KR20160013489A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 복수의 화소, 적어도 1개 이상의 상기 화소를 포함하는 화소 구역을 덮는 유기 봉지막, 유기 봉지막 위에 형성되어 있으며 서로 이웃하는 화소 구역 사이에 위치하는 제1 틈을 가지는 제1 무기 봉지막, 그리고 제1 무기 봉지막 위에 형성되어 있으며 제1 틈을 채우는 제2 무기 봉지막을 포함한다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 가요성 및 신축성을 가지는 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)는 빛을 방출하는 유기 발광 소자(organic light emitting diode)를 가지고 화상을 표시하는 자발광형 표시 장치이다. 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치(liquid crystal display)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 상대적으로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 휴대용 전자 기기의 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다.
최근 이러한 유기 발광 표시 장치는 대면적이 용이하고 박형 및 경량화가 가능한 플라스틱, 호일 등과 같이 가요성 및 신축성 있는 재료를 기판으로 사용하여 구부러지거나 늘어나는 가요성 표시 장치(flexible display device) 및 신축성 표시 장치(stretchable display device)로 개발되고 있다.
그러나 이러한 표시 장치를 구현하기 위해서는 기판뿐 아니라 기판 위에 형성되는 박막 등이 굽힘 및 연신에 취약하지 않아야 한다. 특히, 굽힘 및 연신시 유기 발광 소자를 보호하는 봉지막이 손상될 경우 외부 습기가 손상된 부분으로 유입되어, 습기에 취약한 유기 발광 소자가 손상되어 소자의 신뢰성이 떨어지는 문제점이 있다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 가요성 및 신축성을 가지면서도 봉지막이 손상되어 표시 장치의 신뢰성이 감소하지 않는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 복수의 화소, 적어도 1개 이상의 상기 화소를 포함하는 화소 구역을 덮는 유기 봉지막, 유기 봉지막 위에 형성되어 있으며 서로 이웃하는 화소 구역 사이에 위치하는 제1 틈을 가지는 제1 무기 봉지막, 그리고 제1 무기 봉지막 위에 형성되어 있으며 제1 틈을 채우는 제2 무기 봉지막을 포함한다.
상기 기판은 신축성을 가지는 하부 기판, 하부 기판 위에 위치하며 가요성을 가지는 상부 기판을 포함할 수 있다.
상기 제1 틈에 대응하는 하부 기판의 부분은 화소 구역과 대응하는 하부 기판의 부분보다 연신된 상태일 수 있으며, 화소 구역과 대응하는 하부 기판의 부분은 하부 기판의 탄성 한도에 대해서 30%이하로 연신되어 있을 수 있다.
상기 하부 기판이 연신된 각 부분의 폭은 제2 무기 절연막 두께의 2배 이상일 수 있다.
상기 하부 기판은 폴리디메틸실록산 또는 폴리 우레탄을 포함할 수 있다.
상기 상부 기판은 폴리 이미드를 포함할 수 있다.
상기 제1 틈은 상기 하부 기판을 노출하고, 제2 무기 봉지막은 하부 기판에 접촉될 수 있다.
상기 각 화소 구역은 복수의 화소를 포함하고, 화소 구역 내에 위치하는 서로 이웃한 화소 사이의 제1 간격과, 서로 다른 화소 구역에 포함되며 서로 이웃하여 위치하는 두 화소 사이의 제2 간격은 서로 다를 수 있다.
상기 제1 틈은, 기판의 일방향으로 연장하도록 형성되어 있는 세로 틈, 세로 틈과 교차하는 방향으로 연장하도록 형성되어 있는 가로 틈을 포함할 수 있다.
상기 제2 무기 봉지막은 제1 틈보다 폭이 좁은 제2 틈을 가지고, 제2 틈을 채우며 제2 무기 봉지막 위에 형성되어 있는 제3 무기 봉지막을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 무기 봉지막은 제1 무기 봉지막의 가장자리를 덮도록 형성되어 있을 수 있다.
상기 제1 틈은 상기 기판의 일방향으로 연장하도록 형성되어 있고, 제2 틈은 제1 틈과 교차하는 방향으로 연장하도록 형성되어 있을 수 있다.
상기 화소는 각각 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 유기 발광 소자를 포함할 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 다른 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 복수의 화소, 적어도 1개 이상의 화소를 포함하는 화소 구역을 덮는 유기 봉지막, 유기 봉지막 위에 형성되어 있으며 화소 구역과 대응하는 제1 부분의 두께가 서로 이웃하는 화소 구역 사이와 대응하는 제2 부분의 두께보다 두꺼운 무기 봉지막을 포함한다.
상기 기판은 신축성을 가지는 하부 기판, 하부 기판 위에 위치하며 가요성을 가지는 상부 기판을 포함한다.
상기 제2 부분과 대응하는 하부 기판은 제1 부분과 대응하는 하부 기판보다 연신된 상태일 수 있다.
상기 무기 봉지막의 제2 부분은 하부 기판에 접촉될 수 있다.
상기 하부 기판은 폴리디메틸실록산 또는 폴리 우레탄을 포함할 수 있다.
상기한 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 신축성을 가지는 하부 기판과 가요성을 가지는 상부 기판을 포함하는 기판 위에 복수의 화소를 형성하는 단계, 적어도 1개 이상의 화소를 포함하는 화소 구역을 덮도록 각각 유기 봉지막을 형성하는 단계, 유기 봉지막 위에 제1 무기 봉지막을 형성하는 단계, 하부 기판을 연신하여 제1 무기 봉지막에 제1 틈을 형성하는 단계, 제1 틈을 채우도록 제1 무기 봉지막 위에 제2 무기 봉지막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 틈을 형성하는 단계에서, 제1 틈과 대응하는 하부 기판의 부분은 하부 기판의 탄성 한도의 30%이내로 연신하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제1 틈을 형성하는 단계에서, 제1 틈은 하부 기판을 노출하도록 형성하는 것을 포함할 수 있다.
상기 하부 기판은 폴리디메틸실록산 또는 폴리 우레탄을 포함하고, 상부 기판은 폴리 이미드를 포함할 수 있다.
본 발명에서와 같은 방법으로 표시 장치를 제조하면, 봉지막이 손상되어 외부 습기에 화소가 손상되는 것을 최소화할 수 있어 신뢰성이 향상된 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 잘라 도시한 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소의 등가 회로도이다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치의 한 화소의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에 틈이 발생된 상태의 개략적인 단면도이다.
도 6 내지 도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 실시예에 따라서 기판을 연신하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 잘라 도시한 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소의 등가 회로도이다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치의 한 화소의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에 틈이 발생된 상태의 개략적인 단면도이다.
도 6 내지 도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 실시예에 따라서 기판을 연신하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
그러면 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 도면을 참고로 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II선을 따라 잘라 도시한 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 기판(100), 기판(100) 위에 형성되어 있는 복수의 화소(P), 적어도 1개 이상의 화소(P)를 포함하는 화소 구역(PA)을 각각 덮는 유기 봉지막(200), 유기 봉지막(200) 위에 형성되어 있는 제1 무기 봉지막(310), 제1 무기 봉지막(310) 위에 형성되어 있는 제2 무기 봉지막(320)을 포함한다.
기판(100)은 신축성(stretch) 및 탄성(elasticity)을 가지는 하부 기판(10)과 가요성(flexibility)을 가지는 상부 기판(30)을 포함할 수 있다.
하부 기판(10)은 신축성 및 탄성을 가지므로, 하부 기판(10)의 탄성 한도 내에서 늘어나거나 줄어들 수 있다.
하부 기판(10)과 상부 기판(30) 사이에는 PSA(pressure sensitive adhesive)와 같은 점착층이 형성되어 있으며 점착층(50)은 하부 기판(10)과 상부 기판(30)을 결합한다.
하부 기판(10)은 탄성 및 신축성을 가지는 물질로 이루어지며, 예를 들어 아크릴 계열의 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS) 또는 폴리 우레탄(poly urethane)을 포함할 수 있다.
상부 기판(30)은 휘어질 수 있는 가요성 기판으로, 상부 기판(30)은 하부 기판(10)에 비해서 상대적으로 신축성이 부족할 수 있으나 내열성은 더 높을 수 있다.
상부 기판(30)은 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물층(3)을 포함할 수 있다.
그리고 상부 기판은 유기물층(3)의 상부 또는 하부에 산화규소(SiOx) 또는 질화 규소(SiNx) 따위의 무기물층(5)을 더 포함할 수 있으며, 유기물층(3) 및 무기물층(5)이 반복 적층(도시하지 않음)될 수 있다. 유기물층 및 무기물층이 반복 적층될 경우, 최상층 및 최하층은 무기물층이 위치하는 것이 바람직하다.
화소는 각각 박막 트랜지스터(Q)를 포함하여 영상을 표시하는 것으로, 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 한 화소일 수 있다. 구체적으로, 도 3에서와 같은 등가 회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 한 화소를 예로 들어서 설명한다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소의 등가 회로도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(P)를 포함한다.
신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 제1 신호선(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 제2 신호선(171) 및 구동 전압(Vdd)을 전달하는 복수의 제3 신호선(172)을 포함한다. 제1 신호선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고, 제2 신호선(171) 및 제3 신호선(172)은 제1 신호선(121)과 교차하여 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행한다.
각 화소(P)는 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)(Q1), 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)(Q2), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(70)를 포함한다.
구동 박막 트랜지스터(Q1)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 박막 트랜지스터(Q2)에 연결되어 있고, 입력 단자는 제3 신호선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 소자(70)에 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(Q1)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.
스위칭 박막 트랜지스터(Q2)도 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 제1 신호선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 제2 신호선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 박막 트랜지스터(Q1)에 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(Q2)는 제1 신호선(121)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 제2 신호선(171)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(Q1)에 전달한다.
축전기(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Q1)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Q1)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 박막 트랜지스터(Q2)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.
유기 발광 소자(70)는 구동 박막 트랜지스터(Q1)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode), 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자(70)는 구동 박막 트랜지스터(Q1)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치의 한 화소의 단면도이다.
도 5에서는 도 4의 제2 박막 트랜지스터(Q2) 및 유기 발광 소자(70)를 중심으로 적층 순서에 따라 상세히 설명한다. 이하에서는 제2 박막 트랜지스터(Q2)를 박막 트랜지스터라 한다.
도 5에 도시한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치는 기판(100)을 포함하고, 기판(100) 위에는 버퍼층(120)이 형성되어 있다.
버퍼층(120)은 질화 규소(SiNx)의 단일막 또는 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiOX)가 적층된 이중막 구조로 형성될 수 있다. 버퍼층(120)은 불순물 또는 수분과 같이 불필요한 성분의 침투를 방지하면서 동시에 표면을 평탄화하는 역할을 한다.
버퍼층(120) 위에는 다결정 규소로 이루어진 반도체(135)가 형성되어 있다.
반도체(135)는 채널 영역(1355), 채널 영역(1355)의 양측에 각각 형성된 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)로 구분된다. 반도체의 채널 영역(1355)은 불순물이 도핑되지 않은 다결정 규소, 즉 진성 반도체(intrinsic semiconductor)이다. 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)은 도전성 불순물이 도핑된 다결정 규소, 즉 불순물 반도체(impurity semiconductor)이다. 소스 영역(1356), 드레인 영역(1357)에 도핑되는 불순물은 p형 불순물 및 n형 불순물 중 어느 하나 일 수 있다.
반도체(135) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소 및 산화 규소 중 적어도 하나를 포함한 단층 또는 복수층일 수 있다.
반도체(135) 위에는 게이트 전극(155)이 형성되어 있으며, 게이트 전극(155)은 채널 영역(1355)과 중첩한다.
게이트 전극(155)은 Al, Ti, Mo, Cu, Ni 또는 이들의 합금과 같이 저저항 물질 또는 부식이 강한 물질을 단층 또는 복수층으로 형성할 수 있다.
게이트 전극(155) 위에는 제1 층간 절연막(160)이 형성된다. 제1 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
제1 층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)에는 소스 영역(1356)과 드레인 영역(1357)을 각각 노출하는 소스 접촉 구멍(66)과 드레인 접촉 구멍(67)을 갖는다.
제1 층간 절연막(160) 위에는 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)이 형성되어 있다. 소스 전극(176)은 접촉 구멍(66)을 통해서 소스 영역(1356)과 연결되어 있고, 드레인 전극(177)은 접촉 구멍(67)을 통해서 드레인 영역(1357)과 연결되어 있다.
소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)은 Al, Ti, Mo, Cu, Ni 또는 이들의 합금과 같이 저저항 물질 또는 부식이 강한 물질을 단층 또는 복수층으로 형성할 수 있다. 예를 들어, Ti/Cu/Ti, Ti/Ag/Ti, Mo/Al/Mo의 삼중층일 수 있다.
게이트 전극(155), 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)은 각각 도 3의 제어 전극, 입력 전극 및 출력 전극으로, 반도체(135)와 함께 박막 트랜지스터를 이룬다. 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(176)과 드레인 전극(177) 사이의 반도체(135)에 형성된다.
소스 전극(176)과 드레인 전극(177) 위에는 제2 층간 절연막(180)이 형성되어 있다. 제2 층간 절연막(180)은 드레인 전극(177)을 노출하는 접촉 구멍(85)을 포함한다.
제2 층간 절연막(180)은 제1 층간 절연막과 마찬가지로 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 단층 또는 복수층으로 형성할 수 있으며, 저유전율 유기 물질로 이루어질 수 있다.
제2 층간 절연막(180) 위에는 제1 전극(710)이 형성되어 있다. 제1 전극(710)은 접촉 구멍(85)을 통해서 드레인 전극(177)과 전기적으로 연결되며, 제1 전극(710)은 도 3의 유기 발광 소자의 애노드 전극일 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서는 제1 전극(710)과 드레인 전극(177) 사이에 층간 절연막을 형성하였으나, 제1 전극(710)은 드레인 전극(177)과 동일한 층에 형성할 수 있으며, 드레인 전극(177)과 일체형일 수 있다.
제1 전극(710)위에는 화소 정의막(190)이 형성되어 있다.
화소 정의막(190)은 제1 전극(710)을 노출하는 개구부(95)를 가진다. 화소 정의막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates) 또는 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지와 실리카 계열의 무기물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
화소 정의막(190)의 개구부(95)에는 유기 발광층(720)이 형성되어 있다.
유기 발광층(720)은 발광층과 정공 수송층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron-transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron-injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 복수층으로 형성된다.
유기 발광층(720)이 이들 모두를 포함할 경우 정공 주입층이 애노드 전극인 제1 전극(710) 위에 위치하고 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.
이때, 발광층은 저분자 유기물 또는 PEDOT(Poly 3,4-ethylenedioxythiophene) 등의 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 발광층은 적색을 발광하는 적색 발광층, 녹색을 발광하는 녹색 발광층 및 청색을 발광하는 청색 발광층을 포함할 수 있으며, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층은 각각 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 형성되어 컬러 화상을 구현하게 된다.
또한, 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 모두 함께 적층하고, 각 화소별로 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수 있다. 다른 예로, 백색을 발광하는 백색 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소 모두에 형성하고, 각 화소별로 각각 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수도 있다. 백색 발광층과 색필터를 이용하여 컬러 화상을 구현하는 경우, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 발광층을 각각의 개별 화소 즉, 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 증착하기 위한 증착 마스크를 사용하지 않아도 된다.
또한, 백색 발광층은 백색광을 발광하는 하나의 발광층으로 형성될 수 있음은 물론이고, 복수 개의 서로 다른 색을 발광하는 발광층을 적층하여 백색을 발광할 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나의 옐로우 발광층과 적어도 하나의 청색 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 시안 발광층과 적어도 하나의 적색 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 마젠타 발광층과 적어도 하나의 녹색 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성 등도 포함할 수 있다.
화소 정의막(190) 및 유기 발광층(720) 위에는 도 3의 캐소드 전극인 제2 전극(730)이 형성되어 있다.
제1 전극(710), 유기 발광층(720) 및 제2 전극(730)은 유기 발광 소자(70)를 이룬다.
유기 발광 소자(70)가 빛을 방출하는 방향에 따라서 유기 발광 표시 장치는 전면 표시형, 배면 표시형 및 양면 표시형 중 어느 한 구조를 가질 수 있다.
전면 표시형일 경우 제1 전극(710)은 반사막으로 형성하고 제2 전극(730)은 반투과막 또는 투과막으로 형성한다. 반면, 배면 표시형일 경우 제1 전극(710)은 반투과막으로 형성하고 제2 전극(730)은 반사막으로 형성한다. 그리고 양면 표시형일 경우 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)은 투명막 또는 반투명막으로 형성한다.
반사막 및 반투명막은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr) 및 알루미늄(Al) 중 하나 이상의 금속 또는 이들의 합금을 사용하여 만들어진다. 반사막과 반투과막은 두께로 결정되며, 반투과막은 200nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 두께가 얇아질수록 빛의 투과율이 높아지나, 너무 얇으면 저항이 증가한다.
투명막은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide) 또는 In2O3(indium oxide) 등의 물질로 이루어진다.
다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(100)은 복수의 화소 구역(PA)으로 나뉘어질 수 있다. 동일 기판 위에서 화소 구역(PA)은 동일한 수의 화소를 포함하도록 나뉘어질 수 있으며, 화소 구역(PA)은 규칙적으로 배열되도록 나뉘어질 수 있다.
유기 봉지막(200)은 박막 트랜지스터(Q) 및 유기 발광 소자(70)를 포함하는 각각의 화소 구역(PA)을 덮도록 형성되어 있다. 도 1에서는 2개의 화소(P)를 포함하도록 화소 구역(PA)을 나누었으나, 1개의 화소 또는 3개 이상의 화소를 포함하도록 나뉘어질 수 있다.
유기 봉지막(200)은 고분자를 포함하며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 유기 봉지막은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2에서는 유기 발광 소자 바로 위에 유기 봉지막(200)이 위치하는 것을 도시하였으나, 유기 발광 소자의 제2 전극을 보호하기 위한 캐핑층(도시하지 않음) 또는 유기 발광 소자의 광효율을 증가시키기 위해서 LiF로 이루어지는 기능층(도시하지 않음)이 더 형성될 수 있다.
제1 무기 봉지막(310)은 유기 봉지막(200) 위에 형성되며 유기 봉지막(200)의 가장자리를 덮도록 형성되어 있다.
제1 무기 봉지막(310)은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로 제1 무기 봉지막(310)은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 무기 봉지막(310)은 틈(crack)(T)을 가지며, 틈(T)은 화소 구역 사이(PB)와 대응하는 영역에 위치한다. 틈(T)은 X축 및 Y축을 따라 길게 형성되어 교차할 수 있으나, 필요에 따라서 X축 또는 Y축 중 어느 하나만을 따라서 길게 형성될 수 있다.
한편, 화소 구역(PA) 내에 위치하는 화소 사이의 제1 간격과 서로 다른 화소 구역에 이웃하여 위치하는 두 화소 사이의 제2 간격은 서로 다를 수 있다. 이는 화소 구역 사이에는 틈(T)이 형성되어 있어, 틈(T)만큼 이웃하는 두 화소 사이 거리가 멀어지므로 제2 간격(L2)과 제1 간격(L1)이 서로 다를 수 있으며, 제2 간격이 제1 간격보다 틈(T)의 폭보다 클 수 있다.
제1 간격(L1) 및 제2 간격(L2)은 각각 동일한 지점 간을 연결하여 측정한 거리로, 예를 들어 화소의 유기 발광 소자의 제1 전극 사이의 거리, 박막 트랜지스터와 연결된 신호선 사이의 거리, 유기 발광 소자의 제1 전극과 박막 트랜지스터와 연결된 신호선 사이의 거리 등일 수 있다.
제2 무기 봉지막(320)은 제1 무기 봉지막(310) 위에 형성되어 있으며, 제1 무기 봉지막(310)의 틈(T)을 채우도록 형성되어 있다. 이때, 틈(T)은 제1 무기 봉지막(310) 뿐 아니라, 상부 기판(30)까지 형성될 수 있으므로 제2 무기 봉지막(320)은 하부 기판(10)과 접촉할 수 있다.
제2 무기 봉지막(320)은 제1 무기 봉지막(310)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 제2 무기 봉지막(320)은 제1 무기 봉지막(310)과 서로 다른 무기 물질로 형성될 수 있으나, 밀착성 및 공정의 용이성 등을 고려하여 동일한 물질로 형성될 수 있다.
이처럼, 제1 무기 봉지막과 제2 무기 봉지막을 동일한 물질로 형성할 경우 화소 구역(PA)에는 제1 무기 봉지막과 제2 무기 봉지막이 형성되고, 틈(T)과 대응하는 영역에는 제2 무기 봉지막만 형성되므로, 화소 구역(PA)에 위치하는 무기 봉지막의 두께가 틈(T)과 대응하는 영역에 위치하는 무기 봉지막의 두께보다 두껍게 형성된다.
본 발명의 한 실시예에서와 같이, 연신 공정으로 제1 무기 봉지막에 틈을 형성하고 틈을 채우도록 제2 무기 봉지막을 형성하면 표시 장치를 사용할 때 늘어나거나 굽힘에 의해서 크랙이 발생하더라도 크랙으로 인해서 외부 습기가 화소까지 전달되는 경로가 늘어나 화소의 유기 발광 소자가 외부 습기에 의해서 손상되는 것을 최소화할 수 있다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에 틈이 발생된 상태의 개략적인 단면도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 표시 장치를 굽히거나 늘릴 경우 외부 습기가 침투 가능한 침투틈(C)이 발생할 수 있다. 즉, 침투틈은 최외각에 위치하는 무기 봉지막인 제2 무기 봉지막이 깨지면서 형성되므로 침투틈(C)이 외부 습기가 유입되는 경로를 제공하게 된다.
이때, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치에서는 침투틈(C)이 화소 구역 사이(PB)에 형성된다.
본 발명에 따른 표시 장치는 침투틈(C)이 형성되더라도 화소 구역 사이(PB)에 형성되므로, 화소 구역(PA)에 위치하는 유기 봉지막, 제1 무기 봉지막 및 제2 무기 봉지막이 손상되지 않는다. 즉, 침투틈(C)이 발생하더라도 유기 봉지막은 화소를 덮고 있고, 유기 봉지막은 가장자리까지 제1 무기 봉지막으로 덮혀 있고, 제1 무기 봉지막은 가장자리까지 제2 무기 봉지막으로 덮혀 있다.
따라서 화소는 유기 봉지막, 제1 무기 봉지막 및 제2 무기 봉지막에 의해서 완전히 밀봉된 구조로, 외부 습기로부터 화소가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
이하에서는 도 1 및 도 2에 도시한 표시 장치를 도 6 내지 도 11과 기 설명한 도 2를 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 6 내지 도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이고, 도 10 및 도 11은 본 발명의 실시예에 따라서 기판을 연신하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 제1 지지 기판(500) 위에 상부 기판(30)을 형성한다. 제1 지지 기판(500)은 상부 기판(30)을 지지하기 위한 것으로, 유리(glass), 금속 또는 세라믹(ceramic) 등으로 이루어질 수 있다.
상부 기판(30)은 폴리 이미드로 유기물층(3)을 형성하고, SiOx 또는 SiON로 무기물층(5)을 형성한다.
유기물층(3)은 용액 상태로 도포한 후 경화시켜 형성할 수 있으며, 필요에 따라서 도포 및 경화를 반복하여 복수층으로 형성할 수 있다. 유기물층(3)은 제1 지지 기판(500) 위에 스핀 코팅(spin coating), 슬릿 코팅(slit coating), 잉크젯 코팅(inkjet coating) 등의 공정으로 도포할 수 있다. 그리고 무기물층(5)은 화학적기상증착(chemical vapor deposition) 방법으로 형성할 수 있다.
도 6에서는 유기물층(3)과 무기물층(5)이 각각 단층인 것을 예로 들었으나, 유기물층(3) 또는 무기물층(5) 중 적어도 하나는 복층으로 이루어질 수 있으며, 유기물층(3) 및 무기물층(5)이 교대로 반복 적층될 수 있다.
이후, 상부 기판(30) 위에 도 3 및 도 4에서와 같은 층간 구성을 가지는 박막 트랜지스터(Q) 및 유기 발광 소자(70)를 포함하는 화소를 형성한다.
다음, 도 7에 도시한 바와 같이, 화소 위에 유기 봉지막(200)을 형성하여 박막 트랜지스터(Q) 및 유기 발광 소자(70)를 밀봉한다. 이때, 유기 봉지막(200)은 화소 구역(PA) 별로 형성되며, 도 6에서는 두 개의 화소를 덮도록 유기 봉지막(200)을 형성하였다.
유기 봉지막(200)은 잉크젯 인쇄 방법으로 형성하거나, 화소 구역(PA)과 화소 구역 사이(PB)을 서로 다른 특성, 예를 들어 친수성 및 소수성을 가지도록 형성한 후 슬릿 코팅 등으로 도포하여 화소 구역(PA)에만 유기 봉지막(200)이 형성되도록 한다.
다음, 도 8에 도시한 바와 같이, 상부 기판(30)으로부터 제1 지지 기판을 분리한 후, 하부 기판(10)을 부착한다.
하부 기판(10)은 제2 지지 기판(550) 위에 PDMS 또는 PU 등을 도포한 후 경화시켜 형성한 다음 하부 기판(10) 위에 점착층(50)을 이용하여 상부 기판(30)을 부착한다.
이때, 유기 봉지막(200) 위에는 보호 필름(도시하지 않음)을 부착하여 유기 봉지막(200)의 표면이 외기에 노출되거나 이동시 손상되는 것을 방지할 수 있다.
다음, 도 9에 도시한 바와 같이, 보호 필름 및 제2 지지 기판(550)을 제거하고 화학적기상증착 장치의 챔버에 유기 봉지막(200)이 형성된 기판(100)을 안착시킨다.
이후, 유기 봉지막(200) 위에 제1 무기 봉지막(310)을 형성한다. 제1 무기 봉지막(310)은 Al2O3일 수 있다.
그런 다음, 하부 기판(10)을 일방향으로 1차 연신시킨다. 이처럼, 하부 기판(10)을 연신시키면 상대적으로 신축성이 부족한 제1 무기 봉지막(310)에 틈(T)이 발생한다. 이때, 틈(T)은 유기 봉지막(200)과 유기 봉지막(200) 사이 즉, 화소 구역 사이(PB)에 형성된다.
이후, 1차 연신 방향과 교차하는 방향으로 2차 연신하여 1차 연신에 의해 발생된 틈(T)과 교차하는 틈(도시하지 않음)을 형성한다.
연신은 하부 기판(10)의 탄성 한도의 30%이하로 진행하되, 제1 무기 봉지막(310)에 형성되는 틈(T)의 폭(W)이 후에 형성되는 제2 무기 봉지막(320) 두께의 2배 이상이 되도록 연신시키는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제2 무기 봉지막(320)의 두께를 0.7㎛로 형성할 경우, 틈의 폭(W)은 1.4㎛이상으로 형성하는 것이 바람직하다.
연신을 탄성 한도의 30%를 초과하여 실시하면, 표시 장치를 사용할 때, 구부리거나 늘리거나 할 수 있는 여유가 줄어들어 실질적으로 가요성 표시 장치 및 신축성 표시 장치로 사용하기가 용이하지 않을 수 있다.
연신은 지그 또는 척을 이용하여 연신시킬 수 있다. 구체적으로 도 10에서와 같이, 구동부와 연결된 지그를 하부 기판(10)의 가장자리에 결합시킨 후 구동부(600)를 이용하여 지그(570)를 잡아당김으로써 하부 기판(10)을 연신시킬 수 있다.
그리고 도 11에서와 같이, 고정척(580)과 구동척(590) 위에 하부 기판(10)을 안착시킨다. 이때, 하부 기판(10)은 고정척(580)에 부착되거나 결합되지 않고 고정척(580) 위에 얹혀진 상태로 고정척(580)과 결합되지 않는 반면, 하부 기판(10)의 가장자리는 구동척(590)에 진공 흡착되어 고정될 수 있다.
따라서, 구동척(590)을 이동시키면 하부 기판(10)이 구동척(590)의 이동과 함께 늘어남으로써 연선된다.
도 9에서는 상부 기판(30)까지 틈(T)이 발생된 것을 도시하였으나, 롤 등을 이용하여 연신시키면, 상부 기판(30)으로부터 상대적으로 멀리 위치하는 제1 무기 봉지막(310)의 곡률 반경이 커 제1 무기 봉지막(310)에만 틈을 발생시킬 수 있다.
다음, 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 무기 봉지막(310)의 틈(T)을 채우도록 제2 무기 봉지막(320)을 형성한다.
제1 무기 봉지막(310)과의 밀착성과 증착 물질의 교체 없이 공정을 용이하게 하기 위해서, 제2 무기 봉지막(320)은 제1 무기 봉지막(310)과 동일한 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
이상의 실시예에서는 1차 연신 및 2차 연신을 진행한 후 제2 무기 봉지막(320)을 형성하는 것을 설명하였으나, 1차 연신 후 제2 무기 봉지막을 형성하고 2차 연신을 진행한 후 제3 무기 봉지막을 추가 형성할 수 있다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 12의 표시 장치의 대부분의 층간 구성은 도 1 및 도 2의 표시 장치와 동일하므로 다른 부분에 대해서만 구체적으로 설명한다.
도 12의 표시 장치는 기판(100), 기판(100) 위에 형성되어 있는 복수의 화소(P), 적어도 1개 이상의 화소를 포함하는 화소 구역(PA)을 각각 덮는 유기 봉지막(200), 유기 봉지막(200) 위에 형성되어 있는 제1 무기 봉지막(310), 제1 무기 봉지막(310) 위에 형성되어 있는 제2 무기 봉지막(320)을 포함한다.
제1 무기 봉지막(310)은 화소 구역 사이(PB)에 위치하는 제1 틈(T1)을 가진다. 그리고 제2 무기 봉지막(320)은 제1 틈(T1)을 형성하는 제1 무기 봉지막(310)의 가장자리를 덮으며 제1 틈(T1)보다 폭이 좁은 제2 틈(T2)을 가진다.
제2 무기 봉지막(320) 위에는 제2 틈(T2)을 채우는 제3 무기 봉지막(330)이 형성되어 있다. 제3 무기 봉지막(330)은 도 8에서와 같이 제2 무기 봉지막(320)을 연신시킨 후 틈을 채우도록 형성될 수 있다.
이때, 제3 무기 봉지막(330)을 형성하기 위해서, 제1 무기 봉지막을 연신시키고, 제2 무기 봉지막을 연신시키는 것과 같이, 연신 공정을 반복하더라도 연신 공정으로 발생된 틈의 최대폭이 하부 기판의 탄성 한도에 대해서 30%이하로 하는 것이 바람직하다.
따라서, 형성하고자 하는 무기 봉지막의 적층 횟수를 고려하여 최대폭이 30%이하가 되도록 한다. 예를 들어, 제3 무기 봉지막까지 형성할 경우, 제1 무기 봉지막을 형성한 후 15%이하로 연신하여 틈을 형성하고, 제2 무기 봉지막을 형성한 후 15% 이하로 연신하여 틈을 형성한 후 제3 무기 봉지막을 형성하면 연신된 폭의 최대폭이 30%이하가 된다.
이처럼, 제3 무기 봉지막을 형성하면, 제2 무기 봉지막만을 형성할 때 보다 외부 습기가 화소까지 침투하는 경로를 더욱 길게 하여 화소가 습기로 인해서 손상되어 표시 장치의 신뢰성이 떨어지는 것을 방지할 수 있다.
도시하지 않았으나, 제3 무기 봉지막(330)에 연신으로 틈을 형성하고, 틈을 채우도록 무기 봉지막을 형성하는 공정을 반복하여 추가적으로 무기 봉지막을 형성할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
3: 유기물층
5: 무기물층
10: 하부 기판 30: 상부 기판
70: 유기 발광 소자 100: 기판
121: 제1 신호선 135: 반도체층
171: 제2 신호선 172: 제3 신호선
200: 유기 봉지막 310: 제1 무기 봉지막
320: 제2 무기 봉지막 330: 제3 무기 봉지막
500: 제1 지지 기판 550: 제2 지지 기판
710: 제1 전극 720: 유기 발광층
730: 제2 전극
10: 하부 기판 30: 상부 기판
70: 유기 발광 소자 100: 기판
121: 제1 신호선 135: 반도체층
171: 제2 신호선 172: 제3 신호선
200: 유기 봉지막 310: 제1 무기 봉지막
320: 제2 무기 봉지막 330: 제3 무기 봉지막
500: 제1 지지 기판 550: 제2 지지 기판
710: 제1 전극 720: 유기 발광층
730: 제2 전극
Claims (23)
- 기판,
상기 기판 위에 형성되어 있는 복수의 화소,
적어도 1개 이상의 상기 화소를 포함하는 화소 구역을 덮는 유기 봉지막,
상기 유기 봉지막 위에 형성되어 있으며 서로 이웃하는 상기 화소 구역 사이에 위치하는 제1 틈을 가지는 제1 무기 봉지막, 그리고
상기 제1 무기 봉지막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 틈을 채우는 제2 무기 봉지막
을 포함하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 기판은 신축성을 가지는 하부 기판,
상기 하부 기판 위에 위치하며 가요성을 가지는 상부 기판
을 포함하는 표시 장치. - 제2항에서,
상기 제1 틈에 대응하는 상기 하부 기판의 부분은 상기 화소 구역과 대응하는 상기 하부 기판의 부분보다 연신된 상태인 표시 장치. - 제3항에서,
상기 화소 구역과 대응하는 상기 하부 기판의 부분은 상기 하부 기판의 탄성 한도에 대해서 30%이하로 연신되어 있는 표시 장치. - 제3항에서,
상기 하부 기판이 연신된 각 부분의 폭은 상기 제2 무기 절연막 두께의 2배 이상인 표시 장치. - 제2항에서,
상기 하부 기판은 폴리디메틸실록산 또는 폴리 우레탄을 포함하는 표시 장치. - 제6항에서,
상기 상부 기판은 폴리 이미드를 포함하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 틈은 상기 하부 기판을 노출하고,
상기 제2 무기 봉지막은 상기 하부 기판에 접촉되는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 각 화소 구역은 복수의 화소를 포함하고,
상기 화소 구역 내에 위치하는 서로 이웃한 화소 사이의 제1 간격과, 서로 다른 화소 구역에 포함되며 서로 이웃하여 위치하는 두 화소 사이의 제2 간격은 서로 다른 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 틈은,
상기 기판의 일방향으로 연장하도록 형성되어 있는 세로 틈,
상기 세로 틈과 교차하는 방향으로 연장하도록 형성되어 있는 가로 틈
을 포함하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제2 무기 봉지막은 상기 제1 틈보다 폭이 좁은 제2 틈을 가지고,
상기 제2 틈을 채우며 상기 제2 무기 봉지막 위에 형성되어 있는 제3 무기 봉지막을 더 포함하는 표시 장치. - 제11항에서,
상기 제2 무기 봉지막은 상기 제1 무기 봉지막의 가장자리를 덮도록 형성되어 있는 표시 장치. - 제11항에서,
상기 제1 틈은 상기 기판의 일방향으로 연장하도록 형성되어 있고,
상기 제2 틈은 상기 제1 틈과 교차하는 방향으로 연장하도록 형성되어 있는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 화소는 각각 상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터,
상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 유기 발광 소자
를 포함하는 표시 장치. - 기판,
상기 기판 위에 형성되어 있는 복수의 화소,
적어도 1개 이상의 상기 화소를 포함하는 화소 구역을 덮는 유기 봉지막,
상기 유기 봉지막 위에 형성되어 있으며 상기 화소 구역과 대응하는 제1 부분의 두께가 서로 이웃하는 상기 화소 구역 사이와 대응하는 제2 부분의 두께보다 두꺼운 무기 봉지막
을 포함하는 표시 장치. - 제15항에서,
상기 기판은 신축성을 가지는 하부 기판,
상기 하부 기판 위에 위치하며 가요성을 가지는 상부 기판
을 포함하는 표시 장치. - 제16항에서,
상기 제2 부분과 대응하는 상기 하부 기판은 상기 제1 부분과 대응하는 상기 하부 기판보다 연신된 상태인 표시 장치. - 제16항에서,
상기 무기 봉지막의 상기 제2 부분은 상기 하부 기판에 접촉되는 표시 장치. - 제15항에서,
상기 하부 기판은 폴리디메틸실록산 또는 폴리 우레탄을 포함하는 표시 장치. - 신축성을 가지는 하부 기판과 가요성을 가지는 상부 기판을 포함하는 기판 위에 복수의 화소를 형성하는 단계,
적어도 1개 이상의 화소를 포함하는 화소 구역을 덮도록 각각 유기 봉지막을 형성하는 단계,
상기 유기 봉지막 위에 제1 무기 봉지막을 형성하는 단계,
상기 하부 기판을 연신하여 상기 제1 무기 봉지막에 제1 틈을 형성하는 단계,
상기 제1 틈을 채우도록 상기 제1 무기 봉지막 위에 제2 무기 봉지막을 형성하는 단계
를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제20항에서,
상기 제1 틈을 형성하는 단계에서,
상기 제1 틈과 대응하는 상기 하부 기판의 부분은 상기 하부 기판의 탄성 한도의 30%이내로 연신하는 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제20항에서,
상기 제1 틈을 형성하는 단계에서,
상기 제1 틈은 상기 하부 기판을 노출하도록 형성하는 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제20항에서,
상기 하부 기판은 폴리디메틸실록산 또는 폴리 우레탄을 포함하고,
상기 상부 기판은 폴리 이미드를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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