KR20140066492A - 잉크젯 프린팅 기법을 이용하여 도전성 패턴을 형성하는 방법 - Google Patents

잉크젯 프린팅 기법을 이용하여 도전성 패턴을 형성하는 방법 Download PDF

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Abstract

개시된 도전성 패턴 형성방법은 잉크젯 프린팅 기법을 이용하여 기판 상에 도전성 패턴을 형성하는 방법으로서, 기판의 일면에 개구를 가진 열가소성 재료로 된 마스크를 형성하는 단계; 마스크를 재가열하여 연화시켜 개구의 측벽을 상방으로 벌어진 형태로 재성형하는 단계; 개구를 통하여 기판에 도전성 입자를 포함하는 잉크를 토출하는 단계; 건조 공정과 소성 공정에 의하여 개구 내에 도전성 입자로 된 도전성 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

잉크젯 프린팅 기법을 이용하여 도전성 패턴을 형성하는 방법{method of forming conductive pattern using inkjet printing technique}
잉크젯 프린팅 기법을 이용하여 기판에 도전성 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 잉크젯 프린팅 장치는 잉크젯 헤드의 노즐을 통하여 잉크의 미소한 액적을 인쇄 매체 상의 원하는 위치에 토출시킴으로써 소정 화상을 인쇄하는 장치를 말한다. 최근에는 이러한 잉크젯 프린팅 장치가 화상 인쇄 분야 이외에도 액정 디스플레이(LCD;liquid crystal display), 유기발광소자(OLED; organic light emitting device) 등과 같은 평판 디스플레이 분야, 전자 종이(e-paper) 등과 같은 플렉서블 디스플레이 분야, 금속 배선 등과 같은 인쇄 전자공학(printed electronics) 분야, 유기 박막트랜지스터(OTFT; organic thin film transistor) 분야, 바이오 테크놀러지(biotechnology) 또는 바이오 사이언스(bioscience) 분야 등에 다양하게 응용되고 있다.
상술한 분야에 잉크젯 프린팅 장치에 의하여 도전성 패턴을 형성하는 공정을 적용함에 있어서 중요한 기술적 사안 중의 하나가 미세한 폭을 가진 두꺼운 배선을 단선(open)이나 단락(short)없이 신뢰성 있게 형성하는 것이다. 최근 전자 장치가 급속히 소형화, 고성능화, 다기능화됨에 따라 반도체 소자 등의 전자소자를 실장하기 위한 배선 기판 역시 고밀도화 및 고신뢰성화가 요구되고 있다. 예를 들어 TFT-LCD가 초고해상도화,대면적화되거나 반도체 소자의 회로가 고밀도화됨에 따라 배선 저항 증가 및 RC지연(Resistance×Capacitance Delay)를 해소하는 데에 미세 선폭을 가진 두꺼운 배선이 요망된다.
잉크젯 프린팅 공정에 의하여 기판 상에 두꺼운 도전성 패턴을 형성할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 도전성 패턴 형성 방법은, 잉크젯 프린팅 기법을 이용하여 기판 상에 도전성 패턴을 형성하는 방법으로서, 기판의 일면에 개구를 가진 열가소성 재료로 된 마스크를 형성하는 단계; 상기 마스크를 재가열하여 연화시켜 상기 개구의 측벽을 상방으로 벌어진 형태로 재성형하는 단계; 상기 개구를 통하여 상기 기판에 도전성 입자를 포함하는 잉크를 토출하는 단계; 건조 공정과 소성 공정에 의하여 상기 개구 내에 상기 도전성 입자로 된 도전성 패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 마스크는 포토레지스트층을 광식각하여 형성할 수 있다. 상기 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트일 수 있다.
상기 방법은, 상기 건조 공정을 수행 한 후, 상기 소성 공정을 수행하기 전에 상기 마스크를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은, 상기 잉크 액적을 토출하는 단계를 수행하기 전에 상기 마스크 및 상기 기판에 소수성층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 재가열 온도와 시간은 상기 개구의 밑 폭에 대한 윗 폭의 비가 1 이상이 되도록 결정될 수 있다.
상기 마스크는 폴리이미드 수지로 형성될 수 있다.
상술한 본 발명의 실시예들에 따르면, 잉크젯 프린팅 기법에 의하여 두꺼운 도전성 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
도 1은 도전성 패턴을 형성하는 공정에 적용되는 잉크젯 프린팅 장치의 일 예를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2a는 기판에 개구를 가진 마스크 층을 형성한 상태를 도시한 도면이다.
도 2b는 마스크 층을 연화시켜 리플로우시킨 후의 개구의 형태를 보여주는 도면이다.
도 2c는 마스크 층이 형성된 기판에 소수성 층을 형성한 모습을 보여주는 도면이다
도 2d는 개구에 잉크를 충전한 상태를 도시한 도면이다.
도 2e는 건조 공정 후에 개구에 남은 도전성 입자를 보여주는 도면이다.
도 2f는 건조 공정 후에 마스크 층을 제거한 상태를 보여주는 도면이다.
도 2g는 소성 공정 후에 도전성 패턴의 형성이 완료된 상태를 보여주는 도면이다.
도 3은 연화 공정에 의하여 형성되는 개구를 모식화한 도면이다.
도 4는 개구의 종횡비(aspect ratio, h/W)의 변화에 따른 도전성 패턴의 두께비(t/W)를 도시한 그래프이다.
도 5a는 실험예로서 연화 공정을 수행하기 전의 개구의 형상을 보여주는 광학 현미경 사진이다.
도 5b는 실험예로서 과도한 연화 공정에 의하여 형성된 개구의 형상을 보여주는 광학 현미경 사진이다.
도 5c는 실험예로서 적절한 연화 공정에 의하여 형성된 개구의 형상을 보여주는 광학 현미경 사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 도전성 패턴을 형성하는 방법을 수행하는 잉크젯 프린팅 장치를 개략적으로 도시한 것이다. 도 1을 참조하면, 잉크젯 프린팅 장치(1)는 잉크젯 헤드(2)를 구비할 수 있다. 잉크젯 헤드(2)로서는 압전 구동력을 이용하는 압전방식, 정전 구동력을 이용하는 정전방식, 또는 이들의 함께 이용하는 압전/정전 복합 방식 등 다양한 방식의 액체 토출 수단이 채용될 수 있다. 잉크젯 헤드(2)는 기판(100)의 상방에 이동가능하게 설치되어, 기판(100)의 표면에 잉크(4)를 토출하여 소정의 인쇄 패턴들을 형성한다. 잉크젯 헤드(2)는 잉크(4)를 공급하기 위한 잉크챔버(3)에 연결될 수 있다.
잉크(4)는 용매에 예를 들어 Au, Ag 또는 Cu 입자 등의 도전성 입자가 분산된 용액일 수 있다. 잉크(4)가 기판(100)에 토출된 후에 건조 과정을 거쳐 용매를 증발시키면 기판(100)에는 도전성 입자만이 남는다. 그 후에 소성(sintering)공정을 거침으로써 기판(100) 상에 도전성 패턴, 즉 배선이 형성된다.
전술한 바와 같이 잉크(4)는 용매에 도전성 입자가 분산된 형태로서, 건조과정을 통하여 용매를 증발시킨다. 잉크(4) 중의 도전성 입자의 비율은 매우 낮으므로 건조 과정을 거쳐서 기판(100) 상에 남는 도전성 입자의 두께는 잉크(4)의 양의 수 내지 수십 분의 일 정도에 불과하다. 나아가서 고온 소성에 의한 치밀화 과정을 거치면 도전성 패턴의 두께는 더욱 작아진다. 도전성 패턴의 두께를 크게 하기 위하여 잉크(4)의 양을 증가시키는 방안을 고려할 수 있으나 이 경우에는 인접하는 도전성 패턴에까지 잉크(4)가 번져서 단락(short)의 위험이 있다. 다른 방안으로서, 기판에 종횡비(aspect ratio)가 큰 트렌치(trench), 즉 깊은 트렌치를 형성하는 방안을 고려할 수 있으나, 트렌치의 종횡비는 공정 상의 요인으로 인하여 제한될 수 있다.
이하, 잉크젯 프린팅 방식에 의하여 두꺼운 배선을 형성할 수 있는 도전성 패턴의 형성 방법에 관하여 설명한다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 일면, 예를 들어 상면(101)에 개구(201)를 가진 마스크 층(200)을 형성한다. 마스크 층(200)은 열을 가하여 연화시킬 수 있는 수지(resin), 예를 들어 열가소성 수지로 형성될 수 있다. 개구(201)는 도전성 패턴을 형성하기 위하여 잉크가 토출될 영역에 대응된다. 개구(201)에 의하여 도전성 패턴이 형성될 기판(100)의 상면(101)이 노출된다.
마스크 층(200)은 예를 들어, 포토레지스트로 형성될 수 있다. 기판(100)의 상면(101)에 포토레지스트로 된 층을 형성한 후에, 포토레지스트 층을 예를 들어 광리소그래피법에 의하여 패터닝함으로써, 개구(201)를 가진 마스크 층(200)을 형성할 수 있다. 포토레지스트는 네가티브(negative) 포토레지스트 또는 포지티브(positive) 포토레지스트일 수 있다. 네가티브(negative) 포토레지스트는 노광된 부분이 경화되어 패터닝 후에 남겨지고 노광되지 않은 부분이 제거되는 포토레지스트를 말한다. 반대로 포지티브 포터레지스트는 패터닝 공정에서 노광된 부분이 제거되는 포토레지스트를 말한다.
다음으로, 마스크 층(200)이 형성된 기판(100)을 마스크 층(200)의 연화온도로 가열한다. 그러면, 마스크 층(200)이 연화되어 리플로우(reflow)되면서, 도 2b에 도시된 바와 같이 개구(201)가 상방으로 갈수록 넓어지는 형상으로 재성형된다. 그러면, 개구(201)의 내부 용적이 연화 전에 비하여 증가되어 개구(201) 내에 더 많은 잉크가 수용될 수 있다.
개구(201) 내에 잉크를 토출하기 전에 도 2c에 도시된 바와 같이 소수성 층(300)을 형성하는 공정이 먼저 수행될 수 있다. 소수성 층(300)은 마스크 층(200) 및 기판(100)의 노출된 상면(101)에 형성될 수 있다. 소수성 층(300)은 자기조립단막층(SAM: Self-Assembled Monolayer) 일 수 있으며, 불소 성분을 포함하는 유기막층일 수 있다. 자기조립단막층을 형성하는 자기조립물질은 예를 들어 유기실리콘 화합물에 의하여 형성될 수 있다. 유기실리콘 화합물은 예를 들어 RSiX3로 표시되는 화합물일 수 있다. 여기서, X는 할로겐 또는 알콕시기이고, R은 n-알킬기(n-CnH2n+1), 예를 들어 n-알킬트리크롤로실란, n-알킬트리알콕시실란 등의 n-알킬실란(n-alkylsilane)일 수 있다. 소수성 층(300)은 자기조립물질 또는 불소 성분이 포함된 유기물질을 딥 코팅, 스핀 코팅 등의 공정에 의하여 기판(100) 및 마스크 층(200)에 도포함으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 자기조립물질 또는 불소 성분이 포함된 유기물질을 용매와 혼합하여 용액을 형성하고, 이 용액에 마스크 층(200)이 형성된 기판(100)을 노출시킬 수 있다. 소수성 층(300)을 용이하게 형성하기 위하여, 기판(100) 및 마스크 층(200)의 표면 상의 이물질을 제거하는 공정이 먼저 수행될 수 있다. 이 이물질을 제거하는 공정은 예를 들어, 원자외선(deep UV), 자외선 오존(UV-ozone), 산소 플라즈마, 아르곤 플라즈마를 조사함으로써 수행될 수 있다.
다음으로, 도 1에 도시된 잉크젯 프린팅 장치(1)를 이용하여 개구(201) 내에 잉크를 토출한다. 그러면, 도 2d에 도시된 바와 같이 개구(201)가 잉크로 채워진다.
액체를 고체의 수평면에 놓으면 일정한 렌즈 모양을 유지하는 액적이 되는 경우가 있다. 이때의 액적의 표면은 곡면이 되는데, 고체와 액적이 접촉하는 접촉점에서 액적의 표면으로 그은 접선이 고체의 표면과 이루는 각도를 접촉각이라 한다. 접촉각은 일반적으로 액체와 고체의 종류에 따라 결정되는데, 접촉각이 클수록 액체는 고체에 대하여 비친화적(phobic)이며, 접촉각이 작을수록 액체는 고체에 대하여 친화적(philic)이다. 고체와 액체의 표면 에너지의 차이가 클수록 접촉각이 커진다. 접촉각이 크면 고체의 표면에서 액체가 퍼져서 고체 표면을 적시는 젖음(wetting)이 잘 발생되지 않으며, 고체 표면에서 액체는 액적의 형태로 뭉쳐진다. 접촉각이 작으면 액체는 고체의 표면을 따라 퍼져서 인접하는 액적끼리 서로 합쳐지며, 고체의 표면을 적시게 된다.
소수성 층(300)은 잉크와 마스크 층(200) 사이의 접촉각을 증가시켜, 잉크가 마스크 층(200)의 표면을 따라 퍼지는 경향을 약화시킨다. 그러므로, 인접하는 개구(201)에 토출된 잉크들이 서로 연결되어 단락(short)되는 위험을 줄일 수 있다. 또한, 마스크 층(200)의 표면에 토출된 잉크가 모세관력(capillary force)에 의하여 개구(201)로 들어가서 개구(201)를 채우며, 개구(201)에 토출된 잉크와 합쳐져서 액적 형태로 용이하게 뭉친다. 그러므로, 접촉각이 작을 때에 비하여 개구(201)에 더 많은 잉크를 충전시킬 수 있어, 두꺼운 배선을 형성하는 데에 도움이 된다.
다음으로 건조 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어 상온 ~ 약 120℃ 분위기에서 일정 시간 동안 유지하여, 잉크의 용매를 증발시킨다. 그러면, 도 2e에 도시된 바와 같이 개구(201) 내에는 도전성 입자 만이 남는다. 연화에 의한 리플로우 과정을 거치면 개구(201)는 도 2b에 도시된 바와 같이 위쪽으로 갈수록 벌어지는 형상이 되어, 도 2a에 도시된 직각 단면 형상의 개구(201)에 비하여 충전되는 잉크의 양이 더 많아진다. 그러므로 건조 공정을 거친 후에 남은 도전성 입자의 두께를 증가시킬 수 있다.
다음으로, 소성 과정이 수행된다. 소성 과정은 도전성 패턴의 치밀화를 통하여 도전성 패턴의 내부 기공을 억제하고 기판(100)의 표면과의 접착성을 향상시키는 공정이다. 예를 들어 500~600℃의 고온에서 급속 열처리용 전기로를 이용하여 짧은 시간 내에 소성할 수 있다. 이에 의하여, 도 2g에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 도전성 패턴(400)이 형성된다.
소성 공정을 수행하기 전에 필요에 따라서 마스크 층(200)을 제거하는 공정이 먼저 수행될 수 있다. 포토레지스트는 예를 들어 아세톤이나 포토레지스트 스트리퍼(stripper) 용액으로 제거할 수 있다. 한편, 포토레지스트를 제거하기 전에 예를 들어, 원자외선(deep UV), 자외선 오존(UV-ozone), 산소 플라즈마, 아르곤 플라즈마를 조사하여 소수성 층(300)을 먼저 제거하면, 포토레지스트 제거용액이 포토레지스트에 용이하게 침투하여 포토레지스트를 깨끗하게 제거할 수 있다.
마스크 층(200)은 배선 사이를 절연하거나 배선을 구조적으로 지지하는 역할을 할 수 있다. 그러므로, 소성 온도에 견딜 수 있는 재질로 된 마스크 층(200)이라면 필요에 따라서 제거하지 않은 상태에서 소성공정을 수행할 수도 있다. 예를 들어, 약 500℃ 정도의 고온에서도 견딜 수 있는 폴리이미드(polyimide)계열의 포토레지스트로 마스크 층(200)을 형성하는 경우에는 마스크 층(200)을 제거하지 않은 상태로 소성 공정을 수행할 수도 있다.
일반적으로 네거티브 포토레지스트로 마스크 층(200)을 형성한 경우, 개구(201)의 형상이 위쪽으로 갈수록 약간 좁아지는 형상이 되는 경향이 있다. 이에 비하여, 포지티브 포토레지스트로 마스크 층(200)을 형성한 경우에는 개구(201)의 형상이 위쪽으로 갈수록 약간 넓어지는 형상이 되는 경향이 있다. 그러므로, 포지티브 포토레지스트로 마스크 층(200)을 형성하는 쪽이 두꺼운 도전성 패턴(400)을 형성하는 데에 유리할 수 있다.
[실시예]
글래스(Glass) 기판(100) 위에 포지티브 포토레지스트(AZ4903)를 20㎛ 두께로 코팅한 후 마스크를 사용해 노광 및 현상하는 포토 리소그래피 공정으로 개구(201)를 가진 마스크 층(200)을 형성하였다. 개구(201)의 폭은 약 2~10㎛ 범위이다. 이어서 마스크 층(200)이 형성된 기판(100)을 핫 플레이트(hot plate)를 사용하여 100~110℃ 범위에서 1~5분간 연화시키는 리플로우 공정을 실시하여 윗부분이 약간 둥글게 벌어지도록 개구(201)의 형상을 변화시켰다. 다음으로 마스크 층(200)이 형성된 기판(100) 전체에 산소 플라즈마를 조사하여 표면 개질한 후 불소 코팅제(3M Novec EGC-1720)로 딥 코팅하여 소수성 층(300)을 형성하였다. 다음으로 잉크젯 프린터 헤드로 개구(201)에 전도성 은(Ag) 잉크(Harima Ink, NPS-J-HTB)를 토출하여 개구(201)를 충전하였다. 충전된 잉크를 상온에서 4시간 정도 유지해 자연 건조시켰다. 이어서 다시 산소 플라즈마를 조사해 기판 표면의 소수성 층(300)을 제거하고 기판(100)을 아세톤에 약 20~30초간 담가 포토레지스트 성분을 모두 제거하였다. 건조된 은(Ag) 잉크만 남아있는 기판(100)을 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing)용 전기로를 사용해 500~550℃에서 3~6분간 소성하여 최종적으로 치밀한 구조를 갖는 도전성 패턴(400)을 형성하였다. 광학 현미경 및 FIB 단면 사진으로 확인한 결과, 선폭 약 3~4㎛, 높이 약 2~3㎛의 도전성 패턴(400)이 형성되었다. 도전성 패턴(400)의 비저항을 측정한 결과 3~4 μΩ·cm 수준으로 매우 양호한 전도성을 보여 주었다.
도 3은 연화 공정에 의하여 형성되는 개구(201)를 모식화한 도면이다. 도 3을 참조하면, 개구(201)의 밑 폭을 W, 윗 폭을 W2, 개구(201)의 깊이는 h라 한다. t는 소성된 후의 도전성 패턴(400)의 두께이다. 최종적으로 소성된 도전성 패턴(400)의 부피는 개구(201)에 토출된 잉크의 부피의 약 수 ~ 십 수 퍼센트 정도이다. 그러므로, 최종적으로 소성된 도전성 패턴(400)의 부피가 개구(201)에 토출된 잉크의 부피의 약 10%라고 가정하면, 개구(201)의 종횡비(aspect ratio, h/W)의 변화에 따른 도전성 패턴(400)의 두께비(t/W)는 도 4에 도시된 그래프와 같이 표시될 수 있다. 도 4를 참조하면, 개구(201)의 밑 폭(W)에 대한 윗 폭(W2)의 비(W2/W)가 클수록 두께비(t/W)는 커진다. 최종적으로 두께비(t/W)가 "1"이 되는 조건을 살펴보면, 비(W2/W)가 "1"인 때에는 종횡비가 약 10인 개구(201)가 필요하나, 비(W2/W)가 "2"인 때에는 종횡비가 약 5인 개구(201)가 필요하다. 즉, 비(W2/W)가 "1" 보다 크다면 개구(201)의 종횡비를 크게 늘이지 않더라도 두꺼운 도전성 패턴(400)을 형성할 수 있다. 그러므로, 연화 공정의 온도와 지속시간 등의 공정 조건은 개구(201)의 비(W2/W)이 "1" 보다 크게 되도록 설정될 수 있다.
[실험예]
기판: 글래스 기판
마스크 층: 포지티브 포토레지스트(AZ4903), 두께 20㎛
개구: 3-4㎛
위의 실험예에서, 연화공정을 수행하기 전에는 도 5a에 도시된 바와 같이, 개구(201)의 폭은 약 4㎛ 정도이다. 약 110℃에서 약1분간 가열한 경우 도 5b에 도시된 바와 같이 개구(201)가 과다하게 둥근 형상으로 변함을 확인할 수 있다. 약 100℃에서 약2분간 가열한 경우 도 5c에 도시된 바와 같이 개구(201)가 적절히 위쪽으로 갈수록 벌어지는 형상으로 변함을 확인할 수 있다. 연화에 의한 리플로우 과정을 과도하게 수행하는 경우에는 개구(201)의 형상이 과도하게 벌어지면서 건조 후에 남은 도전성 입자의 형상이 윗부분이 날개 모양으로 벌어진 형태가 될 수 있다. 그러므로, 연화에 의한 리플로우 공정은 개구(201)가 과도하게 벌어지지 않도록 온도와 공정 시간이 조절될 필요가 있다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명했지만, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
1...잉크젯 프린팅 장치 2...잉크젯 헤드
3...잉크 탱크 4...잉크
100... 기판 200...마스크 층
201...개구 300...소수성 층
400...도전성 패턴

Claims (7)

  1. 잉크젯 프린팅 기법을 이용하여 기판 상에 도전성 패턴을 형성하는 방법으로서,
    기판의 일면에 개구를 가진 열가소성 재료로 된 마스크를 형성하는 단계;
    상기 마스크를 재가열하여 연화시켜 상기 개구의 측벽을 상방으로 벌어진 형태로 재성형하는 단계;
    상기 개구를 통하여 상기 기판에 도전성 입자를 포함하는 잉크를 토출하는 단계;
    건조 공정과 소성 공정에 의하여 상기 개구 내에 상기 도전성 입자로 된 도전성 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 도전성 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 마스크는 포토레지스트층을 광식각하여 형성하는 도전성 패턴 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트인 도전성 패턴 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 건조 공정을 수행 한 후, 상기 소성 공정을 수행하기 전에 상기 마스크를 제거하는 단계를 더 포함하는 도전성 패턴 형성 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 잉크 액적을 토출하는 단계를 수행하기 전에 상기 마스크 및 상기 기판에 소수성층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 도전성 패턴 형성 방법.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 재가열 온도와 시간은 상기 개구의 밑 폭에 대한 윗 폭의 비가 1 이상이 되도록 결정되는 도전성 패턴 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 마스크는 폴리이미드 수지로 형성되는 도전성 패턴 형성 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220075115A (ko) * 2020-11-27 2022-06-07 한국생산기술연구원 신축성 미세 전극의 제조방법

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