KR20160013235A - 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 10
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L51/0097—
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- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H01L2227/32—
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
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Abstract
본 발명은 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부; 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함하고, 상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 기판 상의 영역 중 적어도 일부 영역과, 상기 기판의 측면영역 중 적어도 일부 영역 상에, 보호부가 구비되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 출원은 2013년 9월 30일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2013-0116192호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 전극 사이에 형성된 발광층에 전극을 통해 정공과 전자를 주입하여 주입된 정공과 전자가 여기자를 이룬 후 소명하면서 빛을 내는 소자이다.
이러한 유기 발광 소자는 자발광 특성을 지니고 있기 때문에 종래의 액정 디스플레이에 비해 얇고, 소비전력이 낮으며 우수한 시야각과 높은 응답 속도를 지니고 있다는 장점이 있다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널이나 무기 이엘 패널 디스플레이에 비해 10V 이하의 낮은 전압에서 구동이 가능하여 소비 전력이 낮고 색감이 뛰어난 장점이 있다. 뿐만 아니라, 유기 발광 소자는 휘는 특성이 있는 플라스틱 기판을 사용하여 제작할 수도 있다.
또한, 유기 발광 소자는 수동형 방식과 능동형 방식으로 나뉘어진다. 수동형 방식의 경우 발광층에서 생성된 빛을 기판면으로 발광시키는 배면 발광 방식을 채택하고 있다. 반면, 능동형 방식에서 배면 발광 방식을 채택할 경우 TFT에 가려져 개구율이 낮아지게 된다. 따라서, 개구율을 높이기 위해서 기판 반대편으로 발광시키는 전면 발광 방식이 요구되고 있다.
이러한 우수한 장점을 지니고 있는 유기 발광 소자의 종래의 봉지 방법 및 봉지 구조는 제1 전극, 제2 전극 및 발광층으로 이루어진 발광체가 위치한 기판과 이를 봉지하는 봉지캡을 열경화성 또는 광경화성 접착부재를 사용하여 봉지하는 것이 일반적이다.
당 기술분야에서는 봉지 특성이 우수한 유기 발광 소자에 대한 연구가 필요하다.
본 출원은,
기판; 상기 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부; 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함하고,
상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 기판 상의 영역 중 적어도 일부 영역과, 상기 기판의 측면영역 중 적어도 일부 영역 상에, 보호부가 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 출원은, 상기 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다.
또한, 본 출원은, 상기 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 박막 글래스 기판 상의 영역 중 유기 발광부와 봉지부가 구비되지 않은 영역과, 기판의 측면영역에 보호부를 포함함으로써, 상기 박막 글래스 기판을 외부 노출로부터 보호할 수 있고, 이에 따라, 유기 발광 소자 제품의 강성을 보강할 수 있다.
도 1은 종래의 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 2 는 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 2 는 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 도이다.
이하에서 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
OLED 기술 중 봉지(encapsulation) 공정은 OLED 수명과 신뢰성을 좌우하는 핵심기술로서, OLED 재료는 수분과 산소에 매우 취약한 특성 상 수분 또는 산소가 침투시 유기물층 및 전극의 변형 유발, 수명 저하의 여러 가지 문제를 발생시킬 수 있다. 따라서, OLED는 외기 차단을 위한 봉지 공정이 절대적으로 필요하다.
종래의 유기 발광 소자를 하기 도 1에 개략적으로 나타내었다. 종래의 유기 발광 소자에서는 글래스 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광부가 구비되고, 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함한다. 상기 유기 발광 소자의 제1 전극 및 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하기 위하여, 모듈(module) 공정을 거치게 되는데, 일반적으로 상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 글래스 기판 상에 연성회로기판(FPCB)이 구비되게 된다. 또한, 상기 글래스 기판의 하부에는 OCF(Out Coupling Film)가 구비된다. 상기 OCF는 확산 필름(diffuse film)의 일종으로서, 광의 전반사 조건을 완화하여 소자 내부에서 발생된 광을 효율적으로 외부로 방출될 수 있도록 하여, 광효율을 증대시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 OCF는 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있다.
상기 FPCB는 작업공차를 반영하여, 패드 폭 대비하여 작게 설계하게 되고, 상기 OCF는 작업공차를 반영하여, 글래스 기판의 면적보다 작게 설계하게 된다.
상기 종래기술에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 글래스 기판으로서 박막 글래스 기판을 이용하는 경우에는, 상기 박막 글래스 기판이 외부로 노출되게 되고, 이에 따라 유기 발광 소자 제품 취급시 박막 글래스 기판이 깨지는 현상이 발생될 수 있다.
따라서, 본 출원에서는 유기 발광 소자의 기판으로서 박막 글래스 기판을 이용하는 경우에, 상기 박막 글래스 기판을 보호하는 공정 등을 연구하여 본 발명을 완성하였다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부; 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함하고, 상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 기판 상의 영역 중 적어도 일부 영역과, 상기 기판의 측면영역 중 적어도 일부 영역 상에, 보호부가 구비되는 것을 특징으로 한다.
본 출원에 있어서, 상기 기판은 박막 글래스(thin glass) 기판일 수 있다. 상기 박막 글래스 기판의 두께는 0.1mm 이하일 수 있고, 50 ~ 100㎛일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 기판 상의 모든 영역과, 기판의 측면영역의 모든 영역 상에 보호부가 구비될 수 있다.
또한, 상기 봉지부의 상부영역 및 측면영역의 모든 영역 상에 보호부가 추가로 구비될 수 있다.
즉, 상기 유기 발광 소자의 기판 및 봉지부의 외측에 모두 상기 보호부가 구비될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 기판의 하부에는 기판보다 넓은 면적을 가지는 OCF가 추가로 구비될 수 있다. 이 때, 상기 유기 발광 소자는 OCF 상에 OCF보다 작은 면적을 가지는 기판이 구비되는 형태의 구조를 가지고, 상기 기판이 구비되지 않은 OCF의 영역 상에 상기 보호부가 추가로 구비될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 보호부는 외부로 노출된 박막 글래스 기판을 물리적으로 보호할 뿐만 아니라, 박막 글래스 기판으로 외부의 수분, 공기 등의 침투를 방지하는 배리어 역할을 수행할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 보호부는 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. 상기 플라스틱 필름은 폴리이미드, PET(polyethylene terephthalate), 폴리에스테르(polyester), PC(Polycarbonate), PEN(polyethylene naphthalate), PEEK(polyether ether ketone), PAR(polyarylate), PCO(polycyclicolefin), 폴리노보넨(polynorbornene), PES(polyethersulphone) 및 COP(cycloolefin polymer)로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 보호부는 절연층 및 금속 패턴층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보호부는 2층의 절연층과 상기 2층의 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함할 수 있다.
상기 절연층은 폴리이미드를 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 절연층의 두께는 1 ~ 50㎛ 일 수 있고, 5 ~ 20㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 금속 패턴층은 유기 발광부 내부에 외부의 수분, 공기 등의 침투를 방지하는 배리어 역할을 수행할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 제1 전극 또는 제2 전극은 상기 금속 패턴층을 통하여 외부 전원과 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 금속 패턴층은 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제1 금속 패턴을 포함할 수 있고, 상기 금속 패턴층은 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제2 금속 패턴을 포함할 수 있다. 또한, 본 출원에 있어서, 상기 금속층은 제1 금속 패턴 및 제2 금속 패턴을 모두 포함할 수 있다.
상기 금속 패턴층은 절연층 상에 미리 재단된 금속 패턴을 라미네이션하거나, 절연층 상에 금속층을 증착하여 형성한 후 패터닝하여 형성할 수 있다.
상기 금속 패턴층의 두께는 1 ~ 50㎛ 일 수 있고, 5 ~ 20㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 금속 패턴층은 구리, 알루미늄, 철, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 은, 주석, 납 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 보호부는 제1 전극 또는 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 상기 컨택홀을 당 기술분야에 알려진 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 컨택홀은 제1 전극 또는 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하기 위하여, 그 내부에 도전성 페이스트를 포함할 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 Ag, Au, Cu, Ni, Al, W, Co, Pd 및 이들의 합금으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 보호부는 제1 전극 또는 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 이방성 도전 필름을 추가로 포함할 수 있다. 상기 이방성 도전 필름은 작은 도전성 입자들로 구성된 도전볼을 포함하는 열경화성 수지 필름을 이용할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 봉지부는 상기 유기 발광부의 외측과 접하는 실링층, 및 상기 실링층 상에 구비된 금속층을 포함할 수 있다.
상기 실링층은 페이스 실 필름(Face seal film_을 이용할 수 있다. 상기 페이스 실 필름(Face seal film)은 게터(getter)를 포함하는 점착필름일 수 있다. 상기 게터는 잔류 기체를 흡수하거나 그 기체와 화합물을 만드는 물질이며 점착필름 상에 포함되어 잔존하는 수분 또는 산소를 흡수하거나 이와 반응하여 화합물을 만들 수 있다면 그 종류를 한정하지 않으나, 예를 들면, 활성탄, 바륨, 마그네슘, 지르코늄 및 붉은 인 중 적어도 하나일 수 있다.
또한, 상기 금속층은 구리, 알루미늄, 철, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 은, 주석, 납 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자를 하기 도 2에 개략적으로 나타내었다.
본 출원에 있어서, 상기 유기 발광부는 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드를 포함할 수 있다.
상기 애노드는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 구리, 은, 주석 및 납 중에서 선택된 1종 이상으로 형성될 수 있다.
또한, 애노드는 투명 전도성 산화물로 형성될 수도 있다. 여기서, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 및 란탄(La) 중에서 선택된 적어도 하나의 산화물일 수 있다.
상기 애노드는 스퍼터링(Sputtering)법, 전자-빔 증착법(E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal evaporation), 레이저 분자 빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy, L-MBE), 및 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition, PLD) 중에서 선택된 어느 하나의 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD); 열 화학 기상 증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD), 광 화학 기상 증착법(Light Chemical Vapor Deposition), 레이저 화학 기상 증착법(Laser Chemical Vapor Deposition), 금속-유기 화학 기상 증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 및 수소화물 기상 증착법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 중에서 선택된 어느 하나의 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition); 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 형성할 수 있다
상기 애노드의 저항 개선을 위하여 보조전극을 추가로 포함할 수 있다. 상기 보조전극은 전도성 실란트(sealant) 및 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 증착 공정 또는 프린팅 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 보조전극은 Cr, Mo, Al, Cu, 이들의 합금 등을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 보조전극 상에 절연층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 절연층은 당 기술분야에 알려진 재료 및 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 일반적인 포토 레지스트 물질; 폴리이미드; 폴리아크릴; 실리콘 나이트라이드; 실리콘 옥사이드; 알루미늄 옥사이드; 알루미늄 나이트라이드; 알카리 금속 산화물; 알카리토금속 산화물 등을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 절연층의 두께는 10nm ~ 10㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기물층의 구체적인 물질, 형성방법은 특별히 제한되는 것은 아니고, 당 기술분야에 널리 알려진 물질 및 형성방법을 이용할 수 있다.
상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 적층 구조일 수 있다.
상기 정공 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 전자 주입 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있고, 정공 주입 전극 물질과 동일한 물질을 사용할 수도 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층을 형성할 수 있는 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌; 인광 호스트 CBP[[4,4'-bis(9-carbazolyl)biphenyl]; 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 발광 물질은 형광 또는 인광 특성을 향상시키기 위해 인광 도판트 또는 형광 도판트를 추가로 포함할 수 있다. 상기 인광 도판트의 구체적인 예로는 ir(ppy)(3)(fac tris(2-phenylpyridine) iridium) 또는 F2Irpic[iridium(Ⅲ)bis(4,6-di-fluorophenyl-pyridinato-N,C2) picolinate] 등이 있다. 형광 도판트로는 당 기술분야에 알려진 것들을 사용할 수 있다.
상기 전자 수송층을 형성할 수 있는 물질로는 전자 주입층으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드는 Al, Ag, Ca, Mg, Au, Mo, Ir, Cr, Ti, Pd, 이들의 합금 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 따른 유기 발광 소자는 조명용 유기 발광 소자에 보다 바람직하게 적용될 수 있다. 또한, 본 출원에 따른 유기 발광 소자는 플렉서블 유기 발광 소자에 보다 바람직하게 적용될 수 있다.
본 출원에 따른 유기 발광 소자는 광추출 구조를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 기판과 유기 발광 소자 사이에 광추출층을 추가로 포함할 수 있다.
상기 광추출층은 광산란을 유도하여, 유기 발광 소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 구조라면 특별히 제한하지 않는다. 보다 구체적으로, 상기 광추출층은 바인더 내에 산란입자가 분산된 구조일 수 있다.
또한, 상기 광추출층은 기재 위에 스핀 코팅, 바 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법에 의하여 직접 형성되거나, 필름 형태로 제작하여 부착하는 방식에 의하여 형성될 수 있다.
또한, 상기 광추출층 상에 평탄층을 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 디스플레이 장치에서 상기 유기 발광 소자는 화소 또는 백라이트 역할을 할 수 있다. 그 외 디스플레이 장치의 구성은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. 조명 장치에서 상기 유기 발광 소자는 발광부의 역할을 수행한다. 그 외 조명 장치에 필요한 구성들은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 박막 글래스 기판 상의 영역 중 유기 발광부와 봉지부가 구비되지 않은 영역과, 기판의 측면영역에 보호부를 포함함으로써, 상기 박막 글래스 기판을 외부 노출로부터 보호할 수 있고, 이에 따라, 유기 발광 소자 제품의 강성을 보강할 수 있다.
Claims (19)
- 기판; 상기 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 유기 발광부; 상기 유기 발광부의 외측을 밀봉하는 봉지부를 포함하고,
상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 기판 상의 영역 중 적어도 일부 영역과, 상기 기판의 측면영역 중 적어도 일부 영역 상에, 보호부가 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자. - 청구항 1에 있어서, 상기 기판은 박막 글래스(thin glass) 기판인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 2에 있어서, 상기 박막 글래스 기판의 두께는 0.1mm 이하인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 유기 발광부 및 봉지부가 구비되지 않은 기판 상의 영역과, 기판의 측면영역의 모든 영역 상에 보호부가 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 4에 있어서, 상기 봉지부의 상부영역 및 측면영역의 모든 영역 상에 보호부가 추가로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 기판의 하부에는 기판보다 넓은 면적을 가지는 OCF(Out Coupling Film)가 추가로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 6에 있어서, 상기 OCF 상에 OCF보다 작은 면적을 가지는 기판이 구비되고,
상기 기판이 구비되지 않은 OCF의 영역 상에 상기 보호부가 추가로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자. - 청구항 1에 있어서, 상기 보호부는 플라스틱 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 보호부는 절연층 및 금속 패턴층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 9에 있어서, 상기 보호부는 2층의 절연층과 상기 2층의 절연층 사이에 구비된 금속 패턴층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 9에 있어서, 상기 제1 전극 또는 제2 전극은 상기 금속 패턴층을 통하여 외부 전원과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 9에 있어서, 상기 금속 패턴층은 상기 제1 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제1 금속 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 9에 있어서, 상기 금속 패턴층은 상기 제2 전극과 외부 전원을 전기적으로 연결하는 제2 금속 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 봉지부는 상기 유기 발광부의 외측과 접하는 실링층, 및 상기 실링층 상에 구비된 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 플렉서블 유기 발광 소자인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 기판 및 제1 전극 사이에는 광추출층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 16에 있어서, 상기 광추출층 상에 평탄층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 청구항 1 내지 17 중 어느 한 항의 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치.
- 청구항 1 내지 17 중 어느 한 항의 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130116192 | 2013-09-30 | ||
KR20130116192 | 2013-09-30 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20140132096A Division KR20150037713A (ko) | 2013-09-30 | 2014-09-30 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160013235A true KR20160013235A (ko) | 2016-02-03 |
KR101866296B1 KR101866296B1 (ko) | 2018-06-11 |
Family
ID=52744055
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20140132096A KR20150037713A (ko) | 2013-09-30 | 2014-09-30 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
KR1020160005472A KR101866296B1 (ko) | 2013-09-30 | 2016-01-15 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20140132096A KR20150037713A (ko) | 2013-09-30 | 2014-09-30 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9728739B2 (ko) |
EP (1) | EP3018724B1 (ko) |
JP (1) | JP6341999B2 (ko) |
KR (2) | KR20150037713A (ko) |
CN (1) | CN105474425B (ko) |
TW (1) | TWI562428B (ko) |
WO (1) | WO2015047056A1 (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN105340102B (zh) * | 2013-05-21 | 2017-12-08 | Lg化学株式会社 | 有机电子器件 |
WO2015047056A1 (ko) | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
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2014
- 2014-09-30 WO PCT/KR2014/009241 patent/WO2015047056A1/ko active Application Filing
- 2014-09-30 CN CN201480045520.2A patent/CN105474425B/zh active Active
- 2014-09-30 EP EP14846850.7A patent/EP3018724B1/en active Active
- 2014-09-30 US US14/910,226 patent/US9728739B2/en active Active
- 2014-09-30 KR KR20140132096A patent/KR20150037713A/ko active Application Filing
- 2014-09-30 JP JP2016529733A patent/JP6341999B2/ja active Active
- 2014-09-30 TW TW103134127A patent/TWI562428B/zh active
-
2016
- 2016-01-15 KR KR1020160005472A patent/KR101866296B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016525779A (ja) | 2016-08-25 |
EP3018724B1 (en) | 2023-03-01 |
EP3018724A1 (en) | 2016-05-11 |
TWI562428B (en) | 2016-12-11 |
EP3018724A4 (en) | 2017-05-10 |
US20160181571A1 (en) | 2016-06-23 |
JP6341999B2 (ja) | 2018-06-13 |
TW201523958A (zh) | 2015-06-16 |
KR20150037713A (ko) | 2015-04-08 |
US9728739B2 (en) | 2017-08-08 |
CN105474425A (zh) | 2016-04-06 |
CN105474425B (zh) | 2018-02-09 |
KR101866296B1 (ko) | 2018-06-11 |
WO2015047056A1 (ko) | 2015-04-02 |
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A107 | Divisional application of patent | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |