KR20140058545A - 변환 엘리먼트를 생산하기 위한 방법，그리고 변환 엘리먼트 - Google Patents

변환 엘리먼트를 생산하기 위한 방법，그리고 변환 엘리먼트 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광학 및/또는 광전자 컴포넌트에 대한 변환 엘리먼트(10)를 생산하기 위한 방법에 관한 것이고, 여기서 방법은 적어도 아래의 단계들: a) 발광 물질(4; 4a) 또는 발광 물질(4; 4a)을 포함하는 재료(3a)를, 발광 물질이 없는 투명하고 균일한 유리 재료(2a)의 표면에 적용하고, 그리고 유리 재료(2a)의 연화 온도를 초과하는 증가된 온도(T1)에서 온도 처리(TB1)를 수행하는 단계 ― 이로써, 발광 물질(4; 4a)이 유리 재료(2a)로 스며드는 정도까지 유리 재료(2a)가 연화됨 ―; 및 b) 스며든 발광 물질(4; 4a)과 함께 유리 재료(2a)를 냉각시키는 단계를 포함한다.

Description

변환 엘리먼트를 생산하기 위한 방법，그리고 변환 엘리먼트{METHOD FOR PRODUCING A CONVERSION ELEMENT, AND CONVERSION ELEMENT}
본 발명은 변환 엘리먼트를 생산하기 위한 방법과 변환 엘리먼트에 관한 것이다. 변환 엘리먼트들은, 광학 또는 광전자 컴포넌트에 의해 방출되는 전자기 방사선의 스펙트럼 및 그에 따른 지각된 색 인상을 변경시키기 위해 상기 광학 또는 광전자 컴포넌트들과 함께 사용된다. 이 목적을 위해 변환 엘리먼트는 컴포넌트, 예컨대 발광 반도체 칩의 앞쪽에 부착되어, 컴포넌트에 의해 방출되는 방사선이 변환 엘리먼트를 통과한다. 변환 엘리먼트 내의 인광체들이 비색 로커스(colorimetric locus) 및 색 온도를 설정한다.
종래에, 매트릭스 재료와 인광체는 변환 엘리먼트의 제조 동안에 서로 혼합된다. 실리콘 ― 상기 실리콘 내에서 인광체가 부유(suspension)됨 ― 이 종래에 매트릭스 재료로서 사용된다. 그런 다음, 부유물은 예컨대 얇은 층으로서 스크린 프린팅에 의해 적용된다. 그러나, 실리콘은 열전도가 불량한 전도체이고, 발광 컴포넌트의 동작 동안에 발생하는 열을 부적절하게만 소멸시킬 수 있는데, 그 이유는 그때 상기 실리콘의 인광체가 상승된 열적 스트레스를 겪고 그에 따라 효율성을 잃기 때문이다.
매트릭스 재료로서의 유리는 더 나은 열 전도의 장점을 갖는데, 그 이유는 열 전도가 실리콘과 비교할 때 평균적으로 10배만큼 더 높고, 이로써 인광체들이 동작중에 덜 가열되고 그에 따라 더욱 효율적이기 때문이다. 다른 한편으로, 매트릭스로서 유리의 사용의 경우 인광체 입자들을 내장시키기 위해 고온들이 필요하고, 이로써 인광체는 이 프로세스 동안에 손상될 수 있고 그에 따라 효율성을 영구적으로 또한 잃을 수 있다.
DE 10 2008 021 438 A1은 유리 매트릭스를 갖는 변환 엘리먼트를 생산하기 위한 방법을 설명하고, 여기서 유리와 인광체의 혼합물이 혼합되고, 콤팩트해지고, 그리고 소결(sintering)된다. 이 소결 방법 동안, 비교적 고온들이 사용된다(150℃를 초과하는 연화 온도).
본 발명의 목적은 변환 엘리먼트와 상기 변환 엘리먼트의 제조를 위한 방법을 제공하는 것이고, 본 발명을 이용하여, 변환 엘리먼트의 광학 특성들이 개선되고 그리고 특히 유리 재료들이 변환 엘리먼트를 위한 매트릭스 재료로서 사용가능하고, 여기서 인광체는 가능한 한 거의 손상되지 않거나 또는 전혀 손상되지 않는다. 매트릭스 재료로서 실리콘을 포함하는 상업적으로-이용가능한 변환 엘리먼트들과 관련하여, 변환 엘리먼트의 동작 동안에 개선된 열 소멸이 달성될 것이다.
이 목적은 청구항 제1항에 따른 방법에 의해 그리고 청구항 제11항에 따른 변환 엘리먼트에 의해 달성된다. 청구항 제1항에 따른 방법에서, 인광체는 실리콘 안으로 도입되는 것이 아니라 유리 재료 안으로 도입되는데, 그 이유는 유리가 실리콘과 비교할 때 특히 높은 열 소멸을 보장하기 때문이다. 그러나, 무엇보다도, 인광체는 생산 방법의 시작시 매트릭스 재료(여기서, 유리)와 아직 혼합되지 않는다. 특히, 이는, 인광체와 매트릭스 재료(DE 10 2008 021 438 A1에 따른 파우더 재료, 또는 녹은 재료)로 만들어진 재료 혼합물이 온도 처리를 겪는 것을 방지한다. 대신에, 콤팩트한 형태의 유리 재료가 사용되고; 선택적으로 미리형성된 기판으로서 또는 연화된 유리 매스로서 사용된다. 인광체는 연화된 유리 재료 안으로 후속해서만 도입된다.
유리 입자들과 인광체 입자들로 만들어진 재료 혼합물이 온도 처리 단계를 바로 겪는다면 ― 이는, 재료 혼합물의 녹음 및 유리화를 야기함 ―, 인광체는 매우 강력한 온도 스트레스(고온에서 그리고/또는 긴 지속기간에 걸쳐)를 겪을 것이다. 그러나, 이 출원에서 활용되는 고려사항들 중 하나는, 유리 매스가 코히어런트(coherent)한 유리 바디로서 이미 제공된다면, 가능한 한 기포가 없는 유리 매스를 형성하기 위해 유리 입자들을 함께 녹이는데 열적 에너지가 더 이상 필요하지 않을 것이라는 것이다. 본 발명에 따라, 그러므로, 인광체가 생산 시작시 유리 재료와 아직 혼합되는 것이 아니라, 무-인광체 유리 재료가 처음으로 사용되고, 상기 무-인광체 유리 재료는 초기에 자신의 표면(예컨대, 자신의 상단 면)이 인광체 또는 인광체-함유 재료로만 덮인다. 그런 다음, 상승된 온도에서 스며듦으로써, 유리 재료 안으로의 인광체의 몰림(driving)이 후속하여 발생한다. 그 표면으로 인광체가 스며드는 유리 ― DE 10 2008 021 438 A1로부터의 소결 방법과 대조적으로 ― 만이 충분히 가열된다. 여기서, 기포가 없는 변환 엘리먼트를 획득하는데 요구되는 온도들은, 소결 방법의 경우에서보다, 정상 압력(1013mbar)에서 동일한 프로세싱 조건들(지속기간)의 경우에 더 낮다. 유리가 여전히 가열될 고체 유리 기판으로서 제공될 수 있거나, 또는 (프레싱 몰드 또는 캐스팅 몰드에서) 이미 가열되고 그에 따라 연화되는 유리 매스로서 제공될 수 있다.
인광체 또는 인광체-함유 층이 유리 층 또는 유리 기판의 외부 면(예컨대, 상단 면)에 첫째로 적용되고, 그런 다음 후속해서만, 스며듦으로써 균일한 유리 재료 안으로 도입된다. DE 10 2008 021 438 A1에서 설명된 소결 방법과 비교할 때 더 낮은 온도 때문에, 인광체의 생산-관련 손상의 위험이 그러므로 더 낮다. 따라서, 이는, 변환 엘리먼트들 내의 실리콘에 대한 대안으로서 유리 재료들의 사용가능성을 증가시킨다.
유리 재료는 인광체 또는 인광체-함유 층을 적용시키기 위한 언더레이(underlay)를 형성할 뿐만 아니라, 유리 재료 자체가 변환 엘리먼트를 위한 실제 베이스 재료로서 사용되는데, 그 이유는 인광체가 스며듦으로써 유리 재료 안으로 바로 도입되기 때문이다. 프로시저 중의 스며듦은, 각각 온도 처리 동안에 열 동작과 함께, 중력을 활용함으로써, 기계적 프레싱에 의해, 그리고/또는 과압력에 의해 도움받을 수 있고 가속화될 수 있다. 투명한 유리 기판은 자신의 연화 온도를 초과하여 가열된다. 완성된 변환 엘리먼트는 이후에, 매트릭스 재료로서 사용된 유리 재료 내에 하나의 타입의 인광체 또는 다양한 타입들의 인광체의 혼합물의 스며든 인광체 입자들을 포함한다.
유리 재료는, 온도 처리를 수행하기 이전에 실온에서 제공될 수 있고, 상단에 적용된, 인광체를 함유한 층과 공동으로 가열될 수 있다. 다시, 유리 매스는 연화되지만, 인광체가 그 내부에 스며드는 유리 매스만이 충분히 연화된다.
대안적으로 유리 재료의 온도 처리는, 인광체가 가열 및 연화된 유리 재료의 표면에 적용되기 이전에 개시될 수 있다. 예컨대, 유리가 유리 파우더 또는 녹은 유리로부터 생산된다면, 따라서 획득된 기포가 없는 유리 바디의 냉각 이후에, 인광체를 이용한 코팅이 따라서 처음으로 수행된다. 대안적으로, 인광체를 이용한 코팅 및 인광체의 스며듦은 또한, 연화 온도를 초과하는 온도에서의 냉각 위상(phase) 동안에 발생할 수 있다(선택적으로, 기계적 프레싱 또는 과압력에 의해 도움받을 수 있다). ISO 7884-3에 따라, 연화 온도는 점성 η=107.6dPa·s에서 정의된다. 여기서 설명된 대안은 하나의 프로세스로 유리 몰딩, 코팅, 및 스며듦을 결합하고, 그렇지 않으면 유리를 연화시키기 위해 요구되는 또 한 번의 가열을 피한다. 이미 완성된 몰딩된 또는 상업적으로 이용가능한 유리 바디들, 예컨대 평면-평행(plane-parallel)의 얇은 유리, 아주 얇은 유리, 렌즈들(오목렌즈, 볼록렌즈 등) 또는 플라스크들이 그러한 변환 엘리먼트의 생산을 위해 또한 사용될 수 있다. 이 경우, 유리 바디는 인광체로 코팅되고, 그런 다음에만, 충분히 가열되어 인광체가 유리 표면으로 스며든다.
인광체 또는 인광체-함유 재료가 유리 재료의 표면에 적용되는 시점은 선택적으로, 온도 처리 이전에 또는 온도 처리 동안에 선택될 수 있고; 시간 시퀀스는 유연성이 있지만, 상기 시점은 인광체가 적용되는 방법 그리고 또한 인광체-함유 재료의 컴포지션(composition)에 따라 좌우된다. 인광체-함유 재료가 (예컨대, 스크린 프린팅 및 템플레이트 프린팅을 위한) 예컨대 프린팅 가능한 페이스트로서 적용된다면, 페이스트는 통상적으로 또한, 인광체 입자들 이외에, 용제(solvent)와 바인더(binder)를 포함한다. 이 경우, 유리 기판의 코팅이 가열 이전에 바람직하게 수행되어, 번아웃(burnout)된 용제 및 바인더의 기화가 가열 프로시저 동안에 발생할 수 있다. 인광체-함유 재료가 또한, 스프레잉, 페인팅, 또는 확산(spreading)에 의해, 정전기 증착에 의해, 또는 다른 방식으로 유리에 적용될 수 있다. 인광체-함유 재료는 유기 용제(예컨대, 이소프로판올) 내에서 부유되는 인광체를 포함할 수 있다.
투명한, 즉 UV-가시 범위 내에서 높은 투과성을 갖고 낮은 고유 착색도를 갖는 연질 유리들 또는 경질 유리들이 유리로서 사용될 수 있다. 또한, 저융점 유리들의 사용이 또한 가능하다. 예컨대, 얇은 유리로서 이용가능한, 생산자 스코트로부터의 명칭 D263T의 붕규산 유리가 연질 유리로서 적절하다. 유리의 선택에 따라, 온도 처리 동안에 최대치에서 유지되거나 또는 온도 처리 동안에 적어도 간단히 최대치에 도달되는 온도는 80℃와 1500℃ 사이일 수 있다. 바람직하게, 그 연화 온도가 740℃보다 더 크지 않은 유리들이 사용되어, 인광체가 800℃ 미만의 온도들에서 유리 표면에 스며들도록 여전히 유발될 수 있다(선택적으로, 기계적 프레싱의 도움으로 또는 과압력에 의해). 예컨대, 600℃와 950℃ 사이의 연화 온도를 갖는 경질 유리들 또는 연질 유리들이 사용될 수 있다. 저융점 유리의 사용시, 온도 스트레스가 훨씬 크게 더 낮다.
하나의 개선에 따라, 부가하여, 추가의 유리 재료로 만들어진 추가 층이 적용되는 것이 제공된다. 이 유리 재료는 바람직하게 단계 a)에서 인광체로 덮인 유리 재료와 동일하고; 그러나, 다른 유리 재료(예컨대, 벗어난 재료 컴포지션을 갖는 얇은 유리 또는 아주 얇은 유리)가 또한 사용될 수 있다. 방법 단계들 c) 내지 e)에 따라, 즉 바람직하게 추가의 온도 처리에 의해 라미네이트가 생산된다.
위의 개선에 따른 단계들 c) 내지 e)의 수행 자체는, 특히 두 개의 상이한 또는 이종의 인광체들이 스며듦으로써 유리 재료로 스며드는 경우를 제안한다. 이 경우, 제1 인광체가 단계 a)에서 처리된 유리 재료 안으로 도입되는 반면에, 그에 반해서 제2 인광체는 추가의 유리 재료의 층 내에(예컨대, 얇은 유리 또는 아주 얇은 유리 형태의 제2 유리 기판 안으로) 도입된다. 따라서 또한, 양쪽 타입들의 인광체가 스며듦 이후에 서로 공간적으로 분리되고; 상이한 인광체 타입들 및/또는 인광체 농도들이 제공된 유리 재료들로 만들어진 다수의 부분 층들의 하나의 타입의 라미네이트가 생긴다. 제1 인광체 타입과 제2 인광체 타입의 최대 농도의 포지션들은 예컨대 변환 엘리먼트의 층 두께의 방향으로, 후속하여 놓이는 얇은 유리 또는 아주 얇은 유리의 두께에 대략 대응하는 거리만큼 서로 이격된다.
대안적으로, 추가 인광체가 또한 별도의 방법 단계에서 유리 재료의 반대 표면에 적용될 수 있다(상기 유리 재료는, 인광체를 이용하여, 하나의 면이 사전에 이미 처리되었다). 또한, 상이한 타입들의 인광체가 또한 혼합물로서 하나의 코팅부 내에 제공될 수 있다. 추가 실시예에서, 두 개의 별도로 생산된 변환 엘리먼트들이 두 개의 인광체-함유 표면들을 이용하여 서로 연결된다.
여러 개의 예시적 실시예들이 이후에 도면들을 참조하여 설명될 것이다.
도 1a 내지 도 1d는 설명된 방법에 대해 사용될 유리를 몰딩하기 위한 다양한 제안들을 도시한다.
도 2a 내지 도 2i는 변환 엘리먼트에 대한 제안된 생산 방법의 하나의 타입의 실시예의 다양한 방법 단계들을 도시한다.
도 3 내지 도 7은 하나의 변환 엘리먼트와 적어도 하나의 광학 또는 광전자 컴포넌트를 각각 갖는 어레인지먼트들의 다양한 예시적 실시예들을 도시한다.
변환 엘리먼트를 생산하기 위해 여기서 제안되는 방법의 수행을 위해, 첫째로 무-인광체 유리 재료가 사용되고; 예컨대 도 1a 내지 도 1d 중 하나에 따라 사용된다. 도 1a에 따라, 유리 재료(2a)는 고체의 미리-몰딩된 유리 기판(1)의 형태로 사용된다. 유리 기판(1)은, 1.0㎜ 미만, 예컨대 5㎛과 100㎛ 사이, 특히 5㎛과 50㎛ 사이의 층 두께를 갖는 특히 얇은 유리(7) 또는 아주 얇은 유리일 수 있다.
도 1b에 따라, 몰드(22)가 그러한 유리 기판에 대한 언더레이로서 사용될 수 있고, 상기 몰드(22)는 가열을 위해, 즉 유리 매스(2)를 연화시키기 위해 그리고 형상화를 위해 또한 사용된다. 그런 다음, 인광체 또는 인광체-함유 재료가 바람직하게 가열 이전에 도 1a에 따라 유리 기판(1)의 상부 표면(1A)에 또는 도 1b에 따라 유리 매스(2)에 적용된다. 대안적으로, 몰드는 인광체로 또한 코팅될 수 있고, 상기 인광체는 따라서 동시에 이형제(parting agent)로서 동작한다. 유리가 표면 장력의 결과로서 연화 동안에 수축하기 때문에, 상기 유리는 형상이 프레싱 몰드(23)에 의해 온도 처리 동안에 유지될 것이다. 대안적으로, 상기 유리는 또한 냉각 프로시저 동안에만 형상화될 수 있다.
도 1b는 또한, 언더레이로서 사용되는 몰드(22) 이외에, 두 개의 상이한 프레싱 몰드들(23)을 도시한다. 두 개의 프레싱 몰드들(23) 중 하나는 냉각 프로시저 동안에 형상화를 위해 사용되고, 즉 몰드(22)로 가압되어, 스며든 인광체가 제공되는 연화된 유리가 냉각 동안에 자신의 외부 형상(몰드 파트들(22, 23) 내의 리세스들에 대응함)을 유지한다. 몰드(22)와 프레싱 몰드(23)는 인광체로 둘 다 코팅될 수 있어, 인광체가 특히 유리의 양쪽 표면들로 스며든다. 그와 비교할 때, 두 개의 표면들 중 하나는 다른 입자들, 예컨대 세라믹 입자들로 또한 코팅될 수 있고, 상기 다른 입자들은 또한 스며들고 이후에 광을 산란시킨다. 이러한 입자들의 광학 굴절률은 바람직하게 0.1 또는 그 초과만큼 유리의 광학 굴절률과 상이하다. 도 1b에 따른 몰드(22)에 의해 지지되는 유리 재료(2a)는 또한 더 두꺼운 유리일 수 있다. 도 1b로부터의 상부 프레싱 몰드(23)(리세스를 가짐)가 바람직하게 이를 위해 사용된다. 그런 다음, 몰드(22) 및 프레싱 몰드(23) 내의 리세스들이 냉각 유리 바디의 설계를 공동으로 결정한다. 얇거나 또는 아주 얇은 유리 기판이 사용된다면, 몰드(22) 내의 리세스로 충분하고; 이 경우, 도 1b로부터의 하부 프레싱 몰드(23)(리세스가 없음)가 바람직하게 사용된다.
완성된 몰딩된 유리 기판에 대안적으로, 몰드(22)가 녹은 유리로 필링된다는 점에서 몰드(22)가 또한 형상화를 위해 사용될 수 있다. 이 경우, 유리는 통상적으로 η=102 내지 104dPa·s 범위의 점성을 갖는다. 부가하여, 인광체로 덮일 유리 매스(2)는 평면-평행 층일 필요가 있는 것이 아니라, 도 1c에 따라 대응하게 형상화된 몰드(22) 내에 렌즈모양의 (냉각되거나 또는 가열된) 유리 바디로서 또한 제공될 수 있다.
도 1d에 도시된 바와 같이, 인광체를 유리 바디의 렌즈 모양의 만곡된 상단 면(1A) 또는 다른 방식으로 만곡된 구조적 형상 안으로 도입시키기 위해, 바닥 몰드(22)와 상단 프레싱 몰드(23)로 만들어진 멀티파트 어레인지먼트가 사용될 수 있고, 여기서 프레싱 몰드(23)는 온도 처리 수행 동안에 몰드(22)로 적어도 일시적으로, 바람직하게 적어도 냉각 프로시저 동안에 가압되어, 유리 재료(2a)의 냉각 동안의 원하는 형상화가 보장된다. 프레싱 몰드(23)가 아직 몰드(22)와 맞물리지 않은 한, 만곡된 표면(1A)은 인광체의 적용을 위해 액세스 가능하다.
도 1a 내지 도 1d 중 하나에 따라 또는 다른 방식으로 제공되고 그리고 방법에 대한 시작 재료를 형성하는 유리 재료(2a)는, 그러므로 균일하고 콤팩트하고 코히어런트하고 그리고 무-인광체(그리고 그렇지 않으면 투명한) 유리 매스이고, 상기 유리 매스는 또한 가능한 한 기포가 없다. DE 10 2008 021 438 A1에서 설명된 소결 방법과 비교할 때, 유리는 여기서 이미 기포가 없이 제공되고 여전히 충분히 연화되어서만 인광체가 상기 유리의 표면으로 스며든다. 이는, 소결 방법의 경우에서보다 더 낮은 온도들에서 통상적으로 수행되는데, 그 이유는 인광체 입자들이 점성-증가 효과를 갖고 그에 따라 파우더 입자들 사이에 에워싸인 공기가 더 높은 온도들에서 또는 목표로 정해진 부분적 진공의 사용시 처음으로 탈출(escape)할 수 있기 때문이다. 기포율(공극율)은, 그 중에서도, 변환 엘리먼트의 방출 특징에 대한 중요한 상수이다. 동일한 광 색을 달성하기 위해, 공극율이 증가함에 따라 변환 엘리먼트의 두께가 증가한다. 이는, (예컨대, "노란 링"으로서) 하나의 면 쪽으로 증폭된 방출 및 그에 따른 각도에 걸쳐 더욱 불균일한 광 분포를 야기한다. 여기서 설명된 방법의 장점은, 인광체만이 표면으로 스며들고 그에 따라 그 상에서 더욱 농축된 채로 제공, 즉 수직 방향으로(층 두께 방향으로) 불균일하게 분포된다는 것이다. 이 표면은 바람직하게 칩에 가까이 포지셔닝되어, 인광체는 칩에 가능한 한 가까이 놓인다. 그러므로, 스며든 인광체가 제공되는 구역이, 균일하게 분포된 소결된 파트 내 구역보다 더 작다. 가닛들(예컨대, YAG:Ce, LuAG 등), 질화물들, SiON들, 및/또는 오소실리게이트들이 인광체로서 사용가능하고, 이들을 이용하여, 다양한 비색 로커스들(colorimetric loci)이 설정될 수 있다. 여기서 설명된 변환 엘리먼트는, 또한 다른 광 색을 갖는 라미네이트로서 변환 세라믹과 결합하여 또한 사용될 수 있다. 유리 같은 변환 엘리먼트의 인광체가 풍부한 면이 또한 바람직하게, 이 경우에 칩에 가까이, 즉 세라믹에 가까이 제공된다(여기서, 세라믹은 칩과 유리 같은 변환 엘리먼트 사이에 배열된다). 이 실시예에서, 유리 같은 변환 엘리먼트와 변환 세라믹은 또한, 추가 온도 처리(TB2와 유사함)의 도움으로 서로 직접 붙을 수 있다. 변환 엘리먼트들은 칩 상에 직접 부착될 수 있고 그리고 또한 칩에 거리를 두고 부착될 수 있는(원격 인광체) 둘 다가 가능하고, 그리고 부분적 변환 및 또한 완전한 변환 둘 다를 위해 사용될 수 있다.
변환 엘리먼트들은, 통상적인 실리콘을 이용하는 바와 같이 저융점 유리를 이용하여 또는 칩 상의 졸-겔에 의하여 그리고 또한 서로에 대해 고정될 수 있다. 이후에 설명되는 방법 단계들의 수행을 위한 유리는 선택적으로, 이미 가열된 상태로 또는 초기에 냉각된, 미리-몰딩된 유리 바디로서 제공될 수 있다.
도 2a에 따라, 인광체-함유 재료(3a)로 만들어진 층(3)이 유리 매스의 표면(1A)에 적용된다. 유리 매스는 예컨대, 하나의 레벨의 평면-평행 유리 기판(1)(도 1a 및 도 1b에서와 같음)일 수 있거나, 또는 다른 방식으로 몰딩된 예컨대 렌즈 모양(도 1c 또는 도 1d에서와 같음) 또는 플라스크-형상화된(도 7에서와 같음) 유리 바디일 수 있다. 기판(1)으로서 도 2a 내지 도 2i에 따라 사용되는 유리 매스는 또한 예열된 유리 매스(2a)일 수 있고, 상기 예열된 유리 매스(2a)는 특히 자신의 연화 온도를 초과하여 가열되지만 아직 자유-유동적이지 않다(도 1c 또는 도 1d). 유리 재료(2a)의 외양의 다양한 고려가능한 형태들은 이후에 더 이상 구별되지 않으며, 간략성을 위해, 유리 기판(1)만이 여전히 참조된다. 모든 나머지 도면들에서와 같이, 치수 비율들, 특히 개략적으로 도시된 층 두께들은 축적에 맞지 않는다.
도 2b에 따라, 온도 처리(TB1)는 유리 재료(2a)의 연화 온도를 초과하는 온도(T1)에서 수행되고, 여기서 최대 온도(T1)에는 온도 처리(TB1)의 지속기간 중 일부 동안에만 도달되어야 한다. 온도 처리(TB1)는 인광체(4) 또는 인광체-함유 재료(3a)로 만들어진 층(3)의 적용 이후에 수행될 수 있지만, 또한 인광체-함유 재료의 적용 동안에 이미 개시될 수 있거나 또는 인광체-함유 재료의 적용 이전에 개시될 수 있다. 온도 처리(TB1)가 적용 이전에 또는 적용 동안에 개시되는 경우, 추가 첨가제들이 없는 인광체 파우더만이 바람직하게 유리 재료(2a)에 적용될 것이다.
도 2a 또는 도 2b에 따라 적용된 층(3)은 인광체(4)를 포함하고, 상기 인광체(4)는 부유물 또는 용액 내에 고체 입자들의 형태로 포함된다. 인광체(4)는, 다양한 비색 로커스들을 생성하기 위해 하나 또는 그 초과의 상이한 타입들의 인광체(4a, 4b)를 포함할 수 있다. 인광체가 이후의 방법 단계들(도 2f) 동안에 다시 적용된다면, 바람직하게 단 하나의 단일 타입의 인광체(4, 구체적으로 4a)가 도 2a 및 도 2b에 따라 적용된다.
도 2c는 온도 처리(TB1) 동안에 인광체(4)의 스며듦을 개략적으로 도시한다. 인광체(4, 4a)를 함유한 재료(3a)로 만들어진 층(3)으로부터, 인광체 입자들은 점진적으로 유리 기판(1)의 표면으로 또는 가열된 유리 매스(2)로 스며든다. 중력에 의해 유발되는 이 침강(sedimentation)은 기계적 프레싱에 의해, 예컨대 도 1d로부터의 프레싱 몰드(23)의 도움으로 도움받을 수 있고 가속화될 수 있다. 유리 기판(1) 또는 유리 재료(2a)의 매스는 (도 2c에서 아래를 가리키는 화살표들에 의해 예시된) 인광체의 스며듦에 의해 인광체(4)와 혼합된다.
도 2d는 유리 기판(1) 내의 인광체(4)의 분포를 개략적으로 도시하고; 바람직하게, 인광체는, 양(quantity)에 대해, 유리 재료(2a)의 상단 표면(1A) 상에 또는 상단 표면(1A)에 가까이 우세하게 농축되는데, 즉 인광체는 불균일하게 분포된다. 유리 기판(1)의 층 두께 내의 인광체 농도의 변화도(11)는 제1의 상단 표면(1A)의 방향으로 가리키고; 인광체(4a)의 농도는 표면(1A)에서 또는 표면(1A) 바로 아래에서 지역적 최대치를 취한다.
도 2e로부터의 개선에 따라, 여전히 추가 유리 재료가 적용될 수 있고 상기 추가 유리 재료에 추가 인광체가 이후에 제공될 수 있다. 도 2d에 따라 처리된 유리 기판(1)은 (냉각 이후에) 그 자체로 이미 완성된 변환 엘리먼트(10)를 표현하지만, 상기 변환 엘리먼트(10)는 하나 또는 그 초과의 광전자 컴포넌트들 또는 반도체 칩들과 어셈블링될 수 있다.
도 2d로부터의 변환 엘리먼트(10)는 또한 처음으로 여전히 추가 프로세싱 단계들을 겪을 수 있다. 예컨대, 추가 인광체(4)(예컨대, 도 2a에서 적용된 인광체와 상이한 인광체(4b))가 반대 표면(1B)으로부터 적용될 수 있고, 그리고 표면(1B)으로부터 제2 온도 처리를 통해 스며듦으로써 유리 기판(1) 안으로 도입될 수 있다. 추가 인광체(4b)의 적용 및 스며듦을 위해, 도 2d로부터의 변환 엘리먼트(10)가 뒤집어져, 표면(1B)이 위를 향한다.
도 2e 내지 도 2h에서 도시되는 대안적 개선에 따라, 추가 유리 재료(2a)로 만들어진 층 두께(d5)의 층(5)이 (도 2e에 따라) 동일한 표면(1A)에 적용될 수 있고 또한 자신의 상단 면(5A)이 인광체-함유 재료로 만들어진 추가 층(6)으로 덮일 수 있고, 상기 추가 층(6)은 그런 다음 (도 2f에 따라) 노출된다. 특히, 도 2a에 따라 이전에 적용된 것과 상이한 인광체(4; 4b)가 이 경우 적용된다. 이러한 방식으로 추가 인광체(4;4b)로 덮이는 층(5)은 예컨대 얇은 유리(7) 또는 아주 얇은 유리일 수 있고, 그 층 두께는 바람직하게 1.0㎜ 미만이고 특히 5㎛와 100㎛ 사이, 바람직하게 5㎛와 50㎛ 사이일 수 있다. 후속하여, 도 2g에 따라, 도 2g에서 아래로 가리키는 화살표들에 의해 표시된 바와 같이 추가 유리 재료(2a)로 만들어진 층(5)으로 스며듦으로써 추가 인광체(4b)를 도입시키기 위해, 제2 온도 처리(TB2)가 온도(T2)에서 수행된다.
이러한 방식으로, 도 2h에 개략적으로 도시된 변환 엘리먼트(10)가 생기고, 상기 변환 엘리먼트(10)는, 제1-처리된 유리 기판(1) 위에, 인광체-함유 유리로 만들어진(동일하든지 또는 다르든지 베이스 재료 및 또한 인광체(4; 4b)로 만들어진) 추가 부분 층(1a)을 갖는다. 실제로, 본래 유리 기판(1) 및 부분 층(1a)이 융합되어, 변환 엘리먼트(10)의 통합된 유리 층이 형성된다. 그럼에도 불구하고, 변환 엘리먼트(10)의 내부의 인광체 농도의 프로파일을 식별하기 위해, 기판(1) 또는 인광체-함유 유리로 만들어진 하부 부분 층과, 추가 인광체-함유 유리로 만들어진 상부 부분 층(1a) 사이의 이전의 인터페이스가 도 2h 및 추가의 아래 도면들에서 파티션 라인으로서 도시된다. 도 2h로부터의 변환 엘리먼트(10)는 하나의 타입의 라미네이트를 형성하고, 여기서 제1 인광체(4a)는 두 개의 부분 층들(1, 1a) 사이의 포지션에서 변환 엘리먼트의 층 두께의 방향으로 농축된다. 상단 부분 층(1a)이 바람직하게 바닥 부분 층 또는 먼저 유리 기판(1)보다 더 얇아서, 제1 인광체(4a)의 농도가 또한 반대 표면(1B)보다 표면(1A)에 더 빽빽하다. 따라서, 도 2d에서와 같이, (변화도(11)에 의해 표시된 바와 같이) 표면(1A), 즉 상단 부분 층(1a)에 대한 나중 인터페이스로부터의 거리가 감소함에 따라 제1-도입된 인광체 입자들(4a)의 농도가 증가하고, 도 2h에 따라, (변화도(11')에 의해 표시된 바와 같이) 노출된 상단 면(1A)으로부터의 거리가 감소함에 따라 스며든 추가 인광체(4b)의 농도가 또한 증가한다. 그러므로, 변환 엘리먼트(10)의 부분 층들(1 및 1a)이 서로 융합될 때, 그들 사이의 이전의 인터페이스가 대략 제1 인광체(4a)의 최대 농도의 포지션을 형성하는 반면에, 그에 반해서 제2 인광체(4b)의 최대 농도는 변환 엘리먼트(10)의 표면(1A), 즉 이전에 적용된 층(5)의 먼저 표면(5A)에 있다(도 2e). 도 2h에 따라 획득된 변환 엘리먼트(10)에서, 제1 인광체(4a) 및 제2 인광체(4b)가 그러므로 서로 공간적으로 분리된다.
대안적으로, 그러나 두 개의 별도로 생산된 변환 엘리먼트들 ― 상기 변환 엘리먼트들의 각각 안으로, 스며듦으로써 하나의 표면으로부터 인광체(4)가 도입되었음 ― 은 또한 서로 연결될 수 있다. 두 개의 변환 엘리먼트들은 특히 각자의 두 개의 인광체-함유 표면들을 이용하여 서로에 고정될 수 있다. 따라서, 도 2i에 도시된 어셈블링된 변환 엘리먼트가 생기고, 여기서 부분 층(1) 내의 (제1) 인광체(4;4a)의 농도 및 또한 부분 층(1a) 내의 (제2) 인광체(4; 4b)의 농도 둘 다는 각각 두 개의 부분 층들(1, 1a) 사이의 인터페이스 쪽으로 증가한다.
도 3 내지 도 7은 변환 엘리먼트(10)의 예시적 실시예들을 도시하고, 상기 변환 엘리먼트(10)는 적어도 하나의 광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20), 특히 반도체 칩(19)과 어셈블링된다. 인광체(4b)의 농도가 최대인 도 2h의 상부 표면(1A)은 도 3에 따라 컴포넌트(20)에 연결된다. 반대 표면(1B)으로부터, 컴포넌트(20)로의 근접성이 증가함에 따라 제1 인광체(4a)의 농도가 증가한다. 또한, 변환 엘리먼트(10)는 오로지 유리 기판(1)(예컨대, 얇은 유리(7)) 단독으로 구성될 수 있고; 그런 다음 인광체-함유 유리로 만들어진 부분 층(1a)이 생략되어, 변환 엘리먼트(10)는 도 2d로부터의 변환 엘리먼트에 대응한다. 그러나, 부분 층(1a)이 제공된다면, 부분 층(1a)은 바람직하게 얇은 유리(7) 또는 아주 얇은 유리이다. 제1-프로세싱된 유리 기판(1)(또는 그로부터 생긴 유리 재료의 부분 층)은 얇은 유리일 필요가 없다.
특히, 기판(1)은 도 4에서와 같이 광학 렌즈(15)로서 형성될 수 있고, 만곡된 (후부) 표면(1B)을 가질 수 있다. 도 4에서, 제1 인광체(4a) 및 제2 인광체(4b)의 농도들의 변화도들(11 및 11')이 도시되고, 상기 변화도들 각각은 컴포넌트(20) 쪽을 향한다. 도 3에서와 같이, 얇은 유리(7) 또는 부분 층(1a)이 생략될 수 있다.
도 5는 유리 기판(1)과 컴포넌트(20) 사이에 세라믹 변환 층(17)을 또한 갖는 어레인지먼트(21)의 실시예를 도시한다. 세라믹 변환 층(17)은 유리 기판과 상이한 인광체를 포함할 수 있다. 세라믹 변환 층은 유리 기판보다 더 높은 열 전도를 갖지만, 특정 색들 또는 스펙트럼 범위들에 대한 인광체들만이 도입될 수 있다는 단점을 갖는다. 세라믹 변환 층은 50㎛과 300㎛ 사이, 바람직하게 100㎛과 200㎛ 사이, 또는 또한 100㎛ 미만(예컨대, 50㎛ 초과)의 층 두께를 가질 수 있다.
유리 기판(1)은 얇은 유리 또는 아주 얇은 유리(그 층 두께에 대해, 이 출원에서 이미 언급된 대역폭을 가짐)일 수 있지만, 또한 더 두꺼운, 평면-평행 유리(최대 2㎜의 층 두께를 가짐) 또는 대안적으로 (도 4에서와 같이 또는 다른 방식으로) 광학 엘리먼트로서 형상화된 유리일 수 있다.
도 6은 변환 엘리먼트(10)가 광전자 컴포넌트(20) 또는 반도체 칩(19)으로부터 거리(A)를 두고 이격된 채로 배열되는 실시예를 도시한다. 변환 엘리먼트(10)는, 예컨대 도 3으로부터의 변환 엘리먼트처럼, 즉 두 개의 상이한 부분 층들(1, 1a) ― 각각은, 반도체 칩(19) 쪽으로 증가하는 각각의 인광체(4a 또는 4b)의 농도를 각각 가짐 ― 을 갖는 변환 엘리먼트로 구성된다. 도 6에서 각각의 층(1, 1a)의 어두운(shaded) 하부 구역들(도 4에서와 같이 변화도 화살표들(11, 11') 대신)에 의해 증가하는 인광체 농도가 도시된다. 층들(1, 1a) 둘 다는 각각 얇은 유리(7) 또는 아주 얇은 유리(그 층 두께에 대해, 이 출원에서 이미 언급된 대역폭을 가짐)를 표현할 수 있다. 바람직하게, 적어도, 하부 부분 층(1a)은 얇은 유리 또는 아주 얇은 유리이다. 변환 엘리먼트(10)는, 반사기 또는 다른 프레임을 이용하여, 반도체 칩(19)으로부터 거리(A)에서 유지될 수 있다. 또한, 인광체들(4a, 4b) 전부가 반도체 칩(19) 쪽으로 면하는 바닥 표면(1A)에서 각자의 최대 인광체 농도를 갖도록 변환 엘리먼트(10)가 구성될 수 있고; 대응하게, 부분 층(1a)(및 그에 따라 각각의 인광체들(4a, 4b)의 최대 농도들 사이에서 유발된 수직 오프셋)이 생략될 것이다.
도 7은 변환 엘리먼트(10)가 플라스크-형상화된 유리 바디(8)로서 형성되는 실시예를 도시한다.
유리 바디(8)는 표면(1A) 상에서 인광체(4)의 농도가 최대(음영(shading)에 의해 표시됨)인 곳에서 오목하게 형상화되고, 그러므로 캐비티(9)를 에워싼다. 반대의 저-인광체 표면(1B)은 밖으로 볼록하게 향하고, (화학적으로 그리고/또는 기계적으로) 거칠게 될 수 있거나 또는 선택적 산란 층(16)으로 덮일 수 있다. 또한, 이 산란 층은 모든 다른 실시예들의 변환 엘리먼트들(10), 특히 도 2d, 도 2h 및 도 3 내지 도 6의 변환 엘리먼트들 상에 제공될 수 있다. 도 7에서, 선택적으로 하나의 단일 또는 또한 다수의 반도체 칩들(19) 또는 컴포넌트들(20) ― 각각은 전자기 방사선을 방출함 ― 이 캐리어 플레이트(18) 상에 배열될 수 있다. 특히, 복수의 컴포넌트들(20)의 경우에, 방출 특징의 개선이 거칠게 된 층 또는 산란 층(16)의 도움으로 달성된다. 변환 엘리먼트(10)는 광전자 컴포넌트들(20)로부터 이격된 채로 배열되고, 여기서 최대 인광체 농도의 표면(1A) ― 상기 표면(1A)으로부터, 인광체(4)가 유리 재료 안으로 도입되었음 ― 은 컴포넌트들(20) 쪽으로 면한다. 도 6 및 도 7에서, 각각, 제1 변환 엘리먼트는 대안적으로 또한 칩 또는 복수의 칩들 상에 직접 설치될 수 있고, 제2 변환 엘리먼트, 특히 상이한 인광체를 갖는 제2 변환 엘리먼트가 또한 (도시된 바와 같이) 이격된 채로 배열될 수 있다.
경질 유리들, 연질 유리들, 또는 심지어 저융점(특히, 납이 없는) 유리들이 본 출원에서 제안된 변환 엘리먼트를 위해 사용될 수 있다. 변환 엘리먼트가 칩 상에 고정되거나 또는 세라믹 변환 엘리먼트와 결합하여 사용되는 경우에 대해, 6×10-6/K와 20×10-6/K 사이, 이상적으로 8×10-6/K와 12×10-6/K 사이의 열 팽창 계수(α)(20-300℃)를 갖는 유리들이 바람직하게 사용된다. 유리가 사용된다면, 스며든 인광체의 광학 굴절률과 유사한(예컨대, 가닛들의 경우, 대략 1.8의 굴절률(nD)을 가짐) 광학 굴절률, 즉 광학 컴포넌트의 효율성이 따라서 다시 한 번 증가될 수 있다. 그런 다음, 변환 엘리먼트는 무-인광체 실리콘 층, 즉 저융점 유리로 만들어진 층을 이용하여 또는 졸-겔 방법에 의하여 컴포넌트 상에 고정될 수 있다.
납이 없는 저융점 유리(대략 400℃와 600℃ 사이의 연화 온도를 가짐)가 연질 유리 또는 경질 유리(650℃와 950℃ 사이의 연화 온도들을 가짐) 대신에 유리 재료로서 사용된다면, 이 유리는 메인 컴포넌트로서 아연-함유 붕산염 유리, 아연-비스무트-붕산염 유리, 알루미늄 인산염 유리, 알루미늄-아연-인산염 유리, 또는 알칼리 인산염 유리를 포함할 수 있다. 소위 낮은 Tg 유리들, 예컨대 스코트로부터의 P-PK53 ― 그 Tg는 통상적으로 기껏해야 550℃임 ― 의 사용이 또한 가능하다. 예컨대, 가닛(예컨대, YAG:Ce, LuAG 등), 질화물, SiON, 및/또는 오소실리게이트가 경질 유리, 연질 유리 또는 저융점 유리로 스며들기 위한 인광체로서 사용가능하다. 부가하여, 두 개 또는 그 초과의 상이한 이차 스펙트럼들 또는 특정 비색 로커스를 생산하기 위해, 다수의 상이한 타입들의 인광체들이 서로 결합하여 사용될 수 있다. 제1 인광체가 변환 엘리먼트(10)의 제1 부분 층 안으로 도입될 수 있고, 제2의 상이한 인광체가 변환 엘리먼트의 제2의 상이한 부분 층 안으로 도입될 수 있다.
본 발명에 따라 이후에 수행되는 인광체의 스며듦의 도움으로, 특히 각각의 인광체의 불균일한 분포가 유리 또는 유리 재료의 층 두께의 방향으로 생성될 수 있다. 인광체의 분포는 변환 엘리먼트의 표면들(1A, 1B)에 평행한 방향으로 균일할 수 있다. 대안적으로, 불균일한 인광체 분포가 또한 측면 방향으로 제공될 수 있다. 이를 위해, 도 2a 및 도 2f의 인광체가 유리 재료의 표면에 불균일하게 적용될 것이다. 측면 인광체 분포의 적절한 선택에 의해, 방출 특징이 목표가 된 방식으로 영향받을 수 있다. 부가 조치로서 또는 그에 대안적으로, 도 2d, 도 2h 또는 도 3 내지 도 7의 변환 엘리먼트가 하나의 표면(1A) 상에서 거칠게 될 수 있거나 또는 상기 변환 엘리먼트에 산란 층이 제공될 수 있다. 따라서, 방출 특징이 변환 엘리먼트에서 개선될 수 있고, 상기 변환 엘리먼트는 구 형상 또는 반구 형상의 컴포넌트로부터 이격된다. 이는, 예컨대 변환 엘리먼트 아래에 (특히 상이한 광 색들의) 다수의 컴포넌트들을 갖는 레트로피트 램프들에서 더욱 균일한 광 분포를 유발한다.

Claims (15)

  1. 광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10)를 생산하기 위한 방법으로서, 적어도 아래의 단계들:
    a) 인광체(4; 4a) 또는 인광체(4; 4a)를 포함하는 재료(3a)를, 투명하고 무-인광체이고 균일한 유리 재료(2a)의 표면(1A)에 적용하고, 그리고 상기 유리 재료(2a)의 연화 온도(Tw)를 초과하는 증가된 온도(T1)에서 온도 처리(TB1)의 수행 단계 ― 이로써, 상기 인광체(4; 4a)가 상기 유리 재료(2a)로 스며들기에 충분히 상기 유리 재료(2a)가 연화됨 ―; 및
    b) 스며든 인광체(4; 4a)를 포함하는 상기 유리 재료(2a)를 냉각시키는 단계
    를 포함하는,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10)를 생산하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 인광체(4; 4a) 또는 상기 인광체(4; 4a)를 포함하는 상기 재료(3a)는, 스프레잉, 확산, 페인팅, 정전기 증착에 의해, 페이스티(pasty) 층의 프린팅에 의해 또는 다른 방식으로, 상기 유리 재료(2a)의 상기 표면(1A) 상에 직접 적용되거나 또는 상기 유리 재료의 형상화를 위해 의도된 몰드(22) 또는 프레싱 몰드(23) 상에 이형제로서 적용되는,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10)를 생산하기 위한 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유리 재료(2a)는, 콤팩트하고 코히어런트하고 기포가 없는 유리 층으로서, 상기 인광체(4; 4a) 또는 상기 인광체(4; 4a)를 포함하는 상기 재료(3a)로 덮이고, 상기 온도 처리(TB1)를 겪는,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10)를 생산하기 위한 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 콤팩트하고 코히어런트하고 기포가 없는 유리 층은, 아직 가열되지 않은 상태로 제공되고, 상기 온도 처리(TB1)에 의해 연화되는,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10)를 생산하기 위한 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    첫째로 상기 유리 재료(2a)가 미리-몰딩된 고체 유리 기판(1)으로서 제공되고, 상기 온도 처리(TB1)가 수행되기 이전에 상기 인광체(4; 4a) 또는 상기 인광체(4; 4a)를 포함하는 상기 재료(3a)로 덮이는,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10)를 생산하기 위한 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인광체(4; 4a)가 연화되거나 또는 적어도 가열된 유리 재료(2a)의 상기 표면(1A)에 적용되기 이전에, 첫째로 상기 유리 재료(2a)의 상기 온도 처리(TB1)가 개시되는,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10)를 생산하기 위한 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유리 재료(2a)의 냉각 이전에, 그 동안에, 그리고/또는 그 이후에, 추가의 단계들:
    c) 추가 유리 재료(2a)로 만들어진 층(5)을 단계 a)에서 처리된 상기 유리 재료(2a) 상으로 적용하는 단계,
    d) 추가 인광체(4; 4b) 또는 추가 인광체(4; 4b)를 포함하는 층을 추가 층(5)의 표면(5A) 상으로 적용하는 단계 ― 여기서, 상기 표면(5A)은 단계 a)에서 처리된 상기 유리 재료(2a)로부터 떨어져 면함 ―, 및
    e) 상기 추가 인광체(4; 4b)를, 증가된 온도(T2)에서 스며듦으로써 상기 추가 유리 재료(2a)의 떨어져 면하는 상기 표면(5A) 안으로 도입시키는 단계
    에 의해 특징지어지는,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10)를 생산하기 위한 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 추가 유리 재료(2a)는, 인광체(4; 4a)로 이미 덮인, 단계 a)에서 처리된 상기 유리 재료(2a)의 면에 적용되고, 상기 추가 유리 재료(2a)에는 단계 a)에서 처리된 상기 유리 재료(2a)와 상이한 인광체(4; 4b)가 단계 d) 및 단계 e)에서 제공되는,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10)를 생산하기 위한 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유리 재료(2a)의 냉각 이전에, 그 동안에, 그리고/또는 그 이후에, 추가의 단계들:
    c) 추가 인광체(4; 4b) 또는 추가 인광체(4; 4b)를 포함하는 층(6)을, 단계 a)에서 처리된 상기 유리 재료(2b)의 추가의 반대 표면(1B)에 적용하는 단계, 및
    d) 상기 추가 인광체(4; 4b)를, 증가된 온도(T2)에서 스며듦으로써 제2의 반대 표면 안으로 도입시키는 단계
    에 의해 특징지어지는,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10)를 생산하기 위한 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    단계 a) 또는 c)에서 사용된 상기 유리 재료(2a)는, 5㎛와 1000㎛ 사이, 바람직하게 5㎛와 500㎛ 사이의 유리 두께를 갖는 평면-평행의 얇은 유리 또는 아주 얇은 유리, 또는 하나의 면 상에 캐비티(9)를 갖는 플라스크-형상화된 유리 바디(8), 또는 렌즈인,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10)를 생산하기 위한 방법.
  11. 광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10)로서,
    상기 변환 엘리먼트(10)는 적어도, 층을 이루거나 또는 다른 방식으로 몰딩되는 투명한 유리 기판(1)을 갖고,
    여기서, 상기 유리 기판(1)은 적어도 하나의 평면의 또는 만곡된 제1 표면(1A)과, 상기 제1 표면(1A)에 반대인 하나의 평면의 또는 만곡된 제2 표면(1B)을 갖고, 그들 사이에 상기 유리 기판(1)은 일정한 또는 가변하는 층 두께(d10)를 갖고,
    여기서, 변환 엘리먼트(10)는 인광체(4; 4a, 4b)를 포함하는 유리 재료(2a)로부터 형성되고,
    여기서, 상기 인광체(4; 4a, 4b)는 상기 변환 엘리먼트(10)의 상기 층 두께(d10)의 방향으로 불균일하게 분포되고, 그리고
    여기서, 상기 인광체(4; 4a, 4b)의 농도는 두 개의 표면들(1A, 1B) 중 제1 표면(1A)에서 지역적 최대치를 갖고, 제2의 반대 표면(1B) 쪽으로의 방향으로 감소하는,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10).
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 변환 엘리먼트(10)는 상기 유리 기판(1)의 상기 제2의 반대 표면(1B) 상의 산란 층(16)으로 덮이거나, 무광택처리되거나(matted), 또는 조면처리되는,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10).
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 변환 엘리먼트(10)의 상기 유리 재료(2a)는 두 개의 상이한 인광체들(4; 4a, 4b)을 포함하고, 그 중 제1 인광체(4a)가 상기 변환 엘리먼트(10)의 상기 층 두께의 방향으로 상기 두 개의 표면들(1A, 1B) 사이의 제1 포지션에서 농축되는 반면에, 그에 반해서 제2 인광체(4b)는 상기 변환 엘리먼트(10)의 상기 두 개의 표면들(1A, 1B) 중 제1 표면(1A)에, 또는 상기 층 두께의 방향으로 상기 제1 표면(1A)과 상기 제1 포지션 사이에 놓이는 제2 포지션에서 우세하게 농축되는,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10).
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 유리 기판(1)의 상기 제1 표면(1A)은 평면으로 또는 오목하게 되도록 몰딩되고, 상기 변환 엘리먼트(10)의 상기 층 두께(b10)의 방향으로 측정된, 상기 제1 표면(1A)과 상기 제2 인광체(4b)의 최대 농도의 포지션 사이의 거리는 1.0㎜ 미만, 바람직하게 200㎛ 미만인,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10).
  15. 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 변환 엘리먼트(10)는, 상기 인광체(4; 4a)의 농도가 지역적 최대치를 갖는 상기 표면(1A)을 이용하여, 세라믹 변환 층(17) 또는 광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20), 특히 반도체 칩(19) 상으로 설치, 특히 붙여지는,
    광학 및/또는 광전자 컴포넌트(20)에 대한 변환 엘리먼트(10).
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