CN112219060B - 照明模块 - Google Patents
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- CN112219060B CN112219060B CN201980034908.5A CN201980034908A CN112219060B CN 112219060 B CN112219060 B CN 112219060B CN 201980034908 A CN201980034908 A CN 201980034908A CN 112219060 B CN112219060 B CN 112219060B
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 143
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 137
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 137
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 144
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 332
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 15
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- NDWUBGAGUCISDV-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybutyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCCOC(=O)C=C NDWUBGAGUCISDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- -1 hydroxymethyl ethyl Chemical group 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGJNGFXWWYBJS-UHFFFAOYSA-N phosphoroso-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=C(C(=O)P=O)C(C)=C1 XNGJNGFXWWYBJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- IPGUVFCQXPTGJW-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybutyl prop-2-enoate 6-hydroxy-2-methylidenehexanoic acid Chemical compound OCCCCC(C(=O)O)=C.C(C=C)(=O)OCCCCO IPGUVFCQXPTGJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
本发明的实施例中公开的照明模块包括:基板;多个发光器件,设置在基板上;树脂层,设置在多个发光器件上;以及反射构件,围绕多个发光器件设置。反射构件包括多个反射单元,多个反射单元包括第一反射区域和面对第一反射区域的第二反射区域。在多个反射单元中的至少一个中,连接第一反射区域的最高点与基板和第一反射区域接触的第一点的直线与基板在第一点处的切线形成第一角度,并且连接第二反射区域的最高点与基板和第二反射区域接触的第二点的直线与基板在第二点处的切线形成第二角度。多个反射单元中的至少一者的第一角度和第二角度可以不同。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及一种具有发光器件的照明模块。本发明的实施例涉及一种发光器件及具有围绕该发光器件的反射构件的照明模块。本发明的实施例涉及一种提供面光源的照明模块。本发明的实施例涉及一种具有照明模块的照明单元或车灯。
背景技术
典型的照明应用包括车辆照明以及显示器和标志的背光。与诸如荧光灯和白炽灯的常规光源相比,诸如发光二极管(LED)的发光器件例如具有低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全和环境友好的优点。这些发光二极管被应用于各种显示装置、诸如室内灯或室外灯的各种照明装置。近来,作为车辆光源,已经提出了采用发光二极管的灯。与白炽灯相比,发光二极管的优势在于功耗小。然而,由于从发光二极管发射的光的发射角小,因此,当将发光二极管用作车灯时,需要增加使用发光二极管的灯的发光面积。发光二极管由于其小尺寸而可以提高灯的设计自由度,并且由于其半永久性寿命而在经济上有利。
发明内容
技术问题
本发明的实施例可以提供一种提供面光源的照明模块。本发明的实施例可以提供一种设置有多个发光器件和围绕每个发光器件设置的反射构件的照明模块。本发明的实施例可以提供一种具有基于发光器件彼此面对的反射构件的不同曲率的表面的照明模块。本发明的实施例可以提供具有距基于发光器件彼此面对的反射构件的上端不同距离的照明模块。本发明的实施例可以提供一种在基板上具有多个发光器件、反射构件以及树脂层的柔性照明模块。本发明的实施例可以提供一种在基板上具有多个发光器件、反射构件、树脂层和荧光体层的柔性照明模块。本发明的实施例提供一种光提取效率和光分布特性得到改善的照明模块。本发明的实施例提供一种用于照射面光源的照明模块及具有该照明模块的照明装置。本发明的实施例可以提供一种具有照明模块的照明单元、显示装置或车灯。
技术方案
根据本发明的实施例的照明装置包括:基板;多个发光器件,所述多个发光器件设置在基板上;树脂层,所述树脂层设置在多个发光器件上;以及反射构件,所述反射构件围绕多个发光器件设置,其中,反射构件包括多个反射单元,所述多个反射单元包括第一反射区域和面对该第一反射区域的第二反射区域,其中,多个反射单元中的至少一个在将第一反射区域的最高点与基板和第一反射区域彼此接触的第一点连接的直线与基板在第一点处的切线之间具有第一角度,并且在将第二反射区域的最高点与基板和第二反射区域彼此接触的第二点连接的直线与基板在第二点处的切线之间具有第二角度,并且多个反射单元中的至少一个可以具有彼此不同的第一角度和第二角度。
根据本发明实施例的照明模块包括:基板;多个发光器件,所述多个发光器件设置在基板上;树脂层,所述树脂层设置在多个发光器件上;以及反射构件,所述反射构件围绕多个发光器件设置,其中,多个发光器件包括第一发光器件和第二发光器件,并且反射构件包括围绕第一发光器件设置的第一反射单元以及围绕第二发光器件设置的第二反射单元,其中第一反射单元包括设置在第一发光器件的一侧上的第一反射区域和设置在第一发光器件的另一侧上的第二反射区域。其中,第二反射单元包括设置在第二发光器件的一侧上的第一反射区域和设置在第二发光器件的另一侧上的第二反射区域,并且第一反射单元具有在穿过第一反射区域的最高点和第一发光器件的上表面的中心的直线与基板的与穿过第一发光器件的上表面的中心的法线接触的第一切线之间的第一倾斜角,并且第二反射单元具有在穿过第二反射区域的最高点和第二发光器件的上表面的中心的直线与基板的与穿过第二发光器件的上表面的中心的法线接触的第二切线之间的第二倾斜角,第一反射单元的第一倾斜角和第二反射单元的第二倾斜角可以彼此不同。
根据本发明的实施例,多个反射单元中的至少一个反射单元可以具有小于第二角度的第一角度。根据本发明的实施例,多个反射单元可以包括相邻的第一反射单元和第二反射单元,并且第一反射单元和第二反射单元中的每一个的第一角度可以彼此不同。根据本发明的实施例,多个反射单元中的其它反射单元中的至少一个的第一角度和第二角度可以相同。根据本发明的实施例,第一反射单元的第二反射区域和第二反射单元的第一反射区域彼此接触的区域可以包括最高点。根据本发明的实施例,第一反射区域的高度和第二反射区域的高度可以距基板的上表面具有相同的高度。
根据本发明的实施例,从发光器件的上表面的中心到第一反射区域的最高点的第一距离可以与从发光器件的上表面的中心到第二反射区域的最高点的第二距离不同。根据本发明的实施例,第一距离可以大于第二距离。根据本发明的实施例,多个发光器件之间的间隔可以相同。根据本发明的实施例,第一点和第二点可以与发光器件的下表面的中心间隔开相同的距离。根据本发明的实施例,第一反射区域和第二反射区域可以包括曲率。根据本发明的实施例,可以在垂直方向上与基板的上表面重叠的区域中在发光器件上进一步设置遮光部。
根据本发明的实施例,可以进一步包括设置在树脂层的上表面和侧表面上的荧光体层,反射单元可以与荧光体层的侧表面接触。根据本发明的实施例,基板的上表面可以具有曲率。根据本发明的实施例,反射构件的高度的范围可以是树脂层的高度的0.4至0.6倍。
根据本发明的实施例,第一反射单元具有在穿过第二反射区域的最高点和第一发光器件的上表面的中心的直线与第一切线之间的第三倾斜角,第二反射单元具有在穿过第二反射区域的最高点和第二发光器件的中心的直线与第二切线之间的第四倾斜角,并且第一反射单元的第三倾斜角与第二反射单元的第四倾斜角可以彼此不同。根据本发明的实施例,第一反射单元的第一倾斜角可以大于第二反射单元的第一倾斜角。根据本发明的实施例,第一反射单元的第三倾斜角可以小于第二反射单元的第四倾斜角。
有益效果
根据本发明的实施例,可以提高照明模块中的面光源的光均匀性,并且可以减小柔性照明模块中的每个区域的光分布的差异。根据本发明的实施例,由于照明模块提供围绕每个发光器件的具有不同曲率或不同倾斜表面的反射构件,因此可以防止根据发光器件的倾斜位置而导致的发光强度的降低,并且可以减少每个发光器件上的热点。根据本发明的实施例,可以通过在发光器件上层压由树脂材料制成的树脂层来实现柔性照明模块。本发明的实施例可以改善照明模块的光效率和光分布特性。可以改善根据本发明的实施例的照明模块和具有该照明模块的照明装置的光学可靠性。可以改善具有根据本发明实施例的照明模块的车辆照明装置的可靠性。本发明的实施例可以应用于具有照明模块的背光单元、各种显示装置、面光源照明装置或车灯。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施例的照明模块的平面图。
图2是图1的照明模块的A-A侧的剖视图。
图3是用于说明图2的照明模块的反射构件的局部放大图。
图4是图3的反射构件的另一示例。
图5是示出图3的照明模块的反射构件的结构的图。
图6是根据本发明的实施例的照明模块的变型例。
图7是示出图6的照明模块中的反射构件的结构的图。
图8是用于说明图6的照明模块中的反射构件的结构和光路的图。
图9是根据本发明的实施例的照明模块的另一示例。
图10是示出根据本发明的实施例的照明模块的应用例的灯的示例。
图11是根据本发明的实施例的照明模块的发光器件的示例。
图12是具有反射构件的照明模块的每个发光器件的光束扩展角的分布的比较例和示例。
图13是将根据本发明实施例的照明模块中的反射构件的最大宽度根据发光器件的旋转角度进行比较的图。
图14是示出具有根据示例性实施例的照明模块的灯所应用于的车辆的平面图。
图15是示出具有根据本发明的实施例的照明模块或照明装置的灯的图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细描述本发明的优选实施例,通过优选实施例,本发明所属领域的普通技术人员可以容易地实施本发明。然而,应当理解,在说明书中描述的实施例和在附图中示出的配置仅是本发明的优选实施例,并且存在可以替代在提交本申请时的实施例和配置的各种等同物和变型。
在详细描述本发明的优选实施例的操作原理时,当已知功能或配置的详细描述被认为不必要地模糊了本公开的主旨时,将省略详细描述。以下描述的术语被定义为考虑到本发明的功能而定义的术语,并且应当基于整个说明书的内容来解释每个术语的含义。在所有附图中,相同的附图标记用于具有相似功能和动作的部件。
根据本发明的照明装置可以应用于需要照明的各种灯装置,例如,车灯、家用照明装置或工业照明装置。例如,当照明装置应用于车灯时,它可以应用于前照灯、后视镜灯、雾灯、尾灯、停车灯、侧标灯、日间行车灯、车辆内饰灯、门槛饰板(door scarf)、后组合灯、倒车灯等。本发明的照明装置还可以应用于室内和室外广告设备领域,并且还可以应用于当前正在开发和商业化或者可以通过未来技术发展实现的所有其他照明相关领域和广告相关领域。
在下文中,通过对附图和实施例的描述,实施例将变得显而易见。在实施例的描述中,在将每个层(膜)、区域、焊盘或图案描述为形成在每个层(膜)、区域、焊盘或图案“上”或“下”的情况下,“上”和“下”包括“直接地”形成和“间接地”形成这两者。另外,将基于附图来描述确定每个层的“上”或“下”的基准。
图1是示出根据本发明的实施例的照明模块的平面图,图2是图1的照明模块的A-A侧的剖视图的示例,图3是用于说明图2的照明模块的反射构件的局部放大图。
参照图1至图3,照明模块100包括:基板11;设置在基板11上的发光器件21;围绕发光器件21的反射构件31;以及在基板11上覆盖发光器件21的树脂层41。发光模块100可以在树脂层41上包括荧光体层51。
照明模块可以将从发光器件21发射的光发射到面光源。照明模块100可以包括设置在基板11上的反射层。在照明模块100中,多个发光器件21可以布置成N列(N是大于或等于1的整数)。如图1所示,多个发光器件21可以布置为N列和M行(N和M是2以上的整数)。照明模块100可以应用于需要照明的各种灯装置,例如车灯、家用照明装置或工业照明装置。例如,在照明模块应用于车灯的情况下,其可以应用于前照灯、后视镜灯、位置灯、雾灯、尾灯、转向信号灯、倒车灯、停车灯、日间行车灯、车辆内饰灯、门槛饰板、后组合灯和倒车灯。照明模块100可以以组装到具有倾斜表面或弯曲表面的支架或壳体的形式被提供为柔性模块。
照明模块100可以发出绿色、蓝色、黄色、白色或红色光中的至少一种。例如,照明模块100可以发出红色光。
基板11包括印刷电路板(PCB),例如,树脂基印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB或FR-4PCB。例如,基板11可以包括柔性PCB。基板11的上表面具有X轴和Y轴方向的平面,并且基板11的厚度可以是在与X和Y方向正交的Z方向上的高度。在此,X方向可以是第一方向,Y方向可以是与X方向正交的第二方向,Z方向可以是与X和Y方向正交的第三方向。
基板11可以在其上包括布线层(未示出),并且该布线层可以电连接到发光器件21。多个发光器件21可以通过布线层而串联、并联或串并联连接。基板11可以用作位于发光器件21、树脂层41和反射构件31的下方的基底构件或支撑构件。
基板11在X方向上的长度和在Y方向上的长度可以彼此相同或不同。基板11的厚度可以为0.5mm以下,例如,在0.3mm至0.5mm的范围内。由于基板11的厚度被设置得薄,因此可以减小照明模块的厚度。照明模块100的厚度t1可以距基板11的底部为5.5mm以下,例如,在4.5mm至5.5mm或4.5mm至5mm的范围内。照明模块100的厚度t1可以是基板11的下表面与荧光体层51的上表面之间的直线距离。照明模块100的厚度t1可以为树脂层31的厚度t2的220%以下,例如,在180%至220%的范围内。当厚度t1比上述范围薄时,照明模块100可能减小光扩散空间并产生热点,当厚度大于上述范围时,由于厚度的增加,照明模块100可能增加空间安装限制和设计自由度。根据本发明的实施例,由于照明模块100的厚度t1为5.5mm以下,例如5mm以下,所以可以实现弯曲的结构,从而可以减小设计自由度和空间限制。
基板11可以在其一部分中设置有连接器以向发光器件21供应电力。基板11上的设置有连接器的区域可以是未形成有树脂层的区域。基板11可以具有矩形俯视图形状、正方形或其它多边形形状。基板11可以具有直的或弯曲的条形。
基板11可以在其上包括保护层或反射层。保护层或反射层可以包括具有阻焊材料的构件,并且阻焊材料是白色材料并可以反射入射光。
发光器件21可以设置在基板11上并且用树脂层41密封。发光器件21经由树脂层41发射光。树脂层41可以与发光器件21的表面接触。发光器件21具有光出射表面和多个侧表面,并且光出射表面面对树脂层41的上表面以发射光。发光器件21的多个侧表面可以发射光。树脂层41可以与每个发光器件21的光出射表面和多个侧表面接触。当荧光体层51设置在树脂层41上时,穿过树脂层41发射的光可以经由荧光体层51发射。
发光器件21的光出射表面和侧表面发射光。发光器件21是经由至少五个表面发射光的LED芯片,并且可以以倒装芯片的形式设置在基板11上。作为另一示例,发光器件21可以包括水平型LED芯片或垂直型LED芯片。在发光器件21是水平LED芯片或垂直LED芯片的情况下,LED芯片可以通过导线连接到另一LED芯片或布线图案。当将导线连接到LED芯片时,树脂层的厚度可能由于导线的高度而增加,并且发光器件21之间的间隔可能由于根据导线的长度的连接空间而增加。作为另一示例,发光器件21可以被提供为具有LED芯片的封装。
发光器件21可以具有0.3mm以下的厚度。根据本发明实施例的发光器件21由于五面发光,因此可以增加光束扩展角的分布,因此,发光器件21之间的间隔a1可以等于或大于树脂层41的厚度t2(t2≤a1),例如为2.5mm以上,并且可以根据LED芯片的尺寸而改变。可以看出,本发明的实施例中公开的发光器件21设置有在至少五个表面上发射光的LED芯片,从而每个发光器件21上的亮度分布和光束扩展角的分布得到改善。
当发光器件21以N×M矩阵布置在基板11上时,N可以是一列或两列或更多列,M可以是一列或两列或更多列。N和M是1以上的整数。发光器件21可以分别沿Y轴方向和X轴方向布置。
发光器件21是发光二极管(LED)芯片,并且可以发射蓝色、红色、绿色、紫外线(UV)和红外线中的至少一种。例如,发光器件21可以发射蓝色、红色和绿色光中的至少一种。发光器件21电连接到基板11,并且可以发射420nm至470nm范围内的蓝色光。发光器件21可以是光源。
可以用透明绝缘层或树脂材料层保护发光器件21的表面。可以在发光器件21的表面上形成具有荧光体的荧光体层。发光器件21可以具有支撑构件,该支撑构件具有设置在发光器件下方的陶瓷支撑构件或金属板,并且该支撑构件可以用作导电和导热构件。
根据本发明的实施例,多个层堆叠在发光器件21上,并且多个层例如可以包括两层或更多层或者三层或更多层。多个层可以选择性地包括无杂质的层、添加有荧光体的层、具有扩散剂的层以及添加有荧光体/扩散剂的层中的至少两个或三个或更多的层。多个层中的至少一个可以选择性地包括扩散剂和荧光体。即,荧光体和扩散剂可以分别设置在单独的层中,或者可以彼此混合并设置在一层中。杂质可以是荧光体或/和扩散剂。包括荧光体和扩散剂的层可以彼此相邻设置或者可以彼此间隔开设置。当荧光体和其上设置有扩散剂的层彼此分离时,其上设置有荧光体的层可以设置在其上设置有扩散剂的层的上方。
荧光体可以包括蓝色荧光体、绿色荧光体、红色荧光体和黄色荧光体中的至少一种。荧光体的尺寸可以在1μm至100μm的范围内。荧光体的密度越高,则波长转换效率可以越高,但是由于发光强度可能降低,因此可以在荧光体的所述尺寸内考虑到光效率来增加荧光体。扩散剂可以包括PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)类、TiO2、SiO2、Al2O3和硅类中的至少一种。扩散剂在发射波长下可以具有1.4至2范围内的折射率,并且其尺寸可以在1μm至100μm的范围内。扩散剂可以具有球形形状,但不限于此。多个层可以包括树脂材料层。多个层可以具有相同的折射率,至少两个层具有相同的折射率,或者与最上层相邻的层可以具有逐渐降低的折射率。
照明模块100可以包括反射构件31。反射构件31可以设置在基板11与树脂层41之间。反射构件31可以设置在基板11的上表面上并且与树脂层41的上表面间隔开。反射构件31可以设置于在垂直方向上不与发光器件21重叠的区域中。反射构件31可以在垂直方向上与树脂层41重叠。反射构件31可以通过粘合剂粘附于基板11的上表面,或者可以直接粘附。反射构件31可以是反射片或者可以包括反射树脂。反射构件31可以向包含硅树脂或环氧树脂的树脂材料添加高折射率填料、反射剂或吸收剂。填料可以包括PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)类、TiO2、SiO2、Al2O3和硅类中的至少一种。填料在发射波长下具有在1.4至2的范围内的折射率,并且其尺寸可以在4μm至6μm的范围内。反射构件31可以具有白色表面颜色。作为另一示例,反射构件31可以设置为吸收构件,并且吸收构件可以在诸如硅树脂或环氧树脂的树脂材料中包括诸如石墨的填料。这种吸收构件吸收发光器件周围的光,从而防止不必要的光干涉。为了说明本发明,以反射构件31为例进行说明。
反射构件31可以设置在每个发光器件21的周围。反射构件31是围绕每个发光器件21设置的侧壁并且可以反射入射光。反射构件31的上端可以设置成高于发光器件21的上端。相对于基板11的上表面,反射构件31的高度或厚度可以大于发光器件21的高度或厚度。因此,反射构件31将从发光器件21入射的光朝向发光器件21的上表面反射,并且可以增大发光器件21上的光的强度。
参照图3,反射构件31可以包括供每个发光器件21穿过的多个通孔h1。至少一个发光器件可以***到多个通孔h1的每一个中。作为另一示例,两个或三个或更多个发光器件可以***到每个通孔h1中。即,可以在一个通孔h1中设置一个或两个或更多个发光器件。通孔h1的形状可以是圆形或多边形形状。
反射构件31可以包括多个反射单元33。多个反射单元33中的每一个可以面对每个发光器件21的侧表面。反射单元33可以包括在其中容纳每个发光器件21的凹部或腔。反射单元33的数量可以与发光器件21的数量相同。
反射单元33可以具有圆形或椭圆形形状。作为另一示例,反射单元33可以具有多边形形状或多边形形状的弯曲边缘部分。反射单元33可以包括基于基板11的上表面上的水平直线倾斜的平坦表面或弯曲表面。反射单元33可以包括倾斜的或具有曲率的反射表面。作为另一示例,反射单元33可以包括具有多台阶结构的反射表面。反射构件31的反射单元33可以布置为面对发光器件21的侧表面。反射构件31的反射单元33可以是围绕发光器件21反射光的侧壁。稍后将详细描述反射单元33。
反射构件31的外部可以设置在发光器件21的外部,该发光器件21设置在基板11的外部。反射构件31的外侧是与基板11的外侧相邻的一侧,并且可以设置在与树脂层41的外侧相同的平面上。在这种情况下,树脂层41的外部可以与基板11的上表面间隔开。作为另一示例,树脂层41的外部可以延伸到反射构件31的外侧并且可以与基板11的上表面接触。
反射构件31的厚度b0可以大于发光器件21的厚度且小于树脂层41的厚度t2。反射构件31的上端可以高于发光器件21的上表面且低于树脂层41的上表面。反射构件31的厚度b0可以是树脂层41的厚度t2的至少0.4倍,例如,在0.4倍至0.6倍的范围内。由于反射构件31的厚度b0设置在上述范围内,因此可以提高光反射效率并且可以增加光强度。当反射构件31的厚度b0小于上述范围时,光反射效率和发光强度可能会降低。当反射构件31的厚度b0大于上述范围时,光的光束扩展角可以为40度以下,或者可能会产生暗部。参考图3,反射构件31的上端与树脂层41的上表面之间的最小距离b1可以为0.5mm以上,例如在0.5mm至2mm的范围内。反射构件31的厚度b0与距离b1之比可以在2:1至1:2的范围内。
反射构件31的厚度b0设置为发光器件21的厚度的至少两倍,从而可以有效地反射入射光。反射构件31的厚度b0,即最大厚度可以在1mm以上的范围内,例如在1mm至3mm的范围内。
反射构件31的上部可以设置在发光器件21之间的区域中,并且可以随着其邻近树脂层41而逐渐增大。连接到通孔h1的反射单元33可以随着其从设置有发光器件21的底部到树脂层41接近树脂层41而逐渐变宽。即,反射单元33的宽度c0或面积可以随着其接近树脂层41而逐渐增大。反射构件31的反射单元33的上部宽度c0可以小于发光器件21之间的间隔a1。反射构件31的反射单元33的上部宽度c0可以大于反射构件31的厚度b0。
反射构件31可以由反射树脂形成。作为另一示例,如图4所示,反射构件31可以包括树脂部32和反射层32a。反射构件31的反射层32a可以层压在由透明材料形成的树脂部32的表面上。反射层32a可以在环氧树脂或硅树脂的树脂部32上由金属或非金属材料形成。树脂部32可以以矩阵形状布置,使得多个树脂部32彼此间隔开或者可以在长度方向和宽度方向上交叉。树脂部32可以具有三角形的横截面。树脂部32的上部高度可以高于发光器件21的上部高度。反射层32a可以形成为在树脂部32的表面上具有凹曲面的反射区域。由于反射层32a层压在树脂部32的表面上,因此,与图2的反射构件相比,可以减少反射层32a的量或面积。反射构件31的表面结构可以应用于另一示例的结构。
树脂层41可以设置在基板11上。树脂层41密封基板11上的发光器件21。树脂层41可以粘附到基板11的上表面。树脂层41可以通过粘合剂粘附到基板11的上表面上,或者可以直接粘附。树脂层41密封反射构件31。树脂层41可以接触反射构件31的表面。树脂层41的下部41a可以突出到反射构件31的反射单元33中。树脂层41的下部41a可以设置在反射构件31和发光器件21之间。树脂层41的下部41a可以通过反射构件31和发光器件21之间的区域接触基板11的上表面。
树脂层41的厚度可以大于发光器件21的厚度。树脂层41的上表面可以设置成高于反射构件31的上端。树脂层41的厚度t2可以比基板11的厚度厚,并且可以为基板11的厚度的5倍以上,例如,在5倍至10倍的范围内。由于树脂层41设置为厚度t2,因此树脂层41密封基板11上的发光器件21,防止水分渗透,并支撑基板11。树脂层41和基板11可以由柔性板形成。树脂层41的厚度t2可以是4mm以下,例如在2mm至4mm或2mm至3.5mm的范围内。
树脂层41可以是透明树脂材料,例如,诸如UV(紫外线)树脂、硅树脂或环氧树脂的树脂材料。树脂层41的折射率可以为1.8以下,例如,在1.1至1.8或1.4至1.6的范围内,并且可以低于扩散剂的折射率。UV树脂例如可以是包含氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物作为主要材料的树脂(低聚物类型)。例如,UV树脂可以使用合成低聚物氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。主要材料可以进一步包括单体,所述单体中混合有作为低沸点稀释型反应性单体的丙烯酸异冰片酯(isobornyl acrylate)(IBOA)、丙烯酸羟丁酯(hydroxybutyl acrylate)(HBA)和丙烯酸羟甲基乙酯(hydroxy metaethyl acrylate)(HEMA),并且可以混合有光引发剂(例如,1-羟基环己基苯基酮,二苯基)、二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰氧化膦)(Diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl phosphine oxide))、抗氧化剂等作为添加剂。UV树脂可以由包含10%至21%的低聚物、30%至63%的单体和1.5%至6%的添加剂的组合物形成。在这种情况下,单体可以是10%至21%的丙烯酸异冰片酯(IBOA)、10%至21%的丙烯酸羟丁酯(HBA)和10%至21%的丙烯酸羟甲基乙酯(HEMA)的混合物。添加剂可以以1%至5%的量的光引发剂被添加,以能够发挥引发光反应性的作用,并且添加剂可以由通过添加0.5%至1%的抗氧化剂而能够改善泛黄的混合物形成。使用上述组合物的树脂层的形成可以用诸如UV树脂的树脂而不是导光板来形成层,以调节折射率和厚度,同时可以通过使用上述组合物来使粘合特性、可靠性和大规模生产率都得到满足。
树脂层41可以包括扩散剂。当树脂层41具有扩散剂时,沿发射方向行进的光扩散,并且可以改善光源分布的均匀性。在此,树脂层41的扩散剂可以在5wt%以下的范围内,例如在2wt%至5wt%的范围内。当扩散剂的含量小于上述范围时,降低热点存在限制,而当含量大于上述范围时,光透射率可能降低。作为另一示例,树脂层41可以包括未添加诸如扩散剂的杂质的层。由于树脂层没有杂质,因此光可以以直线状透射。
当树脂层41具有扩散剂时,树脂层41可以抑制由于发射的光引起的热点的出现。扩散剂的尺寸可以大于从发光器件21发射的光的波长。由于这种扩散剂具有大于波长的尺寸并且被设置,因此可以提高光扩散效果。树脂层41可以延伸到反射构件31的最外侧,或者荧光体层51的侧部51a可以延伸。
荧光体层51可以设置在树脂层41上。荧光体层51可以设置在树脂层41的上表面上。荧光体层51的侧部51a可以设置在树脂层41的侧表面上。荧光体层51的侧部51a可以设置在反射构件31的外部的侧表面上。荧光体层51的侧部51a可以粘附到基板11的上表面。在此,可以去除荧光体层51的侧部51a,并且,在这种情况下,树脂层41的侧表面可以从荧光体层51露出。另外,当荧光体层51的侧部51a被去除时,可以露出反射构件31的外部的侧表面。
荧光体层51的侧部51a延伸到树脂层41和反射构件31的外侧并且接触电路板11的上表面,从而可以防止水分渗透。荧光体层51的侧部51a可以发射经波长转换的光。荧光体层51可以在设置在树脂层41的上表面上的上部区域和侧部51a的区域上包括相同的荧光体或不同的荧光体。例如,可以将第一荧光体添加到上部区域,并且可以将第二荧光体添加到侧部51a。第一荧光体是红色荧光体,第二荧光体可以包括红色、绿色、黄色和蓝色中的至少一者。
荧光体层51可以是与树脂层41的树脂材料不同的材料或相同的材料。荧光体层51可以包括透明树脂材料,并且可以在其中包括荧光体。荧光体层51可以包括一种或多种类型的荧光体,例如,红色荧光体、绿色荧光体、蓝色荧光体和黄色荧光体中的至少一种。荧光体层51可以包括红色荧光体。荧光体层51可以通过在其中包括荧光体来转换入射光的波长。这里,当从发光器件21发射的光是第一光并且从荧光体层51转换的光是第二光时,第二光可以具有比第一光更长的波长。第二光的发光强度可以大于第一光的发光强度。由于荧光体层51具有高含量的荧光体,因此大部分的第一光可以被转换为第二光。通过荧光体层51被进行波长转换的第二光的发光强度可以高于第一光的发光强度。在接通或不接通时,荧光体层51的表面颜色可以是红色或与红色接近的颜色。在接通或不接通时,荧光体层51的表面颜色可以是与荧光体的颜色接近的颜色。
荧光体层51可以包括上述荧光体和多个油墨颗粒。油墨颗粒可以是绿色、红色或红色颗粒,例如红色颗粒。荧光体层51的荧光体和油墨颗粒可以具有相同的颜色系列,例如红色系列。
荧光体层51可以包括诸如硅或环氧树脂的材料。荧光体层51的折射率可以在1.45至1.6的范围内。荧光体层51的折射率可以等于或高于扩散剂的折射率。荧光体层51可以高于树脂层41的折射率。当荧光体层51的折射率低于上述范围时,光的均匀性降低,而当荧光体层51的折射率高于上述范围时,光透射率可能降低。因此,将荧光体层51的折射率设置在上述范围内,从而可以调节光透射率和光均匀性。由于荧光体层51在其中具有荧光体,因此其可以被定义为使光扩散的层。
荧光体的含量可以按照基本上等于形成荧光体层51的树脂材料的量或比率被添加。荧光体层51可以按照树脂材料和荧光体的比例,例如在4:6至6:4的范围内的比例来混合。在荧光体层51中荧光体可以在40wt%至60wt%的范围内。相对于荧光体层51中的树脂的量,荧光体的含量可以具有20%以下或10%以下的差。在实施例中,通过以40%以上或60%以下的比例添加荧光体层51中的荧光体含量,可以将荧光体层51的表面上的颜色设置为荧光体的颜色。可以提高漫射和波长转换效率。另外,可以减少从发光器件21发射的光例如蓝光的波长经由荧光体层51的透射。另外,可以根据荧光体的波长将通过荧光体层51提取的光设置为面光源。
荧光体层51例如可以通过在硅树脂材料中添加荧光体然后使其固化而以膜的形式设置。荧光体层51可以直接形成在树脂层41上,或者可以单独形成然后粘接。可以将以膜形式制造的荧光体层51粘接到树脂层41的上表面。可以在荧光体层51与树脂层41之间设置粘合剂。粘合剂是透明材料,并且可以是诸如UV粘合剂、硅树脂或环氧树脂的粘合剂。由于荧光体层51以膜的形式设置,因此可以使荧光体在内部均匀分布,并且可以将表面颜色的色感设置在一定级别以上。通过对于荧光体层51使用由树脂材料制成的膜,与使用聚酯(PET)膜的情况相比,可以提供具有高延展性的模块。荧光体层51可以是具有荧光体的保护膜或具有荧光体的离型膜(release film)。荧光体层51可以被设置为与树脂层41可附接或可分离的膜。
荧光体层51的厚度t3(t3<t2)可以小于树脂层41的厚度t2。荧光体层51的厚度可以为0.5mm以下,例如在0.3mm至0.5mm的范围内。荧光体层51的厚度t3可以是树脂层41的厚度t2的25%以下。荧光体层51的厚度t3可以是树脂层41的厚度t2的18%以下,例如,在14%至18%的范围内。当荧光体层51的厚度t3大于上述范围时,光提取效率可能降低或模块厚度可能增大。当荧光体层51的厚度t3小于上述范围时,难以抑制热点或者波长转换效率可能降低。另外,荧光体层51是用于波长转换和外部保护的层,并且当它的厚度大于上述范围时,模块的延展特性可能劣化,并且设计自由度可能降低。
荧光体将从发光器件21发射的光转换为波长。当荧光体是红色荧光体时,光被转换为红光。光通过添加到树脂层41的扩散剂而均匀地扩散,使得从发光器件21发射的大部分光可以被转换为波长,并且荧光体层可以将扩散的光转换为波长。由于荧光体层51包括荧光体,因此外部颜色可以示出为荧光体的颜色。例如,当荧光体为红色时,表面颜色可以被观察为红色,因此,当关闭发光器件21时,可以提供红色图像,而当接通发光器件21时,具有预定发光强度的红光漫射以提供面光源的红色图像。作为另一示例,可以在荧光体层51的表面上进一步设置具有与荧光体相同颜色或颜色感觉比荧光体暗的层。即,当添加红色荧光体时,可以在表面上形成具有红色油墨颗粒的油墨层。
根据实施例的照明模块100可以具有5.5mm以下的厚度,通过上表面发射面光源,并且可以具有柔性特性。照明模块100可以通过侧表面发射光。在根据本发明实施例的照明模块中,当不存在如图12的(a)所示的反射构件时(比较例),发光器件上的光的光束扩展角的分布可以是120度以上,例如,在120度至135度的范围内。如图12的(b)所示,当提供根据实施例的反射构件时,发光器件上的光的光束扩展角的分布可以为80度以下,例如,在40度至80度的范围内。即,通过围绕发光器件21设置反射构件,与比较例相比,可以提高各个发光器件的发光强度。
当将根据实施例的照明模块100组装在弯曲或倾斜的支架上时,弯曲区域和非弯曲区域中的光强度的分布可能不同,并且在特定区域中可能产生暗部。根据本发明的示例性实施例,反射光可以被不同地提供,使得使用反射构件31根据照明模块100的组装环境以相同的方向照射光。
参照图3和图5,反射构件31可以包括多个反射单元33。多个反射单元33中的每一个可以包括在第一方向X上彼此面对的第一反射区域rs1和第二反射区域rs2。多个反射单元33中的每一个可以包括在第二方向Y上彼此面对的第三反射区域和第四反射区域(未示出),关于第三反射区域和第四反射区域,参照第一反射区域rs1和第二反射区域rs2的描述。第一反射区域rs1可以相对于发光器件21设置在一侧或右侧,第二反射区域rs2可以相对于发光器件21设置在另一侧或左侧。第一反射区域rs1可以面对发光器件21的一侧,第二反射区域rs2可以面对发光器件21的另一侧。第一反射区域rs1和第二反射区域rs2可以相对于垂直于发光器件21的中心线设置在彼此的相对侧并且可以彼此面对。反射单元33可以是反射构件31的反射表面,并且可以被定义为反射单元或倾斜表面。如图3所示,反射单元33的上部宽度c0可以与发光器件21之间的距离相同。即,在水平照明模块中,反射单元33的上部宽度c0可以相同。然而,在具有预定曲率的照明模块中,反射单元33的上部宽度c0可以在水平区域和弯曲区域中彼此不同。在这种情况下,当照明模块包括具有曲率的区域和不具有曲率的区域时,难以将具有均匀分布的面光源照射到照明模块上。在本发明的实施例中,用于照射均匀的面光源的反射单元33的上部宽度c0可以相比于没有曲率的区域在具有曲率的区域中更窄。在此,如图13所示,随着LED即发光器件21的旋转、倾斜或倾斜角逐渐变大,反射单元33的上部宽度c0可以逐渐变窄。
参照图3,第一反射区域rs1可以是在相对于发光器件21设置在另一方向的第一最高点p1和与基板11接触的第一点p3之间的区域。第一反射区域rs1可以设置在与连接第一最高点p1和第一点p3的直线相同的线上,或者可以设置得比该直线更凹入。第一反射区域rs1可以包括平坦的倾斜表面或凹入的弯曲表面。这里,基板11与连接第一反射区域rs1的第一最高点p1和第一点p3的直线之间的第一角度ra可以在10度至80度的范围内。
第二反射区域rs2可以是相对于发光器件21设置在另一方向上的第二最高点p2和与基板11接触的第二点p4之间的区域。第二反射区域rs2可以设置在与连接第二最高点p2和第二点p4的直线相同的线上,或者可以比该直线更凹入。第二反射区域rs2可以包括平坦的倾斜表面或凹入的弯曲表面。这里,基板11与连接第二反射区域rs2的第二最高点p2和第二点p4的直线之间的第二角度rb可以在10度至80度的范围内。
多个反射单元33中的至少一个或两个或两个或更多个可以具有相同的第一角度ra和第二角度rb。当第一角度ra和第二角度rb相同时,第一角度ra和第二角度rb设置在30度至60度的范围内以向上反射入射光。当第一角度ra和第二角度rb相同时,反射单元33可以设置在基板11的水平区域上。
多个反射单元33中的至少一个或两个或更多个可以具有彼此不同的第一角度ra和第二角度rb。例如,第一角度ra可以大于第二角度rb,在这种情况下,第一最高点p1在水平直线上的位置可以设置为低于第二最高点p2。作为另一示例,第二角度rb可以大于第一角度ra,并且在这种情况下,第二最高点p2在水平直线上的位置可以设置为低于第一最高点p1。在此,当第一最高点p1和第二最高点p2的位置彼此不同时,反射单元33可以是设置在具有基板11的照明模块的倾斜区域或弯曲区域中的单元。
多个反射单元33中的至少一个或两个或更多个可以具有第一反射区域rs1和第二反射区域rs2的相同曲率。当第一反射区域rs1和第二反射区域rs2具有相同的曲率时,反射单元33可以设置在基板11的水平区域上。
多个反射单元33中的至少一个或两个或更多个可以具有第一反射区域rs1和第二反射区域rs2的不同曲率。如图7所示,当第一反射区域rs1和第二反射区域rs2具有不同的曲率时,反射单元33a和33b可以倾斜或设置在基板11的弯曲区域上。在此,基板11的弯曲或弯曲区域中的第一角度和第二角度可以基于基板11的切线。第一反射区域rs1的曲率半径可以大于第二反射区域rs2的曲率半径,并且在这种情况下,水平直线上的第二最高点p2可以设置为低于第一顶点p1。具有这种结构的反射单元33a和33b可以设置在这样的区域中,在该区域中基板11的另一侧或左侧区域可以基于水平直线向下弯曲或布置在倾斜区域中。第二反射区域rs2的曲率半径可以大于第一反射区域rs1的曲率半径,并且在这种情况下,第一最高点p1可以在水平直线上低于第二最高点p2。具有这种结构的反射单元33a和33b可以设置在这样的区域中,在该区域中基板11的右侧区域可以基于水平直线向下弯曲或布置在倾斜区域中。根据本发明的实施例的照明模块可以包括水平区域、在左侧或另一侧方向上向下弯曲的区域、在左侧或另一侧方向上向下倾斜的区域、在右侧或一侧方向上向下的区域、以及在右侧或一侧方向上向下倾斜的区域中的至少一个或两个或更多个。根据本发明的示例性实施例,具有左下方向或另一方向和从水平区域发射的光的方向的区域可以是相同的。可替代地,具有右下方向或一侧方向和在水平区域上发射的光的方向的区域可以是相同的。因此,可以抑制在柔性照明模块的应用环境中在不同方向上光的方向分布的形成,从而提高照明模块的可靠性。
如图5所示,发光器件21的上表面的中心和与基板11的上表面平行的直线之间的角度r0可以小于第一角度ra。此时,第一最高点p1和第二最高点p2可以设置在相同的高度。角度r0可以为55度以下,例如在35度至55度的范围内。
参照图6,设置在多个反射单元33中的多个发光器件21之间的间隔a1可以相同。这里,发光器件21之间的间隔a1可以是两个相邻的发光器件21的中心之间的距离。在基板11水平的区域中,在反射单元33的任何一个中反射单元33的第一最高点p1和第二最高点p2可以与发光器件21的上表面的中心是相同的距离。在基板11弯曲或倾斜的区域中,任何一个反射单元33的第一最高点p1和第二最高点p2可以设置在距发光器件21的上表面的中心不同的距离d1和d2处。例如,第一最高点p1与发光器件21的上表面的中心之间的距离d1可以大于第二最高点p2与发光器件21的上表面的中心之间的距离d2(d2>d1)。具有这种结构的反射单元33可以设置在这样的区域中,在该区域中基板11的左侧或另一侧方向的区域可以基于水平直线向下弯曲或倾斜。作为另一示例,第二最高点p2与发光器件21的上表面的中心之间的距离可以大于第一最高点p1与发光器件21的上表面的中心之间的距离。具有这种结构的反射单元33可以设置在这样的区域中,在该区域中基板11的右侧或一侧方向的区域可以基于水平直线向下弯曲或倾斜。
如图3和图6所示,在基板11水平、倾斜或弯曲的区域中,围绕反射构件31的通孔h1设置的第一点p3和第二点p4可以与发光器件21的中心或者与发光器件21的侧表面以相同的间距间隔开。反射单元33中的至少一个或两个或更多个可以在连接第一反射区域rs1的第一最高点p1与基板11和第一反射区域rs1彼此接触的第一点p3的直线与基板11在第一点p3处的切线之间具有第一角度ra。可以在连接第二反射区域rs2的第二最高点p2与基板11和第二反射区域rs2彼此接触的第二点p4的直线与基板11在第二点p4处的切线之间形成第二角度rb。在这种情况下,第一角度ra和第二角度rb可以彼此不同,例如,第一角度ra可以小于第二角度rb。第一角度ra和第二角度rb之和可以在80度至100度的范围内。第一角度ra为45度以上,或者在10度至55度的范围内,第二角度rb可以在45度至80度的范围内。这里,反射单元33中基板11的水平直线与切线之间的角度(即,基板的倾斜角)可以在0度至80度的范围内,当基板的倾斜角增大时,第一角度ra减小,第二角度rb增大。根据反射单元33的位置,第一角度ra在10度至55度的范围内逐渐减小,并且第二角度rb可以从45度逐渐增加到95度。当每个反射单元33的第一角度ra和第二角度rb小于上述范围时,光控制可能是困难的,而当其大于上述范围时,光效率可能降低。
如图6所示,水平方向上的直线是基准线,并且设置在基板11的弯曲表面上的在发光器件21与基板11之间的界面处沿水平方向通过的基准线的高度可以彼此不同。基准线与垂直于设置在基板11的弯曲表面上的每个发光器件21的上表面的中心的中心线之间的角度可以彼此不同。中心线可以是在与在基板11与发光器件21之间接触的切线垂直的法线方向上延伸的直线。基准线与基板11的弯曲表面上穿过每个发光器件21的中心线之间的角度θ可以小于90度。基准线与每个发光器件21的中心线之间的角度可以随着距基板11的平坦区域的距离增加而减小。
如图3所示,在多个反射单元中,在水平直线上以相同高度设置的反射单元可以具有相同的第一角度ra和第二角度rb。在这种情况下,第一反射区域rs1的上表面的高度和第二反射区域rs2的上表面的高度可以相同。
如图7所示,在多个反射单元中,当将两个相邻的反射单元称为第一反射单元33a和第二反射单元33b时,第一反射单元33a的第一角度ra和第二反射单元33b的第二角度rb可以彼此不同。在这种情况下,第一反射单元33a和第二反射单元33b可以相对于水平直线即基准线设置在不同的高度处。与设置在第二发光器件21b的一侧上的第二反射单元33b的第一反射区域rs1和设置在第一发光器件21a的另一侧上的第一反射单元33a的第二反射区域rs2接触的上端区域可以包括相同的最高点Pa。即,一个最高点pa可以是两个相邻的反射单元33a和33b的第一最高点和第二最高点。
这里,在其上设置有第一发光器件21a的基板11上的水平基准线与在垂直方向上穿过第一发光器件21a的上表面的中心的中心线之间的第一倾斜角可以小于90度。在其上设置有第二发光器件21b的基板11上的水平基准线与在垂直方向上穿过第二发光器件21b的上表面的中心的中心线之间的第二倾斜角可以小于90度。此时的第二倾斜角可以小于第一倾斜角。
基于发光器件21的上表面的中心从设置在基板11的倾斜区域或弯曲区域中的至少一个或两个或更多个反射单元33到第一反射区域rs1的最高点的第一距离可以与到第二反射区域rs2的最高点的第二距离不同。例如,第一距离可以大于第二距离。
反射构件31的第一反射单元33a可以设置在比第二反射单元33b靠右侧或一侧方向的位置上。第一反射单元33a的至少一部分可以设置在基于水平直线比第二反射单元33b更高的位置处。第一反射单元33a和第二反射单元33b可以设置在倾斜区域或弯曲区域中。第一反射单元33a可以围绕第一发光器件21a设置,第二反射单元33b可以围绕第二发光器件21b设置。
第一反射单元33a和第二反射单元33b可以是最高点pa接触彼此相邻的反射区域的点。当连接设置在反射区域rs1和rs2中的每一者的下端处的第一点p3和第二点p4的直线与基板11的切线之间的角度被分割时,第一反射单元可以被定义为第一角度ra和第二角度rb,第二反射单元33b可以被定义为第三角度rc和第四角度rd。第一角度ra和第二角度rb可以基于基板11的上表面的设置在第一反射单元33a下方的区域的第一切线,第三角度rc和第四角度rd可以基于基板11的上表面的设置在第二反射单元33b下方的区域的第二切线。
第一反射单元33a的第一反射区域rs1的第一角度ra可以小于第二反射区域rs2的第二角度rb,第二反射单元33b的第一反射区域rs1的第三角度rc可以小于第二反射区域rs2的第四角度rd。第一角度ra可以大于第三角度rc,第二角度rb可以大于第四角度rd。
第二角度rb和第三角度rc可以彼此相同或者可以具有10度以下的差。第二角度rb和第四角度rd彼此不同,例如可以具有1度以上的差,并且可以等于或小于第二角度rb和第三角度rc之间的差。第一角度ra和第二角度rb彼此不同,例如,可以具有1度以上的差,并且可以等于或小于第二角度rb与第三角度之间的差。通过在弯曲基板11的区域上提供第一反射单元33a和和第二反射单元33b的反射区域的不同角度,通过每个反射单元照射的光的分布特性接近水平区域上的光分布,并且,当从发光的正面观察时,可以减少弯曲区域中暗部的出现。当相对于反射单元33a和33b中的每一者的第一角度ra和第二角度rb以及第三角度rc和第四角度rd小于上述范围时,可能难以进行光控制,并且当其大于上述范围时,光效率可能降低。
根据本发明的实施例的照明模块可以包括基板11的水平区域、弯曲或倾斜区域。基于设置在相邻的反射区域之间的发光器件,弯曲或倾斜区域可以包括左侧或另一侧向下弯曲的区域、左侧或另一侧方向向下倾斜的区域、右侧或倾斜区域向下弯曲的区域、或右侧或一侧方向向下弯曲的区域中的至少一个或两个或更多个。根据本发明的实施例,从左侧或另一侧方向降低的区域和从水平区域发射的光的朝向方向可以设置为相同。可替代地,从右侧或一侧方向降低的区域和从水平区域发射的光的朝向方向可以相同。因此,可以抑制在柔性照明模块的应用环境中在不同方向上光的朝向方向分布的形成,从而提高照明模块的可靠性。
参照图8,穿过基板11的至少部分弯曲的区域的直线可以是切线rx,并且沿着与切线rx水平的方向的直线可以是基准线X。与基准线X垂直的方向可以是中心轴Z方向。基于切线rx的基准线之间的倾斜角r1可以小于90度,例如,在1度至80度的范围内。此时,穿过反射单元33的第一最高点p1和发光器件21的上表面的中心的直线rm可以基于基板11的切线rx以角度r2倾斜,并且第一倾斜角r2可以在10度至45度的范围内。切线rx是与穿过发光器件21的上表面的中心的法线接触的基板11的弯曲表面上的切线。这里,第一倾斜角r2可以随着倾斜角r1向10度减小而从45度到10度逐渐减小。反射单元33的第二最高点p2和穿过发光器件21的上表面的中心的直线rn可以基于穿过基板11的切线以第二反射区域rs2的第二倾斜角r3倾斜,第二倾斜角r3可以包括45度至80度的范围。在这种情况下,第二倾斜角r3可以随着倾斜角r1向80度增加而从45度到80度逐渐增加。在此,直线rm基于中心轴Z的角度可以小于直线rn的角度。
第一反射区域rs1的第一倾斜角r2和第二反射区域rs2的第二倾斜角r3之和可以在85度至95度的范围内。不同的反射单元中的两个反射区域rs1和rs2的第一倾斜角r2和第二倾斜角r3之和可以相同。设置在倾斜反射单元33中的第一反射区域rs1的第一倾斜角r2可以小于图5中所示的倾斜角r0。第一反射区域rs1和第二反射区域rs2的高度b0可以与图5所示的反射区域的高度相同。第一反射区域rs1和第二反射区域rs2可以在树脂层41的最高点和上表面41b之间具有相同的距离(b2=b3)。当每个反射单元33中的第一反射区域rs1和第二反射区域rs2的第一倾斜角r2和第二倾斜角r3小于上述范围时,可能难以进行光控制,而当大于上述范围时,光效率可能降低。
作为示例,图8中的反射单元的第一倾斜角r2和第二倾斜角r3可以应用于图7的反射单元。第一反射单元33a和第二反射单元33b中的第一倾斜角r2可以彼此不同。例如,第一反射单元33a中的第一反射区域rs1的第一倾斜角r2可以大于第二反射单元33b中的第一反射区域rs1的第一倾斜角r2。同样地,第一反射单元33a和第二反射单元33b中的第二倾斜角r3可以彼此不同。例如,第一反射单元33a中的第二反射区域rs2的第二倾斜角r3可以小于第二反射单元33b中的第二反射区域rs2的第二倾斜角r3。
如图7所示,当在基板11上设置有多个反射单元时,穿过设置在第一反射单元33a和第二反射单元33b中的第一发光器件21a和第二发光器件21b的一侧上的第一反射区域rs1的直线的倾斜角可以被定义为第一倾斜角和第二倾斜角。在第一反射单元33a和第二反射单元33b中,穿过设置在第一发光器件21a和第二发光器件21b的另一侧上的第二反射区域rs2的直线的倾斜角可以被定义为第三倾斜角和第四倾斜角。即,第一倾斜角是穿过第一反射单元33a中的第一反射区域rs1的最高点pa和第一发光器件21的上表面的中心的直线与其上设置有发光器件21a的基板11的第一切线之间的角度,并且,在图8中,它可以是倾斜角r2。第二倾斜角是穿过第二反射单元33b中的第一反射区域rs1的最高点pa和第二发光器件21b的上表面的中心的直线与基板11的与穿过发光器件21b的上表面的中心的法线接触的第二切线之间的角度,并且,在图8中,它可以是倾斜角r2。第三倾斜角是穿过第一反射单元33a中的第二反射区域rs2的最高点pa和第一发光器件21a的上表面的中心的直线与第一切线之间的角度,并且,在图8中,它可以是倾斜角r3。第四倾斜角是穿过第二发光器件21b的中心和第二反射单元33b中的第二反射区域rs2的最高点pa的直线与第二切线之间的角度,并且,在图8中,它可以是倾斜角r3。在这种情况下,第一反射单元33a的第一倾斜角(图8中的r2)和第二反射单元33b的第二倾斜角(图8中的r2)可以彼此不同。第一反射单元33a的第三倾斜角和第二反射单元的第四倾斜角可以彼此不同。第一反射单元33a的第一倾斜角可以大于第二反射单元33b的第一倾斜角,并且第一反射单元33a的第三倾斜角可以小于第二反射单元33b的第四倾斜角。
参照图9,根据本发明实施例的照明模块可以包括遮光部55。遮光部55可以设置在荧光体层51与树脂层41之间。作为另一示例,遮光部55可以设置在荧光体层51的内部或者可以设置在荧光体层51的上表面上。遮光部55可以包括荧光体。遮光部55可以包括比荧光体层51的荧光体浓度高的荧光体浓度。遮光部55可以具有一种或多种类型的荧光体,并且可以包括红色、绿色、黄色和蓝色荧光体中的至少一种。作为另一示例,遮光部55可以是在树脂材料中包含扩散剂或反射剂的区域。遮光部55可以设置于在垂直方向上与发光器件21重叠的区域中。遮光部55可以设置在发光器件21的上表面的区域的0.5倍以上,例如0.5倍至5倍的范围内的区域中。由于遮光部55覆盖发光器件21的上部区域,因此可以降低从发光器件21发射的光的强度并且可以抑制热点。遮光部55的宽度c1可以小于反射构件31的反射单元的上部宽度。遮光部55的宽度c1可以是发光器件21的宽度的0.5倍以上,例如可以在0.5倍至5倍的范围内。遮光部55的厚度可以等于或小于荧光体层51的厚度。遮光部55可以穿过荧光体层51的开口区域设置或者可以接触树脂层41的上表面。遮光部55可以具有圆形俯视图或多边形形状。
荧光体层51的突出部51b是在垂直方向上与遮光部55重叠的区域,并且可以比荧光体层51的上表面突出更多。在荧光体层51中,与遮光部55重叠的突出部51b可以比荧光体层51的上表面突出更多。荧光体层51的与遮光部55重叠的突出部51b的上表面面积可以比遮光部55的上表面面积大。因此,遮光部55和荧光体层51转换入射光的波长以发射光,并且可以降低遮光区域上的光强度。
根据实施例的照明模块可以应用于包括水平区域、弯曲区域或倾斜区域中的至少一者的灯。如图10所示,可以以各种照明模块100A、100B和200的形式来应用灯。即,其可以设置有线性条状照明模块100B和200,或者可以设置为混合有直线部分和弯曲部分或倾斜部分的照明模块100A。
图11是示出根据本发明实施例的照明模块的发光器件的示例的图。参照图11,发光器件包括发光结构225和多个电极245和247。发光结构225可以由II至VI族元素的化合物半导体层,例如III-V族元素的化合物半导体层或II-VI族元素的化合物半导体层形成。多个电极245和247选择性地连接到发光结构225的半导体层并供应电力。发光器件可以包括光透射基板221。光透射基板221设置在发光结构225上。光透射基板221例如可以是光透射基板、绝缘基板或导电基板。光透射基板221例如可以是蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge和Ga2O3中的至少一种。在光透射基板221的上表面和下表面中的至少一者或两者上形成多个凸部(未示出),从而提高了光提取效率。每个凸部的侧截面形状可以包括半球形形状、半椭圆形形状或多边形形状中的至少一种。可以去除半透明基板221,但是不限于此。
缓冲层(未示出)和低电导率半导体层(未示出)中的至少一个可以被包括在光透射基板221和发光结构225之间。缓冲层是用于减轻半透明基板221与半导体层之间的晶格常数之差的层,并且可以从II族至VI族化合物半导体选择性地形成。可以在缓冲层下方进一步形成未掺杂的III-V族化合物半导体层,但是实施例不限于此。发光结构225可以设置在光透射基板221的下方,并且包括第一导电型半导体层222、有源层223和第二导电型半导体层224。另一半导体层可以进一步设置在层222、223和224中的每一者的顶部和底部的至少一者上,但不限于此。
第一导电型半导体层222设置在光透射基板221的下方,并且可以被实现为掺杂有第一导电型掺杂剂的半导体,例如,n型半导体层。第一导电型半导体层222包括InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式。第一导电型半导体层222可以选自III-V族元素的化合物半导体,例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP。第一导电型掺杂剂是n型掺杂剂,并且包括诸如Si、Ge、Sn、Se和Te的掺杂剂。有源层223设置在第一导电型半导体层222的下方,并且选择性地包括单量子阱、多量子阱(MQW)、量子线结构或量子点结构、以及阱层和势垒层的循环。阱层/势垒层的循环例如可以包括一对InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP、InP/GaAs中的至少一者。第二导电型半导体层224设置在有源层223的下方。第二导电型半导体层224包括掺杂有第二导电型掺杂剂的半导体,例如,InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式。第二导电型半导体层224可以由诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP的化合物半导体中的至少一种形成。第二导电型半导体层224是p型半导体层,并且第一导电型掺杂剂是p型掺杂剂,并且可以包括Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。作为发光结构225的另一示例,第一导电型半导体层222可以被实现为p型半导体层,并且第二导电型半导体层224可以被实现为n型半导体层。具有与第二导电型的极性相反的极性的第三导电型半导体层可以形成在第二导电型半导体层224的下方。另外,发光结构225可以被实现为n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构和p-n-p结结构中的任何一种。
第一电极245和第二电极247设置在发光结构225的下方。第一电极245电连接到第一导电型半导体层222,第二电极247电连接到第二导电型半导体层224。第一电极245和第二电极247可以具有多边形形状或圆形底部形状。可以在发光结构225中设置多个凹部226。
发光器件包括第一电极层241和第二电极层242、第三电极层243以及绝缘层231和233。第一电极层241和第二电极层242中的每一个可以形成为单层或多层,并且可以用作电流扩散层。第一电极层241和第二电极层242可以包括设置在发光结构225下方的第一电极层241以及设置在第一电极层241下方的第二电极层242。第一电极层241扩散电流,第二电极层241反射入射光。
第一电极层241和第二电极层242可以由不同的材料形成。第一电极层241可以由半透明材料,例如金属氧化物或金属氮化物形成。第一电极层241例如可以选择性地由铟锡氧化物(ITO)、ITO氮化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、IZO氮化物(IZON)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)形成。第二电极层242与第一电极层241的下表面接触,并且可以用作反射电极层。第二电极层242包括诸如Ag、Au或Al的金属。当去除第一电极层241的一部分时,第二电极层242可以部分地接触发光结构225的下表面。
作为另一示例,第一电极层241和第二电极层242的结构可以以全向反射器层(ODR:omni directional reflector layer)结构堆叠。全向反射结构可以形成为具有低折射率的第一电极层241和与第一电极层241接触的由高反射金属材料制成的第二电极层242的层叠结构。电极层241和242例如可以具有ITO/Ag的层叠结构。第一电极层241和第二电极层242之间的界面处的全向反射角可以得到改善。
作为另一示例,可以去除第二电极层242,并且第二电极层242可以由不同材料的反射层形成。反射层可以形成为分布式布拉格反射器(DBR:distributed Braggreflector)结构,并且分布式布拉格反射器结构包括具有不同折射率的两个介电层例如SiO2层、Si3N4层、TiO2层、Al2O3层和MgO层交替设置的结构。作为另一示例,电极层241和242可以包括分布式布拉格反射结构和全向反射结构两者,并且在这种情况下,可以提供具有98%以上的光反射率的发光器件。由于以翻转方式安装的发光器件通过光透射基板221发射从第二电极层242反射的光,所以大部分光可以在垂直方向上发射。根据本发明的实施例,发射到发光器件侧面的光可以经由粘合构件被反射构件31反射到光出射区域。
第三电极层243设置在第二电极层242的下方,并且与第一电极层241和第二电极层242电绝缘。第三电极层243由诸如钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)和磷(P)的金属形成。第一电极245和第二电极247设置在第三电极层243的下方。
绝缘层231和233阻止第一电极层241和第二电极层242、第三电极层243、第一电极245和第二电极247以及发光结构225的层之间的不必要的接触。绝缘层231和233包括第一绝缘层231和第二绝缘层233,第一绝缘层231设置于第三电极层243和第二电极层242之间。第二绝缘层233设置于第三电极层243与第一电极245和第二电极247之间。
第三电极层243连接到第一导电型半导体层222。第三电极层243的连接部244以通路结构(via structure)突出穿过第一电极层241和第二电极层242以及发光结构225的下部,并且与第一导电型半导体层222接触。连接部244可以设置为多个。第一绝缘层231的一部分232围绕第三电极层243的连接部244沿着发光结构225的凹部226延伸,并且可以阻挡第三电极层243与第一电极层241和第二电极层242、第二导电型半导体层224以及有源层223之间的电连接。绝缘层可以设置在发光结构225的侧面上以保护其侧面,但实施例不限于此。
第二电极247设置在第二绝缘层233的下方,并且通过第二绝缘层233的开口区域与第一电极层241和第二电极层242中的至少一个接触或连接。第一电极245设置在第二绝缘层233的下方并通过第二绝缘层233的开口区域连接到第三电极层243。因此,第二电极247的突出部248通过第一电极层241和第二电极层242电连接到第二导电型半导体层224,并且第一电极245的突出部246通过第三电极层243电连接到第一导电型半导体层222。
图14是应用了根据本发明的实施例的照明模块的车灯应用于的车辆的平面图。图15是示出具有本发明的实施例中公开的照明模块或照明装置的车灯的图。
参照图14和图15,车辆900中的尾灯800可以包括第一灯单元812、第二灯单元814、第三灯单元816和壳体810。在此,第一灯单元812可以是用作转向指示器的光源,第二灯单元814可以是用作尾灯的光源,第三灯单元816是用作刹车灯的光源,但不限于此。第一灯单元812、第二灯单元814和第三灯单元816中的至少一个或全部可以包括本发明的实施例中公开的照明模块。壳体810容纳第一灯单元812、第二灯单元814和第三灯单元816,并且可以由光透射材料制成。此时,壳体810可以根据车身的设计而具有曲率,并且第一灯单元812、第二灯单元814和第三灯单元816可以实现可以根据壳体810形状具有曲面的面光源。当将灯单元应用于车辆的尾灯、刹车灯或转向信号灯时,这种车灯可以应用于车辆的转向信号灯。
在上述实施例中描述的特征、结构、效果等被包括在本发明的至少一个实施例中,但不必仅限于一个实施例。此外,每个实施例中示出的特征、结构、效果等可以由实施例所属领域的普通技术人员通过组合或修改其他实施例来实现。因此,与这样的组合和这样的修改相关的内容应该被解释为被包括在本发明的范围内。
Claims (13)
1.一种照明模块,包括:
基板,所述基板是柔性的;
多个发光器件,所述多个发光器件设置在所述基板上;
树脂层,所述树脂层设置在所述多个发光器件上并且密封所述发光器件;
荧光体层,所述荧光体层设置在所述树脂层上;以及
反射构件,所述反射构件围绕所述多个发光器件设置,
其中,所述树脂层密封所述反射构件,
其中,所述反射构件设置在所述基板与所述树脂层之间并且与所述树脂层的上表面间隔开,
其中,所述反射构件的厚度大于所述发光器件的厚度并且小于所述树脂层的厚度,
其中,所述荧光体层设置在所述树脂层的上表面和侧表面上,
其中,所述反射构件包括多个反射单元,所述多个反射单元包括第一反射区域和面对所述第一反射区域的第二反射区域,
其中,所述多个反射单元中的至少一个在将所述第一反射区域的最高点与所述基板和所述第一反射区域彼此接触的第一点连接的直线与所述基板在所述第一点处的切线之间具有第一角度,并且在将所述第二反射区域的最高点与所述基板和所述第二反射区域彼此接触的第二点连接的直线与所述基板在所述第二点处的切线之间具有第二角度,
其中,所述多个反射单元中的至少一个具有彼此不同的所述第一角度和所述第二角度,
其中,所述反射构件的一部分分别设置在所述多个发光器件之间,
其中,所述多个发光器件在垂直方向上与所述基板和所述树脂层重叠,
其中,所述反射单元包括凹部,所述发光器件中的每一个被容纳在所述凹部中,并且
其中,所述树脂层的下部设置在所述反射构件与所述发光器件之间,
其中,所述第一反射区域和所述第二反射区域具有不同的曲率。
2.根据权利要求1所述的照明模块,其中,所述多个反射单元中的至少一个具有小于所述第二角度的所述第一角度。
3.根据权利要求1所述的照明模块,其中,所述多个反射单元包括相邻的第一反射单元和第二反射单元,
其中,所述第一反射单元和所述第二反射单元中的所述第一角度彼此不同,
其中,所述多个反射单元中的其它反射单元中的至少一个的所述第一角度和所述第二角度相同。
4.根据权利要求3所述的照明模块,其中,所述第一反射单元的所述第二反射区域和所述第二反射单元的所述第一反射区域彼此接触的区域包括所述最高点,
其中,所述第一反射区域和所述第二反射区域包括具有不同曲率的凹曲面。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的照明模块,其中,所述多个反射单元中的至少一个中的所述第一反射区域的高度和所述第二反射区域的高度距所述基板的上表面具有相同的高度。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的照明模块,其中,从所述发光器件的上表面的中心到所述第一反射区域的所述最高点的第一距离大于从所述发光器件的所述上表面的中心到所述第二反射区域的所述最高点的第二距离。
7.根据权利要求6所述的照明模块,其中,所述多个发光器件之间的间隔相同,并且
其中,所述第一点和所述第二点与所述发光器件中的每一个的下表面的中心间隔开彼此相同的距离。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的照明模块,包括遮光部,所述遮光部设置在所述树脂层上并且在所述垂直方向上与所述发光器件的上表面重叠,
其中,所述遮光部设置在所述荧光体层与所述树脂层之间,
其中,所述荧光体层的突出部是在所述垂直方向上与所述遮光部重叠的区域,
其中,与所述遮光部重叠的所述突出部比所述荧光体层的上表面突出更多,并且
其中,所述荧光体层的与所述遮光部重叠的所述突出部的上表面面积大于所述遮光部的上表面面积。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的照明模块,其中,所述反射单元与所述荧光体层的侧表面接触,并且
其中,所述基板的上表面具有曲率。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的照明模块,其中,所述反射构件的高度在所述树脂层的高度的0.4至0.6倍的范围内,并且
其中,所述树脂层的所述厚度为4mm以下。
11.一种照明模块,包括:
基板,所述基板是柔性的;
多个发光器件,所述多个发光器件设置在所述基板上;
树脂层,所述树脂层设置在所述多个发光器件上并且密封所述发光器件;
荧光体层,所述荧光体层设置在所述树脂层上;以及
反射构件,所述反射构件围绕所述多个发光器件设置,
其中,所述树脂层密封所述反射构件,
其中,所述反射构件设置在所述基板与所述树脂层之间并且与所述树脂层的上表面间隔开,
其中,所述反射构件的厚度大于所述发光器件的厚度并且小于所述树脂层的厚度,
其中,所述荧光体层设置在所述树脂层的上表面和侧表面上,
其中,所述多个发光器件包括第一发光器件和第二发光器件,
其中,所述反射构件包括围绕所述第一发光器件设置的第一反射单元以及围绕所述第二发光器件设置的第二反射单元,
其中,所述第一反射单元和所述第二反射单元中的每一个包括设置在所述第一发光器件和所述第二发光器件的一侧上的第一反射区域和设置在所述第一发光器件和所述第二发光器件的另一侧上的第二反射区域,
其中,所述第一反射单元具有在穿过所述第一反射区域的最高点和所述第一发光器件的上表面的中心的直线与所述基板的与穿过所述第一发光器件的所述上表面的所述中心的法线接触的第一切线之间的第一倾斜角,
其中,所述第二反射单元具有在穿过所述第一反射区域的所述最高点和所述第二发光器件的上表面的中心的直线与所述基板的与穿过所述第二发光器件的所述上表面的所述中心的法线接触的第二切线之间的第二倾斜角,
其中,所述第一反射单元的所述第一倾斜角和所述第二反射单元的所述第二倾斜角彼此不同,
其中,所述第一反射单元和所述第二反射单元中的每一个包括凹部,所述发光器件中的每一个被容纳在所述凹部中,并且
其中,所述树脂层的下部设置在所述反射构件与所述发光器件之间,
其中,所述第一反射区域和所述第二反射区域具有不同的曲率。
12.根据权利要求11所述的照明模块,其中,所述第一反射单元具有在穿过所述第二反射区域的最高点和所述第一发光器件的所述上表面的所述中心的直线与所述第一切线之间的第三倾斜角,
其中,所述第二反射单元具有在穿过所述第一反射区域的所述最高点和所述第二发光器件的所述上表面的所述中心的直线与所述第二切线之间的第四倾斜角,
其中,所述第一反射单元的所述第三倾斜角与所述第二反射单元的所述第四倾斜角彼此不同。
13.根据权利要求12所述的照明模块,其中,所述第一反射单元的所述第一倾斜角大于所述第二反射单元的所述第一倾斜角,
其中,所述第一反射单元的所述第三倾斜角小于所述第二反射单元的所述第四倾斜角,
其中,所述第一反射区域包括凹入的弯曲表面,
其中,所述第二反射区域包括凹入的弯曲表面,并且
其中,所述第一反射单元和所述第二反射单元设置在所述基板的弯曲区域上。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180058813A KR20190133878A (ko) | 2018-05-24 | 2018-05-24 | 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 |
KR10-2018-0058813 | 2018-05-24 | ||
PCT/KR2019/005342 WO2019225877A1 (ko) | 2018-05-24 | 2019-05-03 | 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112219060A CN112219060A (zh) | 2021-01-12 |
CN112219060B true CN112219060B (zh) | 2024-03-26 |
Family
ID=68615623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980034908.5A Active CN112219060B (zh) | 2018-05-24 | 2019-05-03 | 照明模块 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11742465B2 (zh) |
EP (1) | EP3795890B1 (zh) |
JP (1) | JP7366065B2 (zh) |
KR (1) | KR20190133878A (zh) |
CN (1) | CN112219060B (zh) |
WO (1) | WO2019225877A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2019
- 2019-05-03 US US17/056,467 patent/US11742465B2/en active Active
- 2019-05-03 CN CN201980034908.5A patent/CN112219060B/zh active Active
- 2019-05-03 JP JP2020564617A patent/JP7366065B2/ja active Active
- 2019-05-03 EP EP19808450.1A patent/EP3795890B1/en active Active
- 2019-05-03 WO PCT/KR2019/005342 patent/WO2019225877A1/ko unknown
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CN112219060A (zh) | 2021-01-12 |
EP3795890A4 (en) | 2022-03-23 |
US11742465B2 (en) | 2023-08-29 |
EP3795890B1 (en) | 2024-03-27 |
WO2019225877A1 (ko) | 2019-11-28 |
JP7366065B2 (ja) | 2023-10-20 |
US20210367116A1 (en) | 2021-11-25 |
EP3795890A1 (en) | 2021-03-24 |
JP2021524985A (ja) | 2021-09-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |