KR20140084844A - Organic light emitting display device and method for manufacturing thereof - Google Patents

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KR20140084844A
KR20140084844A KR1020120154797A KR20120154797A KR20140084844A KR 20140084844 A KR20140084844 A KR 20140084844A KR 1020120154797 A KR1020120154797 A KR 1020120154797A KR 20120154797 A KR20120154797 A KR 20120154797A KR 20140084844 A KR20140084844 A KR 20140084844A
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Abstract

An organic light emitting display device capable of reducing the number of mask processes includes a substrate in which a plurality of pixel regions having a thin film transistor region and an opening region are defined; a thin film transistor formed on the thin film transistor region to include a gate, an active layer, a source, and a drain; a color filter layer formed on the opening region and the thin film transistor region to partially expose the source of the thin film transistor; an anode formed on the color filter layer of the opening region to be connected to the source exposed by the color filter layer; a bank layer formed on the anode and the color filter layer to define the opening region; an organic light emitting device formed on the anode of the opening region defined by the bank layer; and a cathode formed on the organic light emitting device and the bank layer.

Description

유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 마스크 공정 수를 감소시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an organic light emitting display, and more particularly, to an organic light emitting display capable of reducing the number of mask processes and a manufacturing method thereof.

최근, 표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치가 상용화되고 있다. 이러한, 평판 표시 장치 중에서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치는 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성으로 인하여 노트북 컴퓨터, 텔레비전, 테블릿 컴퓨터, 모니터, 스마트 폰, 휴대용 디스플레이 기기, 휴대용 정보 기기 등의 표시 장치로 널리 사용되고 있다.In recent years, the importance of display devices has been increasing with the development of multimedia. In response to this, flat panel display devices such as liquid crystal display devices, plasma display devices, and organic light emitting display devices have been commercialized. Among such flat panel display devices, liquid crystal display devices and organic light emitting display devices are widely used in a variety of fields such as a notebook computer, a television, a tablet computer, a monitor, a smart phone, a portable display device, a portable information device, and the like due to their excellent characteristics such as thinness, light weight, And is widely used as a display device of a display device.

유기 발광 표시 장치는 전자(electron)를 주입하는 음극(cathode)과 정공(hole)을 주입하는 양극(anode) 사이에 발광층이 형성된 구조를 가지며, 음극에서 발생된 전자 및 양극에서 발생된 정공이 발광층 내부로 주입되면 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성되고, 생성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 일으킴으로써 화상을 표시하게 된다.The OLED display has a structure in which a light emitting layer is formed between a cathode for injecting electrons and an anode for injecting holes, and electrons generated in the cathode and holes generated in the anode are injected into the light- The injected electrons and holes are coupled to generate an exciton, and the generated exciton drops from the excited state to the ground state to emit light, thereby displaying an image do.

한편, 최근 유기 발광 표시 장치는 대면적화 추세이며, 이러한 대면적을 갖는 유기 발광 표시 장치를 제조하기 위해서는 제조 장비의 대형화가 필수적이며, 이로 인해 파인 메탈 마스크 장비도 대형화가 요구되었으며, 큰 면적을 갖는 파인 메탈 마스크는 400Kg 이상의 무게를 갖게 되었다. 이에 따라, 장비의 장착이나 다른 파인 메탈 마스크로 교체 시 너무 많은 시간이 소요되었으며, 진공 증착시 처짐 등이 발생하여 고해상도 구현이 어려운 문제가 발생되었다.On the other hand, in recent years, the organic light emitting display device has been increasing in size. In order to manufacture such an organic light emitting display device having a large area, it is necessary to enlarge the manufacturing equipment. Therefore, the fine metal mask equipment has also been required to be large- Fine metal masks weigh over 400Kg. Therefore, it took too much time to mount the equipment or replace it with another fine metal mask, and it was difficult to realize a high resolution due to deflection during vacuum deposition.

따라서, 대면적화와 고해상도 구현이 어려운 파인 메탈 마스크 방식 대신 백색 발광을 하는 유기 발광층을 형성하고, 서브 화소 단위로 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층을 형성하여 영상을 구현하는 WRGB 방식의 유기 발광 표시 장치가 개발되었다.Therefore, a WRGB type organic light emitting display in which an organic light emitting layer that emits white light is formed instead of a fine metal mask method that is difficult to realize a large-sized and high resolution, and a color filter layer of red, green, The device was developed.

도 1은 종래기술에 따른 WRGB 방식의 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a WRGB-type organic light emitting display according to a related art.

도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 WRGB 방식의 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터 영역(TA)과 개구 영역(OA)을 가지는 복수의 화소 영역(P1, P2, P3)을 포함하여 이루어진다. 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 박막 트랜지스터 영역(TA)에는 게이트 전극(12), 액티브층(16), 소스 전극(20a), 및 드레인 전극(20b)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 그리고, 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 개구 영역(OA)에는 컬러필터층(24), 애노드 전극(28), 유기 발광 소자(32), 및 캐소드 전극(34)을 포함하는 발광부가 형성된다.Referring to FIG. 1, a conventional WRGB OLED display includes a plurality of pixel regions P1, P2, and P3 each having a thin film transistor (TFT) region TA and an opening region OA. A thin film transistor TFT including a gate electrode 12, an active layer 16, a source electrode 20a, and a drain electrode 20b is formed in the thin film transistor region TA of each pixel region P1, P2, . A light emitting portion including the color filter layer 24, the anode electrode 28, the organic light emitting element 32, and the cathode electrode 34 is formed in the opening region OA of each of the pixel regions P1, P2, and P3 do.

보다 구체적으로 설명하면, 종래의 유기 발광 표시 장치는 기판(10), 게이트 전극(12), 게이트 절연막(14), 액티브층(16), 에치 스톱퍼(18), 소스 전극(20a), 드레인 전극(20b), 보호막(22), 컬러필터층(24), 평탄화막(26), 애노드 전극(28), 뱅크층(30), 유기 발광 소자(32), 및 캐소드 전극(34)을 포함한다.More specifically, a conventional organic light emitting diode display includes a substrate 10, a gate electrode 12, a gate insulating film 14, an active layer 16, an etch stopper 18, a source electrode 20a, A color filter layer 24, a planarization layer 26, an anode electrode 28, a bank layer 30, an organic light emitting element 32, and a cathode electrode 34. [

상기 게이트 전극(12)은 상기 기판(10) 상에 패턴 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막(14)은 상기 게이트 전극(12) 상에 형성되어 있다.The gate electrode 12 is formed in a pattern on the substrate 10 and the gate insulating film 14 is formed on the gate electrode 12.

상기 액티브층(16)은 상기 게이트 전극(12)과 중첩되면서 상기 게이트 절연막(14) 상에 형성되어 있고, 상기 에치 스톱퍼(18)는 상기 액티브층(16) 상에 형성되어 있다.The active layer 16 is formed on the gate insulating film 14 while being overlapped with the gate electrode 12. The etch stopper 18 is formed on the active layer 16.

상기 소스 전극(20a)과 드레인 전극(20b)은 서로 마주하면서 상기 에치 스톱퍼(18) 상에 형성되어 있으며, 상기 소스 전극(20a)은 상기 액티브층(16)의 일측과 연결되어 있고, 상기 드레인 전극(20b)은 상기 액티브층(16)의 타측과 연결되어 있다.The source electrode 20a and the drain electrode 20b face each other and are formed on the etch stopper 18. The source electrode 20a is connected to one side of the active layer 16, The electrode 20b is connected to the other side of the active layer 16.

상기 보호막(22)은 상기 소스 전극(20a)과 드레인 전극(20b) 상에 형성되어 있다.The protective layer 22 is formed on the source electrode 20a and the drain electrode 20b.

상기 컬러필터층(24)은 상기 개구 영역(OA)의 보호막(22) 상에 형성되어 있다. 이러한 상기 컬러필터층(24)은 각 화소 영역(P1, P2, P3)에 대응되는 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층으로 이루어질 수 있다.The color filter layer 24 is formed on the protective film 22 of the opening area OA. The color filter layer 24 may include red, green, and blue color filter layers corresponding to the pixel regions P1, P2, and P3.

상기 평탄화막(26)은 상기 컬러필터층(24)과 박막 트랜지스터(TFT) 상에 형성되어 있다.The planarization film 26 is formed on the color filter layer 24 and the thin film transistor TFT.

상기 애노드 전극(28)은 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 개구 영역(OA)에 중첩되도록 상기 평탄화막(26) 상에 패턴 형성되어 있다. 특히, 상기 애노드 전극(28)은 상기 보호막(22)과 상기 평탄화막(26)에 형성된 콘택홀을 통해서 상기 소스 전극(20a)과 연결되어 있다.The anode electrode 28 is patterned on the planarization film 26 so as to overlap the opening area OA of each pixel region P1, P2, and P3. In particular, the anode electrode 28 is connected to the source electrode 20a through the contact hole formed in the protective film 22 and the planarization film 26. [

상기 뱅크층(30)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩되도록 상기 평탄화막(26) 상에 형성되어 있다. 이러한 상기 뱅크층(30)에 의해서 상기 개구 영역(OA)이 정의된다.The bank layer 30 is formed on the planarization film 26 so as to overlap with the thin film transistor TFT. The opening region OA is defined by the bank layer 30.

상기 유기 발광 소자(32)는 상기 뱅크층(30)에 의해 정의된 개구 영역(OA)의 애노드 전극(28) 상에 형성되어 있다.The organic light emitting element 32 is formed on the anode electrode 28 of the opening region OA defined by the bank layer 30. [

상기 캐소드 전극(34)은 상기 유기 발광 소자(32) 상에 형성되어 있다. 상기 캐소드 전극(34)은 각 화소 영역(P1, P2, P3)에 형성된 상기 유기 발광 소자(32)에 공통적으로 연결되어 있다.The cathode electrode 34 is formed on the organic light emitting element 32. The cathode electrode 34 is commonly connected to the organic light emitting device 32 formed in each pixel region P1, P2, and P3.

이와 같은 종래기술에 따른 WRGB 방식의 유기 발광 표시 장치는 게이트 전극(12), 액티브층(16), 에치 스톱퍼(18), 소스 전극(20a), 드레인 전극(20b), 보호막(22), 컬러필터층(24), 평탄화막(26), 애노드 전극(28), 뱅크층(30), 유기 발광 소자(32), 및 캐소드 전극(34) 각각을 형성 공정마다 마스크를 사용함으로써 제조 공정이 복잡하고, 공정 시간 및 제조 비용이 높다는 문제점이 있다.The WRGB type organic light emitting display according to the related art includes a gate electrode 12, an active layer 16, an etch stopper 18, a source electrode 20a, a drain electrode 20b, a protective film 22, The manufacturing process is complicated by using a mask for each of the forming processes of the filter layer 24, the planarization film 26, the anode electrode 28, the bank layer 30, the organic light emitting element 32, and the cathode electrode 34 , Process time and manufacturing cost are high.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 마스크 공정 수를 감소시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same that can reduce the number of mask processes.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터 영역과 개구 영역을 가지는 복수의 화소 영역이 정의된 기판; 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하도록 상기 박막 트랜지스터 영역 상에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 개구 영역과 상기 박막 트랜지스터 영역 상에 패턴 형성되어 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 일부를 노출시키는 컬러필터층; 상기 컬러필터층에 의해 노출된 상기 소스 전극에 연결되도록 상기 개구 영역의 컬러필터층 상에 형성된 애노드 전극; 상기 애노드 전극과 상기 컬러필터층 상에 형성되어 상기 개구 영역을 정의하는 뱅크층; 상기 뱅크층에 의해 정의되는 상기 개구 영역의 애노드 전극 상에 형성된 유기 발광 소자; 및 상기 유기 발과 소자와 상기 뱅크층 상에 형성된 캐소드 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: a substrate having a plurality of pixel regions defined therein having a thin film transistor region and an opening region; A thin film transistor formed on the thin film transistor region to include a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode; A color filter layer patterned on the opening region and the thin film transistor region to expose a part of the source electrode of the thin film transistor; An anode electrode formed on the color filter layer of the opening region to be connected to the source electrode exposed by the color filter layer; A bank layer formed on the anode electrode and the color filter layer to define the opening region; An organic light emitting element formed on the anode electrode of the opening region defined by the bank layer; And a cathode electrode formed on the organic layer, the organic layer, and the bank layer.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법은 박막 트랜지스터 영역과 개구 영역을 가지는 복수의 화소 영역이 정의된 기판의 상기 박막 트랜지스터 영역 상에 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 공정; 상기 개구 영역과 상기 박막 트랜지스터 영역 상에 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 일부를 노출시키는 컬러필터층을 패턴 형성하는 공정; 상기 개구 영역의 컬러필터층 상에 상기 컬러필터층에 의해 노출된 상기 소스 전극에 연결되는 애노드 전극을 형성하는 공정; 상기 애노드 전극과 상기 컬러필터층 상에 상기 개구 영역을 정의하는 뱅크층을 형성하는 공정; 상기 뱅크층에 의해 정의되는 상기 개구 영역의 애노드 전극 상에 유기 발광 소자를 형성하는 공정; 및 상기 유기 발과 소자와 상기 뱅크층 상에 캐소드 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of driving an organic light emitting display, including: forming a gate electrode, an active layer, and a source on a thin film transistor region of a substrate on which a plurality of pixel regions having a thin film transistor region and an opening region are defined; Forming a thin film transistor including an electrode and a drain electrode; Forming a color filter layer pattern exposing a part of a source electrode of the thin film transistor on the opening region and the thin film transistor region; Forming an anode electrode on the color filter layer of the opening region, the anode electrode being connected to the source electrode exposed by the color filter layer; Forming a bank layer defining the opening region on the anode electrode and the color filter layer; Forming an organic light emitting element on the anode electrode of the opening region defined by the bank layer; And forming a cathode electrode on the organic layer, the element, and the bank layer.

상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.According to the solution of the above-mentioned problems, the organic light emitting display according to the present invention and its manufacturing method have the following effects.

첫째, 각 화소 영역의 개구 영역 뿐만 아니라 박막 트랜지스터 영역 상에 컬러필터층을 패턴 형성함으로써 평탄화막의 공정을 생략할 수 있고, 이를 통해 하나의 마스크 공정을 감소시킬 수 있다.First, by patterning the color filter layer on the thin film transistor region as well as the opening region of each pixel region, the planarization film process can be omitted, thereby reducing one mask process.

둘째, 각 화소 영역의 개구 영역 뿐만 아니라 박막 트랜지스터 상에 컬러필터층을 패턴 형성함으로써 보호막 및 평탄화막 각각의 공정을 생략할 수 있고, 이를 통해 2개의 마스크 공정을 감소시킬 수 있다.Second, by patterning the color filter layer on the thin film transistor as well as the opening region of each pixel region, the process of each of the protective film and the planarizing film can be omitted, thereby reducing the two mask processes.

도 1은 종래기술에 따른 WRGB 방식의 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에서, 컬러필터층의 형성 공정을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 일부의 공정 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에서, 컬러필터층의 형성 공정을 설명하기 위한 공정 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a WRGB-type organic light emitting display according to a related art.
2 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to a first embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to a second embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to a third embodiment of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to a fourth embodiment of the present invention.
6A to 6G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an OLED display according to a first embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view illustrating a process for forming a color filter layer in a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to a second embodiment of the present invention.
8A to 8C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an OLED display according to a third embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view illustrating a process for forming a color filter layer in a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to a fourth embodiment of the present invention.

본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.It should be noted that, in the specification of the present invention, the same reference numerals as in the drawings denote the same elements, but they are numbered as much as possible even if they are shown in different drawings.

한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.Meanwhile, the meaning of the terms described in the present specification should be understood as follows.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the terms "comprises" or "having" does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

"상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우 뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.The term "on" means not only when a configuration is formed directly on top of another configuration, but also when a third configuration is interposed between these configurations.

이하에서는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터 영역(TA) 및 개구 영영(OA)을 가지는 복수의 화소 영역(P1, P2, P3)을 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 2, the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention includes a plurality of pixel regions P1, P2, and P3 having a thin film transistor (TFT) region TA and an open aperture region OA.

각 화소 영역(P1, P2, P3)의 박막 트랜지스터 영역(TA)에는 게이트 전극(112), 액티브층(116), 소스 전극(120a), 및 드레인 전극(120b)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 그리고, 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 개구 영역(OA)에는 컬러필터층(124), 애노드 전극(128), 발광 소자(132), 및 캐소드 전극(134)을 포함하는 발광부가 형성된다.A thin film transistor TFT including a gate electrode 112, an active layer 116, a source electrode 120a, and a drain electrode 120b is formed in the thin film transistor region TA of each pixel region P1, P2, . A light emitting portion including the color filter layer 124, the anode electrode 128, the light emitting element 132, and the cathode electrode 134 is formed in the opening region OA of each pixel region P1, P2, and P3 .

보다 구체적으로 설명하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 게이트 전극(112), 게이트 절연막(114), 액티브층(116), 에치 스톱퍼층(118), 소스 전극(120a), 드레인 전극(120b), 보호막(122), 컬러필터층(124), 애노드 전극(128), 뱅크층(130), 유기 발광 소자(132), 및 캐소드 전극(134)을 포함한다.The organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention includes a substrate 110, a gate electrode 112, a gate insulating layer 114, an active layer 116, an etch stopper layer 118, And includes a source electrode 120a, a drain electrode 120b, a protective film 122, a color filter layer 124, an anode electrode 128, a bank layer 130, an organic light emitting element 132, and a cathode electrode 134 do.

상기 기판(110)은 유리가 주로 이용되지만, 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱, 예로서, 폴리이미드가 이용될 수 있다. 폴리이미드를 상기 기판(110)의 재료로 이용할 경우에는, 상기 기판(110) 상에서 고온의 증착 공정이 이루어짐을 감안할 때, 고온에서 견딜 수 있는 내열성이 우수한 폴리이미드가 이용될 수 있다.Although glass is mainly used for the substrate 110, transparent plastic such as polyimide which can be bent or rolled can be used. When polyimide is used as the material of the substrate 110, polyimide having excellent heat resistance that can withstand high temperatures can be used, considering that a high temperature deposition process is performed on the substrate 110.

상기 게이트 전극(112)은 상기 기판(110) 상에 패턴 형성되어 있다. 상기 게이트 전극(112)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다.The gate electrode 112 is patterned on the substrate 110. The gate electrode 112 may be formed of one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Ne, Alloy, and may be composed of a single layer of the metal or alloy or multiple layers of two or more layers.

상기 게이트 절연막(114)은 상기 게이트 전극(112) 상에 형성되어 있어, 상기 게이트 전극(112)을 상기 액티브층(116)으로부터 절연시킨다. 상기 게이트 절연막(114)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수도 있다. The gate insulating layer 114 is formed on the gate electrode 112 to isolate the gate electrode 112 from the active layer 116. The gate insulating layer 114 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride but may be formed of an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene have.

상기 액티브층(116)은 상기 게이트 절연막(114) 상에 패턴 형성되어 있다. 상기 액티브층(116)은 상기 게이트 전극(112)과 중첩되도록 형성되어 있다. 상기 액티브층(116)은 In-Ga-Zn-O(IGZO)와 같은 산화물 반도체로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 실리콘계 반도체로 이루어질 수도 있다. The active layer 116 is formed in a pattern on the gate insulating film 114. The active layer 116 is formed to overlap with the gate electrode 112. The active layer 116 may be made of an oxide semiconductor such as In-Ga-Zn-O (IGZO), but is not limited thereto, and may be made of a silicon-based semiconductor.

상기 에치 스톱퍼층(118)은 상기 액티브층(116) 상에 패턴 형성되어 있다. 상기 에치 스톱퍼층(118)은 상기 소스 전극(120a) 및 드레인 전극(120b)의 패터닝을 위한 에칭 공정시 상기 액티브층(116)의 채널영역이 에칭되는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 에치 스톱퍼층(118)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 에치 스톱퍼층(118)은 경우에 따라서 생략하는 것도 가능하다. The etch stopper layer 118 is patterned on the active layer 116. The etch stopper layer 118 prevents the channel region of the active layer 116 from being etched during an etching process for patterning the source electrode 120a and the drain electrode 120b. The etch stopper layer 118 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride, but is not limited thereto. The etch stopper layer 118 may be omitted in some cases.

상기 소스 전극(120a) 및 드레인 전극(120b)은 서로 마주하면서 상기 에치 스톱퍼층(118)과 상기 액티브층(116) 및 상기 게이트 절연막(114) 상에 패턴 형성되어 있다.The source electrode 120a and the drain electrode 120b are patterned on the etch stopper layer 118, the active layer 116, and the gate insulating film 114 while facing each other.

상기 소스 전극(120a)은 상기 에치 스톱퍼층(118) 상에서부터 상기 액티브층(116)의 일측 방향으로 연장되면서 상기 액티브층(116)과 연결되어 있다. 상기 드레인 전극(120b)은 상기 에치 스톱퍼(118) 상에서부터 상기 액티브층(116)의 타측 방향으로 연장되면서 상기 액티브층(116)과 연결되어 있다. 이러한, 상기 소스 전극(120a) 및 드레인 전극(120b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다.The source electrode 120a extends from the etch stopper layer 118 to one side of the active layer 116 and is connected to the active layer 116. [ The drain electrode 120b extends from the etch stopper 118 toward the other side of the active layer 116 and is connected to the active layer 116. The source electrode 120a and the drain electrode 120b may be formed of one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, , Copper (Cu), or an alloy thereof, and may be a single layer of the metal or alloy, or a multilayer of two or more layers.

상기 보호막(122)은 상기 소스 전극(120a) 및 드레인 전극(120b) 상에 형성되어 있다. 상기 보호막(122)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수도 있다.The passivation layer 122 is formed on the source electrode 120a and the drain electrode 120b. The protective layer 122 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride but may be formed of an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene .

상기 컬러필터층(124)은 각 화소 영역(P1, P2, P3) 각각에 대응되도록 상기 보호막(122) 상에 형성되어 있다. 이때, 상기 컬러필터층(124)은 각 화소 영역(P1, P2, P3)에 대응되는 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층으로 이루어질 수 있다. 이때, 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층 각각은 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 박막 트랜지스터 영역(TA) 및 개구 영역(OA) 모두에 형성되어 있다.The color filter layer 124 is formed on the passivation layer 122 to correspond to each pixel region P1, P2, and P3. At this time, the color filter layer 124 may include red, green, and blue color filter layers corresponding to the pixel regions P1, P2, and P3. At this time, each of the red, green, and blue color filter layers is formed in both the thin film transistor region TA and the opening region OA of each pixel region P1, P2, and P3.

상기 애노드 전극(128)은 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 개구 영역(OA)에 중첩되도록 상기 컬러필터층(124) 상에 패턴 형성되어 있다. 특히, 상기 애노드 전극(128)은 상기 컬러필터층(124)과 상기 보호막(122)에 형성된 콘택홀을 통해서 상기 소스 전극(120a)과 연결되어 있다. 이러한, 상기 애노드 전극(128)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 와 같은 투명 도전 물질로 형성되어 있다.The anode electrode 128 is patterned on the color filter layer 124 so as to overlap the opening area OA of each pixel region P1, P2, and P3. In particular, the anode electrode 128 is connected to the source electrode 120a through the color filter layer 124 and the contact hole formed in the passivation layer 122. [ The anode electrode 128 is formed of a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 .

상기 뱅크층(130)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩되도록 상기 컬러필터층(124)과 상기 애노드 전극(128)의 가장자리 부분 상에 형성되어 있다. 여기서, 상기 뱅크층(130)은 유기절연물질, 예를 들면 폴리이미드(polyimide), 포토아크릴(Photo acryl), 또는 벤조사이클로부텐(BCB)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 이러한 상기 뱅크층(130)에 의해서 상기 개구 영역(OA)이 정의된다.The bank layer 130 is formed on the edge portions of the color filter layer 124 and the anode electrode 128 so as to overlap with the thin film transistor TFT. Here, the bank layer 130 may be formed of an organic insulating material such as polyimide, photo acryl, or benzocyclobutene (BCB), but the present invention is not limited thereto. The opening region OA is defined by the bank layer 130.

상기 유기 발광 소자(132)는 상기 뱅크층(130)에 의해 정의된 개구 영역(OA)의 애노드 전극(128) 상에 형성되어 있다. 상기 유기 발광 소자(132)는 도시하지는 않았지만, 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층이 차례로 적층된 구조로 형성될 수 있다. 다만, 상기 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 하나 또는 둘 이상의 층은 생략이 가능하다. 상기 유기 발광층은 화소 별로 동일한 색, 예로서 화이트(white)의 광을 발광하도록 형성될 수도 있고, 화소 별로 상이한 색, 예로서, 적색, 녹색, 또는 청색의 광을 발광하도록 형성될 수도 있다.The organic light emitting diode 132 is formed on the anode electrode 128 of the opening region OA defined by the bank layer 130. [ Although not shown, the organic light emitting diode 132 may have a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are sequentially stacked. However, one or two or more layers of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be omitted. The organic light emitting layer may be formed to emit light of the same color, for example, white for each pixel, or may emit light of different colors, for example, red, green, or blue for each pixel.

상기 캐소드 전극(134)은 상기 유기 발광 소자(132) 상에 형성되어 있다. 상기 캐소드 전극(134)은 화소 영역(P1, P2, P3) 별로 구분되지 않고 전체 화소에 공통되는 전극 형태로 형성되어 각 화소 영역(P1, P2, P3)에 형성된 상기 유기 발광 소자(132)에 공통적으로 연결되어 있다. 즉, 상기 캐소드 전극(134)은 상기 유기 발광 소자(132) 뿐만 아니라 상기 뱅크층(130) 상에도 형성될 수 있다. 이러한, 상기 캐소드 전극(134)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물로 이루어지는 불투명 금속 재질로 형성된다.The cathode electrode 134 is formed on the organic light emitting diode 132. The cathode electrode 134 is formed in the shape of an electrode common to all the pixels and is not divided into the pixel regions P1, P2 and P3, and is formed in the organic light emitting element 132 formed in each of the pixel regions P1, P2, And are connected in common. That is, the cathode electrode 134 may be formed not only on the organic light emitting diode 132 but also on the bank layer 130. The cathode electrode 134 may be formed of an opaque metal material such as Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg, or a compound thereof.

이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 컬러필터층(124)을 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 개구 영역(OA) 뿐만 아니라 박막 트랜지스터 영역(TA) 상의 상기 보호막(122) 상에 형성함으로써 종래기술에 기재된 마스크를 이용한 평탄화막의 패턴 형성 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하나의 마스크 공정을 감소시킬 수 있다.The organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention has a structure in which the color filter layer 124 is formed not only on the opening region OA of each pixel region P1, P2, and P3, The step of forming the planarizing film using the mask described in the prior art can be omitted. Therefore, the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention can reduce one mask process.

도 3은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 보호막을 생략하고, 보호막의 역할을 컬러필터층이 대신하도록 구성한 것이다. 이하에서는, 컬러필터층에 대해서만 설명하기로 한다.FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to a second embodiment of the present invention, in which a protective layer is omitted and a color filter layer is substituted for a protective layer. Hereinafter, only the color filter layer will be described.

상기 컬러필터층(124)은 각 화소 영역(P1, P2, P3) 각각의 박막 트랜지스터(TFT)와 게이트 절연막(114) 상에 형성되어 있다. 즉, 상기 컬러필터층(124)은 게이트 절연막(114)과 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(120a)과 드레인 전극(120d) 및 에치 스톱퍼층(118) 상에 패턴 형성되어 있다. 이때, 상기 컬러필터층(124)은 각 화소 영역(P1, P2, P3)에 대응되는 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층으로 이루어질 수 있다. 이러한, 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층 각각은 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 박막 트랜지스터 영역(TA) 및 개구 영역(OA) 모두에 형성되어 있다. 이에 따라, 전술한 애노드 전극(128)은 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 개구 영역(OA)에 중첩되도록 상기 컬러필터층(124) 상에 패턴 형성되고, 상기 컬러필터층(124)에 형성된 콘택홀을 통해서 상기 소스 전극(120a)과 연결되어 있다.The color filter layer 124 is formed on the gate insulating film 114 and the thin film transistor TFT of each pixel region P1, P2, and P3. That is, the color filter layer 124 is pattern-formed on the gate insulating film 114, the source electrode 120a, the drain electrode 120d, and the etch stopper layer 118 of the thin film transistor (TFT). At this time, the color filter layer 124 may include red, green, and blue color filter layers corresponding to the pixel regions P1, P2, and P3. Each of the red, green, and blue color filter layers is formed in both the thin film transistor region TA and the opening region OA of each pixel region P1, P2, and P3. The anode electrode 128 is formed in a pattern on the color filter layer 124 so as to overlap the opening area OA of each of the pixel regions P1, P2, and P3 and is formed in the color filter layer 124 And is connected to the source electrode 120a through a contact hole.

이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 전술한 제 1 실시 예에서의 보호막을 추가로 생략하고, 보호막의 역할을 컬러필터층(124)으로 대체함으로써 종래기술에 기재된 마스크를 이용한 평탄화막 및 보호막 각각의 패턴 형성 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 2개의 마스크 공정이 감소될 수 있다.As described above, the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention further includes the protective film in the first embodiment described above, and replacing the role of the protective film with the color filter layer 124, The step of pattern formation for each of the planarizing film and the protective film used can be omitted. Therefore, in the organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention, two mask processes can be reduced.

도 4는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 액티브층의 상부에 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조에 관한 것이다. 비록 형성 위치가 상이하다 하더라도 전술한 실시 예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 재료 및 구조 등에서 동일한 사항에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다.4 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display according to a third embodiment of the present invention, which relates to a coplanar structure in which a gate electrode and a source and a drain electrode are located on an active layer. The same reference numerals are given to the same components as those of the above-described embodiment, and repetitive description of the same items in the materials, structures and the like will be omitted.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 버퍼층(111), 액티브층(116), 게이트 절연막(114), 게이트 전극(112), 층간 절연막(121), 소스 전극(120a), 드레인 전극(120b), 보호막(122), 컬러필터층(124), 애노드 전극(128), 뱅크층(130), 유기 발광 소자(132), 및 캐소드 전극(134)을 포함한다.4, an OLED display according to a third exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 110, a buffer layer 111, an active layer 116, a gate insulating layer 114, a gate electrode 112, The organic light emitting element 132, and the cathode electrode (not shown) are formed on the substrate 121, the source electrode 120a, the drain electrode 120b, the protective film 122, the color filter layer 124, the anode electrode 128, 134).

상기 기판(110)은 유리가 주로 이용되지만, 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱, 예로서, 폴리이미드가 이용될 수 있다. 폴리이미드를 상기 기판(110)의 재료로 이용할 경우에는, 상기 기판(110) 상에서 고온의 증착 공정이 이루어짐을 감안할 때, 고온에서 견딜 수 있는 내열성이 우수한 폴리이미드가 이용될 수 있다.Although glass is mainly used for the substrate 110, transparent plastic such as polyimide which can be bent or rolled can be used. When polyimide is used as the material of the substrate 110, polyimide having excellent heat resistance that can withstand high temperatures can be used, considering that a high temperature deposition process is performed on the substrate 110.

상기 버퍼층(111)은 기판(110) 상에 형성되어 있다. 이러한, 상기 버퍼층(111)은 상기 박막 트랜지스터의 제조 공정 중 고온 공정시 상기 기판(110) 상에 함유된 물질이 박막 트랜지스터로 확산되는 것을 차단하는 역할을 한다. 또한, 상기 버퍼층(111)은 본 발명에 따른 디스플레이 장치가 유기 발광 디스플레이 장치인 경우 외부의 수분이나 습기가 유기 발광 디스플레이 장치의 내부로 침투하는 것을 방지하는 역할도 수행할 수 있다. 이와 같은, 상기 버퍼층(111)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 이루어질 수 있다. 상기 버퍼층(111)은 경우에 따라서 생략될 수도 있다.The buffer layer 111 is formed on the substrate 110. The buffer layer 111 serves to prevent diffusion of substances contained on the substrate 110 into the thin film transistor during the high temperature process during the manufacturing process of the thin film transistor. In addition, the buffer layer 111 may prevent external moisture or moisture from penetrating into the organic light emitting display device when the display device according to the present invention is an organic light emitting display device. The buffer layer 111 may be made of silicon oxide or silicon nitride. The buffer layer 111 may be omitted in some cases.

상기 액티브층(116)은 상기 버퍼층(111) 상에 패턴 형성되어 있다.The active layer 116 is patterned on the buffer layer 111.

상기 게이트 절연막(114)은 상기 액티브층(116)의 채널 영역 상에 형성되어 있어, 상기 게이트 전극(112)을 상기 액티브층(116)으로부터 절연시킨다. 상기 게이트 절연막(114)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수도 있다.The gate insulating layer 114 is formed on the channel region of the active layer 116 to isolate the gate electrode 112 from the active layer 116. The gate insulating layer 114 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride but may be formed of an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene have.

상기 게이트 전극(112)은 상기 게이트 절연막(114) 상에 패턴 형성되어 있다.The gate electrode 112 is formed in a pattern on the gate insulating film 114.

상기 층간 절연막(121)은 상기 버퍼층(111), 상기 액티브층(116), 및 상기 게이트 전극(112) 상에 형성되어 있다. 상기 층간 절연막(121)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수도 있다.The interlayer insulating film 121 is formed on the buffer layer 111, the active layer 116, and the gate electrode 112. The interlayer insulating layer 121 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride but may be formed of an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene have.

상기 소스 전극(120a) 및 드레인 전극(120b)은 서로 마주하면서 상기 층간 절연막(121) 상에 패턴 형성되어 있다. 상기 소스 전극(120a) 및 드레인 전극(120b) 각각은 상기 층간 절연막(121)에 형성된 콘택홀을 통해 상기 액티브층(116)과 연결되어 있다.The source electrode 120a and the drain electrode 120b are patterned on the interlayer insulating film 121 while facing each other. Each of the source electrode 120a and the drain electrode 120b is connected to the active layer 116 through a contact hole formed in the interlayer insulating layer 121. [

상기 보호막(122)은 상기 소스 전극(120a) 및 드레인 전극(120b)과 상기 층간 절연막(121) 상에 형성되어 있다.The protective layer 122 is formed on the source electrode 120a and the drain electrode 120b and the interlayer insulating layer 121. [

상기 컬러필터층(124)은 각 화소 영역(P1, P2, P3) 각각에 대응되도록 상기 층간 절연막(121) 상에 형성되어 있다. 이때, 상기 컬러필터층(124)은 각 화소 영역(P1, P2, P3)에 대응되는 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층으로 이루어질 수 있다. 이때, 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층 각각은 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 박막 트랜지스터 영역(TA) 및 개구 영역(OA) 모두에 형성되어 있다.The color filter layer 124 is formed on the interlayer insulating film 121 so as to correspond to each of the pixel regions P1, P2, and P3. At this time, the color filter layer 124 may include red, green, and blue color filter layers corresponding to the pixel regions P1, P2, and P3. At this time, each of the red, green, and blue color filter layers is formed in both the thin film transistor region TA and the opening region OA of each pixel region P1, P2, and P3.

상기 애노드 전극(128)은 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 개구 영역(OA)에 중첩되도록 상기 컬러필터층(124) 상에 패턴 형성되어 있다. 특히, 상기 애노드 전극(128)은 상기 컬러필터층(124)과 상기 보호막(122)에 형성된 콘택홀을 통해서 상기 소스 전극(120a)과 연결되어 있다.The anode electrode 128 is patterned on the color filter layer 124 so as to overlap the opening area OA of each pixel region P1, P2, and P3. In particular, the anode electrode 128 is connected to the source electrode 120a through the color filter layer 124 and the contact hole formed in the passivation layer 122. [

상기 뱅크층(130)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩되도록 상기 컬러필터층(124)과 상기 애노드 전극(128)의 가장자리 부분 상에 형성되어 있다. 이러한 상기 뱅크층(130)에 의해서 상기 개구 영역(OA)이 정의된다.The bank layer 130 is formed on the edge portions of the color filter layer 124 and the anode electrode 128 so as to overlap with the thin film transistor TFT. The opening region OA is defined by the bank layer 130.

상기 유기 발광 소자(132)는 상기 뱅크층(130)에 의해 정의된 개구 영역(OA)의 애노드 전극(128) 상에 형성되어 있다.The organic light emitting diode 132 is formed on the anode electrode 128 of the opening region OA defined by the bank layer 130. [

상기 캐소드 전극(134)은 상기 유기 발광 소자(132) 상에 형성되어 있다. 상기 캐소드 전극(134)은 화소 영역(P1, P2, P3) 별로 구분되지 않고 전체 화소에 공통되는 전극 형태로 형성되어 각 화소 영역(P1, P2, P3)에 형성된 상기 유기 발광 소자(132)에 공통적으로 연결되어 있다. 즉, 상기 캐소드 전극(134)은 상기 유기 발광 소자(132) 뿐만 아니라 상기 뱅크층(130) 상에도 형성될 수 있다. 이러한, 상기 캐소드 전극(134)은 불투명 금속 재질로 이루어진다.The cathode electrode 134 is formed on the organic light emitting diode 132. The cathode electrode 134 is formed in the shape of an electrode common to all the pixels and is not divided into the pixel regions P1, P2 and P3, and is formed in the organic light emitting element 132 formed in each of the pixel regions P1, P2, And are connected in common. That is, the cathode electrode 134 may be formed not only on the organic light emitting diode 132 but also on the bank layer 130. The cathode electrode 134 is made of an opaque metal.

이와 같은, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 컬러필터층(124)을 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 개구 영역(OA) 뿐만 아니라 박막 트랜지스터 영역(TA) 상의 상기 보호막(122) 상에 형성함으로써 종래기술에 기재된 마스크를 이용한 평탄화막의 패턴 형성 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하나의 마스크 공정을 감소시킬 수 있다.The organic light emitting diode display according to the third embodiment of the present invention includes a color filter layer 124 formed on the protective layer 110 on the thin film transistor region TA as well as the opening region OA of each pixel region P1, The step of forming the planarizing film using the mask described in the prior art can be omitted. Therefore, the organic light emitting display according to the third embodiment of the present invention can reduce one mask process.

도 5는 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 보호막을 생략하고, 보호막의 역할을 컬러필터층이 대신하도록 구성한 것이다. 이하에서는, 컬러필터층에 대해서만 설명하기로 한다.FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to a fourth embodiment of the present invention, in which a protective film is omitted, and a color filter layer is substituted for a protective film. Hereinafter, only the color filter layer will be described.

상기 컬러필터층(124)은 각 화소 영역(P1, P2, P3) 각각에 대응되도록 상기 층간 절연막(121) 상에 형성되어 있다. 즉, 상기 컬러필터층(124)은 게이트 절연막(114)과 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(120a)과 드레인 전극(120d) 상에 패턴 형성되어 있다. 이때, 상기 컬러필터층(124)은 각 화소 영역(P1, P2, P3)에 대응되는 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층으로 이루어질 수 있다. 이러한, 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층 각각은 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 박막 트랜지스터 영역(TA) 및 개구 영역(OA) 모두에 형성되어 있다. 이에 따라, 전술한 애노드 전극(128)은 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 개구 영역(OA)에 중첩되도록 상기 컬러필터층(124) 상에 패턴 형성되고, 상기 컬러필터층(124)에 형성된 콘택홀을 통해서 상기 소스 전극(120a)과 연결되어 있다.The color filter layer 124 is formed on the interlayer insulating film 121 so as to correspond to each of the pixel regions P1, P2, and P3. That is, the color filter layer 124 is pattern-formed on the gate insulating film 114 and the source electrode 120a and the drain electrode 120d of the thin film transistor TFT. At this time, the color filter layer 124 may include red, green, and blue color filter layers corresponding to the pixel regions P1, P2, and P3. Each of the red, green, and blue color filter layers is formed in both the thin film transistor region TA and the opening region OA of each pixel region P1, P2, and P3. The anode electrode 128 is formed in a pattern on the color filter layer 124 so as to overlap the opening area OA of each of the pixel regions P1, P2, and P3 and is formed in the color filter layer 124 And is connected to the source electrode 120a through a contact hole.

이와 같은, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 전술한 제 3 실시 예에서의 보호막을 추가로 생략하고, 보호막의 역할을 컬러필터층(124)으로 대체함으로써 종래기술에 기재된 마스크를 이용한 평탄화막 및 보호막 각각의 패턴 형성 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 2개의 마스크 공정이 감소될 수 있다.As described above, the organic light emitting display according to the fourth embodiment of the present invention further includes the protective film in the above-described third embodiment, and replacing the role of the protective film with the color filter layer 124, The step of pattern formation for each of the planarizing film and the protective film used can be omitted. Therefore, in the organic light emitting display according to the fourth embodiment of the present invention, two mask processes can be reduced.

도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도로서, 이는 전술한 도 2에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 이하에서는, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.6A to 6G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention. Hereinafter, repetitive description of the repetitive portions in the materials, structures and the like of each constitution will be omitted.

우선, 도 6a에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 정의된 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 박막 트랜지스터 영역(TA) 상에 게이트 전극(112), 액티브층(116), 소스 전극(120a), 및 드레인 전극(120b)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다.First, as shown in FIG. 6A, a gate electrode 112, an active layer 116, a source (not shown) are formed on a thin film transistor region TA of each pixel region P1, P2, A thin film transistor (TFT) including the electrode 120a and the drain electrode 120b is formed.

보다 구체적으로 박막 트랜지스터(TFT)의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.More specifically, a method of manufacturing a thin film transistor (TFT) will be described below.

먼저, 기판(110) 상에 게이트 전극(112)을 패턴 형성하고, 상기 게이트 전극(112)을 포함하는 기판(110) 상에 게이트 절연막(114)을 형성한다. 즉, 상기 게이트 전극(112)은 스퍼터링법(Sputtering)을 통해 상기 기판(110) 상에 게이트 전극 물질을 증착하는 증착 공정과, 상기 게이트 전극 물질 상에 포토 레지스트 마스크 패턴을 형성한 후, 노광, 현상 및 에칭 공정을 차례로 수행하여 패터닝 공정에 의해 패턴 형성될 수 있다.First, a gate electrode 112 is patterned on a substrate 110, and a gate insulating film 114 is formed on a substrate 110 including the gate electrode 112. That is, the gate electrode 112 is formed by depositing a gate electrode material on the substrate 110 by sputtering, forming a photoresist mask pattern on the gate electrode material, Development and etching processes are successively performed to form a pattern by a patterning process.

상기 게이트 절연막(114)은 PECVD법을 통해 상기 게이트 전극(112)을 포함한 기판(110)의 전체 면에 형성될 수 있다.The gate insulating layer 114 may be formed on the entire surface of the substrate 110 including the gate electrode 112 by PECVD.

이어, 상기 게이트 전극(112)에 중첩되는 상기 게이트 절연막(114) 상에 액티브층(116)을 형성한다.Next, an active layer 116 is formed on the gate insulating layer 114 overlying the gate electrode 112.

상기 액티브층(116)은 스퍼터링법(Sputtering) 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 상기 게이트 절연막(114) 상에 비정질 산화물 반도체를 형성하는 증착 공정, 퍼니스(furnace) 또는 급속 열처리(Rapid Thermal Process; RTP)를 이용한 약 650℃ 이상의 고온 열처리 공정에 의해 상기 비정질 산화물 반도체를 결정화하는 결정화 공정, 및 상기 하부 게이트 전극(120)에 중첩되는 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된 산화물 반도체를 제거하는 패터닝 공정을 통해 형성될 수 있다.The active layer 116 may be formed by a deposition process for forming an amorphous oxide semiconductor on the gate insulating layer 114 using sputtering or metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), a deposition process using a furnace or a rapid thermal process A crystallization process of crystallizing the amorphous oxide semiconductor by a high temperature heat treatment process at a temperature of about 650 ° C or more using a thermal process (RTP), and a patterning process of removing an oxide semiconductor formed in a remaining region except a region overlapping the bottom gate electrode 120 Process. ≪ / RTI >

한편, 상기 액티브층(116)이 산화물 반도체로 형성되는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 스퍼터링법(Sputtering), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의해 형성되는 실리콘계 반도체로 이루어질 수도 있다.The active layer 116 is formed of an oxide semiconductor. However, the active layer 116 is not limited to the oxide semiconductor and may be formed using a sputtering method, a MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method, or a CVD (Chemical Vapor Deposition) It may be made of a semiconductor.

이어, 상기 액티브층(116)을 포함하는 기판(110)의 상면 전체에 에치 스톱퍼층(118)을 형성한 후, 상기 액티브층(116)의 중앙 영역에 중첩되는 에치 스톱퍼층(118) 상에 마스크 패턴을 형성한 다음, 상기 마스크 패턴을 마스크로 사용한 에칭 공정을 통해 에치 스톱퍼층(118)을 제거함과 동시에 상기 마스크 패턴에 의해 가려지지 않는 상기 액티브층(116)의 양측 영역을 도체화함으로써 상기 액티브층(116)의 양측 영역에 소스 영역과 드레인 영역을 형성한다.Next, an etch stopper layer 118 is formed on the entire upper surface of the substrate 110 including the active layer 116, and then the etch stopper layer 118 is formed on the etch stopper layer 118 overlapping the central region of the active layer 116 After the mask pattern is formed, the etch stopper layer 118 is removed through an etching process using the mask pattern as a mask, and both side regions of the active layer 116, which are not covered by the mask pattern, A source region and a drain region are formed on both sides of the active layer 116. [

이어, 상기 마스크 패턴을 제거하고, 상기 액티브층(116)의 소스 영역과 드레인 영역 각각에 연결되는 소스 전극(120a)과 드레인 전극(120b) 각각을 패턴 형성한다. 즉, 상기 소스 전극(120a)과 드레인 전극(120b)은 상기 게이트 절연막(114)과 상기 액티브층(116) 및 상기 에치 스톱퍼층(118)을 포함하는 기판(110) 상에 소스/드레인 전극 물질을 형성하는 증착 공정과, 상기 소스/드레인 전극 물질 상에 포토 레지스트 마스크 패턴을 형성한 후, 노광, 현상 및 에칭 공정을 차례로 수행하는 패터닝 공정에 의해 상기 에치 스톱퍼층(118) 상에서 서로 분리되어 상기 액티브층(116)의 소스 영역 및 드레인 영역 각각에 연결되도록 패턴 형성될 수 있다.Then, the mask pattern is removed, and a source electrode 120a and a drain electrode 120b connected to the source region and the drain region of the active layer 116 are pattern-formed, respectively. That is, the source electrode 120a and the drain electrode 120b are formed on the substrate 110 including the gate insulating layer 114, the active layer 116, and the etch stopper layer 118, And forming a photoresist mask pattern on the source / drain electrode material, and then patterning the photoresist mask pattern on the etch stopper layer 118 by patterning to sequentially perform exposure, development, and etching, May be patterned to be connected to the source and drain regions of the active layer 116, respectively.

그런 다음, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 소스 전극(120a)과 상기 드레인 전극(120b) 및 상기 에치 스톱퍼층(118)을 포함하는 기판(110)의 전체 면에 보호막(122)을 형성한 후, 패터닝 공정을 통해 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(120a)의 일부를 노출시키는 콘택홀(CH)을 형성한다.6B, a protective film 122 is formed on the entire surface of the substrate 110 including the source electrode 120a, the drain electrode 120b, and the etch stopper layer 118 A contact hole CH exposing a part of the source electrode 120a of the thin film transistor TFT of each pixel region P1, P2, and P3 is formed through a patterning process.

그런 다음, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(122)에 형성된 콘택홀(CH)을 제외한 나머지 상기 보호막(122) 상에 각 화소 영역(P1, P2, P3) 각각에 대응되는 컬러필터층(124)을 패턴 형성한다. 이때, 상기 컬러필터층(124)은 각 화소 영역(P1, P2, P3)에 대응되는 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층으로 이루어질 수 있다. 상기 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층 각각은 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 박막 트랜지스터 영역(TA) 및 개구 영역(OA) 모두에 형성되어 있다. 이러한 컬러필터층(124)은 프린팅 공정 또는 마스크를 이용한 프린팅 공정에 의해 형성될 수 있다.6C, a color filter layer (not shown) corresponding to each pixel region P1, P2, and P3 is formed on the protective layer 122 except for the contact hole CH formed in the protective layer 122 124 are pattern-formed. At this time, the color filter layer 124 may include red, green, and blue color filter layers corresponding to the pixel regions P1, P2, and P3. Each of the red, green and blue color filter layers is formed in both the thin film transistor region TA and the opening region OA of each of the pixel regions P1, P2, and P3. The color filter layer 124 may be formed by a printing process or a printing process using a mask.

그런 다음, 도 6d에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(122)에 형성된 콘택홀(CH)을 통해 소스 전극(120a)에 연결되는 애노드 전극(128)을 상기 컬러필터층(124) 상에 패턴 형성한다. 즉, 상기 애노드 전극(128)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전 물질을 상기 컬러필터층(124) 상에 증착하는 증착 공정과, 상기 투명 도전 물질 상에 포토 레지스트 마스크 패턴을 형성한 후, 노광, 현상 및 에칭 공정을 차례로 수행하는 패터닝 공정에 의해 콘택홀(CH)을 통해 소스 전극(120a)에 연결되도록 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 개구 영역(OA)에 패턴 형성된다.6D, an anode electrode 128 connected to the source electrode 120a is formed on the color filter layer 124 through a contact hole CH formed in the passivation layer 122 . That is, the anode electrode 128 is formed by depositing a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) on the color filter layer 124, forming a photoresist mask pattern on the transparent conductive material, P2, and P3 are pattern-formed in the opening regions OA of the pixel regions P1, P2, and P3 so as to be connected to the source electrode 120a through the contact holes CH by a patterning process that sequentially performs exposure, development, and etching.

그런 다음, 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩되도록 상기 컬러필터층(124)과 상기 애노드 전극(128)의 가장자리 부분 상에 뱅크층(130)을 형성한다. 즉, 상기 애노드 전극(128)과 컬러필터층(124) 상에 절연 물질을 형성한 후, 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 개구 영역(OA)을 제외한 나머지 영역을 패터닝하여 뱅크층(130)을 패턴 형성한다.Then, as shown in FIG. 6E, the bank layer 130 is formed on the edge portions of the color filter layer 124 and the anode electrode 128 so as to overlap with the thin film transistor (TFT). That is, an insulating material is formed on the anode electrode 128 and the color filter layer 124, and the remaining regions except for the opening regions OA of the pixel regions P1, P2, and P3 are patterned to form the bank layers 130 ).

그런 다음, 도 6f에 도시된 바와 같이, 상기 뱅크층(130)에 의해 정의되는 개구 영역(OA) 상의 애노드 전극(128) 상에 유기 발광 소자(132)를 형성한다. 상기 유기 발광 소자(132)는 도시하지는 않았지만, 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층이 차례로 적층된 구조로 형성될 수 있다. 다만, 상기 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 하나 또는 둘 이상의 층은 생략이 가능하다. 상기 유기 발광층은 화소 별로 동일한 색, 예로서 화이트(white)의 광을 발광하도록 형성될 수도 있고, 화소 별로 상이한 색, 예로서, 적색, 녹색, 또는 청색의 광을 발광하도록 형성될 수도 있다.Then, as shown in FIG. 6F, the organic light emitting element 132 is formed on the anode electrode 128 on the opening region OA defined by the bank layer 130. Next, as shown in FIG. Although not shown, the organic light emitting diode 132 may have a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are sequentially stacked. However, one or two or more layers of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be omitted. The organic light emitting layer may be formed to emit light of the same color, for example, white for each pixel, or may emit light of different colors, for example, red, green, or blue for each pixel.

그런 다음, 도 6g에 도시된 바와 같이, 상기 유기 발광 소자(132)와 상기 뱅크층(130) 상에 캐소드 전극(134)을 형성한다. 상기 캐소드 전극(134)은 스퍼터링법(Sputtering), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의해 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물로 이루어지는 불투명 금속 재질로 형성될 수 있다.6G, a cathode electrode 134 is formed on the organic light emitting diode 132 and the bank layer 130. Then, as shown in FIG. The cathode electrode 134 may be formed of any of Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg, or a compound thereof by sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), or chemical vapor deposition And may be formed of an opaque metal material.

한편, 전술한 도 3에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 전술한 도 6a에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한 다음, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 소스 전극(120a)의 일부를 노출되는 콘택홀(CH)을 제외한 나머지 소스 전극(120a), 상기 드레인 전극(120b), 상기 에치 스톱퍼층(118) 및 상기 게이트 절연막(114) 상에 각 화소 영역(P1, P2, P3) 각각에 대응되는 컬러필터층(124)을 패턴 형성하는 것을 제외하고는, 전술한 도 6a 내지 도 6g의 제조 공정과 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.3, a thin film transistor (TFT) is formed on a substrate 110 as shown in FIG. 6A. Then, as shown in FIG. 7, A part of the source electrode 120a is exposed on each of the source electrode 120a, the drain electrode 120b, the etch stopper layer 118 and the gate insulating film 114 except for the contact hole CH exposed. 6A to 6G except that the color filter layer 124 corresponding to each of the regions P1, P2, and P3 is pattern-formed. Therefore, a description thereof will be omitted.

도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 일부의 공정 단면도로서, 이는 전술한 도 4에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 이하에서는, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.8A to 8C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an OLED display according to a third embodiment of the present invention. Referring to FIG. Hereinafter, repetitive description of the repetitive portions in the materials, structures and the like of each constitution will be omitted.

우선, 도 8a에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 정의된 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 박막 트랜지스터 영역(TA) 상에 게이트 전극(112), 액티브층(116), 소스 전극(120a), 및 드레인 전극(120b)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다.8A, a gate electrode 112, an active layer 116, a source (not shown) are formed on a thin film transistor region TA of each pixel region P1, P2, and P3 defined on a substrate 110, A thin film transistor (TFT) including the electrode 120a and the drain electrode 120b is formed.

보다 구체적으로 박막 트랜지스터(TFT)의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.More specifically, a method of manufacturing a thin film transistor (TFT) will be described below.

먼저, 기판(110) 상에 버퍼층(111)을 형성하고, 상기 버퍼층(111) 상의 박막 트랜지스터 영역(TA)에 액티브층(116)을 패턴 형성한다.First, a buffer layer 111 is formed on a substrate 110, and an active layer 116 is pattern-formed on a thin film transistor region TA on the buffer layer 111.

상기 버퍼층(111)은 PECVD법에 의해 상기 기판(110)의 전체 면에 형성될 수 있다.The buffer layer 111 may be formed on the entire surface of the substrate 110 by PECVD.

상기 액티브층(116)은 스퍼터링법(Sputtering) 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 상기 버퍼층(110) 상에 비정질 산화물 반도체를 형성하는 증착 공정, 퍼니스(furnace) 또는 급속 열처리(Rapid Thermal Process; RTP)를 이용한 약 650℃ 이상의 고온 열처리 공정에 의해 상기 비정질 산화물 반도체를 결정화하는 결정화 공정, 및 박막 트랜지스터 영역(TA)과 개구 영역(OA)을 제외한 나머지 영역에 형성된 산화물 반도체를 제거하는 패터닝 공정을 통해 형성될 수 있다.The active layer 116 may be formed by a deposition process for forming an amorphous oxide semiconductor on the buffer layer 110 using sputtering or metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), a furnace or a rapid thermal process A crystallization process of crystallizing the amorphous oxide semiconductor by a high temperature heat treatment process at a temperature of about 650 ° C. or more using a RTP process and a patterning process of removing an oxide semiconductor formed in a region except for the thin film transistor region TA and the opening region OA Process. ≪ / RTI >

이어, 액티브층(116) 상에 게이트 절연막(114)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(114)은 PECVD법을 통해 상기 액티브층(116) 상에 형성될 수 있다.Next, a gate insulating film 114 is formed on the active layer 116. The gate insulating layer 114 may be formed on the active layer 116 through PECVD.

이어, 상기 액티브층(116)의 중앙 영역에 중첩되는 상기 게이트 절연막(114) 상에 게이트 전극(112)을 패턴 형성한다. 즉, 상기 게이트 전극(112)은 스퍼터링법(Sputtering)을 통해 상기 액티브층(116) 상에 게이트 전극 물질을 증착하는 증착 공정과, 상기 게이트 전극 물질 상에 포토 레지스트 마스크 패턴을 형성한 후, 노광, 현상 및 에칭 공정을 차례로 수행하여 패터닝 공정에 의해 패턴 형성될 수 있다.Next, a gate electrode 112 is pattern-formed on the gate insulating film 114 overlapping the central region of the active layer 116. That is, the gate electrode 112 is formed by depositing a gate electrode material on the active layer 116 by sputtering, forming a photoresist mask pattern on the gate electrode material, , Development, and etching, which are sequentially performed, and patterned by a patterning process.

이어, 상기 게이트 전극(112)을 마스크로 한 에칭 공정을 통해 상기 게이트 전극(112)의 하부에 형성된 게이트 절연막(114)을 제외한 나머지 게이트 절연막(114)을 패터닝하여 게이트 절연막(114) 패턴을 형성함과 동시에 상기 액티브층(116)의 양측 영역을 도체화한다. 이때, 상기 게이트 절연막(114)의 패터닝 공정을 건식 에칭 공정에 의해 수행될 수 있으며, 상기 액티브층(116)의 양측 영역은 건식 에칭 공정 가스와 반응하여 도체화됨으로써 상기 액티브층(116)의 양측 영역에는 소소 영역과 드레인 영역이 형성된다.The gate insulating layer 114 is patterned to form a gate insulating layer 114 pattern by etching the gate insulating layer 114 except the gate insulating layer 114 formed under the gate electrode 112 through an etching process using the gate electrode 112 as a mask. At the same time, both side regions of the active layer 116 are made conductive. At this time, the patterning process of the gate insulating layer 114 may be performed by a dry etching process, and both side regions of the active layer 116 are reacted with the dry etching process gas to be conductors so that both sides of the active layer 116 A source region and a drain region are formed in the region.

이어, 상기 게이트 전극(112)과 액티브층(116) 상에 층간 절연막(121)을 형성한 후, 패터닝 공정을 통해 상기 액티브층(116)의 소스 영역 일부를 노출시키는 제 1 콘택홀(CH1)을 형성한다.After forming an interlayer insulating film 121 on the gate electrode 112 and the active layer 116, a first contact hole CH1 exposing a part of a source region of the active layer 116 through a patterning process, .

이어, 각 화소 영역(P1, P2, P3) 각각의 박막 트랜지스터 영역(TA)의 상기 층간 절연막(121) 상에, 상기 제 1 콘택홀(CH1)을 통해 상기 액티브층(116)의 소스 영역과 드레인 영역 각각에 연결되는 소스 전극(120a)과 드레인 전극(120b) 각각을 패턴 형성한다. 즉, 상기 소스 전극(120a)과 드레인 전극(120b)은 상기 제 1 콘택홀(CH1)을 포함하는 상기 층간 절연막(121) 상에 소스/드레인 전극 물질을 형성하는 증착 공정과, 상기 소스/드레인 전극 물질 상에 포토 레지스트 마스크 패턴을 형성한 후, 노광, 현상 및 에칭 공정을 차례로 수행하는 패터닝 공정에 의해 상기 게이트 전극(112) 상에서 서로 분리되어 상기 액티브층(116)의 소스 영역 및 드레인 영역 각각에 연결되도록 패턴 형성될 수 있다.Subsequently, on the interlayer insulating film 121 of the thin film transistor region TA of each pixel region P1, P2 and P3, a source region of the active layer 116 and a source region of the active layer 116 are connected to each other through the first contact hole CH1. The source electrode 120a and the drain electrode 120b, which are connected to the respective drain regions, are pattern-formed. That is, the source electrode 120a and the drain electrode 120b are formed by depositing a source / drain electrode material on the interlayer insulating film 121 including the first contact hole CH1, A photoresist mask pattern is formed on the electrode material and then separated from each other on the gate electrode 112 by a patterning process in which exposure, development and etching are sequentially performed to form a source region and a drain region of the active layer 116 As shown in FIG.

그런 다음, 도 8b에 도시된 바와 같이, 상기 소스 전극(120a)과 상기 드레인 전극(120b) 및 상기 층간 절연막(121)을 포함하는 기판(110)의 전체 면에 보호막(122)을 형성한 후, 패터닝 공정을 통해 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(120a)의 일부를 노출시키는 제 2 콘택홀(CH2)을 형성한다.8B, a protective film 122 is formed on the entire surface of the substrate 110 including the source electrode 120a, the drain electrode 120b, and the interlayer insulating film 121 A second contact hole CH2 exposing a part of the source electrode 120a of the thin film transistor TFT of each pixel region P1, P2, and P3 is formed through a patterning process.

그런 다음, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(122)에 형성된 제 2 콘택홀(CH2)을 제외한 나머지 상기 보호막(122) 상에 각 화소 영역(P1, P2, P3) 각각에 대응되는 컬러필터층(124)을 패턴 형성한다. 이때, 상기 컬러필터층(124)은 각 화소 영역(P1, P2, P3)에 대응되는 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층으로 이루어질 수 있다. 상기 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터층 각각은 각 화소 영역(P1, P2, P3)의 박막 트랜지스터 영역(TA) 및 개구 영역(OA) 모두에 형성되어 있다. 이러한 컬러필터층(124)은 프린팅 공정 또는 마스크를 이용한 프린팅 공정에 의해 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 8C, on the protective film 122 except for the second contact hole CH2 formed in the protective film 122, a color corresponding to each pixel region P1, P2, and P3 The filter layer 124 is pattern-formed. At this time, the color filter layer 124 may include red, green, and blue color filter layers corresponding to the pixel regions P1, P2, and P3. Each of the red, green and blue color filter layers is formed in both the thin film transistor region TA and the opening region OA of each of the pixel regions P1, P2, and P3. The color filter layer 124 may be formed by a printing process or a printing process using a mask.

그런 다음, 전술한 도 6d 내지 도 6g와 동일한 공정을 통해 상기 제 2 콘택홀(CH2)을 통해 소스 전극(120a)에 연결되는 애노드 전극을 상기 컬러필터층(124) 상에 패턴 형성한 후, 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩되도록 상기 컬러필터층(124)과 상기 애노드 전극(128)의 가장자리 부분 상에 뱅크층(130)을 형성한 후, 상기 뱅크층(130)에 의해 정의되는 개구 영역(OA) 상의 애노드 전극(128) 상에 유기 발광 소자(132)를 형성한 다음, 상기 유기 발광 소자(132)와 상기 뱅크층(130) 상에 캐소드 전극(134)을 형성한다.Then, an anode electrode connected to the source electrode 120a through the second contact hole CH2 is pattern-formed on the color filter layer 124 through the same processes as those of FIGS. 6D through 6G described above, A bank layer 130 is formed on the edge portions of the color filter layer 124 and the anode electrode 128 so as to overlap the thin film transistor TFT and then an opening area OA defined by the bank layer 130 is formed, An organic light emitting device 132 is formed on the anode electrode 128 on the organic light emitting device 132 and a cathode electrode 134 is formed on the organic light emitting device 132 and the bank layer 130.

한편, 전술한 도 3에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 전술한 도 8a에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한 다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 소스 전극(120a)의 일부를 노출되는 콘택홀(CH)을 제외한 나머지 소스 전극(120a), 상기 드레인 전극(120b), 및 상기 층간 절연막(121) 상에 각 화소 영역(P1, P2, P3) 각각에 대응되는 컬러필터층(124)을 패턴 형성하는 것을 제외하고는, 전술한 도 8a 내지 도 8c, 도 6d 내지 도 6g의 제조 공정과 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.3, a thin film transistor (TFT) is formed on a substrate 110 as shown in FIG. 8A. Then, as shown in FIG. 9, A portion of the source electrode 120a is exposed on the source electrode 120a, the drain electrode 120b and the interlayer insulating film 121 except for the contact hole CH exposed to the pixel region P1, P2, P3 8A to 8C, and 6D to 6G, except that the color filter layer 124 corresponding to each of the color filter layers 124 is pattern-formed. Therefore, the description thereof will be omitted.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents. Will be clear to those who have knowledge of.

10: 기판 112: 게이트 전극
114: 게이트 절연막 116: 액티브층
118: 에치 스톱퍼층 120a: 소스 전극
120b: 드레인 전극 122: 보호막
124: 컬러필터층 128: 애노드 전극
130: 뱅크층 132: 유기 발광 소자
134: 캐소드 전극10: substrate 112: gate electrode
114: gate insulating film 116: active layer
118: etch stopper layer 120a: source electrode
120b: drain electrode 122: protective film
124: Color filter layer 128: Anode electrode
130: bank layer 132: organic light emitting element
134: cathode electrode

Claims (10)

박막 트랜지스터 영역과 개구 영역을 가지는 복수의 화소 영역이 정의된 기판;
게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하도록 상기 박막 트랜지스터 영역 상에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 개구 영역과 상기 박막 트랜지스터 영역 상에 패턴 형성되어 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 일부를 노출시키는 컬러필터층;
상기 컬러필터층에 의해 노출된 상기 소스 전극에 연결되도록 상기 개구 영역의 컬러필터층 상에 형성된 애노드 전극;
상기 애노드 전극과 상기 컬러필터층 상에 형성되어 상기 개구 영역을 정의하는 뱅크층;
상기 뱅크층에 의해 정의되는 상기 개구 영역의 애노드 전극 상에 형성된 유기 발광 소자; 및
상기 유기 발과 소자와 상기 뱅크층 상에 형성된 캐소드 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.A substrate on which a plurality of pixel regions having a thin film transistor region and an opening region are defined;
A thin film transistor formed on the thin film transistor region to include a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode;
A color filter layer patterned on the opening region and the thin film transistor region to expose a part of the source electrode of the thin film transistor;
An anode electrode formed on the color filter layer of the opening region to be connected to the source electrode exposed by the color filter layer;
A bank layer formed on the anode electrode and the color filter layer to define the opening region;
An organic light emitting element formed on the anode electrode of the opening region defined by the bank layer; And
And a cathode electrode formed on the bank layer. The organic light emitting diode display according to claim 1, 제 1 항에 있어서,
상기 개구 영역에 형성된 컬러필터층의 하부에는 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
And a gate insulating film covering the gate electrode is formed under the color filter layer formed in the opening region. 제 2 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터와 상기 게이트 절연막의 상부에는 보호막이 형성되어 있고,
상기 컬러필터층은 상기 보호막 상에 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
A protective film is formed on the thin film transistor and the gate insulating film,
And the color filter layer is formed on the passivation layer. 제 2 항에 있어서,
상기 개구 영역에 형성된 컬러필터층의 하부에는 상기 액티브층과 상기 게이트 전극을 덮는 층간 절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
And an interlayer insulating film covering the active layer and the gate electrode is formed under the color filter layer formed in the opening region. 제 4 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터와 상기 층간 절연막의 상부에는 보호막이 형성되어 있고,
상기 컬러필터층은 상기 보호막 상에 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.5. The method of claim 4,
A protective film is formed on the upper portion of the thin film transistor and the interlayer insulating film,
And the color filter layer is formed on the passivation layer. 박막 트랜지스터 영역과 개구 영역을 가지는 복수의 화소 영역이 정의된 기판의 상기 박막 트랜지스터 영역 상에 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 공정;
상기 개구 영역과 상기 박막 트랜지스터 영역 상에 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 일부를 노출시키는 컬러필터층을 패턴 형성하는 공정;
상기 개구 영역의 컬러필터층 상에 상기 컬러필터층에 의해 노출된 상기 소스 전극에 연결되는 애노드 전극을 형성하는 공정;
상기 애노드 전극과 상기 컬러필터층 상에 상기 개구 영역을 정의하는 뱅크층을 형성하는 공정;
상기 뱅크층에 의해 정의되는 상기 개구 영역의 애노드 전극 상에 유기 발광 소자를 형성하는 공정; 및
상기 유기 발과 소자와 상기 뱅크층 상에 캐소드 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.Forming a thin film transistor including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode on the thin film transistor region of a substrate on which a plurality of pixel regions having a thin film transistor region and an opening region are defined;
Forming a color filter layer pattern exposing a part of a source electrode of the thin film transistor on the opening region and the thin film transistor region;
Forming an anode electrode on the color filter layer of the opening region, the anode electrode being connected to the source electrode exposed by the color filter layer;
Forming a bank layer defining the opening region on the anode electrode and the color filter layer;
Forming an organic light emitting element on the anode electrode of the opening region defined by the bank layer; And
And forming a cathode electrode on the organic layer and the bank layer. 제 6 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터를 형성하는 공정은 상기 게이트 전극을 포함하는 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 공정을 포함하고,
상기 컬러필터층의 형성하는 공정은 상기 박막 트랜지스터와 상기 개구 영역의 게이트 절연막 상에 상기 컬러필터층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 6,
Wherein the step of forming the thin film transistor includes a step of forming a gate insulating film on a substrate including the gate electrode,
Wherein the step of forming the color filter layer comprises forming the color filter layer on the gate insulating film of the thin film transistor and the opening region. 제 7 항에 있어서,
상기 컬러필터층의 형성하는 공정 이전에, 상기 게이트 절연막과 상기 박막 트랜지스터 상에 보호막을 형성하는 공정; 및 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.8. The method of claim 7,
Forming a protective film on the gate insulating film and the thin film transistor before the step of forming the color filter layer; And forming a contact hole exposing a part of the source electrode of the thin film transistor. 제 6 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터를 형성하는 공정은 상기 액티브층과 상기 게이트 전극 상에 층간 절연막을 형성하는 공정을 포함하고,
상기 컬러필터층의 형성하는 공정은 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 및 상기 개구 영역의 층간 절연막 상에 상기 컬러필터층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 6,
Wherein the step of forming the thin film transistor includes a step of forming an interlayer insulating film on the active layer and the gate electrode,
Wherein the step of forming the color filter layer comprises forming the color filter layer on a source electrode and a drain electrode of the thin film transistor and on an interlayer insulating film of the opening region. 제 9 항에 있어서,
상기 컬러필터층의 형성하는 공정 이전에,
상기 층간 절연막과 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 상에 보호막을 형성하는 공정; 및 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.10. The method of claim 9,
Before the step of forming the color filter layer,
Forming a protective film on the interlayer insulating film and the source electrode and the drain electrode of the thin film transistor; And forming a contact hole exposing a part of the source electrode of the thin film transistor.
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