CN105519237B - 顶部发射型有机电致发光显示装置的制造方法和顶部发射型有机电致发光显示装置形成用盖材 - Google Patents

顶部发射型有机电致发光显示装置的制造方法和顶部发射型有机电致发光显示装置形成用盖材 Download PDF

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Abstract

本发明的主要目的在于提供一种顶部发射型有机电致发光显示装置的制造方法，其使用树脂膜等具有挠性的盖材，使有机EL层侧基板与盖材之间的空间为减压状态，然后，调节盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间的压力从而使有机EL层侧基板与盖材密合，此时保持上述有机EL层侧基板与盖材之间的空间的减压状态而维持有机EL层侧基板与盖材的密合性，防止利用激光除去的辅助电极上的有机层向像素区域飞散，能够抑制显示特性下降。在如上所述的顶部发射型有机电致发光显示装置的制造方法中，使用具有透氧率为100cc/m2·天以下的阻隔性的树脂膜作为盖材。

Description

顶部发射型有机电致发光显示装置的制造方法和顶部发射型 有机电致发光显示装置形成用盖材
技术领域
本发明涉及具有辅助电极的顶部发射型有机电致发光显示装置的制造方法。
背景技术
有机电致发光元件的如下优点受到关注：因自发色而可视性高、与液晶显示装置不同而为全固态显示器因而耐冲击性优异、响应速度快、因温度变化导致的影响少以及视场角宽广等。需要说明的是，下文有时将有机电致发光缩写为有机EL。
有机EL元件的构成以在阳极与阴极之间夹持有机EL层而成的层叠结构为基本。在具有这样的有机EL元件的有机EL显示装置的驱动方式中存在无源矩阵驱动和有源矩阵驱动，但在制造大型显示器时，从能够利用低电压进行驱动的观点出发，有源矩阵驱动是有利的。需要说明的是，有源矩阵驱动是指在形成了有机EL元件的基板上形成TFT等电路并通过上述TFT等电路进行驱动的方式。
在这样的有机EL显示装置中存在有从形成了有机EL元件的基板侧提取光的底部发射型和从与形成了有机EL元件的基板相反侧提取光的顶部发射型。在此，有源矩阵驱动的有机EL显示装置的情况下，对于底部发射型而言存在有如下问题：开口率因在作为光的提取面的基板上形成的TFT等电路而受到限制，光提取效率降低。与此相对，对于顶部发射型而言，由于从与基板相反侧的面提取光，因此与底部发射型相比可以得到优异的光提取效率。需要说明的是，在顶部发射型的情况下，使用透明电极层作为成为光提取面的侧的电极层。
然而，与由Al、Cu等金属构成的电极层相比，一般的透明电极层的电阻较大。因此，对于具有透明电极层的有机EL显示装置而言存在如下问题：因透明电极层的电阻而产生电压下降，结果是有机EL层的亮度的均匀性下降、即产生所谓的亮度不均。另外，透明电极层的面积越大则其电阻越大，因此上述亮度不均的问题在制造大型显示器的情况下变得明显。
对于上述课题，已知有如下方法：形成电阻值低的辅助电极，将其与透明电极层电连接由此来抑制电压下降。在此，辅助电极通常是成膜出金属层后通过湿法工艺实施蚀刻处理而形成为图案状。因此，对于顶部发射型有机EL显示装置而言，在形成有机EL层后形成辅助电极的情况下，存在因形成辅助电极时所使用的蚀刻液而侵蚀有机EL层这样的问题。因此，如专利文献1～3所述，已知有在形成有机EL层之前形成辅助电极的方法。
但是，如果在形成有机EL层之前形成辅助电极，则在整个面上形成有机EL层的情况下或者在整个面上形成构成有机EL层的至少一层有机层的情况下，变成在辅助电极上形成有机EL层或至少一层有机层。因此，存在如下问题：辅助电极与透明电极层的电连接会因辅助电极上的有机EL层或有机层而受到妨碍。
因此，在专利文献1中提出了如下方法：通过激光除去辅助电极上的有机EL层，制作出辅助电极与透明电极层电连接的有机EL显示装置。但是，这种情况下存在如下问题：通过激光除去的有机EL层飞散而污染有机EL显示装置中的像素区域，显示特性下降。
另外，作为解决上述问题的方法，例如在专利文献2中提出如下方法：在利用激光除去有机EL层之前，在被有机EL层包覆的辅助电极整个面上形成具有透光性的第一电极，然后隔着第一电极通过激光除去有机EL层，最后形成第二电极。但是，这种情况下，虽然能够抑制上述显示特性下降，但由于形成第一电极和第二电极作为透明电极层，因此存在制造工序增加这样的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4959119号
专利文献2：日本特表2010-538440号公报
专利文献3：日本专利第4340982号
发明内容
发明所要解决的问题
另外，在专利文献3中，作为防止利用激光除去的有机层污染显示装置的方法，公开了如下所述的有机EL显示装置的制造方法。即为如下所述的方法：如图12的(a)所示，在基板20上形成像素电极30和辅助电极40，在上述像素电极30与上述辅助电极40之间形成间壁50后，如图12的(b)所示，形成有机EL层60从而形成有机EL层侧基板100’。接着，如图12的(c)所示，在减压下，使由玻璃基板、树脂膜而成的盖材80与有机EL层侧基板100’相对置，盖材80以相接触的方式配置于间壁50的顶部，使有机EL层侧基板100’和盖材80之间的空间V为减压状态。然后，对有机EL层侧基板100’和盖材80的外周的空间加压，由此使盖材80与有机EL层侧基板100’密合。接着，利用激光L除去辅助电极40上的有机EL层60，如图12的(d)所示，将盖材80剥离。最后，如图12的(e)所示，在有机EL层侧基板上形成透明电极层70，由此制作出辅助电极40与透明电极层70电连接的有机EL显示装置100。可是，通过上述方法制造有机EL显示装置时如果使用由玻璃基板而成的盖材，则存在难以向卷对卷制造技术扩展这样的问题。因此，从提高制造效率的观点出发，认为使用树脂膜等具有挠性的盖材是有利的。
因此，本发明人对如下方法进行了研究，所述方法为：使用树脂膜等具有挠性的盖材，在减压下使有机EL层侧基板和盖材接触后使有机EL层侧基板和盖材之间的空间为减压状态，接着对有机EL层侧基板和盖材的外周的空间进行加压由此使有机EL层侧基板与盖材密合，然后隔着盖材照射激光从而除去辅助电极上的有机层。其结果本发明人发现如下所述的新课题。即了解到：在减压下使由树脂膜而成的盖材与有机EL层侧基板接触后使有机EL层侧基板与盖材之间的空间为减压状态，然后对有机EL层侧基板和盖材的外周的空间进行加压时，有机EL层侧基板与盖材之间的空间的真空度随着时间的推移而降低。认为这是由于气体从有机EL层侧基板和盖材的外周的空间侵入到有机EL层侧基板与盖材之间的空间。另外，有机EL层侧基板与盖材之间的空间非常狭窄，因此即使仅略有气体侵入则真空度显著降低。在此，有机EL层侧基板与盖材的密合性随着有机EL层侧基板和盖材之间的空间的压力与有机EL层侧基板和盖材的外周的空间的压力之差增大而增大。因此，有机EL层侧基板与盖材之间的空间的真空度下降时，有机EL层侧基板和盖材之间的空间的压力与有机EL层侧基板和盖材的外周的空间的压力之差缩小，有机EL层侧基板与盖材的密合性减弱。其结果是存在如下问题：通过激光除去有机层时，有机EL层侧基板与盖材的接触面处的密合性无法维持，难以充分防止利用激光除去的有机层分散在像素区域中。
本发明是鉴于上述实际情况而完成的，其目的在于提供一种顶部发射型有机EL显示装置的制造方法，其中，使用树脂膜等具有挠性的盖材，使有机EL层侧基板与盖材之间的空间为减压状态，然后，调节盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间的压力从而使有机EL层侧基板与盖材密合，此时保持上述有机EL层侧基板与盖材之间的空间的减压状态而维持有机EL层侧基板与盖材的密合性，防止利用激光除去的辅助电极上的有机层向像素区域飞散，能够抑制显示特性下降。
用于解决问题的方法
为了实现上述目的，本发明提供一种顶部发射型有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，其制造如下所述的顶部发射型有机EL显示装置，该顶部发射型有机EL显示装置具有：基板、在上述基板上形成的多个像素电极、在上述像素电极之间形成的辅助电极、在上述基板上形成的间隔部、在上述像素电极上形成的包含多个有机层的至少具有发光层的有机EL层、在上述辅助电极上形成的至少一层的上述有机层、在上述辅助电极上形成的作为上述有机层的开口部的接触部和在上述有机EL层及上述接触部上形成的透明电极层，上述间隔部形成于上述接触部和与上述接触部相邻的上述像素电极之间，另外，上述透明电极层通过上述接触部而与上述辅助电极电连接，该制造方法具有：有机EL层侧基板准备工序，准备具有上述基板、上述像素电极、上述辅助电极、上述间隔部和上述有机EL层并且在上述辅助电极上的整个面上形成至少一层的上述有机层的有机EL层侧基板；配置工序，在第一压力下，使盖材与上述有机EL层侧基板准备工序中得到的上述有机EL层侧基板相对置，上述盖材隔着上述有机层以相接触的方式配置于上述间隔部的顶部；密合工序，将上述盖材的与上述有机EL层侧基板相反侧的空间调节成比上述第一压力高的第二压力从而使上述有机EL层侧基板和上述盖材密合；和接触部形成工序，隔着上述盖材照射激光，除去在上述辅助电极上形成的上述有机层从而形成上述接触部，另外，上述盖材是具有透氧率为100cc/m2·天以下的阻隔性的树脂膜。
根据本发明，在配置工序中使用的盖材是具有透氧率为100cc/m2·天以下的阻隔性的树脂膜，由此能够保持有机EL层侧基板与盖材之间的空间的减压状态。因此，可以得到如下顶部发射型有机EL显示装置，其在接触部形成工序中即使在隔着盖材对辅助电极上的有机层照射激光时也能够维持有机EL层侧基板与盖材的密合性、能够充分地防止利用激光除去的有机层向形成有像素电极的像素区域飞散、能够抑制显示特性下降。另外，在本发明中使用的盖材为树脂膜，由此能够向卷对卷制造技术扩展，因此可以实现制造效率的提高。
在本发明中，优选上述盖材的波长区域340nm～400nm下的最小透射率为70％以上。通过使上述盖材的波长区域340nm～400nm下的最小透射率为70％以上，由此在接触部形成工序中隔着盖材对有机层照射激光时能够防止激光被盖材吸收，能够可靠地除去有机层而形成接触部。由此，在接触部处使透明电极层与辅助电极充分连接从而能够抑制因电压下降所引起的亮度不均的发生。
本发明提供一种顶部发射型有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，其制造如下所述的顶部发射型有机EL显示装置，该顶部发射型有机EL显示装置具有：基板、在上述基板上形成的多个像素电极、在上述像素电极之间形成的辅助电极、在上述基板上形成的间隔部、在上述像素电极上形成的包含多个有机层的至少具有发光层的有机EL层、在上述辅助电极上形成的至少一层的上述有机层、在上述辅助电极上形成的作为上述有机层的开口部的接触部和在上述有机EL层及上述接触部上形成的透明电极层，上述间隔部形成于上述接触部和与上述接触部相邻的上述像素电极之间，另外，上述透明电极层通过上述接触部而与上述辅助电极电连接，该制造方法具有：有机EL层侧基板准备工序，准备具有上述基板、上述像素电极、上述辅助电极、上述间隔部和上述有机EL层并且在上述辅助电极上的整个面上形成至少一层的上述有机层的有机EL层侧基板；配置工序，在第一压力下，使盖材与上述有机EL层侧基板准备工序中得到的上述有机EL层侧基板相对置，上述盖材隔着上述有机层以相接触的方式配置于上述间隔部的顶部；密合工序，将上述盖材的与上述有机EL层侧基板相反侧的空间调节成比上述第一压力高的第二压力从而使上述有机EL层侧基板和上述盖材密合；和接触部形成工序，隔着上述盖材照射激光，除去在上述辅助电极上形成的上述有机层从而形成上述接触部，另外，上述盖材为聚对苯二甲酸乙二酯膜。
根据本发明，在配置工序中使用的盖材包含聚对苯二甲酸乙二酯，由此能够保持有机EL层侧基板与盖材之间的空间的减压状态。因此，可以得到如下顶部发射型有机EL显示装置，其在接触部形成工序中即使在隔着盖材对辅助电极上的有机层照射激光时也能够维持有机EL层侧基板与盖材的密合性、能够充分地防止利用激光除去的有机层向形成像素电极的像素区域飞散、能够抑制显示特性下降。另外，在本发明中使用的盖材包含聚对苯二甲酸乙二酯，由此在接触部形成工序中隔着盖材对有机层照射激光时能够防止激光被盖材吸收，因此能够可靠地除去有机层从而形成接触部。由此，在接触部处使透明电极层与辅助电极充分连接从而能够抑制因电压下降引起的亮度不均的发生。此外，能够向卷对卷制造技术扩展，因此可以实现制造效率的提高。
在本发明中，优选上述盖材具有阻隔层。在本发明中使用的盖材具有阻隔层，由此能够更有效地保持有机EL层侧基板与盖材之间的空间的减压状态。由此，在接触部形成工序中，即使在隔着盖材对辅助电极上的有机层照射激光时也能够充分地维持有机EL层侧基板与盖材的密合性。因此，可以得到能够可靠地防止利用激光除去的有机层向形成有像素电极的像素区域飞散、能够抑制显示特性下降的顶部发射型有机EL显示装置。
本发明提供一种顶部发射型有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，其制造如下所述的顶部发射型有机EL显示装置，该顶部发射型有机EL显示装置具有：基板、在上述基板上形成的多个像素电极、在上述像素电极之间形成的辅助电极、在上述基板上形成的间隔部、在上述像素电极上形成的包含多个有机层的至少具有发光层的有机EL层、在上述辅助电极上形成的至少一层的上述有机层、在上述辅助电极上形成的作为上述有机层的开口部的接触部和在上述有机EL层及上述接触部上形成的透明电极层，上述间隔部形成于上述接触部和与上述接触部相邻的上述像素电极之间，另外，上述透明电极层通过上述接触部而与上述辅助电极电连接，该制造方法具有：有机EL层侧基板准备工序，准备具有上述基板、上述像素电极、上述辅助电极、上述间隔部和上述有机EL层并且在上述辅助电极上的整个面上形成至少一层的上述有机层的有机EL层侧基板；配置工序，在第一压力下，使盖材与上述有机EL层侧基板准备工序中得到的上述有机EL层侧基板相对置，上述盖材隔着上述有机层以相接触的方式配置于上述间隔部的顶部；密合工序，将上述盖材的与上述有机EL层侧基板相反侧的空间调节成比上述第一压力高的第二压力从而使上述有机EL层侧基板和上述盖材密合；和接触部形成工序，隔着上述盖材照射激光，除去在上述辅助电极上形成的上述有机层从而形成上述接触部，另外，上述盖材为玻璃膜。
根据本发明，在配置工序中使用的盖材为玻璃膜，由此能够保持有机EL层侧基板与盖材之间的空间的减压状态。因此，可以得到如下顶部发射型有机EL显示装置，其在接触部形成工序中即使在隔着盖材对辅助电极上的有机层照射激光时也能够维持有机EL层侧基板与盖材的密合性、能够充分地防止利用激光除去的有机层向形成有像素电极的像素区域飞散、能够抑制显示特性下降。另外，盖材为玻璃膜，由此能够向卷对卷制造技术扩展，因此可以实现制造效率的提高。
本发明提供一种顶部发射型有机EL显示装置形成用盖材，其特征在于，其用于上述顶部发射型有机EL显示装置的制造方法中，该盖材是具有透氧率为100cc/m2·天以下的阻隔性的树脂膜，波长区域340nm～400nm下的最小透射率为70％以上。
本发明使盖材为具有透氧率为100cc/m2·天以下的阻隔性的树脂膜并且波长区域340nm～400nm下的最小透射率为70％以上，由此能够通过上述制造方法制造顶部发射型有机EL显示装置，可以得到能够抑制显示特性下降的顶部发射型有机EL显示装置。
发明效果
在本发明中，发挥了可以得到如下顶部发射型有机EL显示装置这样的效果，该顶部发射型有机EL显示装置能够保持有机EL层侧基板与树脂膜等具有挠性的盖材之间的空间的减压状态、能够防止利用激光除去的辅助电极上的有机层向像素区域飞散、能够抑制显示特性下降。
附图说明
图1是表示本发明的顶部发射型有机EL显示装置的制造方法的一个示例的工序图。
图2是表示本发明的顶部发射型有机EL显示装置的制造方法的其它示例的工序图。
图3是对本发明的顶部发射型有机EL显示装置的制造方法进行说明的示意图。
图4是表示盖材的透气率的曲线图。
图5是对本发明中的间隔部进行说明的示意图。
图6是表示本发明中的间隔部形成工序和绝缘层形成工序的一个示例的示意图。
图7是表示本发明中的间隔部的形成方式的一个示例的示意图。
图8是表示本发明中的间隔部的形成方式的其它示例的示意图。
图9是表示本发明中的间隔部的形成方式的其它示例的示意图。
图10是对本发明中的间隔部进行说明的示意图。
图11是对本发明中的接触部进行说明的示意图。
图12是表示现有的顶部发射型有机EL显示装置的制造方法的一个示例的工序图。
具体实施方式
下面，对本发明的顶部发射型有机EL显示装置的制造方法和顶部发射型有机EL显示装置形成用盖材详细地进行说明。需要说明的是，下文中，有时将顶部发射型有机EL显示装置缩写为有机EL显示装置。
A.有机EL显示装置的制造方法
本发明的有机EL显示装置的制造方法根据盖材而具有三种实施方式。
本发明的有机EL显示装置的制造方法的第一实施方式，其特征在于，其制造如下所述的有机EL显示装置，该有机EL显示装置具有：基板、在上述基板上形成的多个像素电极、在上述像素电极之间形成的辅助电极、在上述基板上形成的间隔部、在上述像素电极上形成的包含多个有机层的至少具有发光层的有机EL层、在上述辅助电极上形成的至少一层的上述有机层、在上述辅助电极上形成的作为上述有机层的开口部的接触部和在上述有机EL层及上述接触部上形成的透明电极层，上述间隔部形成于上述接触部和与上述接触部相邻的上述像素电极之间，另外，上述透明电极层通过上述接触部而与上述辅助电极电连接，该方法具有：有机EL层侧基板准备工序，准备具有上述基板、上述像素电极、上述辅助电极、上述间隔部和上述有机EL层并且在上述辅助电极上的整个面上形成至少一层的上述有机层的有机EL层侧基板；配置工序，在第一压力下，使盖材与上述有机EL层侧基板准备工序中得到的上述有机EL层侧基板相对置，上述盖材隔着上述有机层以相接触的方式配置于上述间隔部的顶部；密合工序，将上述盖材的与上述有机EL层侧基板相反侧的空间调节成比上述第一压力高的第二压力从而使上述有机EL层侧基板和上述盖材密合；和接触部形成工序，隔着上述盖材照射激光，除去在上述辅助电极上形成的上述有机层从而形成上述接触部，另外，上述盖材是具有透氧率为100cc/m2·天以下的阻隔性的树脂膜。
本发明的有机EL显示装置的制造方法的第二实施方式，其特征在于，其制造如下所述的有机EL显示装置，该有机EL显示装置具有：基板、在上述基板上形成的多个像素电极、在上述像素电极之间形成的辅助电极、在上述基板上形成的间隔部、在上述像素电极上形成的包含多个有机层的至少具有发光层的有机EL层、在上述辅助电极上形成的至少一层的上述有机层、在上述辅助电极上形成的作为上述有机层的开口部的接触部和在上述有机EL层及上述接触部上形成的透明电极层，上述间隔部形成于上述接触部和与上述接触部相邻的上述像素电极之间，另外，上述透明电极层通过上述接触部而与上述辅助电极电连接，该方法具有：有机EL层侧基板准备工序，准备具有上述基板、上述像素电极、上述辅助电极、上述间隔部和上述有机EL层并且在上述辅助电极上的整个面上形成至少一层的上述有机层的有机EL层侧基板；配置工序，在第一压力下，使盖材与上述有机EL层侧基板准备工序中得到的上述有机EL层侧基板相对置，上述盖材隔着上述有机层以相接触的方式配置于上述间隔部的顶部；密合工序，将上述盖材的与上述有机EL层侧基板相反侧的空间调节成比上述第一压力高的第二压力从而使上述有机EL层侧基板和上述盖材密合；和接触部形成工序，隔着上述盖材照射激光，除去在上述辅助电极上形成的上述有机层从而形成上述接触部，另外，上述盖材为聚对苯二甲酸乙二酯膜。
本发明的有机EL显示装置的制造方法的第三实施方式，其特征在于，其制造如下所述的有机EL显示装置，该有机EL显示装置具有：基板、在上述基板上形成的多个像素电极、在上述像素电极之间形成的辅助电极、在上述基板上形成的间隔部、在上述像素电极上形成的包含多个有机层的至少具有发光层的有机EL层、在上述辅助电极上形成的至少一层的上述有机层、在上述辅助电极上形成的作为上述有机层的开口部的接触部和在上述有机EL层及上述接触部上形成的透明电极层，上述间隔部形成于上述接触部和与上述接触部相邻的上述像素电极之间，另外，上述透明电极层通过上述接触部而与上述辅助电极电连接，该方法具有：有机EL层侧基板准备工序，准备具有上述基板、上述像素电极、上述辅助电极、上述间隔部和上述有机EL层并且在上述辅助电极上的整个面上形成至少一层的上述有机层的有机EL层侧基板；配置工序，在第一压力下，使盖材与上述有机EL层侧基板准备工序中得到的上述有机EL层侧基板相对置，上述盖材隔着上述有机层以相接触的方式配置于上述间隔部的顶部；密合工序，将上述盖材的与上述有机EL层侧基板相反侧的空间调节成比上述第一压力高的第二压力从而使上述有机EL层侧基板和上述盖材密合；和接触部形成工序，隔着上述盖材照射激光，除去在上述辅助电极上形成的上述有机层从而形成上述接触部，另外，上述盖材为玻璃膜。
在此，上述“第一压力”和上述“第二压力”只要第一压力为比第二压力低的压力就没有特别限定。另外，将在有机EL层侧基板的表面配置有盖材时的上述有机EL层侧基板和上述盖材之间的空间的压力调节为第一压力，进一步将上述盖材的与上述有机EL层侧基板相反侧的空间的压力调节为第二压力，只要是此时通过上述有机EL层侧基板和上述盖材之间的压力与上述盖材的与上述有机EL层侧基板相反侧的空间的压力的差压能够使上述有机EL层侧基板和上述盖材密合的程度的压力，就没有特别限定。需要说明的是，通常，上述“第一压力”是比常压低的压力，上述“第二压力”是比上述“第一压力”高的压力。另外，对于具体的上述“第一压力”和上述“第二压力”，在后述的“2.配置工序”和“3.密合工序”的顶中有记载，因此省略此处的说明。
图1的(a)～(f)是表示本发明的有机EL显示装置的制造方法的一个示例的工序图。首先，如图1的(a)所例示，进行像素电极和辅助电极形成工序，即，在基板2上形成像素电极3和辅助电极4。接着，如图1的(b)所例示，进行间隔部形成工序，即，在基板2上形成间隔部5。然后，如图1的(c)所例示，进行有机EL层形成工序，即，形成包含多个有机层且至少具有发光层的有机EL层6。如此，进行准备有机EL层侧基板1的有机EL层侧基板准备工序。接着，如图1的(d)所例示，进行配置工序，即，在第一压力下，使作为具有规定的透氧率的树脂膜的盖材8、作为聚对苯二甲酸乙二酯膜的盖材8或者作为玻璃膜的盖材8与有机EL层侧基板1相对置，上述盖材8隔着上述有机EL层6以相接触的方式配置于上述间隔部5的顶部。此时，有机EL层侧基板1和盖材8之间的空间V变成减压状态。然后，进行密合工序，即，将上述盖材8的与有机EL层侧基板1相反侧的空间P1调节成比第一压力高的第二压力从而使上述有机EL层侧基板1和上述盖材8密合。接着，进行接触部形成工序，即，隔着上述盖材8，对在辅助电极4上形成的有机EL层6照射激光L，从而除去上述辅助电极4上的上述有机EL层6，如图1的(e)所例示，使辅助电极4露出从而形成接触部9。最后，如图1的(f)所例示，进行透明电极层形成工序，即，以在接触部9处与辅助电极4电连接的方式在有机EL层侧基板上形成透明电极层7。由此，可以得到本发明中的有机EL显示装置10。
图2的(a)～(f)是表示本发明的有机EL显示装置的制造方法的其它示例的工序图。需要说明的是，图2的(a)～(c)与上述图1的(a)～(c)同样，因此省略。接着，如图2的(d)所例示，进行配置工序，即，在第一压力下，使满足规定条件的盖材8与有机EL层侧基板1相对置，上述间隔部5的顶部和上述盖材8隔着上述有机EL层6以相接触的方式配置。此时，有机EL层侧基板1和盖材8之间的空间V变成减压状态。然后，进行密合工序，即，将上述盖材8的与有机EL层侧基板1相反侧的空间P1调节为比第一压力高的第二压力从而使上述有机EL层侧基板1和上述盖材8密合。接着，进行接触部形成工序，即，从上述盖材8侧隔着具有开口部的掩模M对形成有辅助电极4的区域照射激光L，除去在辅助电极4上形成的有机EL层6，如图2的(e)所例示，使辅助电极4露出从而形成接触部9。最后，如图2的(f)所例示，进行透明电极层形成工序，即，以在接触部9处与辅助电极4电连接的方式在有机EL层侧基板上形成透明电极层7。由此，可以得到本发明中的有机EL显示装置10。
如此，在本发明中，在配置工序中使用的盖材为具有规定的透氧率的树脂膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜或玻璃膜，由此能够保持有机EL层侧基板与盖材之间的空间的减压状态。因此，即使在接触部形成工序中隔着盖材对辅助电极上的有机层照射激光时，也能够维持有机EL层侧基板与盖材的密合性，能够充分地防止利用激光除去的有机层向形成有像素电极的像素区域飞散。由此，可以得到能够抑制显示特性下降的有机EL显示装置。
对于其原因，认为如下所述。首先，如图3所例示，盖材8的与有机EL层侧基板1相反侧的空间P1的压力与有机EL层侧基板1和盖材8之间的空间V的压力之差、即差压越大，则有机EL层侧基板1与盖材8的密合性越增大。因此，在第一压力下使有机EL层侧基板1与盖材8接触，然后，将盖材8的与有机EL层侧基板1相反侧的空间P1调节为比第一压力高的第二压力，使有机EL层侧基板1和盖材8之间的空间V的压力低于盖材8的与有机EL层侧基板1相反侧的空间P1的压力，使盖材8的与有机EL层侧基板1相反侧的空间P1与有机EL层侧基板1和盖材8之间的空间V的差压增大，由此有机EL层侧基板1与盖材8的密合性增大。但是，在使用包含树脂膜的一般盖材的现有方法中，如图4的曲线图所示，盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间与有机EL层侧基板和盖材之间的空间的差压随着时间推移而降低。具体而言，现有的盖材的情况下，经过2分钟后，差压降低50％，经过10分钟后，差压消除。认为其原因是，在现有的方法中使用的盖材对气体的阻隔性低，因此气体从有机EL层侧基板和盖材的外周向有机EL层侧基板和盖材之间的空间侵入。需要说明的是，有机EL层侧基板和盖材之间的空间非常狭窄，因此即使仅略有气体侵入则真空度显著降低，盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间与有机EL层侧基板和盖材之间的空间的差压降低。另一方面，在使用了满足规定条件的盖材的本发明中，如图4的曲线图所示，能够维持盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间与有机EL层侧基板和盖材之间的空间的差压。认为其通过在本发明中使用的盖材相对于气体具有规定的阻隔性，由此能够防止气体从有机EL层侧基板和盖材的外周向有机EL层侧基板和盖材之间的空间侵入。因此，在本发明中推断出：可保持有机EL层侧基板与盖材之间的空间的减压状态，即使在接触部形成工序中隔着盖材对辅助电极上的有机层照射激光时也能够维持有机EL层侧基板与盖材的密合性。
此外，在本发明中使用的盖材为树脂膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜或玻璃膜，由此能够向卷对卷制造技术扩展。由此，能够实现有机EL显示装置的制造效率的提高。
另外，在本发明中使用的盖材为树脂膜或聚对苯二甲酸乙二酯膜的情况下，能够防止破裂，处理变得容易。
在此，本发明中的“在上述辅助电极上的整个面上形成至少一层的上述有机层”包括：例如如图1的(c)和图2的(c)所例示，构成有机EL层6的全部层以覆盖形成有像素电极3的像素区域p内和辅助电极4的方式在整个面上形成的形态；另外除此以外，假设有机EL层由空穴注入层、空穴输送层、发光层和电子注入层四层构成的情况下，上述四层中三层在像素区域内形成为图案状，其余一层以覆盖像素区域内和辅助电极的方式在整个面上形成的形态；上述四层中的两层在像素区域内以图案状形成，其余两层以覆盖像素区域内和辅助电极的方式在整个面上形成的形态；以及上述四层中一层在像素区域内以图案状形成，其余三层以覆盖像素区域内和辅助电极的方式在整个面上形成的形态等。
另外，关于本发明中的“间隔部的顶部”，例如图5所例示，在间隔部5为梯形的情况下是指间隔部5的上底面H。另外，在间隔部为梯形以外的形状的情况下是指间隔部的最上部，是指在使有机EL层侧基板与盖材接触时的间隔部中与盖材先接触的部分。
下面，对本发明的有机EL显示装置的制造方法中的各工序进行说明。
1.有机EL层侧基板准备工序
本发明为有机EL显示装置的制造方法，首先，所述有机EL显示装置在具有：基板、在上述基板上形成的多个像素电极、在上述像素电极之间形成的辅助电极、在上述基板上形成的间隔部、在上述像素电极上形成的包含多个有机层的至少具有发光层的有机EL层、在上述辅助电极上形成的至少一层的上述有机层、在上述辅助电极上形成的作为上述有机层的开口部的接触部和在上述有机EL层及上述接触部上形成的透明电极层，上述间隔部形成于上述接触部和与上述接触部相邻的上述像素电极之间、另外上述透明电极层通过上述接触部而与上述辅助电极电连接，该制造方法进行如下所述的有机EL层侧基板准备工序，即，准备具有上述基板、上述像素电极、上述辅助电极、上述间隔部和上述有机EL层的、并且在上述辅助电极上的整个面上形成至少一层的上述有机层的有机EL层侧基板。
下面，对在本工序中形成的各部件的形成工序进行说明。
(1)像素电极和辅助电极形成工序
本工序是在基板上形成像素电极和辅助电极的工序。
下面，对在本工序中使用的各部件以及具体的像素电极和辅助电极形成工序进行说明。
(a)基板
本工序中的基板对后述的像素电极、辅助电极、间隔部、有机EL层和透明电极层进行支撑。
本发明中制造的有机EL显示装置为顶部发射型，因此基板可以具有透光性也可以不具有透光性。在基板具有透光性、为透明基板的情况下，可以得到双面发光型有机EL显示装置。
另外，基板可以具有挠性也可以不具有挠性，根据有机EL显示装置的用途适当选择。作为这样的基板的材料，可以举出例如：玻璃、树脂。需要说明的是，也可以在基板的表面形成气体阻隔层。
作为基板的厚度，根据基板的材料和有机EL显示装置的用途适当选择，具体而言为0.005mm～5mm左右。
(b)像素电极
在基板上以图案状形成多个本工序中的像素电极。
像素电极可以具有透光性也可以不具有透光性，通过本发明制造的有机EL显示装置为顶部发射型，从透明电极层侧提取光，因此通常设定为不具有透光性。另外，在像素电极具有透光性、为透明电极的情况下，可以得到双面发光型有机EL显示装置。
像素电极可以为阳极和阴极中的任意一种。
像素电极为阳极的情况下，优选电阻较小，通常可以使用作为导电性材料的金属材料，但也可以使用有机化合物或无机化合物。
阳极中优选使用功函数大的导电性材料以使得空穴容易注入。可以举出例如：Au、Cr、Mo等金属；氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌、氧化铟等无机氧化物；金属掺杂的聚噻吩等导电性高分子等。这些导电性材料可以单独使用也可以组合使用两种以上。使用两种以上的情况下，可以将包含各材料的层进行层叠。
另外，像素电极为阴极的情况下，通常可以使用作为导电性材料的金属材料，但也可以使用有机化合物或无机化合物。
阴极中优选使用功函数小的导电性材料以使得电子容易注入。可以举出例如：MgAg等镁合金、AlLi、AlCa、AlMg等铝合金、Li、Cs、Ba、Sr、Ca等碱金属及碱土金属的合金等。
作为像素电极的厚度，根据从像素电极的边缘部分有无漏电流等适当调节，例如可以设定为10nm～1000nm左右、优选为20nm～500nm左右。需要说明的是，作为像素电极的厚度，可以与后述的辅助电极的厚度相同也可以不同。需要说明的是，将像素电极与后述的辅助电极一并形成的情况下，像素电极和辅助电极的厚度相等。
(c)辅助电极
本工序中的辅助电极形成于像素电极之间。
辅助电极可以具有透光性也可以不具有透光性。
辅助电极中通常使用作为导电性材料的金属材料。需要说明的是，对于用于辅助电极的材料，可以与用于上述像素电极的材料同样，因此省略此处的说明。
另外，用于辅助电极的材料可以与用于像素电极的材料相同也可以不同。其中，像素电极和辅助电极优选为相同材料。这是因为，可以将像素电极和辅助电极一并形成，能够简化制造工序。
作为辅助电极的厚度，根据从辅助电极的边缘部分有无漏电流等适当调整，例如优选为10nm～1000nm的范围内、其中优选为20nm～500nm的范围内。需要说明的是，将辅助电极与上述像素电极一并形成的情况下，像素电极和辅助电极的厚度相等。
作为在辅助电极的厚度方向上对这样的辅助电极进行观察时的形状、即平面形状，只要是能够发挥抑制因透明电极层的电阻导致的电压下降这样的辅助电极的功能的形状就没有特别限定，优选为不使有机EL显示装置的光提取效率降低这样的形状。可以举出例如：条纹状、格子状等。
(d)像素电极和辅助电极
作为相邻的像素电极和辅助电极的间隔，只要是能够形成后述的间隔部的程度就没有特别限定。具体而言，优选为1μm～50μm的范围内、其中优选为2μm～30μm的范围内。需要说明的是，相邻的像素电极和辅助电极的间隔是指图1的(a)所示的距离d。
(e)像素电极和辅助电极形成工序
本发明中的像素电极和辅助电极形成工序具有首先在基板上形成像素电极的工序。作为像素电极的形成方法，只要是能够在基板上以图案状形成像素电极的方法就没有特别限定，可以采用常规的电极的形成方法。可以举出例如：使用掩模的蒸镀法、光刻法等。另外，作为蒸镀法，可以举出例如：溅射法、真空蒸镀法等。
接着，本工序具有在像素电极之间形成辅助电极的工序。作为辅助电极的形成方法，只要是能够在基板上以图案状形成辅助电极的方法就没有特别限定，可以采用常规的电极的形成方法。对于具体的辅助电极的形成方法，可以与上述像素电极的形成方法同样，因此省略此处的说明。需要说明的是，在本工序中，优选将辅助电极与像素电极一并形成。这是因为可以简化制造工序。
(2)间隔部形成工序
本工序是在上述基板上形成间隔部的工序。
下面，对本工序中形成的间隔部以及具体的间隔部形成工序进行说明。
(a)间隔部
本工序中形成的间隔部形成于像素电极与后述的接触部之间，具有防止在后述的接触部形成工序中利用激光除去的有机层飞散这样的间隔部的功能。另外，间隔部与像素电极接触的情况下，间隔部具有作为绝缘层的功能。
需要说明的是，在间隔部具有作为绝缘层的功能的情况下，可以与形成间隔部的本工序一起同时进行形成绝缘层的绝缘层形成工序从而一并形成间隔部和绝缘层。通过将间隔部和绝缘层一并形成，由此能够实现提高制造效率。图6的(a)～(b)是表示与本工序同时进行绝缘层形成工序而一并形成间隔部和绝缘层的情况下的一个示例的示意性工序图，图6的(c)为图6的(b)的A-A线截面图。首先，如图6的(a)所例示，在基板2上形成像素电极3和框状辅助电极4。接着，如图6的(b)、(c)所例示，以像素电极3上和形成接触部9的辅助电极4上露出的方式一并形成间隔部5和绝缘层13。间隔部和绝缘层一并形成的情况下，间隔部和绝缘层由相同材料构成，另外，如图6的(b)所例示，间隔部5和绝缘层13也可以连续地形成。
在本工序中，作为在像素电极与后述的接触部之间形成的间隔部的数量，只要是能够将形成有像素电极的像素区域与接触部隔开由此充分地发挥上述间隔部的功能就没有特别限定，可以为1个也可以为2个以上。
在此，在像素电极与后述的接触部之间形成的间隔部的数量是指，在相邻的像素电极与接触部之间在长度方向上形成条纹状的间隔部，此时在像素电极与接触部之间形成的条纹的数量。因此，例如，图7的(a)、(b)中所示的间隔部5的数量为1个。需要说明的是，图7是表示在本工序中所形成的间隔部的一个示例的示意图。另外，图7的(a)为在像素电极与辅助电极之间形成间隔部时的示意性俯视图，图7的(b)为图7的(a)的B-B线截面图。对于图7中未说明的符号，与图1同样，因此省略此处的说明。
作为在本工序中形成的间隔部的平面形状，只要以将像素电极与后述的接触部隔开的方式形成就没有特别限定，例如，可以如上述图7的(a)所例示，在像素电极3与辅助电极4中的接触部9之间以条纹状形成间隔部5；也可以如图8的(a)所例示，以包围辅助电极4处的接触部9的方式以框状形成间隔部5；或者可以如图9的(a)所例示，以包围与辅助电极4处的接触部9相邻的像素电极3的方式以框状形成间隔部5。需要说明的是，图8和图9是表示本工序中形成的间隔部的其它示例的示意图。另外，图8的(a)和图9的(a)为在形成有像素电极的像素区域与辅助电极中的接触部之间形成间隔部时的示意性俯视图，图8的(b)为图8的(a)的C-C线截面图，图9的(b)为图9的(a)的D-D线截面图。对于图8和图9中未说明的符号，与图1同样，因此省略此处的说明。
另外，作为在本工序中形成的间隔部的纵截面形状，只要能够发挥上述间隔部的功能就没有特别限定。可以举出例如：正锥形形状、倒锥形形状、矩形等，其中优选为正锥形形状。这是因为，即使如图8的(a)、图9的(a)所例示以包围像素电极或辅助电极的方式形成间隔部的情况下，也能够整个面均匀地形成后述的透明电极层，可以得到充分的导通。
作为在本工序中形成的间隔部的高度，只要是在后述的配置工序中使有机EL层侧基板和盖材相对置时能够使盖材隔着有机层以相接触的方式配置于间隔部的顶部的程度就没有特别限定，具体而言，优选为0.1μm～10μm的范围内、其中优选为0.5μm～5μm的范围内、特别优选为1μm～3μm的范围内。这是因为，通过使间隔部的高度为上述范围内，能够增大在使有机EL层侧基板和盖材相对置时所形成的有机EL层侧基板与盖材之间的空间，因此即使在上述空间略有气体侵入的情况下，也能够抑制上述空间的真空度急剧下降。另外，在后述的配置工序中使盖材与有机EL层侧基板相对置接触时，能够防止盖材弯曲而与在像素电极上形成的有机EL层接触从而对有机EL显示装置的显示特性带来不良影响这样的问题。
需要说明的是，如图5所示，间隔部的高度是指从间隔部5的下底面到顶部H的高度h。
作为用于这样的间隔部的材料，只要是对由本发明得到的有机EL显示装置的特性不会带来不良影响的材料就没有特别限定，例如在间隔部与像素电极接触的情况下，作为间隔部的材料，优选使用绝缘性材料。能够防止因来自像素电极的边缘部分的漏电流导致的不良。作为具体的材料，可以举出：感光性聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂等光固化型树脂、或者热固化型树脂、以及无机材料等。
此外，在本工序中形成的间隔部可以由基底部和在基底部上形成的密合部构成。具体而言，如图10所例示，可以由在基板2上形成的基底部11和在上述基底部11上形成的密合部12构成。
通过使间隔部由基底部和密合部构成，由此间隔部的高度容易调节。例如，在基板上形成某些布线层并且在上述布线层上形成绝缘层的情况下，仅是与上述布线层的厚度对应的部分的上述绝缘层的高度提高。这种情况下，将上述绝缘层作为基底部，在作为上述基底部的绝缘层上形成密合部并将它们作为间隔部，由此，能够使由作为基底部的绝缘层和在绝缘层上形成的密合部构成的间隔部的高度容易高于在布线层上形成的绝缘层的高度。另外，在后述的配置工序中使盖材与有机EL层侧基板相对置时，可以选择性地使间隔部与盖材接触。由此，能够充分地发挥作为间隔部的上述功能。
在间隔部由基底部和密合部构成的情况下，作为基底部的大小，根据像素区域与接触部之间的大小、在基底部上形成的密合部的大小及数量适当调节。作为基底部的高度，例如优选为0.1μm～5μm的范围内、其中优选为0.5μm～3μm的范围内、特别优选为1μm～2μm的范围内。通过使基底部的高度为上述范围内，可以得到由形成基底部而带来的上述效果。
需要说明的是，如图10所示，基底部的高度是指从基底部11的下底面到顶部的高度hd。
另外，作为基底部的纵截面形状，只要能够在基底部上形成密合部就没有特别限定。可以举出例如：正锥形形状、倒锥形形状、矩形等，其中优选为正锥形形状。这是因为，即使在以包围像素电极或辅助电极的方式形成基底部和密合部的情况下，也能够整个面均匀地形成后述的透明电极层，可以得到充分的导通。
此外，作为用于基底部的材料，与上述间隔部的材料同样，因此在此省略记载。
另一方面，作为用于密合部的材料，可以与上述间隔部的材料同样，但除此以外，在上述基底部由绝缘性材料形成的情况下，也可以使用导电性材料作为密合部的材料。
对于密合部的大小和数量，可以与上述间隔部的大小和数量同样，因此省略此处的说明。
(b)间隔部形成工序
本发明中的间隔部形成工序具有在形成有像素电极的像素区域与后述的接触部之间形成间隔部的工序。作为间隔部的形成方法，可以使用层压法、光刻法、印刷法等常规方法。另外，可以举出如下方法：使用铸模等另外形成间隔部，在像素区域与接触部之间使用胶粘剂等进行贴合。
另外，在间隔部由基底部和密合部构成的情况下，本发明中的间隔部形成工序具有在形成有像素电极的像素区域与后述的接触部之间形成基底部然后在基底部上形成密合部的工序。作为基底部和密合部的形成方法，可以与上述间隔部的形成方法同样，因此省略此处的说明。需要说明的是，在基底部和密合部由相同材料构成的情况下，可以一并形成基底部和密合部。
(3)有机EL层形成工序
本工序是在上述像素电极上形成包含多个有机层的至少具有发光层的有机EL层的工序。另外，在本工序中，在有机EL层侧基板中的上述辅助电极的整个面上形成至少一层的有机层。
下面，对本工序中所形成的有机EL层以及具体的有机EL层形成工序进行说明。
(a)有机EL层
作为构成有机EL层的有机层，除了发光层以外，还可以举出：空穴注入层、空穴输送层、电子注入层、电子输送层等。
下面，对构成有机EL层的各有机层进行说明。
(i)发光层
在本工序中形成的发光层可以为单色发光层也可以为多色发光层，根据有机EL显示装置的用途适当选择。在有机EL显示装置为显示装置的情况下，通常形成多色发光层。
作为用于发光层的发光材料，只要发出荧光或磷光即可，可以举出例如：色素系材料、金属络合物系材料、高分子系材料等。需要说明的是，对于具体的色素系材料、金属络合物系材料、高分子系材料，可以与通常使用的材料同样，因此在此省略记载。
作为发光层的厚度，只要是能够提供电子和空穴再结合的场所从而表现出发光的功能的厚度就没有特别限定，例如可以设定为10nm～500nm左右。
(ii)空穴注入输送层
作为在本工序中形成的有机EL层，可以在发光层与阳极之间形成空穴注入输送层。
空穴注入输送层可以为具有空穴注入功能的空穴注入层、也可以为具有空穴输送功能的空穴输送层、还可以是使空穴注入层和空穴输送层层叠而成的层，可以具有空穴注入功能和空穴输送功能两种功能。
作为用于空穴注入输送层的材料，只要是能够向发光层注入空穴、使输送稳定化的材料就没有特别限定，可以使用一般的材料。
作为空穴注入输送层的厚度，只要是可充分地发挥空穴注入功能、空穴输送功能的厚度就没有特别限定，具体而言为0.5nm～1000nm的范围内、其中优选为10nm～500nm的范围内。
(iii)电子注入输送层
作为在本工序中形成的有机EL层，可以在发光层与阴极之间形成电子注入输送层。
电子注入输送层可以是具有电子注入功能的电子注入层、也可以是具有电子输送功能的电子输送层、还可以是使电子注入层和电子输送层层叠而成的层，可以具有电子注入功能和电子输送功能两种功能。
作为用于电子注入层的材料，只要是能够使向发光层注入电子稳定化的材料就没有特别限定，另外，作为用于电子输送层的材料，只要是能够使从阴极注入的电子向发光层输送的材料就没有特别限定。
作为用于电子注入层和电子输送层的具体的材料，可以使用一般的材料。
作为电子注入输送层的厚度，只要是可充分地发挥电子注入功能、电子输送功能的厚度就没有特别限定。
(b)有机EL层形成工序
本发明中的有机EL层形成工序具有在像素电极上形成上述有机EL层的工序。需要说明的是，在此对有机EL层为依次层叠空穴注入输送层、发光层和电子注入输送层的情况进行说明。
作为空穴注入输送层的形成方法，只要是至少能够在像素电极上形成的方法就没有特别限定，根据材料的种类等适当选择。可以举出例如：涂布使材料等溶解或分散在溶剂中而得的空穴注入输送层形成用涂布液的湿法工艺、真空蒸镀法等干法工艺等。
接着，作为发光层的形成方法，只要是能够在上述空穴注入输送层上形成的方法就没有特别限定，可以举出例如：涂布使发光材料等溶解或分散在溶剂中而得的发光层形成用涂布液的湿法工艺、真空蒸镀法等干法工艺等。其中，从对有机EL显示装置的发光效率和寿命的影响出发，优选为干法工艺。
接着，作为电子注入输送层的形成方法，只要是能够在上述发光层上形成的方法就没有特别限定，根据材料的种类等适当选择。可以举出例如：涂布使材料等溶解或分散在溶剂中而得的电子注入输送层形成用涂布液的湿法工艺、真空蒸镀法等干法工艺。
另外，在有机EL层形成工序中，在形成有机EL层的同时，以覆盖辅助电极的方式形成构成上述有机EL层的至少一层的有机层。例如，在对有机EL显示装置的每个像素分开涂布发光层的情况下，空穴注入输送层、电子注入输送层形成于像素电极上和辅助电极上，发光层在像素电极上以图案状形成。需要说明的是，有机层形成于像素电极上和辅助电极上的情况下，有机层一般连续地形成于像素电极上和辅助电极上。
需要说明的是，在本发明中，例如，可以在本工序中形成空穴注入输送层、发光层和电子输送层，然后，在后述的配置工序和接触部形成工序后形成电子注入层。这是因为，即使在配置工序和接触部形成工序后形成的电子注入层不仅在像素电极上而且还形成于辅助电极中的接触部上的情况下，电子注入层的厚度极薄时，也能够使辅助电极和通过后述的透明电极层形成工序形成的透明电极层在接触部处电连接。如此，在配置工序和接触部形成工序后形成电子注入层的情况下，能够防止因配置工序、接触部形成工序所导致的电子注入层的劣化，因此可以使用相对不稳定的氟化剂等材料作为电子注入层的材料。
2.配置工序
在本发明中，进行配置工序，即，在第一压力下，使盖材与上述有机EL层侧基板准备工序中得到的上述有机EL层侧基板相对置，上述盖材隔着上述有机层以相接触的方式配置于上述间隔部的顶部。
下面，对本工序中使用的盖材以及具体的配置工序进行说明。
(1)盖材
本工序中使用的盖材可以分成：作为具有透氧率为100cc/m2·天以下的阻隔性的树脂膜的第一方式、作为聚对苯二甲酸乙二酯膜的第二方式和作为玻璃膜的第三方式这三种方式。
下面，对于在本工序中使用的盖材，对各方式分开进行说明。
(a)第一方式
作为本方式的盖材的透氧率，为100cc/m2·天以下即可，其中优选为30cc/m2·天以下、特别优选为15cc/m2·天以下。通过使盖材的透氧率为上述范围内，可以制成具有期望的阻隔性的盖材，因此在后述的接触部形成工序时，可以防止气体从盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间向有机EL层侧基板与盖材之间的空间侵入。由此，可保持有机EL层侧基板与盖材之间的空间的减压状态，在接触部形成工序中隔着盖材对辅助电极上的有机层照射激光时也能够维持有机EL层侧基板与盖材的密合性。
需要说明的是，对于此处的透氧率，可以使用下述式(I)求出。
GTR＝Vc/(R×T×Pu×A)×dp/dt (I)
GTR：透气率(mol/m2·Pa)
Vc：低压侧容积(1)
T：试验温度
Pu：供给气体的差压(Pa)
A：透过面积(m2)
dp/dt：单位时间(秒)内的低压侧的压力变化(Pa)
R：8.31×103(1·Pa/K·mol)
另外，本方式的盖材由树脂膜构成。通过使盖材由树脂膜构成，能够向卷对卷制造技术扩展，可以实现提高制造效率。作为具体的材料，可以举出例如：聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、环状聚烯烃(COP)等。其中，优选为聚对苯二甲酸乙二酯。与由其它材料构成的树脂膜相比，由聚对苯二甲酸乙二酯构成的树脂膜的透氧率低，在后述的接触部形成工序时，能够更有效地防止气体从盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间向有机EL层侧基板与盖材之间的空间侵入。
此外，本方式的盖材的波长区域340nm～400nm下的最小透射率优选为70％以上。其中，最小透射率优选为75％以上、特别优选为80％以上。通过使波长区域340nm～400nm下的盖材的最小透射率为上述范围内，在接触部形成工序中隔着盖材照射激光时可以抑制激光被盖材吸收。由此，能够可靠地除去有机层从而形成接触部，在接触部处使透明电极层与辅助电极充分连接从而能够抑制因电压下降引起的亮度不均的发生。
需要说明的是，波长区域340nm～400nm下的盖材的最小透射率例如可以通过岛津制作所制造的紫外可见光分光光度计UV-3600进行测定。
作为盖材的厚度，只要是能够实现上述透氧率和透射率的厚度就没有特别限定。例如，优选为1μm～1000μm的范围内、其中优选为10μm～200μm的范围内、特别优选为30μm～100μm的范围内。
另外，本方式的盖材可以在表面形成阻隔层。通过使本方式的盖材具有阻隔层，在后述的接触部形成工序中，能够更有效地防止气体从盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间向有机EL层侧基板与盖材之间的空间侵入。
作为本方式中的阻隔层的材料，只要能够对氧气、氮气等气体发挥期望的阻隔性、能够使在后述的接触部形成工序中使用的激光透过就没有特别限定，例如可以举出无机材料。作为具体的无机材料，可以举出：氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化钛、氧化铌、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化钽、氧化铝、氧化镁、氧化钙和氧化锆等。另外，也可以使用玻璃膜作为阻隔层。玻璃膜虽然担心可能破裂，但通过与树脂膜贴合，能够抑制玻璃膜的破裂，并且即使在玻璃膜发生破裂的情况下也能够运送。
作为阻隔层的厚度，只要是在本方式的盖材上形成阻隔层时上述盖材能够实现上述平均透射率程度的厚度就没有特别限定，例如，优选为10nm～800nm的范围内、其中优选为50nm～500nm的范围内、特别优选为70nm～300nm的范围内。
作为在本方式的盖材的表面上形成阻隔层的方法，可以举出例如：溅射法、真空蒸镀法、等离子体CVD法等。另外，也可以单独形成阻隔层，使用由粘合材料构成粘合层将上述阻隔层贴合于盖材的表面。另外，使用玻璃膜作为阻隔层的情况下，可以经由粘合层将玻璃膜贴合于盖材的表面。作为用于粘合层的粘合材料，只要是能够以期望的强度胶粘于盖材的表面、且使在后述的接触部形成工序中使用的激光透过的材料就没有特别限定，可以举出例如：聚碳酸酯系树脂、聚烯烃系树脂、丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯系树脂、有机硅系树脂、聚酯系树脂、环氧系树脂等。此外，作为粘合层的厚度，只要是能够使盖材与阻隔层充分胶粘的程度的厚度就没有特别限定，具体而言，可以在5μm～50μm的范围内设定。
在本方式的盖材具有阻隔层的情况下，上述阻隔层可以配置于盖材的一个表面上、也可以配置于盖材的两个表面上。需要说明的是，在阻隔层配置于盖材的一个表面上的情况下，使上述盖材与有机EL层侧基板相对置时上述盖材中的阻隔层可以配置成位于有机EL层侧基板侧、也可以配置成位于有机EL层侧基板的相反侧。
另外，作为本方式的盖材具有阻隔层的情况下的盖材和阻隔层的组合，只要能够发挥期望的阻隔性就没有特别限定，例如，优选在由COP构成的盖材的表面形成阻隔层的组合、在由PP构成的盖材的表面形成阻隔层的组合、以及在由PC构成的盖材的表面形成阻隔层的组合。其中，优选为在由COP构成的盖材的表面形成阻隔层的组合。这是因为，与由其它材料构成的盖材相比，由COP构成的盖材对激光的透射率高，因此即使在盖材的表面形成阻隔层的情况下，在接触部形成工序时也能够隔着盖材充分地照射激光。
(b)第二方式
本方式的盖材为聚对苯二甲酸乙二酯膜。通过使盖材为聚对苯二甲酸乙二酯膜，能够向卷对卷制造技术扩展，能够实现提高制造效率。
作为这样的本方式的盖材的厚度，只要为15μm～200μm的范围内就没有特别限定，其中优选为30μm～150μm的范围内、特别优选为70μm～130μm的范围内。通过使本方式的盖材的厚度为15μm以上，即使在盖材的表面不另外具有阻隔层等的情况下，也能够发挥对气体所期望的阻隔性。由此可以得到如下效果：在后述的接触部形成工序中，能够防止气体从有机EL层侧基板和盖材的外周的空间向有机EL层侧基板与盖材之间的空间侵入。另外，通过使本方式的盖材的厚度为200μm以下，可以得到适合于上述盖材向卷对卷制造技术的扩展、能够提高制造效率这样的效果。
需要说明的是，作为上述所期望的阻隔性，只要是能够得到上述效果程度的阻隔性就没有特别限定，例如，优选透氧率为100cc/m2·天以下、其中优选为30cc/m2·天以下、特别优选为15cc/m2·天以下。
另外，可以在盖材的单面或双面形成阻隔层。通过使本方式的盖材具有阻隔层，在后述的接触部形成工序中，能够更有效地防止气体从有机EL层侧基板和盖材的外周的空间向有机EL层侧基板与盖材之间的空间侵入。需要说明的是，对于阻隔层的材料、厚度和形成方法，可以与上述“(a)第一方式”的项中记载的内容同样，因此在此省略记载。
(c)第三方式
本方式的盖材为玻璃膜。玻璃膜是具有挠性的玻璃基材。需要说明的是，挠性是指能够卷取成卷状。具体而言，挠性是指通过JIS R1601的精细陶瓷的弯曲试验方法施加5KN的力时发生弯曲。
作为用于玻璃膜的材料，只要是能够形成膜状的材料就没有特别限定，可以举出例如：钠钙玻璃、无碱玻璃等。其中，优选无色且透明度高的无碱玻璃。这是因为，在接触部形成工序中隔着盖材照射激光时能够抑制激光被盖材吸收。
玻璃膜的厚度只要是满足挠性的厚度即可，例如优选为5μm～300μm的范围内。
需要说明的是，通常玻璃膜的阻隔性高，满足上述第一方式的树脂膜所具有的阻隔性。
可以在玻璃膜的单面或双面形成树脂层。能够抑制玻璃膜的破裂。作为树脂层，可以使用树脂基材。作为用于树脂基材的材料，可以举出例如：聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺(PI)、聚醚醚酮(PEEK)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚酰亚胺(PEI)、三乙酸纤维素(CTA)、环状聚烯烃(COP)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚砜(PSF)、聚酰胺酰亚胺(PAI)、降冰片烯系树脂、烯丙基酯树脂等。
树脂基材的厚度只要是可以得到具有挠性的盖材的厚度就没有特别限定，例如优选为3μm～200μm的范围内、更优选为5μm～200μm的范围内。
树脂基材可以经由粘合层与玻璃膜贴合。需要说明的是，对于粘合层，可以与上述第一方式中记载的粘合层同样。
(2)配置工序
本工序是在第一压力下使上述盖材与有机EL层侧基板相对置并且上述盖材隔着上述有机层以相接触的方式配置于上述间隔部的顶部的工序。此时，有机EL层侧基板与盖材之间的空间变成减压状态。作为进行这样的工序的方法，具体而言，可以举出如下方法。即，首先，在设定成作为第一压力的规定的真空度的真空室内，使在外周部形成有密封剂的有机EL层侧基板与盖材相对置配置并使有机EL层侧基板与盖材接触的方法；在设定成第一压力的真空室内，使用夹具等使有机EL层侧基板与盖材接触的方法。
使用夹具的情况下，作为夹具，只要能够使有机EL层侧基板和盖材接触即可，例如可以将夹着有机EL层侧基板和盖材夹住固定的夹具、也可以为仅夹住盖材而固定以使得盖材不弯曲的夹具。
另外，夹具优选为能够使盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间密闭的夹具。具体而言，可以举出框状夹具。这是因为，例如在盖材的双面配置框状夹具，经由在盖材的与有机EL层侧基板相反侧的面配置的框状夹具使得盖材被按压于真空室的激光透过窗，由此能够使盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间密闭，在后述的密合工序中能够调节盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间的压力。这种情况下，有机EL层侧基板例如可以载放于可上下移动的载台上，使载台向上方移动，使有机EL层侧基板与利用框状夹具固定的盖材接触，由此能够使有机EL层侧基板与盖材之间的空间为减压状态。作为在盖材的与有机EL层侧基板相反侧的面配置的框状夹具，例如可以使用O型圈。
有机EL层侧基板与盖材之间的空间形成作为第一压力的规定的真空度。具体而言，在后述的密合工序中将盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间调节为第二压力，由此使有机EL层侧基板和盖材之间的空间与盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间之间产生差压，从而能够使上述有机EL层侧基板与上述盖材充分密合，能够防止在后述的接触部形成工序中利用激光除去的有机层的粉尘向像素区域飞散，只要是这样就没有特别限定，优选真空度的值尽可能大、即有机EL层侧基板与盖材之间的空间的压力的值尽可能小。其中，在本工序中，有机EL层侧基板与盖材之间的空间优选为真空空间。作为具体的真空度，优选为1×10-5Pa～1×104Pa的范围内、其中优选为1×10-5Pa～1×103Pa的范围内、特别优选为1×10-5Pa～1×102Pa的范围内。
3.密合工序
在本发明中，进行密合工序，即，将上述盖材的与上述有机EL层侧基板相反侧的空间调节成比上述第一压力高的第二压力从而使上述有机EL层侧基板和上述盖材密合。
下面，对具体的密合工序进行说明。
本工序为如下工序：通过将盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间调节成比第一压力高的第二压力，由此使有机EL层侧基板和盖材之间的空间与盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间之间产生差压，使有机EL层侧基板和盖材密合。
将盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间调节成第二压力时，至少将盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间调节成第二压力即可，例如可以仅将盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间调节成第二压力、也可以将盖材和有机EL层侧基板的外周的空间调节成第二压力。
作为将盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间调节成第二压力的方法，只要是能够使有机EL层侧基板和盖材之间的空间与盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间之间产生差压从而使有机EL层侧基板和盖材密合的方法就没有特别限定，例如，可以举出如下所述的方法。即，使在真空室内接触后的有机EL层侧基板和盖材暴露于常压空间由此使有机EL层侧基板和盖材的外周的空间返回至常压的方法；在真空室内使有机EL层侧基板和盖材之间的空间变成减压状态后使气体流入真空室内从而进行加压的方法等。需要说明的是，作为通过使接触后的有机EL层侧基板和盖材暴露于常压空间的方法进行密合工序的情况下的上述“常压空间”，从抑制有机EL显示装置的劣化这样的观点出发，例如优选为氧浓度和水分浓度至少为1ppm以下且填充了氮气或氩气等不活泼气体的空间。另外，在向真空室内流入气体进行加压的情况下，可以向真空室整体中流入气体，可以仅向盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间流入气体。如上所述，例如在使用框状夹具的情况下，能够使盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间密封，通过向该空间流入气体能够使有机EL层侧基板和盖材密合。作为向真空室内流入的气体，出于与上述同样的原因，优选为氮气或氩气等不活泼气体。
作为上述“第二压力”，只要是比配置工序中的第一压力高的压力、并且通过第一压力与第二压力的差压能够使盖材与有机EL层侧基板密合的程度的压力就没有特别限定，例如优选第二压力比第一压力高100Pa以上、其中优选高1000Pa以上、特别优选高10000Pa以上。通过使第二压力与第一压力的差压为上述数值以上，可以使盖材与有机EL层侧基板充分密合。
4.接触部形成工序
在本发明中，进行接触部形成工序，即，隔着盖材照射激光，从而除去覆盖上述辅助电极的上述有机层而形成接触部。
下面，对本工序中形成的接触部以及具体的接触部形成工序进行说明。
(1)接触部
在本工序中形成的接触部是辅助电极与后述的透明电极层相接触的区域。
作为在本工序中形成的接触部的平面形状，只要是能够使后述的透明电极层和辅助电极充分地电连接这样的平面形状就没有特别限定，可以举出例如：矩形、圆形等。
另外，作为上述接触部的形态，只要能够使后述的透明电极层与辅助电极充分地电连接就没有特别限定。图11的(a)～(c)是对在本工序中形成的接触部的形态进行说明的示意图。作为上述接触部9的具体形态，可以为如图11的(a)所示，以条纹状除去在辅助电极4上形成的至少一层的有机层6a而形成的形态；也可以如图11的(b)所示，在形成于辅助电极4上的至少一层的有机层6a上设置开口部而形成的形态；还可以如图11的(c)所示，在形成于辅助电极4上的至少一层的有机层6a上设置多个开口部而形成的形态。
(2)接触部形成工序
本发明中的接触部形成工序具有通过隔着盖材照射激光从而除去覆盖辅助电极的有机层由此形成上述接触部的工序。需要说明的是，使用向真空室内流入气体而调节压力的方法作为上述密合工序的情况下，例如可以通过下述方法进行本工序。即，存在有隔着由玻璃等透光性基材构成的设置于真空室的激光透过窗等照射激光从而除去覆盖辅助电极的有机层由此形成接触部的方法。
作为在本工序中使用的激光，只要是在隔着盖材进行照射时能够透过盖材而除去覆盖辅助电极的有机层的激光就没有特别限定，可以采用在有机层的基于激光的除去方法中通常使用的激光。作为激光所具有的波长区域，只要是能够透过在本发明中使用的盖材、高效地除去有机层的波长区域就没有特别限定，例如，优选为紫外线区域。作为具体的紫外线区域，优选为300nm～400nm的范围内、其中优选为320nm～380nm的范围内、特别优选为340nm～360nm的范围内。作为具有这样的波长区域的激光，可以举出例如：YAG、YVO4等固体激光、XeCl、XeF等准分子激光或半导体激光等。
另外，激光可以是脉冲激光也可以是连续波激光，其中，优选为脉冲激光。脉冲激光具有高尖端值，因此能够高效地除去覆盖辅助电极的有机层。另一方面，由于高输出功率，因此利用脉冲激光除去的有机层容易飞散，有可能使得像素区域的污染范围变广。对此，在本发明中能够防止有机层的飞散，因此对于使用脉冲激光的情况是有用的。
脉冲激光的情况下，脉冲宽度优选为0.01纳米秒～100纳米秒的范围内。另外，重复频率优选为1kHz～1000kHz的范围内。输出功率只要能够除去有机层即可，可适当调节。
5.透明电极层形成工序
在本发明中，进行透明电极层形成工序，即，以通过上述接触部而与上述辅助电极电连接的方式在上述有机EL层和上述接触部上形成透明电极层。
下面，对在本工序中形成的透明电极层以及具体的透明电极层形成工序进行说明。
(1)透明电极层
本工序中的透明电极层形成于有机EL层侧基板上。
上述透明电极层只要具有透明性和导电性即可，例如可以举出金属氧化物。作为具体的金属氧化物，可以举出：氧化铟锡、氧化铟、氧化铟锌、氧化锌和二氧化锡等。另外，对于镁-银合金、铝和钙等金属材料，在以具有透光性的程度地薄薄地进行成膜的情况下也可以使用。
(2)透明电极层形成工序
本发明中的透明电极层形成工序具有将在上述密合工序中与有机EL层侧基板密合的盖材剥离并以通过上述接触部而与上述辅助电极电连接的方式在上述有机EL层和上述接触部上形成透明电极层的工序。作为透明电极层的形成方法，可以使用常规的电极的形成方法，可以举出例如：真空蒸镀法、溅射法、EB蒸镀法、离子电镀法等PVD法、或CVD法等。
6.其它工序
在本发明中，只要具有上述工序就没有特别限定，也可以具有其它工序。作为其它工序，例如可以举出利用密封基板对有机EL显示装置进行密封的密封工序。
下面，对密封基板进行说明。
本发明中的有机EL显示装置为顶部发射型，因此密封基板具有透光性。作为密封基板的透光性，只要对可见光区域的波长具有透过性即可，具体而言，相对于可见光区域的全部波长范围的透光率优选为80％以上、其中优选为85％以上、特别优选为90％以上。
在此，透光率例如可以通过岛津制作所制造的紫外可见光分光光度计UV-3600进行测定。
另外，密封基板可以具有挠性也可以不具有挠性，根据有机EL显示装置的用途适当选择。
作为密封基板的材料，只要能够得到具有透光性的密封基板就没有特别限定，可以举出例如：石英、玻璃等无机材料、丙烯酸类树脂、被称为COP的环烯烃聚合物、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚醚醚酮等树脂。另外，可以在树脂制的密封基板的表面上形成气体阻隔层。
作为密封基板的厚度，根据密封基板的材料和有机EL显示装置的用途适当选择。具体而言，密封基板的厚度为0.001mm～5mm左右。
7.有机EL显示装置
通过本发明的制造方法得到的有机EL显示装置只要是至少从透明电极层侧提取光的装置即可，可以是从透明电极层侧提取光的顶部发射型、也可以是从透明电极层和像素电极的两侧提取光的双面发光型。
B.有机EL显示装置形成用盖材
本发明的有机EL显示装置形成用盖材用于上述有机EL显示装置的制造方法中，其特征在于，其是具有透氧率为100cc/m2·天以下的阻隔性的树脂膜，波长区域340nm～400nm下的最小透射率为70％以上。
通过使用本发明的有机EL显示装置形成用盖材，可以通过上述“A.有机EL显示装置的制造方法”的项中记载的方法来制造有机EL显示装置，可以得到能够抑制显示特性下降的有机EL显示装置。
对于上述有机EL显示装置形成用盖材，与上述“A.有机EL显示装置的制造方法2.配置工序(1)盖材(a)第一方式”的项中记载同样，因此省略此处的说明。
本发明并非限定于上述实施方式。上述实施方式为例示，具有与本发明的权利要求中记载的技术思想实质上相同的构成、发挥同样的作用效果的实施方式无论为何种构成均包含在本发明的技术的范围。
实施例
下面，使用实施例对本发明具体地进行说明。
[实施例1]
在第一压力下使盖材与有机EL层侧基板的表面相对置，使有机EL层侧基板与盖材之间的空间为减压状态，然后，对将有机EL层侧基板和盖材的外周的空间调节成第二压力时的、有机EL层侧基板和盖材之间的空间中的压力与有机EL层侧基板和盖材的外周的空间中的压力之差、即两空间中的差压的随时间的变化进行模拟。需要说明的是，上述盖材的条件如下述表1所示。
[表1]
需要说明的是，透氮率通常设定为透氧率的约1/3。因此，对于表1所示的透氮率，以透氧率的1/3的方式算出。另外，透氧率使用Hitachi High-Technologies公司制造的MOCON透氧率测定装置OX-TRAN 2/21进行评价。
(评价)
在第一压力下，使盖材与有机EL层侧基板的表面相对置，使有机EL层侧基板与盖材之间的空间为减压状态，然后，对将有机EL层侧基板和盖材的外周的空间调节成第二压力时的、有机EL层侧基板和盖材之间的空间中的压力与有机EL层侧基板和盖材的外周的空间中的压力之差、即两空间中的差压随时间的变化进行评价。需要说明的是，此处的差压通过下述式(1)、(2)算出。
GTR＝Vc/(R×T×Pu×A)×dp/dt (1)
(上述式(1)中，GTR：透气率(mol/m2·Pa)、Vc：低压侧容积(1)、T：试验温度、Pu：供给气体的差压(Pa)、A：透过面积(m2)、dp/dt：单位时间(秒)内的低压侧的压力变化(Pa)、R：8.31×103(1·Pa/K·mol)。)
差压＝(有机EL层侧基板和盖材的外周的空间中的压力)-(有机EL层侧基板和盖材之间的空间中的压力) (2)
将评价结果示于表2中。
[表2]
如表2的结果所示，No.1～4中，使盖材与有机EL层侧基板之间的空间变为减压状态10分钟后的差压下降率为15％以下，能够维持盖材与有机EL层侧基板的密合性。与此相对，No.5～8中，使盖材与有机EL层侧基板之间的空间变为减压状态10分钟后的差压下降率分别为38％、62％、93％、100％，难以维持盖材与有机EL层侧基板的密合性。根据上述结果可知，通过使用盖材的透气率为规定范围的本发明的盖材，能够维持盖材与有机EL层侧基板之间的减压状态，能够防止盖材与有机EL层侧基板的密合性随时间的降低。
[实施例2]
(像素电极和辅助电极形成工序)
在膜厚0.7mm的由无碱玻璃构成的基板上，通过溅射法形成膜厚150nm的铬膜。然后，通过光刻法同时形成像素电极和辅助电极。
(间隔部形成工序)
接着，在像素电极、与辅助电极中形成接触部的区域之间通过光刻法形成间隔部。需要说明的是，间隔部的平面形状为框状，纵截面形状为正锥形形状。另外，间隔部的高度为1.5μm。
(有机EL层形成工序)
接着，在像素电极上形成0.1μm的空穴注入层，接着在空穴注入层上形成0.3μm的发光层。然后，在发光层上形成0.3μm的电子输送层，从而制成有机EL层。需要说明的是，上述有机EL层在形成于像素电极上的同时，还形成于辅助电极上。
(密封材料形成工序)
使用分配器，在上述有机EL层侧基板的图案外周部形成密封材料。
(配置工序和密合工序)
接着，在设定成50Pa的真空度的真空室内，使盖材与上述有机EL层侧基板相对置从而使盖材与有机EL层侧基板表面接触，使有机EL层侧基板与盖材之间的空间为减压状态。然后，通过向真空室内流入氮气，使室内返回至常压从而使有机EL层侧基板与盖材密合。此时使用的盖材满足表3所示的条件。
[表3]
需要说明的是，对于表3中透氧率和透氮率，通过与实施例1同样的方法算出。
另外，表3所示的最小透射率是波长区域340nm～400nm下的测定值，使用岛津制作所制造的紫外可见光分光光度计UV-3600进行测定。
此外，表3中的No.16～18是使用在表面形成膜厚为0.2μm的由SiO2构成的阻隔层的盖材。
(接触部形成工序)
接着，隔着盖材照射一次(shot)能量为500mJ/cm2、光斑直径为10μmφ、波长为355nm、脉冲宽度为5nsec的YAG激光，除去覆盖辅助电极的空穴注入层、发光层和电子输送层，使辅助电极露出从而形成接触部。
(电子注入层和透明电极层形成工序)
然后，将盖材剥离，通过真空蒸镀法将氟化剂形成膜厚为0.5nm的膜以使得与在接触部处露出的辅助电极电连接，形成电子注入层。接着，通过真空蒸镀法形成膜厚为10nm的钙膜、膜厚为5nm的铝膜，从而形成透明电极层。
(密封工序)
进行使如上所述制作的有机EL显示装置与涂布了胶粘材料的密封基板贴合密封。
(评价)
使用上述表3所示的No.9～18的盖材使盖材与有机EL层侧基板之间的空间变为减压状态从而使有机EL层侧基板和盖材密合，然后，放置规定时间，隔着盖材利用激光除去在辅助电极上形成的有机层，对此时的有无有机层向像素区域中的有机EL层表面飞散进行观察。需要说明的是，在将从变为减压状态到照射激光为止的间隔设定为1小时以上的情况下，如果能够防止有机层向像素区域中的有机EL层表面发生飞散则评价为“A”，另外，在将从变为减压状态到照射激光为止的间隔设定为10分钟以内的情况下，如果能够防止有机层向像素区域中的有机EL层表面发生飞散则评价为“B”，进一步，在将从变为减压状态到照射激光为止的间隔设定为10分钟以内的情况下，如果能够防止有机层向像素区域中的有机EL层表面发生飞散则评价为“C”。
将评价结果示于表4中。
[表4]
在使用透氧率和透氮率均为200cc/m2·天以上的No.9～11的盖材的情况下，即使在将从变为减压状态到照射激光为止的间隔设定为10分钟以内的情况下，所除去的有机层也向像素区域发生飞散。根据以上结果可知，由于透氧率和透氮率为规定的范围以上，因此难以维持有机EL层侧基板与盖材之间的空间的减压状态，不能使有机EL层侧基板与盖材充分密合。
与此相对，在使用透氧率为100cc/m2·天且透氮率为33cc/m2·天的No.12的盖材的情况下，在变为减压状态后10分钟以内照射激光从而除去辅助电极上的有机层，能够防止所除去的有机层向像素区域飞散。另外，使用透氧率为27.8cc/m2·天以下且透氮率为9.3cc/m2·天以下的No.13～18的盖材的情况下，即使从变为减压状态经过1小时以上后照射激光而除去辅助电极上的有机层，也能够防止所除去的有机层向像素区域中飞散。根据以上结果可知，由于透氧率和透氮率为规定的范围以下，因此能够维持有机EL层侧基板与盖材之间的空间的减压状态，能够使有机EL层侧基板与盖材充分密合。
[实施例3]
如下所示，除了进行有机EL层形成工序以外，与实施例2同样地制作了有机EL显示装置。
(有机EL层形成工序)
接着，在像素电极上以达到0.1μm的方式形成空穴注入层和空穴输送层，接着在空穴输送层上形成0.02μm的发光层。然后，在发光层上形成0.03μm的电子输送层，从而制成有机EL层。需要说明的是，上述有机EL层在形成于像素电极上的同时，还形成于辅助电极上。
(评价)
得到了与实施例2同样的结果。
符号说明
1…有机EL层侧基板
2…基板
3…像素电极
4…辅助电极
5…间隔部
6…有机EL层
7…透明电极层
8…盖材
9…接触部
10…顶部发射型有机EL显示装置
11…基底部
12…密合部

Claims (7)

1.一种顶部发射型有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，
其制造下述的顶部发射型有机电致发光显示装置，该顶部发射型有机电致发光显示装置具有：基板、在所述基板上形成的多个像素电极、在所述像素电极之间形成的辅助电极、在所述基板上形成的间隔部、在所述像素电极上形成并包含多个有机层的至少具有发光层的有机电致发光层、在所述辅助电极上形成的至少一层的所述有机层、在所述辅助电极上形成的作为所述有机层的开口部的接触部、和在所述有机电致发光层及所述接触部上形成的透明电极层，其中，所述间隔部形成于所述接触部和与所述接触部相邻的所述像素电极之间，所述透明电极层通过所述接触部而与所述辅助电极电连接，
所述制造方法具有以下工序：
有机电致发光层侧基板准备工序，准备具有所述基板、所述像素电极、所述辅助电极、所述间隔部和所述有机电致发光层并且在所述辅助电极上的整个面上形成有至少一层的所述有机层的有机电致发光层侧基板；
配置工序，在第一压力下，使盖材与在所述有机电致发光层侧基板准备工序中得到的所述有机电致发光层侧基板相对置，所述盖材以隔着所述有机层与所述间隔部的顶部相接触的方式配置于所述间隔部的顶部；
密合工序，将所述盖材的与所述有机电致发光层侧基板相反侧的空间调节成比所述第一压力高的第二压力，而使所述有机电致发光层侧基板和所述盖材密合；和
接触部形成工序，隔着所述盖材照射激光，除去在所述辅助电极上形成的所述有机层而形成所述接触部，
所述盖材是具有透氧率为100cc/m2·天以下的阻隔性的树脂膜，
所述盖材通过卷对卷提供。
2.如权利要求1所述的顶部发射型有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述盖材的在波长区域340nm～400nm下的透射率为70％以上。
3.一种顶部发射型有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，
其制造下述的顶部发射型有机电致发光显示装置，该顶部发射型有机电致发光显示装置具有：基板、在所述基板上形成的多个像素电极、在所述像素电极之间形成的辅助电极、在所述基板上形成的间隔部、在所述像素电极上形成并包含多个有机层的至少具有发光层的有机电致发光层、在所述辅助电极上形成的至少一层的所述有机层、在所述辅助电极上形成的作为所述有机层的开口部的接触部、和在所述有机电致发光层及所述接触部上形成的透明电极层，其中，所述间隔部形成于所述接触部和与所述接触部相邻的所述像素电极之间，所述透明电极层通过所述接触部而与所述辅助电极电连接，
所述制造方法具有以下工序：
有机电致发光层侧基板准备工序，准备具有所述基板、所述像素电极、所述辅助电极、所述间隔部和所述有机电致发光层并且在所述辅助电极上的整个面上形成有至少一层的所述有机层的有机电致发光层侧基板；
配置工序，在第一压力下，使盖材与在所述有机电致发光层侧基板准备工序中得到的所述有机电致发光层侧基板相对置，所述盖材以隔着所述有机层与所述间隔部的顶部相接触的方式配置于所述间隔部的顶部；
密合工序，将所述盖材的与所述有机电致发光层侧基板相反侧的空间调节成比所述第一压力高的第二压力，而使所述有机电致发光层侧基板和所述盖材密合；和
接触部形成工序，隔着所述盖材照射激光，除去在所述辅助电极上形成的所述有机层，形成所述接触部，
所述盖材为聚对苯二甲酸乙二酯膜，
所述盖材通过卷对卷提供。
4.如权利要求1～3中任一项所述的顶部发射型有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述盖材具有透氧率为30cc/m2·天以下的阻隔性。
5.如权利要求1～3中任一项所述的顶部发射型有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述盖材具有阻隔层。
6.如权利要求4所述的顶部发射型有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述盖材具有阻隔层。
7.一种顶部发射型有机电致发光显示装置形成用盖材，其特征在于，其用于权利要求2所述的顶部发射型有机电致发光显示装置的制造方法中，
其是具有透氧率为100cc/m2·天以下的阻隔性的树脂膜，并且在波长区域340nm～400nm下的透射率为70％以上，膜厚为10μm～200μm的范围内。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5787015B2 (ja) * 2013-09-02 2015-09-30 大日本印刷株式会社 トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
JP6722980B2 (ja) * 2014-05-09 2020-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および発光装置、並びに電子機器
JP6834609B2 (ja) * 2017-03-07 2021-02-24 デクセリアルズ株式会社 画像表示装置の製造方法
KR102370355B1 (ko) * 2017-03-09 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN107579165B (zh) * 2017-08-30 2024-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种封装基板及其制作方法、显示面板及显示装置
JP7072225B2 (ja) * 2018-09-07 2022-05-20 株式会社Joled 表示パネル製造装置および表示パネル製造方法
US12041842B2 (en) 2018-07-02 2024-07-16 Jdi Design And Development G.K. Display panel patterning device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100565904C (zh) * 2001-02-21 2009-12-02 株式会社半导体能源研究所 发光器件、电子设备、和其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4255643B2 (ja) * 2001-02-21 2009-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US6995035B2 (en) 2003-06-16 2006-02-07 Eastman Kodak Company Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution
BRPI0613480B1 (pt) * 2005-06-30 2017-03-07 Akzo Nobel Nv eletrosíntese de peróxido de hidrogênio
JP2007038529A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Konica Minolta Holdings Inc ガスバリア性薄膜積層体、ガスバリア性樹脂基材および有機エレクトロルミネッセンスデバイス
EP1947707B1 (en) * 2005-10-27 2017-04-26 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, liquid crystal display device, and lighting equipment
JP4340982B2 (ja) 2007-05-18 2009-10-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
US7833074B2 (en) 2007-09-04 2010-11-16 Global Oled Technology Llc Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution
JP2010027210A (ja) * 2008-07-15 2010-02-04 Canon Inc 有機発光素子の製造方法及び有機発光素子
JP2012028226A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよび有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2012028638A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンス装置および有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP2012079419A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法
WO2012081625A1 (ja) * 2010-12-18 2012-06-21 株式会社カネカ 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造装置、光電変換装置の製造方法及び光電変換装置の製造装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100565904C (zh) * 2001-02-21 2009-12-02 株式会社半导体能源研究所 发光器件、电子设备、和其制造方法

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Publication number Publication date
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