KR20150042604A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 183
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 101001117317 Homo sapiens Programmed cell death 1 ligand 1 Proteins 0.000 description 6
- 102100024216 Programmed cell death 1 ligand 1 Human genes 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 101001117312 Homo sapiens Programmed cell death 1 ligand 2 Proteins 0.000 description 4
- 102100024213 Programmed cell death 1 ligand 2 Human genes 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- RBMHUYBJIYNRLY-UHFFFAOYSA-N 2-[(1-carboxy-1-hydroxyethyl)-hydroxyphosphoryl]-2-hydroxypropanoic acid Chemical compound OC(=O)C(O)(C)P(O)(=O)C(C)(O)C(O)=O RBMHUYBJIYNRLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920001434 poly(D-lactide) Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
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- H10K50/844—Encapsulations
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 영상을 표시하는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 둘레에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 위에 형성되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 위에 형성되어 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되어 화소 영역을 정의하는 화소 정의막 및 상기 제1 전극 위에 형성되어 상기 화소 영역에서 상기 제1 전극과 접촉하는 발광층를 포함하되, 상기 표시 영역은 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역의 경계로부터 내측으로 제1 거리까지의 영역인 제1 영역과 상기 표시 영역 중 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역으로 구분되며, 단위 화소당 상기 화소 정의막의 단면적이 차지하는 상기 화소 정의막의 단면적비는 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에서 서로 다르다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
현재 알려져 있는 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode device: OLED device), 전계 효과 표시 장치(field effect display: FED), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display device) 등이 있다.
특히, 유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
유기 발광 표시 장치는 자발광(self-luminance) 특성을 가지며, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
전술한 유기 발광층은 외부의 수분과 산소 또는 자외선 등의 외적 요인에 의해 열화될 수 있으므로 유기 발광층을 밀봉시키는 패키징(packaging) 기술이 매우 중요하다.
유기 발광층을 밀봉시키는 기술 중에는, 유기 발광층을 봉지층으로 덮어 보호하는 구조가 사용된다. 이때, 봉지층은 유기 발광층 둘레에 형성되는 화소 정의막 위에 놓이게 된다.
그러나, 봉지층을 화소 정의막에 적층하는 과정에서, 표시 패널의 표시 영역의 가장자리에 위치하는 화소 정의막이 표시 영역의 중앙부보다 다소 큰 압력을 받게 된다. 이에 따라, 표시 영역의 가장자리의 화소 정의막의 높이가 표시 영역의 중앙부의 화소 정의막의 높이보다 낮아져, 봉지층의 평탄도가 일정하지 않는 문제가 발생한다.
본 발명의 일 실시예는 봉지층을 화소 정의막 위에 적층하는 과정에서, 표시 영역의 가장 자리의 화소 정의막의 높이와 표시 영역의 중앙부의 화소 정의막의 높이가 균일하게 유지되어, 봉지층의 평탄도가 일정한 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 영상을 표시하는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 둘레에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 위에 형성되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 위에 형성되어 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되어 화소 영역을 정의하는 화소 정의막 및 상기 제1 전극 위에 형성되어 상기 화소 영역에서 상기 제1 전극과 접촉하는 발광층를 포함하되, 상기 표시 영역은 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역의 경계로부터 내측으로 제1 거리까지의 영역인 제1 영역과 상기 표시 영역 중 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역으로 구분되며, 단위 화소당 상기 화소 정의막의 단면적이 차지하는 상기 화소 정의막의 단면적비는 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에서 서로 다르다.
이때, 상기 제1 영역의 상기 화소 정의막의 상기 단면적비가 상기 제2 영역의 상기 화소 정의막의 상기 단면적비 보다 클 수 있다.
이때, 상기 제1 영역의 상기 화소 정의막의 상기 단면적비는 상기 비표시 영역에 인접할수록 상기 단면적비가 증가할 수 있다.
한편, 상기 제1 영역은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계로부터 상기 비표시 영역 측으로 각각 제2 거리만큼 이격된 제1-1, 제1-2, 제1-3 및 제1-4 영역으로 구분되며, 상기 제1-1 영역에서 상기 제1-4 영역으로 갈수록 상기 화소 정의막의 단면적비가 증가할 수 있다.
이때, 상기 제2 거리는 5mm일 수 있다.
한편, 상기 제1-1 영역의 상기 화소 정의막의 단면적비는 29.5％일 수 있다.
한편, 상기 제1-2 영역의 상기 화소 정의막의 단면적비는 30.5％일 수 있다.
한편, 상기 제1-3 영역의 상기 화소 정의막의 단면적비는 31.5％일 수 있다.
한편, 상기 제1-4 영역의 상기 화소 정의막의 단면적비는 32.5％일 수 있다.
한편, 상기 제1 영역의 상기 화소 정의막의 상기 단면적비는 29％ ~ 33％일 수 있다.
이때, 상기 제2 영역의 상기 화소 정의막의 상기 단면적비는 29％ 미만일 수 있다.
한편, 상기 제1 거리는 20mm ~ 40mm일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 봉지층을 화소 정의막에 적층하는 과정에서, 표시 영역 내의 화소 정의막의 높이를 일정하게 유지하여 유기 발광 표시 장치 내의 봉지층의 평탄도를 일정하게 유지할 수 있다.
도 1은 표시 영역과 비표시 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 절단선 II-II를 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 1의 P 영역을 확대한 화소 정의막의 일 실시예이다.
도 4는 도 1의 P 영역을 확대한 화소 정의막의 다른 실시예이다.
도 5 내지 도 7은 다양한 단면 형상의 화소 정의막의 평면도이다.
도 8은 화소 정의막의 단면적비에 따른 높이 변화량을 나타낸 그래프이다.
도 9는 봉지층을 화소 정의막에 적층하는 과정에서 봉지층의 평탄도가 변화되는 과정을 나타낸다.
도 2는 도 1의 절단선 II-II를 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 1의 P 영역을 확대한 화소 정의막의 일 실시예이다.
도 4는 도 1의 P 영역을 확대한 화소 정의막의 다른 실시예이다.
도 5 내지 도 7은 다양한 단면 형상의 화소 정의막의 평면도이다.
도 8은 화소 정의막의 단면적비에 따른 높이 변화량을 나타낸 그래프이다.
도 9는 봉지층을 화소 정의막에 적층하는 과정에서 봉지층의 평탄도가 변화되는 과정을 나타낸다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
도 1은 표시 영역과 비표시 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이며, 도 2는 도 1의 절단선 II-II를 따라 자른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 화소 정의막(190)은 표시 영역(DA)의 가장 자리에 인접한 화소 정의막과 표시 영역의 중앙부에 위치한 화소 정의막의 단면적비가 서로 다르게 형성된다. 이에 따라, 화소 정의막(190) 위에 봉지층(800)이 적층되더라도, 봉지층(800)의 평탄도가 일정하게 유지될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
우선, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조에 대해 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 영역(DA)과 표시 영역의 둘레에 위치하는 비표시 영역(Non-Display Area, NDA)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(DA)에는 복수의 화소들(pixels)이 존재할 수 있으며, 비표시 영역(NDA)에는 상기 화소를 구동하는 구동부가 위치할 수 있다.
도 2를 참조하면, 기판(110), 박막 트랜지스터(20), 제1 전극(710), 유기 발광층(720), 제2 전극(미도시), 화소 정의막(190) 및 봉지층(800)을 포함한다. 하기에서, 박막 트랜지스터를 설명함에 있어, 유기 발광 표시 장치에 적용되는 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터 중, 구동 트랜지스터를 중심으로 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 기판(110)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 기판(110)은 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성될 수도 있다.
그리고, 기판(110) 위에는 버퍼층(120)이 형성된다. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 한다. 이때, 버퍼층(120)은 상기 기능을 수행할 수 있는 다양한 공지의 물질로 형성될 수 있다.
버퍼층(120) 위에는 구동 반도체층(132)이 형성된다. 구동 반도체층(132)은 다결정 규소막으로 형성된다. 또한, 구동 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135), 채널 영역(135)의 양 옆으로 p+가 도핑되어 형성된 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 포함한다.
한편, 구동 반도체층(132) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성된다. 게이트 절연막(140)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등으로 형성될 수 있다.
또한, 게이트 절연막(140) 위에는 구동 게이트 전극(155)을 포함하는 게이트 배선이 형성된다. 이때, 구동 게이트 전극(155)은 구동 반도체층(132)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)과 중첩되도록 형성된다.
게이트 절연막(140) 위에는 구동 게이트 전극(155)을 덮는 층간 절연막(160)이 형성된다. 게이트 절연막(140)과 층간 절연막(160)은, 구동 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 드러내는 관통공들을 함께 갖는다. 이때, 층간 절연막(160)은, 게이트 절연막(140)과 마찬가지로, 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등의 세라믹(ceramic) 계열의 소재를 사용하여 만들어진다.
그리고, 층간 절연막(160) 위에는 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함하는 데이터 배선이 형성된다. 이때, 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)은 각각 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 관통공들을 통해 구동 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)과 연결된다.
이와 같이, 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한 구동 박막 트랜지스터(20)가 형성된다. 구동 박막 트랜지스터(20)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 해당 기술분야의 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변경 가능하다.
한편, 층간 절연막(160) 위에는 데이터 배선(176, 177)을 덮는 평탄화막(180)이 형성된다. 평탄화막(180)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 이때, 평탄화막(180)은 드레인 전극(177)의 일부를 노출시키는 전극 컨택홀을 갖는다.
평탄화막(180) 위에는 유기 발광 소자의 제1 전극, 즉 화소 전극(710)이 형성된다. 즉, 유기 발광 표시 장치는 복수의 부화소들마다 각각 배치된 복수의 화소 전극(710)을 포함한다.
이때, 복수의 화소 전극(710)은 서로 이격 배치된다. 유기 발광 소자마다 하나의 화소 전극(710)이 배치된다. 이때, 화소 전극(710)은 평탄화막(180)의 전극 컨택홀(182)를 통해 드레인 전극(177)과 연결된다.
또한, 평탄화막(180) 위에는 화소 전극(710)을 드러내는 개구부를 갖는 화소 정의막(190)이 형성된다. 즉, 화소 정의막(190)은 각 부화소마다 형성된 복수개의 개구부를 갖는다. 그리고, 화소 전극(710)은 화소 정의막(190)의 개구부에 대응하도록 배치된다.
화소 전극(710) 위에는 유기 발광층(720)이 형성되고, 유기 발광층(720) 위에는 제2 전극, 즉 공통전극(미도시)이 형성된다. 이와 같이, 화소 전극(710), 유기 발광층(720) 및 공통전극을 포함하는 유기 발광 소자가 형성된다.
유기 발광층(720)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 또한, 유기 발광층(720)은 발광층과, 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL), 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL)을 중 하나 이상을 포함하는 다중막으로 형성될 수 있다. 이들 모두를 포함할 경우, 정공 주입층이 양극인 화소 전극(710) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.
한편, 유기 발광층(720)은 발광층의 재질 종류에 따라 적색, 녹색, 청색 등의 색상으로 구분된다.
화소 전극(710)과 공통전극은 각각 투명한 도전성 물질로 형성되거나 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 화소 전극(710)과 공통 전극은 형성하는 물질의 종류에 따라, 유기 발광 표시 장치는 전면 발광형, 배면 발광형 또는 양면 발광형으로 구분될 수 있다.
그리고, 봉지층(800)이 화소 정의막(190) 위에 위치할 수 있다. 이때, 봉지층(800)과 화소 정의막(190) 사이에는 공통 전극(미도시)이 위치할 수 있다. 봉지층(800)은 화소 정의막(190) 위에 적층되어 외부로부터 유입될 수 있는 산소 또는 수분으로부터 유기 발광층(720) 등을 보호한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 봉지층(800)이 상부에 놓이게 되는 화소 정의막(190)은 그 단면적비가 표시 영역의 위치에 따라 달라진다. 보다 자세히, 화소 정의막(190)은 표시 영역(DA)의 가장 자리에 인접한 화소 정의막과 표시 영역의 중앙부에 위치한 화소 정의막의 단면적비가 서로 다르게 형성된다. 하기에서 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 정의막(190)의 구성에 대해 상술하기로 한다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 표시 영역(DA)은 제1 영역(B)과 제2 영역(A)으로 구분될 수 있다. 여기에서, 제1 영역(B)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)의 경계로부터 내측으로 제1 거리(Y)까지의 영역으로 정의된다. 제2 영역(A)는 표시 영역(DA) 중 상기 제1 영역(B)를 제외한 나머지 영역으로 정의될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 영역(B)의 화소 정의막(PDLB)의 단면적비는 제2 영역(A)의 화소 정의막(PDLA)의 단면적비보다 크다. 여기에서, 단면적비는 단위 화소의 전체 단면적 중 화소 정의막의 단면적이 차지하는 단면적의 비율로 정의된다. 또한, 화소 정의막의 단면적은 봉지층(800)과 접촉될 수 있는 화소 정의막 상부의 단면적을 나타낸다.
즉, 제2 영역(A)에 비해 제1 영역(B)에서, 단위 화소 중 화소 정의막의 단면적이 차지하는 비율이 높게 형성된다. 도 1을 참조하면, 표시 영역(DA) 내에 형성되는 화소 정의막은 표시 영역(DA)의 외곽에 해당되는 제1 영역(B)에서 화소 정의막(PDLB)의 단면적비가 표시 영역(DA)의 내부에 해당되는 제2 영역(A)의 화소 정의막(PDLA)의 단면적비보다 높게 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 영역(B)의 화소 정의막(190)의 단면적비는 29％ ~ 33％일 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(B)의 화소 정의막(190)은 상기 단면적비 범위내 중 특정 값의 면적비로 균일하게 형성될 수 있다. 반면에, 제2 영역(A)의 화소 정의막(190)의 단면적비는 29％ 미만일 수 있다.
그러나, 제1 및 제2 영역의 화소 정의막의 단면적비는 상기 범위에 한정되지 않고, 제 2 영역(A)에 비해 제1 영역(B)에서 화소 정의막(190)의 단면적비가 높게 형성되는 다양한 단면적비가 적용될 수 있다.
한편, 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)의 경계로부터 제1 영역(B) 의 폭에 해당하는 제1 거리(Y)는 대략 20mm ~ 40mm일 수 있다.
이와 같이, 화소 정의막을 표시 영역(DA)에서 위치에 따라 단면적비가 서로 다른 화소 정의막을 배치하는 것은, 봉지층(800)이 화소 정의막(190)에 적층되는 과정에서, 표시 영역(DA)의 외곽부에서 화소 정의막(190)의 높이가 내부에 비해 더 낮아져, 봉지층(800)의 평탄도가 균일하지 않게 되는 것을 방지하기 위함이다. 이에 대해서는, 도 9를 참조하여 설명하기로 한다.
도 9 (A)를 참조하면, 봉지층(800)을 화소 정의막(190) 위에 부착하는 과정에서, 외곽부인 제1 영역(B)에서 제2 영역(A)에 비해 높은 압력이 가해지게 된다. 따라서, 상대적으로 압력이 높게 작용되는 제1 영역(B)의 화소 정의막(190)의 높이가 제2 영역(A)에 비해 상대적으로 낮아지게 된다. 결국, 화소 정의막(190) 위에 위치하는 봉지층(800)이 제1 영역(B)에서 하강하게 된다(T1 참조).
이와 같이, 표시 영역(DA) 중 제1 영역(B)에서 화소 정의막(190)의 높이가 상대적으로 낮아져, 봉지층(800)의 평탄도가 균일하지 않는 것을 방지하기 위해, 제1 영역(B)의 화소 정의막(190)의 단면적비를 제2 영역(A)에 비해 높게 형성한다.
도 9 (B)를 참조하면, 제1 영역(B)에서의 화소 정의막(190)의 단면적비가 제2 영역(A)에 비해 높게 형성됨으로써, 상대적으로 높은 압력이 제1 영역(B)의 화소 정의막(190)에 작용되더라도 봉지층(800)의 평탄도가 일정하게 유지될 수 있다.
한편, 화소 정의막(190)의 단면적비를 제1 영역(B)과 제2 영역(A)에서 서로 달리 구성하기 위해서는 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이 다양한 형상의 단면으로 구성할 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 각 화소에 위치하는 각 화소 정의막(190)의 단면적의 크기를 확대함으로써, 화소 정의막(190)의 단면적비를 증가시킬 수 있다. 즉, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 유기 발광층(720) 주위의 화소 정의막(190)의 단면의 크기를 증가시킴으로써, 화소 정의막(190)의 단면적비를 증가시킬 수 있다.
도 7을 참조하면, 유기 발광층(720) 주변의 화소 정의막(190)이 서로 연결되도록 구성하여, 봉지층(800)과 접촉하는 화소 정의막(190)의 단면적을 증가시킬 수 있다.
도 8을 참조하면, 화소 정의막의 단면적비에 따른 높이 변화량을 알 수 있다. 도 8은 화소 정의막의 단면적비를 달리하여 봉지층을 적층할 때, 화소 정의막의 높이 변화량을 측정한 결과이다.
예를 들어, 화소 정의막(PDL1)의 단면적비, 화소 정의막(PDL2)의 단면적비 및 화소 정의막(PDL3)의 단면적비가 각각 대략 20.87％, 28.80％ 및 31.76％인 경우, 각 화소 정의막(PDL1, PDL2, PDL3)의 높이 변화량은 대략 0.42 ㎛, 0.28 ㎛ 및 0.03 ㎛으로 나타난다. 도 8에 나타난 바와 같이, 화소 정의막의 단면적비가 높을수록 화소 정의막의 높이 변화량이 감소하는 것을 알 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 제1 영역(B)의 화소 정의막(190)의 단면적비는 비표시 영역(NDA)에 인접할수록 상기 단면적비가 증가할 수 있다.
도 4를 참조하면, 제1 영역(B)은 제1-1 영역, 제1-2 영역, 제1-3 영역 및 제1-4 영역으로 구분될 수 있다. 여기에서, 제1-1 영역 내지 제1-4 영역은, 제1 영역(B)과 제2 영역(A)의 경계로부터 제2 거리(X1, X2, X3, X4)로 이격된 영역으로 정의된다.
이때, 제2 거리(X1, X2, X3, X4)는 동일한 거리일 수 있다. 예를 들어, 제2 거리(X1, X2, X3, X4)는 대략 5mm일 수 있다. 그러나, 제2 거리는 상기 수치에 한정되지 않고, 표시 장치의 크기에 따라 다양한 거리로 이루어질 수 있다
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1-1 영역에서 제1-4 영역으로 갈수록, 화소 정의막의 단면적비가 증가된다. 즉, 제1-1 영역의 화소 정의막(PDL1), 제1-2 영역의 화소 정의막(PDL2), 제1-3 영역의 화소 정의막(PDL3) 및 제1-4 영역의 화소 정의막(PDL4)의 단면적비를 비교하면, '화소 정의막(PDL1)의 단면적비 ＜ 화소 정의막(PDL2)의 단면적비 ＜ 화소 정의막(PDL3)의 단면적비 ＜ 화소 정의막(PDL4)의 단면적비'가 성립될 수 있다.
그러나, 제1 영역(B)에서 단면적비가 서로 다른 영역은 상기와 같이 4개 영역으로 나누어지는 것에 한정되지 않고, 제1 영역(B)은 2개 영역 또는 3개 영역 등 복수의 영역으로 구분될 수 있다.
한편, 도 4에서, 화소 정의막(PDL1)의 단면적비, 화소 정의막(PDL2)의 단면적비, 화소 정의막(PDL3)의 단면적비, 화소 정의막(PDL4)의 단면적비는 각각 대략 29.5％, 30.5％, 31.5％ 및 32.5％일 수 있다. 그러나, 각 화소 정의막의 단면적비는 이에 한정되지 않고, 29％ 내지 33％에서 다양한 면적비로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역의 화소 정의막의 단면적비를 표시 영역의 위치에 따라 서로 다르게 형성하여, 봉지층을 화소 정의막 위에 적층하는 과정에서, 화소 정의막의 높이가 균일하게 유지되도록 한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
DA 표시 영역 NDA 비표시 영역
A 제2 영역 B 제1 영역
20 박막 트랜지스터 110 기판
190 화소 정의막 710 제1 전극
800 봉지층
A 제2 영역 B 제1 영역
20 박막 트랜지스터 110 기판
190 화소 정의막 710 제1 전극
800 봉지층
Claims (12)
- 영상을 표시하는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 둘레에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 위에 형성되는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 위에 형성되어 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극;
상기 제1 전극 위에 형성되어 화소 영역을 정의하는 화소 정의막 및
상기 제1 전극 위에 형성되어 상기 화소 영역에서 상기 제1 전극과 접촉하는 발광층를 포함하되,
상기 표시 영역은 상기 표시 영역과 상기 비표시 영역의 경계로부터 내측으로 제1 거리까지의 영역인 제1 영역과 상기 표시 영역 중 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역인 제2 영역으로 구분되며,
단위 화소당 상기 화소 정의막의 단면적이 차지하는 상기 화소 정의막의 단면적비는 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에서 서로 다른 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에서,
상기 제1 영역의 상기 화소 정의막의 상기 단면적비가 상기 제2 영역의 상기 화소 정의막의 상기 단면적비 보다 큰 유기 발광 표시 장치. - 제 2 항에서,
상기 제1 영역의 상기 화소 정의막의 상기 단면적비는 상기 비표시 영역에 인접할수록 상기 단면적비가 증가하는 유가 발광 표시 장치. - 제 3 항에서,
상기 제1 영역은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 경계로부터 상기 비표시 영역 측으로 각각 제2 거리만큼 이격된 제1-1, 제1-2, 제1-3 및 제1-4 영역으로 구분되며,
상기 제1-1 영역에서 상기 제1-4 영역으로 갈수록 상기 화소 정의막의 단면적비가 증가하는 유기 발광 표시 장치. - 제 4 항에서,
상기 제2 거리는 5mm인 유기 발광 표시 장치. - 제 4 항에서,
상기 제1-1 영역의 상기 화소 정의막의 단면적비는 29.5％인 유기 발광 표시 장치. - 제 4 항에서,
상기 제1-2 영역의 상기 화소 정의막의 단면적비는 30.5％인 유기 발광 표시 장치. - 제 4 항에서,
상기 제1-3 영역의 상기 화소 정의막의 단면적비는 31.5％인 유기 발광 표시 장치. - 제 4 항에서,
상기 제1-4 영역의 상기 화소 정의막의 단면적비는 32.5％인 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에서,
상기 제1 영역의 상기 화소 정의막의 상기 단면적비는 29％ ~ 33％인 유기 발광 표시 장치. - 제 10 항에서,
상기 제2 영역의 상기 화소 정의막의 상기 단면적비는 29％ 미만인 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에서,
상기 제1 거리는 20mm ~ 40mm인 유기 발광 표시 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130121470A KR102088429B1 (ko) | 2013-10-11 | 2013-10-11 | 유기 발광 표시 장치 |
| US14/449,429 US9466649B2 (en) | 2013-10-11 | 2014-08-01 | Organic light emitting diode display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130121470A KR102088429B1 (ko) | 2013-10-11 | 2013-10-11 | 유기 발광 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150042604A true KR20150042604A (ko) | 2015-04-21 |
| KR102088429B1 KR102088429B1 (ko) | 2020-03-13 |
Family
ID=52808913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130121470A KR102088429B1 (ko) | 2013-10-11 | 2013-10-11 | 유기 발광 표시 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9466649B2 (ko) |
| KR (1) | KR102088429B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10326076B2 (en) * | 2015-04-13 | 2019-06-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method of manufacturing display substrate, display substrate and display device |
| CN106449718B (zh) * | 2016-11-15 | 2019-10-18 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled基板及其制作方法 |
| CN107706221B (zh) * | 2017-09-28 | 2019-11-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示器的制作方法及oled显示器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100698695B1 (ko) | 2004-06-25 | 2007-03-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20060082126A (ko) | 2005-01-11 | 2006-07-14 | 삼성전자주식회사 | 평판형광램프 및 이를 갖는 표시장치 |
| KR101239820B1 (ko) | 2006-06-28 | 2013-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
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| JP2012038924A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Sony Corp | 半導体装置、表示装置、および電子機器 |
| JP5583541B2 (ja) | 2010-10-06 | 2014-09-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 電気泳動方式表示装置 |
| US8981391B2 (en) * | 2012-06-22 | 2015-03-17 | Industrial Technology Research Institute | Display panel with high transparency |
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-
2013
- 2013-10-11 KR KR1020130121470A patent/KR102088429B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-08-01 US US14/449,429 patent/US9466649B2/en active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102088429B1 (ko) | 2020-03-13 |
| US20150102314A1 (en) | 2015-04-16 |
| US9466649B2 (en) | 2016-10-11 |
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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