KR20130108654A - 퍼릴렌 기재 반도체 및 그의 제조 방법 및 용도 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 title 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 99
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 40
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 34
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 26
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 22
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 125000003358 C2-C20 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 6
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000000171 (C1-C6) haloalkyl group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 claims 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- HBAQYPYDRFILMT-UHFFFAOYSA-N 8-[3-(1-cyclopropylpyrazol-4-yl)-1H-pyrazolo[4,3-d]pyrimidin-5-yl]-3-methyl-3,8-diazabicyclo[3.2.1]octan-2-one Chemical class C1(CC1)N1N=CC(=C1)C1=NNC2=C1N=C(N=C2)N1C2C(N(CC1CC2)C)=O HBAQYPYDRFILMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 150000008056 dicarboxyimides Chemical class 0.000 abstract description 2
- -1 PDI-FCN 2 ) Chemical class 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 27
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 24
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 23
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 21
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 18
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 15
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 15
- WLLGXSLBOPFWQV-UHFFFAOYSA-N MGK 264 Chemical compound C1=CC2CC1C1C2C(=O)N(CC(CC)CCCC)C1=O WLLGXSLBOPFWQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 13
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 10
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 9
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 9
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 7
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 7
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000005915 C6-C14 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 5
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 5
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 125000006649 (C2-C20) alkynyl group Chemical group 0.000 description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine hydrochloride Chemical compound Cl.ON WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 4
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000002837 carbocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N dimethylacetylene Natural products CC#CC XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 230000000707 stereoselective effect Effects 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004367 Lipase Substances 0.000 description 2
- 102000004882 Lipase Human genes 0.000 description 2
- 108090001060 Lipase Proteins 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical group C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004541 benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 125000005841 biaryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N but-1-yne Chemical compound CCC#C KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N but-2-ene Chemical compound CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N hydrogen thiocyanate Natural products SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019421 lipase Nutrition 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N methyl formate Chemical compound COC=O TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 125000004043 oxo group Chemical group O=* 0.000 description 2
- RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N phenanthridine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=NC2=C1 RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 125000002755 pyrazolinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002098 pyridazinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 2
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LEIMLDGFXIOXMT-UHFFFAOYSA-N trimethylsilyl cyanide Chemical compound C[Si](C)(C)C#N LEIMLDGFXIOXMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006570 (C5-C6) heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1Cl RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 1,8-naphthyridine Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CN=C21 FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- SPXOTSHWBDUUMT-UHFFFAOYSA-N 138-42-1 Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 SPXOTSHWBDUUMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005955 1H-indazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-M 2-methylbenzenesulfonate Chemical compound CC1=CC=CC=C1S([O-])(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- PXACTUVBBMDKRW-UHFFFAOYSA-N 4-bromobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 PXACTUVBBMDKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OURXRFYZEOUCRM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxymorpholine Chemical compound ON1CCOCC1 OURXRFYZEOUCRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPXOTSHWBDUUMT-UHFFFAOYSA-M 4-nitrobenzenesulfonate Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 SPXOTSHWBDUUMT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000006163 5-membered heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006164 6-membered heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005526 G1 to G0 transition Effects 0.000 description 1
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910010082 LiAlH Inorganic materials 0.000 description 1
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001661345 Moesziomyces antarcticus Species 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Chemical group C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 241000589517 Pseudomonas aeruginosa Species 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical group C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108090000787 Subtilisin Proteins 0.000 description 1
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000004604 benzisothiazolyl group Chemical group S1N=C(C2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000004603 benzisoxazolyl group Chemical group O1N=C(C2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000002047 benzodioxolyl group Chemical group O1OC(C2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001164 benzothiazolyl group Chemical group S1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- QQWGVQWAEANRTK-UHFFFAOYSA-N bromosuccinic acid Chemical compound OC(=O)CC(Br)C(O)=O QQWGVQWAEANRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000000480 butynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 125000003016 chromanyl group Chemical group O1C(CCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000259 cinnolinyl group Chemical group N1=NC(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002188 cycloheptatrienyl group Chemical group C1(=CC=CC=CC1)* 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000002433 cyclopentenyl group Chemical group C1(=CCCC1)* 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002330 electrospray ionisation mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N formic acid ethyl ester Natural products CCOC=O WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 125000004612 furopyridinyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=N2)* 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003106 haloaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical class [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000005980 hexynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000003906 humectant Substances 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 125000002632 imidazolidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002636 imidazolinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004857 imidazopyridinyl group Chemical group N1C(=NC2=C1C=CC=N2)* 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003387 indolinyl group Chemical group N1(CCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000003406 indolizinyl group Chemical group C=1(C=CN2C=CC=CC12)* 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 125000002346 iodo group Chemical group I* 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000001786 isothiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M isovalerate Chemical compound CC(C)CC([O-])=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 1
- JORQDGTZGKHEEO-UHFFFAOYSA-N lithium cyanide Chemical compound [Li+].N#[C-] JORQDGTZGKHEEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 125000002757 morpholinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004706 n-propylthio group Chemical group C(CC)S* 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000004593 naphthyridinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CN=C12)* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 125000005482 norpinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 125000000160 oxazolidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 1
- 125000003933 pentacenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N pentamethylene Natural products C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000005981 pentynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002979 perylenes Chemical group 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical compound C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004592 phthalazinyl group Chemical group C1(=NN=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000004193 piperazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001042 pteridinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=NC=CN=C12)* 0.000 description 1
- 125000004309 pyranyl group Chemical group O1C(C=CC=C1)* 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILVXOBCQQYKLDS-UHFFFAOYSA-N pyridine N-oxide Chemical compound [O-][N+]1=CC=CC=C1 ILVXOBCQQYKLDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000719 pyrrolidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001422 pyrrolinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002468 redox effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N sodium cyanide Chemical compound [Na+].N#[C-] MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001894 space-charge-limited current method Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003718 tetrahydrofuranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001712 tetrahydronaphthyl group Chemical group C1(CCCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000000147 tetrahydroquinolinyl group Chemical group N1(CCCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000003507 tetrahydrothiofenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003831 tetrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004809 thin layer chromatography Methods 0.000 description 1
- 125000004001 thioalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- BRNULMACUQOKMR-UHFFFAOYSA-N thiomorpholine Chemical compound C1CSCCN1 BRNULMACUQOKMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004568 thiomorpholinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- UMHFSEWKWORSLP-UHFFFAOYSA-N thiophene 1,1-dioxide Chemical compound O=S1(=O)C=CC=C1 UMHFSEWKWORSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWRYDHOHXNQTSK-UHFFFAOYSA-N thiophene oxide Chemical compound O=S1C=CC=C1 LWRYDHOHXNQTSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006276 transfer reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
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- C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
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- C07D471/06—Peri-condensed systems
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- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
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- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
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Abstract
질소 관능화 릴렌 비스(디카르복스이미드) 화합물의 거울상이성질체 풍부 혼합물로부터 제조된 반도체가 제공된다. 특히, 상기 거울상이성질체 풍부 혼합물은, 광학적으로 순수한 형태의 어느 하나의 거울상이성질체 또는 라세미체와 비교되는, 예상치 못한 전자 이동 효율을 갖는다.
Description
유기 발광 다이오드(OLED), 태양광전지(photovoltaic: OPV), 및 전계 효과 트랜지스터(OFET)에서의 최근의 개발로 유기 전자 분야에서 많은 기회들이 확장되었다. 이 분야에서의 도전 중 하나는, 높은 이동도(mobility)를 갖는 환경적으로 안정한 전자 이동(n-타입) 유기 반도체를 구비하는 박막 디바이스를 개발하는 것이다. 유기 n-타입 재료의 성능 및 안정성은 그 대응물인 p-타입에 상당히 뒤쳐져 있었다. 유기 n-타입 재료의 기술을 진보시키기 위한 몇몇의 도전에는, 주위 조건(예를 들어, 공기)에 대한 취약성 및 용액 가공성이 포함된다. 예를 들어, 이러한 재료는 저가의 인쇄 공정용 잉크 내로 제제화될 수 있도록 일반적인 용매 중에 가용되는 것이 바람직하다.
가장 일반적인 공기 안정한 n-타입 유기 반도체에는, 퍼플루오린화 구리 프탈로시아닌(CuF16Pc), 플루오로아실 올리고티오펜(예를 들어, DFCO-4TCO), N,N'-플루오로카본 치환된 나프탈렌 디이미드(예를 들어, NDI-F, NDI-XF), 시아노 치환된 퍼릴렌 비스(디카르복스이미드)(예를 들어, PDI-FCN2), 및 시아노 치환된 나프탈렌 비스(디카르복스이미드)(예를 들어, NDI-8CN2)가 포함된다. 이에 대해서는, 예를 들어, 문헌 [Bao et al.(1998), J. Am. Chem. Soc., 120: 207-208; de Oteyza et al.(2005), Appl. Phys. Lett., 87: 183504; Schoen et al.(2000), Adv Mater. 12: 1539-1542; Ye et al.(2005), Appl. Phys. Lett., 86: 253505; Yoon et al.(2006), J. Am. Chem. Soc., 128: 12851-12869; Tong et al.(2006), J. Phys. Chem. B., 110: 17406-17413; Yuan et al.(2004), Thin Solid Films, 450: 316-319; Yoon et al.(2005), J. Am. Chem. Soc., 127: 1348-1349; Katz et al.(2000), J. Am. Chem. Soc., 122: 7787-7792; Katz et al.(2000), Nature(London), 404: 478-481; Katz et al(2001), Chem. Phys. Chem., 3: 167-172; Jung et al.(2006), Appl. Phys. Lett., 88: 183102; Yoo et al.(2006), IEEE Electron Device Lett., 27: 737-739; Jones et al.(2004), Angew. Chem., Int. Ed. Engl., 43: 6363-6366; and Jones et al.(2007), J. Am. Chem. Soc., 129: 15259-15278]을 참고하기 바란다. 릴렌 비스(디카르복스이미드)가 그의 강한 특성, 유연한 분자 오비탈 에너지론, 및 우수한 전하 이동 특성 때문에 특히 관심끌고 있다. 그러나, PDI-FCN2 및 NDI-F를 포함하는 높은 이동도의 릴렌 화합물은 불량한 용해도를 갖는다. 한편, 가용성 릴렌 화합물은 대체로 불량한 전하 이동 특성을 갖는다.
따라서, 높은 처리량의 릴-투-릴(reel-to-reel) 제법에 의해 제조될 수 있는 저가이면서 큰 면적의 유기 전자장치에서 잠재적으로 사용되고 있다 하더라도, 당해 기술에서는 새로운 유기 반도체 재료, 특히 목적하는 특성, 예컨대 공기 안정성, 높은 전하 이동 효율, 및 일반적인 용매 중에서의 양호한 용해도를 갖는 유기 반도체 재료가 요망되고 있다.
전술한 관점에서, 본 발명은, 이상에서 언급된 것들을 포함하는 당해 기술의 다양한 결함 및 단점을 해소할 수 있는 유기 반도체 및 관련된 조성물, 복합체, 및/또는 디바이스를 제공한다.
더욱 구체적으로, 본 발명은, 질소 관능화 릴렌 비스(디카르복스이미드) 화합물의 거울상이성질체 풍부 혼합물로부터 제조된 유기 반도체를 제공한다. 특히, 상기 화합물의 두 개의 이미드 질소 원자 각각의 치환기는 입체중심을 포함하고 (R)- 또는 (S)-배위(configuration) 중 어느 하나를 갖는다. 놀랍게도, (S,S)-입체이성질체에 대한 (R,R)-입체이성질체(또는 그 반대의)의 비가 약 0.8:0.2 내지 약 0.98:0.02인 거울상이성질체 풍부 혼합물은, (R,R)- 및 (S,S)-입체이성질체의 1:1(또는 라세미) 혼합물과 비교하였을 때 매우 개선된 전자적 특성을 나타낼 수 있음이 발견되었다. 구체적으로, 박막 트랜지스터 중에 반도체로 혼입되는 경우에, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물은 동일한 화합물의 라세미 혼합물보다 2배 이상 및 몇몇의 경우에는 6배 더 큰 이동도를 나타낼 수 있다. 또한, 놀랍게도, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물은 광학적으로 순수한 이성질체의 어느 하나와 비교하였을 때 실질적으로 유사하고 몇몇의 경우에는 더욱 양호한 전자적 특성을 가짐이 발견되었다.
본 발명의 전술된 특성 및 이점, 및 기타 특성 및 이점은 하기 도면, 설명 및 특허청구범위로부터 더욱 충분하게 이해될 것이다.
하기 도면은 단지 예시 목적을 위한 것임이 이해되어야 한다. 도면은 반드시 축척되어 있지 않고, 본 발명의 원리를 설명하는 경우에 일반적으로 강조되어 있다. 도면은, 본 발명의 범위를 어떤 방식으로든 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
도 1에는, 박막 트랜지스터의 4개의 상이한 구성, 즉 하부-게이트 상부-컨택트(상부 좌측), 하부-게이트 하부-컨택트(상부 우측), 상부-게이트 하부-컨택트(하부 좌측), 및 상부-게이트 상부-컨택트(하부 우측)가 도시되어 있는데, 상기 각각의 구성은 본 발명의 중합체를 혼입시키는데 사용될 수 있다.
도 2에는, 본 발명에 따른 거울상이성질체 풍부 비스(디카르복스이미드) 혼합물을 사용하여 얻어진 박막 트랜지스터의 이동도와, 상기 비스(디카르복스이미드)의 라세미 혼합물 및 광학적으로 순수한 거울상이성질체를 사용하여 얻어진 박막 트랜지스터의 이동도가 비교되어 있다. 상기 거울상이성질체 풍부 비스(디카르복스이미드) 혼합물은 입체특이적 아민으로부터 제조되었다.
도 3에는, 본 발명에 따른 거울상이성질체 풍부 비스(디카르복스이미드) 혼합물을 사용하여 얻어진 박막 트랜지스터의 이동도와, 상기 비스(디카르복스이미드)의 라세미 혼합물 및 광학적으로 순수한 거울상이성질체를 사용하여 얻어진 박막 트랜지스터의 이동도가 비교되어 있다. 상기 거울상이성질체 풍부 비스(디카르복스이미드) 혼합물은 거울상이성질체 풍부 아민 혼합물로부터 제조되었다.
도 1에는, 박막 트랜지스터의 4개의 상이한 구성, 즉 하부-게이트 상부-컨택트(상부 좌측), 하부-게이트 하부-컨택트(상부 우측), 상부-게이트 하부-컨택트(하부 좌측), 및 상부-게이트 상부-컨택트(하부 우측)가 도시되어 있는데, 상기 각각의 구성은 본 발명의 중합체를 혼입시키는데 사용될 수 있다.
도 2에는, 본 발명에 따른 거울상이성질체 풍부 비스(디카르복스이미드) 혼합물을 사용하여 얻어진 박막 트랜지스터의 이동도와, 상기 비스(디카르복스이미드)의 라세미 혼합물 및 광학적으로 순수한 거울상이성질체를 사용하여 얻어진 박막 트랜지스터의 이동도가 비교되어 있다. 상기 거울상이성질체 풍부 비스(디카르복스이미드) 혼합물은 입체특이적 아민으로부터 제조되었다.
도 3에는, 본 발명에 따른 거울상이성질체 풍부 비스(디카르복스이미드) 혼합물을 사용하여 얻어진 박막 트랜지스터의 이동도와, 상기 비스(디카르복스이미드)의 라세미 혼합물 및 광학적으로 순수한 거울상이성질체를 사용하여 얻어진 박막 트랜지스터의 이동도가 비교되어 있다. 상기 거울상이성질체 풍부 비스(디카르복스이미드) 혼합물은 거울상이성질체 풍부 아민 혼합물로부터 제조되었다.
본원 전체를 통해, 조성물이 특정 성분을 갖거나 포함하는 것으로 설명되거나, 방법이 특정 공정 단계를 갖거나 포함하는 것으로 설명되는 경우에, 본 발명의 조성물은 또한 열거된 성분으로 본질적으로 이루어지거나 이들 성분으로 이루어지며, 본 발명의 방법 또한 열거된 공정 단계로 본질적으로 이루어지거나 이들 공정 단계로 이루어지는 것으로 고찰된다.
본원에서, 요소 또는 성분이 열거된 요소 또는 성분의 리스트에 포함되고/되거나 이 리스트로부터 선택된다고 기재된 경우에, 상기 요소 또는 성분은 열거된 요소 또는 성분 중 어느 하나일 수 있거나, 상기 요소 또는 성분은 열거된 요소 또는 성분의 둘 이상으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본원에 기재된 조성물, 장치 또는 방법의 요소 및/또는 특성은 본원에서 명확하게 드러나거나 또는 내재되든지 간에, 본 발명의 사상 및 범주로부터 벗어나지 않으면서 다양한 방식으로 조합될 수 있다.
용어 "포함한다", "포함하는", "갖다", "또는 "갖는"은, 반대되는 것을 구체적으로 나타내지 않는다면, 일반적으로 개방 말단을 가지며 비제한적인 것으로 이해되어야 한다.
본원에서 단수의 사용에는, 반대되는 것을 구체적으로 나타내지 않는다면, 복수(또는 그 반대의 경우)가 포함된다. 또한, 용어 "약"이 정량적 값 앞에 사용되는 경우, 반대되는 것을 구체적으로 나타내지 않는다면, 본 발명에는 그 구체적인 정량 값 자체가 또한 포함된다. 본원에 사용된 용어 "약"은, 반대되는 것을 나타내거나 추론되지 않는다면, 공칭 값으로부터의 ±10% 편차를 지칭한다.
특정 행위를 실시하는 순서 또는 단계의 순서는 본 발명이 조작가능하게 유지되는 한, 중요하지 않다. 또한, 두 개 이상의 단계 또는 행위가 동시에 실시될 수 있다.
본원에 사용된, "p-타입 반도체 재료" 또는 "공여자(donor)" 재료는, 주 전류 또는 전하 운반체로서 홀을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 유기 반도체 재료를 지칭한다. 몇몇의 실시양태에서, p-타입 반도체 재료가 기판 상에 증착되는 경우, 이것은 약 10-5 cm2/Vs를 초과하는 홀 이동도(hole mobility)를 제공할 수 있다. 전계 효과 디바이스의 경우에, p-타입 반도체는 또한 약 10 초과의 전류 온/오프(on-off) 비를 나타낼 수 있다.
본원에 사용된 "n-타입 반도체 재료" 또는 "수용자(acceptor)"는 주 전류 또는 전하 운반체로서 전자를 갖는 반도체 재료, 예를 들어 유기 반도체 재료를 지칭한다. 몇몇의 실시양태에서, n-타입 반도체 재료가 기판 상에 증착되는 경우, 이 재료는 약 10-5 cm2/Vs를 초과하는 전자 이동도를 제공할 수 있다. 전계 효과 디바이스의 경우에, n-타입 반도체는 또한 약 10 초과의 전류 온/오프 비를 나타낼 수 있다.
본원에 사용된 "이동도"는 속도의 척도를 지칭하는데, 이것을 사용하여 전하 운반체, 예를 들어 p-타입 반도체 재료의 경우에는 홀(또는 양의 전하 단위) 및 n-타입 반도체 재료의 경우에는 전자(또는 음의 전하 단위)가 전기장의 영향 아래에서 상기 재료를 통해 이동한다. 디바이스 구조에 의존하는 이 파라미터는, 전계 효과 디바이스 또는 공간-전하 제한된 전류 측정장치를 사용하여 측정될 수 있다.
본원에 사용된 화합물은, 반도체 재료로 상기 화합물이 혼입되어 있는 트랜지스터가, 상기 화합물이 일정 시간에 걸쳐 주위 조건, 예를 들어 공기, 주위 온도, 및 습도에 노출되는 경우에 대략 그의 초기 측정치에서 유지되는 운반체 이동도를 나타내면, "주위 안정"하거나 "주위 조건에서 안정한" 것으로 간주될 수 있다. 예를 들어, 화합물은, 이 화합물이 혼입되어 있는 트랜지스터가 공기, 습도 및 온도를 포함하는 주위 조건에 3일, 5일 또는 10일의 기간에 걸쳐 노출된 후에 그 초기 값으로부터 20% 초과로 또는 10% 초과로 가변되지 않는 운반체 이동도를 나타낸다면, 주위 안정한 것으로 기재될 수 있다.
본원에 사용된 "용액 가공가능한"은, 스핀 코팅, 인쇄(예를 들어, 잉크젯 인쇄, 그라비아 인쇄, 오프셋 인쇄 등), 분무 코팅, 전기분무 코팅, 드롭 주조(drop casting), 침지 코팅 및 블레이드 코팅을 포함하는 다양한 용액상 공정에서 사용될 수 있는 화합물(예를 들어, 중합체), 재료 또는 조성물을 지칭한다.
본원에 사용된 "할로" 또는 "할로겐"은, 플루오로, 클로로, 브로모 및 아이오도를 지칭한다.
본원에 사용된 "옥소"는, 이중 결합된 산소(즉, =O)를 지칭한다.
본원에 사용된 "알킬"은, 직쇄형 또는 분지형의 포화 탄화수소 기를 지칭한다. 알킬 기의 예에는, 메틸(Me), 에틸(Et), 프로필(예를 들어, n-프로필 및 이소프로필), 부틸(예를 들어, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸), 펜틸 기(예를 들어, n-펜틸, 이소-펜틸, 네오펜틸), 헥실 기 등이 포함된다. 다양한 실시양태에서, 알킬 기는 1 내지 40개의 탄소 원자(즉, C1-40 알킬 기), 예를 들어 1 내지 20개의 탄소 원자(즉, C1-20 알킬 기)를 지닐 수 있다. 몇몇의 실시양태에서, 알킬 기는 1 내지 6개의 탄소 원자를 지닐 수 있고, 이것은 "저급 알킬 기"로 지칭될 수 있다. 저급 알킬 기의 예에는, 메틸, 에틸, 프로필(예를 들어, n-프로필 및 이소-프로필), 및 부틸 기(예를 들어, n-부틸, 이소-부틸, sec-부틸, tert-부틸)가 포함된다. 몇몇의 실시양태에서, 알킬 기는 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다. 알킬 기는 일반적으로 다른 알킬 기, 알케닐 기, 또는 알키닐 기로 치환되지 않는다.
본원에 사용된 "할로알킬"은, 하나 이상의 할로겐 치환기를 갖는 알킬 기를 지칭한다. 다양한 실시양태에서, 할로알킬 기는 1 내지 40개의 탄소 원자(즉, C1-40 할로알킬 기), 예를 들어 1 내지 20개의 탄소 원자(즉, C1-20 할로알킬 기)를 지닐 수 있다. 할로알킬 기의 예에는, CF3, C2F5, CHF2, CH2F, CCl3, CHCl2, CH2Cl, C2Cl5 등이 포함된다. 퍼할로알킬 기, 즉 수소 원자 전부가 할로겐 원자로 치환되는(예를 들어, CF3 및 C2F5) 알킬 기가 "할로알킬"의 정의에 포함된다. 예를 들어, C1-40 할로알킬 기는 화학식 -CsH2s+1-tX0 t를 지닐 수 있는데, 상기 식에서 X0은 각각의 경우에 F, Cl, Br 또는 I이고, s는 1 내지 40의 범위 내 정수이고, t는 1 내지 81의 범위 내 정수인데, 단, t는 2s+1과 같거나 이보다 작다. 퍼할로알킬 기가 아닌 할로알킬 기는 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다.
본원에 사용된 "알콕시"는 -O-알킬 기를 지칭한다. 알콕시 기의 예에는, 메톡시, 에톡시, 프로폭시(예를 들어, n-프로폭시 및 이소프로폭시), t-부톡시, 펜톡실, 헥속실 기 등이 포함되지만 이들로 제한되지 않는다. -O-알킬 기에서의 알킬 기는 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다.
본원에서 사용된 "알킬티오"는, -S-알킬 기(이것은, 몇몇의 경우에 -S(O)w-알킬로 표시될 수 있는데, 상기 식에서 w는 0이다)를 지칭한다. 알킬 티오기의 예에는, 메틸티오, 에틸티오, 프로필티오(예를 들어, n-프로필티오 및 이소프로필티오), t-부틸티오, 펜틸티오, 헥실티오 기 등이 포함되지만 이들로 제한되지 않는다. -S-알킬 기에서의 알킬 기는 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다.
본원에 사용된 "알케닐"은, 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 직쇄형 또는 분지형 알킬 기를 지칭한다. 알케닐 기의 예에는, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 부타디에닐, 펜타디에닐, 헥사디에닐 기 등이 포함된다. 상기 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합은 내부에 있거나(2-부텐에서와 같이) 또는 말단에 있을 수 있다(1-부텐에서와 같이). 다양한 실시양태에서, 알케닐 기는 2 내지 40개의 탄소 원자(즉, C2-40 알케닐 기), 예를 들어, 2 내지 20개의 탄소 원자(즉, C2-20 알케닐 기)를 지닐 수 있다. 몇몇의 실시양태에서, 알케닐 기는 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다. 알케닐 기는 일반적으로는 또 다른 알케닐 기, 알킬 기, 또는 알키닐 기로 치환되지 않는다.
본원에 사용된 "알키닐"은, 하나 이상의 삼중 탄소-탄소 결합을 갖는 직쇄형 또는 분지형 알킬 기를 지칭한다. 알키닐 기의 예에는, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐 등이 포함된다. 상기 하나 이상의 삼중 탄소-탄소 결합은 내부에 있거나(2-부틴에서와 같이) 말단에 있을 수 있다(1-부틴에서와 같이). 다양한 실시양태에서, 알키닐 기는 2 내지 40개의 탄소 원자(즉, C2-40 알키닐 기), 예를 들어, 2 내지 20개의 탄소 원자(즉, C2-20 알키닐 기)를 지닐 수 있다. 몇몇의 실시양태에서, 알키닐 기는 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다. 알키닐 기는 일반적으로 또 다른 알키닐 기, 알킬 기, 또는 알케닐 기로 치환되지 않는다.
본원에 사용된 "시클릭 모이어티(moiety)"에는, 하나 이상(즉, 1 내지 6개)의 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리가 포함될 수 있다. 상기 시클릭 모이어티는, 각각이 예를 들어, 3 내지 24개의 고리 원자를 포함하는, 시클로알킬 기, 헤테로시클로알킬 기, 아릴 기, 또는 헤테로아릴 기일 수 있고(즉, 여기에는 방향족성과는 상관없이, 단지 하나의 포화 결합이 포함될 수 있거나 하나 이상의 불포화 결합이 포함될 수 있다), 이는 임의로 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다. 시클릭 모이어티가 "모노시클릭 모이어티"인 실시양태에서, 상기 "모노시클릭 모이어티"에는 3 내지 14원의 방향족 또는 비-방향족의 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리가 포함될 수 있다. 모노시클릭 모이어티에는 예를 들어, 페닐 기, 또는 5 또는 6원 헤테로아릴 기가 포함될 수 있는데, 이들 각각은 임의로 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다. 시클릭 모이어티가 "폴리시클릭 모이어티"인 실시양태에서, 상기 "폴리시클릭 모이어티"에는 서로에 융합(즉, 공통의 결합 공유)되고/되거나, 스피로 원자 또는 하나 이상의 가교 원자를 통해 서로에 연결되는 둘 이상의 고리가 포함될 수 있다. 폴리시클릭 모이어티에는, 8 내지 24원의 방향족 또는 비방향족 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리, 예컨대 C8-24 아릴 기 또는 8 내지 24원의 헤테로아릴 기가 포함될 수 있는데, 이들 각각은 임의로 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다.
본원에 사용된 "시클로알킬"은, 환화 알킬, 알케닐 및 알키닐 기를 포함하는 비방향족의 카르보시클릭 고리를 지칭한다. 다양한 실시양태에서, 시클로알킬 기는 3 내지 24개의 탄소 원자, 예를 들어 3 내지 20개의 탄소 원자(예를 들어, C3-14 시클로알킬 기)를 지닐 수 있다. 시클로알킬 기는 모노시클릭(예를 들어, 시클로헥실) 또는 폴리시클릭(예를 들어, 융합, 가교되고/되거나 스피로고리 시스템을 함유)일 수 있고, 여기서 탄소 원자는 상기 고리 시스템의 내부 또는 외부에 위치한다. 시클로알킬 기의 임의의 적합한 고리 위치는 형성된 화학 구조에 공유적으로 연결될 수 있다. 시클로알킬 기의 예에는, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로펜테닐, 시클로헥세닐, 시클로헥사디에틸, 시클로헵타트리에닐, 노르보르닐, 노르피닐, 노르카릴, 아다만틸, 및 스피로[4.5]데카닐 기, 및 그의 상동체, 이성질체 등이 포함된다. 몇몇의 실시양태에서, 시클로알킬 기는 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다.
본원에 사용된 "헤테로원자"는 탄소 또는 수소 이외의 임의 원소의 원자를 지칭하는데, 여기에는 예를 들어 질소, 산소, 규소, 황, 인 및 셀레늄이 포함된다.
본원에 사용된 "시클로헤테로알킬"은, O, S, Se, N, P, 및 Si(예를 들어, O, S, 및 N)로부터 선택된 하나 이상의 고리 헤테로원자를 함유하고 임의로는 하나 이상의 이중 또는 삼중 결합을 함유하는 비-방향족 시클로알킬 기를 지칭한다. 시클로헤테로알킬 기는 3 내지 24개의 고리 원자, 예를 들어, 3 내지 20개의 고리 원자(예를 들어, 3 내지 14원의 시클로헤테로알킬 기)를 지닐 수 있다. 시클로헤테로알킬 고리 내 하나 이상의 N, P, S, 또는 Se 원자(예를 들어, N 또는 S)는 산화될 수 있다(예를 들어, 모르폴린 N-옥시드, 티오모르폴린 S-옥시드, 티오모르폴린 S,S-디옥시드). 몇몇의 실시양태에서, 시클로헤테로알킬 기의 질소 또는 인 원자는 치환기, 예를 들어 수소 원자, 알킬 기, 또는 본원에 기재된 다른 치환기를 지닐 수 있다. 시클로헤테로알킬 기는 하나 이상의 옥소 기, 예컨대 옥소피페리딜, 옥소옥사졸리딜, 디옥소-(1H,3H)-피리미딜, 옥소-2(1H)-피리딜 등을 함유할 수 있다. 시클로헤테로알킬 기의 예에는, 특히 모르폴리닐, 티오모르폴리닐, 피라닐, 이미다졸리디닐, 이미다졸리닐, 옥사졸리디닐, 피라졸리디닐, 피라졸리닐, 피롤리디닐, 피롤리닐, 테트라히드로푸라닐, 테트라히드로티오페닐, 피페리디닐, 피페라지닐 등이 포함된다. 몇몇의 실시양태에서, 시클로헤테로알킬 기는 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다.
본원에 사용된 "아릴"은, 두 개 이상의 방향족 탄화수소 고리가 함께 융합(즉, 공통된 하나의 결합 공유)되거나, 하나 이상의 방향족의 모노시클릭 탄화수소 고리가 하나 이상의 시클로알킬 및/또는 시클로헤테로알킬 고리에 융합되는, 방향족의 모노시클릭 탄화수소 고리 시스템 또는 폴리시클릭 고리 시스템을 지칭한다. 아릴 기는 그 고리 시스템 중에 6 내지 24개의 탄소 원자(예를 들어, C6-20 아릴 기)를 지닐 수 있고, 이것은 다수개의 융합된 고리를 포함할 수 있다. 몇몇의 실시양태에서, 폴리시클릭 아릴 기는 8 내지 24개의 탄소 원자를 지닐 수 있다. 아릴 기의 임의의 적합한 고리 위치는 형성된 화학 구조에 공유적으로 연결될 수 있다. 단지 방향족 카르보시클릭 고리(들)를 갖는 아릴 기의 예에는, 페닐, 1-나프틸(비시클릭), 2-나프틸(비시클릭), 안트라세닐(트리시클릭), 페난트레닐(트리시클릭), 펜타세닐(펜타시클릭) 등의 기가 포함된다. 하나 이상의 방향족 카르보시클릭 고리가 하나 이상의 시클로알킬 및/또는 시클로헤테로알킬 고리에 융합되는 폴리시클릭 고리 시스템의 예에는 특히, 시클로펜탄의 벤조 유도체(즉, 5,6-비시클릭 시클로알킬/방향족 고리 시스템인 인다닐 기), 시클로헥산의 벤조 유도체(즉, 6,6-비시클릭 시클로알킬/방향족 고리 시스템인 테트라히드로나프틸 기), 이미다졸린의 벤조 유도체(즉, 5,6-비시클릭 시클로헤테로알킬/방향족 고리 시스템인 벤즈이미다졸리닐 기) 및 피란의 벤조 유도체(즉, 6,6-비시클릭 시클로헤테로알킬/방향족 고리 시스템인 크로메틸 기)가 포함된다. 아릴 기의 다른 예에는, 벤조디옥사닐, 벤조디옥솔릴, 크로마닐, 인돌리닐 기 등이 포함된다. 몇몇의 실시양태에서, 아릴 기는 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다. 몇몇의 실시양태에서, 아릴 기는 하나 이상의 할로겐 치환기를 지닐 수 있는데, 이것은 "할로아릴 기"로 지칭될 수 있다. 퍼할로아릴 기, 즉 수소 원자 전부가 할로겐 원자로 치환되는 아릴 기(예를 들어, -C6F5)는 "헤테로아릴"의 정의에 포함된다. 특정의 실시양태에서, 아릴 기는 또 다른 아릴 기로 치환되고, 비아릴(biaryl) 기로 지칭될 수 있다. 비아릴 기에서의 아릴 기의 각각은 본원에서 개시된 바와 같이 치환될 수 있다.
본원에 사용된 "헤테로아릴"은, 산소(O), 질소(N), 황(S), 규소(Si) 및 셀레늄(Se)으로부터의 하나 이상의 고리 헤테로원자를 함유하는 방향족의 모노시클릭 고리 시스템, 또는 고리 시스템 중에 존재하는 고리의 하나 이상이 방향족이고 하나 이상의 고리 헤테로원자를 함유하는 폴리시클릭 고리 시스템을 지칭한다. 폴리시클릭 헤테로아릴 기에는 함께 융합된 둘 이상의 헤테로아릴 고리를 갖는 것들, 및 하나 이상의 방향족 카르보시클릭 고리, 비방향족 카르보시클릭 고리 및/또는 비방향족 시클로헤테로알킬 고리에 융합된 하나 이상의 모노시클릭 헤테로아릴 고리를 갖는 것들이 포함된다. 대체로 헤테로아릴 기는 예를 들어, 5 내지 24개의 고리 원자를 가질 수 있고, 1 내지 5개의 고리 헤테로원자를 함유할 수 있다(즉, 5 내지 20원의 헤테로아릴 기). 상기 헤테로아릴 기는 안정적인 구조를 형성시키는 임의의 헤테로원자 또는 탄소 원자에서 형성된 화학 구조에 연결될 수 있다. 일반적으로, 헤테로아릴 고리는 O-O, S-S, 또는 S-O 결합을 함유하지 않는다. 그러나, 헤테로아릴 기 내 하나 이상의 N 또는 S 원자는 산화될 수 있다(예를 들어, 피리딘 N-옥시드, 티오펜 S-옥시드, 티오펜 S,S-디옥시드). 헤테로아릴 기의 예에는, 예를 들어 하기 5- 또는 6원의 모노시클릭 및 5 내지 6 비시클릭 고리 시스템이 포함된다:
상기 식에서, T는 O, S, NH, N-알킬, N-아릴, N-(아릴알킬)(예를 들어, N-벤질), SiH2, SiH(알킬), Si(알킬)2, SiH(아릴알킬), Si(아릴알킬)2, 또는 Si(알킬)(아릴알킬)이다. 상기 헤테로아릴 고리의 예에는 피롤릴, 푸릴, 티에닐, 피리딜, 피리미딜, 피리다지닐, 피라지닐, 트리아졸릴, 테트라졸릴, 피라졸릴, 이미다졸릴, 이소티아졸릴, 티아졸릴, 티아디아졸릴, 이속사졸릴, 옥사졸릴, 옥사디아졸릴, 인돌릴, 이소인돌릴, 벤조푸릴, 벤조티에닐, 퀴놀릴, 2-메틸퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 퀴녹사졸릴, 퀴나졸릴, 벤조트리아졸릴, 벤즈이미다졸릴, 벤조티아졸릴, 벤즈이소티아졸릴, 벤즈이속사졸릴, 벤즈옥사디아졸릴, 벤즈옥사졸릴, 신놀리닐, 1H-인다졸릴, 2H-인다졸릴, 인돌리지닐, 이소벤조푸릴, 나프티리디닐, 프탈라지닐, 프테리디닐, 푸리닐, 옥사졸로피리디닐, 티아졸로피리디닐, 이미다조피리디닐, 푸로피리디닐, 티에노피리디닐, 피리도피리미디닐, 피리도피라지닐, 피리도피리다지닐, 티에노티아졸릴, 티엔옥사졸릴, 티에노이미다졸릴 기 등이 포함된다. 헤테로아릴 기의 추가 예에는, 4,5,6,7-테트라히드로인돌릴, 테트라히드로퀴놀리닐, 벤조티에노피리디닐, 벤조푸로피리디닐 기 등이 포함된다. 몇몇의 실시양태에서, 헤테로아릴 기는 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다.
본원에 사용된 "아릴알킬"은, 아릴알킬 기가, 알킬 기를 통해, 형성된 화학 구조에 공유적으로 연결되는 -알킬-아릴 기를 지칭한다. 아릴알킬 기는 -Y-C6-14 아릴 기의 정의 내에 있고, 상기 식에서 Y는 본원에서 정의된 바와 같다. 아릴알킬 기의 예는, 벤질 기(-CH2-C6H5)이다. 아릴알킬 기는 임의로 치환될 수 있는데, 즉 아릴 기 및/또는 알킬 기는 본원에서 개시된 바와 같이 치환될 수 있다.
본 발명의 화합물에는, 두 개의 다른 모이어티를 사용하여 공유 결합을 형성할 수 있는 연결 기로 본원에서 정의된 "2가 기"가 포함될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 화합물에는 2가 C1-20 알킬 기(예를 들어, 메틸렌 기), 2가 C2-20 알케닐 기(예를 들어, 비닐릴 기), 2가 C2-20 알키닐 기(예를 들어, 에티닐릴 기), 2가 C6-14 아릴 기(예를 들어, 페닐릴 기), 2가의 3 내지 14원 시클로헤테로알킬 기(예를 들어, 피롤리딜릴), 및/또는 2가의 5 내지 14원 헤테로아릴 기(예를 들어, 티에닐릴 기)가 포함될 수 있다. 일반적으로, 화학 기(예를 들어, -Ar-)는 이 기 앞에 그리고 뒤에 2개의 결합을 포함시킴으로써 2가인 것으로 이해된다.
본원에 사용된 "가용화되는 기"는, 생성되는 분자가, (동일한 분자-용매 조합물에 대해서) 분자 내에서 동일한 위치를 점유하는 경우에 하나 이상의 공통의 유기 용매 중에 수소 원자보다 더 가용성이 되게 하는 관능기를 지칭한다. 가용화되는 기의 예에는, 알킬 기(예를 들어, 메틸, 에틸, 이소-프로필, n-프로필, 이소-부틸, sec-부틸, n-부틸, tert-부틸, n-펜틸, 이소-펜틸, 네오-펜틸, 헥실, 2-메틸 헥실, 옥틸, 3,7-디메틸 옥틸, 데실, 데오데실, 테트라데실, 헥사데실), 알콕시 기(예를 들어, 메톡시, 에톡시, 이소-프로폭시, n-프로폭시, 이소-부틸옥시, sec-부틸옥시, n-부틸옥시, 헥실옥시, 2-메틸 헥실옥시, 옥틸옥시, 3,7-디메틸 옥틸옥시, 데실옥시, 도데실옥시, 테트라데실옥시, 헥사데실옥시), 티오알킬 기(예를 들어, 티오옥틸), 알킬에테르, 및 티오에테르가 포함된다.
본원에 사용된 "이탈 기"("LG")는, 예를 들어 치환 또는 제거 반응의 결과로 안정한 종으로 이탈될 수 있는 하전되거나 하전되지 않은 원자(또는 원자의 기)를 지칭한다. 이탈 기의 예에는, 할로겐(예를 들어, Cl, Br, I), 아지드(N3), 티오시아네이트(SCN), 니트로(NO2), 시아네이트(CN), 물(H2O), 암모니아(NH3), 및 술포네이트 기(예를 들어, OSO2-R이며, 상기 식에서 R은 C1-10 알킬 기 또는 C6-14 아릴 기일 수 있고, 각각은 C1 -10 알킬 기 및 전자 끄는 기(electron-withdrawing group)로부터 독립적으로 선택된 1 내지 4개의 기로 임의로 치환된다), 예컨대 토실레이트(톨루엔술포네이트, OT), 메실레이트(메탄술포네이트, OM), 브로실레이트(p-브로모벤젠술포네이트, OB), 노실레이트(4-니트로벤젠술포네이트, ON), 및 트리플레이트(트리플루오로메탄술포네이트, OTf)가 포함되지만 이들로 제한되지 않는다.
본원에 사용된 "시안화제(cyanating agent)"는, LiCN, NaCN, KCN, CuCN, AgCN, 트리메틸실릴 시아나이드(TMSCN), 또는 당업자에게 공지된 임의의 다른 시안화제일 수 있다.
모든 일반적인 부류의 치환기를 나타내는 수백개의 가장 일반적인 치환기의 전자 공여(donating) 또는 전자 끌기 특성을 측정하고 정량화하고 발표하였다. 전자 공여 및 전자 끌기 특성의 가장 일반적인 정량화는, 해미트(Hammett) σ 값의 관점에서 실시된다. 수소는 0의 해미트 σ 값을 갖지만, 다른 치환기는 그의 전자 끌기 또는 전자 공여 특성에 대한 직접적인 관계에서 양으로 또는 음으로 증가하는 해미트 σ 값을 갖는다. 음의 해미트 σ 값을 갖는 치환기는 전자 공여하는 것으로 간주되지만, 양의 해미트 σ 값을 갖는 치환기는 전자 끄는 것으로 간주된다. 이에 대해서는, 문헌 [Lange's Handbook of Chemistry, 12th ed., McGraw Hill, 1979, Table 3-12, pp. 3-134 to 3-138]을 참고하기 바라며, 여기에는 다수의 일반적으로 확인되는 치환기에 대한 해미트 σ 값이 기재되어 있고, 상기 문헌은 본원에 참고로 포함된다.
상기 용어 "전자 수용(accepting) 기"는, "전자 수용자(acceptor)" 및 "전자 끄는 기"와 본원에서 동의어로 사용될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 특히, "전자 끄는 기"("EWG") 또는 "전자 수용 기" 또는 "전자 수용자"는, 분자 내에서 동일한 위치를 점유하는 경우에 전자를 수소 원자보다 더 이들로 끄는 관능기를 지칭한다. 전자 끄는 기의 예에는, 할로겐 또는 할로(예를 들어, F, Cl, Br, I), -NO2, -CN, -NC, -S(R0)2 +, -N(R0)3 +, -SO3H, -SO2R0, -SO3R0, -SO2NHR0, -SO2N(R0)2, -COOH, -COR0, -COOR0, -CONHR0, -CON(R0)2, C1-40 할로알킬 기, C6-14 아릴 기, 및 5-14원의 전자 부족 헤테로아릴 기가 포함되지만 이들로 제한되지 않고; 상기 식에서, R0은 C1-20 알킬 기, C2-20 알케닐 기, C2-20 알키닐 기, C1-20 할로알킬 기, C1-20 알콕시 기, C6-14 아릴 기, C3-14 시클로알킬 기, 3 내지 14원의 시클로헤테로알킬 기, 및 5 내지 14원의 헤테로아릴 기이고, 이들 각각은 임의로 본원에 기재된 바와 같이 치환될 수 있다. 예를 들어, C1-20 알킬 기, C2-20 알케닐 기, C2-20 알키닐 기, C1-20 할로알킬 기, C1-20 알콕시 기, C6-14 아릴 기, C3-14 시클로알킬 기, 3 내지 14원의 시클로헤테로알킬 기, 및 5 내지 14원의 헤테로아릴 기의 각각은 1 내지 5개의 작은 전자 끄는 기, 예컨대 F, Cl, Br, -NO2, -CN, -NC, -S(R0)2 +, -N(R0)3 +, -SO3H, -SO2R0, -SO3R0, -SO2NHR0, -SO2N(R0)2, -COOH, -COR0, -COOR0, -CONHR0, 및 -CON(R0)2로 임의로 치환될 수 있다.
용어 "전자 공여 기"는 본원에서 "전자 공여자"와 동의어로 사용될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 특히, "전자 공여 기" 또는 "전자 공여자"는, 분자 내에서 동일한 위치를 점유하는 경우에 이웃하는 원자에 수소 원자보다 더 전자를 공여하는 관능기를 지칭한다. 전자 공여 기의 예에는, -OH, -OR0, -NH2, -NHR0, -N(R0)2, 및 5 내지 14원의 전자 풍부 헤테로아릴 기가 포함되는데, 상기 식에서 R0는 C1-20 알킬 기, C2-20 알케닐 기, C2-20 알키닐 기, C6-14 아릴 기, 또는 C3-14 시클로알킬 기이다.
다양한 무치환 헤테로아릴 기는 전자 풍부(또는 π-과다) 또는 전자 부족(또는 π-부족)으로 기재될 수 있다. 그러한 분류는 벤젠 내 탄소 원자와 비교한 각각의 고리 원자 상에서 평균의 전자 밀도에 기초하고 있다. 전자 풍부 시스템의 예에는, 하나의 헤테로원자를 갖는 5원의 헤테로아릴 기, 예컨대 푸란, 피롤 및 티오펜; 및 그의 벤조융합된 대응물, 예컨대 벤조푸란, 벤조피롤, 및 벤조티오펜이 포함된다. 전자 부족 시스템의 예에는, 하나 이상의 헤테로원자를 갖는 6원의 헤테로아릴 기, 예컨대 피리딘, 피라진, 피리다진 및 피리미딘; 및 그의 벤조 융합된 대응물, 예컨대 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 신놀린, 프탈라진, 나프티리딘, 퀴나졸린, 페난트리딘, 아크리딘 및 푸린이 포함된다. 혼합된 헤테로방향족 고리는 고리 내 하나 이상의 헤테로원자(들)의 유형, 수 및 위치에 따라 어느 한 부류에 속할 수 있다. 이에 대해서는, 문헌 [Katritzky, A.R and Lagowski, J.M., Heterocyclic Chemistry(John Wiley & Sons, New York, 1960)]을 참고하기 바란다.
본 명세서 내 다양한 위치에서, 치환기는 그룹 또는 범위로 표시되어 있다. 그 기재에는 그러한 그룹 및 범위 성분의 각각의 그리고 모든 개별적인 하위조합이 포함되는 것으로 구체적으로 의도된다. 예를 들어, 용어 "C1-6 알킬"은 개별적으로 C1, C2, C3, C4, C5, C6, C1-C6, C1-C5, C1-C4, C1-C3, C1-C2, C2-C6, C2-C5, C2-C4, C2-C3, C3-C6, C3-C5, C3-C4, C4-C6, C4-C5, 및 C5-C6 알킬을 개별적으로 나타내는 것으로 구체적으로 의도된다. 다른 예로, 0 내지 40의 범위 내 정수는 개별적으로 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 및 40을 나타내는 것으로 구체적으로 의도되고, 1 내지 20의 범위 내 정수는 개별적으로 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 및 20을 나타내는 것으로 구체적으로 의도된다. 표현 "1 내지 5개의 치환기로 임의로 치환된"이 0, 1, 2, 3, 4, 5, 0-5, 0-4, 0-3, 0-2, 0-1, 1-5, 1-4, 1-3, 1-2, 2-5, 2-4, 2-3, 3-5, 3-4, 및 4-5 치환기를 포함할 수 있는 화학 기를 개별적으로 나타내도록 구체적으로 의도되는 추가 예가 포함된다.
명세서 전체를 통해, 구조에는 화학명이 제공되거나 제공되지 않을 수 있다. 명칭에 대해 의문이 생기는 경우에, 구조가 설득력 있다.
일반적으로, 본 발명은, 하기 화학식 I의 화합물의 거울상이성질체 풍부 혼합물을 포함하는 박막 반도체에 관한 것이다:
<화학식 I>
상기 식에서, R1 및 R2는 입체 중심을 포함하는, 조성면에서 동일하거나 실질적으로 동일한 분지형의 유기 기이다. 화학식 I이 다양한 가능한 위치이성질체를 포함하도록 의도되는 경우에, 화학식 I은, 화학식 I의 다양한 가능한 위치이성질체 중에서 가장 속도론적으로(kinetically) 안정한 것으로 공지되어 있는 하기 이성질체를 최소로 포함하는 것으로 의도된다:
더욱 구체적으로, 특정의 실시양태에서, R1 및 R2는 동일하고, 분지형 C4 -40 알킬 기, 분지형 C4 -40 알케닐 기 및 분지형 C4 -40 할로알킬 기로부터 선택될 수 있으며, 상기 분지형 C4-40 알킬 기, 분지형 C4-40 알케닐 기 또는 분지형 C4-40 할로알킬 기는 하기로부터 선택된 화학식을 지닐 수 있다:
상기 식에서, R'는 C1-20 알킬 또는 할로알킬 기이고; R"는 R'와 상이하고 C1-20 알킬 기, C2-20 알케닐 기, 및 C1-20 할로알킬 기로부터 선택된다. 기호 *는 R1 및 R2가 (R)- 또는 (S)-배위를 갖게 하는 입체 중심을 나타낸다. 상기 혼합물은 거울상이성질체가 풍부한데, 즉 상기 혼합물은 (R,R)-입체이성질체(여기서 R1 및 R2 둘 모두는 (R)-배위를 갖는다) 또는 (S,S)-입체이성질체(여기서, R1 및 R2 둘 모두는 (S)-배위를 갖는다) 중 어느 하나를 과량으로 포함한다. 더욱 구체적으로, 거울상이성질체 풍부 혼합물에서 (R,R)-입체이성질체:(S,S)-입체이성질체의 비 또는 (S,S)-입체이성질체:(R,R)-입체이성질체의 비는 약 0.8:0.2 내지 약 0.98:0.02이다.
특정의 실시양태에서, R1 및 R2는 동일한 입체중심을 포함하는 실질적으로 동일한 분지형 기일 수 있고, 독립적으로 분지형 C4-40 알킬 기, 분지형 C4-40 알케닐 기, 또는 분지형 C4-40 할로알킬 기일 수 있다. R1 및 R2가 "실질적으로 동일한" 것으로 설명된 실시양태에서, R1 및 R2 둘 모두는 하기 화학식 중 하나를 갖는 입체 중심을 포함하는 동일한 분지 패턴을 갖는 반면, R' 및 R" 중 하나는 예를 들어 탄소 원자의 수(예를 들어, 둘 이하의 탄소 원자의 차), 포화 정도, 또는 할로겐 기로의 치환의 측면에서 상이할 수 있음을 의미하는 것으로 의도된다:
설명하기 위해, R1 및 R2 둘 모두가 하기 화학식의 분지형 기인 경우에, R1 및 R2는 실질적으로 동일한 것으로 간주될 수 있다:
상기 식에서, R'는 R1 및 R2 둘 모두에서 동일하지만, R1에서의 R"는 R2에서의 R"과는 상이하다. 예를 들어, R1에서의 R"은 n-헥실 기일 수 있지만, R2에서의 R"는 n-펜틸 기, n-헵틸 기, 헥세닐 기, 또는 플루오로 치환된 헥실 기(예를 들어,(CH2)5CF3)일 수 있다.
특정의 실시양태에서, 거울상이성질체 풍부 혼합물은 하기한 것들로부터 선택된 한 쌍의 거울상이성질체를 포함할 수 있다:
상기 식에서, R' 및 R"는 본원에서 정의된 바와 같고, 각 쌍에서의 두 개의 거울상이성질체의 상대적 비는 약 0.8:0.2 내지 약 0.98:0.02이다. 특정의 실시양태에서, 각 쌍에서의 두 개의 거울상이성질체의 상대적 비는 약 0.90:0.10 내지 약 0.95:0.05이다.
특정의 실시양태에서, R'은 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 저급 알킬 또는 할로알킬 기(예를 들어, CH3, CF3, C2H5, C2F5, CH2CF3, C3H7, C3F7, 및 CH2CH2CF3)일 수 있는 반면; R"은 R'과 상이하고 3개 이상의 탄소 원자를 갖는다. 예를 들어, R"는 C3-20 알킬 기, C3-20 알케닐 기, 및 C3-20 할로알킬 기로부터 선택될 수 있다. 다양한 실시양태에서, R' 및 R" 둘 모두는 선형 기일 수 있다.
추가로 설명하기 위해, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물은 하기한 것들로부터 선택된 한 쌍의 거울상이성질체를 포함할 수 있다:
상기 식에서, 각 쌍에서의 두 개의 거울상이성질체의 상대적 비는 약 0.8:0.2 내지 약 0.98:0.02이다. 특정의 실시양태에서, 각 쌍에서의 두 개의 거울상이성질체의 상대적 비는 약 0.90:0.10 내지 약 0.95:0.05이다.
본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물은 다양한 방법을 통해서 얻을 수 있다. 화학식 I의 화합물은 전형적으로, 1급 아민과 하기 화학식 II의 이무수물을 반응시킨 다음, 얻어지는 비스(디카르복스이미드)를 시안화제와 반응시켜서 이탈기(LG)를 시아노 기로 대체하여 합성할 수 있다:
<화학식 II>
1급 아민은 하기한 것들로부터 선택된 화학식을 지닐 수 있고, 하기 반응식 1에 기재된 과정에 따라서 제조될 수 있다:
<화학식 IIIa>
<화학식 IIIb>
<화학식 IIIc>
상기 식에서, R' 및 R"는 본원에서 정의된 바와 같다.
<반응식 1>
반응식 1을 참고하면, 케톡심 2는 케톤 1과 히드록실아민 히드로클로라이드를 메탄올 중에서 혼합시킨 다음, 환류 온도에서 아세트산나트륨을 첨가하여 제조될 수 있다. 상기 케톡심을 아민 3으로 환원시키기 위해서, 디에틸 에테르 중의 케톡심 2의 용액을 0℃에서 무수 디에틸 에테르 중의 수소화알루미늄리튬의 현탁액에 적가시킨 다음, 16시간 동안 환류로 가열시켜서 아민 3의 라세미 혼합물을 제공할 수 있다.
아민 3의 광학적으로 순수한 거울상이성질체를 분리시키기 위해서 다양한 과정을 사용할 수 있다. 예를 들어, 키랄 분리, 부분입체이성질체 염 형성, 또는 속도론적 분할(kinetic resolution)이 사용될 수 있다. 특히, 효소 촉매된 아실 전달 반응에 의한 라세미체의 속도론적 분할은 매우 높은 거울상이성질체 과잉률(99.0% 초과)을 초래할 수 있다. 슈도모나스 아에루기노사 리파아제(Pseudomonas aeruginosa lipase), 서브틸리신(subtilisin), 및 칸디다 안타르티카 리파아제(Candida antarctica lipase)는, 키랄 아민의 속도론적 분할에서의 이들의 효율에 대해서 연구되었다. 이에 대해서는 예를 들어, 문헌 [Davis et al.(2001), Syn. Comm., 31(4): 569-578]을 참고하기 바란다.
따라서, 몇몇의 실시양태에서는, 입체특이적 1급 아민을 사용하여 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물을 얻을 수 있다. 예를 들어, 화학식 I의 (R,R)-입체이성질체는 (R)-아민을 화학식 II의 이무수물과 반응시켜서 얻을 수 있고, 그 후 이것을 유사한 방법으로 얻어진 (S,S)-입체이성질체와 적절한 비로 조합시켜서 화학식 I의 화합물의 거울상이성질체 풍부 혼합물을 얻는다.
몇몇의 실시양태에서, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물은 1급 아민의 거울상이성질체 풍부 혼합물로부터 제조될 수 있다. 화학식 II의 이무수물을 1급 아민(입체특이적 1급 아민에 반대)의 거울상이성질체 풍부 혼합물과 반응시키면 화학식 I의 화합물의 몇몇 메조 이성질체가 형성될 것이긴 하지만, 상기 메조 이성질체의 존재는 대체로 거울상이성질체 풍부 혼합물의 반도체 특성에 거의 효과를 미치지 않음이 발견되었다.
대안적인 실시양태에서, 화학식 II의 이무수물을 1급 아민의 라세미 혼합물과 반응시킬 수 있고, 이에 의해 (R,R)-입체이성질체, (S,S)-입체이성질체, 및 비키랄 메조-(R,S)-입체이성질체의 혼합물이 얻어진다. 상기 (R,R)-입체이성질체, 및 유사하게는 (S,S)-입체이성질체는 표준의 분리 과정을 사용하여 분리되고, 후속적으로 다른 거울상이성질체와 특정 비로 조합되어, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물을 제공할 수 있다. 당업자에게 공지된 표준의 분리 과정에는 예를 들어, 임의로 키랄 정지 상을 갖는 컬럼 크로마토그래피, 박층 크로마토그래피, 모의 이동상 크로마토그래피, 및 고성능 액체 크로마토그래피가 포함된다.
본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물은 반도체 재료(예를 들어, 조성물 및 복합체)를 제조하는데 사용될 수 있고, 이것은 차례로 다양한 제조 물품, 구조 및 디바이스를 제작하는데 사용될 수 있다. 몇몇의 실시양태에서, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물이 혼입되어 있는 반도체 재료는 n-타입 반도체 작용을 나타낼 수 있다. 놀랍게도, 본 발명에 따른 화학식 I의 화합물의 거울상이성질체 풍부 혼합물은 라세미체와 비교하였을 때 매우 개선된 전자적 특성을 나타낼 수 있음이 발견되었다. 구체적으로, 박막 트랜지스터에 반도체로 혼입되는 경우에, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물은 라세미체의 두 배 이상, 및 몇몇의 경우에는 6배 더 높을 수 있는 이동도를 나타낸다. 또한, 놀랍게도, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물은 실질적으로 순수한 형태(즉, 99% 또는 그보다 큰 광학 순도)의 (R,R)-입체이성질체, 또는 (S,S)-입체이성질체 중 어느 하나와 비교하였을 때 실질적으로 유사하고 몇몇의 경우에는 더욱 양호한 전자적 특성을 가짐이 발견되었다.
따라서, 본 발명은, 본원에 기재된 거울상이성질체 풍부 혼합물을 포함하는 전자 디바이스, 광학 디바이스, 및 광전자 디바이스를 제공한다. 그러한 전자 디바이스, 광학 디바이스, 및 광전자 디바이스의 예에는, 박막 반도체, 박막 트랜지스터(예를 들어, 전계 효과 트랜지스터), 태양광전지, 광검출기, 유기 발광 디바이스, 예컨대 유기 발광 다이오드(OLED) 및 유기 발광 트랜지스터(OLET), 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS), 상보성 변환기, 다이오드, 커패시터, 센서, D 플립-플랍(flip-flop), 정류기 및 링 발진기가 포함된다. 몇몇의 실시양태에서, 본 발명은, 본원에 기재된 거울상이성질체 풍부 혼합물을 포함하는 박막 반도체, 및 상기 박막 반도체를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 디바이스를 제공한다. 특히, 상기 전계 효과 트랜지스터 디바이스는 상부-게이트 하부-컨택트 구조, 하부-게이트 상부-컨택트 구조, 상부-게이트 상부-컨택트 구조, 및 하부-게이트 하부-컨택트 구조로부터 선택된 구조를 갖는다. 특정의 실시양태에서, 전계 효과 트랜지스터 디바이스에는 유전체 재료가 포함되는데, 상기 유전체 재료는 유기 유전체 재료, 무기 유전체 재료, 또는 하이브리드 유기/무기 유전체 재료가 포함된다. 다른 실시양태에서, 본 발명은, 본원에 기재된 거울상이성질체 풍부 혼합물을 포함하는 박막 반도체가 혼입되어 있는 태양광 디바이스 및 유기 발광 디바이스를 제공한다.
화학식 I의 화합물은 일반적으로, 다양한 일반적인 용매 중에서 양호한 용해도를 갖는다. 따라서, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물은 저가의 용액상 기술을 통하여 다양한 전자 디바이스, 광학 디바이스, 및 광전자 디바이스 내로 가공될 수 있다. 본원에 사용된 화합물은, 적어도 1 mg의 이 화합물을 1 mL의 용매 중에 용해시킬 수 있는 경우, 그 용매 중에서 가용성인 것으로 간주될 수 있다. 일반적인 유기 용매의 예에는, 석유 에테르; 아세토니트릴; 방향족 탄화수소, 예컨대 벤젠, 톨루엔, 크실렌 및 메시틸렌; 케톤, 예컨대 아세톤 및 메틸 에틸 케톤; 에테르, 예컨대 테트라히드로푸란, 디옥산, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 디에틸 에테르, 디-이소프로필 에테르, 및 t-부틸 메틸 에테르; 알콜, 예컨대 메탄올, 에탄올, 부탄올 및 이소프로필 알콜; 지방족 탄화수소, 예컨대 헥산; 아세테이트, 예컨대 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 메틸 포르메이트, 에틸 포르메이트, 이소프로필 아세테이트, 및 부틸 아세테이트; 아미드, 예컨대 디메틸포름아미드 및 디메틸아세트아미드; 술폭시드, 예컨대 디메틸술폭시드; 할로겐화 지방족 및 방향족 탄화수소, 예컨대 디클로로메탄, 클로로포름, 에틸렌 클로라이드, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 및 트리클로로벤젠; 및 시클릭 용매, 예컨대 시클로펜타논, 시클로헥사논 및 2-메틸피롤리돈이 포함된다. 일반적인 무기 용매의 예에는, 물 및 이온성 액체가 포함된다.
따라서, 본 발명은, 액체 매질, 예를 들어 유기 용매, 무기 용매, 또는 그의 조합물(예를 들어, 유기 용매, 무기 용매, 또는 유기 및 무기 용매의 혼합물) 중에 용해되거나 분산된 본원에 개시된 거울상이성질체 풍부 혼합물을 포함하는 조성물을 추가로 제공한다. 몇몇의 실시양태에서, 상기 조성물에는, 세제, 분산제, 결합제, 상용화제, 경화제, 개시제, 보습제, 소포제, 습윤화제, pH 개질제, 살생물제, 및 정균제로부터 독립적으로 선택된 하나 이상의 첨가제가 추가로 포함될 수 있다. 예를 들어, 계면활성제 및/또는 다른 중합체(예를 들어, 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리-알파-메틸스티렌, 폴리이소부텐, 폴리프로필렌, 폴리메틸메타크릴레이트 등)가 분산제, 결합제, 상용화제, 및/또는 소포제로 포함될 수 있다.
다양한 용액 가공 기술을 포함하는 다양한 증착 기술이, 유기 전자장치와 함께 사용되었다. 예를 들어, 인쇄된 전자장치 기술의 대다수는, 주로 이 기술이 피쳐(feature) 위치 및 다중층 레지스트레이션(registration)을 더욱 크게 제어하기 때문에, 잉크젯 인쇄에 집중되었다. 잉크젯 인쇄는, (접촉식 인쇄 기술과 비교하여) 사전형성된 마스터를 필요로 하지 않는다는 이점 및 잉크 사출의 디지털 제어를 제공하여, 드롭-온-디맨드(drop-on-demand) 인쇄를 제공하는 비접촉식 공정이다. 그러나, 접촉식 인쇄 기술은 매우 신속한 롤-투-롤(roll-to-roll) 가공에 매우 적합하다는 중요한 이점을 갖는다. 접촉식 인쇄 기술의 예에는, 스크린 인쇄, 그라비아, 오프셋, 플렉소 및 마이크로접촉 인쇄가 포함된다. 다른 용액 가공 기술에는 예를 들어, 스핀 코팅, 드롭 주조, 구역(zone) 주조, 침지 코팅, 및 블레이드 코팅이 포함된다.
본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물은 그 가공에서 다양성을 나타낼 수 있다. 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물을 포함하는 제제는, 그라비아 인쇄, 플렉소 인쇄 및 잉크젯 인쇄를 포함하고, 예를 들어 그 위에 핀홀 비함유 유전체 막의 형성 및 결과적으로 모든 인쇄된 디바이스의 제작을 가능케 하는 평탄하고 균일한 막을 제공하는 다양한 유형의 인쇄 기술을 통하여 인쇄될 수 있다.
따라서, 본 발명은, 반도체 재료의 제조 방법을 추가로 제공한다. 상기 방법은, 액체 매질, 예컨대 용매 또는 용매 혼합물 중에 용해되거나 분산된 본원에 개시된 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물을 포함하는 조성물을 제조하고; 이 조성물을 기판 상에 증착시켜 반도체 재료 전구체를 제공하고; 상기 반도체 전구체를 가공(예를 들어, 가열)하여, 본원에 개시된 거울상이성질체 풍부 혼합물을 포함하는 반도체 재료(예를 들어, 박막 반도체)를 제공하는 것을 포함할 수 있다. 몇몇의 실시양태에서, 상기 증착 단계는 잉크젯 인쇄 및 다양한 접촉식 인쇄 기술(예를 들어, 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄, 오프셋 인쇄, 패드 인쇄, 리소그래프 인쇄, 플렉소 인쇄, 및 마이크로접촉 인쇄)을 포함하는 인쇄에 의해 실시될 수 있다. 다른 실시양태에서, 상기 증착 단계는 스핀 코팅, 드롭 주조, 구역 주조, 침지 코팅, 블레이드 코팅 또는 분무에 의해 실시될 수 있다. 더욱 고가의 공정, 예컨대 증기 증착이 또한 사용될 수 있다.
본 발명은, 제조 물품, 예를 들어 본 발명의 박막 반도체, 및 기판 구성요소 및/또는 유전체 구성요소를 포함하는 복합체를 추가로 제공한다. 상기 기판 구성요소는 도핑된 규소; 산화주석인듐(ITO); ITO-코팅 유리; ITO-코팅 폴리이미드;또는 다른 플라스틱; 알루미늄; 또는 중합체 또는 다른 기판에 코팅되거나 단독으로 존재하는 다른 금속; 도핑된 폴리티오펜 등으로부터 선택될 수 있다. 상기 유전체 구성요소는 무기 유전체 재료, 예컨대 다양한 산화물(예를 들어, SiO2, Al2O3, HfO2), 유기 유전체 재료, 예컨대 다양한 중합체성 재료(예를 들어, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리할로에틸렌, 폴리아크릴레이트), 자가 조립된 수퍼격자/자가 조립된 나노유전체 (SAS/SAND) 재료(예를 들어, 문헌 [Yoon, M-H. et al., PNAS, 102(13): 4678-4682(2005)]에 기재된 것, 상기 문헌의 전체 개시 내용은 본원에 참고로 포함됨), 및 하이브리드 유기/무기 유전체 재료(예를 들어, 미국 특허 번호 7,678,463호에 기재된 것, 상기 특허 문서의 전체 개시내용은 본원에 참고로 포함됨)로부터 선택될 수 있다. 몇몇의 실시양태에서, 상기 유전체 구성요소에는 미국 특허 번호 7,605,394호에 기재된 가교된 중합체 블렌드가 포함될 수 있고, 상기 특허 문서의 전체 개시내용은 본원에 참고로 포함된다. 상기 복합체는 하나 이상의 전기 컨택트를 또한 포함할 수 있다. 소스, 드레인, 및 게이트 전극에 대한 적합한 재료에는, 금속(예를 들어, Au, Al, Ni, Cu), 투명한 전도성 산화물(예를 들어, ITO, IZO, ZITO, GZO, GIO, GITO), 및 전도성 중합체(예를 들어, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 폴리(스티렌술포네이트)(PEDOT:PSS), 폴리아닐린(PANI), 폴리피롤(PPy))이 포함된다. 본원에 기재된 복합체의 하나 이상은, 다양한 유기 전자, 광학 및 광전자 디바이스, 예컨대 유기 박막 트랜지스터(OTFT), 구체적으로는 유기 전계 효과 트랜지스터(OFET), 및 센서, 커패시터, 단극성 회로, 상보성 회로(예를 들어, 변환기 회로) 등에 매립될 수 있다.
따라서, 본 발명의 측면은, 본 발명의 반도체 재료가 혼입되어 있는 유기 전계 효과 트랜지스터의 제작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 재료는, 상부-게이트 상부-컨택트 커패시터 구조, 상부-게이트 하부-컨택트 커패시터 구조, 하부-게이트 상부-컨택트 커패시터 구조, 및 하부-게이트 상부-컨택트 커패시터 구조를 포함하는 다양한 유형의 유기 전계 효과 트랜지스터를 제작하는데 사용될 수 있다.
도 1에는, OFET 구조의 하기 4개의 일반적인 유형이 도시되어 있다: (상부 좌측) 하부-게이트 상부-컨택트 구조, (상부 우측) 하부-게이트 하부-컨택트 구조, (하부 좌측) 상부-게이트 하부-컨택트 구조, 및 (하부 우측) 상부-게이트 상부-컨택트 구조. 도 1에 도시된 바와 같이, OFET에는 게이트 유전체 구성요소(예를 들어, 8, 8', 8" 및 8"'로 도시됨), 반도체 구성요소 또는 반도체 층(예를 들어, 6, 6', 6", 6"'로 도시됨), 게이트 전극 또는 컨택트(예를 들어, 10, 10', 10" 및 10"'로 표시됨), 기판(예를 들어, 12, 12', 12" 및 12"'로 표시됨), 및 소스 및 드레인 전극 또는 컨택트(예를 들어, 2, 2', 2", 2"', 4, 4', 4" 및 4"'로 표시됨)가 포함될 수 있다. 도시된 대로, 각각의 구성에서, 반도체 구성요소는 소스 및 드레인 전극과 접촉되고, 게이트 유전체 구성요소는 한 면 상에서는 반도체 구성요소와 반대면 상에서는 게이트 전극과 접촉되어 있다.
특정의 실시양태에서, OTFT 디바이스는 상부-컨택트 기하구조로 유전체로는 SiO2를 사용하여 도핑된 규소 기판 상에서 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물을 사용하여 제작될 수 있다. 특정의 실시양태에서, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물이 혼입되어 있는 활성 반도체 층은 실온에서 또는 승온에서 증착될 수 있다. 다른 실시양태에서, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물이 혼입되어 있는 활성 반도체 층은 스핀 코팅, 또는 본원에 기재된 인쇄에 의해 적용될 수 있다. 상부-컨택트 디바이스에 대해서, 금속성 컨택트가 쉐도우 마스크(shadow mask)를 사용하여 막의 최상부에 패턴화될 수 있다.
특정의 실시양태에서, OTFT 디바이스는 상부-게이트 하부-컨택트 기하구조로 유전체로 중합체를 사용하여 플라스틱 호일 상에 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물을 사용하여 제작될 수 있다. 특정의 실시양태에서, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물이 혼입되어 있는 활성 반도체 층은 실온에서 또는 승온에서 증착될 수 있다. 다른 실시양태에서, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물이 혼입되어 있는 활성 반도체 층은 스핀 코팅, 또는 본원에 기재된 인쇄에 의해 적용될 수 있다. 게이트 및 소스/드레인 컨택트는, Au, 다른 금속, 또는 전도성 중합체로 제조되고 증기 증착 및/또는 인쇄에 의해 증착될 수 있다.
다양한 실시양태에서, 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물이 혼입되어 있는 반도체 구성요소는 n-타입 반도체 활성, 예를 들어 10-4 cm2/V-sec 또는 그 초과의 전자 이동도 및/또는 103 또는 그 초과의 전류 온/오프 비(I온/I오프)를 나타낼 수 있다.
본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물이 유용한 다른 제조 물품은 태양광 또는 태양 전지이다. 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물은 광범위한 광 흡수 및/또는 조정된(tuned) 레독스 특성 및 벌크한 운반체 이동도를 나타낼 수 있다. 따라서, 본원에 기재된 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물은, 인접한 p-타입 반도체를 포함하여 p-n 접합을 형성시키는, 예를 들어 태양광 설계에서 n-타입 반도체로 사용될 수 있다. 본 발명의 거울상이성질체 풍부 혼합물은 박막 반도체 형태, 또는 기판 상에 증착된 상기 박막 반도체를 포함하는 복합체 형태일 수 있다.
하기 실시예는 본 발명을 추가로 예시하고 본 발명의 이해를 돕기 위해 제공된 것으로, 본 발명을 어떤 방식으로든 제한하도록 의도되지 않는다.
반대되는 것을 나타내지 않는다면, 모든 시약은 상업적인 공급처로부터 구매되었고, 추가 정제없이 사용하였다. 몇몇의 시약은 공지된 과정에 따라 합성되었다. 무수 테트라히드로푸란(THF)을 나트륨/벤조페논으로부터 증류하였다. 반대되는 것을 나타내지 않는다면, 반응은 질소 아래에서 실시되었다. UV-가시광 스펙트럼을 캐리(Cary) 모델 1 UV-가시광 분광광도계 상에서 기록하였다. NMR 데이터는 배리언 유니티 플러스(Varian Unity Plus) 500 분광계(1H, 500 MHz; 13C, 125 MHz) 상에서 기록하였다. 전기분무 질량 분광법은, 써모 피니건(Thermo Finnegan) 모델 LCQ 어드밴티지 질량 분광계 상에서 실시하였다.
실시예 1: N,N'-비스((R)-치환된)-1,7(또는 1,6)-디시아노퍼릴렌-3,4:9,10-비스(디카르복스이미드)((R)-PDI-CN2)의 제조
1,4-디옥산(30 mL) 중 PDA-Br2(1.83 g, 3.33 mmol)와 (R)-(-)-아민(화학식 IIIa, IIIb, 또는 IIIc)(1.05 g, 10.4 mmol)의 혼합물을 밀봉시킨 플라스크 중에서 165℃에서 2시간 동안 교반시켰다. 실온으로 냉각시킨 후에, 반응 혼합물을 진공 하에서 농축시켰다. 잔류물에 용리제로 클로로포름을 사용하여 실리카 겔 상에서 컬럼 크로마토그래피를 실시하여, N,N'-비스((R)-치환된)-1,7(또는 1,6)-디브로모퍼릴렌-3,4:9,10-비스(디카르복스이미드)((R)-PDI-Br2)(1.55 g, 65.1%)를 얻었다.
DMF(7 mL) 중의 (R)-PDI-Br2(0.35 g, 0.49 mmol)와 CuCN(0.26 g, 2.9 mmol)의 혼합물을 150℃에서 1시간 동안 교반시켰다. 실온으로 냉각시킨 후에, 반응 혼합물을 여과하여 불용성 물질을 수거하고, 이것을 메탄올로 완전히 세척하였다. 이 물질을 용리제로 클로로포름(서서히 클로로포름:에틸 아세테이트 = 100:1, 100:4까지, v/v)을 사용하여 실리카 겔 상에서 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, (R)-PDI-CN2(0.18 g, 61%)를 얻었다.
실시예 2: N,N'-비스((S)-치환된)-1,7(또는 1,6)-디시아노퍼릴렌-3,4:9,10-비스(디카르복스이미드)((S)-PDI-CN2)의 제조
1,4-디옥산(180 mL) 중의 PDA-Br2(12.0 g, 21.8 mmol)와 (S)-(+)-아민(화학식 IIIa, IIIb, 또는 IIIc)(6.2 mL, 45.8 mmol)의 혼합물을 밀봉시킨 플라스크 중에서 165℃에서 1시간 동안 교반시켰다. 실온으로 냉각시킨 후에, 용매를 진공 하에서 제거하였다. 고체 잔류물을 용리제로 클로로포름을 사용하여 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, N,N'-비스((S)-치환된)-1,7(또는 1,6)-디브로모퍼릴렌-3,4:9,10-비스(디카르복스이미드)((S)-PDI-Br2)(9.52 g, 61.0%)를 얻었다.
DMF(160 mL) 중의 (S)-PDI-Br2(9.86 g, 13.76 mmol)와 CuCN(7.26 g, 81.06 mmol)의 혼합물을 150℃에서 1시간 동안 교반시켰다. 실온으로 냉각시킨 후에, 반응 혼합물을 여과하여 불용성 물질을 수거하였는데, 이것을 메탄올로 완전히 세척하였다. 이 조 생성물에 용리제로 클로로포름(서서히 클로로포름: 에틸 아세테이트 = 100:4까지, v/v)을 사용하여 실리카 겔 상에서 컬럼 크로마토그래피를 실시하여, (S)-PDI-CN2(6.34 g, 75.7%)를 얻었다.
실시예 3: 라세미 N,N'-비스-치환된-1,7(또는 1,6)-디시아노퍼릴렌-3,4:9,10-비스(디카르복스이미드)(PDI-CN2)의 제조
히드록실아민 히드로클로라이드(23.2 g, 0.33 mol)를 케톤 1(16.3 g, 0.16 mol)과 메탄올(250 mL)의 혼합물에 첨가한 다음, 아세트산나트륨(34.2 g, 0.42 mol)을 첨가하였다. 이 현탁액을 세게 교반시키고 2시간 동안 환류시켰다. 실온으로 냉각시키고 나서, 용매의 대부분을 진공에서 제거하고, 잔류물을 물(400 mL)에 부었다. 이 혼합물을 Et2O(300 mL x 2)로 추출하였다. 합한 유기 층을 물, 포화 NaHCO3 및 염수로 세척하고, Na2SO4 상에서 건조시키고, 회전 증발기 상에서 농축시켜 케톡심 2(17.6 g, 94 %)를 얻었는데, 이것을 추가 정제없이 다음 단계에 직접 사용하였다.
무수 Et2O(70 mL) 중의 조 케톡심 2(17.6 g, 0.15 mol)의 용액을 0℃에서 무수 Et2O(110 mL) 중의 LiAlH4(11.0 g, 0.28 mol)의 현탁액에 적가하였다. 첨가 후에, 상기 혼합물을 16시간 동안 환류시키고 나서, 얼음/수조로 0℃까지 냉각시켰다. 물(15 mL)을 상기 반응 혼합물에 서서히 첨가하고 나서, NaOH(15%, 15 mL) 및 물(15 mL)의 수용액을 차례로 첨가하였다. 상기 반응 혼합물을 여과시키고, 여과액을 Na2SO4 상에서 건조시키고, 회전 증발기 상에서 농축시켰다. 잔류물을 증류하여, 아민 3을 라세미체(8.3 g, 54.2 %)로 얻었다.
1,4-디옥산(30 mL) 중의 PDA-Br2(1.80 g, 3.27 mmol)과 아민 3(라세미)(1.0 g, 9.9 mmol)의 혼합물을 밀봉시킨 플라스크 중에서 165℃에서 1.5 시간 동안 교반시켰다. 실온으로 냉각시킨 후에, 상기 반응 혼합물을 진공 하에서 농축시켰다. 잔류물에 용리제로 클로로포름을 사용하여 실리카 겔 상에서 컬럼 크로마토그래피를 실시하여, N,N’-비스-치환된-1,7(또는 1,6)-디브로모퍼릴렌-3,4:9,10-비스(디카르복스이미드)(PDI-Br2)(1.70 g, 72.6%)의 라세미 혼합물을 얻었다.
DMF(20 mL) 중의 라세미 PDI-Br2(0.99 g, 1.39 mmol)와 CuCN(0.75 g, 8.37 mmol)의 혼합물을 150 ℃에서 1시간 동안 교반시켰다. 실온으로 냉각시킨 후에, 상기 반응 혼합물을 여과하여 불용성 물질을 수거하고, 이것을 메탄올로 완전히 세척하였다. 이 물질을 용리제로 클로로포름(서서히 클로로포름:에틸 아세테이트 = 100:1, 100:4까지, v/v)을 사용하여 실리카 겔 상에서 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, N,N'-비스 치환된-1,7(또는 1,6)-디시아노퍼릴렌-3,4:9,10-비스(디카르복스이미드)(PDI-CN2)(0.74 g, 87.5%)의 라세미 혼합물을 얻었다.
실시예 4: 디바이스 제작 및 측정
박막 트랜지스터(TFT) 디바이스(50-100 ㎛ 채널 길이(L) 및 1.0-4.0 mm 채널 폭(W))를, 화학식 I의 화합물의 입체이성질체의 다양한 혼합물을 반도체 막으로 혼입시킨 상부-게이트 하부-컨택트 구성을 사용하여 제작하였다. 반도체 막을, Au 전극/유리 기판의 상부에 염소화 용매의 용액(2-10 mg/mL)으로부터 스핀 코팅시켰다. 다음으로, 게이트 유전체 층을 스핀 코팅시켰다. 게이트 유전체의 예로는 PMMA, PS, PVA, PTBS가 있고, 이것의 두께는 300 내지 1500 nm이었다. 게이트 컨택트를 증착시켜 상기 디바이스를 완성하였다. 모든 전기적 측정을 주위 분위기에서 실시하였다. 하기 데이터는 반도체 막 상의 상이한 위치에서 시험된 적어도 3개의 디바이스로부터 측정한 평균 값이었다.
다른 유기 FET와 비교할 수 있도록, 표준 전계 효과 트랜지스터 방정식으로 이동도(μ)를 계산하였다. 통상적인 금속-절연체-반도체 FET(MISFET)에서는, 전형적으로 상이한 VG에서의 IDS 대 VDS 곡선(여기서, IDS는 소스-드레인 포화 전류이고, VDS는 소스와 드레인 간의 전위이고, VG는 게이트 전압이다)에서 선형의 포화 관계(regime)가 존재하였다. 큰 VDS에서, 전류는 포화되고 하기 방정식이 얻어진다:
<방정식 1>
(I
DS
)
포화
= (WC
i
/2L)μ(V
G
- V
t
)
2
(1)
상기 식에서, L 및 W는 각각 디바이스 채널 길이 및 폭이고, Ci는 게이트 유전체의 커패시턴스이고, Vt는 임계 전압이다.
이동도(μ)는 상기 방정식 (1)을 재배열하여 포화 관계에서 계산되었다:
<방정식 2>
μ
포화
= (2I
DS
L)/[WC
i
(V
G
-V
t
)
2
] (2)
임계 전압(Vt)은 VG 대 (IDS)1/2의 플롯의 선형 부분의 x 절편으로 추정될 수 있었다.
하기 표 1에는, 하기 도시된 몰비로 (S,S)-거울상이성질체 및 (R,R)-거울상이성질체를 혼합시켜서 얻은 화학식 I의 화합물의 상이한 입체이성질체 혼합물이 기재되어 있다.
도 2에는, 표 1의 상이한 반도체 혼합물이 혼입되어 있는 TFT의 이동도가 비교되어 있다.
하기 표 2에는, 화학식 II의 무수물을 하기 몰 비의 S-아민과 R-아민의 혼합물로 시안화시켜서 제조한 화학식 I의 화합물의 상이한 입체이성질체 혼합물이 기재되어 있다.
도 3에는 상기 표 2의 상이한 반도체 혼합물이 혼입되어 있는 TFT의 이동도가 비교되어 있다.
도 2 및 3을 참고하면, (R,R)-입체이성질체:(S,S)-입체이성질체(또는 그 반대)가 약 0.8:0.2 내지 약 0.98:0.02인 본 발명에 따른 거울상이성질체 풍부 혼합물(예를 들어, CZH-V-154A, CZH-V-154B, 또는 CZH-V-141A)이 라세미체(예를 들어, CZH-V-154E 또는 CZH-V-93M)보다 2배 이상 더 큰 이동도를 나타냈음을 확인할 수 있다. 또한, 이러한 거울상이성질체 풍부 혼합물로부터 측정된 이동도는, 광학적으로 순수한 거울상이성질체(예를 들어, CZH-V-107 또는 JB1.18)로 제조된 디바이스와 비교하였을 때 통계학적으로 상이하지 않았다.
본 발명에는, 본 발명의 사상 또는 본질적인 특성으로부터 벗어나지 않으면서 다른 특정 형태로 된 실시양태가 포함된다. 따라서, 전술된 실시양태는 모든 측면에서 본원에 기재된 본 발명을 제한하기보다는 오히려 예시하는 것으로 간주되어야 한다. 따라서, 본 발명의 범주는 전술된 설명에 의해서라기보다 오히려 첨부된 특허청구범위에 의해서 나타나며, 특허청구범위와 대등한 의미 및 범위 내에 있는 모든 변형이 본원에 포함되는 것으로 의도된다.
Claims (18)
- 하기 화학식 I의 화합물의 거울상이성질체 풍부 혼합물을 포함하고,
거울상이성질체 풍부 혼합물에서 화학식 I의 화합물의 (R,R)-입체이성질체:(S,S)-입체이성질체의 비 또는 (S,S)-입체이성질체:(R,R)-입체이성질체의 비가 약 0.8:0.2 내지 약 0.98:0.02인 박막 반도체:
<화학식 I>
상기 식에서, R1 및 R2는 동일하거나 실질적으로 동일하고, 분지형 C4-40 알킬 기, 분지형 C4 -40 알케닐 기, 및 분지형 C4 -40 할로알킬 기로부터 선택되며; 상기 분지형 C4 -40 알킬 기, 분지형 C4 -40 알케닐 기, 또는 분지형 C4 -40 할로알킬 기는
로부터 선택된 화학식을 갖고,
상기 식에서, R'는 C1 -20 알킬 기 또는 C1 -20 할로알킬 기이고; R"는 R'와 상이하고, C1 -20 알킬 기, C2 -20 알케닐 기, 및 C1 -20 할로알킬 기로부터 선택되며; 기호 *는 R1 및 R2가 R- 또는 S-배위를 갖게 하는 입체 중심을 나타낸다. - 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, R'가 CH3, CF3, C2H5, CH2CF3 및 C2F5로부터 선택되는 것인 박막 반도체.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 거울상이성질체 풍부 혼합물에서 (R,R)-입체이성질체:(S,S)-입체이성질체의 비 또는 (S,S)-입체이성질체:(R,R)-입체이성질체의 비가 약 0.90:0.10 내지 약 0.95:0.05인 박막 반도체.
- 기판 및 상기 기판 상에 증착된 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 박막 반도체를 포함하는 복합체.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 박막 반도체를 포함하는 전자 디바이스, 광학 디바이스, 또는 광전자 디바이스.
- 제12항의 복합체를 포함하는 전자 디바이스, 광학 디바이스, 또는 광전자 디바이스.
- 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극, 및 유전체 재료와 접촉하는 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 박막 반도체를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 디바이스.
- 제15항에 있어서, 상부-게이트 하부-컨택트 구조, 하부-게이트 상부-컨택트 구조, 상부-게이트 상부-컨택트 구조, 및 하부-게이트 하부-컨택트 구조로부터 선택된 구조를 갖는 전계 효과 트랜지스터 디바이스.
- 제15항 또는 제16항에 있어서, 유전체 재료가 유기 유전체 재료, 무기 유전체 재료, 또는 하이브리드 유기/무기 유전체 재료를 포함하는 것인 전계 효과 트랜지스터 디바이스.
- 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 I의 화합물의 (R,R)-입체이성질체와 (S,S)-입체이성질체의 1:1 혼합물을 포함하는 박막 반도체를 포함하며 다른 것은 동일한 전계 효과 트랜지스터 디바이스보다 2배 이상 더 큰 전계 효과 이동도를 나타내는 전계 효과 트랜지스터 디바이스.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201061428668P | 2010-12-30 | 2010-12-30 | |
US61/428,668 | 2010-12-30 | ||
PCT/IB2011/055760 WO2012090110A1 (en) | 2010-12-30 | 2011-12-19 | Perylene-based semiconductors and methods of preparation and use thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130108654A true KR20130108654A (ko) | 2013-10-04 |
KR101430945B1 KR101430945B1 (ko) | 2014-08-18 |
Family
ID=46382378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020137020039A KR101430945B1 (ko) | 2010-12-30 | 2011-12-19 | 퍼릴렌 기재 반도체 및 그의 제조 방법 및 용도 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9147850B2 (ko) |
EP (1) | EP2659528B1 (ko) |
JP (1) | JP5734456B2 (ko) |
KR (1) | KR101430945B1 (ko) |
CN (1) | CN103283053B (ko) |
TW (1) | TWI580020B (ko) |
WO (1) | WO2012090110A1 (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10454037B2 (en) * | 2014-08-18 | 2019-10-22 | Basf Se | Organic semiconductor composition comprising a liquid medium |
US10333072B2 (en) * | 2014-08-28 | 2019-06-25 | Basf Se | Thin film semiconductor comprising a small-molecular semiconducting compound and a non-conductive polymer |
US10026553B2 (en) * | 2015-10-21 | 2018-07-17 | Capacitor Sciences Incorporated | Organic compound, crystal dielectric layer and capacitor |
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EP3664171B1 (en) | 2018-12-06 | 2021-05-12 | Flexterra, Inc. | A thin-film transistor comprising organic semiconductor materials |
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Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1839339A2 (en) | 2004-12-23 | 2007-10-03 | Northwestern University | Siloxane-polymer dielectric compositions and related organic field-effect transistors |
WO2007075748A2 (en) | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Northwestern University | Intercalated superlattice compositions and related methods for modulating dielectric property |
JP5380296B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2014-01-08 | ポリエラ コーポレイション | ジイミド系半導体材料ならびにジイミド系半導体材料を調製および使用する方法 |
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CA2713852A1 (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Basf Se | Naphthalene-imide semiconductor polymers |
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JP2013543251A (ja) | 2010-07-30 | 2013-11-28 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | プリンテッドエレクトロニクスにおける両親媒性タンパク質 |
-
2011
- 2011-12-19 CN CN201180063342.2A patent/CN103283053B/zh active Active
- 2011-12-19 EP EP11853545.9A patent/EP2659528B1/en active Active
- 2011-12-19 JP JP2013546788A patent/JP5734456B2/ja active Active
- 2011-12-19 KR KR1020137020039A patent/KR101430945B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-19 US US13/995,733 patent/US9147850B2/en active Active
- 2011-12-19 WO PCT/IB2011/055760 patent/WO2012090110A1/en active Application Filing
- 2011-12-29 TW TW100149618A patent/TWI580020B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2659528A4 (en) | 2017-12-27 |
EP2659528A1 (en) | 2013-11-06 |
CN103283053B (zh) | 2016-01-20 |
US9147850B2 (en) | 2015-09-29 |
WO2012090110A1 (en) | 2012-07-05 |
KR101430945B1 (ko) | 2014-08-18 |
JP2014504022A (ja) | 2014-02-13 |
TW201234579A (en) | 2012-08-16 |
TWI580020B (zh) | 2017-04-21 |
JP5734456B2 (ja) | 2015-06-17 |
CN103283053A (zh) | 2013-09-04 |
EP2659528B1 (en) | 2018-12-12 |
US20130270543A1 (en) | 2013-10-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170731 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180801 Year of fee payment: 5 |