KR20130108574A - 어레이 기판, 어레이 기판 제조 방법, 및 디스플레이 장치 - Google Patents

어레이 기판, 어레이 기판 제조 방법, 및 디스플레이 장치 Download PDF

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KR20130108574A
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송영석
구완바오 후이
유성열
최승진
펑 쟝
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보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 발명의 실시예들은 어레이 기판, 어레이 기판 제조방법 및 어레이 기판을 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다. 어레이 기판은 픽셀 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 포함하고, 픽셀 영역은 박막 트랜지스터 영역 및 전극 패턴 영역을 포함하고, 박막 트랜지스터 영역에는 게이트 전극, 게이트 절연층, 활성층, 소스 전극, 드레인 전극 및 패시베이션층을 형성하고, 전극 패턴 영역에는 게이트 절연층, 픽셀 전극, 패시베이션층 및 공통 전극을 형성하며, 공통 전극 및 픽셀 전극은 다차원 전계를 형성한다. 게이트 절연층과 픽셀 전극 간에는 컬러 수지층을 형성한다.

Description

어레이 기판, 어레이 기판 제조 방법, 및 디스플레이 장치 {ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE}
본 발명의 실시예들은 어레이 기판, 어레이 기판 제조 방법 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.
TFT-LCD(thin film transistor liquid crystal display)는 소형, 저전력, 무방사(free of radiation)의 장점을 갖고, 현재 패널 디스플레이 시장에서 주도적인 역할을 하고 있다. 기술의 발전에 따라, 소비자들은 모바일 제품들의 디스플레이 효과에 대한 더 높은 요구사항을 가지며, 통상의 TN(twisted nematic)형 액정 디스플레이의 디스플레이 효과로는 그러한 요구사항을 더 이상 충족할 수 없다. 현재, 많은 제조업체는 IPS(in-plane switching) 모드, VA(vertical alignment) 모드, AD-SDS(advanced-super dimensional switching, 간단히 ADS) 모드 등의 더 양호한 디스플레이 효과를 갖는 각종 광시야각 모드를 모바일 제품들에 적용해왔다. ADS 모드에서는, 동일 평면 내의 슬릿 전극들의 에지들에서 생성된 전계 및 슬릿 전극층과 판형 전극층 간에 생성된 전계에 의해 다차원 전계가 형성되어, 액정셀 내의 슬릿 전극들 간에 또는 전극들의 바로 위에 위치되는 모든 배향된 액정 분자들이 회전할 수 있다. 이 방식으로, 액정의 작업효율이 향상되고 광투과율이 증가할 수 있다. ADS 모드는 박막 트랜지스터 액정 디스플레이 화질을 개선할 수 있고, 투과율이 높고, 시야각이 넓고, 개구율이 높고, 색수차가 낮고, 응답속도가 빠르며, 푸시무라(push Mura)가 없는 등의 장점을 갖는다.
최근에, 이동전화, PDA(personal digital assistant), 평판 컴퓨터 등에의 액정 디스플레이 장치의 적용이 점차 증가하고 있으며, 액정 디스플레이 장치는 옥외 모바일 제품들에 점차 더 많이 적용되고 있다. 그러나 통상의 액정 디스플레이 장치는 태양광을 받는 옥외에서 사용되는 경우 불량한 콘트라스트를 가지므로, 스크린의 가독성이 양호하지 못하다. 반면, 반사투과형(trans-reflective) 구조의 액정 디스플레이 장치는 패널의 반사율을 증가시킴으로써 옥외에서 사용되는 디스플레이 장치의 콘트라스트를 증가시킬 수 있으므로, 반사투과형 구조의 디스플레이 장치는 옥외에서 사용되는 경우에도 우수한 가독성을 유지할 수 있다. 따라서, 우수한 디스플레이 효과를 갖고 우수한 옥외 가독성을 유지할 수 있는 광시야각 반사투과형 TFT-LCD가 모바일 제품들의 개발 경향이다.
도 1은 ADS 모드에서의 종래 TFT 어레이 기판의 구조를 도시한다. 어레이 기판은 픽셀 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 포함하고, 픽셀 영역은 박막 트랜지스터 영역 및 전극 패턴 영역을 포함한다. 박막 트랜지스터 영역에는 게이트 전극(2), 게이트 절연층(3), 활성층(4), 소스 전극(5), 드레인 전극(6) 및 패시베이션층(9)을 형성한다. 전극 패턴 영역에는 게이트 절연층(3), 픽셀 전극(7), 패시베이션층(9) 및 공통 전극(8)을 형성한다. 공통 전극(8) 및 픽셀 전극(7)은 다차원 전계를 형성한다. 이 어레이 기판을 액정 디스플레이 장치에 적용하며, 액정 디스플레이 장치는 어레이 기판 이외에 컬러 필터 기판 및 백라이트 소스를 더 포함한다. 일반적으로, 어레이 기판 및 컬러 필터 기판이 별도로 제조하고, 그 후 셀 어셈블리 공정에 의해 접합시켜 디스플레이 패널을 형성하며, 최종적으로 모듈 공정에 의해 디스플레이 장치를 형성한다.
그러나 상이한 두께를 갖는 TFT 영역(도 1에 도시된 바와 같이, TFT에서 패시베이션층(9)은 분명한 돌출부를 가짐)은 셀 어셈블리 공정 후 액정 분자들의 충진 균일성(filling uniformity)에 영향을 미치므로, 반사 영역에는 액정 분자들의 불규칙 배열이 존재한다. 또한, 픽셀 전극은 비교적 데이터 라인에 가깝기 때문에, 데이터 라인의 전압으로부터 영향을 받을 수 있는데, 이는 ADS 모드의 수평 구동에 바람직하지 않다. 이 경우, 비정상 액정 구동으로 인해 액정 분자들의 회전각이 불충분할 수 있기 때문에 광누설이 발생할 수 있다. 광누설로 인해 백라이트 소스로부터의 광이 디스플레이 영역에서 충분히 이용되지 않을 수 있고, 이에 따라 콘트라스트가 감소하고, 디스플레이 품질이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 어레이 기판이 제공된다. 어레이 기판은 픽셀 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 포함하며, 픽셀 영역은 박막 트랜지스터 영역 및 전극 패턴 영역을 포함하고, 박막 트랜지스터 영역에는 게이트 전극, 게이트 절연층, 활성층, 소스 전극, 드레인 전극 및 패시베이션층을 형성하고, 전극 패턴 영역에는 게이트 절연층, 픽셀 전극, 패시베이션층 및 공통 전극을 형성하며, 공통 전극 및 픽셀 전극은 다차원 전계를 형성한다. 게이트 절연층과 픽셀 전극 간에는 컬러 수지층을 형성한다.
본 발명의 다른 실시예에 따라, 어레이 기판의 제조 방법이 제공된다. 이 방법은 픽셀 영역을 형성하는 단계를 포함하고, 픽셀 영역은 박막 트랜지스터 영역 및 전극 패턴 영역을 포함하고, 박막 트랜지스터 영역에는 게이트 전극, 게이트 절연층, 활성층, 소스 전극, 드레인 전극 및 패시베이션층을 형성하고, 전극 패턴 영역에는 게이트 절연층, 픽셀 전극, 패시베이션층 및 공통 전극을 형성하고, 공통 전극 및 픽셀 전극은 다차원 전계를 형성한다. 게이트 절연층 형성 후 픽셀 전극 형성 전에, 게이트 절연층 위에 컬러 수지층을 형성한다.
본 발명의 다른 실시예에 따라, 디스플레이 장치가 제공된다. 디스플레이 장치는 전술된 어레이 기판을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 컬러 수지층을 게이트 절연층 위에 형성하여, 픽셀 전극과 데이터 라인 또는 게이트 라인 간의 거리가 증가하므로(즉, 층간 두께가 증가함), 픽셀 영역을 더욱 평평하게 하고 픽셀 전극이 데이터 라인 및 게이트 라인의 전압에 의해 영향받지 않도록 하는 것이 바람직하다. 따라서, 반사 영역 내의 액정 분자들의 불규칙한 배열을 방지할 수 있고, 수평 구동의 ADS 모드를 유지할 수 있고, 액정 분자들의 적절한 회전이 보장할 수 있고, 광누설을 방지할 수 있으며, 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 반사 영역 패턴은 게이트 전극용 금속 재료를 이용하여 형성하고, 반사 영역 금속 전극층은 소스 및 드레인 전극들용 금속재료를 이용하여 형성하며, 컬러 수지층은 반사 영역 금속 전극층 상에 형성한다. 또한, 픽셀 전극과 반사 영역 전극층 간의 거리를 증가시켜, 반사 영역 내의 액정 분자들의 불규칙 배열에 기인한 광누설을 방지할 수 있는 것이 바람직하다. 또한, 반사 영역의 배치(즉, 반사투과형 방식 이용)를 통해 액정 디스플레이 장치는 외부 광(extern light)을 이용하여 강한 광 하에서 디스플레이 효과를 증대시킬 수 있으므로, 제품 품질을 향상시킬 수 있고 제조 비용을 절감할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 어레이 기판을 별도의 컬러 필터 기판과 접합할 필요가 없으므로, 액정 분자들을 어레이 기판과 글라스 기판 사이에 충진하여, 배향의 곤란함을 감소시킬 수 있다. 한편, 공통 전극은 절연층 내의 비아홀을 통하여 저장 용량(storage capacitance)의 하부 전극에 접속하므로, 고개구율을 얻을 수 있고 투과율을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들의 기술적 해법들을 설명하기 위하여, 실시예들의 도면들에 대한 간단한 설명이 아래와 같이 주어진다. 아래 설명된 도면들은 본 발명의 일부 실시예들에 관한 것일 뿐이며, 본 발명을 한정하려는 것이 아님은 자명하다.
도 1은 ADS 모드에서 종래 어레이 기판을 도시하는 개략도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 어레이 기판을 도시하는 개략도.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 어레이 기판 제조 방법을 도시하는 개략도.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 어레이 기판을 도시하는 개략도.
본 발명의 목적, 기술적 해법 및 장점들이 더욱 명확해지도록 하기 위하여, 본 발명의 실시예들의 기술적 해법들은 본 발명의 실시예들의 도면들과 연계하여 충분히 명확하게 이하에서 설명될 것이다. 설명된 실시예들은 본 발명의 모든 실시예들이 아니라 그 중 일부임이 명확하다. 본 발명의 설명된 실시예들에 기초하여, 당업자가 창의적인 연구를 수행하지 않고 획득할 수 있는 모든 추가적인 실시예들은 본 발명의 보호범위에 포함된다.
제1 실시예
본 실시예는 ADS 모드를 이용할 수 있는 어레이 기판을 제공한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 어레이 기판은 픽셀 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 포함하고, 픽셀 영역은 박막 트랜지스터 영역 및 전극 패턴 영역을 포함한다. 박막 트랜지스터 영역에는 게이트 전극(2), 게이트 절연층(3), 활성층(4), 소스 전극(5), 드레인 전극(6), 및 패시베이션층(9)을 형성한다. 전극 패턴 영역에는 게이트 절연층(3), 픽셀 전극(7), 패시베이션층(9) 및 공통 전극(8)을 형성한다. 공통 전극(8) 및 픽셀 전극(7)은 다차원 전계를 형성할 수 있다. 이와 달리, 보호층(12)을 게이트 절연층(3), 소스 전극(5) 및 드레인 전극(6) 상에 형성할 수 있으며, 후속하여 블랙 매트릭스층(10)을 소스 전극(5), 드레인 전극(6) 및 TFT 채널 위에 형성할 수 있다. 이와 달리, 보호층(12)을 형성하지 않고 소스 전극(5), 드레인 전극(6) 및 TFT 채널 위에 블랙 매트릭스층(10)을 직접 형성할 수 있다.
보호층(12)을 형성하는 경우, 박막 트랜지스터에 대응하는 보호층(12) 부분 상에 블랙 매트릭스층(10)을 형성되고, 보호층(12)과 블랙 매트릭스층(10)에 의해 형성되는 표면과 픽셀 전극(7) 간에 컬러 수지층(color resin layer, 11)을 형성한다. 보호층(12)을 형성하지 않고 박막 트랜지스터 상에 블랙 매트릭스층(10)을 직접 형성하는 경우, 게이트 절연층(3)과 블랙 매트릭스층(10)에 의해 형성되는 표면과 픽셀 전극(7) 간에 컬러 수지층(11)을 형성한다. 픽셀 영역을 더욱 평평하게 하는 데에는 보호층(12)이 바람직하다.
전극 패턴 영역에는 게이트 전극(2)용 금속 재료로 형성한 저장 용량 하부 전극(13)을 더 구비한다. 저장 용량 하부 전극(13) 위에는 절연층 비아홀(insulation layer via hole)을 형성한다. 절연층 비아홀은 패시베이션층(9), 컬러 수지층(11), 보호층(12)(형성되는 경우) 및 게이트 절연층(3)을 통과한다. 공통 전극(8)은 절연층 비아홀을 통해 저장 용량 하부 전극(13)과 접속한다.
본 실시예에서, 저장 용량 하부 전극(13)은 공통 전극(8)에 일정 전압을 제공하는 공통 전극 라인(Cst on Common)이거나, 게이트 라인의 일부(Cst on Gate)일 수 있다.
또한, 본 실시예는 어레이 기판의 제조 방법을 더 제공한다. 도 3a 및 3b에 도시된 바와 같이, 이 방법은 먼저 게이트 라인, 게이트 전극(2), 게이트 절연층(3), 활성층(4), 소스 전극(5), 드레인 전극(6) 및 데이터 라인을 형성하여 박막 트랜지스터 영역을 형성하고, 후속하여 컬러 수지층(11)을 형성하며, 최종적으로 픽셀 전극(7), 패시베이션층(9) 및 공통 전극(8)을 형성하여 전극 패턴 영역을 형성하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 이 방법은 다음의 단계들을 포함한다:
단계 S1: 먼저 게이트 라인, 게이트 전극(2), 게이트 절연층(3), 활성층(4), 소스 전극(5), 드레인 전극(6) 및 데이터 라인을 형성하여 박막 트랜지스터 영역을 형성하고, 후속하여 절연재료에 의해 보호층(12)을 형성하는 단계. 이 단계는 다음의 단계들 S101, S102 및 S103을 포함할 수 있다:
단계 S101: 기판(1) 상에 도전성을 갖는 제1 금속층을 피착하고, 제1 패터닝 공정을 이용하여 전극 패턴 영역에 게이트 라인, 게이트 전극(2), 및 저장 용량 하부 전극(13)을 형성하는 단계;
단계 S102: 단계 S101 이후, 기판 상에 SiNx, SiON 등의 재료에 의해 형성된 게이트 절연층(3) 및 a-Si 등의 재료에 의해 형성된 반도체 활성층(4)을 순차적으로 피착하고, 도전성을 갖는 제2 금속층을 피착하며, 하프톤 마스크 또는 그레이톤 마스크를 이용하여 제2 패터닝 공정을 통해 활성층(4), 소스 전극(5), 드레인 전극(6) 및 데이터 라인을 형성하여 박막 트랜지스터 영역을 형성하는 단계,
단계 S103: 단계 S102 이후, 기판 상에 SiNx 등의 재료를 이용하여 보호층(12)을 형성하여 픽셀 영역을 보호하는 단계 - .
단계 S2: 단계 S1 이후, 기판 상에 불투명 수지층을 피착하고, 제3 패터닝 공정을 이용하여 박막 트랜지스터 영역의 소정 위치에 블랙 매트릭스층(10)을 형성하는 단계.
단계 S3: 컬러 수지층(11)을 형성하는 단계. 이 단계는 다음의 단계들 S301 및 S302를 포함한다:
단계 S301: 단계 S2 이후, 기판 상에 적색 수지층 R을 피착하고 제4 패터닝 공정을 수행하고, 적색 수지층 R과 유사한 방식으로 녹색 수지층 G 및 청색 수지층 B를 피착하고 제5 패터닝 공정 및 제6 패터닝 공정을 수행하여 컬러 수지층(11)을 형성하며, 저장 용량 하부 전극(13) 위의 컬러 수지층(11)을 에칭 제거(etching away)하는 단계;
단계 S302: 제7 패터닝 공정을 이용하여 저장 용량 하부 전극(13) 위의 게이트 절연층(3) 및 보호층(12)을 에칭 제거하여, 저장 용량 하부 전극(13)을 노출하고 위쪽으로 개방된 절연층 비아홀을 형성하는 단계 - .
다음의 단계들 S4 및 S5에서, 픽셀 전극(7), 패시베이션층(9) 및 공통 전극(8)을 형성할 것이다. 예를 들어, 이 단계들은 다음과 같이 수행된다:
단계 S4: 단계 S3 이후, 기판 상에 제1 투명 도전층을 피착하고 제8 패터닝 공정을 이용하여 픽셀 전극(7)을 형성하는 단계;
단계 S5: 패시베이션층(9) 및 공통 전극(8)을 형성하는 단계. 공통 전극(8)은 단계 S302에서 형성된 절연층 비아홀을 통해 저장 용량 하부 전극(13)과 접속한다. 이 단계는 다음의 단계들 S501 및 S502를 포함한다:
단계 S501: 단계 S4 이후, 기판 상에 투명 레진 재료층을 피착하고, 제9 패터닝 공정을 이용하여 패시베이션층(9)을 형성하는 단계;
단계 S502: 단계 S501 이후, 기판 상에 제2 투명 도전층을 피착하고, 제10 패터닝 공정을 이용하여 공통 전극(8)을 형성하는 단계.
전술된 제조 방법에서, 불투명 수지층을 형성하기 위한 재료는 1012 Ω/sq 보다 큰 시트저항, 0.5 ㎛ 내지 2 ㎛의 두께, 및 4 보다 큰 광학밀도(OP:optical density)를 갖는 것이 바람직하다.
바람직하게는, R, G 및 B 수지층들을 형성하기 위한 재료는 3 내지 5 F/m 범위의 유전율 및 1 ㎛ 내지 4 ㎛의 두께를 갖는 것이 좋다.
제1 및 제2 투명 도전층들을 형성하기 위한 재료는 바람직하게는 배선 금속(예를 들어, Mo, Al, Ti, Cu 등과 같이 도전성을 갖는 금속 또는 합금)에 대하여 습식에칭 선택성을 가지는 것으로서, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 등이다. 이 재료는 TCO(Transparent Conducting Oxide)의 처리 후 양호한 투명성을 갖는다.
바람직하게는, 패시베이션층(9)을 형성하기 위한 투명 레진 재료층은 3 내지 5 F/m 범위의 유전율 및 1 ㎛ 내지 4 ㎛의 두께를 갖는다.
블랙 매트릭스층, R, G 및 B 수지층들을 형성하기 위한 상기 불투명 수지층 및 패시베이션층을 형성하기 위한 투명 레진 재료층은 모재(matrix)로서 아크릴레이트, 폴리이미드, 에폭시 레진, 페놀알데히드 레진 등을 이용할 수 있다. 불투명 수지층 및 R, G, 및 B 수지층들은 모재에 상이한 컬러의 색소 또는 염료를 첨가하여 형성된다.
제2 실시예
본 실시예는 다른 어레이 기판을 제공한다. 본 실시예에서는 상기 제1 실시예의 반복되는 설명은 생략될 것이고, 본 실시예와 제1 실시예 간의 차이점들을 아래에 상세히 설명할 것이다.
본 실시예에 의해 제공되는 어레이 기판은 ADS 모드를 이용할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 어레이 기판은 픽셀 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 포함하고, 픽셀 영역은 박막 트랜지스터 영역 및 전극 패턴 영역을 포함한다. 박막 트랜지스터 영역에는 게이트 전극(2), 게이트 절연층(3), 활성층(4), 소스 전극(5), 드레인 전극(6), 및 패시베이션층(9)을 형성한다. 전극 패턴 영역에는 게이트 절연층(3), 픽셀 전극(7), 패시베이션층(9) 및 공통 전극(8)을 형성한다. 공통 전극(8) 및 픽셀 전극(7)은 다차원 전계를 형성할 수 있다.
게이트 전극(2)용 금속 재료로 형성된 반사 영역 패턴(14)은 기판(1) 상의 전극 패턴 영역에 대응하는 위치에 배치한다. 게이트 절연층(3)은 반사 영역 패턴(14) 상에 형성한다. 소스 및 드레인 전극들용 금속 재료로 형성하는 반사 영역 금속 전극층(15)은 게이트 절연층(3) 상의 반사 영역 패턴(14)에 대응하는 위치에 배치한다. 따라서, 옥외와 같은 강한 광의 환경에서 이용할 수 있는 반사투과형 어레이 기판을 형성한다.
또한, 본 실시예는 어레이 기판 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 다음의 단계들을 포함한다:
단계 1: 제1 금속 재료를 이용하여 게이트 라인, 게이트 전극(2) 및 저장 용량 하부 전극(도시하지 않음)을 형성하고, 전극 패턴 영역 내의 소정 위치들에서 제1 금속재료 부분을 남겨두고, 제1 금속 재료를 이용하여 요철 패턴을 형성함으로서 반사 영역 패턴(14)을 형성하는 단계 - 제1 금속 재료는 바람직하게는 Al, AlNd, Mo 등임 - .
본 실시예에서, 저장 용량 하부 전극은 공통 전극에 일정 전압을 제공하는 공통 전극 라인(Cst on Common)이거나, 게이트 라인의 일부(Cst on Gate)일 수 있다.
단계 2: 게이트 절연층(3)을 형성하고, 반도체 재료를 이용하여 반도체 아일랜드를 형성하여 활성층(4)을 형성하는 단계 - 반도체 재료는 바람직하게는 a-Si, p-Si, IGZO 등임 - .
단계 3: 제2 금속 재료를 이용하여 데이터 라인, 소스 전극(5) 및 드레인 전극(6)을 형성하고, 반사 영역 패턴(14)에 대응하는 게이트 절연층(3) 상의 제2 금속 재료 부분을 남겨두어, 반사층의 기능을 달성하기 위해 이용되는 반사 영역 금속 전극층(15)을 형성하는 단계 - 제2 금속 재료는 바람직하게는 Al, AlNd, Mo 등임 - .
단계 4 내지 6: 적색 수지층 R을 피착하고 패터닝 공정을 수행하며, 적색 수지층과 유사한 방식으로 녹색 수지층 G 및 청색 수지층 B를 피착하고 패터닝 공정을 수행하여, 컬러 수지층(11)을 형성하는 단계.
단계 7: 투명 도전 재료를 이용하여 드레인 전극(6)과 접속하는 픽셀 전극(7)을 형성하는 단계 - 투명 도전 재료는 바람직하게는 ITO, IZO 등임 - .
단계 8: 무기 절연 재료를 이용하여 패시베이션층(9)을 형성하는 단계 - 무기 절연 재료는 바람직하게는 SiNx, SiOx 등임 - .
단계 9: 투명 도전 재료를 이용하여 공통 전극(8)을 형성하는 단계 - 공통 전극(8)은 비아홀(도시하지 않음)에 의해 저장 용량 하부 전극과 접속하고, 투명 도전 재료는 바람직하게는 ITO, IZO 등임 - .
또한, 불투명 수지층을 이용하여 얻어지는 어레이 기판 상의 박막 트랜지스터 영역 상에 블랙 매트릭스층을 순차적으로 형성할 수 있다.
픽셀 전극은 판형 또는 슬릿형일 수 있고, 그에 따라, 공통 전극은 슬릿형 또는 판형일 수 있는 것을 당업자는 이해할 수 있다. 픽셀 전극과 공통 전극의 적층 순서는 반대로 할 수 있지만, 상부 전극은 슬릿형이어야 하고 하부 전극은 판형이어야 한다.
본 발명의 실시예들은 또한, 상기 실시예들에 따른 어레이 기판을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 디스플레이 장치는 액정 패널, 전자 종이, OLED 패널, 액정 TV, 액정 디스플레이, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화, 평판 컴퓨터 등과 같이 디스플레이 기능을 갖는 임의의 제품들 또는 컴포넌트들일 수 있다.
상기 설명은 단지 본 발명의 바람직한 실시예들이다. 당업자는 본 발명의 기술적 원리를 벗어나지 않고 다양한 변형 및 수정을 가능하며, 이 변형들 및 수정들은 본 발명의 보호범위 내에 있는 것으로 판단되어야 한다.

Claims (9)

  1. 픽셀 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 포함하는 어레이 기판으로서,
    상기 픽셀 영역은 박막 트랜지스터 영역 및 전극 패턴 영역을 포함하고,
    상기 박막 트랜지스터 영역에는 게이트 전극, 게이트 절연층, 활성층, 소스 전극, 드레인 전극 및 패시베이션층을 형성하고,
    상기 전극 패턴 영역에는 상기 게이트 절연층, 픽셀 전극, 상기 패시베이션층 및 공통 전극을 형성하고,
    상기 공통 전극 및 상기 픽셀 전극은 다차원 전계를 형성하도록 이용하며,
    상기 게이트 절연층과 상기 픽셀 전극 간에는 컬러 수지층을 형성하는
    어레이 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 전극 패턴 영역에 대응하는 위치에 상기 게이트 전극용 금속 재료로 형성되는 반사 영역 패턴을 배치하고, 상기 게이트 절연층은 상기 반사 영역 패턴 상에 형성하며,
    상기 게이트 절연층 상의 상기 반사 영역 패턴에 대응하는 위치에 상기 소스 및 드레인 전극들용 금속 재료로 형성되는 반사 영역 금속 전극층을 배치하는
    어레이 기판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전극 패턴 영역에 상기 게이트 전극용 금속 재료로 형성되는 저장 용량 하부 전극을 배치하고, 상기 저장 용량 하부 전극 위에 절연층 비아홀을 형성하며, 상기 절연층 비아홀에 의해 상기 공통 전극은 상기 저장 용량 하부 전극과 접속하는
    어레이 기판.
  4. 제1항에 있어서, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 절연층 상에 절연 재료로 형성된 보호층을 더 형성하고, 상기 보호층 상의 상기 박막 트랜지스터 영역에 대응하는 위치에 블랙 매트릭스층을 형성하는
    어레이 기판.
  5. 픽셀 영역을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판 제조 방법으로서,
    상기 픽셀 영역은 박막 트랜지스터 영역 및 전극 패턴 영역을 포함하고,
    상기 박막 트랜지스터 영역에는 게이트 전극, 게이트 절연층, 활성층, 소스 전극, 드레인 전극 및 패시베이션층을 형성하고,
    상기 전극 패턴 영역에는 상기 게이트 절연층, 픽셀 전극, 상기 패시베이션층 및 공통 전극을 형성하고, 상기 공통 전극 및 상기 픽셀 전극은 다차원 전계를 형성하도록 이용하며,
    상기 게이트 절연층을 형성한 후 상기 픽셀 전극을 형성하기 전에, 상기 게이트 절연층 위에 컬러 수지층을 형성하는
    어레이 기판 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 게이트 전극 형성시, 상기 기판 상의 상기 전극 패턴 영역과 대응하는 위치에 상기 게이트 전극용 금속 재료로 형성되는 반사 영역 패턴을 배치하고,
    상기 소스 및 드레인 전극들의 형성시, 상기 게이트 절연층 상의 상기 반사 영역 패턴에 대응하는 위치에 상기 소스 및 드레인 전극들용 금속 재료로 형성되는 반사 영역 금속 전극층을 배치하는
    어레이 기판 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 게이트 전극 형성시, 상기 전극 패턴 영역에 상기 게이트 전극용 금속 재료로 형성되는 저장 용량 하부 전극을 배치하고,
    상기 공통 전극을 형성하기 전에 상기 저장 용량 하부 전극 위에 절연층 비아홀을 형성하여, 상기 공통 전극은 상기 절연층 비아홀을 통해 상기 저장 용량 하부 전극과 접속하는
    어레이 기판 제조 방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극들을 형성한 후 절연 재료로 형성된 보호층을 형성하고, 상기 보호층 상의 상기 박막 트랜지스터 영역에 대응하는 위치에 블랙 매트릭스층을 형성하는
    어레이 기판 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 어레이 기판을 포함하는 디스플레이 장치.
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