KR20140069223A - 고 전압 전기화학 이중층 커패시터 - Google Patents

고 전압 전기화학 이중층 커패시터 Download PDF

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Abstract

전기화학 이중층 커패시터는 양극 및 음극을 포함한다. 여기서 양극에 혼입된 탄소물질은 할로겐화된 탄소물질이며, 반면에 음극에 혼입된 탄소물질은 비할로겐화 탄소물질이다. 추가적으로, 각각의 전극에 혼입된 탄소물질은 뚜렷한 공극분포를 가질 수 있다. 양극에 혼입된 탄소물질의 기공 부피 비가 음극에 혼입된 탄소물질의 기공 부피 비보다 크다. 여기서 기공부피비 R는 R = V1/V 로 정의하며, V1은 기공의 크기가 1nm보다 작은 기공들의 총 부피를 의미하고 V는 기공의 크기가 1nm보다 큰 기공들의 총 부피를 의미한다.

Description

고 전압 전기화학 이중층 커패시터{HIGH VOLTAGE ELECTRO-CHEMICAL DOUBLE LAYER CAPACITOR}
본 출원은 2011년 9월 23일자로 제출된 미국 출원번호 제 13/242284호에 우선권을 주장하며, 위 내용은 참조로서 본 명세서에 혼입된다.
본 발명은 통상적으로 활성 탄소 물질에 관한 것이며, 더 구체적으로 부동태화(passivated) 활성 탄소계 전극을 포함하는 전기화학 이중층 커패시터와 관련이 있다.
울트라 커패시터와 같은 에너지 저장장치는 별개의 파워 펄스(power pulse)가 필요한 곳과 같은 다양한 적용분야에서 사용될 수 있다. 예를 들면, 휴대폰에서 하이브리드 자동차의 범주에서 적용될 수 있다. 울트라 커패시터는 일반적으로 한 쌍의 탄소계 전극 사이에 샌드위치된 유기 전해질(organic electrolyte) 및 다공성 분리막(porous separator)을 포함한다. 상기 에너지 저장은 상기 전극과 상기 전해질 사이의 경계면에서 형성된 전기화학 이중층에서 전하를 분리 및 저장함으로써 달성된다. 이러한 장치들의 중요한 특징은 에너지밀도와 전력밀도이고, 이들은 전극에 혼입된 탄소의 물성들에 의해 모두 측정되어 제공될 수 있다.
탄소계 전극은 고 에너지 밀도 장치를 만드는 데 적합한 것으로 알려져 있다. 전극의 기본을 형성하는 탄소 물질은 천연 또는 합성에 의한 전구체 물질로부터 제조될 수 있다. 천연 전구체 물질은 석탄, 땅콩껍질, 및 바이오매스를 포함한다. 합성 전구체 물질은 일반적으로 페놀수지를 포함한다. 천연 및 합성 전구체 모두를 사용하여, 탄소 물질은 상기 전구체를 탄화시킨 후 상기 탄화된 탄소를 활성화하여 제조될 수 있다. 상기 활성화는 물리적(예컨데, 스팀) 또는 화학적 활성화 방법을 포함할 수 있다.
전기 화학 이중층 커페시터(EDLC)와 같은 고 에너지 밀도 장치에 혼입되는 경우 탄소의 성능에 영향을 미칠 수 있는 탄소의 물성은 비 정전 용량(specific capacitance)이다. 일반적으로, 더 큰 비 정전 용량은 최종 장치의 더 큰 부피 에너지 밀도를 만든다. 정전용량과 관련하여, 긍정적인 요소는 오버 타임 및/또는 사용으로 축적된 다수의 충전과 방전 결과로 정전 용량이 유지(또는 상당히 감소하지 않음)되는 능력이다. 라디칼이나 이온 트래핑(trapping)에 의하는 것과 같은 탄소 물질의 에이징(aging)은 활성 탄소계 전극을 포함하는 울트라 커패시티의 수명을 감소시키는데 유용할 수 있다.
정전 용량의 증가에 더하여, 에너지 밀도 또한 그 장치의 작동 전압에 비례하기 때문에, 더 높은 에너지 밀도는 더 높은 전압에서 EDLC를 작동하는 것에 의해 달성될 수 있다. 그러나 탄소물질의 표면에서 발생하는 물리적 및 화학적 상호작용에 의해 이용가능한 전압은 제한될 수 있다. 이러한 탄소의 기능성을 해치는 패러데이 반응을 포함하는 이들 상호작용은 높은 전압하에서 악화된다. 당업계에서 EDLC의 전류 상태(current state)는 약 2.7 볼트에서 작동(operate)한다.
따라서, 약 3볼트와 같은 높은 전압에서 작동을 위한 EDLC에 혼입될 수 있고 에이징에 저항력이 있는 고 비 정전 용량을 갖는 활성 탄소 물질을 제공하는데 유리하다. 이러한 물질은 탄소계 전극을 만드는데 사용될 수 있고, 그 탄소계 전극은 효율적이고, 긴 수명 및 고 에너지 밀도를 가진 장치를 가능하게 한다.
일 구체예에 따르면, 전기 화학 이중층 커패시터는 할로겐화된 제 1 탄소물질을 포함하는 양극 및 비-할로겐화된 제 2 탄소 물질을 포함하는 음극을 포함한다. 상기 탄소 물질은 활성 탄소를 포함할 수 있다. 추가 구체예에 따르면, 상기 양극에 혼입된 할로겐화된 탄소 물질의 기공 부피 비 (pore volume ratio)는 음극에 혼입된 비-할로겐화된 탄소물질의 기공 부피 비보다 크다. 상기 활성 탄소의 기공 부피 비 R은 R = V1/V로 정의되며, 여기서, V1은 1nm 보다 작은 기공 크기를 갖는 기공의 총 부피이고, V는 1nm 보다 큰 기공크기를 갖는 기공의 총 부피, 예를 들면,1~2nm , 1~5nm 또는 1~10nm이다.
상기 각각의 양극 및 음극에서 기공 크기의 비대칭 분포(asymmetric distribution) 및/또는 기공 크기 분포를 제공함으로써, 상기 전극 물질들이 전해질 내의 특정 이온들 (양이온 및 음이온)과 라디칼들 사이의 효율적인 상호작용을 적절하게 할 수 있게 한다. 더욱이, 양극에서 할로겐화된 탄소를 제공함으로써, 상기 탄소물질은 BF4- 음이온과 같은 할로겐을 포함하는 이온에 대하여 부동태화되고, 그렇지 않으면, BF4- 음이온과 같은 할로겐을 포함하는 이온은 탄소 또는 탄소상에 존재하는 표면 물질과 반응할 수 있다.
추가적인 특징과 이점은 하기 상세한 설명에서 설명될 것이며, 그 부분은 명세서로부터 해당 분야의 기술자들에게 선뜻 이해가 되거나 상세한 설명 및 청구항을 포함한 묘사된 본 원으로서 발명을 수행시 인식될 것이다.
상기 일반적인 설명과 하기 상세한 설명 모두 개시 내용의 구체예를 제공하고, 청구된 발명을 이해하기 위한 개요 또는 틀을 제공하기 위한 것임을 이해하게 된다.
동반된 도면은 개시 내용의 추가적인 이해를 제공하기 위한 것이며, 이 명세서에 포함되고 구성된다.
도 1은 전기 화학 이중층 커패시터 실시예의 일부분을 개략적으로 나타낸 횡단면도이다.
도 2는 비대칭적인 어노이드(anodic) 및 캐소드(cathodic) 영역을 보여주는 I-V 플롯이다.
도 3은 실시예 KOH-활성 탄소에 대한 기공 부피 대 기공 크기 플롯이다.
도 4는 실시예 증기-활성 탄소에 대한 기공 부피 대 기공 크기 플롯이다.
도 5는 비교 및 본원 발명의 전기 화학 이중층 커패시터 전지들의 전기 용량의 에이징 (capacitive aging)을 나타낸 그래프이다.
도 6은 대칭적인 EDLC에 대한 페러데이 분율(Faradaic fraction) 대 인가된 전압 플롯이다.
도 7은 양극에 할로겐화된 활성 탄소를 포함하는 비대칭성 EDLC에 대한 페러데이 분율(Faradaic fraction) 대 인가된 전압 플롯이다.
이중층 커패시터로 또한 알려진 울트라 커패시터는 정전기적으로 에너지를 저장하기 위해 전해질 용액에 극성을 준다. 비록 이것은 전기화학적 장치이지만, 에너지 저장 메커니즘에서 화학반응은 포함하지 않는다. 상기 메커니즘은 가역적이여서 울트라 커패시터가 많은 충전과 방전을 가능하게 한다.
울트라 커패시터는 일반적으로 두 개의 다공성 전극을 포함하고 상기 전극은 다공성 유전체 분리막(porous dielectric separator)에 의해 서로서로 전기적으로 접촉으로부터 분리된다. 상기 분리막 및 전극은 전해액에 담지되고, 이는 전자식 전류(electronic current)가 전지를 방전하지 못하도록 막는 동안 음이온 전류가 전극들 사이에 흐르도록 한다. 각 전극은 일반적으로 전류 집전체(current collector)와 전기적으로 접촉된다. 상기 전류 집전체는 전기 전도 물질(예컨데, 알루미늄)의 판 또는 시트를 포함할 수 있고, 이는 다공성 전극 물질에 물리적인 공급을 제공하는 동안 저항 손실을 감소시킬 수 있다.
각각의 울트라 커패시터 전지 내부와 인가된 전위(electric potential)의 영향하에서, 음이온은 양극의 전해질로 양이온은 음극의 전해질로 끌리기 때문에 이온 전류가 흐른다. 이온 전하는 고체와 액체 경계면에서 전하층을 만들기 위하여 각각의 전극 표면에 축적될 수 있다. 상기 축적된 전하는 전극의 전위를 발생시키기 위하여 고체 전극에서 반대 전하에 의해 각각의 경계면에 모인다.
전지가 방전되는 동안, 전극의 전위는 음극의 표면으로부터 양이온이 방출되고 양극의 표면으로부터 음이온이 방출되면서 이온 전류(ionic current)의 흐름을 야기한다. 동시에, 전류는 상기 전류 집전체 사이에 위치한 외부 회로를 통해서 흐를 수 있다. 상기 외부 회로는 전기적 장치에 전원(power)를 가하는데 사용될 수 있다.
탄소계 전극을 포함하는 전기 화학적 이중층 커패시터의 성능은 탄소의 특성과 친밀하게 관련될 수 있다. 특히, 총 이용 가능한 다공성과 기공 크기의 분배는 EDLC의 성능에 영향을 미칠 수 있다. 일반적으로 상기 탄소물질 내부 표면에 전해질 이온이 접근하기 위해서 상당한 양의 메조 기공이 요구되어 진다고 생각된다. 본 개시 내용에서, 전해질에 양이온과 음이온 각각의 크기를 맞춘 활성 탄소를 포함하는 EDLC가 동종의(homogeneous) 탄소계 전극을 사용하는 EDLC 보다 높은 비정전용량(또는 에너지 밀도)과 전기용량의 에이징(capacitive aging)에 대한 우수한 저항을 보여준다. 이러한 이점은 상기 탄소물질에 알맞은 기공 크기 분배에 의한 것이다.
또한, 양극에 혼입된 탄소물질을 할로겐화함으로써, 그렇지 않으면 탄소 또는 탄소 표면-단말 종류들과 반응을 하는 BF4 -와 같은 할로겐 원자-함유 이온들과의 패러데이 반응은 피할 수 있음이 증명되었다. 상기 할로겐화는 탄소 물질을 효율적으로 부동태화하고 다른 할로겐-함유 종류들을 향한 탄소의 반응(reactivity)을 최소화한다.
도 1은 여기에 개시된 맞춤 전극 구조(tailored electrode architecture)을 포함한 울트라 커패시티 (10)의 일 실시예를 도식화한 것이다. 울트라 커패시티 (10)은 외부몸체 (12), 한 쌍의 전류 집전체 (22,24), 상기 전류 집천체 중의 하나 위에 각각 형성된 양극(14) 및 음극 (16) 및 다공성 분리막 층 (18)을 포함한다. 전기 납 (26,28)은 외부 장치와 전기적인 연결을 제공하기 위해 각각의 전류 집전체(22,24)에 연결될 수 있다. 전극 (14,16)은 상기 전류 집전체 위에 형성되는 다공성 활성 탄소층을 포함한다. 전해질 용액 (20)은 외부몸체 안에 포함되고, 다공성 분리막 층과 다공성 전극의 각각 모두의 다공성(porosity)을 통해서 혼입된다. 구체예로, 각각의 울트라 커패시티 전지는 전체 작동 전압(operating voltage)을 높이기 위해서 적층(stack)(예컨데, 시리즈로)될 수 있다. 울트라 커패시티는 젤리롤 디자인,프리즘 디자인, 허니컴 디자인 또는 그 밖에 적합한 형태를 가질 수 있다.
상기 외부 몸체(enclosing body) (12)는 울트라 커패시터에 통상적으로 사용되는 임의의 공지된 외부 형태(enclosure)일 수 있다. 상기 전류 집전체 (22,24)는 일반적으로 금속과 같은 전기 전도체를 포함하고 통상적으로 이의 전기 전도성과 상대적인 가격 등을 고려해서 알루미늄으로 만든다. 예를 들면, 전류 집전체 (22, 24)는 알루미늄 호일의 박막 시트일 수 있다.
다공성 분리막 (18)은 이온 확산이 일어나는 동안 서로 각각으로부터 탄소계 전극 (14,16)을 전기적으로 절연시킨다. 상기 다공성 분리막은 셀룰로오스 물질, 유리, 및 폴리프로필렌, 폴리에스터, 또는 폴리올레핀과 같은 무기 또는 유기 고분자와 같은 유전체로 제조될 수 있다. 구체예로, 상기 분리막의 두께는 약 10~250 마이크론일 수 있다.
상기 전해질 (20)은 이온 소스로서 이온 전도성의 프로모터로서 제공되고 상기 탄소에 대한 바인더로서 제공된다. 일반적으로 상기 전해질은 적절한 용매에 용해된 염을 포함한다. 적절한 전해질 염은 본 내용에서도 참조된 미국 특허 출원 제 13/011,066호에서 개시된 것과 같은 4차 암모늄염을 포함한다. 4차 암모늄염의 예는 테트라에틸암모늄 테트라플루오르보레이트 ((Et)4NBF4)이다.
전해질의 용매는 아세토니트릴, 아크릴로니트릴 및 프로피오니트릴과 같은 니트릴; 디메틸, 디에틸, 에틸 메틸 및 벤질메틸 설폭사이드와 같은 설폭사이드; 디메틸 포름아마이드와 같은 아마이드 및 N-메틸피롤리돈과 같은 피롤리돈을 포함하나 제한되는 것은 아니다. 구체예로, 상기 전해질은 고리형 에스테르, 사슬 카보네이트, 고리형 카보네이트, 사슬 에테르 및/또는 고리형 에테르 용매와 같은 극성 비양성자성 유기 용매를 포함한다. 예로 든 고리형 에스터와 사슬형 카보네이트는 3-8개의 탄소 원자를 가지고, 고리형 에스터의 경우 β-부티로-락톤, γ-부티로 락톤, γ- 발레로 락톤 그리고 δ- 발레로 락톤을 포함한다. 사슬 카보네이트 예로 디메틸 카보네이트, 디에틸 카보네이트, 디프로필 카보네이트, 에틸렌 카보네이트, 메틸 에틸 카보네이트, 메틸 프로필 카보네이트 및 에틸 프로필 카보네이트를 포함한다. 사슬형 카보네이트는 5-8개의 탄소 원자를 가질 수 있고, 그 예로 1,2-부틸렌 카보네이트, 2,3-부틸렌 카보네이트, 1,2-펜텐 카보네이트, 2,3-펜텐 카보네이트 그리고 프로필렌 카보네이트를 포함한다. 사슬 에테르는 4-8개 탄소 원자를 가질 수 있다. 사슬 에터의 예로 디메톡시에탄, 디에톡시에탄, 메톡시에톡시에탄, 디부톡시에탄, 디메톡시프로판, 디에톡시프로판 그리고 메톡시에톡시프로판을 포함한다. 고리형 에테르는 3-8개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 고리형 에테르의 예로 테트라하이드로퓨란, 2-메틸-테트라하이드로퓨란, 1,3-디옥솔란(dioxolan), 1,2-디옥솔란, 2-메틸디옥솔란, 및 4-메틸-디옥솔란을 포함한다. 또한, 둘 이상의 용매를 조합해서도 사용할 수 있다.
다양한 구체예로, 탄소계 전극 형성에 사용되는 활성 탄소는 여러 가지 다양한 탄소 전구체 물질로부터 얻을 수 있다. 탄소 전구체 물질과 활성 탄소를 형성하는 연관된 방법의 예는 미국특허 Nos. 12/335,044, 12/335,078, 12/788,478 및 12/970,073 에 개시된 전체 내용이 참조로서 본 명세서에 혼입된다.
예시된 방법의 개관으로서, 탄소 전구체 물질은 상기 전구체 물질이 제 1 탄화되는데 효과적인 온도에서 가열될 수 있다. 예를 들어 탄화 온도는 약 450℃이상이다 (예를 들어, 적어도 450, 500, 550, 600, 650, 700, 750, 800, 850 또는 900℃). 불활성 또는 감압 분위기는 상기 탄소전구체가 탄화되는 동안에 사용될 수 있다. 가스 및 가스 혼합물의 예로 하나 이상의 수소, 질소, 암모니아, 헬륨 그리고 아르곤을 포함할 수 있다. 상기 탄화된 물질은 활성화 될 수 있다.
물리적 또는 화학적 활성화 공정은 활성 탄소를 생산하는데 사용될 수 있다. 물리적인 활성화 공정에서, 원료 또는 탄화 물질은 일반적으로 상승된 온도 ( 예로, 250℃보다 높은 온도)에서 산화되는 조건 (일산화 탄소, 산소 또는 증기)에 노출된다. 반대로 화학적 활성은 원료 또는 탄화된 물질을 활성제에 담지(impregnating)후 상기 담지된 탄소를 일반적으로 400-900℃까지 가열한다. 화학적 활성제는 알카리 하이드록사이드 또는 클로라이드(예로, NaOH, KOH, NaCl, KCl), 인산 또는 CaCl2, ZnCl2 와 같은 다른 적절한 염를 포함한다.
화학적 활성에 의하면, 상기 활성 탄소는 활성제를 포함한 반응으로부터 얻어지는 무기화합물과 임의의 화학종을 제거하기 위해서 세척될 수 있다. 증기 또는 화학적 활성에 의해 생산된 활성 탄소는 건조될 수 있고 선택적으로 그라운딩될 수 있다.
울트라 커패시터의 성능(에너지 밀도 및 전력 밀도)은 주로 전극을 구성하는 활성 탄소의 특성에 달려있다. 본 내용에서 개시된 상기 활성 탄소 물질은 경제적으로 실현가능성, 고전력, 고에너지 밀도를 가진 장치들에서 탄소 기반의 전극을 형성하는데 사용될 수 있다. 상기 활성 탄소의 특성은 표면 영역, 상기 물질의 다공성 및 기공 크기 분포뿐만 아니라 결과물인 울트라 커패시터의 전기적 특성을 평가함으로써 측정될 수 있다. 연관된 전기적인 물성은 상기 영역-비저항(area-specific resistance)과 비정전용량(specific capacitance)을 포함한다.
구체예로, 상기 활성 탄소는 표면적이 높은 것을 특징으로 할 수 있다. EDLC용 탄소계 전극은 약 300 m2/g 이상의 비 표면적 (예로, 300 이상, 350, 400, 500 또는 1000 m2/g)을 가지는 탄소를 포함할 수 있다. 추가적으로, 상기 활성 탄소는 2500 m2/g 이하의 비 표면적 (예로 2500 이하, 2000, 1500, 1200 또는 1000 m2/g.) 을 가질 수 있다.
상기 활성 탄소는 마이크로-, 메조-, 및/또는 메크로- 스케일의 다공성을 포함할 수 있다. 본 내용에서 정의되었듯이, 마이크로 스케일의 기공들은 기공 크기가 2nm 이하를 가지고, 울트라 마이크로 스케일의 기공들은 기공크기가 1nm 이하를 가진다. 메조스케일의 기공은 2-50nm 범위의 기공 크기를 가진다. 메크로스케일의 기공은 50nm 이상의 큰 기공 크기를 가진다. 구체예로, 상기 활성 탄소는 대부분 마이크로 스케일의 기공들을 포함한다. 본 내용에서 사용되었듯이 "마이크로 다공성 탄소" 이라는 용어와 그것의 변형 용어는 대부분(즉, 적어도 50%) 마이크로 기공들을 가진 활성 탄소를 의미한다. 마이크로 다공성, 활성 탄소 물질은 50% 이상의 마이크로다공성(예로, 50 보다 큰, 55, 60, 65, 70, 75, 80, 85, 90 또는 95% 마이크로 다공성)을 포함할 수 있다.
구체예에 따르면, EDLC용 탄소계 전극은 약 0.4 cm3/g 이상 (예로, 0.4 이상, 0.45, 0.5, 0.55, 0.6, 0.65 또는 0.7 cm3/g)의 전체 다공성을 가지는 활성 탄소를 포함하고 있다. 마이크로기공 (d ≤2 nm)으로부터 얻은 전체 기공 부피의 비율은 약 90% 또는 그 이상(예로 , 적어도 90, 94, 94, 96, 98 또는 99%)일 수 있고, 마이크로기공 (d ≤ 1 nm)으로부터 얻은 전체 기공 부피 비율은 약 50% 이상 (예로, 적어도 50, 55, 60, 65, 70, 75, 80, 85, 90 또는 95%) 일 수 있다.
상기 활성 탄소의 기공 크기 분포는 울트라 마이크로 기공, 마이크로 기공, 메조 기공, 메크로 기공들을 포함할 수 있고, 단일 모드, 두 가지 모드 또는 멀티 모드의 기공 크기 분포를 가지는데 특징을 가질 수 있다. 상기 울트라 마이크로 기공은 전체 기공 부피의 0.2 cm3/g 또는 그 이상 (예로, 0.2, 0.25, 0.3, 0.35 또는 0.4 cm3/g 또는 그 이상) 을 포함할 수 있다. 1＜d ≤2 nm 범위의 기공 크기(d)를 가지는 기공들은 전체 기공 부피의 0.05 cm3/g 또는 그 이상 (예로 , 적어도 0.1, 0.15, 0.2 또는 0.25 cm3/g) 을 포함할 수 있다. 만약 존재한다면, 메조 기공 및/또는 메크로 기공을 포함할 수 있는 2nm 이상의 기공 크기를 가지는 어떤 기공들은 전체 기공 부피의 0.15 cm3/g 또는 그 이하 (예로, 0.1 이하 또는 0.05 cm3/g)를 포함할 수 있다.
일단 형성되면 상기 활성 탄소는 탄소계 전극에 혼입될 수 있다. 전형적인 전기화학 이중층 커패시터 (EDLC)에서, 한 쌍의 탄소계 전극은 다공성 분리막에 의해서 분리되고, 상기 전극/ 분리막/전극 스택(stack)은 액상의 유기 또는 무기 전해질에 담겨진다. 상기 전극은 다른 첨가제(예로, 바인더)와 혼합되어 있고 박막 시트로 압축되고, 전도성의 금속 전류 집전체 백킹으로 라미네이트된 활성 탄소를 포함할 수 있다.
탄소계 전극을 만들기 위한 한가지 방법은 불활성 또는 감압 분위기에서 적절한 탄소 전구체를 가열하여 제 1 탄소 물질을 형성하는 단계, 상기 제 1 탄소 물질과 무기 화합물을 혼합하여 수용성 혼합물을 형성하는 단계, 상기 수용성 혼합물을 불활성 또는 감압 분위기에서 가열하여 상기 무기 화합물을 제 1 탄소 물질에 혼입시키는 단계, 상기 제 1 탄소 물질로부터 상기 무기 화합물을 제거하여 활성 탄소 물질을 제조하는 단계, 선택적으로 불활성 또는 감압 분위기에서 상기 활성 탄소를 가열하여 상기 활성 탄소내 산소 함량을 감소시키는 단계, 선택적으로 상기 활성 탄소를 할로겐 소스에 노출시켜 할로겐 원소를 탄소에 혼입시키는 단계, 및 상기 활성 탄소로부터 탄소계 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
한 예로서, 약 100-300 마이크로미터 범위의 두께를 가진 탄소 페이퍼는 롤링 및 60-90 wt.% 활성 탄소, 5-20 wt.% 카본 블랙 및 5-20 wt.% PTFE의 분말 혼합물을 프레싱하여 제조될 수 있다. 탄소 시트는 스탬프되거나 그렇지 않으면 탄소 페이퍼로부터 패턴화되고, 전도성 전류 집전체에 라미네이트되어 탄소계 전극을 형성한다. 상기 탄소계 전극은 에너지 저장 장치에 혼입될 수 있다. 사용하는 동안, 전기 화학 이중층은 반대 전극에서 축적하는 저장된 전하를 통해 형성할 수 있다. 상기 이중층에 저장된 전하의 양은 달성할 수 있는 커패시터의 에너지 밀도 및 전력밀도에 영향을 준다.
구체예에 따르면, 전기화학 전지는 제 1 활성 탄소물질을 포함하는 제 1 전극, 제 2 활성 탄소물질을 포함하는 제 2 전극, 다공성 분리막, 및 한 쌍의 전기적으로 전도성 전류 집전체를 포함한다. 여기서, 상기 다공성 분리막은 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치되고, 제 1 및 제 2 전극은 각각의 전류 집전체와 전기적으로 각각 접촉되어 있다.
전해질은 일반적으로 용매에 용해된 이온성 염을 포함하고, 다공성 전극과 다공성 분리막에 퍼지게 하는데 사용된다. 테트라 에틸 암모늄 테트라 플로로 보레이트와 같은 이온성 염이 사용될 수 있고, 테트라 에틸 암모늄 양이온은 테트라플로로붕산염 음이온보다 크다는 것을 인정할 것이다. 이론에 구속시키고자 하는 것은 아니지만, (Et)4N+ 양이온의 크기는 약 0.68 nm 로 측정되고, BF4- 음이온의 크기는 약 0.48 nm로 측정된다.
탄소계 전극의 디자인에 대한 통상적인 접근들은 일반적으로 상기 탄소 물질의 내부 부피를 최대화하는 것을 포함하고, 이는 달성 가능한 에너지 밀도를 최대화한다. 특히, 이러한 접근들은 단위 부피당 더 큰 표면적을 이끄는 더 작은 기공의 우세를 이끌어서 더 큰 정전용량을 이끈다. 그러나 더 작은 기공들은 더 큰 이온들이 접근 및 흡착을 방해할 수 있다. 더욱이, 전해질로부터 분해생성물의 에이징-관련 증착(deposition)은 이온 이동을 막거나 또는 이온 트래핑을 일으킬 수 있고, 이는 울트라 커패시터의 타임 및/또는 사이클링에 걸쳐서 정전용량의 바람직하지않은 감소를 야기할 수 있다.
출원인들은 기공 크기뿐만 아니라 탄소계 전극의 기공 크기 분포는 염 기반의 전해질에서 접하는 일반적으로 종류가 다른 이온 크기를 설명하는 데 적합할 수 있다는 것을 발견했다. 특히 출원인들은 정전 용량의 손실(예로, 이온 트래핑 때문에 발생하는)이 활성 탄소 기공크기와 특정한 탄소계 전극들과 상호작용을 하는 이온의 크기에 대한 기공 크기의 분배를 바꾸어 줌으로써 최소화될 수 있다는 것을 알아냈다.
본 내용에서 기술한 바와 같이, 활성 탄소는 기공 부피 비 (R)에 기술적 특징이 있다. 여기서 기공부피비 R은 기공 부피의 비 (V1/V)로 정의하며, 여기서, V1은 1nm보다 작은 크기를 갖는 활성 탄소내 기공의 부피이고, V는 1nm보다 큰 크기를 갖는 기공들의 부피이다. 한가지 구체예로, 비 R10 은 다음과 같이 정의된다.
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수식 (1)
수식 (1) 에서, V10은 1-10nm 사이의 기공크기를 가지는 기공 부피를 의미한다. 그러므로 수식 (1)에 나타난 것을 볼 때, 큰 R 값 (예로, R10 > 1) 은 울트라 마이크로 기공들 (d < 1nm)이 우세한 활성 탄소를 특징으로 하며, 반면에 작은 R 값 (예로, R10 < 1) 은 마이크로스케일, 메조스케일 그리고 잠재적으로 더 큰 기공들이 우세한 활성 탄소를 특징으로 한다.
추가적인 구체예로, 활성 탄소는 R5 또는 R2 비에 기술적 특징이 있을 수 있다. 여기서, 기공 부피 비 (V1/V5) 및 (V1/V2) 로 정의하며, V5은 1-5nm 사이의 크기를 가지는 기공들의 부피이고, V2는 1-2nm 사이의 크기를 가지는 기공들의 부피이다.
대부분의 이온성 전해질에서, 양이온 반지름은 음이온 반지름보다 크다. 한 가지 구체예로, 울트라 커패시터의 탄소 기반의 양극(일반적으로 작은 음이온을 끌어당기는)은 음극에 혼입된 활성 탄소의 R 비보다 더 큰 R 비를 가지는 활성 탄소를 포함한다. 이 배치에서, 더 작은 음이온과 상호작용하는 탄소계 전극은 울트라 마이크로 기공들이 더 큰 비율을 포함하도록 만들어진다. 반면에 양이온과 상호작용하는 탄소 기반의 전극은 더 큰 평균 기공 크기를 가지도록 엔지니어링된다. 관련된 구체예에 의하면, 울트라 커패시터의 양극은 1보다 큰 R 비를 가질 수 있고, 음극은 1보다 작은 R 비를 가질 수 있다. 더 추가적인 구체예에서, 더 작은 전해질 이온과 상호작용하는 활성 탄소를 특정하는 R 비는 더 큰 전해질 이온과 상호작용하는 활성 탄소를 특정하는 R 비보다 더 클 수 있다.
구체예에서, 울트라 커패시터는 제 1 및 제 2 활성 탄소를 각각 포함하는 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. 여기서 제 1 활성 탄소 물질의 R 비는 약 0.5-3의 범위(예로, 0.5, 0.75, 1, 1.5, 2, 2.5 또는 3)일 수 있고, 제 2 활성 탄소 물질의 R 비는 독립적으로 약 0.5-3의 범위(예로, 0.5, 0.75, 1, 1.5, 2, 2.5 또는 3)일 수 있다. 예를 들면, 양극에 혼입된 활성 탄소의 R비는 2 및 3 사이의 범위를 가질 수 있고, 음극에 혼입된 활성 탄소의 R비는 0.75 및 1 사이의 범위를 가질 수 있다.
상기 조정된 탄소 전극의 조립은 양이온과 음이온이 각각의 탄소 전극 기공들의 안팍으로 쉽게 이동하도록 해서 탁월한 성능을 유지하면서 정전 용량의 감소를 최소화한다.
공극분포의 조절에 더하여, 출원인은 양극에 비례하여 음극의 두께를 증가시켜 조정된 탄소계 전극들을 포함하는 울트라 커패시터의 초기 정전 용량이 증가될 수 있음을 발견하였다. 구현 예로, 상기 음극의 두께는 상기 양극의 두께보다 5, 10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90 또는 100% 더 커질 수 있다.
한 가지 구체예로, 전기 화학 이중층 커패시터는 제 1 탄소물질을 포함하는 제 1 전극 (예로, 양극), 제 2 탄소 물질을 포함하는 제 2 전극 (예로, 음극) 을 포함한다. 여기서 제 1 탄소 물질의 기공 부피 비 (예로, R10, R5 또는 R2)는 상응하는 제 2 탄소 물질의 기공 부피 비 (예로, R10, R5 또는 R2) 보다 크다.
각각의 양극 및 음극에 혼입된 상기 탄소 물질의 비대칭적인 기공 크기 분포와 결부되는 경우, 양극내 할로겐화된 탄소를 제공하는 것은 EDLC의 사용 동안, 특히 더 큰 인가된 전압에서, 양극에서 패러데이 반응을 최소화할 수 있다. 양극에 혼입된 탄소 물질의 할로겐화의 영향은 패러데이 분율(Faradaic fraction)에 의하여 정량될 수 있다. 이는 주어진 전지에 대하여 전류 대 전압 플롯에서 양극과 음극 메커니즘과 관련된 영역들 사이에 표준화된 차이로 정의된다.
도 2에서 실시예 I-V 곡선을 나타내고, 이는 양 전류에서 양극 요소(anodic component)와 음 전류에서 음극 요소(cathodic component)를 포함한다. 양극 요소와 관련된 영역 (22) 는 패러데이 및 비패러데이 요소들 모두로부터 얻어지고, Qanodic = QFaradaic + Qnon - Faradaic 로 표현될 수 있다. 반면에 음극 요소와 관련된 영역 (24)는 주도적으로 비 패러데이 요소로부터 얻어지고 Qcathodic = Qnon - Faradaic 로 표현될 수 있다.
그러므로, 양극에서 패러데이 반응의 결과로서, 상기 양극과 음극 요소와 관련된 영역의 곡선은 동일하지 않을 것이다. 패러데이 분율은 비 패러데이 (양극) 요소의 영역에 의해 나누어지는 두 영역 사이의 차이로서 표현될 수 있다. 여기서 사용된 바와 같이, 상기 패러데이 분율은 F = (Qanodic-Qcathodic)/Qcathodic로 정의된다. 발명자는 실험으로 약 0.1보다 작은 패러데이 분율을 보이는 전지가 허용할 수 있는 성능을 나타냄을 측정했다.
탄소의 할로겐화는 플루오린 가스 (F2) 와 같은 적절한 할로겐 소스를 활성 탄소에 걸쳐서 흘려보냄으로써 수행할 수 있다. 플루오린 가스 대신에 또는 이에 더해서, HF, 브로민 (Br2), 아이오딘 (I2), 또는 클로린 (Cl2) 가스들과 같은 다른 할로겐 소스 또한 개별적으로 또는 조합하여 사용할 수 있다. 추가적으로, 할로겐 소스는 질소와 아르곤과 같은 운반 기체와 함께 가스 혼합물로서 제공될 수 있다. 할로겐화 온도는 약 20-300℃의 범위로 할 수 있다. 예를 들면, 플루오린 가스를 사용하는 활성 탄소의 플루오린화는 20 및 250℃ 사이의 온도에서 수행될 수 있고, 또 HF를 사용하는 경우 25 및 100℃ 사이의 온도에서 수행될 수 있다. 탄소에 원하는 농도로 할로겐화하기 위해서 상기 탄소 물질을 적절한 시간 동안 할로겐 소스에 노출할 수 있다. 이론에 구속하고자 하는 것은 아니지만, 할로겐 모이어티 (예로, F)가 탄소 표면 그룹에서 산소 원자로 대체되는 것으로 여겨진다. 활성 탄소를 할로겐화하는 추가적인 방법은 미국 특허 출원 공개 제2008/0275253호에서 공개되어 져 있다. 전체 내용이 본 발명에도 참조해서 포함되어 있다.
구체예들로, 양극의 탄소는 약 15wt.%까지의 할로겐을 (예로, 0.1, 0.2, 0.5, 1, 2, 4, 5, 10, 12 또는 15 wt.% 플루오린) 포함한다. 그와 반대로, 음극의 탄소는 그와 같은 할로겐이 실질적으로 포함되어 있지 않다. 구체예로, 음극의 탄소내 할로겐 함량은 1000ppm 이하이다. (예로. 1000 보다 작은, 500, 100 또는 50 ppm). 추가적인 구체예로 음극의 탄소내 할로겐 함량은 0이다.
실시예
하기 실시예로부터 본 발명을 더 명확해질 것이다.
실시예 1
밀가루 ( 3000 g )은 흑연 도가니에 놓이고, 레토르트 용광로 ( CM 용광로 모델 1216FL)에서 가열된다. 상기 용광로 온도를 상온에서 800℃까지 150℃/hr의 가열 속도로 증가시키고, 800℃에서 2 시간 동안 유지한다. 그러고 나서 자연스럽게 70℃ 또는 그 이하로 냉각한다. 앞서 말한 가열과 냉각의 순환 동안, 상기 용광로에 질소를 퍼지한다.
흐르는 질소하에서 가열한 결과, 상기 밀가루는 탄화되고, 탄소물질로 변환된다. 상기 탄소는 해머 파운드를 사용하여 그라인딩, 분쇄 그리고 비브라밀링 (vibramilling)될 수 있다. 상기 그라인딩된 탄소 분말은 10 마이크로 미터 또는 이하 (예로, 1, 2, 5 또는 10 마이크로미터)의 입자크기(d50)를 가질 수 있다.
상기 분말 탄소 (300g)은 1500g의 45 wt.% KOH 수용액과 혼합된다. 이렇게 얻은 혼합물을 교반하고 핫 플레이트에서 약 100℃에서 액체가 제거될 때까지 가열하고, 고체 케이크를 수득한다. 상기 케이크를 기계적 힘에 의해서 더 작은 조각으로 부술 수 있다.
상기 탄소/KOH 혼합물은 SiC 도가니 (Hexoloy®SA grade)에 놓이고 레토르트 용광로에서 가열된다. 용광로 온도는 상온에서 750℃까지 150℃/hr의 가열 속도로 증가시키고, 750℃에서 2 시간 동안 유지한다. 그러고 나서 자연스럽게 약 100℃의 온도로 냉각한다. 이 가열과 냉각의 순환 동안, 용광로는 질소로 퍼지한다. 탄소/KOH 혼합물을 가열함으로써, 상기 탄소물질에 KOH가 혼입될 수 있다.
냉각하는 동안, 용광로 온도가 100℃에 도달할 때, 상기 용광로 온도는 수증기로 포화된 N2 용광로에서 퍼지되는 시간인 추가적인 3시간 동안 용광로 온도를 약 100℃로 유지한다. 수증기로 포화된 질소 가스는 95℃ 탈 이온수를 통하여 질소 가스 거품을 일게 해서 제조될 수 있다. 그 후에 용광로는 자연스럽게 70℃ 또는 그 이하로 냉각된다.
그러고 나서 그 결과물인 활성 탄소는 과량 칼륨, 칼륨 화합물, 및 다른 불순물을 제거하기 위해 세척될 수 있다. 세척은 물로 상기 활성 탄소를 헹구거나, 또 다른 구체예에 따르면 대안적으로 물 및 물과 산의 혼합물로 활성 탄소를 헹구는 것을 포함할 수 있다. 한가지 예로 세척과정을 하기에 개시한다.
첫 번째 세척 과정에서, 활성 탄소를 탈 이온수 3000 mL와 혼합하고, 그 혼합물을 교반하고 약 90에서 100℃의 핫 플레이트에서 30분 동안 가열한다. 고체 물질 (즉, 탄소)는 진공을 이용한 여과에 의해서 액체로부터 분리될 수 있다.
두 번째 세척과정에서, 이전에 얻은 탄소물질은 첫째로 탈 이온수 1980ml와 혼합되고 이후에 37% HCl 수용액 990ml와 혼합된다. 상기 혼합물은 교반되고 60분 동안 약 90에서부터 100℃까지 온도의 핫 플레이트에서 가열된다. 그 후에 고체 물질은 진공을 이용한 여과에 의해 액체로부터 분리된다.
활성 탄소에서 산소 함량을 줄이기 위해서, 활성 탄소는 추가적인 열 처리로 처리될 수 있고 이는 불활성 또는 감압 분위기에서 활성 탄소를 가열하는 것을 포함한다. 예를 들면, 탄소계 전극에 혼입되는 탄소 물질내 산소함량은 5 wt.% 이하 (예로, 5보다 작은, 4, 3, 2 또는 1 wt.%)일 수 있다. 구체예로, 양극내 특정한 할로겐 함량을 제공하는 동안 음극내 산소함량을 최소화할 수 있다.
구체예로, 활성 탄소는 SiC 도가니에 놓여지고 용광로 (CM 용광로 모델 1216FL 또는 1212FL) 속으로 넣어진다. 상기 용광로 온도를 150℃/hr의 가열 속도로 약 800℃까지 증가시키고, 그 온도에서 2 시간 동안 유지한다. 그러고 나서 자연스럽게 냉각한다. 앞서 말한 가열과 냉각의 순환 동안, 용광로는 지속적으로, 예를 들면, N2 또는 H2/N2 혼합물로 퍼지된다.
기공 크기 데이터는 Micromeritics ASAP 2420 에서 질소의 흡착을 사용하여 측정되고, 세극공을 가정한 밀도 함수이론 (Density Functional Theory, DFT)을 사용하여 계산된다. 화학적으로 활성 탄소의 기공 크기 분포는 도 3에서 제시된다.
탄소의 전기적인 특성은 울트라 커패시터에 차례차례 혼입되는 탄소계 전극에 활성 탄소를 혼입하여 얻을 수 있다. 탄소계 전극을 형성하기 위해서는 먼저 활성 탄소는 전도성 탄소(예로, Cabot Corporation, Boston, MA Black Pearl 2000에 의해 시장화된 Black Pearls®)와 Teflon®(PTFE)와 혼합된다. 카본 블랙은 도전성 첨가제로서 역할을 하고, PTFE는 바인더로서 역할을 한다. 활성 탄소, 카본 블랙 그리고 PTFE는 증량 기준으로 85:5:10의 비율로 블렌딩되고, 박막으로 롤링되고 이는 알루미늄 전류 집전체 상에 라미네이트된다. 탄소계 전극은 셀룰로오스 분리막을 사용하여 젤리 롤에 롤링된 후, 알루미늄 캔속에 배치시켜 실럼을 위한 울크라커패시터를 형성한다. 아세토 니트릴에 1.5M 테트라에틸암모니아 테트라플루오르 보레이트 (TEA-TFB)용액이 전해질로 사용된다.
비교 울트라 커패시터는 동일한 양극 및 음극의 탄소계 전극을 사용하여 구성하였다. 즉, 동일한 마이크로 다공성 탄소물질을 각각의 전극을 형성하는데 사용하였다. 앞서 말한 방법을 사용하여 만들어진 활성 탄소는 약 2.6의 R5 값 (V(d<1nm)/V(1<d<5nm))을 가지고, 약 2.6의 R2 값 (V(d<1nm)/V(1<d<2nm))을 가졌다. 상기 전극의 두께는 약 100 마이크론이었다. 울트라 커패시터의 초기의 정전 용량은 약 495 패럿이었다.
실시예 2
상업적으로 이용가능한 증기-활성 탄소는 제 2 비교 울트라 커패시터를 준비하는 데 사용되었다. 탄소계 전극은 실시예 1에서 설명한 방식으로 준비하였다. 상응하는 기공 크기 분포를 나타낸 도 4에 의해, 마이크로 다공성 증기-활성 탄소는 약 0.88의 R5 값과 약 0.97의 R2 값을 가졌고, 이는 더 작은 기공 부피에 기인하는 울트라마이크로포어와 일치한다. 그 결과물인 울트라 커패시터는 약 350 패럿의 초기 정전용량을 가졌다.
실시예 3
본 발명의 울트라 커패시터는 실시예 1의 화학적으로 활성 탄소와 실시예 2의 증기-활성 탄소 모두를 사용하여 제작하였다. 울트라 커패시터의 양극(더 작은 BF4 - 음이온과 상호작용하는)은 실시예 1의 화학적으로 활성 탄소(R5~2.6)를 사용하여 만들었고, 음극은 증기-활성 탄소(R5~0.88)를 사용하여 만들었다. 각각의 전극의 두께는 약 100 마이크론이었다. 울트라 커패시터의 초기 정전용량은 약 440 패럿이었다.
실시예 1-3으로부터 얻은 울트라 커패시터 전지들은 2.5V 및 65℃에서 가속화된 에이징을 수행하였고, 그들의 성능은 정기적으로 측정되었다. 도 5는 시간이 경과함에 따라 측정된 정전용량에서 퍼센트 감소를 보여주는 그래프이다. 도 5에서 IIIa 와 IIIb 곡선은 본 발명의 실시예 3 전지의 반복된 테스트를 대표하고, I, II 그리고 III 곡선들은 실시예 1-3에 상응하는 에이징 테스트 결과를 나타낸다.
도 5에서 알 수 있듯이, 실시예 3의 조정된 전극에 대한 정전용량의 퍼센트 감소는 각각 실시예 1 및 2에서의 17%, 9% 감소와 비교되는 200시간 동안 약 7% 감소에 불과하였다.
실시예 4
탄소계 음극을 양극의 두께보다 5% 더 두꺼운 두께를 가지도록 엔지니어링한 범을 제외하고는 실시예 3의 실험을 반복하였다. 음극의 두께는 약 105 마이크론이었으나, 양극의 두께는 100 마이크론이었다. 비록 두꺼운 음극을 포함하는 울트라 커패시터의 전반적인 에이징 거동은 실시예 3에서 관찰된 에이징 거동과 비슷하였지만, 초기 전지의 정전용량은 약 455 패럿이었다.
실시예 5
실시예 4와 5의 조정된 전극과 관련된 유용한 결과를 분명하게 증명하기 위해서, 각각의 양극과 음극에서의 활성 탄소가 교환된 점을 제외하고는 실시예 3을 다시 반복하였다. 본 실시예에서, 화학적으로 활성 탄소(더 큰 R 비율을 가지는)는 음극에 혼입되었다. 반면에 증기-활성 탄소는 양극에 혼입되었다. 도표 5에서 보여지듯이, 이 역배열의 반복된 테스트로부터 얻은 IVa 과 IVb 곡선에 나타난 데이터에서 정전용량의 감소는 급격하였다. 200시간 후에, 정전용량의 감소는 약 23%이었으며, 이는 이온 크기와 적절히 연관된 기공 크기 분포의 이점보다 명확히 더 낮은 수치이다.
실시예 6
도 2에서 보여지는 곡선과 유사한 I-V 곡선 패밀리는 실시예 1의 대칭적인 울트라 커패시터를 사용하여 다양한 인가 전압에서 발생되었다. 두 전극의 할로겐 함량은 100ppm 이하였다. 인가된 전압에 대한 패러데이 분율 값의 위치가 도표로 만들어졌다. 그리고 상응하는 데이터는 도표 6에서 나타낸다. 알 수 있는 바와 같이, 패러데이 분율은 초기에 약 0.1이지만 인가 전압에 따라 증가하고, 약 2.7 볼트에서는 0.1을 초과한다.
실시예 7
두 번째 I-V 곡선 패밀리는 실시예 3의 비대칭적인 울트라 커패시터을 사용하여 다양한 인가 전압에서 발생하였다. 전류 실시예의 울트라 커패시터의 형성 이전에, 양극을 형성하는데 사용되는 탄소는 약 4.5 wt.%의 플루오린 함량의 플루오린 가스를 사용하여 플루오린화되었다. 음극의 할로겐 함량은 100ppm 이하이었다. 인가 전압 대 패러데이 분율 값의 위치가 도표로 만들어졌다. 그리고 상응하는 데이터는 도표 7에서 보여진다. 패러데이 분율은 초기에 0.1보다 작다. 비록 인가 전압에서 패러데이 분율이 증가하지만, 약 3.3 볼트의 인가 전압까지는 0.1 이하 값으로 남겨진다. 앞선 내용들은 할로겐화된 탄소 기반의 전극을 사용함으로써, 전압-유도된 패러데이 반응은 양극에서 억제될 수 있고, 인가 작동 전압 범위는 3V 초과 값까지 증가될 수 있다.
본 발명은 제 1 및 제 2 탄소계 전극을 포함하는 양극과 음극을 가지는 전기화학적 이중층 커패시터를 제공하고, 여기서 각각의 전극내의 기공 크기와 기공 크기 분포는 그 전극과 상호작용하는 이온 크기에 맞춰진다. 양극에 혼입된 탄소는 할로겐화 되는 반면 음극에 포함된 탄소는 할로겐화되지 않는다. 이러한 맞춤 제작은 높은 비 정전용량 뿐만 아니라 향상된 정전 용량의 수명과 높은 전압에서 오랜 기간의 안정성을 제공한다. 그와 같은 활성 탄소 물질을 만드는 방법 또한 개시된다.
본 내용에서 사용되었듯이, 단수형태는 분명하게 반대를 지시하는 내용이 아니라면 복수의 지시물을 포함한다. 그러므로 예를 들면 "용매" 라는 설명에는 분명하게 반대를 지시하는 내용이 아니라면 "용매들"과 같이 두 가지 또는 그 이상을 가지는 예시들을 포함한다.
범위는 본 내용에서 "약" 한가지 특정한 값으로부터 및/또는 "약" 다른 특정한 값까지로 표현될 수 있다. 그와 같은 범위를 표현할 때, 예시들은 한가지 특정 값으로부터 및/또는 다른 특정한 값까지를 포함한다. 이와 유사하게 대략적으로 값들이 표시될 때, 선행하여 "약" 을 사용함으로써, 특정 값이 다른 측면을 형성할 수 있도록 이해될 것이다. 추가적으로 각각의 범위의 끝점은 연관되어 진 다른 끝점과 독립적인 다른 끝점을 모두를 의미하는 것으로 이해되어 질 것이다.
만약 달리 표현되지 않았다면, 이는 본 내용에 기재된 어떤 방법이 그 단계들이 특정 순서로 수행될 것을 요구하는 것으로 해석되도록 의도된 것은 아니다. 그러한 이유로, 방법 청구항이 실제로 그 단계에 선행될 순서를 실제로 말하고 있지 않거나 청구항 또는 명세서에서 그 단계가 특정 단계로 제한되어야 한다는 것이 특별히 설명되지 않으면, 어떤 특정순서가 암시된 것으로 의도된 방법이 아니다.
본 내용의 설명은 특정 방법에서 "설정된" 또는 "맞춰진" 기능을 가진 본 발명의 구성요소를 나타내는 것 또한 주목된다. 이러한 관점에서, 그러한 구성요소가 "설정"되거나 특정 방식으로 특정 성질 또는 기능을 구현하는 것에 "맞춰"진다. 여기서 그러한 설명은 의도된 용도의 설명과는 반대의 것으로 구조적 설명이다. 더 구체적으로, 그 구성요소가 "설정"되거나 그 구성요소 및 그러한 것으로서의 물리적 상태가 존재하는 것을 나타내는 것에 "맞추는" 그 방식에서 본 내용의 참조는 그 구성요소의 구조적 특성에 대해 명확한 설명으로서 받아들여질 것이다.
그 발명의 사상 및 범위로부터 출발함이 없이, 그 기술분야의 통상의 기술자는 본 발명에 다양한 변형 및 변경을 할 수 있음은 명확할 것이다. 변형 조합들, 하위 조합들 및 그 발명의 사상과 물질을 구체화하는 개시된 실시 예들의 변형들이 당업자에 의해서 발생할 수 있기 때문에 그 발명은 첨부된 청구 범위 및 등가물 범위 내에 있는 모든 것을 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 할로겐화된 제 1 탄소 물질을 포함하는 양극 및 비-할로겐화된 제 2 탄소 물질을 포함하는 음극을 포함하는 전기화학 이중층 커패시터.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 할로겐화된 제 1 탄소물질이 플루오르화된 탄소를 포함하는 전기화학 이중층 커패시터.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 할로겐화된 제 1 탄소물질이 약 15wt.%까지 할로겐을 포함하는 전기화학 이중층 커패시터.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 비-할로겐화된 제 2 탄소 물질이 5wt.% 이하의 산소를 포함하는 전기화학 이중층 커패시터.
  5. 청구항 1에 있어서,
    제 1 탄소 물질 및 제 2 탄소 물질은 활성 탄소를 포함하는 전기화학 이중층 커패시터.
  6. 청구항 1에 있어서,
    음극의 두께가 양극의 두께보다 두꺼운 전기화학 이중층 커패시터.
  7. 청구항 1에 있어서,
    음극의 두께가 양극의 두께의 1 배에서부터 2 배까지인 전기화학 이중층 커패시터.
  8. 청구항 1에 있어서,
    제 1 탄소 물질의 기공 부피비가 제 2 탄소 물질의 기공 부피 비보다 크고, 기공 부피 비(R)은 R = V1/V로 정의되며, 여기서, V1은 기공의 크기가 1nm보다 작은 기공들의 총 부피이고, V는 기공의 크기가 1nm보다 큰 기공들의 총 부피인 전기화학 이중층 커패시터.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 V는 1 및 10nm 사이의 기공 크기를 가지는 기공들의 총 부피인 전기화학 이중층 커패시터.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 V는 1 및 5nm 사이의 기공 크기를 가지는 기공들의 총 부피인 전기화학 이중층 커패시터.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 V는 1 및 2nm 사이의 기공 크기를 가지는 기공들의 총 부피인 전기화학 이중층 커패시터.
  12. 청구항 8에 있어서,
    제 1 탄소물질의 기공 부피 비가 1보다 크고, 제 2 탄소물질의 기공 부피 비가 1보다 작은 전기화학 이중층 커패시터.
  13. 청구항 8에 있어서,
    제 1 탄소물질의 기공 부피 비는 2 및 3 사이이고, 제 2 탄소물질의 기공 부피 비는 0.75 및 1 사이인 전기화학 이중층 커패시터.
  14. 청구항 1에 있어서,
    양극은 제 1 탄소물질, 전도성 탄소 및 바인더의 혼합물을 포함하고, 음극은 제 2 탄소 물질, 전도성 탄소 및 바인더의 혼합물을 포함하는 전기화학 이중층 커패시터.
  15. 청구항 1에 있어서,
    전기화학 이중층 커패시터는 용매에 용해된 염을 포함하는 전해질 용액을 더 포함하고, 상기 염은 4차 암모늄염으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 전기화학 이중층 커패시터.
  16. 청구항 1에 있어서,
    전기화학 이중층 커패시터는 테트라에틸 암모늄 테트라플루오르보레이트(tetraethyl ammonium tetrafluoroborate) 및 아세토니트릴(aceto-nitrile)을 포함하는 전해질 용액을 더 포함하는 전기화학 이중층 커패시터.
  17. 할로겐화된 제 1 탄소 물질을 포함하는 전기화학 이중층 커페시터용 양극;
    여기서, 제 1 탄소 물질의 기공 부피 비는 1보다 크고, 상기 기공 부피 비(R)은 R= V1/V로 정의되며, 여기서 V1은 기공의 크기가 1nm보다 작은 기공들의 총 부피이고, V는 기공의 크기가 1nm보다 큰 기공들의 총 부피임.
  18. 비-할로겐화된 제 2 탄소 물질을 포함하는 전기화학 이중층 커페시터용 음극;
    여기서, 제 2 탄소 물질의 기공 부피 비는 1보다 작고, 상기 기공 부피 비(R)은 R= V1/V로 정의되며, V1은 기공의 크기가 1nm보다 작은 기공들의 총 부피이고, V는 기공의 크기가 1nm보다 큰 기공들의 총 부피임.
  19. 제 1 할로겐화된 탄소 물질을 가지는 제 1 탄소계 전극을 형성하는 단계;
    제 2 비-할로겐화된 탄소 물질을 가지는 제 2 탄소계 전극을 형성하는 단계; 및
    전기화학 이중층 커패시터에 제 1 및 제 2 탄소계 전극을 혼입하는 단계를 포함하는 전기화학 이중층 커패시터의 제조 방법.
  20. 청구항 19에 있어서,
    제 1 탄소 물질의 기공 부피 비는 제 2 탄소 물질의 기공 부피 비보다 크고, 기공 부피 비 R는 R = V1/V 로 정의하며, V1은 기공의 크기가 1nm보다 작은 기공들의 총 부피이고, V는 기공의 크기가 1nm보다 큰 기공들의 총 부피인 전기화학 이중층 커패시터의 제조 방법.
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