KR20140007510A - Ｌｅｄ패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

Ｌｅｄ패키지 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140007510A
KR20140007510A KR1020120074285A KR20120074285A KR20140007510A KR 20140007510 A KR20140007510 A KR 20140007510A KR 1020120074285 A KR1020120074285 A KR 1020120074285A KR 20120074285 A KR20120074285 A KR 20120074285A KR 20140007510 A KR20140007510 A KR 20140007510A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
led chip
filling space
led
phosphor layer
Prior art date
Application number
KR1020120074285A
Other languages
English (en)
Inventor
주재철
김영석
Original Assignee
주재철
김영석
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주재철, 김영석 filed Critical 주재철
Priority to KR1020120074285A priority Critical patent/KR20140007510A/ko
Publication of KR20140007510A publication Critical patent/KR20140007510A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판; 상기 기판에 실장된 적어도 하나의 LED 칩; 상기 기판상에 형성되어 상기 LED칩의 주변에 채움 공간을 구비하는 몰딩부; 및 상기 몰딩부의 채움 공간 내에 형성되는 형광체층을 포함한다. 이에 의해, LED 칩을 밀봉하는 몰딩부에 형광물질을 채울 수 있는 채움 공간을 형성하여 형광물질을 LED 칩 주변에 균일하게 분포시킬 수 있도록 함으로써 LED 패키지의 발광 특성을 향상시킬 수 있다.

Description

ＬＥＤ패키지 및 그 제조방법{LED Package and Method of manufacturing the same}
본 발명은 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, LED 칩을 밀봉하는 몰딩부에 형광물질을 채울 수 있는 채움 공간을 형성하여 형광물질을 LED 칩 주변에 균일하게 분포시킬 수 있도록 함으로써 LED 패키지의 발광 특성을 향상시킬 수 있는 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 발광다이오드(LED : Light Emitting Diode, 이하 LED로 지칭함)는 반도체의 pn 접합에 전류를 흘려 보내면 빛이 방출되도록 한 다이오드의 일종으로, 비소화갈륨(GaAs)은 적외선용으로 이용되는 발광다이오드, 비소화갈륨알루미늄(GaAlAs)은 적외선 또는 빨간색용으로 이용되는 발광다이오드, 인화갈륨비소(GaAsP)는 빨간색ㆍ주황색ㆍ 또는 노란색 용으로 이용되는 발광다이오드, 인화갈륨(GaP)은 빨간색ㆍ녹색 또는 노란색 용으로 이용되는 발광다이오드, 갈륨나이트(GaN)는 희토류 물질인 CrㆍTmㆍTb를 활성이온으로 하는 형광체를 혼합하여 백색을 발광하도록 하는 백색 발광다이오드 등이 알려져 있다.
또한, 형광체를 발광 다이오드 칩에 배치시켜, 발광 다이오드 칩의 1차 발광의 일부와 형광체에 의해 파장 변환된 2차 발광이 혼색 되어 백색을 구현하는 기술도 이용되고 있다. 형광체를 이용하는 구조의 백색 발광 다이오드는 가격이 싸고, 원리적 및 구조적으로 매우 간단하기 때문에 널리 이용되고 있다. 일반적으로 백색광의 구현을 위해 청색 발광 다이오드 칩과, 청색광으로부터 여기 가능한 황색 발광 형광체를 조합한다. 예를 들어, 450 내지 470㎚ 파장의 청색광과, YAG:Ce 또는 (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu 등의 황색 형광체의 황색광의 혼색으로 백색광을 구현할 수 있다. 또한, 백색광의 구현을 위해 청색 발광 다이오드 칩과, 청색광으로부터 여기 가능한 적색 및 녹색 발광 형광체를 조합한다. 예를 들어, 450 내지 470㎚ 파장의 청색광과, (Sr,Ca)S:Eu로 대표되는 적색 형광체의 적색광과, SrGa2S4:Eu로 대표되는 녹색 형광체의 녹색광의 혼색으로 백색광을 구현할 수 있다.
형광체를 이용하는 경우, 발광 다이오드 칩을 둘러싸는 투명한 수지 내에 상술한 형광체를 분포시킴으로써, 형광체가 발광 다이오드 칩의 광을 여기원으로 하여 발광할 수 있도록 한다.
도 1은 종래의 발광다이오드 구조를 도시한 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 발광다이오드는 기판(10)상에 발광다이오드 칩(20)을 실장하고 와이어를 연결한 후 발광다이오드 칩(20) 상에 형광체층(30)을 형성하고, 형광체층(30) 상에 몰딩층(40)을 형성하여 구성할 수 있다.
여기서, 형광체층(30)은 형광체를 포함한 투명 수지를 기판(10) 및 발광다이오드 칩(20) 상에 도포하여 경화시키는 방법으로 형성될 수 있다.
여기서, 형광체는 발광 다이오드 칩의 광을 여기원으로 하여 발광하기 때문에, 형광체의 분포가 불균일할 경우 광의 경로가 균일하지 못하여 색의 편차가 발생한다. 색의 편차가 발생하는 경우 광 효율이 떨어지고 색 온도 및 색 좌표 등의 발광 특성이 불안정해진다. 따라서, 색의 편차를 줄이기 위해서는 LED 칩 주변에 균일한 두께를 갖는 형광체층을 형성해야 한다.
그런데, 종래 기술에 따른 발광다이오드의 경우 형광체를 포함한 투명 수지를 LED 칩에 도포하여 경화시키는 방법으로 형광체층(30)을 형성하기 때문에 형광체층을 원하는 모양으로 성형하는 것이 용이하지 아니하다.
또한, 종래 기술에 따른 칩 주변을 감싸는 방식의 형광체 도포 방법은 LED 칩에서 나오는 빛이 칩에서 멀어질수록 칩을 감싸고 있는 형광체의 차광효과로 빛이 전달되는 양이 감소 되어 발광효율이 떨어지는 문제점이 있다.
이에, LED 칩을 중심으로 상면과 측면을 포함하는 모든 면에 대해 일정한 두께의 형광체층을 용이하게 형성할 수 있고, 발광 특성 또한 향상시킬 수 있는 기술이 필요한 실정이다.
한국공개특허 10-2010-0109285 : 몰딩방법
본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, LED 칩을 밀봉하는 몰딩부에 형광물질을 채울 수 있는 채움 공간을 형성하여 형광물질을 LED 칩 주변에 균일하게 분포시킬 수 있도록 함으로써 LED 패키지의 발광 특성을 향상시킬 수 있는 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공하는데 그 기술적 과제가 있다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판; 상기 기판에 실장된 적어도 하나의 LED 칩; 상기 기판상에 형성되어 상기 LED칩의 주변에 채움 공간을 구비하는 몰딩부; 및 상기 몰딩부의 채움 공간 내에 형성되는 형광체층을 포함하는 LED 패키지가 제공된다.
여기서, 상기 기판은, 양측으로 일부가 절개되어 제1전극과 제2전극이 형성된 금속 기판을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제1전극과 제2전극은 상기 LED 칩과 와이어 본딩에 의해 전기적으로 접속될 수 있다.
한편, 상기 몰딩부는, 투광성 봉지재를 이용하여 상기 기판 상면과 LED 칩을 봉지할 수 있다.
그리고, 상기 몰딩부의 채움 공간은 일정한 두께로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 형광체층은, 상기 몰딩부의 채움 공간 내에 상기 몰딩부와 동일한 높이로 형성될 수 있다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 LED 칩을 실장하는 단계; 상기 LED 칩과 상기 기판에 마련된 전극을 본딩 와이어로 연결하는 단계; 상기 LED 칩이 실장된 기판상에 채움 공간을 구비하는 몰딩부를 형성하는 단계; 및 상기 채움 공간에 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 LED 패키지의 제조방법이 제공된다.
여기서, 상기 몰딩부는, 투광성 봉지재를 이용하여 상기 기판 상면과 LED 칩을 봉지할 수 있다.
그리고, 상기 몰딩부의 채움 공간은 일정한 두께로 형성될 수 있다.
한편, 상기 채움 공간에 형광체층을 형성하는 단계는, 상기 채움 공간에 수지와 형광체를 포함하는 형광물질을 충전하는 단계; 상기 형광물질을 경화시키는 단계; 및 상기 형광물질을 상기 몰딩부와 동일한 높이로 평탄화하여 상기 형광체층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 LED 패키지 및 그 제조방법은, LED 칩을 밀봉하는 몰딩부에 형광물질을 채울 수 있는 채움 공간을 형성하여 형광물질을 LED 칩 주변에 균일하게 분포시킬 수 있도록 함으로써 LED 패키지의 발광 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 LED 패키지 및 그 제조방법은, 칩에서 멀리 위치한 형광체에도 동일한 빛의 양이 전달이 되어 더욱 많은 빛의 에너지를 칩에서 멀리 떨어진 형광체에도 전달이 가능하여 더욱 밝은 빛을 낼 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 따른 LED 패키지의 단면도,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도,
도 3 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 제조 공정도,
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 제조방법의 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 LED 패키지는 제1전극(110)과 제2전극(120)이 구비된 기판(100)과, 기판(100) 상에 실장되는 LED 칩(200)과, 기판(100) 상에 봉지되며 LED 칩(200)의 주변에 채움 공간이 형성된 몰딩부(300) 및 채움 공간 내에 형성되는 형광체층(400)을 포함할 수 있다.
기판(100)이 금속재질로 형성된 금속 기판인 경우 제1전극(110), 제2전극(120) 및 칩 실장부가 구조적으로 분리되도록 절개된 판상체의 형태로 구성될 수 있다.
금속 재질의 기판(100)은 열전도도가 우수한 금속 재질로 구성될 수 있으며, 구리(heavy Cu), 스테인리스 강, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 탄탈륨(Ta), 또는 이들의 합금 중 어느 하나로 구성될 수 있다. 기판의 특성상 알루미늄(Al) 재질로 구성됨이 바람직하며, 이때 알루미늄으로 기판(100)이 형성될 경우에는 기판(100)에서 칩이 실장되는 칩 실장부의 표면은 아노다이징에 의한 산화 피막이 더 형성될 수 있으며, 기판(100) 표면에 산화 피막에 의한 박막의 절연층이 형성될 수 있다. 칩 실장부의 표면이 아노다이징 처리된 경우에는 기판(100)과 절개부를 통해 단락된 제1전극(110)과 제2전극(120)은 패키지의 제작시 칩 실장부와 접촉되어 발생될 수 있는 전기적 쇼트를 부가적으로 방지할 수 있다.
한편, 기판(100)은 세라믹 또는 PPA(polyphthalamide) 수지재를 이용한 인쇄회로기판을 포함할 수 있으며, LED 칩(200)에서 발생된 광을 반사시키는 리플렉터를 더 구비할 수 있다.
기판(100) 상에는 적어도 하나 이상의 LED 칩(200)이 실장될 수 있다. 기판(100) 상에 실장되는 LED 칩(200)은 기판(100)에 형성된 제1전극(110)및 제2전극(120)에 본딩 와이어(W)를 이용하여 전기적으로 연결될 수 있다. LED 칩(200)은 복수개가 실장될 수 있으며, 본 실시예에서는 제1 내지 제3 LED 칩이 실장된 경우를 예시하고 있다.
몰딩부(300)는 LED 칩(200)이 실장된 기판(100)에 형성되어 LED 칩(200)의 주변에 채움 공간을 형성한다. 몰딩부(300)는 금형(미도시)을 기판(100)에 설치하고, 금형 내에 투광성의 수지를 채우는 방법으로 형성할 수 있다. 이러한 몰딩부(300)는 투명 EMC(Epoxy Molding Compound), 글래스(Glass), 실리콘, 에폭시, 또는 기타 투명한 수지를 포함하는 투광성 봉지재로 형성될 수 있다.
몰딩부(300)에는 상부가 개방된 채움 공간이 형성되며, 채움 공간은 LED 칩(200)의 형상과 대응되고 형광물질이 균일한 두께로 채워지도록 공간의 두께가 균일하게 형성된다. 이러한 몰딩부(300)는 상부가 개방되고 채움 공간을 구비한 채 LED 칩(200) 주변을 둘러싸는 형상이라면 채택 가능하여 다양한 LED 칩의 형상을 수용할 수 있다.
형광체층(400)은 몰딩부(300)의 채움 공간에 형성된다. 형광체층(400)은 채움 공간 내에 LED 칩(200)을 덮도록 형광물질을 충전한 후 경화시켜 형성할 수 있다. 몰딩부(300)의 채움 공간과 LED 칩(200) 간의 간격과 채움 공간의 두께가 일정한 경우, 형광체층(400)이 균일하게 형성되어 LED 칩(200)의 발광 경로를 일정하게 형성할 수 있으며, 이에 출력광의 색균일도를 향상시킬 수 있다. 형광물질은 투명 에폭시 또는 실리콘 수지 등의 투광성 수지와 형광체를 혼합하여 구성할 수 있다. 형광체층(400)에 포함된 형광체는 LED 칩(200)에서 방출된 1차 광을 파장이 변환된 2차 광으로 방출하여 이들의 혼색으로 원하는 스펙트럼 영역의 색을 구현한다.
한편, 형광체층(400)을 형성한 후에는 형광체층(400)과 몰딩부(300)을 보호하도록 봉지부재(미도시)가 더 형성될 수 있다. 봉지부재는 에폭시 수지, 실리콘 수지 등이 포함될 수 있으며 전술된 몰딩부(300)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
또한, 형광체층(400) 상에는 발광 효율을 향상시키기 위한 렌즈부(미도시)가 더 형성될 수 있다. 렌즈부는 LED 칩(200)이 실장된 영역의 상부에만 소정의 곡면을 갖도록 형성될 수 있으며, 복수의 LED 칩(200)이 실장된 경우 복수개의 LED 칩(200)의 상면 전체 영역에 소정의 곡면을 갖도록 형성될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 LED 패키지는 LED 칩(200)이 실장된 기판(100)에 채움 공간을 갖는 몰딩부(300)를 형성하고, 채운 공간에 형광물질을 충전하여 형광체층(400)을 형성한다. 이에, 형광체층(400)과 LED 칩(200)과의 거리 및 형광체층(400)의 두께를 일정하게 설계할 수 있으며, 나아가 형광체층(400)의 형상도 자유롭게 변경하여 설계할 수 있다.
이와 같은 구성을 갖는 LED 패키지는 기판(100)에 구비된 제 1 및 제 2전극(110, 120)으로부터 전류를 인가받아 LED 칩(200)에 발생된 광이 형광체층(400)의 균일한 색 변환 경로를 거쳐 외부로 방출됨에 따라 색 편차를 줄일 수 있다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 제조 상태도로서, 금속 기판에 하나의 LED 칩(200)을 실장한 LED 패키지의 제조 공정을 예시한 것이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 LED 패키지 제조방법은 먼저, 제1전극(110) 및 제2전극(120)이 형성된 기판(100)에 LED 칩(200)을 실장한다. 여기서, 기판(100)은 알루미늄(Al), 구리(heavy Cu), 스테인리스 강, 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 탄탈륨(Ta), 또는 이들의 합금 중 어느 하나로 구성된 금속으로 형성될 수 있다. 그리고 제1전극(110) 및 제2전극(120)은 금속 기판을 스트립 형태로 제단하거나 혹은 패드를 실장하여 형성할 수 있다.
이 후, LED 칩(200)을 제1전극(110) 및 제2전극(120)에 본딩 와이어로 연결한다.
다음으로, 금속 기판(100)의 상부에 채움 공간(350)을 갖는 몰딩부(300)를 형성한다. 몰딩부(300)는 채움 공간(350)을 갖는 몰딩부(300)의 반전 형상이 전사된 금형(도면 미도시)을 이용하여 트랜스퍼 몰딩 방식으로 형성할 수 있다. 여기서, 채움 공간(350)은 LED 칩(200)의 상면부와 측면부를 일정한 두께로 둘러싸도록 형성될 수 있다.
이 후, 몰딩부(300)의 채움 공간에 수지와 형광체의 혼합물을 주입하여 경화시킨 후, 몰딩부(300)의 높이와 동일한 높이로 형광체층(400)을 평탄화 시킴으로써 형광체층(400)을 형성한다. 이에, 일정한 두께로 LED 칩(200)을 둘러싸는 형광체층(400)을 형성할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 제조방법의 흐름도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, LED 패키지를 제조하기 위해서는 먼저, 기판(100)에 LED 칩(200)을 실장한다(S110).
이 후, LED 칩(200)과 기판(100)에 형성된 전극에 본딩 와이어(W)를 연결한다(S120). 여기서, 전극은 기판상에 LED 칩(200)과 함께 실장하거나, 금속 기판을 제단하는 등의 방법으로 형성될 수 있으며, LED 칩(200)의 실장 방법과 실장된 LED 칩(200)의 개수에 따라 하나 이상의 본딩 와이어(W)가 연결될 수 있다.
LED 칩(200)이 실장된 기판(100)에 채움 공간을 갖는 몰딩부(300)를 형성한다(S130). 채움 공간은 LED 칩(200)의 상면부와 측면부를 일정한 두께로 둘러싸도록 형성될 수 있다.
몰딩부(300)의 채움 공간에 형광물질을 충전하여 형광체층(400)을 형성한다(S140). 여기서, 형광체층(400)은 몰딩부(300)와 동일한 높이로 평탄화 함으로써, LED 칩(200)의 상면부와 측면부를 일정한 두께로 둘러싸는 형광체층(400)을 형성할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 LED 칩(200)이 실장된 기판(100)에 채움 공간을 갖는 몰딩부(300)를 먼저 형성하고, 채운 공간에 형광물질을 충전하여 형광체층(400)을 형성한다. 이에, 형광체층(400)의 두께를 일정하게 형성하여 LED 칩(200)의 발광 경로를 일정하게 형성할 수 있으며, 이에 출력광의 색균일도를 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100 : 기판 110 : 제1전극
120 : 제2전극 200 : LED 칩
300 : 몰딩부 350 : 채움 공간
400 : 형광체층

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판에 실장된 적어도 하나의 LED 칩;
    상기 기판상에 형성되어 상기 LED칩의 주변에 채움 공간을 구비하는 몰딩부; 및
    상기 몰딩부의 채움 공간 내에 형성되는 형광체층을 포함하는 LED 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은,
    양측으로 일부가 절개되어 제1전극과 제2전극이 형성된 금속 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1전극과 제2전극은 상기 LED 칩과 와이어 본딩에 의해 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩부는,
    투광성 봉지재를 이용하여 상기 기판 상면과 LED 칩을 봉지하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩부의 채움 공간은 일정한 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 형광체층은,
    상기 몰딩부의 채움 공간 내에 상기 몰딩부와 동일한 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  7. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판에 LED 칩을 실장하는 단계;
    상기 LED 칩과 상기 기판에 마련된 전극을 본딩 와이어로 연결하는 단계;
    상기 LED 칩이 실장된 기판상에 채움 공간을 구비하는 몰딩부를 형성하는 단계; 및
    상기 채움 공간에 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 LED 패키지의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 몰딩부는,
    투광성 봉지재를 이용하여 상기 기판 상면과 LED 칩을 봉지하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 몰딩부의 채움 공간은 일정한 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 채움 공간에 형광체층을 형성하는 단계는,
    상기 채움 공간에 수지와 형광체를 포함하는 형광물질을 충전하는 단계;
    상기 형광물질을 경화시키는 단계; 및
    상기 형광물질을 상기 몰딩부와 동일한 높이로 평탄화하여 상기 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지의 제조방법.
KR1020120074285A 2012-07-09 2012-07-09 Ｌｅｄ패키지 및 그 제조방법 KR20140007510A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120074285A KR20140007510A (ko) 2012-07-09 2012-07-09 Ｌｅｄ패키지 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120074285A KR20140007510A (ko) 2012-07-09 2012-07-09 Ｌｅｄ패키지 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140007510A true KR20140007510A (ko) 2014-01-20

Family

ID=50141827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120074285A KR20140007510A (ko) 2012-07-09 2012-07-09 Ｌｅｄ패키지 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140007510A (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170058055A (ko) * 2015-11-18 2017-05-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법
CN110379324A (zh) * 2019-07-23 2019-10-25 深圳光台实业有限公司 一种led发光显示装置及其制作方法
WO2019221431A1 (ko) * 2018-05-18 2019-11-21 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
CN112219060A (zh) * 2018-05-24 2021-01-12 Lg伊诺特有限公司 照明模块及具有该照明模块的照明装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170058055A (ko) * 2015-11-18 2017-05-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법
WO2019221431A1 (ko) * 2018-05-18 2019-11-21 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
KR20190132124A (ko) * 2018-05-18 2019-11-27 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
JP2021523539A (ja) * 2018-05-18 2021-09-02 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明モジュールおよびこれを備えた照明装置
US11387395B2 (en) 2018-05-18 2022-07-12 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module and lighting device comprising the same
CN112219060A (zh) * 2018-05-24 2021-01-12 Lg伊诺特有限公司 照明模块及具有该照明模块的照明装置
EP3795890A4 (en) * 2018-05-24 2022-03-23 LG Innotek Co., Ltd. LIGHTING MODULE AND LIGHTING DEVICE THEREOF
US11742465B2 (en) 2018-05-24 2023-08-29 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module and lighting apparatus having same
CN112219060B (zh) * 2018-05-24 2024-03-26 Lg伊诺特有限公司 照明模块
CN110379324A (zh) * 2019-07-23 2019-10-25 深圳光台实业有限公司 一种led发光显示装置及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7714342B2 (en) Chip coated light emitting diode package and manufacturing method thereof
US9620689B2 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US9673363B2 (en) Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs
KR101251821B1 (ko) 발광 소자 패키지
JP5233170B2 (ja) 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法
US9660153B2 (en) Gap engineering for flip-chip mounted horizontal LEDs
EP2461380A2 (en) Light emitting device package and manufacturing method thereof
KR20150058503A (ko) 광전자 소자
JP2007194525A (ja) 半導体発光装置
US9614138B2 (en) Package, light emitting device, and methods of manufacturing the package and the light emitting device
JP6212989B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
KR20140007510A (ko) Ｌｅｄ패키지 및 그 제조방법
KR100780182B1 (ko) 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP2007096361A (ja) 発光装置
JP4016925B2 (ja) 発光装置
KR100679947B1 (ko) 발광 다이오드의 색온도 편차 개선 구조 및 그 방법
US9093281B2 (en) Luminescence device
US11894499B2 (en) Lens arrangements for light-emitting diode packages
KR101430178B1 (ko) 사이드뷰 led 패키지
JPH11233831A (ja) 発光ダイオード及びその形成方法
KR101248515B1 (ko) 발광 다이오드
KR101374899B1 (ko) 발광 다이오드
KR20130105566A (ko) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
KR200458041Y1 (ko) 발광 소자
KR20080002297A (ko) 발광 다이오드

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application