KR20140032977A

KR20140032977A - Method for producing printed wiring board

Info

Publication number: KR20140032977A
Application number: KR1020137018368A
Authority: KR
Inventors: 노부키 다나카; 겐이치 가네다
Original assignee: 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2011-01-26
Filing date: 2012-01-19
Publication date: 2014-03-17
Also published as: JP2012169600A; TWI546006B; CN103340023A; WO2012101992A1; TW201236531A

Abstract

표면이 수지 조성물로 이루어진 기판의 해당 표면 위에 무전해 도금에 의해 무전해 도금층을 형성하는 공정과, 무전해 도금층 위에 개구를 갖는 레지스트 마스크를 형성하는 공정과, 개구 내에 전해 도금에 의해 전해 도금층을 형성하는 공정과, 레지스트 마스크를 제거하는 공정과, 무전해 도금층 중 평면시에서 전해 도금층과 겹치지 않는 부분을 에칭에 의해 선택적으로 제거하는 공정을 구비하고, 무전해 도금층을 형성하는 공정 후 및 전해 도금층을 형성하는 공정의 전에, 기판을 가열하는 제1 가열 공정을 갖는다.Forming an electroless plating layer by electroless plating on the surface of the substrate made of a resin composition, forming a resist mask having an opening on the electroless plating layer, and forming an electrolytic plating layer by electroplating in the openings And a step of removing the resist mask, and a step of selectively removing a portion of the electroless plated layer that does not overlap with the electrolytic plated layer by etching, after the step of forming the electroless plated layer and the electroplating layer. Before the process of forming, it has a 1st heating process which heats a board | substrate.

Description

프린트 배선판의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING PRINTED WIRING BOARD} METHOD FOR PRODUCING PRINTED WIRING BOARD [0002]

본 발명은 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for producing a printed wiring board.

전자기기의 고기능화 등의 요구에 수반해, 전자 부품의 고밀도 집적화, 나아가 고밀도 실장화 등이 진행되고 있다. 이 때문에, 전자 부품에 사용되는 고밀도 실장 대응의 프린트 배선판 등에 있어서도, 종래에도 늘어나서 소형박형화, 고밀도화 및 다층화가 진행되고 있다. Background Art With the demand for high functionalization of electronic devices, high density integration of electronic components, and further high density mounting have been advanced. For this reason, also in the printed wiring board etc. corresponding to the high density mounting used for an electronic component, it is increasing conventionally, and small size reduction, high density, and multilayering are progressing.

프린트 배선판의 기판 위에 고밀도로 패턴 정밀도가 높은 도체 회로층을 효율적으로 형성하는 방법으로서 세미 애디티브법(SAP법)이 실시되기 시작하고 있다.Semi-additive method (SAP method) is beginning to be performed as a method of efficiently forming the conductor circuit layer with high pattern precision with high density on the board | substrate of a printed wiring board.

SAP법에 의한 회로의 형성은, 예를 들면, 다음과 같이 실시된다. 우선, 코어 기판 또는 층간 절연층의 수지 표면에 조화 처리를 실시한다. 그 다음으로, 조화 처리가 실시된 수지 표면 위에 하지가 되는 무전해 도금층을 형성한다. 그 다음으로, 도금 레지스트에 의해 비회로 형성부를 보호하고, 전해 도금에 의해 회로 형성부에 전해 도금층의 두꺼운 피복을 실시한다. 그 후, 레지스트를 제거해 상기 회로 형성부 이외의 무전해 도금층을 플래시 에칭으로 제거함으로써, 수지 표면 위에 회로가 형성된다. Formation of the circuit by the SAP method is performed as follows, for example. First, a roughening process is performed to the resin surface of a core board | substrate or an interlayer insulation layer. Next, an electroless plating layer serving as a base is formed on the resin surface subjected to the roughening treatment. Next, the non-circuit forming portion is protected by the plating resist, and the electrolytic plating is subjected to thick coating of the electrolytic plating layer by the electrolytic plating. Then, a circuit is formed on the resin surface by removing a resist and removing electroless plating layers other than the said circuit formation part by flash etching.

SAP법에 의하면, 수지 표면 위에 적층하는 금속층을 박막화할 수 있다. 이 때문에, 보다 미세한 회로 배선을 형성하는 것이 가능해진다.According to the SAP method, the metal layer laminated | stacked on the resin surface can be thinned. For this reason, it becomes possible to form a finer circuit wiring.

그렇지만, 종래의 코어 기판 또는 층간 절연층의 수지 표면에서 SAP법을 실시하는 경우, 도체 회로층과 수지 표면의 사이에서 충분한 밀착성이 얻어지지 않아 도체 회로층의 필 강도가 낮아지는 일이 있다. 이 경우, 예를 들면, 고온 고습 조건 하에 프린트 배선판이 노출되었을 때, 도체 회로층이 박리하고, 가습 팽창이 생기거나, 또는 접속 신뢰성을 해치는 등의 문제가 생길 수 있다.However, when SAP is performed on the resin surface of a conventional core board | substrate or an interlayer insulation layer, sufficient adhesiveness may not be obtained between a conductor circuit layer and a resin surface, and the peeling strength of a conductor circuit layer may fall. In this case, for example, when the printed wiring board is exposed under a high temperature and high humidity condition, a problem may occur such that the conductor circuit layer is peeled off, humidified expansion occurs, or the connection reliability is compromised.

또한, 최근의 패키지 기판의 박형화와 낮은 휨을 양립시키기 위해, 기판의 고강성, 저열팽창화를 목적으로 하여 충전재를 고충전하는 경우가 있다. 이 경우, SAP법에 의한 도체 회로층과 수지 표면의 밀착성의 문제가 나타나게 된다. 이것은 도금 또는 스미어(smear)의 제거 등에 있어서 약액(藥液) 처리를 할 때, 충전재의 영향을 받는 것이 한 요인이다.In addition, in order to make both a thinner package and a lower warpage of a recent package substrate, there are cases where the filler is highly charged for the purpose of high rigidity and low thermal expansion of the substrate. In this case, the problem of the adhesiveness of the conductor circuit layer and resin surface by SAP method will appear. This is one factor that is affected by the filler when the chemical liquid treatment is performed in plating or smear removal.

수지 표면과 도체 회로층의 밀착성을 향상시키기 위해서, 예를 들면, 특허 문헌 1, 2에 개시된 SAP법에서는 수지 표면의 요철이 1~7㎛가 되도록 수지 표면에 조화 처리를 실시하고 있다.In order to improve the adhesiveness of a resin surface and a conductor circuit layer, in the SAP method disclosed by patent document 1, 2, the roughening process is given to the resin surface so that the unevenness of the resin surface may be 1-7 micrometers.

또한, 특허 문헌 3에는 조화 처리가 실시되지 않은 동박에 실란 커플링제층을 적층하고, 그 위에 또한 극박 프라이머 수지층을 적층해 얻어진 극박 접착제층 부착 동박이 기재 수지와의 접착 강도가 뛰어나다는 취지가 기재되어 있다.Further, Patent Document 3 discloses that the copper foil with an ultrathin adhesive layer obtained by laminating a silane coupling agent layer on a copper foil not subjected to a roughening treatment, and further laminating an ultrathin primer resin layer thereon is excellent in adhesive strength with a base resin. It is described.

일본 특개 2003-69218호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2003-69218 일본 특개 2003-60341호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2003-60341 일본 특개 2005-053218호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2005-053218

본 발명은 세미 애디티브법에 의해 코어 기판 또는 층간 절연층의 수지 표면에 대한 밀착성이 높은 도체 회로층을 형성하고, 나아가서는 도체 회로층의 필 강도가 높은 프린트 배선판을 얻는 것을 목적으로 한다.An object of this invention is to form the conductor circuit layer with high adhesiveness with respect to the resin surface of a core board | substrate or an interlayer insulation layer by a semiadditive method, and to obtain a printed wiring board with a high peeling strength of a conductor circuit layer further.

본 발명에 의하면, 표면이 수지 조성물로 이루어진 기판의 상기 표면 위에 무전해 도금에 의해 무전해 도금층을 형성하는 공정과,According to this invention, the process of forming an electroless plating layer by electroless plating on the said surface of the board | substrate which consists of a resin composition,

상기 무전해 도금층 위에 개구를 갖는 레지스트 마스크를 형성하는 공정과,Forming a resist mask having an opening on the electroless plating layer;

상기 개구 내에 전해 도금에 의해 전해 도금층을 형성하는 공정과,Forming an electroplating layer by electroplating in the opening;

상기 레지스트 마스크를 제거하는 공정과,Removing the resist mask;

상기 무전해 도금층 중 평면시에서 상기 전해 도금층과 겹치지 않는 부분을 에칭에 의해 선택적으로 제거하는 공정을 구비하고,And selectively removing portions of the electroless plating layer that do not overlap with the electrolytic plating layer by etching in planar view,

상기 무전해 도금층을 형성하는 공정 후 및 상기 전해 도금층을 형성하는 공정의 전에 상기 기판을 가열하는 제1 가열 공정, 및/또는 상기 전해 도금층을 형성하는 공정 후에 상기 기판을 가열하는 제2 가열 공정을 갖는 프린트 배선판의 제조 방법이 제공된다.A first heating step of heating the substrate after the step of forming the electroless plating layer and before the step of forming the electrolytic plating layer, and / or a second heating step of heating the substrate after the step of forming the electrolytic plating layer. The manufacturing method of the printed wiring board which has is provided.

본 발명에 의하면, 세미 애디티브법에 의해, 코어 기판 또는 층간 절연층의 수지 표면에 대한 밀착성이 높은 도체 회로층을 형성하고, 나아가서는 도체 회로층의 필 강도가 높은 프린트 배선판을 얻을 수 있다.According to the present invention, a semi-additive method can form a conductor circuit layer having high adhesion to the resin surface of a core substrate or an interlayer insulating layer, and furthermore, a printed wiring board having a high peel strength of the conductor circuit layer can be obtained.

앞서 말한 목적 및 그 외의 목적, 특징 및 이점은 이하에 기재하는 바람직한 실시의 형태 및 그것에 부수하는 이하의 도면에 의해 더 명백해진다.
도 1은 본 실시 형태와 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 설명하는 모식도이다.
도 2는 본 실시 형태와 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 설명하는 플로우도이다.The foregoing and other objects, features, and advantages will become more apparent from the preferred embodiments described below and the accompanying drawings attached thereto.
FIG. 1: is a schematic diagram explaining an example of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this embodiment.
2 is a flowchart for explaining an example of a method for manufacturing a printed wiring board according to the present embodiment.

이하, 본 발명의 실시의 형태에 대해서 도면을 이용해 설명한다. 또한, 모든 도면에서 동일한 구성요소에는 동일한 부호를 붙여서 적절히 설명을 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described using drawing. In addition, in all drawings, the same code | symbol is attached | subjected to the same component, and description is abbreviate | omitted suitably.

도 1은 본 실시 형태와 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 설명하는 모식도이다. 도 2는 본 실시 형태와 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 설명하는 플로우도이다.FIG. 1: is a schematic diagram explaining an example of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this embodiment. 2 is a flowchart for explaining an example of a method for manufacturing a printed wiring board according to the present embodiment.

본 실시 형태와 관련된 프린트 배선판의 제조 방법은 표면이 수지 조성물로 이루어진 프린트 배선판용 기판(1)의 상기 표면 위에 무전해 도금에 의해 무전해 도금층(2)을 형성하는 공정과, 무전해 도금층(2) 위에 개구를 갖는 레지스트 마스크(3)를 형성하는 공정과, 레지스트 마스크(3)의 개구 내에 전해 도금에 의해 전해 도금층(4)을 형성하는 공정과, 레지스트 마스크(3)를 제거하는 공정과, 무전해 도금층(2) 중 평면시에서 전해 도금층(4)과 겹치지 않는 부분을 에칭에 의해 선택적으로 제거하는 공정을 구비한다.The manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this embodiment is a process of forming the electroless plating layer 2 by electroless plating on the said surface of the printed wiring board substrate 1 which consists of a resin composition, and the electroless plating layer 2 Forming a resist mask 3 having an opening on the upper surface), forming an electroplating layer 4 by electroplating in the opening of the resist mask 3, removing the resist mask 3, The process of selectively removing the part of the electroless plating layer 2 which does not overlap with the electrolytic plating layer 4 by planarization is provided.

또한, 본 실시 형태와 관련된 프린트 배선판의 제조 방법은 무전해 도금층(2)을 형성하는 공정 후로서 전해 도금층(4)을 형성하는 공정 전에 프린트 배선판용 기판(1)을 가열하는 제1 가열 공정, 및/또는 전해 도금층(4)을 형성하는 공정 후에 프린트 배선판용 기판(1)을 가열하는 제2 가열 공정을 갖는다.Moreover, the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this embodiment is the 1st heating process of heating the board | substrate 1 for printed wiring boards after the process of forming an electroless plating layer 2, and before the process of forming an electroplating layer 4, And / or a second heating step of heating the substrate 1 for printed wiring board after the step of forming the electrolytic plating layer 4.

이와 같은 본 실시 형태에 의하면, 프린트 배선판용 기판과 도체 회로층의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 본 실시 형태에 의해 얻어진 프린트 배선판을 구성하는 도체 회로층의 필 강도를 높게 하는 것이 가능해진다. According to such this embodiment, adhesiveness of the board | substrate for printed wiring boards and a conductor circuit layer can be improved. For this reason, it becomes possible to make the peeling strength of the conductor circuit layer which comprises the printed wiring board obtained by this embodiment high.

제2 가열 공정은 전해 도금층(4)을 형성하는 공정과 레지스트 마스크(3)를 제거하는 공정의 사이, 레지스트 마스크(3)를 제거하는 공정과 무전해 도금층(2)을 선택적으로 제거하는 공정의 사이, 또는 무전해 도금층(2)을 선택적으로 제거하는 공정 후에 실시할 수 있다. 무전해 도금층(2)을 선택적으로 제거하는 공정 후에 제2 가열 공정을 실시하는 경우, 무전해 도금층(2)을 선택적으로 제거한 후에 제2 가열 공정에 의한 가열 처리를 실시하여 회로층 형성 단계는 종료된다. The second heating step includes a step of removing the resist mask 3 and a step of selectively removing the electroless plating layer 2 between the step of forming the electroplating layer 4 and the step of removing the resist mask 3. Or after the step of selectively removing the electroless plating layer 2. In the case where the second heating step is performed after the step of selectively removing the electroless plating layer 2, the step of performing the heat treatment by the second heating step after selectively removing the electroless plating layer 2 is completed so that the circuit layer forming step is completed. do.

제1 가열 공정 및 제2 가열 공정을 모두 실시함으로써, 프린트 배선판용 기판과 도체 회로층의 밀착성을 더욱 향상시키는 것이 가능해진다.By performing both a 1st heating process and a 2nd heating process, it becomes possible to further improve the adhesiveness of the board | substrate for printed wiring boards and a conductor circuit layer.

이하, 도 1 및 도 2를 기초로 본 발명에 관한 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 설명한다. 도 1 및 도 2에 나타내는 프린트 배선판의 제조 방법은 프린트 배선판용 기판(1)을 준비하는 공정(공정 (a)), 무전해 도금층(2)을 형성하는 공정(공정 (b)), 레지스트 마스크(3)를 형성하는 공정(공정 (c)), 전해 도금층(4)을 형성하는 공정(공정 (d)), 레지스트 마스크(3)를 제거하는 공정(공정 (e)) 및 무전해 도금층(4)을 선택적으로 제거하는 공정(공정 (f))의 각 공정을 차례로 실시함으로써 도체 회로층을 형성하는 회로층 형성 단계를 포함한다. 제1 가열 공정은 공정 (b)와 공정 (c)의 사이에 실시된다. 제2 가열 공정은 공정 (f) 후에 실시된다.Hereinafter, an example of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention is demonstrated based on FIG. 1 and FIG. The manufacturing method of the printed wiring board shown to FIG. 1 and FIG. 2 is a process of preparing the board | substrate 1 for printed wiring boards (step (a)), the process of forming the electroless plating layer 2 (step (b)), and a resist mask (3) forming step (step (c)), forming electrolytic plating layer 4 (step (d)), removing resist mask 3 (step (e)), and electroless plating layer ( And a circuit layer forming step of forming a conductor circuit layer by sequentially performing each step of the step of selectively removing 4) (step (f)). The first heating step is performed between step (b) and step (c). The second heating step is carried out after the step (f).

또한, 본 실시 형태와 관련된 프린트 배선판의 제조 방법은 상기의 방법으로 한정되지 않는다. 제1 가열 공정은 공정 (b)와 공정 (c)의 사이, 또는 공정 (c)와 공정 (d)의 사이에 실시할 수 있다. 또한, 제2 가열 공정은 공정 (d)와 공정 (e)의 사이, 공정 (e)과 공정 (f)의 사이, 또는 공정 (f) 후에 실시할 수 있다. 또한, 제1 가열 공정과 제2 가열 공정 양쪽 모두를 실시해도 되고, 어느 한쪽만을 실시해도 되지만, 제1 가열 공정 및 제2 가열 공정 양쪽 모두를 실시하는 것이 바람직하다.In addition, the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this embodiment is not limited to said method. The first heating step can be performed between step (b) and step (c) or between step (c) and step (d). In addition, a 2nd heating process can be performed between process (d) and process (e), between process (e) and process (f), or after process (f). In addition, although both a 1st heating process and a 2nd heating process may be performed, and either may be performed, it is preferable to perform both a 1st heating process and a 2nd heating process.

우선, 도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 공정 (a)에서 프린트 배선판용 기판(1)을 준비한다. First, as shown to Fig.1 (a), the board | substrate 1 for printed wiring boards is prepared in process (a).

프린트 배선판용 기판(1)으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 적층체나 금속 부착 적층판 등으로 이루어진 코어 기판, 또는 내층 회로가 피복된 절연층을 갖는 다층화 기판 등을 이용할 수 있다. 본 실시 형태와 관련된 프린트 배선판의 제조 방법은 절연성 수지 조성물로 이루어진 표면에 SAP법에 의해 도체 회로층을 형성하는 경우이면 적용할 수 있다. 본 실시 형태와 관련된 프린트 배선판의 제조 방법은, 예를 들면, 코어 기판 위의 도체 회로층, 또는 다층 프린트 배선판의 내층 회로 혹은 외층 회로를 형성하는 경우에 적용할 수 있다.Although it does not specifically limit as the board | substrate 1 for printed wiring boards, For example, the core board which consists of laminated bodies, a laminated board with a metal, etc., or the multilayered board | substrate which has an insulation layer with which the inner layer circuit was coat | covered, etc. can be used. The manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this embodiment can be applied if it is a case where a conductor circuit layer is formed by the SAP method on the surface which consists of insulating resin compositions. The manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this embodiment is applicable, for example, when forming the inner circuit or outer circuit of a conductor circuit layer on a core board | substrate, or a multilayer printed wiring board.

코어 기판을 구성하는 상기 적층체로는, 예를 들면, 프리프레그를 복수매 포개어 겹친 것 등을 이용할 수 있다. 프리프레그는 특별히 한정되지 않지만, 공지의 방법에 의해 얻을 수 있다. 프리프레그는 예를 들면, 열경화성 수지, 경화제 및 충전제 등을 함유한 수지 조성물의 바니시를 함침시킨 유리 클로스(cloth) 등의 기재를 가열 건조함으로써 형성된다. As said laminated body which comprises a core board | substrate, what piled up several sheets of prepreg, etc. can be used, for example. The prepreg is not particularly limited, but can be obtained by a known method. The prepreg is formed, for example, by heating and drying a substrate such as a glass cloth impregnated with a varnish of a resin composition containing a thermosetting resin, a curing agent, a filler, and the like.

코어 기판을 구성하는 상기 금속 부착 적층판으로는, 예를 들면, 프리프레그 또는 상기 적층체의 적어도 한면에 금속박을 포개어 겹쳐서 가열 가압 성형한 것 등을 이용할 수 있다. 또한, 금속 부착 적층판을 프린트 배선판용 기판(1)으로 하여 이용하는 경우, 표면에 마련된 금속박을 에칭 등의 방법에 의해 제거한 금속 부착 적층판이 이용된다. 이것에 의해, 프린트 배선판용 기판(1)의 표면이 수지 조성물에 의해 구성되게 된다.As the said laminated board with a metal which comprises a core board | substrate, what laminated | stacked and heat-molded metal foil on at least one surface of the prepreg or the said laminated body, etc. can be used, for example. In addition, when using as a board | substrate 1 for printed wiring boards, the metal laminated board is used, The metal laminated board which removed the metal foil provided in the surface by methods, such as an etching, is used. Thereby, the surface of the board | substrate 1 for printed wiring boards is comprised by a resin composition.

상기 다층화 기판으로는, 예를 들면, 도금 스루홀법이나 빌드업법 등에 의해, 코어 기판 위에 층간 절연층을 개재하여 내층 회로가 되는 도체 회로층을 적층하고, 다층 배선화되어 있는 도중의 적층체로서 최표면에 층간 절연층이 적층되어 있는 것 등을 이용할 수 있다. 상기 층간 절연층은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 프리프레그 또는 기재를 포함하지 않는 수지 조성물 등에 의해 구성된다. As the multilayered substrate, for example, a conductor circuit layer, which becomes an inner layer circuit, is laminated on a core substrate via an interlayer insulating layer on the core substrate by a plating through hole method, a buildup method, or the like, and the outermost surface as a laminate in the course of multilayer wiring. The interlayer insulation layer laminated | stacked on etc. can be used. Although the said interlayer insulation layer is not specifically limited, For example, it is comprised by the resin composition etc. which do not contain a prepreg or a base material.

상기 내층 회로가 되는 도체 회로층은 예를 들면, SAP법에 의한 회로 형성 단계에서 제1 가열 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 본 실시 형태와 관련된 회로 형성 방법에 의해 형성된다. 이것에 의해, 내층 회로가 되는 도체 회로층의 필 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 내층 회로가 되는 도체 회로층은 종래 공지의 회로 형성 방법에 의해 형성되어도 된다. The conductor circuit layer which becomes the said inner layer circuit is formed by the circuit formation method which concerns on this embodiment, for example, performing a 1st heating process in the circuit formation step by SAP method. Thereby, the peeling strength of the conductor circuit layer used as an inner layer circuit can be improved. Moreover, the conductor circuit layer used as an inner layer circuit may be formed by a conventionally well-known circuit formation method.

또한, 상기 적층체 또는 상기 금속 부착 적층판으로 이루어진 코어 기판의 양면에 마련된 도체 회로층은, 예를 들면, 드릴 가공 또는 레이저 가공 등에 의해 코어 기판에 형성된 스루홀 내에 도금층 등을 형성함으로써 서로 전기적으로 접속된다.Further, the conductor circuit layers provided on both surfaces of the core substrate made of the laminate or the metal laminate plate are electrically connected to each other by forming a plating layer or the like in a through hole formed in the core substrate by, for example, drilling or laser processing. do.

도체 회로층의 지지체가 되는 프린트 배선판용 기판(1)은 절연성의 수지 조성물로 이루어진 표면을 갖는다. 프린트 배선판용 기판(1)의 표면을 구성하는 수지 조성물은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 적어도 열경화성 수지가 포함되는 수지 조성물이다. 이러한 열경화성 수지로는, 예를 들면, 우레아(요소) 수지, 멜라민 수지, 말레이미드 화합물 폴리우레탄 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 벤조옥사진환을 갖는 수지, 비스알릴나디이미드 화합물, 비닐벤질 수지, 비닐벤질에테르 수지, 벤조시클로부텐 수지, 시아네이트 수지, 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 열경화성 수지는 이들 중 유리 전이 온도가 200℃ 이상이 되는 조합으로 이루어진 것이 바람직하다. 이들 중에서도, 열경화성 수지는 유리 전이 온도가 200℃ 이상이 되는 조합이 바람직하다. 이 때문에, 열경화성 수지로는, 예를 들면, 스피로환 함유, 복소환식, 트리메틸올형, 비페닐형, 나프탈렌형, 안트란형, 노볼락형의 2 또는 3 관능 이상의 에폭시 수지, 시아네이트 수지(시아네이트 수지의 프리폴리머를 포함한다), 말레이미드 화합물, 벤조시클로부텐 수지, 벤조옥사진환을 갖는 수지를 이용하는 것이 바람직하다.The board | substrate 1 for printed wiring boards used as a support body of a conductor circuit layer has the surface which consists of an insulating resin composition. Although the resin composition which comprises the surface of the board | substrate 1 for printed wiring boards is not specifically limited, For example, it is a resin composition which contains at least a thermosetting resin. Examples of such thermosetting resins include urea (urea) resins, melamine resins, maleimide compound polyurethane resins, unsaturated polyester resins, resins having benzoxazine rings, bisallyl nadiimid compounds, vinyl benzyl resins, and vinyl benzyls. Ether resin, benzocyclobutene resin, cyanate resin, epoxy resin and the like. It is preferable that a thermosetting resin consists of the combination which the glass transition temperature becomes 200 degreeC or more among these. Among these, the combination whose thermosetting resin becomes glass transition temperature 200 degreeC or more is preferable. For this reason, as a thermosetting resin, a spiro ring containing, a heterocyclic type, a trimethylol type, a biphenyl type, a naphthalene type, an antran type, a novolak type | mold 2 or trifunctional or more epoxy resin and cyanate resin (Chia It is preferred to use a resin having a prepolymer of a nate resin), a maleimide compound, a benzocyclobutene resin, and a benzoxazine ring.

열경화성 수지로서 에폭시 수지 및/또는 시아네이트 수지를 이용함으로써, 수지 조성물의 선팽창을 작게 하고, 또 수지 조성물의 내열성을 현저하게 향상시킬 수 있다. 또한, 에폭시 수지 및/또는 시아네이트 수지를 고충전량의 충전재와 조합함으로써, 난연성, 내열성, 내충격성, 고강성 및 전기 특성(낮은 유전율, 낮은 유전 정접)이 뛰어난 수지 조성물을 얻을 수 있다. By using an epoxy resin and / or cyanate resin as a thermosetting resin, the linear expansion of a resin composition can be made small and the heat resistance of a resin composition can be improved remarkably. In addition, by combining an epoxy resin and / or a cyanate resin with a high-filling filler, a resin composition excellent in flame retardancy, heat resistance, impact resistance, high rigidity and electrical properties (low dielectric constant, low dielectric tangent) can be obtained.

여기서, 내열성의 향상은 경화 반응 후의 열경화성 수지의 유리 전이 온도가 200℃ 이상이 되는 것, 경화 후의 수지 조성물의 열분해 온도가 높아지는 것, 250℃ 이상에서 반응 잔사 등의 저분자량 성분이 저감되는 것에 기인한다고 생각된다. Here, the improvement in heat resistance is attributable to the fact that the glass transition temperature of the thermosetting resin after the curing reaction is 200 ° C or higher, the thermal decomposition temperature of the resin composition after curing is increased, and low molecular weight components such as the reaction residue are reduced at 250 ° C or higher. I think.

또한, 난연성의 향상은 구조상 벤젠환의 비율이 높은 방향족계의 열경화성 수지에 있어서, 벤젠환이 탄화(그래파이트화)하기 쉽기 때문에 탄화 부분이 생기는 것에 기인한다고 생각된다.In addition, the improvement of flame retardance is considered to be due to the formation of a carbonized portion in the aromatic thermosetting resin having a high ratio of benzene rings due to its structure, since the benzene ring is easily carbonized (graphitized).

상기 에폭시 수지로는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐 노볼락형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 디히드로안트라센형 에폭시 수지, 3 관능 페놀형 에폭시 수지, 4 관능 페놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 아랄킬 변성 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 폴리올형 에폭시 수지, 글리시딜아민, 글리시딜에스테르, 부타디엔 등의 이중 결합이 에폭시화된 화합물, 수산기 함유 실리콘 수지류와 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 에폭시 수지는 나프탈렌형 또는 아릴 알킬렌형 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 나프탈렌형 또는 아릴 알킬렌형 에폭시 수지를 이용함으로써, 얻어지는 적층판의 흡습 납땜 내열성(흡습 후의 납땜 내열성) 및 난연성을 향상시킬 수 있다. 나프탈렌형 에폭시로는 DIC(주) 제의 HP-4700, HP-4770, HP-4032D, HP-5000, 일본 화약(주) 제의 NC-7300L, 신일철 화학(주) 제의 ESN-375 등을 들 수 있다. 또한, 아릴 알킬렌형 에폭시 수지로는 일본 화약(주) 제의 NC-3000, NC-3000L, NC-3000-FH, 일본 화약(주) 제의 NC-7300L, 신일철 화학(주) 제의 ESN-375 등을 들 수 있다. 아릴 알킬렌형 에폭시 수지란, 반복 단위 중에 방향족기와 메틸렌 등의 알킬렌기의 조합을 하나 이상 포함하는 에폭시 수지인 것이 바람직하고, 내열성, 난연성 및 기계적 강도가 뛰어나다.As said epoxy resin, a bisphenol A epoxy resin, a bisphenol F epoxy resin, a phenol novolak-type epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, a bisphenol A novolak-type epoxy resin, a biphenyl novolak-type epoxy, for example Resin, anthracene type epoxy resin, dihydroanthracene type epoxy resin, trifunctional phenol type epoxy resin, tetrafunctional phenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, aralkyl modified epoxy resin, alicyclic epoxy resin, The compound obtained by reaction of double bonds, such as a polyol-type epoxy resin, glycidylamine, glycidyl ester, butadiene, and the like by hydroxyl-containing silicone resin and epichlorohydrin, etc. are mentioned. Among these, it is preferable that an epoxy resin is a naphthalene type or an aryl alkylene type epoxy resin. By using a naphthalene type or an aryl alkylene type epoxy resin, the moisture absorption solder heat resistance (solder heat resistance after moisture absorption) and flame retardance of the laminated board obtained can be improved. As naphthalene type epoxy, HP-4700, HP-4770, HP-4032D, HP-5000 made by DIC Corporation, NC-7300L made by Nippon Gunpowder Co., Ltd., ESN-375 made by Shinil Iron Chemical Co., Ltd., etc. Can be mentioned. As the aryl alkylene type epoxy resin, NC-3000, NC-3000L, NC-3000-FH manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-7300L by Nippon Kayaku Co., Ltd., and ESN- manufactured by Shinil Iron Chemical Co., Ltd. 375 etc. are mentioned. The aryl alkylene type epoxy resin is preferably an epoxy resin containing at least one combination of an aromatic group and an alkylene group such as methylene in the repeating unit, and is excellent in heat resistance, flame retardancy and mechanical strength.

상기 시아네이트 수지는 예를 들면, 할로겐화 시안 화합물과 페놀류를 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 시아네이트 수지의 구체적인 예로는, 예를 들면, 페놀 노볼락형 시아네이트 수지, 크레졸 노볼락형 시아네이트 수지 등의 노볼락형 시아네이트 수지, 나프톨 아랄킬형 시아네이트 수지, 디시클로펜타디엔형 시아네이트 수지, 비페닐형 시아네이트 수지, 비스페놀 A형 시아네이트 수지, 비스페놀 AD형 시아네이트 수지, 테트라메틸 비스페놀 F형 시아네이트 수지 등의 비스페놀형 시아네이트 수지 등을 들 수 있다.The cyanate resin can be obtained by, for example, reacting a cyanide halide compound with phenols. As a specific example of cyanate resin, For example, novolak-type cyanate resins, such as a phenol novolak-type cyanate resin and a cresol novolak-type cyanate resin, a naphthol aralkyl type cyanate resin, and a dicyclopentadiene type cyanate Bisphenol type cyanate resin, such as resin, biphenyl type cyanate resin, bisphenol A type cyanate resin, bisphenol AD type cyanate resin, and tetramethyl bisphenol F type cyanate resin, etc. are mentioned.

이들 중에서도 특히 노볼락형 시아네이트 수지, 나프톨 아랄킬형 시아네이트 수지, 디시클로펜타디엔형 시아네이트 수지, 또는 비페닐형 시아네이트 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 시아네이트 수지를 수지 조성물의 전체 고형분 중에 10중량％ 이상 포함하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 프리프레그의 내열성(유리 전이 온도, 열분해 온도)을 향상시킬 수 있다. 또한, 프리프레그의 열팽창 계수(특히, 프리프레그의 두께 방향의 열팽창 계수)를 저하시킬 수 있다. 프리프레그의 두께 방향의 열팽창 계수를 저하시킴으로써, 다층 프린트 배선의 응력 변형을 경감할 수 있다. 또한, 미세한 층간 접속부를 갖는 다층 프린트 배선판에서는 그 접속 신뢰성을 큰 폭으로 향상시킬 수 있다. Especially among these, it is preferable to contain a novolak-type cyanate resin, a naphthol aralkyl type cyanate resin, a dicyclopentadiene type cyanate resin, or a biphenyl type cyanate resin. Moreover, it is preferable to contain the said cyanate resin in 10 weight% or more in the total solid of a resin composition. Thereby, heat resistance (glass transition temperature, pyrolysis temperature) of a prepreg can be improved. In addition, the thermal expansion coefficient of the prepreg (particularly, the thermal expansion coefficient in the thickness direction of the prepreg) can be reduced. By lowering the coefficient of thermal expansion in the thickness direction of the prepreg, stress deformation of the multilayer printed wiring can be reduced. Moreover, in the multilayer printed wiring board which has a fine interlayer connection part, the connection reliability can be improved significantly.

노볼락형 시아네이트 수지 중에서도 바람직한 것으로는 하기 식(1)로 나타낸 노볼락형 시아네이트 수지를 들 수 있다. 이 경우, 중량 평균 분자량이 큰 노볼락형 시아네이트 수지와 중량 평균 분자량이 작은 노볼락형 시아네이트 수지를 조합해 이용하는 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 큰 노볼락형 시아네이트 수지의 중량 평균 분자량은 2000 이상이 바람직하고, 2000~10,000이 보다 바람직하며, 2,200~3,500이 더욱 바람직하다. 또한, 중량 평균 분자량이 작은 노볼락형 시아네이트 수지의 중량 평균 분자량은 1500 이하가 바람직하고, 200~1,300이 보다 바람직하다. 또한, 본 실시 형태에서의 중량 평균 분자량은 폴리스티렌 환산의 겔 투과 크로마토그래피법으로 측정한 값이다.As a preferable thing among novolak-type cyanate resin, the novolak-type cyanate resin represented by following formula (1) is mentioned. In this case, it is preferable to use the novolak-type cyanate resin with a large weight average molecular weight, and the novolak-type cyanate resin with a small weight average molecular weight. 2000 or more are preferable, as for the weight average molecular weight of the novolak-type cyanate resin with a large weight average molecular weight, 2000-10,000 are more preferable, and 2,200-3,500 are more preferable. Moreover, 1500 or less are preferable and, as for the weight average molecular weight of the novolak-type cyanate resin with a small weight average molecular weight, 200-1,300 are more preferable. In addition, the weight average molecular weight in this embodiment is the value measured by the gel permeation chromatography method of polystyrene conversion.

식(1) 중 n은 0 이상의 정수를 나타낸다. In formula (1), n represents an integer of 0 or more.

또한, 시아네이트 수지로는 하기 일반식(2)로 나타낸 시아네이트 수지도 매우 적합하게 이용된다. 하기 일반식(2)로 나타낸 시아네이트 수지는 α-나프톨 혹은 β-나프톨 등의 나프톨류와 p-크실릴렌글리콜, α,α'-디메톡시-p-크실렌, 1,4-디(2-히드록시-2-프로필)벤젠 등과의 반응에 의해 얻어지는 나프톨 아랄킬 수지와 시안산을 축합시켜 얻어지는 것이다. 일반식(2)의 n은 1 이상이지만, 10 이하인 것이 더욱 바람직하다. n이 10 이하인 경우, 수지 점도가 높아지지 않아 기재에 대한 함침성이 양호해지기 때문에 적층판으로서의 성능을 저하시키지 않는다. 또, 합성시에 분자 내 중합이 일어나기 어려워, 수세시의 분액성을 향상시켜 수량의 저하를 방지할 수 있다.Moreover, as cyanate resin, the cyanate resin represented by following General formula (2) is also used suitably. The cyanate resin represented by the following general formula (2) includes naphthols such as α-naphthol or β-naphthol, p-xylylene glycol, α, α'-dimethoxy-p-xylene, and 1,4-di (2). It is obtained by condensing a naphthol aralkyl resin and cyanic acid obtained by reaction with -hydroxy-2-propyl) benzene. N of General formula (2) is 1 or more, but it is more preferable that it is 10 or less. When n is 10 or less, since resin viscosity does not become high and the impregnation property with respect to a base material becomes favorable, it does not reduce the performance as a laminated board. In addition, intramolecular polymerization hardly occurs at the time of synthesis, and the separation property at the time of washing with water can be improved, and the fall of water quantity can be prevented.

식(2) 중 R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n은 1 이상의 정수를 나타낸다.In formula (2), R represents a hydrogen atom or a methyl group, n represents an integer of 1 or more.

또한, 시아네이트 수지로서 하기 식(3)으로 나타낸 디시클로펜타디엔형 시아네이트 수지도 매우 적합하게 이용된다.Moreover, the dicyclopentadiene type cyanate resin represented by following formula (3) is also used suitably as cyanate resin.

식(3) 중 n은 0~8의 정수를 나타낸다.In formula (3), n represents the integer of 0-8.

또한, 상기 열경화성 수지 조성물 중에는 내열성의 점에서 말레이미드 화합물이 포함되어 있어도 된다. 말레이미드 화합물은 1 분자 중에 1개 이상의 말레이미드 기를 갖는 화합물이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 그 구체적인 예로는, N-페닐말레이미드, N-히드록시페닐말레이미드, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)-페닐}프로판, 비스(3,5-디메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3,5-디에틸-4-말레이미드페닐)메탄, 폴리페닐메탄말레이미드, 이들 말레이미드 화합물의 프리폴리머, 혹은 말레이미드 화합물과 아민 화합물의 프리폴리머 등을 들 수 있다. In addition, a maleimide compound may be contained in the said thermosetting resin composition from a heat resistant point. The maleimide compound is not particularly limited as long as it is a compound having one or more maleimide groups in one molecule. Specific examples thereof include N-phenylmaleimide, N-hydroxyphenylmaleimide, bis (4-maleimidephenyl) methane, 2,2-bis {4- (4-maleimidephenoxy) -phenyl} propane, Bis (3,5-dimethyl-4-maleimidephenyl) methane, bis (3-ethyl-5-methyl-4-maleimidephenyl) methane, bis (3,5-diethyl-4-maleimidephenyl) methane And polyphenylmethane maleimide, a prepolymer of these maleimide compounds, or a prepolymer of a maleimide compound and an amine compound.

또한, 상기 열경화성 수지 조성물 중에는 금속박과의 밀착성의 점에서, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 또는 페녹시 수지가 포함되어 있어도 된다.In addition, the thermosetting resin composition may contain a polyimide resin, a polyamide resin, a polyamideimide resin, or a phenoxy resin in terms of adhesion to metal foil.

수지 조성물 중의 열경화성 수지의 양은 수지 조성물의 전체 고형분 중에 10~90중량％인 것이 바람직하고, 20~70중량％가 보다 바람직하며, 25~50중량％인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 수지 조성물 중의 열경화성 수지의 양은 그 목적에 따라 적절히 조정되면 되고, 특별히 한정되지 않는다.It is preferable that it is 10-90 weight% in the total solid of a resin composition, as for the quantity of the thermosetting resin in a resin composition, 20-70 weight% is more preferable, It is still more preferable that it is 25-50 weight%. In addition, what is necessary is just to adjust suitably the quantity of the thermosetting resin in a resin composition according to the objective, and it is not specifically limited.

또한, 열경화성 수지로서 에폭시 수지 및/또는 시아네이트 수지를 이용하는 경우, 에폭시 수지의 함유량은 수지 조성물의 전체 고형분 중에 5~50중량％인 것이 바람직하고, 5~25중량％인 것이 보다 바람직하다. 또한, 시아네이트 수지의 함유량은 수지 조성물의 전체 고형분 중에 5~50중량％인 것이 바람직하고, 10~25중량％인 것이 보다 바람직하다.Moreover, when using an epoxy resin and / or cyanate resin as a thermosetting resin, it is preferable that it is 5-50 weight% in the total solid of a resin composition, and, as for content of an epoxy resin, it is more preferable that it is 5-25 weight%. Moreover, it is preferable that it is 5-50 weight% in the total solid of a resin composition, and, as for content of cyanate resin, it is more preferable that it is 10-25 weight%.

또한, 상기 열경화성 수지 조성물은 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서 난연제를 함유해도 되지만, 환경의 측면에서 비할로겐계 난연제가 바람직하다. 난연제로는, 예를 들면, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제 또는 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 유기 인계 난연제로는 산코(주) 제의 HCA, HCAHQ, HCA-NQ 등의 포스핀 화합물, 클라리언트(clariant)(주) 제의 OP930, 다이하치 화학(주) 제의 PX200 등의 인산 에스테르 화합물, 토토 화성(주) 제의 FX289 등의 인 함유 에폭시 수지, 또는 토토 화성(주) 제의 ERF001 등의 인 함유 페녹시 수지 등을 들 수 있다. 유기계 질소 함유 인 화합물로는 오오츠카 화학(주) 제의 SPB100, SPE100 등의 포스파젠 화합물 등을 들 수 있다. 금속 수산화물로는 스미토모 화학(주) 제 CL310, 쇼와전공(주) HP-350 등의 수산화 알루미늄 등을 들 수 있다.Moreover, although the said thermosetting resin composition may contain a flame retardant in the range which does not impair the effect of this invention, a non-halogen flame retardant is preferable from an environmental viewpoint. As a flame retardant, an organophosphorus flame retardant, an organic nitrogen containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, a metal hydroxide, etc. are mentioned, for example. Examples of the organophosphorus flame retardant include phosphine compounds such as HCA, HCAHQ, and HCA-NQ manufactured by Sanco, OP930 manufactured by Clariant, and PX200 manufactured by Daihachi Chemical Co., Ltd .; Phosphorus containing phenoxy resins, such as phosphorus containing epoxy resins, such as FX289 by Toto Chemical Co., Ltd., ERF001 by Toto Chemical Co., Ltd., etc. are mentioned. Examples of the organic nitrogen-containing phosphorus compound include phosphazene compounds such as SPB100 and SPE100 manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd. Examples of the metal hydroxides include aluminum hydroxides such as Sumitomo Chemical Co., Ltd. CL310 and Showa Electric Co., Ltd. HP-350.

또, 열경화성 수지 조성물에는 경화제를 병용해도 된다. 예를 들면, 열경화성 수지가 에폭시 수지나 시아네이트 수지이면, 페놀 수지나, 에폭시 수지나 시아네이트 수지의 경화촉진제를 이용할 수 있다. 상기 페놀 수지는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 아릴 알킬렌형 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 미변성 레졸페놀 수지, 동유, 아마씨유, 호두유 등으로 변성된 유변성(油變性) 레졸페놀 수지 등의 레졸형 페놀 수지 등을 들 수 있다. 상기 페놀 수지로는 페놀 노볼락 수지 또는 크레졸 노볼락 수지가 바람직하다. 그 중에서도, 비페닐 아랄킬 변성 페놀 노볼락 수지가 흡습 납땜 내열성의 점에서 바람직하다. Moreover, you may use a hardening | curing agent together for a thermosetting resin composition. For example, if the thermosetting resin is an epoxy resin or a cyanate resin, a curing accelerator of a phenol resin or an epoxy resin or a cyanate resin can be used. Although the said phenol resin is not specifically limited, For example, novolak-type phenol resins, such as a phenol novolak resin, a cresol novolak resin, a bisphenol A novolak resin, an aryl alkylene type novolak resin, an unmodified resolphenol resin, and petroleum oil And resol type phenol resins such as rheology resol phenol resin modified with flaxseed oil, walnut oil and the like. As said phenol resin, a phenol novolak resin or a cresol novolak resin is preferable. Especially, biphenyl aralkyl modified phenol novolak resin is preferable at the point of moisture absorption solder heat resistance.

이들 중 1 종류를 단독으로 이용할 수도 있고, 상이한 중량 평균 분자량을 갖는 2 종류 이상을 병용하거나 1 종류 또는 2 종류 이상과 그들의 프리폴리머를 병용하거나 할 수도 있다.One type of these may be used alone, or two or more types having different weight average molecular weights may be used in combination, or one or two or more types thereof and their prepolymers may be used in combination.

상기 경화촉진제는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 나프텐산 아연 등의 유기 금속염, 디아자비시클로[2,2,2]옥탄 등의 3급 아민류, 2-에틸-4-에틸이미다졸 등의 이미다졸류, 노닐페놀 등의 페놀 화합물, 파라톨루엔설폰산 등의 유기산, 오늄염 화합물 등 또는 그의 혼합물을 들 수 있다. 이들 중 유도체도 포함하여 1 종류를 단독으로 이용할 수도 있고, 이들의 유도체도 포함해 2 종류 이상을 병용하거나 할 수도 있다.Although the said hardening accelerator is not specifically limited, For example, organic metal salts, such as zinc naphthenate, tertiary amines, such as a diazabicyclo [2,2,2] octane, 2-ethyl-4-ethylimidazole, etc. Phenolic compounds, such as imidazole and nonylphenol, Organic acids, such as paratoluenesulfonic acid, an onium salt compound, etc., or its mixture is mentioned. Among these, one type may be used independently including derivatives, and two or more types may be used together including these derivatives.

수지 조성물 중에는 무기 충전재를 함유하는 것이 저열팽창과 기계 강도의 점에서 바람직하다. 무기 충전재는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 탈크, 소성 클레이, 미소성 클레이, 마이카, 글래스 등의 규산염, 산화 티탄, 알루미나, 실리카, 용융 실리카 등의 산화물, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 히드로탈사이트 등의 탄산염, 수산화 알루미늄, 베마이트(AlO(OH), 「유사」베마이트로 통상 불리는 베마이트(즉, Al₂O₃·xH₂O, 여기서, x=1 내지 2)), 수산화 마그네슘, 수산화 칼슘 등의 금속 수산화물, 황산바륨, 황산칼슘, 아황산칼슘 등의 황산염 또는 아황산염, 붕산아연, 메타붕산바륨, 붕산알루미늄, 붕산칼슘, 붕산나트륨 등의 붕산염, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 질화 규소, 질화 탄소 등의 질화물, 티탄산 스트론튬, 티탄산 바륨 등의 티탄산염 등을 들 수 있다. 이들 중 1 종류를 단독으로 이용할 수도 있고, 2 종류 이상을 병용할 수도 있다.It is preferable to contain an inorganic filler in the resin composition from the point of low thermal expansion and mechanical strength. The inorganic filler is not particularly limited, but for example, talc, calcined clay, unbaked clay, silicate such as mica, glass, oxides such as titanium oxide, alumina, silica, fused silica, calcium carbonate, magnesium carbonate, hydrotalcite Carbonates such as carbonate, aluminum hydroxide, boehmite (AlO (OH), boehmite commonly referred to as "similar" boehmite (ie, Al ₂ O ₃ xH ₂ O, where x = 1 to 2)), magnesium hydroxide, Metal hydroxides such as calcium hydroxide, sulfates such as barium sulfate, calcium sulfate, calcium sulfite or sulfite, zinc borate, barium metaborate, aluminum borate, calcium borate, borate such as sodium borate, aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, nitride Nitrides such as carbon, strontium titanate, titanate such as barium titanate, and the like. One type of these may be used independently and two or more types may be used together.

이들 중에서도 수산화 마그네슘, 수산화 알루미늄, 베마이트, 실리카, 용융 실리카, 탈크, 소성 탈크, 알루미나가 바람직하다. 저열팽창성 및 절연 신뢰성의 점에서 특히 실리카가 바람직하고, 구상의 용융 실리카가 보다 바람직하다. 또한, 내연성의 점에서 수산화 알루미늄이 바람직하다. 수지 조성물 중에 무기 충전재가 고농도로 충전되어 있는 경우, 드릴 마모성이 악화되지만, 무기 충전재로서 베마이트를 이용함으로써, 드릴 마모성이 양호해진다.Among these, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, boehmite, silica, fused silica, talc, calcined talc and alumina are preferable. Silica is particularly preferable in terms of low thermal expansion and insulation reliability, and spherical fused silica is more preferable. Moreover, aluminum hydroxide is preferable at the point of flame resistance. When the inorganic filler is filled at a high concentration in the resin composition, the drill wearability deteriorates, but by using boehmite as the inorganic filler, the drill wearability becomes good.

무기 충전재의 입경은 특별히 한정되지 않지만, 평균 입경이 단분산인 무기 충전재를 이용할 수도 있고, 평균 입경이 다분산인 무기 충전재를 이용할 수 있다. 또한, 평균 입경이 단분산 및/또는 다분산인 무기 충전재를 1 종류 또는 2 종류 이상 병용할 수도 있다. 또한, 본 명세서 중에 있어서 평균 입경이 단분산이라는 것은 입경의 표준 편차가 10％ 이하인 것을 의미한다. 또한, 평균 입경이 다분산이라는 것은 입경의 표준 편차가 10％ 이상인 것을 의미한다. Although the particle diameter of an inorganic filler is not specifically limited, Inorganic filler whose average particle diameter is monodisperse can also be used, and the inorganic filler which polydispersion of average particle diameter can be used. Moreover, you may use together one type or two types or more of the inorganic filler whose average particle diameter is monodispersion and / or polydispersion. In addition, in this specification, that an average particle diameter is monodispersion means that the standard deviation of a particle diameter is 10% or less. In addition, that an average particle diameter is polydispersion means that the standard deviation of a particle diameter is 10% or more.

상기 무기 충전재의 평균 입경은 특별히 한정되지 않지만, 0.1㎛~5.0㎛가 바람직하고, 특히 0.1㎛~3.0㎛가 바람직하다. 무기 충전재의 입경을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 수지 조성물의 점도가 높아지는 것을 억제하여 프리프레그 제작시의 작업성을 양호한 것으로 할 수 있다. 또한, 무기 충전재의 입경을 상기 상한값 이하로 함으로써, 수지 조성물 중에서 무기 충전재의 침강 등의 현상이 일어나는 것을 억제할 수 있다. 또한, 평균 입경은 레이저 회절/산란식 입도 분포 측정 장치(시마즈 제작소 SALD-7000 등의 일반적인 기기)를 이용해 측정할 수 있다.Although the average particle diameter of the said inorganic filler is not specifically limited, 0.1 micrometer-5.0 micrometers are preferable, and 0.1 micrometer-3.0 micrometers are especially preferable. By making the particle diameter of an inorganic filler more than the said lower limit, it can suppress that the viscosity of a resin composition becomes high and can make favorable workability at the time of prepreg preparation. Furthermore, by making the particle diameter of an inorganic filler below the said upper limit, occurrence of phenomenon, such as sedimentation of an inorganic filler in a resin composition, can be suppressed. In addition, an average particle diameter can be measured using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus (general instruments, such as SALD-7000 by Shimadzu Corporation).

상기 무기 충전재의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물의 전체 고형분 중에 10~90중량％인 것이 바람직하고, 30~80중량％인 것이 보다 바람직하며, 50~75중량％인 것이 더욱 바람직하다. 수지 조성물 중에 시아네이트 수지 및/또는 그 프리폴리머를 함유하는 경우에는, 상기 무기 충전재의 함유량은 수지 조성물의 전체 고형분 중에 50~75중량％인 것이 바람직하다. 무기 충전재의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 수지 조성물의 유동성을 양호한 것으로 할 수 있다. 또한, 무기 충전제의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 수지 조성물로 이루어진 절연층의 강도를 충분히 높게 할 수 있다.Although content of the said inorganic filler is not specifically limited, It is preferable that it is 10 to 90 weight% in the total solid of a resin composition, It is more preferable that it is 30 to 80 weight%, It is further more preferable that it is 50 to 75 weight%. When containing cyanate resin and / or its prepolymer in a resin composition, it is preferable that content of the said inorganic filler is 50 to 75 weight% in the total solid of a resin composition. By carrying out content of an inorganic filler below the said upper limit, the fluidity | liquidity of a resin composition can be made favorable. Moreover, the intensity | strength of the insulating layer which consists of a resin composition can fully be made high by making content of an inorganic filler more than the said lower limit.

수지 조성물에는 커플링제를 더 함유시켜도 된다. 커플링제는 열경화성 수지와 무기 충전재의 계면의 습윤성을 향상시키기 위해서 배합된다. 열경화성 수지와 무기 충전제의 계면의 습윤성을 향상시킴으로써, 기재에 대해서 수지 및 무기 충전재를 균일하게 정착시켜서, 내열성, 특히 흡습 후의 납땜 내열성을 개량할 수 있다.The resin composition may further contain a coupling agent. A coupling agent is mix | blended in order to improve the wettability of the interface of a thermosetting resin and an inorganic filler. By improving the wettability of the interface of a thermosetting resin and an inorganic filler, resin and an inorganic filler can be fixed uniformly with respect to a base material, and heat resistance, especially the soldering heat resistance after moisture absorption can be improved.

상기 커플링제는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 에폭시실란 커플링제, 양이온성실란 커플링제, 아미노실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제, 실리콘오일형 커플링제 등을 들 수 있다. 커플링제로서 이들을 이용함으로써, 무기 충전재의 계면과의 습윤성을 높게 할 수 있다. 이 때문에, 수지 조성물의 내열성을 보다 향상시킬 수 있다. Although the said coupling agent is not specifically limited, For example, an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, a titanate coupling agent, a silicone oil type coupling agent, etc. are mentioned. By using these as a coupling agent, wettability with the interface of an inorganic filler can be made high. For this reason, the heat resistance of a resin composition can be improved more.

상기 커플링제의 첨가량은 특별히 한정되지 않지만, 무기 충전재 100중량부에 대해서 0.05~3중량부가 바람직하고, 특히 0.1~2중량부가 바람직하다. 커플링제의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 무기 충전재를 충분히 피복하여, 내열성을 향상시키는 효과를 충분히 얻을 수 있다. 또한, 커플링제의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 반응에 영향을 주는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 휨 강도 등의 저하를 억제하는 것이 가능해진다.Although the addition amount of the said coupling agent is not specifically limited, 0.05-3 weight part is preferable with respect to 100 weight part of inorganic fillers, and 0.1-2 weight part is especially preferable. By making content of a coupling agent more than the said minimum, the effect which fully coats an inorganic filler and improves heat resistance can fully be acquired. Moreover, influence of reaction can be suppressed by making content of a coupling agent below the said upper limit. Thereby, it becomes possible to suppress the fall, such as bending strength.

수지 조성물에는 필요에 따라서, 소포제, 레벨링제, 자외선 흡수제, 발포제, 산화 방지제, 난연제, 실리콘 파우더 등의 난연조제, 이온 포착제 등의 상기 성분 이외의 첨가물을 첨가해도 된다.As needed, you may add additives other than the said component, such as an antifoamer, a leveling agent, a ultraviolet absorber, a foaming agent, antioxidant, a flame retardant, a silicone powder, and an ion trapping agent.

수지 조성물은 프리프레그의 저선팽창화, 고강성화 및 고내열화를 실현하기 쉬운 점에서, 적어도 에폭시 수지, 시아네이트 수지 및 무기 충전재를 포함하는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 수지 조성물의 고형분 중에 에폭시 수지를 5~50중량％, 시아네이트 수지를 5~50중량％, 및 무기 충전재를 10~90중량％ 포함하는 것이 바람직하고, 에폭시 수지를 5~25중량％, 시아네이트 수지를 10~25중량％, 및 무기 충전재를 30~80중량％ 포함하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable that a resin composition contains at least an epoxy resin, a cyanate resin, and an inorganic filler at the point which is easy to realize low linear expansion, high rigidity, and high heat resistance of a prepreg. Especially, it is preferable to contain 5-50 weight% of epoxy resins, 5-50 weight% of cyanate resins, and 10-90 weight% of inorganic fillers in solid content of a resin composition, and 5-25 weight% of epoxy resins It is more preferable to contain 10 to 25 weight% of cyanate resin and 30 to 80 weight% of inorganic fillers.

프린트 배선판용 기판(1)의 표면에는 데스미어(desmear) 처리를 실시할 수 있다. 이것에 의해, 프린트 배선판용 기판(1)의 표면에 생긴 스미어를 제거할 수 있다. 데스미어 처리는 특별히 한정되지 않지만, 유기물 분해 작용을 갖는 산화제 용액 등을 사용한 습식법, 또는 대상물이 되는 것에 직접 산화 작용이 강한 활성종(플라스마, 라디칼 등)을 조사해 유기물 잔사를 제거하는 플라스마법 등의 건식법 등의 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다. A desmear process can be given to the surface of the board | substrate 1 for printed wiring boards. Thereby, the smear which generate | occur | produced on the surface of the board | substrate 1 for printed wiring boards can be removed. The desmear treatment is not particularly limited, but may be a wet method using an oxidizing agent solution having an organic decomposition effect or the like, or a plasma method for removing an organic residue by irradiating active species (plasma, radicals, etc.) with strong direct oxidation to the object. It can carry out by well-known methods, such as a dry method.

습식법의 데스미어 처리는, 예를 들면, 다음과 같이 실시된다. 우선, 수지 표면에 팽윤 처리를 실시한다. 그 다음으로, 알칼리 처리에 의한 에칭을 실시한다. 그 후, 수지 표면에 중화 처리를 실시한다.The desmear process of a wet method is performed as follows, for example. First, swelling treatment is performed on the resin surface. Next, etching by alkali treatment is performed. Thereafter, the resin surface is neutralized.

다음으로, 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 공정 (b)에 있어서, 표면이 수지 조성물로 이루어진 프린트 배선판용 기판(1)의 해당 표면 위에 무전해 도금을 실시해 무전해 도금층(2)을 형성한다. 무전해 도금은 팔라듐 등의 촉매를 부착시킨 도금 대상물의 표면에 도금하는 금속의 이온을 포함하는 전해액(도금액)을 접촉시키는 화학 도금법 등의 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다. 본 실시 형태에서는 무전해 도금으로서, 예를 들면, 무전해 동도금을 실시한다. Next, as shown to Fig.1 (b), in a process (b), the surface is electroless-plated on the surface of the board | substrate 1 for printed wiring boards which consists of a resin composition, and the electroless plating layer 2 is formed. do. Electroless plating can be performed by well-known methods, such as the chemical plating method which makes the electrolyte solution (plating liquid) containing the ion of the metal to plate on the surface of the plating object with catalysts, such as palladium, contact. In the present embodiment, for example, electroless copper plating is performed as electroless plating.

무전해 도금층(2)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 0.1㎛ 이상 2㎛ 이하인 것이 바람직하다. 무전해 도금층(2)의 두께를 0.1㎛ 이상으로 함으로써, 후술하는 전해 도금 공정을 용이하게 실시할 수 있다. 또, 무전해 도금층(2)의 두께를 2㎛ 이하로 함으로써, 무전해 도금층(2)의 형성을 단시간에 실시하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 작업 효율의 향상을 도모할 수 있다.Although the thickness of the electroless plating layer 2 is not specifically limited, It is preferable that they are 0.1 micrometer or more and 2 micrometers or less. By making the thickness of the electroless plating layer 2 into 0.1 micrometer or more, the electrolytic plating process mentioned later can be easily performed. Moreover, by making the thickness of the electroless plating layer 2 into 2 micrometers or less, it becomes possible to form the electroless plating layer 2 in a short time. Thereby, work efficiency can be improved.

다음으로, 제1 가열 공정을 실시한다. 또한, 제1 가열 공정은 공정 (b)와 공정 (c)의 사이에 실시하는 것으로 한정되지 않고 공정 (c)와 공정 (d)의 사이에 실시되어도 된다. 후술하는 순서에 의해 형성되는 도체 회로층(5)의 필 강도를 보다 향상시키는 점에서, 제1 가열 공정은 공정 (b)와 공정 (c)의 사이에 실시되는 것이 바람직하다.Next, a 1st heating process is performed. In addition, a 1st heating process is not limited to what is performed between process (b) and a process (c), You may carry out between a process (c) and a process (d). It is preferable that a 1st heating process is performed between process (b) and process (c) from the point which improves the peeling strength of the conductor circuit layer 5 formed by the procedure mentioned later further.

제1 가열 공정에서의 가열 처리의 가열 온도는 130~280℃인 것이 바람직하고, 140~230℃인 것이 보다 바람직하다. 가열 온도를 이 범위 내로 함으로써, 도체 회로층(5)의 필 강도를 향상시킬 수 있다.It is preferable that it is 130-280 degreeC, and, as for the heating temperature of the heat processing in a 1st heating process, it is more preferable that it is 140-230 degreeC. By carrying out heating temperature in this range, the peeling strength of the conductor circuit layer 5 can be improved.

제1 가열 공정에서의 가열 처리는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 클린 오븐 등의 질소(N₂)를 도입할 수 있는 공지의 장치에 의해 실시할 수 있다.The heating process in the first heating step is not particularly limited, and for example, can be carried out by a known device capable of introducing nitrogen (N _2), such as a clean oven.

제1 가열 공정에서의 가열 처리는 산소(O₂) 농도가 1000ppm 이하인 분위기 하에서 실시되는 것이 바람직하고, 산소(O₂) 농도가 500ppm 이하인 분위기 하에서 실시되는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 도체 회로층(5)을 구성하는 구리의 산화를 막아 도체 회로층(5)의 필 강도를 향상시킬 수 있다. The heat treatment in the first heating step is preferably carried out in an atmosphere in which the oxygen (O ₂ ) concentration is 1000 ppm or less, and more preferably in an atmosphere in which the oxygen (O ₂ ) concentration is 500 ppm or less. Thereby, the oxidation of the copper which comprises the conductor circuit layer 5 can be prevented, and the peeling strength of the conductor circuit layer 5 can be improved.

제1 가열 공정에서의 가열 처리는, 또한 질소(N₂) 농도가 78％ 이상인 분위기 하에서 실시되는 것이 보다 바람직하고, 질소(N₂) 농도가 85％ 이상인 분위기 하에서 실시되는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 도체 회로층(5)의 필 강도를 한층 더 향상시킬 수 있다.The heat treatment in the first heating step is more preferably carried out under an atmosphere in which the nitrogen (N ₂ ) concentration is 78% or more, and more preferably in an atmosphere in which the nitrogen (N ₂ ) concentration is 85% or more. Thereby, the peeling strength of the conductor circuit layer 5 can be improved further.

또, 제1 가열 공정에서의 가열 처리는 대기압 하에서 실시해도 되지만, 감압 하에서 실시되어도 된다. 예를 들면, 공기 분위기 하에서 3torr 이하의 감압 하에서 가열 처리를 실시함으로써, 산소 농도를 1000ppm 이하로 저감시킬 수 있다. 또한, 공기를 질소로 치환해 질소 농도를 높인 분위기 하에서 감압했을 경우는, 3torr 이상이어도 산소 농도를 1000ppm 이하로 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 도체 회로층(5)을 구성하는 구리의 산화를 막아 도체 회로층의 필 강도를 향상시킬 수 있다.Moreover, although heat processing in a 1st heating process may be performed under atmospheric pressure, you may carry out under reduced pressure. For example, the oxygen concentration can be reduced to 1000 ppm or less by performing heat treatment under a reduced pressure of 3 torr or less in an air atmosphere. In the case where the air is replaced with nitrogen to reduce the pressure in an atmosphere in which the nitrogen concentration is increased, the oxygen concentration can be reduced to 1000 ppm or less even if it is 3 torr or more. For this reason, the oxidation of the copper which comprises the conductor circuit layer 5 can be prevented, and the peeling strength of a conductor circuit layer can be improved.

또한, 제1 가열 공정에서, 프린트 배선용 기판(1)을 가열 처리하는 시간은 30분 이상 300분 이하인 것이 바람직하다. 가열 처리하는 시간이 30분 이상인 경우, 도체 회로층(5)의 필 강도를 향상시키는 효과를 충분히 얻을 수 있다. 또, 가열 처리하는 시간이 300분 이하인 경우, 양호한 작업 효율을 실현할 수 있다.Moreover, it is preferable that the time which heat-processes the board | substrate 1 for printed wirings in a 1st heating process is 30 minutes or more and 300 minutes or less. When the time of heat processing is 30 minutes or more, the effect of improving the peeling strength of the conductor circuit layer 5 can fully be acquired. Moreover, when time to heat-process is 300 minutes or less, favorable work efficiency can be implement | achieved.

다음으로, 도 1(c)에 나타내는 바와 같이, 공정 (c)에서 무전해 도금층(2) 위에 개구를 갖는 레지스트 마스크(3)를 형성한다. Next, as shown to Fig.1 (c), in the process (c), the resist mask 3 which has an opening on the electroless-plating layer 2 is formed.

레지스트 마스크(3)에 의해, 무전해 도금층(2) 중 도체 회로가 형성되지 않는 영역을 마스크한다. 즉, 레지스트 마스크(3)의 개구 안이 도체 회로를 형성하는 영역이 된다. The resist mask 3 masks a region in which the conductor circuit is not formed in the electroless plating layer 2. That is, the inside of the opening of the resist mask 3 becomes an area | region which forms a conductor circuit.

레지스트 마스크(3)로는 특별히 한정되지 않지만, 공지의 재료를 이용할 수 있다. 레지스트 마스크(3)는, 예를 들면, 감광성 드라이 필름 등에 의해 구성된다. 레지스트 마스크(3)로서 감광성 드라이 필름을 이용하는 경우, 레지스트 마스크(3)의 형성은, 예를 들면, 다음과 같이 실시된다. 우선, 무전해 도금층(2) 위에 감광성 드라이 필름을 적층한다. 그 다음으로, 감광성 드라이 필름 중 도체 회로가 형성되지 않는 영역에 위치하는 부분을 노광하여 광경화한다. 그 다음으로, 감광성 드라이 필름 중 미노광부를 현상액에 의해 용해·제거한다. 이때, 무전해 도금층(2) 위에 잔존하는 경화된 감광성 드라이 필름이 레지스트 마스크(3)가 된다.Although it does not specifically limit as the resist mask 3, A well-known material can be used. The resist mask 3 is comprised by the photosensitive dry film etc., for example. When using the photosensitive dry film as the resist mask 3, formation of the resist mask 3 is performed as follows, for example. First, the photosensitive dry film is laminated on the electroless plating layer 2. Next, the part located in the area | region where a conductor circuit is not formed in the photosensitive dry film is exposed and photocured. Next, the unexposed part of the photosensitive dry film is melt | dissolved and removed with a developing solution. At this time, the cured photosensitive dry film remaining on the electroless plating layer 2 becomes the resist mask 3.

다음으로, 도 1(d)에 나타내는 바와 같이, 공정 (d)에서 레지스트 마스크(3)의 개구 내에 전해 도금을 두껍게 실시함으로써, 회로 형성부에 전해 도금층(4)을 형성한다. Next, as shown to Fig.1 (d), in the process (d), electrolytic plating is thickened in the opening of the resist mask 3, and the electrolytic plating layer 4 is formed in a circuit formation part.

전해 도금은 도금 대상물을 도금액 중에 침지하고 전기를 흘리는 등의 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다.Electrolytic plating can be performed by a well-known method, such as immersing a plating object in plating liquid and flowing electricity.

다음으로, 도 1(e)에 나타내는 바와 같이, 공정 (e)에서 레지스트 마스크(3)를 제거한다. Next, as shown to Fig.1 (e), the resist mask 3 is removed in process (e).

다음으로, 도 1(f)에 나타내는 바와 같이, 공정 (f)에서 무전해 도금층(2) 중 평면시에서 전해 도금층(4)과 겹치지 않는 부분을 플래시 에칭에 의해 선택적으로 제거한다. 즉, 도체 회로가 형성되지 않는 영역에 위치하는 무전해 도금층(2)이 제거되게 된다. 이것에 의해, 프린트 배선판용 기판(1) 위에 도체 회로층(5)이 형성되게 된다. 또한, 플래시 에칭은 과황산나트륨 등의 에칭액을 스프레이 등에 의해 국소적으로 에칭하는 등의 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다. Next, as shown to Fig.1 (f), in the process (f), the part which does not overlap with the electrolytic plating layer 4 in planar view is selectively removed by flash etching. That is, the electroless plating layer 2 located in the region where the conductor circuit is not formed is removed. Thereby, the conductor circuit layer 5 is formed on the board | substrate 1 for printed wiring boards. In addition, flash etching can be performed by a well-known method, such as locally etching etching liquids, such as sodium persulfate, by spray etc.

이하, 상기 공정 (f)를 패턴상 에칭 공정으로도 부른다.Hereinafter, the said process (f) is also called a pattern etching process.

다음으로, 제2 가열 공정을 실시한다. 또한, 제2 가열 공정은 공정 (f) 후에 실시하는 것으로 한정되지 않고, 공정 (d)와 공정 (e)의 사이, 또는 공정 (e)와 공정 (f)의 사이에 실시되어도 된다. 도체 회로층(5)의 필 강도를 보다 향상시키는 점에서, 제2 가열 공정은 공정 (f) 후에 실시되는 것이 바람직하다.Next, a second heating step is performed. In addition, a 2nd heating process is not limited to what is performed after a process (f), You may carry out between a process (d) and a process (e), or between a process (e) and a process (f). It is preferable to perform a 2nd heating process after a process (f) from the point which improves the peeling strength of the conductor circuit layer 5 further.

제2 가열 공정에서의 가열 처리의 가열 온도는 130~280℃인 것이 바람직하고, 140~230℃인 것이 보다 바람직하다. 가열 온도를 이 범위 내로 함으로써, 도체 회로층(5)의 필 강도를 향상시킬 수 있다.It is preferable that it is 130-280 degreeC, and, as for the heating temperature of the heat processing in a 2nd heating process, it is more preferable that it is 140-230 degreeC. By carrying out heating temperature in this range, the peeling strength of the conductor circuit layer 5 can be improved.

제2 가열 공정에서의 가열 처리는 특별히 한정되지 않지만, 상술한 제1 가열 공정의 가열 처리와 동일하게 하여 실시할 수 있다.Although the heat processing in a 2nd heating process is not specifically limited, It can carry out similarly to the heat processing of the 1st heating process mentioned above.

제2 가열 공정에서의 가열 처리는 산소(O₂) 농도가 1000ppm 이하인 분위기 하에서 실시되는 것이 바람직하고, 산소(O₂) 농도가 500ppm 이하인 분위기 하에서 실시되는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 도체 회로층(5)을 구성하는 구리의 산화를 막아 도체 회로층(5)의 필 강도를 향상시킬 수 있다. The second heating process in the heating process is preferably a concentration of oxygen (O ₂₎ is carried out in the atmosphere of not more than 1000ppm, more preferably oxygen (O ₂₎ concentration of 500ppm or less is carried out in the atmosphere. Thereby, the oxidation of the copper which comprises the conductor circuit layer 5 can be prevented, and the peeling strength of the conductor circuit layer 5 can be improved.

제2 가열 공정에서의 가열 처리는 또한 질소(N₂) 농도가 78％ 이상인 분위기 하에서 실시되는 것이 바람직하고, 질소(N₂) 농도가 85％ 이상인 분위기 하에서 실시되는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 도체 회로층(5)의 필 강도를 보다 더 향상시킬 수 있다.The second heating process in the heating process is also preferably carried out in an atmosphere at least nitrogen (N ₂₎ concentration of 78%, it is more preferably conducted under a nitrogen (N ₂₎ less than a concentration of 85% atmosphere. Thereby, the peeling strength of the conductor circuit layer 5 can be improved further.

또, 제2 가열 공정에서의 가열 처리는 대기압 하에서 실시해도 되지만, 감압 하에서 실시되어도 된다. 예를 들면, 공기 분위기 하에서 3torr 이하의 감압 하에서 가열 처리를 실시함으로써, 산소 농도를 1000ppm 이하로 저감시킬 수 있다. 또한, 공기를 질소로 치환해 질소 농도를 높인 분위기 하에서 감압했을 경우는, 3torr 이상이어도 산소 농도를 1000ppm 이하로 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 도체 회로층(5)을 구성하는 구리의 산화를 막아 도체 회로층의 필 강도를 향상시킬 수 있다. In addition, although the heat processing in a 2nd heating process may be performed under atmospheric pressure, you may carry out under reduced pressure. For example, the oxygen concentration can be reduced to 1000 ppm or less by performing heat treatment under a reduced pressure of 3 torr or less in an air atmosphere. In the case where the air is replaced with nitrogen to reduce the pressure in an atmosphere in which the nitrogen concentration is increased, the oxygen concentration can be reduced to 1000 ppm or less even if it is 3 torr or more. For this reason, the oxidation of the copper which comprises the conductor circuit layer 5 can be prevented, and the peeling strength of a conductor circuit layer can be improved.

또한, 제2 가열 공정에서, 프린트 배선용 기판(1)을 가열 처리하는 시간은 30분 이상 300분 이하인 것이 바람직하다. 가열 처리하는 시간이 30분 이상인 경우, 도체 회로층(5)의 필 강도를 향상시키는 효과를 충분히 얻을 수 있다. 또, 가열 처리하는 시간이 300분 이하인 경우, 양호한 작업 효율을 실현할 수 있다.Moreover, it is preferable that the time which heat-processes the board | substrate 1 for printed wirings in a 2nd heating process is 30 minutes or more and 300 minutes or less. When the time of heat processing is 30 minutes or more, the effect of improving the peeling strength of the conductor circuit layer 5 can fully be acquired. Moreover, when time to heat-process is 300 minutes or less, favorable work efficiency can be implement | achieved.

본 실시 형태와 관련된 프린트 배선판의 제조 방법은 도 1에 나타내는 바와 같이 프린트 배선판용 기판(1)의 양면에 도체 회로층을 형성하는 경우뿐만 아니라, 프린트 배선판용 기판(1)의 한면에만 도체 회로층을 형성하는 경우에도 적용할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태와 관련된 프린트 배선판의 제조 방법에 의해, 한면 프린트 배선판, 양면 프린트 배선판 및 다층 프린트 배선판 중 어떠한 것을 제조하는 것도 가능해진다.
The manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this embodiment not only forms a conductor circuit layer on both surfaces of the board | substrate 1 for printed wiring boards, but also shows the conductor circuit layer only on one surface of the board | substrate 1 for printed wiring boards. It can also be applied to form a. Therefore, by the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this embodiment, it becomes possible to manufacture any of a single-sided printed wiring board, a double-sided printed wiring board, and a multilayer printed wiring board.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 근거해 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail based on Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto.

(적층판의 제조예 1) (Manufacture example 1 of the laminated board)

에폭시 수지로서 나프탈렌 변성 크레졸 노볼락 에폭시 수지(DIC사 제, HP-5000) 8.5중량부, 페놀 경화제로서 비페닐 아랄킬형 페놀 수지(메이와 화성 주식회사, MEH7851-4H) 8.5중량부, 페놀 노볼락형 시아네이트 수지(LONZA사 제, Primaset PT-30) 17중량부, 구상 용융 실리카(아드마텍스사 제, SO-25R, 평균 입경 0.5㎛) 65.5중량부, 에폭시실란(신에츠 화학공업사 제, KBM-403) 0.5중량부를 메틸에틸케톤에 혼합 용해시켰다. 그 다음으로, 고속 교반장치를 이용해 교반함으로써, 불휘발분(고형분)이 70중량％되도록 수지 바니시를 조제했다. 8.5 weight part of biphenyl aralkyl type phenol resin (Meiwa Chemical Co., Ltd., MEH7851-4H) as a phenol hardener, 8.5 weight part of naphthalene modified cresol novolak epoxy resins (made by DIC Corporation, HP-5000) as an epoxy resin 17 weight part of cyanate resin (made by LONZA company, Primaset PT-30), 65.5 weight part of spherical fused silica (made by Admatex company, SO-25R, average particle diameter: 0.5 micrometer), epoxy silane (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-) 403) 0.5 part by weight was dissolved in methyl ethyl ketone. Next, the resin varnish was prepared so that non volatile matter (solid content) might be 70 weight% by stirring using a high speed stirring apparatus.

그 다음으로, 상기 수지 바니시를 유리 직포(두께 87㎛, 닛토보 제 E유리 직포, WEA-2116)에 함침한 후, 150℃의 가열로에서 2분간 건조했다. 이것에 의해, 프리프레그 중의 바니시 고형분이 약 50중량％인 프리프레그를 얻었다.Subsequently, the resin varnish was impregnated into a glass woven fabric (87 µm thick, E-glass woven fabric manufactured by Nittobo, WEA-2116), and then dried in a heating furnace at 150 ° C. for 2 minutes. This obtained the prepreg whose varnish solid content in a prepreg is about 50 weight%.

그 다음으로, 상기 프리프레그를 2매 포개어서 이루어지는 적층체의 양면에 12㎛의 동박(미츠이 금속광업사 제, 3EC-VLP박)을 포개어 압력 3MPa, 온도 220℃에서 2시간 가열 가압 성형했다. 이것에 의해, 두께가 0.20mm인 절연층의 양면에 동박을 갖는 적층판을 얻었다.Next, 12 micrometers copper foil (3EC-VLP foil made by Mitsui Metal Co., Ltd.) was piled up on both surfaces of the laminated body which laminated | stacked the said two prepregs, and was heat-molded by the pressure of 3MPa and 220 degreeC for 2 hours. This obtained the laminated board which has copper foil on both surfaces of the insulating layer whose thickness is 0.20 mm.

(적층판의 제조예 2) (Manufacture example 2 of the laminated board)

에폭시 수지로서 비페닐 아랄킬형 에폭시 수지(일본 화약사 제, NC-3000) 11중량부, 비스말레이미드 화합물(케이아이카세이 공업사 제, BMI-70) 20중량부, 4, 4'-디아미노디페닐메탄 3.5중량부, 수산화 알루미늄(쇼와전공 제, HP-360) 65중량부, 에폭시실란(신에츠 화학공업사 제, KBM-403) 0.5중량부를 메틸에틸케톤에 혼합·용해시켰다. 그 다음으로, 고속 교반장치를 이용해 교반함으로써, 불휘발분(고형분)이 70중량％되도록 수지 바니시를 조제했다. 11 parts by weight of biphenyl aralkyl type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000), 20 parts by weight of a bismaleimide compound (BMI-70, manufactured by Kei Kasei Co., Ltd.), 4, 4'-diaminodi 3.5 parts by weight of phenylmethane, 65 parts by weight of aluminum hydroxide (manufactured by Showa Denko, HP-360), and 0.5 parts by weight of epoxy silane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-403) were mixed and dissolved in methyl ethyl ketone. Next, the resin varnish was prepared so that non volatile matter (solid content) might be 70 weight% by stirring using a high speed stirring apparatus.

그 다음으로, 상기 수지 바니시를 유리 직포(두께 87㎛, 닛토보 제 E 유리 직포, WEA-2116)에 함침한 후, 150℃의 가열로에서 2분간 건조했다. 이것에 의해, 프리프레그 중의 바니시 고형분이 약 50중량％인 프리프레그를 얻었다.Subsequently, the resin varnish was impregnated into a glass woven fabric (87 µm thick, E-glass woven fabric manufactured by Nittobo, WEA-2116), and then dried in a heating furnace at 150 ° C. for 2 minutes. This obtained the prepreg whose varnish solid content in a prepreg is about 50 weight%.

(실시예 1) (Example 1)

제조예 1에 의해 얻어진 적층판이 갖는 동박을 전면 에칭 제거하고, 노출된 수지 표면에 무전해 동도금층(우에무라 공업사 제, 스루컵 PEA 프로세스)을 목표 막 두께 1㎛로 형성했다. 이어서, 공기 분위기 하(산소 농도 약 21％, 질소 농도 약 78％, 대기압), 150℃에서 30분간 가열 처리함으로써 제1 가열 공정을 실시했다. 제1 가열 공정 후, 이 무전해 도금층의 표면에 두께 25㎛의 자외선 감광성 드라이 필름(아사히화성사 제, 선포트 UFG-255)을 핫롤 라미네이터에 의해 첩합하였다. 그 다음으로, 최소 선폭/선간이 20/20㎛, 및 10mm×150mm(필 강도 측정 부위)의 패턴이 그려진 유리 마스크(토픽사 제)의 위치 맞춤을 실시했다. 그 다음으로, 상기 유리 마스크를 사용하여 자외선 감광성 드라이 필름을 노광 장치(오노소키 EV-0800)에 의해 노광했다. 그 다음으로, 노광된 자외선 감광성 드라이 필름을 탄산소다 수용액에 의해 현상했다. 이것에 의해, 레지스트 마스크가 형성되었다.The copper foil which the laminated board obtained by the manufacture example 1 has was etched-out, and the electroless copper plating layer (Through cup PEA process by Uemura Industrial Co., Ltd.) was formed in the target film thickness on the exposed resin surface. Next, the 1st heating process was implemented by heat-processing at 150 degreeC for 30 minutes in air atmosphere (oxygen concentration about 21%, nitrogen concentration about 78%, atmospheric pressure). After the 1st heating process, the 25-micrometer-thick ultraviolet photosensitive dry film (Asahi Kasei, Sunport UFG-255) was bonded to the surface of this electroless plating layer by the hot roll laminator. Subsequently, the alignment of the glass mask (made by the topic company) in which the minimum line width / line was drawn 20/20 micrometers and the pattern of 10 mm x 150 mm (fill strength measurement site | part) was performed. Next, the ultraviolet-ray photosensitive dry film was exposed using the exposure apparatus (Onosoki EV-0800) using the said glass mask. Next, the exposed ultraviolet photosensitive dry film was developed by the aqueous solution of sodium carbonate. As a result, a resist mask was formed.

다음으로, 무전해 도금층을 급전층 전극으로 하여 전해 동도금(오쿠노 제약사 제 81-HL)을 3 A/dm²의 조건 하에서 25분간 행하여, 두께 약 20㎛의 동배선의 패턴을 형성했다. 다음으로, 박리기를 이용하여 모노에탄올아민 용액(미츠비시 가스 화학사 제 R-100)에 의해 상기 레지스트 마스크를 박리했다. 그리고, 급전층인 무전해 도금층을 플래시 에칭(에바라 전산사 제 SAC-702M과 SAC-701R35의 순수 용액)에 의해 제거하여 L/S=20/20㎛ 및 10mm×150mm(필 강도 측정 부위)의 패턴을 형성해(패턴상 에칭 공정) 프린트 배선판을 얻었다.Next, electrolytic copper plating (81-HL by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was performed for 25 minutes on the conditions of 3 A / dm <^2> using the electroless plating layer as a feed layer electrode, and the pattern of the copper wiring of thickness about 20 micrometers was formed. Next, the said resist mask was peeled off with the monoethanolamine solution (R-100 by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) using the peeler. Then, the electroless plating layer, which is the feed layer, was removed by flash etching (pure solution of SAC-702M and SAC-701R35 manufactured by Ebara Computer Co., Ltd.), and L / S = 20/20 µm and 10 mm x 150 mm (fill strength measurement site). Was formed (pattern etching process) and the printed wiring board was obtained.

(실시예 2)(Example 2)

제조예 1에 의해 얻어진 적층판이 갖는 동박을 전면 에칭 제거하고, 노출된 수지 표면에 무전해 동도금층(우에무라 공업사 제, 스루컵 PEA 프로세스)을 목표막 두께 1㎛로 형성했다. 이어서, 수지 표면 팽윤 처리(SW 처리)로서 상기 적층판을 액온 60℃의 시판의 수산화 나트륨과 에틸렌글리콜계 용제 함유액(아토텍크사 제, 스웰링 딥 세큐리건트 P 건욕액)의 혼합액(pH 12)에 2분간 침지하고 3회 수세했다. 계속해서, 알칼리 처리(ME 처리)로서 상기 적층판을 액온 60℃의 과망간산 나트륨 함유 조화처리액(아토텍크사 제, 콘센트레이트 컴팩트 CP 건욕액)에 5분간 침지하고 3회 수세했다. 또한, 중화 처리(Re 처리)로서 상기 적층판을 액온 40℃의 중화처리액(아토텍크사 제, 리덕션 세큐리건트 P500 건욕액)에 3분간 침지한 후, 3회 수세했다. 이어서, 공기 분위기 하(산소 농도 약 21％, 질소 농도 약 78％), 150℃에서 30분간 가열 처리함으로써 제1 가열 공정을 실시했다. 제1 가열 공정 후는 실시예 1과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.The copper foil which the laminated board obtained by the manufacture example 1 had was etched-out, and the electroless copper plating layer (Through cup PEA process made by Uemura Industrial Co., Ltd.) was formed in the target film thickness of 1 micrometer on the exposed resin surface. Subsequently, as a resin surface swelling treatment (SW treatment), the laminated sheet was mixed with a liquid mixture (pH 12) of commercially available sodium hydroxide and an ethylene glycol-based solvent-containing solution (manufactured by Atotech Co., Ltd., swelling deep securigan P dry bath solution) at a liquid temperature of 60 ° C. ) Soaked for 2 minutes and washed three times. Subsequently, as an alkali treatment (ME treatment), the laminated sheet was immersed in a sodium permanganate-containing roughening treatment liquid (manufactured by Atotech Co., Ltd., Condensate Compact CP Dry Bath Solution) at a liquid temperature of 60 ° C for 5 minutes and washed with water three times. Furthermore, as a neutralization process (Re process), the said laminated board was immersed for 3 minutes in neutralization process liquid (Atotech Co., Ltd., reduction security P500 dry bath liquid) of 40 degreeC, and then washed with water three times. Next, the 1st heating process was implemented by heat-processing at 150 degreeC for 30 minutes in air atmosphere (oxygen concentration about 21%, nitrogen concentration about 78%). After the 1st heating process, it carried out similarly to Example 1, and obtained the printed wiring board.

(실시예 3) (Example 3)

플래시 에칭에 의한 패턴상 에칭 공정 후, 공기 분위기 하(산소 농도 약 21％, 질소 농도 약 78％, 대기압), 220℃에서 60분간 가열 처리함으로써 제2 가열 공정을 실시했다. 이 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.After the pattern etching process by flash etching, the 2nd heating process was implemented by heat-processing at 220 degreeC for 60 minutes in air atmosphere (oxygen concentration about 21%, nitrogen concentration about 78%, atmospheric pressure). Except this point, it carried out similarly to Example 1, and obtained the printed wiring board.

(실시예 4) (Example 4)

플래시 에칭에 의한 패턴상 에칭 공정 후, 공기 분위기 하(산소 농도 약 21％, 질소 농도 약 78％, 대기압), 220℃에서 60분간 가열 처리함으로써 제2 가열 공정을 실시했다. 이 점 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.After the pattern etching process by flash etching, the 2nd heating process was implemented by heat-processing at 220 degreeC for 60 minutes in air atmosphere (oxygen concentration about 21%, nitrogen concentration about 78%, atmospheric pressure). Except this point, it carried out similarly to Example 2, and obtained the printed wiring board.

(실시예 5) (Example 5)

제1 가열 공정을 질소 분위기 하(산소 농도 450ppm, 질소 농도 약 99％, 대기압), 220℃에서 60분간 가열 처리함으로써 실시했다. 이 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.The 1st heating process was performed by heat-processing for 60 minutes at 220 degreeC under nitrogen atmosphere (oxygen concentration 450 ppm, nitrogen concentration about 99%, atmospheric pressure). Except this point, it carried out similarly to Example 1, and obtained the printed wiring board.

(실시예 6) (Example 6)

제조예 1에 의해 얻어진 적층판이 갖는 동박을 전면 에칭 제거하고, 노출된 수지 표면에 무전해 동도금층(우에무라 공업사 제, 스루컵 PEA 프로세스)을 목표막 두께 1㎛로 형성했다. 이어서, 중화 처리(Re 처리)로서 상기 적층판을 액온 50℃의 중화처리액(아토텍크사 제, 리덕션 세큐리건트 P500 건욕액)에 5분간 침지한 후, 3회 수세했다. 이어서, 질소 분위기 하(산소 농도 450ppm, 질소 농도 약 99％, 대기압), 220℃에서 60분간 가열 처리함으로써 제1 가열 공정을 실시했다. 제1 가열 공정 후는, 실시예 1과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.The copper foil which the laminated board obtained by the manufacture example 1 had was etched-out, and the electroless copper plating layer (Through cup PEA process made by Uemura Industrial Co., Ltd.) was formed in the target film thickness of 1 micrometer on the exposed resin surface. Subsequently, as the neutralization treatment (Re treatment), the laminate was immersed in a neutralization treatment liquid (manufactured by Atotech Co., Ltd., Reduction Secure P500 dry bath solution) at a liquid temperature of 50 ° C. for 5 minutes, and then washed with water three times. Next, the 1st heating process was implemented by heat-processing at 220 degreeC for 60 minutes in nitrogen atmosphere (oxygen concentration 450 ppm, nitrogen concentration about 99%, atmospheric pressure). After the 1st heating process, it carried out similarly to Example 1, and obtained the printed wiring board.

(실시예 7) (Example 7)

제1 가열 공정을 질소 분위기 하(산소 농도 450ppm, 질소 농도 약 99％, 대기압), 220℃에서 60분간 가열 처리함으로써 실시했다. 이 점 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.The 1st heating process was performed by heat-processing for 60 minutes at 220 degreeC under nitrogen atmosphere (oxygen concentration 450 ppm, nitrogen concentration about 99%, atmospheric pressure). Except this point, it carried out similarly to Example 2, and obtained the printed wiring board.

(실시예 8) (Example 8)

플래시 에칭에 의한 패턴상 에칭 공정 후, 공기 분위기 하(산소 농도 약 21％, 질소 농도 약 78％, 대기압), 220℃에서 60분간 가열 처리함으로써 제2 가열 공정을 실시했다. 이 점 이외에는, 실시예 5와 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.After the pattern etching process by flash etching, the 2nd heating process was implemented by heat-processing at 220 degreeC for 60 minutes in air atmosphere (oxygen concentration about 21%, nitrogen concentration about 78%, atmospheric pressure). Except this point, it carried out similarly to Example 5, and obtained the printed wiring board.

(실시예 9) (Example 9)

플래시 에칭에 의한 패턴상 에칭 공정 후, 공기 분위기 하(산소 농도 약 21％, 질소 농도 약 78％, 대기압), 220℃에서 60분간 가열 처리함으로써 제2 가열 공정을 실시했다. 이 점 이외에는, 실시예 6과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.After the pattern etching process by flash etching, the 2nd heating process was implemented by heat-processing at 220 degreeC for 60 minutes in air atmosphere (oxygen concentration about 21%, nitrogen concentration about 78%, atmospheric pressure). Except this point, it carried out similarly to Example 6, and obtained the printed wiring board.

(실시예 10) (Example 10)

플래시 에칭에 의한 패턴상 에칭 공정 후, 공기 분위기 하(산소 농도 약 21％, 질소 농도 약 78％, 대기압), 220℃에서 60분간 가열 처리함으로써 제2 가열 공정을 실시했다. 이 점 이외에는, 실시예 7과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.After the pattern etching process by flash etching, the 2nd heating process was implemented by heat-processing at 220 degreeC for 60 minutes in air atmosphere (oxygen concentration about 21%, nitrogen concentration about 78%, atmospheric pressure). Except this point, it carried out similarly to Example 7, and obtained the printed wiring board.

(실시예 11) (Example 11)

제2 가열 공정을 질소 분위기 하(산소 농도 450ppm, 질소 농도 약 99％, 대기압), 220℃에서 60분간 가열 처리함으로써 실시했다. 이 점 이외에는, 실시예 8과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.The 2nd heating process was performed by heat-processing at 220 degreeC for 60 minutes in nitrogen atmosphere (oxygen concentration 450 ppm, nitrogen concentration about 99%, atmospheric pressure). Except this point, it carried out similarly to Example 8, and obtained the printed wiring board.

(실시예 12) (Example 12)

제2 가열 공정을 질소 분위기 하(산소 농도 450ppm, 질소 농도 약 99％, 대기압), 220℃에서 60분간 가열 처리함으로써 실시했다. 이 점 이외에는, 실시예 9와 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.The 2nd heating process was performed by heat-processing at 220 degreeC for 60 minutes in nitrogen atmosphere (oxygen concentration 450 ppm, nitrogen concentration about 99%, atmospheric pressure). Except this point, it carried out similarly to Example 9, and obtained the printed wiring board.

(실시예 13) (Example 13)

제2 가열 공정을 질소 분위기 하(산소 농도 450ppm, 질소 농도 약 99％, 대기압), 220℃에서 60분간 가열 처리함으로써 실시했다. 이 점 이외에는, 실시예 10과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.The 2nd heating process was performed by heat-processing at 220 degreeC for 60 minutes in nitrogen atmosphere (oxygen concentration 450 ppm, nitrogen concentration about 99%, atmospheric pressure). Except this point, it carried out similarly to Example 10, and obtained the printed wiring board.

(실시예 14) (Example 14)

제조예 1에 의해 얻어진 적층판을 이용하지 않고, 제조예 2에 의해 얻어진 적층판을 이용했다. 이 점 이외에는, 실시예 8과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.The laminated board obtained by manufacture example 2 was used, without using the laminated board obtained by manufacture example 1. Except this point, it carried out similarly to Example 8, and obtained the printed wiring board.

(실시예 15) (Example 15)

제조예 1에 의해 얻어진 적층판을 이용하지 않고, 제조예 2에 의해 얻어진 적층판을 이용했다. 이 점 이외에는, 실시예 9와 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.The laminated board obtained by manufacture example 2 was used, without using the laminated board obtained by manufacture example 1. Except this point, it carried out similarly to Example 9, and obtained the printed wiring board.

(실시예 16) (Example 16)

제조예 1에 의해 얻어진 적층판을 이용하지 않고, 제조예 2에 의해 얻어진 적층판을 이용했다. 이 점 이외에는, 실시예 10과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.The laminated board obtained by manufacture example 2 was used, without using the laminated board obtained by manufacture example 1. Except this point, it carried out similarly to Example 10, and obtained the printed wiring board.

(실시예 17) (Example 17)

제1 가열 공정을 실시하지 않았던 것 이외에는, 실시예 3과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.Except not having performed the 1st heating process, it carried out similarly to Example 3, and obtained the printed wiring board.

(실시예 18) (Example 18)

제1 가열 공정을 실시하지 않았던 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.A printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 4 except that the first heating step was not performed.

(실시예 19) (Example 19)

제1 가열 공정을 감압 분위기 하(산소 농도 280ppm, 1torr), 220℃에서 60분간 가열 처리함으로써 실시했다. 이 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.The 1st heating process was performed by heat-processing at 220 degreeC for 60 minutes in reduced pressure atmosphere (oxygen concentration 280 ppm, 1 torr). Except this point, it carried out similarly to Example 1, and obtained the printed wiring board.

(실시예 20) (Example 20)

제1 가열 공정을 감압 분위기 하(산소 농도 280ppm, 1torr), 220℃에서 60분간 가열 처리함으로써 실시했다. 이 점 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.The 1st heating process was performed by heat-processing at 220 degreeC for 60 minutes in reduced pressure atmosphere (oxygen concentration 280 ppm, 1 torr). Except this point, it carried out similarly to Example 2, and obtained the printed wiring board.

(비교예 1) (Comparative Example 1)

제1 가열 공정을 실시하지 않았던 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.A printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the first heating step was not performed.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

제1 가열 공정을 실시하지 않았던 것 이외에는, 실시예 6과 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.A printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 6 except that the first heating step was not performed.

(비교예 3) (Comparative Example 3)

제1 가열 공정을 실시하지 않았던 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 프린트 배선판을 얻었다.Except not having performed the 1st heating process, it carried out similarly to Example 2, and obtained the printed wiring board.

(평가) (evaluation)

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 프린트 배선판을 이용하여 도체 회로층의 필 강도 측정을 실시했다. 필 강도 측정은 JIS C6481에 준거해 실시하여, 25℃에서 폭 10mm의 도체 회로층의 필 강도를 측정했다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.Peel strength measurement of the conductor circuit layer was performed using the printed wiring board obtained by each Example and the comparative example. Peel strength measurement was performed based on JIS C6481, and the peel strength of the conductor circuit layer of width 10mm was measured at 25 degreeC. The measurement results are shown in Table 1.

비교예 1~3에서는 제1 가열 공정 및 제2 가열 공정을 실시하지 않았기 때문에, 얻어진 프린트 배선판은 도체 회로층의 필 강도가 낮았다.In Comparative Examples 1-3, since the 1st heating process and the 2nd heating process were not implemented, the obtained printed wiring board had the low peeling strength of the conductor circuit layer.

한편, 실시예 1~20에서는 제1 가열 공정 및/또는 제2 가열 공정을 실시했기 때문에, 얻어진 프린트 배선판은 도체 회로층의 필 강도가 높았다. 제조예 1에 의해 얻어진 적층판을 이용한 실시예 1~13 중에서는 제1 가열 공정을 공기 분위기 하에서 실시한 실시예 1~4에 비해, 제1 가열 공정을 질소 분위기 하에서 실시한 실시예 5~13이 필 강도는 높았다. 또, 실시예 14~16에서는 제조예 1과는 수지 바니시 중의 성분이 상이한 제조예 2에 의해 얻어진 적층판을 이용하고 있지만, 제1 가열 공정 및 제2 가열 공정을 실시했기 때문에, 얻어진 프린트 배선판은 도체 회로층의 필 강도가 높았다.On the other hand, in Examples 1-20, since the 1st heating process and / or the 2nd heating process were performed, the obtained printed wiring board had high peeling strength of the conductor circuit layer. In Examples 1-13 using the laminated board obtained by the manufacture example 1, Examples 5-13 which performed the 1st heating process in nitrogen atmosphere compared with Examples 1-4 which performed the 1st heating process in air atmosphere Was high. Moreover, in Examples 14-16, although the laminated board obtained by manufacture example 2 from which the component in resin varnish differs from manufacture example 1 is used, since the 1st heating process and the 2nd heating process were performed, the obtained printed wiring board was a conductor. The peel strength of the circuit layer was high.

이상, 도면을 참조해 본 발명의 실시 형태에 대해서 기술했지만, 이것들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 여러 가지 구성을 채용할 수도 있다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are illustrations of this invention, Various structures of that excepting the above are also employable.

이 출원은 2011년 1월 26일에 출원된 일본 출원 특원 2011-014105호를 기초로 하는 우선권을 주장하며, 그 개시된 모두는 본 명세서에 삽입된다.This application claims the priority based on Japanese Patent Application No. 2011-014105 for which it applied on January 26, 2011, and all that is disclosed is integrated in this specification.

Claims

표면이 수지 조성물로 이루어진 기판의 상기 표면 위에 무전해 도금에 의해 무전해 도금층을 형성하는 공정과,
상기 무전해 도금층 위에 개구를 갖는 레지스트 마스크를 형성하는 공정과,
상기 개구 내에 전해 도금에 의해 전해 도금층을 형성하는 공정과,
상기 레지스트 마스크를 제거하는 공정과,
상기 무전해 도금층 중 평면시에서 상기 전해 도금층과 겹치지 않는 부분을 에칭에 의해 선택적으로 제거하는 공정을 구비하고,
상기 무전해 도금층을 형성하는 공정 후 및 상기 전해 도금층을 형성하는 공정의 전에 상기 기판을 가열하는 제1 가열 공정, 및/또는 상기 전해 도금층을 형성하는 공정 후에 상기 기판을 가열하는 제2 가열 공정을 갖는 프린트 배선판의 제조 방법.A step of forming an electroless plating layer by electroless plating on the surface of the substrate whose surface is made of a resin composition,
Forming a resist mask having an opening on the electroless plating layer;
Forming an electroplating layer by electroplating in the opening;
Removing the resist mask;
And selectively removing portions of the electroless plating layer that do not overlap with the electrolytic plating layer by etching in planar view,
A first heating step of heating the substrate after the step of forming the electroless plating layer and before the step of forming the electrolytic plating layer, and / or a second heating step of heating the substrate after the step of forming the electrolytic plating layer. The manufacturing method of the printed wiring board which has.

청구항 1에 있어서,
상기 제1 가열 공정에서, 상기 기판은 130~280℃의 온도에 의해 가열되는 프린트 배선판의 제조 방법.The method according to claim 1,
In the first heating step, the substrate is heated by a temperature of 130 ~ 280 ℃ manufacturing method of a printed wiring board.

청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 가열 공정은 산소 농도가 1000ppm 이하인 분위기 하에서 실시되는 프린트 배선판의 제조 방법.The method according to claim 1 or 2,
The said 1st heating process is a manufacturing method of the printed wiring board performed in the atmosphere whose oxygen concentration is 1000 ppm or less.

청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 가열 공정은 질소 농도가 78％ 이상인 분위기 하에서 실시되는 프린트 배선판의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
The said 1st heating process is a manufacturing method of the printed wiring board performed in the atmosphere whose nitrogen concentration is 78% or more.

청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 가열 공정은 감압 하에서 실시되는 프린트 배선판의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
The said 1st heating process is a manufacturing method of the printed wiring board performed under reduced pressure.

청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 가열 공정에서, 상기 기판을 가열 처리하는 시간은 30분 이상 300분 이하인 프린트 배선판의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 5,
The said 1st heating process WHEREIN: The manufacturing time of the printed wiring board is 30 minutes-300 minutes of heat processing of the said board | substrate.

청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 가열 공정에서, 상기 기판은 130~280℃의 온도에 의해 가열되는 프린트 배선판의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 6,
In the second heating step, the substrate is heated by a temperature of 130 ~ 280 ℃ manufacturing method of a printed wiring board.

청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 가열 공정은 산소 농도가 1000ppm 이하인 분위기 하에서 실시되는 프린트 배선판의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 7,
The said 2nd heating process is a manufacturing method of the printed wiring board performed in the atmosphere whose oxygen concentration is 1000 ppm or less.

청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 가열 공정은 질소 농도가 78％ 이상인 분위기 하에서 실시되는 프린트 배선판의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 8,
The said 2nd heating process is a manufacturing method of the printed wiring board performed in the atmosphere whose nitrogen concentration is 78% or more.

청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 가열 공정은 감압 하에서 실시되는 프린트 배선판의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 9,
The said 2nd heating process is a manufacturing method of the printed wiring board performed under reduced pressure.

청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 가열 공정에서, 상기 기판을 가열 처리하는 시간은 30분 이상 300분 이하인 프린트 배선판의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 10,
The said 2nd heating process WHEREIN: The manufacturing time of the printed wiring board is 30 minutes-300 minutes of heat processing of the said board | substrate.

청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
상기 무전해 도금층의 층 두께는 0.1㎛ 이상 2㎛ 이하인 프린트 배선판의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 11,
The layer thickness of the said electroless plating layer is 0.1 micrometer or more and 2 micrometers or less.