KR20140107276A - 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판 및 그 제조방법 - Google Patents

내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140107276A
KR20140107276A KR20147016665A KR20147016665A KR20140107276A KR 20140107276 A KR20140107276 A KR 20140107276A KR 20147016665 A KR20147016665 A KR 20147016665A KR 20147016665 A KR20147016665 A KR 20147016665A KR 20140107276 A KR20140107276 A KR 20140107276A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mass
copper alloy
based copper
abrasion resistance
alloy sheet
Prior art date
Application number
KR20147016665A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101803797B1 (ko
Inventor
준이치 쿠마가이
요시오 아베
아키라 사이토
슈조 우메즈
료 이이노
Original Assignee
미츠비시 신도 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미츠비시 신도 가부시키가이샤 filed Critical 미츠비시 신도 가부시키가이샤
Publication of KR20140107276A publication Critical patent/KR20140107276A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101803797B1 publication Critical patent/KR101803797B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/08—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C22C9/04—Alloys based on copper with zinc as the next major constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026—Alloys based on copper

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

강도, 도전율을 유지하면서, 뛰어난 내금형 마모성 및 전단가공성을 가지며, 1.0~4.0질량%의 Ni, 0.2~0.9질량%의 Si를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어지며, 표면의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 1.5×106~5.0×106개/㎟이고, 표면의 입경 100nm를 넘는 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 0.5×105~4.0×105개/㎟이며, 표면으로부터의 두께가 전체 판두께의 20%인 표면층에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 a개/㎟, 상기 표면층보다 하방 부분에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 b개/㎟로 한 경우에, a/b가 0.5~1.5이며, 표면으로부터 10μm 미만의 두께 범위의 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도가 0.03~0.4질량%이다.

Description

내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판 및 그 제조방법{Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY SHEET HAVING HIGH DIE ABRASION RESISTANCE AND GOOD SHEAR PROCESSABILITY AND METHOD FOR PRODUCING SAME}
본 발명은, 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Cu-Ni-Si계 구리 합금은, 고강도, 고도전성, 뛰어난 굽힘 가공성 모두를 공유하는 것은 어렵지만, 일반적으로 뛰어난 각종 특성을 가지고 있으며, 저가이기도 하므로, 자동차의 전기 접속용 커넥터나 프린트 기판의 접속 단자 등의 도전 부재로서, 전기 접속 특성의 향상 등을 위하여, 표면에 도금 처리가 실시되어 많이 이용되고 있다. 최근에는, 고강도 및 고도전율은 물론, 노칭 후의 90˚ 굽힘 등 엄격한 굽힘 가공성도 요구되고 있다.
또, 최근 자동차의 엔진 주변에 사용되는 전기 접속용 커넥터는, 고온 환경 하에서의 접촉 신뢰성을 확보하기 위하여, 접촉 압력이 시간과 함께 저하되는 열화 현상에 대한 내구성(내응력 완화성 혹은 열크리프성)이 뛰어난 것도 요구된다.
또, 자동차의 전기 접속용 커넥터나 프린트 기판의 접속 단자 등의 도전 부재는, 구리 혹은 구리 합금을 프레스 가공하여 제조되는 경우가 많고, 프레스 금형에는 다이스강이나 하이스강 등의 철강 재료가 사용되고 있다. Cu-Ni-Si계 구리 합금 등의 시효 경화형 구리기 합금의 대부분은, 활성 원소를 함유하고 있으며, 일반적으로 사용되는 인청동에 비해, 프레스 금형을 현저히 마모시키는 경향이 있다. 프레스 금형이 마모되면, 피가공재의 절단면에 버나 늘어짐이 발생하여, 가공 형상의 악화를 초래하여, 제조 코스트도 상승하므로, 내금형 마모성 및 전단가공성(프레스 펀칭성)이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금도 요구되고 있다.
이들 문제점을 해결하기 위하여, 특허문헌 1에서는, (1) 조성: 산화물의 표준 생성 자유에너지가, 상온에서 -50kJ/mol 이하인 원소를 필수 첨가 원소로 하고, 그 함유량이 0.1~5.0mass%이며, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물이고, (2) 층 구조: 두께 0.05~2.00μm의 Cu층을 가지고, Cu층과 구리기 합금의 계면으로부터 내측 1μm 지점에서의 압축 잔류 응력이 50N/㎟ 이하인, 프레스 가공성이 뛰어난 구리 합금이 개시되어 있다.
특허문헌 2에서는, Cu-Ni-Si계 구리 합금으로 이루어지는 구리 합금 압연판을 마무리 냉간압연할 때에, 최종 용체화 처리 전에 95% 이상의 가공률로 마무리 냉간압연하고, 상기 최종 용체화 처리 후에 20% 이하의 가공률로 마무리 냉간압연한 후, 시효처리를 실시하며, 이 구리 합금판의 평균 결정립경이 10μm 이하임과 함께, 이 구리 합금판이, SEM-EBSP법에 의한 측정 결과로, Cube 방위{001}<100>의 비율이 50% 이상인 집합 조직을 가지고, 또한, 이 구리 합금판조직이 300배의 광학 현미경에 의한 조직 관찰에 의하여 관찰할 수 있는 층형상 경계를 갖지 않는, 700MPa 이상의 인장강도를 가지는 고강도를 가짐과 함께, 양호한 굽힘 가공성을 가지며, 또한 도전율도 높은 콜슨계 구리 합금판이 개시되어 있다.
특허문헌 3에는, 산화물의 표준 생성 자유에너지가, 25℃에서 -42kJ/mol 이하인 원소를 0.1~5.0mass% 함유하는 구리기 합금기재에, S 이외의 성분 합계≤500ppm, 0.5≤S≤50ppm, 순도 Cu≥99.90%, 두께: 0.05~2.0μm의 Cu층을 피착한 금형 마모를 억제하여, 프레스 펀칭성이 뛰어난 전자 부품용 소재가 개시되어 있다.
특허문헌 4에는, 0.7~4.0질량%의 Ni와 0.2~1.5질량%의 Si를 포함하고, 잔부가 Cu 및 불가피 불순물인 조성을 가지는 구리 합금 판재에 있어서, 판면에 있어서의 {200} 결정면의 X선 회절 강도를 I{200}으로 하고, 순동 표준 분말의 {200} 결정면의 X선 회절 강도를 I0{200}으로 하면, I{200}/I0{200}≥1.0을 충족하는 결정 배향을 가지고, 판면에 있어서의 {422} 결정면의 X선 회절 강도를 I{422}로 하면, I{200}/I{422}≥15를 충족하는 결정 배향을 가지는, 인장 강도 700MPa 이상의 고강도를 유지하면서, 이방성이 적고 또한 뛰어난 굽힘 가공성을 가짐과 함께, 뛰어난 내응력 완화 특성을 가지는 Cu-Ni-Si계 구리 합금 판재 및 그 제조방법이 개시되어 있다.
일본 특허공개공보 2005-213611호 일본 특허공개공보 2006-152392호 일본 특허공개공보 2006-274422호 일본 특허공개공보 2010-275622호
선행기술문헌에 개시되어 있는 Cu-Ni-Si계 구리 합금판은, 굽힘 가공성, 내응력 완화성, 혹은, 전단가공성이 개개로는 충분히 뛰어나지만, 인장강도, 도전율을 유지하면서, 뛰어난 내금형 마모성 및 전단가공성을 가지는 Cu-Ni-Si계 구리 합금에 대해서는, 충분한 검토가 이루어지고 있지 않았다.
이러한 사정을 감안하여, 본 발명에서는, 인장강도, 도전율을 유지하면서, 뛰어난 내금형 마모성 및 전단가공성을 가지는 자동차의 전기 접속용 커넥터나 프린트 기판의 접속 단자 등의 도전 부재로서의 사용에 적합한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 예의검토한 결과, 1.0~4.0질량%의 Ni, 0.2~0.9질량%의 Si를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어지며, 표면의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 1.5×106~5.0×106개/㎟이고, 표면의 입경 100nm를 넘는 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 0.5×105~4.0×105개/㎟이며, 표면으로부터의 두께가 전체 판두께의 20%인 표면층에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 a개/㎟, 상기 표면층보다 하방 부분에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 b개/㎟로 한 경우에, a/b가 0.5~1.5이며, 표면으로부터 10μm 미만의 두께 범위의 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도가 0.03~0.4질량%인 Cu-Ni-Si계 구리 합금판은, 인장강도, 도전율을 유지하면서, 뛰어난 내금형 마모성 및 전단가공성을 가지는 것을 발견하였다.
즉, 본 발명의 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판은, 1.0~4.0질량%의 Ni, 0.2~0.9질량%의 Si를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어지며, 표면의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 1.5×106~5.0×106개/㎟이고, 표면의 입경 100nm를 넘는 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 0.5×105~4.0×105개/㎟이며, 표면으로부터의 두께가 전체 판두께의 20%인 표면층에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 a개/㎟, 상기 표면층보다 하방 부분에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 b개/㎟로 한 경우에, a/b가 0.5~1.5이며, 표면으로부터 10μm 미만의 두께 범위의 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도가 0.03~0.4질량%인 것을 특징으로 한다.
Ni 및 Si는, 적절한 열처리를 행함으로써, Ni2Si를 주로 하는 금속간 화합물의 미세한 입자를 형성한다. 그 결과, 합금의 강도가 현저히 증가하고, 동시에 전기 전도성도 상승한다.
Ni는 1.0~4.0질량%의 범위로 첨가한다. Ni가 1.0질량% 미만이면, 충분한 강도가 얻어지지 않는다. Ni가 4.0질량%를 넘으면, 열간압연에서 균열이 발생한다.
Si는 0.2~0.9질량%의 범위로 첨가한다. Si가 0.2질량% 미만이면, 강도가 저하된다. Si가 4.0질량%를 넘으면, 강도에 기여하지 않을 뿐만 아니라, 과잉의 Si에 의하여 도전성이 저하된다.
표면의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 1.5×106~5.0×106개/㎟인 것에 의해, 강도를 유지할 수 있다.
그 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 1.5×106개/㎟ 미만, 혹은, 5.0×106개/㎟를 넘어도, 인장강도를 유지할 수 없다.
표면의 입경 100nm를 넘는 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 0.5×105~4.0×105개/㎟인 것에 의해, 도전율을 유지하면서 내금형 마모성을 향상시킬 수 있다.
그 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 0.5×105개/㎟ 미만, 혹은, 4.0×105개/㎟를 넘어도, 그 효과는 기대할 수 없고, 특히, 내금형 마모성이 나빠진다.
표면으로부터의 두께가 전체 판두께의 20%인 표면층에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 a개/㎟, 표면층보다 하방 부분에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 b개/㎟로 한 경우에, a/b가 0.5~1.5인 것에 의해, 내금형 마모성을 향상시킬 수 있다.
그 a/b가 0.5 미만, 혹은, 1.5를 넘어도, 내금형 마모성의 향상은 기대할 수 없다.
표면으로부터 10μm 미만의 두께 범위의 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도가 0.03~0.4질량%인 것에 의해, 전단가공성을 향상시킬 수 있다.
그 Si의 농도가 0.03질량% 미만, 혹은, 0.4질량%를 넘어도, 전단가공성의 향상은 기대할 수 없다.
또, 본 발명의 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판은, Sn을 0.2~0.8질량%, Zn을 0.3~1.5질량% 더욱 함유하는 것을 특징으로 한다.
Sn 및 Zn에는, 강도 및 내열성을 개선하는 작용이 있고, 또한 Sn에는 내응력 완화성의 개선 작용이, Zn에는 땜납 접합의 내열성을 개선하는 작용이 있다. Sn은 0.2~0.8질량%, Zn은 0.3~1.5질량%의 범위로 첨가한다. 이 범위를 하회하면 원하는 효과가 얻어지지 않고, 상회하면 도전성이 저하된다.
또, 본 발명의 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판은, Mg를 0.001~0.2질량% 더욱 함유하는 것을 특징으로 한다.
Mg에는 응력 완화 특성 및 열간 가공성을 개선하는 효과가 있지만, 0.001질량% 미만에서는 효과가 없고, 0.2질량%를 넘으면, 주조성(주물 표면 품질의 저하), 열간 가공성, 도금 내열 박리성이 저하된다.
또, 본 발명의 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판은, Fe: 0.007~0.25질량%, P: 0.001~0.2질량%, C: 0.0001~0.001질량%, Cr: 0.001~0.3질량%, Zr: 0.001~0.3질량%를 1종 또는 2종 이상을 더욱 함유하는 것을 특징으로 한다.
Fe에는, 열간압연성을 향상시키고(표면 균열이나 에지 균열의 발생을 억제), Ni와 Si의 석출 화합물을 미세화하여, 도금 가열 밀착성을 향상시키는 효과가 있지만, 그 함유량이 0.007% 미만에서는, 원하는 효과가 얻어지지 않고, 한편, 그 함유량이 0.25%를 넘으면, 열간압연성의 향상 효과가 포화되어, 도전성에도 악영향을 미치게 되기 때문에, 그 함유량을 0.007~0.25%로 정하였다.
P에는, 굽힘 가공에 의하여 일어나는 스프링성의 저하를 억제하는 효과가 있지만, 그 함유량이 0.001% 미만에서는 원하는 효과가 얻어지지 않고, 한편, 그 함유량이 0.2%를 넘으면, 땜납 내열 박리성을 현저히 손상시키게 되기 때문에, 그 함유량을 0.001~0.2%로 정하였다.
C에는, 프레스 펀칭 가공성을 향상시키고, 또한 Ni와 Si의 석출 화합물을 미세화시킴으로써 합금의 강도를 향상시키는 효과가 있지만, 그 함유량이 0.0001% 미만에서는 원하는 효과가 얻어지지 않고, 한편, 0.001%를 넘으면, 열간 가공성에 악영향을 주므로 바람직하지 않아, 그 함유량은 0.0001~0.001%로 정하였다.
Cr 및 Zr에는, C와의 친화력이 강하여 Cu합금 중에 C를 함유시키기 쉽게 하는 것 외에, Ni 및 Si의 석출 화합물을 더욱 미세화하여 합금의 강도를 향상시키고, 그 자체의 석출에 의하여 강도를 더욱 향상시키는 효과를 가지지만, 함유량이 0.001% 미만에서는, 합금의 강도 향상 효과가 얻어지지 않고, 0.3%를 넘으면, Cr 및/또는 Zr이 큰 석출물이 생성되어, 도금성이 나빠지고, 프레스 펀칭 가공성도 나빠지며, 또한 열간 가공성이 손상되므로 바람직하지 않아, 이들 함유량은 각각 0.001~0.3%로 정하였다.
본 발명의 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판의 제조방법은, 열간압연, 냉간압연, 용체화 처리, 시효처리, 최종 냉간압연, 변형 제거 소둔을 이 순서로 포함하는 공정으로 상기 Cu-Ni-Si계 구리 합금판을 제조할 때, 열간압연 최종 패스 종료 후의 냉각 개시 온도를 350~450℃에서 실시하고, 용체화 처리 전의 냉간압연을 1패스당 평균 압연율을 15~30%로 총압연율을 70% 이상으로 실시하며, 용체화 처리를 800~900℃에서 60~120초간 실시하고, 시효처리를 400~500℃에서 7~14시간으로 실시하는 것을 특징으로 한다.
열간압연 최종 패스 종료 후의 냉각 개시 온도를 350~450℃에서 실시함으로써, 조대 석출물 입자를 생성하고, 용체화 처리 전의 냉간압연을 1패스당 평균 압연율을 15~30%로 총압연율을 70% 이상으로 실시함으로써, 강압연에서 석출물 입자를 재고용되기 쉬운 상태로 하고, 용체화 처리를 800~900℃에서 60~120초간 실시함으로써, 조대 석출물 입자 이외의 석출물 입자를 가능한 한 고용시켜, (1) 표면의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 1.5×106~5.0×106개/㎟로 하고, (2) 표면의 입경 100nm를 넘는 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 0.5×105~4.0×105개/㎟로 하며, (3) 표면으로부터의 두께가 전체 판두께의 20%인 표면층에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 a개/㎟, 표면층보다 하방 부분에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 b개/㎟로 한 경우에, a/b가 0.5~1.5가 된다. 이로써, 인장강도, 도전율을 유지하면서, 뛰어난 내금형 마모성을 얻을 수 있다.
열간압연 최종 패스 종료 후의 냉각 개시 온도, 용체화 처리 전의 냉간압연을 1패스당 평균 압연율과 총압연율, 용체화 처리 중 어느 하나가 상술한 수치 범위를 벗어나도, 그 구리 합금 조직은, (1), (2), (3)의 모두를 충족할 수는 없다.
용체화 처리 전의 냉간압연이란, 냉간압연을 소둔처리 등을 통하여 복수회 행한 후에 용체화 처리를 행하는 경우에는, 그 용체화 처리 전의 최후의 냉간압연을 가리킨다.
또한, 시효처리를 400~500℃에서 7~14시간 실시함으로써, 표면으로부터 10μm 미만의 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도를 0.03~0.4질량%로 한다. 이로써, 뛰어난 전단가공성을 얻을 수 있다.
시효처리 조건이 상술한 범위 외이면, 표면으로부터 10μm 미만의 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도는, 상술한 범위 내에 들어가지 않는다.
본 발명에 의하여, 인장강도, 도전율을 유지하면서, 뛰어난 내금형 마모성 및 전단가공성을 가지는 Cu-Ni-Si계 구리 합금판 및 그 제조방법이 제공된다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.
[구리기 합금판의 성분조성]
(1) 본 발명의 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판은, 1.0~4.0질량%의 Ni, 0.2~0.9질량%의 Si를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어지는 조성을 가진다.
Ni 및 Si는, 적절한 열처리를 행함으로써, Ni2Si를 주로 하는 금속간 화합물의 미세한 입자를 형성한다. 그 결과, 합금의 강도가 현저히 증가하고, 동시에 전기 전도성도 상승한다.
Ni는 1.0~4.0질량%의 범위로 첨가한다. Ni가 1.0질량% 미만이면, 충분한 강도가 얻어지지 않는다. Ni가 4.0질량%를 넘으면, 열간압연에서 균열이 발생한다.
Si는 0.2~0.9질량%의 범위로 첨가한다. Si가 0.2질량% 미만이면 강도가 저하된다. Si가 4.0질량%를 넘으면, 강도에 기여하지 않을 뿐만 아니라, 과잉의 Si에 의하여 도전성이 저하된다.
(2) 또한, 본 발명의 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판은, 1.0~4.0질량%의 Ni, 0.2~0.9질량%의 Si, 0.2~0.8질량%의 Sn, 0.3~1.5질량%의 Zn을 함유한다.
Sn 및 Zn에는, 강도 및 내열성을 개선하는 작용이 있고, 또한 Sn에는 내응력 완화성의 개선 작용이, Zn에는 땜납 접합의 내열성을 개선하는 작용이 있다. Sn은 0.2~0.8질량%, Zn은 0.3~1.5질량%의 범위로 첨가한다. 이 범위를 하회하면 원하는 효과가 얻어지지 않고, 상회하면 도전성이 저하된다.
(3) 또한, 본 발명의 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판은, 1.0~4.0질량%의 Ni, 0.2~0.9질량%의 Si, 0.001~0.2질량%의 Mg를 함유하거나, 혹은, 1.0~4.0질량%의 Ni, 0.2~0.9질량%의 Si, 0.2~0.8질량%의 Sn, 0.3~1.5질량%의 Zn, 0.001~0.2질량%의 Mg를 함유한다.
Mg에는 응력 완화 특성 및 열간 가공성을 개선하는 효과가 있지만, 0.001질량% 미만에서는 효과가 없고, 0.2질량%를 넘으면 주조성(주물 표면 품질의 저하), 열간 가공성, 도금 내열 박리성이 저하된다.
또한, 본 발명의 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판은, (1) 혹은 (2) 혹은 (3)의 성분에 더하여, Fe: 0.007~0.25질량%, P: 0.001~0.2질량%, C: 0.0001~0.001질량%, Cr: 0.001~0.3질량%, Zr: 0.001~0.3질량%를 1종 또는 2종 이상을 함유한다.
Fe에는, 열간압연성을 향상시키고(표면 균열이나 에지 균열의 발생을 억제), Ni와 Si의 석출 화합물을 미세화하여, 도금 가열 밀착성을 향상시키는 효과가 있지만, 그 함유량이 0.007% 미만에서는, 원하는 효과가 얻어지지 않고, 한편, 그 함유량이 0.25%를 넘으면, 열간압연성의 향상 효과가 포화되어, 도전성에도 악영향을 미치게 되기 때문에, 그 함유량을 0.007~0.25%로 정하였다.
P에는, 굽힘 가공에 의하여 일어나는 스프링성의 저하를 억제하는 효과가 있지만, 그 함유량이 0.001% 미만에서는 원하는 효과가 얻어지지 않고, 한편, 그 함유량이 0.2%를 넘으면, 땜납 내열 박리성을 현저히 손상시키게 되기 때문에, 그 함유량을 0.001~0.2%로 정하였다.
C에는, 프레스 펀칭 가공성을 향상시키고, 또한 Ni와 Si의 석출 화합물을 미세화시킴으로써 합금의 강도를 향상시키는 효과가 있지만, 그 함유량이 0.0001% 미만에서는 원하는 효과가 얻어지지 않고, 한편, 0.001%를 넘으면, 열간 가공성에 악영향을 주므로 바람직하지 않아, 그 함유량은 0.0001~0.001%로 정하였다.
Cr 및 Zr에는, C와의 친화력이 강하여 Cu합금 중에 C를 함유시키기 쉽게 하는 것 외에, Ni 및 Si의 석출 화합물을 더욱 미세화하여 합금의 강도를 향상시키고, 그 자체의 석출에 의하여 강도를 더욱 향상시키는 효과를 가지지만, 함유량이 0.001% 미만에서는, 합금의 강도 향상 효과가 얻어지지 않고, 0.3%를 넘으면, Cr 및/또는 Zr이 큰 석출물이 생성되어, 도금성이 나빠지고, 프레스 펀칭 가공성도 나빠지며, 또한 열간 가공성이 손상되므로 바람직하지 않아, 이들 함유량은 각각 0.001~0.3%로 정하였다.
그리고, 본 발명의 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판은, 표면의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 1.5×106~5.0×106개/㎟이며, 표면의 입경 100nm를 넘는 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 0.5×105~4.0×105개/㎟이고, 표면으로부터의 두께가 전체 판두께의 20%인 표면층에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 a개/㎟, 표면층보다 하방 부분에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 b개/㎟로 한 경우에, a/b가 0.5~1.5이며, 표면으로부터 10μm 미만의 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도가 0.03~0.4질량%이다.
[Ni-Si 석출물 입자의 개수, Si 농도]
본 발명에서, 구리 합금판의 표면, 표면층, 표면층보다 하방 부분의 Ni-Si 석출물 입자의 개수/μm2는, 다음과 같이 하여 구하였다.
전처리로서, 10mm×10mm×0.3mm의 시료를 10% 황산에 10분간 침지한 후, 수세, 에어 블로우에 의하여 살수한 후에, 히타치하이테크놀로지즈사(Hitachi High-Technologies Corporation.)제 플랫밀링(이온밀링) 장치로, 가속 전압 5kV, 입사각 5˚, 조사 시간 1시간으로 표면 처리를 실시하였다.
다음으로, 히타치하이테크놀로지즈사제 전해 방사형 전자현미경 S-4800을 사용하여, 2만배로, 그 시료의 표면을 관찰하고, 100μm2 중의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수, 100μm2 중의 입경 100nm를 넘는 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 카운트하여, 개수/㎟로 환산하였다. 측정 개소를 변경하여 이 측정을 10회 실시하고, 그 평균치를 각각의 Ni-Si 석출물 입자의 개수로 하였다.
다음으로, 표면층(표면으로부터 두께 방향으로 판두께 전체의 20%까지의 깊이의 지점), 표면층보다 하방 부분을 관찰하고, 100μm2 중의 입경이 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 카운트하여, 개수/㎟로 환산하였다. 측정 개소를 변경하여 이 측정을 10회 실시하고, 그 평균치를 각각의 Ni-Si 석출물 입자의 개수로 하였다.
이들 결과로부터, 표면으로부터의 두께가 전체 판두께의 20%인 표면층에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 a개/㎟, 표면층보다 하방 부분에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 b개/㎟로 하여, 그 a/b를 구하였다.
본 발명에서, 표면으로부터 10μm 미만의 두께 범위의 결정 조직에 있어서, 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도는, 다음과 같이 하여 구하였다.
일본전자사(JEOL Ltd.)제 투과형 전자현미경 JEM-2010F를 사용하여, 5만배로, 그 시료의 압연 방향 수직 단면의 표면으로부터 깊이 8μm의 지점의 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도를 관찰하였다. 측정 개소를 변경하여 이 측정을 10회 실시하여, 그 평균치를 Si의 농도로 하였다.
[구리기 합금판의 제조방법]
본 발명의 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판의 제조방법은, 열간압연, 냉간압연, 용체화 처리, 시효처리, 최종 냉간압연, 변형 제거 소둔을 이 순서로 포함하는 공정으로 상기 Cu-Ni-Si계 구리 합금판을 제조할 때, 열간압연 최종 패스 종료 후의 냉각 개시 온도를 350~450℃에서 실시하고, 용체화 처리 전의 냉간압연을 1패스당 평균 압연율을 15~30%로 총압연율을 70% 이상으로 실시하며, 용체화 처리를 800~900℃에서 60~120초간 실시하고, 시효처리를 400~500℃에서 7~14시간으로 실시한다.
열간압연 최종 패스 종료 후의 냉각 개시 온도를 350~450℃에서 실시함으로써, 조대 석출물 입자를 생성하고, 용체화 처리 전의 냉간압연을 1패스당 평균 압연율을 15~30%로 총압연율을 70% 이상으로 실시함으로써, 강압연에서 석출물 입자를 재고용되기 쉬운 상태로 하고, 용체화 처리를 800~900℃에서 60~120초간 실시함으로써, 조대 석출물 입자 이외의 석출물 입자를 가능한 한 고용시켜, (1) 표면의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 1.5×106~5.0×106개/㎟로 하고, (2) 표면의 입경 100nm를 넘는 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 0.5×105~4.0×105개/㎟로 하며, (3) 표면으로부터의 두께가 전체 판두께의 20%인 표면층에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 a개/㎟, 표면층보다 하방 부분에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 b개/㎟로 한 경우에, a/b가 0.5~1.5가 된다. 이로써, 인장강도, 도전율을 유지하면서, 뛰어난 내금형 마모성을 얻을 수 있다.
열간압연 최종 패스 종료 후의 냉각 개시 온도, 용체화 처리 전의 냉간압연을 1패스당 평균 압연율과 총압연율, 용체화 처리 중 어느 하나가 상술한 수치 범위를 벗어나도, 구리 합금 조직은, (1), (2), (3)의 조건을 모두 충족할 수는 없다.
또한, 시효처리를 400~500℃에서 7~14시간 실시함으로써, 압연 양 표면으로부터 10μm 미만의 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도를 0.03~0.4질량%로 한다. 이로써, 뛰어난 전단가공성을 얻을 수 있다.
시효처리 조건이 상술한 범위 외이면, 압연 양 표면으로부터 10μm 미만의 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도는, 상술한 범위 내에는 들어가지 않는다.
구체적인 제조방법의 일례로서는, 다음의 방법을 들 수 있다.
먼저, 본 발명의 Cu-Ni-Si계 구리 합금판이 되도록 재료를 조합하고, 환원성 분위기의 저주파 용해로를 이용하여 용해 주조를 행하여 구리 합금 주괴를 얻는다. 다음으로, 이 구리 합금 주괴를 900~980℃에서 가열한 후, 열간압연을 실시하여 적절한 두께의 열연판으로 하고, 열간압연 최종 패스 종료 후의 냉각 개시 온도를 350~450℃로 하여, 이 열연판을 수냉한 후에 양면을 적절히 면삭한다.
다음으로, 압연율 60~90%로 냉간압연을 실시하여, 적절한 두께의 냉연판을 제작한 후, 710~750℃, 7~15초간 유지하는 조건으로 연속소둔을 실시하고, 산세, 표면 연마를 행한 후, 냉간압연을 1패스당 평균 압연율을 15~30%로 총압연율을 70% 이상으로 실시하여, 적절한 두께의 냉연박판을 제작한다.
다음으로, 이들 냉연박판을 800~900℃에서 60~120초간의 용체화 처리를 실시한 후, 400~500℃에서 7~14시간의 시효처리를 실시하여, 산세 처리하고, 또한, 가공률 10~30%로 최종 냉간압연을 실시하며, 필요에 따라서 변형 제거 소둔을 실시한다.
실시예
표 1에 나타내는 성분이 되도록 재료를 조합하여, 환원성 분위기의 저주파 용해로를 이용하여 용해 후에 주조하여, 두께 80mm, 폭 200mm, 길이 800mm의 치수의 구리 합금 주괴를 제조하였다. 이 구리 합금 주괴를 900~980℃에서 가열한 후, 표 1에 나타내는 바와 같이, 열간압연의 최종 패스 종료 후의 냉각 개시 온도를 바꾸어 열간압연을 실시하여, 두께 11mm의 열연판으로 하고, 이 열연판을 수냉한 후에 양면을 0.5mm 면삭하였다. 다음으로, 압연율 87%로 냉간압연을 실시하여 냉연박판을 제작한 후, 710~750℃에서 7~15초간 유지하는 연속소둔을 실시한 후, 산세, 표면 연마를 행하고, 또한, 표 1에 나타내는 바와 같이, 1패스당 평균 압연율, 총압연율을 바꾸어 냉간압연을 실시하여, 두께 0.3mm의 냉연박판을 제작하였다.
이 냉연판을 표 1에 나타내는 바와 같이, 온도, 시간을 바꾸어 용체화 처리를 실시하며, 계속해서, 표 1에 나타내는 바와 같이, 온도, 시간을 바꾸어 시효처리를 실시하고, 산세 처리 후, 최종 냉간압연을 실시하여, 실시예 1~11 및 비교예 1~9의 구리 합금 박판을 제작하였다.
Figure pct00001
다음으로, 각 구리 합금 박판으로부터 얻어진 시료에 대하여, 구리 합금판의 표면, 표면층, 표면층보다 하방 부분의 Ni-Si 석출물 입자의 개수/μm2, 표면으로부터 10μm 미만의 두께 범위의 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도(질량%)를 측정하였다.
구리 합금판의 표면, 표면층, 표면층보다 하방 부분의 Ni-Si 석출물 입자의 개수/μm2는, 다음과 같이 하여 구하였다.
전처리로서, 10mm×10mm×0.3mm의 시료를 10% 황산에 10분간 침지한 후, 수세, 에어 블로우에 의하여 살수한 후에, 히타치하이테크놀로지즈사제 플랫밀링(이온밀링) 장치로, 가속 전압 5kV, 입사각 5˚, 조사 시간 1시간으로 표면 처리를 실시하였다.
다음으로, 히타치하이테크놀로지즈사제 전해 방사형 전자현미경 S-4800을 사용하여, 2만배로, 그 시료의 표면을 관찰하고, 100μm2 중의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수, 100μm2 중의 입경 100nm를 넘는 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 카운트하여, 개수/㎟로 환산하였다. 측정 개소를 변경하여 이 측정을 10회 실시하고, 그 평균치를 각각의 Ni-Si 석출물 입자의 개수로 하였다.
다음으로, 표면층(표면으로부터 두께 방향으로 판두께 전체의 20%까지의 깊이의 지점), 표면층보다 하방 부분을 관찰하고, 100μm2 중의 입경이 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 카운트하여, 개수/㎟로 환산하였다.
측정 개소를 변경하여 이 측정을 10회 실시하고, 그 평균치를 각각의 Ni-Si 석출물 입자의 개수로 하였다.
이들 결과로부터, 표면으로부터의 두께가 전체 판두께의 20%인 표면층에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 a개/㎟, 표면층보다 하방 부분에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 b개/㎟로 하여, 그 a/b를 구하였다.
표면으로부터 10μm 미만의 두께 범위의 결정 조직에 있어서, 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도는, 다음과 같이 하여 구하였다.
일본전자사제 투과형 전자현미경 JEM-2010F를 사용하여, 5만배로, 그 시료의 압연 방향 수직 단면의 표면으로부터 깊이 8μm의 지점의 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도를 관찰하였다. 측정 개소를 변경하여 이 측정을 10회 실시하고, 그 평균치를 Si의 농도로 하였다.
이들 결과를 표 2에 나타낸다.
다음으로, 각 구리 합금 박판으로부터 얻어진 시료에 대하여, 인장 강도, 도전율, 전단가공성, 내금형 마모성을 측정하였다.
인장 강도는, JIS5호 시험편으로 측정하였다.
도전율은, JIS-H0505에 근거하여 측정하였다.
금형 마모성은, 일본신동협회(Japan Elongated Copper Association) 기술 표준 JCBA T310의 시험 방법에 따라, 인스트론·재팬주식회사(Instron Japan co., Ltd.)제 4204형 만능 재료 시험을 사용하여, 펀치 형상을 직경 10mmφ의 원형, 클리어런스를 5%, 전단 속도를 25mm/min로 하여, 전단 가공 시험을 실시하여 전단응력을 측정하고, 전단 저항율(재료의 전단응력/재료의 인장강도)을 산출하였다. 전단 저항율이 낮을 수록, 내금형 마모성은 향상되는 것이라고 추측된다.
전단가공성은, 재료의 전단 시에 있어서의 버 길이로 평가하고, 일본신동협회 기술 표준 JCBA T310의 시험 방법에 따라, 인스트론·재팬주식회사제 4204형 만능 재료 시험에서, 펀치 형상을 직경 10mmφ의 원형, 클리어런스를 5%, 전단 속도를 25mm/min로 하여, 전단 가공 시험을 실시하였다. 버 길이는, 펀칭 시험편의 원주 방향 90˚마다의 4개소의 버 길이를 측정하고, 그 평균치를 버 길이로 하였다.
이들 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pct00002
이들 결과로부터, 실시예의 본 발명의 Cu-Ni-Si계 구리 합금판은, 인장강도, 도전율을 유지하면서, 뛰어난 내금형 마모성 및 전단가공성을 가지고 있는 것을 알 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태의 제조방법에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이 기재에 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 다양한 변경을 더하는 것이 가능하다.
본 발명의 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판은, 자동차의 전기 접속용 커넥터나 프린트 기판의 접속 단자 등의 도전 부재로서 이용할 수 있다.

Claims (9)

1.0~4.0질량%의 Ni, 0.2~0.9질량%의 Si를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어지며, 표면의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 1.5×106~5.0×106개/㎟이고, 표면의 입경 100nm를 넘는 Ni-Si 석출물 입자의 개수가 0.5×105~4.0×105개/㎟이며, 표면으로부터의 두께가 전체 판두께의 20%인 표면층에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 a개/㎟, 상기 표면층보다 하방 부분에 있어서의 입경 20~80nm의 Ni-Si 석출물 입자의 개수를 b개/㎟로 한 경우에, a/b가 0.5~1.5이며, 표면으로부터 10μm 미만의 두께 범위의 결정립 내에 고용되어 있는 Si의 농도가 0.03~0.4질량%인 것을 특징으로 하는 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판.
제 1 항에 있어서,
Sn을 0.2~0.8질량%, Zn을 0.3~1.5질량% 더욱 함유하는 것을 특징으로 하는 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
Mg를 0.001~0.2질량% 더욱 함유하는 것을 특징으로 하는 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
Fe: 0.007~0.25질량%, P: 0.001~0.2질량%, C: 0.0001~0.001질량%, Cr: 0.001~0.3질량%, Zr: 0.001~0.3질량%를 1종 또는 2종 이상을 더욱 함유하는 것을 특징으로 하는 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판.
제 3 항에 있어서,
Fe: 0.007~0.25질량%, P: 0.001~0.2질량%, C: 0.0001~0.001질량%, Cr: 0.001~0.3질량%, Zr: 0.001~0.3질량%를 1종 또는 2종 이상을 더욱 함유하는 것을 특징으로 하는 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판.
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판의 제조방법으로서,
열간압연, 냉간압연, 용체화 처리, 시효처리, 최종 냉간압연, 변형 제거 소둔을 이 순서로 포함하는 공정으로 상기 Cu-Ni-Si계 구리 합금판을 제조할 때, 열간압연 최종 패스 종료 후의 냉각 개시 온도를 350~450℃에서 실시하고, 용체화 처리 전의 냉간압연을 1패스당 평균 압연율을 15~30%로 총압연율을 70% 이상으로 실시하며, 용체화 처리를 800~900℃에서 60~120초간 실시하고, 시효처리를 400~500℃에서 7~14시간 실시하는 것을 특징으로 하는 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판의 제조방법.
제 3 항에 기재된 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판의 제조방법으로서,
열간압연, 냉간압연, 용체화 처리, 시효처리, 최종 냉간압연, 변형 제거 소둔을 이 순서로 포함하는 공정으로 상기 Cu-Ni-Si계 구리 합금판을 제조할 때, 열간압연 최종 패스 종료 후의 냉각 개시 온도를 350~450℃에서 실시하고, 용체화 처리 전의 냉간압연을 1패스당 평균 압연율을 15~30%로 총압연율을 70% 이상으로 실시하며, 용체화 처리를 800~900℃에서 60~120초간 실시하고, 시효처리를 400~500℃에서 7~14시간 실시하는 것을 특징으로 하는 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판의 제조방법.
제 4 항에 기재된 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판의 제조방법으로서,
열간압연, 냉간압연, 용체화 처리, 시효처리, 최종 냉간압연, 변형 제거 소둔을 이 순서로 포함하는 공정으로 상기 Cu-Ni-Si계 구리 합금판을 제조할 때, 열간압연 최종 패스 종료 후의 냉각 개시 온도를 350~450℃에서 실시하고, 용체화 처리 전의 냉간압연을 1패스당 평균 압연율을 15~30%로 총압연율을 70% 이상으로 실시하며, 용체화 처리를 800~900℃에서 60~120초간 실시하고, 시효처리를 400~500℃에서 7~14시간 실시하는 것을 특징으로 하는 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판의 제조방법.
제 5 항에 기재된 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판의 제조방법으로서,
열간압연, 냉간압연, 용체화 처리, 시효처리, 최종 냉간압연, 변형 제거 소둔을 이 순서로 포함하는 공정으로 상기 Cu-Ni-Si계 구리 합금판을 제조할 때, 열간압연 최종 패스 종료 후의 냉각 개시 온도를 350~450℃에서 실시하고, 용체화 처리 전의 냉간압연을 1패스당 평균 압연율을 15~30%로 총압연율을 70% 이상으로 실시하며, 용체화 처리를 800~900℃에서 60~120초간 실시하고, 시효처리를 400~500℃에서 7~14시간 실시하는 것을 특징으로 하는 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판의 제조방법.
KR1020147016665A 2011-12-22 2011-12-22 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판 및 그 제조방법 KR101803797B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2011/079851 WO2013094061A1 (ja) 2011-12-22 2011-12-22 耐金型磨耗性及びせん断加工性が良好なＣｕ－Ｎｉ－Ｓｉ系銅合金板及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140107276A true KR20140107276A (ko) 2014-09-04
KR101803797B1 KR101803797B1 (ko) 2017-12-04

Family

ID=48481480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147016665A KR101803797B1 (ko) 2011-12-22 2011-12-22 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판 및 그 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10253405B2 (ko)
EP (1) EP2796577B1 (ko)
JP (1) JP5189708B1 (ko)
KR (1) KR101803797B1 (ko)
CN (1) CN104011236B (ko)
TW (1) TWI541367B (ko)
WO (1) WO2013094061A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190030603A (ko) * 2017-09-14 2019-03-22 제이엑스금속주식회사 금형 마모성이 우수한 Cu-Ni-Si 계 구리 합금

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101274063B1 (ko) * 2013-01-22 2013-06-12 한국기계연구원 배향된 석출물을 가지는 금속복합재료 및 이의 제조방법
CN105448745A (zh) * 2015-12-01 2016-03-30 赵雅珺 一种引线框架的制作方法
JP6355672B2 (ja) * 2016-03-31 2018-07-11 Ｊｘ金属株式会社 Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金及びその製造方法
CN108220670B (zh) * 2018-01-11 2020-01-21 中北大学 一种Cu-Ni-Si-Mg合金板带铸轧方法及铸轧设备
CN108285988B (zh) * 2018-01-31 2019-10-18 宁波博威合金材料股份有限公司 析出强化型铜合金及其应用
JP7195054B2 (ja) * 2018-03-09 2022-12-23 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 銅合金板材およびその製造方法
JP2021147673A (ja) * 2020-03-19 2021-09-27 三菱マテリアル株式会社 Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板、めっき皮膜付Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板及びこれらの製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3334157B2 (ja) * 1992-03-30 2002-10-15 三菱伸銅株式会社 スタンピング金型を摩耗させることの少ない銅合金条材
JP3797736B2 (ja) * 1997-02-10 2006-07-19 株式会社神戸製鋼所 剪断加工性に優れる高強度銅合金
JP4423054B2 (ja) 2004-01-30 2010-03-03 日鉱金属株式会社 プレス打抜き性に優れた電子部品用素材
JP4584692B2 (ja) 2004-11-30 2010-11-24 株式会社神戸製鋼所 曲げ加工性に優れた高強度銅合金板およびその製造方法
JP4686658B2 (ja) 2005-03-30 2011-05-25 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 プレス打抜き性に優れた電子部品用素材
JP4556841B2 (ja) 2005-10-27 2010-10-06 日立電線株式会社 曲げ加工性に優れる高強度銅合金材およびその製造方法
JP4556842B2 (ja) 2005-10-27 2010-10-06 日立電線株式会社 剪断加工性に優れる高強度銅合金材およびその製造方法
JP5002766B2 (ja) 2006-03-01 2012-08-15 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 曲げ加工性に優れた高強度銅合金板材および製造法
JP4006460B1 (ja) 2006-05-26 2007-11-14 株式会社神戸製鋼所 高強度、高導電率および曲げ加工性に優れた銅合金およびその製造方法
JP4006467B1 (ja) 2006-09-22 2007-11-14 株式会社神戸製鋼所 高強度、高導電率および曲げ加工性に優れた銅合金
JP5367999B2 (ja) * 2008-03-31 2013-12-11 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金
JP4563495B1 (ja) 2009-04-27 2010-10-13 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 銅合金板材およびその製造方法
JP5448763B2 (ja) 2009-12-02 2014-03-19 古河電気工業株式会社 銅合金材料
JP5281031B2 (ja) * 2010-03-31 2013-09-04 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190030603A (ko) * 2017-09-14 2019-03-22 제이엑스금속주식회사 금형 마모성이 우수한 Cu-Ni-Si 계 구리 합금

Also Published As

Publication number Publication date
EP2796577A4 (en) 2015-12-02
JP5189708B1 (ja) 2013-04-24
US10253405B2 (en) 2019-04-09
EP2796577B1 (en) 2018-05-02
CN104011236A (zh) 2014-08-27
TWI541367B (zh) 2016-07-11
CN104011236B (zh) 2016-03-16
EP2796577A1 (en) 2014-10-29
KR101803797B1 (ko) 2017-12-04
JPWO2013094061A1 (ja) 2015-04-27
WO2013094061A1 (ja) 2013-06-27
US20150000803A1 (en) 2015-01-01
TW201326424A (zh) 2013-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101803797B1 (ko) 내금형 마모성 및 전단가공성이 양호한 Cu-Ni-Si계 구리 합금판 및 그 제조방법
KR101419147B1 (ko) 구리합금 판재 및 그 제조방법
TWI381398B (zh) Cu-Ni-Si alloy for electronic materials
JP5170916B2 (ja) 銅合金板材及びその製造方法
KR101615830B1 (ko) 전자 기기용 구리 합금, 전자 기기용 구리 합금의 제조 방법, 전자 기기용 구리 합금 소성 가공재 및 전자 기기용 부품
KR102126731B1 (ko) 구리합금 판재 및 구리합금 판재의 제조 방법
JP4444245B2 (ja) 電気電子機器用Ｃｕ−Ｚｎ−Ｓｎ合金
WO2012004868A1 (ja) 深絞り加工性に優れたＣｕ－Ｎｉ－Ｓｉ系銅合金板及びその製造方法
WO2013018228A1 (ja) 銅合金
WO2012169405A1 (ja) 電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材、及び電子機器用部品
JP5417366B2 (ja) 曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金
KR20110039372A (ko) 전기·전자부품용 동합금재
KR20120130342A (ko) 전자 재료용 Ｃｕ-Ｎｉ-Ｓｉ 계 합금
KR20170013881A (ko) 구리 합금 판재 및 그 제조 방법, 상기 구리 합금 판재로 이루어지는 전기전자 부품
KR101715532B1 (ko) 구리 합금 및 그의 제조 방법
JP5539932B2 (ja) 曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金
WO2018079507A1 (ja) 銅合金板材およびその製造方法
WO2009116649A1 (ja) 電気電子部品用銅合金材
JP6927844B2 (ja) 銅合金板材およびその製造方法
TWI510654B (zh) Cu-Zn-Sn-Ni-P alloy
JP2018070944A (ja) 銅合金板材およびその製造方法
KR102421870B1 (ko) 강도, 전기전도도 및 굽힘가공성이 우수한 구리-니켈-실리콘-망간-주석계 동합금재 및 그의 제조 방법
KR101875806B1 (ko) 자동차 및 전자부품용 구리-티타늄계 동합금재의 제조 방법 및 이로부터 제조된 동합금재
JP5827530B2 (ja) 優れたばね限界値及び耐応力緩和性を有するせん断加工性が良好なＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板
JP5988745B2 (ja) Ｓｎめっき付Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant