KR20140137912A - 전자기파 흡수체 및 그 제조 방법 - Google Patents

전자기파 흡수체 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20140137912A KR1020130059167A KR20130059167A KR20140137912A KR 20140137912 A KR20140137912 A KR 20140137912A KR 1020130059167 A KR1020130059167 A KR 1020130059167A KR 20130059167 A KR20130059167 A KR 20130059167A KR 20140137912 A KR20140137912 A KR 20140137912A
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 명세서는 음굴절률을 갖는 메타물질 구조를 모스 아이(Moth-eye) 구조로 제작함으로써, 전자기파의 반사와 투과를 최소화하고 흡수율을 최대화할 수 있는 전자기파 흡수체 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체는, 기판과; 상기 기판상에 배열되고, 모스 아이 구조를 갖는 메타물질 층들을 포함할 수 있다.

Description

전자기파 흡수체 및 그 제조 방법{ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBER AND FABRICATION METHOD THEREOF}
본 명세서는 전자기파 흡수체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 전자기파 흡수는 물질의 기본특성인 흡수율을 이용하거나, 안테나와 같이 금속 구조물의 공진 현상을 이용하였다. 또한, 전자기파 흡수 대역을 넓이기 위해 흡수파장이 다양한 물질들을 복합화하여 사용하거나, 안테나 구조를 복잡하게 설계하여 다파장을 흡수하도록 하였다. 종래기술에 따른 전자기파 흡수체는 한국 특허 출원 번호 10-2001-0006077에 개시되어 있다.
본 명세서는 음굴절률을 갖는 메타물질 구조를 모스 아이(Moth-eye) 구조로 제작함으로써, 전자기파의 반사와 투과를 최소화(억제)하고 흡수율을 최대화할 수 있는 전자기파 흡수체 및 그 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 명세서에 개시된 일 실시예에 따른 전자기파 흡수체는, 기판과; 상기 기판상에 배열되고, 모스 아이 구조를 갖는 메타물질 층들을 포함하며, 상기 메타물질 층들 각각은 금속층과 유전체 층을 교대로 적층함으로써 형성될 수 있다.
본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 각 메타물질 층은 음굴절률을 갖을 수 있다.
본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 전자기파 흡수체는 전자기파의 반사와 투과를 최소화하고, 전자기파 흡수율을 최대화할 수 있다.
본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 금속층의 재질은 알루미늄일 수 있다.
본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 유전체 층의 재질은 SiO2일 수 있다.
본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 유전체 층의 재질은 Si일 수 있다.
본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 각 메타물질 층은 콘 구조체이며, 상기 콘 구조체의 하단은 상기 기판상에 위치하며, 상기 콘 구조체의 하단의 폭은 상기 콘 구조체의 상단의 폭보다 클 수 있다.
본 명세서와 관련된 일 예로서, 각 콘 구조체의 하단은 서로 접촉될 수 있다.
본 명세서에 개시된 일 실시예에 따른 전자기파 흡수체의 제조 방법은, 기판상에 금속층과 유전체 층을 교대로 적층하는 단계와; 상기 적층된 금속층과 유전체 층을 식각함으로써 모스 아이 구조를 갖는 메타물질 층들을 상기 기판상에 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 전자기파 흡수체 및 그 제조 방법은, 음굴절률을 갖는 메타물질 구조를 모스 아이(Moth-eye) 구조로 제작함으로써, 전자기파의 반사와 투과를 최소화(억제)하고 흡수율을 최대화할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 전자기파 흡수체 및 그 제조 방법은, 음굴절률을 갖는 메타물질 구조를 모스 아이(Moth-eye) 구조로 제작함으로써, 전자기파의 흡수대역 및 흡수폭을 자유자재로 조절할 수 있다.
도 1은 본 발명을 설명하기 위한 굴절률에 따른 전자기파 경로를 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체의 구조를 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체 및 전자기파 경로를 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체에 포함된 제1 메타 물질층을 나타낸 구성도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체에 포함된 제2 메타 물질층을 나타낸 구성도이다.
도 6a-b는 적외선 영역에서의 다양한 금속의 유전율 실제값과 손실값을 나타낸 예시도 이다.
도 7a-7c은 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 흡수체에 포함된 제1 메타 물질층의 흡수율을 나타낸 예시도 이다.
도 9는 본발명의 실시예에 따른 흡수체에 포함된 제2 메타 물질층의 흡수율을 나타낸 예시도 이다.
본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아님을 유의해야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 본 명세서에서 특별히 다른 의미로 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미로 해석되어야 하며, 과도하게 포괄적인 의미로 해석되거나, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 기술적인 용어가 본 발명의 사상을 정확하게 표현하지 못하는 잘못된 기술적 용어일 때에는, 당업자가 올바르게 이해할 수 있는 기술적 용어로 대체되어 이해되어야 할 것이다. 또한, 본 발명에서 사용되는 일반적인 용어는 사전에 정의되어 있는 바에 따라, 또는 전후 문맥상에 따라 해석되어야 하며, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "구성된다" 또는 "포함한다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 여러 구성 요소들, 또는 여러 단계를 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 단계들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 단계들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
또한, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 발명의 사상을 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 발명의 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
최근 기후 변화 및 온난화에 따라 온실가스 및 에너지에 대한 규제가 확대되고 있어 친환경 신재생 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중 무한 에너지 자원인 태양광 및 태양열을 활용하는 기술이 각광을 받고 있다. 태양광은 UV(자외선)~NIR(근적외선)(0.3~1.8um)영역에 달하는 광대역 전자기파이지만, 실리콘(Si) 기반의 솔라셀 에너지 변환소자는 실리콘 밴드갭(Si bandgap) 이상의 에너지만 흡수가 가능하므로 약 50%에 달하는 태양광 에너지를 활용하지 못하고 있다. 또한, 태양광 및 태양열을 흡수한 지구는 끊임없이 넓은 적외선(IR) 대역(8~12um)의 복사에너지 형태를 방출하는데, 이를 활용하기 위한 에너지 하베스팅(energy harvesting) 소자가 연구되고 있지만 광대역 고흡수체의 부재로 인해 기술개발이 늦어지고 있다.
따라서, 이하에서는, 음굴절률을 갖는 메타물질 구조를 모스 아이(Moth-eye) 구조로 제작함으로써, 전자기파의 반사와 투과를 최소화(억제)하고 흡수율을 최대화할 수 있고, 전자기파의 흡수대역 및 흡수폭을 자유자재로 조절할 수 있는 전자기파 흡수체 및 그 제조 방법을 설명한다.
도 1은 본 발명을 설명하기 위한 굴절률에 따른 전자기파 경로를 나타낸 도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 음굴절률은 입사파가
Figure pat00001
의 각도로 매질(medium)에 입사될 때 일반적인 양굴절률 물질들은
Figure pat00002
방향으로 굴절되나, 음굴절률은
Figure pat00003
방향으로 굴절한다. 또한, 평면구조를 갖는 일반 매질에 광 또는 전자기파가 입사되면, 반사, 굴절, 투과가 일어난다. 입사파가 매질의 계면에 도달하면 급격한 굴절률의 변화가 발생하게 되고, 굴절률 차에 따라 반사가 발생한다. 또한, 매질 내로 입사된 전자기파는 굴절되어 진행되며, 매질의 흡수율 및 두께에 따라 일정부분 흡수된다. 흡수되지 않은 전자기파는 매질을 빠져나오며 투과된다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체의 구조를 나타낸 도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체(100)는, 기판(예를 들면, 유리 기판)(10)과; 상기 기판(10)상에 배열되고, 음굴절률을 갖는 메타물질 층(메타물질 구조)(20)을 포함하며, 상기 메타물질 층(20)은 모스 아이(Moth-eye) 구조로 형성된다. 상기 음굴절률을 갖는 메타물질 층(20)을 모스 아이(Moth-eye) 구조로 제작함으로써, 전자기파의 반사와 투과를 최소화(억제)하고 흡수율을 최대화할 수 있다.
상기 메타물질 층(20)은 내부에서의 전자기파 거동에 영향을 미치는 유전율과 투자율을 임의로 조절하는 소재로서, 상기 메타물질을 음유전율과 음투자율을 갖도록 설계하면 음굴절률을 갖는 메타물질 층(20)을 제작할 수 있다. 상기 매타 물질층(20)은 금속층과 유전체 층을 상기 기판(10)상에 교대로 다수개 적층함으로써 형성될 수 있다.
상기 음유전율은 일반적으로 금속에서 나타난다. 예를 들면, 금속은 내부의 자유전자에 의한 플라즈몬(plasmon) 거동에 의해 음유전율을 나타낸다. 또한, 금속이 두꺼운 경우 전자기파는 반사되기 때문에 음유전율의 특성이 발현되기 힘드나, 전자기파가 금속 내부로 침투될 수 있는 침투 깊이(skin depth) 이하의 금속에서는 음유전율이 나타난다. 예를 들면, 입사파의 자기장에 의해 금속에 유도전류가 발생하고, 그 유도전류 흐름으로 생성되는 자기장을 통해 음유전율이 나타난다.
상기 음투자율은 금속 층과 유전체 층이 교대로 적층된 구조에서 나타난다. 예를 들면, 금속 층-유전체 층-금속 층의 구조가 LC 공진 회로를 형성함으로써 금속 층-유전체 층-금속 층의 구조에서 상기 음투자율이 나타난다.
상기 음굴절률을 갖는 메타물질 층은 렌즈로서 사용될 수도 있으나, 렌즈는 기본적으로 빛을 투과시켜야 함으로 얇은 박막형태로 손실이 적은 금과 은과 같은 금속을 사용한다. 반면, 본 발명의 실시예에 따른 상기 음굴절률을 갖는 메타물질층(20)은 전자기파의 흡수를 최대화하고, 반사 및 투과를 최소화하기 위해, 상기 음굴절률을 갖는 메타물질 층(20)에는 금속의 유전율 실제값(
Figure pat00004
)과 손실값(
Figure pat00005
)이 큰 금속(예를 들면, 알루미늄)이 사용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체 및 전자기파 경로를 나타낸 예시도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체(100)는, 상기 메타 물질 층(20)을 음굴절률을 갖는 모스 아이(Moth-eye) 구조로 형성함으로써, 광대역에서 높은 흡수율을 갖는다. 상기 모스 아이 구조는 콘(cone) 배열로 이루어지며, 전자기파가 입사될 때 굴절률이 급격하게 변하지 않고 점차적으로 변하게 함으로써 반사를 최소화할 수 있는 구조이다. 본 발명에서는 상기 모스 아이 구조를 갖는 메타 물질 층(20)을 이용하여 광대역 전자기파의 반사를 최소화하며, 콘(cone) 구조체(메타 물질 층)를 음굴절률로 제작하여 외부에서 전자기파가 입사될 때 콘 구조체 내부에서 도 3과 같은 전자기파 경로를 갖도록 한다. 예를 들면, 입사되는 전자기파는 기판(10)의 수평방향으로 굴절되고, 공기 굴절률(n=1)과 음굴절률 차이가 큰 경우 마치 빛이 거울에 반사되는 것과 같은 원리로 전자기파는 흡수체(100) 내부에서 왕복하게 된다. 일반적으로 음굴절률 물질은 전자기파를 흡수할 수 있는 금속을 포함하고 있으므로 전자기파는 왕복하는 과정에서 완전히 흡수될 수 있다. 즉, 음굴절률을 갖는 모스 아이(Moth-eye) 구조의 메타 물질 층(20)을 이용하여 전자기파 반사를 줄임과 동시에 전자기파 흡수 경로를 최대화하는 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체에 포함된 제1 메타 물질층을 나타낸 구성도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 적외선(IR) 영역의 광대역 흡수를 위한 음굴절률을 갖는 제1 메타물질층(20a)은 모스 아이 구조를 갖는다. 예를 들면, 상기 제1 메타물질층(20a)은 금속층(21a)과 유전체 층(22a)을 교대로 적층함으로써 형성되며, 최상층과 최하층(기판(10)상에 형성된 금속층)에는 상기 금속 층(21a)이 위치된다. 상기 유전체 층(22a)의 두께는 상기 금속 층(21a)의 두께보다 두꺼우며, 상기 유전체 층(22a)의 두께는 상기 금속 층(21a)의 두께보다 2배 이상 두꺼울 수 있다. 상기 금속 층(21a)은 10~20nm 두께의 알루미늄 층일 수 있다. 상기 유전체 층(22a)은 30~50nm 두께의 SiO2 또는 Si 층일 수 있다.
상기 모스 아이 구조를 갖는 제1 메타 물질층(20a)의 최하층의 폭은 상기 최상층의 폭보다 크며, 상기 최하층의 폭은 상기 최상층 폭의 5배 이상일 수 있다. 예를 들면, 제1 메타물질층(20a)의 최하층의 폭이 0.5um이면 상기 최상층의 폭은 0.09um일 수 있다. 상기 제1 메타물질층(20a)의 높이는 상기 최하층의 폭의 2배 이상일 수 있다. 예를 들면, 제1 메타물질층(20a)의 최하층의 폭이 0.5um이면 상기 제1 메타물질층(20a)의 높이는 1 um 이상일 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체에 포함된 제2 메타 물질층을 나타낸 구성도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 적외선(IR) 영역의 광대역 흡수를 위한 음굴절률을 갖는 제2 메타물질층(20b)은 모스 아이 구조를 갖는다. 예를 들면, 상기 제2 메타물질층(20b)은 금속층(21b)과 유전체 층(22b)을 교대로 적층함으로써 형성되며, 최상층과 최하층(기판(10)상에 형성된 금속층)에는 상기 금속 층(21b)이 위치된다. 상기 유전체 층(22b)의 두께는 상기 금속 층(21b)의 두께보다 두꺼우며, 상기 유전체 층(22b)의 두께는 상기 금속 층(21b)의 두께보다 2배 이상 두꺼울 수 있다. 상기 금속 층(21b)은 15nm 두께의 알루미늄 층일 수 있다. 상기 유전체 층(22b)은 50nm 두께의 SiO2 또는 Si 층일 수 있다. 상기 모스 아이 구조의 제2 메타물질층(20b)의 최하층의 폭은 상기 최상층의 폭보다 크며, 상기 최하층의 폭은 상기 최상층 폭의 1.5배 이상일 수 있다. 예를 들면, 제2 메타물질층(20b)의 최하층의 폭이 1.8um이면 상기 최상층의 폭은 1.1um일 수 있다. 상기 제2 메타물질층(20b)의 높이는 상기 최하층의 폭 보다 작거나 유사할 수 있다. 예를 들면, 제2 메타물질층(20b)의 최하층의 폭이 1.8um이면 상기 제2 메타물질층(20)의 높이는 1 .12um 일 수 있다. 상기 메타 물질층(20a 또는 20b)들의 각 최하층은 서로 접촉될 수 있다.
도 6a-b는 적외선(IR) 영역에서의 다양한 금속의 유전율 실제값(
Figure pat00006
)과 손실값(
Figure pat00007
)을 나타낸 예시도 이다.
도 6a-b에 도시한 바와 같이, 금속의 유전율은 실제값(
Figure pat00008
)과 손실값(
Figure pat00009
)으로 표현되며, 광대역 흡수체를 위한 금속물질로서, 실제값(
Figure pat00010
)이 큰 음의 값을 갖고, 손실값(
Figure pat00011
) 이 큰 알루미늄이 사용될 수 있다. 상기 알루미늄 대신에 상기 알루미늄과 유사하거나 상기 알루미늄의 실제값(
Figure pat00012
) 및 손실값(
Figure pat00013
) 보다 큰 값을 갖는 다양한 금속이 사용될 수도 있다.
도 7a-7c은 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7a에 도시한 바와 같이, 기판(10) 상에 상기 모스 아이 구조를 갖는 메타물질 층(20)을 형성한다. 예를 들면, 상기 기판(10) 상에 제1 금속층을 형성하고, 상기 제1 금속층 상에 제1 유전체 층을 형성하고, 상기 제1 유전체 층 상에 제2 금속 층을 형성하고, 제2 금속 층 상에 제2 유전체 층을 형성하는 방식으로 상기 금속 층과 상기 유전체 층을 교대로 상기 기판(10)상에 적층한다. 상기 금속 층과 상기 유전체 층은 스퍼터링, 전자 빔(E-beam) 등을 통해 상기 기판(10)상에 교대로 적층될 수 있다.
상기 모스 아이 구조를 갖는 메타물질 층(20) 상에 다수의 비드들(beads)(30)을 형성한다. 상기 다수의 비드들은 폴리머 재질이거나 폴리스티렌(polysterene) 등으로 이루어진 다중체(polymer)일 수 있다.
도 7b에 도시한 바와 같이, 상기 다수의 비드들(beads)(30)이 형성된 메타물질 층(20)을 식각 공정을 통해 모스 아이 구조로 식각한다. 상기 식각 공정으로서, 리소그래피 공정, 이온빔 밀링, 폴리머 비드 공정 등이 사용될 수 있다.
도 7c에 도시한 바와 같이, 상기 다수의 비드들(beads)(30)이 형성된 메타물질 층(20)을 식각 공정을 통해 식각한 후 상기 모스 아이 구조상에 위치된 비드들(식각후 남은 비드 물질들)을 제거함으로써, 상기 메타물질 층(20)을 상기 모스 아이 구조로 형성할 수 있다. 상기 전자기파가 상기 기판(10)을 투과하는 것을 방지하기 위해 상기 기판(10)상에 적층된 최하층의 금속층이 남도록 상기 다수의 비드들(beads)(30)이 형성된 메타물질 층(20)을 식각한다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 흡수체에 포함된 제1 메타 물질층의 흡수율을 나타낸 예시도 이다.
도 9는 본발명의 실시예에 따른 흡수체에 포함된 제2 메타 물질층의 흡수율을 나타낸 예시도 이다.
도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 흡수체에 포함된 제1 및 제2 메타 물질층은 광대역 전자기파 흡수가 가능함을 알 수 있다. 예를 들면,도 8 및 도 9는 태양광 대역(0.3~1.8um)과 지구복사 IR 대역(8~12um)의 광대역 흡수율을 나타낸 도로서, 광대역에서 80%이상의 흡수율을 유지하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 흡수체에 포함된 제1 및 제2 메타 물질층은 전자기파의 일종인 태양광 및 태양열 에너지를 반사, 투과 없이 완전히 흡수하여 에너지 손실을 줄일 수 있고, 이를 통해 기존에는 달성할 수 없었던 고효율의 에너지 변환소자를 제공하는 것이 가능하다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체 및 그 제조 방법은, 음굴절률을 갖는 메타물질 구조를 모스 아이(Moth-eye) 구조로 제작함으로써, 전자기파의 반사와 투과를 최소화(억제)하고 흡수율을 최대화할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 전자기파 흡수체 및 그 제조 방법은, 음굴절률을 갖는 메타물질 구조를 모스 아이(Moth-eye) 구조로 제작함으로써, 전자기파의 흡수대역 및 흡수폭을 자유자재로 조절할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 기판 20: 메타물질층

Claims (16)

  1. 기판과;
    상기 기판상에 배열되고, 모스 아이 구조를 갖는 메타물질 층들을 포함하며,
    상기 메타물질 층들 각각은 금속층과 유전체 층을 교대로 적층함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각 메타물질 층은,
    음굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전자기파 흡수체는,
    전자기파의 반사와 투과를 최소화하고, 전자기파 흡수율을 최대화하는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 금속층의 재질은,
    알루미늄인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유전체 층의 재질은,
    SiO2 인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유전체 층의 재질은,
    Si 인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체.
  7. 제1항에 있어서, 상기 각 메타물질 층은,
    콘 구조체이며,
    상기 콘 구조체의 하단은 상기 기판상에 위치하며, 상기 콘 구조체의 하단의 폭은 상기 콘 구조체의 상단의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체.
  8. 제7항에 있어서, 각 콘 구조체의 하단은 서로 접촉되는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체.
  9. 기판상에 금속층과 유전체 층을 교대로 적층하는 단계와;
    상기 적층된 금속층과 유전체 층을 식각함으로써 모스 아이 구조를 갖는 메타물질 층들을 상기 기판상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 메타물질 층들 각각은,
    음굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 전자기파 흡수체는,
    전자기파의 반사와 투과를 최소화하고, 전자기파 흡수율을 최대화하는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 금속층의 재질은,
    알루미늄인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 유전체 층의 재질은,
    SiO2 인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 유전체 층의 재질은,
    Si 인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 각 메타물질 층은,
    콘 구조체이며,
    상기 콘 구조체의 하단은 상기 기판상에 위치하며, 상기 콘 구조체의 하단의 폭은 상기 콘 구조체의 상단의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 각 콘 구조체의 하단은 서로 접촉되는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN115279162A (zh) * 2022-08-01 2022-11-01 南京大学 完美吸收体及其制备方法
CN115260988A (zh) * 2022-08-15 2022-11-01 南京航空航天大学 一种复合吸波材料及其制备方法

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