JP2014212107A - 有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】十分な防湿性を有する有機ＥＬデバイスを提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設けられ且つ第１端子部３１１を有する第１導電層３１、第１導電層３１上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス層３２、及び有機エレクトロルミネッセンス層３２上に設けられ且つ第２端子部３３１を有する第２導電層３３を有する有機エレクトロルミネッセンス素子３を有する積層体３Ａと、第１端子部３１１及び第２端子部３３１を除いて積層体３Ａを被覆する絶縁性の無機膜４と、を有する有機ＥＬデバイス１。
【選択図】図２

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及びその製造方法に関する。

一般的に、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、基板上に有機エレクトロルミネッセンス素子が積層された構造を有する。有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１導電層と、有機エレクトロルミネッセンス層と、第２導電層と、を少なくとも有する。近年、このような有機エレクトロルミネッセンスデバイスを照明装置などに応用することが検討されている。以下、「有機エレクトロルミネッセンス」を単に「有機ＥＬ」と表す。

有機ＥＬ素子は、水分や酸素によって劣化し易い。有機ＥＬ素子が水分によって劣化すると、長期間に亘り有機ＥＬデバイスの安定した発光を維持できない虞がある。つまり、有機ＥＬデバイスの劣化防止のためには、有機ＥＬ素子への水分や酸素の侵入を防ぐ必要がある。
そのため、従来、有機ＥＬ素子の第２導電層の上に接着層を介して封止板を積層し、この封止板によって有機ＥＬ層に水分が接触することを防止することが知られている（例えば、特許文献１）。
しかしながら、封止板だけでは水分の侵入を長期間に亘り確実に防止することは困難である。また、接着層は、一般的に、主成分として防湿性の低い樹脂を含んでいる。そのため、封止板を透過した水分が、接着層から有機ＥＬ層に到達し易いという問題がある。

特開２００３−３１７９３７号公報

本発明の目的は、十分な防湿性を有する有機ＥＬデバイス及びその製造方法を提供することである。

本発明の有機ＥＬデバイスは、基板と、前記基板上に設けられ且つ第１端子部を有する第１導電層、前記第１導電層上に設けられた有機ＥＬ層、及び前記有機ＥＬ層上に設けられ且つ第２端子部を有する第２導電層とを有する有機ＥＬ素子を有する積層体と、前記第１端子部及び前記第２端子部を除いて前記積層体を被覆する絶縁性の無機膜と、を有する。

本発明の好ましい有機ＥＬデバイスは、絶縁性の無機膜が前記基板を被覆している。また、好ましくは、前記絶縁性の無機膜が、ポリシラザンのシリカ転化物を含む。

また、好ましくは、前記積層体が、前記有機ＥＬ素子上に設けられた接着層と、前記接着層により前記有機ＥＬ素子に接着された封止板と、をさらに有する。
さらに好ましくは、前記積層体が、前記有機ＥＬ素子上に設けられた保護膜と、前記保護膜上に設けられた接着層と、前記接着層により前記保護膜に接着された封止板と、をさらに有する。

また、好ましくは、前記封止板が可撓性を有する。さらに好ましくは、前記基板が可撓性を有する。

本発明の別の局面によれば、有機ＥＬデバイスの製造方法を提供する。
本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法は、基板上に、第１端子部を有する第１導電層と有機ＥＬ層と第２端子部を有する第２導電層とを有する有機ＥＬ素子を有する積層体を形成する工程と、前記第１端子部及び第２端子部をマスキング材により被覆する工程と、前記積層体に、絶縁性の無機物を含んだ処理液を接触させる工程と、前記処理液を固化させることにより無機膜を形成する工程と、前記マスキング材を取り除く工程と、を有する。
また、好ましくは、前記処理液がポリシラザンを含んでおり、前記処理液を固化させる工程が、前記ポリシラザンのシリカ転化処理を含む。

本発明の有機ＥＬデバイスは、有機ＥＬ素子が絶縁性の無機膜によって被覆されている。無機膜は、防湿性を有するため、有機ＥＬ素子の内側に水分が侵入することを効果的に防止することができ、長期間に亘り劣化し難い有機ＥＬデバイスを提供できる。

本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬデバイスを示す平面図。 図１の有機ＥＬデバイスをＩＩ−ＩＩ線で切断した拡大断面図。 図１の有機ＥＬデバイスをＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した拡大断面図。 本発明の第１変形例に係る有機ＥＬデバイスの拡大断面図。 本発明の第２変形例に係る有機ＥＬデバイスの拡大断面図。 本発明の第３変形例に係る有機ＥＬデバイスの拡大断面図。 本発明の第４変形例に係る有機ＥＬデバイスの拡大断面図。 本発明の有機ＥＬデバイスの製造ラインの一部を示す概略側面図。 端子部がマスキング材によって被覆された基板付積層体を示す拡大断面図。

以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。ただし、各図における層厚及び長さなどの寸法は、実際のものとは異なっていることに留意されたい。また、本明細書において、用語の接頭語として、第１、第２などを付す場合があるが、この接頭語は、用語を区別するためだけに付されたものであり、順序や優劣などの特別な意味を持たない。
さらに、本明細書において、方向を意味する「上」は、便宜上、図２及び図３に示すような水平面に置いた有機ＥＬデバイスを基準に、図面の上側を指し、「下」は、図面の下側を指す。また、ある部材又は部分の面のうち、上側にある面を「表面」といい、下側にある面を「裏面」という。

図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬデバイス１を示す平面図であり、図２及び図３は、同拡大断面図である。なお、図３に表される２本の一点鎖線は、両一点鎖線間に存在する有機ＥＬデバイス１の描写を、便宜上、省略していることを意味する。
本実施形態において、平面視略帯状の有機ＥＬデバイス１が用いられている。しかし、本発明において有機ＥＬデバイスの平面視形状は、特に限定されず、有機ＥＬデバイスは、平面視略円形状、略三角形状などに変更することもできる。
平面視略帯状の有機ＥＬデバイス１の寸法は特に限定されないが、一般的には、有機ＥＬデバイス１の幅：長さは、１：３〜１：２０であり、好ましくは、１：３〜１：１０である。

図１〜図３に示すように、本発明の有機ＥＬデバイス１は、基板２と、基板２上に設けられた積層体３Ａと、積層体３Ａを被覆する絶縁性の無機膜４と、を有する。
積層体３Ａは、少なくとも有機ＥＬ素子３を有する。図２及び図３では、積層体３Ａは、有機ＥＬ素子３と、有機ＥＬ素子３の上に設けられた保護膜３４と、接着層３５と、封止板３６とを有する。もっとも、本発明において、積層体３Ａは、少なくとも有機ＥＬ素子３を有していればよく、保護膜３４、接着層３５、又は封止板３６が設けられていなくてもよい。
有機ＥＬ素子３は、第１端子部３１１を有する第１導電層３１と、第１導電層３１上に設けられた有機ＥＬ層３２と、有機ＥＬ層３２上に設けられ且つ第２端子部３３１を有する第２導電層３３と、を有する。有機ＥＬ層３２は、第１導電層３１の表面に積層されており、第２導電層３３は、有機ＥＬ層３２の表面に積層されている。
第１導電層３１は、有機ＥＬ層３２の外側に配置された第１端子部３１１と、有機ＥＬ層３２の下に配置された第１電極部３１２と、からなる。また、第２導電層３３は、有機ＥＬ層３２の外側に配置された第２端子部３３１と、有機ＥＬ層３２の上に配置された第２電極部３３２と、からなる。

両端子部３１１，３３１は、第１及び第２導電層３１，３３の一部であって、外部電源から供給される電気を接受する部分である。具体的には、両端子部３１１，３３１は、両導電層３１，３３の一部であって、外気に露出した部分である。図１〜図３の実施形態では、両端子部３１１，３３１は、基板２の表面２ｆ上に設けられている。もっとも、後述するように、有機ＥＬ素子３と基板２との間に絶縁層が設けられている場合、両端子部３１１，３３１は、この絶縁層の表面上に設けられる。
図１及び図２に示すように、第１端子部３１１は、有機ＥＬデバイス１の幅方向第１側の端部に設けられており、第２端子部３３１は、有機ＥＬデバイス１の幅方向第２側の端部に設けられている。また、両端子部３１１，３３１は、有機ＥＬデバイス１の長さ方向第３側の端部から長さ方向第４側の端部にかけて帯状に設けられている。
第１端子部３１１及び第２端子部３３１には、リード線等の接続手段が接続される（図示せず）。接続手段は、さらに外部電源（図示せず）に繋がっており、外部電源から供給される電気が接続手段を介して第１端子部３１１及び第２端子部３３１に供給される。

なお、本明細書では、便宜上、図１の左側が有機ＥＬデバイスの第１側、図１の右側が第２側、図１の上側が第３側、図１の下側が第４側にそれぞれ相当する。なお、図２では、その左側が第１側であり、その右側が第２側であり、図３では、その左側が第３側であり、その右側が第４側である。
また、本明細書において、ある部材又は部分の面のうち、第１側にある面を第１側面、第２側にある面を第２側面、第３側にある面を第３側面、第４側にある面を第４側面といい、これら第１〜第４側面を総称して外周面という。
ある部材又は部分の第１側面及び第２側面は、第１端子部３１１及び第２端子部３３１と同様に、有機ＥＬデバイス１の第３側から第４側へかけて延びる面である。また、ある部材又は部分の第３側面及び第４側面は、有機ＥＬデバイス１の第１側から第２側へかけて延びる面であり、前記第１側面及び第２側面と略直角に交わりつつ連続的に繋がった面である。

第１電極部３１２は、第１端子部３１１と連続的に繋がった部分であり、第２電極部３３２は、第２端子部３３１と連続的に繋がった部分である。第１電極部３１２と第１端子部３１１は、一体的に形成されており、第２電極部３３２と第２端子部３３１は、一体的に形成されている。第１電極部３１２は、有機ＥＬ層３２の裏面３２ｅに接するように配置されており、第２電極部３３２は、有機ＥＬ層３２の表面３２ｆに接するように配置されている。両端子部３１１，３３１が接受した電気は、両電極部３１２，３３２によって有機ＥＬ層３２に供給され、その結果、有機ＥＬ層３２が発光する。

本発明の有機ＥＬデバイス１においては、積層体３Ａが、第１端子部３１１及び第２端子部３３１を除いて、絶縁性を有する無機膜４によって被覆されている。かかる無機膜４により、有機ＥＬ素子３が有する有機ＥＬ層３２に、水分が接触することを効果的に防止できる。
なお、本発明において、「第１及び第２端子部を除いて積層体が無機膜によって被覆されている」とは、積層体の外面全体（第１及び第２端子部を除く）に無機膜が設けられている場合だけでなく、積層体の外面の一部に無機膜が設けられている場合も含んでいる。積層体の外面の一部に無機膜が設けられる場合、無機膜が設けられる領域は限定されず、有機ＥＬデバイスの防湿性を担保できる範囲で適宜変更することができる。

本明細書では、有機ＥＬデバイス１の第１導電層３１が陽極層であり、且つ、第２導電層３３が陰極層であることを前提としている。しかし、本発明の有機ＥＬデバイス１は、第１導電層３１が陰極層であり、且つ、第２導電層３３が陽極層であってもよい。
以下、有機ＥＬデバイス１の各部材及び各部分の構成について説明する。

［基板］
基板は、積層体が積層される板状の部材である。
基板の形成材料は、特に限定されない。基板の形成材料としては、例えば、ガラス、セラミック、金属、合成樹脂などが挙げられる。基板は、透明及び不透明の何れでよいが、ボトムエミッション型の有機ＥＬデバイスを形成する場合には、透明な基板が用いられる。
また、基板は、駆動時に有機ＥＬデバイスの温度上昇を防止するため、放熱性に優れていることが好ましく、有機ＥＬ層に水分が接触することを防止するため、防湿性を有することが好ましい。
放熱性や防湿性を考慮すると、基板の形成材料としては、金属を用いることが好ましい。なお、基板の形成材料として金属を用いる場合には、基板と第１導電層（陽極層）及び第２導電層（陰極層）との短絡を防止するため、基板の表面に絶縁層が設けられることが好ましい。

基板の形成材料として合成樹脂を用いる場合、この合成樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル系樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のα−オレフィンをモノマー成分とするオレフィン系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；酢酸ビニル系樹脂；ポリカーボネート（ＰＣ）；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリイミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などが挙げられ、好ましくは、ポリイミド系樹脂が用いられる。
基板の形成材料として金属を用いる場合、この金属としては、例えば、ステンレス、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト、銅、及びこれらの合金等が挙げられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。
また、基板は、可撓性を有することが好ましい、このような可撓性を有する基板の形成材料としては、銅やアルミニウムが挙げられる。
なお、本明細書において、「可撓性を有する」とは、基板に力を加えた際に、基板の面内の全放射方向には殆ど変形しないが、基板の厚み方向に大きく変化する（撓む）性質を有することをいい、具体的には、基板の厚さをｘ（μｍ）とした場合、ｘ^１／２×１０（ｃｍ）の直径を有する丸棒に基板を巻き付けても、基板に破断及びクラックの発生が生じないことをいう。

基板の厚みは特に限定されず、通常、１０μｍ〜１００μｍであり、好ましくは、２０μｍ〜５０μｍである。また、基板の平面視形状は特に限定されず、積層される積層体の配置によって適宜変更することができる。図１に示すように、本発明では、平面視略長方形状（帯状）の基板が用いられている。
前記基板の表面には、必要に応じて、バリア膜が設けられていてもよい。前記バリア膜の形成材料及び厚みは、特に限定されないが、例えば、バリア膜は、後述する保護膜と同様なものを用いることが好ましい。

［積層体］
図２及び図３に示すように、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬデバイス１が有する積層体３Ａは、少なくとも有機ＥＬ素子３を有する。有機ＥＬ素子３は、第１導電層３１と、有機ＥＬ層３２と、第２導電層３３と、を有し、この順に基板２上に積層されている。
本発明の積層体３Ａは、さらに有機ＥＬ素子３の上に保護膜３４と接着層３５と封止板３６をこの順に有する。保護膜３４は、第１端子部３１１及び第２端子部３３１を除いて、有機ＥＬ素子３を被覆している。封止板３６は接着層３５を介して保護膜３４上に接着されている。

保護膜３４は、有機ＥＬ素子３が傷つくことを防止する機能を有すると共に、水分や酸素などの侵入を防止する機能を有する。図２及び図３において、保護膜３４は、有機ＥＬ素子３に直接接触し、有機ＥＬ素子３を被覆している。具体的には、保護膜３４は、第２電極部３３２の表面３３２ｆ、及び有機ＥＬ素子３の外周面（３ａ、３ｂ、３ｃ、及び３ｄ）に直接接触し、有機ＥＬ素子３を被覆している。

接着層３５は、有機ＥＬ層３２が傷つくことを防止すると共に、封止板３６を接着させるために設けられる。封止板３６は、防湿性を有し、有機ＥＬ層３２に水分が接触することを防止する機能を有する。封止板３６は、有機ＥＬ素子３の上に設けられており、具体的には、有機ＥＬ素子３の上に設けられた接着層３５の表面３５ｆ上に接着されている。
図２及び図３において、接着層３５は、保護膜３４の表面３４ｆ、及びその外周面（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、及び３４ｄ）に直接接触して設けられている。また、封止板３６は、接着層３５の表面３５ｆ、第３側面３５ｃ、及び第４側面３５ｄに直接接触して設けられている。

有機ＥＬ層は、少なくとも２つの機能層からなる積層体である。有機ＥＬ層の構造としては、例えば、（Ａ）正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層の、３つの層からなる構造、（Ｂ）正孔輸送層及び発光層の、２つの層からなる構造、（Ｃ）発光層及び電子輸送層、の２つの層からなる構造、などが挙げられる。前記（Ｂ）の有機ＥＬ層は、発光層が電子輸送層を兼用している。前記（Ｃ）の有機ＥＬ層は、発光層が正孔輸送層を兼用している。
本発明の有機ＥＬデバイスの有機ＥＬ層は、上記（Ａ）〜（Ｃ）の何れの構造であってもよい。なお、図１〜図７の有機ＥＬデバイスは、全て（Ａ）の構造を有する。即ち、図１〜図７の有機ＥＬデバイスは、下から順に正孔輸送層３２１、発光層３２２、及び電子輸送層３２３が積層された３層構造の有機ＥＬ層３２を有する。

有機ＥＬ層３２の正孔輸送層３２１は、発光層３２２に正孔を注入する機能を有し、電子輸送層３２３は、発光層３２２に電子を注入する機能を有する。
第１及び第２端子部３１１，３３１に電気が流れると、第１及び第２電極部３１２，３３２から発光層３２２に注入された正孔及び電子が再結合することにより、励起子（エキシトン）を生じる。この励起子が基底状態に戻るときに発光層３２２が発光する。
以下、有機ＥＬ素子３が有する第１導電層３１（陽極層）、正孔輸送層３２１、発光層３２２、電子輸送層３２３、第２導電層３３（陰極層）、保護膜３４、接着層３５、及び封止板３６について説明する。

陽極層は、導電性を有する膜からなる。
陽極層の形成材料は、特に限定されないが、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）；酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）；アルミニウム；金；白金；ニッケル；タングステン；銅；合金；などが挙げられる。陽極層は、透明及び不透明の何れでよいが、ボトムエミッション型の有機ＥＬデバイスを形成する場合には、透明な形成材料が用いられる。陽極層の厚みは特に限定されないが、通常、０．０１μｍ〜１．０μｍである。
陽極層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法などが挙げられる。例えば、金属によって陽極を形成する場合には、蒸着法が用いられる。

正孔輸送層は、陽極層の表面に設けられる。正孔輸送層は、発光層に正孔を注入する機能を有する層である。
正孔輸送層の形成材料は、正孔輸送機能を有する材料であれば特に限定されない。正孔輸送層の形成材料としては、４，４’，４”−トリス（カルバゾール−９−イル）−トリフェニルアミン（略称：ＴｃＴａ）などの芳香族アミン化合物；１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼンなどのカルバゾール誘導体；Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９’−スピロビスフルオレン（略称：Ｓｐｉｒｏ−ＮＰＢ）などのスピロ化合物；高分子化合物；などが挙げられる。正孔輸送層の形成材料は、１種単独で又は２種以上を併用してもよい。また、正孔輸送層は、２層以上の多層構造であってもよい。
正孔輸送層の厚みは、特に限定されないが、有機ＥＬデバイスの駆動電圧を下げるという観点から、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
また、正孔輸送層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、例えば、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法、コート法などが挙げられる。

発光層は、正孔輸送層の表面に設けられる。
発光層の形成材料は、発光性を有する材料であれば特に限定されない。発光層の形成材料としては、例えば、低分子蛍光発光材料、低分子燐光発光材料などの低分子発光材料を用いることができる。
このような低分子発光材料としては、例えば、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）などの芳香族ジメチリデン化合物；５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾールなどのオキサジアゾール化合物；３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体；１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼンなどのスチリルベンゼン化合物；ベンゾキノン誘導体；ナフトキノン誘導体；アントラキノン誘導体；フルオレノン誘導体；アゾメチン亜鉛錯体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）などの有機金属錯体；などが挙げられる。
発光層の厚みは、特に限定されないが、例えば、２ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
また、発光層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、通常、蒸着法によって形成される。

電子輸送層は、発光層の表面（陰極層の裏面）に設けられる。電子輸送層は、発光層に電子を注入する機能を有する。
電子輸送層の形成材料は、電子輸送機能を有する材料であれば特に限定されない。電子輸送層の形成材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）などの金属錯体；２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン（略称：Ｂｐｙ−ＦＯＸＤ）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、２，２’,２’'−(１，３，５−フェニレン)−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（略称：ＴＰＢｉ）などの複素芳香族化合物；ポリ（２，５−ピリジン−ジイル）（略称：ＰＰｙ）などの高分子化合物；などが挙げられる。電子輸送層の形成材料は、１種単独で又は２種以上を併用してもよい。また、電子輸送層は、２層以上の多層構造であってもよい。
電子輸送層の厚みは、特に限定されないが、有機ＥＬデバイスの駆動電圧を下げるという観点から、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
また、電子輸送層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、例えば、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法、コート法などが挙げられる。

陰極層は、導電性を有する膜からなる。
陰極層の形成材料は、特に限定されない。導電性を有する陰極層の形成材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）；酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）；アルミニウムなどの導電性金属を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）；マグネシウム−銀合金などが挙げられる。陰極層は、透明及び不透明の何れでよいが、トップエミッション型の有機ＥＬデバイスを形成する場合には、透明な形成材料が用いられる。陰極層の厚みは特に限定されないが、通常、０．０１μｍ〜１．０μｍである。
陰極層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、例えば、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法などが挙げられる。例えば、ＩＴＯによって陰極層を形成する場合には、スパッタ法が用いられ、マグネシウム−銀合金又はマグネシウム−銀積層膜によって陰極層を形成する場合には、蒸着法が用いられる。

保護膜の形成材料は、特に限定されない。保護膜の形成材料として、例えば、金属又は半金属が挙げられ、好ましくはそれらの酸化物、酸化窒化物、窒化物、又は酸化炭化窒化物などが挙げられる。金属又は半金属の酸化物としては、例えば、ＭｇＯ、ＳｉＯ、Ｓｉ_ｘＯ_ｙ（Ｘ＞０、Ｙ＞０）、Ａｌ_２Ｏ_３、ＧｅＯ、Ｔｉ_２Ｏなどが挙げられる。
好ましくは、保護膜の形成材料は、半金属の酸化窒化物、窒化物、又は酸化炭化窒化物であり、より好ましくは、酸化炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる群から選ばれる少なくとも１種である。保護膜の厚みは、特に限定されないが、例えば、５０ｎｍ〜１０μｍである。

接着層の形成材料は、特に限定されない。例えば、接着層は従来公知の接着剤を用いて形成される。前記接着剤としては、例えば、熱硬化型接着剤又は光硬化型接着剤を用いることができる。
熱硬化型接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、又はメラミン樹脂などを主成分とする接着剤が挙げられる。
光硬化型接着剤としては、代表的には、紫外線硬化型の接着剤を用いることができる。紫外線硬化型接着剤としては、例えば、紫外線硬化性アクリル樹脂、紫外線硬化性ウレタンアクリレート樹脂、紫外線硬化性ポリエステルアクリレート樹脂、紫外線硬化性ポリウレタン樹脂、紫外線硬化性エポキシアクリレート樹脂、又は紫外線硬化性イミドアクリレート樹脂などを主成分とする接着剤が挙げられる。
前記接着層の厚みは、特に限定されないが、例えば、５μｍ〜５０μｍである。

封止板は、接着層の上に設けられる。封止板の形成材料は、防湿性を有するものであれば特に限定されない。封止板の形成材料としては、例えば、エチレンテトラフルオロエチル共重合体（ＥＴＦＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、延伸ナイロン（ＯＮｙ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド、ポリエーテルスチレン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などの合成樹脂を好適に用いることができる。また、前記封止板は、可撓性を有することが好ましい。可撓性を有する封止板の形成材料としては、なガラスや金属を用いることが考えられる。前記封止板は、透明又であってもよく不透明であってももよいが、トップエミッション型の有機ＥＬデバイスを形成する場合には、透明な封止板が用いられる。
前記封止板の厚みは、特に限定されないが、例えば、５μｍ〜１ｍｍであり、好ましくは１０μｍ〜２００μｍである。
なお、必要に応じて、封止板の裏面に、バリア膜が設けられていてもよい。バリア膜の形成材料や厚みは特に限定されないが、好ましくは上述した保護膜と同様である。

［無機膜］
無機膜は、第１端子部及び第２端子部を除いて、積層体を被覆している。無機膜は、積層体の外面全体（第１及び第２端子部を除く）を被覆していてもよいし、積層体の外面の一部を被覆していてもよい。
上述のように、接着層の形成材料として、一般的に合成樹脂が用いられる。しかし、合成樹脂は、防湿性が比較的低いため、接着層に接触した水分は、容易に有機ＥＬ層にまで到達する虞がある。また、封止板は、防湿性を有するものの、それ単体では長期間に亘って防湿性を維持することができない。
この点、本願発明の有機ＥＬデバイスは、積層体が、絶縁性の無機膜によって被覆されているため、水分が有機ＥＬ層に到達することを効果的に防止できる。また、無機膜は、第１及び第２端子部を被覆していないため、接続手段による有機ＥＬデバイスへの給電は阻害されない。

例えば、図２及び図３では、無機膜４は、積層体３Ａの外面全体（第１及び第２端子部３１１，３３１を除く）を被覆している。具体的には、無機膜４は、封止板３６と接着層３５に直接接触しており、封止板３６の表面３６ｆ及びその外周面（３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、及び３６ｄ）、並びに、接着層３５の外周面（３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、及び３５ｄ）を隙間無く被覆している。前記無機膜４により、有機ＥＬデバイス１の防湿性を長期間に亘って維持することができる。
また、後述するように、本発明の有機ＥＬデバイスは、第１及び第２端子部をマスキング材で被覆した後、無機物を含む処理液に基板と積層体を接触させることによって効率的に作製することができる。そのため、生産効率（マスキング材で被覆する部分をなるべく少なくする）の観点からも、封止板の表面及びその外周面、並びに、接着層の外周面が無機膜によって隙間無く被覆されていることが好ましい。

また、本発明において、基板は、前記無機膜によって被覆されていてもよく、被覆されていなくてもよい。例えば、基板の形成材料として、防湿性を有する材料（例えば、金属）を用いた場合、基板は無機膜によって被覆されていなくてもよいし、被覆されていてもよい。他方、基板の形成材料として防湿性に劣る材料（例えば、合成樹脂）を用いる場合、基板は無機膜によって被覆されることが好ましい。

基板が無機膜によって被覆される場合、その被覆される領域は特に限定されないが、好ましくは、基板の裏面２ｅが無機膜によって被覆され、より好ましくは、図２及び図３に示すように、基板２の外面全体が無機膜４によって被覆される。前記基板２の外面全体は、基材２の裏面２ｅ、及び外周面（２ａ、２ｂ、２ｃ、及び２ｄ）である。
基板２の外面全体が無機膜４によって被覆されることにより、本発明の有機ＥＬデバイス１は、高い防湿性を有し得る。そのため、水分が有機ＥＬ層３２に到達することを効果的に防止できる。また、後述する本発明の有機ＥＬデバイス１の製造方法を鑑みると、生産効率の観点からも、無機膜４は、基板２の外面全体を被覆することが好ましい。

無機膜は、絶縁性と防湿性を有する膜であり、絶縁性の無機物を主成分として含む。
なお、「絶縁性の無機物を主成分として含む」とは、無機膜の全成分中、絶縁性の無機物の占める割合（質量）が最も多いことを意味し、無機膜が絶縁性の無機物のみからなる場合だけでなく、無機膜の機能（防湿性及び絶縁性）を阻害しない範囲で他の成分（例えば、絶縁性の有機物）を微量に含んでいる場合も含む。

無機膜に含まれる絶縁性の無機物は特に限定されない。このような絶縁性の無機物は、金属であってもよく、半金属であってもよい。
金属としては、例えば、亜鉛、アルミニウム、チタン、銅、マグネシウムなどがあげられ、半金属としては、例えば、ケイ素、ビスマス、ゲルマニウムなどがあげられる。
無機膜の形成材料として金属又は半金属を用いる場合、好ましくは、金属及び半金属は、酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物、及び酸化窒化炭化物からなる群から選ばれる少なくとも１種である。
より好ましくは、無機物は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、特に好ましくは酸化ケイ素である。

無機膜の形成方法は、特に限定されず、例えば、ディップコート法、スプレーコート法、ロールコート法、フローコート法、及びグラビア印刷法等の湿式法；蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の乾式法：などが挙げられる。生産効率の観点から、湿式法にて無機膜を形成することが好ましい。

特に好ましくは、無機物は、無機高分子化合物であるポリシラザンをシリカ転化反応させて得られたシリカ転化物である。シリカ転化物には、酸化ケイ素が含まれる。前記シリカ転化物は、湿式法で塗布できるので、無機膜の形成を効率よく行うことができる上、前記シリカ転化物を用いることにより、水蒸気バリア性が比較的高い無機膜を形成できる。
ポリシラザンは、その主鎖成分に珪素−窒素結合を有する無機高分子化合物であり、セラミック前駆体となる化合物である。ポリシラザンをシリカ転化反応させて得られるシリカ転化物には、酸化ケイ素の他、例えば、窒化ケイ素や水酸化ケイ素等の未転化物が含まれ得る。
なお、本明細書において、「無機高分子化合物」とは、その主鎖成分が炭素以外の元素（例えば、金属原子、半金属原子、酸素、又は窒素など）によって構成された高分子を表し、その側鎖成分に炭素を有する高分子化合物を含んでいる。
好ましくは、ポリシラザンは、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する。

一般式（１）中、Ｒ_１、Ｒ_２、及びＲ_３は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜６のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキルシリル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキルアミノ基、又は置換基を有していてもよい炭素数１〜４アルコキシ基であり、ｎは、１〜６０の整数を表す。

一般式（１）中、Ｒ_１、Ｒ_２、及びＲ_３は、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数１〜４アルキル基であることが好ましく、より好ましくは、Ｒ_１、Ｒ_２、及びＲ_３は、全て水素原子である。
Ｒ_１、Ｒ_２、及びＲ_３が全て水素原子であるポリシラザン（パーヒドロポリシラザン）を用いた場合、シリカ転化物の緻密性が高くなるため、より防湿性に優れた無機膜を形成できる。
また、Ｒ_１、Ｒ_２、及びＲ_３から選ばれる少なくとも１つが炭素数１〜８のアルキル基である場合、ポリシラザンの構造に柔軟性を付与することができる。ポリシラザンの構造に柔軟性を付与することにより、そのシリカ転化物にも柔軟性を付与することができ、無機膜の膜厚を厚くした場合でもクラックが発生し難くなる。
本発明では、Ｒ_１、Ｒ_２、及びＲ_３が全て水素原子である繰り返し単位Ａと、Ｒ_１、Ｒ_２、及びＲ_３の一部又は全部が炭素数１〜８のアルキル基である繰り返し単位Ｂと、を共に有するポリシラザンを用いることが好ましい。繰り返し単位Ａと繰り返し単位Ｂの比率を変化させることにより、十分な防湿性を担保したまま無機膜の柔軟性を任意に調整することができる。

無機膜の厚みは特に限定されない。もっとも、無機膜が薄すぎると、長期間に亘り有機ＥＬデバイスの防湿性を維持できない虞がある。また、無機膜が厚すぎると、無機膜にクラックが生じ易くなり、防湿性が低下する虞がある。
このような観点から、無機膜の厚みは、好ましくは、１０ｎｍ〜３μｍであり、より好ましくは、５０ｎｍ〜２μｍであり、さらに好ましくは、０．１μｍ〜１μｍであり、特に好ましくは、０．３μｍ〜０．５μｍである。

以下、本発明の変形例について説明する。もっとも、以下の変形例の説明において、主として上記実施形態と異なる構成及び効果について説明し、上記実施形態と同様の構成などについては、その説明を省略し、用語及び符号を援用する場合がある。

［第１変形例］
図４は、本発明の第１変形例に係る有機ＥＬデバイス１を示す拡大断面図である。なお、図４の有機ＥＬデバイス１の拡大断面図は、有機ＥＬデバイス１を図１のＩＩ−ＩＩ線と同様の位置で切断した拡大断面図である（図５〜図７も同様）。
本変形例では、積層体３Ａの外面の一部に無機膜４が設けられている。具体的には、本変形例の積層体３Ａにおいては、封止板３６の表面３６ｆが、無機膜４によって被覆されていない。即ち、封止板３６の表面３６ｆが外気に露出している。封止板３６は、防湿性を有するため、本変形例でも有機ＥＬデバイス１の水分による劣化を防止することができる。

［第２変形例］
図５は、本発明の第２変形例に係る有機ＥＬデバイス１を示す拡大断面図である。
本変形例に係る有機ＥＬデバイス１は、基板２の全域が無機膜４によって被覆されていることを除いて、上述した実施形態と同様の構成を有する。前記基板の全域は、基板２の表面２ｆ、裏面２ｅ、及び外周面（２ａ、２ｂ、２ｃ、及び２ｄ）である。
本変形例に係る有機ＥＬデバイス１は、基板２の全域が無機膜４によって被覆されているため、より高い防湿性を有する。

［第３変形例］
図６は、本発明の第３変形例に係る有機ＥＬデバイス１を示す拡大断面図である。
本変形例では、積層体３Ａは、有機ＥＬ素子３のみから構成されており、保護膜、接着層、及び封止板を有していない。無機膜４は、第１及び第２端子部３１１，３３１を除いて、有機ＥＬ素子３に直接接触して有機ＥＬ素子３（即ち、積層体３Ａ）を被覆している。
保護膜、接着層、及び封止板が存在しなくとも、有機ＥＬ素子３が、無機膜４によって直接的に被覆されているため、長期間に亘り有機ＥＬデバイス１の防湿性を維持することができる。
また、本変形例では、基板２の形成材料として導電性及び防湿性を有する材料を用いている。導電性及び防湿性を有する材料からなる基板２（例えば、金属からなる導電性基板など）は、無機膜４によって被覆されていなくてもよい。そのため、図６では、基板２が無機膜４によって被覆されていない。

なお、第３変形例に係る有機ＥＬデバイス１は、基板２と有機ＥＬ素子３との間に、絶縁層５が設けられている。絶縁層５は、第１及び第２導電層３１１，３３１と基板２との間に短絡が発生することを防止する機能を有する層である。本変形例では、絶縁性及び防湿性を有する無機物を用いて形成された無機絶縁層５１を採用している。無機絶縁層５１は防湿性を有するため、基板２は無機膜４によって被覆されていてもよいし被覆されていなくてもよい。
このような、絶縁性及び防湿性を有する無機物としては、上記無機膜の形成材料と同様のものを用いることができる。

前記無機絶縁層の厚みは特に限定されない。もっとも、無機絶縁層が薄すぎると、ピンホールが発生し易くなり、絶縁性が低下する虞がある。また、無機絶縁層が厚すぎるとクラックが生じ易くなり、絶縁性が低下する虞がある。
このような観点から、無機絶縁層の厚みは、好ましくは、１０ｎｍ〜５μｍであり、より好ましくは、５０ｎｍ〜２μｍであり、さらに好ましくは、０．１μｍ〜１μｍであり、特に好ましくは、０．３μｍ〜０．５μｍである。
無機絶縁層の形成方法は特に限定されず蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の乾式法、ゾル−ゲル法等の湿式法等を採用することができる。

［第４変形例］
図７は、本発明の第４変形例に係る有機ＥＬデバイス１を示す拡大断面図である。本変形例では、有機ＥＬ素子３と基板２との間に絶縁性の合成樹脂を用いて形成された絶縁層５（有機絶縁層５２）が設けられている。また、本変形例では、積層体３Ａは、保護膜を有しておらず、接着層３５は、第２電極部３３２の表面３３２ｆに設けられている。
有機絶縁層５２は、上述した無機絶縁層に比して防湿性に劣る。そのため、有機絶縁層５２の外周面（５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、及び５２ｄ）も無機膜４によって被覆されていることが好ましい。
有機絶縁層５２の外周面が無機膜４によって被覆されることにより、有機絶縁層５２の外側から水分が侵入することを効果的に防止できる。

有機絶縁層に含まれる絶縁性の合成樹脂は特に限定されない。このような合成樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ノルボルネン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリフェニルスルホン樹脂、及びこれらの樹脂の複合体等が挙げられる。

有機絶縁層の厚みは特に限定されない。もっとも、有機絶縁層の厚みが薄すぎると、基板の表面の平滑化が十分にできないだけでなく、短絡を十分に防止できない虞がある。他方、有機絶縁層の厚みが厚すぎると、基板に対する密着性が低下する虞がある。
このような観点から、有機絶縁層の厚みは、好ましくは、１μｍ〜４０μｍであり、より好ましくは、０．５μｍ〜２０μｍであり、さらに好ましくは、０．５μｍ〜１０μｍであり、特に好ましくは、１μｍ〜５μｍである。
有機絶縁層の形成方法は特に限定されず、ロールコート、スプレーコート、スピンコートおよびディッピング等による塗布を採用することができる。

［有機ＥＬデバイスの製造方法］
以下、本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法について、図８を適宜参酌しつつ説明する。
なお、図８は、ロールツーロール方式で有機ＥＬデバイスを作製する場合において、以下の工程２〜工程４の製造ラインを示す概略側面図である。

本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法は、少なくとも以下の５つの工程を有する。
（工程１）基板上に、第１端子部を有する第１導電層と有機ＥＬ層と第２端子部を有する第２導電層とを有する有機ＥＬ素子を有する積層体を形成する工程。
（工程２）第１端子部と第２端子部とをそれぞれマスキング材により被覆する工程。
（工程３）積層体に、絶縁性の無機物を含んだ処理液を接触させる工程。
（工程４）処理液を固化させることにより無機膜を形成する工程。
（工程５）第１端子部及び第２端子部を被覆するマスキング材を取り除く工程。

本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法によれば、マスキング材によって被覆された部分（第１及び第２端子部）を除いて積層体の外面全域に処理液を付着させることができる。その結果、第１端子部及び第２端子部を除いて、積層体が無機膜によって被覆され、且つ、さらに基板が無機膜によって被覆された有機ＥＬデバイスを容易に製造することができる。
以下、各工程について説明する。

工程１は、基板上に積層体を形成することにより基板付積層体を得る工程である。第１導電層、有機ＥＬ層、及び第２導電層の形成方法については、上述の通りである。また、必要に応じて、有機ＥＬ素子の上には保護膜、接着層、又は封止板が積層される。
なお、工程１で用いる基板は、予め無機膜によって被覆されていてもよい。即ち、工程１の前に、無機膜によって被覆されていない基板に対し、無機膜を被覆させる工程を設けてもよい。
予め無機膜によって被覆された基板を用いることにより、図５に示すように、基板の全域が無機膜によって被覆された有機ＥＬデバイスを得ることができる。

工程１で用いられる基板は、長尺状であることが好ましい。長尺状の基板を用いることにより、ロールツーロール方式により、効率的に有機ＥＬデバイスを形成することができる。
つまり、長尺状基板を用いた場合、長尺状基板のロール体を基板の長手方向に送り出し、送り出された長尺状基板の表面上に積層体を形成し、その後、基板と積層体を巻き取ることにより、効率良くロール状の基板付積層体を得ることができる。

以下、工程２〜工程４の説明は、ロールツーロール方式を採用することを前提としている。しかし、本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法は、ロールツーロール方式に限定されるものではなく、バッチ方式など他の方式を用いることもできる。

工程２は、処理液を積層体に接触させる工程３の前処理として、マスキング材によって処理液を接触させない部分を被覆する工程である。
図８に示すように、工程１で得られた基板付積層体１Ａは、回転ローラ６１，６２，６３，及び６４によって搬送方向上流側から下流側へと搬送される。なお、図８に示す矢印Ａは、基板付積層体（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、及び１Ｄ）の搬送方向である。マスキング材で基板付積層体１Ａを被覆することにより、マスキング材によって被覆された基板付積層体１Ｂが得られる。
図９は、工程２を経た基板付積層体１Ｂを示す拡大断面図である。図８及び図９に示すように、基板付積層体１Ａは、マスキング装置７により、少なくとも第１及び第２端子部３１１，３３１がマスキング材７１によって被覆される。
このマスキング装置７は、特に限定されず、マスキング材の種類によって適宜変更することができる。例えば、後述するように、マスキング材として、マスキングテープを採用する場合、マスキング装置７は、貼付装置であり、マスキング材として、マスキングインクを採用する場合、マスキング装置７は、コータである。
なお、マスキング材は、第１及び第２端子部だけでなく、それ以外の部分（例えば、積層体が封止板を有する場合、封止板の表面など）を被覆するように設けられてもよい。好ましくは、マスキング材は、第１及び第２端子部のみを被覆するように設けられる。

マスキング材は、特に限定されず、任意のものを用いることができる。
例えば、マスキング材は、基材フィルムの一面に粘着剤からなる接着層が積層されたマスキングテープであってもよく、合成樹脂を含むマスキングインクであってもよい。もっとも、マスキング材の形成材料は、後述する処理液に溶解しないものが用いられる。
なお、マスキング材としてマスキングインクを用いた場合、工程３の前に、マスキングインクを乾燥し硬化させる必要がある。また、マスキングインクを第１及び第２端子部に塗工する際、両端子部以外にマスキングインクが付着する虞がある。そのため、好ましくは、マスキング材としてマスキングテープが用いられる。マスキングテープを用いることにより、簡便に且つ確実に第１及び第２端子部を被覆することができる。

工程３は、マスキング材によって被覆された基板付積層体１Ｂを処理液に接触させることで、処理液を付着させる工程である。
図８において、基板付積層体１Ｂは、処理液８１の満たされた槽８２（処理槽８）に搬入され、その後、処理槽８から引き上げられる。このように、処理槽８内において基板付積層体１Ｂに処理液が接触することにより処理液が付着した基板付積層体１Ｃが得られる。
なお、基板付積層体１Ｂと処理液８１を接触させる方法は、上述の処理槽８を用いた方法（ディップコート法）に限定されず、スプレーコート法、ロールコート法、フローコート法、及びグラビア印刷法など任意の接触方法を採用することができる。

処理液は、絶縁性の無機物と溶媒を含んでいる。絶縁性の無機物は、上述した無機膜に含まれる無機物と同様である。
溶媒は、無機物を溶解又は分散させるものであれば特に限定されず、任意のものを用いることができる。
このような溶媒としては、例えば、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類が使用できる。
なお、無機物としてポリシラザンのシラン転化物を用いる場合、溶媒はポリシラザンと反応性の高いアルコール類や水分を含有するものを用いることは好ましくない。
無機物としてポリシラザンのシラン転化物を用いる場合、溶媒は、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ［登録商標］、ターベン（テルペン）等の炭化水素；塩化メチレン、トリコロロエタン等のハロゲン炭化水素；ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が好ましく用いられる。
また、溶媒には、ポリシラザンのシラン転化反応を促進するため、各種触媒を添加することもできる。このような触媒としては、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッケルなどの金属触媒や、それらのカルボン酸錯体などが挙げられる。

処理液中における無機物の濃度は、特に限定されないが、通常、０．１質量％〜４０質量％である。
無機物の濃度が０．１質量％よりも小さい場合、無機膜の膜厚が薄くなり防湿性を十分に確保できない虞がある。

処理槽８から基板付積層体１Ｃが引き上げられる際に、基板付積層体１Ｃに処理液が付着する。処理槽８から出た基板付積層体１Ｃは、前記付着した処理液の薄層を有する。
基板付積層体１Ｃに付着する処理液の量は、処理液８１の粘度及び基板付積層体１Ｃの引き上げ速度（搬送速度）によって適宜調整することができる。

工程４は、基板付積層体に付着した処理液を固化させることにより無機膜を形成する工程である。
本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法では、工程３と工程４の間、又は、工程４の後に、基板付積層体に付着した処理液から無機膜を形成する工程を有する。
無機膜の形成方法は、処理液に含まれる無機物の種類によって適宜変更することができる。例えば、無機物が、金属又は半金属である場合、前記処理液の薄層に含まれる溶媒を揮発させる（処理液を乾燥させる）ことにより無機膜を形成することができる。処理液は、自然乾燥されてもよく、乾燥装置によって強制的に乾燥されてもよく、自然乾燥と乾燥装置による強制的な乾燥を併用してもよい。
なお、基板付積層体１Ｃを搬送している間に前記処理液の薄層が自然乾燥する場合には、乾燥装置による乾燥は省略される。
図８では、基板付積層体１Ｃに付着した処理液８１は、乾燥装置９によって乾燥される。前記乾燥は、前記処理液の薄層がローラなどの異物に接触する前に行うことが好ましい。例えば、図８に示すように、乾燥装置９は、処理槽８の液面から回転ローラ６４の間に配置されている。

また、処理液に含まれる無機物がポリシラザンである場合、処理液は上記乾燥以外に、ポリシラザンのシリカ転化処理を経て無機膜が形成される。
ポリシラザンのシリカ転化処理は、例えば、処理液を水蒸気酸化処理及び／又は加熱酸化処理することによって達成される。ポリシラザンのシリカ転化処理によって、処理液に含まれる大部分のポリシラザンが酸化ケイ素に転化し、シリカ転化物を含む無機膜が形成される。
ポリシラザンのシリカ転化処理は、好ましくは、水蒸気酸化処理である。例えば、基板付積層体を高温高湿槽（例えば、６０℃、９０％ＲＨ）で水蒸気に所定時間暴露することにより水蒸気酸化処理が施される（図示せず）。

工程５は、その外面全域が無機膜によって被覆された基板付積層体１Ｄからマスキング材を取り除く工程である。基板付積層体１Ｄからマスキング材を取り除くことにより、マスキング材によって被覆されていた部分が露出し、有機ＥＬデバイスを得ることができる。
上述のように、基板付積層体１Ｄは、少なくとも、第１端子部及び第２端子部がマスキング材によって被覆されている。そのため、マスキング材を取り除くことにより、少なくとも、第１及び第２端子部が無機膜によって被覆されていない（即ち、第１及び第２端子部が外気に露出した）有機ＥＬデバイスを得ることができる。
マスキング材を取り除く方法は特に限定されず、マスキング材の種類により適宜変更することができる。例えば、マスキング材としてマスキングテープを用いた場合、マスキングテープを剥がすことによりマスキング材を取り除くことができる。

なお、上述した本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法では、工程４（基板付積層体に付着した処理液を固化させる工程）の後に、工程５（マスキング材を取り除く工程）を経て有機ＥＬデバイスが得られる。
しかし、本発明では、工程４と工程５は、必ずしもこの順に行われる必要はなく、工程５の後に工程４を経て有機ＥＬデバイスを得ることもできる。
もっとも、工程５の後に工程４を行う場合、マスキング材の除去によって露出した部分に未固化の処理液が付着する虞がある。そのため、好ましくは、工程４の後に工程５を経て有機ＥＬデバイスが得られる。

なお、本発明の有機ＥＬデバイス、及びその製造方法は、上記で示したような実施形態に限定されず、本発明の意図する範囲で適宜設計変更できる。

本発明の有機ＥＬデバイスは、例えば、照明装置、画像表示装置などとして利用できる。

１ 有機ＥＬデバイス
２ 基板
３Ａ 積層体
３ 有機ＥＬ素子
３１ 第１導電層
３１１ 第１端子部
３２ 有機ＥＬ層
３３ ２導電層
３３１ 第２端子部
３４ 保護膜
３５ 接着層
３６ 封止板
４ 無機膜
７１ マスキング材

本発明の有機ＥＬデバイスは、基板と、前記基板上に設けられ且つ第１端子部を有する第１導電層、前記第１導電層上に設けられた有機ＥＬ層、及び前記有機ＥＬ層上に設けられ且つ第２端子部を有する第２導電層を有する有機ＥＬ素子を有する積層体と、前記第１端子部及び前記第２端子部を除いて前記積層体を被覆する絶縁性の無機膜と、を有する。

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられ且つ第１端子部を有する第１導電層、前記第１導電層上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス層、及び前記有機エレクトロルミネッセンス層上に設けられ且つ第２端子部を有する第２導電層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を有する積層体と、
   前記第１端子部及び前記第２端子部を除いて前記積層体を被覆する絶縁性の無機膜と、を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
2. 前記絶縁性の無機膜が、さらに前記基板を被覆している請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
3. 前記絶縁性の無機膜が、ポリシラザンのシリカ転化物を含む請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
4. 前記積層体が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に設けられた接着層と、前記接着層により前記有機エレクトロルミネッセンス素子に接着された封止板と、をさらに有する請求項１〜３の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
5. 前記積層体が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に設けられた保護膜と、前記保護膜上に設けられた接着層と、前記接着層により前記保護膜に接着された封止板と、をさらに有する請求項１〜３の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
6. 前記封止板が可撓性を有する請求項４又は５に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
7. 前記基板が可撓性を有する請求項１〜６の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
8. 基板上に、第１端子部を有する第１導電層と有機エレクトロルミネッセンス層と第２端子部を有する第２導電層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を有する積層体を形成する工程と、
   前記第１端子部及び第２端子部をマスキング材により被覆する工程と、
   前記積層体に、絶縁性の無機物を含んだ処理液を接触させる工程と、
   前記処理液を固化させることにより無機膜を形成する工程と、
   前記マスキング材を取り除く工程と、を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
9. 前記処理液がポリシラザンを含んでおり、
   前記処理液を固化させる工程が、前記ポリシラザンのシリカ転化処理を含む請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。

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