TWI719627B - 檢查方法及檢查系統 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可使形成有光裝置之被檢查體的測定精確度提升之檢查方法及檢查系統。
本發明之檢查方法，係包含：將半導體元件之電性信號端子與電性連接件予以電性連接，並且將半導體元件之光信號端子與光連接件予以光學性地連接的步驟S20；針對形成在被檢查體之監視用元件，一面調整被檢查體之位置及傾斜之條件，一面測定回應於所輸入之測試輸入信號而輸出之測試光輸出信號，將測試光輸出信號的光強度成為預定之判定值以上的條件作為檢查條件予以抽出的步驟S30；以及在檢查條件中檢查半導體元件之步驟S40。

Description

檢查方法及檢查系統
本發明係關於一種使用於被檢查體之特性檢查的檢查方法及檢查系統。
利用矽光子學技術電性信號，在矽基板等形成有具有供電信號傳送之電性電路及供光信號傳送之光電路的半導體元件(以下稱為「光裝置」)。為了以晶圓狀態檢查光裝置之特性，係採用傳送光信號之光纖等。
例如已揭示有一種使保持於探針本體之光纖的前端接近而取得檢查對象之特性的方法(專利文獻1)。
(先前技術文獻) (專利文獻)
專利文獻1：美國專利申請公開第2006/0008226A1號說明書
然而，在習知之檢查中，對於從檢查對象輸出之光信號的特性並未進行充分之確認。因此，會有無法獲得檢查所要求之測定精確度的問題。
鑑於上述問題點，本發明之目的係在於提供一種可使形成有光裝置之被檢查體的測定精確度提升之檢查方法及檢查系統。
依據本發明之一態樣，提供一種檢查方法，係包含：將半導體元件之電性信號端子與電性連接件予以電性連接，並且將半導體元件之光信號端子與光連接件予以光學性地連接的步驟；針對形成在被檢查體之監視用元件，一面調整被檢查體之位置及傾斜之條件，一面測定回應於所輸入之測試輸入信號而輸出之測試光輸出信號，將測試光輸出信號的光強度成為預定之判定值以上的條件作為檢查條件予以抽出的步驟；以及在檢查條件中檢查半導體元件之步驟。
依據本發明之其他態樣，提供一種檢查系統，係具備：探針卡，係配置有連接件群，該連接件群係包含與半導體元件之電性信號端子電性連接之電性連接件，及與半導體元件之光信號端子光學性連接之光連接件；探針頭，係搭載被檢查體，且以使連接件群與半導體元件之信號端子群連接之方式，調整被檢查體之位置及傾斜；以及測試器，係藉由經由連接件群而傳送之電性信號及光信號而檢查半導體元件之特性；藉由探針頭而一面調整被檢查體之位置及傾斜之條件，一面針對形成在被檢查體之監視用元件測定對應於所輸入之測試輸入信號而輸出之測試光輸出信號，將測試光輸出信號的光強度成為預定之判定值以上的條件作為檢查條件予以抽出，在檢查條件下檢查半導體元件。
依據本發明，可提供一種可使形成有光裝置之被檢查體的測定精確度提升之檢查方法及檢查系統。
10‧‧‧探針卡
11‧‧‧驅動器
12‧‧‧放大器
15‧‧‧卡側對準標記
20‧‧‧探針頭
21‧‧‧台座
22‧‧‧調整機構
30‧‧‧測試器
31‧‧‧電性特性檢查單元
32‧‧‧光學特性檢查單元
40‧‧‧控制裝置
50、50a、50b‧‧‧電性連接件
60、60a、60b‧‧‧光連接件
61‧‧‧測試輸入用連接件
62‧‧‧測試輸出用連接件
73‧‧‧電性配線
81、82、83、84、85‧‧‧光導波路零件
90‧‧‧背面基板
100‧‧‧被檢查體
111‧‧‧光調變元件
112‧‧‧光檢測元件
110‧‧‧光裝置
150‧‧‧晶圓側對準標記
160、160A至160D‧‧‧監視用元件
311‧‧‧電性信號產生器
312‧‧‧電性信號檢查裝置
321‧‧‧光信號產生器
322‧‧‧光源
323‧‧‧光信號檢查裝置
711、712、721、722‧‧‧電性配線
B1、B2、B3、B4‧‧‧塊件
L1‧‧‧測試輸入信號
L2‧‧‧測試光輸出信號
P11、P21、P23‧‧‧電性信號端子
P12、P13、P14、P22‧‧‧光信號端子
R‧‧‧光導波路
S10、S20、S30、S31、S32、S40‧‧‧步驟
第1圖係用以說明本發明之第1實施形態之檢查方法的流程圖。
第2圖係顯示本發明之第1實施形態之檢查系統之構成的示意圖。
第3圖係顯示使用在本發明之第1實施形態之檢查方法之監視用元件之例的示意圖。
第4圖係用以說明藉由本發明之第1實施形態之檢查方法而抽出檢查條件之例的示意圖。
第5圖係用以說明藉由本發明之第1實施形態之檢查方法而抽出檢查條件之其他例的流程圖。
第6圖係用以說明藉由本發明之第1實施形態之檢查系統而檢查光裝置之方法之例的示意圖。
第7圖係用以說明本發明之第1實施形態之檢查方法之變形例之被檢查體的示意俯視圖。
第8圖係用以說明第7圖所示之被檢查體之檢查方法的流程圖。
第9圖係顯示本發明之第1實施形態之變形例之檢查系統之構成的示意圖。
第10圖係顯示本發明之第2實施形態之檢查系統之構成的示意圖。
接著，參照圖式，說明本發明之實施形態。在以下之圖式的記載中，對於相同或類似之部分標記相同或類似之符號。然而，圖式係示意性者，應留意各部分之厚度的比率等係與現實者不同。再者，在圖式彼此之間，當然亦包含彼此之尺寸的關係或比率不同之部分。以下所示之實施形態係例示使本發明之技術思想具體化之裝置或方法者，本發明之實施形態並非將構成零件之材質、形狀、構造、配置等限定於以下所述者。
(第1實施形態)
本發明之第1實施形態之檢查方法係使用在形成有半導體元件(光裝置)之被檢查體的檢查，該半導體元件(光裝置)係具有包含供電性信號傳送之電性信號端子及供光信號傳送之光信號端子的信號端子群。第1實施形態之檢查方法係如第1圖所示，包含：將被檢查體搭載於探針頭之步驟S10；進行初始對位之步驟S20；進行高精確度對位之步驟S30；以及檢查光裝置之步驟S40。
在「初始對位」中，係以一定之位置精確度進行被檢查體之信號端子與檢查系統之連接件的粗略的對位。在「高精確度對位」中，以獲得預定之測定精確度的方式，以比初始對位更高之位置精確度使光裝置之信號端子與連接件連接。
第1實施形態之檢查方法係可藉由例如第2圖所示之檢查系統來執行。因此，在說明檢查方法之詳細之前，針對第2圖所示之檢查系統加以說明。
第2圖所示之檢查系統係具備探針卡10、探針頭20、測試器30及控制裝置40，且在晶圓狀態下檢查形成在被檢查體100之光裝置110而使用。 在第2圖所示之例中，光裝置110係包含使入射光之頻率或相位等之性質變化的光調變元件111，及檢測入射光之光檢測元件112。
在探針卡10配置有包含電性連接件50及光連接件60之連接件群。電性連接件50係與形成在被檢查體100之光裝置110之電性信號端子電性連接。光連接件60係以在與光裝置110之間供光信號傳送之方式，與光裝置110之光信號端子光學性連接。藉由光學性連接，光信號會在光裝置110之光信號端子與光連接件60之間傳送。通常，光信號端子與光連接件60係非接觸。例如，光信號會在光裝置110之光信號端子與接近於該光信號端子配置之光連接件60之間傳送。亦可使用與光信號端子接觸之光連接件60。
電性連接件50中，適當地使用由導電性材料所構成之探針等。例如懸臂形之探針或其他形態之探針係使用在電性連接件50，探針之前端係與光裝置110之電性信號端子連接。與電性連接件50連接之電性配線711、721係配置在探針卡10之內部。
光連接件60係使用光纖等。例如，於貫穿探針卡10之光導波路零件81至83係使用光纖。並且，施行透鏡加工或研磨等末端處理而將該等光纖之前端部作為光連接件60。如此，亦可將使前端部接近於光裝置110之光信號端子的光連接件60與光導波路零件81至83一體化。此外，當然亦可將具有光纖以外之光導波路的光學零件使用在光連接件60或光導波路零件81至83。
第2圖所示之探針卡10係更具備：卡側對準標記15、測試輸入用連接件61及測試輸出用連接件62。測試輸入用連接件61及測試輸出用連接件62係與光連接件60相同之構成。測試輸入用連接件61係經由光導波路零件84而連接在測試器30，測試輸出用連接件62係經由光導波路零件85而連接在 測試器30。針對卡側對準標記15、測試輸入用連接件61及測試輸出用連接件62之詳細加以後述。
在探針卡10中，配置有使電性信號輸入至光裝置110之驅動器11，及將從光裝置110輸出之電性信號予以放大之放大器12。
探針頭20係具備：台座21，係搭載被檢查體100；以及調整機構22，係調整台座21搭載被檢查體100之搭載面的位置及傾斜角。以配置在探針卡10之連接件群的各者與光裝置110之信號端子群相連接之方式，藉由調整機構22來調整搭載於台座21之被檢查體100的位置及傾斜。調整機構22係具備下述功能：調整與台座21之搭載面相同之平面位準之位置(x方向、y方向)、高度(z方向)、以搭載面之面法線為中心軸之旋轉方向及搭載面之傾斜。
測試器30係藉由經由探針卡10之連接件群而傳送之電性信號及光信號，來檢查光裝置110之特性。測試器30係具備：檢查光裝置110之電性特性之電性特性檢查單元31；以及檢查光裝置110之光學特性的光學特性檢查單元32。
電性特性檢查單元31係具備：電性信號產生器311，係輸出檢查所需之電性信號；以及電性信號檢查裝置312，係依據電性信號來檢查電性特性。
電性信號產生器311係將用以驅動光裝置110之驅動信號予以輸出。驅動信號係經由電性配線712輸入至驅動器11。並且，驅動信號係從驅動器11經由電性配線711及電性連接件50輸入至光裝置110之電性信號端子。
從光裝置110之電性信號端子所輸出之輸出信號係經由電性連接件50及電性配線721輸入至放大器12。並且，藉由放大器12所放大之輸出信 號係經由電性配線722輸入至電性信號檢查裝置312。電性信號檢查裝置312係檢查輸出信號是否滿足預定之規格值。
光學特性檢查單元32係具備輸出檢查所需之光信號的光信號產生器321、光源322及依據光信號檢查光學特性之光信號檢查裝置323。從光源322射出之光係經由光導波路零件82及光連接件60入射至光裝置110之光信號端子。光源322係使用發光二極體(LED)或半導體雷射等。光信號產生器321及光信號檢查裝置323係經由連接在光連接件60之光導波路零件81、82而與光裝置110之光信號端子光結合。光信號檢查裝置323係檢查從光裝置110之光信號端子輸出之光信號是否符號預定之規格值。
測試器30係在由電性信號檢查裝置312所得之檢查結果、由光信號檢查裝置323所得之檢查結果的兩方符合規定時，判定光裝置110為良品。依據檢查內容，功率計、電流計、電壓計、遠場圖形(FFP)測定裝置等係使用於測試器30。
控制裝置40係控制探針頭20及測試器30。亦即，藉由控制裝置40來控制探針頭20之調整機構22，探針卡10之連接件群與光裝置110之信號端子群係相連接。並且，藉由控制裝置40之控制，電性信號及光信號會從測試器30輸出，依據從光裝置110輸出之電性信號及光信號，以測試器30來評價光裝置110之特性。
如第2圖所示，在被檢查體100形成有晶圓側對準標記150及監視用元件160。如後所述，晶圓側對準標記150係使用於初始對位，監視用元件160係使用於高精確度對位。
以下，參照第1圖，說明使用第2圖所示之檢查系統的被檢查體100之檢查方法。
首先，在第1圖之步驟S10中，將被檢查體100搭載於探針頭20之台座21之搭載面。並且，在步驟S20中進行初期對位。亦即，利用對位用攝影機等，來辯識卡側對準標記15及晶圓側對準標記150。並且，以使晶圓側對準標記150對位於卡側對準標記15之方式，藉由調整機構22來調整台座21之位置。如此，藉由利用光學性手法之目視等，可執行初始對位。
藉由步驟S20中之初始對位，使探針卡10之電性連接件50與光裝置110之電性信號端子電性連接，並且使探針卡10之光連接件60與光裝置110之光信號端子光學性連接。例如，探針卡10之連接件群的各者係以與形成在被檢查體100之複數個光裝置110的信號端子群連接之方式，藉由探針頭20來調整被檢查體100之位置及傾斜。
接著，在步驟S30中，進行高精確度對位。首先，在步驟S31中，一面調整被檢查體100之位置或傾斜，一面將測試輸入信號輸入至形成在被檢查體100之監視用元件160，以測定從監視用元件160輸出之測試光輸出信號。亦即，將測試輸入信號從測試器30經由光導波路零件84及測試輸入用連接件61輸入至監視用元件160。回應該測試輸入信號，從監視用元件160輸出測試光輸出信號。測試光輸出信號係經由測試輸出用連接件62及光導波路零件85輸入至測試器30。
監視用元件160係採用具備例如第3圖所示之光導波路R之構成。從測試輸入用連接件61輸出之光信號的測試輸入信號L1係從監視用元件160之一方端面入射。測試輸入信號L1係通過光導波路R從監視用元件160之 另一方端面射出測試光輸出信號L2。光信號之測試光輸出信號L2係藉由測試輸出用連接件62而受光。
此外，測試輸出用連接件62之光導波路R的芯部直徑D62係設為遠比監視用元件160之光導波路R的芯部直徑D160大。測試輸入用連接件61之光導波路的芯部直徑D61係可與光導波路R之芯部直徑D160相同程度。
從監視用元件160輸出之測試光輸出信號的光強度係藉由光學特性檢查單元32所測定。例如，藉由光信號檢查裝置323所具有之功率計，以測定測試光輸出信號之光強度。在步驟S31中，一面調整在與探針卡10之連接件群連接時之被檢查體100的位置或傾斜之條件(以下稱為「連接條件」)，一面反覆複數次測定測試光輸出信號。被檢查體100之位置或傾斜係藉由控制裝置40之控制，並藉由探針頭20之調整機構22進行調整。
並且，在步驟S32中，將測試光輸出信號之光強度成為預定之判定值以上的連接條件作為檢查條件予以抽出。抽出檢查條件之方法係如後述。之後，處理係移行至步驟S40。
在步驟S40中，控制裝置40係控制測試器30，且在檢查條件中檢查光裝置110。此時，亦可同時檢查複數個光裝置110。然後，結束處理。
以下，說明抽出檢查條件之方法的例。在此，利用分別配置在相隔開之位置之複數個監視用元件160進行高精確度對位的方法。例如第4圖所示，在俯視圓形狀之被檢查體100中正交之線上的四個部位配置監視用元件160A至160D。
將與最初測定測試光輸出信號時之監視用元件160A之搭載面平行之平面位準的座標(以下稱為「平面座標」)設為平面座標之原點(0、0)。並且， 在調整機構22之調整的公差在x方向為A、在y方向為B時，在以下之八個平面座標中，進行監視用元件160A之測試光輸出信號的測定：(+A、0)、(-A、0)、(0、+B)、(0、-B)、(+A、+B)、(+A、-B)、(-A、+B)、(-A、-B)。
並且，依據在包括原點(0、0)之合計九個平面座標進行之測定結果，將測試光輸出信號為最大強度之平面座標設為「最佳座標」。
接著，在固定於最適座標之狀態下，針對監視用元件160B進行測試光輸出信號之測定。在此，將在最初測定之方向條件作為起點(0、0)，並且將調整機構22之調整的旋轉方向之公差設為θ，將搭載面之傾斜的公差設為S，針對以下之八個方向條件，進行監視用元件160B之測試光輸出信號的測定：(0、0)、(+θ、0)、(-θ、0)、(0、+S)、(0、-S)、(+θ、+S)、(+θ、-S)、(-θ、+S)、(-θ、-S)。
並且，依據在包括起點(0、0)之合計九個方向條件之測定結果，將測試光輸出信號為最大強度之方向條件設為「最佳方向」。
然後，針對監視用元件160C及監視用元件160D，首先在最佳座標與最佳方向進行測試光輸出信號之測定。並且，將連結監視用元件160A與監視用元件160B之線作為軸，針對使搭載面之傾斜分別傾斜達+S、-S之二個方向，進行監視用元件160C及監視用元件160D之測試光輸出信號的測定。由合計3方向之測定結果，將監視用元件160C與監視用元件160D之測定結果成為相同之傾斜設為「最佳傾斜」。依據以上方式，抽出檢查條件。
在上述說明中，將在複數個測定結果中，將測試光輸出信號之光強度為最大之連接條件作為檢查條件予以抽出之例加以說明。對此，亦可將測試 光輸出信號之光強度為預定之判定值以上的連接條件作為檢查條件予以抽出。參照第5圖說明該抽出方法。
在第5圖所示之步驟S31中，在步驟S311中，對於形成在被檢查體100之監視用元件160輸入測試輸入信號。回應該測試輸入信號，從監視用元件160輸出之測試光輸出信號係輸入至測試器30。
接著，在步驟S312中，從監視用元件160所輸出之測試光輸出信號的光強度係藉由光學特性檢查單元32所測定。例如，藉由光信號檢查裝置323所具有之功率計，測定測試光輸出信號之光強度。
並且，在步驟S313中，判定光學特性檢查單元32是否為測試光輸出信號之光強度為預定判定值以上。當光強度為判定值以上時，處理係前進至步驟S320。
另一方面，當光強度比判定值低時，前進至步驟S314，控制裝置40係控制探針頭20，以調整被檢查體100之位置或傾斜。然後，處理係回到步驟S311，並且在新的連接條件下測定測試光輸出信號。
在對應於第1圖之步驟S32的步驟S320中，將測試光輸出信號之光強度為預定之判定值以上時之被檢查體100的位置或傾斜作為檢查條件予以抽出。然後，處理會前進至第1圖所示之步驟S40。
在參照第5圖加以說明之高精確度對位中，從監視用元件160輸出之測試光輸出信號的光強度成為預定之判定值以上為止，一面調整被檢查體100之位置或傾斜，一面反覆進行測試輸入信號之輸入與測試光輸出信號之光強度的判定。測試光輸出信號之光強度的判定值，係設定為能夠以檢查所需之測定 精確度獲得測定結果。此外，當然亦可將能夠得到判定值以上之光強度中之最大強度之連接條件作為檢查條件。
如上所述，在利用第2圖所示之檢查系統的檢查方法中，於高精確度對位中，一面使探針卡10之連接件群與被檢查體100連接時之連接條件變化，一面反覆進行測試光輸出信號之測定，而找出檢查條件。然後，在檢查條件中，於被檢查體100之光裝置110中進行檢查。藉此，針對光裝置110，可進行測定精確度高之檢查。
此外，在上述中，例示監視用元件160為光導波路之例。然而，監視用元件160亦可非為單純之光導波路。例如，亦可使用輸入電性信號或光信號，或輸入電性信號與光信號之兩者，且輸出光信號之監視用元件160。亦即，電性特性檢查單元31及光學特性檢查單元32之至少任一者係對監視用元件160輸入測試輸入信號。並且，光學特性檢查單元32係檢查從監視用元件160輸出之測試光輸出信號的光強度。
參照第6圖說明光調變元件111之檢查方法的例。將從電性信號產生器311輸出之電性信號輸入至驅動器11，接著將來自光源322之連續振盪光經由光連接件60b輸入至光調變元件111之光信號端子P13。與此同時，將來自驅動器11之驅動信號經由電性連接件50a輸入至光調變元件111之電性信號端子P11。
回應上述之輸入而從光調變元件111之光信號端子P12輸出之光強度調變信號光係經由光連接件60a輸入至測試器30。並且，藉由光信號檢查裝置323來檢查光強度調變信號光之光學特性。例如，檢查光調變度、挿入損 失、調變頻寬、消光比、波長啁啾等。因此，將調變度測定器、光示波器等使用在光信號檢查裝置323。
光檢測元件112之檢查係以例如下述方式進行。從光信號產生器321輸出之光信號係經由第6圖所示之光連接件60c輸入至光檢測元件112之光信號端子P22。回應光信號之輸入而從光檢測元件112之電性信號端子P21輸出之電性信號係經由電性連接件50b輸入至放大器12。藉由放大器12所放大之電性信號係輸入至電性信號檢查裝置312，以檢查光檢測元件112之電性特性。例如，檢查暗電流、受光靈敏度(光電流)、回應速度、指向特性、分光靈敏度特性、放射照度-相對光電流特性、集極、射極間電壓、電流特性等。
如以上說明，在第1實施形態之檢查方法中，利用監視用元件160來進行高精確度對位。藉此，以高的位置精確度將形成在被檢查體100之光裝置110的電性信號端子及光信號端子及探針卡10之連接件群全部予以連接。因此，獲得具有預定之光強度的光輸出信號，而可使形成有光裝置110之被檢查體100的測定精確度提升。再者，依據第2圖所示之檢查系統，可針對形成在被檢查體100之複數個光裝置110，同時進行檢查。結果，可大幅地縮短檢查時間，且可使檢查效率提升。
此外，亦可單獨地檢查一個光裝置110，亦可同時地檢查形成在被檢查體100之所有的光裝置110。或者，將被檢查體100分割成複數個區域，且依各個區域測定光裝置110。例如第7圖所示，將被檢查體100分割成包含光裝置110之塊件B1至B4，並且對於塊件B1至B4之各者配置監視用元件160。並且，依每一塊件B1至B4檢查光裝置110。
參照第8圖說明第7圖所示之被檢查體100的檢查方法之例。首先，在步驟S110中，將被檢查體100搭載於探針頭20之台座21。並且，在步驟S120中，從複數個塊件選擇未檢查之塊件，且在步驟S130中，針對所選擇之塊件，與第1圖之步驟S20同樣地，進行初始對位。
接著，在步驟S140中，針對所選擇之塊件，藉由以第1圖之步驟S30所說明之方法，進行高精確度對位。在高精確度對位之後，在步驟S150中，檢查所選擇之塊件的光裝置110。
然後，在步驟S160中，針對所有之塊件判定是否進行過檢查。若有未檢查之塊件，則回到步驟S120。若針對所有之塊件有進行檢查，則結束處理。
<變形例>
在上述說明中，針對僅在與探針卡10相對向之表面配置有信號端子之被檢查體100的檢查加以說明。相對於此，在亦於與探針頭20相對向之背面配置有信號端子之被檢查體100的檢查中，如第9圖所示，在探針頭20之搭載面配置電性連接件50及光連接件60。亦即，配置有光連接件60及電性連接件50之背面基板90係配置在台座21之上表面，該光連接件60及電性連接件50分別與配置在被檢查體100之背面的光信號端子P14及電性信號端子P23連接。
分別與配置在背面基板90之電性連接件50及光連接件60連接的電性配線73及光導波路零件86係配置在背面基板90之內部。雖省略圖示，電性配線73及光導波路零件86係連接在測試器30。第9圖所示之檢查系統與第2圖所示之檢查系統之不同點在於，第9圖所示之檢查系統係在台座21之上表面配置有背面基板90。
在利用第9圖所示之檢查系統的檢查方法中，使光裝置110之背面的信號端子群與配置於探針頭20之搭載面的連接件群相對位，並將被檢查體100搭載於探針頭20。然後，藉由參照第1圖所說明之方法，使光裝置110之表面的信號端子群與配置在探針卡10之連接件群相對位，以檢查光裝置110。
(第2實施形態)
在第1實施形態中，針對在形成有光裝置110之區域的其餘區域中，於被檢查體100形成有監視用元件160之情形加以說明。相對於此，如以下說明。亦可將從形成在被檢查體100之複數個光裝置110中選擇之半導體元件使用作為監視用元件。
第10圖係顯示本發明之第2實施形態之檢查系統的構成。第10圖所示之檢查系統與第1圖所示之檢查系統之不同點在於，在探針卡10未配置有測試輸入用連接件61及測試輸出用連接件62。因此，在第10圖所示之檢查系統中，並未配置有光導波路零件84、85。關於其他之構成則與第1圖所示之第1實施形態相同。以下，說明使用第10圖所示之檢查系統的檢查方法。
首先，將被檢查體100搭載於探針頭20之台座21之搭載面(步驟S10)。然後，利用例如晶圓側對準標記150與卡側對準標記15，進行初始對位(步驟S20)。
接著，如以下所述進行高精確度對位(步驟S30)。首先，將測試輸入信號從測試器30輸入至形成在被檢查體100之複數個光裝置110中選擇之監視用元件。例如，光學特性檢查單元32係將測試輸入信號輸入至監視用元件之光信號端子。監視用元件係回應於測試輸入信號而動作，且測試光輸出信號從監視用元件輸出。測試光輸出信號係經由光連接件60輸入至測試器30。光學特性 檢查單元32係測定該測試光輸出信號之光強度(步驟S31)。並且，藉由上述說明之方法，將測試光輸出信號之光強度成為預定判定值以上的連接條件作為檢查條件予以抽出(步驟S32)。
然後，控制裝置40係控制測試器30，且在檢查條件下檢查光裝置110(步驟S40)。藉由以上步驟，使用第10圖所示之檢查系統的檢查結束。
在第2實施形態之檢查方法中，將例如電性信號或光信號，或電性信號與光信號之兩者輸入並輸出光信號的光裝置110使用於監視用元件。
如以上所說明，在第2實施形態之檢查方法中，利用從光裝置110選擇之監視用元件進行高精確度對位。其他係與第1實施形態實質上相同，並省略其重複之記載。依據第2實施形態之檢查方法，與在形成有光裝置110之區域的外部形成監視用元件160之檢查方法相比較，可使被檢查體100之面積變小。
(其他實施形態)
如上所述，本發明雖係由實施形態所記載，但顯示該揭露內容之一部分的論述及圖式係不應理解成為限定本發明者。由該揭露內容，本發明所屬技術領域中具有通常知識者當可明瞭各種之替代實施形態、實施例及運用技術。
例如，在上述說明中，係顯示使用覆蓋被檢查體100之整面之面積的探針卡10來檢查光裝置110之例。然而，亦可使用配合被檢查體100之一部分，例如配合第7圖所示之塊件尺寸的面積之探針卡10，依每一塊件檢查光裝置110。
此外，亦可將從被檢查體100之光信號端子所輸出之光信號轉換成電性信號之後輸入至測試器30。亦即，藉由轉換裝置將經由與光信號端子光學性連接之光連接件60傳送之光信號轉換成電性信號。轉換後之電性信號係輸 入至電性特性檢查單元31之電性信號檢查裝置312，並檢查電性特性。轉換裝置係搭載於例如探針卡10。
如此，本發明係當然包含有本說明書未記載之各種實施形態等。
S10、S20、S30、S31、S32、S40‧‧‧步驟

Claims (18)

  1. 一種檢查方法，係形成有半導體元件之被檢查體之檢查方法，該半導體元件係具有供電氣信號傳送之電性信號端子及供光信號傳送之光信號端子，該檢查方法係包含：將前述半導體元件之前述電性信號端子與電性連接件予以電性連接，並且將前述半導體元件之前述光信號端子與光連接件予以光學性地連接的步驟；針對形成在前述被檢查體之監視用元件，一面調整前述被檢查體之位置及傾斜之條件，一面測定回應於所輸入之測試輸入信號而輸出之測試光輸出信號，將前述測試光輸出信號的光強度成為預定之判定值以上的條件作為檢查條件予以抽出的步驟；以及在前述檢查條件中檢查前述半導體元件之步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之檢查方法，其中，在一面調整條件一面進行測定之處理中，將前述測試光輸出信號之光強度成為最大之條件作為前述檢查條件。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之檢查方法，其中，在前述檢查條件中同時檢查複數個前述半導體元件。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之檢查方法，其中，前述監視用元件係形成在前述被檢查體之形成有前述半導體元件之區域的其餘區域。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之檢查方法，其中，前述監視用元件係光導波路。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之檢查方法，其中，前述監視用元件係從形成在前述被檢查體之複數個前述半導體元件中選擇者。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之檢查方法，其中，針對將前述被檢查體予以分割而得之各個塊件，配置前述監視用元件，且在每一前述塊件檢查前述半導體元件。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之檢查方法，其中，利用配置有前述電性連接件及前述光連接件之探針卡，使前述半導體元件之前述電性信號端子與前述電性連接件電性連接，並且使前述半導體元件之前述光信號端子與前述光連接件光學性連接。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之檢查方法，其中，利用搭載有前述被檢查體並調整前述被檢查體之位置及傾斜的探針頭，使前述半導體元件之前述電性信號端子與前述電性連接件電性連接，並且使前述半導體元件之前述光信號端子與前述光連接件光學性連接。
  10. 一種檢查系統，係使用在形成有半導體元件之被檢查體之檢查者，該半導體元件係具有包含供電氣信號傳送之電性信號端子及供光信號傳送之光信號端子的信號端子群，該檢查系統係具備：探針卡，係配置有連接件群，該連接件群係包含與前述半導體元件之前述電性信號端子電性連接之電性連接件，及與前述半導體元件之前述光信號端子光學性連接之光連接件；探針頭，係搭載前述被檢查體，且以使前述連接件群與前述半導體元件之前述信號端子群連接之方式，調整前述被檢查體之位置及傾斜；以及測試器，係藉由經由前述連接件群而傳送之電性信號及光信號而檢查前述半導體元件之特性； 藉由前述探針頭而一面調整前述被檢查體之位置及傾斜之條件，一面針對形成在前述被檢查體之監視用元件測定回應於所輸入之測試輸入信號而輸出之測試光輸出信號，將前述測試光輸出信號的光強度成為預定之判定值以上的條件作為檢查條件予以抽出，在前述檢查條件下檢查前述半導體元件。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之檢查系統，其中，在一面調整條件一面進行測定之處理中，將前述測試光輸出信號之光強度成為最大之條件作為前述檢查條件。
  12. 如申請專利範圍第10項或第11項所述之檢查系統，其中，在前述檢查條件中同時檢查複數個前述半導體元件。
  13. 如申請專利範圍第10項或第11項所述之檢查系統，其中，前述監視用元件係形成在前述被檢查體之形成有前述半導體元件之區域的其餘區域；在前述探針頭中，配置有供前述測試輸入信號傳送之測試輸入用連接件，及供前述測試光輸出信號傳送之測試輸出用連接件。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之檢查系統，其中，前述監視用元件係光導波路。
  15. 如申請專利範圍第10項或第11項所述之檢查系統，其中，前述監視用元件係從形成在前述被檢查體之複數個前述半導體元件中所選擇者。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之檢查系統，其中，前述測試器係具備：電性特性檢查單元，係檢查前述半導體元件之電性特性； 光學特性檢查單元，係檢查前述半導體元件之光學特性；前述電性特性檢查單元及前述光學特性檢查單元之至少一者係對前述監視用元件輸入前述測試輸入信號，前述光學特性檢查單元係檢查從前述監視用元件輸出之前述測試光輸出信號的光強度。
  17. 如申請專利範圍第10項或第11項所述之檢查系統，其中，前述探針頭係具備：台座，係搭載前述被檢查體；調整機構，係調整前述台座之搭載前述被檢查體的搭載面之位置及傾斜角。
  18. 如申請專利範圍第10項或第11項所述之檢查系統，其中，在前述探針頭之與前述被檢查體之背面相對向的搭載面，配置有與配置在前述被檢查體之背面的信號端子連接之連接件。
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