CN103503570B - 用于发光装置的多孔膜 - Google Patents
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Abstract
一些多孔膜，例如有机非聚合性多孔膜，可用于光输出耦合以增加发光装置的效率。多孔膜也可在其他装置中用于光散射以及用于与光传输相关的其他应用。
Description
相关申请的交叉引用
本申请根据35U.S.C.§119(e)要求于2011年3月3日提交的美国临时申请第61/449,032号的优先权，通过引用以整体方式将其公开内容并入本文。
发明背景
发明领域
一些实施方案涉及多孔膜，例如用于装置(例如发光装置)的多孔膜。
相关领域描述
有机发光装置(OLED)可用于并入节能的照明仪器或装置。可惜的是，OLED的效率可能会在产生发射光以及发射光离开装置以提供照明的能力方面受到任何固有的效率不足的限制。发射光不能离开装置也可称为捕获(trapping)。由于捕获，装置效率可能减少至发射效率的约10-30%。光提取(lightextraction)可减少捕获，从而基本上改善效率。
发明简述
一些实施方案可包括多孔膜。多孔膜可包括：非聚合性有机化合物，其具有在约1.1至约1.8的范围内的折射率；多个不规则排列的纳米突起物、纳米颗粒或其聚集体；和/或多个空隙，其总体积为所述膜的体积的至少约50%，并且多个空隙中至少约10%具有在约0.5μm至约5μm的范围内的最长尺寸。多孔膜可具有在约500nm至约20μm的范围内的厚度；和/或包括空隙的多孔膜的密度可为约0.5皮克(picograms)/μm3或更小。
一些实施方案可包括发光装置，其包括：多孔膜，所述多孔膜可包括：与发光装置中部分内反射层的第一界面，其中部分内反射层的折射率可高于多孔膜的折射率；与折射率低于多孔膜的折射率的物质的第二界面；并且其中第二界面可包括多个不规则排列的纳米突起物或纳米颗粒。
一些实施方案可包括发光装置，其包括：可布置在阳极或阴极上方的多孔膜；其中多孔膜可具有低于阳极折射率和阴极折射率的折射率。
一些实施方案包括发光装置，包括：发光二极管，其包括：阳极；阴极；布置于阳极与阴极之间的发射层；以及多孔膜；其中多孔膜可布置在阳极上或阴极上；或发光装置可还包括布置于阳极和多孔膜之间的透明层或是布置于阴极和多孔膜之间的透明层。
在一些实施方案中，可通过包括以下方法来制备多孔膜：沉积有机膜并以约100℃至约290℃的温度加热有机膜。
一些实施方案可包括发光装置，包括：发光二极管，其包括多孔膜；其中将多孔膜布置在内反射层上，所述内反射层选自：阳极；阴极；布置于阳极和多孔膜之间的透明层，或布置于阴极和多孔膜之间的透明层；其中内反射层的折射率高于多孔膜的折射率；其中多孔膜可包括本文所述的化合物。
这些和其他实施方案详细描述于本文中。
附图简述
图1示出了辅助确定颗粒或突起物的x尺寸、y尺寸以及z尺寸。
图2A示出了可被描述为当在xz平面观察时为大致矩形的、准平面的或为纳米片的颗粒的理想化实例。
图2B示出了可被描述为曲形或波形纳米片的颗粒的实例。
图3示出了在平面中基本具有全部为大致直角的角的颗粒的理想化实例。
图4示出了具有大致上不为直角的角的准平行四边形颗粒的理想化实例。
图5示出了为大致胶囊形的颗粒的理想化实例。
图6示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图7示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图8示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图9示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图10示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图11示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图12示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图13示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图14示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图15示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图16示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图17示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图18示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图19示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图20示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图21示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图22示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图23示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图24示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图25示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图26示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图27示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图28示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图29示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图30示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图31示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图32示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图33示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图34示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图35示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图36示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图37示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图38示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图39示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图40示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图41示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图42示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图43示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图44示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图45示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图46示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图47示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图48示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图49示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图50示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图51示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图52示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图53示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图54示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图55为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。
图56为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。
图57A至图57B为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。
图58为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。
图59为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。
图60为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。
图61为示出制备发光装置的方法的实施方案中某些步骤的流程图。
图62A为涉及本文所述的装置的实施方案的示意图。
图62B为示出制备发光装置的方法的实施方案中某些步骤的流程图。
图63为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。
图64为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。
图65为本文所述的装置的一些实施方案的功率效率与亮度的函数的图表。
图66为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。
图67示出了装置的多孔膜的表面SEM图像。
图68为本文所述的装置的一些实施方案的功率效率与亮度的函数的图表。
图69为本文所述的装置的一些实施方案的示意图。
图70为本文所述的装置的一些实施方案的功率效率与亮度的函数的图表。
图71为包括本文所述化合物的多孔膜的功率效率与厚度的函数的图表。
图72为用于测定在透明衬底的实施方案中的捕获的方法的示意图。
图73为本文所述的装置的一些实施方案的功率效率与亮度的函数的图表。
图74A至图74B为本文所述的装置的一些实施方案的照片。
图75为本文所述的多孔膜的一些实施方案的照片。
图76示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图77示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图78示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图79示出了多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。
图80为本文所述的装置的一些实施方案的功率效率与亮度的函数的图表。
图81示出了本文所述的多孔膜的一实施方案的照片。
图82为本文所述的装置的一些实施方案的功率效率与亮度的函数的图表。
图83为本文所述的装置的一些实施方案的功率效率与亮度的函数的图表。
发明详述
本文所述的多孔膜可用于涉及将光从一层传送至另一层的多种装置，例如发光二极管、光伏电池、检测器等。在一些实施方案中，多孔膜可向用于例如照明的有机发光二极管提供有效的光输出耦合。对一些装置，可实现接近90%或可能更大的从衬底的光提取。多孔膜可提供易于加工性以及潜在低成本地改善装置效率。
在一些实施方案中，本文所述的多孔膜可通过降低装置的层中的全内反射(totalinternalreflection)量来改善装置的效率。全内反射可能是捕获的主因。当光从高折射率材料进入低折射率材料时，光可能以偏离界面的法线角的方向偏折。如果较高折射率材料中的光抵达与较低折射率材料的界面且角度基本偏离90度时，则光的偏折可大于光接近界面的角度，以致于光可折回进入较高折射率的材料，而非传出较高折射率的材料。这可称为全内反射。因为空气可具有低于许多材料的折射率，所以装置与空气之间的界面可能会由于全内反射而遭受损失。此外，由于全内反射引起的捕获可发生在装置的任何界面处(光自较高折射率层行进至较低折射率层的界面处)。包括本文所述的多孔膜的装置可减少全内反射或捕获，因此具有改善的效率。
在一些实施方案中，本文所述的多孔膜可向涉及光自一种材料行进至另一种材料的多种装置提供光散射，所述装置包括吸收光或发射光的装置。光散射可用于装置中以提供视角色彩一致性(viewinganglecolorconsistency)，以致于无论从什么角度观察光，色彩基本类似。不具有光散射层的装置可以以观察者根据观看光的角度而观察到不同色彩的方式发光。
在一些实施方案中，本文所述的多孔膜可用作涉及光自一种材料行进至另一种材料的各种装置的过滤器(filter)，所述各种装置包括吸收光或发射光的装置。
多孔膜可包括任何包括多个孔的膜。举例而言，多孔膜可包括不规则取向的交错纳米结构。
在一些实施方案中，可将多孔膜布置于透明衬底上，这可以降低衬底内的光的全内反射。
在一些实施方案中，多孔膜可包括第一表面和第二表面，其中第一表面的共面面积基本大于第二表面的共面面积。虽然“共面面积”为广义的术语，但一种确定表面的共面面积的方式可以是将目标表面放置在平滑平面上，并且测量与平滑平面接触的表面的面积。
多孔膜可具有各种结构。在一些实施方案中，多孔膜可具有包括多个不规则排列的突起物、颗粒或其聚集体的表面。突起物或颗粒可以是纳米突起物，包括一个或多个尺寸为纳米至微米的范围的纳米结构。举例而言，纳米突起物或纳米颗粒可具有：为约400nm、约500nm、约1000nm、约1500nm、约2000nm、约2500nm、约3000nm或以任何这些长度为界的或在任何这些长度之间的范围中的任何值的平均x尺寸；为约50nm、约100nm、约300nm、约500nm、约700nm、约1000nm、约1200nm、约1500nm、约1800nm、约2000nm或以任何这些长度为界的或在任何这些长度之间的范围中的任何值的平均y尺寸；和/或为约10nm、约30nm、约50nm、约70nm、约90nm、约100nm或以任何这些长度为界的或在任何这些长度之间的范围中的任何值的平均z尺寸。在一些实施方案中，膜中至少一个颗粒可具有，或膜中颗粒平均可具有约5nm、约0.01μm、约0.02μm、约0.05μm、约0.1μm、约0.5μm、约1μm、约2μm、约5μm、约10μm、约20μm、约50μm、约100μm、约150μm、约200μm、约500μm、约1000μm或以任何这些长度为界或在任何这些长度之间的长度的x尺寸、y尺寸或z尺寸。在一些实施方案中，纳米突起物或纳米颗粒可具有：在约400nm至约3000nm、约1000nm至约3000nm或约2000nm至3000nm的范围内的平均x尺寸；在约100nm至约2000nm、约100nm至约1500nm或约100nm至1000nm的范围内的平均y尺寸；和/或在约10nm至约100nm、约30nm至约90nm或约30nm至70nm的范围内的平均z尺寸。在一些实施方案中，膜中至少一颗粒可具有，或膜中颗粒平均可具有在约5nm至约1000μm、约0.02μm至约1μm、或约1μm至约200μm的范围内的x尺寸、y尺寸或z尺寸。
在一些实施方案中，突起物、颗粒或其聚集体可基本为透明或基本为半透明的。
虽然颗粒、突起物或空隙可为不规则形状，但可量化三个尺寸(x、y以及z)，如图1所示。若在颗粒110周围形成矩形棱柱形的箱体120，或在突起物周围形成矩形棱柱形的开放式箱体，使得箱体尽可能地小但仍将颗粒包含于其中(或在不改变箱体的开口端的尺寸的情况下，使突起物尽可能大)，则x尺寸为箱体的最长尺寸，y尺寸为箱体的第二长尺寸，且z尺寸为箱体的第三长尺寸。
可通过描述颗粒或突起物当在特定平面观察时的形状来表征颗粒或突起物的三维形状。举例而言，当在二维的xy、xz或yz平面观察时，颗粒或突起物可为大致矩形的、大致正方形的、大致椭圆形的、大致圆形的、大致三角形的、大致平行四边形的等。颗粒形状不需要在几何上为完美的，仅需可被辨识出合理地相似于已知形状。也可使用其他术语来表征或描述颗粒或突起物的三维形状。
图2A示出颗粒210的理想化实例，当在xz平面观察时，颗粒210基本为矩形220。如此图所示，颗粒看起来为完美的矩形，但当在xz平面或任何其他平面观察时，此形状仅需要可被辨识为相似于矩形，从而基本为矩形的。
对于图2A，当在xy平面观察时，因为x尺寸远大于z尺寸，所以也可将颗粒210描述为基本线形的。如此图所示，颗粒的x尺寸看起来为完美直线的，但当在xz平面观察或任何其他平面时，该形状仅需要可被辨识为相似于线形，从而基本为线形的。
也可将颗粒210描述为纳米片(nanoflake)。术语“纳米片”为广义的术语，其包括形状像片状且任何尺寸在纳米至微米的范围的颗粒。这可包括一维度(例如z)中相对薄且在另外两个维度(例如xy)中具有相对大的面积的颗粒。
较大面积的表面仅需为可辨认的，但不需为平面的。举例而言，较大面积的表面可基本处于xy平面(例如颗粒210)，但也可为曲形或波形的，以致于大部分表面不在平面中。
也可将颗粒210描述为准平面(pseudoplanar)。术语“准平面”为广义的术语，其包括本质上为平面的颗粒。举例而言，准平面颗粒可具有与基本在xy平面中的颗粒的xy面积相比，相对不明显的z尺寸。
在图2B中，颗粒250为曲形或波形的纳米片的实例。若大部分表面不在平面中，则纳米片可包括具有大的曲形或波形表面260以及小厚度270的颗粒，所述厚度270垂直于表面上的给定点280。
对于任何纳米片或准平面颗粒或突起物(包括颗粒210、颗粒250等)，较大面积或表面的平方根与垂直于大表面上的点的最小尺寸或厚度之比(例如：xy面积的平方根与z尺寸之比)可以是：约3、约5、约10、约20、约100、约1000、约10,000、约100,000或以任何这些长度为界的或在任何这些长度之间的范围中的任何值。在一些实施方案中，较大面积或表面的平方根与垂直于大表面上的点的最小尺寸或厚度之比可以是约3至约100,000、约5至约1000、或约1000至10,000。
图3示出颗粒310的理想化实例，其中颗粒310在xy平面中基本具有全部为大致直角的角。虽然未示于此图中，一些颗粒可以不具有基本全部为大致直角的角，但可具有至少一个大致为直角的角。也可将此图中的颗粒310描绘为准平行四边形。准平行四边形颗粒可包括颗粒的外边缘的两个基本线性部分，其中在xy平面、xz平面或yz平面的二维中观察时所述外边缘的两个基本线性部分为基本平行的。
颗粒的外边缘主要可基本由多个线性边缘部份组成。
准平行四边形颗粒可具有大致为直角的角(例如，图3所示的那些)，或者准平行四边形颗粒可具有大致不为直角的角。
图4为准平行四边形颗粒410的理想化实例，其中准平行四边形颗粒具有大致不为直角的角。
若颗粒或突起物的形状可合理地被辨认为相似于针的形状，则可将颗粒或突起物描述为针状。
若颗粒或突起物的形状可合理地被辨认为相似于纤维的形状，则可将颗粒或突起物描述为纤维形。
若颗粒或突起物的形状可合理地被辨认为相似于带的形状，可将颗粒或突起物描述为带形。这可包括具有沿着一个维度伸长且在另一维度为薄的平坦矩形表面的颗粒或突起物。带形也可为弯曲或扭转的，以致于颗粒不需要为了成为带形而为基本共面的。
图5示出基本为胶囊形的颗粒1010的理想化实例。当在xy或xz平面观察时，也可将颗粒1010描述为大致卵形的。当在yz平面观察时，也可将颗粒1010描述为大致圆形的。
若颗粒或突起物的形状可合理地被辨认为相似于棒的形状，可将颗粒或突起物描述为棒形的。此形状可包括沿着一个维度伸长的颗粒或突起物。棒形颗粒或突起物可基本为直线的，或可具有一些曲率或弯曲。
若x、y以及z尺寸相似，例如在一个数量级或另一个数量级内，可将颗粒或突起物描述为基本粒状的。
图6至图53示出实际多孔膜的SEM图像。所有SEM图像是使用FEIxTm“InspectF”SEM；2007型，3.3.2版本记录的。在这些图中，“mag”表示这些图像的放大等级，“mode”表示用来产生图像的检测器的类型，其中“SE”代表二次电子模式，“HV”表示用于产生图像的电子束的加速电压，“WD”表示检测器与实际被拍摄的表面之间的工作距离，“spot”表示电子束直径的无单位指针，以及“pressure”表示在图像采集时显微镜室内的压力(以帕斯卡计)。
图6示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下的描述至少可适用于在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：准平行四边形的，至少一个为大致直角的角，以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下的描述至少可适用于在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，大致线形的，基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于在该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片以及准平面的。
在SEM中指出5μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸在约1μm至约20μm的范围内。大量颗粒的xy面积的平方根与z尺寸之比在约10至约100的范围内。举例而言，假设可见边缘的长度约等于面积的平方根，则图中圈起来的颗粒可以具有约40的如下比例：此方法可用于膜，例如本文示出的一个膜，其中基于图中可见的其他纳米片，大面积或xy面积约等于从yz平面观察的一侧的长度。此外，表面上至少约50%、约70%或约90%的颗粒可具有在约10至约1000的范围内的xy面积的平方根与z尺寸之比。
图7也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：准平行四边形的以及大致平行四边形的。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，大致线形的，基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片以及准平面的。
在图7的SEM中指出50μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约1μm至约500μm的范围内。大量颗粒的xy面积的平方根与z尺寸之比在约5至约100的范围内。
图8也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：准平行四边形的以及大致平行四边形的。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，大致线性的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片以及准平面的。
在图8的SEM中指出100μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：多个颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约1μm至约500μm的范围内。大量颗粒的xy面积的平方根与z尺寸之比也可在约5至约100的范围内。
图9也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：准平行四边形的以及大致平行四边形的。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于此图中的至少一突起物或颗粒：纳米片以及准平面的。
在图9的SEM中指出50μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸在约1μm至约500μm的范围内。
图10也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片以及准平面。
在图10的SEM中指出4μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约1μm至约20μm的范围内。
图11也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但当在xy平面、xz平面和/或yz平面观察时，以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的。虽然并非详尽的描述，以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纤维形以及针状的。
在图11的SEM中指出100μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约20μm至约1000μm的范围内。
图12也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的，准平行四边形的以及大致平行四边形的。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，大致线形的，准平行四边形的以及大致平行四边形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纤维形以及针状的。
在图12的SEM中指出10μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约1μm至约100μm的范围内。
图13也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纤维形、针状以及准平面的。
在图13的SEM中指出20μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约2μm至约100μm的范围内。
图13也呈现出具有准花形(pseudofloral)排列的聚集体的颗粒和突起物。举例而言，一些颗粒从共同中心区域突出的方式提供了可被辨识为与花相似的外观。大量的这些准花形聚集体可具有在约10μm至约50μm的范围内的直径。
图14也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的，大致平行四边形的以及准平行四边形的。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的，大致平行四边形的以及准平行四边形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纤维形、针状以及准平面的。
在图15的SEM中指出5μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.5μm至约50μm的范围内。
图15也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：准平面的。
在图15的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.1μm至约5μm的范围内。
图16也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：针状以及准平面的。
在图16的SEM中指出5μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.1μm至约10μm的范围内。
图17也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，大致线形的，准平行四边形的，大致平行四边形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，大致线形的，准平行四边形的，大致平行四边形，至少一为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片、纤维形以及准平面的。
在图17的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.1μm至约5μm的范围内。
图18也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，准平行四边形的，大致平行四边形的以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的，大致矩形的，大致平行四边形的以及准平行四边形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：准平面的。
在图19的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.1μm至约20μm的范围内。
图19也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片以及准平面的。
在图19的SEM中指出5μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约1μm至约20μm的范围内。
图20也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的。虽然并非详尽的描述，但以下描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片以及准平面的。
在图20的SEM中指出30μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约1μm至约50μm的范围内。
图21也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：准平面的。
在图21的SEM中指出50μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约1μm至约200μm的范围内。
图22也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：准平面的。
在图22的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.1μm至约5μm的范围内。
图23也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：准平面的。
在图23的SEM中指出500nm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约50nm至约5μm的范围内。
图24也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但当在xy平面、xz平面或yz平面观察时，以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：大致卵形的，大致椭圆形的以及大致圆形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：棒形的以及大致胶囊形的。
在图24的SEM中指出3μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.01μm至约1μm的范围内。
图25也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物、颗粒和/或其聚集体：纤维形的。
在图25的SEM中指出5μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.01μm至约20μm的范围内。
图25也包括具有纤维束组态的纳米颗粒或纳米突起物的聚集体。在一些实施方案中，可将聚集体描述为具有中心束缚纤维束(center-boundfiberbundle)组态，因为聚集体可类似于如下的一束纤维，即在束的中心具有套带或束缚物以使其捆在一起，以致于末端与束的中心相比更分散。
图26也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物、颗粒和/或其聚集体：纤维形的。
在图26的SEM中指出2μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.01μm至约10μm的范围内。
图26也包括具有纤维束组态和/或中心束缚纤维束组态的纳米颗粒或纳米突起物的聚集体。
图27也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物、颗粒和/或其聚集体：纤维形以及准平面的。
在图27的SEM中指出500nm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约5nm至约5μm的范围内。
图28也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的。虽然并非详尽的描述，以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：针状以及纤维形的。
在图28的SEM中指出5μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.1μm至约100μm的范围内。
图29也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，大致平行四边形的，至少一为大致直角的角以及大致线形的。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致平行四边形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：针状以及纤维形的。
在图29的SEM中指出50μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约1μm至约500μm的范围内。
图30也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：准平行四边形的，大致平行四边形的以及大致线形的。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致平行四边形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：针状以及纤维形的。
在图30的SEM中指出20μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.1μm至约150μm的范围内。
图31也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纤维形的。
在图31的SEM中指出500nm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约10nm至约5μm的范围内。
图32也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但当在xy平面、xz平面或yz平面观察时，以下描述可适用于此图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，至少一个为大致直角的角，基本全部为大致直角的角以及大致线形的。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的，大致平行四边形的以及准平行四边形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：粒状的。
在图32的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.01μm至约5μm的范围内。
图33也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片以及准平面的。
在图33的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.1μm至约20μm的范围内。
图34也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的以及大致矩形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纤维形以及带形的。
在图34的SEM中指出2μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.1μm至约10μm的范围内。
图35也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的，大致矩形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纤维形以及粒状的。
在图35的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.01μm至约10μm的范围内。
图36也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纤维形以及准平面的。
在图36的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.01μm至约10μm的范围内。
图37也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：棒形以及纤维形的。
在图37的SEM中指出4μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.05μm至约10μm的范围内。
图38也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：棒形以及纤维形的。
在图38的SEM中指出4μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.05μm至约10μm的范围内。
图39也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的，大致矩形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：带形、纳米片以准平面的。
在图39的SEM中指出1μm比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.1μm至约20μm的范围内。
图40也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，准平行四边形的，大致平行四边形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的，大致平行四边形的以及准平行四边形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：带形、纤维形以及准平面的。
在图40的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.01μm至约10μm的范围内。
图41也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：带形以及纤维形的。
在图41的SEM中指出10μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.1μm至约10μm的范围内。
图42也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，大致线形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纤维形以及带形的。
在图42的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.1μm至约5μm的范围内。
图43也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的，大致矩形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片、带形以及准平面的。
在图43的SEM中指出500nm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约50nm至约2μm的范围内。
图44也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，大致线形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，大致线形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：带形、纳米片以及准平面的。
在图44的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.01μm至约1μm的范围内。
图45也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，大致线形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，大致线形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：带形、纳米片以及准平面的。
在图45的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.1μm至约20μm的范围内。
图46也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，大致线形的以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：带形、纤维形以及准平面的。
在图46的SEM中指出4μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.05μm至约10μm的范围内。
图47也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纤维形的。
在图47的SEM中指出5μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.05μm至约10μm的范围内。
图48也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，以及至少一个为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的以及大致矩形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片、带形以及准平面的。
在图48的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.01μm至约5μm的范围内。
图49也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，以及至少一个为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的以及大致矩形的。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片、带形以及准平面的。
在图49的SEM中指出1μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.02μm至约10μm的范围内。
图50也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纤维形以及带形的。
在图50的SEM中指出5μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.01μm至约20μm的范围内。
图51也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：矩形、胶囊形、纤维形、带形以及棒形的。
在图51的SEM中指出3μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.01μm至约5μm的范围内。
图52也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片、准平面、带形以及粒状的。
在图52的SEM中指出4μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.05μm至约10μm的范围内。
图53也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片、准平面、带形以及粒状的。
在图53的SEM中指出3μm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约0.05μm至约10μm的范围内。
图54也示出多孔膜的实施方案的表面的SEM图像。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在xy平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致矩形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下描述可适用于当在yz平面观察时该图中的至少一突起物或颗粒：大致线形的，大致矩形的，至少一个为大致直角的角以及基本全部为大致直角的角。虽然并非详尽的描述，但以下其他描述也可适用于该图中的至少一突起物或颗粒：纳米片、带形以及准平面的。
在图54的SEM中指出400nm的比例尺，该比例尺可提供膜中的纳米颗粒、纳米突起物或空隙的尺寸的指示。此图表明：大量颗粒或空隙的x、y和/或z尺寸可在约50nm至约2000nm。
本文陈述了与多孔膜的各种实例相关的图像以及附图的多个实例的各种形状以及尺寸。提供这些形状以及尺寸仅是为了帮助理解所使用的术语，并非意欲用成为任何特定实例或附图的全面描述。因此，针对任何特定实例或附图未使用任何特定术语，这并不意味着特定术语不适用于特定实例或附图。
在一些实施方案中，各纳米结构的平面与膜之间的角度可以是在0度到90度之间的任何值且具有相同的概率，和/或有可能没有优选的特定角度。换言之，此膜的纳米结构有可能没有特定的大体排列或大致取向。
多孔膜的厚度可改变。在一些实施方案中，多孔膜的厚度可在纳米至微米的范围。举例而言，膜的厚度可以是约500nm、约0.1μm、约1μm、约1.3μm、约3μm、或约4μm、约5μm、约7μm、约10μm、约20μm、约100μm或以任何这些值为界的或任何这些值之间的范围内的厚度。在一些实施方案中，膜的厚度可以是约500nm至约100μm、约0.1μm至约10μm、或约1μm至约5μm。
多孔膜可包括多个孔洞或空隙。举例而言，多孔膜可包括多个空隙，其总体积可为包括空隙的膜的体积的约50%、约70%、约80%、约85%、约90%、约95%或约99%，或以任何这些值为界的或在任何这些值之间的范围内的百分比。因此，若空隙的总体积为膜体积的50%，则膜体积的50%为膜材料且膜体积的50%为多个空隙。在一些实施方案中，多孔膜可包括多个空隙，其总体积可以是膜体积的约50%至约99%、约70%至约99%、约80%至约99%、或约90%至约99%。
在一些实施方案中，膜可包括多个空隙，其的数量及尺寸使得膜的厚度与不具有空隙的相同材料的膜的厚度相比可为约2倍、约10倍、高达50倍或约100倍，或以任何这些值为界的或任何这些值之间的范围内的厚度比。举例而言，当相同材料的膜在不具有空隙的情况下具有800nm的厚度时，膜可具有约5μm的厚度。在一些实施方案中，膜的厚度可为没有空隙的相同材料的膜的厚度的约2倍至约100倍或约2倍至约10倍。
空隙的尺寸可改变。对于颗粒或突起物，空隙的尺寸可如上所述的那样来量化。在一些实施方案中，至少约10%的空隙的最大尺寸或x尺寸为约0.5μm、约1μm、约2μm、约3μm、约4μm、约5μm或以任何这些值为界的或任何这些值之间的范围内的任何长度。在一些实施方案中，膜中至少一个空隙可以具有的，或膜中的空隙可以平均具有的x尺寸、y尺寸或z尺寸为：约5nm、约0.01μm、约0.02μm、约0.05μm、约0.1μm、约0.5μm、约1μm、约2μm、约5μm、约10μm、约20μm、约50μm、约100μm、约150μm、约200μm、约500μm、约1000μm或以任何这些值为界的或任何这些值之间的范围内的任何长度。在一些实施方案中，膜中至少一个空隙可以具有的，或膜中的空隙可以平均具有的x尺寸、y尺寸或z尺寸为：约0.01μm至约5μm、约0.01μm至约1μm、约0.01μm至约10μm、约0.01μm至约20μm、约0.01μm至约5μm、约0.02μm至约10μm、约0.05μm至约10μm、约0.1μm至约10μm、约0.1μm至约100μm、约0.1μm至约150μm、约0.1μm至约20μm、约0.1μm至约5μm、约0.5μm至约50μm、约1μm至约100μm、约1μm至约20μm、约1μm至约200μm、约1μm至约50μm、约1μm至约500μm、约10μm至约50μm、约10nm至约5μm、约2μm至约100μm、约20μm至约1000μm、约5nm至约5μm、约50nm至约2μm或约50nm至约5μm。多孔膜的密度可以改变，且可受到空隙、材料以及其他因素的影响。在一些实施方案中，包括空隙的膜的密度可以是约0.005皮克/μm3、约0.05皮克/μm3、约0.1皮克/μm3、约0.3皮克/μm3、约0.5皮克/μm3、约0.7皮克/μm3、约0.9皮克/μm3或以任何这些值为界的或任何这些值之间的范围内的任何密度。在一些实施方案中，所包括的空隙可约在如下的范围内：约0.005皮克/μm3至约0.9皮克/μm3、约0.05皮克/μm3至约0.7皮克/μm3、或约0.1皮克/μm3至约0.5皮克/μm3。
多孔膜材料的折射率可改变。在一些实施方案中，多孔膜材料的折射率可大于或等于衬底的折射率。在一些实施方案中，阳极的折射率、阴极的折射率、在阳极与多孔层之间的透明层的折射率和/或在阴极与多孔层之间的透明层的折射率可大于多孔层的折射率。举例而言，折射率可以是约1.1、约1.5、约1.7、约1.8或以任何这些值为界的或任何这些值之间的范围内的任何折射率。在一些实施方案中，折射率可以是在约1.1至约1.8、约1.1至约1.7或约1.1至约1.5的范围内。
在一些实施方案中，膜中至少100%、至少50%或至少90%的颗粒、突起物或空隙可具有如下范围内的x、y或z尺寸：约0.01μm至约5μm、约0.01μm至约1μm、约0.01μm至约10μm、约0.01μm至约20μm、约0.01μm至约5μm、约0.02μm至约10μm、约0.05μm至约10μm、约0.1μm至约10μm、约0.1μm至约100μm、约0.1μm至约150μm、约0.1μm至约20μm、约0.1μm至约5μm、约0.5μm至约50μm、约1μm至约100μm、约1μm至约20μm、约1μm至约200μm、约1μm至约50μm、约1μm至约500μm、约10μm至约50μm、约10nm至约5μm、约2μm至约100μm、约20μm至约1000μm、约5nm至约5μm、约50nm至约2μm或约50nm至约5μm。
可通过在表面(例如衬底)上沉积有机膜来制备多孔膜。举例而言，沉积可以是气相沉积，其可在高温和/或高真空条件下实施；或可通过滴铸法(dropcasting)或旋铸法(spincasting)来沉积多孔膜。在一些实施方案中，可将材料沉积在基本透明的衬底上。沉积和/或退火条件可影响膜的特性。
表面上的材料的沉积速率可改变。举例而言，可以以如下速率沉积有机膜：约/秒、约/秒、约/秒、约/秒、约/秒、约/秒、约/秒、约/秒、约/秒或以任何这些沉积速率为界的或在任何这些沉积速率之间的范围内的任何值。在一些实施方案中，可以以如下速率沉积有机膜：约/秒至约/秒、约/秒至约/秒或约/秒至约/秒。
可在各种表面上沉积材料以形成多孔膜或有机膜。对于一些装置，可将材料沉积在阳极、阴极或透明层上。
可进一步通过加热或退火来处理已沉积在表面上的有机膜。加热温度可改变。举例而言，可以在如下温度加热有机膜：约80℃、约100℃、约110℃、约120℃、约130℃、约150℃、约180℃、约200℃、约240℃、约260℃、约290℃或以任何这些值为界的或在任何这些值之间的范围内的任何温度。在一些实施方案中，可以在如下范围中的温度加热有机膜：约100℃至约290℃、约100℃至约260℃、约80℃至约240℃、约80℃至约200℃、约200℃至约260℃或约200℃至约240℃。
加热时间也可以改变。举例而言，可加热有机膜约5分钟、约15分钟、约30分钟、约60分钟、约2小时、约5小时、约10小时、约20小时或以任何这些值为界的或在任何这些值之间的范围内的任何量。在一些实施方案中，可加热有机膜约5分钟至约20小时、约4分钟至约2小时或约5分钟至约30分钟。在一些实施方案中，可以以约100℃至约260℃加热材料5分钟至约30分钟。
多孔膜或有机膜可包括含非聚合性有机化合物的材料，且可包括任选地取代的芳香环。在一些实施方案中，多孔膜或有机膜可包括以下化合物中的至少之一：
可用于多孔膜或有机膜的其他化合物包括以下文献之一中描述的任一化合物：2009年6月29日提交的美国临时申请第61/221,427号，其以引用方式整体并入本文；2010年6月29日提交的美国专利申请第12/825,953号，其以引用方式整体并入本文；2010年9月16日提交的美国临时专利申请第61/383,602号，其以引用方式整体并入本文；2010年12月22日提交的美国临时申请第61/426,259号；2011年3月3日提交，名称为“SUBSTITUTEDBIPYRIDINESFORUSEINLIGHT-EMITTINGDEVICES”(发明人为ShijunZheng)的美国专利临时申请第61/449,001号，其以引用方式整体并入本文；以及2011年3月3日提交，名称为“COMPOUNDSFORPOROUSFILMSINLIGHT-EMITTINGDEVICES”(发明人为ShijunZheng和JensenCayas)的美国专利临时申请第61/449,034号，其以引用方式整体并入本文。
在一些实施方案中，多孔膜可包括化合物-2且可具有约80%的密度和/或大于约4μm的厚度。在一些实施方案中，可以在110℃加热化合物-2和/或可实施加热约60分钟。
在一些实施方案中，多孔膜可包括化合物-3且可具有约1.3μm的厚度。在一些实施方案中，可以在180℃加热化合物-3和/或可实施加热约15分钟。
以下表1描述用于制备图6至图54中所示的膜的材料和方法。
#n/a：不适用
一般而言，可将多孔膜沉积在装置中的层的至少一部分表面上，以提供输出耦合或散射效应。对于输出耦合，可将多孔膜沉积在任一部分内反射的层的至少一部分表面上，包括可同时内反射光以及使光通过部分内反射的层而到达邻近层的任何层，例如发射层、阳极、阴极、任何透明层等。在一些实施方案中，可将透明层沉积在阳极与膜之间、阴极与膜之间等。
包括多孔膜的发光装置可具有各种组态。举例而言，发光装置可包括阳极、阴极以及布置于阳极与阴极之间的发射层。
对于本文所述的装置，若将第一层“沉积在”第二层的“上方”，则第一层覆盖至少一部分第二层，但任选地允许在此两层之间设置一或多个额外层。若将第一层“沉积在”第二层“上”，则第一层会与至少一部分第二层直接接触。为了简化，在本文使用“沉积在……的上方”的任何情况下，应当理解为表示“沉积在……的上方或沉积在……上”。
对于图55至图56，可将多孔膜5430沉积在OLED5410的发射表面5415的上方。在一些实施方案中，可将多孔膜5430直接沉积在OLED5410的发射表面5415上(图55)且作为输出耦合膜。由OLED5410发出的光5440可通过多孔膜5430。在一些实施方案中，可将玻璃衬底5420布置在OLED5410以及多孔膜5430之间，其中玻璃衬底5420与OLED5410的发光表面5415接触或与OLED5410的发光表面5415相邻。发射光5440可从OLED5410通过玻璃衬底5420且行进至多孔膜5430外部。多孔膜5430用来作为输出耦合膜。
适用于上述装置的OLED5410一般包括布置于阳极5560与阴极5510之间的发射层5425。其他的层(例如电子传输层、空穴传输层、电子注入层、空穴注入层、电子阻断层、空穴阻断层、额外的发射层等)可存在于发射层5425与阳极5560和/或阴极5510之间。参照图57A，将发射层5425布置于阳极5560的上方，且将阴极5510布置于发射层5425的上方。光可自装置的顶端和/或装置的底端发出。图57B示出了实例，其中可将发射层5425布置于阴极5510的上方，且可将阳极5560布置于发射层5425的上方。光可自装置的顶端和/或装置的底端发出。
在一些实施方案中，可将本文所述的输出耦合膜或多孔层5430布置于阳极5560或阴极5510的上方，使得光通过阳极或阴极、任何中介层(若存在)，且通过输出耦合膜或多孔层5430。在一些实施方案中，可将透明衬底或玻璃衬底布置于阳极5560与多孔层5430之间，或布置于阴极5510及多孔层5430之间。在一些实施方案中，将多孔层5430布置于透明衬底上。若光自OLED发出且穿过阳极5560，则将透明衬底布置于阳极5560上。在其他实施方案中，当光自OLED发出且穿过阴极5510时，将透明衬底布置于阴极5510上。
在一些实施方案中，额外的层可存在于发射层5425与阳极5560之间或是存在于发射层5425与阴极5510之间。参照图58，可将电子传输层5530布置于发射层5425与阴极5510之间，可将空穴注入层5550布置于发射层5425与阳极5560之间，且可将空穴传输层5540布置于发射层5425与空穴注入层5550之间。当自阳极5560侧发出光时，可将多孔层5430布置于阳极5560的上方。在一些实施方案中，可将透明衬底5570布置于阳极5560以及多孔层5430之间。由发射层5425发出的光可通过空穴传输层5540、空穴注入层5550、阳极5560、透明衬底5570以及多孔膜5430，以使自装置发出的光5440通过装置的底端。
在一些实施方案中，阳极可为反射的，且光可自阴极5510侧发出。参照图59，可将电子传输层5530布置于发射层5425与阴极5510之间，可将空穴注入层5550布置于发射层5425与反射阳极5610之间，且可将空穴传输层5540布置于发射层5425与空穴注入层5550之间。可将封盖层5710布置于阴极5510上。可将多孔层5430布置于阴极5510的上方。在一些实施方案中，可将封盖层5710布置于阴极5510上，在阴极5510与多孔层5430之间。自发射层5425发出的光可通过电子传输层5530、阴极5510、封盖层5710以及多孔膜5430，以使自装置发出的光5440通过装置的顶端。在一些实施方案中，可将OLED装置布置在衬底5620(例如氧化铟锡(ITO)/玻璃衬底)上。在存在反射阳极5610的实施方案中，衬底5620可与反射阳极5610接触或与反射阳极5610相邻。自发射层5425发出的光可通过电子传输层5530、阴极5510、封盖层5710以及多孔膜5430，以使自装置发出的光5440通过装置的顶端。
在一些实施方案中，光可穿过透明阳极5560而发射。参照图60，可将发射层5425布置于阴极5510与透明阳极5560之间。可将多孔膜或多孔层5430布置于透明阳极5560上。在一些实施方案中，可将电子传输层5530布置于发射层5425与阴极5510之间，可将空穴注入层5550布置于发射层5425与透明阳极5560之间，且可将空穴传输层5540布置于发射层5425与空穴注入层5550之间。在一些实施方案中，可将OLED布置于衬底5620(例如氧化铟锡(ITO)/玻璃衬底)上。衬底5620可与阴极5510接触或与阴极5510相邻。光可自发射层5425发出且通过空穴传输层5540、空穴注入层5550、阳极5560以及多孔膜5430，以使光5440通过装置的顶端而发射出。
阳极可以是包括常规材料(例如：金属、混合金属、合金、金属氧化物或混合金属氧化物、导电聚合物和/或无机材料，例如碳纳米管(CNT))的层。合适的金属的实例包括第1族金属，第4族、第5族、第6族中的金属以及第8族至第10族的过渡金属。若阳极可透射光，则可使用第10族和第11族的金属(例如Au、Pt和Ag或其合金)；或第12族、第13族以及第14族金属的混合金属氧化物(例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等)。在一些实施方案中，阳极层可为有机材料，例如聚苯胺。聚苯胺的使用描述于Nature，第357卷，第477页至第479页(1992年6月11日)的“Flexiblelight-emittingdiodesmadefromsolubleconductingpolymer”中。合适的高功函金属以及金属氧化物的实例包括但不限于Au、Pt及其合金；ITO；IZO；等。在一些实施方案中，阳极层的厚度可在约1nm至约1000nm的范围内。
阴极可以是包括功函材料低于阳极层的材料的层。适合用于阴极层的材料的实例包括选自下述的那些：第1族的碱金属；第2族金属；第12族金属，包括稀土元素、镧系元素及锕系元素；诸如铝、铟、钙、钡、钐、镁的材料；及其组合。含Li的有机金属化合物、LiF与Li2O也可沉积于有机层和阴极层之间，以降低操作电压。在一些实施方案中，阴极可包括Al、Ag、Mg、Ca、Cu、Mg/Ag、LiF/Al、CsF、CsF/Al或其合金。在一些实施方案中，阴极层的厚度可在约1nm至约1000nm的范围内。
透明电极可包括可使一些光穿过的阳极或阴极。在一些实施方案中，透明电极可具有约50%、约80%、约90%、约100%的相对透射率，或以任何这些值为界的或在任何这些值之间的范围内的任何透射率。在一些实施方案中，透明电极可具有约50%至约100%、约80%至约100%或约90%至约100%的相对透射率。
发射层可以是任何可发光的层。在一些实施方案中，发射层可包括发光组分，且可任选地包括主体。可建构装置以使得空穴可自阳极传输至发射层和/或使得电子可从阴极传输至发射层。若主体存在，则发射层中的主体的量可改变。举例而言，主体可为发射层的约50重量%、约60重量%、约90重量%、约97重量%或约99重量%，或可为以任何这些值为界的或在任何这些值之间的范围内的任何百分比。在一些实施方案中，主体可为发射层的约50重量%至约99重量%、约90重量%至约99重量%、或约97重量%至约99重量%。
在一些实施方案中，化合物10可为发射层中的主体。
发射层中的发射组分的量可改变。举例而言，发射组分可为发射层重量的约0.1%、约1%、约3%、约5%、约10%或约100%，或可为以任何这些值为界的或在任何这些值之间的范围内的任何百分比。在一些实施方案中，发射层可以是纯发射层，这表示发射组分占发射层的约100重量%，或者发射层基本是由发射组分组成。在一些实施方案中。发射组分可为发射层的约0.1重量%至约10重量%、约0.1重量%至约3重量%、或约1重量%至约3重量%。
发射组分可以是荧光和/或磷光化合物。在一些实施方案中，发射组分包括磷光材料。一些发光化合物的非限定性实例可包括：PO-01、吡啶甲酸双{2-[3,5-双(三氟甲基)苯基]吡啶-N,C2’}铱(III)、吡啶甲酸双(2-[4,6-二氟苯基]吡啶-N,C2’)铱(III)、(乙酰丙酮酸)双(2-[4,6-二氟苯基]吡啶-N,C2’)铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1,2,4-***铱(III)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-5-(吡啶-2-基)-1H-四唑铱(III)、四(1-吡唑基)硼酸双[2-(4,6-二氟苯基)吡啶-N,C2']铱(III)、(乙酰丙酮酸)双[2-(2’-苯并噻吩基)-吡啶-N,C3’]铱(III)；(乙酰丙酮酸)双[(2-苯基喹啉基)-N,C2’]铱(III)；(乙酰丙酮酸)双[(1-苯基异喹啉-N,C2’)]铱(III)；(乙酰丙酮酸)双[(二苯并[f,h]喹喔啉-N,C2’)铱(III)；三(2,5-双-2’-(9’,9’-二己基芴)吡啶)铱(III)；三[1-苯基异喹啉-N,C2’]铱(III)；三-[2-(2’-苯并噻吩基)-吡啶-N,C3’]铱(III)；三[1-苯硫-2-基异喹啉-N,C3’]铱(III)以及三[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)异喹啉-(N,C3’)]铱(III)、(乙酰丙酮酸)双(2-苯基吡啶-N,C2’)铱(III)[Ir(ppy)2(acac)]、(乙酰丙酮酸)双(2-(4-甲苯基)吡啶-N,C2’)铱(III)[Ir(mppy)2(acac)]、(乙酰丙酮酸)双[2-(4-叔丁基)吡啶-N,C2’]铱(III)[Ir(t-Buppy)2(acac)]、三(2-苯基吡啶-N,C2’)铱(III)[Ir(ppy)3]、(乙酰丙酮酸)双(2-苯基噁唑啉-N,C2’)铱(III)[Ir(op)2(acac)]、三(2-(4-甲苯基)吡啶-N,C2’)铱(III)[Ir(mppy)3]、(乙酰丙酮酸)双[2-苯基苯并噻唑-N,C2’]铱(III)、(乙酰丙酮酸)双[2-(4-叔丁基苯基)苯并噻唑-N,C2’]铱(III)、(乙酰丙酮酸)双[(2-(2’-噻吩基)吡啶-N,C3’)]铱(III)、三[2-(9.9-二甲基芴-2-基)吡啶-(N,C3’)]铱(III)、三[2-(9.9-二甲基芴-2-基)吡啶-(N,C3’)]铱(III)、(乙酰丙酮酸)双[5-三氟甲基-2-[3-(N-苯基咔唑基)吡啶-N,C2’]]铱(III)、(2-PhPyCz)2Ir(III)(ac+ac)等。
1.(Btp)2Ir(III)(acac);(乙酰丙酮酸)双[2-(2'-苯并噻吩基)-吡啶-N，C3']铱(III)
2.(Pq)2Ir(III)(acac)；(乙酰丙酮酸)双[2-苯基喹啉基-N,C2’]铱(III)
3.(Piq)2Ir(III)(acac)；(乙酰丙酮酸)双[(1-苯基异喹啉-N,C2’)]铱(III)
4.(DBQ)2Ir(acac)；(乙酰丙酮酸)双[(二苯并[f,h]喹喔啉-N,C2’)铱(III)
5.Ir(HFP)3；三(2,5-双-2’-(9’,9’-二己基芴)吡啶)铱(III)
6.Ir(piq)3；三[1-苯基异喹啉-N,C2’]铱(III)
7.Ir(btp)3；三-[2-(2’-苯并噻吩基)-吡啶-N,C3’]铱(III)
8.Ir(tiq)3；三[1-苯硫-2-基异喹啉-N,C3’]铱(III)
9.Ir(fliq)3；三[1-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)异喹啉-(N,C3’)]铱(III)
发射层的厚度可以改变。在一些实施方案中，发射层的厚度可在1nm至约150nm或约200nm的范围内。
空穴传输层可包括至少一空穴传输材料。空穴传输材料的实例可包括：芳香族取代的胺、咔唑、聚乙烯咔唑(PVK)(例如聚(9-乙烯咔唑))；聚芴；聚芴共聚物；聚(9,9-二-正辛基芴-alt-苯并噻二唑)；聚对苯撑；聚[2-(5-氰基-5-甲基己基氧基)-1,4-苯撑]；联苯胺；苯二胺；酞菁金属络合物；聚乙炔；聚噻吩；三苯胺；酞菁铜；1,1-双(4-双(4-甲基苯基)氨基苯基)环己烷；2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉；3,5-双(4-叔丁基-苯基)-4-苯基[1,2,4]***；3,4,5-三苯基-1,2,3-***；4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)；N,N’-双(3-甲基苯基)N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)；4,4’-双[N-(萘基)-N-苯基-氨基]联苯(α-NPB)；4,4’,4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)；4,4’-双[N,N’-(3-甲苯基)氨基]-3,3’-二甲基联苯(HMTPD)；4,4’-N,N’-二咔唑-联苯(CBP)；1,3-N,N-二咔唑-苯(mCP)；双[4-(p,p’-二甲苯基-氨基)苯基]二苯基硅烷(DTASi)；2,2’-双(4-咔唑基苯基)-1,1’-联苯(4CzPBP)；N,N’,N”-1,3,5-三咔唑基苯(tCP)；N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺；它们的组合；或本领域已知的可用来作为空穴传输材料的任何其他材料。
电子传输层可包括至少一种电子传输材料。电子传输材料的实例可包括：2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)；1,3-双(N,N-叔丁基-苯基)-1,3,4-噁二唑(OXD-7)；1,3-双[2-(2,2’-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯；3-苯基-4-(1’-萘基)-5-苯基-1,2,4-***(TAZ)；2,9-二甲基-4,7-二苯基-菲咯啉(浴铜灵或BCP)；三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)以及1,3,5-三(2-N-苯基苯并咪唑基)苯；1,3-双[2-(2,2’-联吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯(BPY-OXD)；3-苯基-4-(1’-萘基)-5-苯基-1,2,4-***(TAZ)；2,9-二甲基-4,7-二苯基-菲咯啉(浴铜灵或BCP)；以及1,3,5-三[2-N-苯基苯并咪唑-z-基]苯(TPBI)。在一些实施方案中，电子传输层可以是喹啉铝(Alq3)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、菲咯啉、喹喔啉、1,3,5-三[N-苯基苯并咪唑-2-基]苯(TPBI)或它们的衍生物或组合，或本领域已知可用作电子传输层的任何其他材料。
空穴注入层可包括任何可以注入电子的材料。空穴注入材料的一些实例可包括选自以下化合物的任选取代的化合物：聚噻吩衍生物，例如聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)(PEDOT)/聚苯乙烯磺酸(PSS)；联苯胺衍生物，例如N,N,N’,N’-四苯基联苯胺、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)；三苯基胺或苯二胺衍生物，例如N,N’-双(4-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)-1,4-苯二胺、4,4’,4”-三(N-(亚萘-2-基)-N-苯基氨基)三苯胺；噁二唑衍生物，例如1,3-双(5-(4-二苯基氨基)苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯；聚乙炔衍生物，例如聚(1,2-双-苄基硫基-乙炔)；以及酞菁金属络合物衍生物，例如酞菁铜(CuPc)；它们的组合，或本领域已知可用作为空穴注入材料的任何其他材料。在一些实施方案中，虽然仍能够传输空穴，但空穴注入材料的空穴迁移率可基本低于常规空穴传输材料的空穴迁移率。
可使用各种方法以向发光装置提供多孔膜。图61示出可使用的方法的实例。第一步骤5910涉及将多孔膜的材料沉积在透明衬底上。在将材料沉积在透明衬底上时，可接着实施任选的加热步骤5930以提供多孔膜。接着，在步骤5950中使用耦合介质将OLED耦合至衬底。
耦合介质可以是具有与玻璃衬底相似的折射率且可使玻璃衬底固着(例如通过粘合)于OLED的任何材料。实例可包括折射率匹配的油或双面胶带。在一些实施方案中，玻璃衬底可具有约1.5的折射率，且耦合介质可具有约1.4的折射率。这可使光在无光损失的情况下通过玻璃衬底和耦合介质。
在一些实施方案中，可将多孔膜的材料直接沉积在OLED上。也可在沉积材料上实施任选的加热步骤以提供多孔膜。
在一些实施方案中，加热温度可足够低，使得OLED的性能不会被负面影响到无法接受的程度。在一些多孔膜材料包括化合物-1的实施方案中，退火(即加热步骤)可为非必要的。
发光装置可还包括封装层或保护层以保护多孔膜构件免受环境损伤，例如由于水分、机械变形等产生的损伤。举例而言，可以以在多孔膜与环境之间提供保护屏障的方式来放置保护层。
尽管有很多封装或保护多孔膜的方式，但图62A为封装装置的结构的示意图，且图62B表示一种可用来制备此装置的方法。在此方法中，步骤6200涉及将多孔膜5430布置于透明衬底5570上，且步骤6201涉及将透明片6210固着在多孔膜5430的上方。当将透明片6210布置在多孔膜5430的上方时，如步骤6202所示，可通过封合材料6620而使透明片6210和透明衬底5570的边缘彼此封合。封合材料6220可以是环氧树脂、UV可固化环氧树脂或其他可交联材料。任选地，间隙6280可存在于透明片6210与多孔膜5430之间。也可在未封合保护层6250以及透明衬底5570的边缘的情况下，将保护层(即透明片)涂布在多孔膜5430上。在步骤6205中，可接着通过耦合介质5960将已封装的多孔膜耦合至OLED5410。若必要，发光装置中可包括额外的层。这些额外的层可包括电子注入层(EIL)、空穴阻断层(HBL)和/或激子阻断层(EBL)。
若存在，则电子注入层可在发光装置中的多个位置，例如在阴极层与发光层之间的任何位置。在一些实施方案中，电子注入材料的最低未占据分子轨道(LUMO)的能级足够高以使其避免接受来自发光层的电子。在其他实施方案中，电子注入材料的LUMO与阴极层的功函之间的能量差足够小以使电子注入层有效地将来自阴极的电子注入发射层中。若干合适的电子注入材料为本领域技术人员已知的。合适的电子注入材料的实例可包括但不限于选自以下化合物的任选取代的化合物：经LiF、CsF、Cs掺杂的上述电子传输材料，或其衍生物或组合。
若存在，空穴阻断层可在发光装置中的多个位置，例如在阴极与发射层之间的任何位置。可被包括在空穴阻断层中的各种合适的空穴阻断材料为本领域技术人员已知的。合适的空穴阻断材料可包括但不限于选自以下化合物的任选取代的化合物：浴铜灵(BCP)、3,4,5-三苯基-1,2,4-***、3,5-双(4-叔丁基-苯基)-4-苯基-[1,2,4]***、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉以及1,1-双(4-双(4-甲基苯基)氨基苯基)-环己烷等，以及它们的组合。
若存在，激子阻断层可在发光装置中的多个位置，例如在发射层与阳极之间的任何位置。在一些实施方案中，包括激子阻断层的材料的带隙能量可足够大以基本避免激子扩散。可被包括在激子阻断层中的若干合适的激子阻断材料为本领域技术人员已知的。构成激子阻断层的材料的实例包括选自以下化合物的任选取代化合物：喹啉铝(Alq3)、4,4’-双[N-(萘基)-N-苯基-氨基]联苯(α-NPB)、4,4’-N,N’-二咔唑-联苯(CBP)以及浴铜灵(BCP)，以及任何其他具有大到足以基本阻止激子扩散的能隙的材料。
实施例
5-溴烟酰氯:将无水DMF(O.5ml)添加至5-嗅烟碱酸(l0g)的亚硫酰氯(25ml)混合物中。回流整个混合物过夜。在冷却至室温(RT)后，在减压下移除过量的亚硫酰氯。获得白色固体(11g)，其中在未进一步纯化的情况下用于下个步骤。
5-溴-N-(2-溴苯基)烟酰胺:在氩气下搅拌5-溴烟酰氯(7.5g，33mmol)、2-溴苯胺(5.86g，33mmol)以及三乙胺(14ml，100mmol)在无水二氯甲烷(100ml)中的混合物过夜。用水处理(workup)且用二氯甲烷提取(200ml×2)所产生的混合物。收集有机相并用Na2SO4干燥。在将有机相浓缩至150ml后，析出(crashout)白色结晶固体。过滤并用己烷洗涤得到白色固体(10.0g，产率85%)。
2-(5-溴吡啶-3-基)苯并[d]噁唑:在100℃加热5-溴-N-(2-溴苯基)烟酰胺(3.44g，9.7mmol)、CuI(0.106g，0.56mmol)、Cs2CO3(3.91g，12mmol)以及1,10-菲咯啉(0.20g，1.12mmol)在无水1,4-二氧六环(50ml)中的混合物过夜。在冷却至RT后，将混合物倒入乙酸乙酯(200ml)中，接着用水洗涤。用乙酸乙酯(200ml×2)提取水相，且收集有机相并用Na2SO4干燥，通过快速层析(硅胶，己烷/乙酸乙酯3：1)纯化以得到浅黄色固体(2.0g，产率75%)。
化合物-1:将2-(5-溴吡啶-3-基)苯并[d]噁唑(550mg，2mmol)、乙酸钾(600mg，6.1mmol)、联硼酸频那醇酯(254mg，1mmol)以及[1,1’-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(73mg，0.1mmol)在DMSO中的混合物脱气，且在氩气氛下在90℃加热过夜。在冷却后，将整个混合物倒入水中，过滤得到固体，其用异丙醇、二氯甲烷洗涤。获得白色固体(250mg，产率64%)作为产物化合物-1。
2-(3-溴苯基)苯并[d]噁唑:在120℃将3-溴苯甲酰氯(10.0g，45.6mmol)、2-溴苯胺(7.91g，46mmol)、Cs2CO3(30g，92mmol)、CuI(0.437g，2.3mmol)以及1,10-菲咯啉(0.829g，4.6mmol)在无水1,4-二氧六环(110ml)中的混合物加热8小时。在冷却至RT后，将混合物倒入乙酸乙酯(300ml)，用水(250ml)处理。用二氯甲烷(300ml)提取水溶液。收集、结合有机相且用Na2SO4干燥。通过短硅胶柱(己烷/乙酸乙酯3：1)纯化得到固体，其用己烷洗涤以得到浅黄色固体(9.54g，产率76%)。
2-(3-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)苯并[d]噁唑：将2-(3-溴苯基)苯并[d]噁唑(2.4g，8.8mmol)、联硼酸频那醇酯(2.29g，9.0mmol)、[1,1’-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(0.27g，0.37mmol)以及乙酸钾(2.0g，9.0mmol)在无水1,4-二氧六环(50ml)中的混合物脱气，接着在80℃加热过夜。在冷却至RT后，将混合物倒入乙酸乙酯(100ml)。在过滤之后，在硅胶上吸收溶液且通过快速层析(己烷/乙酸乙酯4：1)而纯化以得到白色固体(2.1g，产率75%)。
化合物-2:将3，5-二溴吡啶(0.38g,1.6mmo1)、2-(3-(4，4，5，5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)苯并[d]噁唑(1.04g，3.1摩尔)、Pd(PPh3)4(0.20g，0.17mmol)以及碳酸钾(0.96g，7.0mmol)在二氧六环/水(40ml/8ml)中的混合物脱气，且在氩气下在90℃加热过夜。在冷却至RT后，过滤沉淀且用甲醇洗涤以得到白色固体(0.73g，产率95%)。
1，3-双(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂环戊硼烷-2-基)苯:将1，3-二溴苯(2.5g，10.6mmol)，联硼酸频那醇酯(6.0g，23.5mmol)、Pd(dppf)2Cl2(0.9g，1.2mmol)以及乙酸钾(7.1g，72.1mmol)溶于50ml的1,4-二氧六环。用氩气将反应混合物脱气，接着在氩气下加热至85℃，历时18小时。将反应混合物过滤且在乙酸乙酯中进行提取。用水和盐水洗涤有机相。用硫酸钠干燥提取物、过滤且浓缩。通过硅胶柱(用1：9的乙酸乙酯/己烷作为洗提液)纯化所产生的残留物。移除溶剂且从二氯甲烷/甲醇再结晶产物以产出灰白色固体形式的产物(3.008g，产率86%)。
5-溴烟酰氯:将无水DMF(0.5ml)添加至5-溴烟碱酸(10g)的亚硫酰氯(25ml)混合物中。加热回流整体混合物过夜。在冷却至RT后，在减压下移除过量的亚硫酰氯。获得白色固体(11g)，其中在未进一步纯化的情况下用于下个步骤。
5-溴-N-(2-溴苯基)烟酰胺:在氩气下搅拌5-溴烟酰氯(7.59，33mmol)、2-溴苯胺(5.86g，33mmol)以及三乙胺(14ml，100mmol)在无水二氯甲烷(100ml)中的混合物过夜。用水处理且用二氯甲烷(200ml×2)提取所产生的混合物。收集有机相并用Na2SO4干燥。在将有机相浓缩至150ml后，析出白色结晶固体。过滤并用己烷洗涤得到白色固体(10.0g，产率85%)。
2-(5-溴吡啶-3-基)苯并[d]噁唑:在100℃加热5-溴-N-(2-溴苯基)烟酰胺(3.44g，9.7mmol)、CuI(0.106g，0.56mmol)、Cs2CO3(3.91g，12mmol)以及1,10-菲咯啉(0.20g，1.12mmol)在无水1,4-二氧六环(50ml)中的混合物过夜。在冷却至RT后，将混合物倒入乙酸乙酯(200ml)中，接着用水洗涤。用乙酸乙酯(200ml×2)提取水相，且收集有机相并用Na2SO4干燥，通过快速层析(硅胶，己烷/乙酸乙酯3：1)纯化以得到浅黄色固体(2.0g，产率75%)。
化合物-3：将1,3-双(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)苯(0.63g，1.92mmol)、2-(5-溴吡啶-3-基)苯并[d]噁唑(1.05g，3.83mmol)、Pd(PPh3)4(0.219g，0.19mmol)以及乙酸钾(1.1g，8mmol)在二氧六环/水(30ml/6ml)中的混合物脱气，且在氩气下在85℃加热过夜。在冷却至RT后，过滤沉淀物且用甲醇洗涤(300ml×3)，并在真空下干燥以得到白色固体(0.88g，产率98%)。
2-(4-溴苯基)苯并[d]噁唑(X1):将4-溴苯甲酰氯(4.849，22mmo1)、2-溴苯胺(3.8g，22mmol)、CuI(0.21g，1.1mmol)、Cs2CO3(14.3g，44mmol)以及1,10-菲咯啉(0.398g，2.2mmol)在无水1,4-二氧六环(80ml)中的混合物脱气，且在氩气下在约125℃加热过夜。冷却混合物且倒入乙酸乙酯(约200ml)且过滤。在硅胶上吸收过滤物，通过柱层析(己烷/乙酸乙酯4：1)纯化，且通过己烷沉淀，以得到白色固体(5.2g，87%产率)。
2-(4-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)苯并[d]噁唑(X2)：将X1(4.45g，16mmol)、联硼酸频那醇酯(4.09g，16.1mmol)、无水乙酸钾(3.14g，32mmol)以及Pd(dppf)Cl2(0.48g，0.66mmol)在1,4-二氧六环(80ml)中的混合物脱气，且在氩气下在约85℃加热约48小时。在冷却至RT后，将混合物倒入乙酸乙酯(约200ml)且过滤。在硅胶上吸收滤液且通过柱层析(己烷/乙酸乙酯，4：1)纯化以得到白色固体(4.15g，产率81%)。
4'-溴-N，N-二对甲苯基联苯-4-胺(22):将二-对-苯甲胺(6.0g，30.4mmol)、4,4’-二溴联苯(23.7g，76.0mmol)、四-丁醇钠(7.26g，91.2mmol)以及[1,1-双(联苯膦)二茂铁]二氯化钯(II)(Pd(dppf)Cl2)(666mg，0.912mmol，3mol%)添加至无水甲苯(约250ml)并在氩气中脱气约30分钟。在TLC分析指出大部份的二-对苯甲胺被消耗之后，在约80℃将所产生的混合物加热约6小时。在冷却至RT后，将混合物倒入饱和碳酸氢钠水溶液且用乙酸乙酯分两次提取。合并有机层且用水和盐水洗涤，接着用MgSO4干燥。在过滤之后，在旋转蒸发器上将提取物浓缩至干燥，接着装填至硅胶上。快速柱(梯度为100%己烷至1%的二氯甲烷的己烷)得到9.4g(72%)的白色固体，由CDCl3的1HNMR确认。
化合物-4:在氩气氛下，将X2(0.66g,2.05mmol)、化合物22(0.80g，1.87mmol)、Na2CO3(0.708g，6.68mmol)以及Pd(PPh3)4(0.065g，56.1mmol)在THF/H2O(10ml/6ml)中的混合物脱气且在80℃加热过夜。在冷却后，将混合物倒入二氯甲烷(100ml)且用水(2×200ml)和盐水(100ml)洗涤。收集有机相，用Na2SO4干燥，接着通过快速层析(硅胶，己烷/乙酸乙酯40：1至9：1)纯化以得到固体(0.936g，产率93%)。
4'-溴-N，N-二苯基-[1，1'-联苯]-4-胺(X3):在氩气氛下，将4-(二苯基氨基)苯基)硼酸(1.5g，5.19mmol)、4-碘-1-溴苯(1.33g，4.71mmol)、Na2CO3(1.78g，16.8mmol)以及Pd(PPh3)4(0.163g，0.141mmol)在THF/H2O(28ml/17ml)中的混合物脱气且在回流下加热过夜。在冷却后，将化合物倒入二氯甲烷(150ml)，接着用水(2×150ml)和盐水(100ml)洗涤。用Na2SO4干燥有机相，用快速柱层析(硅胶，己烷/乙酸乙酯50：1)纯化，接着在二氯甲烷/甲醇中再结晶以得到白色固体(1.64g，产率87%)。
化合物-5：在氩气氛下，将X3(1.40g，3.5mmol)、化合物10(1.52g，3.85mmol)、Na2CO3(1.32g，12.5mmol)以及Pd(PPh3)4(121mg，0.105mmol)在THF/H2O(21ml/12.5ml)中的混合物脱气且加热至回流过夜。在冷却至RT后，将化合物倒入二氯甲烷(150ml)，接着用水(150ml)和盐水(150ml)洗涤。用Na2SO4干燥有机相，在硅胶上吸收，且用快速柱层析(己烷/乙酸乙酯5：1至2：1，然后二氯甲烷作为洗提液)纯化。收集产物且从丙酮/己烷再结晶以得到固体(1.69g)。再次在二氯甲烷/乙酸乙酯中再结晶以得到固体(1.4g，产率68%)。
4-(5-溴吡啶-2-基)-N,N-联苯胺(1).边搅拌边用氩气将4-(二苯基氨基)苯基硼酸(7.00g，24.2mmol)、5-溴-2-碘吡啶(7.56g，26.6mmol)、四(三苯基膦)钯(0)(1.40g，1.21mmol)、Na2CO3(9.18g，86.6mmol)、H2O(84ml)以及THF(140ml)的混合物脱气1.5小时。接着在氩气下将搅拌的反应混合物保持在80℃，历时19小时。在由TLC(SiO2，19：1的己烷-EtOAc)确认起始材料耗尽后，将反应冷却至RT且倒至EtOAc(500ml)上。接着用饱和NaHCO3、H2O和盐水洗涤有机物，用MgSO4干燥，过滤并真空浓缩。经由快速层析(SiO2，2：1己烷-二氯甲烷)纯化粗产物以得到浅黄色结晶固体形式的化合物1(9.54g，98%)。
N,N-二苯基-4-(5-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)吡啶-2-基)苯胺(2).边搅拌边用氩气将1(6.00g，15.0mmol)、联硼酸频那醇酯(4.18g，16.4mmol)、[1,1’-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(II)(0.656g，0.897mmol)、乙酸钾(4.40g，44.9mmol)以及无水1,4-二氧六环(90ml)的混合物脱气50分钟。接着在氩气下将搅拌的反应混合物保持在80℃，历时67小时。在由TLC(SiO2，4：1己烷-丙酮)确认起始材料耗尽后，将反应冷却至RT、过滤且用EtOAc(约200ml)充分洗涤滤液。接着用饱和NaHCO3、H2O、饱和NH4Cl以及盐水洗涤有机物，用MgSO4干燥，过滤且真空浓缩。接着在己烷(约300ml)中溶解粗制物，滤除不溶物且将滤液浓缩以产出黄色泡沫形式的2(6.34g，95%)，在无进一步纯化的情况下继续进行。
2-(5-溴吡啶-2-基)苯并[d]噁唑(9).将2-氨基硫酚(5.01g，40.0mmol)、5-溴-2-甲酰吡啶(7.44g，40.0mmol)以及乙醇(40ml)的混合物在开放于大气的条件下加热至回流(100℃)，历时3天。在由TLC(SiO2，29：1己烷-丙酮)确认起始材料耗尽后，将反应冷却至RT，过滤所产生的混合物，且用乙醇充分洗涤过滤物以得到灰白色固体形式的9(5.62g，48%)。
4-(6'-(苯并[d]噻唑-2-基)-3,3'-联吡啶-6-基)-N,N-二苯基苯胺(化合物6).在氩气下，边搅拌边将9(3.05g，7.59mmol)、2(3.40g，7.59mmol)、四(三苯基膦)钯(0)(0.438g，0.379mmol)、Na2CO3(7.42g，70.0mmol)、H2O(70ml)以及THF(115ml)的混合物脱气1.25小时。接着在氩气下将搅拌的反应混合物保持在80℃，历时65小时。在用TLC(SiO2，CH2Cl2)确认起始材料耗尽后，将反应冷却至RT且倒到CH2Cl2(400ml)上。接着用饱和NaHCO3、H2O以及盐水洗涤有机物，用MgSO4过滤且真空浓缩。经由快速层析(SiO2，100%CH2Cl2至49：1的CH2Cl2-丙酮)纯化粗产物，提供黄色固体形式的化合物-6(3.98g，82%)。
9-(4-溴苯基)-9H-咔唑(4).边搅拌边用氩气将咔唑(6.30g，37.7mmol)、1-溴-4-碘苯(15.99g，56.52g)、铜粉(4.79g，75.4mmol)、K2CO3(20.83g，150.7mmol)以及无水DMF(100ml)的混合物脱气1小时。接着在氩气下将搅拌的反应混合物保持于130℃，历时42小时。在用TLC(SiO2，4：1己烷-二氯甲烷)确认起始材料耗尽后，将混合物冷却至RT、过滤，用EtOAc(约400ml)充分洗涤过滤物且在真空下浓缩所得的滤液。经由快速层析(SiO2，己烷)纯化粗产物，产生淡黄色固体形式的4(11.7g，96%)。
9-(4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)-9H-咔唑(5).在氩气下边搅拌边将4(11.64g，36.12mmol)、联硼酸频那醇酯(19.26g，75.85mmol)、[1,1’-双(二苯基膦)-二茂铁]二氯化钯(II)(1.59g，2.17mmol)、乙酸钾(10.64g，108.4mmol)以及无水1,4-二氧六环(200ml)的混合物脱气2小时。接着在氩气下将搅拌的反应混合物保持于80℃，历时67小时。在用TLC(SiO2，己烷)确认起始材料耗尽后，将混合物冷却至RT，经由短硅胶塞过滤且用EtOAc(约400ml)充分洗涤过滤物。接着用饱和NaHCO3、H2O以及盐水洗涤有机物，用MgSO4干燥，过滤且真空浓缩。经由快速层析(SiO2，7：3至1：1己烷-二氯甲烷)纯化粗产物提供无色固体形式的5(10.8g，81%)。
9-(4-(5-溴吡啶-2-基)苯基)-9H-咔唑(6).按照1的过程，5(4.84g，13.1mmol)、5-溴-2-碘吡啶(3.72g，13.1mmol)、四(三苯基膦)钯(0)(0.757g，0.655mmol)、Na2CO3(4.97g，46.9mmol)、H2O(45ml)以及THF(75ml)在快速层析(SiO2，1：1己烷-二氯甲烷)以及后续用EtOAc研磨后，产出无色固体形式的6(4.73g，90%)。
9-(4-(5-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)吡啶-2-基)苯基)-9H-咔唑(7).按照2的过程，6(6.22g，15.6mmol)、联硼酸频那醇(4.35g，17.1mmol)、[1,1’-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(II)(0.684g，0.935mmol)、乙酸钾(4.59g，46.7mmol)以及无水1,4-二氧六环(93ml)产生棕灰色固体形式的7(6.55g，94%)。
2-(6'-(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)-3,3'-联吡啶-6-基)苯并[d]噻唑(化合物-7).边搅拌边用氩气将7(0.841g，1.89mmol)、9(0.549g，1.89mmol)、四(三苯基膦)钯(0)(109mg，94.2μmol)、Na2CO3(1.59g，15.0mmol)、H2O(15ml)以及THF(25ml)的混合物脱气20分钟。接着在氩气下将搅拌的反应混合物保持于80℃，历时18小时。用TLC(SiO2，CH2Cl2)确认起始材料耗尽后，将反应冷却至RT，且倒到CHCl3(300ml)上。接着用饱和NaHCO3、H2O以及盐水洗涤有机物，用MgSO4干燥，过滤且真空浓缩。经由快速层析(SiO2，100%CH2Cl2至49：1CH2Cl2-丙酮)纯化粗产物，提供淡黄色固体形式的化合物-7(0.72g，72%)。
2-(6'-(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)-3,3'-联吡啶-6-基)苯并[d]噁唑(化合物-8).按照化合物-7的过程，7(0.868g，1.95mmol)、10(0.535g，1.95mmol)(其是按照与9相同的步骤而制备的)、四(三苯基膦)钯(0)(112mg，97.2μmol)、Na2CO3(1.59g，15.0mmol)、H2O(15ml)以及THF(25ml)在快速层析(SiO2，100%CH2Cl2至19：1CH2Cl2-丙酮)后产生白色固体形式的化合物-8(0.81g，81%)。
2-(5-溴吡啶-3-基)苯并[d]噻唑(X4)：将乙醇(10ml)添加至2-氨基硫酚(500mg，3.99mmol)和5-溴-3吡啶甲醛(743mg，3.99mmol)的混合物中。接着在环境空气下将混合物加热至回流(100℃)过夜。冷却后，在真空下干燥混合物，接着再溶解在二氯甲烷(100ml)中。用水(100ml)以及盐水(50ml)洗涤并用硫酸钠干燥。使粗制材料经过二氧化硅塞(16%的乙酸乙酯的己烷)，且从甲醇中沉淀以得到564mg的材料，产率49%。
2，2'-(5-甲基-1，3-苯撑)双(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂环戊硼烷)(X5)：将1,3-二溴-5-甲基苯(5.0g，20.0mmol)、联硼酸频那醇酯(11.3g，44.4mmol)、Pd(dppf)Cl2(1.6g，2.2mmol)以及乙酸钾(13.3g，136.0mmol)溶于75ml的1,4-二氧六环中。用氩气将反应混合物脱气，接着在氩气下加热至85℃，历时18小时。过滤反应混合物并在乙酸乙酯中进行提取。用水及盐水洗涤有机相，接着用硫酸镁干燥、过滤且浓缩。通过硅胶柱(具有1：4乙酸乙酯：己烷作为洗提液)来纯化所产生的残留物以产出灰白色固体形式的产物(0.399g，产率58%)。
化合物-9:在氩气下，将2，2′-(5-甲基-1，3-苯撑)双(4，4，5，5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷)(0.747g，2.17mmol)、2-(5-溴吡啶-3-基)苯并[d]噻唑(1.39g，4.77mmol)、Pd(PPh3)4(0.165g，0.143mmol)以及乙酸钾(1.81g，17.0mmol)在THF/水(30ml/17ml)中的混合物脱气且在回流(85℃)下加热过夜。在冷却至RT后，过滤混合物且用水、甲醇以及THF洗涤固体。收集固体并将滤液添加至水(150ml)并用二氯甲烷(150ml×2)提取。用Na2SO4干燥有机溶液且装填至硅胶上，通过使用己烷/丙酮(4：1至3：1)的快速柱来纯化。收集所需部分且与来自第一次过滤的固体结合。用热二氯甲烷洗涤固体，过滤且用甲醇洗涤以得到0.91g产物，产率82%。
化合物-103,5-二([1,1'-联苯]-3-基)吡啶：边搅拌边用氩气将3,5-二溴吡啶(1.235g，5.215mmol)、[1,1'-联苯]-3-基硼酸(2.169g，10.95mmol)、四(三苯基膦)钯(0)(0.362g，0.313mmol)、Na2CO3(2.544g，24.00mmol)、H2O(24ml)以及THF(40ml)的混合物脱气43分钟。接着在氩气下将反应混合物保持于80℃，同时搅拌，直到TLC(SiO2，7:3己烷-乙酸乙酯)确认起始材料耗尽(4天)。完成后，将反应冷却至RT且倒到二氯甲烷(约250ml)上。接着用H2O以及盐水洗涤有机物，用MgSO4干燥，过滤且真空浓缩。经由快速层析(SiO2，100%二氯甲烷)纯化粗产物，产出灰白色固体形式的化合物-10(1.38g，69%)。
2-(5-溴吡啶-3-基)苯并[d]噁唑：边搅拌边用氩气将5-溴烟酰氯(13.46g，61.04mmol)、2-溴苯胺(10.00g，58.13mmol)、Cs2CO3(37.88g，116.3mmol)、CuI(0.544g，2.907mmol)、1,10-菲咯啉(1.048g，5.813mmol)以及无水1,4-二氧六环(110ml)脱气1小时。接着在氩气下将反应混合物保持于120℃，同时搅拌，直到TLC(SiO2，1：1己烷-二氯甲烷)确认起始材料耗尽(48小时)。冷却至RT后，将二氯甲烷(约200ml)添加至反应，过滤混合物，用二氯甲烷(约200ml)和乙酸乙酯(约200ml)充分洗涤过滤物且真空浓缩滤液。经由快速层析(SiO2，100%二氯甲烷至29：1-二氯甲烷：丙酮)纯化粗产物得到淡棕色结晶固体形式的2-(5-溴吡啶-3-基)苯并[d]噁唑(7.32g，46%)。
2-(5-溴吡啶-3-基)苯并[d]噁唑：在氩气下，将2-(5-溴吡啶-3-基)苯并[d]噁唑(7.119g，25.88mmol)、联硼酸频那醇酯(7.229g，28.47mmol)、[1,1’-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(0.947g，1.294mmol)、乙酸钾(7.619g，77.63mmol)以及无水1,4-二氧六环(150ml)的混合物保持于100℃，同时搅拌，直到TLC(SiO2，9：1二氯甲烷：丙酮)确认起始材料耗尽(3天)。在冷却至RT后，将二氯甲烷(约300ml)添加至反应，过滤混合物且用二氯甲烷(约100ml)洗涤过滤物。接着，用饱和NaHCO3、水以及盐水洗涤滤液，用MgSO4干燥，过滤且真空干燥。通过从热己烷过滤来纯化粗产物且浓缩所产生的滤液，以经由再结晶产出橘棕色固体形式的2-(5-溴吡啶-3-基)苯并[d]噁唑(6.423g，77%)。
5,5"-双(苯并[d]噁唑-2-基)-3,3',5',3"-三吡啶(化合物-11)：边搅拌边用氩气将2-(5-溴吡啶-3-基)苯并[d]噁唑(2.000g，6.208mmol)、3,5-二溴吡啶(0.7003g，2.956mmol)、四(三苯基膦)钯(0)(0.205g，0.177mmol)、Na2CO3(3.18g，30.0mmol)、H2O(15ml)以及THF(25ml)的混合物脱气27分钟。接着在氩气下将反应混合物维持于85℃，历时16小时。在冷却至RT后，过滤反应混合物并用H2O以及甲醇充分洗涤过滤物，以提供灰白色固体形式的化合物-11(1.36g，99%)。
2-(3-溴苯基)苯并[d]噁唑：在40℃下，边搅拌边用氩气将3-溴苯苯甲酰氯(6.005g，27.36mmol)、2-溴苯胺(4.707g，27.36mmol)、Cs2CO3(17.83g，54.73mmol)、CuI(0.261g，1.37mmol)、1,10-菲咯啉(0.493g，2.74mmol)以及无水1,4-二氧六环(50ml)的混合物脱气30分钟。接着在氩气下将反应混合物保持于120℃，同时搅拌，直到TLC(SiO2，4:1己烷-乙酸乙酯)确认起始材料耗尽(24小时)。冷却至RT后，过滤混合物且用乙酸乙酯(约350ml)充分洗涤过滤物。用饱和Na2CO3、水以及盐水洗涤滤液，用MgSO4干燥，过滤并真空浓缩。经由快速层析(SiO2，4：1-己烷：乙酸乙酯)纯化粗产物得到灰白色固体形式的2-(3-溴苯基)苯并[d]噁唑(7.50g，100%)。
2-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)苯并[d]噁唑：在40℃下，边搅拌边用氩气将2-(3-溴苯基)苯并[d]噁唑(7.500g，27.36mmol)、联硼酸频那醇酯(7.296g，28.73mmol)、[1,1’-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(1.001g，1.368mmol)、乙酸钾(6.176g，62.93mmol)以及无水1,4-二氧六环(71ml)的混合物脱气37分钟。接着在氩气下将反应混合物保持于100℃，同时搅拌，直到TLC(SiO2，2：1己烷-二氯甲烷)确认起始材料耗尽(21小时)。冷却至RT后，过滤混合物且用乙酸乙酯(约700ml)充分洗涤滤液。用饱和NaHCO3、H2O以及盐水洗涤过滤物，用MgSO4干燥，过滤并真空浓缩。经由快速层析(SiO2，9:1-二氯甲烷：己烷至19:1-二氯甲烷：丙酮)纯化粗产物得到灰白色固体形式的2-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)苯并[d]噁唑(6.76g，77%)。
3,3"-双(苯并[d]噁唑-2-基)-1,1':3',1"-三联苯(化合物-12).边搅拌边用氩气将2-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)苯并[d]噁唑(2.25g，7.01mmol)、1,3-二碘苯(1.101g，3.337mmol)、四(三苯基膦)钯(0)(0.193g，0.167mmol)、Na2CO3(2.555g，24.11mmol)、H2O(24ml)以及THF(40ml)的混合物脱气33分钟。接着在氩气下将反应混合物保持于80℃，同时搅拌，直到TLC(SiO2，9：1己烷-丙酮)确认起始材料耗尽(22小时)。完成后，将反应冷却至RT且倒到二氯甲烷(约350ml)上。接着，过滤所产生的混合物，用饱和NaHCO3、H2O以及盐水洗涤滤液，用MgSO4干燥，过滤并真空浓缩。经由快速层析(SiO2，19：1-二氯甲烷:己烷至100%二氯甲烷)纯化粗产物得到浅黄色固体形式的化合物-12(0.98g，63%)。
装置实施例
用Keithley2400SourceMeter和Newport2832-C功率计及818UV检测器来获得I-V-L特性。
对照实施例1
OLEDA(装置A)制备
根据图63所示的示意图来制备OLEDA6401。OLEDA6401包括布置于电子传输层6450上的阴极6460，电子传输层6450布置于发射层6440上，发射层6440布置于空穴传输层6430上，空穴传输层6430布置于空穴注入层6420上，空穴注入层6420布置于阳极6410上，阳极6410布置于透明衬底6400上。
虽然装置(例如OLEDA)的层可包括各种材料，但在OLEDA中，阴极6460为LiF/Al，电子传输层6450为TPBI，发射层6440包括约5%PO-01作为发射体和化合物-10作为主体，空穴传输层6430为α-NPD，空穴注入层6420为PEDOT，阳极6410为ITO，而透明衬底6400为玻璃。
通过以下过程制备OLEDA。在经过预清洁的ITO/玻璃的顶面上旋转涂布PEDOT空穴注入层，接着以约/s的沉积速率真空沉积30nm厚的α-NPD空穴传输层。通过以约/s和约/s的沉积速率分别共沉积黄色发射体PO-01和主体化合物-10以形成具有约30nm厚度的发射层，从而添加发射层。接着以约/s沉积TPBI至约30nm的厚度。以约/s的沉积速率将LiF沉积在ETL的顶面上至约1nm的厚度，接着以约/s的速率沉积Al至约100nm的厚度。室的基础真空约为3×10-7托。
比较实施例2
根据图64所示的示意图来制备装置B6501。将具有50nm厚度的α-NPD层6500涂布在OLEDA6401的透明衬底6400的底表面上。α-NPD层6500的特征为平滑形态。
除了在约4×10-7托的真空下以约/s的沉积速率将50nm厚度的α-NPD层沉积在玻璃衬底的外表面上之外，通过与装置A相同的过程来制备装置B。
图65为比较OLEDA与装置B的功率效率与亮度(B)函数的图表。图表显示，相较于OLEDA，在获得的亮度范围内，装置B的功率效率减少约2%。因此，α-NPD的平滑层看起来不会改善装置效率。
比较实施例3
根据图66所示的示意图来制备装置C6701。将具有50nm厚度的化合物-9的层6700涂布在OLEDA6401的透明衬底6400的底表面上。在图67中，化合物-9的层6700的特征为非高度多孔的规则纳米结构。
除了在约4×10-7托的真空下以约/s的沉积速率将600nm厚度的化合物-9的层沉积在玻璃衬底的外表面的顶面上之外，通过与装置A相同的过程来制备装置C。
图68为比较OLEDA与装置C的功率效率与亮度(B)函数的图表。图表显示，相较于OLEDA，在获得的亮度范围内，装置C具有与OLEDA相似的功率。因此，化合物-9的规则纳米结构看起来不会改善装置效率。
装置实施例1
根据图69所示的示意图来制备装置D7000。将具有3μm厚度的化合物-2的层7010涂布于OLEDA6401的透明衬底6400的底表面上。化合物-2的层7010的SEM示于图54中且如上所述。
除了将600nm厚度的化合物-2的层沉积在玻璃衬底的外表面上之外，通过与装置A相同的过程来制备装置D。通过安装在沉积源附近的记录沉积速率的厚度传感器来确定厚度。通过厚度传感器获得的厚度是基于膜为致密的假设。在约4×10-7托的真空下以与致密材料的约/s相对应的速率沉积材料。SEM以及厚度测量显示所沉积的化合物-2层为高度多孔的，且具有约3μm的厚度，其为非多孔膜的厚度的约5倍。
图70为比较OLEDA与装置D的功率效率与亮度(B)函数的图表。在整个范围内，装置D的效率几乎为OLEDA的2倍。因此，在此实例中，包括许多不规则排列的纳米突起物或纳米颗粒的多孔膜提供了装置效率的显著改善。
装置实施例2
改变化合物-2层的厚度来获得与装置D类似的装置功率效率。图71为在化合物2层的厚度范围内的功率效率(在1000cd/m2)的图表。图71表明在约3μm或更大的厚度下，PE效率增加了约1.94倍。
通过以下方法来测定多孔膜的从透明衬底的光提取效率。图72描绘了实验设定。
通过在OLEDA的玻璃衬底6410与光探测传感器6407(Si光二极管)的表面之间仅使用空气6405来获得OLEDA6401的功率效率，如图72左侧所示。由于玻璃折射率(n=1.5)与空气折射率(n=1)不匹配，所以一些自OLED的发射层发出的光将被捕获在玻璃衬底(玻璃模式)内。
接着将OLEDA浸在折射率为约1.5的油6403中，其中油6403的折射率与透明衬底的折射率相同。油6403填充装置6401与光探测传感器6407(Si-光二极管)之间的整个间隙，因此所有被捕获在玻璃内的光会通过玻璃-油界面。因此，Si-光二极管探测仪接收光的量在理想情况下会是100%光提取。
图73为浸在油中的OLEDA的效率以及无浸泡而直接获得的效率(参照)的绘图。经浸泡的装置的功率效率约为无浸泡的装置的功率效率的两倍(例如，在1000cd/m2时为2.18倍)。假设经浸泡的装置的全部功率效率代表自透明衬底的100%光提取，则装置D具有约89%的光提取效率(例如：1.94/2.18=0.89)。
图74为发光的OLEDA(A)以及发光的装置D(B)的图。
装置实施例3
将化合物-3沉积在玻璃衬底上。图75中将位于衬底上的膜的照片标示为载玻片1。此膜的SEM示于图76中。此SEM的外观相似于图51的SEM的外观，且对于图51所述的所有形状以及尺寸可适用于图76。在此膜中，至少一些颗粒或突起物具有约300nm的x尺寸，约50nm的y尺寸和/或约50nm的z尺寸。
也可将化合物-3沉积在玻璃衬底上，接着在约200℃加热约5分钟。此经加热的膜的照片于图75中标示为载玻片2。此膜的SEM示于图77。此SEM的外观相似于图52的SEM的外观，且对于图51所述的所有形状以及尺寸可适用于图77。在此膜中，至少一些颗粒或突起物具有约800nm的x尺寸，约300nm的y尺寸和/或约50nm的z尺寸。
也可将化合物-3沉积在玻璃衬底上，接着在约200℃加热约30分钟。此经加热的膜的照片于图75中标示为载玻片5。此膜的SEM示于图78。此SEM的外观相似于图53的SEM的外观，且对于图53所述的所有形状以及尺寸可适用于图78。在此膜中，至少一些颗粒或突起物具有约900nm的x尺寸，约300nm的y尺寸和/或约50nm的z尺寸。
也可将化合物-3沉积在玻璃衬底上，接着在约240℃加热约5分钟。此经加热的膜的照片于图75中标示为载玻片6。此膜的SEM示于图79。此SEM的外观相似于图6的SEM的外观，且对于图6所述的所有形状以及尺寸可适用于图79。在此膜中，至少一些颗粒或突起物具有约2200nm的x尺寸，约1200nm的y尺寸和/或约50nm的z尺寸。
也可将化合物-3沉积在玻璃衬底上，接着在约300℃加热约5分钟。此举好像造成了大量的膜蒸发。此经加热的膜的照片在图75中标示为载玻片7。
将如上述制备的膜涂布于OLEDA的透明衬底的外部表面上，并测量作为亮度函数的功率效率，如图80所示。此图表示沉积化合物-3并在约200℃至240℃加热约5分钟至30分钟，或更长时间，向膜提供了显著的多孔膜效应，使得装置的效率显著改善。举例而言，在约200℃加热膜约30分钟使功率效率改善了约1.82倍(在约2000cd/m2亮度下)。
装置实施例4
以将化合物-2涂布在装置D上的相同的方法，经由真空沉积将化合物-2涂布在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)柔性衬底上，以形成厚度约6μm的层。在110℃将具有涂层的衬底加热1小时。图81为此经涂布的柔性衬底的照片。
使用折射率匹配的油将经涂布的柔性衬底耦合至OLEDA以获得装置E。图82为装置E与OLEDA相比的功率效率与亮度函数的图表。具有多孔膜的装置E具有明显高于无多孔膜的OLEDA的效率。举例而言，在2000cd/m2下，装置E的功率效率比OLEDA高1.8倍。
装置实施例5
装置F
如关于图62所述的那样。将光散射层(化合物层，3μm厚，110℃，1小时)沉积在透明衬底(玻璃)的顶面上。接着使用折射率匹配的油将此光散射膜耦合于装置A的底部，作为耦合介质，以形成装置F。
装置G
如下所述，将封装层或保护层添加至装置F以提供装置G：在固化形成在透明衬底与封装层/保护层(另一透明覆盖玻璃)之间的空隙后，将环氧树脂涂覆于光散射层的边缘的周围。
图83为OLEDA、装置F以及装置G的功率效率与亮度函数的图表。此图表显示经封装的装置(装置G)与未经封装的装置(装置F)具有相似的光输出耦合效率。
虽然已经以某些优选实施方案和实施例来描述权利要求，但本领域技术人员应理解，本发明的范畴超过这些具体公开的实施方案，而延伸至各种可替代的实施方案和/或应用及其显而易见的改变和等同内容。
Claims (25)
1.发光装置，包括：
多孔膜，布置于阳极或阴极的上方；并且
其中所述多孔膜的折射率低于所述阳极的折射率以及所述阴极的折射率；
其中所述多孔膜包括选自以下的至少一种化合物：
2.如权利要求1所述的发光装置，还包括布置在所述阳极与所述阴极之间的发射层。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述多孔膜布置于所述阳极或所述阴极上。
4.如权利要求1所述的发光装置，还包括透明层，其位于所述多孔膜与所述阳极之间，或者位于所述多孔膜与所述阴极之间。
5.如权利要求4所述的发光装置，其中所述透明层的折射率高于所述多孔膜的折射率。
6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述多孔膜包括：
7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述多孔膜包括：
8.发光装置，包括：
多孔膜，其包括：
与所述发光装置中的部分内折射层的第一界面，其中所述部分内折射层的折射率高于所述多孔膜的折射率；
与折射率低于所述多孔膜的折射率的物质的第二界面；并且
其中所述第二界面包括多个不规则排列的纳米突起物或纳米颗粒。
9.如权利要求8所述的发光装置，其中所述纳米突起物或所述纳米颗粒具有在400nm至3000nm的范围内的平均x尺寸。
10.如权利要求8所述的发光装置，其中所述纳米突起物或所述纳米颗粒具有在10nm至100nm的范围内的平均z尺寸。
11.如权利要求10所述的发光装置，其中所述纳米突起物或所述纳米颗粒具有在100nm至2000nm的范围内的平均y尺寸。
12.如权利要求8所述的发光装置，其中所述纳米突起物或所述纳米颗粒包括纳米片。
13.如权利要求8所述的发光装置，其中所述多孔膜的厚度在0.1μm至10μm的范围内。
14.如权利要求8所述的发光装置，其中所述多孔膜的厚度在1μm至5μm的范围内。
15.如权利要求8-14中任一项所述的发光装置，其中所述多孔膜包括多个孔洞，所述孔洞的总体积为所述多孔膜的体积的50％至99％。
16.多孔膜，包括：
非聚合性有机化合物，其具有在1.1至1.8的范围内的折射率；
多个不规则排列的纳米突起物、纳米颗粒或纳米突起物和纳米颗粒的聚集体；
多个空隙，所述空隙的总体积为所述多孔膜的体积的至少50％，且至少10％的所述多个空隙具有在0.5μm至5μm的范围内的最长尺寸；
其中所述多孔膜具有在500nm至20μm的范围内的厚度；并且
其中包括所述空隙的所述多孔膜的密度为0.5皮克/μm3或更小。
17.如权利要求16所述的多孔膜，其中所述非聚合性有机化合物包含芳香环。
18.如权利要求16所述的多孔膜，其中当在xy平面观察时，所述纳米突起物、纳米颗粒或纳米突起物和纳米颗粒的聚集体的至少一部分为矩形的、正方形的、平行四边形的或准平行四边形的。
19.如权利要求16所述的多孔膜，其中当在xy平面观察时，所述纳米突起物、纳米颗粒或纳米突起物和纳米颗粒的聚集体的至少一部分具有至少一个为大致直角的角。
20.如权利要求16所述的多孔膜，其中当在xy平面、xz平面或yz平面观察时，所述纳米突起物、纳米颗粒或纳米突起物和纳米颗粒的聚集体的至少一部分为大致椭圆形的、大致圆形的或大致卵形的。
21.如权利要求16所述的多孔膜，其中当在yz平面观察时，所述纳米突起物、纳米颗粒或纳米突起物和纳米颗粒的聚集体的至少一部分为大致线形的。
22.如权利要求16所述的多孔膜，其中所述纳米突起物、纳米颗粒或纳米突起物和纳米颗粒的聚集体的至少一部分为纳米片、准平面或带形的。
23.如权利要求16所述的多孔膜，其中所述纳米突起物、纳米颗粒或纳米突起物和纳米颗粒的聚集体的至少一部分为针状或纤维形的。
24.如权利要求16所述的多孔膜，其中所述纳米突起物、纳米颗粒或纳米突起物和纳米颗粒的聚集体的至少一部分为棒形或胶囊形的。
25.如权利要求16所述的多孔膜，其中所述纳米突起物、所述纳米颗粒或纳米突起物和纳米颗粒的聚集体的至少一部分为粒状的。
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