KR20140120681A - 개선된 정전 방전 특성을 갖는 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

개선된 정전 방전 특성을 갖는 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140120681A
KR20140120681A KR20130036840A KR20130036840A KR20140120681A KR 20140120681 A KR20140120681 A KR 20140120681A KR 20130036840 A KR20130036840 A KR 20130036840A KR 20130036840 A KR20130036840 A KR 20130036840A KR 20140120681 A KR20140120681 A KR 20140120681A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
semiconductor layer
pit
nitride semiconductor
nitride
Prior art date
Application number
KR20130036840A
Other languages
English (en)
Inventor
문수영
김은진
김재헌
Original Assignee
서울바이오시스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울바이오시스 주식회사 filed Critical 서울바이오시스 주식회사
Priority to KR20130036840A priority Critical patent/KR20140120681A/ko
Publication of KR20140120681A publication Critical patent/KR20140120681A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

개선된 정전 방전 특성을 갖는 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 이 반도체 소자는, 질화물계의 n형 콘택층; n형 콘택층 상에 위치하며, V-피트 및 V-피트를 둘러싸는 상부면을 갖는 질화물계의 V-피트 생성층; V-피트 생성층을 덮되, V-피트 내부에서보다 V-피트를 둘러싸는 상부면 상에서 더 큰 두께를 갖는 저저항 질화물 반도체층; 저저항 질화물 반도체층 상에 위치하며 V-피트를 메우는 고저항 질화물 반도체층; 고저항 질화물 반도체층 상에 위치하는 질화물계의 p형 콘택층; 및 고저항 질화물 반도체층과 p형 콘택층 사이에 위치하는 활성층을 포함한다. 여기서, 저저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 생성층보다 더 높은 불순물 농도를 갖고, 고저항 질화물 반도체층은 V-피트 생성층보다 더 낮은 불순물 농도를 갖는다.

Description

개선된 정전 방전 특성을 갖는 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법{NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING IMPROVED ESD CHARACTERISTICS}
본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 개선된 정전 방전 특성을 갖는 질화물 반도체 소자에 관한 것이다.
AlGaInN계의 질화물 반도체는 풀컬러 디스플레이, 교통 신호등, 일반조명 및 광통신 기기의 광원으로서 자외선, 청/녹색 발광 다이오드(light emitting diode) 또는 레이저 다이오드(laser diode)에 널리 사용되고 있으며, 또한 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 및 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 등에 사용되고 있다.
일반적으로, 질화물 반도체는 격자 정합하는 기판을 구하기 어렵기 때문에, 사파이어, 탄화실리콘 또는 실리콘과 같이 격자 부정합이 발생되는 기판 상에 성장된다. 이에 따라, 이들 기판 상에 성장된 질화물 반도체층은 약 1E9/cm2 이상의 상당히 높은 실전위 밀도(threading dislocation density: TDD)를 갖는다.
상기 실전위는 전자 트랩 사이트를 제공하여 비발광 재결합을 유발하며, 또한, 전류 누설 경로를 제공한다. 이에 따라, 반도체 소자에 정전기와 같은 과전압이 인가될 경우, 실전위를 통해 전류가 집중하여 정전 방전에 의한 손상이 발생한다.
질화물 반도체 소자의 열악한 정전 방전 특성 때문에, 통상 제너 다이오드가 질화물 반도체 소자와 함께 사용된다. 그러나, 제너 다이오드는 상대적으로 고가이며, 또한 제너 다이오드를 장착하기 위한 공정 및 공간을 필요로 한다.
한편, GaN 기판과 같이 질화물 반도체와 격자 정합하는 기판을 사용할 수도 있으나, GaN 기판은 그 제조 비용이 상당히 높아 레이저와 같은 특정 소자를 제외하고는 그것을 적용하는데 한계가 있다.
한편, 질화물 발광 소자의 정전 방전 특성을 향상시키기 위해 성장 온도를 조절하여 활성층 내에 V-피트를 갖는 질화물 반도체층을 성장시키고, 그 후, p형 콘택층을 고온에서 성장시킴으로써 상기 V-피트를 메우는 기술이 있다. 이 기술은 활성층 내에 형성된 V-피트가 주입 캐리어에 대한 전위 장벽을 형성하여 정전 방전 특성을 향상시킨다. 그러나, V-피트가 활성층을 관통하기 때문에 활성층의 발광 면적이 감소하는 문제가 있으며, 또한 V-피트를 메우기 위한 p형 콘택층의 성장 공정 여유도가 적어 Mg 도핑 조건에 따라 오히려 누설 전류가 증가할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 개선된 정전 방전 특성을 갖는 질화물 반도체 소자 및 그것을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, V-피트에 의한 발광 면적 감소를 방지하면서 질화물 반도체 소자의 정전 방전 특성을 개선하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 개선된 발광 효율을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 태양에 따른 반도체 소자는, 질화물계의 n형 콘택층; 상기 n형 콘택층 상에 위치하며, V-피트 및 상기 V-피트를 둘러싸는 상부면을 갖는 질화물계의 V-피트 생성층; 상기 V-피트 생성층을 덮되, 상기 V-피트 내부에서보다 상기 V-피트를 둘러싸는 상부면 상에서 더 큰 두께를 갖는 저저항 질화물 반도체층; 상기 저저항 질화물 반도체층 상에 위치하며 상기 V-피트를 메우는 고저항 질화물 반도체층; 상기 고저항 질화물 반도체층 상에 위치하는 질화물계의 p형 콘택층; 및 상기 고저항 질화물 반도체층과 상기 p형 콘택층 사이에 위치하는 활성층을 포함한다. 여기서, 상기 저저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 생성층보다 더 높은 불순물 농도를 갖고, 상기 고저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 생성층보다 더 낮은 불순물 농도를 갖는다.
상기 V-피트는 실전위가 전사되는 경로 상에 위치한다. 상기 저저항 질화물 반도체층 및 고저항 질화물 반도체층을 이용함으로써, 실전위를 통한 누설 전류를 방지할 수 있어 외부에서 인가되는 급격한 고전압에 의해 반도체 소자가 파괴되는 것을 방지할 수 있으며, 따라서 개선된 정전 방전 특성을 나타낼 수 있다.
상기 질화물 반도체 소자는 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, HBT 또는 HEMT 등의 반도체 소자일 수도 있다.
상기 질화물 반도체 소자는, 상기 고저항 질화물 반도체층과 상기 활성층 사이에 위치하며, 전류를 분산시키기 위한 질화물계의 전류 분산층을 더 포함할 수 있다. 상기 전류 분산층은 1E19~4E19/㎤의 범위 내의 Si 도핑 농도를 갖는 질화물계 반도체층 또는 2DEG를 형성하기 위한 질화물계 반도체층 또는 초격자 구조의 질화물계 반도체층일 수 있다. 상기 전류 분산층에 의해 전류를 넓게 분산시킬 수 있으며, 따라서, 발광 다이오드의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 저저항 질화물 반도체층은 1E19~4E19/㎤의 범위 내의 Si 도핑 농도를 가질 수 있다. 상기 저저항 질화물 반도체층이 V-피트 내부와 외부에서 서로 다른 두께를 갖기 때문에, 저저항 질화물 반도체층의 비저항을 낮출수록 V-피트 내부를 통한 전류 흐름을 방지할 수 있다.
한편, 상기 고저항 질화물 반도체층은 의도적으로 불순물을 도핑하지 않은 언도프트 질화물 또는 상대적으로 저농도의 불순물을 도핑한 저농도 도핑된 질화물로 형성될 수 있다. 상기 고저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 외부에서보다 내부에서 더 두껍기 때문에, 고저항 질화물 반도체층의 비저항이 높을수록 V-피트 내부를 통한 전류 흐름을 방지할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 p형 콘택층은 내부에 SiN 나노 입자들을 포함할 수 있다. SiN 나노 입자들은 실전위 상에 위치할 수 있으며, 따라서 실전위가 전사되는 것을 차단할 수 있다. 나아가, SiN 나노 입자들은 광을 산란시킴으로써 발광 다이오드의 광 추출 효율을 개선시킨다.
상기 p형 콘택층은 하부 p형 질화물계 반도체층, 상부 p형 질화물계 반도체층 및 상기 하부 p형 질화물계 반도체층과 상기 상부 p형 질화물계 반도체층 사이에 위치하는 중부 p형 질화물계 반도체층을 포함할 수 있으며, 상기 SiN 나노 입자들은 상기 하부 p형 질화물계 반도체층 상에 위치하는 하부 나노 입자들, 및 상기 중부 p형 질화물계 반도체층 상에 위치하는 상부 나노 입자들을 포함할 수 있다.
한편, 상기 V-피트의 하단은 상기 n형 콘택층 상면에 위치할 수 있다. 상기 V-피트가 깊을수록 V-피트 내부의 저항이 높아져 실전위를 통한 전류 흐름을 더 잘 방지할 수 있다.
상기 질화물 반도체 소자는 기판을 더 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 기판은 상기 n형 콘택층 아래에 위치할 수 있다. 상기 기판은 상기 n형 콘택층을 포함하는 질화물계 반도체층들의 성장 기판일 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 상기 기판은 상기 p형 콘택층 상부에 위치할 수 있다.
한편, 상기 질화물 반도체 소자는 상기 n형 콘택층에 직접 전기적으로 접속된 n-전극을 더 포함할 수 있다.
상기 V-피트 생성층, 저저항 질화물 반도체층 및 상기 고저항 질화물 반도체층은 모두 조성이 같은 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층, 예컨대 GaN층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 또 다른 태양에 따른 반도체 소자 제조 방법은, 기판 상에 질화물계의 n형 콘택층을 형성하고, 상기 n형 콘택층 상에 V-피트 및 상기 V-피트를 둘러싸는 상부면을 갖는 질화물계의 V-피트 생성층을 형성하고, 상기 V-피트 생성층 상에 저저항 질화물 반도체층을 형성하되, 상기 저저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 내부에서보다 상기 V-피트를 둘러싸는 상부면 상에서 더 큰 두께를 갖고, 상기 V-피트를 메우는 고저항 질화물 반도체층을 형성하고, 상기 고저항 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하고, 상기 활성층 상에 질화물계의 p형 콘택층을 형성하는 것을 포함한다. 여기서, 상기 저저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 생성층에 비해 더 높은 불순물 농도를 갖고, 상기 고저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 생성층에 비해 더 낮은 불순물 농도를 갖는다. 상기 V-피트 생성층 상에 저저항 질화물 반도체층 및 고저항 질화물 반도체층을 형성함으로써, 실전위를 통한 전류 누설을 방지할 수 있다. 더욱이, 상기 V-피트 생성층, 저저항 질화물 반도체층 및 고저항 질화물 반도체층을 모두 질화물계의 반도체층으로 인-시투로 성할 수 있다.
상기 V-피트 생성층은 상기 n형 콘택층에 비해 더 낮은 성장 온도 및/또는 더 높은 성장 압력하에서 성장될 수 있다. 예를 들어, 상기 n형 콘택층은 1050~1100℃ 범위 내의 온도에서 성장되고, 상기 V-피트 생성층은 900~1050℃ 범위 내의 온도에서 성장될 수 있다. 또한, 상기 n형 콘택층은 150~200 Torr의 성장압력에서 성장될 수 있으며, 상기 V-피트 생성층은 300~500 Torr의 성장압력에서 성장될 수 있다.
또한, 상기 V-피트 생성층을 형성하기 위해 V-피트 생성층 성장 전 또는 성장 중에 In을 함유시킬 수 있다. 질화갈륨과 같은 질화물 반도체층을 성장하는 동안 TMIn과 같은 In 소스 가스를 흘려주면, Ga이나 N보다 상대적으로 큰 In이 실전위에 위치하여 V-피트 생성을 돕는다.
또한, 상기 V-피트 생성층은 웨이퍼 캐리어 회전 속도를 조절하여 형성할 수도 있다. 구체적으로, 상기 V-피트 생성층은 상기 n형 콘택층을 성장하는 동안의 웨이퍼 캐리어의 회전 속도보다 느린 웨이퍼 캐리어 회전 속도에서 성장될 수 있다.
상기 고저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 생성층과 동일하거나 더 두껍게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 고저항 질화물 반도체층이 상기 V-피트를 충분히 메울 수 있으며 또한 평탄한 상부면을 가질 수 있다.
한편, 상기 질화물 반도체 소자 제조 방법은, 상기 활성층을 형성하기 전에 상기 고저항 질화물 반도체층 상에 전류를 분산시키기 위한 질화물계의 전류 분산층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다. 상기 전류 분산층은 불순물 도핑에 의해 비저항이 낮은 질화물계 반도체층 또는 2차원 전자 가스(2DEG)층을 형성하기 위한 질화물계 반도체층 또는 초격자 구조의 질화물계 반도체층으로 형성될 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 p형 반도체층은 내부에 SiN 나노 입자들을 포함할 수 있다. 상기 SiN 나노 입자들은 p형 반도체층과 함께 인-시투로 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, V-피트 생성층 상에 저저항 질화물계 반도체층 및 고저항 질화물계 반도체층을 형성함으로써 실전위를 통한 전류 흐름을 억제할 수 있으며, 이에 따라 정전 방전 특성이 향상된 질화물 반도체 소자를 제공할 수 있다. 더욱이, 질화물 반도체의 성장 온도를 조절하여 V-피트를 갖는 질화물 반도체층 및 V-피트를 메우는 질화물 반도체층을 성장시킴으로써 인-시투 공정에 의해 반도체층들을 연속적으로 성장시킬 수 있다. 나아가, p형 콘택층 내부에 SiN 나노 입자들을 형성함으로써 실전위의 전사를 차단할 수 있으며 또한 광을 산란시킬 수 있어 발광 효율을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도 1의 부분 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 부분 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 그리고, 도면에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도 1의 부분 확대 단면도이다. 여기서는 반도체 소자의 일 예로서 질화물 발광 다이오드를 설명한다.
도 1을 참조하면, 상기 발광 다이오드는 기판(21), 버퍼층(23), n형 콘택층(25), V-피트 생성층(27), 저저항 질화물 반도체층(28), 고저항 질화물 반도체층(29), 전류 분산층(31), 초격자층(33), 활성층(35), p형 콘택층(39), 투명 전극(41), 제1 전극(43) 및 제2 전극(45)을 포함할 수 있다.
상기 기판(21)은 질화갈륨계 반도체층을 성장시키기 위한 기판으로, 사파이어, SiC, Si, 스피넬 등 특별히 제한되지 않는다. 상기 기판(21)은 그 위에 성장될 반도체층과 격자 부정합하는 이종 기판이다.
상기 버퍼층(23)은 통상 저온 버퍼층(핵층) 및 고온 버퍼층을 포함한다. 상기 저온 버퍼층은 기판(21) 상에 400~600℃의 저온에서 (Al, Ga)N로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 GaN 또는 AlN로 형성된다. 상기 저온 버퍼층은 약 25nm의 두께로 형성될 수 있다. 고온 버퍼층은 기판(21)과 하부 n형 반도체층(25) 사이에서 전위와 같은 결함발생을 완화하기 위한 층으로, 상대적으로 고온에서 성장된다. 상기 고온 버퍼층은 예컨대, 언도프트 GaN 또는 n형 불순물이 도핑된 GaN로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(23)을 형성하는 동안, 기판(21)과 버퍼층(23) 사이의 격자 부정합에 의해 실전위(D)가 발생한다.
상기 n형 콘택층(25)은 n형 불순물이 도핑된 질화물계 반도체층, 예컨대 Si이 도핑된 질화갈륨계 반도체층으로 형성된다. 상기 n형 콘택층(25)은 GaN층을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 n형 콘택층(25)에 도핑되는 Si 도핑농도는 5×1017/㎤ ~5×1019/㎤ 범위 내일 수 있다. 상기 n형 콘택층(25) MOCVD 기술을 사용하여 챔버 내로 금속 소스 가스를 공급하여 예컨대 1000℃~1200℃, 바람직하게는 1050℃~1100℃에서 예컨대 150~200 Torr의 성장 압력하에서 성장될 수 있다.
상기 n형 콘택층(25)은 버퍼층(23) 상에 연속적으로 형성될 수 있으며, 버퍼층(23) 내에 형성된 실전위(D)는 n형 콘택층(25)으로 전사된다.
상기 n형 콘택층(25) 상에 V-피트 생성층(27)이 위치한다. 상기 V-피트 생성층(27)의 V-피트 하단이 n형 콘택층(25) 상에 위치할 수도 있다. V-피트 생성층(27)은 질화갈륨계 반도체층, 예컨대 n-GaN으로 성장될 수 있으며, 약 100~500nm의 두께로 형성될 수 있다. V-피트 생성층(27)은 n형 콘택층(25)보다 낮은 상정 온도 및/또는 높은 성장 압력하에서 성장될 수 있다. 예컨대, 상기 V-피트 생성층(27)은 850℃ 내지 1050℃, 바람직하게는 900℃~1050℃의 온도 범위에서 성장되며, 따라서 상대적으로 평평한 상부면으로 둘러싸인 V-피트(V)가 형성될 수 있다. 상기 V-피트 생성층(27)의 성장 온도는 소스 유량, 챔버 내 압력에 따라 달라질 수 있다. 또한, 상기 V-피트 생성층(27)은 300~500 Torr의 성장 압력하에서 성장될 수 있다. 상대적으로 낮은 온도 또는 상대적으로 높은 압력에서 질화물 반도체층을 성장시킬 경우, 수평 방향 성장에 비해 수직 방향 성장 속도가 빠르게 되고, 이에 따라 실전위(D)가 전사되는 경로 상에 V-피트(V)가 형성된다.
또한, 상기 V-피트 생성층(27)은 MOCVD 챔버 내의 웨이퍼 캐리어의 회전속도를 조절하여 성장될 수도 있다. 예를 들어, V-피트 생성층(27)은 n형 콘택층(25)의 성장 조건에 비해 상대적으로 느린 웨이퍼 캐리어 회전 속도 조건에서 성장될 수 있으며, 예컨대 500~1000rpm의 회전 속도 하에서 쉽게 성장될 수 있다.
나아가, V-피트 생성층(27)을 형성하기 전 또는 형성하는 동안, In을 함유시킴으로써 V-피트를 용이하게 형성할 수 있다. In은 Ga이나 N보다 크며, 실전위의 경로 상에 위치하여 V-피트 생성을 돕는다. In은 TMIn과 같은 In 소스 가스를 챔버 내에 흘려 줌으로써 쉽게 함유될 수 있다.
V-피트 생성층(27) 상에 저저항 질화물 반도체층(28)이 위치한다. 상기 저저항 질화물 반도체층(28)은 V-피트 생성층(27)보다 높은 불순물 농도를 가질 수 있으며, 이에 따라 상대적으로 낮은 비저항을 갖는다. 저저항 질화물 반도체층(28)은 예를 들어 GaN층으로 약 50~200nm의 두께로 형성될 수 있으며, 1E19~4E19/㎤의 Si 불순물 도핑 농도를 가질 수 있다. 또한, 상기 저저항 질화물 반도체층(28)은 수직 저항보다 수평저항을 낮추기 위해 초격자 구조로 형성될 수도 있다.
상기 저저항 질화물 반도체층(28)은 V-피트 내부에서보다 V-피트 외부에서 더 두껍게 형성된다. V-피트 내부와 V-피트 외부에서의 두께 차이가 클수록 실전위를 통한 전류를 방지할 수 있다. 저저항 질화물 반도체층(28)은 고농도로 도핑되기 때문에, 두께가 두꺼우면 결정품질이 저하된다. 따라서, 저저항 질화물 반도체층(28)은 V-피트 외부에서 V-피트 생성층(27)보다 얇게 형성된다.
상기 저저항 질화물 반도체층(28) 상에 고저항 질화물 반도체층(29)이 위치한다. 상기 고저항 질화물 반도체층(29)은 V-피트 생성층(27)의 V-피트(V)를 메우며 V-피트 생성층(27)의 상부를 덮는다. V-피트(V) 내부의 고저항 질화물 반도체층(29)의 두께는 V-피트 생성층(27)의 상부면 상의 고저항 질화물 반도체층(29)의 두께보다 두껍다. 또한 상기 고저항 질화물 반도체층(29)은 V-피트 생성층(27)에 비해 상대적으로 높은 비저항을 갖는다. 예컨대, 상기 고저항 질화물 반도체층(29)은 V-피트 생성층(27)에 비해 낮은 불순물 농도를 갖는다. 고저항 질화물 반도체층(29)은 V-피트 생성층(27)에 비해 낮은 농도의 n형 불순물이 도핑된 층이거나 또는 의도적인 불순물 도핑 없이 형성된 언도프트층일 수 있다.
상기 고저항 질화물 반도체층(29)은 상대적으로 높은 온도, 예컨대 1000℃~1200℃에서 V-피트 생성층(27)과 동일하거나 그보다 두껍게 약 100~500nm의 두께로 성장될 수 있다. 1000℃ 이상의 고온에서 상대적으로 두껍게 성장됨에 따라, 고저항 질화물 반도체층(29)은 수평 방향의 성장이 우세하여 V-피트(V)를 메우며 상대적으로 평탄한 표면을 갖는다. 상기 고저항 질화물 반도체층(29)은 V-피트 생성층(27)과 동일 조성의 질화갈륨계 반도체층, 예컨대 GaN으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 질화물 반도체층으로 형성될 수도 있다.
상기 고저항 질화물 반도체층(29) 상에 전류 분산층(31)이 위치할 수 있다. 전류 분산층(31)은 수평 방향으로 전류를 분산시키기 위한 층으로서, 예컨대 불순물이 고농도로 도핑된 질화물 반도체층 또는 2차원 전가 가스(2DEG)층 또는 초격자층으로 형성될 수 있다. 전류 분산층(31)은 예컨대 10~200nm의 두께로 형성될 수 있으며, 불순물이 고농도로 도핑된 질화물 반도체층의 경우, 1E19~4E19/㎤ 범위 내의 Si 불순물이 도핑될 수 있다. 전류 분산층(31)이 200nm를 초과할 경우, 광 출력이 급격히 저하된다. 한편, 상기 전류 분산층(31) 상에 양호한 결정품질의 활성층을 성장을 돕기 위해 초격자층(33)이 형성될 수 있다.
한편, 활성층(35)은 상기 고저항 질화물 반도체층(29) 상부에 위치한다. 활성층(35)은 단일 양자우물구조 또는 장벽층과 양자우물층이 교대로 적층된 다중양자우물 구조를 가질 수 있다. 상기 장벽층은 양자우물층에 비해 밴드갭이 넓은 질화갈륨계 반도체층, 예컨대, GaN, InGaN, AlGaN 또는 AlInGaN로 형성될 수 있다. 양자우물층은 질화갈륨계 반도체층, 예컨대 InGaN으로 형성될 수 있으며, In 조성비는 원하는 광 파장에 의해 결정된다. 활성층(35)은 고저항 질화물 반도체층(29)에 접할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 활성층(35)과 고저항 질화물 반도체층(29) 사이에 전류 분산층(31) 및/또는 초격자층(33)이 개재될 수 있다.
상기 활성층(33)의 장벽층 및 양자우물층은 활성층의 결정 품질을 향상시키기 위해 불순물이 도핑되지 않은 언도프트층으로 형성될 수 있으나, 순방향 전압을 낮추기 위해 일부 또는 전체 활성 영역 내에 불순물이 도핑될 수도 있다.
상기 활성층(35) 상에 p형 콘택층(39)이 위치한다. p형 콘택층(39)은 Mg과 같은 p형 불순물이 도핑된 질화물계 반도체층, 예컨대 GaN으로 형성된다. 상기 p형 콘택층(39)은 단일층 또는 다중층일 수 있으며, 도 3을 참조하여 뒤에서 설명하는 바와 같이, SiN 나노 입자들을 포함할 수 있다. 한편, 상기 활성층(35)과 p형 콘택층(39) 사이에 전자 블록층(37)이 위치할 수 있다.
상기 p형 콘택층(39) 상에 ITO와 같은 투명 전극(41)이 위치할 수 있다. 한편, 상기 p형 콘택층(39), 활성층(35)을 부분적으로 제거하여 노출된 n층 부분에 n-전극(43)이 형성되고, 상기 투명 전극(41) 상에 p-전극(45)이 형성되어 발광 다이오드가 완성된다. 상기 n-전극(43)은 n형 콘택층(25)에 직접 접촉할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 실시예에 따르면, V-피트(V)를 갖는 V-피트 생성층(27)을 형성하고, V-피트 생성층(27) 상에 저저항 질화물 반도체층(28) 및 고저항 질화물 반도체층(29)을 형성함으로써, 수직 방향으로의 저항이 V-피트 외부에 비해 V-피트(V) 내부에서 상대적으로 높아지고, 따라서 실전위를 통한 전류 흐름을 억제할 수 있어 정전 방전 특성을 개선할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, V-피트 생성층(27), 저저항 질화물 반도체층(28) 및 고저항 질화물 반도체층(29)을 모두 질화물계 반도체층으로 성장할 수 있어, 인-시투 공정으로 성장시킬 수 있으며, 따라서 공정을 단순화할 수 있다.
한편, n형 콘택층(25) 상에 상기 V-피트 생성층(27), 저저항 질화물 반도체층(28) 및 고저항 질화물 반도체층(29)을 추가한 발광 다이오드의 경우, 정전 방전후의 누설 전류 불량률을 약 56%에서 약 9%로 낮출 수 있었다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 부분 확대 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 소자는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 반도체 소자와 대체로 유사하나, p형 콘택층(39)이 SiN 나노 입자들(40a, 40b)을 포함하는 것에 차이가 있다.
상기 SiN 나노 입자들(40a, 40b)은 MOCVD 챔버 내에서 Si 소스 가스 및 N 소스 가스를 이용하여 형성할 수 있으며, 따라서 p형 콘택층(39)을 형성하는 동안 인-시투로 형성될 수 있어 공정이 복잡해지는 것을 방지할 수 있다.
SiN 나노 입자들(40a, 40b)은 실전위 상에 쉽게 형성될 수 있으며, 따라서 실전위가 전사되는 것을 차단할 수 있다. 나아가, SiN 나노 입자들(40a, 40b)은 활성층(35)에서 생성된 광을 산란시킴으로써 광 추출 효율을 개선시킨다.
상기 SiN 나노 입자들(40a, 40b)은 단일 레벨에 위치할 수 있으며, 도 3에 도시한 바와 같이 이중 레벨에 위치할 수 있다.
예를 들어, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 p형 콘택층(39)은 하부 p형 질화물계 반도체층(39a), 상부 p형 질화물계 반도체층(39c) 및 상기 하부 p형 질화물계 반도체층(39a)과 상기 상부 p형 질화물계 반도체층(39c) 사이에 위치하는 중부 p형 질화물계 반도체층(39b)을 포함할 수 있다. 여기서, 하부 SiN 나노 입자들(40a)은 상기 하부 p형 질화물계 반도체층(39a) 상에 위치할 수 있으며, 상부 SiN 나노 입자들(40b)은 중부 p형 질화물계 반도체층(39b) 상에 위치할 수 있다. 이와 유사한 방식으로, 더 많은 레벨에 SiN 나노 입자들이 위치할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 소자로서 수직형 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 소자는 도 1 및 도 2 또는 도 3을 참조하여 설명한 반도체 소자와 유사하게, n형 콘택층(25), V-피트 생성층(27), 저저항 질화물 반도체층(28), 고저항 질화물 반도체층(29), 전류 분산층(31), 초격자층(33), 활성층(35) 및 p형 콘택층(39)을 포함할 수 있으며, 이들 구성요소에 대해서는 중복을 피하기 위해 상세한 설명은 생략한다.
한편, 본 실시예에 따른 반도체 소자는 반사 금속층(47), 장벽 금속층(49), 기판(51), 본딩 금속층(53) 및 n-전극(55)을 포함할 수 있다.
기판(51)은 반도체층을 성장하기 위한 성장 기판과 구별되는 것으로 p형 콘택층(39) 상에 형성된 지지 기판이다. 기판(51)은 본딩 금속층(53)을 통해 p형 콘택층(39)에 본딩될 수 있다.
한편, 기판(51)과 p형 콘택층(39) 사이에 반사 금속층(47) 및 장벽 금속층(49)이 위치할 수 있다. 반사 금속층(47)은 활성층(35)에서 기판(51) 측으로 진행하는 광을 반사시켜 발광 효율을 향상시키며, 장벽 금속층(49)은 금속 원자의 확산을 방지하여 반사 금속층(47)을 보호한다. 상기 반사 금속층(47) 및 장벽 금속층(49)은 p-전극으로 사용될 수 있다.
한편, n형 콘택층(25)의 표면이 노출될 수 있으며, 표면에 거칠어진 면(R)이 형성될 수 있다. 또한, n형 콘택층(25) 상에 n-전극(55)이 형성될 수 있다.
앞에서 수평형 발광 다이오드 및 수직형 발광 다이오드를 예를 들어 설명하였지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않으며, 플립칩형 발광 다이오드 등 다양한 구조의 발광 다이오드에 적용될 수 있다.
또한, 앞의 실시예들은 발광 다이오드를 예로 설명하였으나, 본 발명의 사상은 발광 다이오드에 한정되는 것은 아니며, HBT나 HEMT와 같이 질화물 반도체를 채택하는 다양한 소자에서 정전 방전 특성을 개선하기 위해 채택될 수 있다. 특히, 이들 반도체 소자는 V-피트 및 상기 V-피트를 둘러싸는 상부면을 갖는 질화물계의 V-피트 생성층(27), 상기 V-피트 생성층(27)을 덮되, 상기 V-피트 내부에서보다 상기 V-피트를 둘러싸는 상부면 상에서 더 큰 두께를 갖는 저저항 질화물 반도체층(28), 및 상기 저저항 질화물 반도체층(28) 상에 위치하며 상기 V-피트를 메우는 고저항 질화물 반도체층(29)을 포함한다.

Claims (21)

  1. 질화물계의 n형 콘택층;
    상기 n형 콘택층 상에 위치하며, V-피트 및 상기 V-피트를 둘러싸는 상부면을 갖는 질화물계의 V-피트 생성층;
    상기 V-피트 생성층을 덮되, 상기 V-피트 내부에서보다 상기 V-피트를 둘러싸는 상부면 상에서 더 큰 두께를 갖는 저저항 질화물 반도체층;
    상기 저저항 질화물 반도체층 상에 위치하며 상기 V-피트를 메우는 고저항 질화물 반도체층;
    상기 고저항 질화물 반도체층 상에 위치하는 질화물계의 p형 콘택층; 및
    상기 고저항 질화물 반도체층과 상기 p형 콘택층 사이에 위치하는 활성층을 포함하고,
    상기 저저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 생성층보다 더 높은 불순물 농도를 갖고, 상기 고저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 생성층보다 더 낮은 불순물 농도를 갖는 질화물 반도체 소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 고저항 질화물 반도체층과 상기 활성층 사이에 위치하며, 전류를 분산사키기 위한 질화물계의 전류 분산층을 더 포함하는 질화물 반도체 소자.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 전류 분산층은 1E19~4E19/㎤의 범위 내의 Si 도핑 농도를 갖는 질화물계 반도체층, 또는 2DEG를 형성하기 위한 질화물계 반도체층 또는 초격자 구조의 질화물계 반도체층인 질화물 반도체 소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 저저항 질화물 반도체층은 1E19~4E19/㎤의 범위 내의 Si 도핑 농도를 갖는 질화물 반도체 소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 고저항 질화물 반도체층은 의도적으로 불순물을 도핑하지 않은 언도프트 질화물로 형성된 질화물 반도체 소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 p형 콘택층은 내부에 SiN 나노 입자들을 포함하는 질화물 반도체 소자.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 p형 콘택층은 하부 p형 질화물계 반도체층, 상부 p형 질화물계 반도체층 및 상기 하부 p형 질화물계 반도체층과 상기 상부 p형 질화물계 반도체층 사이에 위치하는 중부 p형 질화물계 반도체층을 포함하고,
    상기 SiN 나노 입자들은 상기 하부 p형 질화물계 반도체층 상에 위치하는 하부 나노 입자들, 및 상기 중부 p형 질화물계 반도체층 상에 위치하는 상부 나노 입자들을 포함하는 질화물 반도체 소자.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 V-피트의 하단은 상기 n형 콘택층 상면에 위치하는 질화물 반도체 소자.
  9. 청구항 1에 있어서,
    기판을 더 포함하되,
    상기 기판은 상기 n형 콘택층 아래에 위치하는 질화물 반도체 소자.
  10. 청구항 1에 있어서,
    기판을 더 포함하되, 상기 기판은 상기 p형 콘택층 상부에 위치하는 질화물 반도체 소자.
  11. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
    상기 n형 콘택층에 직접 전기적으로 접속된 n-전극을 더 포함하는 질화물 반도체 소자.
  12. 기판 상에 질화물계의 n형 콘택층을 형성하고,
    상기 n형 콘택층 상에 V-피트 및 상기 V-피트를 둘러싸는 상부면을 갖는 질화물계의 V-피트 생성층을 형성하고,
    상기 V-피트 생성층 상에 저저항 질화물 반도체층을 형성하되, 상기 저저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 내부에서보다 상기 V-피트를 둘러싸는 상부면 상에서 더 큰 두께를 갖고,
    상기 V-피트를 메우는 고저항 질화물 반도체층을 형성하고,
    상기 고저항 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하고,
    상기 활성층 상에 질화물계의 p형 콘택층을 형성하는 것을 포함하되,
    상기 저저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 생성층에 비해 더 높은 불순물 농도를 갖고, 상기 고저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 생성층에 비해 더 낮은 불순물 농도를 갖는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 V-피트 생성층은 상기 n형 콘택층에 비해 더 낮은 성장 온도 및/또는 더 높은 성장 압력하에서 성장되는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 n형 콘택층은 1050~1100℃ 범위 내의 온도에서 성장되고, 상기 V-피트 생성층은 900~1050℃ 범위 내의 온도에서 성장되는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  15. 청구항 12에 있어서,
    상기 V-피트 생성층을 형성하기 위해 V-피트 생성층 성장 전 또는 성장 중에 In을 함유시키는 것을 더 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  16. 청구항 12에 있어서, 상기 V-피트 생성층은 상기 n형 콘택층을 성장하는 동안의 웨이퍼 캐리어의 회전 속도보다 느린 웨이퍼 캐리어 회전 속도에서 성장되는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  17. 청구항 12에 있어서,
    상기 고저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 생성층과 동일하거나 더 두껍게 형성되는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  18. 청구항 12에 있어서,
    상기 활성층을 형성하기 전에 상기 고저항 질화물 반도체층 상에 전류를 분산시키기 위한 질화물계의 전류 분산층을 형성하는 것을 더 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  19. 청구항 12에 있어서,
    상기 p형 반도체층은 내부에 SiN 나노 입자들을 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  20. 청구항 19에 있어서, 상기 SiN 나노 입자들은 p형 반도체층과 함께 인-시투로 형성되는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  21. V-피트 및 상기 V-피트를 둘러싸는 상부면을 갖는 질화물계의 V-피트 생성층;
    상기 V-피트 생성층을 덮되, 상기 V-피트 내부에서보다 상기 V-피트를 둘러싸는 상부면 상에서 더 큰 두께를 갖는 저저항 질화물 반도체층; 및
    상기 저저항 질화물 반도체층 상에 위치하며 상기 V-피트를 메우는 고저항 질화물 반도체층을 포함하고,
    상기 저저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 생성층보다 더 높은 불순물 농도를 갖고, 상기 고저항 질화물 반도체층은 상기 V-피트 생성층보다 더 낮은 불순물 농도를 갖는 질화물 반도체 소자.
KR20130036840A 2013-04-04 2013-04-04 개선된 정전 방전 특성을 갖는 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 KR20140120681A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130036840A KR20140120681A (ko) 2013-04-04 2013-04-04 개선된 정전 방전 특성을 갖는 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130036840A KR20140120681A (ko) 2013-04-04 2013-04-04 개선된 정전 방전 특성을 갖는 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140120681A true KR20140120681A (ko) 2014-10-14

Family

ID=51992500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130036840A KR20140120681A (ko) 2013-04-04 2013-04-04 개선된 정전 방전 특성을 갖는 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140120681A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160109572A (ko) * 2015-03-12 2016-09-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지
WO2016163595A1 (ko) * 2015-04-08 2016-10-13 한국광기술원 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20160129315A (ko) * 2015-04-30 2016-11-09 한국광기술원 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2023149784A1 (ko) * 2022-02-07 2023-08-10 서울바이오시스주식회사 개선된 정공 주입 구조체를 갖는 발광 다이오드
CN117153974A (zh) * 2023-10-26 2023-12-01 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、led

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160109572A (ko) * 2015-03-12 2016-09-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지
WO2016163595A1 (ko) * 2015-04-08 2016-10-13 한국광기술원 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US20180069153A1 (en) * 2015-04-08 2018-03-08 Korea Photonics Technology Institute Nitride semiconductor light-emitting device, and method for manufacturing same
CN107873109A (zh) * 2015-04-08 2018-04-03 韩国光技术院 氮化物系半导体发光元件及其制造方法
JP2018510514A (ja) * 2015-04-08 2018-04-12 コリア フォトニクス テクノロジー インスティテュート 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
US10662511B2 (en) 2015-04-08 2020-05-26 Korea Photonics Technology Institute Nitride semiconductor light-emitting device, and method for manufacturing same
KR20160129315A (ko) * 2015-04-30 2016-11-09 한국광기술원 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2023149784A1 (ko) * 2022-02-07 2023-08-10 서울바이오시스주식회사 개선된 정공 주입 구조체를 갖는 발광 다이오드
CN117153974A (zh) * 2023-10-26 2023-12-01 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、led
CN117153974B (zh) * 2023-10-26 2024-02-20 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、led

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9190567B2 (en) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
KR101007136B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
KR101007087B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
CN111063777A (zh) 半导体装置
US20090085054A1 (en) III-Nitride Semiconductor Light Emitting Device
US20090085057A1 (en) III-Nitride Semiconductor Light Emitting Device
JP2010538491A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
KR20130042784A (ko) 질화물 반도체 발광소자
KR20140120681A (ko) 개선된 정전 방전 특성을 갖는 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR20130061306A (ko) 개선된 정전 방전 특성을 갖는 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR100700529B1 (ko) 전류 확산층을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR20120004214A (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR20150120267A (ko) 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR20150048337A (ko) 근자외선 발광 소자
KR102131697B1 (ko) 정전기 방전 특성이 향상된 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR20180079031A (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자
KR20130063378A (ko) 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR20130071142A (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법
US10662511B2 (en) Nitride semiconductor light-emitting device, and method for manufacturing same
KR102237123B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR20170093614A (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR101678524B1 (ko) 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR102315594B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR102224109B1 (ko) 발광소자, 발광소자 제조방법 및 조명시스템
KR102237120B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination