KR20160010298A - 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 전자 부품 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법 - Google Patents

전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 전자 부품 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160010298A
KR20160010298A KR1020150065464A KR20150065464A KR20160010298A KR 20160010298 A KR20160010298 A KR 20160010298A KR 1020150065464 A KR1020150065464 A KR 1020150065464A KR 20150065464 A KR20150065464 A KR 20150065464A KR 20160010298 A KR20160010298 A KR 20160010298A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
resin
electrode
protruding
protruding electrode
Prior art date
Application number
KR1020150065464A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101747832B1 (ko
Inventor
히로카즈 오카다
히로시 우라가미
쯔요시 아마카와
무네오 미우라
Original Assignee
토와 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 토와 가부시기가이샤 filed Critical 토와 가부시기가이샤
Publication of KR20160010298A publication Critical patent/KR20160010298A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101747832B1 publication Critical patent/KR101747832B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0209—External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06—Thermal details
    • H05K2201/066—Heatsink mounted on the surface of the PCB
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10371—Shields or metal cases
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

비아 전극(돌기 전극) 및 판상 부재를 모두 가지는 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있는 전자 부품의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의한 전자 부품의 제조 방법은,　칩(31)을 수지 밀봉한 전자 부품의 제조 방법으로서, 제조되는 상기 전자 부품이 기판(21), 칩(31), 수지(41), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)을 포함하고, 또한 기판(21) 상에 배선 패턴(22)이 형성된 전자 부품이고, 상기 제조 방법은, 칩(31)을 수지(41)에 의해 밀봉하는 수지 밀봉 공정을 가지며, 상기 수지 밀봉 공정에서, 돌기 전극(12)이 판상 부재(11)의 편면에 고정되며, 또한 돌기 전극(12)이 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축 가능한 변형부(12A)를 포함하는, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)에서의 돌기 전극(12) 고정면과 기판(21)의 배선 패턴(22) 형성면 사이에서, 칩(31)을 수지(41)에 의해 밀봉함과 함께, 돌기 전극(12)을 배선 패턴(22)에 접촉시키는 것을 특징으로 한다.

Description

전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 전자 부품 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC COMPONENT, BUMP-FORMED PLATE-LIKE MEMBER, ELECTRONIC COMPONENT, AND METHOD FOR PRODUCING BUMP-FORMED PLATE-LIKE MEMBER}
본 발명은, 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 전자 부품 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법에 관한 것이다.
IC, 반도체 칩 등의 전자 부품은, 수지 밀봉된 전자 부품으로서 성형되어 이용되는 경우가 많다.
상기 칩이 수지 밀봉된 전자 부품(완성품으로서의 전자 부품, 또는 패키지 등이라고도 한다. 이하, 간단히 「전자 부품」이라고도 한다.)은, 수지 중에 비아(via) 전극이 매립되어 형성될 수 있다. 이 비아 전극은, 예를 들면, 수지 밀봉된 전자 부품(패키지)의 상기 수지에, 패키지 윗면으로부터 비아 형성용 홀 또는 홈(이하, 「비아 형성공」이라고 한다.)을 형성하고, 상기 비아 형성공을 상기 비아 전극 형성 재료(예를 들면, 도금, 실드재 등)로 채워 형성할 수 있다. 상기 비아 형성공은, 예를 들면 패키지 윗면으로부터 상기 수지에 레이저광을 조사함으로써 형성할 수 있다. 또한, 비아 전극 형성을 위한 다른 방법으로서 돌기를 가지는 금속 구조체의 상기 돌기를 반도체 칩과 함께 수지 밀봉한 후에, 상기 금속 구조체의 상기 돌기 이외의 부분을 제거하는 방법이 제안된 바 있다(특허문헌 1). 이 경우, 전자 부품 중에 상기 금속 구조체에서의 상기 돌기만이 수지 밀봉된 상태로 남아, 이것이 비아 전극이 된다.
한편, 전자 부품은 상기 칩이 발생시키는 열을 방출하여 냉각하기 위한 방열(히트싱크), 또는 상기 칩이 발생시키는 전자파를 차폐하기 위한 실드판(차폐판) 등의 판상 부재와 함께 성형되는 경우가 있다(예를 들면, 특허문헌 2 및 3).
일본 특허 공개 제2012-015216호 공보 일본 특허 공개 제2013-187340호 공보 일본 특허 공개 제2007-287937호 공보
수지에 비아 형성공을 형성하는 방법에는, 예를 들면 하기 (1)~(5) 등의 문제가 있다.
(1) 전자 부품(패키지)의 두께 편차 등으로 인해, 기판의 배선 패턴 상에서 비아 형성공의 깊이 등이 적절하게 형성되지 않을 우려가 있다.
(2) 수지 재료에 포함되는 필러가 기판의 배선 패턴 위에 남기 쉽다.
(3) 상기 수지에 비아 형성공을 천공하는 조건에 따라서는, 칩이 탑재된 기판상의 배선 패턴에 손상을 입힐 우려가 있다.
(4) 상기 (3)과 관련하여, 수지 재료의 필러 밀도가 다르면, 상기 수지에 비아 형성공을 천공하는 레이저의 가공 조건을 변경할 필요가 있다. 즉, 비아 형성공의 형성 조건의 제어가 번잡하다.
(5) 상기 (1)~(4)의 영향에 의해, 전자 부품(패키지) 제조의 제품 수율이 향상되기 어렵다.
한편, 특허문헌 1의 방법에서는, 금속 구조체의 상기 돌기를 수지 밀봉한 후에, 상기 금속 구조체의 상기 돌기 이외의 부분을 제거하는 공정이 필요하다. 따라서, 전자 부품(패키지)의 제조 공정이 번잡하고, 또한 재료의 낭비가 생긴다.
또한, 상기 어느 방법에서나, 판상 부재 형성을 위해서는 비아 전극 형성 후에 도금 등에 의해 형성해야 하므로 공정이 번잡하다.
또, 특허문헌 2 및 3에는, 판상 부재를 가지는 전자 부품 및 그 제조 방법이 기재되어 있으나, 비아 전극의 형성에 있어서 상기 각 방법의 과제를 해결할 수 있는 방법은 기재되어 있지 않다.
이와 같이, 비아 전극 및 판상 부재를 모두 가지는 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있는 기술은 존재하지 않는다.
따라서, 본 발명은, 비아 전극 및 판상 부재를 모두 가지는 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있는 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 전자 부품 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 전자 부품의 제조 방법(이하, 간단히 「본 발명의 제조 방법」이라고도 한다.)은,
칩을 수지 밀봉한 전자 부품의 제조 방법으로서,
제조되는 상기 전자 부품이 기판, 칩, 수지, 판상 부재 및 돌기 전극을 포함하고, 또한 상기 기판상에 배선 패턴이 형성된 전자 부품이며,
상기 제조 방법은 상기 칩을 상기 수지에 의해 밀봉하는 수지 밀봉 공정을 가지고,
상기 수지 밀봉 공정에서, 상기 돌기 전극이 상기 판상 부재의 편면에 고정되며, 또한 상기 돌기 전극이 변형 가능한 변형부를 포함하는 돌기 전극 구비 판상 부재에서의, 상기 돌기 전극 고정면과 상기 기판의 상기 배선 패턴 형성면 사이에서, 상기 칩을 상기 수지에 의해 밀봉함과 함께 상기 돌기 전극을 상기 배선 패턴에 접촉시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재는 상기 본 발명의 제조 방법에 이용하는 돌기 전극 구비 판상 부재로서, 상기 돌기 전극이 상기 판상 부재의 편면에 고정되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 전자 부품은,
칩을 수지 밀봉한 전자 부품으로서,
상기 전자 부품은 기판, 칩, 수지 및 상기 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재를 포함하고,
상기 칩은 상기 기판상에 배치됨과 함께 상기 수지에 의해 밀봉되어 있으며,
상기 기판상의 상기 칩 배치 측에 배선 패턴이 형성되고,
상기 돌기 전극은 상기 수지를 관통하여 상기 배선 패턴에 접촉되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 비아 전극(돌기 전극) 및 판상 부재를 모두 가지는 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있는 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 전자 부품 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 구조의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 돌기 전극의 구조를 예시하는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 돌기 전극의 구조의 다른 일례를 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 돌기 전극의 구조의 또 다른 일례를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 전자 부품의 구조 및 그 제조 공정의 일례를 모식적으로 나타내는 공정 단면도이다.
도 6은 트랜스퍼 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법을 예시하는 단면도이다.
도 7은 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 일례의 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 8은 도 7과 동일한 제조 방법의 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 9는 도 7과 동일한 제조 방법의 또 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 10은 도 7과 동일한 제조 방법의 또 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 11은 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 다른 일례의 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 12는 도 11과 동일한 제조 방법의 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 13은 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 일례의 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 14는 도 13과 동일한 제조 방법의 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 15는 도 13과 동일한 제조 방법의 또 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 16은 도 13과 동일한 제조 방법의 또 다른 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 17은 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 일례의 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 18은 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 일례의 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 19는 본 발명의 제조 방법의 또 다른 일례를 예시하는 단면도이다.
도 20은 본 발명의 제조 방법의 또 다른 일례를 예시하는 단면도이다.
도 21은 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 일례의 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 22는, 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 일례의 일 공정을 예시하는 단면도이다.
도 23은 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 일례를 예시하는 단면도이다.
도 24는 압축 성형을 이용한 본 발명의 제조 방법의 또 다른 일례를 예시하는 단면도이다.
다음으로, 본 발명에 대하여 예를 들어 더욱 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 설명에 의해 한정되지 않는다. 한편, 본 발명에는 후술하는 바와 같이, 변형부를 가지는 돌기 전극과 판상 부재로 이루어지는 「변형부를 가지는 돌기 전극 구비 판상 부재」가 이용된다. 또, 본 발명에 있어서, 「칩」은 수지 밀봉하기 전의 전자 부품을 말하며, 구체적으로는 예를 들면, IC, 반도체 칩 등의 칩 형태의 전자 부품을 들 수 있다. 본 발명에 있어서, 수지 밀봉하기 전의 전자 부품은 수지 밀봉 후의 전자 부품과 구별하기 위해서, 편의상 「칩」이라고 한다. 그러나, 본 발명에서의 「칩」은 수지 밀봉하기 전의 전자 부품이면 특별히 한정되지 않으며, 칩 형상의 전자 부품이 아니어도 된다. 또, 본 발명에 있어서, 간단히 「전자 부품」이라고 하는 경우는 특별히 언급하지 않는 이상 상기 칩이 수지 밀봉된 전자 부품(완성품으로서의 전자 부품)을 말한다.
본 발명의 제조 방법에 있어서, 상기 돌기 전극의 수는 특별히 한정되지 않으며 임의이고, 1이어도 되고 복수여도 된다. 상기 돌기 전극의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 또, 상기 돌기 전극이 복수인 경우, 그 형상은 서로 동일해도 되고 달라도 된다. 예를 들면, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 번개 형상 돌기 전극이어도 된다. 상기 번개 형상 돌기 전극은, 적어도 상기 변형부가 상기 판상 부재의 면 방향과 평행 방향으로부터 보아 번개 형상으로 절곡되어 있음으로써, 상기 변형부가 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여 변형하는 것이 가능할 수 있다. 상기 번개 형상 돌기 전극은, 적어도 상기 변형부가 상기와 같이 번개 형상여도 되고, 상기 변형부 이외의 부분은 번개 형상이 아니어도 된다. 상기 번개 형상 돌기 전극의 형상은, 보다 구체적으로는 예를 들면, 후술하는 도 2의 (A) 내지 (B) 또는 도 4의 (A) 내지 (C)와 같은 형상이어도 된다. 또한, 예를 들면, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 관통공이 있는 돌기 전극이어도 된다. 보다 구체적으로는, 상기 관통공이 있는 돌기 전극에서의 상기 관통공이 상기 판상 부재의 면 방향과 평행 방향(판 면과 평행 방향)으로 관통하는 관통공이고, 상기 관통공의 주위가 상기 판상 부재의 면방향과 수직 방향으로 수축하여 변형되는 것이 가능한 상기 변형부여도 된다. 상기 관통공이 있는 돌기 전극이, 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에, 상기 판상 부재의 판 면과 수직 방향으로 돌출되는 돌기를 가지고 있어도 된다. 이러한 관통공이 있는 돌기 전극의 형상은 보다 구체적으로는, 예를 들면 후술하는 도 3의 (A) 내지 (C) 또는 도 4의 (A) 내지 (C)와 같은 형상이어도 된다. 또한, 본 발명의 상기 돌기 전극 구비 판상 부재에 있어서, 상기 돌기 전극의 상기 변형부에서의 변형은 탄성 변형이어도 되고 소성 변형이어도 된다. 즉, 상기 변형부는 탄성 변형이 가능한 부분(탄성부)이어도 되고, 소성 변형이 가능한 부분(소성부)여도 된다. 상기 변형이 탄성 변형인지 소성 변형인지는, 예를 들면 상기 돌기 전극의 재질 등에 따른다.
본 발명의 제조 방법에 있어서, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 기둥 형상을 가지는 주상 돌기 전극이어도 된다. 상기 주상 돌기 전극의 형상으로서는 예를 들면, 원주상, 각주상, 원뿔형, 각뿔형, 원뿔대형, 각뿔대형 등을 들 수 있다. 또한, 예를 들면 원주상의 돌기 전극을 이용한 경우, 그 돌기 전극 전체가 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여 변형 가능한 변형부여도 된다. 또한, 이 경우, 예를 들면 상기 원주상의 측면이 전체적으로 볼록한 휘어진 항아리 형상이 되어도 된다.
또, 본 발명의 제조 방법에 있어서, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이어도 된다. 이 경우, 상기 칩이 복수이며, 상기 수지 밀봉 공정에서 상기 기판을 상기 판상 돌기 전극에 의해 복수의 영역으로 구분함과 함께 각각의 상기 영역 내에서 상기 칩을 수지 밀봉해도 된다. 또, 상기 판상 돌기 전극이 관통공 및 돌기를 가지며, 상기 관통공은 상기 판상 돌기 전극을 상기 판상 부재의 판 면과 평행 방향으로 관통하고, 상기 관통공의 주위가 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여 변형 가능한 상기 변형부이며, 상기 돌기는 상기 판상 돌기 전극의 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에서 상기 판상 부재의 판 면과 수직 방향으로 돌출되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 제조 방법에 있어서, 상기 판상 부재는 특별히 한정되지 않지만, 방열판(히트싱크) 또는 실드판(차폐판)인 것이 바람직하다. 상기 실드판은 예를 들면, 상기 칩으로부터 방출되는 전자파를 차폐하는 것이어도 된다. 상기 방열판은, 상기 돌기 전극 고정면의 반대쪽 면에 방열 핀을 가지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 판상 부재의 형상은 상기 돌기 전극이 고정되어 있는 것 이외에는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 판상 부재가 방열판인 경우, 상기 방열판은 상기 돌기 전극 이외에 방열 효율을 좋게 하기 위한 돌기가 하나 또는 복수 결합된 형상(예를 들면, 핀 형상) 등이어도 된다. 상기 판상 부재의 재질도 특별히 한정되지 않지만, 상기 판상 부재가 방열판 또는 실드판인 경우는, 예를 들면 금속 재료, 세라믹스 재료, 수지, 금속 증착 필름 등을 이용할 수 있다. 상기 금속 증착 필름은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 알루미늄, 은 등을 필름에 증착한 금속 증착 필름이어도 된다. 또, 상기 돌기 전극의 재질도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금속 재료, 세라믹스 재료, 수지 등을 이용할 수 있다. 상기 금속 재료로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 스테인리스스틸, 퍼멀로이(Permalloy; 철과 니켈의 합금) 등의 철계 재료, 놋쇠, 동몰리브덴 합금, 베릴륨동(Beryllium copper) 등의 동계 재료, 두랄루민(Duralumin) 등의 알루미늄계 재료 등을 들 수 있다. 상기 세라믹스 재료로서는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 질화알루미늄 등의 알루미나계 재료, 질화규소 등의 규소계 재료, 산화지르코늄계 재료 등을 들 수 있다. 상기 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 엘라스토머 수지 등의 고무계 재료, 실리콘계의 기재에 도전성 재료를 혼합한 재료 및 이러한 재료를 압출 성형 또는 사출 성형한 수지 재료 등을 들 수 있다. 또, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재에 있어서, 상기 판상 부재의 표면 등에 도금, 도장 등의 표면 처리를 하여 도전층을 형성해도 된다. 한편, 상기 판상 부재는 어떠한 기능을 가지는 기능 부재(작용 부재)이기도 하다. 예를 들면, 상기 판상 부재가 방열판(히트싱크)인 경우에는 방열 기능(방열 작용)을 가지는 기능 부재(작용 부재)이며, 실드판(차폐판)인 경우에는 차폐 기능(차폐 작용)을 가지는 기능 부재(작용 부재)이다.
상기 수지 밀봉 공정에서, 수지 밀봉에 이용하는 방법(성형 방법)은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 트랜스퍼 성형, 압축 성형 등 어떠한 방법이어도 무방하다.
상기 수지 밀봉 공정에 압축 성형을 이용하는 경우, 본 발명의 제조 방법은 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극이 고정된 면 상에 상기 수지를 탑재하는 수지 탑재 공정을 추가로 포함하고 있어도 된다. 또, 이 경우, 본 발명의 제조 방법은 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 반송 공정을 추가로 포함하고 있어도 된다. 또, 상기 몰드 캐비티 내에서, 상기 판상 부재 상에 탑재된 상기 수지에 상기 칩을 침지한 상태에서 상기 수지를 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 및 상기 칩과 함께 압축 성형함으로써, 상기 수지 밀봉 공정을 실시해도 된다.
상기 수지 탑재 공정 및 상기 반송 공정의 순서는 특별히 한정되지 않으며, 어느 것이 먼저여도 되고 동시여도 된다. 예를 들면, 상기 반송 공정에서, 상기 수지를 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 상에 탑재한 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 상기 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송해도 된다. 또는, 상기 반송 공정에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 수지가 탑재되어 있지 않은 상태에서, 상기 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송해도 된다. 이 경우, 본 발명의 제조 방법은 상기 수지 탑재 공정에 앞서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 몰드 캐비티 내에서 가열하는 가열 공정을 추가로 포함하고 있어도 된다. 그리고, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 가열된 상태에서, 상기 몰드 캐비티 내에서 상기 수지 탑재 공정을 실시해도 된다.
상기 반송 공정에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 돌기 전극이 고정된 면이 위를 향하도록 이형필름 상에 올려진 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내에 반송해도 된다. 이 경우, 상기 반송 공정에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 프레임이 상기 이형필름 상에 올려지고, 또한 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 프레임에 의해 둘러싸인 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내에 반송해도 된다. 상기 수지 탑재 공정에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 상기 프레임이 상기 이형필름 상에 올려지고, 또한 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 프레임에 의해 둘러싸인 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 및 상기 프레임에 의해 둘러싸인 공간 내에 상기 수지를 공급함으로써 상기 돌기 전극 고정면 상에 상기 수지를 탑재하는 것이 바람직하다. 그러한 경우에 있어서, 상기 수지 탑재 공정 및 상기 반송 공정의 순서는 특별히 한정되지 않으며, 어느 쪽이 먼저여도 되고 동시여도 되지만, 상기 반송 공정에 앞서 상기 수지 탑재 공정을 실시하는 것이 바람직하다.
또, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재에서, 상기 돌기 전극이 고정된 면의 반대쪽 면이 점착제에 의해 상기 이형필름 상에 고정되어 있어도 된다.
상기 반송 공정을 실시하는 반송 수단은, 상기 수지를 탑재한 상기 판상 부재가 이형필름 상에 올려진 상태에서, 상기 수지를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내에 반송하는 수단이어도 된다. 이 경우, 상기 수지 밀봉을 실시하는 수지 밀봉 수단이 이형필름 흡착 수단을 가지고, 또한 상기 이형필름을 상기 이형필름 흡착 수단에 흡착시킨 상태에서 상기 압축 성형을 실시하는 수단이어도 된다. 또, 상기 성형틀은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 금형 또는 세라믹스형이다.
본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재는, 전술한 바와 같이 상기 본 발명의 제조 방법에 이용하는 돌기 전극 구비 판상 부재로서, 상기 돌기 전극이 상기 판상 부재의 편면에 고정되어 있는 것을 특징으로 한다. 상기 돌기 전극의 수 및 형상은, 전술한 바와 같이 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 전술한 바와 같이 상기 돌기 전극의 적어도 하나가, 상기 판상 돌기 전극이어도 된다. 전술한 바와 같이, 상기 판상 돌기 전극이 관통공 및 돌기를 가지며, 상기 관통공은 상기 판상 돌기 전극을 상기 판상 부재의 판 면과 평행 방향으로 관통하고, 상기 돌기는 상기 판상 돌기 전극의 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에서, 상기 판상 부재의 판 면과 수직 방향으로 돌출되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 예를 들면 전술한 바와 같이, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 관통공이 있는 돌기 전극이어도 된다. 보다 구체적으로는, 전술한 바와 같이 상기 관통공이 있는 돌기 전극(12)에서의 상기 관통공은 상기 판상 부재의 판 면과 평행 방향으로 관통하는 관통공(12b)이어도 된다. 또, 상기 관통공이 있는 돌기 전극은 상기 판상 부재에 고정된 단부(12a측)의 반대쪽 단부에, 상기 판상 부재의 판 면과 수직 방향으로 돌출되는 돌기(12c)를 가지고 있어도 된다. 또한 전술한 바와 같이, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 기둥 형상(예를 들면, 원주상, 각주상, 원뿔형, 각뿔형, 원뿔대형, 각뿔대형 등)을 가지는 주상 돌기 전극이어도 된다.
또, 전술한 바와 같이, 상기 판상 부재의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 상기 판상 부재가 수지 수용부를 가지고 있어도 된다. 보다 구체적으로는, 예를 들면 상기 판상 부재의 둘레부가 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극 고정면측으로 융기함으로써 상기 판상 부재의 중앙부가 상기 수지 수용부를 형성하고 있어도 된다. 또, 본 발명의 제조 방법은 상기 수지 탑재 공정에서, 상기 판상 부재의 상기 수지 수용부 내에 상기 수지를 탑재하고, 상기 수지 밀봉 공정을 상기 수지 수용부 내에 상기 수지가 탑재된 상태에서 실시해도 된다.
또, 상기 수지 밀봉 공정에서, 상기 배선 패턴 형성면에 상기 칩이 배치된 상기 기판을 상기 배선 패턴 형성면이 위를 향하도록 기판 탑재대 상에 탑재하고, 또한 상기 배선 패턴 형성면 상에 상기 수지를 탑재한 상태에서 상기 「변형부를 가지는 돌기 전극 구비 판상 부재」를 상기 돌기 전극측으로부터 상기 수지에 가압해도 된다. 이에 따라, 칩을 장착한 기판의 배선 패턴에 상기 돌기 전극을 접속할 수 있다.
본 발명의 제조 방법에 있어서, 상기 수지는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 열가소성 수지 또는 열경화성 수지 중 어느 것이어도 된다. 상기 수지는, 예를 들면 과립상 수지, 분말상 수지, 액상 수지, 판상 수지, 시트 형상 수지, 필름 형상 수지 및 페이스트상 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나여도 된다. 또, 상기 수지는, 예를 들면 투명 수지, 반투명 수지 및 불투명 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다. 각 도면은, 설명의 편의를 위하여 적절하게 생략, 과장 등을 하여 모식적으로 나타내고 있다.
[실시예 1]
본 실시예에서는, 본 발명의 「변형부를 가지는 돌기 전극 구비 판상 부재」의 일례, 상기 변형부를 가지는 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용한 본 발명의 전자 부품의 일례 및 트랜스퍼 성형을 이용한 상기 전자 부품의 제조 방법의 일례에 대하여 설명한다.
도 1의 사시도에 본 실시예의 변형부를 가지는 돌기 전극 구비 판상 부재의 구조를 모식적으로 나타낸다. 도시한 바와 같이, 이 변형부를 가지는 돌기 전극 구비 판상 부재(10)는, 판상 부재(11)의 편면에 변형부를 가지는 돌기 전극(12)의 패턴이 고정되어 형성되어 있다. 돌기 전극(12)의 길이(높이)는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 완성품인 전자 부품(성형 패키지)의 두께에 따라 적절하게 설정할 수 있다. 또, 본 발명에 있어서, 상기 돌기 전극의 패턴은 본 실시예(도 1)의 패턴에 한정되지 않으며 임의이다.
도 1의 사시도에 나타내는 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 구조는 동 도면의 (A) 및 (B)와 같다. 우선, 도 1의 (A)에 나타내는 바와 같이, 이 돌기 전극 구비 판상 부재(10)는, 금속 플레이트(판상 부재)(11)의 편면에 돌기 전극(12)의 패턴이 금속 플레이트(판상 부재)(11)의 면 방향과 수직 방향으로 고정되어 있다. 한편, 도 1의 (B)에서는, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)는 금속 플레이트(판상 부재)(11)의 일부가 절개되고, 상기 절개된 일부가 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 절곡되어 돌기 전극을 형성하고 있다. 판상 부재(11)에 있어서, 상기 일부가 절개된 부분은 도시한 바와 같이 홀(13)을 형성하고 있다. 그 이외에는 도 1의 (A)와 동일하다.
돌기 전극(12) 및 그 변형부의 구조는, 특별히 한정되지 않는다. 도 2의 (A) 및 (B)는, 도 1의 (A) 및 (B)에 나타내는 돌기 전극(12)의 구조의 일례를 나타내는 사시도이다. 도 2의 (A) 및 (B)의 사시도에 있어서, 상하 방향이 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향을 나타낸다. 도 2의 (A)에 나타내는 돌기 전극(12)에서는, 중앙 부분에 변형부(12A)를 포함하고, 상기 중앙 부분 이외의 부분이 강성부(12B)(돌기 전극(12)의 단부)로 구성되어 있다. 변형부(12A)는 도시한 바와 같이 판상 부재(11)의 면 방향과 평행 방향에서 보아 번개 형상으로 절곡되어 있다. 그리고, 도 2의 (A)에 나타내는 바와 같이, 돌기 전극(12)은 변형부(12A)가 지그재그 형상으로 절곡되도록 하여 상기 수직 방향으로 수축되는 것이 가능하다. 또한, 도 2의 (B)에 나타내는 돌기 전극(12)에서는 전체가 변형부(12A)로 구성되어 있다. 도 2의 (B)의 변형부(12A)도 판상 부재(11)의 면 방향과 평행 방향에서 보아 번개 형상으로 절곡되어 있다. 도 2의 (B)에 나타내는 돌기 전극(12)에서는, 전체가 부등호 모양(<)으로 절곡되도록 하여 상기 수직 방향으로 수축하여 변형되는 것이 가능하다. 이에 따라, 예를 들면 상기 돌기 전극(12)의 높이가 완성품의 전자 부품(성형 패키지)의 두께보다 높게 설계된 경우라도, 성형시에 상기 돌기 전극은 손상되지 않고 상기 두께를 따르게 된다. 이 때문에, 미리 상기 두께에 맞추어 상기 돌기 전극의 높이를 설계할 필요가 없기 때문에, 비아 전극(돌기 전극) 및 판상 부재를 모두 가지는 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조 가능하다.
또한, 돌기 전극(12)의 형상은, 도 2와 같이 변형부(12A)가 번개 형상(지그재그)으로 절곡되어 있는 구조에 한정되지 않는다. 예를 들면, 돌기 전극(12)의 형상은 상기 관통공(12b)을 가지는 형상이어도 되고, 보다 구체적으로는 예를 들면 도 3에 도시하는 형상이어도 된다. 도 3에 있어서, 오른쪽 상측의 도면은 도 1의 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 일부를 나타내는 사시도이다. 또, 도 3의 (A) 내지 (C)는 돌기 전극(12)의 구조의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 3의 (A) 내지 (C)에 각각 나타낸 바와 같이, 돌기 전극(12)의 하부(12a)(판상 부재(11)에 접속하고 있는 쪽의 부분)에는 홀이 형성되어 있지 않다. 한편, 돌기 전극(12)의 상부(판상 부재(11)에 접속하고 있는 쪽의 반대쪽 부분)에는 판상 부재(11)의 판면과 평행 방향으로 돌기 전극(12)을 관통하는 홀(관통공)(12b)이 형성되어 있다. 또, 돌기 전극(12)의 상단[판상 부재(11)에 고정된 단부의 반대쪽 단부]은 그 일부가 상방으로(판상 부재(11)의 판면과 수직 방향으로) 돌출되어, 돌기(12c)를 형성하고 있다. 돌기 전극(12)은 돌기(12c)의 선단 부분에서 기판의 배선 패턴(기판 전극)에 접하는 것이 가능하다. 한편, 도 3의 (A)에서는 돌기 전극(12c)의 수가 2개이다. 도 3의 (B)는 돌기 전극(12c)의 수가 하나이며, 돌기 전극(12)의 폭이 약간 좁은 것 이외에는 도 3의 (A)와 동일하다. 도 3의 (C)는 돌기 전극(12)의 폭이 더욱 좁은 것 이외에는 도 3의 (B)와 동일하다. 이와 같이, 돌기(12c)의 수는 특별히 한정되지 않으며, 하나여도 되고 복수여도 된다. 돌기(12c)의 수는, 도 3의 (A) 내지 (C)에서는 1개 또는 2개이지만, 3개 이상이어도 된다. 또, 홀(관통공)(12b)의 수도 도 3의 (A) 내지 (C)에서는 1개이나 특별히 한정되지 않으며 임의이고, 복수여도 된다.
돌기(12c)를 가짐으로써, 돌기 전극(12)은 수지에 의해 방해받지 않고 기판의 배선 패턴(기판 전극)에 접촉하기 쉬워진다. 즉, 돌기(12c)에 의해 돌기 전극(12)과 후술하는 도 5에서의 배선 패턴(22) 사이의 수지(예를 들면, 용융 수지 또는 액상 수지)를 밀어내, 배선 패턴(22)에 돌기(12c)의 선단이 맞닿게(물리적으로 접촉)되고, 전기적으로 접속된다. 또, 돌기 전극(12)이 홀(12b)을 가짐으로써, 칩의 수지 밀봉이 더욱 용이해진다. 즉, 수지가 홀(12b)을 통과하여 유동할 수 있기 때문에 수지의 유동이 더욱 원활해져, 수지 밀봉의 효율이 더욱 향상된다. 이 효과는 트랜스퍼 성형의 경우에 특히 현저하다. 또한, 돌기 전극(12)이 배선 패턴(22)에 맞닿을(접촉할) 때, 도 3의 (D)에 나타내는 바와 같이 돌기 전극(12)이 홀(12b) 부근에서 구부러짐으로써, 돌기 전극(12)의 높이(길이)를 작게 하는 것이 가능하다. 즉, 도 3의 (A) 내지 (D)에 나타내는 형상의 돌기 전극(12)에 있어서는, 관통공(12b)의 주위가 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축하는 것이 가능한 상기 변형부이다. 이에 따라, 돌기 전극(12)의 높이를 전자 부품의 수지 두께(패키지 두께)에 대응하여 조정할 수 있다. 이 점을 고려하여, 돌기 전극(12)의 높이(길이)를 미리 수지 두께(패키지 두께)보다 약간 길게 설정해도 된다.
또, 돌기 전극(12)은, 예를 들면 상기 번개 형상 돌기 전극이면서, 또한 상기 관통공이 있는 돌기 전극이어도 된다. 즉, 돌기 전극(12)은 판상 부재(11)의 면 방향과 평행 방향에서 보아 번개 형상으로(지그재그로) 절곡된 상기 변형부와, 판상 부재(11)의 면 방향과 평행 방향으로 관통하는 상기 관통공을 모두 가지고 있어도 된다. 도 4에 그러한 구조의 일례를 나타낸다. 도 4에 있어서, 오른쪽 상측의 도면은, 도 1의 돌기 전극 구비 판상 부재(10)의 일부를 나타내는 사시도이다. 또, 도 4의 (A) 내지 (C)는 돌기 전극(12)의 구조의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 4의 (A) 내지 (C)의 돌기 전극(12)은 돌기 전극(12)의 하부(12a)(판상 부재(11)에 접속하고 있는 쪽으로서 홀이 형성되어 있지 않은 부분)와, 상부(판상 부재(11)에 접속하고 있는 쪽의 반대쪽으로서 관통공(12b)이 형성되어 있는 부분)가 변형부(12A)에 의해 접속되어 일체화되어 있는 것 이외에는, 도 3의 (A) 내지 (C)와 동일하다. 도 4의 (A) 내지 (C)에 있어서, 변형부(12A)는 도 2의 (A)와 같이 판상 부재(11)의 면 방향과 평행 방향에서 보아 번개 형상(지그재그)으로 절곡되어 있어, 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축하는 것이 가능하다. 또, 도 4의 (A) 내지 (C)의 돌기 전극(12)은, 도 3의 (A) 내지 (C)와 같이 돌기 전극(12)이 홀(12b) 부근에서 구부러짐으로써, 예를 들면 도 4의 (D)에 나타내는 바와 같이 돌기 전극(12)의 높이(길이)를 작게 하는 것도 가능하다.
또, 돌기 전극(12)의 형상은, 상기 변형부를 포함하는 것 이외에는 특별히 한정되지 않으며, 도 2 내지 도 4의 형상에 더하여, 또는 이 대신 다른 형상이어도 된다. 예를 들면, 전술한 바와 같이 돌기 전극(12)의 적어도 하나가 기둥 형상을 가지는 주상 돌기 전극이어도 된다. 상기 주상 돌기 전극의 형상으로서는 전술한 바와 같이, 예를 들면 원주상, 각주상, 원뿔형, 각뿔형, 원뿔대형, 각뿔대형 등을 들 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이 돌기 전극(12)의 적어도 하나가, 판상 돌기 전극이어도 된다. 이 경우, 전술한 바와 같이, 본 발명의 제조 방법에서의 상기 수지 밀봉 공정에서, 상기 기판을 상기 판상 돌기 전극에 의해 복수의 영역으로 구분함과 함께, 각각의 영역 내에서 칩을 수지 밀봉해도 된다. 또, 상기 판상 돌기 전극이 도 3의 (A) 내지 (C)의 돌기 전극과 마찬가지로, 관통공 및 돌기를 가지고 있어도 된다. 상기 관통공은 도 3의 (A) 내지 (C)와 마찬가지로, 상기 판상 돌기 전극을 상기 판상 부재의 판면과 평행 방향으로 관통하고 있어도 된다. 또, 상기 돌기는 도 3의 (A) 내지 (C)와 마찬가지로, 상기 판상 돌기 전극의 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에서, 상기 판상 부재의 판면과 수직 방향으로 돌출되어 있는 것이 바람직하다. 상기 판상 돌기 전극의 상기 관통공 및 상기 돌기의 수도 특별히 한정되지 않으며 임의이나, 복수가 바람직하다. 상기 판상 돌기 전극이 상기 관통공 및 상기 돌기를 가짐으로써, 도 3의 (A) 내지 (C)의 관통공(12b) 및 돌기(12c)와 동일한 이점이 있다. 즉, 우선 상기 판상 돌기 전극이 상기 돌기를 가짐으로써, 상기 판상 돌기 전극은 수지에 의해 방해되지 않고 기판의 배선 패턴(기판 전극)에 접촉하기 쉬워진다. 또, 상기 판상 돌기 전극이 상기 관통공을 가짐으로써, 수지가 상기 관통공을 통과하여 유동할 수 있기 때문에 수지의 유동이 더욱 원활해져, 수지 밀봉의 효율이 더욱 향상된다. 이 효과는, 트랜스퍼 성형에 의해 전자 부품을 제조하는(칩을 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 수지 밀봉하는) 경우에 특히 현저하다. 또한, 상기 판상 돌기 전극이 상기 관통공 부근에서 구부러짐으로써, 상기 판상 돌기 전극의 높이(길이)를 작게 하는 것이 가능하다. 이에 따라, 상기 판상 돌기 전극의 높이를 전자 부품의 수지 두께(패키지 두께)에 대응하여 조정할 수 있다. 이 점을 고려하여, 상기 판상 돌기 전극의 높이(길이)를 미리 수지 두께(패키지 두께)보다 약간 길게 설정해도 된다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 돌기 전극의 상기 변형부는, 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축하는 것이 가능하지만, 상기 수직 방향으로 수축하는 것 이외에 어떠한 변형을 해도 무방하다. 예를 들면, 상기 변형부는 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 줄어듦과 함께, 상기 판상 부재의 면 방향(수평면 방향)이나 경사 방향을 포함하는 가로 방향 전체로 넓어지는 상태가 되어도 된다. 상기 변형이 어떠한 변형이 되는지는, 예를 들면 상기 판상 부재의 재질, 형상 등에 따른다.
한편, 본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법은 예를 들면, 판상 부재(금속 플레이트)와 돌기 전극을 접합함으로써 제조하는 방법, 금속 플레이트를 판상 부재로서 이용하고, 또한 상기 금속 플레이트를 절개하여 구부려 돌기 전극을 제조하는 방법 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예를 들면 하기 (1) 내지 (6)에 나타내는 방법을 일반적인 수법에 준하여 실시함으로써, 도 1의 (A)에 나타내는 돌기 전극 구비 판상 부재를 제조해도 된다.
(1) 금속 플레이트의 에칭으로 제조하는 방법
(2) 금속 플레이트와 돌기 전극을 접합함으로써 제조하는 방법
(3) 전기 주조에 의해, 판상 부재와 돌기 전극을 동시에 성형하는 방법
(4) 예를 들면, 사출 성형법에서 도전성(실드성)을 가지는 수지에 의해 판상 부재와 돌기 전극을 동시에 성형하는 방법
(5) 도전성(실드성)을 가지는 수지(판상 부재)에 돌기 전극을 접합함으로써 제조하는 방법
(6) 수지 플레이트와 돌기부를 가진 것에 도전성(실드성)의 도막을 입히는 방법
본 발명의 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법은, 전술한 바와 같이 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 하기 (7)에 나타내는 방법을 일반적인 수법에 준하여 실시함으로써, 도 1의 (B)에 나타내는 돌기 전극 구비 판상 부재를 제조해도 된다.
(7) 금속 플레이트를 판상 부재로서 이용하고, 또한 상기 금속 플레이트를 절개하고 구부려, 변형부를 가지는 돌기 전극을 제조하는 방법. 예를 들면, 우선 상기 금속 플레이트에 필요한 형상의 변형부를 가지는 돌기 전극에 대응한 형상으로 홀을 뚫고, 다음에 그 홀을 뚫은 부분을 상기 금속 플레이트에 대하여 수직으로 굽힘으로써, 필요한 형상의 변형부를 가지는 돌기 전극 구비 판상 부재를 형성할 수 있다. 상기 필요한 형상의 변형부를 가지는 돌기 전극으로서는, 예를 들면 관통공을 구비한 변형부를 가지는 돌기 전극, 번개 형상(지그재그)의 변형부를 가지는 돌기 전극을 들 수 있다.
도 5의 (A) 내지 (C)의 단면도에, 도 1의 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용한 전자 부품의 제조 공정의 일례를 모식적으로 나타낸다. 도 5의 (C)의 단면도가 상기 제조 공정에 의해 제조되는 본 실시예의 전자 부품의 구조의 모식도이다. 우선, 도 5의 (C)에 나타낸 바와 같이, 이 전자 부품(20)은 기판(21), 칩(31), 수지(41), 판상 부재(11) 및 변형부(12A)를 가지는 돌기 전극(12)을 포함한다. 돌기 전극(12)은 판상 부재(11)의 편면에 고정되며, 판상 부재(11)와 돌기 전극(12)이 일체가 되어 돌기 전극 구비 판상 부재를 형성하고 있다. 칩(31)은, 기판(21) 상에 고정되어 있음과 함께, 수지(41)에 의해 밀봉되어 있다. 기판(21) 상의 칩(31) 배치 측에는 배선 패턴(22)이 형성되어 있다. 돌기 전극(12)은 도 1에서도 설명한 바와 같이 판상 부재(11)의 편면에 고정되어 있다. 또, 돌기 전극(12)은 상기 수지(41)를 관통하여 배선 패턴(22)에 접촉되어 있다.
다음으로, 도 5의 (A) 내지 (C)의 제조 공정에 대해 설명한다. 우선, 도 5의 (A)에 나타내는 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재(10) 및 기판(21)을 준비한다. 도시한 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재(10)에서는, 돌기 전극(12)이 판상 부재(11)의 편면에 고정되며, 판상 부재(11)와 돌기 전극(12)이 일체가 되어 돌기 전극 구비 판상 부재(10)를 형성하고 있다. 또한, 도 5의 (A)에 있어서 돌기 전극(12)의 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향의 길이(높이)를 화살표 및 부호 M으로 나타내고 있다. 기판(21) 상에는 칩(31)이 고정되어 있다. 기판(21) 상의 칩(31) 배치 측에는 배선 패턴(22)이 형성되어 있다. 그리고, 돌기 전극 구비 판상 부재(10) 및 기판(21)을 도 5의 (A)에 나타내는 바와 같이 돌기 전극(12) 고정면과 배선 패턴(22) 형성면이 대향하도록 배치한다.
그리고, 도 5의 (B)에 나타내는 바와 같이, 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면과 기판(21)의 배선 패턴(22) 형성면 사이에, 칩(31)을 수지(41)에 의해 밀봉하여 전자 부품(20＇)을 형성한다. 도 5에서는 변형부(12A)를 가지는 돌기 전극(12)이 수축하지 않았다. 즉, 돌기 전극(12)의, 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향의 길이(높이)는 도 5의 (A)와 동일한 M인 상태이다. 이 상태에서, 돌기 전극(12)이 배선 패턴(22)에 접촉하고 있고, 또한 돌기 전극(12)의 길이가 전자 부품의 소정의 두께를 따르고 있으면, 이 상태의 전자 부품(20＇)을 완성품의 전자 부품으로 해도 된다. 돌기 전극(12)의 길이가 전자 부품의 소정의 두께로 형성되어 있지 않은 경우에는, 전자 부품(20＇)은 완성품은 아니기 때문에, 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향의 가압에 의해 판상 부재(11)와 기판(21)의 간격(거리)을 줄여, 전자 부품의 소정의 두께를 따르도록 한다. 이때, 돌기 전극(12)에는, 기판(21)의 배선 패턴(22)에 맞닿음에 따른 가압력이 가해진다. 이 가압력에 의해, 돌기 전극(12) 전체가 상대적으로 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 가압된다. 이 가압에 의해, 도 5의 (C)에 나타내는 바와 같이 돌기 전극(12)은 그 변형부(12A)가 절곡됨으로써, 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축한다. 즉, 도시한 바와 같이, 돌기 전극(12)의, 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향의 길이(높이)는 도 5의 (A) 및 (B)의 M보다 작은 수치인 N이 된다(M＞N). 이에 따라, 돌기 전극(12)은 상기 전자 부품의 소정의 두께(판상 부재(11)와 기판(21)의 간격)를 따르게 된다. 또, 도 5의 (C) 상태에서, 돌기 전극(12)이 배선 패턴(22)에 접촉한 상태로 한다. 이와 같이 하여, 도시한 완성품의 전자 부품(20)을 제조할 수 있다. 또한, 도 5에서는 설명의 편의상 돌기 전극(12)은 번개 형상의 변형부(12A)를 가지는 형상인 것으로서 설명하였다. 그러나, 전술한 바와 같이 돌기 전극(12)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 전술한 바와 같이 어떠한 형상이어도 된다. 이하, 돌기 전극(12)을 포함하는 모든 단면도에 있어서 동일하다.
또한, 판상 부재(11)는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 전술한 바와 같이 방열판 또는 차폐판(실드판) 등이어도 된다. 예를 들면, 하나의 IC(칩이 수지 밀봉된 전자 부품) 중에 복수의 칩(수지 밀봉되기 전의 전자 부품)이 배치되어 있는 경우 등에 있어서 각각의 칩의 기능 관계상, 차폐판(실드판)에 의해 전자적으로 차폐해도 된다.
또한, 돌기 전극 구비 판상 부재는, 하나의 기판(1개의 전자 부품)에 대응한 판상 부재여도 되나, 도 1의 (A) 및 (B)에 나타낸 바와 같이, 복수의 기판(복수의 전자 부품)에 대응한 판상 부재(매트릭스형)이어도 된다. 매트릭스형의 경우, 예를 들면 각각 칩 및 배선 패턴이 고정된 복수의 기판을 상기 매트릭스형의 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 수지 밀봉한다. 그 후, 상기 매트릭스형의 돌기 전극 구비 판상 부재를 절단 등에 의해 각 기판에 대응한 영역마다 분할해도 된다. 또, 예를 들면 전술한 바와 같이, 상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이어도 된다. 이 경우, 기판면 상에서 하나의 전자 부품(하나의 제품 단위)에 대응하는 필요한 범위(또는 특정의 기능을 가지는 범위)를 상기 판상 돌기 전극으로 구획(구분)할 수 있다.
또한 칩(31) 대신, 이미 수지 밀봉된 형태의 전자 부품을 이용해도 된다. 이 경우, 전자 부품(20)은 전자 부품(31)을 추가로 수지 밀봉한 형태이기 때문에, 칩이 복수 회 수지 밀봉되어 있게 된다.
도 6의 단면도에 도 5의 전자 부품의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타낸다. 이 제조 방법은 전술한 바와 같이, 트랜스퍼 성형을 이용한 제조 방법이다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 이 제조 방법은 일반적인 트랜스퍼 성형용 성형틀(50)을 이용하여 실시할 수 있다. 도시한 바와 같이, 성형틀(50)은 상형(51) 및 하형(52)으로 형성되어 있다. 상형(51)의 몰드면에는 수지 성형용 몰드 캐비티(56)가 마련되고, 하형(52)의 몰드면에는 칩(31)과 배선 패턴(22)이 마련된 기판(21)을 공급 세팅하는 기판 세팅부(57)가 마련되어 구성되어 있다.
또, 하형(52)에는, 수지 재료 공급용 포트(홀)(54)가 마련되어 있고, 포트 내에 수지 가압용 플런저(53)가 삽입되어 있다.
도 6의 장치를 이용한 트랜스퍼 성형의 방법은 특별히 한정되지 않으며, 일반적인 트랜스퍼 성형 방법에 따라 행해도 된다. 즉, 우선 상기 포트(54) 내에 수지 타블렛 등의 수지 재료를 공급하고, 또한 상기 기판 세팅부(57)에 기판(21)을 공급 세팅하여, 상기 상하 양형(51·52)을 몰드 체결한다. 이때, 도 6에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극(12)은 변형부(12A)가 절곡됨으로써, 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축한다. 이에 따라, 돌기 전극(12)은 수지 밀봉 부품의 소정의 두께를 따르게 된다. 다음으로, 상기 포트(54) 내에서 수지를 가열하여 용융화하고, 포트(54) 내의 용융 수지(41)를 플런저(53)를 위로 움직여 가압함으로써, 하형(52)의 포트(54) 내로부터 수지 통로(컬, 러너, 게이트)(55)를 통하여, 상형(51)의 몰드 캐비티(56) 내에 용융 수지를 주입할 수 있도록 구성되어 있다. 이때, 플런저(53)에서 몰드 캐비티(56) 내의 수지에 필요한 수지압을 가할 수 있다.
경화에 필요한 소요 시간 경과 후, 상하 양형(51·52)을 몰드 개방함으로써, 몰드 캐비티(56) 내에서 캐비티의 형상에 대응한 패키지(수지 성형체) 내에 칩(31) 등을 밀봉 성형할 수 있다(도 5에 나타내는 전자 부품(20)을 참조).
본 실시예에 있어서, 도 6에 나타내는 제조 방법(도 5에 나타내는 전자 부품(20)의 제조)은, 예를 들면 이하와 같이 하여 실시할 수 있다. 즉, 우선, 하형(52)의 몰드면 상(기판 세팅부)에, 상형(51)의 몰드 캐비티에 대응하는 위치로 칩(31)과 배선 패턴(22)이 마련된 기판(21)을 배치하고, 그 위에 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)을 완성품의 전자 부품(20)(도 5)과 동일한 위치 관계가 되도록 배치한다. 이때, 도 6에 나타낸 바와 같이, 기판(21)의 칩(31) 배치측 반대쪽이 하형(52)과 접하도록 하여, 칩(31) 배치측의 면 상에, 돌기 전극 구비 판상 부재(판상 부재(11) 및 돌기 전극(12))가 실리게 되어, 배선 패턴(22)과 돌기 전극(12)의 선단부는 물리적으로 전기적으로 접속되게 된다.
한편, 기판(21), 칩(31), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)은 도 6과 상하를 반전시킨 상태에서 하형(52)의 몰드면 상에 실어도 된다. 즉, 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 형성면의 반대쪽이 되는 면이 하형(52)과 접하도록 하여, 상기 돌기 전극(12) 형성면 쪽에 기판(21) 및 칩(31)을 배치해도 된다.
다음으로, 도 6에 나타낸 바와 같이, 상형(51)과 하형(52)을 몰드 체결한다. 이때, 상형(51)을 하형(52) 상에 싣고, 상형의 몰드 캐비티 내에는 기판(21), 칩(31), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)이 수용되고, 판상 부재(11)는 몰드 캐비티의 윗면에 맞닿게 된다. 이때, 전술한 바와 같이, 상기 몰드 체결 과정에서 돌기 전극(12)은 변형부(12A)가 절곡됨으로써, 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축한다. 이에 따라, 돌기 전극(12)은 상기 전자 부품의 두께를 따르게 된다.
이 상태에서, 또한 도 6에 나타내는 바와 같이, 플런저(53)에서 하형(52)의 포트(54)로부터 상형(51)의 몰드 캐비티 내에 수지 통로(55)를 통하여 수지(41)를 주입한다. 이에 따라, 기판(21) 상에 배치된 칩(31)을 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)과 함께 수지 밀봉한다. 이와 같이 하여, 도 5에 나타낸 전자 부품(20)을 제조할 수 있다.
한편, 몰드 캐비티(56) 내의 수지 주입시에, 몰드 캐비티(56) 내에서, 수지(용융 수지)(41)는 돌기 전극(12) 사이를 흐르거나 또는 돌기 전극(12)의 홀(12b) 내를 통과하여 유동할 수 있다.
또, 상기에서는, 하형의 몰드면 상에 기판 및 돌기 전극 구비 판상 부재를 양쪽 모두 싣고 나서 몰드 체결하는 방법을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 하형(52)의 몰드면에 기판(21)을 공급 세팅하고, 상형(51)의 몰드 캐비티 윗면에 돌기 전극 구비 판상 부재(판상 부재(11))를 장착하고, 상형(51)과 하형(52)을 몰드 체결하여 몰드 캐비티 내에 수지를 주입해도 된다. 이때, 전술한 바와 같이, 판상 부재(11) 및 기판(21)의 위치를 상하 반대로 해도 된다.
또, 트랜스퍼 성형에서의 성형(수지 밀봉) 시에는, 예를 들면 몰드 캐비티 내 등을 소정의 진공도로 설정하여 트랜스퍼 성형해도 된다. 상기 소정의 진공도로 설정하는 방법도 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 일반적인 트랜스퍼 성형에 의한 방법에 따라도 된다.
상기 트랜스퍼 성형에 이용하는 장치는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 일반적인 트랜스퍼 성형용 장치와 동일해도 된다. 또, 상기 수지 밀봉 공정의 구체적인 조건도 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 일반적인 트랜스퍼 성형과 동일해도 된다.
한편, 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22)의 접속을 보다 확실히 하기 위해서, 미리 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22)의 사이에 땜납을 삽입해 두어도 된다. 이 경우, 예를 들면 상기 수지 밀봉 공정 후에 리플로우 등에 의해 상기 땜납을 용융시켜 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22)을 접합해도 된다. 이하의 각 실시 형태에 있어서도 마찬가지이다.
본 발명에 의하면, 이와 같이 미리 상기 두께에 맞추어 상기 돌기 전극의 높이를 설계할 필요가 없기 때문에, 비아 전극(돌기 전극) 및 판상 부재를 모두 가지는 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조 가능하다.
또, 본 발명에 의하면, 이와 같이 비아 전극을 형성하기 위해서 수지에 비아 형성공(홈 또는 홀)을 천공할 필요가 없다. 이 때문에, 예를 들면 하기의 (1) 내지 (5)의 효과를 얻을 수 있다. 단, 이러한 효과는 예시이며 본 발명을 한정하지 않는다.
(1) 수지에 비아 형성공을 천공할 필요가 없기 때문에, 수지 밀봉된 전자 부품(패키지)의 두께의 편차 등에 기인하여, 기판의 배선 패턴상에서 비아 형성공의 깊이 등이 적절하게 형성되지 않는 등의 일이 없다.
(2) 수지에 비아 형성홀을 천공할 필요가 없기 때문에, 수지 재료에 포함되는 필러가 기판의 배선 패턴 위에 남는 일이 없다.
(3) 수지에 비아 형성공을 천공할 필요가 없기 때문에, 칩이 탑재된 기판상의 배선 패턴에 손상을 입히는 일이 없다.
(4) 수지에 비아 형성공을 천공할 필요가 없기 때문에, 전자 부품의 제조 조건이 수지 재료의 필러 밀도의 영향을 받지 않는다.
(5) 상기 (1) 내지 (4)의 영향에 의해, 전자 부품을 간편하고 효율적으로 제조할 수 있어 제품 수율이 좋다. 또한, 기판의 배선 패턴과 돌기 전극(비아 전극)과의 접속 등이 양호해지기 때문에, 전자 부품의 성능 향상 또는 불량품 발생률의 저하 등에도 기여한다.
[실시예 2]
다음으로, 도 7 내지 도 10을 이용하여, 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 압축 성형을 이용한 상기 전자 부품의 제조 방법의 일례에 대해 설명한다. 한편, 본 실시예에 이용되는 돌기 전극 구비 판상 부재의 돌기 전극에는 변형부가 구비되어 있다.
우선, 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)를 준비한다. 도 7의 공정 단면도에 이 압축 성형 장치의 일부인 성형틀의 일부 구조를 나타낸다. 도시한 바와 같이, 이 압축 성형 장치는 상형(101), 하형(111) 및 중간형(중간 플레이트)(102)을 주요 구성 요소로 한다. 하형(111)은 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 부재(하형 본체)(112, 113)를 포함한다. 하형 외주 부재(하형 본체)(112, 113)는, 프레임 형상의 하형 캐비티 측면 부재이다. 보다 구체적으로는, 하형 외주 부재(112)는 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 주위를 둘러싸도록 배치되고, 하형 외주 부재(113)는 다시 하형 외주 부재(112)의 외주를 둘러싸도록 배치되어 있다. 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 부재(112)의 사이에는, 공극(흡착공)(111c)이 있다. 하형 외주 부재(112)와 하형 외주 부재(113)의 사이에는 공극(흡착공)(111d)이 있다. 이러한 공극(111c, 111d)을 후술하는 바와 같이, 진공 펌프(도시 생략)로 감압하여 이형필름 등을 흡착시키는 것이 가능하다. 하형 외주 부재(112) 상면의 높이는, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a) 및 하형 외주 부재(113) 상면의 높이보다 높다. 이에 따라, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a) 상면과 하형 외주 부재(112) 내주면으로 둘러싸인 하형 캐비티(오목부)(111b)가 형성되어 있다. 또한, 상형(101)에는 홀(관통공)(103)이 뚫려 있다. 후술하는 바와 같이, 몰드 체결 후, 홀(103)로부터 진공 펌프(도시 생략)로 흡인함으로써, 적어도 하형 캐비티(111b) 내를 감압할 수 있다. 중간형(중간 플레이트)(102)은 프레임 형상(환상)이며, 하형 외주 부재(113)의 바로 위에 위치하도록 배치되어 있다. 중간형(102) 하면과 하형 외주 부재(113) 상면 사이에서, 이형필름(100)을 파지하여 고정할 수 있다. 중간형(102)의 상면 둘레부에는 탄력성을 가지는 O-링(102a)이 부착되어 있다. 또, 이 압축 성형 장치는 도시한 바와 같이 도면의 좌우 양측에 롤(104)을 갖는다. 그리고, 1매의 길이가 긴 이형필름(100)의 양단이 좌우 롤(104)에 각각 권취되어 있다. 좌우 롤(104)에 의해, 이형필름(100)을 도 7의 오른쪽에서 왼쪽으로 또는 왼쪽에서 오른쪽으로 송출하는 것이 가능하다. 이에 따라, 후술하는 바와 같이 돌기 전극 구비 판상 부재를 이형필름(100) 상에 올려놓은 상태로 상기 하형 캐비티의 위치까지 반송할 수 있다. 즉, 롤(104)은 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티 위치까지 반송하는 반송 수단에 해당한다. 또, 도시 생략하였으나, 이 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)는 수지 탑재 수단을 추가로 포함한다. 상기 수지 탑재 수단은, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극 형성면 상에 수지를 올려놓는다.
다음으로, 도 7에 나타낸 바와 같이, 칩(31)이 편면에 고정된 기판(21)을 클램퍼(101a)에 의해 상형(101)의 하면에 고정한다. 이때, 기판(21)의 칩(31) 형성면이 아래를 향하도록 한다. 한편, 기판(21) 및 칩(31)은 실시예 1과 동일하며, 기판(21)에는 실시예 1과 마찬가지로 배선 패턴(22)이 형성되어 있다. 또한, 상기 수지 탑재 수단에 의해, 도시한 바와 같이 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상에 수지 재료(수지)(41a)를 탑재한다(수지 탑재 공정). 한편, 판상 부재(11), 돌기 전극(12) 및 수지 재료(41a)는 실시예 1과 동일하다. 수지 재료(41a)의 형태는 특별히 한정되지 않지만, 상기 수지 탑재 공정에서 수지 재료(41a)가 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상으로부터 흘러 넘치지 않게 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 수지 탑재 공정에서, 시트 형상의 수지 재료(41a)를 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상에 라미네이트(적층)하여 가압해도 된다. 또한, 도시한 바와 같이, 이형필름(100) 상에 수지 재료(41a)를 탑재한 판상 부재(11)를 올려놓는다. 이때, 도시한 바와 같이, 판상 부재(11)의 수지 재료(41a) 탑재면(돌기 전극(12) 형성면)이 위를 향하도록(즉, 돌기 전극(12) 형성면의 반대쪽 면이 이형필름(100) 상면과 접하도록) 한다. 또, 도시 생략하였으나, 점착제(접착층)가 이형필름(100)의 상면과 판상 부재(11) 사이에 존재해, 상기 점착제(접착층)에 의해 판상 부재(11)가 이형필름(100)의 상면에 고정되어 있어도 된다. 이와 같이 상기 점착제(접착층)가 존재하면, 예를 들면 도 1의 (B)에 나타낸 바와 같이 판상 부재(11)에 홀(13)이 뚫려 있어도, 홀(13)로부터 수지 재료(41a)가 쉽게 새지 않는다는 등의 이점이 있어 바람직하다. 또한, 상기 반송 수단에 의해, 도 7에 나타내는 바와 같이 수지 재료(41a)를 판상 부재(11), 돌기 전극(12) 및 이형필름(100)과 함께 하형 캐비티(111b)의 위치까지 반송한다.
다음으로, 도 8의 화살표(114)로 나타낸 바와 같이, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 부재(112) 사이의 간극(공극(111c))을 진공 펌프(도시 생략)로 감압한다. 그와 함께, 도 8의 화살표(115)로 나타낸 바와 같이, 하형 외주 부재(112)와 하형 외주 부재(113) 사이의 간극((공극(111d))을 진공 펌프(도시 생략)로 감압한다. 또한, 중간형(102)을 O-링(102a)과 함께 하강시켜, 중간형(102)의 하면과 하형 외주 부재(113)의 상면 사이에서 이형필름(100)을 파지한다. 이들에 의해, 이형필름(100)을 하형 외주 부재(112) 및 하형 외주 부재(113)의 상면에 고정한다. 또, 하형 캐비티(111b) 내의 감압(114)으로, 이형필름(100)을 하형 캐비티(111b)의 면에 피복시킬 수 있다. 그렇게 함으로써, 도시한 바와 같이 수지 재료(41a)를 판상 부재(11) 상에 탑재한 상태에서 하형 캐비티의 캐비티면 상에 올려놓을 수 있다.
다음으로, 도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 상기 수지 밀봉 공정을 실시한다. 한편, 도 9에서는 편의상 클램퍼(101a)의 도시를 생략하고 있다.
즉, 우선 도 9에 나타낸 바와 같이, 하형(111)(하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 부재(112, 113))을 중간형(102) 및 외기 차단용 O-링(102a)과 함께 상승시킨다. 이때, 상형(101)의 몰드면과 O-링(102a)의 상면을 접합함으로써, 적어도 하형 캐비티(111b) 내를 외기 차단 상태로 설정하여 상형, 중간형, 하형(3개의 형)으로 외기 차단 공간부를 형성할 수 있다. 이 상태에서, 화살표(107)로 나타낸 바와 같이, 상형(101)의 홀(103)을 통하여, 적어도 하형 캐비티(111b) 내(외기 차단 공간부 내)를 진공 펌프(도시 생략)로 흡인하여 감압할 수 있다. 또한, 하형(111)과 중간형(102)을 일체로 하여 상승시킨다. 이때, 이형필름(100)을 개재하여 하형 외주 부재(112)의 상면(하형(111))과 기판(21)의 면을 접하게 할 수 있다.
다음으로, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)를 상승시킨다. 이때, 도 9에 나타낸 바와 같이, 수지 재료(수지)(41a)를 가열 등에 의해, 유동성 수지(수지)(41b) 상태로 해둔다. 이에 따라, 우선 하형 캐비티(111b) 내에서, 유동성 수지(41 b)에 칩(31)을 침지시키고, 다음으로 하형 캐비티(111b) 내의 유동성 수지(41b)를 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)로 가압할 수 있다. 따라서, 도 10에 나타내는 바와 같이, 하형 캐비티(111b) 내에서 기판(21)에 장착한 칩(31)(돌기 전극 및 배선 패턴(22)을 포함)을 경화 수지로 이루어지는 밀봉 수지(수지)(41) 내에 압축 성형(수지 성형)하여, 하형 캐비티(111b)의 형상에 대응한 성형 패키지(수지 성형체)로 만들 수 있다. 이때, 판상 부재(11)는 성형 패키지(41)의 기판(21) 반대쪽의 윗면측에 장착된 상태가 된다. 한편, 이때, 기판(21)과 이형필름(100) 사이에 약간의 클리어런스(공극)가 있어도 된다.
전술한 바와 같이, 화살표(107)로 나타낸 바와 같이, 상형(101)의 홀(103)을 통하여 적어도 하형 캐비티(111b) 내를 진공 펌프(도시 생략)로 흡인하여 감압한다. 그리고, 그 상태에서 유동성 수지(41b)를 판상 부재(11), 돌기 전극(12), 칩(31) 및 기판(21)과 함께 압축 성형하여 칩(31)을 수지 밀봉한다. 이때, 돌기 전극(12)이 기판(21)의 배선 패턴(22)에 맞닿음에 따른 가압력에 의해, 돌기 전극(12) 전체가 상대적으로 수직 방향으로 가압된다. 이 가압에 의해, 도시한 바와 같이, 유동성 수지(41b)의 두께보다 높게 설계된 돌기 전극(12)은 변형부(12A)가 절곡된다. 이에 따라, 돌기 전극(12)은 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여(즉, 면 방향과 수직 방향의 길이가 짧아져), 수지 밀봉 부품의 소정의 두께를 따르게 된다. 또, 이때, 돌기 전극(12)이 기판(21) 상에 형성된 배선 패턴(22)에 접촉하게 된다. 또한, 유동성 수지(41b)를 경화시켜, 도 10에 나타낸 바와 같이 경화 수지로 이루어지는 밀봉 수지(수지)(41)로 만든다. 이와 같이 하여, 상기 「수지 밀봉 공정」을 실시하여 전자 부품을 제조할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 하형 캐비티(111b) 내의 수지(41)에 칩(31)을 침지할 때, 상기 수지는 유동성을 가지는 유동성 수지(41b) 상태에서 한다. 이 유동성 수지(41b)는, 예를 들면 액체의 수지(경화 전의 열경화성 수지 등)여도 되고, 또는, 과립상, 분말상, 페이스트상 등의 고체상의 수지를 가열하여 용융화한 용융 상태여도 된다. 수지 재료(41a)의 가열은, 예를 들면 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 가열 등에 의해 실시할 수도 있다. 또, 예를 들면, 수지 재료(41a)가 열경화성 수지로서 유동성을 가지고 있는(즉, 이미 유동성 수지(41b) 상태) 경우, 하형 캐비티(111b) 내의 수지 재료(41a)((유동성 수지(41b))를 가열하고, 또한 가압하여 열경화해도 된다. 이에 따라, 하형 캐비티의 형상에 대응한 수지 성형체(패키지) 내에 칩(31)을 수지 밀봉 성형(압축 성형)할 수 있다. 이와 같이 하면, 예를 들면 수지 성형체(패키지)의 상면(기판의 반대쪽 면)에 판상 부재(11)를 노출한 상태에서 형성하는 것도 가능하다.
압축 성형(수지 밀봉) 후, 즉 유동성 수지(41b)를 경화하여 밀봉 수지(41)로 만든 후, 상형(101)의 홀(103)을 통한 하형 캐비티(111b) 내의 감압(도 9의 화살표(107))을 해제한다. 다음으로, 도 10에 나타낸 바와 같이, 하형(111)((하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 부재(112, 113))을 중간형(102) 및 O-링(102a)과 함께 하강시킨다. 이때, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 하형 외주 부재(112) 사이의 공극의 감압(진공)을 해제해도 된다. 나아가, 화살표(116)로 나타낸 바와 같이, 상기 공극에 공기를 불어넣어도 된다. 이에 따라, 도시한 바와 같이, 이형필름(100)이 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 상면으로부터 떨어진다. 이때, 하형 외주 부재(112)와 하형 외주 부재(113) 사이의 공극 감압(진공)은 해제되어 있지 않다. 또, 중간형(102)은 하형 외주 부재(113)와 함께 이형필름(100)을 파지한 상태이다. 이 때문에, 이형필름(100)은 도시한 바와 같이, 하형 외주 부재(112, 113) 상면에 계속 흡착(고정)되어 있다. 또한, 기판(21)은 클램퍼(101a)에 의해 상형(101)의 하면(몰드면)에 계속 고정되어 있다. 그리고, 수지(41) 및 판상 부재(11)는 기판(21) 및 칩(31)과 함께 압축 성형되어 있으므로, 하형(111)의 하강에 의해 기판(21), 판상 부재(11), 돌기 전극(12), 칩(31) 및 수지(41)에 의해 형성된 전자 부품으로부터 이형필름(100)이 박리된다. 그리고, 롤(104)에 의해 이형필름(100)을 도면 우측 방향 또는 좌측 방향으로 풀어낸다(권취한다).
본 발명에 있어서는, 예를 들면 본 실시예에 나타낸 바와 같이, 칩의 수지 밀봉을 실시할 때, 하형 캐비티(111b) 내의 유동성 수지(41b)(용융 수지 또는 액상 수지) 중에 돌기 전극(12) 전체가 존재한다. 이 상태에서, 전술한 바와 같이 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)를 위로 움직이면, 유동성 수지(41b) 중에서 돌기 전극(12)의 선단부와 기판(21)의 배선 패턴(22)이 물리적으로 맞닿아 접속된다. 이와 같이 함으로써, 예를 들면 칩의 수지 밀봉 후에 비아 형성공을 천공하는 방법과 비교하여, 돌기 전극의 선단과 기판의 배선 패턴은 그 사이에 수지가 들어가지 않아 접촉하기 쉽다. 즉, 돌기 전극과 기판의 배선 패턴의 전기적인 접속이 유리해지기 쉽다. 이것은, 예를 들면 판상 부재가 실드판인 경우의 실드 성능면에서 유리하다. 또, 예를 들면 번개 형상(지그재그)의 변형부가 절곡되는 대신, 또는 이에 더하여, 도 3의 (A) 내지 (D) 또는 도 4의 (A) 내지 (D)에 나타낸 바와 같이 돌기 전극(12)이 수축할 수 있어도(높이가 작아질 수 있어도) 된다. 즉, 돌기 전극(12)의 높이가 수지(41)의 두께보다 약간 높아도 돌기(12c)의 선단이 배선 패턴(22)에 맞닿았을 때, 돌기(12c)가 홀(12b) 측의 공극으로 탄성적으로 이동함(내려감)에 따라, 돌기 전극(12)이 수축하는 것이 가능하다. 이에 따라, 전술한 바와 같이 돌기 전극(12)의 높이를 전자 부품의 수지 두께(패키지 두께)에 대응하여 조정할 수 있다.
다음으로, 도 11 및 12에 대하여 설명한다. 도 7 내지 도 10에서는, 수지(41)를 판상 부재(11) 상에 탑재하는 「수지 탑재 공정」을 실시하고, 그 후, 돌기 전극 구비 판상 부재를 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 「반송 공정」을 실시하는 방법에 대해 설명하였다. 그러나, 전술한 바와 같이, 상기 수지 탑재 공정과 상기 반송 공정의 순서는 특별히 한정되지 않는다. 도 11 및 12에, 상기 반송 공정 후에 상기 수지 탑재 공정을 실시하는 상기 전자 부품의 제조 방법의 예를 나타낸다. 도시한 바와 같이, 이 방법에 이용하는 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)는, 수지 공급 수단(60)을 가지는 것 이외에는 도 7 내지 도 10의 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)와 동일하다. 단, 도 11 및 12에 있어서는, 간략화를 위해 상형(101), 상형의 홀(관통공)(103), 클램퍼(101a), 기판(21), 배선 패턴(22) 및 칩(31)은 도시를 생략하였다. 수지 공급 수단(60)은 도시한 바와 같이, 수지 공급부(61)와 하부 셔터(62)로 구성되어 있다. 수지 공급부(61)는 상단 및 하단에 개구가 형성된 프레임 형상이다. 수지 공급부(프레임)(61) 하단의 개구는 셔터(62)에 의해 닫혀 있다. 이에 따라, 도 11에 나타낸 바와 같이, 수지 공급부(테두리)(61)와 하부 셔터(62)로 둘러싸인 공간 내에 수지 재료(41a)를 수용 가능하다. 이 상태에서, 도 11에 나타낸 바와 같이, 수지 공급 수단(60)을 하형 캐비티(111b)의 바로 위((하형(111)과 상형(101) 사이의 공간 내)에 진입시킨다. 그리고, 도 12에 나타낸 바와 같이, 하부 셔터(62)를 끌어당겨 수지 공급부(프레임)(61) 하단의 개구를 개방함으로써, 상기 개구로부터 수지 재료(41a)를 낙하시켜, 하형 캐비티(111b) 내에 공급(탑재)할 수 있다. 한편, 수지 재료(41a)는 도 11 및 도 12에서는 과립 수지이지만 특별히 이에 한정되지 않는다. 또, 도 7 내지 도 10의 공정에 앞서는 상기 수지 탑재 공정에서, 도 11 및 도 12와 마찬가지로 수지 공급부(61)와 하부 셔터(62)로 구성된 수지 공급 수단(60)을 이용해도 된다.
도 11 및 도 12에 나타내는 방법에 있어서는, 우선 상기 반송 공정에서 판상 부재(11) 상에 수지 재료(41a)를 탑재하지 않는 것 이외에는 도 7 및 도 8과 동일한 공정을 실시한다. 이에 따라, 도 11에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극 구비 판상 부재(판상 부재(11) 및 돌기 전극(12))가 수지 재료(41a)를 탑재하고 있지 않은 것 이외에는 도 8과 동일한 상태에서, 하형 캐비티(111b)의 캐비티면 상에(이형필름(100)을 개재하여) 올려진다.
다음으로, 상기 수지 탑재 공정에 앞서, 도 11에 나타낸 상태에서 돌기 전극 구비 판상 부재를 하형 캐비티 내에서 가열한다(가열 공정). 상기 가열은, 예를 들면 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 가열 등에 의해 실시할 수 있다. 이 가열 공정에서, 돌기 전극 구비 판상 부재를 충분히 열 팽창시키는 것이 바람직하다. 즉, 이후에 실시하는 수지 밀봉 공정에서, 가열에 의한 돌기 전극 구비 판상 부재의 팽창이 일어나지 않게 하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 상기 수지 밀봉 공정에서, 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22)의 위치가 어긋나기 어려워져, 위치 조정하기 쉬워진다.
또한, 도 12에 나타낸 바와 같이, 하형 캐비티(111b) 내에서 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상에 수지 재료(41a)를 탑재한다(수지 탑재 공정). 이 공정은, 예를 들면 하부 셔터(62)를 끌어당겨 수지 공급부(프레임)(61) 하단의 개구를 개방함으로써, 상기 개구로부터 수지 재료(41a)를 낙하시켜 하형 캐비티(111b) 내에 공급(탑재)한다. 그 후, 도 9 및 도 10과 동일하게 하여 상기 수지 밀봉 공정을 실시한다. 한편, 수지 재료(41a)는 도 12에서는 과립 수지이지만 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 수지 재료(41a)가 열가소성 수지(예를 들면, 과립 수지, 분말 수지 등)이며, 돌기 전극 구비 판상 부재의 열에 의해 수지 재료(41a)를 용융화하여 유동성 수지(41b)로 한 후에 냉각하여 고화해도 된다. 또, 전술한 바와 같이 수지 재료(41a)는 경화되기 전의 액상의 열경화성 수지이며, 돌기 전극 구비 판상 부재의 열에 의해 경화해도 된다.
또, 본 실시예에 있어서, 압축 성형 장치의 구조는 도 7 내지 도 10에 나타낸 구조에 한정되지 않으며 어떠한 구조여도 되고, 예를 들면 일반적인 압축 성형 장치의 구조와 동일하거나 또는 그에 준해도 된다. 구체적으로는, 상기 압축 성형 장치의 구조는, 예를 들면 일본특허공개 제2013-187340호 공보, 일본특허공개 제2005-225133호 공보, 일본특허공개 제2010-069656호 공보, 일본특허공개 제2007-125783호 공보, 일본특허공개 제2010-036542호 공보 등에 나타낸 구조와 동일하거나 또는 그에 준해도 된다. 예를 들면, 압축 성형 장치는 도 7 내지 도 10에 나타낸 구조 대신, 일본특허공개 제2013-187340호 공보의 도 2 내지 도 6과 동일한 구조(중간형을 갖지 않는 대신, 상형에 필름 가압이 부속되어 있는 구조)여도 된다. 이러한 압축 성형 장치를 이용한 압축 성형 방법(전자 부품의 제조 방법)은, 예를 들면 상기 공보에 기재의 방법과 동일하게 하여 실시할 수 있다. 또, 수지 공급 수단에 대해서는, 도 11 및 도 12의 수지 공급 수단(60)을 대신하는 임의의 구성이어도 된다. 예를 들면, 상기 수지 공급 수단은 일본특허공개 제2010-036542호 공보에 기재된 수지 재료의 배포 수단(수지 재료의 투입 수단, 계량 수단, 호퍼, 리니어 진동 피더 등을 포함함)이어도 된다. 또는, 상기 수지 공급 수단은 일본특허공개 제2007-125783호 공보에 기재된 수지 공급 기구와 같이, 저장부, 계량부, 투입부, 공급부, 셔터, 트레이, 슬릿 등을 구비한 구성이어도 된다. 또, 예를 들면, 도 7 내지 도 10에 나타내지 않은 하형의 상하동 기구 등에 대해서는, 상기 일본특허공개 제2005-225133호 공보, 일본특허공개 제2010-069656호 공보 등과 동일하거나 또는 그에 준해도 되고, 예를 들면 하형 캐비티 바닥면 부재의 하방에 탄성 부재를 접속해도 된다.
또, 본 실시예에서는 하형 캐비티 내를 감압하여 압축 성형하는 방법을 이용하였다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다른 압축 성형(컴프레션 몰드)을 이용해도 된다.
또한, 본 발명의 제조 방법은 전술한 바와 같이 상기 수지 밀봉 공정을 포함한 제조 방법이지만, 예를 들면 본 실시예에서 나타낸 바와 같이, 그 외의 임의의 공정을 포함하고 있어도 된다.
본 실시예에서는, 전술한 바와 같이 이형필름 상에 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 올려놓고, 그 상태에서 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티 내에 반송한다. 이에 따라, 예를 들면 판상 부재 및 그 반송 수단의 구조를 단순화하기 쉽다. 또한, 본 실시예에서는, 전술한 바와 같이 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 이형필름 상에 올려놓은 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 상에 상기 수지를 탑재한다. 이에 따라, 예를 들면, 도 7 내지 도 10에 있어서, 수지(수지 재료(41a), 유동성 수지(41b) 및 밀봉 수지(41))와 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)의 접촉 및 하형(111)과 하형 외주 부재(112)의 공극 내에 상기 수지가 들어가는 것을 방지할 수 있다.
한편, 본 발명에 있어서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재(수지를 탑재한 상태 또는 탑재하지 않은 상태)를 반송하는 수단(기구)은 도 7 내지 도 10의 구성에는 한정되지 않으며, 다른 임의의 구성을 가지는 반송 수단(반송 기구)이어도 된다. 예를 들면, 상기 이형필름의 형상은, 도 7 내지 도 10에서는 길이가 긴 이형필름을 롤에 권취한 이형필름이지만, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 이형필름의 형상은, 길이가 짧은 이형필름, 길이가 긴 이형필름, 롤에 권취한 이형필름 등, 어떠한 형상이어도 된다. 예를 들면, 길이가 긴 이형필름 또는 롤에 권취한 이형필름을 본 발명의 제조 방법에 제공하는데 앞서, 커트(프리커트)하여 짧은 길이의 이형필름으로 만들어도 된다. 프리 커트한 이형필름을 이용하는 경우, 상기 반송 공정(상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 공정)은, 예를 들면 일본특허공개 제2013-187340호 공보의 도 1 및 그 설명과 동일하게 행하여도 된다.
[실시예 3]
다음으로, 본 발명의 또 다른 실시예에 대하여 설명한다. 본 실시예에서는, 변형부를 가지는 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용하여 압축 성형을 이용한 제조 방법의 또 다른 예를 나타낸다.
도 13 내지 도 16의 공정 단면도에, 본 실시예의 제조 방법을 모식적으로 나타낸다. 도시한 바와 같이, 본 실시예는 이형필름(100)을 이용하지 않는 것과, 판상 부재(11)의 형상이 다른 점에서 실시예 2(도 7 내지 도 10)와 상이하다.
본 실시예에서는, 판상 부재(11)의 둘레부가 융기하여 중앙부가 수지 수용부가 되어 있다. 보다 구체적으로는, 도시한 바와 같이 판상 부재(11)의 둘레부가 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 측으로 융기함으로써, 벽상 부재(11b)를 형성하고 있다. 이에 따라, 판상 부재(11)의 중앙부가 수지 수용부(11c)를 형성하고 있다. 즉, 판상 부재(11)는, 그 둘레부가 융기하여 벽상 부재(11b)를 형성함으로써, 트레이형(상면이 개방된 상자형)의 형상을 하고 있다. 그리고, 판상 부재(11)의 중앙부가 판상 부재(11)의 본체(바닥면부)와 벽상 부재(둘레부)(11b)로 둘러싸인 수지 수용부(상기 트레이형 형상의 오목부)(11c)를 형성하고 있다. 한편, 돌기 전극(12)은 도시한 바와 같이, 판상 부재(11) 본체(바닥면부)에서의 상기 수지 수용부(오목부)(11c) 측의 면에 고정되어 있다. 또, 벽상 부재(11b)는 판상 부재(11)의 일부이며 돌기 전극(12)과는 다르다. 벽상 부재(11b)는, 예를 들면 방열 부재 또는 전자파를 실드하는 실드 부재로서의 기능을 가지고 있어도 된다. 판상 부재(11)가 벽상 부재(11b)를 가지는 경우, 돌기 전극(12)의 형상은 특별히 한정되지 않으며 임의이지만, 예를 들면 돌기 전극(12)의 적어도 하나가 상기 판상 돌기 전극인 것이 바람직하다. 본 실시예에서는, 수지 수용부(11c) 때문에 이형필름을 이용하지 않아도 수지(수지 재료(41a), 유동성 수지(41b) 및 밀봉 수지(41))와 하형 캐비티 바닥면 부재의 접촉 및 상기 수지가 하형 외주 부재와 하형 캐비티 바닥면 부재 사이의 공극 내에 들어가는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 이 때문에, 이형필름 생략에 의한 비용 절감과 함께, 이형필름을 붙이거나 흡착하는 공정을 생략할 수 있기 때문에, 전자 부품의 제조 효율의 향상으로 연결된다.
본 실시예에 있어서, 성형틀(상형 및 하형)을 포함하는 압축 성형 장치는 도 13 내지 도 16에 나타낸 바와 같이, 이형필름의 롤 및 중간형을 가지지 않는 것 이외에는 실시예 2와 동일한 것을 이용할 수 있다. 구체적으로는, 도시한 바와 같이, 상기 압축 성형 장치는 상형(1001)과 하형(1011)을 주요 구성 요소로 한다. 하형(1011)은 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와 하형 외주 부재(하형 본체)(1012)를 포함한다. 하형 외주 부재(하형 본체)(1012)는 프레임 형상의 캐비티 측면 부재이다. 보다 구체적으로는, 하형 외주 부재(1012)는 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)의 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다. 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와 하형 외주 부재(1012) 사이에는 공극(흡착공)(1011c)이 있다. 이 공극(1011c)을 도 14 및 15의 화살표(1014)로 나타낸 바와 같이, 진공 펌프(도시 생략)로 감압하여, 판상 부재를 흡착시키는 것이 가능하다. 또한, 압축 성형 후에는, 도 16의 화살표(1016)로 나타낸 바와 같이, 이 공극(1011c)으로부터 반대로 공기를 불어넣어, 상기 판상 부재를 탈리시키는 것이 가능하다. 하형 외주 부재(1012) 상면의 높이는 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 상면의 높이보다 높게 되어 있다. 이에 따라, 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 상면과 하형 외주 부재(1012) 내주면으로 둘러싸인 하형 캐비티(오목부)(1011b)가 형성되어 있다. 또한, 상형(1001)에는 홀(관통공)(1003)이 뚫려 있다. 이에 따라, 도 15의 화살표(1007)로 나타낸 바와 같이, 몰드 체결 후 홀(1003)로부터 진공 펌프(도시 생략)로 흡인함으로써, 적어도 하형 캐비티(1011b) 내를 감압할 수 있다. 하형의 외주 부재(1012) 상면의 둘레부에는 탄력성을 가지는 O-링(1012a)이 부착되어 있다. 또, 도시 생략하였으나, 이 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)는 수지 탑재 수단 및 반송 수단을 추가로 포함한다. 상기 수지 탑재 수단은 상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극 형성면 상에 수지를 탑재한다. 상기 반송 수단은 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송한다.
본 실시예의 제조 방법은, 도 13 내지 도 16에 나타낸 바와 같이 이형필름을 이용하지 않고, 수지 수용부(11c)에 수지 재료(41a)를 탑재한 판상 부재(11)를 하형 캐비티(1011b)의 위치까지 반송한다. 또, 이형필름을 하형 및 하형 외주 부재에 흡착하는 대신, 도 14의 화살표(1014)로 나타낸 바와 같이 하형 외주 부재(1012)와 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 사이의 공극(1011c)을 진공 펌프(도시 생략)로 감압함으로써, 판상 부재(11)를 하형 캐비티(1011b)(하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 상면 및 하형 외주 부재(1012) 내주면))에 흡착시킨다. 그 이외에 본 실시예(도 13 내지 도 16)의 제조 방법은 실시예 2의 도 7 내지 도 10과 동일하게 실시할 수 있다.
도 15 및 도 16에 나타내는 공정(수지 밀봉 공정)은, 보다 구체적으로는, 예를 들면 이하와 같이 하여 실시하는 것이 가능하다. 즉, 우선 도 14 상태로부터 하형(1011)을 위로 움직여, 상형(1001)의 몰드면을 하형의 O-링(1012a)의 상단에 맞닿게 한다. 이때, 상형면(상형(1001)의 몰드면)과 하형면(하형(1011)의 몰드면) 사이에 필요한 간격을 유지시켜 둔다. 즉, 상형(1001)과 하형(1011)을 완전히 몰드 체결함에 앞서, 양자 간에 필요한 간격을 유지시킨 중간 몰드 체결을 실시한다. 이 중간 몰드 체결시, O-링(1012a)으로 적어도 상하 양쪽 몰드면 사이와 캐비티 공간부를 외기 차단 상태로 설정하여 외기 차단 공간부를 형성할 수 있다. 또, 이때, 도 15의 화살표(1007)로 나타낸 바와 같이, 상기 외기 차단 공간부 내의 공기를 상형의 홀(1003)로부터 강제적으로 흡인하고 배출하여, 상기 외기 차단 공간부 내를 소정의 진공도로 설정할 수 있다. 다음으로, 상형면(상형(1001)의 몰드면)과 하형면(하형(1011)의 몰드면)을 서로 폐쇄하여 완전한 몰드 체결을 실시한다. 또한, 캐비티 바닥면 부재(1011a)를 위로 움직인다. 한편, 이때, 도 15에 나타내 바와 같이 수지 재료(41a)를 유동성 수지(b) 상태로 해 둔다. 이에 따라, 도 15에 나타낸 바와 같이, 돌기 전극(12)과 배선 패턴(22)을 접합하고, 또한 유동성 수지(41b)에 칩(31)을 침지하여 하형 캐비티(1011b) 내의 유동성 수지(41b)를 더욱 가압한다. 또한, 후술하는 바와 같이, 유동성 수지(41b)를 경화하여 도 16에 나타낸 바와 같이 경화 수지로 이루어지는 밀봉 수지(수지)(41)로 만든다. 이에 따라, 기판(11)에 장착한 칩(31)을 필요한 형상의 수지(41)(경화 수지) 내에 압축 성형(밀봉 성형)할 수 있다. 보다 구체적으로는, 도 16에 나타낸 바와 같이, 하형 캐비티(1011b) 내에서 기판(21)에 장착한 칩(31)(돌기 전극 및 배선 패턴(22)을 포함)을 경화 수지로 이루어지는 밀봉 수지(수지)(41) 내에 압축 성형(수지 성형)하여, 하형 캐비티(1011b)의 형상에 대응한 성형 패키지(수지 성형체)로 만들 수 있다. 이때, 판상 부재(11)는 상기 성형 패키지의 기판(21)의 반대쪽 면 측에 장착된 상태가 된다. 그리고, 이때, 캐비티 바닥면 부재(1011a)를 위로 움직임에 따른 가압력에 의해, 돌기 전극(12) 전체가 상대적으로 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 가압된다. 이 가압에 의해, 도시한 바와 같이 유동성 수지(41b)의 두께보다 높게 설계된 돌기 전극(12)은 변형부(12A)가 절곡된다. 이에 따라, 돌기 전극(12)은 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여, 수지 밀봉 부품의 소정의 두께를 따르게 된다. 그리고, 유동성 수지(41b)의 경화에 필요한 소요 시간 경과 후, 도 16에 나타낸 바와 같이, 상하 양형을 몰드 개방한다. 구체적으로는, 하형(1011)(하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와 하형 외주 부재(1012))을 O-링(1012a)과 함께 하강시킨다. 이에 따라, 하형 캐비티(1011b) 내를 개방하여 감압을 해제한다. 이때, 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와 하형 외주 부재(1012) 사이의 공극의 감압(진공)을 해제한다. 나아가, 화살표(1016)로 나타낸 바와 같이 상기 공극으로 공기를 불어넣어도 된다. 이에 따라, 수지 수용부(11c)를 가지는 판상 부재(11), 기판(21), 칩(31), 배선 패턴(22) 및 돌기 전극(12)을 가지는 전자 부품(성형품)을 얻을 수 있다.
또한, 본 실시예는 이에 한정되지 않으며, 예를 들면 실시예 2의 도 11 및 도 12와 마찬가지로, 상기 반송 공정 후에 상기 수지 탑재 공정을 실시해도 된다. 이 경우, 실시예 2와 마찬가지로, 상기 수지 탑재 공정에 앞서 돌기 전극 구비 판상 부재를 하형 캐비티 내에서 가열하는 것이 바람직하다(가열 공정). 또, 이 가열 공정에서, 실시예 2와 동일한 이유에 의해, 돌기 전극 구비 판상 부재를 충분히 열 팽창시키는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명에 있어서 상기 판상 부재의 형상은 본 실시예 및 실시예 1 내지 실시예 2의 형상에 한정되지 않으며, 어떠한 형상이어도 된다. 예를 들면, 상기 판상 부재의 형상은 돌기 전극이 편면에 고정되고 있는 것 이외에는 특허문헌 2(일본특허공개 제2013-187340호 공보)에 예시된 판상 부재와 동일한 형상이어도 된다. 도 17 및 도 18에 판상 부재의 형상을 변경한 제조 방법(변형예)의 일례를 각각 나타낸다. 도 17은 판상 부재(11)가 돌기 전극(12) 고정면의 반대쪽 면(도 17에 있어서, 하형 캐비티 바닥면 부재(111a)와 대향하는 쪽의 면)에 방열 핀(11a)을 가지는 것 이외에는 도 7 내지 도 10(실시예 2)과 동일하고, 도 7 내지 도 10과 동일한 압축 성형 장치를 이용하여 실시예 2와 동일하게 실시할 수 있다. 도 18은 판상 부재(11)가 돌기 전극(12) 고정면의 반대쪽 면(도 18에 있어서, 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)와 대향하는 쪽의 면)에 방열 핀(11a)을 가지는 것 이외에는, 도 13 내지 도 16(실시예 3)과 동일하며, 도 13 내지 도 16과 동일한 압축 성형 장치를 이용하여 실시예 3과 동일하게 실시할 수 있다. 한편, 도 18의 압축 성형 장치에서는, 도시한 바와 같이 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a) 상면에 방열 핀(11a)의 요철 형상과 끼워 맞춰지는 요철 형상이 형성되어 있다. 이와 같이 하면, 하형 캐비티 내에서 판상 부재(11)가 안정되고, 또한 하형 캐비티 바닥면 부재(1011a)의 상면이 방열 핀에 의한 손상을 받기 어렵다는 이점이 있다. 또한, 방열 핀(11a)은 도 18에 나타낸 바와 같이, 하형 외주 부재(1012)와 판상 부재(11) 사이에 간극이 생기지 않는 형상으로 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 하형 캐비티 내에서 감압에 의한 흡인(화살표(1014))을 효과적으로 실시하기 쉽다.
[실시예 4]
다음으로, 도 19 및 도 20을 이용하여 본 발명의 또 다른 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 변형부를 가지는 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용한 제조 방법의 또 다른 예를 나타낸다.
도 19의 단면도에 본 실시예의 제조 방법을 모식적으로 나타낸다. 도시한 바와 같이, 이 제조 방법은 하형(121), 상형(마운터)(122) 및 진공 챔버(123)를 이용하여 실시한다. 하형(121)의 상면은 평탄면으로 되어 있어 전자 부품의 기판을 올려 놓을 수 있다. 진공 챔버(123)는 전자 부품의 형상에 맞춘 통 형상이며, 상기 전자 부품의 기판상에 탑재 가능하다. 상형(122)은 진공 챔버(123)의 내벽에 끼워진다.
본 실시예의 제조 방법에서는, 우선 편면에 칩(31) 및 배선 패턴(22)이 고정된 기판(21)의 상기 칩(31) 및 배선 패턴(22)의 고정면 상에, 액상 수지(열 경화성 수지)로 이루어지는 수지 재료(수지)(41a)를 인쇄한다. 다음으로, 판상 부재(11)의 편면에 돌기 전극(12)이 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재의 돌기 전극(12)을 액상 수지(41a)를 관통시켜 배선 패턴(22)에 접촉시킨다. 이에 따라, 기판(21), 칩(31), 액상 수지(41a), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)이 완성품인 전자 부품(20)(도 5)과 동일한 위치 관계가 되도록 배치된다. 그리고, 예를 들면 도 19에 나타낸 바와 같이, 하형(121)의 상면에 기판(21), 칩(31), 액상 수지(41a), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)을 상기 위치 관계(배치)가 되도록 배치한다. 이때, 도시한 바와 같이 기판(21)의 칩(31) 배치측 반대쪽이 하형(121) 상면과 접하도록 하고, 칩(31) 배치측의 면 상에 돌기 전극 구비 판상 부재((판상 부재(11) 및 변형부(12A)를 가지는 돌기 전극(12))을 배치하도록 한다.
다음으로, 기판(21) 상면 둘레부에서 액상 수지(41a)가 배치(탑재)되어 있지 않은 부분에 진공 챔버(123)를 탑재한다. 이에 따라, 칩(31), 액상 수지(41a), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)의 주위가 진공 챔버(123)로 둘러싸인다. 그리고, 칩(31), 액상 수지(41a), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)의 상방으로부터 상형(122)을 하강시켜, 진공 챔버(123)의 내벽에 끼워맞춘다. 이에 따라, 판상 부재(11), 진공 챔버(123) 및 상형(122)으로 둘러싸여 밀폐된 내부 공간 내에 칩(31), 액상 수지(41a) 및 돌기 전극(12)이 수용된다. 또한, 상기 내부 공간 내를 진공 펌프(도시 생략)로 감압한다. 이에 따라, 칩(31), 액상 수지(41a), 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)이 상형(122)으로 가압된다. 이때, 변형부(12A)를 가지는 돌기 전극(12)이 기판(21)의 배선 패턴(22)에 맞닿는다. 또한, 상형(122)의 가압력에 의해 돌기 전극(12) 전체가 상대적으로 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 가압된다. 이 가압에 의해, 액상 수지(41a)의 두께보다 높게 설계된 돌기 전극(12)은 변형부(12A)가 절곡된다. 이에 따라, 돌기 전극(12)은 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축하여, 수지 밀봉 부품의 소정의 두께를 따르게 된다. 그리고, 그 상태에서 액상 수지(열경화성 수지)(41a)를 가열하여 경화시켜, 칩(31)을 판상 부재(11) 및 돌기 전극(12)과 함께 수지 밀봉한다. 액상 수지(41a)의 가열은, 예를 들면 하형(121)의 가열에 의해 실시할 수 있다. 이와 같이 하여, 도 5에 나타낸 전자 부품(20)과 동일한 전자 부품을 제조할 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서는, 예를 들면 진공 챔버에 의한 감압을 생략해도 된다. 단, 예를 들면 판상 부재와 수지 사이의 공기나 간극이 허락되지 않는 경우 등에는, 진공 챔버에 의한 감압을 실시하는 것이 바람직하다. 또, 진공 챔버에 의한 감압을 생략하는 경우, 상형(마운터)에 의한 가압은 실시해도 되고, 실시하지 않아도 된다.
또, 도 20의 단면도에 본 실시예의 제조 방법의 변형예를 모식적으로 나타낸다. 도 20의 제조 방법은 기판(21)의 칩(31) 및 배선 패턴(22) 고정면 상에 액상 수지(열경화성 수지)(41a)를 인쇄 대신 도포하는 것, 및 판상 부재(11)가 돌기 전극(12) 고정면의 반대쪽 면(도 20에 있어서, 상형(122)과 대향하는 쪽의 면)에 방열 핀(11a)을 가지는 것 이외에는, 도 19의 제조 방법과 동일하다. 한편, 도 19의 제조 방법에 있어서, 도 20과 마찬가지로 방열 핀을 가지는 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용해도 되고, 반대로 도 20의 제조 방법에 있어서 도 19와 마찬가지로 방열 핀을 가지지 않는 돌기 전극 구비 판상 부재를 이용해도 된다. 또한, 예를 들면, 도 19 또는 도 20에 있어서, 수지의 인쇄 또는 도포 대신, 시트 수지의 라미네이트, 수지의 스핀 코팅 등에 의해 기판(21)의 칩(31) 및 배선 패턴(22) 고정면 상에, 수지(41 또는 41a)를 배치해도 된다.
[실시예 5]
다음으로, 본 발명의 또 다른 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 압축 성형을 이용한 제조 방법의 또 다른 예를 나타낸다.
본 실시예에서는, 프리 커트한 이형필름과 관통공(수지 공급부)을 가지는 직사각형 형상의 프레임을 이용하는 전자 부품의 제조 방법 및 압축 성형 장치(전자 부품의 수지 밀봉 장치)에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 변형부를 가지는 상기 돌기 전극 구비 판상 부재에 수지 재료(과립 수지)를 탑재한 상태에서, 하형 캐비티의 위치까지 반송하여 하형 캐비티 내에 공급 세팅한다.
본 실시예에서는, 프리 커트한 이형필름 위에 프레임을 배치하고, 프레임 관통공(수지 공급부) 내의 이형필름 상에, 과립 수지를 탑재한 돌기 전극 구비 판상 부재를 배치한다. 이에 따라, 상기 과립 수지가 상기 돌기 전극 구비 판상 부재상으로부터 흘러 넘치는 것을 방지할 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 수지 재료가 과립 수지인 경우에 대해 설명하지만, 과립 수지 이외의 임의의 수지(예를 들면, 분말상 수지, 액상 수지, 판상 수지, 시트 형상 수지, 필름 형상 수지, 페이스트상 수지 등)에 대해서도 동일하게 실시할 수 있다.
이하, 도 21 내지 도 24를 이용하여, 본 실시예에 대해 더욱 구체적으로 설명한다.
우선, 도 21을 이용하여, 본 실시예에서의 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)에 대해 설명한다. 도 21은 상기 압축 성형 장치의 일부인 성형틀(예를 들면 금형 또는 세라믹스형)의 일부의 구조를 나타내는 개략도이다. 또한, 도 21은 이 성형틀에 수지 재료를 공급하기 전의 몰드 개방 상태를 나타내고 있다.
도 21의 압축 성형 장치는 실시예 3(도 13 내지 도 16)에 대해 성형틀이 상형 및 하형을 포함하는 점에서 동일하지만, 상형 외기 차단 부재 및 하형 외기 차단 부재를 포함하는 점이 다르다. 보다 구체적으로는, 이하와 같다. 즉, 도 21의 압축 성형 장치는, 도시한 바와 같이 상형(2001)과 상형에 대향 배치된 하형(2011)을 주요 구성 요소로 한다. 상형(2001)은 상형 베이스 플레이트(2002)의 저면에 마련되어 있다. 상형 베이스 플레이트(2002)의 저면에서 상형(2001)의 외주 위치에는, 상형 외기 차단 부재(2004)가 마련되어 있다. 상형 외기 차단 부재(2004)의 상단면(상형 베이스 플레이트(2002) 및 상형 외기 차단 부재(2004)에 끼워진 부분)에는, 외기 차단용 O-링(2004a)이 마련되어 있다. 또, 상형 외기 차단 부재(2004)의 하단면에도 외기 차단용 O-링(2004b)이 설치되어 있다. 또한, 상형 베이스 플레이트(2002)에는, 몰드 내 공간부의 공기를 강제적으로 흡인하여 배출하기 위한 홀(2003)이 마련되어 있다. 상형(2001)의 몰드면(하면)에는, 칩(31)을 장착한 기판(21)을 칩(31) 장착면 측이 하방을 향하도록 한 상태에서 공급 세팅(장착)하는 기판 세팅부(2001a)가 마련되어 있다. 기판(21)은, 예를 들면 클램퍼(도시 생략) 등에 의해 기판 세팅부(2001a)에 장착할 수 있다. 또한, 기판(21)의 칩(31) 장착면에는 상기 각 실시예와 마찬가지로 배선 패턴(22)이 마련되어 있다.
또한, 하형(2011)은 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a), 하형 외주 부재(2012) 및 탄성 부재(2012a)로 형성되어 있다. 또한 하형(2011)은 그 몰드면에, 수지 성형용 공간인 캐비티(하형 캐비티)(2011b)를 포함한다. 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a)는 하형 캐비티(2011b)의 하방에 마련되어 있다. 하형 외주 부재(하형의 프레임체, 캐비티 측면 부재)(2012)는 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a)의 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다. 하형 외주 부재(2012) 상면의 높이는, 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a) 상면의 높이보다 높게 되어 있다. 이에 따라, 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a) 상면과 하형 외주 부재(2012) 내주면으로 둘러싸인 하형 캐비티(오목부)(2011b)가 형성되어 있다. 하형 캐비티 바닥면 부재(2011)와 하형 외주 부재(2012) 사이에는 공극(흡착공)(2011c)이 있다. 이 공극(2011c)을 후술하는 바와 같이, 진공 펌프(도시 생략)로 감압하여 이형필름 등을 흡착시키는 것이 가능하다. 또, 하형(2011) 및 하형 외주 부재(2012)는 하형 베이스 플레이트(2010)에 탑재된 상태로 마련되어 있다. 하형 외주 부재(2012)와 하형 베이스 플레이트(2010) 사이에는 완충용 탄성 부재(2012a)가 마련되어 있다. 또한, 하형 베이스 플레이트(2010) 상에서의 하형 외주 부재(2012)의 외주 위치에는 하형 외기 차단 부재(2013)가 마련되어 있다. 하형 외기 차단 부재(2013)의 하단면(하형 베이스 플레이트(2010) 및 하형 외기 차단 부재(2013)에 끼워진 부분)에는 외기 차단용 O-링(2013a)이 마련되어 있다. 하형 외기 차단 부재(2013)는 상형 외기 차단 부재(2004) 및 외기 차단용 O-링(2004b)의 바로 밑에 배치되어 있다. 이상의 구성을 가짐으로써, 상하 양형의 몰드 체결시에 O-링(2004a, 2004b)을 포함한 상형 외기 차단 부재(2004)와 O-링(2013a)을 포함한 하형 외기 차단 부재(2013)를 접합함으로써, 적어도 하형 캐비티 내를 외기 차단 상태로 할 수 있다.
다음으로, 이 압축 성형 장치를 이용한 본 실시예의 전자 부품의 제조 방법에 대해 설명한다. 즉, 우선 도 21에 나타낸 바와 같이, 상형(2001)의 몰드면(기판 세팅부(2001a))에 전술한 바와 같이 기판(21)을 장착한다. 또한, 도시한 바와 같이, 관통공을 가지는 직사각형 형상의 프레임(70)을 이용하여 하형 캐비티(2011b) 내에 과립 수지(41)를 공급한다. 보다 구체적으로는, 도시한 바와 같이 미리 필요한 길이로 절단된(프리 커트된) 이형필름(100) 상에 프레임(70)을 탑재한다. 이때, 프레임(70)의 하면에서, 프리 커트한 이형필름(100)을 흡착하여 고정해도 된다. 다음으로, 프레임(70) 관통공의 상측의 개구부(수지 공급부)로부터 이형필름(100) 위에, 판상 부재(11)의 편면에 돌기 전극(12)이 고정된 돌기 전극 구비 판상 부재를 탑재한다. 이때, 돌기 전극(12)이 상방(이형필름(100)의 반대쪽)을 향한 상태로 한다. 한편, 본 실시예에서는, 돌기 전극 구비 판상 부재는 실시예 2(도 7 내지 도 10)와 동일하게, 벽상 부재(11b) 및 수지 수용부(오목부)(11c)를 가지지 않는다. 또한, 판상 부재(11)의 돌기 전극(12) 고정면 상에, 과립 수지(41a)를 평탄화한 상태에서 공급(탑재)한다. 이와 같이 하여, 도 21에 나타낸 바와 같이 판상 부재(11) 및 프레임(70)으로 둘러싸인 공간 내에 과립 수지(41a)가 공급되고, 그것이 이형필름(100) 상에 탑재된 「수지 공급 프레임」을 형성할 수 있다. 또한, 상기 수지 공급 프레임을 반송하여, 도 21에 나타낸 바와 같이 몰드 개방 상태에 있는 상형(2001)과 하형(2011) 사이(하형 캐비티(2011b)의 위치)에 진입시킨다.
다음으로, 하형(2011)의 몰드면 상에 상기 수지 공급 프레임을 올려놓는다. 이때, 도 22에 나타낸 바와 같이 프레임(70)과 하형 외주 부재(2012)로 이형필름(100)을 사이에 끼움과 함께, 하형 캐비티(2011b)의 개구부(하형면)에 프레임(70)의 관통공 하방의 개구부를 합치시킨다. 또한, 도 22의 화살표(2014)로 나타낸 바와 같이, 하형의 흡착공(2011c)을 진공 펌프로 흡착하여 감압한다. 이에 따라, 도시한 바와 같이 하형 캐비티(2011b)의 캐비티 면에 이형필름(100)을 흡착하여 피복함과 함께, 과립 수지(41)를 하형 캐비티(2011b) 내에 공급하여 세팅한다. 또한, 하형(2011)을 가열함으로써, 도시한 바와 같이 과립 수지(41a)를 용융하여 유동성 수지(41b) 상태로 만든다. 그 후, 감압(2014)에 의해 하형 캐비티(2011b)의 캐비티면에 이형필름(100)을 흡착시킨 채로 프레임(70)을 제거한다.
다음으로, 상하 양형을 몰드 체결한다. 우선, 도 23에 나타낸 바와 같이, 기판면(기판(21)의 칩(31) 고정면)과 하형면을 필요한 간격으로 유지한 상태로 하는 중간적인 몰드 체결을 실시한다. 즉, 우선, 도 22로부터 프레임(70)을 제거한 상태에서 하형(2011)측을 위로 움직인다. 이에 따라, 도 23에 나타낸 바와 같이, 상형 외기 차단 부재(2004) 및 하형 외기 차단 부재(2013)를 O-링(2004b)을 사이에 둔 상태로 서로 폐쇄한다. 이와 같이 하여, 도 23에 나타낸 바와 같이, 상형(2001), 하형(2011), 상형 외기 차단 부재(2004) 및 하형 외기 차단 부재(2013)로 둘러싸인 외기 차단 공간부를 형성한다. 이 상태에서, 도 23의 화살표(2007)로 나타낸 바와 같이, 상형 베이스 플레이트(2002)의 홀(2003)을 통하여, 적어도 상기 외기 차단 공간부를 진공 펌프(도시 생략)로 흡인하여 감압하여, 소정의 진공도로 설정한다.
또한, 도 24에 나타낸 바와 같이, 기판면과 하형면을 접합하여 완전 몰드 체결을 실시한다. 즉, 도 23의 상태로부터 하형(2011)을 더욱 위로 움직인다. 이에 따라, 도 24에 나타낸 바와 같이, 상형(2001)에 공급 세팅된 기판(21)의 기판면(칩(31) 고정면)에, 하형 외주 부재(2012)의 상면을 이형필름(100)을 개재하여(끼워) 맞닿게 한다. 그리고, 하형 베이스 플레이트(2010)를 더욱 위로 움직임으로써, 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a)를 더욱 위로 움직인다. 이때, 전술한 바와 같이 수지는 유동성 수지(41b) 상태로 해둔다. 이에 따라, 도 24에 나타낸 바와 같이, 기판(21)의 배선 패턴(22)에 돌기 전극(12)의 선단을 맞닿게 함(접촉)과 함께, 하형 캐비티(2011b) 내에서 유동성 수지(41b)에 칩(31)을 침지시키고, 또한 유동성 수지(41b)를 가압한다. 이때, 하형 캐비티 바닥면 부재(2011a)의 가압력에 의해 돌기 전극(12) 전체가 상대적으로 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 가압된다. 이 가압에 의해 도시한 바와 같이, 유동성 수지(41b)의 두께보다 높게 설계된 돌기 전극(12)은 변형부(12A)가 절곡된다. 이에 따라, 돌기 전극(12)은 판상 부재(11)의 면 방향과 수직 방향으로 수축하고, 수지 밀봉 부품의 소정의 두께를 따르게 된다. 한편, 이때, 도시한 바와 같이 탄성 부재(2012a) 및 O-링(2004a, 2004b, 2013a)이 수축하여 쿠션의 기능을 한다. 이에 따라, 전술한 바와 같이 유동성 수지(41b)를 가압하여 압축 성형한다. 그리고, 유동성 수지(41b)를 경화하여 밀봉 수지로 만든다. 이와 같이 하여, 판상 부재(11)에서의 돌기 전극(12) 고정면과 기판(21)의 배선 패턴(22) 형성면의 사이에서, 칩(31)을 상기 밀봉 수지에 의해 밀봉함과 함께, 돌기 전극(12)을 배선 패턴(22)에 접촉시킬 수 있다(수지 밀봉 공정). 유동성 수지(41b)의 경화에 필요한 소요 시간 경과 후, 실시예 2 또는 실시예 3(도 10 또는 도 16)과 동일한 순서로 상하 양형을 몰드 개방한다. 이에 따라, 하형 캐비티(2011b) 내에서, 기판(21), 칩(31), 배선 패턴(22), 수지(밀봉 수지)(41), 돌기 전극(12) 및 판상 부재(11)로 이루어지는 성형품(전자 부품)을 얻을 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, 압축 성형 장치(전자 부품의 제조 장치)의 구조는 도 21 내지 도 24의 구조에 한정되지 않으며, 예를 들면 일반적인 압축 성형 장치의 구조와 동일하거나 또는 그에 준해도 된다. 구체적으로는, 예를 들면, 일본특허공개 제2013-187340호 공보, 일본특허공개 제2005-225133호 공보, 일본특허공개 제2010-069656호 공보, 일본특허공개 제2007-125783호 공보, 일본특허공개 제2010-036542호 공보 등에 나타낸 구조와 동일하거나 또는 그에 준해도 된다.
본 발명은, 상술한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서 필요에 따라 임의로 적절히 조합, 변경 또는 선택하여 채용할 수 있는 것이다.
예를 들면, 돌기 전극 구비 판상 부재에서의 상기 돌기 전극의 형상은, 도 2 내지 도 4에 나타낸 형상에 한정되지 않으며, 어떠한 형상이어도 된다. 일례로서 전술한 바와 같이, 상기 돌기 전극 중 적어도 일부가 판 형상을 하고 있어도 된다. 그리고, 기판면 상에 있어서, 하나의 전자 부품(하나의 제품 단위)에 대응하는 필요한 범위를 상기 판상의 전극으로 구획해도 된다.
10: 돌기 전극 구비 판상 부재 11: 판상 부재
11a: 방열 핀 11b:　벽상 부재
11c: 수지 수용부 12:　돌기 전극
12a: 돌기 전극(12)의 하부 12b: 관통공
12c: 돌기 12A: 변형부
13: 홀
20: 전자 부품(수지 밀봉된 완성품의 전자 부품)
20＇: 전자 부품(수지 밀봉된 전자 부품) 21: 기판
22: 배선 패턴
31: 칩(수지 밀봉되기 전의 전자 부품)
41: 수지(밀봉 수지)
41a: 수지(액상 수지, 과립 수지 등의 수지 재료)
41b: 수지(유동성 수지) 50: 성형틀
51: 상형 52: 하형
53: 플런저 54: 포트(홀)
55: 수지 통로 56: 몰드 캐비티
57: 기판 세팅부 60: 수지 공급 수단
61: 수지 공급부 62: 하부 셔터
70: 직사각형 형상의 테두리(프레임) 100: 이형필름
101: 상형 101a: 클램퍼
102: 중간형(중간 플레이트) 102a: O-링
103: 상형의 홀(관통공) 104: 롤
107: 감압(진공) 111: 하형
111a: 하형 캐비티 바닥면 부재 111b: 하형 캐비티
111c, 111d: 공극(흡착공)
112, 113: 하형 외주 부재(하형 본체)
114, 115: 감압에 의한 흡착 116: 공기
121: 하형 122: 상형(마운터)
123: 진공 챔버 1001: 상형
1001a: 클램퍼 　1003: 상형의 홀(관통공)
1007: 감압(진공) 1011: 하형
1011a: 하형 캐비티 바닥면 부재 1011b: 하형 캐비티
1011c, 1011d: 공극(흡착공)
1012: 하형 외주 부재(하형 본체) 1012a: O-링
1014: 감압에 의한 흡착 1016: 공기
2001: 상형 2001a: 기판 세팅부
2002: 상형 베이스 플레이트 2003: 상형의 홀(관통공)
2004: 상형 외기 차단 부재 2004a, 2004b: O-링
2007: 감압(진공) 2010: 하형 베이스 플레이트
2011: 하형
2011a: 하형 캐비티 바닥면 부재 2011b: 하형 캐비티
2011c: 공극(흡착공) 2012: 하형 외주 부재
2012a: 탄성 부재 2013: 하형 외기 차단 부재
2013a: O-링 2014: 감압에 의한 흡착

Claims (40)

  1. 칩을 수지 밀봉한 전자 부품의 제조 방법으로서,
    제조되는 상기 전자 부품이 기판, 칩, 수지, 판상 부재 및 돌기 전극을 포함하고, 또한 상기 기판상에 배선 패턴이 형성된 전자 부품이며,
    상기 제조 방법은, 상기 칩을 상기 수지에 의해 밀봉하는 수지 밀봉 공정을 가지고,
    상기 수지 밀봉 공정에서, 상기 돌기 전극이 상기 판상 부재의 편면에 고정되며, 또한 상기 돌기 전극이 변형 가능한 변형부를 포함하는 돌기 전극 구비 판상 부재에서의, 상기 돌기 전극 고정면과 상기 기판의 상기 배선 패턴 형성면 사이에서, 상기 칩을 상기 수지에 의해 밀봉함과 함께 상기 돌기 전극을 상기 배선 패턴에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,　
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 번개 형상 돌기 전극이며,
    상기 번개 형상 돌기 전극은, 적어도 상기 변형부가 상기 판상 부재의 면 방향과 평행 방향에서 보아 번개 형상으로 절곡되어 있음으로써, 상기 변형부가 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축 가능한 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 관통공이 있는 돌기 전극이며,
    상기 관통공이 있는 돌기 전극에서의 상기 관통공은, 상기 판상 부재의 면 방향과 평행 방향으로 관통하는 관통공이며, 상기 관통공의 주위가 변형 가능한 상기 변형부이고, 또한
    상기 관통공이 있는 돌기 전극은, 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에, 상기 판상 부재의 판면과 수직 방향으로 돌출되는 돌기를 가지는 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 기둥 형상을 가지는 주상 돌기 전극인 제조 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이며,
    상기 칩이 복수이고,
    상기 수지 밀봉 공정에서, 상기 기판을 상기 판상 돌기 전극에 의해 복수의 영역으로 구분함과 함께 각각의 상기 영역 내에서 상기 칩을 수지 밀봉하는 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 판상 돌기 전극이 관통공 및 돌기를 가지며,
    상기 관통공은 상기 판상 돌기 전극을 상기 판상 부재의 판면과 평행 방향으로 관통하고, 상기 관통공의 주위가 변형 가능한 상기 변형부이며,
    상기 돌기는, 상기 판상 돌기 전극의 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에서 상기 판상 부재의 판면과 수직 방향으로 돌출되어 있는 제조 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 판상 부재가 방열판 또는 실드판인 제조 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수지 밀봉 공정에서 트랜스퍼 성형에 의해 상기 칩을 수지 밀봉하는 제조 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수지 밀봉 공정에서 압축 성형에 의해 상기 칩을 수지 밀봉하는 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재의 상기 돌기 전극 고정면 상에 상기 수지를 탑재하는 수지 탑재 공정과,
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 반송 공정을 더 포함하고,
    상기 몰드 캐비티 내에서, 상기 판상 부재 상에 탑재된 상기 수지에 상기 칩을 침지한 상태에서, 상기 수지를 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 및 상기 칩과 함께 압축 성형함으로써, 상기 수지 밀봉 공정을 실시하는 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 반송 공정에서, 상기 수지를 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 상에 탑재한 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 상기 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하는 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 반송 공정에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 수지가 탑재되어 있지 않은 상태에서, 상기 성형틀의 몰드 캐비티의 위치까지 반송하고,
    상기 수지 탑재 공정에 앞서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 몰드 캐비티 내에서 가열하는 가열 공정을 더 포함하고,
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 가열된 상태에서, 상기 몰드 캐비티 내에서 상기 수지 탑재 공정을 실시하는 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 반송 공정에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 돌기 전극이 고정된 면이 위를 향하도록 이형필름 상에 올려진 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내로 반송하는 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 반송 공정에서,
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 프레임이 상기 이형필름 상에 올려지며, 또한 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 프레임에 의해 둘러싸인 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재를 상기 성형틀의 몰드 캐비티 내로 반송하는 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 수지 탑재 공정에서,
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재와 함께 상기 프레임이 상기 이형필름 상에 올려지며, 또한 상기 돌기 전극 구비 판상 부재가 상기 프레임에 의해 둘러싸인 상태에서, 상기 돌기 전극 구비 판상 부재 및 상기 프레임에 의해 둘러싸인 공간 내에 상기 수지를 공급함으로써 상기 돌기 전극 고정면 상에 상기 수지를 탑재하는 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 반송 공정에 앞서 상기 수지 탑재 공정을 실시하는 제조 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 돌기 전극 구비 판상 부재에서, 상기 돌기 전극이 고정된 면의 반대쪽 면이 점착제에 의해 상기 이형필름 상에 고정되어 있는 제조 방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 판상 부재가 수지 수용부를 가지며,
    상기 수지 탑재 공정에서, 상기 수지 수용부 내에 상기 수지를 탑재하고,
    상기 수지 밀봉 공정을 상기 수지 수용부 내에 상기 수지가 탑재된 상태에서 실시하는 제조 방법.
  19. 제9항에 있어서,
    상기 수지 밀봉 공정에서,
    상기 배선 패턴 형성면에 상기 칩이 배치된 상기 기판을 상기 배선 패턴 형성면이 위를 향하도록 기판 탑재대 상에 탑재하며, 또한 상기 배선 패턴 형성면 상에 상기 수지를 탑재한 상태에서 상기 수지를 가압하는 제조 방법.
  20. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 판상 부재가 방열판이며,
    상기 방열판이 상기 돌기 전극 고정면의 반대쪽 면에 방열 핀을 가지는 제조 방법.
  21. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수지가 열가소성 수지 또는 열경화성 수지인 제조 방법.
  22. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수지가 과립상 수지, 분말상 수지, 액상 수지, 판상 수지, 시트 형상 수지, 필름 형상 수지 및 페이스트상 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 제조 방법.
  23. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수지가 투명 수지, 반투명 수지 및 불투명 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 제조 방법.
  24. 제1항 또는 제2항에 기재된 제조 방법에 이용하는 상기 돌기 전극 구비 판상 부재로서,
    상기 돌기 전극이 상기 판상 부재의 편면에 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 돌기 전극 구비 판상 부재.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 번개 형상 돌기 전극이며,
    상기 번개 형상 돌기 전극은, 적어도 상기 변형부가 상기 판상 부재의 면 방향과 평행 방향에서 보아 번개 형상으로 절곡되어 있음으로써, 상기 변형부가 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 수축 가능한, 돌기 전극 구비 판상 부재.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 판상 돌기 전극이며,
    상기 칩이 복수이고,
    상기 수지 밀봉 공정에서, 상기 기판을 상기 판상 돌기 전극에 의해 복수의 영역으로 구분함과 함께 각각의 상기 영역 내에서 상기 칩을 수지 밀봉하는, 돌기 전극 구비 판상 부재.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 판상 돌기 전극이 관통공 및 돌기를 가지며,
    상기 관통공은 상기 판상 돌기 전극을 상기 판상 부재의 판면과 평행 방향으로 관통하고, 상기 관통공의 주위가 변형 가능한 상기 변형부이며,
    상기 돌기는, 상기 판상 돌기 전극의 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에서 상기 판상 부재의 판면과 수직 방향으로 돌출되어 있는, 돌기 전극 구비 판상 부재.
  28. 제24항에 있어서,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 관통공이 있는 돌기 전극이며,
    상기 관통공이 있는 돌기 전극에서의 상기 관통공은, 상기 판상 부재의 면 방향과 평행 방향으로 관통하는 관통공이며, 상기 관통공의 주위가 변형 가능한 상기 변형부이고, 또한
    상기 관통공이 있는 돌기 전극은, 상기 판상 부재에 고정된 단부의 반대쪽 단부에, 상기 판상 부재의 판면과 수직 방향으로 돌출되는 돌기를 가지는, 돌기 전극 구비 판상 부재.
  29. 제24항에 있어서,
    상기 돌기 전극의 적어도 하나가 기둥 형상을 가지는 주상 돌기 전극인, 돌기 전극 구비 판상 부재.
  30. 제24항에 있어서,
    상기 판상 부재가 수지 수용부를 가지는, 돌기 전극 구비 판상 부재.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 판상 부재의 둘레부가 상기 판상 부재의 상기 돌기 전극 고정면측에 융기함으로써, 상기 판상 부재의 중앙부가 상기 수지 수용부를 형성하고 있는 돌기 전극 구비 판상 부재.
  32. 제24항에 있어서,
    상기 판상 부재의 일부가 절개되고, 상기 절개된 일부가 상기 판상 부재의 면 방향과 수직 방향으로 절곡되어 상기 돌기 전극을 형성하고 있는 돌기 전극 구비 판상 부재.
  33. 제24항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,
    금속 플레이트에 의해 형성된 상기 판상 부재의 에칭에 의해 상기 돌기 전극을 형성하는 공정을 포함하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.
  34. 제24항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,
    금속 플레이트에 의해 형성된 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 접합하는 공정을 포함하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.
  35. 제24항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,
    전기 주조에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정을 포함하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.
  36. 제24항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,
    도전성 수지에 의해 상기 판상 부재와 상기 돌기 전극을 동시에 성형하는 공정을 포함하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.
  37. 제24항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,
    도전성 수지로 형성된 상기 판상 부재에 상기 돌기 전극을 접합하는 공정을 포함하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.
  38. 제24항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,
    상기 판상 부재가 수지 플레이트로 형성되고,
    상기 판상 부재 및 상기 돌기 전극에 도전성 도막을 입히는 공정을 포함하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.
  39. 제24항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법으로서,　
    상기 판상 부재가 금속 플레이트로 형성되고,
    상기 금속 플레이트의 일부를 절개하고, 절곡하여 상기 돌기 전극을 형성하는 공정을 포함하는 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법.
  40. 칩을 수지 밀봉한 전자 부품으로서,
    상기 전자 부품은 기판, 칩, 수지, 및 제24항에 기재된 돌기 전극 구비 판상 부재를 포함하고,
    상기 칩은 상기 기판상에 배치됨과 함께 상기 수지에 의해 밀봉되어 있으며,
    상기 기판상의 상기 칩 배치 측에 배선 패턴이 형성되고,
    상기 돌기 전극은 상기 수지를 관통하여 상기 배선 패턴에 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
KR1020150065464A 2014-07-18 2015-05-11 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 전자 부품 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법 KR101747832B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-148144 2014-07-18
JP2014148144A JP5944445B2 (ja) 2014-07-18 2014-07-18 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、樹脂封止電子部品、及び突起電極付き板状部材の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160010298A true KR20160010298A (ko) 2016-01-27
KR101747832B1 KR101747832B1 (ko) 2017-06-27

Family

ID=55075213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150065464A KR101747832B1 (ko) 2014-07-18 2015-05-11 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 전자 부품 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9580827B2 (ko)
JP (1) JP5944445B2 (ko)
KR (1) KR101747832B1 (ko)
CN (1) CN105280507B (ko)
TW (1) TWI573200B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170092096A (ko) * 2016-02-02 2017-08-10 토와 가부시기가이샤 전자 부품의 제조 장치 및 제조 방법 및 전자 부품

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9161448B2 (en) 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
JP6453437B2 (ja) 2014-07-20 2019-01-16 エックス−セレプリント リミテッドＸ−Ｃｅｌｅｐｒｉｎｔ Ｌｉｍｉｔｅｄ マイクロ転写印刷のための装置および方法
JP6400446B2 (ja) * 2014-11-28 2018-10-03 Ｔｏｗａ株式会社 突起電極付き板状部材の製造方法、突起電極付き板状部材、電子部品の製造方法、及び電子部品
US10032725B2 (en) * 2015-02-26 2018-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US10468363B2 (en) 2015-08-10 2019-11-05 X-Celeprint Limited Chiplets with connection posts
CN107086204B (zh) * 2016-02-16 2019-08-13 华邦电子股份有限公司 电子元件封装体及其制造方法
US10103069B2 (en) 2016-04-01 2018-10-16 X-Celeprint Limited Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing
WO2017176521A1 (en) * 2016-04-04 2017-10-12 Commscope Technologies Llc Systems and methods for thermal management for high power density emi shielded electronic devices
US10222698B2 (en) 2016-07-28 2019-03-05 X-Celeprint Limited Chiplets with wicking posts
US11064609B2 (en) 2016-08-04 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Printable 3D electronic structure
TWI603456B (zh) * 2016-09-30 2017-10-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝結構及其製法
US10923435B2 (en) 2018-11-28 2021-02-16 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and improved heat-dissipation performance
US20200168557A1 (en) * 2018-11-28 2020-05-28 Chung-Che Tsai Semiconductor package and fabrication method thereof
US11211340B2 (en) 2018-11-28 2021-12-28 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and active electro-magnetic compatibility shielding
TWI744572B (zh) 2018-11-28 2021-11-01 蔡憲聰 具有封裝內隔室屏蔽的半導體封裝及其製作方法
US10896880B2 (en) 2018-11-28 2021-01-19 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and fabrication method thereof
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
USD956833S1 (en) * 2019-10-31 2022-07-05 Towa Corporation Plunger unit
US11062936B1 (en) 2019-12-19 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Transfer stamps with multiple separate pedestals
GB2608383B (en) * 2021-06-29 2023-12-20 Edwards Ltd Vacuum pump cooler for cooling a pumped fluid in a multistage vacuum pump

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007287937A (ja) 2006-04-17 2007-11-01 Kyocera Chemical Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2012015216A (ja) 2010-06-29 2012-01-19 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2013187340A (ja) 2012-03-07 2013-09-19 Towa Corp 樹脂封止電子部品の製造方法及び樹脂封止電子部品の製造装置

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3241509A1 (de) * 1982-11-10 1984-05-10 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungstransistor-modul
US6784541B2 (en) 2000-01-27 2004-08-31 Hitachi, Ltd. Semiconductor module and mounting method for same
JP4078033B2 (ja) 1999-03-26 2008-04-23 株式会社ルネサステクノロジ 半導体モジュールの実装方法
US6680015B2 (en) 2000-02-01 2004-01-20 Cool Options, Inc. Method of manufacturing a heat sink assembly with overmolded carbon matrix
US6580167B1 (en) * 2001-04-20 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Heat spreader with spring IC package
JP2003174124A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Sainekkusu:Kk 半導体装置の外部電極形成方法
JP2006501677A (ja) * 2002-09-30 2006-01-12 アドバンスド インターコネクト テクノロジーズ リミテッド ブロック成形集成体用の耐熱強化パッケージ
US6775140B2 (en) * 2002-10-21 2004-08-10 St Assembly Test Services Ltd. Heat spreaders, heat spreader packages, and fabrication methods for use with flip chip semiconductor devices
JP4326786B2 (ja) * 2002-11-26 2009-09-09 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止装置
TWI220467B (en) 2003-01-21 2004-08-21 Jau-Ming Chen High efficiency heat dissipation sheet and manufacturing method of the same
JP4373237B2 (ja) 2004-02-13 2009-11-25 Ｔｏｗａ株式会社 半導体チップの樹脂封止成形方法および樹脂封止成形用金型
US7235877B2 (en) 2004-09-23 2007-06-26 International Rectifier Corporation Redistributed solder pads using etched lead frame
JP2006287101A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Toyota Motor Corp パワーモジュール、及び、その製造方法
JP4953619B2 (ja) 2005-11-04 2012-06-13 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂封止成形装置
WO2007069606A1 (ja) * 2005-12-14 2007-06-21 Shinko Electric Industries Co., Ltd. チップ内蔵基板およびチップ内蔵基板の製造方法
US8395254B2 (en) * 2006-03-30 2013-03-12 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with heatspreader
JP2008277325A (ja) 2007-04-25 2008-11-13 Canon Inc 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2009123863A (ja) 2007-11-14 2009-06-04 Tessera Interconnect Materials Inc バンプ構造形成方法及びバンプ構造
JP2009140962A (ja) 2007-12-03 2009-06-25 Panasonic Corp 半導体装置およびその製造方法
US8390117B2 (en) 2007-12-11 2013-03-05 Panasonic Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4825784B2 (ja) 2007-12-13 2011-11-30 新光電気工業株式会社 半導体装置用パッケージおよびその製造方法
US8178956B2 (en) * 2007-12-13 2012-05-15 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system for shielding electromagnetic interference
JP5153509B2 (ja) 2008-08-08 2013-02-27 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の圧縮成形方法及び金型装置
JP5153536B2 (ja) 2008-09-17 2013-02-27 Ｔｏｗａ株式会社 半導体チップの圧縮成形用金型
JP4634497B2 (ja) 2008-11-25 2011-02-16 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
US8513062B2 (en) 2010-02-16 2013-08-20 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing a semiconductor device with a carrier having a cavity and semiconductor device
US8012799B1 (en) * 2010-06-08 2011-09-06 Freescale Semiconductor, Inc. Method of assembling semiconductor device with heat spreader
JP5840377B2 (ja) 2011-04-14 2016-01-06 日東電工株式会社 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法
TWI434629B (zh) 2011-08-19 2014-04-11 Unimicron Technology Corp 半導體封裝結構及其製法
JP5831057B2 (ja) * 2011-09-07 2015-12-09 株式会社村田製作所 モジュールの製造方法
CN102364683A (zh) 2011-10-21 2012-02-29 华为终端有限公司 封装结构、方法、及电子设备
US8937376B2 (en) 2012-04-16 2015-01-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packages with heat dissipation structures and related methods
JP5950684B2 (ja) * 2012-05-14 2016-07-13 三菱電機株式会社 半導体装置
US20130337614A1 (en) 2012-06-14 2013-12-19 Infineon Technologies Ag Methods for manufacturing a chip package, a method for manufacturing a wafer level package, and a compression apparatus
JP6224960B2 (ja) 2012-09-27 2017-11-01 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 放熱板およびその製造方法
JP6016611B2 (ja) * 2012-12-20 2016-10-26 三菱電機株式会社 半導体モジュール、その製造方法およびその接続方法
US9337073B2 (en) 2013-03-12 2016-05-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 3D shielding case and methods for forming the same
US9257341B2 (en) 2013-07-02 2016-02-09 Texas Instruments Incorporated Method and structure of packaging semiconductor devices
US9450547B2 (en) 2013-12-12 2016-09-20 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor package having an isolation wall to reduce electromagnetic coupling

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007287937A (ja) 2006-04-17 2007-11-01 Kyocera Chemical Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2012015216A (ja) 2010-06-29 2012-01-19 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2013187340A (ja) 2012-03-07 2013-09-19 Towa Corp 樹脂封止電子部品の製造方法及び樹脂封止電子部品の製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170092096A (ko) * 2016-02-02 2017-08-10 토와 가부시기가이샤 전자 부품의 제조 장치 및 제조 방법 및 전자 부품

Also Published As

Publication number Publication date
KR101747832B1 (ko) 2017-06-27
JP2016025207A (ja) 2016-02-08
TWI573200B (zh) 2017-03-01
TW201604973A (zh) 2016-02-01
CN105280507A (zh) 2016-01-27
JP5944445B2 (ja) 2016-07-05
US9580827B2 (en) 2017-02-28
US20160020187A1 (en) 2016-01-21
CN105280507B (zh) 2018-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101747832B1 (ko) 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 전자 부품 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법
KR101703184B1 (ko) 수지 밀봉 전자 부품의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 수지 밀봉 전자 부품, 및 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법
CN108010902B (zh) 电路部件、电路部件的制造方法以及电路部件的制造装置
KR102010680B1 (ko) 수지 성형 장치 및 수지 성형 방법
KR101779250B1 (ko) 시트 모양 수지체, 수지 성형 장치, 수지 성형 방법 및 성형 제품의 제조 방법
CN108688050B (zh) 成型模、树脂成型装置、树脂成型方法及树脂成型品的制造方法
KR20160106614A (ko) 수지 몰드 금형 및 수지 몰드 방법
KR20160064958A (ko) 돌기 전극 구비 판상 부재의 제조 방법, 돌기 전극 구비 판상 부재, 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품
TW201818482A (zh) 樹脂封裝裝置及樹脂封裝方法
KR20160133468A (ko) 수지 몰드 방법 및 수지 몰드 금형
JP2004090580A (ja) 樹脂モールド金型および樹脂モールド装置
JP6861506B2 (ja) 圧縮成形装置、圧縮成形方法、及び圧縮成形品の製造方法
JP6404734B2 (ja) 樹脂成形方法、樹脂成形金型、および成形品の製造方法
JP6861507B2 (ja) 圧縮成形装置、圧縮成形方法、及び圧縮成形品の製造方法
US20220063151A1 (en) Resin leakage prevention member, resin leakage prevention member supply mechanism, resin molding apparatus, and method for producing resin molded product

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant