KR20150111326A - 개선된 선택도를 갖는 2단계 디포지션 - Google Patents

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KR20150111326A
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    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers

Abstract

적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법이 제공된다. 적어도 하나의 구리 함유층 상에 촉매적 활성 금속의 시일 층 (sealing layer) 을 선택적으로 디포지션 (deposit) 함으로써 적어도 하나의 구리 함유층의 표면들이 시일된다. 시일 층 상에 무전해 디포지션을 제공하기 위해 적어도 하나의 구리 함유층보다 촉매적 활성 금속에 더 반응성인 무전해 디포지션 욕에 시일 층이 노출된다.

Description

개선된 선택도를 갖는 2단계 디포지션{TWO-STEP DEPOSITION WITH IMPROVED SELECTIVITY}
본 발명은 반도체 웨이퍼 상에 반도체 디바이스들을 형성하는 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 low-k 유전체 층들 내에 금속 상호접속부를 형성하는 것에 관한 것이다.
반도체 디바이스 형성시, 도전성 금속 상호접속부들은 low-k 유전층들 내에 배치된다. 이는 low-k 유전층 내로 에칭된 피처들 내에 구리 또는 구리 합금을 디포지션함으로써 이루어질 수도 있다. 디포지션된 구리는 전착 (electrodeposition) 에 의해 또는 무전해 디포지션에 의해 디포지션될 수도 있다.
상술한 바를 달성하기 위해 그리고 본 발명의 목적에 따라, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법이 제공된다. 적어도 하나의 구리 함유층 상에 촉매적 활성 금속 (catalytically active metal) 의 시일 층 (sealing layer) 을 선택적으로 디포지션 (deposit) 함으로써 적어도 하나의 구리 함유층의 표면들이 시일된다. 시일 층 상에 무전해 디포지션을 제공하기 위해 적어도 하나의 구리 함유층보다 촉매적 활성 금속에 더 반응성인 무전해 디포지션 욕에 시일 층이 노출된다.
본 발명의 다른 현상에서, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법이 제공된다. 적어도 하나의 구리 함유층 상에 촉매적 활성 금속의 시일 층을 선택적으로 디포지션함으로써 상기 적어도 하나의 구리 함유층의 표면들을 시일하는 단계로서, 시일 욕에 상기 적어도 하나의 구리 함유층을 노출하는 단계를 포함하고, 상기 시일 욕은 보란 (borane) 함유 성분을 포함하고 상기 촉매적 활성 금속의 무전해 디포지션을 제공한다. 상기 시일 층은 인 함유 성분을 포함하는 무보란 무전해 디포지션 욕에 노출되고, 상기 무전해 디포지션 욕은 상기 시일 층 상에 무전해 디포지션을 제공하기 위해 상기 적어도 하나의 구리 함유층보다 상기 촉매적 활성 금속에 더 반응성이고, 상기 시일 욕은 상기 무전해 디포지션 욕보다 구리에 더 반응성이다.
본 발명의 다른 현상에서, 보란 함유 성분; Co, Ni, 및 Pd 중 적어도 하나의 이온을 포함하는 금속 함유 시약; 시트르산 모노수화물 (citric acid monohydrate); 및 붕산을 포함하는, 구리 층을 시일하기 위한 시일 욕이 제공된다.
본 발명의 이들 및 다른 특징들은 이하의 도면들과 함께 본 발명의 상세한 설명으로 이하에 보다 상세히 기술될 것이다.
본 발명은 제한이 아닌 예로서, 유사한 참조 번호가 유사한 엘리먼트들을 참조하는, 첨부된 도면들에 예시된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 흐름도이다.
도 2a 내지 도 2c는 발명의 프로세스를 사용하는 구조체의 형성의 개략도이다.
본 발명은 이제 첨부된 도면들에 예시된 바와 같이, 몇몇 바람직한 실시예들을 참조하여 상세히 기술될 것이다. 이하의 기술에서, 본 발명의 전체적인 이해를 제공하기 위해 다수의 구체적인 상세들이 언급된다. 그러나, 본 발명은 이들 구체적인 상세들 일부 또는 전부가 없이도 실시될 수도 있다는 것이 당업자에게 이해될 것이다. 다른 예들에서, 공지의 프로세스 동작들 및/또는 구조들은 본 발명들을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 기술되지 않았다.
에칭된 피처부들을 충진하기 위한 구리의 무전해 도금은 구리의 전기도금보다 장점들을 갖는다. 무전해 도금은 보다 박형의 시드층 상에 금속을 디포지션할 수 있고 박형 시드층 요건때문에 저항성 전위 강하를 겪지 않는다. 무전해 도금은 보다 큰 웨이퍼 직경들로 용이하게 스케일링될 수 있다. 부가적으로, 무전해 도금은 웨이퍼의 전체 면 상에 도금이 가능하게 하고, 코발트 (Co), 루테늄 (Ru), 및 구리 (Cu) 라이너뿐만 아니라, 라이너들로 하여금 물리적 기상 디포지션 (PVD), 화학적 기상 디포지션 (CVD), 및 원자층 디포지션 (ALD) 에 의해 디포지션되게 하는 작업가능한 라이너 재료들에 보다 많은 융통성을 제공한다.
산업이 보다 박형의 피처부들 및 보다 박형의 라이너/시드/배리어로 이동함에 따라, 무전해 도금에 의해 제공된 장점들은 보다 매력적이다. 그러나, 무전해 도금은 전기도금과 비교하여, 구리 위에 무전해 도금 동안 구리가 욕 내에 용해되면 디펙트들의 증가 가능성과 같은 단점을 갖는다.
도 1은 본 발명의 실시예의 고레벨 흐름도이다. 이 실시예에서, 적어도 하나의 구리 함유층을 갖는 피처부가 스택의 층 내에 제공된다 (단계 104). 구리 함유층이 시일된다 (단계 108). 린스가 제공된다 (단계 112). 시일된 구리 함유층들이 촉매적 활성 무전해 디포지션 욕에 노출된다 (단계 116).
본 발명의 바람직한 실시예에서, 적어도 하나의 구리 함유층을 갖는 피처부들이 유전체층 내에 제공된다 (단계 104). 도 2a는 적어도 하나의 구리 함유층 (220) 으로 충진된 피처부들을 갖는 유전체 층 (208) 을 갖는 기판 (204) 을 갖는 스택 (200) 의 개략 단면도이다. 본 예에서, 구리 함유층 (220) 은 구리 또는 구리 합금 콘택트이다. 본 예에서, 하나 이상의 층들 (216) 이 기판 (204) 과 유전체 층 (208) 사이에 배치된다. 본 예에서, 배리어층 (212) 및 시드층 (216) 이 구리 함유층 (220) 과 유전체 층 (208) 사이에 배치된다. 바람직하게, 유전체 층 (208) 은 4.0보다 작은 k 값을 갖는, low-k 유전체 층이다. 본 실시예에서, 유전체 층 (208) 은 유기실리케이트 유리 (OSG: organosilicate glass) 이다.
적어도 하나의 구리 함유층이 시일된다 (단계 108). 본 실시예에서, 무산소 환경에서 무전해 디포지션이 적어도 하나의 구리 함유층 위에 촉매적 활성 금속층을 디포지션함으로써 적어도 하나의 구리 함유층 (220) 을 시일하기 위해 사용된다. 시일 층의 무전해 디포지션을 위한 욕의 예는 본질적으로 테트라메틸암모늄 하이드로옥사이드 (tetramethylammonium hydroxide) 에 의해 조정된 pH 9로, 40-50 mM의 황산 코발트 7수화물 (cobalt sulfate heptahydrate), 140-160 mM의 시트르산 모노수화물, 75-150 mM의 붕산, 25-40 mM의 디메틸아민 보란 (dimethylamine borane) 으로 구성된다. 보다 일반적으로, 욕은 보란 함유 시약 및 촉매적 활성 금속 이온을 갖는다. 보란은 욕이 구리에 더 많이 반응성이 되게 한다. 바람직하게, 촉매적 활성 금속 이온은 Co, Ni, 및 Pd 중 하나이다. 바람직하게, 시일의 두께는 10 Å 내지 100 Å이다. 보다 바람직하게, 시일 층은 10 Å 내지 70 Å의 두께를 갖는다. 도 2b는 적어도 하나의 구리 함유층 (220) 위에 시일 층 (224) 이 디포지션된 후 스택 (200) 의 개략 단면도이다. 시일 층 (224) 은 디포지션 시간을 최소화하기 위해 박형으로 유지된다. 이러한 촉매적 활성 금속 디포지션은 구리 중 일부를 용해하고, 이는 재디포지션될 수 있어서 디펙트들을 야기한다. 짧은 디포지션 시간을 제공함으로써, 디펙트들이 최소화된다. 구리가 디포지션 프로세스 동안 용액에 용해되기 때문에, 용액은 디펙트들을 감소시키기 위해 주기적으로 폐기된다. 일 예에서, 용액은 각각의 웨이퍼 후에 폐기된다.
다른 예들에서, 원자층 디포지션 (ALD) 또는 화학적 기상 디포지션 (CVD) 이 구리 함유층을 시일하기 위해 사용된다. 이러한 디포지션은 구리 함유층의 표면 위에 Co, Ni, 및 Pd와 같은, 촉매적 활성 금속층을 디포지션할 것이다.
스택 (200) 이 린스된다 (단계 112). 린스는 탈이온수 (DI) 린스일 수도 있다. 일부 예들에서, 린스는 제공되지 않는다. 린스는 재디포지션되고 디펙트들의 원인이 될 수도 있는, 용해된 구리 이온들/입자들 또는 균질 형성된 금속 입자들을 제거한다.
스택 (200) 이 적어도 하나의 구리 함유층 (220) 보다 촉매적 활성 금속에 더 반응성인 무전해 디포지션 욕에 노출된다. 이러한 무전해 디포지션의 예는 본질적으로 테트라메틸암모늄 하이드로옥사이드에 의해 조정된 pH 9로, 40-50 mM의 황산 코발트 7수화물, 140-160 mM의 시트르산 모노수화물, 75-150 mM의 붕산, 100-200 mM의 하이포아인산암모늄 (ammonium hypophosphite) 으로 구성된 욕을 제공한다. 보다 일반적으로, 욕은 하이포아인산염 (hypophosphite) 과 같은 인 함유 환원제 및 촉매적 활성 금속 이온을 갖는다. 하이포아인산염을 사용하여, 욕은 구리 상에 도금하지 않지만, Co, Ni, 또는 Pd 상에 도금할 것이다. 바람직하게, 디포지션된 촉매적 활성 금속층은 100 Å보다 두껍다. 적어도 하나의 구리 함유층 (220) 이 시일되기 때문에, 구리는 디포지션 용액 내로 용해되지 않고, 관련된 디펙트들이 감소된다. 보다 적은 디펙트들이 존재하기 때문에, 스택 (200) 은 보다 두꺼운 디포지션층을 제공하기 위해 보다 긴 시간 기간 동안 무전해 디포지션 욕을 겪는다. 도 2c는 촉매적 활성 금속 층 (228) 이 적어도 하나의 구리 함유층 (220) 및 디포지션된 시일 층 (224) 위에 디포지션된 후 스택 (200) 의 개략 단면도이다.
본 발명의 예에서, 적어도 하나의 구리 함유층은 순수 구리이다. 본 실시예에서, 적어도 하나의 구리 함유층은 구리 콘택트들을 형성한다. 다른 예들에서, 적어도 하나의 구리 함유층은 웨이퍼의 표면 위의 층일 수도 있다.
본 발명의 일부 실시예들은 구리 콘택트들 위에 산화 구리의 형성을 방지하는 시일을 제공한다. 본 발명의 실시예는 작은 피처부들이 감소된 디펙트들로 커버되도록 무전해 디포지션을 제공한다.
본 발명이 몇몇 바람직한 실시예들로 기술되었지만, 본 발명의 범위 내에 속하는, 대안들, 치환들, 및 다양한 대체 등가물들이 존재한다. 본 발명의 방법들 및 장치들을 구현하는 많은 대안적인 방식들이 존재한다는 것을 또한 주의해야 한다. 따라서, 이하의 첨부된 청구항들은 본 발명의 진정한 정신 및 범위 내에 속하는, 모든 이러한 대안들, 치환들, 및 다양한 대체 등가물들을 포함하는 것으로 해석되도록 의도되었다.

Claims (19)

  1. 적어도 하나의 구리 함유층 상에 촉매적 활성 금속 (catalytically active metal) 의 시일 층 (sealing layer) 을 선택적으로 디포지션 (deposit) 함으로써 상기 적어도 하나의 구리 함유층의 표면들을 시일하는 단계;
    상기 시일 층 상에 무전해 디포지션을 제공하기 위해 상기 적어도 하나의 구리 함유층보다 상기 촉매적 활성 금속에 더 반응성인 무전해 디포지션 욕에 상기 시일 층을 노출시키는 단계를 포함하는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 구리 함유층의 표면들을 시일하는 단계는,
    원자층 디포지션, 화학적 기상 디포지션 또는 무전해 디포지션 중 적어도 하나를 포함하는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 구리 함유층의 표면들을 시일하는 단계는,
    촉매적 활성 금속의 무전해 디포지션을 제공하는 시일 욕에 상기 적어도 하나의 구리 함유층을 노출시키는 단계를 포함하고,
    상기 시일 욕은 상기 무전해 디포지션 욕보다 구리에 더 반응성인, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 시일 욕은 보란 (borane) 함유 성분을 포함하는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 무전해 디포지션은 보란을 포함하지 않고 인 함유 성분을 포함하는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 시일 층은 Co, Ni, 및 Pd 중 적어도 하나를 포함하는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 시일 층은 10 Å 내지 100 Å의 두께를 갖는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 시일 층을 상기 무전해 디포지션 욕에 노출하기 전에 상기 시일 층을 린싱하는 단계를 포함하는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 시일은 산소를 포함하지 않는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 무전해 디포지션은 Co, Ni, 및 Pd 중 적어도 하나를 디포지션하는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  11. 제 4 항에 있어서,
    상기 시일 층은 Co, Ni, 및 Pd 중 적어도 하나를 포함하는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  12. 제 4 항에 있어서,
    상기 시일 층은 10 Å 내지 100 Å의 두께를 갖는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  13. 제 4 항에 있어서,
    상기 시일 층을 상기 무전해 디포지션 욕에 노출하기 전에 상기 시일 층을 린싱하는 단계를 포함하는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  14. 제 4 항에 있어서,
    상기 시일은 산소를 포함하지 않는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  15. 제 4 항에 있어서,
    상기 무전해 디포지션은 Co, Ni, 및 Pd 중 적어도 하나를 디포지션하는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 시일 층은 Co, Ni, 및 Pd 중 적어도 하나를 포함하는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 시일 층은 10 Å 내지 100 Å의 두께를 갖는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  18. 적어도 하나의 구리 함유층 상에 촉매적 활성 금속의 시일 층을 선택적으로 디포지션함으로써 상기 적어도 하나의 구리 함유층의 표면들을 시일하는 단계로서, 시일 욕에 상기 적어도 하나의 구리 함유층을 노출하는 단계를 포함하고, 상기 시일 욕은 보란 함유 성분을 포함하고 상기 촉매적 활성 금속의 무전해 디포지션을 제공하는, 상기 적어도 하나의 구리 함유층의 표면들을 시일하는 단계; 및
    상기 시일 층을 인 함유 성분을 포함하는 무보란 무전해 디포지션 욕에 노출하는 단계로서, 상기 무전해 디포지션 욕은 상기 시일 층 상에 무전해 디포지션을 제공하기 위해 상기 적어도 하나의 구리 함유층보다 상기 촉매적 활성 금속에 더 반응성이고, 상기 시일 욕은 상기 무전해 디포지션 욕보다 구리에 더 반응성인, 상기 노출하는 단계를 포함하는, 적어도 하나의 구리 함유층 위에 무전해 도금을 제공하기 위한 방법.
  19. 보란 함유 성분;
    Co, Ni, 및 Pd 중 적어도 하나의 이온을 포함하는 금속 함유 시약;
    시트르산 모노수화물 (citric acid monohydrate); 및
    붕산을 포함하는, 구리 층을 시일하기 위한 시일 욕.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070022869A (ko) * 2004-06-14 2007-02-27 엔쏜 인코포레이티드 집적회로 전자장치에서 금속 상호연결부의 캐핑
KR20070038874A (ko) * 2005-10-06 2007-04-11 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 금속 시드 층의 제조 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6905622B2 (en) * 2002-04-03 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Electroless deposition method
JP2004031586A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US7972652B2 (en) 2005-10-14 2011-07-05 Lam Research Corporation Electroless plating system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070022869A (ko) * 2004-06-14 2007-02-27 엔쏜 인코포레이티드 집적회로 전자장치에서 금속 상호연결부의 캐핑
KR20070038874A (ko) * 2005-10-06 2007-04-11 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 금속 시드 층의 제조 방법

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