KR20150040758A - 기판 반송 방법 - Google Patents

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KR20150040758A
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신지 와카바야시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 반송 방법은 별개로 이동 가능하고 서로 중첩하여 배치된 제 1 반송 아암 및 제 2 반송 아암을 포함하는 반송 기구에 의해 실행된다. 기판을 반송하지 않는 제 1 반송 아암 및 제 2 반송 아암 각각의 이동 속도는 기판을 반송하는 제 1 반송 아암 및 제 2 반송 아암 각각의 이동 속도보다 높게 설정되어 있다.

Description

기판 반송 방법{SUBSTRATE TRANSFER METHOD}
본 출원은 그 전체 내용이 참고로 본원에 인용되는 2013년 10월 7일자의 일본 특허 출원 제 2013-210091 호를 우선권 주장한다.
본 발명은 중첩해서 배치되어 별개로 이동 가능한 2개의 반송 아암을 구비하는 반송 기구가 실행하는 기판 반송 방법에 관한 것이다.
기판 처리 시스템은 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 간단하게 "웨이퍼"라고 한다)의 처리 효율을 향상시키기 위해서 복수의 프로세스 모듈(처리실)을 포함한다. 기판 처리 시스템에 있어서, 프로세스 모듈이 반송 기구를 내장하는 트랜스퍼 모듈(반송실)에 접속되고, 반송 기구가 프로세스 모듈 사이에 있어서 웨이퍼를 반송한다.
이러한 기판 처리 시스템에서는, 웨이퍼의 반송 효율을 향상시키면, 웨이퍼 스루풋(throughput)이 향상된다. 따라서, 서로 독립해서 동작하는 2개의 반송 아암을 갖는 반송 기구가 이용되는 경우가 있다.
또한, 기판 처리 시스템의 풋프린트를 삭감하기 위해서, 도 9에 도시된 바와 같이, 높이 방향으로 중첩된 2개의 반송 아암(130, 131)을 포함하는 반송 기구(132)가 개발되어 있다(예를 들면, 일본 특허 공개 제 2002-110767 호 공보 참조). 이 반송 기구(132)에서는 2개의 신축 가능한 반송 아암(130, 131)이 동축에 따라서 중첩해서 배치되고, 축 주위로 별개로 회전한다. 그러나, 반송 아암(130, 131)의 웨이퍼 반송면의 높이가 서로 상이하기 때문에, 반송 아암(130)에 의해서 반송되는 웨이퍼와, 반송 아암(131)에 의해서 반송되는 웨이퍼가 서로 간섭하지 않고 충돌하지 않는다. 따라서, 웨이퍼 반송 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
일본 특허 공개 제 2002-110767 호 공보
그러나, 웨이퍼가 각 반송 아암(130, 131)에 의해서 반송될 때, 웨이퍼는 각 반송 아암(130, 131)의 선단에 마련된 포크 등의 엔드 이펙터(133)에 자중에 의해서 탑재될 뿐이므로, 반송 효율을 더욱 향상시키기 위해서 반송 아암(130, 131)의 회전 속도나 신축 속도가 향상되면, 원심력이나 관성력에 기인해 웨이퍼가 엔드 이펙터로부터 어긋날 우려가 있다.
특히, 근년 반도체 디바이스의 제조 효율 향상을 위해서, 웨이퍼의 대구경 화(예를 들면 450㎜까지)되고 있다. 웨이퍼를 대구경화해도, 적어도 종래의 웨이퍼가 사용될 때의 동등의 스루풋의 실현, 바람직하게 보다 스루풋을 향상시키는 것이 요구되고 있다. 그러나, 웨이퍼를 대구경화하면 웨이퍼의 이동 양은 증가하지만, 웨이퍼를 탑재한 엔드 이펙터(133)의 이동 속도는 제한된다. 따라서, 웨이퍼 반송 효율을 한층 더 향상시켜 웨이퍼 스루풋을 향상시키는 것이 곤란하다.
상술한 관점에서, 본 발명은 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판 반송 방법을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 수직으로 배치되고, 별개로 이동 가능한 2개 이상의 반송 아암을 포함하는 반송 기구를 이용하여 기판을 반송하는 기판 반송 방법이 제공된다. 기판을 반송하고 있지 않는 반송 아암의 각각의 이동 속도를, 기판을 반송하는 반송 아암의 각각의 이동 속도보다 높게 설정하고 있다.
본 발명의 목적 및 특징은 첨부 도면을 참조하여 제공되는 실시예의 하기 설명으로부터 잘 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 기판 반송 방법을 실행하기 위한 기판 처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반송 기구의 구성을 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 3a 내지 도 3m은 도 1의 기판 처리 시스템에 의해 실행되는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 기판 반송 방법을 나타내는 공정도이다.
도 4a 내지 도 4h는 로드록 모듈에 있어서의 처리완료 웨이퍼와 미처리의 웨이퍼의 교체 시퀀스를 도시하는 공정도이다.
도 5a 내지 도 5i는 로드록 모듈에 있어서의 처리완료 웨이퍼와 미처리의 웨이퍼의 교체 시퀀스의 변형예를 도시하는 공정도이다.
도 6a 내지 도 6j는 도 1의 기판 처리 시스템에 의해 실행되는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 기판 반송 방법을 나타내는 공정도이다.
도 7a 내지 도 7p는 도 1의 기판 처리 시스템에 이해 실행되는 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 기판 반송 방법을 나타내는 공정도이다.
도 8a 내지 도 8j는 도 1의 기판 처리 시스템에 의해 실행되는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 기판 반송 방법을 나타내는 공정도이다.
도 9는 종래의 반송 기구의 구성을 개략적으로 도시하는 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
우선, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 기판 반송 방법에 대해서 설명한다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 반송 방법을 실행하기 위한 기판 처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 1에서는, 설명의 편의상 시스템 내의 구성 요소가 투과하도록 나타낸다.
도 1에 있어서, 기판 처리 시스템(10)은: 평면에 보아 대략 7각형으로 형성된 진공 반송실로서의 트랜스퍼 모듈(11)과; 트랜스퍼 모듈(11)의 주위에 방사상으로 배치되어 게이트 밸브(12)를 거쳐서 트랜스퍼 모듈(11)에 접속되는 처리실로서의 6개의 프로세스 모듈(13a 내지 13f)과; 트랜스퍼 모듈(11)에 있어서의 프로세스 모듈(13a 내지 13f)에 접속되어 있지 않은 측면에 접속되는 교체실로서의 2개의 로드록 모듈(14)과; 로드록 모듈(14)을 거쳐서 트랜스퍼 모듈(11)에 대향하고, 또한 각 로드록 모듈(14)에 접속되는 대기압 반송실로서의 로더 모듈(15)을 구비한다.
트랜스퍼 모듈(11)은, 웨이퍼(W)를 프로세스 모듈(13a 내지 13f) 사이나 또는 프로세스 모듈(13a 내지 13f)과 로드록 모듈(14) 사이에서 반송하는 반송 기구(16)를 내장하고 있다. 트랜스퍼 모듈(11)의 압력은 소정의 진공도로 감압되어 있다.
각 프로세스 모듈(13a 내지 13f)은 웨이퍼(W)를 탑재하기 위한 하나의 스테이지(17)(도 1에서 파선으로 표시됨)를 구비한다. 트랜스퍼 모듈(11)의 각각의 압력은 소정의 진공도로 감압되어 있다. 각 프로세스 모듈(13a 내지 13f)은 스테이지(17)에 탑재된 웨이퍼(W)에 예컨대 플라스마 처리 등의 소망한 처리를 실시한다.
로더 모듈(15)은 복수의 웨이퍼(W)를 각각 수용하는 용기(18) 및 로드록 모듈(14) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 로봇(19)을 구비한다. 로더 모듈(15)의 내부 공간은 대기압으로 유지된다.
로드록 모듈(14)의 각각은 웨이퍼(W)를 탑재하는 스테이지(20)(파선으로 나타냄)를 구비한다. 로드록 모듈(14)의 각각의 압력은 대기압 환경 및 감압 환경 사이에서 전환 가능하다. 예를 들면, 로더 모듈(15)의 반송 로봇(19)에 의해 로드록 모듈(14) 중 어느 하나 사이에서 웨이퍼(W)를 주고 받을 때, 로드록 모듈(14)의 내부 공간은 대기압 환경으로 전환하여 로더 모듈(15)의 내부 공간과 연통시킨다. 또한, 트랜스퍼 모듈(11)의 반송 기구(16)에 의해 로드록 모듈(14) 중 어느 하나 사이에서 웨이퍼(W)를 주고 받을 때, 로드록 모듈(14)의 내부 공간은 감압 환경으로 전환하여 트랜스퍼 모듈(11)의 내부 공간과 연통시킨다. 즉, 내부 공간을 대기압 환경과 감압 환경 사이에서 전환하는 로드록 모듈(14)을 거쳐서 웨이퍼(W)를 트랜스퍼 모듈(11)과 로더 모듈(15) 사이에서 반송한다.
도 2는 도 1에 도시된 반송 기구의 구성을 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 2를 참조하면, 반송 기구(16)는, 기대(21)의 위에 있어서, 도 2 중 Z 방향으로 서로 중첩해서 배치되는 하방 반송 아암(22) 및 상방 반송 아암(23)을 갖고 있다. 하방 반송 아암(22) 및 상방 반송 아암(23)은 프로그 레그 타입이며, 수평 방향(도 2 중 XY 평면)에 있어서 신축 가능하다. 하방 반송 아암(22) 및 상방 반송 아암(23)은 Z 방향에 따르는 동일한 중심 축(하나의 축)을 중심으로 해서 별개로 θ 방향으로 회전 가능하다.
하방 반송 아암(22) 및 상방 반송 아암(23)의 각 선단에 있어서 양 다리형상의 포크(24)를 구비한다. 대응하는 포크(24)는 반송되는 웨이퍼(W)를 탑재한다. 구체적으로는, 웨이퍼(W)는 포크(24)의 상면에 형성된 복수의 핀형상 돌기를 포함하는 픽(25)에 의해서 지지된다. 하방 반송 아암(22) 또는 상방 반송 아암(23)의 이동에 의해 웨이퍼(W)가 반송될 때, 웨이퍼(W)의 포크(24)에 대한 위치는 웨이퍼(W)와 픽(25) 사이에서 생기는 마찰력에 의해서 유지된다.
반송 기구(16)에서는, 하방 반송 아암(22) 및 상방 반송 아암(23)의 Z 방향에 관한 위치(높이)는 서로 상이하다. 따라서, 하방 반송 아암(22)에 의해서 반송되는 웨이퍼(W)의 반송면의 높이는 상방 반송 아암(23)에 의해서 반송되는 웨이퍼(W)의 반송면의 높이와 상이하다. 따라서, 하방 반송 아암(22)에 의해서 반송되는 웨이퍼(W)는 상방 반송 아암(23)에 의해서 반송되는 웨이퍼(W)와 간섭이나 충돌되지 않는다. 또한, 하방 반송 아암(22) 및 상방 반송 아암(23)은 기대(21)에 대해서 Z 방향에서 소정 거리만 이동 가능하게 구성된다.
도 3a 내지 도 3m은 도 1의 기판 처리 시스템에 의해 실행되는 본 실시형태에 따른 기판 반송 방법을 나타내는 공정도이다. 또한, 도 3a 내지 도 3m에 있어서, 실선의 「○」은 웨이퍼(W)를 나타내고, 파선의 「○」은 웨이퍼(W)가 장착되지 않은 스테이지(17, 20)를 나타낸다.
우선, 프로세스 모듈(13a 내지 13f) 중 어느 하나에 처리가 실시된 웨이퍼(W)(이하, 「처리완료 웨이퍼(W)」라고 한다)를 반송하고 있는 상방 반송 아암(23) 및 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)이 로드록 모듈(14) 중 하나로 향하여 연신된다. 다음에, 상방 반송 아암(23)은 처리완료 웨이퍼(W)를 도 3a에 도시된 바와 같이 로드록 모듈(14)로 건네주고, 하방 반송 아암(22)은 처리가 실시되지 않은 웨이퍼(W)(이하, 「미처리의 웨이퍼(W)」라고 한다)를 도 3b에 도시된 바와 같이 로드록 모듈(14)로부터 수취한다.
다음에, 상방 반송 아암(23) 및 하방 반송 아암(22)이 동시 수축된다. 그러나, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)에 대해서는 웨이퍼(W)의 어긋남을 고려할 필요가 없기 때문에, 상방 반송 아암(23)의 수축 속도는 도 3c에 도시된 바와 같이 미처리의 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)의 수축 속도보다 높다.
다음에, 상방 반송 아암(23) 및 하방 반송 아암(22)이 평면에서 보아서 반시계 방향으로 회전해서 프로세스 모듈(13e)로 이동한다. 이 때도 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)에 대해서는 웨이퍼(W)의 어긋남을 고려할 필요가 없다. 따라서, 상방 반송 아암(23)의 로드록 모듈(14)로부터 프로세스 모듈(13e)까지의 이동 속도는, 도 3d에 도시된 바와 같이 하방 반송 아암(22)의 로드록 모듈(14)로부터 프로세스 모듈(13e)까지의 이동 속도보다 높다. 따라서, 도 3e에 도시된 바와 같이 하방 반송 아암(22)보다 상방 반송 아암(23)이 먼저 프로세스 모듈(13e)에 도달한다.
다음에, 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13e)에 도달하기 전에, 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13e)로 향하여 연신하여, 도 3f에 도시된 바와 같이 대응 프로세스 모듈(13e)로부터 처리완료 웨이퍼(W)를 수취해서 제거한다. 프로세스 모듈(13e)로부터 처리완료 웨이퍼(W)가 제거되는 동안에, 도 3g 및 도 3h에 도시된 바와 같이 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13e)에 도달한다.
다음에, 도 3i에 도시된 바와 같이, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23)이 평면에서 보아서 로드록 모듈(14) 중 다른 하나를 향해 시계 방향으로 회전한다. 도 3j에 도시된 바와 같이 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13e)로 향하여 연신하고, 도 3k에 도시된 바와 같이 미처리의 웨이퍼(W)를 프로세스 모듈(13e)로 건네준다. 이 때, 상방 반송 아암(23)이 로드록 모듈(14)에 도달한다.
다음에, 미처리의 웨이퍼(W)를 프로세스 모듈(13e)로 건네주고, 그에 따라 웨이퍼(W)를 반송하지 않게 된 하방 반송 아암(22)이 수축하고, 또한 평면에서 보아서 시계 방향으로 회전한다. 이 때, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)에 대해서는 웨이퍼(W)의 어긋남을 고려할 필요가 없다. 따라서, 하방 반송 아암(22)의 프로세스 모듈(13e)로부터 로드록 모듈(14)까지의 이동 속도는, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23)의 프로세스 모듈(13e)로부터 로드록 모듈(14)까지의 이동 속도보다 높다.
다음에, 하방 반송 아암(22)이 로드록 모듈(14)에 도달하기 전에, 상방 반송 아암(23)이 처리완료 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로 건네줄 수 있도록 로드록 모듈(14)로 향하여 연신한다(도 3l). 그러나, 상술한 바와 같이, 하방 반송 아암(22)의 프로세스 모듈(13e)로부터 로드록 모듈(14)까지의 이동 속도는 높기 때문에, 상방 반송 아암(23)이 처리완료 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로 건네주기 전에, 하방 반송 아암(22)은 로드록 모듈(14)에 도달하고, 또한 로드록 모듈(14)로 향하여 연신한다(도 3m). 따라서, 처리완료 웨이퍼(W)를 상방 반송 아암(23)에 의해서 로드록 모듈(14)로 건네주는 것과, 미처리의 웨이퍼(W)를 하방 반송 아암(22)에 의해서 로드록 모듈(14)로부터 수취하는 것이 거의 동시에 실시될 수 있다.
도 3a 내지 도 3m에 도시된 기판 반송 방법에 의하면, 웨이퍼(W)를 반송하지 않을 때의 하방 반송 아암(22) 또는 상방 반송 아암(23)의 이동 속도를, 웨이퍼(W)를 반송하고 있을 때의 하방 반송 아암(22) 또는 상방 반송 아암(23)의 이동 속도보다 높게 한다. 따라서, 웨이퍼(W)의 하방 반송 아암(22)이나 상방 반송 아암(23)에 대한 어긋남의 발생을 방지하면서, 하방 반송 아암(22)이나 상방 반송 아암(23)을 소망 위치, 예를 들면 로드록 모듈(14) 또는 프로세스 모듈(13e)로 조기에 이동시키고, 하방 반송 아암(22)이나 상방 반송 아암(23)을 사용하는 다음 공정을 조기에 개시할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
예를 들면, 도 3d 또는 도 3e에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)의 로드록 모듈(14)로부터 프로세스 모듈(13e)까지의 이동 속도는, 미처리의 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)의 로드록 모듈(14)로부터 프로세스 모듈(13e)까지의 이동 속도보다 높다. 따라서, 상방 반송 아암(23)이 먼저 프로세스 모듈(13e)에 도달하고, 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13e)에 도달하기 전까지 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13e)로부터 처리완료 웨이퍼(W)를 수취해서 제거한다. 프로세스 모듈(13e)에 도달한 하방 반송 아암(22)은 미처리의 웨이퍼(W)를 대기하는 일이 없이 프로세스 모듈(13e)로 건네줄 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
예를 들면, 도 3l 및 도 3m에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)의 프로세스 모듈(13e)로부터 로드록 모듈(14)까지의 이동 속도는, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23)의 프로세스 모듈(13e)로부터 로드록 모듈(14)까지의 이동 속도보다 높다. 따라서, 상방 반송 아암(23)이 로드록 모듈(14)에 웨이퍼(W)를 건네주기 전에, 하방 반송 아암(22)이 로드록 모듈(14)에 도달할 수 있고, 상방 반송 아암(23)이 로드록 모듈(14)의 앞에서 대기하는 일이 없이, 로드록 모듈(14)에 있어서 웨이퍼(W)를 교체할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
도 3a 내지 도 3m에서의 기판 반송 방법에서는, 도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이 하나의 로드록 모듈(14)에 대해 처리완료 웨이퍼(W) 및 미처리의 웨이퍼(W)의 교환을 실시한 후, 도 3m에 도시된 바와 같이 다른 로드록 모듈(14)에 대해 처리완료 웨이퍼(W) 및 미처리의 웨이퍼(W)의 교환을 실시한다. 즉, 처리완료 웨이퍼(W) 및 미처리의 웨이퍼(W)의 교환을 교대로 상이한 로드록 모듈(14)에 대해 실시한다. 또한, 처리완료 웨이퍼(W) 및 미처리의 웨이퍼(W)의 교환을 연속해서 동일한 로드록 모듈(14)에 대해서 행해도 좋다.
도 4a 내지 도 4h는 로드록 모듈 중 어느 하나에 있어서의 처리완료 웨이퍼와 미처리의 웨이퍼의 교체 시퀀스를 나타내는 공정도이다. 도 4a, 도 4c, 도 4e 및 도 4g는 기판 처리 시스템(10)의 평면도이다. 도 4b, 도 4d, 도 4f 및 도 4h는 로드록 모듈(14) 중 하나의 단면도이다.
도 4a 내지 도 4h의 교체 시퀀스는 도 3a 또는 도 3m의 공정에서 실행된다. 도 4a 내지 도 4h의 교체 시퀀스를 실행하기 위해서, 로드록 모듈(14)은 도 4b에 도시된 바와 같이 2개의 웨이퍼 리프터(26, 27)를 포함한다.
웨이퍼 리프터(26)는 웨이퍼(W)의 대략 중심 부분을 지지하는 스테이지 타입의 리프터이다. 웨이퍼 리프터(26)는 도면 중 상하 방향에 관해서 이동 가능하고, 또한 탑재된 웨이퍼(W)를 수평면 내에 있어서 회전시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼 리프터(26)는 웨이퍼(W)의 위치를 확인하기 위한 카메라(도시하지 않음)와 협동해서 웨이퍼(W)의 위치 얼라인먼트를 조정할 수 있다.
웨이퍼 리프터(27)는 웨이퍼(W)의 외연을 지지하기 위한 것이며, 상하 방향에 관해서 이동 가능하다. 웨이퍼 리프터(26)의 상하 방향에 관한 이동 궤적과 웨이퍼 리프터(27)의 상하 방향에 관한 이동 궤적은 중첩되지 않기 때문에, 웨이퍼(W)를 지지하지 않은 웨이퍼 리프터(26, 27)는 별개로 상하 방향에 관해서 이동 가능하다.
우선, 도 4a에 도시된 바와 같이, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23)이 로드록 모듈(14)에 도달할 무렵, 로드록 모듈(14)의 웨이퍼 리프터(26)에는 도 4b에 도시된 바와 같이 로더 모듈(15)의 반송 로봇(19)에 의해서 미처리의 웨이퍼(W)가 탑재된다. 이 때, 웨이퍼 리프터(26)는 그 위에 지지된 미처리의 웨이퍼(W)의 얼라인먼트를 조정한다.
다음에, 도 4c에 도시된 바와 같이, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23) 및 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)이 로드록 모듈(14)로 향하여 연신하고, 각 포크(24)가 로드록 모듈(14)의 내부에 진입한다. 이 때, 미처리의 웨이퍼(W)는 웨이퍼 리프터(26)에 의해서 하방 반송 아암(22)의 포크(24)보다 높은 위치에서 지지되므로, 대응 포크(24)는 미처리의 웨이퍼(W)의 하방의 공간에 진입한다. 또한, 상방 반송 아암(23)의 포크(24)는 웨이퍼 리프터(27)보다 높은 위치에서 처리완료 웨이퍼(W)를 탑재하며, 그에 따라 처리완료 웨이퍼(W)는 웨이퍼 리프터(27)와 간섭, 충돌하는 일이 없이 로드록 모듈(14)에 진입한다(도 4d).
다음에, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상방 반송 아암(23) 및 하방 반송 아암(22)이 로드록 모듈(14)로 향하여 연신되어 있는 동안, 웨이퍼 리프터(26)가 하강해서 미처리의 웨이퍼(W)를 하방 반송 아암(22)의 포크(24)에 장착하고 그리고 웨이퍼 리프터(27)가 상승해서 처리완료 웨이퍼(W)를 상방 반송 아암(23)의 포크(24)로부터 수취한다(도 4f).
그 후, 도 4g에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23) 및 미처리의 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)이 수축하고, 각 포크(24)는 로드록 모듈(14)의 내부로부터 퇴출된다. 다음에, 로드록 모듈(14)에는 웨이퍼 리프터(27)에 의해서 지지된 처리완료 웨이퍼(W)만이 남는다(도 4h).
따라서, 로드록 모듈(14)에 있어서, 처리완료 웨이퍼(W)와 미처리의 웨이퍼(W)를 동시에 교체할 수 있다.
도 5a 내지 도 5i는 로드록 모듈 중 어느 하나에 있어서의 처리완료 웨이퍼와 미처리의 웨이퍼의 교체 시퀀스의 변형예를 나타내는 공정도이다. 도 5b, 도 5c, 도 5e, 도 5g 및 도 5i는 로드록 모듈(14)의 단면도이며, 도 5a, 도 5d, 도 5f 및 도 5h는 기판 처리 시스템(10)의 평면도이다.
도 5a 내지 도 5i의 교체 시퀀스는, 하방 반송 아암(22)이 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하고 그리고 상방 반송 아암(23)이 미처리의 웨이퍼(W)를 반송하고 있는 도 4a 내지 도 4h의 교체 시퀀스와 상이하다.
우선, 도 5a에 도시된 바와 같이, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)이 로드록 모듈(14)에 도달할 무렵, 로드록 모듈(14)의 웨이퍼 리프터(26)에는 로더 모듈(15)의 반송 로봇(19)에 의해서 미처리의 웨이퍼(W)가 탑재된다. 이 때, 웨이퍼 리프터(26)는 그 위에 지지되는 미처리의 웨이퍼(W)의 얼라인먼트를 조정한다. 또한, 웨이퍼 리프터(27)는 웨이퍼 리프터(26)보다 하방에 위치한다(도 5b).
다음에, 웨이퍼 리프터(27)가 상승해서 미처리의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 리프터(26)로부터 수취하고, 다음에 대응 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)에 침입하는 상방 반송 아암(23)의 포크(24)보다 높은 위치까지 상승시킨다(도 5c). 이 때, 웨이퍼 리프터(26)는 하강한다.
다음에, 도 5d에 도시된 바와 같이, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22) 및 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)이 로드록 모듈(14)로 향하여 연신하고, 각 포크(24)가 로드록 모듈(14)에 진입한다. 이 때, 미처리의 웨이퍼(W)는 웨이퍼 리프터(27)에 의해서 상방 반송 아암(23)의 포크(24)보다 높은 위치에서 지지되기 때문에, 대응 포크(24)는 미처리의 웨이퍼(W)의 하방에 위치된다. 또한, 하방 반송 아암(22)의 포크(24)는 웨이퍼 리프터(26)보다 높은 위치에 처리완료 웨이퍼(W)를 탑재하고, 그에 따라 처리완료 웨이퍼(W)는 웨이퍼 리프터(26)와 간섭, 충돌하는 일이 없이 로드록 모듈(14)에 진입한다(도 5e).
다음에, 도 5f에 도시된 바와 같이, 상방 반송 아암(23) 및 하방 반송 아암(22)이 로드록 모듈(14)로 향하여 연신되어 있는 동안, 웨이퍼 리프터(27)가 하강해서 미처리의 웨이퍼(W)를 상방 반송 아암(23)의 포크(24)에 장착하고 그리고 웨이퍼 리프터(26)가 상승해서 처리완료 웨이퍼(W)를 하방 반송 아암(22)의 포크(24)로부터 수취한다(도 5g).
그 후, 도 5h에 도시된 바와 같이, 미처리의 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23) 및 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)이 수축하고, 각 포크(24)가 로드록 모듈(14)의 내부로부터 퇴출된다. 따라서, 로드록 모듈(14)에는 웨이퍼 리프터(26)에 의해서 지지되는 처리완료 웨이퍼(W)만이 남는다(도 5i).
따라서, 로드록 모듈(14)에 있어서, 처리완료 웨이퍼(W)와 미처리의 웨이퍼(W)가 동시에 교체될 수 있다. 이 경우, 하방 반송 아암(22)보다 위에 배치된 상방 반송 아암(23)이 미처리의 웨이퍼(W)를 수취하고, 하방 반송 아암(22)은 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하므로, 처리완료 웨이퍼(W)로부터 낙하한 파티클 등이 미처리의 웨이퍼(W)를 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 기판 반송 방법에 대해서 설명한다.
본 실시형태의 구성 및 작용은 제 1 실시형태의 것과 기본적으로 동일하다. 제 2 실시형태는, 웨이퍼(W)가 처리되는 프로세스 모듈(13a 내지 도 13f) 각각을 세정하기 위해 드라이 클리닝 처리(세정)가 실행되는 점에서 제 1 실시형태와 상이하다. 따라서, 동일한 구성 및 작용에 대한 중복된 설명은 생략하며, 이하에는 상이한 구성 및 작용에 대한 설명을 실시한다.
도 6a 내지 도 6j는 도 1의 기판 처리 시스템에 의해 실행되는 제 2 실시형태에 따른 기판 반송 방법을 나타내는 공정도이다. 또한, 도 6a 내지 도 6j에 있어서도, 실선의 「○」은 웨이퍼(W)를 나타내고, 파선의 「○」은 웨이퍼(W)가 제거된 스테이지(17, 20)를 나타낸다.
우선, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13a)까지 이동한다(도 6a). 다음에, 프로세스 모듈(13a)로 향하여 하방 반송 아암(22)이 연신되고, 처리완료 웨이퍼(W)를 수취한다(도 6b). 다음에, 하방 반송 아암(22)은 수축해서 처리완료 웨이퍼(W)를 프로세스 모듈(13a)로부터 제거한다(도 6c). 그 후, 프로세스 모듈(13a)에서 드라이 클리닝 처리가 실행된다.
다음에, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)은 로드록 모듈(14)로 이동한다(도 6d). 하방 반송 아암(22)은 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)과 함께 로드록 모듈(14)로 향하여 연신된다. 이 때, 하방 반송 아암(22)은 처리완료 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로 건네주고, 상방 반송 아암(23)은 미처리의 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로부터 수취한다(도 6e).
다음에, 상방 반송 아암(23) 및 하방 반송 아암(22)은 수축하고, 또한 평면에서 보아서 시계 방향으로 회전된다. 상방 반송 아암(23)은 프로세스 모듈(13a)(하나의 처리실)까지 이동하고, 하방 반송 아암(22)은 프로세스 모듈(13b)(다른 처리실)까지 이동한다(도 6f). 여기에서, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)에 대해서는 웨이퍼(W)의 어긋남을 고려할 필요가 없다. 따라서, 하방 반송 아암(22)의 수축 속도는 미처리의 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23)의 수축 속도보다 높고, 또한 하방 반송 아암(22)의 로드록 모듈(14)로부터 프로세스 모듈(13b)까지의 이동 속도는, 상방 반송 아암(23)의 로드록 모듈(14)로부터 프로세스 모듈(13a)까지의 이동 속도보다 높다. 본 실시형태에서는, 하방 반송 아암(22)이 상방 반송 아암(23)보다 먼저 프로세스 모듈(13a)에 도달한다.
다음에, 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13a)에 도달하기 전에, 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13b)로 향하여 연신되어, 프로세스 모듈(13b)로부터 처리완료 웨이퍼(W)를 수취해서 제거한다. 처리완료 웨이퍼(W)가 제거되는 동안에 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13a)에 도달한다(도 6g).
이 때, 드라이 클리닝 처리가 개시되고 나서 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13a)에 도달하기까지의 시간까지 소정의 시간 주기(도 6c의 공정으로부터 도 6g의 공정까지의 기간)가 경과하기 때문에, 프로세스 모듈(13a)에서의 드라이 클리닝 처리는 완료된다. 따라서, 프로세스 모듈(13a)에 도달한 상방 반송 아암(23)은 즉시 프로세스 모듈(13a)로 향하여 연신하고, 미처리의 웨이퍼(W)를 프로세스 모듈(13a)로 건네줄 수 있다.
또한, 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13a)로 미처리의 웨이퍼(W)를 건네주는 동안, 하방 반송 아암(22)은 수축한다(도 6h). 그 후, 드라이 클리닝 처리는 프로세스 모듈(13b)에서 실행된다.
다음에, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)이 평면에서 보아서 반시계 방향으로 회전해서 로드록 모듈(14)로 이동된다. 이와 동시에, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)이 수축하고, 또한 평면에서 보아서 반시계 방향으로 회전해서 역시 로드록 모듈(14)로 이동된다. 여기에서, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)에 대해서는 웨이퍼(W)의 어긋남을 고려할 필요가 없기 때문에, 상방 반송 아암(23)의 프로세스 모듈(13a)로부터 로드록 모듈(14)까지의 이동 속도는, 하방 반송 아암(22)의 프로세스 모듈(13b)로부터 로드록 모듈(14)까지의 이동 속도보다 높다.
도 6i에 도시된 바와 같이, 상방 반송 아암(23)이 로드록 모듈(14)에 도달하기 전에, 하방 반송 아암(22)이 로드록 모듈(14)에 도달하고, 하방 반송 아암(22)은 처리완료 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로 건네줄 수 있도록 로드록 모듈(14)로 향하여 연신된다. 그러나, 상술한 바와 같이, 상방 반송 아암(23)의 프로세스 모듈(13a)로부터 로드록 모듈(14)까지의 이동 속도는 높기 때문에, 하방 반송 아암(22)이 처리완료 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로 건네주기 전에, 상방 반송 아암(23)은 로드록 모듈(14)에 도달하고, 또한 로드록 모듈(14)로 향하여 연신된다(도 6j). 따라서, 처리완료 웨이퍼(W)를 하방 반송 아암(22)에 의해서 로드록 모듈(14)로 건네주는 것, 미처리의 웨이퍼(W)를 상방 반송 아암(23)에 의해서 로드록 모듈(14)로부터 수취하는 것이 거의 동시에 실행될 수 있다.
도 6a 내지 도 6j를 참조하여 설명된 기판 반송 방법에 의하면, 예를 들면, 도 6f 및 도 6g에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)의 로드록 모듈(14)로부터 프로세스 모듈(13b)까지의 이동 속도는, 미처리의 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23)의 로드록 모듈(14)로부터 프로세스 모듈(13a)까지의 이동 속도보다 높기 때문에, 하방 반송 아암(22)이 먼저 프로세스 모듈(13b)에 도달하고, 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13a)에 도달하기까지 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13b)로부터 처리완료의 기판을 수취할 수 있다.
또한, 프로세스 모듈(13a)로 미처리의 웨이퍼(W)를 반송 완료한 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13b)로 미처리의 웨이퍼(W)를 반송하기까지는, 프로세스 모듈(13b)로부터 처리완료의 웨이퍼(W)가 제거되어 있기 때문에, 프로세스 모듈(13b)에 도달한 상방 반송 아암(23)은 미처리의 웨이퍼(W)를 대기하는 일이 없이 즉시 프로세스 모듈(13b)로 건네줄 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
다음에, 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 기판 반송 방법에 대해서 설명한다.
본 실시형태의 구성 및 작용은 제 2 실시형태와 기본적으로 동일하다. 제 3 실시형태는 프로세스 모듈(13a 내지 13f)의 각각에 있어서의 드라이 클리닝 처리의 기간이 제 2 실시형태에 있어서의 기간보다 긴 점에서 제 2 실시형태와 상이하다. 따라서, 동일한 구성 및 작용의 중복된 설명은 생략하고, 이하에 단지 상이한 구성 및 작용에 대한 설명을 실시한다.
도 7a 내지 도 7p는 도 1의 기판 처리 시스템에 의해 실행되는 제 3 실시형태에 따른 기판 반송 방법을 나타내는 공정도이다. 도 7a 내지 도 7p에 있어서, 실선의 「○」은 웨이퍼(W)를 나타내고, 파선의 「○」은 웨이퍼(W)가 제거된 스테이지(17, 20)를 나타낸다.
도 7a 내지 도 7d의 공정은 도 6a 내지 도 6d의 공정과 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.
다음에, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)만이 로드록 모듈(14)로 향하여 연신해서 처리완료 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로 건네준다(도 7e), 그 후, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)은 수축하고, 평면에서 보아서 시계 방향으로 회전해서 프로세스 모듈(13b)로 향하여 이동된다(도 7f).
다음에, 프로세스 모듈(13b)에 도달한 하방 반송 아암(22)은 프로세스 모듈(13b)로 향하여 연신된다(도 7g). 하방 반송 아암(22)은 프로세스 모듈(13b)로부터 처리완료 웨이퍼(W)를 수취해서 제거하고, 또한 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)은 평면에서 보아서 반시계 방향으로 회전해서 로드록 모듈(14)로 향하여 이동한다(도 7h). 이 때, 프로세스 모듈(13b)에서 드라이 클리닝 처리가 개시된다. 따라서, 이 시점에서는, 프로세스 모듈(13a) 및 프로세스 모듈(13b)에서 드라이 클리닝 처리가 실행된다.
다음에, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)은 로드록 모듈(14)에 도달한다(도 7i). 다음에, 하방 반송 아암(22)은 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)과 함께 로드록 모듈(14)로 향하여 연신한다(도 7j). 이 때, 하방 반송 아암(22)은 처리완료 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로 건네주고, 상방 반송 아암(23)은 미처리의 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로부터 수취한다.
다음에, 상방 반송 아암(23) 및 하방 반송 아암(22)은 수축하고, 또한 평면에서 보아서 시계 방향으로 회전한다. 따라서, 상방 반송 아암(23)은 프로세스 모듈(13a)(하나의 처리실)까지 이동하고, 하방 반송 아암(22)은 프로세스 모듈(13c)(다른 처리실)까지 이동한다(도 7k). 여기에서, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)에 대해서는 웨이퍼(W)의 어긋남을 고려할 필요가 없다. 따라서, 하방 반송 아암(22)의 수축 속도는 미처리의 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23)의 수축 속도보다 높고, 또한 하방 반송 아암(22)의 로드록 모듈(14)로부터 프로세스 모듈(13c)까지의 이동 속도는, 상방 반송 아암(23)의 로드록 모듈(14)로부터 프로세스 모듈(13a)까지의 이동 속도보다 높다. 본 실시형태에서는, 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13c)에 도달하는 것과 거의 동시에, 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13a)에 도달한다(도 7l).
다음에, 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13c)로 향하여 연신하고, 프로세스 모듈(13c)로부터 처리완료 웨이퍼(W)를 수취해서 제거한다(도 7m). 그 후 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13a)로 향하여 연신해서 미처리의 웨이퍼(W)를 프로세스 모듈(13a)로 건네준다(도 7n).
이 때, 드라이 클리닝 처리가 개시되고 나서 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13a)에 도달하기까지의 시간까지 소정의 시간 주기(도 7c의 공정으로부터 도 7l의 공정까지의 기간)가 경과하기 때문에, 프로세스 모듈(13a)에서의 드라이 클리닝 처리는 완료된다. 따라서, 프로세스 모듈(13a)에 도달한 상방 반송 아암(23)은 드라이 클리닝 처리의 종료를 기다리는 일이 없이 즉시 프로세스 모듈(13a)로 향하여 연신하고, 미처리의 웨이퍼(W)를 프로세스 모듈(13a)로 건네줄 수 있다.
또한, 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13a)로 미처리의 웨이퍼(W)를 건네주는 동안, 하방 반송 아암(22)은 수축한다(도 7n). 그 후, 프로세스 모듈(13c)에서 드라이 클리닝 처리가 실행된다.
다음에, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)이 평면에서 보아서 반시계 방향으로 회전해서 로드록 모듈(14)로 이동한다. 그 동안에, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)이 수축하고, 반시계 방향으로 회전해서 로드록 모듈(14)로 이동한다. 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)에 대해서는 웨이퍼(W)의 어긋남을 고려할 필요가 없기 때문에, 상방 반송 아암(23)의 프로세스 모듈(13a)로부터 로드록 모듈(14)까지의 이동 속도는, 하방 반송 아암(22)의 프로세스 모듈(13c)로부터 로드록 모듈(14)까지의 이동 속도보다 높다. 따라서, 하방 반송 아암(22) 및 상방 반송 아암(23)은 거의 동시에 로드록 모듈(14)에 도달한다(도 7o).
다음에, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)은 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)과 함께 로드록 모듈(14)로 향하여 연신한다. 이 때, 하방 반송 아암(22)은 처리완료 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로 건네주고, 상방 반송 아암(23)은 미처리의 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로부터 수취한다(도 7p).
도 7a 내지 도 7p를 참조하여 설명한 기판 반송 방법에 따르면, 예를 들면, 도 7k 및 도 7l에 도시된 바와 같이, 미처리의 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23)은, 드라이 클리닝 처리를 실행하고 있는 프로세스 모듈(13a, 13b) 중, 미처리의 웨이퍼(W)를 프로세스 모듈(13a)로 반송한다. 드라이 클리닝 처리는 프로세스 모듈(13b)에서의 드라이 클리닝 처리보다 프로세스 모듈(13a)에서 먼저 실행하기 시작하고 있기 때문에, 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13a)에 도달하기까지 프로세스 모듈(13a)의 드라이 클리닝 처리는 종료하고 있다. 따라서, 프로세스 모듈(13a)에 도달한 상방 반송 아암(23)은 드라이 클리닝 처리의 종료를 기다리는 일이 없이 프로세스 모듈(13a)로 향하여 연신한다. 따라서, 웨이퍼(W)의 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
다음에, 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 기판 반송 방법에 대해서 설명한다.
본 실시형태는 그 구성 및 작용이 제 1 실시형태와 기본적으로 동일하다. 본 실시형태는 1개의 웨이퍼(W)에 대해서 복수의 프로세스 모듈(13a 내지 13f)에 의한 처리가 실시되는 점에서 제 1 실시형태와 상이하다. 따라서, 동일한 구성 및 작용에 대한 중복된 설명은 생략하고, 이하에 상이한 구성 및 작용에 대한 설명을 실시한다.
도 8a 내지 도 8j는 도 1의 기판 처리 시스템에 의해 실행되는 제 4 실시형태에 따른 기판 반송 방법을 나타내는 공정도이다. 또한, 도 8a 내지 도 8j에 있어서도, 실선의 「○」은 웨이퍼(W)를 나타내고, 파선의 「○」은 웨이퍼(W)가 제거된 스테이지(17, 20)를 나타낸다.
우선, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13a)(제 1 처리실)을 향해서 이동한다. 로드록 모듈(14)과 대향하는 상방 반송 아암(23)이 로드록 모듈(14)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 수취하고, 프로세스 모듈(13a)로 향하여 이동한다(도 8a).
다음에, 프로세스 모듈(13a)에 도달한 하방 반송 아암(22)은 프로세스 모듈(13a)로 향하여 연신하고, 프로세스 모듈(13a)로부터 처리완료 웨이퍼(W)(제 1 처리가 실시된 기판)를 수취해서 제거한다. 그 동안에, 미처리의 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13a)에 도달한다(도 8b).
다음에, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)은 수축하고, 또한 프로세스 모듈(13b)(제 2 처리실)로 향하여 이동하고, 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13a)로 향하여 연신하고, 미처리의 웨이퍼(W)를 프로세스 모듈(13a)로 건네준다(도 8c).
다음에, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)이 수축하고, 또한 프로세스 모듈(13b)로 향하여 이동한다. 여기에서, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)에 대해서는 웨이퍼(W)의 어긋남을 고려할 필요가 없다. 따라서, 상방 반송 아암(23)의 프로세스 모듈(13a)로부터 프로세스 모듈(13b)까지의 이동 속도는, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)의 프로세스 모듈(13a)로부터 프로세스 모듈(13b)까지의 이동 속도보다 높다. 따라서, 본 실시형태에서는, 상방 반송 아암(23)이 하방 반송 아암(22)보다 먼저 프로세스 모듈(13b)에 도달한다.
다음에, 프로세스 모듈(13b)에 도달한 상방 반송 아암(23)은, 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13b)에 도달하기 전에, 프로세스 모듈(13b)로 향하여 연신해서 프로세스 모듈(13b)로부터 처리완료 웨이퍼(W)(제 2 처리가 실시된 기판)를 수취해서 제거한다. 프로세스 모듈(13b)로부터 처리완료 웨이퍼(W)가 제거되는 동안에 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13b)에 도달한다(도 8d).
다음에, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23)은 수축하고, 또한 프로세스 모듈(13c)로 향하여 이동하고, 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13b)로 향하여 연신하고, 처리완료 웨이퍼(W)를 프로세스 모듈(13b)로 건네준다(도 8e).
다음에, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)이 수축하고, 또한 프로세스 모듈(13c)로 향하여 이동한다. 여기에서, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)에 대해서는 웨이퍼(W)의 어긋남을 고려할 필요가 없다. 따라서, 하방 반송 아암(22)의 프로세스 모듈(13b)로부터 프로세스 모듈(13c)까지의 이동 속도는, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23)의 프로세스 모듈(13b)로부터 프로세스 모듈(13c)까지의 이동 속도보다 높다. 따라서, 본 실시형태에서는, 하방 반송 아암(22) 및 상방 반송 아암(23)이 거의 동시에 프로세스 모듈(13c)에 도달한다(도 8f).
다음에, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13c)로 향하여 연신해서 프로세스 모듈(13c)로부터 처리완료 웨이퍼(W)를 수취해서 제거한다(도 8g). 그 후 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)이 수축하고, 또한 로드록 모듈(14)로 향하여 이동하고, 또한 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13c)로 향하여 연신하고, 처리완료 웨이퍼(W)를 프로세스 모듈(13c)로 건네준다(도 8h).
다음에, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)이 수축하고, 또한 로드록 모듈(14)로 향하여 이동한다. 여기에서, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)에 대해서는 웨이퍼(W)의 어긋남을 고려할 필요가 없다. 따라서, 상방 반송 아암(23)의 프로세스 모듈(13c)로부터 로드록 모듈(14)까지의 이동 속도는, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)의 프로세스 모듈(13c)로부터 로드록 모듈(14)까지의 이동 속도보다 높다. 따라서, 본 실시형태에서는, 상방 반송 아암(23)이 하방 반송 아암(22)보다 먼저 로드록 모듈(14)에 도달한다(도 8i).
그 후, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)이 로드록 모듈(14)에 도달하면, 하방 반송 아암(22) 및 상방 반송 아암(23)은 로드록 모듈(14)로 연신한다. 하방 반송 아암(22)은 처리완료 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로 건네주고, 또한 상방 반송 아암(23)은 미처리의 웨이퍼(W)를 로드록 모듈(14)로부터 수취한다(도 8j).
도 8a 내지 도 8j를 참조하여 설명한 기판 반송 방법에 따르면, 예를 들면, 도 8c 및 도 8d에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 상방 반송 아암(23)의 프로세스 모듈(13a)로부터 프로세스 모듈(13b)까지의 이동 속도는, 처리완료 웨이퍼(W)를 반송하는 하방 반송 아암(22)의 프로세스 모듈(13a)로부터 프로세스 모듈(13b)까지의 이동 속도보다 높다. 따라서, 상방 반송 아암(23)이 먼저 프로세스 모듈(13b)에 도달한다. 또한, 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13b)에 도달하기까지 상방 반송 아암(23)이 프로세스 모듈(13b)로부터 처리완료 웨이퍼(W)를 수취해서 제거한다. 따라서, 처리완료 웨이퍼(W)를 지지하는 하방 반송 아암(22)이 프로세스 모듈(13b)에 도달하는 경우, 하방 반송 아암(22)은 처리완료 웨이퍼(W)를 대기하는 일이 없이 즉시 프로세스 모듈(13b)로 건네줄 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시형태를 설명했지만, 본 발명은 상기 각 실시형태로 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 반송 기구(16)에서는 2개의 반송 아암(하방 반송 아암(22), 상방 반송 아암(23))이 중첩해서 배치되었다. 그러나, 3개 이상의 반송 아암이 중첩해서 배치될 수 있다. 이 경우도 웨이퍼(W)를 반송하지 않는 반송 아암의 이동 속도를, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암의 이동 속도보다 높게 설정함으로써 본 발명을 실현할 수 있다.
또한, 반송 기구(16)에서는, 하방 반송 아암(22)의 회전 중심축이 상방 반송 아암(23)의 회전 중심축과 동일하다. 그러나, 하방 반송 아암(22) 및 상방 반송 아암(23)이 서로 오프셋되어 배치되고, 하방 반송 아암(22)의 회전 중심축과 상방 반송 아암(23)의 회전 중심축이 동일하지 않아도 된다.
또한, 웨이퍼(W)의 직경은 약 450㎜로 한정되지 않고, 200㎜ 또는 300㎜여도 좋다.
또한, 본 발명의 목적은, 상술한 각 실시형태의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기록한 기억 매체를, 컴퓨터, 예를 들면 기판 처리 시스템(10)이 구비하는 콘트롤러(도시하지 않음)에 공급하고, 콘트롤러의 CPU가 기억 매체에 저장된 프로그램 코드를 판독해서 실행하는 것에 의해서도 달성된다.
이 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드 자체가 상술한 각 실시형태의 기능을 실현하게 되고, 그에 따라 프로그램 코드 및 그 프로그램 코드를 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하게 된다.
또한, 프로그램 코드를 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예를 들면 RAM(Random Access Memory), NVRAM(Non-Volatile RAM), 플로피(등록상표) 디스크, 하드 디스크, 광학 자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD(DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW) 등의 광 디스크, 자기 테이프, 불휘발성의 메모리 카드, 다른 ROM 등의 상기 프로그램 코드를 기억할 수 있는 것이면 좋다. 또는, 상기 프로그램 코드는 인터넷, 상용 네트워크, 혹은 근거리 통신망 등에 접속되는 도시하지 않은 다른 컴퓨터나 데이터 베이스 등으로부터 다운로드하는 것에 의해 콘트롤러에 공급되어도 괜찮다.
또한, 콘트롤러가 판독한 프로그램 코드를 실행하는 것에 의해, 상기 각 실시형태의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램 코드의 지시에 근거해서, CPU상에서 가동하고 있는 OS(오퍼레이팅 시스템) 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 실시하는 것에 의해, 상술한 각 실시형태의 기능이 실현될 수 있다.
또한, 기억 매체로부터 판독한 프로그램 코드가, 콘트롤러에 삽입된 기능 확장 보드나 콘트롤러에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기록된 후, 그 프로그램 코드의 지시에 근거해서, 그 기능 확장 보드나 기능 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 실시하는 것에 의해서 상술한 각 실시형태의 기능이 실현될 수 있다.
프로그램 코드는 오브젝트 코드, 인터프리터(interpreter)에 의해 실행되는 프로그램 코드, OS에 공급되는 스크립트 데이터 등일 수 있다.
본 발명은 실시형태에 대해서 도시 및 설명하였지만, 하기의 특허청구범위에 한정된 본 발명의 영역을 벗어남이 없이 본 기술 분야에 숙련된 자들에 의해 본 발명은 다양한 수정 및 변경이 이뤄질 수 있다.
10 : 기판 처리 시스템 11 : 트랜스퍼 모듈
13a 내지 13f : 프로세스 모듈 14 : 로드록 모듈
16 : 반송 기구 22 : 하방 반송 아암
23 : 상방 반송 아암 W : 웨이퍼

Claims (8)

  1. 수직으로 배치되고, 또한 별개로 이동 가능한 2개 이상의 반송 아암을 포함하는 반송 기구를 이용하여 기판을 반송하는 기판 반송 방법에 있어서,
    기판을 반송하고 있지 않는 상기 반송 아암의 각각의 이동 속도를, 기판을 반송하고 있는 상기 반송 아암의 각각의 이동 속도보다 높게 설정하는 것을 특징으로 하는
    기판 반송 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반송 아암은 하나의 수직 축을 따라서 배치되고, 상기 수직 축을 중심으로 회전 가능한 것을 특징으로 하는
    기판 반송 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반송 기구는, 대기압 환경과 감압 환경 사이에서 전환 가능해서 기판을 상기 대기압 환경 또는 상기 감압 환경에서 교체하는 교체실과, 기판을 처리하기 위한 처리실 사이에서 기판을 반송하고,
    한쪽의 상기 반송 아암은 처리완료의 기판을 상기 교체실로 넘겨주고, 기판이 없이 상기 처리실로 이동하고, 다른쪽의 상기 반송 아암은 미처리의 기판을 상기 교체실로부터 수취하고, 상기 미처리의 기판을 반송하면서 상기 처리실로 이동하고,
    상기 한쪽의 반송 아암의 상기 교체실로부터 상기 처리실까지의 이동 속도는, 상기 다른쪽의 반송 아암의 상기 교체실로부터 상기 처리실까지의 이동 속도보다 높은 것을 특징으로 하는
    기판 반송 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 한쪽의 반송 아암은 상기 처리완료의 기판을 상기 처리실로부터 수취하고, 상기 처리완료의 기판을 반송하면서 상기 교체실로 이동하고, 상기 다른쪽의 반송 아암은 상기 미처리의 기판을 상기 처리실로 넘겨주고, 기판이 없이 상기 교체실로 이동하고,
    상기 다른쪽의 반송 아암의 상기 처리실로부터 상기 교체실까지의 이동 속도는, 상기 한쪽의 반송 아암의 상기 처리실로부터 상기 교체실까지의 이동 속도보다 높은 것을 특징으로 하는
    기판 반송 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반송 기구는, 대기압 환경과 감압 환경 사이에서 전환 가능해서 기판을 상기 대기압 환경 또는 상기 감압 환경에서 교체하는 교체실과, 기판을 처리하기 위한 복수의 처리실 사이에서 기판을 반송하고,
    한쪽의 상기 반송 아암은 처리완료의 기판을 상기 처리실 중 하나로부터 수취하고, 상기 교체실로 이동하고, 상기 처리완료의 기판을 상기 교체실로 넘겨주고, 또한 기판이 없이 상기 처리실 중 다른 하나로 이동하고,
    다른쪽의 상기 반송 아암은 미처리의 기판을 상기 교체실로부터 수취하고, 상기 미처리의 기판을 반송하면서 상기 처리실 중 하나로 이동하고,
    상기 한쪽의 반송 아암의 상기 교체실로부터 상기 처리실 중 다른 하나까지의 이동 속도는, 상기 다른쪽의 반송 아암의 상기 교체실로부터 상기 처리실 중 하나까지의 이동 속도보다 높은 것을 특징으로 하는
    기판 반송 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 한쪽의 반송 아암에 의해 상기 처리완료의 기판을 처리실 중 하나로부터 수취한 후 상기 처리실에서 세정 처리가 실행되고,
    상기 세정 처리가 복수의 처리실에서 실행되고 있는 경우, 상기 다른쪽의 반송 아암은, 상기 미처리의 기판을 먼저 상기 세정 처리가 실시되기 시작한 상기 처리실 중 하나로 반송하는 것을 특징으로 하는
    기판 반송 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반송 기구는, 기판에 제 1 처리를 실시하는 제 1 처리실과, 제 1 처리가 실시된 상기 기판에 제 2 처리를 실시하는 제 2 처리실 사이에서 상기 기판을 반송하고,
    한쪽의 상기 반송 아암은 상기 제 1 처리가 실시된 기판을 상기 제 1 처리실로부터 수취하고, 상기 제 1 처리가 실시된 기판을 반송하면서 상기 제 2 처리실로 이동하고,
    다른쪽의 상기 반송 아암은 미처리의 기판을 상기 제 1 처리실로 반송하고, 기판이 없이 상기 제 2 처리실로 이동하고,
    상기 다른쪽의 반송 아암의 상기 제 1 처리실로부터 상기 제 2 처리실까지의 이동 속도는, 상기 한쪽의 반송 아암의 상기 제 1 처리실로부터 상기 제 2 처리실까지의 이동 속도보다 높은 것을 특징으로 하는
    기판 반송 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    한쪽의 상기 반송 아암은 다른쪽의 상기 반송 아암보다 위에 배치되고,
    상기 한쪽의 반송 아암은 미처리의 기판을 반송하고, 상기 다른쪽의 반송 아암은 처리완료의 기판을 반송하는 것을 특징으로 하는
    기판 반송 방법.
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