KR20150099546A - 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트 유형 경화성 실리콘 조성물 - Google Patents

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마코토 요시타케
하루나 야마자키
마사아키 아마코
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Abstract

본 발명은 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트가능한 경화성 실리콘 조성물, 및 상기 조성물을 포함하는 적어도 하나의 층이 제공된 라미네이트뿐만 아니라, 이를 사용하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 반-회전타원체 렌즈-형상 또는 돔-형상 시일이 제공된 반도체 장치를 효율적으로 제조할 수 있다. 본 발명에서는, 시일의 형상을 제어하는 것이 용이하며, 시일은 어떠한 기포도 함유하지 않는다. 본 발명에서는, 시일 이외에 반도체 장치의 코팅 층의 두께를 제어하는 것이 또한 용이하다.

Description

압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트 유형 경화성 실리콘 조성물{HOT-MELT TYPE CURABLE SILICONE COMPOSITION FOR COMPRESSION MOLDING OR LAMINATING}
우선권 주장
본 출원은 2012년 12월 21일자로 출원된 미국 가특허 출원 제61/740,765호에 대한 우선권 이득을 주장하며, 이의 개시 내용은 본 명세서에 전체적으로 참고로 포함된다.
본 발명은 압축 성형(compression molding) 또는 라미네이팅(laminating)을 위한 핫-멜트가능한(hot-meltable) 경화성 실리콘 조성물, 및 상기 조성물을 포함하는 적어도 하나의 층이 제공된 라미네이트(laminate)뿐만 아니라, 이를 사용하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 밀봉하는 데 사용되는 성형 방법의 예에는 트랜스퍼 성형(transfer molding) 및 압축 성형이 포함된다. 트랜스퍼 성형은 밀봉 수지-유발 와이어 변위, 와이어 변형, 충전 결함 등의 문제를 갖는다. 한편, 압축 성형은, 액체 밀봉 수지가 주형 내로 유동할 때, 밀봉 수지가 기포를 포함한다는 문제를 갖는다. 추가로, 반도체 소자의 코팅 층의 두께가 주형 내로 유동하는 액체 밀봉 수지의 양에 따라 달라지기 때문에, 유동하여 들어오는 수지의 양의 정밀한 제어와 밀봉 수지의 점도 사이의 균형을 제어하는 것이 필요하다. 그러나, 그러한 균형을 제어하는 것은 어렵다.
이어서, 일본 특허 출원 공개 제2011-258634A호는, 밀봉 수지 층 및 인광체(phosphor)-함유 층이 제공된 라미네이팅된 광반도체 밀봉 시트(sheet)를 사용하여 압축 성형을 통해 밀봉된 조각을 얻는 것을 개시한다. 그러나, 밀봉 수지 층 및 인광체-함유 층 각각은, 실리콘 탄성중합체 및 개질된 실리콘 수지를 유기 용매에 용해시켜 얻어진 용액을 건조함으로써 얻어지며, 핫-멜트가능한 하이드로실릴화 반응-가교결합성 실리콘 조성물을 포함하지 않는다. 따라서, 시일(seal)의 형상을 제어하기가 어렵다.
일본 특허 출원 공개 제2007-123915A호는 인광체-함유 실리콘의 인광체 시트를 사용하여 LED를 라미네이팅하는 것을 개시하지만, 핫-멜트가능한 하이드로실릴화 반응-가교결합성 실리콘 조성물은 사용되지 않으며, 반-회전타원체 렌즈(hemi-spheroidal lens)-형상 또는 돔-형상 시일을 얻기가 어렵다.
본 발명은 종래 기술의 전술한 문제점들을 고려하여 고안되었다. 본 발명의 목적은, 반-회전타원체 렌즈-형상 또는 돔-형상 시일이 제공된 반도체 장치를 효율적으로 제조할 수 있으며, 시일 형상을 용이하게 제어할 수 있고, 시일 내의 기포를 피할 수 있으며, 시일 이외에 반도체 장치의 코팅 층의 두께를 용이하게 제어할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
상기에 기재된 목적을 성취하는 데 전념한 연구의 결과로서, 본 발명자들은, 핫-멜트가능한 경화성 실리콘 조성물을 압축 성형 또는 라미네이팅에 사용함으로써 반-회전타원체 렌즈-형상 또는 돔-형상 시일을 효율적으로 제조할 수 있고, 시일의 형상을 용이하게 제어할 수 있고, 시일 내의 기포를 피할 수 있으며, 시일 이외에 반도체 장치의 코팅 층의 두께를 용이하게 제어할 수 있음을 알아내어서, 본 발명에 이르렀다. 본 발명자들은 또한, 본 발명의 조성물을 층으로 형성하고, 압축 성형 또는 라미네이팅을 통해 가공함으로써, 라미네이팅된 구조를 갖는 시일을 포함하는 반도체 장치를 효율적으로 제조할 수 있음을 알아내었다. 구체적으로, 본 발명의 목적은 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트 유형 경화성 실리콘 조성물을 통해 달성된다.
본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트 유형 경화성 실리콘 조성물은 바람직하게는 필름 또는 시트의 형태이다.
본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트 유형 경화성 실리콘 조성물은 바람직하게는 반도체 장치를 밀봉하는 데 사용하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트 유형 경화성 실리콘 조성물은 바람직하게는
(1) 미반응 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물;
(2) 미반응 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물을 부분적으로 가교결합하여 얻어지는 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물; 및
(3) 미반응 하이드로실릴화 반응성 실리콘 조성물을 가교결합하여 얻어지는, 규소 원자-결합된 수소 원자 및/또는 알케닐 기를 갖는 가교결합 생성물; 및 적어도 하나의 유형의 하이드로실릴화 반응성 성분을 포함하는 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
미반응 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 (1)은 바람직하게는
(A) 25℃에서 고체이며 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산;
(B) 한 분자 내에 적어도 2개의 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산으로서, 성분 (A) 중 알케닐 기의 총 몰에 대한 규소 원자-결합된 수소 원자의 총 몰의 비가 0.2 내지 4의 범위가 되도록 하는 양의, 상기 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산; 및
(C) 하이드로실릴화 반응을 달성하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매를 포함한다.
성분 (A)는
(A-1) 25℃에서 고체이며 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 분지형 유기폴리실록산 60 내지 100 질량%와;
(A-2) 25℃에서 액체이며 한 분자 내에 평균 적어도 2개의 알케닐 기를 갖는 직쇄형 또는 부분 분지형 유기폴리실록산 0 내지 40 질량%의 혼합물일 수 있다.
미반응 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물을 부분적으로 가교결합하여 얻어지는 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 (2)는 바람직하게는,
(D) 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산;
(E) 한 분자 내에 적어도 2개의 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산으로서, 성분 (D) 중 알케닐 기의 총 몰 농도에 대한 규소 원자-결합된 수소 원자의 총 몰 농도의 비가 0.2 내지 4의 범위가 되도록 하는 양의, 상기 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산; 및
(F) 하이드로실릴화 반응을 달성하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매를 포함하는 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물의 50 내지 95% 전환율에서 하이드로실릴화 반응을 중지하여 얻어진다.
성분 (D)는
(D-1) 하기 평균 단위식:
(R1 3SiO1/2)a (R1 2SiO2/2)b (R1SiO3/2)c (SiO4/2)d (R2O1/2)e
(상기 식에서, R1은 페닐 기, 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬 기 또는 사이클로알킬 기, 또는 탄소 원자수 2 내지 6의 알케닐 기이되, 단, 60 내지 80 몰%의 R1은 페닐 기이고 10 내지 20 몰%의 R1은 알케닐 기이고; R2는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬 기이고; "a", "b", "c", "d", 및 "e"는 0 ≤ a ≤ 0.2, 0.2 ≤ b ≤ 0.7, 0.2 ≤ c ≤ 0.6, 0 ≤ d ≤ 0.2, 0 ≤ e ≤ 0.1, 및 a+b+c+d = 1을 충족시키는 수임)으로 표시되는 유기폴리실록산과;
(D-2) 하기 일반식:
R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
(상기 식에서, R3은 페닐 기, 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬 기 또는 사이클로알킬 기, 또는 탄소 원자수 2 내지 6의 알케닐 기이되, 단, 40 내지 70 몰%의 R3은 페닐 기이고 적어도 하나의 R3은 알케닐 기이고; "m"은 5 내지 100의 정수임)으로 표시되는 유기폴리실록산으로서, 성분 (D-1) 100 중량부당 0 내지 20 중량부가 되는 양의, 상기 유기폴리실록산의 혼합물일 수 있다.
하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 (3)은 바람직하게는
(G)
(G-1) 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산;
(G-2) 한 분자 내에 적어도 2개의 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산으로서, 성분 (G-1) 중 알케닐 기의 총 몰 농도에 대한 규소 원자-결합된 수소 원자의 총 몰 농도의 비가 0.3 내지 0.9의 범위인, 상기 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산; 및
(G-3) 하이드로실릴화 반응을 달성하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매를 포함하는 미반응 하이드로실릴화 반응성 실리콘 조성물의 하이드로실릴화 반응에 의해 얻어지는 알케닐 기-함유 가교결합 생성물;
및
(H) 한 분자 내에 적어도 2개의 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산으로서, 가교결합 생성물 중 알케닐 기의 총 몰 농도에 대한 규소 원자-결합된 수소 원자의 총 몰 농도의 비가 0.1 내지 2.0의 범위가 되도록 하는 양의, 상기 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산을 함유한다.
하기 조건들 중 하나가 충족되는 것이 바람직하다:
(G-1)은 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 유기폴리실록산이고, 하기 평균 조성식:
R4 xSiO(4-x)/2
(상기 식에서, R4는 독립적으로 치환 또는 비치환 1가 탄화수소 기를 나타내되, 단, 0.1 내지 40 몰%의 R4는 알케닐 기이고; "x"는 1 ≤ x < 2를 충족시키는 양수임)으로 표시됨;
(G-2)는 하기 일반식:
HR5 2Si(R5 2SiO)nR5 2SiH
(상기 식에서, R5는 독립적으로 지방족 불포화 결합을 포함하지 않는 치환 또는 비치환 1가 탄화수소 기를 나타내고, "n"은 0 내지 1,000의 정수임)으로 표시되는 다이오르가노폴리실록산임;
및
(H)는 하기 평균 조성식:
R5 yHzSiO(4-y-z)/2
(상기 식에서, R5는 상기에 정의된 바와 같고, "y" 및 "z"는 0.7 ≤ y ≤ 2.1, 0.001 ≤ z ≤ 1.0, 및 0.8 ≤ y+z ≤ 2.6을 충족시키는 양수임)으로 표시되는 유기하이드로겐폴리실록산임.
본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트 유형 경화성 실리콘 조성물은 적어도 하나의 유형의 무기 입자를 포함할 수 있다. 무기 입자는 바람직하게는 산화티타늄, 실리카, 알루미나, 티탄산바륨, 산화베릴륨, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트 유형 경화성 실리콘 조성물은 적어도 하나의 유형의 인광체를 포함할 수 있다. 인광체는 바람직하게는 황색-발광 인광체, 적색-발광 인광체, 녹색-발광 인광체, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명은 또한 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트 유형 경화성 실리콘 조성물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 라미네이트에 관한 것이다.
본 발명에 따른 라미네이트는 적어도 하나의 유형의 비-핫 멜트 유형 경화성 실리콘 조성물을 포함하는 적어도 하나의 층을 추가로 포함할 수 있다.
경화성 실리콘 조성물은 바람직하게는
(I) 알케닐 기-함유 유기폴리실록산 생고무 100 질량부;
(J) R3SiO1/2 단위, R2SiO2/2 단위, RSiO3/2 단위 (상기 식에서, 각각의 R은 독립적으로 1가 탄화수소 기를 나타냄), 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 유기폴리실록산 단위, 및 SiO4/2 단위 (단, SiO4/2 단위에 대한 유기폴리실록산 단위의 몰 비는 0.08 내지 2.0임)를 포함하며, BET 방법에 따라 측정할 때 비표면적이 200 m2/g 이상인, 습식법 소수성화된 보강 실리카(wet method hydrophobized reinforcing silica) 30 내지 150 질량부;
(K) 유기하이드로겐폴리실록산 0.1 내지 10 질량부; 및
(L) 조성물을 경화시키기에 충분한 양의 경화제를 포함한다.
본 발명에 따른 라미네이트는 바람직하게는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산 블록 공중합체를 함유하는 적어도 하나의 층을 추가로 포함한다.
유기폴리실록산 블록 공중합체는 바람직하게는
[R6 2SiO2/2]로 표시되는 다이실록시 단위 40 내지 90 몰%;
[R7SiO3/2]로 표시되는 트라이실록시 단위 10 내지 60 몰%; 및
[≡SiOH]로 표시되는 실라놀 기 0.5 내지 2.5 몰%를 포함하며;
각각의 R6은 독립적으로 C1-C30 탄화수소 기를 나타내고;
각각의 R7은 독립적으로 C1-C20 탄화수소 기를 나타내고;
다이실록시 단위 [R6 2SiO2/2]는 평균 10 내지 400개의 다이실록시 단위 [R6 2SiO2/2]를 포함하는 직쇄 블록에 존재하고;
트라이실록시 단위는 분자량이 500 g/몰 이상인 비-직쇄 블록에 존재하고;
각각의 직쇄 블록은 적어도 하나의 비-직쇄 블록에 결합된다.
유기폴리실록산 블록 공중합체는 분자량이 20,000 g/몰 이상일 수 있다.
유기폴리실록산 블록 공중합체를 포함하는 층은 바람직하게는 굴절률이 1.5 이상이다.
본 발명에 따른 라미네이트에서, 각각의 층들은 굴절률, 경도, 광 투과율, 수증기 투과율, 열전도도, 열팽창성, 표면 점착성, 탄성 모듈러스, 및 경화 속도로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물리적 특성의 관점에서 서로 상이할 수 있다.
본 발명에 따른 라미네이트에서, 적어도 하나의 층의 경도 및/또는 굴절률은 층의 두께-관통 방향(through-thickness direction)으로 변화할 수 있다.
본 발명에 따른 라미네이트에서, 적어도 하나의 층은 패턴화된 형상(patterned shape)을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 라미네이트는 조면화(rough-surfaced)될 수 있다.
본 발명에 따른 라미네이트의 두께는 0.5 내지 5 mm의 범위일 수 있다.
본 발명에 따른 라미네이트에서, 적어도 하나의 층은 적어도 하나의 유형의 무기 입자를 함유할 수 있다.
무기 입자-함유 층은 패턴화된 형상을 가질 수 있다.
무기 입자는 산화티타늄, 실리카, 알루미나, 티탄산바륨, 산화베릴륨, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명에 따른 라미네이트에서, 적어도 하나의 층은 적어도 하나의 유형의 인광체를 함유할 수 있다.
인광체-함유 층은 패턴화된 형상을 가질 수 있다.
인광체는 황색-발광 인광체, 적색-발광 인광체, 녹색-발광 인광체, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명에 따른 라미네이트는 상이한 유형의 인광체를 포함하는 적어도 2개의 층을 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 밀봉된 반도체 장치의 제조 방법으로서, 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트 유형 경화성 실리콘 조성물 또는 라미네이트를 사용하여 압축 성형 또는 라미네이팅을 수행하는 단계를 포함하는, 밀봉된 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트 유형 경화성 실리콘 조성물 또는 라미네이트를 사용하여 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 반-회전타원체 렌즈-형상 또는 돔-형상 시일이 제공된 반도체 장치를 효율적으로 제조할 수 있다. 본 발명에서는, 시일의 형상을 제어하는 것이 용이하며, 시일은 어떠한 기포도 함유하지 않는다. 본 발명에서는, 시일 이외에 반도체 장치의 코팅 층의 두께를 제어하는 것이 또한 용이하다.
특히, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅에 사용하기 위한 라미네이트는, 상이한 기능을 갖는 층들이 한번에 압축 성형 및 라미네이팅되게 하며, 고-처리량의 성형된 생성물의 제조가 가능하게 하고, 반도체 장치를 제조하는 공정이 단순화되고 제조 비용이 감소되게 한다.
시일이 주형의 형상과 정합하는 형상으로 형성되게 하며, 또한 우수한 광학 특성의 시일을 산출하는, 가열 시에 용융될 수 있는 재료가 본 발명에 사용된다. 한편, 가열 시에 용융되지 않는 재료에 대해 압축 성형을 수행하는 것은 성형 후 재료에서 편향된 내부 응력 분포를 생성하며, 이는 뒤틀림(warping)을 가져온다. 그 결과로서, 균열, 박리 등이 발생한다. 또한, 시일 내의 밀도 분포에 있어서의 균일성의 결여는 광학 특성에 부정적인 영향을 준다.
본 발명에서, 액체 밀봉 수지의 트랜스퍼 성형은 수행되지 않으며, 따라서, 트랜스퍼 성형과 관련된 밀봉 수지-유발 와이어 변위, 와이어 변형, 및 충전 결함의 문제를 피한다. 또한, 가열 시에 용융되는 실리콘 재료를 사용하기 때문에, 심지어 밀봉의 대상이 와이어-본딩 반도체 소자인 경우에도, 과도한 와이어 변형 없이 밀봉이 수행될 수 있다.
도 1은, 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트(2)가 지지체 시트(1) 상에 층을 이룬, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트의 예의 개략 단면도.
도 2는, 인광체(3)를 포함하는, 본 발명에 따른 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트(2)가 지지체 시트(1) 상에 층을 이룬, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트의 예의 개략 단면도.
도 3은, 2개의 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트들(2, 4)이 지지체 시트(1) 상에 그러한 순서로 층을 이룬, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트의 예의 개략 단면도.
도 4는, 2개의 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트들(4, 2)이 지지체 시트(1) 상에 그러한 순서로 층을 이룬, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트의 예의 개략 단면도.
도 5는, 굴절률이 두께-관통 방향으로 변화하는 단층 시트(5)가 지지체 시트(1) 상에 층을 이룬, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트의 일례의 개략 단면도.
도 6은, 인광체(3)를 포함하는 단층 시트(5)가 지지체 시트(1) 상에 층을 이룬, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트의 일례의 개략 단면도.
도 7은, 형광층(4)이 추가로 부가되어 있는 도 5에 나타낸 실시 형태의 예의 개략 단면도.
도 8은, 형광층(4)이 추가로 부가되어 있는 도 5에 나타낸 실시 형태의 다른 예의 개략 단면도.
도 9는, 경화-후 경도 및/또는 굴절률이 두께-관통 방향으로 변화하는 단층 시트(6)가 지지체 시트(1) 상에 층을 이룬, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트의 일례의 개략 단면도.
도 10은, 형광층(4)이 추가로 부가되어 있는, 도 9에 나타낸 실시 형태의 예의 개략 단면도.
도 11은, 다른 형광층(7)이 추가로 부가되어 있는, 도 3에 나타낸 실시 형태의 예의 개략 단면도.
도 12는, 본 발명에 따른 조성물, 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 단층 시트, 또는 라미네이트를 사용하는 밀봉의 대상의 예의 개략 단면도.
도 13은, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트를 사용하여 수행되는 밀봉 공정에서 압축 성형 이전의 상태의 개략 단면도.
도 14는, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트를 사용하여 수행되는 밀봉 공정에서 압축 성형 동안의 상태의 개략 단면도.
도 15는, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트를 사용하여 수행되는 밀봉 공정에서 압축 성형 이후의 상태의 개략 단면도.
도 16은, 도 4에 나타낸 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트를 사용하는 반도체 장치의 제조 예의 개략 단면도.
도 17은, 도 4에 나타낸 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트를 사용하는 반도체 장치의 제조 예의 개략 단면도.
도 18은, 도 4에 나타낸 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트를 사용하는 반도체 장치의 제조 예의 개략 단면도.
도 19는, 실시예 8에서 얻어진 LED 장치의 단면 사진.
도 20은, 실시예 9에서 얻어진 LED 장치의 단면 사진.
도 21은, 실시예 13에서 얻어진 LED 장치의 상부 표면도.
도 22는, 실시예 13에서 얻어진 LED 장치의 상부 표면도.
도 23은, 실시예 18에서 얻어진 LED 장치의 단면도.
일반적으로, 열경화성 수지의 일부가 미반응되는 A-스테이지에서 반응된 때, 수지는 B-스테이지로 진입하고, 여기서 가교결합성 작용기의 일부가 반응된다. A-스테이지 및 B-스테이지에서, 수지는 가열을 통해 점도가 감소되거나, 연화되거나, 또는 액화될 수 있다. 반응이 계속되면, 수지는 완전히 경화되는 C-스테이지로 진입한다. 본 발명에 따른 경화성 실리콘 조성물은 "A-스테이지" 또는 "B-스테이지"에 상응하는 상태이며, 특히, 열가소성인데, 실온에서 고체인 성분을 포함하는 경화성 실리콘 조성물이 사용되기 때문이다. 그러므로, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트 경화성 실리콘 조성물을 소성 가공하는 것이 가능하다.
본 발명과 관련하여, "핫-멜트" 및 "핫-멜트가능한"은 일반적으로 실온 (25℃)에서 고체이지만 가열 시에 연화 또는 용융되어 점성, 유체, 또는 액체 상태로 진입하는 물질, 예를 들어, 에틸렌 비닐 아세테이트계 접착제에 의해 대표되는 핫-멜트 접착제를 지칭한다.
본 발명의 조성물은 "핫-멜트" 조성물이며, 따라서 실온 (25℃)에서 고체일 수 있다. 본 발명의 조성물의 형태에는 특별한 제한이 없으며; 예를 들어, 분말, 과립, 펠릿(pellet), 태블릿(tablet), 필름 또는 시트의 형태를 취할 수 있다.
본 발명의 조성물은 바람직하게는, JIS K 6253에 의해 정의되는 바와 같은 타입 A 경도계 경도가 25℃에서 50 이상, 더욱 바람직하게는 60 이상, 및 더욱 더 바람직하게는 70 이상이다. 본 발명의 조성물은 바람직하게는 100℃에서 유체이거나, 또는 100℃에서의 타입 A 경도계 경도가 10 이하, 더욱 바람직하게는 5 이하, 및 더욱 더 바람직하게는 1 이하이다. 조성물이 100℃에서 유체이면, 그의 점도에는 특별한 제한이 없으며; 0.01 Pa·s의 최저값이 바람직하고, 0.1 Pa·s가 더욱 바람직하다. 조성물이 100℃에서 유체이면, 최대 점도는 바람직하게는 1,000 Pa·s, 더욱 바람직하게는 100 Pa·s, 및 더욱 더 바람직하게는 10 Pa·s이다. 대안적으로, 조성물이 100℃에서 유체이면, 다이를 폐쇄한 직후 (경화 시간: 0초)로부터 300초까지의 최소 토크 값은, JIS K 6300-2 "비가황 고무 -물리적 특성 - 2부: 오실레이팅 큐어미터를 사용한 경화 특징의 결정(Rubber, unvulcanized -- Physical property -- Part 2: Determination of cure characteristics with oscillating curemeters)"에 따라 이동 다이 레오미터(moving die rheometer; MDR)를 사용하여 100℃ 이상의 온도에서 측정할 때, 바람직하게는 1 ㎏f·cm 이하, 더욱 바람직하게는 0.1 ㎏f·cm이하 이다. 따라서, 본 발명의 조성물은 가열 시에 변형되는 열가소성 필름 또는 시트로서 유리하게 사용될 수 있다.
본 발명의 조성물은 가열 시에 가교결합 및 경화를 겪을 수 있다. 최소 가열 온도는 바람직하게는 50℃, 더욱 바람직하게는 80℃, 더욱 더 바람직하게는 100℃이다. 최대 가열 온도는 바람직하게는 200℃, 더욱 바람직하게는 150℃이다. 시일의 형상을 안정화하기 위해, 바람직하게는 본 발명의 조성물은, 이동 다이 레오미터 (MDR)를 사용하여 가열 온도 범위에서 측정할 때, 측정을 시작한 직후로부터 1 ㎏f·cm의 토크에 도달할 때까지의 시간이 바람직하게는 5분 이하, 더욱 바람직하게는 3분 이하, 더욱 더 바람직하게는 1분 이하가 되도록 하는 경화 특성을 갖는다. 측정은 JIS K 6300-2 "비가황 고무 -물리적 특성 - 2부: 오실레이팅 큐어미터를 사용한 경화 특징의 결정"에 따른 방법에 따라 MDR을 사용하여 수행될 수 있다.
본 발명의 조성물 그 자체, 또는 이의 경화된 생성물은, 바람직하게는 굴절률이 1.40 이상이다. 굴절률은, 예를 들어, 아베(Abbe) 굴절계를 사용하여 측정될 수 있다. 그러한 경우에, 아베 굴절계를 위한 광원의 파장을 변경시켜 원하는 파장에서의 굴절률을 측정할 수 있다. 경화성 실리콘 조성물 또는 이의 경화된 생성물은 바람직하게는 가시광 파장 (589 nm)에서의 굴절률 (25℃)이 1.40 이상, 더욱 바람직하게는 1.50 내지 1.70, 및 더욱 더 바람직하게는 1.55 내지 1.60이다.
본 발명의 조성물 그 자체 또는 이의 경화된 생성물은 바람직하게는 (25℃에서) 광 투과율이 80% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상, 및 더욱 더 바람직하게는 95% 이상이다. 이러한 광 투과율은, 예를 들어, 0.2 cm의 광 경로 거리(light path distance) 및 450 nm의 파장을 사용하는 (25℃에서) 광 투과율 분광 광도계를 사용하여 본 발명의 조성물 또는 이의 경화된 생성물을 측정함으로써 계산될 수 있다.
본 발명의 조성물은 바람직하게는, 예를 들어, 고체 유기폴리실록산을 포함하며 실온에서 고체인 A-스테이지 실리콘 조성물이거나, 또는 하이드로실릴화 반응을 통해 가교결합 및 경화될 수 있는 B-스테이지 실리콘 조성물이다. 특히, 본 발명에 따른 B-스테이지 조성물은 바람직하게는 하이드로실릴화 반응을 통해 부분적으로 가교결합되며, 실온에서는, 높은 경도를 갖는 고체, 구체적으로, 경질 고무-유사 상태를 형성하고, 고온, 예를 들어 100℃에서는 상당히 연화된 형태, 구체적으로, 연질 고무-유사 상태를 취하거나, 또는 바람직하게는 액화된다.
본 발명의 조성물이 하이드로실릴화 반응을 통해 가교결합 및 경화될 수 있는 경우, 본 발명의 조성물은 바람직하게는
(1) 미반응 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물;
(2) 미반응 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물을 부분적으로 가교결합하여 얻어지는 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물; 및
(3) 미반응 하이드로실릴화 반응성 실리콘 조성물을 가교결합하여 얻어지는, 규소 원자-결합된 수소 원자 및/또는 알케닐 기를 갖는 가교결합 생성물; 및 적어도 하나의 유형의 하이드로실릴화 반응성 성분을 포함하는 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
미반응하이드로실릴화 경화성 (반응성) 실리콘 조성물 (1)은 바람직하게는
(A) 25℃에서 고체이며 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산;
(B) 한 분자 내에 적어도 2개의 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산으로서, 성분 (A) 중 알케닐 기의 총 몰 농도에 대한 규소 원자-결합된 수소 원자의 총 몰 농도의 비가 0.2 내지 4의 범위가 되도록 하는 양의, 상기 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산; 및
(C) 하이드로실릴화 반응을 달성하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매를 포함한다.
성분 (A)의 분자 구조에는 제한이 없으며; 예에는 직쇄형, 부분적으로 분지화된 직쇄형, 분지형, 수지상(dendritic), 망상(reticulated), 또는 환형 구조가 포함된다.
성분 (A) 중 알케닐 기의 예에는 탄소수 2 내지 10의 직쇄형 또는 분지형 알케닐 기, 예를 들어, 비닐 기, 알릴 기, 프로페닐 기, 아이소프로페닐 기, 부테닐 기, 펜테닐 기, 및 헥세닐 기가 포함된다. 비닐 기 또는 알릴 기가 바람직하고, 비닐 기가 더욱 바람직하다. 성분 (A)는 선택적으로 한 분자 내에 평균 3개 이상의 알케닐 기를 가질 수 있다.
알케닐 기 이외에, 성분 (A)는 규소 원자에 결합된 탄소 원자수 1 내지 20의 1가 탄화수소 기를 포함할 수 있다. 1가 탄화수소 기의 예에는 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬 기, 탄소 원자수 6 내지 20의 아릴 기, 및 탄소 원자수 7 내지 20의 아르알킬 기가 포함된다. 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬 기의 예에는 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 아이소프로필 기, 부틸 기, 아이소부틸 기, tert-부틸 기, 펜틸 기, 네오펜틸 기, 사이클로펜틸 기, 헥실 기, 사이클로헥실 기, 헵틸 기, 및 다른 직쇄형, 분지형, 또는 환형 알킬 기가 포함된다. 1가 탄화수소 기는 바람직하게는 메틸 기이다. 탄소 원자수 6 내지 20의 아릴 기의 예에는 페닐 기, 톨릴 기, 자일릴 기, 나프틸 기, 및 안트라세닐 기가 포함된다. 탄소 원자수 7 내지 20의 아르알킬 기의 예에는 벤질 기, 페네틸 기, 및 페닐프로필 기가 포함된다. 1가 탄화수소 기의 수소 원자들 중 일부는 할로겐 원자, 하이드록실 기, 에폭시 기 등에 의해 부분적으로 치환될 수 있다.
성분 (A)의 예에는, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된(capped) 메틸비닐폴리실록산, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된, 메틸비닐실록산과 다이메틸실록산의 공중합체, 양측 분자 말단이 다이메틸비닐실록시 기로 캡핑된 메틸비닐폴리실록산, 양측 분자 말단에서 다이메틸비닐실록시 기로 캡핑된, 다이메틸실록산과 메틸비닐실록산의 공중합체, 환형 메틸비닐실록산, 환형 다이메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체, 화학식 (CH3)3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 화학식 (CH2=CH)(CH3)2SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 및 화학식 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위로 이루어지는 공중합체, 화학식 (CH2=CH)(CH3)2SiO1/2로 표시되는 실록산 단위 및 화학식 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위로 이루어지는 공중합체, 화학식 (CH3)3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 화학식 (CH2=CH)(CH3)2SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 화학식 (CH3)2SiO2/2로 표시되는 실록산 단위, 및 화학식 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위의 공중합체, 및 상기한 것들의 둘 이상의 혼합물이 포함된다. 양측 분자 말단에서 다이메틸비닐실록시 기로 캡핑된 다이메틸폴리실록산, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된, 다이메틸실록산과 메틸비닐실록산의 공중합체, 및 화학식 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위 및 화학식 (CH2=CH)(CH3)2SiO1/2로 표시되는 실록산 단위의 공중합체가 특히 바람직하다.
성분 (A)는 바람직하게는 하기 평균 단위식으로 표시되는 페닐 기-함유 유기폴리실록산이다:
(R1 3SiO1/2)a (R1 2SiO2/2)b (R1SiO3/2)c (SiO4/2)d (R2O1/2)e
상기 식에서,
R1은 페닐 기, 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬 기 또는 사이클로알킬 기, 또는 탄소 원자수 2 내지 6의 알케닐 기이되, 단, 60 내지 80 몰%의 R1은 페닐 기이고 10 내지 20 몰%의 R1은 알케닐 기이고;
R2는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬 기이고;
"a", "b", "c", "d", 및 "e"는 0 ≤ a ≤ 0.2, 0.2 ≤ b ≤ 0.7, 0.2 ≤ c ≤ 0.6,
0 ≤ d ≤ 0.2, 0 ≤ e ≤ 0.1, 및 a+b+c+d = 1을 충족시키는 수이다.
R1의 알킬 기의 예에는 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 부틸 기, 펜틸 기, 및 헥실 기가 포함된다. R1의 사이클로알킬 기의 예에는 사이클로펜틸 기 및 사이클로헥실 기가 포함된다. R1의 알케닐 기의 예에는 비닐 기, 알릴 기, 부테닐 기, 펜테닐 기, 및 헥세닐 기가 포함된다. 상기 식에서, R1은 페닐 기 함량이 60 내지 80 몰%, 더욱 바람직하게는 65 내지 80 몰%의 범위이다. 이는, 페닐 기 함량이 상기에 제공된 범위의 최소값 미만이면, 고온에서 본 발명의 조성물의 불충분한 연화의 위험성이 있고, 페닐 기 함량이 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면 본 발명의 조성물 또는 이의 경화된 생성물의 투명성 손실 및 기계적 강도 감소의 위험성이 있기 때문이다. 상기 식에서, R1은 알케닐 기 함량이 10 내지 20 몰%의 범위이다. 이는, 알케닐 기 함량이 상기에 제공된 범위의 최소값 미만이면, 실온에서 본 발명의 조성물의 충분한 경도를 얻는 데 실패할 위험성이 있고, 알케닐 기 함량이 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면, 고온에서 본 발명의 조성물의 불충분한 연화의 위험성이 있기 때문이다.
R2의 알킬 기의 예에는 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 부틸 기, 펜틸 기, 및 헥실 기가 포함되며, 메틸 기 및 에틸 기가 바람직하다.
상기 식에서, "a"는 일반식: R1 3SiO1 /2에 의해 표시되는 실록산 단위의 분율을 나타내는 수이며, "a"는 0 ≤ a ≤ 0.2, 및 바람직하게는 0 ≤ a ≤ 0.1을 충족시키는 수이다. 이는, "a"가 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면, 실온에서 본 발명의 조성물의 충분한 경도를 얻는 데 실패할 위험성이 있기 때문이다. 상기 식에서, "b"는 일반식: R1 2SiO2/2에 의해 표시되는 실록산 단위의 분율을 나타내는 수이며, "b"는 0.2 ≤ b ≤ 0.7, 및 바람직하게는 0.4 ≤ b ≤ 0.7을 충족시키는 수이다. 이는, "b"가 상기에 제공된 범위의 최소값 미만이면, 고온에서 본 발명의 조성물의 불충분한 연화의 위험성이 있고, "b"가 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면, 실온에서 본 발명의 조성물의 충분한 경도를 얻는 데 실패할 위험성이 있기 때문이다. 상기 식에서, "c"는 일반식: R1SiO3/2에 의해 표시되는 실록산 단위의 분율을 나타내는 수이며, "c"는 0.2 ≤ c ≤ 0.6, 및 바람직하게는 0.3 ≤ c ≤ 0.6을 충족시키는 수이다. 이는, "c"가 상기에 제공된 범위의 최소값 미만이면, 실온에서 본 발명의 조성물의 충분한 경도를 얻는 데 실패할 위험성이 있고, "c"가 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면, 고온에서 본 발명의 조성물의 불충분한 연화의 위험성이 있기 때문이다. 상기 식에서, "d"는 일반식: SiO4/2에 의해 표시되는 실록산 단위의 분율을 나타내는 수이며, "d"는 0 ≤ d ≤ 0.2, 및 바람직하게는 0 ≤ d ≤ 0.1을 충족시키는 수이다. 이는, "d"가 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면, 고온에서 본 발명의 조성물의 불충분한 연화의 위험성이 있기 때문이다. 상기 식에서, "e"는 일반식: R2O1/2에 의해 표시되는 단위의 분율을 나타내는 수이며, "e"는 0 ≤ e ≤ 0.1을 충족시키는 수이다. 이는, "e"가 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면, 실온에서 본 발명의 조성물의 충분한 경도를 얻는 데 실패할 위험성이 있기 때문이다. 게다가, 상기 식에서 "a", "b", "c", 및 "d"의 합계는 1이다.
특히, 성분 (A)는
(A-1) 25℃에서 고체이며 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 분지형 유기폴리실록산 60 내지 100 질량%와;
(A-2) 25℃에서 액체이며 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 직쇄형 또는 부분 분지형 유기폴리실록산 0 내지 40 질량%의 혼합물일 수 있다.
성분 (A-1)은 조성물의 주성분이며, 성분 (A)로서 이미 설명된 성분일 수 있다.
성분 (A-2)는 조성물의 취급 용이성 및 작업성을 개선하고 실온에서의 그의 경도를 변경하기 위한 성분이며, 바람직하게는 하기 일반식으로 표시되는 페닐 기-함유 유기폴리실록산이다:
R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
상기 식에서,
R3은 페닐 기, 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬 기 또는 사이클로알킬 기, 또는 탄소 원자수 2 내지 6의 알케닐 기이되, 단, 40 내지 70 몰%의 R3은 페닐 기이고 적어도 하나의 R3은 알케닐 기이고;
"m"은 5 내지 100의 정수이다.
R3의 알킬 기의 예에는 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 부틸 기, 펜틸 기, 및 헥실 기가 포함된다. R3의 사이클로알킬 기의 예에는 사이클로펜틸 기 및 사이클로헥실 기가 포함된다. R3의 알케닐 기의 예에는 비닐 기, 알릴 기, 부테닐 기, 펜테닐 기, 및 헥세닐 기가 포함된다. 상기 식에서, R3은 페닐 기 함량이 40 내지 70 몰%, 더욱 바람직하게는 40 내지 60 몰%의 범위이다. 이는, 페닐 기 함량이 상기에 제공된 범위의 최소값 미만이면, 고온에서 본 발명의 조성물의 불충분한 연화의 위험성이 있고, 페닐 기 함량이 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면, 본 발명의 경화된 조성물에서 투명성 손실 및 기계적 강도 감소의 위험성이 있기 때문이다. 더욱이, R3 중 적어도 하나는 알케닐 기이다. 이는, 알케닐 기가 존재하지 않으면, 상기 성분이 가교결합 반응에 포함되지 않고 본 발명의 조성물로부터 블리딩(bleeding)되는 위험성이 있기 때문이다.
상기 식에서, "m"은 5 내지 100의 범위의 정수이고, 바람직하게는 10 내지 50의 범위의 정수이다. 이는, "m"이 상기에 제공된 범위의 최소값 미만이면, 본 발명의 조성물의 기계적 강도가 감소되는 위험성이 있고, "m"이 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면, 본 발명의 조성물의 취급 용이성 및 작업성이 감소되기 때문이다.
성분 (B)는 가교결합제로서 기능하며, 바람직하게는 점도가 25℃에서 1 내지 1,000 mPa·s의 범위, 더욱 바람직하게는 1 내지 500 mPa·s의 범위, 더욱 더 바람직하게는 1 내지 100 mPa·s의 범위이다.
성분 (B)의 분자 구조에는 제한이 없으며; 예에는 직쇄형, 부분적으로 분지화된 직쇄형, 분지형, 수지상, 망상, 또는 환형 구조가 포함된다. 성분 (B)는 선택적으로 한 분자 내에 3개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 가질 수 있다.
규소 원자-결합된 수소 원자 이외에, 성분 (B)는 규소 원자에 결합된 탄소 원자수 1 내지 20의 1가 탄화수소 기를 가질 수 있다. 1가 탄화수소 기의 예에는 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬 기, 탄소 원자수 6 내지 20의 아릴 기, 및 탄소 원자수 7 내지 20의 아르알킬 기가 포함된다. 성분 (B) 중 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬 기의 예에는 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 아이소프로필 기, 부틸 기, 아이소부틸 기, tert-부틸 기, 펜틸 기, 네오펜틸 기, 사이클로펜틸 기, 헥실 기, 사이클로헥실 기, 헵틸 기, 및 다른 직쇄형, 분지형, 또는 환형 알킬 기가 포함된다. 1가 탄화수소 기는 바람직하게는 메틸 기이다. 탄소 원자수 6 내지 20의 아릴 기의 예에는 페닐 기, 톨릴 기, 자일릴 기, 나프틸 기, 및 안트라세닐 기가 포함된다. 탄소 원자수 7 내지 20의 아르알킬 기의 예에는 벤질 기, 페네틸 기, 및 페닐프로필 기가 포함된다. 1가 탄화수소 기의 수소 원자들 중 일부는 할로겐 원자, 하이드록실 기, 에폭시 기 등에 의해 부분적으로 치환될 수 있다.
성분 (B)의 예에는, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된 메틸하이드로겐폴리실록산, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된, 다이메틸실록산과 메틸하이드로겐실록산의 공중합체, 양측 분자 말단에서 다이메틸하이드로겐실록시 기로 캡핑된 메틸하이드로겐폴리실록산, 양측 분자 말단에서 다이메틸하이드로겐실록시 기로 캡핑된, 다이메틸실록산과 메틸하이드로겐실록산의 공중합체, 환형 메틸하이드로겐실록산, 환형 다이메틸실록산-메틸하이드로겐실록산 공중합체, 화학식 (CH3)3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 화학식 H(CH3)2SiO1/2로 표시되는 실록산 단위 및 화학식 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위의 공중합체, 화학식 H(CH3)2SiO1/2로 표시되는 실록산 단위 및 화학식 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위의 공중합체, 화학식 (CH3)3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 화학식 H(CH3)2SiO1/2로 표시되는 실록산 단위, 화학식 (CH3)2SiO2/2로 표시되는 실록산 단위 및 화학식 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위의 공중합체, 및 이들의 둘 이상의 혼합물이 포함되며; 특히, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된 메틸하이드로겐폴리실록산, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된, 다이메틸실록산과 메틸하이드로겐실록산의 공중합체, 및 화학식 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위 및 화학식 H(CH3)2SiO1/2로 표시되는 실록산 단위의 공중합체가 바람직하다.
바람직하게는 성분 (B)의 1가 탄화수소 기의 30 내지 70 몰%는 페닐 기이다. 이는, 페닐 기 함량이 상기에 제공된 범위의 최소값 미만이면, 고온에서 본 발명의 조성물의 불충분한 연화의 위험성이 있고, 페닐 기 함량이 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면, 본 발명의 경화된 조성물에서 투명성 손실 및 기계적 강도 감소의 위험성이 있기 때문이다.
성분 (B)는 바람직하게는 하기 일반식으로 표시되는 유기트라이실록산이다:
(HR4 2SiO)2SiR4 2
상기 식에서, R4는 페닐 기, 또는 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬 기 또는 사이클로알킬 기이다. R4의 알킬 기의 예에는 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 부틸 기, 펜틸 기, 및 헥실 기가 포함된다. R4의 사이클로알킬 기의 예에는 사이클로펜틸 기 및 사이클로헥실 기가 포함된다. R4의 페닐 기 함량은 30 내지 70 몰%의 범위다.
성분 (B) 함량은, 성분 (A) 중 알케닐 기의 총량에 대한 성분 (B) 중 규소 원자-결합된 수소 원자의 몰 비가 0.2 내지 4, 바람직하게는 0.5 내지 2, 더욱 바람직하게는 0.8 내지 1.8, 및 더욱 더 바람직하게는 0.5 내지 1.5의 범위가 되도록 하는 양이다. 이는, 성분 (B)의 함량이 상기에 제공된 범위를 벗어나면, 실온에서 본 발명의 조성물의 충분한 경도를 얻는 데 실패할 위험성이 있기 때문이다.
성분 (C)는 성분 (A) 중 알케닐 기와 성분 (B) 중 규소 원자-결합된 수소 원자 사이의 하이드로실릴화 반응을 유발하거나 촉진하기 위한 하이드로실릴화 반응 촉매이다. 성분 (C)의 예에는 백금계 촉매, 로듐계 촉매, 및 팔라듐계 촉매가 포함된다. 본 발명의 조성물의 경화를 현저하게 촉진하는 능력으로 인하여, 백금계 촉매가 바람직하다. 백금계 촉매의 예에는 백금 미세 분말, 염화백금산, 염화백금산의 알코올 용액, 백금-알케닐실록산 착물, 백금-올레핀 착물 및 백금-카르보닐 착물이 포함되며, 백금-알케닐실록산 착물이 특히 바람직하다. 알케닐실록산의 예에는 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 이들 알케닐실록산의 메틸 기 중 일부가 에틸 기, 페닐 기 등으로 치환된 알케닐실록산, 및 이들 알케닐실록산의 비닐 기가 알릴 기, 헥세닐 기 등으로 치환된 알케닐실록산이 포함된다. 백금-알케닐실록산 착물의 높은 안정성으로 인해, 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산이 특히 바람직하다. 백금-알케닐실록산 착물의 안정성을 개선하는 것이 가능하기 때문에, 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산, 1,3-다이알릴-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산, 1,3-다이비닐-1,3-다이메틸-1,3-다이페닐다이실록산, 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라페닐다이실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐 사이클로테트라실록산 등의 알케닐실록산 또는 다이메틸실록산 올리고머와 같은 유기실록산 올리고머와 백금-알케닐실록산 착물과의 조합이 추천된다. 알케닐실록산의 첨가가 특히 바람직하다.
성분 (A) 중 알케닐 기와 성분 (B) 중 규소 원자-결합된 수소 원자 사이의 하이드로실릴화 반응을 달성하거나 촉진하기에 충분한 양이기만 하다면, 성분 (C) 함량에 대해서는 특별한 제한이 없지만, 이러한 함량은 바람직하게는, 부분적 경화 이전의 조성물에 대하여 상기 성분 중 질량 단위로 환산된 금속 원소의 양이 0.01 내지 500 ppm, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 100 ppm, 및 특히 바람직하게는 0.01 내지 50 ppm의 범위 이내이도록 하는 양이다. 이는, 성분 (C)의 양이 상기에 제공된 범위의 하한 미만이면, 조성물이 충분히 가교결합되지 않는 경향을 나타내고, 상기 양이 상기에 제공된 범위의 상한 초과이면, 본 발명에 따른 조성물의 변색과 같은 문제가 일어날 수 있기 때문이다.
미반응 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물을 부분적으로 가교결합하여 얻어지는 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 (2)는 바람직하게는,
(D) 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산;
(E) 한 분자 내에 적어도 2개의 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산으로서, 성분 (D) 중 알케닐 기의 총 몰 농도에 대한 규소 원자-결합된 수소 원자의 총 몰 농도의 비가 0.2 내지 4의 범위가 되도록 하는 양의, 상기 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산; 및
(F) 하이드로실릴화 반응을 달성하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매를 포함하는 하이드로실릴화 반응성 실리콘 조성물의 50 내지 95% 전환율에서 하이드로실릴화 반응을 중지하여 얻어진다.
상기에 기재된 성분 (A) 내지 성분 (C)가 각각 성분 (D) 내지 성분 (F)를 위해 사용될 수 있다.
미반응 하이드로실릴화된 경화성 실리콘 조성물의 점도에 대해서는 특별한 제한이 없지만, 바람직하게는 100 내지 1,000,000 mPa·s, 특히 바람직하게는 500 내지 50,000 mPa·s의 범위이다. 이는, 점도가 상기에 제공된 범위의 최소값 미만이면, 본 발명의 조성물의 기계적 강도가 감소되는 위험성이 있고, 점도가 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면, 본 발명의 조성물의 취급 용이성 및 작업성이 감소되기 때문이다.
성분 (D)는 바람직하게는
(D-1) 하기 평균 단위식:
(R1 3SiO1/2)a (R1 2SiO2/2)b R1SiO3/2)c (SiO4/2)d (R2O1/2)e
(상기 식에서, R1은 페닐 기, 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬 기 또는 사이클로알킬 기, 또는 탄소 원자수 2 내지 6의 알케닐 기이되, 단, 60 내지 80 몰%의 R1은 페닐 기이고 10 내지 20 몰%의 R1은 알케닐 기이고; R2는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬 기이고; "a", "b", "c", "d", 및 "e"는 0 ≤ a ≤ 0.2, 0.2 ≤ b ≤ 0.7, 0.2 ≤ c ≤ 0.6, 0 ≤ d ≤ 0.2, 0 ≤ e ≤ 0.1, 및 a+b+c+d = 1을 충족시키는 수임)으로 표시되는 유기폴리실록산과;
(D-2) 하기 일반식:
R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
(상기 식에서, R3은 페닐 기, 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬 기 또는 사이클로알킬 기, 또는 탄소 원자수 2 내지 6의 알케닐 기이되, 단, 40 내지 70 몰%의 R3은 페닐 기이고 적어도 하나의 R3은 알케닐 기이고; "m"은 5 내지 100의 정수임)으로 표시되는 유기폴리실록산으로서, 성분 (D-1) 100 중량부당 0 내지 20 중량부가 되는 양의, 상기 유기폴리실록산의 혼합물이다.
전술한 식에서, R1, R2, R3, "a", "b", "c", "d", "e", 및 "m"은 상기에 정의된 바와 같다.
성분 (D-2) 함량은 성분 (D-1) 100 중량부당 0 내지 15 중량부의 범위의 양, 또는 0 내지 10 중량부의 범위의 양일 수 있다. 이는, 성분 (D-2) 함량이 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면, 고온에서 본 발명의 조성물의 불충분한 연화의 위험성이 있기 때문이다.
하이드로실릴화 반응의 "전환율"은 성분 (D)의 알케닐 기 또는 성분 (E)의 규소 원자-결합된 수소 원자의 소모 정도이며; 예를 들어, 80% 전환율은 하이드로실릴화 반응에서 성분 (D)의 알케닐 기 또는 성분 (E)의 규소 원자-결합된 수소 원자의 80%가 소모되었음을 나타낸다.
전환율을 제어하는 데 사용되는 방법에는 특별한 제한이 없으며; 예를 들어, 미반응 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물을 비교적 짧은 시간 동안 가열하여 50 내지 95%의 전환율을 가져올 수 있다. 가열 온도는 바람직하게는 50 내지 200℃, 더욱 바람직하게는 80 내지 150℃이다. 가열 시간은 바람직하게는 1 내지 20분, 더욱 바람직하게는 5 내지 15분이다. 전환율은, 예를 들어, 기준으로서 시차 주사 열량법 (DSC)에 의해 미반응 조성물을 측정하여 얻어지는 발열 피크 영역에 대비하여 측정할 수 있다.
하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 (3)은 바람직하게는
(G)
(G-1) 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산;
(G-2) 한 분자 내에 적어도 2개의 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산으로서, 성분 (G-1) 중 알케닐 기의 총 몰 농도에 대한 규소 원자-결합된 수소 원자의 총 몰 농도의 비가 0.3 내지 0.9의 범위가 되도록 하는 양의, 상기 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산; 및
(G-3) 하이드로실릴화 반응을 달성하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매를 포함하는 미반응 하이드로실릴화 반응성 실리콘 조성물의 하이드로실릴화 반응에 의해 얻어지는 알케닐 기-함유 가교결합 생성물;
및
(H) 한 분자 내에 적어도 2개의 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산으로서, 가교결합 생성물 중 알케닐 기의 총 몰 농도에 대한 규소 원자-결합된 수소 원자의 총 몰 농도의 비가 0.1 내지 2.0의 범위가 되도록 하는 양의, 상기 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산을 함유한다.
상기에 기재된 성분 (A), 성분 (B), 성분 (C), 및 성분 (C)가 각각 성분 (G-1), 성분 (G-2), 성분 (G-3), 및 성분 (H)를 위해 사용될 수 있다.
그러나, 하기 조건들 중 하나가 충족되는 것이 바람직하다:
(G-1)은 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 유기폴리실록산이고, 하기 평균 조성식:
R4 xSiO(4-x)/2
(상기 식에서, R4는 독립적으로 치환 또는 비치환 1가 탄화수소 기를 나타내되, 단, 0.1 내지 40 몰%의 R4는 알케닐 기이고; "x"는 1 ≤ x<2이도록 하는 양수임)으로 표시됨;
(G-2)는 하기 일반식:
HR5 2Si(R5 2SiO)nR5 2SiH
(상기 식에서, R5는 독립적으로 지방족 불포화 결합을 포함하지 않는 치환 또는 비치환 1가 탄화수소 기를 나타내고, "n"은 0 내지 1,000의 정수임)으로 표시되는 다이오르가노폴리실록산임;
및
(H)는 하기 평균 조성식:
R5 yHzSiO(4-y-z)/2
(상기 식에서, R5는 상기에 정의된 바와 같고, "y" 및 "z"는 0.7 ≤ y ≤ 2.1, 0.001 ≤ z ≤ 1.0, 및 0.8 ≤ y+z ≤ 2.6을 충족시키는 양수임)으로 표시되는 유기하이드로겐폴리실록산임.
1가 탄화수소 기 및 알케닐 기는 상기에 기재된 바와 같다. 지방족 불포화 결합을 포함하지 않는 1가 탄화수소 기의 예에는 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬 기, 탄소 원자수 6 내지 20의 아릴 기, 및 탄소 원자수 7 내지 20의 아르알킬 기가 포함된다. 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬 기의 예에는 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 아이소프로필 기, 부틸 기, 아이소부틸 기, tert-부틸 기, 펜틸 기, 네오펜틸 기, 사이클로펜틸 기, 헥실 기, 사이클로헥실 기, 헵틸 기, 및 다른 직쇄형, 분지형, 또는 환형 알킬 기가 포함된다. 1가 탄화수소 기는 바람직하게는 메틸 기이다. 탄소 원자수 6 내지 20의 아릴 기의 예에는 페닐 기, 톨릴 기, 자일릴 기, 나프틸 기, 및 안트라세닐 기가 포함된다. 탄소 원자수 7 내지 20의 아르알킬 기의 예에는 벤질 기, 페네틸 기, 및 페닐프로필 기가 포함된다. 1가 탄화수소 기의 수소 원자들 중 일부는 할로겐 원자, 하이드록실 기, 에폭시 기 등에 의해 부분적으로 치환될 수 있다.
하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 (3)에서, 성분 (G-1) 및 성분 (G-2)의 상대적인 양은, 성분 (G-1) 중 알케닐 기의 총 몰 농도에 대한 성분 (G-2) 중 규소 원자-결합된 수소 원자의 총 몰 농도의 비가 0.3 내지 0.9의 범위가 되도록 조정되며; 따라서, 미반응 하이드로실릴화 반응성 실리콘 조성물 (G)을 하이드로실릴화하여 얻어지는 가교결합 생성물은 하이드로실릴화 반응에서 소모되지 않은 알케닐 기를 갖는다. 그러므로, 성분 (H)의 존재의 결과로서 하이드로실릴화 반응을 통해 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 (3)을 추가로 가교결합 및 경화시키는 것이 가능하다.
본 발명의 조성물은, 선택적 성분으로서, 반응 지연제, 예를 들어, 에티닐 헥사놀, 2-메틸-3-부틴-2-올, 3,5-다이메틸-1-헥신-3-올, 2-페닐-3-부틴-2-올, 또는 또 다른 알킨 알코올; 3-메틸-3-펜텐-1-인, 3,5-다이메틸-3-헥센-1-인, 또는 다른 엔인 화합물; 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐사이클로테트라실록산, 또는 벤조트라이아졸을 포함할 수 있다. 반응 지연제 함량에 대해서는 제한이 없지만, 조성물의 중량에 대해 1 내지 5,000 ppm의 범위의 양이 바람직하다.
본 발명의 조성물은 또한 바람직하게는 다양한 기재에 대한 접합성을 개선하기 위해 접착 촉진제를 포함한다. 접착 촉진제의 예에는 트라이알콕시실록시 기 (예를 들어, 트라이메톡시실록시 기 또는 트라이에톡시실록시 기) 또는 트라이알콕시실릴알킬 기 (예를 들어, 트라이메톡시실릴에틸 기 또는 트라이에톡시실릴에틸 기) 및 하이드로실릴 기 또는 알케닐 기 (예를 들어, 비닐 기 또는 알릴 기)를 갖고, 대략 4 내지 20개의 규소 원자를 갖는, 유기실란 또는 선형, 분지형, 또는 환형 유기실록산 올리고머; 트라이알콕시실록시 기 또는 트라이알콕시실릴알킬 기, 및 메타크릴옥시알킬 기 (예를 들어, 3-메타크릴옥시프로필 기)를 갖고, 대략 4 내지 20개의 규소 원자를 갖는, 유기실란 또는 선형, 분지형, 또는 환형 유기실록산 올리고머; 트라이알콕시실록시 기 또는 트라이알콕시실릴알킬 기, 및 에폭시 기-결합된 알킬 기 (예를 들어, 3-글리시독시프로필 기, 4-글리시독시부틸 기, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실) 에틸 기, 또는 3-(3,4-에폭시사이클로헥실)프로필 기)를 갖고, 대략 4 내지 20개의 규소 원자를 갖는, 유기실란 또는 선형, 분지형, 또는 환형 유기실록산 올리고머; 및 아미노알킬트라이알콕시실란과 에폭시 기-결합된 알킬트라이알콕시실란의 반응 생성물, 및 에폭시 기-함유 에틸 폴리실리케이트가 포함된다. 접착 촉진제의 구체적인 예에는 비닐 트라이메톡시실란, 알릴 트라이메톡시실란, 알릴 트라이에톡시실란, 수소 트라이에톡시실란, 3-글리시독시프로필 트라이메톡시실란, 3-글리시독시프로필 트라이에톡시실란, 2-(3,4-에폭시 사이클로헥실)에틸 트라이메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필 트라이메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필 트라이에톡시실란, 3-글리시독시프로필 트라이에톡시실란과 3-아미노프로필 트라이에톡시실란과의 반응 생성물, 실라놀 기 사슬-종결된 메틸비닐실록산 올리고머와 3-글리시독시프로필트라이메톡시실란과의 축합 반응 생성물, 실라놀 기 사슬-종결된 메틸비닐실록산 올리고머와 3-메타크릴옥시프로필 트라이에톡시실란과의 축합 반응 생성물, 및 트리스(3-트라이메톡시실릴프로필) 아이소시아누레이트가 포함된다.
본 발명의 조성물은, 선택적 성분으로서, 성분 (A) 내지 성분 (H) 이외의 유기폴리실록산; 실리카, 유리, 알루미나 또는 산화아연과 같은 무기 충전제; 폴리메타크릴레이트 수지와 같은 미세-분말형 유기 수지; 내열제; 염료; 안료; 인광체; 난연제; 용매 등을 본 발명의 목적이 방해받지 않는 정도로 추가로 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 본 발명의 조성물을 포함하는 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트에 관한 것이다. 본 발명의 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트의 50 중량% 이상, 바람직하게는 70 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 90 중량%가 조성물로 이루어지며; 시트는 오직 조성물로만 이루어지는 것이 특히 바람직하다.
본 발명에 따른 조성물 및 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트는 적어도 하나의 유형의 무기 입자를 포함할 수 있다. 둘 이상의 유형의 무기 입자의 조합이 또한 사용될 수 있다. 그에 의해, 예를 들어, 본 발명에 따른 조성물 및 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트의 색, 절연 특성, 유전 상수, 열전도도, 강도, 굴절률, 수증기 투과율 등을 제어하는 것이 가능하다. 무기 입자는, 예를 들어, 산화티타늄, 실리카, 알루미나, 티탄산바륨, 산화베릴륨, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 백색 시일을 제조하기에 특히 유리한 입자 크기로서, 최소 크기는 바람직하게는 100 nm 이상, 더욱 바람직하게는 300 nm 이상이다. 최대 크기는 바람직하게는 10 μm 이하, 더욱 바람직하게는 1 μm 이하이다. 이는, 입자 크기가 최대값 초과이면, 광이 무기 입자에 의해 흡수되어, 반사가 감소될 수 있고, 입자 크기가 최소값보다 작으면, 무기 입자가 가시광 파장을 유리하게 반사하기 어려울 것이다. 산화티타늄 및 파쇄 실리카의 사용이 특히 백색 시일의 유리한 제조를 가능하게 한다. 무기 입자에 의한 광 분산을 억제하고 투명성을 유지하면서 특성을 제어하기에 유리한 입자 크기로서, 1 μm 이하의 최대값이 바람직하고, 300 nm 이하가 더욱 바람직하고, 100 nm 이하가 더욱 더 바람직하다. 본 발명에 사용되는 무기 입자는 이들에 한정되지 않으며, 하기 유형의 무기 입자가 또한 사용될 수 있다: 산화세륨, 산화이트륨, 산화니오븀, 산화탄탈륨, 산화아연, 산화마그네슘, 산화인듐주석, 이산화지르코늄, 산화구리, 산화철, 자성 분말, 탄소 입자, 탄소 나노튜브, 풀러렌, 질화붕소, 질화알루미늄, 황산바륨, 및 황화납.
본 발명에 따른 조성물 및 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트는 적어도 하나의 유형의 인광체를 포함할 수 있다. 둘 이상의 유형의 인광체들의 조합이 또한 사용될 수 있다. 그에 의해, 예를 들어, 본 발명에 따른 조성물 또는 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트가 LED와 같은 발광체를 밀봉하는 데 사용되는 경우, 방출되는 광의 파장이 변환되게 하고 LED 등에 의해 방출되는 광의 색이 조정되게 하는 것이 가능하다. 또한, 인광체가 시트 내에 포함되기 때문에, LED 또는 다른 발광체가 용이하게 위치될 수 있으며, 그의 색이 용이하게 조정될 수 있다. 압축 성형 또는 라미네이팅을 또한 발광 색을 조정한 직후에 수행하여 효율적으로 시일을 얻을 수 있다. 더욱이, 인광체가 액체 중에 존재하지 않기 때문에, 불균일한 농도 분포를 야기할 수 있는 저장 동안의 인광체의 침강(settling)이 없다.
인광체는 임의의 공지된 인광체일 수 있으며, 단층 시트의 두께를 증가시키고 파장을 유리하게 변환시키기 위해, 인광체의 최소 함량은, 본 발명에 따른 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트의 총 중량에 대해, 바람직하게는 0.01 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.1 중량% 이상, 더욱 더 바람직하게는 1 중량% 이상이다. 단층 시트의 두께를 감소시키면서 파장을 유리하게 변환시키기 위해, 인광체의 최소 함량은 바람직하게는 10 중량%, 더욱 바람직하게는 20 중량%, 더욱 더 바람직하게는 50 중량%이다. 단층 시트의 두께를 감소시키면서 파장을 유리하게 변환시키기 위해, 인광체의 최대 함량은 바람직하게는 95 중량%, 더욱 바람직하게는 90 중량%, 더욱 더 바람직하게는 80 중량%, 및 더욱 더 바람직하게는 50 중량%이다. 단층 시트의 두께를 증가시키면서 파장을 유리하게 변환시키기 위해, 인광체의 최대 함량은 바람직하게는 30 중량%, 더욱 바람직하게는 20 중량%, 및 더욱 더 바람직하게는 10 중량%이다. 인광체는, 예를 들어, CILAS 레이저 측정 장치 등을 이용하는 레이저 광회절 방법을 통한 입자 분포 측정에서 측정할 때, 입자 크기가 바람직하게는 10 nm 이상, 더욱 바람직하게는 10 nm 내지 10 μm, 더욱 더 바람직하게는 10 nm 내지 1 μm가 되도록 하는 입자 크기 범위를 갖는다.
본 발명에 따른 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트의 두께에 대해서는 특별한 제한이 없으며; 예를 들어, 10 μm 내지 10 mm가 가능하며, 20 μm 내지 5 mm가 바람직하다. 두께가 상기에 제공된 범위의 최소값 미만이면, 취급 용이성이 부정적 영향을 받을 수 있고, 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면, 열전도도의 균일성이 저하될 수 있다.
인광체는, 예를 들어, LED로부터의 광을 흡수할 수 있고 광을 상이한 파장으로 변환시킬 수 있는 임의의 인광체일 수 있다. 예에는, 유로퓸 또는 세륨과 같은 란탄족 원소에 의해 주로 활성화되는 질화물 및 산질화물 인광체, 유로퓸과 같은 란탄족 또는 망간과 같은 전이 금속 원소에 의해 주로 활성화되는 알칼리토 할로겐 아파타이트 인광체, 알칼리토 금속 붕산 할로겐 인광체, 알칼리토 금속 알루미네이트 인광체, 알칼리토 실리케이트 인광체, 알칼리토 설파이드 인광체, 알칼리토 티오갈레이트 인광체, 알칼리토 질화규소 인광체, 게르마네이트 인광체, 세륨과 같은 란탄족 원소에 의해 주로 활성화되는 희토류 루미네이트 인광체, 희토류 실리케이트 인광체, 유로퓸과 같은 란탄족 원소에 의해 주로 활성화되는 유기 및 유기 착물 인광체, 및 Ca-Al-Si-O-N계 산질화물 유리 인광체 중 하나 이상이 포함된다. 허용가능한 인광체의 구체적인 예가 하기에 열거되어 있으나, 본 발명이 이에 제한되지는 않는다.
유로퓸 또는 세륨과 같은 란탄족 원소에 의해 주로 활성화되는 질화물 인광체의 예에는 M2Si5N8:Eu (상기 식에서, M은 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘 및 아연으로부터 선택되는 적어도 하나임)가 포함된다. M2Si5N8:Eu에 더하여, 다른 예에는 MSi7N10:Eu, M1.8Si5O0.2N8:Eu, 및 M0.9Si7O0.1N10:Eu (상기 식에서, M은 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘 및 아연으로부터 선택되는 적어도 하나임)가 포함된다.
유로퓸 또는 세륨과 같은 란탄족 원소에 의해 주로 활성화되는 산질화물 인광체의 에에는 MSi2O2N2:Eu (상기 식에서, M은 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘 및 아연으로부터 선택되는 적어도 하나임)가 포함된다.
유로퓸과 같은 란탄족 원소 또는 망간과 같은 전이 금속 원소에 의해 주로 활성화되는 알칼리토 할로겐 아파타이트 인광체의 예에는 M5(PO4)3X:R (상기 식에서, M은 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘 및 아연으로부터 선택되는 적어도 하나이고; X는 불소, 염소, 브롬, 및 요오드로부터 선택되는 적어도 하나이고; R은 유로퓸, 망간, 또는 유로퓸과 망간으로부터 선택되는 적어도 하나임)이 포함된다.
알칼리토 금속 붕산 할로겐 인광체의 예에는 M2B5O9X:R (상기 식에서, M은 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘 및 아연으로부터 선택되는 적어도 하나이고; X는 불소, 염소, 브롬, 및 요오드로부터 선택되는 적어도 하나이고; R은 유로퓸, 망간, 또는 유로퓸과 망간으로부터 선택되는 적어도 하나임)이 포함된다.
알칼리토 금속 알루미네이트 인광체의 예에는 SrAl2O4:R, Sr4Al14O25:R, CaAl2O4:R, BaMg2Al16O27:R, BaMg2Al16O12:R, BaMgAl10O17:R (상기 식에서, R은 유로퓸, 망간, 또는 유로퓸과 망간으로부터 선택되는 적어도 하나임)이 포함된다.
알칼리토 설파이드 인광체의 예에는 La2O2S:Eu, Y2O2S:Eu, 및 Gd2O2S:Eu가 포함된다.
세륨과 같은 란탄족 원소에 의해 주로 활성화되는 희토류 알루미네이트 인광체의 예에는 조성식 Y3Al5O12:Ce, (Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce, Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce, 및 (Y,Gd)3(Al,Ga)5O12로 표시되는 YAG 인광체가 포함된다. 다른 예에는, 이트륨이 테르븀, 루테튬 등에 의해 부분적으로 또는 완전히 치환된 인광체, 예를 들어, Tb3Al5O12:Ce 및 Lu3Al5O12:Ce가 포함된다.
다른 인광체에는 ZnS:Eu, Zn2GeO4:Mn, 및 MGa2S4:Eu (상기 식에서, M은 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘 및 아연으로부터 선택되는 적어도 하나이고; X는 불소, 염소, 브롬, 및 요오드로부터 선택되는 적어도 하나임)가 포함된다.
전술한 인광체는, 유로퓸 대신에 또는 그에 더하여, 테르븀, 구리, 은, 금, 크롬, 네오디뮴, 디스프로슘, 코발트, 니켈, 및 티타늄으로부터 선택되는 적어도 하나를 또한 함유할 수 있다.
Ca-Al-Si-O-N계 산질화물 유리 인광체는, 매트릭스 재료로서의 산질화물 유리로 구성되며, CaO로 환산하여 20 내지 50 몰%의 CaCO3, 0 내지 30 몰%의 Al2O3, 25 내지 60 몰%의 SiO, 5 내지 50 몰%의 AlN, 및 0.1 내지 20 몰%의 희토류 산화물 또는 전이 금속 산화물 (상기 5가지 성분 전체는 100 몰%임)을 포함하는 인광체이다. 매트릭스 재료로서의 산질화물 유리로 구성되는 인광체는 바람직하게는 15 중량% 이하의 질소를 함유하며, 형광 유리는 바람직하게는, 희토류 산화물 이온 이외에, 보조-활성화제(co-activator)로서의 희토류 산화물로서의 증감제(sensitizer)를 구성하는, 0.1 내지 10 몰%의 다른 희토류 원소 이온을 함유한다.
상기한 것 이외에 유사한 특성 및 효과를 갖는 다른 인광체가 또한 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트는, 본 발명에 따른 조성물과 상기에 기재된 무기 입자 및/또는 인광체 중 하나 이상을 필요한 대로 혼합하고, 얻어진 혼합물을 비교적 짧은 시간 동안 가열하여 부분적으로 가교결합시킴으로써 제조될 수 있다. 가열 온도는 바람직하게는 50 내지 200℃, 더욱 바람직하게는 80 내지 150℃이다. 가열 시간은 바람직하게는 1 내지 20분, 더욱 바람직하게는 5 내지 15분이다. 본 발명에 따른 조성물 또는 혼합물은 하이드로실릴화 반응을 통해 부분적으로 가교결합되며, 실온에서 높은 경도를 갖는 고체이고 고온, 예를 들어, 100℃에서 연화 또는 액화되는 가교결합 생성물인, 본 발명의 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트를 형성한다.
본 발명은 또한 본 발명에 따른 조성물을 함유하는 적어도 하나의 층을 포함하는 라미네이트, 특히 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트 및 적어도 하나의 다른 시트가 제공된 라미네이트에 관한 것이다.
본 발명에 따른 라미네이트의 두께에 대해서는 특별한 제한이 없으며; 예를 들어, 10 μm 내지 10 mm가 바람직하고, 100 μm 내지 8 mm가 바람직하고, 0.5 내지 5 mm가 더욱 바람직하다. 두께가 상기에 제공된 범위의 최소값 미만이면, 취급 용이성이 부정적 영향을 받을 수 있고, 상기에 제공된 범위의 최대값 초과이면, 열전도도의 균일성이 저하될 수 있다.
다른 시트의 두께에 대해서는 특별한 제한이 없으며, 본 발명에 따른 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트와 동일한 두께를 가질 수 있거나, 또는 필요한 대로, 더 얇을 수 있고, 그러한 경우에, 예를 들어, 0.1 μm 내지 3 mm의 두께가 가능하고, 1 μm 내지 2 mm가 바람직하다.
다른 시트는 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트를 지지하기 위한 지지체 시트일 수 있다. 지지체 시트는 단층 시트, 또는 다수의 필름이 층을 이룬 다층 시트일 수 있다. 다른 시트는 또한 먼지 등이 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트에 부착하는 것을 방지하기 위한 보호 시트일 수 있다. 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트를 지지할 수 있기만 하다면, 지지체 시트의 재료에 대해서는 특별한 제한이 없다. 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트로부터 박리될 수 있기만 하다면, 보호 시트의 재료에 대해서는 특별한 제한이 없다. 지지체 시트 및 보호 시트 재료의 예에는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카르보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리아미드, 폴리비닐리덴 클로라이드, 폴리스티렌, 폴리비닐 알코올, 폴리이미드, 폴리테트라플루오로에틸렌, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체 수지, 셀룰로오스 트라이아세테이트 등이 포함된다. 표면-처리제, 예를 들어, 불소-함유 이형제 또는 실리콘-함유 이형제가 지지체 시트 또는 보호 시트의 표면에 적용될 수 있다. 지지체 시트는 압축 성형 또는 라미네이팅 전에 또는 동안에 박리될 수 있다. 지지체 시트는 실리콘 조성물 층과 동시에 기계 가공될 수 있으며; 그러한 경우에, 시트는 기계 가공 후에 실리콘 조성물 층으로부터 박리될 수 있거나, 또는 실리콘 조성물 층에 접합된 채로 놓아 둘 수 있다.
도 1은, 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트(2)가 지지체 시트(1) 상에 층을 이룬, 본 발명에 따른 라미네이트의 일례의 개략 단면도이다.
도 2는 무기 입자 및/또는 인광체(3)를 포함하는 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트(2)가 지지체 시트(1) 상에 층을 이룬, 본 발명에 따른 라미네이트의 일례의 개략 단면도이다. 무기 입자 및/또는 인광체(3)의 크기는 확대되어 있다.
도 1 및 도 2에 나타낸 본 발명에 따른 라미네이트는, 본 발명에 따른 조성물, 또는 조성물과 상기에 기재된 하나 이상의 유형의 무기 입자 및/또는 인광체의 혼합물을, 지지체 시트(1)에 적용하고, 예를 들어, 비교적 짧은 시간 동안 가열하여 부분적 가교결합을 야기함으로써 제조될 수 있다. 가열 온도는 바람직하게는 50 내지 200℃, 더욱 바람직하게는 80 내지 150℃이다. 가열 시간은 바람직하게는 1 내지 20분, 더욱 바람직하게는 5 내지 15분이다. 본 발명에 따른 조성물 또는 혼합물은 하이드로실릴화 반응을 통해 부분적으로 가교결합되며, 실온에서 높은 경도를 갖는 고체이고 고온, 예를 들어, 100℃에서 연화 또는 액화되는 가교결합 생성물인, 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트(2)를 형성한다.
다른 시트는 적어도 하나의 유형의 비-핫 멜트 경화성 실리콘 조성물을 포함할 수 있다.
경화성 실리콘 조성물은 바람직하게는
(I) 알케닐 기-함유 유기폴리실록산 생고무 100 질량부;
(J) R3SiO1/2 단위, R2SiO2/2 단위, RSiO3/2 단위 (상기 식에서, 각각의 R은 독립적으로 1가 탄화수소 기를 나타냄), 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 유기폴리실록산 단위, 및 SiO4/2 단위 (단, SiO4/2 단위에 대한 유기폴리실록산 단위의 몰 비는 0.08 내지 2.0임)를 포함하며, BET 방법에 따라 측정할 때 비표면적이 200 m2/g 이상인, 습식법 소수성화된 보강 실리카 30 내지 150 질량부;
(K) 유기하이드로겐폴리실록산 0.1 내지 10 질량부; 및
(L) 조성물을 경화시키기에 충분한 양의 경화제를 포함한다.
성분 (I)는 전형적으로 유기폴리실록산 생고무를 지칭하며, 밀링가능한 실리콘 고무의 주요 제제로서 사용되는 물질이 사용될 수 있다. 그러한 유기폴리실록산 생고무의 전형적인 예는 평균 단위식 R'aSiO4-a/2 (상기 식에서, R'은 1가 탄화수소 기이고, "a"는 1.9 내지 2.1임)로 표시되는 알케닐 기-함유 유기폴리실록산 생고무이다.
알케닐 기 및 1가 탄화수소 기의 예에는 상기에 이미 제공된 것들이 포함된다.
성분 (I)를 위한 알케닐 기-함유 유기폴리실록산 생고무는 바람직하게는 한 분자 내에 적어도 2개의 규소-결합된 알케닐 기를 갖는다. 성분 (I)의 분자 구조는 직쇄 또는 분지쇄 구조 중 어느 하나일 수 있다. 성분 (I) 중 알케닐 기의 결합 위치의 예는 분자 쇄 말단 및/또는 분자 측쇄이다. 이러한 성분의 중합도는 보통 3,000 내지 20,000이고, 질량-평균 분자 질량은 20×104 이상이다. 25℃에서 이러한 성분의 점도는 106 mPa·s 이상이고, 25℃에서 윌리엄스 가소도(Williams plasticity number) (JIS K 6249)는 50 이상 및 바람직하게는 100 이상이다. 성분의 상태는 생고무 상태이다.
성분 (I)는 단일 중합체, 공중합체 또는 이러한 중합체들의 혼합물일 수 있다. 이러한 성분을 구성하는 실록산 단위의 구체적인 예에는 다이메틸실록산 단위, 메틸비닐실록산 단위, 메틸페닐실록산 단위, 및 3,3,3-트라이플루오로프로필메틸실록산 단위가 포함된다. 성분 (A)의 분자 쇄 말단은 바람직하게는 분자 쇄 말단에서 트라이오르가노실록산 기 또는 하이드록실 기에 의해 캡핑되며, 분자 쇄 말단에 존재하는 기의 예에는 트라이메틸실록시 기, 다이메틸비닐실록시 기, 메틸비닐하이드록시실록시 기, 및 다이메틸하이드록시실록시 기가 포함된다. 그러한 유기폴리실록산 생고무의 예에는, 양측 분자 말단에서 다이메틸비닐실록시 기로 캡핑된 다이메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체 생고무, 양측 분자 말단에서 다이메틸비닐실록시 기로 캡핑된 다이메틸폴리실록산 생고무, 양측 분자 말단에서 다이메틸하이드록시실록시 기로 캡핑된 다이메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체 생고무, 및 양측 분자 말단에서 메틸비닐하이드록시실록시 기로 캡핑된 다이메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체 생고무가 포함된다.
성분 (J)를 위한 습식 소수성화된 보강 실리카는 미경화 상태에서 기계적 강도 및 경화 후의 기계적 강도를 증가시키는 기능을 한다. 습식 소수성화된 보강 실리카는 또한 LED 칩 등에 대한 접착성 - 특히, 접착 내구성 -을 제공하는 기능을 한다. 그러한 성분 (J)는 BET 방법에 의한 비표면적이 200 m2/g 이상인 습식 소수성화된 보강 실리카이며, 상기 실리카는 R3SiO1/2 단위, R2SiO2/2 단위, RSiO3/2 단위 (상기 식에서, R은 각각 독립적으로 1가 탄화수소 기이며, 이는 알킬 기, 예를 들어 메틸 기, 에틸 기, 및 프로필 기, 또는 아릴 기, 예를 들어, 페닐 기에 의해 예시됨), 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기폴리실록산 단위, 및 SiO4/2 단위 (SiO4/2 단위에 대한 유기폴리실록산 단위의 몰 비는 0.08 내지 2.0임)를 포함한다.
성분 (J)에 함유된 유기실록산 단위의 양은 보강 실리카를 소수성화하기에 충분한 양이며, SiO4/2 단위에 대한 유기폴리실록산 단위의 몰 비는 바람직하게는 0.08 내지 2.0의 범위 이내이다. 이는, 몰 비가 0.08 이상인 경우, LED 칩에 대한 접착 성능이 개선되고, 몰 비가 2.0 이하인 경우, 보강 성능이 현저히 개선되기 때문이다. 또한, 미경화 상태 및 경화 상태에서의 기계적 강도를 증가시키기 위해서, BET 방법에 의한 비표면적은 200 m2/g 이상, 바람직하게는 300 m2/g 이상, 더욱 바람직하게는 400 m2/g 이상이어야 한다.
성분 (J)는 일본 특허 출원 공개 제S61-56255호 또는 미국 특허 제4,418,165호에 개시된 방법에 의해서 생성된다. 성분 (J)의 배합량은 성분 (I) 100 질량부당 30 내지 150 질량부, 및 바람직하게는 50 내지 100 질량부이다.
성분 (K)를 위한 유기하이드로겐폴리실록산은 성분 (I)의 가교결합제이며, 한 분자 내에 적어도 2개의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 유기폴리실록산이다. 성분 (K)의 분자 구조의 예에는 직쇄 구조, 부분적으로 분지화된 직쇄 구조, 분지쇄 구조, 환형 구조, 및 망상 구조가 포함된다. 성분 (K)에서 규소-결합된 수소 원자의 결합 위치의 예는 분자 쇄 말단 및/또는 분자 측쇄이다. 성분 (K) 에서 수소 원자 이외에 규소 원자에 결합하는 기의 예는 알킬 기, 예를 들어, 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 부틸 기, 펜틸 기, 헥실 기, 및 헵틸 기; 아릴 기, 예를 들어, 페닐 기, 톨릴 기, 자일릴 기, 나프틸 기, 및 안트라세닐 기; 아르알킬 기, 예를 들어, 벤질 기 및 페네틸 기; 및 할로겐화 알킬 기, 예를 들어, 클로로메틸 기, 3-클로로프로필 기, 및 3,3,3-트라이플루오로프로필 기를 포함하는, 치환 또는 비치환 1가 탄화수소 기이다. 그러한 유기하이드로겐폴리실록산의 예에는, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된 메틸하이드로겐폴리실록산, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된 다이메틸실록산-메틸하이드로겐실록산 공중합체, 양측 분자 말단에서 다이메틸페닐실록시 기로 캡핑된 메틸페닐실록산-메틸하이드로겐실록산 공중합체, 환형 메틸하이드로겐폴리실록산, 및 다이메틸하이드로겐실록산 단위 및 SiO4/2 단위를 포함하는 공중합체가 포함된다.
성분 (K)의 배합량은 조성물을 경화시키기에 충분한 양이다. 이러한 양은 바람직하게는, 성분 (I)를 위한 알케닐 기-함유 유기폴리실록산 생고무 중 규소-결합된 알케닐 기 1 몰당, 규소-결합된 수소 원자가 0.5 내지 10 몰의 범위 이내 및 더욱 바람직하게는 1 내지 3 몰의 범위 이내가 되게 할 수 있는 양이다. 이는, 규소-결합된 알케닐 기 1 몰 당 규소-결합된 수소 원자의 몰 수가 상기에 기재된 조성물에서 이러한 범위의 하한 이상인 경우, 조성물의 경화가 충분하고, 몰 수가 이러한 범위의 상한 이하인 경우, 조성물의 경화된 생성물의 내열성이 개선되기 때문이다. 구체적으로, 그 양은 바람직하게는 성분 (A) 100 질량부 당 0.1 내지 10 질량부, 및 더욱 바람직하게는 0.3 내지 5 질량부이다.
성분 (L)을 위한 경화제는 조성물을 경화시키기 위한 촉매 또는 반응 개시제이며, 이의 예에는 백금계 촉매, 유기 퍼옥사이드, 및 백금계 촉매와 유기 퍼옥사이드의 혼합물이 포함된다. 백금계 촉매의 예에는 염화백금산, 알콜-변성(denatured) 염화백금산, 백금의 킬레이트 화합물, 염화백금산과 올레핀의 배위 화합물, 염화백금산과 다이케톤의 착물, 및 염화백금산과 다이비닐테트라메틸다이실록산의 착물 화합물이 포함된다. 유기 퍼옥사이드의 예에는 벤조일 퍼옥사이드, t-부틸 퍼벤조에이트, o-메틸벤조일 퍼옥사이드, p-메틸벤조일 퍼옥사이드, m-메틸벤조일 퍼옥사이드, 다이쿠밀 퍼옥사이드, 및 2,5-다이메틸-2,5-다이(t-부틸 퍼옥시)헥산이 포함된다.
성분 (L)의 배합량은 조성물을 경화시키기에 충분한 양이다. 백금계 촉매가 사용되는 경우, 백금계 촉매 중 백금 금속의 양은 바람직하게는 성분 (I) 100 질량부당 0.1 내지 500 ppm의 범위, 및 더욱 바람직하게는 1 내지 100 ppm의 범위이다. 유기 퍼옥사이드가 사용되는 경우, 유기 퍼옥사이드의 양은 바람직하게는 성분 (I) 100 질량부당 0.1 내지 10 질량부이다.
유기 작용기, 예를 들어, 메르캅토 기, 아미노 기, 비닐 기, 알릴 기, 헥세닐 기, 메타크릴옥시 기, 아크릴옥시 기, 및 글리시독시 기를 갖는 유기알콕시실록산 또는 이의 부분적으로 가수분해된 축합물을 주로 포함하는 접착 촉진제가 또한, 접착성을 개선하기 위해서, 추가 성분으로서 배합될 수 있다. 그러한 접착 촉진제의 예에는 유기알콕시실란, 예를 들어 γ-메르캅토프로필트라이메톡시실란, γ-메르캅토프로필메틸다이메톡시실란, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필트라이메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실란, γ-아크릴옥시프로필트라이메톡시실란, 비닐트라이(메톡시에톡시)실란, 알릴트라이메톡시실란, 및 γ-글리시독시프로필트라이메톡시실란 또는 이들의 부분적으로 가수분해된 축합물; 이들 유기알콕시실란 및 트라이알릴 트라이멜리테이트 또는 테트라알릴 피로멜리테이트의 반응 생성물; 알콕시실란 및 실록산 올리고머의 반응물; 및 이들 알콕시실란 및 반응성 유기 화합물, 예를 들어, 알릴 글리시딜 에테르, 글리시딜 아크릴레이트, 다이알릴 프탈레이트, 트라이메틸올 프로판 트라이아크릴레이트, 알케닐 카르보네이트 기-함유 화합물, 및 메르캅토 아세테이트 기-함유 화합물의 혼합물이 포함된다. 이들 중에서, γ-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실란, γ-글리시독시프로필트라이메톡시실란, 이들의 혼합물 또는 이들의 반응 혼합물이 바람직하게 사용된다. 이러한 접착 촉진제의 함량은, 성분 (I)를 위한 유기폴리실록산 100 질량부당 바람직하게는 0.1 내지 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 5 질량부이다.
실리콘 고무 조성물에 보통 첨가되는 다양한 공지의 첨가제를, 본 발명의 목적이 방해받지 않는 정도로, 비-핫 멜트 경화성 실리콘 조성물에 첨가하는 것이 허용되며, 이의 예에는 다른 무기 충전제, 안료, 내열제, 및 백금계 촉매에 대한 경화 지연제가 포함된다. 그러한 첨가제의 예에는 규조토, 석영 분말, 탄산칼슘, 투명한 산화티타늄, 및 투명한 적산화철(red iron oxide)이 포함된다. 내열제의 예에는 희토류 산화물, 세륨 실란올레이트, 및 세륨 지방산 염이 포함된다. 경화 지연제의 예에는 아세틸렌 알콜 화합물, 예를 들어, 3-메틸-1-부틸-3-올, 3,5-다이메틸-1-헥신-3-올, 및 페닐부틴올; 엔인 화합물, 예를 들어, 3-메틸-3-펜텐-1-인 및 3,5-다이메틸-3-헥센-1-인; 및 다른 하이드라진 화합물, 포스핀 화합물, 메르캅탄 화합물, 벤조트라이아졸, 및 메틸 트리스(메틸아이소부틸옥시)실란이 포함된다.
비-핫 멜트 경화성 실리콘 조성물은 B-스테이지 상태로 경화될 수 있다. 조성물의 경도에는 특별한 제한이 없으며; 예를 들어, 조성물이 불완전하게 경화되고, 용매로 인해 팽창하지만 완전히 용해되지는 않은 상태는, 조성물이 그의 유동성을 잃은 상태, 즉, JIS K 6800에서 정의된 B-스테이지 (열경화성 수지 중간체)를 산출한다.
비-핫 멜트 경화성 실리콘 조성물은, 한 쌍의 롤러, 혼련기(kneader), 밴버리(Banbury) 혼합기 등을 사용하여 전술한 성분들을 혼합 및 혼련함으로써 얻어진다. 얻어진 조성물을 필름 형상으로 기계 가공하기 위한 방법의 예에는, 조성물을 규정된 캡이 제공된 압출기를 통해서 필름 형상으로 압출하는 것, 캘린더 롤을 사용하여 조성물을 유기 수지 필름들, 예를 들어, 폴리올레핀 필름들 또는 폴리에스테르 필름들 사이에 샌드위칭하여 균일한 필름 형상을 형성하는 것, 또는 40℃ 이하로 조정된 프레스를 사용하여 조성물을 필름 형상으로 성형하는 것이 포함된다. 특히, 캘린더 롤을 사용하여 조성물을 유기 수지 필름들 사이에 라미네이팅함으로써 조성물을 연속적으로 성형하는 것이 제조 효율성의 관점에서 효과적이다. 이러한 방식으로 성형된 필름-유사 실리콘 밀봉 재료는, 긴 롤로부터 절단기 또는 천공기를 사용하여 요구되는 형상으로 절단한 후에 사용될 수 있다.
다른 시트는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산 블록 공중합체를 포함할 수 있다.
유기폴리실록산 블록 공중합체는 바람직하게는
[R6 2SiO2/2]로 표시되는 다이실록시 단위 40 내지 90 몰%;
[R7SiO3/2]로 표시되는 트라이실록시 단위 10 내지 60 몰%; 및
[≡SiOH]로 표시되는 실라놀 기 0.5 내지 2.5 몰%를 포함하며;
각각의 R6은 독립적으로 C1-C30 탄화수소 기를 나타내고;
각각의 R7은 독립적으로 C1-C20 탄화수소 기를 나타내고;
다이실록시 단위 [R6 2SiO2/2]는 평균 10 내지 400개의 다이실록시 단위 [R6 2SiO2/2]를 포함하는 직쇄 블록에 존재하고;
트라이실록시 단위는 분자량이 500 g/몰 이상인 비-직쇄 블록에 존재하고;
각각의 직쇄 블록은 적어도 하나의 비-직쇄 블록에 결합된다.
탄화수소 기의 예에는 이미 기재된 1가 탄화수소 기가 포함된다.
유기폴리실록산 블록 공중합체는 분자량이 20,000 g/몰 이상일 수 있다.
유기폴리실록산 블록 공중합체를 포함하는 층은 바람직하게는 굴절률이 1.5 이상이다.
허용가능한 유기폴리실록산 블록 공중합체의 예에는 국제특허 공개 WO/2012/040457호, WO/2012/040453호, WO/2012/040367호, WO/2012/040305호, 및 WO/2012/040302호에 개시된 것들이 포함되며, 이들의 내용은 본 명세서에 참고로 포함된다.
다른 시트는 본 발명에 따른 단층 압축 성형 또는 라미네이팅 시트 (이하, 간단히 "단층 시트")일 수 있다. 그러한 경우에, 본 발명에 따른 라미네이트에는 2개 이상의 단층 시트들이 제공될 수 있다. 단층 시트들은 동일하거나 상이한 조성을 가질 수 있다.
다른 시트는 적어도 하나의 유형의 무기 입자 및/또는 인광체를 포함할 수 있다. 상기에 이미 기재된 예가 무기 입자 및/또는 인광체로서 사용될 수 있다. 따라서, 라미네이트에, 예를 들어, 2개의 층이 제공되는 경우, 층들 중 하나 또는 둘 모두가 무기 입자 및/또는 인광체를 포함할 수 있다.
도 3은 제1 단층 시트(2) 및 제2 단층 시트(4)가 그러한 순서로 지지체 시트(1) 상에 층을 이룬 라미네이트의 일례의 개략 단면도이다. 도 3에 나타낸 라미네이트의 실시 형태에서, 제1 단층 시트(2) 및 제2 단층 시트(4) 중 하나는 라미네이트의 "다른 시트"에 해당한다. 도 3에 나타낸 실시 형태에서, 제1 단층 시트(2) (이하, "투명층")는 무기 입자 또는 인광체를 함유하지 않지만, 제2 단층 시트(4) (이하, 일괄하여 "형광층"으로 지칭됨)는 무기 입자 및/또는 인광체를 함유할 수 있다. 도 3에 나타낸 실시 형태에서, 형광층(4)은 바람직하게는 밀봉의 대상과 접촉한다.
도 4는 제2 단층 시트(4) 및 제1 단층 시트(2)가 그러한 순서로 지지체 시트(1) 상에 층을 이룬 라미네이트의 일례의 개략 단면도이다. 도 4에 나타낸 라미네이트의 실시 형태에서, 제1 단층 시트(2) 및 제2 단층 시트(4) 중 하나는 또한 라미네이트의 "다른 시트"에 해당한다. 마찬가지로, 도 4에 나타낸 실시 형태에서, 제1 단층 시트(2)는 무기 입자 또는 인광체를 포함하지 않지만, 제2 단층 시트(4)는 무기 입자 및/또는 인광체를 포함한다. 도 4에 나타낸 실시 형태에서, 투명층(2)은 바람직하게는 밀봉의 대상과 접촉한다.
따라서, 도 3 및 도 4에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트는, 투명층(2) 및 형광층(4)을 포함하는, 압축 성형 또는 라미네이팅에 사용하기 위한, 라미네이트이다.
도 3 또는 도 4에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트를 사용하여, 예를 들어, LED를 밀봉하는 경우, 투명층(2) 및 형광층(4)을 총체적으로 압축 성형 또는 라미네이팅할 수 있고, 따라서, 형광층(4)의 두께의 정밀한 제어를 가능하게 하고 투명층(2)과 형광층(4) 사이의 양호한 접착성을 얻을 수 있다. 추가로, 도 3에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트의 경우에, 예를 들어, 사전에 인광체를 LED에 접합할 필요가 없으며, 반-회전타원체 렌즈-형상 또는 돔-형상 투명 시일이 LED 기재 상의 형광층 상에 형성될 수 있다. 한편, 도 4에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트의 경우에, 형광층이 존재하는 표면 상에 반-회전타원체 렌즈-형상 또는 돔-형상 투명 시일이 용이하게 제조될 수 있다.
도 3 및 도 4에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트에서, 형광층(4)은 균질할 수 있거나, 또는 그에 형성된 미리 결정된 패턴을 가질 수 있다. 따라서, 도 3 및 도 4에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트는 또한 투명층(2) 및 패턴화된 형광층(4)을 포함하는, 압축 성형 또는 라미네이팅에 사용하기 위한 라미네이트일 수 있다. 패턴의 유형에는 특별한 제한이 없으며; 패턴은 형광층(4)의 두께-관통 방향에서의 리지(ridge) 및 리세션(recession)으로 이루어질 수 있거나, 또는 형광층(4)의 표면 상에 종방향 및 위도 방향으로, 적절한 대로, 직선 또는 곡선에 의해 구성된 패턴(고리, 격자, 지그재그)으로 이루어질 수 있다. 이러한 방식으로 형광층(4) 상에 패턴을 형성하는 것은, 무기 입자 및/또는 인광체가 필요하지 않은 곳에 사용되는 것을 방지할 수 있고, 제조 비용을 감소시킬 수 있다.
도 3에 나타낸 라미네이트는, 본 발명에 따른 조성물을 지지체 시트(1)에 적용하고, 시트를, 예를 들어, 비교적 짧은 시간 동안 가열하여 부분적 가교결합을 야기하고, 본 발명에 따른 조성물과 전술한 무기 입자 및/또는 인광체 중 하나 이상의 혼합물을, 필요한 대로, 본 발명에 따른 조성물에 추가로 적용하고, 예를 들어, 비교적 짧은 시간 동안 가열하여 부분적 가교결합을 야기함으로써, 제조될 수 있다. 가열 온도는 바람직하게는 50 내지 200℃, 더욱 바람직하게는 80 내지 150℃이다. 가열 시간은 바람직하게는 1 내지 20분, 더욱 바람직하게는 5 내지 15분이다.
도 4에 나타낸 라미네이트는, 본 발명에 따른 조성물을 지지체 시트(1)에 적용하고, 시트를, 예를 들어, 비교적 짧은 시간 동안 가열하여 부분적 가교결합을 야기하고, 본 발명에 따른 조성물과 전술한 무기 입자 및/또는 인광체 중 하나 이상의 혼합물을 추가로 적용하고, 예를 들어, 비교적 짧은 시간 동안 가열하여 부분적 가교결합을 야기함으로써, 제조될 수 있다. 가열 온도 및 가열 시간은 상기에 기재된 바와 같다.
도 5는, 두께-관통 방향에서 굴절률이 변화하는 단층 시트(5)가 지지체 시트(1) 상에 층을 이룬, 라미네이트의 일례의 개략 단면도이다. 도 5에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트에서, 단층 시트(5)의 굴절률은 두께-관통 방향에서 변화한다. 구체적으로, 지지체 시트(1)로부터의 거리가 증가함에 따라 굴절률이 증가한다. 따라서, 도 5에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트는, 전방 표면과 후방 표면이 상이한 굴절률을 갖는 단층 시트(5)가 제공된, 압축 성형 또는 라미네이팅에 사용하기 위한 라미네이트이다. 도 5에 나타낸 실시 형태에서, 단층 시트(5)는 바람직하게는 밀봉의 대상과 접촉한다.
도 6은, 무기 입자 및/또는 인광체(3)를 포함하는 단층 시트(5)가 지지체 시트(1) 상에 층을 이룬, 라미네이트의 일례의 개략 단면도이다. 무기 입자 또는 인광체(3)의 크기는 확대되어 있다. 지지체 시트(1)로부터의 거리가 증가함에 따라 단층 시트(5)의 굴절률이 증가한다. 도 6에 또한 나타난 실시 형태에서, 단층 시트(5)는 바람직하게는 밀봉의 대상과 접촉한다.
도 5 및 도 6에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트를 사용하여, 예를 들어, LED를 밀봉하는 경우, LED 근처의 시일은 더 높은 굴절률을 갖고, 표면 근처의 시일은 낮은 굴절률을 가져서, 우수한 광 출력 효율을 갖는 LED를 산출할 것이다.
도 5 및 도 6에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트는, 본 발명에 따른 조성물과 전술한 무기 입자 및/또는 인광체 중 하나 이상의 혼합물의 비교적 얇은 층을 필요한 대로 지지체 시트(1)에 적용하고, 예를 들어, 비교적 짧은 시간 동안 가열하여 부분적 가교결합을 야기하는 단계에 의해 제조될 수 있다. 이어서, 개질된 조성물을 사용하여, 이러한 단계를 반복하여서 단층 시트(5)를 형성한다. 가열 온도는 바람직하게는 50 내지 200℃, 더욱 바람직하게는 80 내지 150℃이다. 가열 시간은 바람직하게는 10초 내지 5분, 더욱 바람직하게는 30초 내지 3분이다. 굴절률이 증가하는 방향에서의 변화이기만 하다면, 조성물에 대해 이루어지는 변화에는 특별한 제한이 없으며; 예를 들어, 페닐 기-함유 유기폴리실록산의 페닐 기 함량이 증가될 수 있다. 그러한 경우에, 단층 시트(5) 내의 굴절률의 변화는 대략 연속적일 수 있다. 시트를 형성할 때 시트 내의 무기 입자 침강 정도를 변화시켜 굴절률의 대략 연속적인 변화를 얻는 것이 또한 가능하다. 본 발명에 따른 시트는 코팅, 성형, 인쇄 등을 통해 생성될 수 있다.
한편, 단층 시트(5) 대신에 다수의 서브시트(subsheet)의 라미네이트를 사용하는 것이 또한 가능하다. 그러한 경우에, 서브시트들은 지지체 시트(1)로부터의 거리가 증가함에 따라 그들의 굴절률이 증가하도록 층을 이룰 수 있다. 그러한 서브시트들은, 본 발명에 따른 조성물과 전술한 무기 입자 및/또는 인광체 중 하나 이상의 혼합물의 비교적 두꺼운 층을 필요한 대로 적용하고 전술한 가열 시간을 다소 증가시킴으로써 얻을 수 있다. 그러한 경우에, 라미네이트 내의 굴절률의 변화는 불연속적일 수 있다.
도 7 및 도 8은, 형광층(4)이 추가로 부가되어 있는, 도 5에 나타낸 실시 형태의 예의 개략 단면도이다. 각각 도 7 및 도 8에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트는, 도 5에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트를 제조하기 전에 그리고 제조한 후에, 형광층(4) (무기 입자 및/또는 인광체를 포함하는 단층 시트)을 형성하는 단계들을 추가함으로써 얻을 수 있다.
도 9는, 경화된 생성물의 경도가 두께-관통 방향에서 변화하는 단층 시트(6)가 지지체 시트(1) 상에 층을 이룬, 라미네이트의 일례의 개략 단면도이다. 도 9에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트에서, 경화된 단층 시트(6)의 경도는 두께-관통 방향에서 변화한다. 구체적으로, 지지체 시트(1)로부터의 거리가 증가함에 따라, 경화된 생성물의 경도가 감소한다. 따라서, 도 9에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트는, 전방 표면과 후방 표면이 상이한 경화-후 경도를 갖는 단층 시트(6)가 제공된, 압축 성형 또는 라미네이팅에 사용하기 위한 라미네이트이다. 도 9에 나타낸 실시 형태에서, 단층 시트(6)는 바람직하게는 밀봉의 대상과 접촉한다.
도 9에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트를 사용하여, 예를 들어, LED 등을 밀봉하는 경우, LED 근처의 시일은 경화-후 경도가 낮고, 시일의 표면은 경도가 높으며, 따라서 우수한 장기간 신뢰성의 밀봉된 LED 등을 산출하며, 이는 LED의 표면으로부터의 밀봉 재료의 박리 또는 와이어 파손(wire breakage)의 방지 또는 감소를 가능하게 하며, 동시에, 밀봉 재료의 표면 점착 특성이 개선되게 한다.
일반적으로, 경질 시일은 열 응력에 대해 약하며, 연장된 사용에 따라 와이어 또는 LED 칩의 표면으로부터의 시일의 박리 또는 와이어 파손과 같은 문제를 나타내지만; 도 9에 나타낸 라미네이트로 이루어진 시일에서는 LED 등과 접촉하는 시일의 내측 면이 비교적 연질로 될 수 있기 때문에, 이러한 문제가 해결될 수 있다. 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 핫-멜트 경화성 실리콘 조성물은 또한 플립 칩(flip chip) 또는 다른 와이어리스 구조를 갖는 LED와 함께 유리하게 사용될 수 있다.
한편, 시일의 외측 면의 경도를 증가시키는 것은 충격-유발 손상, 먼지 부착 등이 예방 또는 감소되게 하며, 기체 투과성이 억제되게 한다.
도 9에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트는, 본 발명에 따른 조성물과 전술한 무기 입자 및/또는 인광체 중 하나 이상의 혼합물의 비교적 얇은 층을 필요한 대로 지지체 시트(1)에 적용하고, 예를 들어, 비교적 짧은 시간 동안 가열하여 부분적 가교결합을 야기하는 단계에 의해 제조될 수 있다. 이어서, 개질된 조성물을 사용하여, 이러한 단계를 반복하여서 단층 시트(6)를 형성한다. 가열 온도는 바람직하게는 50 내지 200℃, 더욱 바람직하게는 80 내지 150℃이다. 가열 시간은 바람직하게는 10초 내지 5분, 더욱 바람직하게는 30초 내지 3분이다. 경도가 감소하는 방향에서의 변화이기만 하다면, 조성물에서의 변화에는 특별한 제한이 없으며; 예를 들어, 페닐 기-함유 유기폴리실록산 중 알케닐 기 및/또는 규소 원자-결합된 수소 원자의 양이 감소될 수 있다. 그러한 경우에, 경화된 단층 시트(6) 내의 경도의 변화는 대략 연속적일 수 있다.
한편, 단층 시트(6) 대신에 다수의 서브시트의 라미네이트를 사용하는 것이 또한 가능하다. 그러한 경우에, 서브시트들은 지지체 시트(1)로부터의 거리에 따라, 경화된 서브시트들의 경도가 감소하도록 층을 이룰 수 있다. 그러한 서브시트들은, 본 발명에 따른 조성물과 전술한 무기 입자 및/또는 인광체 중 하나 이상의 혼합물의 비교적 두꺼운 층을 필요한 대로 적용하고 전술한 가열 시간을 다소 증가시킴으로써 얻을 수 있다. 그러한 경우에, 경화된 라미네이트 내의 경도의 변화는 불연속적일 수 있다.
도 10은, 형광층(4)이 추가로 부가되어 있는 도 9에 나타낸 실시 형태의 예의 개략 단면도이다. 도 10에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트는 도 9에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트를 제조하기 전에, 지지체 시트(1) 상에 형광층(4) (무기 입자 및/또는 인광체를 포함하는 단층 시트)을 형성하는 단계를 추가함으로써 얻을 수 있다.
도 5 내지 도 10에 나타낸 실시 형태 이외에, 본 발명에 따른 조성물을 포함하는 시트의 조성이 시트의 두께-관통 방향에서 연속적으로 또는 불연속적으로 변화하여, 전방 표면과 후방 표면이 상이한 물리적 특성을 갖는 시트를 산출하는 구성이 또한 허용가능하다. 조성의 변화는, 예를 들어, 시트의 두께-관통 방향에서, 성분 (A) 내지 성분 (H)의 분자 구조, 분자량, 또는 포함량, 및 규소 원자-결합된 수소 원자 및 규소 원자-결합된 알케닐 기의 몰 비로부터 선택되는 적어도 하나의 물리적 특성을 변화시킴으로써 달성될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 라미네이트에서, 각각의 층들은 굴절률, 경도, 광 투과율, 수증기 투과율, 열전도도, 열팽창성, 표면 점착성, 탄성 모듈러스, 및 경화 속도로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물리적 특성의 관점에서 서로 상이할 수 있다.
본 발명에 따른 라미네이트를 구성하는 적어도 하나의 층은 미리 결정된 패턴을 가질 수 있다. 패턴의 유형에는 특별한 제한이 없으며; 패턴은 층의 두께-관통 방향에서의 리지 및 리세션으로 이루어질 수 있거나, 또는 층의 표면 상에 종방향 및 위도 방향으로, 적절한 대로, 직선 또는 곡선에 의해 구성된 패턴(고리, 격자, 지그재그)으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 라미네이트는 또한 조면화될 수 있다. 거칠기의 유형에는 특별한 제한이 없으며; 예를 들어, 미리 결정된 깊이 및 높이의 요철이 표면 내에 형성될 수 있다. 요철은, 예를 들어, 미리 결정된 형상의 요철을 갖는 금속 등의 경질 물체를 본 발명에 따른 라미네이트의 표면 상에 배치하고, 본 발명에 따른 라미네이트 및/또는 경질 물체를 가열하여 형상을 전사함으로써 형성될 수 있다.
도 11은, 형광층(7)이 추가로 부가되어 있는, 도 3에 나타낸 실시 형태의 다른 예의 개략 단면도이다. 따라서, 도 11에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트는, 복수의 상이한 형광층들을 포함하는, 압축 성형 또는 라미네이팅에 사용하기 위한 라미네이트이다. 도 11에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트는, 도 3에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트를 제조한 후에 형광층(4) 상에 형광층(7)(다른 무기 입자 및/또는 다른 인광체를 포함하는 단층 시트)을 형성하는 단계를 추가함으로써 얻을 수 있다.
도 11에 나타낸 실시 형태에 따른 라미네이트에서, 형광층(4) 및 형광층(7)은 상이한 유형의 인광체를 포함한다. 예를 들어, 형광층(4)에서는 황색광을 방출하는 황색-발광 인광체를 사용하고, 형광층(7)에서는 적색광을 방출하는 적색-발광 인광체를 사용하는 것이 가능하다. 이러한 방식으로 복수의 색을 조합하여, 방출되는 광의 색을 더욱 용이하게 조정할 수 있으며, 색 재현성(color reproducibility)을 증가시킬 수 있다. 또한, 상이한 유형의 인광체를 포함하는 복수의 상이한 유형의 액체가 적용되는 경우와는 다르게, 형광층(4)과 형광층(7)이 접촉하게 되더라도, 인광체들이 혼합되지 않는다. LED에 의해 청색광이 방출되는 경우에, 형광층(4)의 작용은 청색광을 백색광으로 전환시켜서, 형광층(7)의 적색 인광체에 대한 청색광-유발 손상이 감소되게 한다. 예를 들어, 적색 인광체를 함유하는 층을 LED로부터 제거하고, 황색 또는 녹색 인광체를 함유하는 층이 LED와 접촉하는 구조를 채택하여, 적색 인광체에 의한 황색 또는 녹색 광의 흡수를 억제하는 것이 또한 가능하다.
이러한 방식으로, 본 발명에 따른 라미네이트는 상이한 유형의 인광체를 포함하는 적어도 2개의 층을 포함할 수 있다. 인광체는 바람직하게는 황색-발광 인광체, 적색-발광 인광체, 녹색-발광 인광체, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명은 또한 경화된 조성물, 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 단층 시트, 또는 라미네이트가 제공된 반도체 장치에 관한 것이며, 경화된 생성물은 반도체 소자를 포함한다. 경화된 생성물은 반도체 소자를 위한 시일로서 기능할 수 있다. 구체적으로, 본 발명은 또한 본 발명에 따른 조성물 또는 라미네이트를 사용하여 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 예에는 규소 반도체, 인화갈륨 반도체, 비소화갈륨 반도체, 질화갈륨 반도체 등이 포함된다. 경화된 생성물은 이와 관련하여 우수한 초기 접합성 및 접합 내구성을 나타내며, 가열/냉각 사이클을 거치는 경우에 특히 우수한 접합 내구성을 나타낸다.
반도체 소자는 광학 반도체 소자일 수 있다. 광학 반도체 소자의 구체적인 예에는 발광 다이오드 (LED), 반도체 레이저, 포토다이오드(photodiode), 포토트랜지스터(phototransistor), 고체 촬상 장치, 및 포토커플러(photocoupler)용 발광체 및 수광체가 포함되며; 광학 반도체 소자는 바람직하게는 발광 다이오드 (LED)이다.
본 발명에 따른 밀봉된 반도체 장치는 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 조성물, 단층 시트, 또는 라미네이트를 사용하여 압축 성형 또는 라미네이팅을 수행하는 단계를 통해 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 장치는, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 조성물 또는 단층 시트가 반도체 소자에 면하도록 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 조성물, 단층 시트, 또는 라미네이트를 배치하고, 압축 성형 또는 라미네이팅을 수행하는 단계를 통해 제조될 수 있다. 대안적으로, 반도체 소자가, 필요한 대로, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 조성물 또는 단층 시트가 반도체 소자에 면하도록 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 조성물, 단층 시트, 또는 라미네이트를 사용하여 라미네이팅될 수 있고, 그 후에, 미리 결정된 형상의 공동을 갖는 주형이 압축 성형을 수행하는 데 사용된다.
본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 예를, 도면을 참고하여, 하기에 설명한다.
도 12는 본 발명의 밀봉의 대상의 예의 개략 단면도이며, 다이-접합제(die-bonding agent) 등을 사용하여 LED 칩(9)이 기재(8) 상에 장착된, 밀봉 전의 광학 장치를 도시하는데, 기재(8)의 표면 상의 LED 칩(9)과 회로 또는 외부 리드(external lead) (도시되지 않음)는 와이어(10)에 의해 연결된다.
내열성이기만 하다면, 본 발명에 사용되는 기재에는 특별한 제한이 없으며; 기재 재료의 예에는 은, 금, 구리, 알루미늄, 및 니켈과 같은 금속; 규소와 같은 반도체; 내열 유리와 같은 유리; 고융점 열가소성 수지; 에폭시 수지, BT 수지, 폴리이미드 수지, 및 실리콘 수지와 같은 열경화성 수지; 알루미나 및 질화알루미나와 같은 세라믹; 및 이들의 복합재가 포함된다.
우선, 도 13에 나타낸 바와 같이, LED 칩(9)이 그 상에 장착된 기재(8)를 압축 성형 장치의 주형(11)의 리세스된 공동(11a)과 정렬시킨다. 다음으로, 도 1에 나타낸 실시 형태에 따른 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅에 사용하기 위한 라미네이트 (상기 라미네이트는 지지체 시트(1) 및 광학적으로 투명한 단층 시트(2)로 구성됨)를, 단층 시트(2)가 LED 칩(9)에 면하도록 배치한다. 도 13에서는, 예시의 편의를 위해, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅에 사용하기 위한 라미네이트와 LED 칩(9) 사이에 간극이 있지만, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅에 사용하기 위한 라미네이트는 또한 LED 칩(9) 상에 바로 배치될 수 있다. 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 단층 또는 라미네이트 상에서 압축 성형 또는 라미네이팅을 수행하는 경우에, 조성물의 접착을 방지하기 위한 이형 필름이 기계 장치와 본 발명에 따른 조성물 사이에 제공될 수 있다.
본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅에 사용하기 위한 라미네이트를 사용하여, 진공 라미네이션 등을 통해 미리 기재(8)의 LED 칩(9) 면을 라미네이팅하여서 둘을 통합하는 것이 또한 가능하다.
다음으로, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트를 지지체 시트(1)로부터 박리 및 제거한 후에, 주형(11)을 미리 결정된 압력으로 기재(8) 상으로 프레싱하여, 도 14에 나타낸 바와 같이, 단층 시트(2)에 대해 압축 성형을 수행한다. 그에 의해 단층 시트(2)는 가열 및 용융되어서, LED 칩(9)을 갖는 공동(11a)을 봉지된 상태로 충전하고, 반-회전타원체 렌즈-형상 또는 돔-형상 시일을 형성한다. 다음으로, 가열에 의해 시일을 경화시켜 경화된 생성물을 형성한다. 본 발명에서, 단층 시트(2)는 가열에 의해 용융 및 액화되어서, 와이어(10)를 갖는 복잡한 구조의 반도체 소자조차도 완전하게 충전되게 하며, 와이어(10)의 파손 등을 피한다. 주형(11)의 압축 힘 및 시간은 사용된 기재(8), LED 칩(9), 및 라미네이트의 유형에 따라, 적절한 대로, 설정될 수 있으며; 예를 들어, 힘은 0.01 내지 100 ㎏f/㎠, 바람직하게는 0.1 내지 10 ㎏f/㎠일 수 있고, 시간은 3 내지 30분, 바람직하게는 5 내지 15분일 수 있다. 압축 성형 온도가 또한 사용된 기재(8), LED 칩(9), 및 라미네이트의 유형에 따라, 적절한 대로, 설정될 수 있으며; 예를 들어, 온도는 50 내지 200℃, 바람직하게는 100 내지 150℃일 수 있다.
주형(11)에 의한 기재(8)의 압축을 완료하고 주형(11)을 기재(8)로부터 분리함으로써, 경화된 시일(2)을 공동(11a)으로부터 제거하여, LED 칩이 도 15에 도시된 상태로 밀봉되어 있는 광학 장치를 얻을 수 있다. 이러한 예에서, 광학적으로 투명한 단층 시트(2)를 사용하여, 광학적으로 투명한 시일(2)을 얻을 수 있다.
도 15에 나타낸 예에서, 공동(11a)은 반-회전타원체 형상을 가지며, 그 결과로, 시일(2)이 또한 반-회전타원체 렌즈 또는 돔 형상을 갖는다. 따라서, LED 칩(9)으로부터의 광 투사의 방향을 제어하고 정면 휘도(head-on brightness)가 너무 커지는 것을 방지함으로써, 우수한 광학 특성을 허용하는 것이 가능하다. 시일(2)과 기재(8)의 접촉각은 바람직하게는 60° 이상, 더욱 바람직하게는 70° 이상, 더욱 더 바람직하게는 80° 이상, 및 특히 바람직하게는 85 내지 90°이다.
그러나, 시일(2)은, 프레넬(Fresnel) 형상, 오목 렌즈 형상, 반-회전타원체 렌즈 또는 돔 이외의 볼록 렌즈 또는 돔 형상, 표면에 요철을 갖는 형상, 편평한 형상, 또는 다른 원하는 형상을 가질 수 있다. 이들 형상은 압축 성형 장치 또는 롤러의 공동 또는 라미네이터의 프레싱 표면의 원하는 형상을 통해 형성될 수 있다. 본 발명에 따른 조성물의 층은 또한 선택적으로 렌즈 형상 또는 다른 형상의 시일(2)과 LED 기재 사이에 존재할 수 있다.
그렇게 얻어진 시일(2)에 대해, 선택적으로 2차 경화 (사후-경화)가, 예를 들어, 100 내지 200℃, 바람직하게는 140 내지 180℃의 온도에서, 필요한 대로, 수행될 수 있다.
상기에 기재된 예에서는, 도 1에 나타낸 실시 형태에 따른 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트가 사용되었지만, 도 2 내지 도 11에 나타낸 다른 실시 형태에 따른 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트가 또한 유사한 방식으로 사용될 수 있다.
도 16 및 도 17은 도 4에 나타낸 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트를 사용하는 반도체 장치의 제조 예의 개략 단면도이다.
우선, 도 16에 나타낸 바와 같이, LED 칩(9)이 그 상에 장착되고 와이어(10)에 의해 회로(도면에서는 생략됨)에 전기적으로 연결된 기재(8)를 압축 성형 장치의 주형(11)의 리세스된 공동과 정렬시킨다. 다음으로, 도 4에 나타낸 실시 형태에 따른 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트 (상기 라미네이트는 지지체 시트(1), 형광층(4), 및 광학적으로 투명한 단층 시트(2)로 구성됨)를, 단층 시트(2)가 LED 칩(9)에 면하도록 배치한다. 도 16에서는, 예시의 편의를 위해, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트와 LED 칩(9) 사이에 간극이 있지만, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트는 또한 LED 칩(9) 상에 바로 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트를 사용하여, 진공 라미네이션 등을 통해 미리 기재(8)의 LED 칩(9) 면을 라미네이팅하여서 둘을 통합하는 것이 또한 가능하다.
다음으로, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트를 지지체 시트(1)로부터 박리 및 제거한 후에, 주형(11)을 미리 결정된 압력으로 기재(8) 상으로 프레싱하여, 도 17에 나타낸 바와 같이, 단층 시트(2) 및 형광층(4)에 대해 압축 성형을 수행한다. 그에 의해 단층 시트(2) 및 형광층(4)은 가열 및 용융되어서, LED 칩(9)을 갖는 공동의 내부를 봉지된 상태로 충전하고, 반-회전타원체 렌즈-형상 또는 돔-형상 시일을 형성한다. 다음으로, 가열에 의해 시일을 경화시켜 경화된 생성물을 형성한다. 본 발명에서, 단층 시트(2) 및 형광층(4)은 가열에 의해 용융, 연화, 및 액화되어서, 와이어(10)를 갖는 복잡한 구조의 반도체 소자조차도 완전하게 충전되게 하며, 와이어(10)의 파손 등을 피한다. 주형(11)의 압축 힘 및 온도는 사용된 기재(8), LED 칩(9), 및 라미네이트의 유형에 따라, 적절한 대로, 설정될 수 있다.
주형(11)에 의한 기재(8)의 압축을 완료하고 주형(11)을 기재(8)로부터 분리함으로써, 경화된 시일(2)을 공동으로부터 제거하여, LED 칩(9)이 도 18에 도시된 상태로 밀봉되어 있는 광학 장치를 얻을 수 있다. 이러한 예에서, 광학적으로 투명한 단층 시트(2) 및 형광층(4)을 포함하는 라미네이트를 사용하여, 광학적으로 투명한 시일(2)의 표면 상에 형광층(4)이 제공되어 있는 광학 장치를 얻을 수 있다.
도 12 내지 도 18에 나타낸 실시 형태에서, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅에 사용하기 위한 단층 시트의 크기는 바람직하게는 기재(8)의 크기보다 작다. 본 명세서에서, "크기"는 일반적으로 "면적"을 지칭한다. 이는, 압축 성형 동안 공동으로부터 수지가 누출되는 것을 방지하거나 감소시킬 수 있다.
추가로, 도 12 내지 도 18에 나타낸 실시 형태에서, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 단층 시트의 두께는 바람직하게는 주형(11)의 공동의 최대 높이보다 작다. 이는, 압축 성형 동안 공동으로부터 수지가 누출되는 것을 방지하거나 감소시킬 수 있고, 시트의 사용량을 억제할 수 있다.
더욱이, 도 12 내지 도 18에 나타낸 실시 형태에서, 본 발명에 따른 압축 성형 또는 라미네이팅을 위한 라미네이트의 지지체 시트(1)의 크기는 단층 시트(2) 및/또는 형광층(4)의 크기보다 클 수 있다. 이는, 이형제를 적용하는 것과 같은 처리가 지지체 시트(1)의 전체 표면에서 수행될 필요가 없게 하여서, 제조 비용을 감소시킬 수 있다.
실시예
실시예를 사용하여 본 발명을 하기에 설명할 것이지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
[실시예 1]
평균 단위식: (MeViSiO2/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.3(PhSiO3/2)0.45로 표시되는, 75 질량부의 메틸비닐폴리실록산, 화학식: (HMe2SiO)2SiPh2로 표시되는, 25 질량부의 트라이실록산, ViMe2SiO(MePhSiO)17.5SiViMe2로 표시되는, 10 질량부의 메틸페닐폴리실록산, 백금-1,3-다이비닐-1,1,3,3-메틸다이실록산의 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 용액 (조성물의 총량에 대한 금속 백금의 질량으로 환산하여 40 ppm인 양), 및 에티닐 헥사놀 (조성물의 총량에 대한 질량으로 환산하여 600 ppm에 상당하는 양)을 첨가하고 균질해질 때까지 혼합하여서, 25℃에서의 점도가 8,630 mPa·s인 액체 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 1을 제조하였다. 얻어진 실리콘 조성물 1을 1 cm-두께 주형에 붓고, 프레스 내에서 100℃에서 30분 동안 가열하고, 냉각한 후에, 25℃에서 타입 A 경도를 측정하였고 68의 결과를 얻었다. 얻어진 실리콘 조성물 1을 또한 핫 프레스 내에서 100℃에서 30분 동안 가열하여 1 mm-두께의 투명 시트 1을 얻었다. 이동 다이 레오미터 (MDR)를 사용하여 130℃에서 투명 시트 1의 최소 토크 값을 측정하였고 0.01 dN·m의 결과를 얻었다.
[실시예 2]
평균 단위식: (MeViSiO2/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.3(PhSiO3/2)0.45로 표시되는, 37.5 질량부의 메틸비닐폴리실록산, (Me2ViSiO3/2)0.2(PhSiO3/2)0.8로 표시되는, 40 질량부의 메틸비닐페닐폴리실록산, 화학식: (HMe2SiO)2SiPh2로 표시되는, 22.5 질량부의 트라이실록산, ViMe2SiO(MePhSiO)17.5SiViMe2로 표시되는, 10 질량부의 메틸페닐폴리실록산, 백금-1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산의 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 용액 (조성물의 총량에 대한 금속 백금의 질량으로 환산하여 40 ppm인 양), 및 에티닐 헥사놀 (조성물의 총량에 대한 질량으로 환산하여 600 ppm에 상당하는 양)을 첨가하고 균질해질 때까지 혼합하여서, 25℃에서의 점도가 17,090 mPa·s인 액체 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 2를 제조하였다. 얻어진 실리콘 조성물 2를 1 cm-두께 주형에 붓고, 프레스 내에서 100℃에서 15분 동안 가열하고, 냉각한 후에, 25℃에서 타입 A 경도를 측정하였고 55의 결과를 얻었다. 얻어진 실리콘 조성물 2를 또한 핫 프레스 내에서 100℃에서 30분 동안 가열하여 1 mm-두께의 투명 시트 2를 얻었다. 이동 다이 레오미터 (MDR)를 사용하여 130℃에서 투명 시트 2의 최소 토크 값을 측정하였고 0.02 dN·m의 결과를 얻었다.
[실시예 3]
투명 시트 1을, 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드(retainer board)와 함께, 돔-형상 공동을 갖는 주형이 제공된 압축 성형 장치 상의 소정 위치에서 공동에 상응하게 놓았다. 다음으로, 130℃에서 5분 동안 압축 성형을 수행하고, 시트를 용융 및 경화시켜 LED를 밀봉하였고, 따라서, 돔-형상의 투명 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었으며, 장치는 도 15에 나타낸 것과 같은 단면 형상을 갖는다.
[실시예 4]
투명 시트 2를, 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드와 함께, 돔-형상 공동을 갖는 주형이 제공된 압축 성형 장치 상의 소정 위치에서 공동에 상응하게 놓았다. 다음으로, 130℃에서 5분 동안 압축 성형을 수행하고, 시트를 용융 및 경화시켜 LED를 밀봉하고, 150℃에서 1시간 동안 가열을 추가로 수행하였고, 따라서, 돔-형상의 투명 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었으며, 장치는 도 15에 나타낸 것과 같은 단면 형상을 갖는다.
[실시예 5]
황색 YAG 인광체 (NYAG4454, 인테마틱스(Intematix))를, 조성물의 총 질량에 대해 5 질량%의 농도로, 실시예 1에서 제조된 액체 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 1과 혼합하여 황색 인광체-함유 액체 실리콘 조성물을 얻었다. 그렇게 얻어진 황색 인광체-함유 액체 실리콘 조성물을 핫 프레스 내에서 110℃에서 15분 동안 가열하여 1 mm-두께 인광체 시트 1을 얻었다. 얻어진 인광체 시트 1을, 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드와 함께, 돔-형상 공동을 갖는 주형이 제공된 압축 성형 장치 상의 소정 위치에서 공동에 상응하게 놓았다. 다음으로, 130℃에서 5분 동안 압축 성형을 수행하고, 시트를 용융 및 경화시켜 LED를 밀봉하고, 150℃에서 1시간 동안 가열을 추가로 수행하였고, 따라서, 돔-형상의 황색 인광체 밀봉된 성형된 생성물을 포함하는 LED 장치를 얻었으며, 장치는 도 15에 나타낸 것과 같은 단면 형상을 갖는다.
[실시예 6]
황색 YAG 인광체 (NYAG4454, 인테마틱스)를, 조성물의 총 질량에 대해 8 질량%의 농도로, 실시예 1에서 제조된 액체 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 1과 혼합하여 황색 인광체-함유 액체 실리콘 조성물을 얻었다. 그렇게 얻어진 황색 인광체-함유 액체 실리콘 조성물을 핫 프레스 내에서 120℃에서 15분 동안 가열하여 300 μm-두께 인광체 시트 2를 얻었다. 얻어진 인광체 시트 2를 실시예 1에서 제조된 1 mm-두께 투명 시트 1 상에 라미네이팅하여, 라미네이팅된 시트 1을 얻었다.
[실시예 7]
황색 YAG 인광체 (NYAG4454, 인테마틱스)를, 조성물의 총 질량에 대해 50 질량%의 농도로, 실시예 1에서 제조된 액체 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 1과 혼합하여 황색 인광체-함유 액체 실리콘 조성물을 얻었다. 그렇게 얻어진 황색 인광체-함유 액체 실리콘 조성물을 핫 프레스 내에서 120℃에서 15분 동안 가열하여 60 μm-두께 인광체 시트 3을 얻었다. 얻어진 인광체 시트 3을 실시예 1에서 제조된 1 mm-두께 투명 시트 1 상에 라미네이팅하여, 라미네이팅된 시트 2를 얻었다.
[실시예 8]
와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드를, 돔-형상 공동을 갖는 주형이 제공된 압축 성형 장치 상의 소정 위치에서 공동에 상응하게 놓았다. 이어서, 라미네이팅된 시트 1을, 인광체 시트 2가 LED에 면하도록, 공동에 상응하는 위치에 공급하였다. 다음으로, 130℃에서 5분 동안 압축 성형을 수행하고, 라미네이팅된 시트 1을 용융 및 경화시켜 LED를 밀봉하고, 150℃에서 1시간 동안 가열을 추가로 수행하였고, 따라서, 돔-형상의 투명 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다. 도 19에 나타난 바와 같이, 인광체 시트 2로부터 유래된 형광층은 빈 공간이 전혀 없이 LED 및 전극을 덮었고, 투명 시트 1로부터 유래된 돔-형상의 투명 시일이 형광층 상에 형성된 것으로 확인되었다. 밀봉된 LED 근처에서의 LED 장치 단면의 광학 현미경 관찰은 투명 시일과 형광층 사이의 인광체의 혼합을 전혀 나타내지 않았다.
[실시예 9]
와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드를, 돔-형상 공동을 갖는 주형이 제공된 압축 성형 장치 상의 소정 위치에서 공동에 상응하게 놓았다. 이어서, 라미네이팅된 시트 2를, 인광체 시트 3이 LED에 면하도록, 공동에 상응하는 위치에 공급하였다. 다음으로, 130℃에서 5분 동안 압축 성형을 수행하고, 라미네이팅된 시트 2를 용융 및 경화시켜 LED를 밀봉하고, 150℃에서 1시간 동안 가열을 추가로 수행하였고, 따라서, 돔-형상의 투명 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다. 인광체 시트 3으로부터 유래된 형광층은 빈 공간이 전혀 없이 LED 및 전극을 덮었고, 투명 시트 2로부터 유래된 돔-형상의 투명 시일이 형광층 상에 형성된 것으로 확인되었다. 도 20에 나타난 바와 같이, 밀봉된 LED 근처에서의 LED 장치 단면의 광학 현미경 관찰은 투명 시일과 형광층 사이의 인광체의 혼합을 전혀 나타내지 않았다.
[실시예 10]
실시예 6에서 제조된 라미네이팅된 시트 1을 인광체 시트 2가 LED 반대측에 면하도록 공동-상응 위치로 공급한 점을 제외하고는, 실시예 8의 작업을 반복하여 돔-형상의 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다. 도 18에 나타난 바와 같이, 투명 시트 1로부터 유래된 돔-형상의 투명 시일 및 투명층은 빈 공간이 전혀 없이 LED 및 전극을 덮었고, 투명 시일 및 투명층의 표면은 인광체 시트 2로부터 유래된 형광층으로 덮인 것으로 확인되었다. 밀봉된 LED 근처에서의 LED 장치 단면의 광학 현미경 관찰은 투명 시일 및 투명층과 형광층 사이의 인광체의 혼합을 전혀 나타내지 않았다.
[실시예 11]
실시예 7에서 제조된 라미네이팅된 시트 2를 인광체 시트 3이 LED 반대측에 면하도록 공동-상응 위치로 공급한 점을 제외하고는, 실시예 9의 작업을 반복하여 돔-형상의 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다. 도 18에 나타난 바와 같이, 투명 시트 1로부터 유래된 돔-형상의 투명 시일 및 투명층은 빈 공간이 전혀 없이 LED 및 전극을 덮었고, 투명 시일 및 투명층의 표면은 인광체 시트 3으로부터 유래된 형광층으로 덮인 것으로 확인되었다. 밀봉된 LED 근처에서의 LED 장치 단면의 광학 현미경 관찰은 투명 시일 및 투명층과 형광층 사이의 인광체의 혼합을 전혀 나타내지 않았다.
[실시예 12]
실리케이트 녹색 인광체 (EG3261, 인테마틱스)를, 조성물의 총 질량에 대해 40 질량%의 농도로, 실시예 2에서 제조된 액체 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 2와 혼합하여 녹색 인광체-함유 액체 실리콘 조성물을 얻었다. 그렇게 얻어진 녹색 인광체-함유 액체 실리콘 조성물을 핫 프레스 내에서 110℃에서 15분 동안 가열하여 60 μm-두께 녹색 인광체 시트를 얻었다.
한편, 질화물 적색 인광체 (R6535, 인테마틱스)를, 조성물의 총 질량에 대해 10 질량%의 농도로, 실시예 2에서 제조된 액체 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 2와 혼합하여 적색 인광체-함유 액체 실리콘 조성물을 얻었다. 그렇게 얻어진 적색 인광체-함유 액체 실리콘 조성물을 핫 프레스 내에서 110℃에서 15분 동안 가열하여 60 μm-두께 적색 인광체 시트를 얻었다.
얻어진 적색 인광체 시트를 실시예 4에서 얻어진 1 mm-두께 투명 시트 2 상에 라미네이팅하고, 얻어진 녹색 인광체 시트를 적색 인광체 시트 상에 라미네이팅하여, 라미네이팅된 시트 3을 얻었다.
녹색 인광체 시트가 LED 반대측에 면하도록, 얻어진 라미네이팅된 시트 3을, 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드와 함께, 돔-형상 공동을 갖는 주형이 제공된 압축 성형 장치 상의 소정 위치에서 공동에 상응하게 놓았다. 다음으로, 130℃에서 5분 동안 압축 성형을 수행하고, 시트를 용융 및 경화시켜 LED를 밀봉하고, 150℃에서 1시간 동안 가열을 추가로 수행하였고, 따라서, 돔-형상의 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다. 투명 시트 2로부터 유래된 돔-형상의 투명 시일 및 투명층은 빈 공간이 전혀 없이 LED 및 전극을 덮었고, 돔의 표면은 적색 및 녹색 인광체 시트 층으로 덮인 것으로 확인되었다. 밀봉된 LED 근처에서의 LED 장치 단면의 광학 현미경 관찰은 투명 시일, 투명층, 녹색 인광체 시트, 및 적색 인광체 시트 사이의 인광체의 혼합을 전혀 나타내지 않았다.
[실시예 13]
실시예 7에서 얻어진 인광체 시트 2를 선 또는 정사각형 형상으로 부분적으로 잘라내어 인광체 시트 4를 얻었다. 선-형상 (도 21 참조)의 또는 정사각형-형상 (도 22 참조)의 인광체 시트 4를 실시예 3에서 제조된 투명 시트 1 상에 라미네이팅하여, 인광체 시트 4로 부분적으로 라미네이팅된, 라미네이팅된 시트를 얻었다. 라미네이팅된 시트를 인광체 시트 4가 LED에 면하도록 공동에 상응하는 위치로 공급한 점을 제외하고는, 실시예 9의 작업을 반복하여 돔-형상의 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다 (도 21 및 도 22 참조). 부분적으로 라미네이팅된 인광체 시트 4는 투명 시트 1로부터 유래된 돔-형상의 투명 시일로 덮인 것으로 확인되었다. 시일 단면의 광학 현미경 관찰은 투명 시일과 인광체 시트 4 사이의 인광체의 혼합을 전혀 나타내지 않았다.
[실시예 14]
실시예 2에서 얻어진 액체 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 2를 핫 프레스 내에서 110℃에서 15분 동안 프레싱하여 1 mm-두께 투명 시트 3을 얻었다. 얻어진 투명 시트 3을, 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드와 함께, 진공 가열 라미네이터 내에 배치하였다. 다음으로, 130℃에서 1분 동안 진공 탈기를 수행하고, 대기압에서 5분 동안 가열을 수행하고, 시트를 용융 및 경화시켜 LED를 밀봉하고, 150℃에서 1시간 동안 추가로 가열을 수행하여, 편평한 형상을 갖는 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다.
[실시예 15]
황색 YAG 인광체 (NYAG4454, 인테마틱스)를, 조성물의 총 질량에 대해 50 질량%의 농도로, 실시예 2에서 제조된 액체 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 2와 혼합하여 황색 인광체-함유 액체 실리콘 조성물을 얻었다. 그렇게 얻어진 황색 인광체-함유 액체 실리콘 조성물을 핫 프레스 내에서 120℃에서 15분 동안 가열하여 60 μm-두께 인광체 시트 5를 얻었다. 이어서, 실시예 14에서 얻어진 1 mm-두께 투명 시트 3 및 인광체 시트 5를 접합하여, 라미네이팅된 시트 4를 형성하였다. 얻어진 라미네이팅된 시트 4를, 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드와 함께, 진공 가열 라미네이터 내에 배치하였다. 다음으로, 130℃에서 1분 동안 진공 탈기를 수행하고, 대기압에서 5분 동안 가열을 수행하고, 시트를 용융 및 경화시켜 LED를 밀봉하고, 150℃에서 1시간 동안 추가로 가열을 수행하여, 편평한 형상을 갖는 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다.
[참고예 1] (습식 소수성화된 보강 실리카의 합성)
먼저, 277 g의 옥타메틸사이클로테트라실록산, 4.6 g의 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 517 g의 메틸트라이메톡시실란, 및 촉매로서 작용하는, 0.43 g의 수산화칼륨을 대략 2시간 동안 105℃의 온도에서 반응시켜서, 개환되고 재배열된 유기폴리실록산을 포함하는 소수성화제를 제조하였다. 수산화칼륨을 탄산 가스로 중화시켰다. 얻어진 유기폴리실록산을 분석하였을 때, 이 물질은 0.7 몰%의 메틸비닐실록산 기를 포함하는 직쇄 유기폴리실록산인 것으로 관찰되었다.
다음으로, 상기에 기재된 바와 같이 얻어진 소수성화제를 사용하여 하기와 같이 습식법 소수성화된 보강 실리카를 합성하였다. 구체적으로, 118 g의 메탄올, 32 g의 진한 암모늄 용액, 및 39 g의 상기에서 얻어진 소수성화제를 유리 반응 용기 내에 로딩하고, 전자기 혼합기로 균일하게 혼합하였다. 다음으로, 혼합물을 격렬하게 교반하면서 96 g의 메틸 오르토실리케이트를 한꺼번에 혼합물에 첨가하였다. 반응 생성물은 15초 후에 젤라틴처럼 되었으며, 교반을 중단하였다. 생성물을 이러한 상태로 실온에서 기밀 봉지(hermetic seal) 하에 1주일 동안 정치하여 에이징시켰고, 습식 소수성화된 보강 실리카의 액체 분산물을 얻었다. 액체 실리카 분산물로부터 메탄올 및 암모니아 가스를 제거하여, 습식법 소수성화된 보강 실리카를 얻었다. 이러한 습식 소수성화된 보강 실리카의, BET 방법에 의한 비표면적은 540 m2/g이었다.
[참고예 2] (필름-유사 열경화성 실리콘 밀봉 재료의 제조)
우선, 99.63 몰%의 다이메틸실록산 단위 및 0.37 몰%의 메틸비닐실록산 단위를 포함하며 분자쇄 말단들이 다이메틸비닐실록시 기로 캡핑된, 다이메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체 생고무 (중합도: 4,000) 100 질량부, 및 BET 방법 비표면적이 540 m2/g인, 상기에서 제조된 습식 소수성화된 보강 실리카 75 질량부를 혼련 혼합기 내에 로딩하고 180℃에서 60분 동안 혼련하였다. 냉각한 후에, 점도가 25℃에서 7 mPa·s인, 분자쇄 말단들이 트라이메틸실록시 기로 캡핑된 메틸하이드로겐폴리실록산 (규소-결합된 수소 원자 함량: 1.5 질량%) 3.0 질량부, 및 백금 금속의 양이 10 ppm이 되도록 하는, 염화백금산과 1,3-다이비닐테트라메틸다이실록산의 착물을, 얻어진 실리콘 고무 베이스 내에 혼합하여, 투명한 열경화성 실리콘 고무 조성물을 얻었다. 조성물을 캘린더 롤러(calender roller)에 통과시켜 1 mm-두께 투명 시트 4를 얻었다.
[실시예 16]
프레스를 사용하여 투명 시트 4를 300 μm의 두께로 추가로 압축하여 투명 시트 5를 얻었다. 투명 시트 5는 25℃에서 굴절률이 1.41이었다. 다음으로, 투명 시트 5를 투명 시트 3 상에 라미네이팅하여, 라미네이팅된 시트 5를 얻었다. 투명 시트 3은 25℃에서 굴절률이 1.55였다.
이어서, 얻어진 라미네이팅된 시트 5를, 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드와 함께, 돔-형상 공동을 갖는 주형이 제공된 압축 성형 장치 상의 소정 위치에서 공동에 상응하게 놓았다. 라미네이팅된 시트 5는, 굴절률이 높은 투명 시트 3이 LED에 면하고 굴절률이 낮은 투명 시트 5가 LED 반대측에 면하도록 놓았다. 다음으로, 130℃에서 5분 동안 압축 성형을 수행하고, 시트를 용융 및 경화시켜 LED를 밀봉하고, 150℃에서 1시간 동안 가열을 추가로 수행하였고, 따라서, 돔-형상의 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다.
[실시예 17]
150℃에서 1시간 동안 경화 후의 투명 시트 4 및 투명 시트 5의 타입-A 경도는 A70이었다. 한편, 150℃에서 1시간 동안 경화 후의 투명 시트 3의 쇼어(Shore) D 경도는 D74였다.
150℃에서 1시간 동안 경화된 후의 투명 시트 3 및 투명 시트 4 상에 스미토모 쓰리엠(Sumitomo 3M)으로부터의 다이네온(Dyneon™) TF 마이크로파우더(Micropowder) TF9205 (평균 입자 크기 8 μm)를 살포하였다. 다음으로, 실리콘 경화 생성물에 부착된 여분의 분말을 공기로 날려 제거하고, 광학 현미경을 통해 잔류 분말 접착성을 관찰하였다. 그 결과로서, 투명 시트 3의 표면에는 분말이 전혀 접착하지 않은 것으로 관찰되었으며, 이는 표면 점착성이 낮았음을 입증한다. 투명 시트 4의 표면에는 분말이 접착하는 것으로 관찰되었으며, 이는 표면 점착성이 높았음을 입증한다.
라미네이팅된 시트 5를, 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드와 함께, 돔-형상 공동을 갖는 주형이 제공된 압축 성형 장치 상의 소정 위치에서 공동에 상응하게 놓았다. 라미네이팅된 시트 5는, 경화 후 경도가 낮고 표면 점착성이 높은 투명 시트 5가 LED에 면하고, 경화 후 경도가 높고 표면 점착성이 낮은 투명 시트 3이 LED 반대측에 면하도록 놓았다. 다음으로, 130℃에서 5분 동안 압축 성형을 수행하고, 시트를 용융 및 경화시켜 LED를 밀봉하고, 150℃에서 1시간 동안 가열을 추가로 수행하였고, 따라서, 돔-형상의 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다.
[실시예 18]
20 질량부의 산화티타늄 입자 및 50 질량부의 파쇄 실리카 입자를 30 질량부의, 실시예 2에서 제조된 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 2 중에 혼합하여 백색 실리콘 조성물 1을 얻었다. 얻어진 백색 실리콘 조성물 1을, 60 μm 두께 주형을 사용하여 120℃에서 15분 동안 가열하여서 60 μm-두께 백색 시트 1을 얻었다. 얻어진 백색 시트에 원형 구멍을 뚫고, 이것을 실시예 14에서 제조된 투명 시트 3 상에 라미네이팅하여, 원형 구멍이 뚫린 백색 시트 1을 포함하는 라미네이팅된 시트 6을 얻었다.
이어서, 얻어진 라미네이팅된 시트 6을, 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드와 함께, 돔-형상 공동을 갖는 주형이 제공된 압축 성형 장치 상의 소정 위치에서 공동에 상응하게 놓았다. 라미네이팅된 시트 6은, 백색 시트 1이 LED 리테이너 보드와 접촉하고, 투명 시트 3이 LED 리테이너 보드 반대편의 분위기에 면하여 배치되도록 놓았다. 다음으로, 130℃에서 5분 동안 압축 성형을 수행하고, 시트를 용융 및 경화시켜 LED를 밀봉하고, 150℃에서 1시간 동안 가열을 추가로 수행하였고, 따라서, 도 23에 나타난 바와 같이, LED를 둘러싸는 패턴을 갖는 백색 층 및 돔-형상의 투명 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다.
[실시예 19] (A-스테이지 재료)
하기 평균 단위식:
(MeViSiO2/2)0.10(Me2SiO2/2)0.15(PhSiO3/2)0.75
으로 표시되며 25℃에서 고체인 유기폴리실록산 43 질량부, 및 하기 화학식:
(Me2HSiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40
으로 표시되며 25℃에서 액체인 유기폴리실록산 7 질량부를 톨루엔 50 질량부에 용해하였다. 백금-1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산의 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 용액 (조성물의 총량에 대한 질량으로 환산하여 금속 백금의 양이 5 ppm이 되도록 하는 양) 및 1,3-비스(다이페닐포스피노)프로판 0.001 질량부를 첨가하고 혼합한 후에, 60℃에서 회전식 증발기를 사용하여 톨루엔을 제거하여서, 액체 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 3을 제조하였다. 얻어진 액체 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 3을 100℃ 프레스를 사용하여 압축하여서 1 mm-두께 투명 시트 6을 얻었다.
[실시예 20] (2-단계 메틸실리콘 재료)
하기 평균 단위식:
(Me2ViSiO1/2)0.08(Me3SiO1/2)0.44(SiO4/2)0.52
으로 표시되며 25℃에서 고체인 유기폴리실록산 35 질량부, 하기 화학식:
Me2ViSiO(SiMe2O)80SiMe2Vi
으로 표시되며 25℃에서 액체인 유기폴리실록산 11 질량부, 및 하기 화학식:
Me2HSiO(SiMe2O)30SiMe2H
으로 표시되며 25℃에서 액체인 유기폴리실록산 4 질량부를 자일렌 50 질량부에 용해하였다. 백금-1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산의 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 용액 (조성물의 총량에 대한 질량으로 환산하여 금속 백금의 양이 5 ppm이 되도록 하는 양)을 첨가하고 플라스크에서 100℃에서 6시간 동안 가열하였다. FT-IR에 의하면 규소 원자-결합된 수소 원자가 검출되지 않았으며, 이는 하이드로실릴화 반응의 진행을 입증한다. 얻어진 용액에, 하기 평균식:
Me3SiO(SiMeHO)20SiMe3
으로 표시되며 25℃에서 액체인 유기폴리실록산 4 질량부 및 에티닐 헥사놀 (조성물의 총량에 대한 질량으로 환산하여 1,000 ppm에 상당하는 양)을 첨가하고, 전체를 혼합한 후에, 80℃에서 회전식 증발기를 사용하여 자일렌을 제거하여서, 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 4를 제조하였다. 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 4를 100℃ 프레스를 사용하여 압축하여서 1 mm-두께 투명 시트 7을 얻었다.
[실시예 21] (2-단계 페닐실리콘 재료)
하기 평균 단위식:
(Me2ViSiO1/2)0.25 (PhSiO3/2)0.75
으로 표시되며 25℃에서 고체인 유기폴리실록산 43 질량부 및 25℃에서 액체인 1,1,5,5-헥사메틸-3,3-다이페닐트라이실록산 7 질량부를 톨루엔 50 질량부에 용해하였다. 백금-1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산의 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 용액 (조성물의 총량에 대한 질량으로 환산하여 금속 백금의 양이 5 ppm이 되도록 하는 양)을 첨가하고 플라스크에서 100℃에서 6시간 동안 가열하였다. FT-IR에 의하면 규소 원자-결합된 수소 원자가 검출되지 않았으며, 이는 하이드로실릴화 반응의 진행을 입증한다. 얻어진 용액에, 하기 평균 단위식:
(Me2HSiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40
으로 표시되며 25℃에서 액체인 유기폴리실록산 6 질량부 및 에티닐 헥사놀 (조성물의 총량에 대한 질량으로 환산하여 1,000 ppm에 상당하는 양)을 첨가하고, 전체를 혼합한 후에, 80℃에서 회전식 증발기를 사용하여 톨루엔을 제거하여서, 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 5를 제조하였다. 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 5를 100℃ 프레스를 사용하여 압축하여서 1 mm-두께 투명 시트 8을 얻었다.
[실시예 22]
실시예 19에서 제조된 투명 시트 6 및 1 mm-두께 투명 시트 4를 롤러 라미네이션을 통해 실온에서 접합하여, 라미네이팅된 시트 7을 얻었다. 얻어진 라미네이팅된 시트 7을, 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드와 함께, 롤러 가열 라미네이터 내에 배치하였다. 다음으로, 시트를 100℃에서 용융 및 열 압축하면서 라미네이팅하여, 라미네이팅된 시트 7을 LED 리테이너 보드 상에 밀봉하였다. 라미네이션 처리 동안, 투명 시트 6은 LED에 면하도록 배열하였다. 라미네이션 후에, 라미네이팅된 시트 7이 압축-접합되어 있는 LED 리테이너 보드를, 돔-형상의 공동을 갖는 주형이 제공된 압축 성형 장치 내에 배치하였다. 다음으로, 25℃에서 30초 동안 압축 성형을 수행하여 압력 변형을 유발하고, 돔 형상을 형성하고, 150℃에서 1시간 동안 가열을 추가로 수행하여서, 돔-형상의 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다.
[실시예 23]
실시예 20에서 제조된 투명 시트 7 및 1 mm-두께 투명 시트 4를 롤러 라미네이션을 통해 실온에서 접합하여, 라미네이팅된 시트 8을 얻었다. 얻어진 라미네이팅된 시트 8을, 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드와 함께, 롤러 가열 라미네이터 내에 배치하였다. 다음으로, 시트를 100℃에서 용융 및 열 압축하면서 라미네이팅하여, 라미네이팅된 시트 8을 LED 리테이너 보드 상에 밀봉하였다. 라미네이션 처리 동안, 투명 시트 7은 LED에 면하도록 배열하였다. 라미네이션 후에, 라미네이팅된 시트 8이 압축-접합되어 있는 LED 리테이너 보드를, 돔-형상의 공동을 갖는 주형이 제공된 압축 성형 장치 내에 배치하였다. 다음으로, 25℃에서 30초 동안 압축 성형을 수행하여 압력 변형을 유발하고, 돔 형상을 형성하고, 150℃에서 1시간 동안 가열을 추가로 수행하여서, 돔-형상의 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다.
[실시예 24]
실시예 21에서 제조된 투명 시트 8 및 투명 시트 3을 롤러 라미네이션을 통해 실온에서 접합하여, 라미네이팅된 시트 9를 얻었다. 얻어진 라미네이팅된 시트 9를, 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드와 함께, 돔-형상 공동을 갖는 주형이 제공된 압축 성형 장치 상의 소정 위치에서 공동에 상응하게 놓았다. 라미네이팅된 시트 9를, 투명 시트 3이 LED에 면하고 투명 시트 7이 LED 반대측에 면하도록 놓았다. 다음으로, 130℃에서 5분 동안 압축 성형을 수행하고, 시트를 용융 및 경화시켜 LED를 밀봉하고, 150℃에서 1시간 동안 가열을 추가로 수행하였고, 따라서, 돔-형상의 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다.
[실시예 25]
실시예 15에서 제조된 라미네이팅된 시트 4를, 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 LED 리테이너 보드와 함께, 진공 가열 라미네이터 내에 놓았다. 라미네이팅된 시트 4 상에 이형 필름을 추가로 놓고, 패턴화된 알루미늄 플레이트를 이형 필름 상에 추가로 배치하였다. 다음으로, 150℃에서 1분 동안 진공 탈기를 수행하고, 대기압에서 5분 동안 가열을 수행하고, 시트를 용융 및 경화시켜 LED를 밀봉하고, 150℃에서 1시간 동안 추가로 가열을 수행하여, 공기와의 계면에 패턴을 갖는 시일을 포함하는 LED 장치를 얻었다.
부호의 설명
1 지지체 시트
2 제1 단층 시트 (투명층) (시일)
3 무기 입자 및/또는 인광체
4 제2 단층 시트 (형광층)
5 단층 시트
6 단층 시트
7 상이한 형광층
8 기재
9 LED 칩
10 와이어
11 주형

Claims (35)

  1. 압축 성형(compression molding) 또는 라미네이팅(laminating)을 위한 핫-멜트(hot-melt) 유형 경화성 실리콘 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 필름 또는 시트(sheet)의 형태인, 경화성 실리콘 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 조성물은 반도체 장치를 밀봉하는 데 사용하기 위한 것인, 경화성 실리콘 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 실리콘 조성물은
    (1) 미반응 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물;
    (2) 미반응 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물을 부분적으로 가교결합하여 얻어지는 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물; 및
    (3) 미반응 하이드로실릴화 반응성 실리콘 조성물을 가교결합하여 얻어지는, 규소 원자-결합된 수소 원자 및/또는 알케닐 기를 갖는 가교결합 생성물; 및 적어도 하나의 유형의 하이드로실릴화 반응성 성분을 포함하는 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 경화성 실리콘 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 상기 미반응 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 (1)은
    (A) 25℃에서 고체이며 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산;
    (B) 한 분자 내에 적어도 2개의 규소 원자-결합된 수소 원자를 함유하는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산으로서, 성분 (A) 중 알케닐 기의 총 몰 농도에 대한 규소 원자-결합된 수소 원자의 총 몰 농도의 비가 0.2 내지 4의 범위가 되도록 하는 양의, 상기 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산; 및
    (C) 하이드로실릴화 반응을 달성하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매를 포함하는, 경화성 실리콘 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 성분 (A)는
    (A-1) 25℃에서 고체이며 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 분지형 유기폴리실록산 60 내지 100 질량%와;
    (A-2) 25℃에서 액체이며 한 분자 내에 평균 적어도 2개의 알케닐 기를 갖는 직쇄형 또는 부분 분지형 유기폴리실록산 0 내지 40 질량%의 혼합물인, 경화성 실리콘 조성물.
  7. 제4항에 있어서, 미반응 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물을 부분적으로 가교결합하여 얻어지는 상기 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 (2)는
    (D) 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산;
    (E) 한 분자 내에 적어도 2개의 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산으로서, 성분 (D) 중 알케닐 기의 총 몰 농도에 대한 규소 원자-결합된 수소 원자의 총 몰 농도의 비가 0.2 내지 4의 범위가 되도록 하는 양의, 상기 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산; 및
    (F) 하이드로실릴화 반응을 달성하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매를 포함하는 하이드로실릴화 반응성 실리콘 조성물의 50 내지 95% 전환율에서 하이드로실릴화 반응을 중지하여 얻어지는, 경화성 실리콘 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 성분 (D)는
    (D-1) 하기 평균 단위식:
    (R1 3SiO1/2)a (R1 2SiO2/2)b (R1SiO3/2)c (SiO4/2)d (R2O1/2)e
    (상기 식에서, R1은 페닐 기, 탄소수 1 내지 6의 알킬 기 또는 사이클로알킬 기, 또는 탄소수 2 내지 6의 알케닐 기이되, 단, 60 내지 80 몰%의 R1은 페닐 기이고 10 내지 20 몰%의 R1은 알케닐 기이고; R2는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬 기이고; "a", "b", "c", "d", 및 "e"는 0 ≤ a ≤ 0.2, 0.2 ≤ b ≤ 0.7, 0.2 ≤ c ≤ 0.6, 0 ≤ d ≤ 0.2, 0 ≤ e ≤ 0.1, 및 a+b+c+d = 1을 충족시키는 수임)으로 표시되는 유기폴리실록산과;
    (D-2) 하기 일반식:
    R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
    (상기 식에서, R3은 페닐 기, 탄소수 1 내지 6의 알킬 기 또는 사이클로알킬 기, 또는 탄소수 2 내지 6의 알케닐 기이되, 단, 40 내지 70 몰%의 R3은 페닐 기이고 적어도 하나의 R3은 알케닐 기이고; "m"은 5 내지 100의 정수임)으로 표시되는 유기폴리실록산으로서, 성분 (D-1) 100 중량부당 0 내지 20 중량부가 되는 양의, 상기 유기폴리실록산의 혼합물인, 경화성 실리콘 조성물.
  9. 제4항에 있어서, 상기 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물 (3)은
    (G)
    (G-1) 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산;
    (G-2) 한 분자 내에 적어도 2개의 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산으로서, 성분 (G-1) 중 알케닐 기의 총 몰 농도에 대한 규소 원자-결합된 수소 원자의 총 몰 농도의 비가 0.3 내지 0.9의 범위가 되도록 하는 양의, 상기 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산; 및
    (G-3) 하이드로실릴화 반응을 달성하기에 충분한 양의 하이드로실릴화 촉매를 포함하는 미반응 하이드로실릴화 반응성 실리콘 조성물의 하이드로실릴화 반응에 의해 얻어지는 알케닐 기-함유 가교결합 생성물; 및
    (H) 한 분자 내에 적어도 2개의 규소 원자-결합된 수소 원자를 갖는 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산으로서, 상기 가교결합 생성물 중 알케닐 기의 총 몰 농도에 대한 규소 원자-결합된 수소 원자의 총 몰 농도의 비가 0.1 내지 2.0의 범위가 되도록 하는 양의, 상기 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산을 포함하는, 경화성 실리콘 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 하기 조건들 중 하나가 충족되는, 경화성 실리콘 조성물:
    (G-1)은 한 분자 내에 평균 2개 초과의 알케닐 기를 갖는 유기폴리실록산이고, 하기 평균 조성식:
    R4 xSiO(4-x)/2
    (상기 식에서, R4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환 1가 탄화수소 기를 나타내되, 단, 0.1 내지 40 몰%의 R4는 알케닐 기이고; "x"는 1 ≤ x < 2를 충족시키는 양수임)으로 표시됨;
    (G-2)는 하기 일반식:
    HR5 2Si(R5 2SiO)nR5 2SiH
    (상기 식에서, R5는 각각 독립적으로 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 치환 또는 비치환 1가 탄화수소 기를 나타내고, "n"은 0 내지 1,000의 정수임)으로 표시되는 다이오르가노폴리실록산임; 및
    (H)는 하기 평균 조성식:
    R5 yHzSiO(4-y-z)/2
    (상기 식에서, R5는 상기에 정의된 바와 같고, "y" 및 "z"는 0.7 ≤ y ≤ 2.1, 0.001 ≤ z ≤ 1.0, 및 0.8 ≤ y+z ≤ 2.6을 충족시키는 양수임)으로 표시되는 유기하이드로겐폴리실록산임.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 유형의 무기 입자를 추가로 포함하는, 경화성 실리콘 조성물.
  12. 제11항에 있어서, 상기 무기 입자는 산화티타늄, 실리카, 알루미나, 티탄산바륨, 산화베릴륨, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 경화성 실리콘 조성물.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 유형의 인광체(phosphor)를 추가로 포함하는, 경화성 실리콘 조성물.
  14. 제13항에 있어서, 상기 인광체는 황색-발광 인광체, 적색-발광 인광체, 녹색-발광 인광체, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 경화성 실리콘 조성물.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 항 항에 기재된 경화성 실리콘 조성물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는, 라미네이트(laminate).
  16. 제15항에 있어서, 적어도 하나의 유형의 비-핫 멜트 경화성 실리콘 조성물을 포함하는 적어도 하나의 층을 추가로 포함하는, 라미네이트.
  17. 제16항에 있어서, 상기 경화성 실리콘 조성물은
    (I) 알케닐 기-함유 유기폴리실록산 생고무 100 질량부;
    (J) R3SiO1/2 단위, R2SiO2/2 단위, RSiO3/2 단위 (상기 식에서, 각각의 R은 독립적으로 1가 탄화수소 기를 나타냄), 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 유기폴리실록산 단위, 및 SiO4/2 단위 (단, SiO4/2 단위에 대한 유기폴리실록산 단위의 몰 비는 0.08 내지 2.0임)를 포함하며, BET 방법에 따라 측정할 때 비표면적이 200 m2/g 이상인, 습식법 소수성화된 보강 실리카(wet method hydrophobized reinforcing silica) 30 내지 150 질량부;
    (K) 유기하이드로겐폴리실록산 0.1 내지 10 질량부; 및
    (L) 상기 조성물을 경화시키기에 충분한 양의 경화제를 포함하는, 라미네이트.
  18. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 유형의 유기폴리실록산 블록 공중합체를 포함하는 적어도 하나의 층을 추가로 포함하는, 라미네이트.
  19. 제18항에 있어서, 상기 유기폴리실록산 블록 공중합체는
    [R6 2SiO2/2]로 표시되는 다이실록시 단위 40 내지 90 몰%;
    [R7SiO3/2]로 표시되는 트라이실록시 단위 10 내지 60 몰%; 및
    [≡SiOH]로 표시되는 실라놀 기 0.5 내지 2.5 몰%를 포함하며;
    각각의 R6은 독립적으로 C1-C30 탄화수소 기를 나타내고;
    각각의 R7은 독립적으로 C1-C20 탄화수소 기를 나타내고;
    상기 다이실록시 단위 [R6 2SiO2/2]는 평균 10 내지 400개의 다이실록시 단위 [R6 2SiO2/2]를 포함하는 직쇄 블록에 존재하고;
    상기 트라이실록시 단위는 분자량이 500 g/몰 이상인 비-직쇄 블록에 존재하고;
    각각의 직쇄 블록은 적어도 하나의 비-직쇄 블록에 결합되는, 라미네이트.
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 유기폴리실록산 블록 공중합체는 분자량이 20,000 g/몰 이상인, 라미네이트.
  21. 제18항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기폴리실록산 블록 공중합체를 포함하는 상기 층은 굴절률이 1.5 이상인, 라미네이트.
  22. 제15항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 층들 각각은 굴절률, 경도, 광 투과율, 수증기 투과율, 열전도도, 열팽창성, 표면 점착성, 탄성 모듈러스, 및 경화 속도로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물리적 특성의 관점에서 서로 상이한, 라미네이트.
  23. 제15항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 층의 경도 및/또는 굴절률은 상기 층의 두께-관통 방향(through-thickness direction)에서 변화하는, 라미네이트.
  24. 제15항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 층은 패턴화된 형상(patterned shape)을 갖는, 라미네이트.
  25. 제15항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 라미네이트는 거친 표면을 갖는, 라미네이트.
  26. 제15항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 라미네이트의 두께는 0.5 내지 5 mm의 범위인, 라미네이트.
  27. 제15항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 층은 적어도 하나의 유형의 무기 입자를 포함하는, 라미네이트.
  28. 제27항에 있어서, 상기 무기 입자를 포함하는 상기 층은 패턴화된 형상을 갖는, 라미네이트.
  29. 제27항 또는 제28항에 있어서, 상기 무기 입자는 산화티타늄, 실리카, 알루미나, 티탄산바륨, 산화베릴륨, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 라미네이트.
  30. 제15항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 층은 적어도 하나의 유형의 인광체를 포함하는, 라미네이트.
  31. 제30항에 있어서, 상기 인광체를 포함하는 상기 층은 패턴화된 형상을 갖는, 라미네이트.
  32. 제30항 또는 제31항에 있어서, 상기 인광체는 황색-발광 인광체, 적색-발광 인광체, 녹색-발광 인광체, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 라미네이트.
  33. 제30항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서, 상이한 유형의 인광체를 포함하는 적어도 2개의 층을 추가로 포함하는, 라미네이트.
  34. 밀봉된 반도체 장치의 제조 방법으로서, 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 실리콘 조성물, 또는 제15항 내지 제33항 중 어느 한 항에 기재된 라미네이트를 사용하여 압축 성형 또는 라미네이팅을 수행하는 단계를 포함하는, 밀봉된 반도체 장치의 제조 방법.
  35. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 실리콘 조성물, 또는 제15항 내지 제33항 중 어느 한 항에 기재된 라미네이트를 사용하여 압축 성형 또는 라미네이팅을 수행하여서 밀봉된, 반도체 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180054944A (ko) * 2016-11-14 2018-05-25 한국기계연구원 경도가변 캐리어 필름
US11384268B2 (en) 2017-06-26 2022-07-12 Dupont Toray Specialty Materials Kabushiki Kaisha Curable silicone composition for die bonding use

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014082284A (ja) * 2012-10-15 2014-05-08 Dow Corning Toray Co Ltd 凸状硬化物及び基材を備える一体化物の製造方法
WO2014100652A1 (en) 2012-12-21 2014-06-26 Dow Corning Corporation Layered polymer structures and methods
CN104870585B (zh) 2012-12-21 2017-06-20 道康宁公司 用于压缩模制或层合的热熔型固化性有机硅组合物
KR101866624B1 (ko) * 2013-05-10 2018-06-11 코닝 인코포레이티드 저융점 유리 또는 흡수성 박막을 이용한 레이저 용접 투명 유리 시트
US9434876B2 (en) * 2014-10-23 2016-09-06 Central Glass Company, Limited Phosphor-dispersed glass
JP6586555B2 (ja) * 2014-12-26 2019-10-09 ダウ・東レ株式会社 硬化性シリコーン組成物、それからなる半導体用封止剤および半導体装置
JP6269527B2 (ja) * 2015-02-19 2018-01-31 信越化学工業株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
JP6672631B2 (ja) * 2015-08-10 2020-03-25 日立化成株式会社 シリコーン樹脂タブレット、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置
KR20180100561A (ko) * 2016-01-08 2018-09-11 주식회사 다이셀 경화성 실리콘 수지 조성물 및 그의 경화물, 및 광 반도체 장치
JP6927203B2 (ja) * 2016-04-28 2021-08-25 Ａｇｃ株式会社 ガラス積層体およびその製造方法
JP7009381B2 (ja) * 2016-11-02 2022-01-25 ダウ・東レ株式会社 反応性ホットメルトシリコーン充填容器および反応性ホットメルトシリコーンの製造方法
US20200056047A1 (en) * 2017-03-29 2020-02-20 Wacker Chemie Ag. Silicone elastomer having fluorinated side groups
US20200216671A1 (en) * 2017-09-21 2020-07-09 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, optical member resin sheet comprising same, and light-emitting device
CN107541076A (zh) * 2017-09-28 2018-01-05 广州慧谷化学有限公司 高耐热的有机聚硅氧烷组合物及半导体器件
CN107541075B (zh) * 2017-09-28 2021-07-23 广州慧谷化学有限公司 热熔型有机聚硅氧烷组合物、荧光体片材及半导体器件
JP6926925B2 (ja) * 2017-10-17 2021-08-25 信越化学工業株式会社 シリカ被覆シリコーンエラストマー球状粒子の製造方法及びシリカ被覆シリコーンエラストマー球状粒子
EP3699236A4 (en) * 2017-10-20 2021-07-14 Dow Toray Co., Ltd. COMPOSITION OF PARTICULAR CURING SILICONE, RELATED CURED ARTICLE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIS COMPOSITION
CN108384453B (zh) * 2018-03-21 2020-06-05 深圳雅联实业有限公司 一种用于金属彩钢板表面的水性涂料及其制备方法
CN108417699A (zh) * 2018-05-18 2018-08-17 深圳市德彩光电有限公司 Led光源的塑封模具
CN108807649B (zh) * 2018-06-13 2020-09-11 深德彩光电(深圳)有限公司 一种led光源塑封方法
KR102471220B1 (ko) * 2018-08-17 2022-11-25 와커 헤미 아게 가교성 오르가노실록산 조성물
US11239179B2 (en) 2018-11-28 2022-02-01 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package and fabrication method thereof
US20200168557A1 (en) * 2018-11-28 2020-05-28 Chung-Che Tsai Semiconductor package and fabrication method thereof
US10896880B2 (en) 2018-11-28 2021-01-19 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and fabrication method thereof
US10923435B2 (en) 2018-11-28 2021-02-16 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and improved heat-dissipation performance
US11211340B2 (en) 2018-11-28 2021-12-28 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and active electro-magnetic compatibility shielding
TWI744572B (zh) 2018-11-28 2021-11-01 蔡憲聰 具有封裝內隔室屏蔽的半導體封裝及其製作方法
JP7513365B2 (ja) * 2018-12-27 2024-07-09 ダウ・東レ株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法
JPWO2020138411A1 (ja) * 2018-12-27 2021-11-04 ダウ・東レ株式会社 トランスファー成型用硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法
CN110387209A (zh) * 2019-07-15 2019-10-29 天津大学 一种高压绝缘钛酸钡-硅凝胶复合材料及制备方法和应用
JP7424733B2 (ja) * 2019-09-14 2024-01-30 ダウ・東レ株式会社 ホットメルト性を有する硬化性シリコーンシートの製造方法
US20230151215A1 (en) * 2020-03-30 2023-05-18 Dow Toray Co., Ltd. Curable hot-melt silicone composition, cured product thereof, and laminate including curable hot-melt silicone composition or cured product thereof
WO2023016649A1 (de) * 2021-08-12 2023-02-16 Wacker Chemie Ag Metallplattierte schichtstoffe enthaltend polyorganosiloxane
CN115877607A (zh) * 2021-09-28 2023-03-31 青岛智动精工电子有限公司 灯板的成型方法、背光模组和显示设备
CN114539920A (zh) * 2022-03-11 2022-05-27 广东硅甲新材料科技有限公司 用于热熔型聚酯与聚醚类聚氨酯涂层表面的有机硅组合物

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007067420A (ja) * 2005-08-26 2007-03-15 Philips Lumileds Lightng Co Llc 色変換型発光ダイオード
JP2009515365A (ja) * 2005-11-04 2009-04-09 ダウ・コーニング・コーポレイション 光電池カプセル化
JP2009235368A (ja) * 2007-04-10 2009-10-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 蛍光体含有接着性シリコーン組成物、該組成物からなる組成物シート、及び該シートを使用する発光装置の製造方法
JP2010159411A (ja) * 2008-12-12 2010-07-22 Nitto Denko Corp 半硬化状シリコーン樹脂シート
JP2012102167A (ja) * 2010-11-05 2012-05-31 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂、封止材料および光半導体装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3117627B2 (ja) * 1995-11-10 2000-12-18 ジーイー東芝シリコーン株式会社 太陽電池モジュール用保護シート用組成物および太陽電池モジュール用保護シート
US20100273011A1 (en) * 1996-12-20 2010-10-28 Bianxiao Zhong Silicone Composition, Silicone Adhesive, Coated and Laminated Substrates
JP4741230B2 (ja) 2004-12-28 2011-08-03 東レ・ダウコーニング株式会社 フィルム状シリコーンゴム接着剤
DE102006048216A1 (de) 2006-10-11 2008-04-17 Wacker Chemie Ag Laminate mit thermoplastischen Polysiloxan-Harnstoff-Copolymeren
CN101521532B (zh) * 2008-02-28 2012-07-04 电信科学技术研究院 一种获取上行完整信道信息的方法、***及装置
WO2012040457A1 (en) * 2010-09-22 2012-03-29 Dow Corning Corporation High refractive index compositions containing resin-linear organosiloxane block copolymers
JP5992666B2 (ja) * 2011-06-16 2016-09-14 東レ・ダウコーニング株式会社 架橋性シリコーン組成物及びその架橋物
EP2535377A1 (en) * 2011-06-16 2012-12-19 Nitto Denko Corporation Silicone resin composition, encapsulating layer, reflector, and optical semiconductor device
JP2013091705A (ja) * 2011-10-25 2013-05-16 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂組成物、封止層、リフレクタおよび光半導体装置
JP2013095809A (ja) * 2011-10-31 2013-05-20 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂組成物、シリコーン樹脂シート、光半導体素子装置、および、シリコーン樹脂シートの製造方法。
JP5583703B2 (ja) * 2012-01-18 2014-09-03 信越化学工業株式会社 光半導体装置の製造方法
JP2013159003A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 蛍光体含有層と蛍光体非含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
US8872358B2 (en) * 2012-02-07 2014-10-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sealant laminated composite, sealed semiconductor devices mounting substrate, sealed semiconductor devices forming wafer, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus
JP2015513362A (ja) * 2012-03-12 2015-05-11 ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーの組成物
WO2013142252A1 (en) * 2012-03-21 2013-09-26 Dow Corning Corporation Compositions of resin-linear organosiloxane block copolymers
JP2013230618A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Dow Corning Toray Co Ltd 離型フィルム、圧縮成型方法、および圧縮成型装置
CN104870585B (zh) 2012-12-21 2017-06-20 道康宁公司 用于压缩模制或层合的热熔型固化性有机硅组合物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007067420A (ja) * 2005-08-26 2007-03-15 Philips Lumileds Lightng Co Llc 色変換型発光ダイオード
JP2009515365A (ja) * 2005-11-04 2009-04-09 ダウ・コーニング・コーポレイション 光電池カプセル化
JP2009235368A (ja) * 2007-04-10 2009-10-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 蛍光体含有接着性シリコーン組成物、該組成物からなる組成物シート、及び該シートを使用する発光装置の製造方法
JP2010159411A (ja) * 2008-12-12 2010-07-22 Nitto Denko Corp 半硬化状シリコーン樹脂シート
JP2012102167A (ja) * 2010-11-05 2012-05-31 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂、封止材料および光半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180054944A (ko) * 2016-11-14 2018-05-25 한국기계연구원 경도가변 캐리어 필름
US11384268B2 (en) 2017-06-26 2022-07-12 Dupont Toray Specialty Materials Kabushiki Kaisha Curable silicone composition for die bonding use

Also Published As

Publication number Publication date
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