KR20170142022A - Display device and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

A display device according to an embodiment includes a panel in which a plurality of pixels including first, second, and third sub-pixel areas are disposed. The first sub-pixel area, the second sub-pixel area, and the third sub-pixel area include: a driving element; at least one light emitting structure which includes a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; a first electrode which electrically connects the first conductive semiconductor layer of the light emitting structure disposed in the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel; a second electrode which electrically connects the second conductive layer to the driving element; a wavelength conversion layer which is overlapped with the light emitting structure in a vertical direction; and red, green, and blue color filters which are disposed on the wavelength conversion layer.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same,

실시 예는 반도체 소자를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a display device including a semiconductor element.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many merits such as wide and easy bandgap energy, and can be used variously as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a semiconductor material of Group 3-5 or 2-6 group semiconductors can be applied to various devices such as a red, Blue, and ultraviolet rays. By using fluorescent materials or combining colors, it is possible to realize a white light beam with high efficiency. Also, compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps, low power consumption, Speed, safety, and environmental friendliness.

뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용할 수 있다.In addition, when a light-receiving element such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a semiconductor material of Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor, development of a device material absorbs light of various wavelength regions to generate a photocurrent , It is possible to use light in various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wave region. It also has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness and easy control of device materials, so it can be easily used for power control or microwave circuit or communication module.

따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Accordingly, the semiconductor device can be replaced with a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, White light emitting diodes (LEDs), automotive headlights, traffic lights, and gas and fire sensors. In addition, semiconductor devices can be applied to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

최근에는 HD(high definition) 및 대 화면의 표시 장치가 요구되고 있으나, 복잡한 구성들을 갖는 액정 표시 장치 및 유기 전계 표시 장치는 수율이 낮고 비용은 높아 고화질의 대화면 표시 장치를 구현하기 어렵다.Recently, high definition (HD) and large screen display devices have been demanded. However, liquid crystal display devices and organic field display devices having complicated configurations are difficult to realize a high-quality large-screen display device due to low yield and high cost.

실시 예는 발광 구조물이 각 서브 픽셀에 배치된 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.The embodiment provides a display device in which a light emitting structure is disposed in each sub-pixel and a method of manufacturing the same.

실시 예의 표시 장치는 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역을 포함하는 복수 개의 픽셀이 배치된 패널을 포함하며, 상기 제 1 서브 픽셀 영역, 상기 제 2 서브 픽셀 영역 및 상기 제 3 서브 픽셀 영역은, 구동 소자; 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 적어도 하나의 발광 구조물; 상기 제 1 서브 픽셀, 상기 제 2 서브 픽셀 및 상기 제 3 서브 픽셀에 배치된 상기 발광 구조물의 상기 제 1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 제 1 전극; 상기 제 2 도전형 반도체층과 상기 구동 소자를 전기적으로 연결하는 제 2 전극; 상기 발광 구조물과 수직 방향으로 중첩되는 파장 변환층; 및 상기 파장 변환층 상에 각각 배치된 적색, 녹색, 청색 컬러 필터를 포함한다.The display device of the embodiment includes a panel in which a plurality of pixels including first, second, and third sub-pixel regions are disposed, and the first sub-pixel region, the second sub- A driving device; At least one light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; A first electrode electrically connecting the first conductive semiconductor layer of the light emitting structure disposed in the first subpixel, the second subpixel, and the third subpixel; A second electrode electrically connecting the second conductive semiconductor layer and the driving element; A wavelength conversion layer superimposed on the light emitting structure in a vertical direction; And red, green, and blue color filters respectively disposed on the wavelength conversion layer.

실시 예의 표시 장치는 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역을 포함하는 복수 개의 픽셀이 배치된 패널을 포함하며, 상기 제 1 서브 픽셀 영역, 상기 제 2 서브 픽셀 영역 및 상기 제 3 서브 픽셀 영역은, 구동 소자; 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 적어도 하나의 발광 구조물; 상기 제 1 서브 픽셀, 상기 제 2 서브 픽셀 및 상기 제 3 서브 픽셀에 배치된 상기 발광 구조물의 상기 제 1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 제 1 전극; 및 상기 제 2 도전형 반도체층과 상기 구동 소자를 전기적으로 연결하는 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 서브 픽셀 영역, 상기 제 2 서브 픽셀 영역 및 상기 제 3 서브 픽셀 영역에 배치된 상기 발광 구조물은 서로 다른 색의 광을 방출한다.The display device of the embodiment includes a panel in which a plurality of pixels including first, second, and third sub-pixel regions are disposed, and the first sub-pixel region, the second sub- A driving device; At least one light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; A first electrode electrically connecting the first conductive semiconductor layer of the light emitting structure disposed in the first subpixel, the second subpixel, and the third subpixel; And a second electrode electrically connecting the second conductivity type semiconductor layer and the driving element, wherein the light emitting structure is disposed in the first sub pixel area, the second sub pixel area and the third sub pixel area, Emits light of different colors.

실시 예에 표시 장치의 제조 방법은 성장 기판 상에 제 1 도전형 반도체층, 활성층및 제 2 도전형 반도체층이 차례로 적층된 복수 개의 발광 구조물 및 상기 제 2 도전형 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계; 지지 기판 상에 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역마다 구동 소자를 형성하고, 상기 구동 소자와 연결된 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 성장 기판과 상기 지지 기판을 대향 합착하여, 상기 제 2 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 연결하는 단계; 상기 복수 개의 발광 구조물 상에 파장 변환층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역마다 분리되도록 상기 파장 변환층 상에 적색, 녹색, 청색 컬러 필터를 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a display device according to an embodiment includes a plurality of light emitting structures in which a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer are sequentially stacked on a growth substrate, and a second electrode ; Forming driving elements for the first, second, and third sub-pixel regions on the supporting substrate and forming pixel electrodes connected to the driving elements; And electrically connecting the second electrode and the pixel electrode to each other; Forming a wavelength conversion layer on the plurality of light emitting structures; And forming red, green, and blue color filters on the wavelength conversion layer to be separated for each of the first, second, and third sub-pixel regions.

실시 예의 표시 장치는 다음과 같은 효과를 갖는다.The display device of the embodiment has the following effects.

첫째, 각 서브 픽셀 영역에 발광 구조물이 배치되어, 발광 구조물의 발광에 의해 서브 픽셀 영역에서 광이 방출될 수 있다. 각 서브 픽셀 영역에 배치된 발광 구조물은 공통 전극으로 기능하는 제 1 전극을 공유하므로, 각 서브 픽셀 영역에 배치된 발광 구조물을 서로 연결하기 위한 다이 본딩(Die-Bonding) 및 와이어 본딩과 같은 추가적인 공정으로 패키징할 필요가 없다. 따라서, 와이어 본딩 등을 수행할 면적이 제거되어, 서브 픽셀 영역의 피치가 감소하여 표시 장치의 픽셀 밀도 및 해상도가 향상될 수 있다.First, a light emitting structure is disposed in each sub pixel region, and light can be emitted in the sub pixel region by light emission of the light emitting structure. Since the light emitting structure disposed in each sub-pixel region shares the first electrode functioning as a common electrode, an additional process such as die-bonding and wire bonding for connecting the light emitting structures disposed in each sub- . ≪ / RTI > Therefore, the area for performing wire bonding or the like is removed, and the pitch of the sub-pixel area is reduced, so that the pixel density and resolution of the display device can be improved.

둘째, 각 서브 픽셀 영역에 배치된 발광 구조물의 배열을 조절하여, 표시 장치의 해상도를 향상시킬 수 있다.Second, the arrangement of the light emitting structures arranged in each sub-pixel region can be adjusted to improve the resolution of the display device.

셋째, 하나의 서브 픽셀 영역이 두 개의 발광 구조물을 포함하여 이루어져, 발광 구조물에 결함이 발생하더라도 정상적으로 구동되는 다른 발광 구조물에 의해 발광이 가능하다. Third, one sub-pixel region includes two light emitting structures, so that even if a defect occurs in the light emitting structure, light emission can be performed by another light emitting structure that is normally driven.

도 1a는 실시 예의 표시 장치의 픽셀의 회로도이다.
도 1b는 도 1a의 픽셀의 단면도이다.
도 1c는 도 1a의 픽셀의 다른 단면도이다.
도 1d는 도 1a의 픽셀의 또 다른 단면도이다.
도 2a는 실시 예의 표시 장치의 픽셀의 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 3은 다른 실시 예의 표시 장치의 픽셀의 평면도이다.
도 4a는 또 다른 실시 예의 표시 장치의 픽셀의 평면도이다.
도 4b는 도 4a의 회로도이다.
도 4c 및 도 4d는 도 4b의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.
도 5 내지 5j는 실시 예의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.1A is a circuit diagram of a pixel of a display device of an embodiment.
1B is a cross-sectional view of the pixel of FIG. 1A.
Figure 1C is another cross-sectional view of the pixel of Figure 1A.
FIG. 1D is another cross-sectional view of the pixel of FIG. 1A.
2A is a plan view of a pixel of the display device of the embodiment.
2B is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 2A.
3 is a plan view of a pixel of a display device according to another embodiment.
4A is a plan view of a pixel of a display device according to another embodiment.
4B is a circuit diagram of FIG. 4A.
4C and 4D are cross-sectional views taken along line I-I 'of FIG. 4B.
5 to 5J are cross-sectional views showing a manufacturing method of the display device of the embodiment.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

반도체 소자는 발광 소자, 수광 소자 등 각종 전자 소자를 포함할 수 있으며, 발광 소자와 수광 소자는 모두 제 1 도전형 반도체층과 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The semiconductor device may include various electronic devices such as a light emitting device and a light receiving device. The light emitting device and the light receiving device may include a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer.

본 실시 예에 따른 반도체 소자는 발광 소자일 수 있다.The semiconductor device according to this embodiment may be a light emitting device.

발광 소자는 전자와 정공이 재결합함으로써 빛을 방출하게 되고, 이 빛의 파장은 물질 고유의 에너지 밴드갭에 의해서 결정된다. 따라서, 방출되는 빛은 상기 물질의 조성에 따라 다를 수 있다. The light emitting device emits light by recombination of electrons and holes, and the wavelength of the light is determined by the energy band gap inherent to the material. Thus, the light emitted may vary depending on the composition of the material.

이하에서는 실시 예의 반도체 소자를 발광 소자로 설명한다.Hereinafter, the semiconductor device of the embodiment will be described as a light emitting element.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예의 표시 장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the display device of the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a는 실시 예의 표시 장치의 픽셀의 회로도이다. 도 1b는 도 1a의 픽셀의 단면도이며, 도 1c는 도 1a의 픽셀의 다른 단면도이다. 1A is a circuit diagram of a pixel of a display device of an embodiment. FIG. 1B is a cross-sectional view of the pixel of FIG. 1A, and FIG. 1C is another cross-sectional view of the pixel of FIG. 1A.

도 1a와 같이, 실시 예의 표시 장치는 영상을 표시하는 패널을 포함하며, 패널은 복수 개의 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)을 포함하는 복수 개의 픽셀(10)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 서브 픽셀 영역(10a)에서는 적색 광이 방출되며, 제 2 서브 픽셀 영역(10b)에서는 녹색 광이 방출될 수 있다. 그리고, 제 3 서브 픽셀 영역(10c)에서는 청색 광이 방출될 수 있다.1A, the display device of the embodiment includes a panel for displaying an image, and the panel may include a plurality of pixels 10 including a plurality of sub-pixel areas 10a, 10b, and 10c. For example, red light may be emitted in the first sub-pixel region 10a and green light may be emitted in the second sub-pixel region 10b. In the third sub-pixel region 10c, blue light may be emitted.

복수 개의 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)은 게이트 라인(Gate Line; GL)과 데이터 라인(Data Line: DLn, DLn +1, DLn + 2)이 교차하여 정의될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 하나의 픽셀(10)에 포함된 복수 개의 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)은 동일한 게이트 라인(GLn)에 연결되고 서로 다른 데이터 라인(DLn, DLn +1, DLn + 2)에 각각 연결된 구동 소자(2a, 2b, 2c)에 의해 구동 신호를 인가 받을 수 있다. 예를 들어, 구동 소자(2a, 2b, 2c)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)일 수 있다.The plurality of sub-pixel regions 10a, 10b and 10c may be defined by intersecting a gate line GL and data lines DL n , DL n +1 and DL n + 2 , Not limited. The plurality of sub-pixel regions 10a, 10b and 10c included in one pixel 10 are connected to the same gate line GL n and are connected to different data lines DL n , DL n +1 , DL n + 2 , The drive signal can be received by the drive elements 2a, 2b, and 2c, respectively. For example, the driving elements 2a, 2b, and 2c may be thin film transistors (TFTs).

상기와 같이 복수 개의 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 구동 소자(2a, 2b, 2c)가 배치된 실시 예의 표시 장치는 구동 소자(2a, 2b, 2c)가 스위치로 기능하여, 능동 매트릭스(Active Matrix; AM) 방식으로 구동될 수 있다. 상기와 같은 능동 매트릭스(AM) 방식은 수동 매트릭스(Passive Matrix; PM) 방식에 비해 고해상도가 가능하며 응답 속도가 빠르고 소비 전력이 낮은 표시 장치를 구현할 수 있다.In the display device of the embodiment in which the driving elements 2a, 2b and 2c are arranged in the plurality of sub-pixel regions 10a, 10b and 10c as described above, the driving elements 2a, 2b and 2c function as switches, (Active Matrix) scheme. The active matrix (AM) scheme as described above can achieve a high resolution as compared with a passive matrix (PM) scheme, and can realize a display device with a high response speed and low power consumption.

따라서, 실시 예의 표시 장치는 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 구동 소자(2a, 2b, 2c)가 개별적으로 구동하여 구동 소자(2a, 2b, 2c)의 온(ON)/오프(OFF)에 따라 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에서는 적색, 녹색, 청색 광이 선택적으로 방출될 수 있다.실시 예에서는 하나의 픽셀(10)이 3 개의 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)을 포함하는 것을 도시하였으나, 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 개수는 이에 한정하지 않고 용이하게 변경 가능하다.Therefore, in the display device of the embodiment, the driving elements 2a, 2b, and 2c disposed in the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c are individually driven, Green, and blue light may be selectively emitted in the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c according to the ON / OFF states of the first, 10b, and 10c, the number of sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c is not limited to the number of sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c, and can be easily changed.

상기와 같은 표시 장치의 픽셀(10)은 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물의 발광을 제어 하여, 다양한 색의 광을 구현할 수 있다.The pixel 10 of the display device may emit light of various colors by controlling the light emission of the light emitting structure disposed in the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c.

도 1b와 같이, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)은 제 1 전극(25), 발광 구조물(100) 및 제 2 전극(20)을 포함하는 발광 소자를 포함할 수 있다.1B, the first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c include a light emitting element including a first electrode 25, a light emitting structure 100 and a second electrode 20 can do.

발광 구조물(100)은 제 1 도전형 반도체층(110a), 제 1 도전형 반도체층(110a) 상에 배치된 활성층(110b) 및 활성층(110b) 상에 배치된 제 2 도전형 반도체층(110c)을 포함할 수 있다. 발광 구조물(100)의 두께는 2㎛ 내지 4㎛일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.The light emitting structure 100 includes a first conductive semiconductor layer 110a, an active layer 110b disposed on the first conductive semiconductor layer 110a, and a second conductive semiconductor layer 110c disposed on the active layer 110b. ). The thickness of the light emitting structure 100 may be 2 탆 to 4 탆, but is not limited thereto.

제 1 도전형 반도체층(110a)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, n형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제 1 도전형 반도체층(110a)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. n형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등에서 선택될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.The first conductive semiconductor layer 110a may be formed of a compound semiconductor such as group III-V or II-VI, and may be doped with an n-type dopant. The first conductive semiconductor layer 110a may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? , GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. The n-type dopant may be selected from Si, Ge, Sn, Se, Te, and the like, but is not limited thereto.

활성층(110b)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층의 구조는 이에 한정하지 않는다. 활성층(110b)이 우물 구조로 형성되는 경우, 활성층(110b)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The active layer 110b may have any one of a single well structure, a multiple well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure. But is not limited thereto. InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP (InGaP) / InGaN / GaN, / AlGaP, but the present invention is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a band gap smaller than the band gap of the barrier layer.

제 2 도전형 반도체층(110c)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제 2 도전형 반도체층(110c)은 InxAlyGa1 -x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. P형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등에서 선택될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.The second conductive semiconductor layer 110c may be formed of a compound semiconductor such as a Group III-V or a Group II-VI, and may be doped with a p-type dopant. The second conductive semiconductor layer 110c may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? , GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. The P-type dopant may be selected from Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, and the like, but is not limited thereto.

상기와 같은 발광 구조물(100)의 제 2 도전형 반도체층(110c)은 각 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)마다 배치된 구동 소자(2a, 2b, 2c)와 전기적으로 연결될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 110c of the light emitting structure 100 may be electrically connected to the driving elements 2a, 2b, and 2c disposed in the respective sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c.

예를 들어, 구동 소자(2a, 2b, 2c)가 박막 트랜지스터(TFT)인 경우, 구동 소자(2a, 2b, 2c)는 게이트 전극(11), 게이트 절연막(12), 액티브층(13), 소스 전극(14a) 및 드레인 전극(14b)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(11)은 각 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치되도록 게이트 라인(도 1a의 GL)에서 돌출되거나, 게이트 라인(도 1a의 GL)의 일부 영역으로 정의될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.For example, when the driving elements 2a, 2b and 2c are thin film transistors (TFTs), the driving elements 2a, 2b and 2c are connected to the gate electrode 11, the gate insulating film 12, the active layer 13, And may include a source electrode 14a and a drain electrode 14b. The gate electrode 11 may protrude from the gate line (GL in FIG. 1A) or may be defined as a partial region of the gate line (GL in FIG. 1A) so as to be disposed in each sub pixel region 10a, 10b, Not limited.

게이트 절연막(12)은 게이트 전극(11)을 덮도록 지지 기판(1a) 전면에 배치될 수 있다. 액티브층(13)은 게이트 절연막(12)을 사이에 두고 게이트 전극(11)과 중첩될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 액티브층(13)은 다층 구조일 수 있다. The gate insulating film 12 may be disposed on the entire surface of the supporting substrate 1a so as to cover the gate electrode 11. [ The active layer 13 may overlap the gate electrode 11 with the gate insulating film 12 interposed therebetween. Although not shown, the active layer 13 may have a multi-layer structure.

액티브층(13) 상에는 서로 이격된 소스 전극(14a)과 드레인 전극(14b)이 배치될 수 있다. 소스 전극(14a)은 데이터 라인(DLn, DLn +1, DLn + 2)에서 연장될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 그리고, 드레인 전극은 화소 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 화소 전극(16)은 드레인 전극과 연결되어, 구동 소자(2a, 2b, 2c)로부터 전달된 구동 신호를 발광 소자에 전달할 수 있다. A source electrode 14a and a drain electrode 14b spaced apart from each other may be disposed on the active layer 13. A source electrode (14a) can be extended from the data line (DL n, DL n +1, DL n + 2), but not always limited thereto. The drain electrode may be electrically connected to the pixel electrode. The pixel electrode 16 is connected to the drain electrode, and can transmit a driving signal transmitted from the driving elements 2a, 2b, and 2c to the light emitting element.

구동 소자(2a, 2b, 2c)를 덮도록 보호층(15)이 배치되고, 보호층(15)은 선택적으로 제거되어, 각 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 드레인 전극(14b)을 노출시킬 수 있다. 그리고, 화소 전극(16)은 보호층(15) 상에 배치되어, 노출된 드레인 전극(14b)과 전기적으로 연결될 수 있다.The protective layer 15 is disposed so as to cover the driving elements 2a, 2b and 2c and the protective layer 15 is selectively removed so that the drain electrodes 14b of the respective sub pixel regions 10a, 10b, Can be exposed. The pixel electrode 16 may be disposed on the protective layer 15 and electrically connected to the exposed drain electrode 14b.

화소 전극(16)은 각 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 제 2 전극(20)과 전기적으로 연결될 수 있다. The pixel electrode 16 may be electrically connected to the second electrode 20 of each of the sub pixel regions 10a, 10b, and 10c.

제 2 전극(20)은 발광 구조물(100)의 활성층(110b)에서 발생한 광을 제 1 도전형 반도체층(110a)으로 반사시키기 위해 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 Hf 등과 같이 반사율이 높은 물질로 형성되거나, 상기 반사율이 높은 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 투명 전도성 물질이 혼합되어 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, or the like to reflect light generated in the active layer 110b of the light emitting structure 100 to the first conductivity type semiconductor layer 110a. ZnO, Pt, Au, and Hf, or a transparent conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO may be mixed with the material having a high reflectivity. Not limited.

제 2 전극(20)의 폭이 너무 넓은 경우 인접한 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c) 사이의 간격을 감소시킬 때, 인접한 제 2 전극(20)이 서로 연결될 수 있다. 그리고, 제 2 전극(20)의 폭이 너무 좁은 경우 제 1 전극(25)와 전도성 부재(17)의 밀착 면적이 감소할 수 있다. 따라서, 제 1 전극(25)의 폭은 3㎛ 내지 5㎛일 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.When the width of the second electrode 20 is too wide, the adjacent second electrodes 20 can be connected to each other when the interval between the adjacent sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c is reduced. If the width of the second electrode 20 is too narrow, the contact area between the first electrode 25 and the conductive member 17 may be reduced. Therefore, the width of the first electrode 25 may be 3 탆 to 5 탆, but is not limited thereto.

화소 전극(16)과 제 2 전극(20)은 전도성 부재(17)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 전도성 부재(17)는 전도성 볼(conducting ball)을 포함할 수 있다.The pixel electrode 16 and the second electrode 20 may be electrically connected through the conductive member 17. For example, the conductive member 17 may comprise a conducting ball.

전도성 부재(17)의 높이가 너무 높은 경우 표시 장치의 박형화를 구현하기 어렵다. 따라서, 전도성 부재(17)의 두께는 3㎛이하일 수 있다. 그리고, 전도성 부재(17)는 가압에 의해 화소 전극(16)과 각 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 제 2 전극(20)을 전기적으로 연결할 수 있다. 따라서, 높이가 낮은 전도성 부재(17)를 형성하기 위해서는 가압력을 증가시켜야 하므로, 전도성 부재(17)에 크랙이 발생할 수 있다. 따라서, 전도성 부재(17)의 높이는 2㎛ 이상일 수 있다. 그러나, 상기와 같은 전도성 부재(17)의 높이는 전도성 부재(17)의 종류에 따라 다양하게 변경될 수 있다.When the height of the conductive member 17 is too high, it is difficult to realize a thin display device. Therefore, the thickness of the conductive member 17 may be 3 占 퐉 or less. The conductive member 17 can electrically connect the pixel electrode 16 and the second electrode 20 of each of the sub pixel regions 10a, 10b, and 10c by pressing. Therefore, in order to form the conductive member 17 having a low height, the pressing force must be increased, so that cracks may be generated in the conductive member 17. [ Therefore, the height of the conductive member 17 may be 2 占 퐉 or more. However, the height of the conductive member 17 may be variously changed depending on the type of the conductive member 17.

제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c) 사이에는 제 1, 제 2 광 차단층(21a, 21b)이 배치될 수 있다. 제 1, 제 2 광 차단층(21a, 21b)은 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 광 간섭을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제 1, 제 2 광 차단층(21a, 21b)은 카본 블랙(carbon black), 그라파이트(Graphite)와 같이 광 흡수 물질을 포함할 수도 있으나, 광을 반사하는 반사 물질을 포함할 수도 있다. 제 1, 제 2 광 차단층(21a, 21b)의 형성 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예시적으로 제 1, 제 2 광 차단층(21a, 21b)은 포토리소그라피, 임프린팅, 롤투롤 프린팅, 및 잉크젯 프린팅 등을 이용하여 형성할 수 있다.The first and second light blocking layers 21a and 21b may be disposed between the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c. The first and second light blocking layers 21a and 21b can prevent optical interference of the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c. For example, the first and second light blocking layers 21a and 21b may include a light absorbing material such as carbon black or graphite, but may include a reflective material that reflects light. have. The method of forming the first and second light blocking layers 21a and 21b is not particularly limited. Illustratively, the first and second light blocking layers 21a and 21b may be formed using photolithography, imprinting, roll-to-roll printing, and ink-jet printing.

제 1 전극(25)은 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 각각 배치된 발광 구조물(100)의 제 1 도전형 반도체층(110a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 하나의 픽셀(10)에 배치된 복수 개의 제 1 도전형 반도체층(110a)은 제 1 전극(25)을 공유할 수 있다.The first electrode 25 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 110a of the light emitting structure 100 disposed in the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c, respectively . That is, the plurality of first conductivity type semiconductor layers 110a disposed in one pixel 10 may share the first electrode 25. [

제 1 전극(25)은 공통 전극으로 기능하며, 예를 들어, 제 1 전극(25)은 접지(grounding)될 수 있다. 그리고, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 구동 소자(2a, 2b, 2c)가 선택적으로 구동됨으로써, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 발광 구조물(100)이 선택적으로 발광할 수 있다. 그리고, 제 1 전극(25)의 두께는 1㎛ 이하일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.The first electrode 25 functions as a common electrode, for example, the first electrode 25 may be grounded. The driving elements 2a, 2b and 2c arranged in the first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c are selectively driven so that the first, second and third sub- 10a, 10b and 10c can selectively emit light. The thickness of the first electrode 25 may be 1 탆 or less, but is not limited thereto.

제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100)의 활성층(110b)은 청색 파장대의 광을 방출할 수 있다. 따라서, 발광 구조물(100) 상에 파장 변환층(30)이 배치될 수 있다. 파장 변환층(30)은 발광 구조물(100)과 수직 방향으로 중첩되어, 발광 구조물(100)의 활성층(110b)에서 방출된 청색 광을 흡수하여 백색광으로 변환할 수 있다.The active layer 110b of the light emitting structure 100 disposed in the first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c can emit light in the blue wavelength band. Therefore, the wavelength conversion layer 30 can be disposed on the light emitting structure 100. The wavelength conversion layer 30 may overlap with the light emitting structure 100 in the vertical direction to absorb blue light emitted from the active layer 110b of the light emitting structure 100 and convert the blue light into white light.

파장 변환층(30)은 파장 변환 입자를 포함할 수 있으며, 파장 변환 입자는 형광체, QD(Quantum Dot) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 이하에서는 파장 변환 입자를 형광체로 설명한다.The wavelength conversion layer 30 may include wavelength conversion particles, and the wavelength conversion particles may include at least one of a phosphor and a quantum dot (QD). Hereinafter, the wavelength converting particle is described as a phosphor.

형광체는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 어느 하나의 형광 물질이 포함될 수 있으나, 실시 예는 형광체의 종류에 제한되지 않는다. YAG 및 TAG계 형광 물질은 (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm)3(Al, Ga, In, Si, Fe)5(O, S)12:Ce 중에서 선택될 수 있으며, Silicate계 형광 물질은 (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4:(Eu, F, Cl) 중에서 선택 사용 가능하다. 또한, Sulfide계 형광 물질은 (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu 중 선택 가능하며, Nitride계 형광체는 (Sr, Ca, Si, Al, O)N:Eu (예, CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) 또는 Ca-α SiAlON:Eu계인 (Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16일 수 있다. 이 때, M은 Eu, Tb, Yb 또는 Er 중 적어도 하나의 물질이며 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3을 만족하는 형광체 성분 중에서 선택될 수 있다.The phosphor may include any one of a YAG-based, TAG-based, silicate-based, sulfide-based or nitride-based fluorescent material, but the embodiment is not limited to the type of the fluorescent material. YAG and TAG-based fluorescent material (Y, Tb, Lu, Sc , La, Gd, Sm) 3 (Al, Ga, In, Si, Fe) 5 (O, S) 12: Ce may be selected from, Silicate The phosphor can be selected from (Sr, Ba, Ca, Mg) 2 SiO 4 : (Eu, F, Cl) The sulfide-based fluorescent material can be selected from (Ca, Sr) S: Eu, (Sr, Ca, Ba) (Al, Ga) 2 S 4 : Eu, (O, N) 16 (Ca x , M y ) (Si, Al) 12 (O, N): Eu (e.g., CaAlSiN 4 : Eu? -SiAlON: Eu) or Ca-? SiAlON: Eu. In this case, M may be selected from among the phosphor components satisfying 0.05 <(x + y) <0.3, 0.02 <x <0.27 and 0.03 <y <0.3, at least one of Eu, Tb, Yb or Er.

제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c) 사이에 제 3 광 차단층(22)이 배치될 수 있다. 제 3 광 차단층(22)은 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에서 파장 변환층(30)을 완전히 분리시킬 수 있다. 한편, 도 1c와 같이, 제 3 광 차단층(22)의 두께보다 파장 변환층(30)의 두께가 더 두꺼워 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)이 파장 변환층(30)의 일부를 공유할 수 있다.A third light blocking layer 22 may be disposed between the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c. The third light blocking layer 22 can completely separate the wavelength conversion layer 30 from the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c. 1C, since the thickness of the wavelength conversion layer 30 is thicker than the thickness of the third light blocking layer 22, the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, May share a portion of the layer 30.

파장 변환층(30)의 두께(T1)가 너무 두꺼운 경우, 표시 장치의 전체 두께가 두꺼워지며, 파장 변환층(30)의 두께가 너무 얇은 경우 파장 변환층(30) 내에 파장 변환 부재가 균일하게 분산되지 못한다. 따라서, 파장 변환층(30)의 두께는 최소 30㎛ 이상일 수 있다. When the thickness T1 of the wavelength conversion layer 30 is too thick, the entire thickness of the display device becomes thick. When the thickness of the wavelength conversion layer 30 is too thin, the wavelength conversion member 30 is uniformly It is not distributed. Therefore, the thickness of the wavelength conversion layer 30 can be at least 30 탆 or more.

제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c) 상에 컬러 필터(35a, 35b, 35c)가 배치될 수 있다. 이 때, 컬러 필터(35a, 35b, 35c)는 파장 변환층(30)에 의해 변환된 백색 광을 각 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 대응하는 적색, 녹색 및 청색 광으로 변환하기 위한 것일 수 있다. 한편, 컬러 필터(35a, 35b, 35c)의 두께는 표시 장치에서 구현하는 색의 재현 범위를 고려하여 용이하게 조절될 수 있다.Color filters 35a, 35b, and 35c may be disposed on the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c. At this time, the color filters 35a, 35b and 35c convert the white light converted by the wavelength converting layer 30 into red, green and blue corresponding to the first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c, Green, and blue light. On the other hand, the thicknesses of the color filters 35a, 35b and 35c can be easily adjusted in consideration of the reproducible range of color realized in the display device.

실시 예와 같이, 제 1 서브 픽셀(10a)은 발광 구조물(100) 상에 적색 컬러 필터(35a)가 배치되어, 제 1 서브 픽셀(10a)은 적색 광을 방출할 수 있다. 제 2 서브 픽셀(10b)은 발광 구조물(100) 상에 녹색 컬러 필터(35b)가 배치되어, 제 2 서브 픽셀(10b)은 적색 광을 방출할 수 있다. 그리고, 제 3 서브 픽셀(10c)은 발광 구조물(100) 상에 청색 컬러 필터(35c)가 배치되어, 제 3 서브 픽셀(10c)은 적색 광을 방출할 수 있다.As in the embodiment, the first subpixel 10a has a red color filter 35a disposed on the light emitting structure 100, and the first subpixel 10a can emit red light. The second subpixel 10b may have a green color filter 35b disposed on the light emitting structure 100 and the second subpixel 10b may emit red light. The third sub-pixel 10c may have a blue color filter 35c disposed on the light emitting structure 100 and the third sub-pixel 10c may emit red light.

한편, 도시하지는 않았으나, 제 3 서브 픽셀(10c)은 파장 변환층(30) 및 청색 컬러 필터(35c)를 제거하여, 발광 구조물(100)에서 방출되는 청색 광을 그대로 방출할 수도 있다.The third sub-pixel 10c may remove the wavelength conversion layer 30 and the blue color filter 35c to emit the blue light emitted from the light emitting structure 100, though not shown.

인접한 컬러 필터(35a, 35b, 35c) 사이에도 제 4 광 차단층(23)이 배치될 수 있다. 제 4 광 차단층(23)은 인접한 컬러 필터(35a, 35b, 35c)를 분리하여 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에서 각각 방출되는 적색, 녹색 및 청색 광의 혼색을 방지하여 표시 장치의 색 특성을 향상시킬 수 있다.The fourth light blocking layer 23 may also be disposed between adjacent color filters 35a, 35b, 35c. The fourth light blocking layer 23 separates the adjacent color filters 35a, 35b and 35c to form red, green and blue light beams respectively emitted from the first, second and third sub pixel regions 10a, 10b and 10c It is possible to prevent color mixture and improve color characteristics of the display device.

커버 필름(40)은 컬러 필터(35a, 35b, 35c) 및 제 4 광 차단층(23)을 덮도록 배치될 수 있다. 커버 필름(40)은 컬러 필터(35a, 35b, 35c) 및 제 4 광 차단층(23)을 보호할 수 있다. 커버 필름(40)은 투명한 물질을 포함하여 이루어져, 커버 필름(40)에 의한 광 흡수를 최소화할 수 있다. 예를 들어, 커버 필름(40)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate)와 같은 폴리에스테르, 아크릴 수지(acrylic resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 에틸렌 수지(ethylene resin), 스티렌 수지(styrene resin)등에서 선택될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.The cover film 40 may be disposed to cover the color filters 35a, 35b, and 35c and the fourth light blocking layer 23. [ The cover film 40 can protect the color filters 35a, 35b, and 35c and the fourth light blocking layer 23. [ The cover film 40 comprises a transparent material, so that light absorption by the cover film 40 can be minimized. For example, the cover film 40 may be selected from polyesters such as polyethyleneterephthalate, acrylic resins, epoxy resins, ethylene resins, and styrene resins. But is not limited thereto.

즉, 실시 예의 표시 장치는 발광 구조물(100)이 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)마다 배치되어, 발광 구조물(100)에서 방출되는 광의 색을 변환하여 영상을 표시할 수 있다. 이 때, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100)은 구동 소자(2a, 2b, 2c)에 의해 개별적으로 발광할 수 있다.That is, in the display device of the embodiment, the light emitting structure 100 is arranged for each of the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c to convert the color of light emitted from the light emitting structure 100, Can be displayed. At this time, the light emitting structures 100 disposed in the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c can emit light individually by the driving elements 2a, 2b, and 2c.

제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100)은 제 1 전극(25)을 공유하므로, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100)을 서로 연결하기 위한 다이 본딩(Die-Bonding) 및 와이어 본딩과 같은 추가적인 공정으로 패키징할 필요가 없다. 이에 따라, 와이어 본딩 등을 수행할 면적이 제거되어, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c) 사이의 간격이 감소할 수 있다. 즉, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 피치가 감소하여 표시 장치의 픽셀 밀도 및 해상도가 향상될 수 있다.Since the light emitting structure 100 disposed in the first, second and third sub pixel regions 10a, 10b and 10c shares the first electrode 25, the first, second and third sub pixel regions 10a 10b, and 10c of the light emitting structure 100 by wire bonding or die-bonding for connecting the light emitting structures 100 to each other. Accordingly, the area for performing the wire bonding or the like is removed, so that the interval between the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c can be reduced. That is, the pitch of the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c may be reduced to improve the pixel density and resolution of the display device.

한편, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)은 적색, 녹색, 청색 광을 방출하는 발광 소자(300, 200, 100)가 각각 배치될 수 있다.The first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c may include red, green, and blue light emitting devices 300, 200, and 100, respectively.

도 1d는 도 1a의 픽셀의 또 다른 단면도이다.FIG. 1D is another cross-sectional view of the pixel of FIG. 1A.

도 1d와 같이, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)은 컬러 필터 없이 적색, 녹색, 청색 광을 구현할 수 있다. 이를 위해, 제 1 서브 픽셀(10a)에 배치된 구동 소자(2a, 2b, 2c)는 적색 광을 방출하는 적색 발광 구조물(300)과 전기적으로 연결되고, 제 2 서브 픽셀(10b)에 배치된 구동 소자(2a, 2b, 2c)는 녹색 광을 방출하는 녹색 발광 구조물(200)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 제 3 서브 픽셀(10c)에 배치된 구동 소자(2a, 2b, 2c)는 청색 광을 방출하는 청색 발광 구조물(100)과 전기적으로 연결될 수 있다.As shown in FIG. 1D, the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c may emit red, green, and blue light without a color filter. To this end, the driving elements 2a, 2b, and 2c disposed in the first sub-pixel 10a are electrically connected to the red light emitting structure 300 that emits red light, The driving elements 2a, 2b, and 2c may be electrically connected to the green light emitting structure 200 that emits green light. The driving elements 2a, 2b, and 2c disposed in the third sub-pixel 10c may be electrically connected to the blue light emitting structure 100 that emits blue light.

이 경우, 컬러 필터 및 파장 변환층을 제거할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 박형화를 구현할 수 있다. 특히, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)은 적색 발광 구조물(300), 녹색 발광 구조물(200), 청색 발광 구조물(100)에서 방출된 광이 그대로 방출되므로, 발광 구조물(100)의 효율이 향상될 수 있다. In this case, the color filter and the wavelength conversion layer can be removed. Therefore, it is possible to realize a thin display device. In particular, since the first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c emit light emitted from the red light emitting structure 300, the green light emitting structure 200 and the blue light emitting structure 100, The efficiency of the light emitting structure 100 can be improved.

제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 각각 배치된 적색 발광 구조물(300), 녹색 발광 구조물(200), 청색 발광 구조물(100)의 제 2 전극은 각각 구동 소자(2a, 2b, 2c)와 연결되며, 적색 발광 구조물(300), 녹색 발광 구조물(200), 청색 발광 구조물(100)은 제 1 전극(25)을 공유할 수 있다.The red light emitting structure 300, the green light emitting structure 200 and the second electrodes of the blue light emitting structure 100 disposed in the first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c, respectively, And the red light emitting structure 300, the green light emitting structure 200 and the blue light emitting structure 100 may share the first electrode 25.

따라서, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 적색 발광 구조물(300), 녹색 발광 구조물(200), 청색 발광 구조물(100)은 개별적으로 연결된 구동 소자(2a, 2b, 2c)에 의해 선택적으로 구동될 수 있다. Accordingly, the red light emitting structure 300, the green light emitting structure 200, and the blue light emitting structure 100 disposed in the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, 2a, 2b, 2c.

도 2a는 다른 실시 예의 표시 장치의 픽셀의 평면도이며, 도 2b는 도 2a의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.2A is a plan view of a pixel of a display device according to another embodiment, and Fig. 2B is a cross-sectional view of I-I 'of Fig. 2A.

도 2a와 같이, 표시 장치의 패널(3)에 배치된 복수 개의 픽셀(10)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 하나의 픽셀(10)은 가로 방향으로 나란하게 배열된 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2A, an image can be displayed through a plurality of pixels 10 arranged on the panel 3 of the display device. One pixel 10 may include first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c arranged in a horizontal direction.

제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 포함된 발광 구조물(100)은 인접한 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100)과 수평 방향으로 중첩되지 않도록 대각 방향으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 제 1 서브 픽셀 영역(10a)에 배치된 발광 구조물(100)은 제 2 서브 픽셀 영역(10b)에 배치된 발광 구조물(100)과 수평 방향으로 비 중첩된다.The light emitting structure 100 included in the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c includes the light emitting structure 100 disposed adjacent to the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, And may be arranged in a diagonal direction so as not to overlap with the structure 100 in the horizontal direction. For example, the light emitting structure 100 disposed in the first sub-pixel region 10a is not overlapped with the light emitting structure 100 disposed in the second sub-pixel region 10b in the horizontal direction.

제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 포함된 발광 구조물(100)의 직경(d3)은 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 폭(w1)과 동일하거나 폭(w1)보다 작을 수 있다.The diameter d3 of the light emitting structure 100 included in the first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c corresponds to the first, second and third sub- May be equal to or less than the width (w1)

예를 들어, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 폭(w1)이 8.46㎛이며, 인접한 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100) 사이의 간격(d1)이 8.46㎛인 경우 하나의 서브 픽셀(10a, 10b, 10c)의 면적(가로 길이×세로 길이)은 8.46㎛×25.38㎛(8.46㎛+8.46㎛+8.46㎛) 이하일 수 있다. 따라서, 면적이 32.5㎜×24.4㎜의 1.6인치의 패널(3)은 1280 × 960개 이상의 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)을 포함할 수 있다. For example, when the width w1 of the first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c is 8.46 占 퐉 and the widths w1 and w2 of the light emitting structures 100 The area (horizontal length x vertical length) of one subpixel 10a, 10b, 10c may be 8.46 mu m x 25.38 mu m (8.46 mu m + 8.46 mu m + 8.46 mu m) have. Accordingly, the 1.6-inch panel 3 having an area of 32.5 mm x 24.4 mm may include 1280 x 960 or more sub-pixel areas 10a, 10b, and 10c.

인접한 픽셀(10) 사이의 간격(d2)은 인접한 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100) 사이의 간격(d1)과 동일할 수 있으며, 패널(3)에 더 많은 개수의 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)을 배치하기 위해, 인접한 픽셀(10) 사이의 간격(d2)을 감소시킬 수 있다. 한편, 대각 방향으로 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 발광 구조물(100)이 배열된 경우, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에서 각각 방출되는 적색, 녹색 및 청색 광이 효율적으로 혼합될 수 있다. 따라서, 픽셀(10)에서 방출되는 백색 광의 색 순도가 향상될 수 있다.The distance d2 between the adjacent pixels 10 may be equal to the distance d1 between the light emitting structures 100 disposed in the adjacent sub pixel regions 10a, 10b and 10c, In order to arrange the number of sub-pixel areas 10a, 10b, 10c, the spacing d2 between adjacent pixels 10 can be reduced. On the other hand, when the light emitting structures 100 of the first, second and third sub pixel regions 10a, 10b and 10c are arranged in the diagonal direction, the first, second and third sub pixel regions 10a, 10b, Red, green and blue light respectively emitted from the light sources 10a, 10b and 10c can be efficiently mixed. Thus, the color purity of the white light emitted from the pixel 10 can be improved.

특히, 실시 예와 같이 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100)이 원형인 경우, 대각 방향으로 배열된 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)을 포함하는 하나의 픽셀(10)이 정사각 형상일 수 있다. 한편, 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100)은 다각형, 타원형 등에서 용이하게 선택 가능하다.Particularly, when the light emitting structure 100 arranged in the first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c is circular as in the embodiment, the first, second and third One pixel 10 including the sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c may have a square shape. On the other hand, the light emitting structure 100 arranged in the first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c can be easily selected from a polygon, an ellipse or the like.

일반적인 옥외 전광판은 고 해상도 및 고휘도를 구현할 필요가 없어, 픽셀이 매우 크며 서브 픽셀의 면적 역시 매우 넓다. 반면에, 상기와 같은 실시 예의 표시 장치는 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100)은 제 1 전극(25)을 공유하므로, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100)을 서로 연결하기 위한 다이 본딩(Die-Bonding) 및 와이어 본딩과 같은 추가적인 공정으로 패키징할 필요가 없다. 이에 따라, 와이어 본딩 등을 수행할 면적이 제거되어, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c) 사이의 간격이 감소할 수 있다.A typical outdoor electronic signboard does not need to have high resolution and high brightness, so the pixels are very large and the area of the subpixel is also very wide. On the other hand, in the display device of the embodiment as described above, the light emitting structure 100 disposed in the first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c shares the first electrode 25, It is not necessary to package the light emitting structure 100 disposed in the second and third sub pixel regions 10a, 10b, and 10c by an additional process such as die bonding and wire bonding for connecting the light emitting structures 100 to each other. Accordingly, the area for performing the wire bonding or the like is removed, so that the interval between the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c can be reduced.

즉, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 피치가 감소하여 표시 장치의 픽셀(10) 밀도 및 해상도가 향상될 수 있다. 따라서, 실시 예의 표시 장치는 FHD(Full HD)급 해상도(1920×1080), UH(Ultra HD)급 해상도(3480×2160), 또는 UHD급 이상의 고해상도(3840×2160)로 구현하는데 제약이 없다. 이에 따라, 실시 예의 표시 장치를 고해상도의 TV 또는 VR(virtual reality) 제품에 용이하게 적용할 수 있다.That is, the pitches of the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c may be reduced to improve the density and resolution of the pixel 10 of the display device. Accordingly, the display device of the embodiment is not limited to be implemented with FHD (Full HD) resolution (1920 × 1080), UH (Ultra HD) resolution (3480 × 2160), or UHD or higher resolution (3840 × 2160). Accordingly, the display device of the embodiment can be easily applied to high-resolution TV or VR (virtual reality) products.

도 3은 다른 실시 예의 표시 장치의 픽셀의 평면도이다. 3 is a plan view of a pixel of a display device according to another embodiment.

도 3과 같이, 다른 실시 예의 표시 장치의 패널(3)에 가로 방향으로 나란하게 배열된 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)을 포함하는 복수 개의 픽셀(10)이 배치될 수 있다.As shown in Fig. 3, a plurality of pixels 10 including first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c arranged in a lateral direction in a panel 3 of a display device of another embodiment, Can be arranged.

예를 들어, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 가로 폭(w1)이 4.23㎛이며, 세로 폭(w2)이 15.38㎛인 경우 하나의 서브 픽셀(10a, 10b, 10c)의 면적(가로 길이×세로 길이)은 4.23㎛×15.38㎛일 수 있다. 따라서, 면적이 32.5㎜×24.4㎜의 1.6인치의 패널(3)은 1280 × 960 개 이상의 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)을 포함할 수 있다. For example, when the width w1 of the first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c is 4.23 mu m and the width w2 is 15.38 mu m, 10b, and 10c may be 4.23 mu m x 15.38 mu m. Accordingly, the 1.6-inch panel 3 having an area of 32.5 mm x 24.4 mm may include 1280 x 960 or more sub-pixel areas 10a, 10b, and 10c.

상기와 같은 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)은 선택적으로 구동되어, 하나의 픽셀(10)에서 적색, 녹색, 청색 광이 선택적으로 방출되거나, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c) 중 적어도 두 개의 서브 픽셀에 배치된 발광 구조물(100)이 광을 방출하여 적색, 녹색, 청색이 아닌 다른 색의 광을 구현할 수 있다. 또한, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100)이 모두 발광하여 백색 광을 방출할 수 있다.The first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c are selectively driven to selectively emit red, green, and blue light in one pixel 10, The light emitting structure 100 disposed in at least two of the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c may emit light to emit light of other colors than red, green, and blue. Further, the light emitting structures 100 disposed in the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c may all emit light to emit white light.

한편, 하나의 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)은 두 개의 발광 구조물(100)을 포함할 수 있다.On the other hand, one sub-pixel region 10a, 10b, and 10c may include two light emitting structures 100.

도 4a는 또 다른 실시 예의 표시 장치의 픽셀의 평면도이며, 도 4b는 도 4a의 회로도이다. 그리고, 도 4c 및 도 4d는 도 4b의 Ⅰ-Ⅰ'의 단면도이다.4A is a plan view of a pixel of a display device of another embodiment, and Fig. 4B is a circuit diagram of Fig. 4A. 4C and 4D are cross-sectional views taken along line I-I 'of FIG. 4B.

도 4a 및 도 4b와 같이, 하나의 픽셀(10)에 포함된 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)이 각각 두 개의 발광 구조물(100)을 포함할 수 있다. 이 때, 두 개의 발광 구조물(100)은 하나의 구동 소자(2a, 2b, 2c)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 두 개의 발광 구조물(100)은 병렬로 연결된 구조일 수 있다.As shown in FIGS. 4A and 4B, the first, second and third sub-pixel regions 10a, 10b and 10c included in one pixel 10 may include two light emitting structures 100, respectively. At this time, the two light emitting structures 100 may be electrically connected to one driving element 2a, 2b, and 2c, and the two light emitting structures 100 may be connected in parallel.

상기와 같은 또 다른 실시 예의 표시 장치의 픽셀(10)은 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 두 개의 발광 구조물(100) 중 하나가 불량이더라도, 양품의 다른 발광 구조물(100)에 의해 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 발광이 가능하다.The pixel 10 of the display device according to another embodiment of the present invention as described above can be applied to the case where one of the two light emitting structures 100 disposed in the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, The first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c can emit light by the other light emitting structure 100 of FIG.

도 4c와 같이, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)은 파장 변환층(30)과 컬러 필터(35c)를 포함하여 이루어져, 두 개의 발광 구조물(100)에서 발생한 광을 변환하여 방출할 수 있다. 실시 예에서는 발광 구조물(100)에서 방출된 청색 광이 파장 변환층(30)을 통과하며 백색 광으로 변환되고, 청색 컬러 필터(35c)를 더 통과하여 서브 픽셀 영역(10c)에서 청색 광이 방출되는 것을 도시하였다. The first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c include a wavelength conversion layer 30 and a color filter 35c, and are formed in the two light emitting structures 100 The light can be converted and emitted. The blue light emitted from the light emitting structure 100 passes through the wavelength conversion layer 30 and is converted into white light and passes through the blue color filter 35c to emit blue light in the sub pixel region 10c .

도 4d와 같이, 두 개의 발광 구조물에서 발생한 광을 그대로 방출시킬 수 있다. 실시 예에서는 청색 광을 방출하는 제 3 서브 픽셀(10c)을 도시하였으며, 제 1, 제 2 서브 픽셀(10a, 10c)이 각각 적색, 녹색 광을 방출하는 발광 구조물(300, 200)을 포함하여 이루어질 수 있으며, 이 경우에 파장 변환층(30)과 컬러 필터(35a, 35b)를 제거할 수 있다.As shown in FIG. 4D, the light generated in the two light emitting structures can be emitted as it is. In an embodiment, the third sub-pixel 10c emits blue light. The first and second sub-pixels 10a and 10c include red, green, and blue light emitting structures 300 and 200, respectively. In this case, the wavelength conversion layer 30 and the color filters 35a and 35b can be removed.

도 4c 및 도 4d에서는 하나의 서브 픽셀 영역(10c)에 배치된 두 개의 발광 구조물(100)에서 방출되는 광이 서로 다른 파장 변환층(30)과 컬러 필터(35c)를 통과하여 외부로 방출되는 것을 도시하였다. 그러나, 두 개의 발광 구조물(100)은 파장 변환층(30)과 컬러 필터(35c)를 공유할 수도 있다. 4C and 4D, light emitted from two light emitting structures 100 disposed in one sub-pixel region 10c passes through different wavelength conversion layers 30 and color filters 35c and is emitted to the outside Lt; / RTI &gt; However, the two light emitting structures 100 may share the color conversion layer 30 and the color filter 35c.

한편, 도시하지는 않았으나, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 발광 구조물(100)이 대각 방향으로 배열된 경우에도, 하나의 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)이 두 개의 발광 구조물(100)을 포함할 수 있다. 하나의 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 포함된 발광 구조물(100)의 개수는 두 개에 한정하지 않고 세 개 이상일 수 있다.Although not shown, even when the light emitting structures 100 of the first, second and third sub pixel regions 10a, 10b and 10c are arranged in the diagonal direction, one sub pixel region 10a, 10b and 10c ) May include two light emitting structures 100. The number of the light emitting structures 100 included in one sub-pixel region 10a, 10b, and 10c is not limited to two but may be three or more.

실시 예에서는 표시 장치의 픽셀(10)이 수평 방향(가로 방향)으로 나란하게 배열된 서브 픽셀(10a, 10b, 10c)을 포함하는 것을 도시하였으나, 서브 픽셀(10a, 10b, 10c)의 배열은 이에 한정하지 않고 다양하게 변경 가능하다.Although the embodiment has shown that the pixels 10 of the display device include subpixels 10a, 10b and 10c arranged in a horizontal direction (horizontal direction), the arrangement of the subpixels 10a, 10b and 10c But the present invention is not limited thereto.

도 5 내지 5j는 실시 예의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.5 to 5J are cross-sectional views showing a manufacturing method of the display device of the embodiment.

도 5a와 같이, 성장 기판(1b) 상에 제 1 도전형 반도체층(110a), 활성층(110b) 및 제 2 도전형 반도체층(110c)을 차례로 적층하고, 제 2 도전형 반도체층(110c) 상에 전극 물질층을 형성한다. 성장 기판(1b)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge 중 선택된 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.5A, a first conductivity type semiconductor layer 110a, an active layer 110b and a second conductivity type semiconductor layer 110c are sequentially stacked on a growth substrate 1b, and a second conductivity type semiconductor layer 110c, To form an electrode material layer. The growth substrate 1b may be formed of a material selected from the group consisting of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge.

도시하지는 않았으나, 제 1 도전형 반도체층(110a)과 성장 기판(1b) 사이에 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수 있다. 버퍼층은 제 1 도전형 반도체층(110a), 활성층(110b) 및 제 2 도전형 반도체층(110c)과 성장 기판(1b)의 격자 부정합을 완화할 수 있다. 버퍼층은 Ⅲ족과 Ⅴ족 원소가 결합된 형태이거나 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층에는 도펀트가 도핑될 수도 있으나, 이에 한정하지 않는다.Although not shown, a buffer layer (not shown) may be further provided between the first conductivity type semiconductor layer 110a and the growth substrate 1b. The buffer layer can alleviate lattice mismatching between the first conductivity type semiconductor layer 110a, the active layer 110b, and the second conductivity type semiconductor layer 110c and the growth substrate 1b. The buffer layer may be a combination of Group III and Group V elements or may include any one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The buffer layer may be doped with a dopant, but is not limited thereto.

제 1 도전형 반도체층(110a), 활성층(110b) 및 제 2 도전형 반도체층(110c)은 유기금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD), 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD), 플라즈마 화학 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD), 분자선 성장법(Molecular Beam Epitaxy; MBE), 수소화물 기상 성장법(Hydride Vapor Phase Epitaxy; HVPE), 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.The first conductive semiconductor layer 110a, the active layer 110b and the second conductive semiconductor layer 110c may be formed by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), chemical vapor deposition (CVD) (PECVD), molecular beam epitaxy (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), sputtering, or the like But is not limited thereto.

전극 물질층은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 Hf 등과 같이 반사율이 높은 물질로 형성되거나, 상기 반사율이 높은 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 투명 전도성 물질이 혼합되어 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 전극 물질층을 형성하는 방법은 스퍼터링, 코팅, 증착 등과 같이 통상적으로 사용되는 전극 형성 방법 중에 선택될 수 있다.The electrode material layer may be formed of a material having a high reflectance such as Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, , IGTO, AZO, ATO, and the like may be mixed and formed, but the present invention is not limited thereto. The method of forming the electrode material layer may be selected from electrode forming methods conventionally used such as sputtering, coating, vapor deposition and the like.

이어, 제 1 도전형 반도체층(110a), 활성층(110b) 및 제 2 도전형 반도체층(110c) 및 전극 물질층을 메사 식각하여, 서로 분리된 발광 구조물(100)을 형성할 수 있다. 메사 식각에 의해 제 1 도전형 반도체층(110a), 활성층(110b) 및 제 2 도전형 반도체층(110c)이 완전히 분리될 수 있으며, 제 2 도전형 반도체층(110c) 상에 제 2 전극(20)이 각각 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 110a, the active layer 110b, the second conductive semiconductor layer 110c, and the electrode material layer may be mesa-etched to form the light emitting structure 100 separated from each other. The first conductive semiconductor layer 110a, the active layer 110b and the second conductive semiconductor layer 110c can be completely separated by the mesa etching and the second conductive semiconductor layer 110c is formed on the second conductive semiconductor layer 110c. 20 may be respectively formed.

제 2 전극(20)은 상술한 바와 같이 반사율이 높은 물질을 포함하므로, 발광 구조물(100)에서 발생한 광은 제 1 도전형 반도체층(110a)으로 바로 진행하거나, 제 2 전극(20)에서 반사되어 제 1 도전형 반도체층(110a)으로 진행할 수 있다.Since the second electrode 20 includes a material having a high reflectance as described above, the light generated in the light emitting structure 100 may be directly transmitted to the first conductive semiconductor layer 110a, reflected by the second electrode 20 And then proceeds to the first conductivity type semiconductor layer 110a.

도 5b와 같이, 성장 기판(1b) 전면에 발광 구조물(100)을 덮도록 제 1 광 차단층(21a)을 형성할 수 있다. 제 1 광 차단층(21a)은 인접한 발광 구조물(100) 사이에도 배치되며, 제 1 광 차단층(21a)의 상부면에서 제 2 전극(20)이 노출될 수 있다. 제 1 광 차단층(21a)은 포토리소그라피, 임프린팅, 롤투롤 프린팅, 및 잉크젯 프린팅 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 제 1 광 차단층(21a)의 형성 방법은 특별히 제한되지 않는다.The first light blocking layer 21a may be formed on the entire surface of the growth substrate 1b to cover the light emitting structure 100 as shown in FIG. The first light blocking layer 21a is also disposed between the adjacent light emitting structures 100 and the second electrode 20 may be exposed from the upper surface of the first light blocking layer 21a. The first light blocking layer 21a may be formed using photolithography, imprinting, roll-to-roll printing, and inkjet printing, and the method of forming the first light blocking layer 21a is not particularly limited.

제 1 광 차단층(21a)은 카본 블랙(carbon black), 그라파이트(Graphite)와 같이 광 흡수물질을 포함할 수도 있으나, 광을 반사하는 반사물질을 포함할 수도 있다. The first light blocking layer 21a may include a light absorbing material such as carbon black or graphite, but may include a reflective material that reflects light.

도 5c와 같이, 지지 기판(1a)상에 구동 소자(2a, 2b, 2c)를 각각 형성한다. 구동 소자(2a, 2b, 2c)는 패널(도 2a의 3)에 각각 배치될 서브 픽셀(10a, 10b, 10c)마다 형성될 수 있다. 그리고, 구동 소자(2a, 2b, 2c)를 덮도록 지지 기판(1a) 전면에 보호층(15)을 형성하고, 보호층(15)을 선택적으로 제거하여 구동 소자(2a, 2b, 2c)의 드레인 전극(14b)을 각각 노출시킬 수 있다. 그리고, 드레인 전극(14b)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(16)을 형성할 수 있으며, 화소 전극(16)은 구동 소자(2a, 2b, 2c)에 개별적으로 연결될 수 있다.As shown in Fig. 5C, the driving elements 2a, 2b and 2c are formed on the supporting substrate 1a, respectively. The driving elements 2a, 2b, and 2c may be formed for each of the subpixels 10a, 10b, and 10c to be disposed in the panel (3 in Fig. 2A). The protective layer 15 is formed on the entire surface of the supporting substrate 1a so as to cover the driving elements 2a, 2b and 2c and the protective layer 15 is selectively removed to form the driving elements 2a, 2b and 2c. Drain electrodes 14b can be exposed. A pixel electrode 16 electrically connected to the drain electrode 14b may be formed and the pixel electrode 16 may be individually connected to the driving devices 2a, 2b, and 2c.

이어, 화소 전극(16)을 덮도록 보호층(15) 상에 제 2 광 차단층(21b)을 형성할 수 있다. 제 2 광 차단층(21b)은 포토리소그라피, 임프린팅, 롤투롤 프린팅, 및 잉크젯 프린팅 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 제 2 광 차단층(21b)의 형성 방법은 특별히 제한되지 않는다. 제 2 광 차단층(21b)은 카본 블랙(carbon black), 그라파이트(Graphite)와 같이 광 흡수물질을 포함할 수도 있으나, 광을 반사하는 반사물질을 포함할 수도 있다.The second light blocking layer 21b may be formed on the protective layer 15 so as to cover the pixel electrode 16. [ The second light-blocking layer 21b may be formed using photolithography, imprinting, roll-to-roll printing, inkjet printing or the like, and the method of forming the second light-blocking layer 21b is not particularly limited. The second light blocking layer 21b may include a light absorbing material such as carbon black or graphite, but may include a reflective material that reflects light.

제 2 광 차단층(21b)은 전도성 부재(17)를 포함할 수 있으며, 전도성 부재(17)는 화소 전극(16)에 각각 대응될 수 있다. 전도성 부재(17)는 전도성 볼(conducting ball)을 포함할 수 있다. 실시 예에서는 화소 전극(16) 상에 하나의 전도성 부재(17)가 배치된 것을 도시하였으나, 화소 전극(16) 상에 두 개 이상의 전도성 부재(17)가 배치될 수도 있다.The second light blocking layer 21b may include a conductive member 17 and the conductive member 17 may correspond to the pixel electrode 16, respectively. The conductive member 17 may comprise a conducting ball. Although one conductive member 17 is disposed on the pixel electrode 16 in the embodiment, two or more conductive members 17 may be disposed on the pixel electrode 16.

이 때, 표시 장치의 박형화를 위해, 지지 기판(1a) 및 지지 기판(1a) 상에 배치된 복수 개의 구성 요소의 두께(T2)는 0.5㎜ 이하일 수 있다.At this time, in order to make the display device thinner, the thickness T2 of a plurality of constituent elements disposed on the supporting substrate 1a and the supporting substrate 1a may be 0.5 mm or less.

도 5d와 같이, 도 4b의 성장 기판(1b)과 도 4c의 지지 기판(1a)을 대향 합착하여 가압할 수 있다. 이에 따라, 성장 기판(1b)의 최 상부층에서 노출된 제 2 전극(20)이 지지 기판(1a)의 최 상부층에 배치된 전도성 부재(17)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때, 제 1, 제 2 광 차단층(21a, 21b)에 의해 제 2 전극(20)과 전도성 부재(17)의 고정력이 향상될 수 있으며, 성장 기판(1b)와 지지 기판(1a)의 합착력이 향상될 수 있다.As shown in FIG. 5D, the growth substrate 1b of FIG. 4B and the support substrate 1a of FIG. 4C may be pressed against each other. The second electrode 20 exposed at the uppermost layer of the growth substrate 1b can be electrically connected to the conductive member 17 disposed at the uppermost layer of the support substrate 1a. At this time, the fixing force of the second electrode 20 and the conductive member 17 can be improved by the first and second light blocking layers 21a and 21b, and the bonding strength between the growth substrate 1b and the support substrate 1a The bonding force can be improved.

예를 들어, 전도성 부재(17)가 전도성 볼을 포함하는 경우, 성장 기판(1b)와 지지 기판(1a)의 합착에 의해 전도성 부재(17)의 형상이 변형될 수 있다.For example, when the conductive member 17 includes a conductive ball, the shape of the conductive member 17 may be deformed by adhesion of the growth substrate 1b and the support substrate 1a.

도 5e와 같이, 발광 구조물(100)로부터 성장 기판(1b)을 분리할 수 있다. 성장 기판(1b)을 분리하는 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 성장 기판(1b)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off; LLO) 기술을 이용하여 제거할 수 있다. 성장 기판(1b)의 제거에 의해, 발광 구조물(100)의 제 1 도전형 반도체층(110a)이 노출될 수 있다. The growth substrate 1b can be separated from the light emitting structure 100 as shown in FIG. 5E. The method of separating the growth substrate 1b is not particularly limited. For example, the growth substrate 1b may be removed using a laser lift off (LLO) technique. By removing the growth substrate 1b, the first conductivity type semiconductor layer 110a of the light emitting structure 100 can be exposed.

이어, 도 5f와 같이, 인접한 발광 구조물(100)의 제 1 도전형 반도체층(110a)을 서로 연결하는 제 1 전극(25)을 형성할 수 있다. 제 1 전극(25)은 지지 기판(1a)의 상부면에서 노출된 발광 구조물(100)의 제 1 도전형 반도체층(110a) 및 제 1 광 차단층(21a)을 완전히 덮도록 형성될 수도 있다. 실시 예와 같이, 제 1 전극(25)이 인접한 발광 구조물(100) 사이에만 배치되어 제 1 도전형 반도체층(110a)을 서로 연결하는 경우, 발광 구조물(100)에서 발생하여 상부면으로 방출되는 광이 제 1 전극(25)에 의해 일부 흡수되는 것을 방지할 수 있다.Next, as shown in FIG. 5F, the first electrode 25 connecting the first conductive semiconductor layers 110a of the adjacent light emitting structures 100 may be formed. The first electrode 25 may be formed to completely cover the first conductivity type semiconductor layer 110a and the first light blocking layer 21a of the light emitting structure 100 exposed on the upper surface of the supporting substrate 1a . When the first electrode 25 is disposed only between the adjacent light emitting structures 100 to connect the first conductive semiconductor layers 110a to each other as in the embodiment, It is possible to prevent the light from being partially absorbed by the first electrode 25.

도 5ㅎ와 같이, 제 1 전극(25) 상에 제 3 광 차단층(22)을 형성한다. 제 3 광 차단층(22)은 제 1, 제 2 광 차단층(21a, 21b)와 같이 카본 블랙(carbon black), 그라파이트(Graphite)와 같이 광 흡수물질을 포함할 수도 있으나, 광을 반사하는 반사물질을 포함할 수도 있다. 제 3 광 차단층(22)은 발광 구조물(100)의 제 1 도전형 반도체층(110a)을 노출시키도록 배치될 수 있다.5, a third light blocking layer 22 is formed on the first electrode 25. The third light blocking layer 22 may include a light absorbing material such as carbon black or graphite like the first and second light blocking layers 21a and 21b, Reflective material. The third light blocking layer 22 may be disposed to expose the first conductivity type semiconductor layer 110a of the light emitting structure 100.

따라서, 상기와 같은 제 3 광 차단층(22)은 발광 구조물(100) 상에 형성될 파장 변환층이 각 발광 구조물(100) 상에만 형성되도록 파장 변환층을 분리하기 위한 격벽으로 기능할 수 있다. Therefore, the third light blocking layer 22 may function as a partition for separating the wavelength conversion layer such that the wavelength conversion layer to be formed on the light emitting structure 100 is formed only on each light emitting structure 100 .

도 5h와 같이, 제 3 광 차단층(22)에 의해 노출된 각 발광 구조물(100) 상에 파장 변환층(30)을 형성할 수 있다. 파장 변환층(30)은 고분자 수지에 파장 변환 입자가 분산될 수 있다. 고분자 수지는 광 투과성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 및 아크릴 수지 중 어느 하나 이상일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.The wavelength conversion layer 30 may be formed on each of the light emitting structures 100 exposed by the third light blocking layer 22, as shown in FIG. 5H. The wavelength conversion layer 30 can disperse the wavelength conversion particles in the polymer resin. The polymer resin may be at least one of a light-transmitting epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, a urea resin, and an acrylic resin, but is not limited thereto.

예를 들어, 발광 구조물(100)에서 청색 광을 방출하는 경우, 파장 변환층(30)은 황색 파장 변한 입자를 포함하여 이루어져, 파장 변환층(30)을 통과하는 청색 광이 백색 광으로 변환될 수 있다. 파장 변환층(30)은 포토리소그라피, 임프린팅, 롤투롤 프린팅, 및 잉크젯 프린팅 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 형성 방법은 이에 한정하지 않고 다양하게 변경 가능하다.For example, in the case of emitting blue light in the light emitting structure 100, the wavelength conversion layer 30 includes particles having changed in yellow wavelength so that blue light passing through the wavelength conversion layer 30 is converted into white light . The wavelength conversion layer 30 may be formed using photolithography, imprinting, roll-to-roll printing, and ink-jet printing, and the forming method is not limited thereto and may be variously changed.

한편, 파장 변환층(30)의 상부면의 높이는 실시 예와 같이 제 3 광 차단층(22)의 상부면의 높이와 동일하거나, 도 1c와 같이, 파장 변환층(30)이 제 3 광 차단층(22)의 상부면까지 덮도록 형성될 수도 있다.On the other hand, the height of the upper surface of the wavelength conversion layer 30 is equal to the height of the upper surface of the third light blocking layer 22 as in the embodiment, or the height of the wavelength conversion layer 30 is equal to the height of the upper surface of the third light blocking layer 22, Layer 22 as shown in FIG.

도 5i와 같이, 파장 변환층(30) 상에 컬러 필터(35a, 35b, 35c)가 배치될 수 있다. 이 때, 컬러 필터(35a, 35b, 35c)는 파장 변환층(30)에 의해 변환된 백색 광을 적색, 녹색 및 청색 광으로 변환할 수 있다. 인접한 컬러 필터(35a, 35b, 35c) 사이에는 제 4 광 차단층(23)이 더 배치될 수 있다. 제 4 광 차단층(23)은 인접한 컬러 필터(35a, 35b, 35c)를 구별하여 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에서 각각 방출되는 적색, 녹색 및 청색 광의 혼색을 방지하여 표시 장치의 색 특성을 향상시킬 수 있다.As shown in FIG. 5I, color filters 35a, 35b, and 35c may be disposed on the wavelength conversion layer 30. At this time, the color filters 35a, 35b, and 35c can convert the white light converted by the wavelength conversion layer 30 into red, green, and blue light. A fourth light blocking layer 23 may be further disposed between the adjacent color filters 35a, 35b, and 35c. The fourth light blocking layer 23 is a layer of red, green, and blue light emitted from the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c, respectively, by distinguishing adjacent color filters 35a, 35b, It is possible to prevent color mixture and improve color characteristics of the display device.

도 5j와 같이, 컬러 필터(35a, 35b, 35c) 및 제 4 광 차단층(23) 상에 커버 필름(40)을 배치할 수 있다. 커버 필름(40)은 컬러 필터(35a, 35b, 35c) 및 제 4 광 차단층(23)을 보호할 수 있다. 커버 필름(40)은 투명한 물질을 포함하여 이루어져, 커버 필름(40)에 의한 광 흡수를 최소화할 수 있다. 예를 들어, 커버 필름(40)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate)와 같은 폴리에스테르, 아크릴 수지(acrylic resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 에틸렌 수지(ethylene resin), 스티렌 수지(styrene resin)등에서 선택될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.The cover film 40 may be disposed on the color filters 35a, 35b, and 35c and the fourth light blocking layer 23 as shown in FIG. 5J. The cover film 40 can protect the color filters 35a, 35b, and 35c and the fourth light blocking layer 23. [ The cover film 40 comprises a transparent material, so that light absorption by the cover film 40 can be minimized. For example, the cover film 40 may be selected from polyesters such as polyethyleneterephthalate, acrylic resins, epoxy resins, ethylene resins, and styrene resins. But is not limited thereto.

즉, 상기와 같은 실시 예의 표시 장치의 제조 방법은 발광 구조물(100)이 형성된 성장 기판(1b)과 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)을 포함하는 픽셀(10)이 배치된 패널을 포함하는 지지 기판(1a)을 대향 합착하여, 각 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 발광 구조물(100)을 배치할 수 있다. That is, the manufacturing method of the display device of the embodiment includes the growth substrate 1b on which the light emitting structure 100 is formed, and the panel on which the pixels 10 including the sub pixel regions 10a, 10b, and 10c are disposed The light emitting structure 100 may be disposed on each of the sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c.

상기와 같은 실시 예의 표시 장치는 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100)은 제 1 전극(25)을 공유하므로, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)에 배치된 발광 구조물(100)을 서로 연결하기 위한 다이 본딩(Die-Bonding) 및 와이어 본딩과 같은 추가적인 공정으로 패키징할 필요가 없다. 이에 따라, 와이어 본딩 등을 수행할 면적이 제거되어, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c) 사이의 간격이 감소할 수 있다.Since the light emitting structure 100 disposed in the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c share the first electrode 25, the display device of the above- Bonding and wire bonding for connecting the light emitting structures 100 disposed in the third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c to each other. Accordingly, the area for performing the wire bonding or the like is removed, so that the interval between the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c can be reduced.

즉, 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역(10a, 10b, 10c)의 피치가 감소하여 표시 장치의 픽셀(10) 밀도 및 해상도가 향상될 수 있다. 따라서, 실시 예의 표시 장치는 FHD(Full HD)급 해상도(1920×1080), UH(Ultra HD)급 해상도(3480×2160), 또는 UHD급 이상의 고해상도(3840×2160)로 구현하는데 제약이 없다. 이에 따라, 실시 예의 표시 장치를 고해상도의 TV 또는 VR(virtual reality) 제품에 용이하게 적용할 수 있다.That is, the pitches of the first, second, and third sub-pixel regions 10a, 10b, and 10c may be reduced to improve the density and resolution of the pixel 10 of the display device. Accordingly, the display device of the embodiment is not limited to be implemented with FHD (Full HD) resolution (1920 × 1080), UH (Ultra HD) resolution (3480 × 2160), or UHD or higher resolution (3840 × 2160). Accordingly, the display device of the embodiment can be easily applied to high-resolution TV or VR (virtual reality) products.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

1a: 지지 기판 1b: 성장 기판
2a, 2b, 2c: 구동 소자 3: 패널
10: 픽셀 10a, 10b, 10c: 서브 픽셀 영역
11: 게이트 전극 12: 게이트 절연막
13: 액티브층 14a: 소스 전극
14b: 드레인 전극 15: 보호층
16: 화소 전극 17: 전도성 부재
20: 제 2 전극 21a: 제 1 광 차단층
21b: 제 2 광 차단층 22: 제 3 광 차단층
23: 제 4 광 차단층 25: 제 1 전극
35a, 35b, 35c: 컬러 필터 40: 커버 필름
100, 200, 300: 발광 구조물1a: Support substrate 1b: Growth substrate
2a, 2b, 2c: Driving element 3: Panel
10: pixels 10a, 10b, 10c:
11: gate electrode 12: gate insulating film
13: active layer 14a: source electrode
14b: drain electrode 15: protective layer
16: pixel electrode 17: conductive member
20: second electrode 21a: first light blocking layer
21b: second light blocking layer 22: third light blocking layer
23: fourth light blocking layer 25: first electrode
35a, 35b, 35c: color filter 40: cover film
100, 200, 300: Light emitting structure

Claims (18)

제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역을 포함하는 복수 개의 픽셀이 배치된 패널을 포함하며,
상기 제 1 서브 픽셀 영역, 상기 제 2 서브 픽셀 영역 및 상기 제 3 서브 픽셀 영역은,
구동 소자;
제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 적어도 하나의 발광 구조물;
상기 제 1 서브 픽셀, 상기 제 2 서브 픽셀 및 상기 제 3 서브 픽셀에 배치된 상기 발광 구조물의 상기 제 1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 제 1 전극;
상기 제 2 도전형 반도체층과 상기 구동 소자를 전기적으로 연결하는 제 2 전극;
상기 발광 구조물과 수직 방향으로 중첩되는 파장 변환층; 및
상기 파장 변환층 상에 각각 배치된 적색, 녹색, 청색 컬러 필터를 포함하는 표시 장치.A panel including a plurality of pixels including first, second, and third sub-pixel regions,
The first sub-pixel region, the second sub-pixel region, and the third sub-
A driving element;
At least one light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer;
A first electrode electrically connecting the first conductive semiconductor layer of the light emitting structure disposed in the first subpixel, the second subpixel, and the third subpixel;
A second electrode electrically connecting the second conductive semiconductor layer and the driving element;
A wavelength conversion layer superimposed on the light emitting structure in a vertical direction; And
And a red, green, and blue color filters disposed on the wavelength conversion layer, respectively. 제 1 항에 있어서,
상기 발광 구조물은 청색 광을 방출하는 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting structure emits blue light. 제 2 항에 있어서,
상기 파장 변환층은 상기 청색 광을 백색 광으로 변환하는 표시 장치.3. The method of claim 2,
And the wavelength conversion layer converts the blue light into white light. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 서브 픽셀 영역, 상기 제 2 서브 픽셀 영역 및 상기 제 3 서브 픽셀 영역에 배치된 상기 파장 변환층은 서로 분리된 표시 장치.The method according to claim 1,
And the wavelength conversion layers disposed in the first sub-pixel region, the second sub-pixel region, and the third sub-pixel region are separated from each other. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 서브 픽셀 영역, 상기 제 2 서브 픽셀 영역 및 상기 제 3 서브 픽셀 영역에 배치된 상기 파장 변환층은 서로 연결된 표시 장치.The method according to claim 1,
And the wavelength conversion layers disposed in the first sub-pixel region, the second sub-pixel region, and the third sub-pixel region are connected to each other. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 서브 픽셀 영역, 상기 제 2 서브 픽셀 영역 및 상기 제 3 서브 픽셀 영역은 적어도 두 개의 발광 구조물을 포함하는 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first sub-pixel region, the second sub-pixel region, and the third sub-pixel region comprise at least two light emitting structures. 제 6 항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 발광 구조물은 하나의 상기 구동 소자와 전기적으로 연결된 표시 장치.The method according to claim 6,
Wherein the at least two light emitting structures are electrically connected to one driving element. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 서브 픽셀 영역, 상기 제 2 서브 픽셀 영역 및 상기 제 3 서브 픽셀 영역은 수평 방향으로 나란하게 배열되며,
각 상기 서브 픽셀 영역마다 배치된 상기 발광 구조물은 인접한 상기 서브 픽셀 영역에 배치된 상기 발광 구조물과 수평 방향으로 비 중첩되는 표시 장치.The method according to claim 1,
Pixel region, the first sub-pixel region, the second sub-pixel region, and the third sub-pixel region are arranged in a horizontal direction,
Wherein the light emitting structure arranged for each of the sub pixel regions is not overlapped with the light emitting structure arranged in the adjacent sub pixel region in the horizontal direction. 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역을 포함하는 복수 개의 픽셀이 배치된 패널을 포함하며,
상기 제 1 서브 픽셀 영역, 상기 제 2 서브 픽셀 영역 및 상기 제 3 서브 픽셀 영역은,
구동 소자;
제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 적어도 하나의 발광 구조물;
상기 제 1 서브 픽셀, 상기 제 2 서브 픽셀 및 상기 제 3 서브 픽셀에 배치된 상기 발광 구조물의 상기 제 1 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 제 1 전극; 및
상기 제 2 도전형 반도체층과 상기 구동 소자를 전기적으로 연결하는 제 2 전극을 포함하며,
상기 제 1 서브 픽셀 영역, 상기 제 2 서브 픽셀 영역 및 상기 제 3 서브 픽셀 영역에 배치된 상기 발광 구조물은 서로 다른 색의 광을 방출하는 표시 장치.A panel including a plurality of pixels including first, second, and third sub-pixel regions,
The first sub-pixel region, the second sub-pixel region, and the third sub-
A driving element;
At least one light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer;
A first electrode electrically connecting the first conductive semiconductor layer of the light emitting structure disposed in the first subpixel, the second subpixel, and the third subpixel; And
And a second electrode electrically connecting the second conductive type semiconductor layer and the driving element,
And the light emitting structures disposed in the first sub-pixel region, the second sub-pixel region, and the third sub-pixel region emit light of different colors. 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 서브 픽셀 영역에 배치된 상기 발광 구조물은 적색 광을 방출하고,
상기 제 2 서브 픽셀 영역에 배치된 상기 발광 구조물은 녹색 광을 방출하고,
상기 제 3 서브 픽셀 영역에 배치된 상기 발광 구조물은 청색 광을 방출하는 표시 장치.10. The method of claim 9,
The light emitting structure disposed in the first sub-pixel region emits red light,
The light emitting structure disposed in the second sub-pixel region emits green light,
And the light emitting structure disposed in the third sub-pixel region emits blue light. 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 서브 픽셀 영역, 상기 제 2 서브 픽셀 영역 및 상기 제 3 서브 픽셀 영역은 적어도 두 개의 발광 구조물을 포함하는 표시 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the first sub-pixel region, the second sub-pixel region, and the third sub-pixel region comprise at least two light emitting structures. 제 11 항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 발광 구조물은 하나의 상기 구동 소자와 전기적으로 연결된 표시 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the at least two light emitting structures are electrically connected to one driving element. 성장 기판 상에 제 1 도전형 반도체층, 활성층및 제 2 도전형 반도체층이 차례로 적층된 복수 개의 발광 구조물 및 상기 제 2 도전형 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;
지지 기판 상에 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역마다 구동 소자를 형성하고, 상기 구동 소자와 연결된 화소 전극을 형성하는 단계;
상기 성장 기판과 상기 지지 기판을 대향 합착하여, 상기 제 2 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 연결하는 단계;
상기 복수 개의 발광 구조물 상에 파장 변환층을 형성하는 단계; 및
상기 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역마다 분리되도록 상기 파장 변환층 상에 적색, 녹색, 청색 컬러 필터를 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.Forming a plurality of light emitting structures in which a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer are sequentially stacked on a growth substrate and a second electrode on the second conductivity type semiconductor layer;
Forming driving elements for the first, second, and third sub-pixel regions on the supporting substrate and forming pixel electrodes connected to the driving elements;
And electrically connecting the second electrode and the pixel electrode to each other;
Forming a wavelength conversion layer on the plurality of light emitting structures; And
And forming red, green, and blue color filters on the wavelength conversion layer so as to be separated for each of the first, second, and third sub-pixel regions. 제 13 항에 있어서,
상기 발광 구조물을 형성하는 단계는 청색 광을 방출하는 상기 발광 구조물을 형성하는 표시 장치의 제조 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the step of forming the light emitting structure forms the light emitting structure that emits blue light. 제 13 항에 있어서,
상기 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역 사이에 광 차단층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.14. The method of claim 13,
And forming a light blocking layer between the first, second, and third sub-pixel regions. 제 15 항에 있어서,
상기 광 차단층을 상기 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역에 배치된 상기 발광 구조물 사이, 상기 제 1, 제 2, 제 3 서브 픽셀 영역에 배치된 상기 파장 변환층 사이 중 적어도 하나의 위치에 형성하는 표시 장치의 제조 방법.16. The method of claim 15,
The light blocking layer is disposed between at least one of the light emitting structures disposed in the first, second, and third sub pixel areas, between at least one of the wavelength conversion layers disposed in the first, second, Of the display device. 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 서브 픽셀 영역, 상기 제 2 서브 픽셀 영역 및 상기 제 3 서브 픽셀 영역이 적어도 두 개의 발광 구조물을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the first sub-pixel region, the second sub-pixel region, and the third sub-pixel region include at least two light emitting structures. 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 서브 픽셀 영역, 상기 제 2 서브 픽셀 영역 및 상기 제 3 서브 픽셀 영역은 수평 방향으로 나란하게 배열되며,
각 상기 서브 픽셀 영역마다 배치된 상기 발광 구조물은 인접한 상기 서브 픽셀 영역에 배치된 상기 발광 구조물과 수평 방향으로 비 중첩되도록 형성하는 표시 장치의 제조 방법.14. The method of claim 13,
Pixel region, the first sub-pixel region, the second sub-pixel region, and the third sub-pixel region are arranged in a horizontal direction,
Wherein the light emitting structure arranged for each sub pixel region is formed to be non-overlapping in the horizontal direction with respect to the light emitting structure disposed in the adjacent sub pixel region.
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