KR20150083783A - 반도체장치의 제조방법, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조 시스템 - Google Patents

반도체장치의 제조방법, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 광변조기부의 포토루미네센스 파장과 레이저부의 발진 파장의 차분값의 격차를 저감하는 반도체장치의 제조방법, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다. 기판에, 하부 광 가둠층과 광 흡수층과 상부 광 가둠층을 형성하고, 이것들의 일부를 제거함으로써, 광변조기부를 형성하는 제1공정과, 상기 기판의 상기 광변조기부가 형성되어 있지 않은 부분에, 회절격자를 갖는 레이저부를 형성하는 제2공정과, 상기 상부 광 가둠층 위에 도펀트의 확산을 억제하는 확산 억제층을 형성하는 공정과, 상기 레이저부와 상기 확산 억제층 위에 콘택층을 형성하는 제3공정을 구비한다. 그리고, 상기 콘택층의 도펀트의 종류와, 상기 상부 광 가둠층의 도펀트의 종류를 일치시킨 것을 특징으로 한다.

Description

반도체장치의 제조방법, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조 시스템{METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 예를 들면 광파이버 통신의 광원에 사용되는 반도체장치의 제조방법, 그 제조방법으로 제조된 반도체장치, 및 그 반도체장치의 제조 시스템에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 활성층을 갖는 레이저부와, 광흡수층을 갖는 광변조기부가 모노리식으로 형성된 반도체장치가 개시되어 있다. 이 반도체장치는, 예를 들면, 광변조기부의 광도파로를 먼저 형성하고, 나중에 버트조인트(butt joint)법에 의해 레이저부의 광도파로를 형성해서 제조된다.
일본국 특개 2001-91913호 공보
양호한 전류-광출력 특성과 고주파 특성을 얻기 위해, 광변조기부의 포토루미네센스 파장과 레이저부의 발진 파장의 차분값은 미리 정해진 값으로 하는 것이 바람직하다. 이상적인 차분값은 제특성을 고려해서 정해진다.
특허문헌 1에 개시된 것과 같이, 레이저부보다도 먼저 광변조기부를 형성함으로써, 평탄한 면에 광변조기부를 형성할 수 있다. 그 때문에, 광흡수층의 조성을 균일화하고 광변조기부의 포토루미네센스 파장을 안정화시키는 효과가 있다. 그렇지만, 이상적인 차분값으로부터, 예를 들면 ±2nm의 격차밖에 허용되지 않는 경우가 있다. 이 경우, 특허문헌 1에 개시된 방법만으로는, 차분값의 격차 저감이 불충분하였다.
본 발명은, 전술한 것과 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 차분값의 격차를 충분히 저감할 수 있는 반도체장치의 제조방법, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본원의 발명에 관한 반도체장치의 제조방법은, 기판에, 하부 광 가둠층(light confinement layer), 상기 하부 광 가둠층 위의 광 흡수층, 및 상기 광 흡수층 위의 상부 광 가둠층을 형성하고, 상기 하부 광 가둠층, 상기 광 흡수층, 및 상기 상부 광 가둠층의 일부를 제거함으로써, 광변조기부를 형성하는 제1공정과, 상기 기판의 상기 광변조기부가 형성되어 있지 않은 부분에, 회절격자를 갖는 레이저부를 형성하는 제2공정과, 상기 상부 광 가둠층 위에 도펀트의 확산을 억제하는 확산 억제층을 형성하는 공정과, 상기 레이저부와 상기 확산 억제층 위에 콘택층을 형성하는 제3공정을 구비하고, 상기 콘택층의 도펀트의 종류와, 상기 상부 광 가둠층의 도펀트의 종류를 일치시킨 것을 특징으로 한다.
본원의 발명에 관한 다른 반도체장치의 제조방법은, 웨이퍼에, 하부 광 가둠층, 상기 하부 광 가둠층 위의 광 흡수층, 및 상기 광 흡수층 위의 상부 광 가둠층을 형성하고, 상기 하부 광 가둠층, 상기 광 흡수층, 및 상기 상부 광 가둠층의 일부를 제거함으로써, 복수의 광변조기부를 형성하는 제1공정과, 상기 복수의 광변조기부 각각의 광변조기부의 포토루미네센스 파장을 평가하는 평가공정과, 상기 웨이퍼에, 상기 복수의 광변조기부의 각각에 회절격자를 갖는 레이저부가 접속하도록, 복수의 레이저부를 형성하는 제2공정과, 상기 복수의 광변조기부와 상기 복수의 레이저부 위에, 콘택층을 형성하는 제3공정을 구비하고, 상기 제2공정에서는, 상기 평가공정에서 얻어진 포토루미네센스 파장과 상기 레이저부의 발진 파장의 차분값이 미리 정해진 값이 되도록, 상기 복수의 레이저부의 각각의 상기 회절격자를 형성하는 것을 특징으로 한다.
본원의 발명에 관한 반도체장치는, 기판과, 상기 기판 위에 형성된 하부 광 가둠층, 상기 하부 광 가둠층 위에 형성된 광 흡수층, 및 상기 광 흡수층 위에 형성된 상부 광 가둠층을 갖는 광변조기부와, 상기 상부 광 가둠층 위에 형성되고, 도펀트의 확산을 억제하는 확산 억제층과, 상기 기판 위에 상기 광변조기부와 접하도록 형성된 레이저부와, 상기 레이저부와 상기 확산 억제층 위에 형성된 콘택층을 구비하고, 상기 광 흡수층은 전체가 균일한 조성이고, 상기 콘택층의 도펀트와 상기 상부 광 가둠층의 도펀트의 종류를 일치시킨 것을 특징으로 한다.
본원의 발명에 관한 반도체장치의 제조 시스템은, 웨이퍼에 형성된 복수의 광변조기부 각각의 광변조기부의 포토루미네센스 파장을 평가하는 PL 평가장치와, 상기 복수의 광변조기부의 각각과 접해서 설치되는 레이저부의 회절격자를 형성하는 전자선 묘화장치와, 상기 PL 평가장치로부터 상기 포토루미네센스 파장의 정보를 받아들이고, 상기 포토루미네센스 파장과 상기 레이저부의 발진 파장의 차분값이 미리 정해진 값이 되기 위한 상기 회절격자의 밀도를 연산하고, 그 결과를 상기 전자선 묘화장치로 보내는 연산부를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 광 흡수층에의 도펀트의 확산을 억제하거나, 회절격자의 밀도를 최적화함으로써, 차분값의 격차를 저감할 수 있다.
도 1은 실시형태 1에 관한 반도체장치의 단면도다.
도 2는 제1공정후의 반도체장치의 단면도다.
도 3은 제2공정후의 반도체장치의 단면도다.
도 4는 실시형태 2에 관한 반도체장치의 제조 시스템을 도시한 도면이다.
본 발명의 실시형태에 관한 반도체장치의 제조방법, 반도체장치, 반도체장치의 제조 시스템에 대해서 도면을 참조해서 설명한다. 동일 또는 대응하는 구성요소에는 동일한 부호를 붙이고, 설명의 반복을 생략하는 경우가 있다.
실시형태 1.
도 1은, 본 발명의 실시형태 1에 관한 반도체장치(10)의 단면도다. 반도체장치(10)는, 예를 들면, n형 InP로 형성된 기판(12)을 구비하고 있다. 기판(12) 위에는 레이저부(14)가 형성되어 있다. 레이저부(14)에 대해 설명한다. 레이저부(14)는, 기판(12) 위에 형성된 n형 클래드층(16)을 구비하고 있다. n형 클래드층(16) 위에는 예를 들면 InGaAsP을 재료로 하는 MQW(Multi Quantum Well)로 활성층(18)이 형성되어 있다. 활성층(18) 위에는 p형 클래드층(20)이 형성되어 있다. p형 클래드층(20)에는 회절격자(22)가 형성되어 있다. p형 클래드층(20) 위에는 p형 매립층(24)이 형성되어 있다.
기판(12) 위에는, 레이저부(14)와 접하는 광변조기부(30)가 형성되어 있다. 광변조기부(30)에 대해 설명한다. 광변조기부(30)는, 기판(12) 위에 형성된 하부 광 가둠층(32)을 구비하고 있다. 하부 광 가둠층(32)에는 예를 들면 S가 도핑되어 있다. 하부 광 가둠층(32) 위에는 광 흡수층(34)이 형성되어 있다. 광 흡수층(34)은 전체가 균일한 조성으로 되어 있다. 광 흡수층(34)은 예를 들면 InGaAsP을 재료로 하는 MQW로 형성되어 있다. 광 흡수층(34)에는 도펀트가 도핑되어 있지 않다. 광 흡수층(34) 위에는 상부 광 가둠층(36)이 형성되어 있다. 상부 광 가둠층(36)에는, Be가 도핑되어 있다.
상부 광 가둠층(36) 위에는 확산 억제층(38)이 형성되어 있다. 확산 억제층(38)은 예를 들면 i형 InP로 형성되어 있다. 레이저부(14)와 확산 억제층(38) 위에는 콘택층(40)이 형성되어 있다. 콘택층(40)에는 Be가 도프되어 있다. 따라서, 콘택층(40)의 도펀트(Be)와 상부 광 가둠층(36)의 도펀트(Be)의 종류는 일치하고 있다.
콘택층(40) 위에는 절연막(42)이 형성되어 있다. 절연막(42) 위에는, 레이저부(14)의 p측 전극으로서 사용되는 제1 p측 전극(44)과, 광변조기부(30)의 p측 전극으로서 사용되는 제2 p측 전극(46)이 형성되어 있다. 기판(12)의 이면에는 공통 n측 전극(48)이 형성되어 있다.
반도체장치(10)는, 레이저부(14)와 광변조기부(30)가 모노리식으로 형성된 장치이다. 그리고, CW(Continuous Wave) 구동하는 레이저부(14)의 출력광을 RF(Radio Frequency) 구동하는 광변조기부(30)의 광 흡수층(34)에서 흡수함으로써, 고속 응답, 대용량 전송, 및 장거리 통신을 실현한다.
반도체장치(10)의 제조방법에 대해 설명한다. 우선, 광변조기부(30)를 형성한다. 광변조기부(30)를 형성하는 공정을 제1공정으로 칭한다. 제1공정에서는, 우선, 기판(12)의 전체면에, 하부 광 가둠층(32), 하부 광 가둠층(32) 위의 광 흡수층(34), 및 광 흡수층(34) 위의 상부 광 가둠층(36)을 에피택셜성장으로 형성한다. 그후, 마스크를 형성하고, 드라이에칭 또는 습식 에칭에 의해 하부 광 가둠층(32), 광 흡수층(34), 및 상부 광 가둠층(36)의 일부를 제거한다. 이에 따라, 도 2에 나타낸 하부 광 가둠층(32), 광 흡수층(34), 및 상부 광 가둠층(36)을 형성한다. 상부 광 가둠층(36)에는 Be를 도핑한다. 그후, 상부 광 가둠층(36) 위에, 확산 억제층(38)을 형성하여, 도 2에 도시된 구조가 완성된다. 이때, 하부 광 가둠층, 광 흡수층, 상부 광 가둠층, 및 확산 억제층을 기판(12)의 전체면에 형성하고 이것들을 에칭해서 도 2에 나타낸 구조를 완성시켜도 되고, 제2공정의 후에 확산 억제층(38)을 형성해도 된다.
이어서, 레이저부(14)를 형성한다. 레이저부(14)를 형성하는 공정을 제2공정으로 칭한다. 제2공정에서는, 기판(12)의 광변조기부(30)가 형성되어 있지 않은 부분에, 회절격자(22)를 갖는 레이저부(14)를 형성한다. 회절격자(22)는, 전자선 묘화장치에 의해 p형 클래드층(20)에 패턴을 형성하고, 에칭으로 주기적인 단차를 형성후, p형 클래드층(20)과는 다른 굴절률을 갖는 결정을 해당 단차에 매립함으로써 형성한다. 도 3에는 제2공정후의 반도체장치의 단면도가 도시되어 있다. 이때, 광변조기부(30), 확산 억제층(38), 및 레이저부(14)는, 버트조인트법으로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 레이저부(14)와 확산 억제층(38) 위에 콘택층(40)을 형성한다. 콘택층(40)을 형성하는 공정을 제3공정으로 칭한다. 콘택층(40)에는 Be를 도프한다.
본 발명의 실시형태 1에 관한 반도체장치의 제조방법에서는, 레이저부(14)보다도 먼저 광변조기부(30)를 형성하고, 콘택층(40)의 도펀트(Be)와 상부 광 가둠층(36)의 도펀트(Be)의 종류를 일치시켜, 확산 억제층(38)을 형성하였다. 이것들은 모두, 광변조기부(30)의 포토루미네센스 파장을 미리 정해진 값(제1소정값)으로 하는 것을 목적으로 한다.
레이저부를 형성한 후에 광변조기부를 형성하면, 광 흡수층의 레이저부에 접하는 부분의 조성은 열화하여 버린다. 그렇게 하면, 광변조기부의 포토루미네센스 파장을 제1소정값으로 할 수 없다. 따라서, 본 발명의 실시형태 1에서는, 레이저부(14)보다도 먼저 광변조기부(30)를 형성함으로써, 광변조기부(30)를 레이저부(14)의 측면이 없는 평탄한 기판(12)의 표면에 대하여 형성할 수 있도록 하였다. 따라서, 광변조기부보다도 먼저 레이저부를 형성한 경우와 비교해서 광 흡수층(34)의 조성을 균일화할 수 있으므로, 광변조기부(30)의 포토루미네센스 파장을 제1소정값으로 할 수 있다.
본 발명의 실시형태 1에서는 레이저부(14)의 형성시, 및 콘택층(40)의 형성시의 열이 광변조기부(30)에 미친다. 그 때문에, 콘택층 등의 p형태 도펀트(예를 들면, Zn, Be 등)가 광 흡수층(34)으로 확산할 염려가 있다. 광 흡수층의 외부로부터 광 흡수층으로 p형 도펀트가 확산하면, 광변조기부의 포토루미네센스 파장이 제1소정값으로부터 벗어나 버린다.
따라서, 본 발명의 실시형태 1에서는, 콘택층(40)의 도펀트(Be)와 상부 광 가둠층(36)의 도펀트(Be)의 종류를 일치시켰다. 따라서, 콘택층(40)의 도펀트가 광 흡수층(34)으로 확산하는 것을 억제할 수 있다. 더구나, p형 클래드층(20)과 p형 매립층(24)의 도펀트와, 상부 광 가둠층(36)의 도펀트의 종류를 일치시켜서, p형 클래드층(20)과 p형 매립층(24)의 도펀트가 광 흡수층(34)으로 확산하기 어렵게 하는 것이 바람직하다.
확산 억제층(38)에 의해, 콘택층(40)으로부터 광변조기부(30)로의 도펀트의 확산을 억제할 수 있다. 확산 억제층(38)이 지나치게 얇으면 p형 도펀트의 확산을 억제할 수 없고, 확산 억제층(38)이 지나치게 두꺼우면 광변조기부(30)의 구동을 위한 전계를 인가할 수 없게 된다. 그 때문에, 확산 억제층(38)의 두께는, p형 도펀트의 확산을 억제할 수 있고, 또한 광변조기부(30)에 충분한 전계를 인가할 수 있는 최적 두께로 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 확산 억제층(38)의 두께를 100∼400nm의 범위로 하고, 또한 확산 억제층의 도펀트 농도는 ≤1E+16cm-3로 하는 것이 바람직하다.
콘택층(40)과 상부 광 가둠층(36)의 도펀트의 종류를 일치시키는 것과, 확산 억제층(38)을 형성하는 것은, 광변조기부(30)의 포토루미네센스 파장의 안정화에도 기여하지만, 주로 광 흡수량을 일정하게 하는 것에 기여한다. 따라서, 반도체장치(10)에 따르면, 광변조기부(30)의 포토루미네센스 파장을 제1소정값으로 안정화시키면서, 광 흡수량을 일정하게 할 수 있다.
그런데, 레이저부(14)의 발진 파장은 회절격자(22)의 간격으로 결정된다. 회절격자(22)는 전자선 묘화장치로 형성하므로, 레이저부(14)의 발진 파장을 미리 정해진 값(제2소정값)으로 하는 것은 용이하다.
이와 같이, 본 발명의 실시형태 1에 관한 반도체장치의 제조방법에 따르면, 광변조기부(30)의 포토루미네센스 파장을 제1소정값으로 하고, 레이저부(14)의 발진 파장을 제2소정값으로 할 수 있다. 이에 따라, 해당 포토루미네센스 파장과 해당 발진 파장의 차분값의 격차를 충분히 저감할 수 있다.
광 흡수층(34)에 InGaAsP 등의 InP계 재료를 사용하는 경우에는, 콘택층(40)과 상부 광 가둠층(36)에 Be를 도프하는 것이 바람직하다. 광 흡수층에 AlGaInAs 등의 Al계 재료를 사용하는 경우에는, 콘택층과 상부 광 가둠층(36)에 Zn을 도프하는 것이 바람직하다. 또한 회절격자(22)는 n형 클래드층(16)에 형성해도 된다. 이때, 이들 변형은, 이하의 실시형태에 관한 반도체장치의 제조방법 등에 대해 응용할 수 있다.
실시형태 2.
실시형태 2에 대해서는 실시형태 1과의 차이점을 중심으로 설명한다. 실시형태 2는, 1매의 웨이퍼에 복수의 반도체장치를 제조하는 반도체장치의 제조방법과 반도체장치의 제조 시스템에 관한 것이다. 도 4는, 본 발명의 실시형태 2에 관한 반도체장치의 제조 시스템(100)을 도시한 도면이다. 반도체장치의 제조 시스템(100)(이후, 간단히 시스템(100)이라고 한다)은 PL 평가장치(102)를 구비하고 있다. PL 평가장치(102)에는 연산부(120)가 접속되어 있다. 연산부(120)에는 전자선 묘화장치(130)가 접속되어 있다. 전자선 묘화장치(130)는, 복수의 광변조기부의 각각과 접해서 설치되는 레이저부의 회절격자를 형성하는 장치이다.
실시형태 2에 관한 반도체장치의 제조방법을 설명한다. 우선, 웨이퍼(104)에, 하부 광 가둠층, 광 흡수층, 및 상부 광 가둠층을 형성하고, 이것들의 일부를 제거함으로써, 복수의 광변조기부를 형성한다. 이 공정은 제1공정이다.
제1공정의 후에, PL 평가장치(102)를 사용하여, 웨이퍼(104)에 형성된 복수의 광변조기부의 각각의 광변조기부의 포토루미네센스 파장을 평가한다. 이 공정을 평가공정으로 칭한다. 평가공정에서는, 웨이퍼(104)를 PL 평가장치(102)로 이동하여, 웨이퍼에 형성된 36개의 광변조기부의 포토루미네센스 파장을 측정한다. 이때, 36개의 광변조기부는, 파선으로 둘러싸인 영역에 1개씩 형성되어 있다.
PL 평가장치(102) 위의 웨이퍼(104)에는, 웨이퍼 면 내의 포토루미네센스 파장의 분포가 표시되어 있다. 웨이퍼 외주부(106)에서의 포토루미네센스 파장은 λ1이다. 외주부(106)의 내측의 중간부(108)에서의 포토루미네센스 파장은 λ1보다 큰 λ2이다. 중간부(108)의 내측의 중앙부(110)에서의 포토루미네센스 파장은 λ2보다 큰 λ3이다. 즉, 웨이퍼(104)의 외주측일수록 포토루미네센스 파장이 작아지고 있다. 포토루미네센스 파장의 데이터는 연산부(120)로 전송된다.
평가공정후에 제2공정으로 처리를 진행시킨다. 제2공정에서는, 복수의 광변조기부의 각각에 회절격자를 갖는 레이저부가 접속하도록, 웨이퍼에 복수의 레이저부를 형성한다. 복수의 레이저부의 각각의 회절격자는, 평가공정에서 얻어진 포토루미네센스 파장과 레이저부의 발진 파장의 차분값이 미리 정해진 값으로 되도록 형성한다.
구체적인 처리에 대해 설명한다. 우선, 연산부(120)가, PL 평가장치(102)로부터 포토루미네센스 파장의 정보를 받고, 포토루미네센스 파장과 레이저부의 발진 파장의 차분값이 미리 정해진 값이 되기 위한 회절격자의 밀도를 연산한다. 즉, 각각의 광변조기부에 대하여, 최적의 회절격자의 밀도를 연산한다. 이때, 「회절격자의 밀도」라고 하는 것은, 회절격자 패턴의 밀도를 표시한다. 회절격자의 밀도를 크게 하면 레이저 소자의 발진 파장은 작아지고, 회절격자의 밀도를 작게 하면 레이저 소자의 발진 파장은 커진다.
웨이퍼 중앙부(110)에서는 광변조기부의 포토루미네센스 파장이 크므로, 차분값을 미리 정해진 값으로 하기 위해, 회절격자의 밀도를 작게 한다. 한편, 웨이퍼 외주부(106)에서는 광변조기부의 포토루미네센스 파장이 작으므로, 차분값을 미리 정해진 값으로 하기 위해, 회절격자의 밀도를 크게 한다. 그리고, 이 연산 결과를 전자선 묘화장치(130)에 보낸다.
전자선 묘화장치(130)에서는, 연산부(120)의 연산 결과에 근거하여, 웨이퍼(104)에 대하여 회절격자를 형성하기 위한 전자선 조사를 행한다. 즉, 웨이퍼의 외주부(132)에서는 회절격자의 밀도를 크게 하고, 중간부(134)에서는 외주부(132)보다도 회절격자의 밀도를 작게 하고, 중앙부(136)에서는 중간부(134)보다도 회절격자의 밀도를 작게 한다.
이어서, 복수의 광변조기부와 복수의 레이저부의 위에, 콘택층을 형성한다. 이 공정은 제3공정이다. 이와 같이 하여, 차분값의 관점에서 최적화된 회절격자를 갖는 36개의 반도체장치를 형성한다.
상기한 것과 같이, 포토루미네센스 파장은 웨이퍼 면 내에서 일정한 격차를 갖고 있다. 그 때문에, 웨이퍼 면 내의 모든 반도체장치의 회절격자를 균일한 간격으로 형성하면 포토루미네센스 파장과 레이저부의 발진 파장의 차분값이 웨이퍼 면 내에서 변동한다. 결과적으로, 미리 정해진 차분값으로부터 괴리된 차분값을 갖는 반도체장치가 형성되어 버린다.
그런데, 본 발명의 실시형태 2에 관한 시스템(100)을 사용한 반도체장치의 제조방법에서는, 평가공정에서 얻어진 포토루미네센스 파장에 근거하여, 각 반도체장치에, 차분값을 미리 정해진 값으로 하기 위한 최적의 회절격자가 형성된다. 따라서, 웨이퍼에 형성된 36개의 반도체장치 전체에 대해서, 차분값을 미리 정해진 값으로 할 수 있다.
실시형태 1의 특징과 실시형태 2의 특징을 적절히 조합하여도 된다. 예를 들면, 실시형태 2에 관한 반도체장치의 제조방법에 있어서, 콘택층의 도펀트와 상부 광 가둠층의 도펀트의 종류를 일치시키고, 또한 확산 억제층을 형성하면, 차분값의 격차를 저감하는 효과를 높일 수 있다.
10 반도체장치, 12 기판, 14 레이저부, 16 n형 클래드층, 18 활성층, 20 p형 클래드층, 22 회절격자, 24 매립층, 32, 36 광 가둠층, 34 광 흡수층, 38 확산 억제층, 40 콘택층, 42 절연막, 100 반도체장치의 제조 시스템, 102 PL 평가장치, 120 연산부, 130 전자선 묘화장치

Claims (4)

  1. 기판에, 하부 광 가둠층, 상기 하부 광 가둠층 위의 광 흡수층, 및 상기 광 흡수층 위의 상부 광 가둠층을 형성하고, 상기 하부 광 가둠층, 상기 광 흡수층, 및 상기 상부 광 가둠층의 일부를 제거함으로써, 광변조기부를 형성하는 제1공정과,
    상기 기판의 상기 광변조기부가 형성되어 있지 않은 부분에, 회절격자를 갖는 레이저부를 형성하는 제2공정과,
    상기 상부 광 가둠층 위에 도펀트의 확산을 억제하는 확산 억제층을 형성하는 공정과,
    상기 레이저부와 상기 확산 억제층 위에 콘택층을 형성하는 제3공정을 구비하고,
    상기 콘택층의 도펀트의 종류와, 상기 상부 광 가둠층의 도펀트의 종류를 일치시킨 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 웨이퍼에, 하부 광 가둠층, 상기 하부 광 가둠층 위의 광 흡수층, 및 상기 광 흡수층 위의 상부 광 가둠층을 형성하고, 상기 하부 광 가둠층, 상기 광 흡수층, 및 상기 상부 광 가둠층의 일부를 제거함으로써, 복수의 광변조기부를 형성하는 제1공정과,
    상기 복수의 광변조기부의 각각의 광변조기부의 포토루미네센스 파장을 평가하는 평가공정과,
    상기 웨이퍼에, 상기 복수의 광변조기부의 각각에 회절격자를 갖는 레이저부가 접속하도록, 복수의 레이저부를 형성하는 제2공정과,
    상기 복수의 광변조기부와 상기 복수의 레이저부 위에, 콘택층을 형성하는 제3공정을 구비하고,
    상기 제2공정에서는, 상기 평가공정에서 얻어진 포토루미네센스 파장과 상기 레이저부의 발진 파장의 차분값이 미리 정해진 값이 되도록, 상기 복수의 레이저부의 각각의 상기 회절격자를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 기판과,
    상기 기판 위에 형성된 하부 광 가둠층, 상기 하부 광 가둠층 위에 형성된 광 흡수층, 및 상기 광 흡수층 위에 형성된 상부 광 가둠층을 갖는 광변조기부와,
    상기 상부 광 가둠층 위에 형성되고, 도펀트의 확산을 억제하는 확산 억제층과,
    상기 기판 위에 상기 광변조기부와 접하도록 형성된 레이저부와,
    상기 레이저부와 상기 확산 억제층 위에 형성된 콘택층을 구비하고,
    상기 광 흡수층은 전체가 균일한 조성이고,
    상기 콘택층의 도펀트와 상기 상부 광 가둠층의 도펀트의 종류를 일치시킨 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 웨이퍼에 형성된 복수의 광변조기부 각각의 광변조기부의 포토루미네센스 파장을 평가하는 PL 평가장치와,
    상기 복수의 광변조기부의 각각과 접해서 설치되는 레이저부의 회절격자를 형성하는 전자선 묘화장치와,
    상기 PL 평가장치로부터 상기 포토루미네센스 파장의 정보를 받고, 상기 포토루미네센스 파장과 상기 레이저부의 발진 파장의 차분값이 미리 정해진 값이 되기 위한 상기 회절격자의 밀도를 연산하고, 그 결과를 상기 전자선 묘화장치로 보내는 연산부를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 시스템.
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