도 1층의 상기 유기층이 형성된 유기 EL층측 기판을 준비하는 유기 EL층측 기판 준비 공정과, 제1 압력 하에서, 상기 유기 EL층측 기판 준비 공정에서 얻어진 상기 유기 EL층측 기판에 덮개재를 대향시켜, 상기 스페이서부의 정상부에 상기 덮개재가 상기 유기층을 통하여 접촉하도록 배치하는 배치 공정과, 상기 덮개재의 상기 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정해서 상기 유기 EL층측 기판 및 상기 덮개재를 밀착시키는 밀착 공정과, 상기 덮개재를 통해 레이저광을 조사하여, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층을 제거해서 상기 접촉부를 형성하는 접촉부 형성 공정을 갖고, 상기 덮개재는 산소 투과도가 100cc/㎡·day 이하인 배리어성을 갖는 수지 필름인 것을 특징으로 하는 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 배치 공정에서 사용되는 덮개재가, 산소 투과도가 100cc/㎡·day 이하인 배리어성을 갖는 수지 필름인 것에 의해, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 감압 상태를 유지할 수 있다. 그로 인해, 접촉부 형성 공정에 있어서, 덮개재를 통해 보조 전극 상의 유기층에 레이저광을 조사할 때에도 유기 EL층측 기판과 덮개재와의 밀착성을 유지할 수 있고, 레이저광에 의해 제거된 유기층이 화소 전극이 형성된 화소 영역으로 비산하는 것을 충분히 방지할 수 있어, 표시 특성의 저하를 억제하는 것이 가능한 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에서 사용되는 덮개재가 수지 필름인 것에 의해, 롤·투·롤 제조 기술로의 전개를 가능하게 하기 때문에 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 덮개재의, 파장 영역 340nm 내지 400nm에서의 최소 투과율이 70% 이상인 것이 바람직하다. 상기 덮개재의, 파장 영역 340nm 내지 400nm에서의 최소 투과율이 70% 이상인 것에 의해, 접촉부 형성 공정에서 덮개재를 통해 유기층에 레이저광을 조사할 때에 덮개재에 레이저광이 흡수되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 유기층을 확실하게 제거해서 접촉부를 형성할 수 있다. 이에 의해, 접촉부에서 투명 전극층과 보조 전극을 충분히 접속해서 전압 강하에 의한 휘도 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 복수의 화소 전극과, 상기 화소 전극 사이에 형성된 보조 전극과, 상기 기판 상에 형성된 스페이서부와, 상기 화소 전극 상에 형성되고, 복수의 유기층으로 구성되어 있고, 적어도 발광층을 갖는 유기 EL층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 적어도 1층의 상기 유기층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층의 개구부인 접촉부와, 상기 유기 EL층 및 상기 접촉부 상에 형성된 투명 전극층을 갖고, 상기 스페이서부는 상기 접촉부 및 상기 접촉부에 인접하는 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있고, 또한 상기 투명 전극층은 상기 보조 전극과 상기 접촉부에서 전기적으로 접속되어 있는 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치를 제조하는 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법이며, 상기 기판, 상기 화소 전극, 상기 보조 전극, 상기 스페이서부, 및 상기 유기 EL층을 갖고, 상기 보조 전극 상의 전체 면에 적어도 1층의 상기 유기층이 형성된 유기 EL층측 기판을 준비하는 유기 EL층측 기판 준비 공정과, 제1 압력 하에서, 상기 유기 EL층측 기판 준비 공정에서 얻어진 상기 유기 EL층측 기판에 덮개재를 대향시켜, 상기 스페이서부의 정상부에 상기 덮개재가 상기 유기층을 통하여 접촉하도록 배치하는 배치 공정과, 상기 덮개재의 상기 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정해서 상기 유기 EL층측 기판 및 상기 덮개재를 밀착시키는 밀착 공정과, 상기 덮개재를 통해 레이저광을 조사하여, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층을 제거해서 상기 접촉부를 형성하는 접촉부 형성 공정을 갖고, 상기 덮개재가 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름인 것을 특징으로 하는 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 배치 공정에서 사용되는 덮개재가 폴리에틸렌 테레프탈레이트로 구성되어 있음으로써, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 감압 상태를 유지할 수 있다. 그로 인해, 접촉부 형성 공정에서, 덮개재를 통해 보조 전극 상의 유기층에 레이저광을 조사할 때에도 유기 EL층측 기판과 덮개재와의 밀착성을 유지할 수 있고, 레이저광에 의해 제거된 유기층이 화소 전극이 형성된 화소 영역으로 비산하는 것을 충분히 방지할 수 있어, 표시 특성의 저하를 억제하는 것이 가능한 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에서 사용되는 덮개재가 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 포함함으로써, 접촉부 형성 공정에서 덮개재를 통해 유기층에 레이저광을 조사할 때에 덮개재에 레이저광이 흡수되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 유기층을 확실하게 제거해서 접촉부를 형성할 수 있다. 이에 의해, 접촉부에 있어서 투명 전극층과 보조 전극을 충분히 접속해서 전압 강하에 의한 휘도 불균일의 발생을 억제할 수 있다. 나아가, 롤·투·롤 제조 기술로의 전개를 가능하게 하기 때문에 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 덮개재가 배리어층을 갖는 것이 바람직하다. 본 발명에서 사용되는 덮개재가 배리어층을 가짐으로써, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 감압 상태를 더 효과적으로 유지할 수 있다. 이에 의해, 접촉부 형성 공정에서, 덮개재를 통해 보조 전극 상의 유기층에 레이저광을 조사할 때에도 유기 EL층측 기판과 덮개재와의 밀착성을 충분히 유지할 수 있다. 그로 인해, 레이저광에 의해 제거된 유기층이 화소 전극이 형성된 화소 영역으로 비산하는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있어, 표시 특성의 저하를 억제하는 것이 가능한 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다.
본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 복수의 화소 전극과, 상기 화소 전극 사이에 형성된 보조 전극과, 상기 기판 상에 형성된 스페이서부와, 상기 화소 전극 상에 형성되고, 복수의 유기층으로 구성되어 있고, 적어도 발광층을 갖는 유기 EL층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 적어도 1층의 상기 유기층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층의 개구부인 접촉부와, 상기 유기 EL층 및 상기 접촉부 상에 형성된 투명 전극층을 갖고, 상기 스페이서부는 상기 접촉부 및 상기 접촉부에 인접하는 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있고, 또한 상기 투명 전극층은 상기 보조 전극과 상기 접촉부에서 전기적으로 접속되어 있는 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치를 제조하는 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법이며, 상기 기판, 상기 화소 전극, 상기 보조 전극, 상기 스페이서부, 및 상기 유기 EL층을 갖고, 상기 보조 전극 상의 전체 면에 적어도 1층의 상기 유기층이 형성된 유기 EL층측 기판을 준비하는 유기 EL층측 기판 준비 공정과, 제1 압력 하에서, 상기 유기 EL층측 기판 준비 공정에서 얻어진 상기 유기 EL층측 기판에 덮개재를 대향시켜, 상기 스페이서부의 정상부에 상기 덮개재가 상기 유기층을 통해 접촉하도록 배치하는 배치 공정과, 상기 덮개재의 상기 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정해서 상기 유기 EL층측 기판 및 상기 덮개재를 밀착시키는 밀착 공정과, 상기 덮개재를 통해 레이저광을 조사하여, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층을 제거해서 상기 접촉부를 형성하는 접촉부 형성 공정을 갖고, 상기 덮개재가 유리 필름인 것을 특징으로 하는 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 배치 공정에서 사용되는 덮개재가 유리 필름인 것에 의해, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 감압 상태를 유지할 수 있다. 그로 인해, 접촉부 형성 공정에서, 덮개재를 통해 보조 전극 상의 유기층에 레이저광을 조사할 때에도 유기 EL층측 기판과 덮개재와의 밀착성을 유지할 수 있고, 레이저광에 의해 제거된 유기층이 화소 전극이 형성된 화소 영역으로 비산하는 것을 충분히 방지할 수 있어, 표시 특성의 저하를 억제하는 것이 가능한 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다. 또한, 덮개재가 유리 필름인 것에 의해, 롤·투·롤 제조 기술로의 전개를 가능하게 하기 때문에 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명은 상술한 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 사용되는 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치 형성용 덮개재이며, 산소 투과도가 100cc/㎡·day 이하인 배리어성을 갖는 수지 필름이며, 파장 영역 340nm 내지 400nm의 최소 투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치 형성용 덮개재를 제공한다.
본 발명은 산소 투과도가 100cc/㎡·day 이하인 배리어성을 갖는 수지 필름이며, 파장 영역 340nm 내지 400nm의 최소 투과율이 70% 이상인 것에 의해, 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치를 상술한 제조 방법에 의해 제조할 수 있고, 표시 특성의 저하를 억제하는 것이 가능한 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다.
본 발명에서는, 유기 EL층측 기판과 수지 필름 등의 가요성을 갖는 덮개재 사이에 있는 공간의 감압 상태를 유지할 수 있고, 레이저광에 의해 제거된 보조 전극 상의 유기층이 화소 영역으로 비산하는 것을 방지하여, 표시 특성의 저하를 억제하는 것이 가능한 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있는 효과를 발휘한다.
도 1은 본 발명의 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 관한 일례를 나타내는 공정도이다.
도 2는 본 발명의 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 관한 다른 예를 나타내는 공정도이다.
도 3은 본 발명의 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 모식도이다.
도 4는 덮개재의 기체 투과도를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명에서의 스페이서부를 설명하는 모식도이다.
도 6은 본 발명에서의 스페이서부 형성 공정 및 절연층 형성 공정의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명에서의 스페이서부의 형성 형태의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 8은 본 발명에서의 스페이서부의 형성 형태의 다른 예를 나타내는 개략도이다.
도 9는 본 발명에서의 스페이서부의 형성 형태의 다른 예를 나타내는 개략도이다.
도 10은 본 발명에서의 스페이서부를 설명하는 모식도이다.
도 11은 본 발명에서의 접촉부를 설명하는 모식도이다.
도 12는 종래의 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 관한 일례를 나타내는 공정도이다.
도 2는 본 발명의 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 관한 다른 예를 나타내는 공정도이다.
도 3은 본 발명의 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 모식도이다.
도 4는 덮개재의 기체 투과도를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명에서의 스페이서부를 설명하는 모식도이다.
도 6은 본 발명에서의 스페이서부 형성 공정 및 절연층 형성 공정의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명에서의 스페이서부의 형성 형태의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 8은 본 발명에서의 스페이서부의 형성 형태의 다른 예를 나타내는 개략도이다.
도 9는 본 발명에서의 스페이서부의 형성 형태의 다른 예를 나타내는 개략도이다.
도 10은 본 발명에서의 스페이서부를 설명하는 모식도이다.
도 11은 본 발명에서의 접촉부를 설명하는 모식도이다.
도 12는 종래의 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 관한 일례를 나타내는 공정도이다.
이하, 본 발명의 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치의 제조 방법, 및 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치 형성용 덮개재에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 이하, 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치를 유기 EL 표시 장치로 약칭하는 경우가 있다.
A. 유기 EL 표시 장치의 제조 방법
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법은 덮개재에 따라서 3개의 실시 형태를 갖는다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제1 실시 형태는, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 복수의 화소 전극과, 상기 화소 전극 사이에 형성된 보조 전극과, 상기 기판 상에 형성된 스페이서부와, 상기 화소 전극 상에 형성되고, 복수의 유기층으로 구성되어 있고, 적어도 발광층을 갖는 유기 EL층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 적어도 1층의 상기 유기층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층의 개구부인 접촉부와, 상기 유기 EL층 및 상기 접촉부 상에 형성된 투명 전극층을 갖고, 상기 스페이서부는 상기 접촉부 및 상기 접촉부에 인접하는 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있고, 또한 상기 투명 전극층은 상기 보조 전극과 상기 접촉부에서 전기적으로 접속되어 있는 유기 EL 표시 장치를 제조하는 방법이며, 상기 기판, 상기 화소 전극, 상기 보조 전극, 상기 스페이서부, 및 상기 유기 EL층을 갖고, 상기 보조 전극 상의 전체 면에 적어도 1층의 상기 유기층이 형성된 유기 EL층측 기판을 준비하는 유기 EL층측 기판 준비 공정과, 제1 압력 하에서, 상기 유기 EL층측 기판 준비 공정에서 얻어진 상기 유기 EL층측 기판에 덮개재를 대향시켜, 상기 스페이서부의 정상부에 상기 덮개재가 상기 유기층을 통하여 접촉하도록 배치하는 배치 공정과, 상기 덮개재의 상기 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정해서 상기 유기 EL층측 기판 및 상기 덮개재를 밀착시키는 밀착 공정과, 상기 덮개재를 통해 레이저광을 조사하여, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층을 제거해서 상기 접촉부를 형성하는 접촉부 형성 공정을 갖고, 상기 덮개재는 산소 투과도가 100cc/㎡·day 이하인 배리어성을 갖는 수지 필름인 것을 특징으로 하는 방법이다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제2 실시 형태는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 복수의 화소 전극과, 상기 화소 전극 사이에 형성된 보조 전극과, 상기 기판 상에 형성된 스페이서부와, 상기 화소 전극 상에 형성되고, 복수의 유기층으로 구성되어 있고, 적어도 발광층을 갖는 유기 EL층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 적어도 1층의 상기 유기층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층의 개구부인 접촉부와, 상기 유기 EL층 및 상기 접촉부 상에 형성된 투명 전극층을 갖고, 상기 스페이서부는 상기 접촉부 및 상기 접촉부에 인접하는 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있고, 또한 상기 투명 전극층은 상기 보조 전극과 상기 접촉부에서 전기적으로 접속되어 있는 유기 EL 표시 장치를 제조하는 방법이며, 상기 기판, 상기 화소 전극, 상기 보조 전극, 상기 스페이서부, 및 상기 유기 EL층을 갖고, 상기 보조 전극 상의 전체 면에 적어도 1층의 상기 유기층이 형성된 유기 EL층측 기판을 준비하는 유기 EL층측 기판 준비 공정과, 제1 압력 하에서, 상기 유기 EL층측 기판 준비 공정에서 얻어진 상기 유기 EL층측 기판에 덮개재를 대향시켜, 상기 스페이서부의 정상부에 상기 덮개재가 상기 유기층을 통하여 접촉하도록 배치하는 배치 공정과, 상기 덮개재의 상기 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정해서 상기 유기 EL층측 기판 및 상기 덮개재를 밀착시키는 밀착 공정과, 상기 덮개재를 통해 레이저광을 조사하여, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층을 제거해서 상기 접촉부를 형성하는 접촉부 형성 공정을 갖고, 상기 덮개재가 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름인 것을 특징으로 하는 방법이다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 제3 실시 형태는, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 복수의 화소 전극과, 상기 화소 전극 사이에 형성된 보조 전극과, 상기 기판 상에 형성된 스페이서부와, 상기 화소 전극 상에 형성되고, 복수의 유기층으로 구성되어 있고, 적어도 발광층을 갖는 유기 EL층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 적어도 1층의 상기 유기층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층의 개구부인 접촉부와, 상기 유기 EL층 및 상기 접촉부 상에 형성된 투명 전극층을 갖고, 상기 스페이서부는 상기 접촉부 및 상기 접촉부에 인접하는 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있고, 또한 상기 투명 전극층은 상기 보조 전극과 상기 접촉부에서 전기적으로 접속되어 있는 유기 EL 표시 장치를 제조하는 방법이며, 상기 기판, 상기 화소 전극, 상기 보조 전극, 상기 스페이서부, 및 상기 유기 EL층을 갖고, 상기 보조 전극 상의 전체 면에 적어도 1층의 상기 유기층이 형성된 유기 EL층측 기판을 준비하는 유기 EL층측 기판 준비 공정과, 제1 압력 하에서, 상기 유기 EL층측 기판 준비 공정에서 얻어진 상기 유기 EL층측 기판에 덮개재를 대향시켜, 상기 스페이서부의 정상부에 상기 덮개재가 상기 유기층을 통하여 접촉하도록 배치하는 배치 공정과, 상기 덮개재의 상기 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정해서 상기 유기 EL층측 기판 및 상기 덮개재를 밀착시키는 밀착 공정과, 상기 덮개재를 통해 레이저광을 조사하여, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층을 제거해서 상기 접촉부를 형성하는 접촉부 형성 공정을 갖고, 상기 덮개재가 유리 필름인 것을 특징으로 하는 방법이다.
여기서, 상기 「제1 압력」 및 상기 「제2 압력」은 제1 압력이 제2 압력보다도 낮은 압력이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 또한, 유기 EL층측 기판의 표면에 덮개재를 배치했을 때의 상기 유기 EL층측 기판과 상기 덮개재 사이에 있는 공간의 압력을 제1 압력으로 조정하고, 또한 상기 덮개재의 상기 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간의 압력을 제2 압력으로 조정했을 때에, 상기 유기 EL층측 기판과 상기 덮개재 사이의 압력과 상기 덮개재의 상기 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간의 압력과의 차압에 의해, 상기 유기 EL층측 기판 및 상기 덮개재를 밀착시킬 수 있을 정도의 압력이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 또한, 통상은 상기 「제1 압력」이 상압보다도 낮은 압력이 되고, 상기 「제2 압력」이 상기 「제1 압력」보다도 높은 압력이 된다. 또한, 구체적인 상기 「제1 압력」 및 상기 「제2 압력」에 대해서는, 후술하는 「2. 배치 공정」 및 「3. 밀착 공정」의 항에 기재하기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다.
도 1의 (a) 내지 (f)는 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 관한 일례를 나타내는 공정도이다. 먼저, 도 1의 (a)에 예시한 바와 같이, 기판(2) 위에 화소 전극(3) 및 보조 전극(4)을 형성하는 화소 전극 및 보조 전극 형성 공정을 행한다. 이어서, 도 1의 (b)에 예시한 바와 같이, 기판(2) 위에 스페이서부(5)를 형성하는 스페이서부 형성 공정을 행한다. 그 후, 도 1의 (c)에 예시한 바와 같이, 복수의 유기층으로 구성되고, 적어도 발광층을 갖는 유기 EL층(6)을 형성하는 유기 EL층 형성 공정을 행한다. 이와 같이 하여, 유기 EL층측 기판(1)을 준비하는 유기 EL층측 기판 준비 공정을 행한다. 이어서, 도 1의 (d)에 예시한 바와 같이, 제1 압력 하에서, 유기 EL층측 기판(1)에 소정의 산소 투과도를 갖는 수지 필름인 덮개재(8), 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름인 덮개재(8), 또는 유리 필름인 덮개재(8)를 대향시켜, 상기 스페이서부(5)의 정상부에 상기 덮개재(8)가 상기 유기 EL층(6)을 통하여 접촉하도록 배치하는 배치 공정을 행한다. 이때, 유기 EL층측 기판(1) 및 덮개재(8) 사이의 공간(V)은 감압 상태가 된다. 그 후, 상기 덮개재(8)의 유기 EL층측 기판(1)과는 반대측에 있는 공간(P1)을 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정해서 상기 유기 EL층측 기판(1) 및 상기 덮개재(8)를 밀착시키는 밀착 공정을 행한다. 이어서, 상기 덮개재(8)를 통해, 보조 전극(4) 상에 형성된 유기 EL층(6)에 레이저광(L)을 조사하여, 상기 보조 전극(4) 상의 상기 유기 EL층(6)을 제거하고, 도 1의 (e)에 예시한 바와 같이, 보조 전극(4)을 노출시켜서 접촉부(9)를 형성하는 접촉부 형성 공정을 행한다. 마지막으로, 도 1의 (f)에 예시한 바와 같이, 접촉부(9)에 있어서 보조 전극(4)과 전기적으로 접속되도록, 유기 EL층측 기판 상에 투명 전극층(7)을 형성하는 투명 전극층 형성 공정을 행한다. 이에 의해, 본 발명에서의 유기 EL 표시 장치(10)가 얻어진다.
도 2의 (a) 내지 (f)는 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 관한 다른 예를 나타내는 공정도이다. 또한, 도 2의 (a) 내지 (c)는 상기 도 1의 (a) 내지 (c)와 마찬가지이므로 생략한다. 이어서, 도 2의 (d)에 예시한 바와 같이, 제1 압력 하에서, 유기 EL층측 기판(1)에 소정의 조건을 만족하는 덮개재(8)를 대향시켜, 상기 스페이서부(5)의 정상부 및 상기 덮개재(8)가 상기 유기 EL층(6)을 통해 접촉하도록 배치하는 배치 공정을 행한다. 이때, 유기 EL층측 기판(1)과 덮개재(8) 사이의 공간(V)은 감압 상태가 된다. 그 후, 상기 덮개재(8)의 유기 EL층측 기판(1)과는 반대측에 있는 공간(P1)을 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정해서 상기 유기 EL층측 기판(1) 및 상기 덮개재(8)를 밀착시키는 밀착 공정을 행한다. 계속해서, 상기 덮개재(8)측으로부터, 보조 전극(4)이 형성된 영역에 개구부를 갖는 마스크(M)를 통해 레이저광(L)을 조사하여, 보조 전극(4) 상에 형성된 유기 EL층(6)을 제거하고, 도 2의 (e)에 예시한 바와 같이, 보조 전극(4)을 노출시켜서 접촉부(9)를 형성하는 접촉부 형성 공정을 행한다. 마지막으로, 도 2의 (f)에 예시한 바와 같이, 접촉부(9)에 있어서 보조 전극(4)과 전기적으로 접속되도록, 유기 EL층측 기판 상에 투명 전극층(7)을 형성하는 투명 전극층 형성 공정을 행한다. 이에 의해, 본 발명에 있어서의 유기 EL 표시 장치(10)가 얻어진다.
이렇게 본 발명에서는, 배치 공정에서 사용되는 덮개재가 소정의 산소 투과도를 갖는 수지 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 또는 유리 필름인 것에 의해, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 감압 상태를 유지할 수 있다. 그로 인해, 접촉부 형성 공정에서 덮개재를 통해 보조 전극 상의 유기층에 레이저광을 조사할 때에도, 유기 EL층측 기판과 덮개재와의 밀착성을 유지할 수 있고, 레이저광에 의해 제거된 유기층이 화소 전극이 형성된 화소 영역으로 비산하는 것을 충분히 방지할 수 있다. 이에 의해, 표시 특성의 저하를 억제하는 것이 가능한 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다.
이 이유에 대해서는 다음과 같은 것을 생각할 수 있다. 먼저, 도 3에 예시한 바와 같이, 유기 EL층측 기판(1)과 덮개재(8)와의 밀착성은, 덮개재(8)의 유기 EL층측 기판(1)과는 반대측에 있는 공간(P1)의 압력과, 유기 EL층측 기판(1) 및 덮개재(8) 사이에 있는 공간(V)의 압력의 차, 즉 차압이 클수록 증대하는 것이다. 그로 인해, 제1 압력 하에서 유기 EL층측 기판(1)과 덮개재(8)를 접촉시키고, 그 후, 덮개재(8)의 유기 EL층측 기판(1)과는 반대측에 있는 공간(P1)을 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정하여, 유기 EL층측 기판(1)과 덮개재(8) 사이에 있는 공간(V)의 압력을 덮개재(8)의 유기 EL층측 기판(1)과는 반대측에 있는 공간(P1)의 압력보다도 낮게 하고, 덮개재(8)의 유기 EL층측 기판(1)과는 반대측에 있는 공간(P1)과 유기 EL층측 기판(1) 및 덮개재(8) 사이에 있는 공간(V)과의 차압을 크게 함으로써, 유기 EL층측 기판(1)과 덮개재(8)와의 밀착성이 증가된다. 그러나 수지 필름을 포함하는 일반적인 덮개재를 사용한 종래의 방법에서는, 도 4의 그래프에 나타낸 바와 같이, 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측의 공간과 유기 EL층측 기판 및 덮개재 사이의 공간과의 차압은 경시적으로 저하되어버린다. 구체적으로, 종래의 덮개재의 경우에는, 2분 경과 후에 차압이 50% 저하되고, 10분 경과 후에는 차압이 해소되어버린다. 이것은, 종래의 방법에서 사용되고 있는 덮개재의 기체에 대한 배리어성이 낮기 때문에, 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주로부터, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간으로 기체가 침입하고 있는 것이 원인이라고 생각된다. 또한, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간은 매우 좁기 때문에, 기체가 약간 침입하는 것만으로도 진공도는 현저하게 저하되고, 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측의 공간과 유기 EL층측 기판 및 덮개재 사이의 공간과의 차압이 저하되는 것으로 생각된다. 한편, 소정의 조건을 만족하는 덮개재를 사용한 본 발명에서는, 도 4의 그래프에 나타낸 바와 같이, 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측의 공간과 유기 EL층측 기판 및 덮개재 사이의 공간과의 차압을 유지할 수 있다. 이것은, 본 발명에서 사용되는 덮개재가 기체에 대하여 소정의 배리어성을 가짐으로써, 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주로부터, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간으로 기체가 침입하는 것을 방지할 수 있는 것으로 생각된다. 따라서, 본 발명에서는, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 감압 상태를 유지하고, 접촉부 형성 공정에서 덮개재를 통해 보조 전극 상의 유기층에 레이저광을 조사할 때에도 유기 EL층측 기판과 덮개재와의 밀착성을 유지할 수 있는 것으로 추측된다.
또한, 본 발명에서 사용되는 덮개재가 수지 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 또는 유리 필름인 것에 의해, 롤·투·롤 제조 기술로의 전개를 가능하게 할 수 있다. 이에 의해, 유기 EL 표시 장치의 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 본 발명에서 사용되는 덮개재가 수지 필름, 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름일 경우에는, 균열을 방지할 수 있고, 취급이 용이해진다.
여기서, 본 발명에서 「상기 보조 전극 상의 전체 면에 적어도 1층의 상기 유기층이 형성된」이란, 예를 들어, 도 1의 (c) 및 도 2의 (c)에 예시한 바와 같이, 유기 EL층(6)을 구성하는 모든 층이, 화소 전극(3)이 형성된 화소 영역(p) 내 및 보조 전극(4)을 덮도록 전체 면에 형성된 형태, 또한, 이 밖에도, 가령 유기 EL층이 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 주입층의 4층으로 구성되어 있는 경우에는, 상기 4층 가운데 3층이 화소 영역 내에 패턴형으로 형성되고, 나머지 1층이 화소 영역 내 및 보조 전극을 덮도록 전체 면에 형성되어 있는 형태나, 상기 4층 가운데 2층이 화소 영역 내에 패턴형으로 형성되고, 나머지 2층이 화소 영역 내 및 보조 전극을 덮도록 전체 면에 형성되어 있는 형태나, 나아가 상기 4층 가운데 1층이 화소 영역 내에 패턴형으로 형성되고, 나머지 3층이 화소 영역 내 및 보조 전극을 덮도록 전체 면에 형성되어 있는 형태 등을 포함한다.
또한, 본 발명에서 「스페이서부의 정상부」란, 예를 들어, 도 5에 예시한 바와 같이, 스페이서부(5)가 사다리꼴 형태일 경우에는 스페이서부(5)의 상부 바닥면(H)을 가리킨다. 또한, 스페이서부가 사다리꼴 형태 이외의 형상일 경우에는, 스페이서부의 최상부를 가리키고, 유기 EL층측 기판과 덮개재를 접촉시켰을 때에, 스페이서부에서 덮개재가 먼저 접촉되는 부분을 가리킨다.
이하, 본 발명의 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에서의 각 공정에 대해서 설명한다.
1. 유기 EL층측 기판 준비 공정
본 발명에서는, 먼저 기판과, 상기 기판 상에 형성된 복수의 화소 전극과, 상기 화소 전극 사이에 형성된 보조 전극과, 상기 기판 상에 형성된 스페이서부와, 상기 화소 전극 상에 형성되고, 복수의 유기층으로 구성되어 있고, 적어도 발광층을 갖는 유기 EL층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 적어도 1층의 상기 유기층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층의 개구부인 접촉부와, 상기 유기 EL층 및 상기 접촉부 상에 형성된 투명 전극층을 갖고, 상기 스페이서부는 상기 접촉부 및 상기 접촉부에 인접하는 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있고, 또한 상기 투명 전극층은 상기 보조 전극과 상기 접촉부에서 전기적으로 접속되어 있는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법이며, 상기 기판, 상기 화소 전극, 상기 보조 전극, 상기 스페이서부, 및 상기 유기 EL층을 갖고, 상기 보조 전극 상의 전체 면에 적어도 1층의 상기 유기층이 형성된 유기 EL층측 기판을 준비하는 유기 EL층측 기판 준비 공정을 행한다.
이하, 본 공정에서 형성되는 각 부재의 형성 공정에 대해서 설명한다.
(1) 화소 전극 및 보조 전극 형성 공정
본 공정은 기판 상에 화소 전극과 보조 전극을 형성하는 공정이다.
이하, 본 공정에서 사용되는 각 부재, 및 구체적인 화소 전극 및 보조 전극 형성 공정에 대해서 설명한다.
(a) 기판
본 공정에서의 기판은 후술하는 화소 전극, 보조 전극, 스페이서부, 유기 EL층 및 투명 전극층을 지지하는 것이다.
본 발명에서 제조되는 유기 EL 표시 장치는 톱 에미션형이기 때문에, 기판은 광투과성을 가져도 되고 갖지 않아도 된다. 기판이 광투과성을 갖고, 투명 기판일 경우에는, 양면 발광형 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다.
또한, 기판은 가요성을 가져도 되고 갖지 않아도 되며, 유기 EL 표시 장치의 용도에 따라 적절히 선택된다. 이러한 기판의 재료로서는, 예를 들어, 유리나 수지를 들 수 있다. 또한, 기판 표면에는 가스 배리어층이 형성되어 있어도 된다.
기판의 두께로서는, 기판의 재료 및 유기 EL 표시 장치의 용도에 따라 적절히 선택되고, 구체적으로는 0.005mm 내지 5mm 정도이다.
(b) 화소 전극
본 공정에서의 화소 전극은 기판 상에 패턴형으로 복수 형성되는 것이다.
화소 전극은 광투과성을 가져도 되고, 갖지 않아도 되지만, 본 발명에 의해 제조되는 유기 EL 표시 장치는 톱 에미션형이며, 투명 전극층측에서 광을 취출하기 때문에, 통상은 광투과성을 갖지 않는 것으로 된다. 또한, 화소 전극이 광투과성을 갖고, 투명 전극일 경우에는, 양면 발광형의 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다.
화소 전극은 양극 및 음극 중 어느 것이어도 된다.
화소 전극이 양극일 경우에는, 저항이 작은 것이 바람직하고, 일반적으로는 도전성 재료인 금속 재료가 사용되지만, 유기 화합물 또는 무기 화합물을 사용해도 된다.
양극에는 정공이 주입되기 쉽게 일 함수가 큰 도전성 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, Au, Cr, Mo 등의 금속; 산화인듐 주석(ITO), 산화인듐 아연(IZO), 산화아연, 산화인듐 등의 무기 산화물; 금속 도핑된 폴리티오펜 등의 도전성 고분자 등을 들 수 있다. 이들 도전성 재료는 단독으로 사용해도, 2종류 이상을 조합해서 사용해도 된다. 2종류 이상을 사용하는 경우에는, 각 재료를 포함하는 층을 적층해도 된다.
또한, 화소 전극이 음극일 경우에는, 일반적으로는 도전성 재료인 금속 재료가 사용되지만, 유기 화합물 또는 무기 화합물을 사용해도 된다.
음극에는 전자가 주입되기 쉽게 일 함수가 작은 도전성 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, MgAg 등의 마그네슘 합금, AlLi, AlCa, AlMg 등의 알루미늄 합금, Li, Cs, Ba, Sr, Ca 등의 알칼리 금속류 및 알칼리 토금속류의 합금 등을 들 수 있다.
화소 전극의 두께로서는, 화소 전극의 에지 부분으로부터의 누설 전류의 유무 등에 따라서 적절히 조정되고, 예를 들어, 10nm 내지 1000nm 정도로 할 수 있고, 바람직하게는 20nm 내지 500nm 정도이다. 또한, 화소 전극의 두께로서는, 후술하는 보조 전극의 두께와 동일해도 되고 상이해도 된다. 또한, 화소 전극을 후술하는 보조 전극과 일괄해서 형성하는 경우에는, 화소 전극 및 보조 전극의 두께는 동등해진다.
(c) 보조 전극
본 공정에서의 보조 전극은 화소 전극 사이에 형성되는 것이다.
보조 전극은 광투과성을 가져도 되고 갖지 않아도 된다.
보조 전극에는 일반적으로는 도전성 재료인 금속 재료가 사용된다. 또한, 보조 전극에 사용되는 재료에 대해서는, 상기 화소 전극에 사용되는 재료와 마찬가지로 할 수 있기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다.
또한, 보조 전극에 사용되는 재료는 화소 전극에 사용되는 재료와 동일해도 되고 상이해도 된다. 그 중에서도, 화소 전극 및 보조 전극은 동일한 재료인 것이 바람직하다. 화소 전극 및 보조 전극을 일괄해서 형성할 수 있어, 제조 공정을 간략화할 수 있기 때문이다.
보조 전극의 두께로서는, 보조 전극의 에지 부분으로부터의 누설 전류의 유무 등에 따라서 적절히 조정되고, 예를 들어, 10nm 내지 1000nm의 범위 내인 것이 바람직하고, 그 중에서도 20nm 내지 500nm의 범위 내인 것이 바람직하다. 또한, 보조 전극을 상술한 화소 전극과 일괄해서 형성하는 경우에는, 화소 전극 및 보조 전극의 두께는 동등해진다.
이러한 보조 전극을, 보조 전극의 두께 방향으로 관찰했을 때의 형상, 즉 평면 형상으로서는, 투명 전극층의 저항에 의한 전압 강하를 억제하는 보조 전극의 기능을 발휘할 수 있는 형상이면 특별히 한정되는 것은 아니나, 유기 EL 표시 장치의 광 취출 효율이 저하되지 않도록 하는 형상인 것이 바람직하다. 예를 들어, 스트라이프형이나 격자 형상 등을 들 수 있다.
(d) 화소 전극 및 보조 전극
인접하는 화소 전극 및 보조 전극의 간격으로서는, 후술하는 스페이서부를 형성할 수 있을 정도면 특별히 한정되는 것은 아니다. 구체적으로는, 1㎛ 내지 50㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 그 중에서도 2㎛ 내지 30㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 또한, 인접하는 화소 전극 및 보조 전극의 간격이란, 도 1의 (a)에 나타낸 거리 d를 가리킨다.
(e) 화소 전극 및 보조 전극 형성 공정
본 발명에서의 화소 전극 및 보조 전극 형성 공정은 먼저 기판 상에 화소 전극을 형성하는 공정을 갖는다. 화소 전극의 형성 방법으로서는, 기판 상에 화소 전극을 패턴형으로 형성할 수 있는 방법이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 일반적인 전극의 형성 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 마스크를 사용한 증착법, 포토리소그래피법 등을 들 수 있다. 또한, 증착법으로서는 예를 들어, 스퍼터링법, 진공 증착법 등을 들 수 있다.
이어서, 본 공정은 화소 전극 사이에 보조 전극을 형성하는 공정을 갖는다. 보조 전극의 형성 방법으로서는, 기판 상에 보조 전극을 패턴형으로 형성할 수 있는 방법이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 일반적인 전극의 형성 방법을 채용할 수 있다. 구체적인 보조 전극의 형성 방법에 대해서는, 상기 화소 전극의 형성 방법과 마찬가지로 할 수 있기 때문에, 여기에서의 설명은 생략한다. 또한, 본 공정에서는, 보조 전극을 화소 전극과 일괄해서 형성하는 것이 바람직하다. 제조 공정을 간략화할 수 있기 때문이다.
(2) 스페이서부 형성 공정
본 공정은 상기 기판 상에 스페이서부를 형성하는 공정이다.
이하, 본 공정에서 형성되는 스페이서부 및 구체적인 스페이서부 형성 공정에 대해서 설명한다.
(a) 스페이서부
본 공정에서 형성되는 스페이서부는, 화소 전극과 후술하는 접촉부 사이에 형성되는 것이며, 후술하는 접촉부 형성 공정에서 레이저광에 의해 제거된 유기층이 비산하는 것을 방지하는 스페이서부의 기능을 갖는 것이다. 또한, 스페이서부가 화소 전극에 접촉하고 있을 경우에는, 스페이서부는 절연층으로서의 기능을 갖는다.
또한, 스페이서부가 절연층으로서의 기능을 갖는 경우에는, 스페이서부를 형성하는 본 공정과 함께 절연층을 형성하는 절연층 형성 공정을 동시에 행하고, 스페이서부와 절연층을 일괄해서 형성해도 된다. 스페이서부와 절연층을 일괄해서 형성함으로써, 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다. 도 6의 (a) 내지 (b)는 본 공정과 동시에 절연층 형성 공정을 행하고, 스페이서부 및 절연층을 일괄해서 형성하는 경우의 일례를 나타낸 개략 공정도이며, 도 6의 (c)는 도 6의 (b)의 A-A선 단면도이다. 먼저, 도 6의 (a)에 예시한 바와 같이, 기판(2) 위에 화소 전극(3) 및 프레임형의 보조 전극(4)을 형성한다. 이어서, 도 6의 (b), (c)에 예시한 바와 같이, 화소 전극(3) 위 및 접촉부(9)를 형성하는 보조 전극(4) 위가 노출되도록, 스페이서부(5) 및 절연층(13)을 일괄해서 형성한다. 스페이서부 및 절연층이 일괄해서 형성되는 경우에는, 스페이서부 및 절연층은 동일한 재료로 구성되고, 또한 도 6의 (b)에 예시한 바와 같이, 스페이서부(5) 및 절연층(13)은 연속해서 형성되어 있어도 된다.
본 공정에서, 화소 전극과 후술하는 접촉부 사이에 형성되는 스페이서부의 수로서는, 화소 전극이 형성된 화소 영역과 접촉부를 이격함으로써, 상술한 스페이서부의 기능을 충분히 발휘할 수 있으면 특별히 한정되는 것은 아니며, 1개이어도 되고 2개 이상이어도 된다.
여기서, 화소 전극과 후술하는 접촉부 사이에 형성되는 스페이서부의 수란, 인접하는 화소 전극과 접촉부 사이에 길이 방향으로 스트라이프형의 스페이서부가 형성되어 있고, 이때에 화소 전극과 접촉부 사이에 형성된 스트라이프의 수를 가리킨다. 따라서, 예를 들어, 도 7의 (a), (b)에 예시하는 스페이서부(5)의 수는 1개이다. 또한, 도 7은 본 공정에서 형성되는 스페이서부의 일례를 나타내는 개략도이다. 또한, 도 7의 (a)는 화소 전극과 보조 전극 사이에 스페이서부가 형성되었을 때의 개략 평면도이며, 도 7의 (b)는 도 7의 (a)의 B-B선 단면도이다. 도 7에서 설명하지 않는 부호에 대해서는, 도 1과 마찬가지이기 때문에 여기서의 설명은 생략한다.
본 공정에서 형성되는 스페이서부의 평면 형상으로서는, 화소 전극과 후술하는 접촉부가 이격하게 형성되어 있으면 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 상술한 도 7의 (a)에 예시한 바와 같이, 화소 전극(3)과 보조 전극(4)에서의 접촉부(9) 사이에 스페이서부(5)가 스트라이프형으로 형성되어 있어도 되고, 도 8의 (a)에 예시한 바와 같이, 보조 전극(4)에서의 접촉부(9)를 둘러싸도록 스페이서부(5)가 프레임형으로 형성되어 있어도 되고, 또는 도 9의 (a)에 예시한 바와 같이, 보조 전극(4)에서의 접촉부(9)와 인접하는 화소 전극(3)을 둘러싸도록 스페이서부(5)가 프레임형으로 형성되어 있어도 된다. 또한, 도 8 및 도 9는 본 공정에서 형성되는 스페이서부의 다른 예를 나타내는 개략도이다. 또한, 도 8의 (a) 및 도 9의 (a)는 화소 전극이 형성된 화소 영역과 보조 전극에서의 접촉부 사이에 스페이서부가 형성되었을 때의 개략 평면도이며, 도 8의 (b)는 도 8의 (a)의 C-C선 단면도이며, 도 9의 (b)는 도 9의 (a)의 D-D선 단면도이다. 도 8 및 도 9에서 설명하지 않는 부호에 대해서는, 도 1과 마찬가지이기 때문에 여기에서의 설명은 생략한다.
또한, 본 공정에서 형성되는 스페이서부의 종단면 형상으로서는, 상술한 스페이서부의 기능을 발휘할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 순테이퍼형, 역테이퍼형, 직사각형 등을 들 수 있지만, 그 중에서도, 순테이퍼형인 것이 바람직하다. 도 8의 (a)나 도 9의 (a)에 예시한 바와 같이, 화소 전극 또는 보조 전극을 둘러싸도록 스페이서부가 형성되어 있는 경우에도, 후술하는 투명 전극층을 전체 면에 균일하게 형성할 수 있어, 충분한 도통을 얻을 수 있기 때문이다.
본 공정에서 형성되는 스페이서부의 높이로서는, 후술하는 배치 공정에서, 유기 EL층측 기판 및 덮개재를 대향 시켰을 때에, 스페이서부의 정상부에 덮개재가 유기층을 통해 접촉하도록 배치할 수 있을 정도면 특별히 한정되는 것은 아니나, 구체적으로는, 0.1㎛ 내지 10㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 그 중에서도 0.5㎛ 내지 5㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 1㎛ 내지 3㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 스페이서부의 높이가 상기 범위 내에 있음으로써, 유기 EL층측 기판 및 덮개재를 대향시켰을 때에 형성되는 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간을 크게 할 수 있어서, 상기 공간에 약간 기체가 침입한 경우에도, 상기 공간의 진공도가 급격하게 저하되는 것을 억제할 수 있기 때문이다. 또한, 후술하는 배치 공정에서 유기 EL층측 기판에 덮개재를 대향시켜서 접촉시켰을 때에, 덮개재가 휘어서 화소 전극 상에 형성된 유기 EL층과 접촉하여, 유기 EL 표시 장치의 표시 특성에 악영향을 미친다는 문제를 방지할 수 있다.
또한, 스페이서부의 높이란, 도 5에 도시한 바와 같이, 스페이서부(5)의 하측 바닥면으로부터 정상부(H)까지의 높이(h)를 가리킨다.
이러한 스페이서부에 사용되는 재료로서는, 본 발명에 의해 얻어지는 유기 EL 표시 장치의 특성에 악영향을 미치지 않는 재료면 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 스페이서부가 화소 전극과 접촉할 경우에는, 스페이서부의 재료로서 절연성 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 화소 전극의 에지 부분으로부터의 누설 전류에 의한 문제를 방지할 수 있다. 구체적인 재료로서는, 감광성 폴리이미드 수지, 아크릴계 수지 등의 광경화형 수지, 또는 열경화형 수지, 및 무기 재료 등을 들 수 있다.
또한, 본 공정에서 형성되는 스페이서부는 받침대부와 받침대부 상에 형성된 밀착부로 구성되어 있어도 된다. 구체적으로는, 도 10에 예시한 바와 같이, 기판(2) 상에 형성된 받침대부(11)와, 상기 받침대부(11) 상에 형성된 밀착부(12)로 구성되어 있어도 된다.
스페이서부가 받침대부와 밀착부로 구성되어 있음으로써, 스페이서부의 높이 조정이 용이해진다. 예를 들어, 기판 상에 어떠한 배선층이 형성되어 있고, 상기 배선층 위에 절연층이 형성되어 있는 경우, 상기 배선층의 두께에 상당하는 양만큼 상기 절연층의 높이가 높아진다. 이러한 경우에는, 상기 절연층을 받침대부로 하고, 상기 받침대부로서의 절연층 상에 밀착부를 형성해서 이것을 스페이서부로 함으로써, 배선층 상에 형성된 절연층의 높이보다도, 받침대부로서의 절연층 및 절연층 상에 형성된 밀착부로 구성된 스페이서부의 높이를 용이하게 높이는 것이 가능해진다. 또한, 후술하는 배치 공정에서 유기 EL층측 기판에 덮개재를 대향시켰을 때에, 스페이서부와 덮개재를 선택적으로 접촉시킬 수 있다. 이에 의해, 스페이서부로서의 상술한 기능을 충분히 발휘하는 것이 가능해진다.
스페이서부가 받침대부와 밀착부로 구성되어 있는 경우에, 받침대부의 크기로서는, 화소 영역과 접촉부 사이의 크기나, 받침대부 상에 형성되는 밀착부의 크기나 수에 따라서 적절히 조정되는 것이다. 받침대부의 높이로서는, 예를 들어, 0.1㎛ 내지 5㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 그 중에서도 0.5㎛ 내지 3㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 1㎛ 내지 2㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 받침대부의 높이가 상기 범위 내에 있음으로써, 받침대부를 형성하는 것에 의한 상술한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 받침대부의 높이란, 도 10에 도시한 바와 같이, 받침대부(11)의 하측 바닥면으로부터 정상부까지의 높이(hd)를 가리킨다.
또한, 받침대부의 종단면 형상으로서는, 받침대부 위에 밀착부를 형성하는 것이 가능하면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 순테이퍼형, 역테이퍼형, 직사각형 등을 들 수 있지만, 그 중에서도, 순테이퍼형인 것이 바람직하다. 화소 전극 또는 보조 전극을 둘러싸도록 받침대부 및 밀착부가 형성되어 있는 경우에도, 후술하는 투명 전극층을 전체 면에 균일하게 형성할 수 있어, 충분한 도통을 얻을 수 있기 때문이다.
또한, 받침대부에 사용되는 재료로서는, 상술한 스페이서부의 재료와 마찬가지이기 때문에, 여기서의 기재는 생략한다.
한편, 밀착부에 사용되는 재료로서는, 상술한 스페이서부의 재료와 마찬가지로 할 수 있지만, 그 밖에도, 상기 받침대부가 절연성 재료로 형성되는 경우에는, 밀착부의 재료로서 도전성 재료를 사용할 수 있다.
밀착부의 크기 및 수에 대해서는 상술한 스페이서부의 크기 및 수와 마찬가지로 할 수 있기 때문에, 여기에서의 설명은 생략한다.
(b) 스페이서부 형성 공정
본 발명에서의 스페이서부 형성 공정은, 화소 전극이 형성된 화소 영역과 후술하는 접촉부 사이에 스페이서부를 형성하는 공정을 갖는다. 스페이서부의 형성 방법으로서는, 라미네이션법, 포토리소그래피법, 인쇄법 등의 일반적인 방법을 사용할 수 있다. 또한, 주형 등을 사용해서 스페이서부를 별도로 형성하고, 화소 영역과 접촉부 사이에 접착제 등을 사용해서 접합하는 방법을 들 수 있다.
또한, 스페이서부가 받침대부 및 밀착부로 구성되는 경우, 본 발명에서의 스페이서부 형성 공정은 화소 전극이 형성된 화소 영역과 후술하는 접촉부 사이에 받침대부를 형성하고, 그 후, 받침대부 위에 밀착부를 형성하는 공정을 갖는다. 받침대부 및 밀착부의 형성 방법으로서는, 상술한 스페이서부의 형성 방법과 마찬가지로 할 수 있기 때문에, 여기에서의 설명은 생략한다. 또한, 받침대부 및 밀착부가 동일한 재료로 구성되는 경우에는, 받침대부 및 밀착부를 일괄해서 형성해도 된다.
(3) 유기 EL층 형성 공정
본 공정은 복수의 유기층으로 구성되고, 적어도 발광층을 갖는 유기 EL층을 상기 화소 전극 상에 형성하는 공정이다. 또한, 본 공정에서는 유기 EL층측 기판에서의 상기 보조 전극의 전체 면에 적어도 1층의 유기층이 형성된다.
이하, 본 공정에서 형성되는 유기 EL층 및 구체적인 유기 EL층 형성 공정에 대해서 설명한다.
(a) 유기 EL층
유기 EL층을 구성하는 유기층으로서는, 발광층 이외에, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 등을 들 수 있다.
이하, 유기 EL층을 구성하는 각 유기층에 대해서 설명한다.
(i) 발광층
본 공정에서 형성되는 발광층은 단색의 발광층이어도 되고, 복수 색의 발광층이어도 되며, 유기 EL 표시 장치의 용도에 따라서 적절히 선택된다. 유기 EL 표시 장치가 표시 장치일 경우에는, 통상 복수 색의 발광층이 형성된다.
발광층에 사용되는 발광 재료로서는, 형광 또는 인광을 발하는 것이면 되고, 예를 들어, 색소계 재료, 금속 착체계 재료, 고분자계 재료 등을 들 수 있다. 또한, 구체적인 색소계 재료, 금속 착체계 재료, 고분자계 재료에 대해서는, 일반적으로 사용되는 것과 마찬가지로 할 수 있기 때문에, 여기에서의 기재는 생략한다.
발광층의 두께로서는, 전자 및 정공의 재결합 장소를 제공해서 발광하는 기능을 발현할 수 있는 두께면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 10nm 내지 500nm 정도로 할 수 있다.
(ii) 정공 주입 수송층
본 공정에서 형성되는 유기 EL층으로서는, 발광층과 양극 사이에 정공 주입 수송층이 형성되어 있어도 된다.
정공 주입 수송층은 정공 주입 기능을 갖는 정공 주입층이어도 되고, 정공 수송 기능을 갖는 정공 수송층이어도 되며, 정공 주입층 및 정공 수송층이 적층된 것이어도 되고, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능의 양쪽 기능을 갖는 것이어도 된다.
정공 주입 수송층에 사용되는 재료로서는, 발광층에의 정공의 주입, 수송을 안정화시킬 수 있는 재료면 특별히 한정되는 것은 아니며, 일반적인 재료를 사용할 수 있다.
정공 주입 수송층의 두께로서는, 정공 주입 기능이나 정공 수송 기능이 충분히 발휘되는 두께면 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 0.5nm 내지 1000nm의 범위 내, 그 중에서도 10nm 내지 500nm의 범위 내인 것이 바람직하다.
(iii) 전자 주입 수송층
본 공정에서 형성되는 유기 EL층으로서는, 발광층과 음극 사이에 전자 주입 수송층이 형성되어 있어도 된다.
전자 주입 수송층은 전자 주입 기능을 갖는 전자 주입층이어도 되고, 전자 수송 기능을 갖는 전자 수송층이어도 되며, 전자 주입층 및 전자 수송층이 적층된 것이어도 되고, 전자 주입 기능 및 전자 수송 기능의 양쪽 기능을 갖는 것이어도 된다.
전자 주입층에 사용되는 재료로서는, 발광층에의 전자 주입을 안정화시킬 수 있는 재료면 특별히 한정되는 것은 아니며, 또한, 전자 수송층에 사용되는 재료로서는, 음극으로부터 주입된 전자를 발광층으로 수송하는 것이 가능한 재료면 특별히 한정되는 것은 아니다.
전자 주입층 및 전자 수송층에 사용되는 구체적인 재료로서는, 일반적인 재료를 사용할 수 있다.
전자 주입 수송층의 두께로서는, 전자 주입 기능이나 전자 수송 기능이 충분히 발휘되는 두께면 특별히 한정되지 않는다.
(b) 유기 EL층 형성 공정
본 발명에서의 유기 EL층 형성 공정은, 상술한 유기 EL층을 화소 전극 상에 형성하는 공정을 갖는다. 또한, 여기서는 유기 EL층이 정공 주입 수송층, 발광층 및 전자 주입 수송층의 순으로 적층되는 경우에 대해서 설명한다.
정공 주입 수송층의 형성 방법으로서는, 적어도 화소 전극 상에 형성할 수 있는 방법이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 재료의 종류 등에 따라서 적절히 선택된다. 예를 들어, 재료 등을 용매에 용해 또는 분산시킨 정공 주입 수송층 형성용 도포 시공액을 도포하는 웨트 프로세스나, 진공 증착법 등의 드라이 프로세스 등을 들 수 있다.
이어서, 발광층의 형성 방법으로서는, 상기 정공 주입 수송층 상에 형성할 수 있는 방법이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 발광 재료 등을 용매에 용해 또는 분산시킨 발광층 형성용 도포 시공액을 도포하는 웨트 프로세스나, 진공 증착법 등의 드라이 프로세스 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 유기 EL 표시 장치의 발광 효율 및 수명에 미치는 영향에서 드라이 프로세스가 바람직하다.
이어서, 전자 주입 수송층의 형성 방법으로서는, 상기 발광층 상에 형성할 수 있는 방법이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 재료의 종류 등에 따라서 적절히 선택된다. 예를 들어, 재료 등을 용매에 용해 또는 분산시킨 전자 주입 수송층 형성용 도포 시공액을 도포하는 웨트 프로세스나, 진공 증착법 등의 드라이 프로세스를 들 수 있다.
또한, 유기 EL층 형성 공정에서는, 유기 EL층을 형성함과 함께, 상기 유기 EL층을 구성하는 적어도 1층의 유기층이 보조 전극을 덮도록 형성된다. 예를 들어, 유기 EL 표시 장치의 화소마다 발광층을 구분 도포할 경우에는, 정공 주입 수송층이나 전자 주입 수송층이 화소 전극 상 및 보조 전극 상에 형성되고, 발광층이 화소 전극 상에 패턴형으로 형성된다. 또한, 유기층이 화소 전극 상 및 보조 전극 상에 형성되는 경우에는, 유기층은 화소 전극 상 및 보조 전극 상에 연속해서 형성되는 것이 일반적이다.
또한, 본 발명에서는 예를 들어, 본 공정에서 정공 주입 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 형성하고, 그 후, 후술하는 배치 공정 및 접촉부 형성 공정 후에 전자 주입층을 형성해도 된다. 배치 공정 및 접촉부 형성 공정 후에 형성되는 전자 주입층이, 화소 전극 상뿐만 아니라 보조 전극에서의 접촉부 상에 형성된 경우라도, 전자 주입층의 두께가 매우 얇은 경우에는, 접촉부에 있어서 보조 전극과 후술하는 투명 전극층 형성 공정에 의해 형성되는 투명 전극층을 전기적으로 접속시킬 수 있기 때문이다. 이와 같이, 배치 공정 및 접촉부 형성 공정 후에 전자 주입층을 형성하는 경우에는, 배치 공정이나 접촉부 형성 공정에 의한 전자 주입층의 열화를 방지할 수 있기 때문에, 비교적 불안정하게 되는 불화 리튬 등의 재료를 전자 주입층의 재료로서 사용하는 것이 가능해진다.
2. 배치 공정
본 발명에서는, 제1 압력 하에서, 상기 유기 EL층측 기판 준비 공정에서 얻어진 상기 유기 EL층측 기판에 덮개재를 대향시켜, 상기 스페이서부의 정상부에 상기 덮개재가 상기 유기층을 통해 접촉하도록 배치하는 배치 공정을 행한다.
이하, 본 공정에서 사용되는 덮개재 및 구체적인 배치 공정에 대해서 설명한다.
(1) 덮개재
본 공정에서 사용되는 덮개재는 산소 투과도가 100cc/㎡·day 이하인 배리어성을 갖는 수지 필름인 제1 형태와, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름인 제2 형태와, 유리 필름인 제3 형태의 3가지 형태로 나눌 수 있다.
이하, 본 공정에서 사용되는 덮개재에 대해서, 각 형태로 나누어서 설명한다.
(a) 제1 형태
본 형태의 덮개재의 산소 투과도로서는, 100cc/㎡·day 이하이면 되고, 그 중에서도 30cc/㎡·day 이하인 것이 바람직하고, 특히 15cc/㎡·day 이하인 것이 바람직하다. 덮개재의 산소 투과도가 상기 범위 내에 있음으로써, 원하는 배리어성을 갖는 덮개재로 할 수 있기 때문에, 후술하는 접촉부 형성 공정 시에, 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간으로부터, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간으로 기체가 침입하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 감압 상태를 유지하고, 접촉부 형성 공정에서 덮개재를 통해 보조 전극 상의 유기층에 레이저광을 조사할 때에도 유기 EL층측 기판과 덮개재와의 밀착성을 유지할 수 있다.
또한, 여기에서의 산소 투과도에 대해서는 하기 식(I)을 사용해서 구할 수 있다.
GTR=Vc/(R×T×Pu×A)×dp/dt (I)
GTR: 기체 투과도(mol/㎡·Pa)
Vc: 저압측 용적(l)
T: 시험 온도
Pu: 공급 기체의 차압(Pa)
A: 투과 면적(㎡)
dp/dt: 단위 시간(s)에서의 저압측의 압력 변화(Pa)
R: 8.31×103(l·Pa/K·mol)
또한, 본 형태의 덮개재는 수지 필름을 포함하는 것이다. 덮개재가 수지 필름을 포함함으로써 롤·투·롤 제조 기술로의 전개를 가능하게 하고, 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다. 구체적인 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌(PE), 폴리카르보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 환상 폴리올레핀(COP) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌 테레프탈레이트가 바람직하다. 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 포함하는 수지 필름은 다른 재료를 포함하는 수지 필름에 비하여 산소 투과도가 낮기 때문에, 후술하는 접촉부 형성 공정 시에, 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간으로부터, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간으로 기체가 침입하는 것을 더 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 본 형태의 덮개재는 파장 영역 340nm 내지 400nm의 최소 투과율이 70% 이상인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 최소 투과율이 75% 이상인 것이 바람직하고, 특히 80% 이상인 것이 바람직하다. 파장 영역 340nm 내지 400nm에서의 덮개재의 최소 투과율이 상기 범위 내에 있음으로써, 접촉부 형성 공정에서 덮개재를 통해 레이저광을 조사했을 때에 레이저광이 덮개재에 흡수되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 유기층을 확실하게 제거해서 접촉부를 형성할 수 있고, 접촉부에 있어서 투명 전극층과 보조 전극을 충분히 접속해서 전압 강하에 의한 휘도 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 파장 영역 340nm 내지 400nm에서의 덮개재의 최소 투과율은 예를 들어, 시마즈 세이사꾸쇼제 자외 가시광 분광 광도계 UV-3600에 의해 측정할 수 있다.
덮개재의 두께로서는, 상술한 산소 투과도 및 투과율을 달성할 수 있는 두께면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 1㎛ 내지 1000㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 그 중에서도 10㎛ 내지 200㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 30㎛ 내지 100㎛의 범위 내인 것이 바람직하다.
또한, 본 형태의 덮개재는 표면에 배리어층이 형성되어 있어도 된다. 본 형태의 덮개재가 배리어층을 가짐으로써, 후술하는 접촉부 형성 공정에서, 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간으로부터, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간으로 기체가 침입하는 것을 더 효과적으로 방지할 수 있다.
본 형태에서의 배리어층의 재료로서는, 산소나 질소 등의 기체에 대하여 원하는 배리어성을 발휘할 수 있고, 후술하는 접촉부 형성 공정에서 사용되는 레이저광을 투과할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 무기 재료를 들 수 있다. 구체적인 무기 재료로서는, 산화규소, 질화규소, 탄화규소, 산화티타늄, 산화니오븀, 산화인듐, 산화아연, 산화주석, 산화탄탈, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화칼슘 및 산화지르코늄 등을 들 수 있다. 또한, 배리어층으로서 유리 필름을 사용해도 된다. 유리 필름은 균열이 염려되지만, 수지 필름과 접합되어 있음으로써, 유리 필름의 균열을 억제할 수 있고, 또한 유리 필름에 금이 갔을 경우에도 반송 가능하다.
배리어층의 두께로서는, 본 형태의 덮개재에 배리어층을 형성했을 때에, 상기 덮개재가 상술한 평균 투과율을 달성할 수 있을 정도의 두께면 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 10nm 내지 800nm의 범위 내인 것이 바람직하고, 그 중에서도 50nm 내지 500nm의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 70nm 내지 300nm의 범위 내인 것이 바람직하다.
본 형태의 덮개재 표면에 배리어층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들어, 스퍼터링법, 진공 증착법, 플라즈마 CVD법 등을 들 수 있다. 또한, 배리어층을 단독으로 형성하고, 상기 배리어층을 덮개재의 표면에 점착재를 포함하는 점착층을 사용해서 접합해도 된다. 또한, 배리어층으로서 유리 필름을 사용하는 경우, 유리 필름을 덮개재의 표면에 점착층을 통해 접합해도 된다. 점착층에 사용되는 점착 재로서는, 덮개재의 표면에 원하는 강도로 접착시킬 수 있고, 후술하는 접촉부 형성 공정에서 사용되는 레이저광을 투과하는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 폴리카르보네이트계 수지, 폴리올레핀계 수지, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지 등을 들 수 있다. 또한, 점착층의 두께로서는, 덮개재와 배리어층을 충분히 접착시킬 수 있을 정도의 두께면 특별히 한정되는 것은 아니며, 구체적으로는 5㎛ 내지 50㎛의 범위 내에서 설정할 수 있다.
본 형태의 덮개재가 배리어층을 갖는 경우, 상기 배리어층은 덮개재의 한쪽 표면에 배치되어 있어도 되고, 덮개재의 양쪽 면에 배치되어 있어도 된다. 또한, 배리어층이 덮개재의 한쪽 표면에 배치되어 있는 경우에는, 상기 덮개재와 유기 EL층측 기판을 대향시킬 때 상기 덮개재에서의 배리어층이 유기 EL층측 기판측이 되도록 배치되어 있어도 되고, 유기 EL층측 기판과는 반대측이 되도록 배치되어 있어도 된다.
또한, 본 형태의 덮개재가 배리어층을 갖는 경우의 덮개재 및 배리어층의 조합으로서는, 원하는 배리어성을 발휘할 수 있으면 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, COP를 포함하는 덮개재의 표면에 배리어층이 형성된 조합, PP를 포함하는 덮개재의 표면에 배리어층이 형성된 조합, 나아가 PC를 포함하는 덮개재의 표면에 배리어층이 형성된 조합인 것이 바람직하다. 그 중에서도, COP를 포함하는 덮개재의 표면에 배리어층이 형성된 조합인 것이 바람직하다. COP를 포함하는 덮개재는 다른 재료를 포함하는 덮개재와 비교해서 레이저광에 대한 투과율이 높기 때문에, 덮개재의 표면에 배리어층이 형성된 경우라도, 접촉부 형성 공정 시에 덮개재를 통해 레이저광을 충분히 조사할 수 있기 때문이다.
(b) 제2 형태
본 형태의 덮개재는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름이다. 덮개재가 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름인 것에 의해 롤·투·롤 제조 기술로의 전개를 가능하게 하고, 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다.
이러한 본 형태의 덮개재의 두께로서는, 15㎛ 내지 200㎛의 범위 내이면 특별히 한정되는 것은 아니나, 그 중에서도 30㎛ 내지 150㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 70㎛ 내지 130㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 본 형태의 덮개재의 두께가 15㎛ 이상인 것에 의해, 덮개재의 표면에 배리어층 등을 별도로 갖지 않는 경우에도, 기체에 대하여 원하는 배리어성을 발휘할 수 있다. 이에 의해, 후술하는 접촉부 형성 공정에서, 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주 공간으로부터, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간으로 기체가 침입하는 것을 방지할 수 있는 효과가 얻어진다. 또한, 본 형태의 덮개재의 두께가 200㎛ 이하인 것에 의해, 상기 덮개재의 롤·투·롤 제조 기술로의 전개를 적합하게 하고, 제조 효율의 향상을 도모할 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 상술한 원하는 배리어성으로서는, 상기 효과가 얻어질 정도의 배리어성이면 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 산소 투과도가 100cc/㎡·day 이하인 것이 바람직하고, 그 중에서도 30cc/㎡·day 이하인 것이 바람직하고, 특히 15cc/㎡·day 이하인 것이 바람직하다.
또한, 덮개재의 편면 또는 양면에 배리어층이 형성되어 있어도 된다. 본 형태의 덮개재가 배리어층을 가짐으로써, 후술하는 접촉부 형성 공정에서, 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주 공간으로부터, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간으로 기체가 침입하는 것을 더 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 배리어층의 재료, 두께 및 형성 방법에 대해서는, 상기 「(a) 제1 형태」의 항에서 기재한 내용과 마찬가지로 할 수 있기 때문에, 여기에서의 기재는 생략한다.
(c) 제3 형태
본 형태의 덮개재는 유리 필름이다. 유리 필름이란, 가요성을 갖는 유리 기재이다. 또한, 가요성이란, 롤형으로 권취하는 것이 가능한 것을 말한다. 구체적으로는 가요성이란, JIS R1601의 파인 세라믹스 굽힘 시험 방법에서, 5KN의 힘을 가했을 때에 구부러지는 것을 가리킨다.
유리 필름에 사용되는 재료로서는, 필름 형상으로 형성 가능한 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 소다석회 유리, 무알칼리 유리 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 무색으로 투명도가 높은 무알칼리 유리가 적합하다. 접촉부 형성 공정에서 덮개재를 통해 레이저광을 조사했을 때에 레이저광이 덮개재에 흡수되는 것을 억제할 수 있기 때문이다.
유리 필름의 두께는 가요성을 만족하는 두께면 되고, 예를 들어, 5㎛ 내지 300㎛의 범위 내인 것이 바람직하다.
또한, 일반적으로 유리 필름은 배리어성이 높고, 상기 제1 형태의 수지 필름이 갖는 배리어성을 만족한다.
유리 필름의 편면 또는 양면에는 수지층이 형성되어 있어도 된다. 유리 필름의 균열을 억제할 수 있다. 수지층으로서는, 수지 기재를 사용할 수 있다. 수지 기재에 사용되는 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰(PES), 폴리이미드(PI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카르보네이트(PC), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리페닐렌술피드(PPS), 폴리에테르이미드(PEI), 셀룰로오스 트리아세테이트(CTA), 환상 폴리올레핀(COP), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리술폰(PSF), 폴리아미드이미드(PAI), 노르보르넨계 수지, 알릴 에스테르 수지 등을 들 수 있다.
수지 기재의 두께는 가요성을 갖는 덮개재를 얻을 수 있는 두께면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 3㎛ 내지 200㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 5㎛ 내지 200㎛의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.
수지 기재는 점착층을 개재하여 유리 필름에 접합할 수 있다. 또한, 점착층에 대해서는, 상기 제1 형태에 기재한 점착층과 마찬가지로 할 수 있다.
(2) 배치 공정
본 공정은 제1 압력 하에서, 상술한 덮개재를 유기 EL층측 기판에 대향시켜서, 상기 스페이서부의 정상부에 상기 덮개재가 상기 유기층을 통해 접촉하도록 배치하는 공정이다. 이때, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간은 감압 상태가 된다. 이러한 공정을 행하는 방법으로서는, 구체적으로는 다음과 같은 방법을 들 수 있다. 즉, 먼저, 제1 압력인 소정의 진공도로 설정된 진공 챔버 내에 있어서, 외주부에 밀봉제가 형성된 유기 EL층측 기판과 덮개재를 대향시켜서 배치하고, 유기 EL층측 기판과 덮개재를 접촉시키는 방법이나, 제1 압력으로 설정된 진공 챔버 내에 있어서, 지그 등을 사용해서 유기 EL층측 기판과 덮개재를 접촉시키는 방법을 들 수 있다.
지그를 사용하는 경우, 지그로서는, 유기 EL층측 기판 및 덮개재를 접촉시킬 수 있는 것이면 되고, 예를 들어, 유기 EL층측 기판 및 덮개재를 물어서 고정하는 지그여도 되고, 덮개재가 휘지 않도록 덮개재만을 물어서 고정하는 지그여도 된다.
또한, 지그는 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 밀폐 가능한 것인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 프레임형의 지그를 들 수 있다. 예를 들어, 덮개재의 양면에 프레임형의 지그를 배치하고, 덮개재의 유기 EL층측 기판의 반대측 면에 배치된 프레임형의 지그를 통해 진공 챔버의 레이저광 투과 창에 덮개재를 밀어붙임으로써, 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측의 공간을 밀폐할 수 있고, 후술하는 밀착 공정에서 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간의 압력을 조정할 수 있기 때문이다. 이 경우, 유기 EL층측 기판은 예를 들어, 상하 이동 가능한 스테이지 위에 올려놓을 수 있고, 스테이지를 상방으로 이동시켜, 프레임형의 지그로 고정된 덮개재에 유기 EL층측 기판을 접촉시킴으로써, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간을 감압 상태로 할 수 있다. 덮개재의 유기 EL층측 기판의 반대측 면에 배치하는 프레임형의 지그로서는, 예를 들어, O링을 사용해도 된다.
유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간은 제1 압력인 소정의 진공도로 된다. 구체적으로는, 후술하는 밀착 공정에서 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 제2 압력으로 조정함으로써, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간과 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간 간에 차압을 발생시켜, 상기 유기 EL층측 기판과 상기 덮개재를 충분히 밀착시킬 수 있고, 후술하는 접촉부 형성 공정에서 레이저광에 의해 제거되는 유기층의 분진이 화소 영역으로 비산하는 것을 방지할 수 있으면 특별히 한정되는 것은 아니나, 진공도 값이 가능한 한 큰 것, 즉, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 압력 값이 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 그 중에서도, 본 공정에서는, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간이 진공 공간인 것이 바람직하다. 구체적인 진공도로서는, 1×10-5Pa 내지 1×104Pa의 범위 내인 것이 바람직하고, 그 중에서도 1×10-5Pa 내지 1×103Pa의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 1×10-5Pa 내지 1×102Pa의 범위 내인 것이 바람직하다.
3. 밀착 공정
본 발명에서는, 상기 덮개재의 상기 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정해서 상기 유기 EL층측 기판 및 상기 덮개재를 밀착시키는 밀착 공정을 행한다.
이하, 구체적인 밀착 공정에 대해서 설명한다.
본 공정은 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정함으로써, 유기 EL층측 기판 및 덮개재 사이의 공간과 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측의 공간 간에 차압을 발생시켜, 유기 EL층측 기판 및 덮개재를 밀착시키는 공정이다.
덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 제2 압력으로 조정할 때에는, 적어도 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 제2 압력으로 조정하면 되고, 예를 들어, 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간만을 제2 압력으로 조정해도 되고, 덮개재 및 유기 EL층측 기판의 외주 공간을 제2 압력으로 조정해도 된다.
덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 제2 압력으로 조정하는 방법으로서는, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간과 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간 간에 차압을 발생시키고, 유기 EL층측 기판 및 덮개재를 밀착시킬 수 있는 방법이면 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 이하와 같은 방법을 들 수 있다. 즉, 진공 챔버 내에서 접촉시킨 유기 EL층측 기판 및 덮개재를 상압 공간에 노출시킴으로써 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주 공간을 상압으로 되돌리는 방법이나, 진공 챔버 내에서 유기 EL층측 기판 및 덮개재 사이의 공간을 감압 상태로 한 후에, 진공 챔버 내에 기체를 유입시켜서 가압하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 접촉시킨 유기 EL층측 기판 및 덮개재를 상압 공간에 노출시키는 방법에 의해 밀착 공정을 행하는 경우의 상기 「상압 공간」으로서는, 유기 EL 표시 장치의 열화를 억제한다는 관점에서, 예를 들어, 산소 농도 및 수분 농도가 적어도 1ppm 이하이고, 질소나 아르곤 등의 불활성 가스로 충전된 공간인 것이 바람직하다. 또한, 진공 챔버 내에 기체를 유입해서 가압할 경우에는, 진공 챔버 전체에 기체를 유입해도 되고, 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간에만 기체를 유입해도 된다. 상술한 바와 같이, 예를 들어, 프레임형의 지그를 사용한 경우에는, 덮개재의 유기 EL층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 밀폐할 수 있고, 이 공간에 기체를 유입함으로써 유기 EL층측 기판 및 덮개재를 밀착시킬 수 있다. 진공 챔버 내에 유입하는 기체로서는, 상기와 마찬가지 이유에서, 질소나 아르곤 등의 불활성 가스인 것이 바람직하다.
상기 「제2 압력」으로서는, 배치 공정에서의 제1 압력보다도 높은 압력이며, 또한 제1 압력과 제2 압력과의 차압에 의해 유기 EL층측 기판에 덮개재를 밀착시킬 수 있을 정도의 압력이면 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 제2 압력이 제1 압력보다도 100Pa 이상 높은 것이 바람직하고, 그 중에서도 1000Pa 이상 높은 것이 바람직하고, 특히 10000Pa 이상 높은 것이 바람직하다. 제2 압력과 제1 압력과의 차압이 상기 수치 이상임으로써, 유기 EL층측 기판에 덮개재를 충분히 밀착시킬 수 있다.
4. 접촉부 형성 공정
본 발명에서는, 덮개재를 통해 레이저광을 조사하여, 상기 보조 전극을 덮는 상기 유기층을 제거해서 접촉부를 형성하는 접촉부 형성 공정을 행한다.
이하, 본 공정에서 형성되는 접촉부 및 구체적인 접촉부 형성 공정에 대해서 설명한다.
(1) 접촉부
본 공정에서 형성되는 접촉부는 보조 전극과 후술하는 투명 전극층이 접촉하는 영역이다.
본 공정에서 형성되는 접촉부의 평면 형상으로서는, 후술하는 투명 전극층과 보조 전극을 전기적으로 충분히 접속할 수 있는 평면 형상이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 직사각형이나 원형 등을 들 수 있다.
또한, 상기 접촉부의 형태로서는, 후술하는 투명 전극층과 보조 전극을 전기적으로 충분히 접속할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 도 11의 (a) 내지 (c)는 본 공정에서 형성되는 접촉부의 형태를 설명하는 모식도이다. 상기 접촉부(9)의 구체적인 형태로서는, 도 11의 (a)에 도시한 바와 같이, 보조 전극(4) 상에 형성된 적어도 1층의 유기층(6a)을 스트라이프형으로 제거해서 형성된 형태여도 되고, 도 11의 (b)에 도시한 바와 같이, 보조 전극(4) 상에 형성된 적어도 1층의 유기층(6a)에 개구부를 형성해서 형성된 형태여도 되고, 도 11의 (c)에 도시한 바와 같이, 보조 전극(4) 상에 형성된 적어도 1층의 유기층(6a)에 복수의 개구부를 형성해서 형성된 형태여도 된다.
(2) 접촉부 형성 공정
본 발명에서의 접촉부 형성 공정은 덮개재를 통해 레이저광을 조사해서 보조 전극을 덮는 유기층을 제거함으로써, 상술한 접촉부를 형성하는 공정을 갖는다. 또한, 상술한 밀착 공정으로서 진공 챔버 내에 기체를 유입시켜서 압력을 조정하는 방법을 사용하는 경우에는, 예를 들어, 다음과 같은 방법에 의해 본 공정을 행할 수 있다. 즉, 유리 등의 투광성 기재로 구성되는 진공 챔버에 설치된 레이저광 투과 창 등을 통해 레이저광을 조사하여, 보조 전극을 덮는 유기층을 제거함으로써 접촉부를 형성하는 방법이다.
본 공정에 사용되는 레이저광으로서는, 덮개재를 통해 조사했을 때에 덮개재를 투과해서 보조 전극을 덮는 유기층을 제거하는 것이 가능한 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 유기층의 레이저광에 의한 제거 방법에서 일반적으로 사용되는 레이저광을 채용할 수 있다. 레이저광이 갖는 파장 영역으로서는, 본 발명에서 사용되는 덮개재를 투과하여, 유기층을 효율적으로 제거할 수 있는 파장 영역이면 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 자외선 영역인 것이 바람직하다. 구체적인 자외선 영역으로서는, 300nm 내지 400nm의 범위 내인 것이 바람직하고, 그 중에서도 320nm 내지 380nm의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 340nm 내지 360nm의 범위 내인 것이 바람직하다. 이러한 파장 영역을 갖는 레이저광으로서는, 예를 들어, YAG, YVO4 등의 고체 레이저, XeCl, XeF 등의 엑시머 레이저나 반도체 레이저 등을 들 수 있다.
또한, 레이저광은 펄스 레이저여도 되고 연속파 레이저여도 되지만, 그 중에서도, 펄스 레이저가 바람직하다. 펄스 레이저는 높은 피크값을 갖기 때문에, 보조 전극을 덮는 유기층을 효율적으로 제거할 수 있다. 한편, 고출력 때문에, 펄스 레이저에 의해 제거된 유기층은 비산하기 쉬워, 화소 영역의 오염이 광범위해질 우려가 있다. 이에 비해, 본 발명에서는 유기층의 비산을 방지할 수 있기 때문에, 펄스 레이저를 사용하는 경우에 유용하다.
펄스 레이저의 경우, 펄스 폭은 0.01나노초 내지 100나노초의 범위 내인 것이 바람직하다. 또한, 반복 주파수는 1kHz 내지 1000kHz의 범위 내인 것이 바람직하다. 출력은 유기층을 제거할 수 있으면 되고 적절히 조정된다.
5. 투명 전극층 형성 공정
본 발명에서는, 상기 보조 전극과 상기 접촉부에서 전기적으로 접속되도록, 상기 유기 EL층 및 상기 접촉부 위에 투명 전극층을 형성하는 투명 전극층 형성 공정을 행한다.
이하, 본 공정에서 형성되는 투명 전극층 및 구체적인 투명 전극층 형성 공정에 대해서 설명한다.
(1) 투명 전극층
본 공정에서의 투명 전극층은 유기 EL층측 기판 상에 형성되는 것이다.
상기 투명 전극층은 투명성 및 도전성을 갖는 것이면 되고, 예를 들어, 금속 산화물을 들 수 있다. 구체적인 금속 산화물로서는, 산화인듐 주석, 산화인듐, 산화인듐 아연, 산화아연, 및 산화 제2 주석 등을 들 수 있다. 또한, 마그네슘-은 합금, 알루미늄, 및 칼슘 등의 금속 재료에 대해서도, 광투과성을 가질 정도로 얇게 성막하는 경우에는 사용할 수 있다.
(2) 투명 전극층 형성 공정
본 발명에서의 투명 전극층 형성 공정은 상기 밀착 공정에서 유기 EL층측 기판에 밀착시킨 덮개재를 박리하여, 상기 보조 전극과 상기 접촉부에서 전기적으로 접속되도록, 상기 유기 EL층 및 상기 접촉부 위에 투명 전극층을 형성하는 공정을 갖는다. 투명 전극층의 형성 방법으로서는, 일반적인 전극의 형성 방법을 사용할 수 있고, 예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터링법, EB 증착법, 이온 플레이팅법 등의 PVD법, 또는 CVD법 등을 들 수 있다.
6. 기타 공정
본 발명에서는 상술한 공정을 가지면 특별히 한정되는 것은 아니며, 기타 공정을 가져도 된다. 기타 공정으로서는, 예를 들어, 유기 EL 표시 장치를 밀봉 기판에 의해 밀봉하는 밀봉 공정을 들 수 있다.
이하, 밀봉 기판에 대해서 설명한다.
본 발명에서의 유기 EL 표시 장치는 톱 에미션형이기 때문에, 밀봉 기판은 광투과성을 갖고 있다. 밀봉 기판의 광투과성으로서는, 가시광 영역의 파장에 대하여 투과성을 가지면 되고, 구체적으로는, 가시광 영역의 전 파장 범위에 대한 광투과율이 80% 이상인 것이 바람직하고, 그 중에서도 85% 이상, 특히 90% 이상인 것이 바람직하다.
여기서, 광투과율은 예를 들어, 시마즈 세이사꾸쇼제 자외 가시광 분광 광도계 UV-3600에 의해 측정할 수 있다.
또한, 밀봉 기판은 가요성을 가져도 되고 갖지 않아도 되며, 유기 EL 표시 장치의 용도에 따라 적절히 선택된다.
밀봉 기판의 재료로서는, 광투과성을 갖는 밀봉 기판이 얻어지는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 석영, 유리 등의 무기 재료나, 아크릴 수지, COP로 칭해지는 시클로올레핀 중합체, 폴리카르보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리페닐렌술피드, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르술폰, 폴리에테르이미드, 폴리에테르에테르케톤 등의 수지를 들 수 있다. 또한, 수지제 밀봉 기판의 표면에는 가스 배리어층이 형성되어 있어도 된다.
밀봉 기판의 두께로서는, 밀봉 기판의 재료 및 유기 EL 표시 장치의 용도에 따라 적절히 선택된다. 구체적으로, 밀봉 기판의 두께는 0.001mm 내지 5mm 정도이다.
7. 유기 EL 표시 장치
본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 유기 EL 표시 장치는 적어도 투명 전극층측에서 광을 취출하는 것이면 되고, 투명 전극층측에서 광을 취출하는 톱 에미션형이어도 되며, 투명 전극층 및 화소 전극의 양측에서 광을 취출하는 양면 발광형이어도 된다.
B. 유기 EL 표시 장치 형성용 덮개재
본 발명의 유기 EL 표시 장치 형성용 덮개재는 상술한 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 사용되는 것으로서, 산소 투과도가 100cc/㎡·day 이하인 배리어성을 갖는 수지 필름이며, 파장 영역 340nm 내지 400nm의 최소 투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 유기 EL 표시 장치 형성용 덮개재를 사용함으로써, 유기 EL 표시 장치를 상기 「A. 유기 EL 표시 장치의 제조 방법」의 항에 기재한 방법에 의해 제조할 수 있고, 표시 특성의 저하를 억제하는 것이 가능한 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다.
상기 유기 EL 표시 장치 형성용 덮개재에 대해서는, 상기 「A. 유기 EL 표시 장치의 제조 방법 2. 배치 공정 (1) 덮개재 (a) 제1 형태」의 항에 기재한 것과 마찬가지이기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다.
본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며, 마찬가지 작용 효과를 발휘하는 것은, 어느 것이라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
실시예
이하, 본 발명에 대해서 실시예를 사용해서 구체적으로 설명한다.
[실시예 1]
제1 압력 하에서 유기 EL층측 기판의 표면에 덮개재를 대향시켜서, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간을 감압 상태로 하고, 그 후, 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주 공간을 제2 압력으로 조정했을 때의, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간에서의 압력과, 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주 공간에서의 압력과의 차, 즉 양쪽 공간에서의 차압의 경시적인 변화에 대해서 시뮬레이션을 행하였다. 또한, 상기 덮개재의 조건은 하기 표 1에 나타내는 바와 같다.
또한, 질소 투과도는 통상 산소 투과도의 약 1/3인 것으로 되어 있다. 따라서, 표 1에 나타낸 질소 투과도에 대해서는, 산소 투과도의 1/3로서 산출하였다. 또한, 산소 투과도는 히타치 하이테크사제 MOCON 산소 투과도 측정 장치 OX-TRAN2/21을 사용해서 평가하였다.
(평가)
제1 압력 하에서 유기 EL층측 기판의 표면에 덮개재를 대향시켜서, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간을 감압 상태로 하고, 그 후, 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주 공간을 제2 압력으로 조정했을 때의, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간에서의 압력과, 유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주 공간에서의 압력과의 차, 즉 양쪽 공간에서의 차압의 경시적인 변화에 대해서 평가하였다. 또한, 여기에서의 차압은 하기 식(1), (2)에 의해 산출된다.
GTR=Vc/(R×T×Pu×A)×dp/dt (1)
(상기 식(1)에 있어서, GTR: 기체 투과도(mol/㎡·Pa), Vc: 저압측 용적(l), T: 시험 온도, Pu: 공급 기체의 차압(Pa), A: 투과 면적(㎡), dp/dt: 단위 시간(s)에서의 저압측의 압력 변화(Pa), R: 8.31×103(l·Pa/K·mol)임)
차압=(유기 EL층측 기판 및 덮개재의 외주 공간에서의 압력)-
(유기 EL층측 기판 및 덮개재 사이의 공간에서의 압력) (2)
평가 결과를 표 2에 나타내었다.
표 2의 결과에 나타낸 바와 같이, No. 1 내지 4에서는, 덮개재와 유기 EL층측 기판 사이의 공간을 감압 상태로 하고 나서 10분 후의 차압 저하율은 15% 이하이고, 덮개재와 유기 EL층측 기판과의 밀착성을 유지할 수 있었다. 이에 비해, No. 5 내지 8에서는, 덮개재와 유기 EL층측 기판 사이의 공간을 감압 상태로 하고 나서 10분 후의 차압 저하율은 각각 38%, 62%, 93%, 100%이며, 덮개재와 유기 EL층측 기판과의 밀착성을 유지하는 것은 곤란하였다. 이상의 점에서, 덮개재의 기체 투과도가 소정 범위인 본 발명의 덮개재를 사용함으로써, 덮개재와 유기 EL층측 기판 사이의 감압 상태를 유지할 수 있고, 덮개재와 유기 EL층측 기판과의 밀착성이 경시적으로 저하되는 것을 방지할 수 있음을 알았다.
[실시예 2]
(화소 전극 및 보조 전극 형성 공정)
막 두께 0.7mm의 무알칼리 유리를 포함하는 기판 상에, 스퍼터링법에 의해 막 두께 150nm의 크롬 막을 성막하였다. 그 후, 포토리소그래피법에 의해 화소 전극 및 보조 전극을 동시에 형성하였다.
(스페이서부 형성 공정)
이어서, 화소 전극과 보조 전극에서 접촉부를 형성하는 영역과의 사이에, 포토리소그래피법에 의해 스페이서부를 형성하였다. 또한, 스페이서부의 평면 형상은 프레임형이며, 종단면 형상은 순테이퍼형이었다. 또한, 스페이서부의 높이는 1.5㎛이었다.
(유기 EL층 형성 공정)
이어서, 화소 전극 상에 0.1㎛의 정공 주입층을 형성하고, 이어서 정공 주입층 위에 0.3㎛의 발광층을 형성하였다. 그 후, 발광층 상에 0.3㎛의 전자 수송층을 형성하고, 유기 EL층으로 하였다. 또한, 상기 유기 EL층은 화소 전극 상에 형성함과 함께, 보조 전극 상에도 형성하였다.
(시일재 형성 공정)
디스펜서를 사용하여, 상기 유기 EL층측 기판의 패턴 외주부에 시일재를 형성하였다.
(배치 공정 및 밀착 공정)
이어서, 50Pa의 진공도로 설정된 진공 챔버 내에 있어서, 상기 유기 EL층측 기판에 덮개재를 대향시켜서 유기 EL층측 기판 표면에 덮개재를 접촉시켜서, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이의 공간을 감압 상태로 하였다. 그 후, 진공 챔버 내에 질소 가스를 유입시킴으로써, 챔버 내를 상압으로 되돌려서 유기 EL층측 기판과 덮개재를 밀착시켰다. 이 때 사용한 덮개재는 표 3에 나타내는 조건을 만족한다.
또한, 표 3에서의 산소 투과율 및 질소 투과도에 대해서는 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 산출하였다.
또한, 표 3에 나타낸 최소 투과율은 파장 영역 340nm 내지 400nm에서의 측정값이며, 시마즈 세이사꾸쇼제 자외 가시광 분광 광도계 UV-3600을 사용하여 측정하였다.
또한, 표 3에서의 No. 16 내지 18은 막 두께 0.2㎛의 SiO2를 포함하는 배리어층이 표면에 형성된 덮개재를 사용한 것이다.
(접촉부 형성 공정)
이어서, 덮개재를 통해 에너지 500mJ/c㎡, 스폿 직경 10㎛φ, 파장 355nm, 펄스폭 5nsec의 YAG 레이저광을 1샷 조사하여, 보조 전극을 덮는 정공 주입층, 발광층 및 전자 수송층을 제거하고, 보조 전극을 노출시켜서 접촉부를 형성하였다.
(전자 주입층 및 투명 전극층 형성 공정)
그 후, 덮개재를 박리하여, 접촉부에서 노출된 보조 전극에 전기적으로 접속되도록 불화리튬을 막 두께 0.5nm로 되도록 진공 증착법에 의해 성막하고, 전자 주입층을 형성하였다. 이어서, 칼슘을 막 두께 10nm, 알루미늄을 막 두께 5nm로 되도록 진공 증착법에 의해 성막하고, 투명 전극층을 형성하였다.
(밀봉 공정)
상술한 바와 같이 제작한 유기 EL 표시 장치를 접착재를 도포한 밀봉 기판과 접합해 밀봉을 행하였다.
(평가)
상기 표 3에 나타내는 No. 9 내지 18의 덮개재를 사용해서 덮개재와 유기 EL층측 기판 사이의 공간을 감압 상태로 해서 유기 EL층측 기판 및 덮개재를 밀착시키고, 그 후, 소정 시간을 두어, 덮개재를 통해 레이저광에 의해 보조 전극 상에 형성된 유기층을 제거하여, 이때의 화소 영역에서의 유기 EL층 표면으로의 유기층의 비산 유무에 대해서 관찰하였다. 또한, 감압 상태로 하고 나서 레이저광을 조사할 때까지의 간격을 1시간 이상으로 했을 경우에, 화소 영역에서의 유기 EL층 표면으로의 유기층의 비산을 방지할 수 있으면 「A」, 또한, 감압 상태로 하고 나서 레이저광을 조사할 때까지의 간격을 10분 이내로 했을 경우에, 화소 영역에서의 유기 EL층 표면으로의 유기층의 비산을 방지할 수 있으면 「B」, 또한, 감압 상태로 하고 나서 레이저광을 조사할 때까지의 간격을 10분 이내로 했을 경우에, 화소 영역에서의 유기 EL층 표면으로의 유기층의 비산을 방지할 수 없으면 「C」로 평가하였다.
평가 결과를 표 4에 나타내었다.
산소 투과도 및 질소 투과도가 모두 200cc/㎡·day 이상인 No. 9 내지 11의 덮개재를 사용한 경우에는, 감압 상태로 하고 나서 레이저광을 조사할 때까지의 간격을 10분 이내로 했을 경우에도, 제거된 유기층이 화소 영역으로 비산해버린다. 이상의 관점에서, 산소 투과도 및 질소 투과도가 소정 범위 이상인 것에 의해, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 감압 상태를 유지하는 것이 곤란해지고, 유기 EL층측 기판과 덮개재를 충분히 밀착시킬 수 없음을 알았다.
이에 비해, 산소 투과도가 100cc/㎡·day이며 질소 투과도가 33cc/㎡·day인 No. 12의 덮개재를 사용한 경우에는, 감압 상태로 한 후 10분 이내에 레이저광을 조사해서 보조 전극 상의 유기층을 제거함으로써, 제거된 유기층이 화소 영역으로 비산하는 것을 방지할 수 있었다. 또한, 산소 투과도가 27.8cc/㎡·day 이하이며 질소 투과도가 9.3cc/㎡·day 이하인 No. 13 내지 18의 덮개재를 사용한 경우에는, 감압 상태로 하고 나서 1시간 이상이 경과한 후에 레이저광을 조사해서 보조 전극 상의 유기층을 제거해도, 제거된 유기층이 화소 영역으로 비산하는 것을 방지할 수 있었다. 이상의 점에서, 산소 투과도 및 질소 투과도가 소정 범위 이하인 것에 의해, 유기 EL층측 기판과 덮개재 사이에 있는 공간의 감압 상태를 유지하고, 유기 EL층측 기판과 덮개재를 충분히 밀착시킬 수 있음을 알았다.
[실시예 3]
하기에 나타내는 바와 같이 유기 EL층 형성 공정을 행한 것 외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 유기 EL 표시 장치를 제작하였다.
(유기 EL층 형성 공정)
이어서, 화소 전극 상에 0.1㎛가 되도록 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성하고, 이어서 정공 수송층 위에 0.02㎛의 발광층을 형성하였다. 그 후, 발광층 상에 0.03㎛의 전자 수송층을 형성하고, 유기 EL층으로 하였다. 또한, 상기 유기 EL층은 화소 전극 상에 형성함과 함께, 보조 전극 상에도 형성하였다.
(평가)
실시예 2와 마찬가지 결과가 얻어졌다.
1 유기 EL층측 기판
2 기판
3 화소 전극
4 보조 전극
5 스페이서부
6 유기 EL층
7 투명 전극층
8 덮개재
9 접촉부
10 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치
11 받침대부
12 밀착부
2 기판
3 화소 전극
4 보조 전극
5 스페이서부
6 유기 EL층
7 투명 전극층
8 덮개재
9 접촉부
10 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치
11 받침대부
12 밀착부
Claims (6)
- 기판과, 상기 기판 상에 형성된 복수의 화소 전극과, 상기 화소 전극 사이에 형성된 보조 전극과, 상기 기판 상에 형성된 스페이서부와, 상기 화소 전극 상에 형성되고, 복수의 유기층으로 구성되어 있고, 적어도 발광층을 갖는 유기 일렉트로루미네센스층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 적어도 1층의 상기 유기층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층의 개구부인 접촉부와, 상기 유기 일렉트로루미네센스층 및 상기 접촉부 상에 형성된 투명 전극층을 갖고, 상기 스페이서부는 상기 접촉부 및 상기 접촉부에 인접하는 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있고, 또한 상기 투명 전극층은 상기 보조 전극과 상기 접촉부에서 전기적으로 접속되어 있는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치를 제조하는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치의 제조 방법이며,
상기 기판, 상기 화소 전극, 상기 보조 전극, 상기 스페이서부, 및 상기 유기 일렉트로루미네센스층을 갖고, 상기 보조 전극 상의 전체 면에 적어도 1층의 상기 유기층이 형성된 유기 일렉트로루미네센스층측 기판을 준비하는 유기 일렉트로루미네센스층측 기판 준비 공정과,
제1 압력 하에서, 상기 유기 일렉트로루미네센스층측 기판 준비 공정에서 얻어진 상기 유기 일렉트로루미네센스층측 기판에 덮개재를 대향시켜, 상기 스페이서부의 정상부에 상기 덮개재가 상기 유기층을 통해 접촉하도록 배치하는 배치 공정과,
상기 덮개재의 상기 유기 일렉트로루미네센스층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정해서 상기 유기 일렉트로루미네센스층측 기판 및 상기 덮개재를 밀착시키는 밀착 공정과,
상기 덮개재를 통해 레이저광을 조사하여, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층을 제거해서 상기 접촉부를 형성하는 접촉부 형성 공정을 갖고,
상기 덮개재는 산소 투과도가 100cc/㎡·day 이하인 배리어성을 갖는 수지 필름인 것을 특징으로 하는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 덮개재의, 파장 영역 340nm 내지 400nm에서의 최소 투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치의 제조 방법. - 기판과, 상기 기판 상에 형성된 복수의 화소 전극과, 상기 화소 전극 사이에 형성된 보조 전극과, 상기 기판 상에 형성된 스페이서부와, 상기 화소 전극 상에 형성되고, 복수의 유기층으로 구성되어 있고, 적어도 발광층을 갖는 유기 일렉트로루미네센스층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 적어도 1층의 상기 유기층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층의 개구부인 접촉부와, 상기 유기 일렉트로루미네센스층 및 상기 접촉부 상에 형성된 투명 전극층을 갖고, 상기 스페이서부는 상기 접촉부 및 상기 접촉부에 인접하는 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있고, 또한 상기 투명 전극층은 상기 보조 전극과 상기 접촉부에서 전기적으로 접속되어 있는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치를 제조하는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치의 제조 방법이며,
상기 기판, 상기 화소 전극, 상기 보조 전극, 상기 스페이서부, 및 상기 유기 일렉트로루미네센스층을 갖고, 상기 보조 전극 상의 전체 면에 적어도 1층의 상기 유기층이 형성된 유기 일렉트로루미네센스층측 기판을 준비하는 유기 일렉트로루미네센스층측 기판 준비 공정과,
제1 압력 하에서, 상기 유기 일렉트로루미네센스층측 기판 준비 공정에서 얻어진 상기 유기 일렉트로루미네센스층측 기판에 덮개재를 대향시켜, 상기 스페이서부의 정상부에 상기 덮개재가 상기 유기층을 통해 접촉하도록 배치하는 배치 공정과,
상기 덮개재의 상기 유기 일렉트로루미네센스층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정해서 상기 유기 일렉트로루미네센스층측 기판 및 상기 덮개재를 밀착시키는 밀착 공정과,
상기 덮개재를 통해 레이저광을 조사하여, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층을 제거해서 상기 접촉부를 형성하는 접촉부 형성 공정을 갖고,
상기 덮개재가, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름인 것을 특징으로 하는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치의 제조 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 덮개재가 배리어층을 갖는 것을 특징으로 하는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치의 제조 방법. - 기판과, 상기 기판 상에 형성된 복수의 화소 전극과, 상기 화소 전극 사이에 형성된 보조 전극과, 상기 기판 상에 형성된 스페이서부와, 상기 화소 전극 상에 형성되고, 복수의 유기층으로 구성되어 있고, 적어도 발광층을 갖는 유기 일렉트로루미네센스층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 적어도 1층의 상기 유기층과, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층의 개구부인 접촉부와, 상기 유기 일렉트로루미네센스층 및 상기 접촉부 상에 형성된 투명 전극층을 갖고, 상기 스페이서부는 상기 접촉부 및 상기 접촉부에 인접하는 상기 화소 전극 사이에 형성되어 있고, 또한 상기 투명 전극층은 상기 보조 전극과 상기 접촉부에서 전기적으로 접속되어 있는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치를 제조하는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치의 제조 방법이며,
상기 기판, 상기 화소 전극, 상기 보조 전극, 상기 스페이서부, 및 상기 유기 일렉트로루미네센스층을 갖고, 상기 보조 전극 상의 전체 면에 적어도 1층의 상기 유기층이 형성된 유기 일렉트로루미네센스층측 기판을 준비하는 유기 일렉트로루미네센스층측 기판 준비 공정과,
제1 압력 하에서, 상기 유기 일렉트로루미네센스층측 기판 준비 공정에서 얻어진 상기 유기 일렉트로루미네센스층측 기판에 덮개재를 대향시켜, 상기 스페이서부의 정상부에 상기 덮개재가 상기 유기층을 통해 접촉하도록 배치하는 배치 공정과,
상기 덮개재의 상기 유기 일렉트로루미네센스층측 기판과는 반대측에 있는 공간을 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 조정해서 상기 유기 일렉트로루미네센스층측 기판 및 상기 덮개재를 밀착시키는 밀착 공정과,
상기 덮개재를 통해 레이저광을 조사하여, 상기 보조 전극 상에 형성된 상기 유기층을 제거해서 상기 접촉부를 형성하는 접촉부 형성 공정을 갖고,
상기 덮개재가 유리 필름인 것을 특징으로 하는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치의 제조 방법. - 제2항에 따른 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치의 제조 방법에 사용되는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 형성용 덮개재이며,
산소 투과도가 100cc/㎡·day 이하인 배리어성을 갖는 수지 필름이고, 파장 영역 340nm 내지 400nm의 최소 투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 형성용 덮개재.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2013-179677 | 2013-08-30 | ||
| JP2013179677 | 2013-08-30 | ||
| JPJP-P-2014-172895 | 2014-08-27 | ||
| JP2014172895A JP5804162B2 (ja) | 2013-08-30 | 2014-08-27 | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用蓋材 |
| PCT/JP2014/072598 WO2015030123A1 (ja) | 2013-08-30 | 2014-08-28 | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、およびトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用蓋材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160047477A true KR20160047477A (ko) | 2016-05-02 |
| KR102152743B1 KR102152743B1 (ko) | 2020-09-07 |
Family
ID=52586671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167004682A KR102152743B1 (ko) | 2013-08-30 | 2014-08-28 | 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치의 제조 방법, 및 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 형성용 덮개재 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9577210B2 (ko) |
| JP (1) | JP5804162B2 (ko) |
| KR (1) | KR102152743B1 (ko) |
| CN (1) | CN105519237B (ko) |
| WO (1) | WO2015030123A1 (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5787015B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2015-09-30 | 大日本印刷株式会社 | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
| JP6722980B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2020-07-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および発光装置、並びに電子機器 |
| JP6834609B2 (ja) * | 2017-03-07 | 2021-02-24 | デクセリアルズ株式会社 | 画像表示装置の製造方法 |
| KR102370355B1 (ko) * | 2017-03-09 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| CN107579165B (zh) * | 2017-08-30 | 2024-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种封装基板及其制作方法、显示面板及显示装置 |
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| JP4959119B2 (ja) | 2003-06-16 | 2012-06-20 | グローバル オーエルイーディー テクノロジー リミティド ライアビリティ カンパニー | 上面発光型ｏｌｅｄデバイスの製造方法 |
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| JP2012028638A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンス装置および有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
-
2014
- 2014-08-27 JP JP2014172895A patent/JP5804162B2/ja active Active
- 2014-08-28 CN CN201480046866.4A patent/CN105519237B/zh active Active
- 2014-08-28 KR KR1020167004682A patent/KR102152743B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-28 US US14/914,217 patent/US9577210B2/en active Active
- 2014-08-28 WO PCT/JP2014/072598 patent/WO2015030123A1/ja active Application Filing
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| JP4340982B2 (ja) | 2007-05-18 | 2009-10-07 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
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| WO2012081625A1 (ja) * | 2010-12-18 | 2012-06-21 | 株式会社カネカ | 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造装置、光電変換装置の製造方法及び光電変換装置の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9577210B2 (en) | 2017-02-21 |
| JP2015065160A (ja) | 2015-04-09 |
| US20160204389A1 (en) | 2016-07-14 |
| JP5804162B2 (ja) | 2015-11-04 |
| CN105519237B (zh) | 2018-05-18 |
| WO2015030123A1 (ja) | 2015-03-05 |
| CN105519237A (zh) | 2016-04-20 |
| KR102152743B1 (ko) | 2020-09-07 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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