KR20160020351A - 브레이킹 장치 - Google Patents

브레이킹 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20160020351A
KR20160020351A KR1020150103676A KR20150103676A KR20160020351A KR 20160020351 A KR20160020351 A KR 20160020351A KR 1020150103676 A KR1020150103676 A KR 1020150103676A KR 20150103676 A KR20150103676 A KR 20150103676A KR 20160020351 A KR20160020351 A KR 20160020351A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
pressing member
chuck table
divided
pressing
Prior art date
Application number
KR1020150103676A
Other languages
English (en)
Inventor
미노루 스즈키
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20160020351A publication Critical patent/KR20160020351A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60022Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
    • H01L2021/60097Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
    • H01L2021/60172Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

본 발명은, 웨이퍼의 사이즈에 따른 링 프레임을 사용하여 웨이퍼를 분할하는 브레이킹 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
브레이킹 장치(10)는, 워크 세트(1)를 유지하는 척 테이블(11)과, 이것이 유지하는 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인(S)을 따라 압압하는 압압 부재(14)와, 척 테이블(11)과 압압 부재(14)를 상대적으로 인덱스 이송하는 인덱스 이송 수단(16)과, 웨이퍼(W)에 대하여 압압 부재(14)를 수직 방향으로 접근 및 이격시켜 압압 부재(14)로 웨이퍼(W)를 압압하는 압압 수단(15)과, 압압 부재(14)의 압압에 의해 움푹 들어가는 미리 정해진 경도로 형성되는 다공질 플레이트(17)를 구비하고, 다공질 플레이트(17)를 통해 흡인면(111a)에서 유지하는 웨이퍼(W)를 압압 부재(14)로 압압하면 다공질 플레이트(17)가 분할 예정 라인(S)을 따라 움푹 들어가기 때문에, 웨이퍼(W)를 분할 예정 라인(S)을 따라 확실하게 브레이킹하는 것이 가능해진다.

Description

브레이킹 장치{BREAKING DEVICE}
본 발명은 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 브레이킹 장치에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 분할 예정 라인을 따라 분할함으로써, 디바이스가 부착된 개개의 칩으로 분할된다. 웨이퍼를 분할하는 방법으로서, 분할 예정 라인을 따라 레이저 빔을 웨이퍼의 표면측으로부터 조사하여 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성한 후, 블레이드를 갖는 브레이킹 장치를 이용하여, 강도가 저하된 분할 예정 라인을 따라 블레이드로 웨이퍼를 압압함으로써 개질층을 기점으로 하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 방법이 있다(예컨대, 하기의 특허문헌 1-3을 참조).
웨이퍼의 분할시에는, 분할된 개개의 칩이 비산되지 않도록 하기 위해서, 중앙이 개구된 링형의 링 프레임에 테이프를 접착하고, 상기 개구부로부터 노출된 테이프에 웨이퍼의 한쪽 면을 상향으로 하여 다른 쪽 면을 접착함으로써, 상기 테이프를 통해 링 프레임으로 웨이퍼를 지지하고 있다.
일본 특허 공개 제2009-148982호 공보 일본 특허 공개 제2013-038434호 공보 일본 특허 공개 제2013-058671호 공보
그러나, 블레이드를 압착하여 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 분할하기 위해서, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블의 유지면에는, 웨이퍼의 분할 예정 라인이 지지되지 않도록 라인형의 공간을 형성하고, 압압되어 할단된 웨이퍼가 상기 공간으로 압압되어 넓어지도록 하고 있다. 그 때문에, 분할 예정 라인의 간격이 상이한 웨이퍼에 대해서는, 동일한 척 테이블을 사용하여 분할 처리를 행할 수 없다.
본 발명은, 상기한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼를 압압하여 분할하는 브레이킹 장치에 있어서, 분할 예정 라인의 간격이 상이한 웨이퍼를 동일한 척 테이블을 사용하여 분할할 수 있도록 하는 것을 목적으로 하고 있다.
제1 발명은, 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 분할하여 칩을 형성하는 브레이킹 장치로서, 웨이퍼의 외경보다 큰 내경의 개구부를 갖는 링 프레임의 상기 개구부를 막아 접착한 점착 테이프에 상기 분할 예정 라인에 대응한 라인형의 분할 기점이 형성된 웨이퍼를 접착하여 구성되는 워크 세트를 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블이 유지하는 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 압압하는 압압 부재와, 상기 척 테이블과 상기 압압 부재를 상대적으로 인덱스 이송하는 인덱스 이송 수단과, 상기 척 테이블이 유지하는 웨이퍼에 대하여 상기 압압 부재를 수직 방향으로 접근 및 이격시켜 상기 압압 부재로 상기 웨이퍼를 압압하는 압압 수단과, 상기 압압 부재에 의해 압압되어 움푹 들어가는 다공질 플레이트를 구비하고, 상기 척 테이블은, 웨이퍼의 한쪽 면을 흡인 유지하는 흡인면과, 상기 링 프레임을 유지하는 유지부를 구비하고, 상기 척 테이블로 워크 세트를 유지하고, 상기 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 상기 압압 부재로 압압하여 분할한다.
상기 브레이킹 장치에서는, 상기 유지부가 유지하는 상기 링 프레임의 상면과 상기 압압 부재의 선단 부분은, 상기 다공질 플레이트를 통해 상기 흡인면에서 유지되는 웨이퍼를 상기 압압 부재로 압압했을 때에, 상기 흡인면에 가장 접근한 상기 압압 부재의 선단 부분이 상기 링 프레임의 상면에 접하지 않는 높이가 되는 관계인 것이 바람직하다.
제2 발명은, 상기 브레이킹 장치에 사용하는 척 테이블로서, 상기 척 테이블의 흡인면은, 적어도 웨이퍼를 유지하는 영역이 상기 압압 부재에 의한 압압으로 움푹 들어가는 경도로 형성되는 다공질층을 구비하고, 상기 압압 부재에 의해 상기 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼가 압압됨으로써 상기 웨이퍼를 분할 가능하게 한다.
본 발명의 브레이킹 장치는, 점착 테이프를 통해 링 프레임과 웨이퍼가 일체가 된 워크 세트를 유지하는 척 테이블과, 척 테이블이 유지하는 웨이퍼의 분할 예정 라인을 따라 압압하는 압압 부재와, 압압 부재의 압압에 의해 움푹 들어가는 다공질 플레이트를 구비하고, 척 테이블의 흡인면에서 유지하는 웨이퍼를 압압 부재로 압압하면, 압압되는 웨이퍼와 함께 다공질 플레이트가 분할 예정 라인을 따라 움푹 들어가기 때문에, 척 테이블의 흡인면에 웨이퍼의 분할 예정 라인에 따른 라인형의 공간을 형성할 필요가 없게 된다.
따라서, 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 확실하게 분할할 수 있고, 분할 예정 라인의 간격이 상이한 웨이퍼라도 다공질 플레이트를 통해 흡인면에서 유지하면 압압 부재에 의해 분할할 수 있다.
또한, 상기 유지부가 유지하는 상기 링 프레임의 상면과 상기 압압 부재의 선단이, 상기 다공질 플레이트를 통해 상기 흡인면에서 유지하는 웨이퍼를 상기 압압 부재로 압압했을 때에, 상기 흡인면에 가장 접근한 상기 압압 부재의 선단 부분이 상기 링 프레임의 상면에 접하지 않는 높이가 되는 관계이기 때문에, 압압 부재와 링 프레임이 접촉하는 일은 없다.
따라서, 웨이퍼의 사이즈보다도 큰 사이즈의 링 프레임을 사용할 필요가 없게 되기 때문에, 장치가 대형화하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 척 테이블은, 척 테이블의 흡인면에 있어서 압압 부재의 압압에 의해 움푹 들어가는 다공질층을 구비하고, 압압 부재의 압압에 의해 다공질층이 분할 예정 라인을 따라 움푹 들어가기 때문에, 확실하게 웨이퍼를 칩으로 개편화(個片化)할 수 있다.
도 1의 (a)는 워크 세트의 일례를 도시한 사시도이고, (b)는 웨이퍼의 내부에 분할 기점을 형성하는 상태를 도시한 단면도이다.
도 2는 브레이킹 장치의 제1 예의 구성을 도시한 단면도이다.
도 3은 브레이킹 장치의 제1 예의 동작예를 도시한 단면도이다.
도 4는 브레이킹 장치의 제2 예의 구성을 도시한 단면도이다.
도 5는 브레이킹 장치의 제2 예의 동작예를 도시한 단면도이다.
도 6은 브레이킹 장치의 제3 예의 구성을 도시한 단면도이다.
도 7은 브레이킹 장치의 제3 예의 동작예를 도시한 단면도이다.
도 1에 도시된 웨이퍼(W)는, 도 2에 도시된 브레이킹 장치(10)에 의해 분할되는 피가공물의 일례이다. 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에는, 격자형의 분할 예정 라인(S)에 의해 구획된 각각의 영역에 디바이스(D)가 형성되어 있다. 웨이퍼(W)의 표면(Wa)과 반대측의 이면(Wb)에는, 디바이스(D)가 형성되어 있지 않다. 웨이퍼(W)를 가공할 때에는, 웨이퍼(W)의 외경보다 큰 내경의 개구부를 갖는 환상의 링 프레임(F)의 이면측에 점착 테이프(T)를 접착하고, 상기 개구부로부터 노출된 점착 테이프(T)에 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 측을 상향으로 하여 이면(Wb) 측을 접착한다. 이와 같이 하여 점착 테이프(T)를 통해 링 프레임(F)과 웨이퍼(W)가 일체가 된 워크 세트(1)를 형성한다. 또한, 점착 테이프(T)는, 예컨대 신축성이 있는 기재와 점착층에 의해 구성되어 있는 타입의 것을 사용한다.
웨이퍼(W)를 분할할 때에는, 분할 예정 라인(S)을 따라 분할 기점을 미리 형성해 둔다. 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 워크 세트(1)를 유지하는 가공 테이블(2)의 유지면(3)에 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 측을 상향으로 하여 유지시키고, 예컨대 레이저 조사 수단(4)에 의해 분할 예정 라인(S)을 따라, 웨이퍼(W)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔(5)을 웨이퍼(W)의 내부에 집광하여 분할 예정 라인(S)에 대응한 라인형의 분할 기점(6)을 형성한다. 또한, 도시하지 않은 절삭 블레이드에 의해, 분할 예정 라인(S)을 따라 웨이퍼(W)를 완전 절단되지 않을 정도의 깊이의 홈을 형성하는 하프 컷을 표면(Wa)에 행하여 상기 홈을 분할 기점으로 하여도 좋다.
도 2에 도시된 브레이킹 장치(10)는, 웨이퍼(W)의 내부에 분할 기점(6)이 형성된 워크 세트(1)를 유지하는 척 테이블(11)과, 척 테이블(11)이 유지하는 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인(S)을 따라 압압하는 압압 부재(14)와, 척 테이블(11)이 유지하는 웨이퍼(W)에 대하여 압압 부재(14)를 수직 방향(Z축 방향)으로 접근 및 이격시켜 압압 부재(14)로 웨이퍼(W)를 압압하는 압압 수단(15)과, 척 테이블(11)과 압압 부재(14)를 Y축 방향으로 상대적으로 인덱스 이송하는 인덱스 이송 수단(16)과, 압압 부재(14)의 압압에 의해 움푹 들어가는 경도로 형성되는 다공질 플레이트(17)를 구비한다.
척 테이블(11)은, 프레임(110)과, 프레임(110)의 내주측에 형성되어 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지부(111)와, 프레임(110)의 외주부에 형성되어 링 프레임(F)을 유지하는 프레임 유지부(112)를 구비한다. 웨이퍼 유지부(111)의 상면은, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 흡인 유지하는 흡인면(111a)으로 되어 있다. 웨이퍼 유지부(111)는, 다공성 세라믹스 등의 다공질 부재에 의해 형성되고, 프레임(110)의 내부에 형성된 제1 흡인로(113)를 통해 흡인원(13)과 연통되어 있다. 프레임(110)의 하부에는, 척 테이블(11)을 미리 정해진 방향으로 회전시키는 회전 수단(12)이 접속되어 있다.
프레임 유지부(112)는, 프레임(110)의 내부에 형성된 제2 흡인로(114)를 통해 흡인원(13)과 연통되어 있다. 척 테이블(11)로 워크 세트(1)를 유지하면, 예컨대, 프레임 유지부(112)에 의해 유지된 링 프레임(F)의 상면은, 웨이퍼 유지부(111)의 흡인면(111a)보다도 낮은 (-Z측의) 위치에 위치하고 있다.
압압 부재(14)는, 예컨대 그 선단 부분이, 도 1의 (a)에 도시된 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인(S)의 직선을 따른 직선 형상으로 형성되어 있다. 압압 부재(14)는, 압압 수단(15)에 접속되어 있다. 압압 수단(15)은, 압압 부재(14)를 웨이퍼(W)에 접근하는 방향으로 하강시킴으로써, 압압 부재(14)를 통해 웨이퍼(W)를 압압할 수 있다. 또한, 압압 부재(14)는 블레이드와 같이 원형으로 형성되어 있어도 좋다.
다공질 플레이트(17)는, 척 테이블(11)의 흡인면(111a) 상에 배치되어 있다. 다공질 플레이트(17)는, 초고분자량 폴리에틸렌 분말의 소결 다공질 성형체로 이루어진 필름 등으로 구성되고, 압압 부재(14)에 의한 압압에 의해 움푹 들어가는 경도를 갖고 있으면 좋으며, 예컨대 니토덴코 가부시키가이샤가 제공하는 다공 시트(썬맵 HP-5320)를 사용할 수 있다. 이 다공 시트는, ASTM D2240에 있어서의 쇼어 D42의 경도를 갖고 있다. 이와 같이 구성되는 다공질 플레이트(17)는, 압압 부재(14)로 웨이퍼(W)를 분할할 때의 완충재로서 기능하는 것 외에, 하중에 따라 움푹 들어감으로써 웨이퍼(W)가 분할 기점(6)을 기점으로 넓어지는 것을 방해하지 않도록 할 수 있다.
다음에, 브레이킹 장치(10)의 동작예에 대해서 설명한다. 우선, 도 2에 도시된 바와 같이, 워크 세트(1)를 척 테이블(11)로 유지한다. 구체적으로는, 점착 테이프(T)를 상향으로 하여, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 다공질 플레이트(17) 위에 배치하고, 링 프레임(F)을 프레임 유지부(112)에 배치한다. 계속해서, 웨이퍼 유지부(111)를 통해 다공질 플레이트(17)에 흡인 작용을 발휘시켜 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 흡인 유지하고, 제2 흡인로(114)를 통해 프레임 유지부(112)에 흡인 작용을 발휘시켜 링 프레임(F)을 흡인 유지한다.
그 후, 도 3에 도시된 바와 같이, 압압 부재(14)를 웨이퍼(W)의 이면(Wb) 측의 위쪽에 배치하고, 압압 부재(14)를, 도 1의 (a)에서 도시한 Y축 방향으로 향하는 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인(S)과 대향하도록 위치시킨다. 계속해서, 압압 수단(15)은, 압압 부재(14)를 -Z 방향으로 하강시키고, 압압 부재(14)의 선단부(14a)에서 점착 테이프(T) 측으로부터 웨이퍼(W)를 압압한다.
압압 부재(14)로 웨이퍼(W)를 아래쪽으로 압압하여 하중을 가함으로써, 웨이퍼(W)에 가해지는 하중에 따라 다공질 플레이트(17)가 움푹 들어가고, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 측이 다공질 플레이트(17)를 향해 압압되어 넓어진다. 그리고, 압압력에 견딜 수 없게 된 웨이퍼(W)는, 도 1의 (a)에 도시된 분할 예정 라인(S)에 형성된 분할 기점(6)을 기점으로 하여 분할된다.
이 때, 도 3에 도시된 바와 같이, 링 프레임(F)의 상면은, 웨이퍼 유지부(111)의 흡인면(111a)보다도 낮은 위치에 있기 때문에, 프레임 유지부(112)가 유지하는 링 프레임(F)의 상면과 압압 부재(14)의 선단은, 웨이퍼 유지부(111)의 흡인면(111a)에 가장 접근한 압압 부재(14)의 선단부(14a)가 링 프레임(F)의 상면보다도 위쪽에 있는 관계, 즉 압압 부재(14)의 선단부(14a)가 링 프레임(F)의 상면에 접촉하지 않는 관계가 된다. 그 때문에, 웨이퍼(W)의 분할시에 압압 부재(14)의 선단부(14a)가 링 프레임(F)에 접촉하여 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 브레이킹 장치(10)에서는, 웨이퍼(W)의 사이즈에 대응하는 링 프레임(F)을 사용하는 것이 가능해지기 때문에, 장치가 과도하게 대형화하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 링 프레임(F)의 상면이, 웨이퍼 유지부(111)의 흡인면(111a)과 동일한 높이 또는 그것보다도 높은 위치에 있는 경우라도, 다공질 플레이트(17)의 경도에 따라, 웨이퍼(W)가 분할되었을 때에, 웨이퍼 유지부(111)의 흡인면(111a)에 가장 접근했을 때의 압압 부재(14)의 선단부(14a)가 링 프레임(F)의 상면보다도 위쪽에 있으면 좋다.
1개의 분할 예정 라인(S)을 따라 분할되면, 인덱스 이송 수단(16)에 의해, 압압 부재(14)를 예컨대 +Y 방향으로 이동시켜 척 테이블(11)과 압압 부재(14)를 상대적으로 인덱스 이송하고, 압압 부재(14)를 인접한 분할 예정 라인(S)의 상방측에 위치시켜, 상기한 바와 마찬가지로 압압 부재(14)에 의한 압압을 행한다. Y축 방향으로 향하는 모든 분할 예정 라인(S)을 따라 웨이퍼(W)를 분할하면, 회전 수단(12)이 작동하여, 척 테이블(11)을 90도 회전시키고, 도 1의 (a)에 도시된 X축 방향으로 향하고 있는 분할 예정 라인(S)을 Y축 방향으로 향하게 하여, 동일한 압압을 행한다. 압압 수단(15)은, 모든 분할 기점(6)을 따라 분할된 시점에서 웨이퍼(W)에 대한 브레이킹을 종료한다. 이와 같이 하여 웨이퍼(W)를 디바이스(D)를 포함하는 칩으로 분할한다. 또한, 압압 부재(14)를 Y축 방향으로 인덱스 이송하는 구성 외에, 웨이퍼(W)를 유지한 척 테이블(11)을 Y축 방향으로 인덱스 이송하는 구성으로 하여도 좋다. 즉, 척 테이블(11)과 압압 부재(14)는, 상대적으로 인덱스 이송 가능하면 좋다.
이와 같이, 브레이킹 장치(10)에서는, 척 테이블(11)의 흡인면(111a) 상에 압압 부재(14)의 압압에 의해 움푹 들어가는 정도의 경도를 갖는 다공질 플레이트(17)를 설치하였기 때문에, 척 테이블(11)의 흡인면(111a)에서 유지하는 웨이퍼(W)를 압압 부재(14)로 압압하면, 다공질 플레이트(17)가 분할 예정 라인(S)을 따라 움푹 들어가기 때문에, 분할 예정 라인(S)을 따른 라인형의 공간을 척 테이블(11)의 흡인면(111a)에 형성하지 않아도 웨이퍼(W)를 분할 예정 라인(S)을 따라 확실하게 브레이킹하는 것이 가능해진다.
도 4에 도시된 브레이킹 장치(10a)는, 브레이킹 장치의 제2 예이다. 브레이킹 장치(10a)는, 도 1에 도시된 워크 세트(1)를 유지하는 척 테이블(20)을 구비하고, 이것 이외에는 상기한 브레이킹 장치(10)와 동일한 구성으로 되어 있다. 척 테이블(20)은, 프레임(200)과, 웨이퍼 유지부(201)와, 프레임 유지부(202)를 구비한다. 프레임(200)의 하부에는, 척 테이블(20)을 미리 정해진 방향으로 회전시키는 회전 수단(22)이 접속되어 있다. 웨이퍼 유지부(201)는, 프레임(200)의 내부에 형성된 제1 흡인로(203)를 통해 흡인원(23)과 연통되어 있다. 또한, 프레임 유지부(202)는, 프레임(200)의 내부에 형성된 제2 흡인로(204)를 통해 흡인원(23)과 연통되어 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 유지부(201)의 흡인면(201a)의 위쪽에는, 압압 부재(14)에 의한 압압으로 움푹 들어가는 다공질층(21)을 구비한다. 다공질층(21)은, 상기한 다공질 플레이트(17)와 같은 정도의 경도를 갖고 있다.
다음에, 브레이킹 장치(10a)의 동작예에 대해서 설명한다. 브레이킹 장치(10)와 마찬가지로, 도 5에 도시된 바와 같이, 점착 테이프(T)를 상향으로 하여,다공질층(21) 위에 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 배치하고, 척 테이블(20)로 워크 세트(1)를 유지한다. 계속해서, 압압 부재(14)의 선단을 도 1의 (a)에 도시된 Y축 방향으로 향하는 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인(S)과 대향하도록 위치시키고, 압압 수단(15)에 의해 압압 부재(14)를 -Z 방향으로 하강시켜, 압압 부재(14)로 점착 테이프(T)를 통해 웨이퍼(W)를 압압한다.
이 때, 웨이퍼(W)에 가해지는 하중에 따라 다공질층(21)이 움푹 들어가고, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 측이 다공질층(21)을 향해 압압되어 넓어진다. 이와 같이 하여, 압압력에 견딜 수 없게 된 웨이퍼(W)는, 분할 기점(6)을 기점으로 분할된다. 그리고, 브레이킹 장치(10)와 마찬가지로, 모든 분할 기점(6)을 따라 분할된 시점에서 압압 수단(15)에 의해 압압 부재(14)를 + Z 방향으로 상승시키고, 웨이퍼(W)에 대한 브레이킹을 종료한다.
도 6에 도시된 브레이킹 장치(10b)는, 브레이킹 장치의 제3 예로서, 링 프레임을 클램프 유지하는 클램프 유지 기구(302)를 구비하는 척 테이블(30)을 구비한다. 구체적으로는, 척 테이블(30)은, 프레임(300)과, 웨이퍼 유지부(301)와, 링 프레임(F)을 클램프 유지하는 클램프 유지 기구(302)를 구비한다. 프레임(300)의 하부에는, 척 테이블(30)을 미리 정해진 방향으로 회전시키는 회전 수단(32)이 접속되어 있다. 웨이퍼 유지부(301)에는, 프레임(300)의 내부에 형성된 흡인로(306)를 통해 흡인원(33)과 연통되어 있다. 웨이퍼 유지부(301)의 흡인면(301a)에는, 도 4 및 도 5에 도시된 브레이킹 장치(10a)의 다공질층(21)과 동일한 다공질층(31)을 구비한다.
클램프 유지 기구(302)는, 링 프레임(F)이 배치되는 프레임 배치부(303)와, 프레임 배치부(303)의 일단에 부착된 축부(304)와, 축부(304)를 중심으로 회전하여 프레임 배치부(303)에 배치된 링 프레임(F)을 고정하는 클램프부(305)에 의해 적어도 구성되어 있다.
다음에, 브레이킹 장치(10b)의 동작예에 대해서 설명한다. 우선, 도 7에 도시된 바와 같이, 척 테이블(30)로 워크 세트(1)를 유지한다. 구체적으로는, 점착 테이프(T)를 상향으로 하여 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 측을 다공질층(31)에 배치하고, 링 프레임(F)을 프레임 배치부(303)에 배치한다. 계속해서, 축부(304)를 중심으로 하여 클램프부(305)가 회전하고, 링 프레임(F)의 상부를 눌러 고정한다.
척 테이블(30)로 워크 세트(1)를 유지한 후, 압압 부재(14)의 선단부(14a)를 도 1의 (a)에 도시된 Y축 방향으로 향하는 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인(S)과 대향하도록 위치시키고, 압압 수단(15)에 의해, 압압 부재(14)를 -Z 방향으로 하강시켜, 압압 부재(14)의 선단부(14a)에서 점착 테이프(T) 측으로부터 웨이퍼(W)를 압압한다. 이 때, 웨이퍼(W)에 가해지는 하중에 따라 다공질층(31)이 움푹 들어가고, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 측이 다공질층(31)을 향해 압압되어 넓어져서 웨이퍼(W)는 분할 기점(6)을 기점으로 분할된다. 그리고, 브레이킹 장치(10a)와 마찬가지로, 모든 분할 기점(6)을 따라 분할된 시점에서 압압 수단(15)에 의해 압압 부재(14)를 + Z 방향으로 상승시키고, 웨이퍼(W)에 대한 브레이킹을 종료한다.
이상과 같이, 브레이킹 장치(10a, 10b)에서는, 척 테이블(20, 30)의 흡인면(201a, 301a)에, 압압 부재(14)의 압압에 의해 움푹 들어가는 미리 정해진 경도로 형성되는 다공질층(21, 31)을 구비하였기 때문에, 다공질층(21, 31)을 통해 척 테이블(20, 30)에 유지되는 웨이퍼(W)를 압압 부재(14)로 압압하면, 다공질층(21, 31) 자체가 분할 예정 라인(S)을 따라 움푹 들어가기 때문에, 흡인면(201a, 301a)에 분할 예정 라인(S)을 따른 라인형의 공간을 형성하지 않아도 웨이퍼(W)를 분할 예정 라인(S)을 따라 확실하게 브레이킹하는 것이 가능해진다.
1 : 워크 세트 2 : 가공 테이블
3 : 유지면 4 : 레이저 조사 수단
5 : 레이저 빔 6 : 분할 기점
10, 10a, 10b : 브레이킹 장치 11 : 척 테이블
110 : 프레임 111 : 웨이퍼 유지부
111a : 흡인면 112 : 프레임 유지부
113 : 제1 흡인로 114 : 제2 흡인로
12 : 회전 수단 13 : 흡인원
14 : 압압 부재 15 : 압압 수단
16 : 인덱스 이송 수단 17 : 다공질 플레이트
20 : 척 테이블 200 : 프레임
201 : 웨이퍼 유지부 201a : 흡인면
202 : 프레임 유지부 203 : 제1 흡인로
204 : 제2 흡인로 21 : 다공질층
22 : 회전 수단 23 : 흡인원
30 : 척 테이블 300 : 프레임
301 : 웨이퍼 유지부 301a : 흡인면
302 : 클램프 유지 기구 303 : 프레임 배치부
304 : 축부 305 : 클램프부
306 : 흡인로 31 : 다공질층
32 : 회전 수단 33 : 흡인원

Claims (3)

  1. 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 분할하여 칩을 형성하는 브레이킹 장치에 있어서,
    웨이퍼의 외경보다 큰 내경의 개구부를 갖는 링 프레임의 상기 개구부를 막아 접착한 점착 테이프에 상기 분할 예정 라인에 대응한 라인형의 분할 기점이 형성된 웨이퍼를 접착하여 구성되는 워크 세트를 유지하는 척 테이블과,
    상기 척 테이블이 유지하는 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 압압하는 압압 부재와,
    상기 척 테이블과 상기 압압 부재를 상대적으로 인덱스 이송하는 인덱스 이송 수단과,
    상기 척 테이블이 유지하는 웨이퍼에 대하여 상기 압압 부재를 수직 방향으로 접근 및 이격시켜 상기 압압 부재로 상기 웨이퍼를 압압하는 압압 수단과,
    상기 압압 부재에 의해 압압되어 움푹 들어가는 다공질 플레이트
    를 구비하고,
    상기 척 테이블은, 웨이퍼의 한쪽 면을 흡인 유지하는 흡인면과, 상기 링 프레임을 유지하는 유지부를 구비하고,
    상기 척 테이블로 워크 세트를 유지하고, 상기 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 상기 압압 부재로 압압하여 분할하는 브레이킹 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유지부가 유지하는 상기 링 프레임의 상면과 상기 압압 부재의 선단 부분은, 상기 다공질 플레이트를 통해 상기 흡인면에서 유지되는 웨이퍼를 상기 압압 부재로 압압했을 때에, 상기 흡인면에 가장 접근한 상기 압압 부재의 선단 부분이 상기 링 프레임의 상면에 접하지 않는 높이가 되는 관계인 것인 브레이킹 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 기재된 브레이킹 장치에 사용하는 척 테이블에 있어서,
    상기 척 테이블의 흡인면은, 적어도 웨이퍼를 유지하는 영역이 상기 압압 부재에 의한 압압으로 움푹 들어가는 경도로 형성되는 다공질층을 구비하고,
    상기 압압 부재에 의해 상기 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼가 압압됨으로써 상기 웨이퍼를 분할 가능하게 하는 척 테이블.
KR1020150103676A 2014-08-13 2015-07-22 브레이킹 장치 KR20160020351A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014164763A JP2016040810A (ja) 2014-08-13 2014-08-13 ブレーキング装置
JPJP-P-2014-164763 2014-08-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160020351A true KR20160020351A (ko) 2016-02-23

Family

ID=55376782

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150103676A KR20160020351A (ko) 2014-08-13 2015-07-22 브레이킹 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2016040810A (ko)
KR (1) KR20160020351A (ko)
CN (1) CN105374708A (ko)
TW (1) TW201606868A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7217585B2 (ja) 2017-04-13 2023-02-03 株式会社ディスコ 分割方法
KR20190092926A (ko) 2018-01-31 2019-08-08 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
JP7020675B2 (ja) * 2018-02-26 2022-02-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 Low-k膜付きウエハの分断方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009148982A (ja) 2007-12-20 2009-07-09 Daitron Technology Co Ltd ブレーキング装置
JP2013038434A (ja) 2012-09-13 2013-02-21 Daitron Technology Co Ltd ブレーキング装置
JP2013058671A (ja) 2011-09-09 2013-03-28 Disco Abrasive Syst Ltd ブレーキング装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2556856Y2 (ja) * 1991-07-10 1997-12-08 株式会社ディスコ ダイシング装置におけるフレームのクランプ機構
JPH08236484A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Hitachi Ltd 半導体ウエハのブレーキング方法および装置
JP3088327B2 (ja) * 1997-03-24 2000-09-18 鹿児島日本電気株式会社 ガラス基板分断方法
JP2003197581A (ja) * 2001-10-18 2003-07-11 Fujitsu Ltd 板状物支持部材及びその使用方法
JP6043149B2 (ja) * 2012-10-29 2016-12-14 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板のブレイク装置および脆性材料基板のブレイク方法
JP2016505483A (ja) * 2012-11-28 2016-02-25 コーニング インコーポレイテッド パッド、スクライビングマークを形成する方法、およびガラスのシートを切断する方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009148982A (ja) 2007-12-20 2009-07-09 Daitron Technology Co Ltd ブレーキング装置
JP2013058671A (ja) 2011-09-09 2013-03-28 Disco Abrasive Syst Ltd ブレーキング装置
JP2013038434A (ja) 2012-09-13 2013-02-21 Daitron Technology Co Ltd ブレーキング装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105374708A (zh) 2016-03-02
JP2016040810A (ja) 2016-03-24
TW201606868A (zh) 2016-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20170097557A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP6457231B2 (ja) ウエーハの分割方法
CN110491820A (zh) 晶片的加工方法
JP5378780B2 (ja) テープ拡張方法およびテープ拡張装置
KR20150007944A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR102478797B1 (ko) 절삭 장치
JP6489970B2 (ja) チャックテーブルの製造方法及び加工装置
KR20160020351A (ko) 브레이킹 장치
KR20160099481A (ko) 가공 장치의 척 테이블
KR20160019849A (ko) 취성재료 기판의 분단방법 및 분단장치
CN107452609A (zh) 晶片的加工方法
KR101966997B1 (ko) 가공 방법
JP2014007217A (ja) ウェーハの加工方法
JP2013239557A (ja) チップ間隔維持装置
JP6298699B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP5953113B2 (ja) 被加工物の分割方法
JP2016219757A (ja) 被加工物の分割方法
JP5378746B2 (ja) 分割加工用治具
KR102163439B1 (ko) 수지 시트 접착 방법
JP7347735B2 (ja) チャックテーブルおよびチャックテーブルの製造方法
JP5988686B2 (ja) 被加工物の分割方法
KR20170088288A (ko) 유지 테이블
JP2010177566A (ja) ワーク支持用環状フレームおよびワーク移載方法
JP6981773B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2014143295A (ja) 加工装置のチャックテーブル