KR20140095387A - 광 소자를 포함하는 웨이퍼의 테스트 시스템 및 웨이퍼 테스트 방법 - Google Patents

광 소자를 포함하는 웨이퍼의 테스트 시스템 및 웨이퍼 테스트 방법 Download PDF

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KR20140095387A
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 테스트 시스템은, 테스팅 신호를 송신하는 입력장치, 광 포트, 상기 테스팅 신호를 수신하는 입력포트 및 상기 테스팅 신호에 기초한 결과 신호를 송신하는 출력포트를 포함하는 웨이퍼, 상기 결과 신호를 측정하는 측정장치, 및 상기 결과 신호에 기초하여 광 프로브의 광섬유포트와 정렬포트를 정렬하고, 이후 광섬유포트와 광 포트를 정렬하는 정렬장치를 포함한다. 상기 광 프로브는 상기 입력장치 또는 상기 측정장치이고, 상기 정렬포트는 상기 입력포트 또는 상기 출력포트이다.

Description

광 소자를 포함하는 웨이퍼의 테스트 시스템 및 웨이퍼 테스트 방법{TEST SYSTEM AND TEST METHOD OF WAFER INCLUDING OPTICAL COMPONENT}
본 발명은 광 소자를 포함하는 웨이퍼의 테스트 시스템 및 웨이퍼 테스트 방법에 관한 것이다.
웨이퍼(wafer)에 구현되는 집적회로의 입출력 속도를 증가시키기 위해, 광 소자를 웨이퍼에 집적한 광 집적회로의 사용이 점차 증가하고 있다. 광 집적회로는 전기 집적회로와 함께 웨이퍼 상에 집적될 수 있다. 이렇게 함께 집적된 소자를 전기-광 집적회로(electro-optical integrated circuit)라고 한다.
웨이퍼가 다이(die)들로 분리되어 패키징되기 전 웨이퍼를 테스트하는 것을 웨이퍼 레벨 테스트(wafer-level test)라고 한다. 웨이퍼 레벨 테스트를 통해 결함이 있는 다이를 식별하고 이후 공정에서 결함이 있는 다이를 제외함으로써, 비용과 노력을 크게 절감할 수 있다.
전기-광 집적회로를 웨이퍼 레벨에서 테스트하기 위해 광 프로브(optical probe)가 사용된다. 광 프로브의 광섬유는 테스트를 위해 웨이퍼 상의 광 포트와 정렬되어야 한다.
광 프로브의 광섬유와 웨이퍼 상의 광 포트 사이에서 광이 왕복 진행할 경우, 정렬 오차에 대한 민감도가 크며, 정렬에 시간이 오래 걸리는 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 정렬 오차에 대한 민감도를 낮추고 보다 빠른 정렬을 수행하는 웨이퍼 테스트 시스템 및 웨이퍼 테스트 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 테스트 시스템은 테스팅 신호를 송신하는 입력장치, 광 포트, 상기 테스팅 신호를 수신하는 입력포트 및 상기 테스팅 신호에 기초한 결과 신호를 송신하는 출력포트를 포함하는 웨이퍼, 상기 결과 신호를 측정하는 측정장치, 및 상기 결과 신호에 기초하여 광 프로브의 광섬유포트와 정렬포트를 정렬하고, 이후 광섬유포트와 광 포트를 정렬하는 정렬장치를 포함한다.
상기 광 프로브는 상기 입력장치 또는 상기 측정장치이며, 상기 정렬포트는 상기 입력포트 또는 상기 출력포트이다.
상기 광 포트는 상기 정렬포트와 기설정된 간격으로 이격되고, 상기 광섬유포트와 상기 광 포트의 정렬은 상기 광 프로브의 상기 웨이퍼에 대한 상대위치를 상기 기설정된 간격만큼 이동시킴으로써 수행될 수 있다.
상기 정렬포트의 상기 웨이퍼 상의 표면적은 상기 광 포트의 상기 웨이퍼 상의 표면적보다 넓을 수 있다.
상기 광 프로브는 상기 입력장치이고, 상기 정렬포트는 상기 입력포트일 수 있다.
상기 웨이퍼는 상기 정렬 포트 및 상기 출력포트 사이에 접속되어, 상기 테스팅 신호를 상기 출력포트로 전달하는 도파로를 더 포함하고, 상기 결과 신호는 광 신호이며, 상기 측정장치는 비전(vision)일 수 있다.
상기 웨이퍼는 상기 테스팅 신호를 전기 신호로 변환하는 광전변환부를 더 포함하며, 상기 출력포트는 전기패드이고, 상기 출력포트는 상기 변환된 전기 신호를 상기 결과 신호로 출력하며, 상기 측정장치는 전기 프로브일 수 있다.
상기 광전변환부는 상기 정렬포트 내에 포함될 수 있다.
상기 광 프로브는 상기 측정장치이고, 상기 정렬포트는 상기 출력포트일 수 있다.
상기 입력장치는 전기 프로브이고, 상기 입력포트는 전기패드이며, 상기 웨이퍼는 상기 테스팅 신호를 광 신호로 변환하는 전광변환부를 더 포함하고, 상기 출력포트는 상기 변환된 광 신호를 상기 결과 신호로 출력할 수 있다.
상기 전광변환부는 상기 정렬포트 내에 포함될 수 있다.
상기 정렬장치는 웨이퍼 포지셔너 또는 광 프로브 포지셔너일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 테스트 방법은, (a) 입력장치가 웨이퍼의 입력포트로 테스팅 신호를 송신하는 단계, (b) 측정장치가 상기 웨이퍼의 출력포트로부터 상기 테스팅 신호에 기초한 결과 신호를 측정하는 단계, (c) 상기 결과 신호에 기초하여 광 프로브의 광섬유포트와 정렬포트의 상대위치를 조절하는 단계 및 (d) 상기 광섬유포트와 상기 웨이퍼의 광 포트를 정렬하는 단계를 포함한다. 상기 광 프로브는 상기 입력장치 또는 상기 측정장치이며, 상기 정렬포트는 상기 입력포트 또는 상기 출력포트이다.
상기 웨이퍼 테스트 방법은 상기 (a)단계 이전에, 상기 웨이퍼의 광 정렬 마크의 위치에 기초하여 상기 광 프로브와 상기 웨이퍼의 상대위치를 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 (c)단계는 상기 광섬유포트가 상기 정렬포트의 표면 위에 위치하도록 조절하는 단계, 및 상기 광섬유포트가 상기 정렬포트의 기설정된 위치 위에 위치하도록 조절하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 광 포트는 상기 정렬포트와 기설정된 간격으로 이격되고, 상기 (d) 단계는 상기 광 프로브의 상기 웨이퍼에 대한 상대위치를 상기 기설정된 간격만큼 이동시키는 단계일 수 있다.
상기 (a)단계 내지 (d)단계는 상기 웨이퍼가 다이들로 분리되기 전 수행될 수 있다.
상기 (a)단계 내지 (d)단계는 상기 웨이퍼가 다이들로 분리된 후 수행될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 테스트 시스템 및 웨이퍼 테스트 방법은 웨이퍼와 광 프로브 사이에서 단방향으로 진행하는 광만을 이용함으로써, 정렬 오차에 대한 민감도가 낮아지고 정렬 속도가 빨라지는 효과가 있다.
한편, 광 포트와 기설정된 간격으로 이격되고, 광 포트보다 넓은 웨이퍼 상 표면적을 갖는 정렬 포트를 정렬에 이용함으로써, 정렬 시간을 보다 단축시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 테스트 시스템의 블록도이다.
도 2는 도 1의 웨이퍼 테스트 시스템을 본 발명의 일 실시예에 따라 보다 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 웨이퍼 테스트 시스템을 보다 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 테스트 방법의 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 포트 및 정렬 포트의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광 포트 및 정렬 포트의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 테스트 시스템을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 평면도를 나타낸다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 평면도를 나타낸다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 평면도를 나타낸다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 평면도를 나타낸다.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않은 채, 제1구성 요소는 제2구성 요소로 명명될 수 있고 유사하게 제2구성 요소는 제1구성 요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 본 명세서에 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 테스트 시스템의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 테스트 시스템(wafer test system)(10)은 웨이퍼(wafer)(100), 웨이퍼 홀더(wafer holder)(110), 웨이퍼 포지셔너(wafer positioner)(120), 전기 프로브(electronic probe)(130), 전기 프로브 포지셔너(electronic probe positioner)(140), 광 프로브(optical probe)(150), 광 프로브 포지셔너(optical probe positioner)(160), 서포트 베이스(support base)(170), 테스터 및 제어 시스템(tester and control system)(180), 비전(vision)(190) 및 비전 포지셔너(vision positioner)(195)를 포함할 수 있다.
웨이퍼(100)는 다이(die)들로 분리되기 전의 웨이퍼일 수 있다. 다른 실시예에서, 웨이퍼(100)는 웨이퍼가 다이들로 분리된 후의 각 다이일 수 있다.
웨이퍼 홀더(110)는 웨이퍼(100)를 지지한다. 웨이퍼 홀더(110)는 웨이퍼 척(chuck)으로 구현될 수 있다.
웨이퍼 포지셔너(120)는 웨이퍼 홀더(110)를 지지하며, 웨이퍼(100)의 수평, 수직 위치 및 방향(orientation)을 조절한다. 웨이퍼 포지셔너(120)는 테스트할 다이를 전기 및 광 테스트가 수행되는 기설정된 고정 위치에 배치하기 위해 웨이퍼(100)를 이동시킨다. 또한 웨이퍼 포지셔너(120)는 전기 프로브(130) 및 광 프로브(150)에 상응하는 위치로 상기 다이의 소자(component)를 이동시킨다.
전기 프로브(130)는 웨이퍼(100) 상의 다이의 전자(electronic) 소자, 광전자(optoelectronic) 소자 및 전기-광(electro-optical) 소자를 테스트할 수 있다. 전기 프로브(130)는 접속 리드(contact lead)로 적어도 하나의 전기 전도성 팁(tip) 또는 바늘(needle)을 갖는 RF(Radio Frequency) 또는 DC(Direct Current) 프로브일 수 있다. 전기 프로브(130)는 적어도 하나의 테스팅 신호를 다이로 공급하고 적어도 하나의 결과 신호를 다이로부터 수신하는 적어도 하나의 접속 리드(미도시)를 포함할 수 있다. 다이로부터 출력되는 결과 신호는 광에 반응하여 생성될 수 있다. 전기 프로브(130)는 복수의 전자 소자들을 테스트하기 위해 복수의 접속 리드를 가질 수 있다.
전기 프로브 포지셔너(140)는 웨이퍼(100) 상에 전기 프로브(130)를 배치하고 지지한다. 전기 프로브 포지셔너(140)는 사용자에 의해 수동 제어되거나 동력 제어 메커니즘(motorized control mechanism)에 의해 자동 제어될 수 있다. 전기 프로브 포지셔너(140)는 전기 프로브(130)의 접속 리드와 다이의 전기패드 간 정렬이 이루어지도록, 다이 영역 내에서 전기 프로브(130)의 위치를 정밀하게 조절할 수 있다.
광 프로브(150)는 적어도 하나의 광섬유 및 적어도 하나의 광섬유포트를 포함할 수 있다. 설명의 편의를 위해 광 프로브(150)의 세부 구성에 대하여는 도 3을 참조하여 후술한다.
웨이퍼 테스트 시스템(10)은 두 개의 광 프로브 포지셔너(160)들에 의해 지지되는 두 개의 광 프로브(150)들을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 광 프로브(150)는 웨이퍼(100)로 광을 송신하고, 제2 광 프로브(150)는 반사된 프로브 광 또는 웨이퍼(100)의 광 포트로부터 출력되는 광을 수신할 수 있다. 다양한 실시예에 따라 광 프로브(150)는 더 추가될 수 있다.
광 프로브 포지셔너(160)는 광 테스트를 수행하기 위해 웨이퍼 또는 분리된 다이 위에 배치되는 외부 광 장치를 지지한다. 외부 광 장치는 일례로 광 프로브(150)일 수 있다. 이하에서 광 테스트 시 웨이퍼 포지셔너(120), 전기 프로브 포지셔너(140) 및 광 프로브 포지셔너(160)의 동작에 대해 설명한다.
웨이퍼 포지셔너(120)는 웨이퍼(100)의 수직 및 수평 위치를 조절하여 웨이퍼(100)가 광 프로브(150) 아래의 기설정된 초기 위치에 오도록 한다. 웨이퍼 포지셔너(120)는 웨이퍼 홀더(110)에 의해 지지되는 웨이퍼(100)의 수평 위치 및 수직 위치를 제어하는 하나의 병진 포지셔너 또는 복수의 병진 포지셔너들의 조합을 포함할 수 있다. 수평제어를 위해서, 예컨대, 2개의 서로 직교하는 수평방향(X, Y) 위치의 조절을 수행하기 위해 2개의 1차원 포지셔너들이 조합될 수 있다. 제3의 1차원 포지셔너는 웨이퍼(100)의 수직방향(Z) 위치를 제어하기 위해 이용될 수 있다. 웨이퍼 포지셔너(120)는 수직축(Z)에 대한 웨이퍼(100)의 방향을 조절하는 편각 조절부(미도시)를 더 포함한다.
웨이퍼 포지셔너(120)는 웨이퍼(100)의 수직 위치를 제어하기 위해 두 개의 기설정된 고정 수직 위치, 즉, "테스트 위치"(testing position) 및 이보다 낮은 "분리 위치"(seperate position)를 가질 수 있다.
분리 위치에서, 웨이퍼 포지셔너(120)는 웨이퍼(100)를 전기 프로브(130) 및 광 프로브(150)로부터 분리한다.
테스트 위치에서, 광 포지셔너는 웨이퍼(100)를 상승시켜 웨이퍼(100)가 전기 프로브(130)와 접속되도록 하고 광 프로브(150)와 수직 방향에서 원하는 간격만큼 근접하도록 한다. 따라서 테스트 위치에서 전기 테스트 및 광 테스트가 수행될 수 있다. 웨이퍼 포지셔너(120)가 웨이퍼(100)를 테스트 위치에 있도록 조절한 후, 전기 프로브 포지셔너(140)는 전기 테스트를 위해 웨이퍼(100)에 전기 프로브(130)가 접속되도록 전기 프로브(130)의 수직 위치를 조절할 수 있다. 광 프로브 포지셔너(160)는 광 테스트를 위해 광 프로브(150)와 웨이퍼(100) 간의 수직 간격이 기설정된 간격이 되도록 광 프로브(150)의 수직 위치(X, Y)를 정밀 조절할 수 있다. 광 프로브 포지셔너(160)는 광 프로브(150)가 광섬유의 선형 어레이를 포함할 때, 광 프로브(150)의 편각을 미세 조절할 수 있다.
광 테스트를 위한 광 정렬은 높은 정렬 정확도를 요구한다. 웨이퍼 테스트 시스템(10)은 광 프로브 포지셔너(160)를 이용하여 광 프로브(150)의 웨이퍼(100)에 대한 위치 및 방향을 정밀 조절함으로써 광 정렬을 최적화할 수 있다.
서포트 베이스(170)는 웨이퍼 포지셔너(120), 전기 프로브 포지셔너(140), 광 프로브 포지셔너(160) 및 비전 포지셔너(195)를 지지한다.
테스터 및 제어 시스템(180)은 웨이퍼 테스트 시스템(100)의 동작 및 테스트를 제어한다. 테스터 및 제어 시스템(180)은 다양한 처리 및 제어 동작을 수행하는 적어도 하나의 마이크로프로세서 또는 컴퓨터 및 다른 전자 장치들을 포함할 수 있다. 웨이퍼(100)의 다이 패턴의 주어진 설계에서, 각각의 광 집적회로, 전기 집적회로 또는 다른 소자들은 등록되어 위치 좌표로 표현될 수 있고, 상기 주어진 설계로부터 포지션 맵이 생성될 수 있다. 상기 포지션 맵의 데이터는 시스템의 내부 메모리, 디스크, 휴대용 메모리 매체 또는 장치에 저장되었다가, 테스터 및 제어 시스템(180)에 의해 이용될 수 있다. 웨이퍼 포지셔너(120)는 상기 포지션 맵에 따라 광 프로브(150) 아래의 고정 위치로 다이 및 다이 내 소자를 이동시킬 수 있다. 전기 프로브 포지셔너(140)는 상기 포지션 맵에 기초하여 전기 프로브(130)와 다이를 정렬할 수 있다.
테스터 및 제어 시스템(180)은 전기 및 광 부품을 테스트하기 위한 테스트부(testing functions, 미도시)를 포함할 수 있다. 상기 테스트부는 원하는 전기 프로브(130) 신호를 생성하여 웨이퍼(100)로 송신하며, 웨이퍼(100)로부터 전기 신호를 수신하여 테스트를 수행할 수 있다. 상기 테스트부는 프로브 광을 생성하여 웨이퍼(100)로 전송하며, 웨이퍼(100)로부터 광 신호를 수신하여 광 테스트를 수행할 수 있다. 적어도 하나의 전기 프로브(130) 및 광 프로브(150)를 이용하여, 테스터 및 제어 시스템(180)은 웨이퍼 포지셔너(120)에 마운트된 웨이퍼(100) 또는 분리된 다이의 광 테스트, 전기 테스트 및 광-전기 테스트를 수행할 수 있다. 상기 광 테스트, 전기 테스트, 및 광-전기 테스트는 웨이퍼(100)가 다이들로 분리되기 전 웨이퍼 레벨에서 수행될 수 있다.
웨이퍼 테스트 시스템(10)의 광 테스트를 위한 광 정렬은 전기 테스트를 위한 전기패드의 정렬보다 높은 정렬 정확도를 요구한다. 테스터 및 제어 시스템(180)은 높은 정확도를 얻기 위해 정밀 정렬 제어 메커니즘을 포함할 수 있다. 전체 광 정렬 제어 메커니즘은 웨이퍼 테스트 시스템(10)의 각각 다른 부분들에 구현되고, 상기 부분들은 서로 조합하여 동작할 수 있다.
비전(190)은 테스트를 위한 광을 조사하는 광원 및 상기 광원에서 조사된 빛의 반사광 또는 투사광을 촬영하는 스캔 카메라를 포함할 수 있다. 테스터 및 제어 시스템(180)은 상기 스캔 카메라의 출력에 따라 웨이퍼 포지셔너(120), 전기 프로브 포지셔너(140) 및 광 프로브 포지셔너(160)를 제어할 수 있다.
비전 포지셔너(195)는 비전(190)를 지지하며, 비전(190)의 위치를 조절할 수 있다. 다른 실시예에서, 웨이퍼 테스트 시스템(10)은 별도의 비전 포지셔너(195) 없이 구현될 수도 있다.
도 2는 도 1의 웨이퍼 테스트 시스템을 본 발명의 일 실시예에 따라 보다 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 웨이퍼 테스트 시스템(10-1)은 입력장치(201), 측정장치(203), 웨이퍼(100) 및 정렬장치(120, 160)를 포함한다.
입력장치(201)는 테스팅 신호(Sin)를 송신한다.
웨이퍼(100)는 테스팅 신호(Sin)를 수신하는 입력포트(101) 및 테스팅 신호(Sin)에 기초한 결과 신호(Sout)를 송신하는 출력포트(103)를 포함한다. 웨이퍼(100)는 입력포트(101)와 출력포트(103) 사이에 접속되어, 테스팅 신호(Sin)를 출력포트(103)로 전달하는 전송선(107)을 더 포함할 수 있다. 전송선(107)은 도파로일 수 있다.
측정장치(203)는 결과 신호(Sout)를 측정한다.
정렬장치(120, 160)는 결과 신호(Sout)에 기초하여 광 프로브(150)의 광섬유포트(155)와 정렬포트를 정렬한다. 정렬장치(120, 160)는 웨이퍼(100) 또는 광 프로브(150)를 이동시켜 상기 정렬을 수행할 수 있다. 정렬장치(120, 160)는 웨이퍼 포지셔너(120) 또는 광 프로브 포지셔너(160)일 수 있다. 또는 정렬장치(120, 160)는 웨이퍼 포지셔너(120) 및 광 프로브 포지셔너(160)의 조합일 수 있다.
광 프로브(150)는 입력장치(201) 또는 측정장치(203)이며, 정렬포트는 입력포트(101) 또는 출력포트(103)이다. 도 2에서는 광 프로브(150)가 입력장치(201)이고 정렬포트가 입력포트(101)인 경우에 대해 도시하였다. 그러나 다른 실시예에서 광 프로브(150)가 출력장치(203)이고 정렬포트가 출력포트(103)일 수도 있다.
웨이퍼(100)는 정렬포트와 기설정된 간격(d)으로 이격되는 광 포트(210)를 더 포함할 수 있다. 정렬장치(120, 160)는 광섬유포트(155)와 정렬포트(220)를 정렬한 후, 광섬유포트(155)와 광 포트(210)를 정렬할 수 있다.
이하에서 도 3, 도 7 및 도 8을 참조하여 광 프로브(150)가 입력장치(201)이고 정렬포트가 입력포트(101)인 실시예들을 설명한다. 상기 실시예들은 광 프로브에서 웨이퍼로 진행하는 광을 이용하여 정렬을 수행한다.
도 3은 도 2의 웨이퍼 테스트 시스템을 보다 구체적으로 나타낸 도면이다. 도 3(a)는 도 2에 도시된 웨이퍼(100)의 평면도이고, 도 3(b)는 도 2에 도시된 웨이퍼 테스트 시스템(10-1)을 3차원적으로 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 웨이퍼 테스트 시스템(10a)은 웨이퍼(100a), 광 프로브(150) 및 비전(190)을 포함한다. 웨이퍼(100a)는 광 포트(210), 정렬포트(220), 광 정렬마크(223), 도파로(225) 및 출력포트(230)를 포함한다.
도 3의 광 프로브(150)는 도 2의 입력장치(201)에 해당하며, 도 3의 정렬포트(220)는 도 2의 입력포트(101)에 해당한다. 도 3의 출력포트(230)는 도 2의 출력포트(103)에 해당하며, 도 3의 비전(190)은 도 2의 측정장치(203)에 해당한다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 광 프로브(150)는 적어도 하나의 광섬유(153) 및 적어도 하나의 광섬유포트(155)를 포함할 수 있다. 광섬유(153)는 웨이퍼(100)에서 출력되고 광섬유포트(155)에서 수신한 광 신호를 테스터 및 제어 시스템(180)으로 전달할 수 있다. 또한 광섬유(153)는 테스터 및 제어 시스템(180)에서 출력된 광 신호를 광섬유포트(155)를 통해 웨이퍼(100)로 전달할 수 있다. 광섬유포트(155)는 웨이퍼(100) 표면 위의 기설정된 높이에서 웨이퍼로 프로브 빔(probe beam)을 송신하고, 웨이퍼(100) 표면에서 출력되는 광 빔(light beam)을 수신할 수 있다.
광 프로브(150)는 테스팅 신호(Sin)를 웨이퍼(100a)로 출력한다.
비전(190)은 출력포트(230)에서 출력된 결과 신호(Sout)를 측정한다.
광 포트(210)는 전기-광 집적회로의 동작 시 외부로부터 전기-광 집적회로에 광 신호를 입력하거나, 전기-광 집적회로로부터 외부로 광 신호를 송신하기 위해 사용된다.
정렬포트(220)는 광 프로브(150)의 광섬유포트(155)로부터 테스팅 신호(Sin)를 수신한다.
광 정렬 마크(223)는 광 프로브(150)가 웨이퍼(100a) 상의 기설정된 위치에 있을 때 광 프로브(150)에 의해 웨이퍼(100)가 가려지는 부분(240)의 가장자리에 배치될 수 있다. 광 정렬 마크(223)에 기초하여 정렬장치(120, 160)는 정렬포트(220)와 광섬유포트(155)를 정렬하기 전 웨이퍼(100a) 상의 기설정된 위치로 광 프로브(150)를 이동시킬 수 있다.
도파로(225)는 정렬포트(220)와 출력포트(230) 사이에 접속되어, 테스팅 신호(Sin)를 출력포트(230)로 전달한다.
출력포트(230)는 광 프로브(150)에 의해 웨이퍼(100)가 가려지는 부분(240)의 외부에 배치되어, 테스팅 신호(Sin)에 기초한 결과 신호(Sout)를 송신한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 테스트 방법의 순서도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 포지셔너(120, 160)는 웨이퍼(100a)의 광 정렬 마크(223)의 위치에 기초하여 광 프로브(150)와 웨이퍼(100a)의 상대위치를 조절한다(S601). 보다 구체적으로는, 비전(190)에 포함된 광원이 웨이퍼(100a)에 조명광을 비추고, 비전(190)의 스캔 카메라는 웨이퍼(100a)에서 반사된 광을 측정한다. 상기 반사된 광에 따라, 테스터 및 제어 시스템(180)은 웨이퍼 포지셔너(120)를 제어하여, 광 프로브(150)의 각 꼭지점이 웨이퍼(100a) 상의 광 정렬 마크(223) 위에 오도록 웨이퍼(100a)를 이동시킨다.
입력장치(201)가 웨이퍼(100)의 입력포트(101)로 테스팅 신호(Sin)를 송신한다(S603). 즉 광 프로브(150)는 정렬포트(220)로 테스팅 신호(Sin)를 송신한다. 정렬포트(220)는 정렬포트(220)에 연결된 도파로(225)를 통해 테스팅 신호(Sin)를 출력포트(230)로 전송한다.
측정장치(203)가 웨이퍼의 출력포트(103)로부터 테스팅 신호(Sin)에 기초한 결과 신호(Sout)를 측정한다(S605). 즉 비전(190)의 스캔 카메라는 출력포트(230)에서 결과 신호(Sout)로서 출력된 광을 측정한다.
정렬장치(120, 160)는 결과 신호(Sout)에 기초하여 광 프로브(150)의 광섬유포트(155)와 정렬포트(220)를 정렬한다(S607). 이후 정렬장치(120, 160)는 광섬유포트(155)와 광 포트(210)를 정렬한다(S609). 이하에서 도 5 및 도 6을 참조하여 상기 S607 및 S609 단계를 보다 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 포트 및 정렬 포트의 평면도이고, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광 포트 및 정렬 포트의 평면도이다.
도 3 내지 도 6를 참조하면, 정렬장치(120, 160)는 결과 신호(Sout)에 기초하여 광 프로브(150)의 광섬유포트(155)와 정렬포트(220)의 상대위치를 조절한다(S607). 예컨대 정렬장치(120, 160)는 결과 신호(Sout)의 크기가 기설정된 값 이상이 될 때까지 광섬유포트(155)와 정렬포트(220)의 상대위치를 조절할 수 있다. 상기 상대위치의 조절은 광섬유포트(155)가 정렬포트(220)의 표면(P1, P1') 위에 위치하도록 조절한 후, 광섬유포트(155)가 정렬포트(220)의 기설정된 위치(P2, P2') 위에 위치하도록 조절함으로써 수행될 수 있다. 정렬포트(220)의 기설정된 위치(P2, P2')는 정렬포트(220)의 중심 위치일 수 있다.
정렬장치(120, 160)는 광섬유포트(155)와 광 포트(210)를 정렬한다(S609). 광 포트(210)의 기설정된 위치(P3, P3')는 정렬 포트(220)의 기설정된 위치(P2, P2')와 기설정된 간격(d)으로 이격된다. 정렬장치(120, 160)는 광섬유포트(155)가 정렬포트(220)의 기설정된 위치(P2, P2') 위에 위치하도록 조절한 후, 광 프로브(150)의 웨이퍼(100a)에 대한 상대위치를 기설정된 간격(d)만큼 이동시킨다. 즉 정렬장치(120, 160)는 광섬유포트(155)가 광 포트(210)의 기설정된 위치(P3, P3') 위에 위치하도록 웨이퍼(100) 또는 광 프로브(150)를 조절한다. 이후 정렬장치(120, 160)는 정렬 정밀도를 최대화하기 위하여 추가 정렬을 수행할 수 있다.
정렬 포트(220)의 웨이퍼 상의 표면적(A1', A2')은 광 포트(210)의 웨이퍼 상의 표면적(A1, A2)보다 넓다. 광섬유포트(155)를 상대적으로 좁은 표면적을 가진 광 포트(210)에 직접 정렬하는 것은 높은 정확도를 요구하며 긴 시간을 소요한다. 보다 넓은 표면적을 가진 정렬포트(220)를 이용하여 광섬유포트(155)를 광 포트(210)에 정렬함으로써, 보다 빠른 정렬이 가능하다.
도 5 및 도 6에서, 광 포트(210) 및 정렬 포트(220)가 직사각형 또는 사다리꼴 형태로 구현되는 실시예를 도시하였으나, 다양한 실시예에 따라 다른 형태로도 구현이 가능하다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 테스트 시스템을 나타낸 도면이다. 도 7(a)는 도 1에 도시된 웨이퍼(100)의 평면도이고, 도 7(b)는 도 1 및 도 2에 도시된 웨이퍼 테스트 시스템을 3차원적으로 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 웨이퍼 테스트 시스템(10b)은 웨이퍼(100b), 광 프로브(150) 및 전기 프로브(130)를 포함한다. 웨이퍼(100b)는 광 포트(310), 정렬포트(320), 광 정렬마크(323), 도파로(325), 광전변환부(350) 및 전기패드(360)를 포함한다. 도 7의 웨이퍼 테스트 시스템(10b)의 구성 및 테스트 방법은 도 3에 도시된 것과 대부분 동일하므로, 설명의 편의를 위해 이하에서 차이점을 위주로 설명한다.
도 7의 광 프로브(150)는 도 2의 입력장치(201)에 해당하며, 도 7의 정렬포트(320)는 도 2의 입력포트(101)에 해당한다. 도 7의 전기패드(360)는 도 2의 출력포트(103)에 해당하며, 도 7의 전기 프로브(130)는 도 2의 측정장치(203)에 해당한다. 전기패드(360)는 광 프로브(150)에 의해 웨이퍼(100)가 가려지는 부분(340)의 외부에 배치된다. 도 7에서 광전변환부(350)는 광 프로브(150)에 의해 웨이퍼(100b)가 가려지는 부분(340)의 외부에 배치된다. 그러나 다른 실시예에서 광전변환부(350)는 광 프로브(150)에 의해 웨이퍼(100b)가 가려지는 부분(340)에 배치될 수도 있다.
광 프로브(150)는 테스팅 신호(Sin)를 송신한다. 정렬포트(320)는 테스팅 신호(Sin)를 수신하고 도파로(325)를 통해 광전변환부(350)로 전송한다. 광전변환부(350)는 테스팅 신호(Sin)를 전기 신호로 변환하고 변환된 전기 신호를 전기패드(360)로 전송한다. 전기패드(360)는 변환된 전기 신호를 결과 신호(Sout)로 전기 프로브(130)에 출력한다. 정렬장치(120, 160)는 전기 프로브(130)에서 측정된 결과 신호(Sout)에 기초하여 광 프로브(150)의 광섬유포트(155)와 정렬포트(320)를 정렬하고, 이후 광섬유포트(155)와 광 포트(310)를 정렬한다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 평면도를 나타낸다.
도 8을 참조하면, 웨이퍼(100c)는 광 포트(310'), 광 정렬마크(323'), 도파로(325), 정렬포트(320') 및 전기패드(360')를 포함한다. 도 8의 웨이퍼(100c)의 구성 및 테스트 방법은 도 7에 도시된 것과 대부분 동일하므로, 설명의 편의를 위해 이하에서 차이점을 위주로 설명한다.
광 프로브(150)는 테스팅 신호(Sin)를 송신한다. 정렬포트(320')는 테스팅 신호(Sin)를 수신한다. 정렬포트(320')는 광전변환부를 포함하며, 정렬포트(320')의 광전변환부는 테스팅 신호(Sin)를 전기 신호로 변환한다. 정렬포트(320')는 변환된 전기 신호를 전기패드(360')로 전송한다. 전기패드(360')는 변환된 전기 신호를 결과 신호(Sout)로 전기 프로브(130)에 출력한다.
상기 실시예들은 광 프로브(150)가 입력장치(201)이고 정렬포트가 입력포트(101)이며, 광 프로브(150)에서 웨이퍼(100)로 진행하는 광을 이용하여 정렬을 수행한다. 그러나 다른 실시예들에서는 광 프로브(150)가 측정장치(203)이고 정렬포트(220)가 출력포트(103)이며, 웨이퍼(100)에서 광 프로브(150)로 진행하는 광을 이용하여 정렬을 수행할 수도 있다. 이하에서 도 9 및 도 10을 참조하여 상기 다른 실시예들을 보다 상세히 설명한다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 평면도를 나타낸다.
도 9를 참조하면, 웨이퍼(100d)는 광 포트(410), 정렬포트(420), 광 정렬마크(423), 도파로(425), 전광변환부(480) 및 전기패드(460)를 포함한다. 도 9의 웨이퍼(100d)를 테스트하기 위한 웨이퍼 테스트 시스템은 도 7b에 도시된 것과 대부분 동일하다. 설명의 편의를 위해 이하에서 도 9의 웨이퍼(100d)와 도 7(a)의 웨이퍼(100b)의 차이점을 위주로 설명한다.
도 7(b)의 전기 프로브(130)는 도 2의 입력장치(201)에 해당한다. 도 9의 전기패드(460)는 도 2의 입력포트(101)에 해당한다. 도 9의 정렬포트(420)는 도 2의 출력포트(103)에 해당한다. 도 7(b)의 광 프로브(150)는 도 2의 측정장치(203)에 해당한다. 전기패드(460)는 광 프로브(150)에 의해 웨이퍼(100d)가 가려지는 부분(440)의 외부에 배치된다. 도 9에서 전광변환부(480)는 광 프로브(150)에 의해 웨이퍼(100d)가 가려지는 부분(440)의 외부에 배치된다. 그러나 다른 실시예에서 전광변환부(480)는 광 프로브(150)에 의해 웨이퍼(100d)가 가려지는 부분(440)에 배치될 수도 있다.
전기 프로브(130)는 테스팅 신호(Sin)를 송신한다. 전기패드(460)는 테스팅 신호(Sin)를 수신하고 전광변환부(480)로 전송한다. 전광변환부(480)는 테스팅 신호(Sin)를 광 신호로 변환한다. 도파로(425)는 전광변환부(480) 및 정렬포트(420) 사이에 접속되어, 변환된 광 신호를 정렬포트(420)로 전달한다. 정렬포트(420)는 변환된 광 신호를 결과 신호(Sout)로 출력한다. 광 프로브(150)는 결과 신호(Sout)를 측정한다. 정렬장치(120, 160)는 측정된 결과 신호(Sout)에 기초하여 광 프로브(150)의 광섬유포트(155)와 정렬포트(420)를 정렬한다. 이후 정렬장치(120, 160)는 광섬유포트(155)와 광 포트(410)를 정렬한다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 평면도를 나타낸다.
도 9 및 10을 참조하면, 웨이퍼(100e)는 광 포트(410'), 정렬포트(420'), 광 정렬마크(423') 및 전기패드(460')를 포함한다. 도 10의 웨이퍼(100e)의 구성 및 테스트 방법은 도 9에 도시된 것과 대부분 동일하므로, 설명의 편의를 위해 이하에서 차이점을 위주로 설명한다.
전기 프로브(130)는 테스팅 신호(Sin)를 송신한다. 전기패드(460)는 테스팅 신호(Sin)를 수신하고 정렬포트(420')로 전송한다. 정렬포트(420')는 전광변환부를 포함하며, 정렬포트(420')의 전광변환부는 테스팅 신호(Sin)를 광 신호로 변환한다. 정렬포트(420')는 변환된 광 신호를 결과 신호(Sout)로 출력한다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 평면도를 나타낸다.
도 11을 참조하면, 웨이퍼(100f)는 광 포트(510), 정렬포트(520), 광 정렬마크(523), 도파로(525), 광 출력포트(530), 광전변환부(550) 및 전기패드(560)를 포함한다. 도 11의 웨이퍼(100f)의 구성 및 테스트 방법은 도 4 및 도 7에 도시된 것과 대부분 동일하므로, 설명의 편의를 위해 이하에서 차이점을 위주로 설명한다.
광 프로브(150)는 테스팅 신호(Sin)를 송신한다. 웨이퍼(100f)의 정렬포트(520)는 테스팅 신호(Sin)를 수신한다. 도파로(525)는 수신한 테스팅 신호(Sin)를 광 출력포트(530)로 전송한다. 광 출력포트(530)는 전송받은 테스팅 신호를 제1 결과 신호로 출력한다. 한편, 도파로(525)는 테스팅 신호(Sin)를 광전변환부(550)로 전달한다. 광전변환부(550)는 테스팅 신호(Sin)를 전기 신호로 변환하고 변환된 전기 신호를 전기패드(560)로 전송한다. 전기패드(560)는 전송받은 전기 신호를 제2 결과 신호로 출력한다.
결과 신호(Sout)의 측정은 비전(190) 및 전기 프로브(130) 중 적어도 하나에 의해 수행될 수 있다. 광 출력포트(530)가 복수의 포트들로 구성될 경우, 비전(190)을 이용하여 광 출력포트(530)에서 출력되는 제1 결과 신호를 측정하면 스캔 카메라를 이용하여 전체 포트들의 출력을 한번에 감지하므로 보다 빠른 측정이 가능하다. 한편, 전기 프로브(130)를 이용하여 전기패드(560)에서 출력되는 제2 결과 신호를 측정하면, 약한 광 신호도 변환된 전기 신호를 통해 측정할 수 있어 측정 감도(sensibility)가 개선된다.
도 11은 도 3의 실시예와 도 7의 실시예를 결합하여 구성한 웨이퍼의 실시예이다. 그러나, 다양한 실시예에 따라 도 3의 실시예와 도 8의 실시예를 결합하여 웨이퍼를 구현할 수도 있다. 즉, 정렬포트(520)는 광전변환부를 포함하며, 광 출력포트(530) 및 전기패드(560)와 연결될 수 있다. 이때 웨이퍼는 광 신호를 광 출력포트(530)를 통해 제1 결과 신호로 출력하고, 전기 신호를 전기패드(560)를 통해 제2 결과 신호로 출력할 수 있다. 그 외에도 이상에서 설명한 실시예들을 조합하여 웨이퍼를 구현할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10: 웨이퍼 테스트 시스템 100: 웨이퍼
110: 웨이퍼 홀더 120: 웨이퍼 포지셔너
130: 전기 프로브 140: 전기 프로브 포지셔너
150: 광 프로브 160: 광 프로브 포지셔너
170: 서포트 베이스 180: 테스터 및 제어 시스템
190: 비전 195: 비전 포지셔너
201: 입력장치 203: 출력장치
101: 입력포트 103: 출력포트
107: 전송선
210, 310, 310', 410, 410', 510: 광 포트
220, 320, 320', 420, 420', 520: 정렬포트
223, 323, 323', 423, 423', 523: 광 정렬마크
225, 325, 325', 425, 425', 525: 도파로
230, 330, 330', 430, 430', 530: 출력포트
240, 340, 340', 440, 440', 540: 광 프로브에 의해 웨이퍼가 가려지는 부분
350, 550: 광전변환부 360, 360', 460, 460', 560: 전기패드
480: 전광변환부

Claims (10)

  1. 테스팅 신호를 송신하는 입력장치;
    광 포트, 상기 테스팅 신호를 수신하는 입력포트 및 상기 테스팅 신호에 기초한 결과 신호를 송신하는 출력포트를 포함하며, 상기 입력포트 또는 상기 출력포트는 정렬포트인 웨이퍼;
    상기 결과 신호를 측정하는 측정장치; 및
    상기 결과 신호에 기초하여 광 프로브의 광섬유포트와 상기 정렬포트를 정렬하고, 이후 상기 광섬유포트와 상기 광 포트를 정렬하는 정렬장치를 포함하고,
    상기 정렬포트가 상기 입력포트일 때 상기 광 프로브는 상기 입력장치이며, 상기 정렬포트가 상기 출력포트일 때 상기 광 프로브는 상기 측정장치인 웨이퍼 테스트 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광 포트는
    상기 정렬포트와 기설정된 간격으로 이격되고,
    상기 정렬장치는
    상기 광 프로브의 상기 웨이퍼에 대한 상대위치를 상기 기설정된 간격만큼 이동시켜 상기 광섬유포트와 상기 광 포트를 정렬하는 웨이퍼 테스트 시스템.
  3. 제2항에 있어서, 상기 정렬포트의 상기 웨이퍼 상의 표면적은
    상기 광 포트의 상기 웨이퍼 상의 표면적보다 넓은 웨이퍼 테스트 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광 프로브는
    상기 입력장치이고,
    상기 정렬포트는
    상기 입력포트인 웨이퍼 테스트 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 웨이퍼는
    상기 정렬포트 및 상기 출력포트 사이에 접속되어, 상기 테스팅 신호를 상기 출력포트로 전달하는 도파로를 더 포함하고,
    상기 결과 신호는 광 신호이며,
    상기 측정장치는 비전(vision)인 웨이퍼 테스트 시스템.
  6. 제4항에 있어서, 상기 웨이퍼는
    상기 테스팅 신호를 전기 신호로 변환하는 광전변환부를 더 포함하며,
    상기 출력포트는 전기패드이고,
    상기 출력포트는 상기 변환된 전기 신호를 상기 결과 신호로 출력하며,
    상기 측정장치는 전기 프로브인 웨이퍼 테스트 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 광 프로브는
    상기 측정장치이고,
    상기 정렬포트는
    상기 출력포트인 웨이퍼 테스트 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 입력장치는 전기 프로브이고,
    상기 입력포트는 전기패드이며,
    상기 웨이퍼는
    상기 테스팅 신호를 광 신호로 변환하는 전광변환부를 더 포함하고,
    상기 출력포트는 상기 변환된 광 신호를 상기 결과 신호로 출력하는 웨이퍼 테스트 시스템.
  9. (a) 입력장치가 웨이퍼의 입력포트로 테스팅 신호를 송신하는 단계;
    (b) 측정장치가 상기 웨이퍼의 출력포트로부터 상기 테스팅 신호에 기초한 결과 신호를 측정하는 단계;
    (c) 상기 결과 신호에 기초하여 광 프로브의 광섬유포트와 정렬포트를 정렬하는 단계; 및
    (d) 상기 광섬유포트와 상기 웨이퍼의 광 포트를 정렬하는 단계를 포함하고,
    상기 입력포트 또는 상기 출력포트는 상기 정렬포트이며,
    상기 정렬포트가 상기 입력포트일 때 상기 광 프로브는 상기 입력장치이고, 상기 정렬포트가 상기 출력포트일 때 상기 광 프로브는 상기 측정장치인 웨이퍼 테스트 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 (c)단계는
    상기 광섬유포트가 상기 정렬포트의 표면 위에 위치하도록 조절하는 단계; 및
    상기 광섬유포트가 상기 정렬포트의 기설정된 위치 위에 위치하도록 조절하는 단계를 포함하는 웨이퍼 테스트 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11448836B2 (en) 2018-10-24 2022-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe device and test device including the same comprising an optical fiber inserted into a hole of an intermediate substrate having a probe mirror

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104483617B (zh) * 2014-12-31 2018-02-23 华中科技大学 一种倒装led芯片在线检测装置
WO2017161061A1 (en) * 2016-03-15 2017-09-21 Nanoprecision Products, Inc. Optical alignment of an optical subassembly to an optoelectronic device
US10361787B2 (en) * 2016-09-01 2019-07-23 Luxtera, Inc. Method and system for optical alignment to a silicon photonically-enabled integrated circuit
JP2019021776A (ja) * 2017-07-18 2019-02-07 浜松ホトニクス株式会社 半導体ウェハ
US11204383B2 (en) * 2019-09-30 2021-12-21 Formfactor, Inc. Methods for maintaining gap spacing between an optical probe of a probe system and an optical device of a device under test, and probe systems that perform the methods
IT202000020413A1 (it) * 2020-08-25 2022-02-25 Technoprobe Spa Testa di misura con un sistema di allineamento perfezionato per il test di dispositivi elettronici comprendenti elementi ottici integrati
IT202000020407A1 (it) * 2020-08-25 2022-02-25 Technoprobe Spa Testa di misura per il test di dispositivi elettronici comprendenti elementi ottici integrati
CN114295948B (zh) * 2020-10-07 2023-11-14 台湾爱司帝科技股份有限公司 电子元件测量设备、电子元件测量方法及发光二极管的制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6859587B2 (en) * 2001-12-28 2005-02-22 Intel Corporation Method and apparatus for wafer level testing of integrated optical waveguide circuits
US6859031B2 (en) * 2002-02-01 2005-02-22 Credence Systems Corporation Apparatus and method for dynamic diagnostic testing of integrated circuits
US7184626B1 (en) 2003-04-07 2007-02-27 Luxtera, Inc Wafer-level testing of optical and optoelectronic chips
US7378861B1 (en) * 2003-04-07 2008-05-27 Luxtera, Inc. Optical alignment loops for the wafer-level testing of optical and optoelectronic chips
CA2558483C (en) * 2004-03-08 2015-01-06 Sioptical, Inc. Wafer-level opto-electronic testing apparatus and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11448836B2 (en) 2018-10-24 2022-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe device and test device including the same comprising an optical fiber inserted into a hole of an intermediate substrate having a probe mirror

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