KR20130108207A

KR20130108207A - 유기발광소자

Info

Publication number: KR20130108207A
Application number: KR20130031775A
Authority: KR
Inventors: 이재인; 손세환
Original assignee: 주식회사 엘지화학
Priority date: 2012-03-23
Filing date: 2013-03-25
Publication date: 2013-10-02
Also published as: CN104303328B; US9577224B2; JP2015514293A; EP2830112A1; KR20160134602A; TWI542064B; EP2830112A4; KR20130108026A; JP6448530B2; TW201401608A; WO2013141674A1; CN104303328A; KR101784804B1; US20150008422A1

Abstract

본 출원은 유기발광소자 및 조명에 대한 것이다. 본 출원의 예시적인 유기발광소자는, 예를 들면, 반사 전극층의 광 흡수 및 표면 플라즈몬에 의한 감쇄 커플링을 최소화하고, 우수한 발광 효율을 나타낼 수 있다.

Description

유기발광소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}

본 출원은, 유기발광소자 및 조명에 관한 것이다.

유기발광소자는, 통상적으로 기판, 제 1 전극층, 발광층을 포함하는 유기층 및 제 2 전극층을 순차로 포함한다.

소위 하부 발광형 소자(bottom emitting device) 구조에서는, 상기 제 1 전극층이 투명 전극층으로 형성되고, 제 2 전극층이 반사 전극층으로 형성될 수 있다. 또한, 소위 상부 발광형 소자(top emitting device) 구조에서는 제 1 전극층이 반사 전극층이고, 제 2 전극층이 투명 전극층일 수 있다.

두 개의 전극층에 의해서 전자(electron)와 정공(hole)이 각각 주입되고, 주입된 전자와 정공은 발광층에서 재결합(recombination)되어 광이 생성된다. 광은 하부 발광형 소자에서는 기판측으로 상부 발광형 소자에서는 제 2 전극층측으로 방출될 수 있다.

유기발광소자의 구조에서 투명 전극층으로 일반적으로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide), 유기층 및 통상적으로 유리 기판인 기판의 굴절률은 각각 대략적으로 2.0, 1.8 및 1.5 정도이다. 이러한 굴절률의 관계에 의해서, 예를 들어, 하부 발광형의 소자에서 유기 발광층에서 생성된 광은 유기층과 제 1 전극층의 계면 또는 기판 내에서 전반사(total internal reflection) 현상 등에 의해 트랩(trap)되고, 매우 소량의 광만이 방출된다.

본 출원은, 유기발광소자 및 조명을 제공한다.

예시적인 유기발광소자는, 전자 주입성 전극층과 정공 주입성 전극층을 포함할 수 있다. 유기발광소자에서 상기 전자 주입성 전극층과 정공 주입성 전극층은 서로 대향 배치되어 있고, 그 사이에는 유기 적층 구조가 존재할 수 있다. 유기 적층 구조는, 기능성 유기물을 포함하는 층을 하나 이상 포함하는 적층 구조일 수 있다. 상기 유기 적층 구조는, 저굴절 유기층을 포함할 수 있다. 용어 「저굴절 유기층」은 유기 화합물을 포함하며, 전체 층의 굴절률은 1.7 이하인 층을 의미할 수 있다. 본 명세서에서 굴절률은, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 약 550 nm 또는 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률을 의미할 수 있다. 상기 유기 적층 구조는 상기 저굴절 유기층과 함께 발광층을 포함할 수 있다.

유기발광소자는 산란층을 포함할 수 있다. 이러한 산란층은, 예를 들면, 상기 전자 또는 정공 주입성 전극층, 예를 들면, 정공 주입성 전극층의 일면에 접하거나 그와 인접하여 형성될 수 있다. 상기에서 산란층과 접하거나 또는 그와 인접하는 전극층의 일면은, 상기 유기 적층 구조와 접하거나 또는 그와 인접하는 전극층의 면과는 반대측의 면일 수 있다.

하나의 예시에서 상기 유기발광소자는 기재층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 기재층의 상부에 상기 전자 또는 정공 주입성 전극층, 유기 적층 구조 및 정공 또는 전자 주입성 전극층이 순차로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 이러한 구조에서 산란층은 기재층과 그 기재층의 상부에 형성되는 전자 또는 정공 주입성 전극층과의 사이에 위치할 수 있다.

도 1은, 예시적인 유기발광소자의 구조(100)이고, 기재층(105)상에 정공 주입성 전극층(101), 유기 적층 구조(103) 및 전자 주입성 전극층(102)이 순차로 형성되어 있으며, 정공 주입성 전극층(101)과 기재층의 사이에 산란층(104)이 형성되어 있는 구조를 나타낸다. 유기 적층 구조(103)은, 저굴절 유기층(1031)과 발광층(1032)을 포함하고 있다.

기재층으로는 특별한 제한 없이 필요에 따라 적절한 소재가 사용될 수 있다. 하나의 예시에서 상기 유기발광소자를 하부 발광형의 소자일 수 있고, 이러한 경우에는, 상기 기재층은, 투광성 기재층, 예를 들면, 가시광 영역의 파장의 광에 대한 투과율이 50%, 60%, 70%, 80% 또는 90% 이상인 기재층일 수 있다. 투광성 기재층으로는, 유리 기재층 또는 투명 고분자 기재층이 예시될 수 있다. 유리 기재층으로는, 소다석회 유리, 바륨/스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노 규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등을 포함하는 기재층 등이 예시될 수 있고, 고분자 기재층으로는, PC(polycarbonate), 아크릴 수지, PET(poly(ethylene terephthatle)), PES(poly(ether sulfide)) 또는 PS(polysulfone) 등을 포함하는 기재층이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 필요에 따라서 상기 기재층은, 구동용 TFT가 존재하는 TFT 기재층일 수도 있다.

정공 주입성 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 높은 일 함수(work function)를 가지는 투명 도전성 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 정공 주입성 전극층은, 일 함수가 약 4.0 eV 이상인 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 또는 상기 중 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 재료로는, 금 등의 금속, CuI, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, SnO₂ 또는 In₂O₃ 등의 도전성 투명 재료 등이 예시될 수 있다. 정공 주입성 전극층은, 예를 들면, 상기 재료를 사용한 진공 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의해 형성할 수 있다. 정공 주입성 전극층은, 예를 들면, 광투과율이 10% 이상이고, 표면 저항이 수백 Ω/□ 이하, 예를 들면, 100 Ω/□ 이하일 수 있다. 정공 주입성 전극층의 막 두께는 광투과율이나 표면 저항 등에 따라 다르지만, 통상적으로 50 nm 내지 150 nm 또는 10 nm 내지 200 nm의 범위 내에 있을 수 있다.

전자 주입성 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 작은 일 함수를 가지는 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 이러한 물질로는, 칼륨, 리튬, 나트륨, 마그네슘, 란타늄, 세륨, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 알루미늄, 은, 인듐, 주석, 아연 또는 지르코늄 등의 금속 또는 상기 금속으로부터 선택된 2 성분 또는 그 이상의 합금, 예를 들면, 마그네슘/인듐 합금, 마그네슘/알루미늄 합금, 알루미늄/리튬 합금, 알루미늄/스칸듐/리튬 합금, 마그네슘/은 합금 또는 알루미늄/칼슘 등이 예시될 수 있다. 전자 주입성 전극층도, 예를 들면, 증착법 또는 스퍼터링법 등을 사용하여 형성할 수 있다.

예시적인 유기발광소자에서는, 상기 전자 또는 정공 주입성 전극층 중에서 기재층상에 형성되는 전극층이 투명 전극층이고, 상기 유기 적층 구조상에 형성되는 전극층이 반사 전극층일 수 있다.

유기 적층 구조는, 저굴절 유기층과 발광층을 적어도 포함한다.

저굴절 유기층은, 유기 화합물을 포함하는 층이고, 예를 들면, 굴절률이 1.7 이하, 1.7 미만, 1.68 이하, 1.66 이하, 1.65 이하, 1.63 이하, 1.60 이하, 1.55 이하 또는 1.52 이하인 층일 수 있다. 상기에서 저굴절 유기층의 굴절률의 하한은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 상기 저굴절 유기층은 0.5 이상 또는 0.7 이상의 굴절률을 가질 수 있다.

하나의 예시에서 저굴절 유기층은, 반사 전극층으로 형성된 전자 또는 정공 주입성 전극층, 예를 들면, 반사 전극층으로 형성된 전자 주입성 전극층과 접하거나, 그와 인접하여 형성될 수 있다. 이러한 위치에 형성된 저굴절 유기층은, 산란층과의 유기적인 상호 작용에 의해서 반사 전극층의 광흡수 및 표면 플라즈몬(surface Plasmon) 등에 의한 감쇄 커플링(evanescent coupling)의 영향을 줄이고, 소자의 광추출 효율을 높일 수 있다.

저굴절 유기층이 접하거나, 또는 인접하는 전극층이 전자 주입성 전극층이면, 상기 저굴절 유기층에 포함되는 유기 화합물은 전자 수용성 유기 화합물(electron accepting organic compound)일 수 있다. 전자 수용성 유기 화합물을 포함하는 저굴절 유기층은 소위 전자 주입층, 전자 수송층 또는 전자 주입/수송층으로 작용할 수 있다.

전자 수용성 유기 화합물로는, 특별한 제한 없이 공지된 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 유기 화합물로는, 예를 들면, 4,4'4"-트리(N-카르바졸릴)트리메틸아민(4,4'4"-tri(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 방향족 아민 화합물; p-테르페닐(p-terphenyl) 또는 쿠아테르페닐(quaterphenyl) 등과 같은 다환 화합물 또는 그 유도체, 나프탈렌(naphthalene), 테트라센(tetracene), 피렌(pyrene), 코로넨(coronene), 크리센(chrysene), 안트라센(anthracene), 디페닐안트라센(diphenylanthracene), 나프타센(naphthacene) 또는 페난트렌(phenanthrene) 등과 같은 다환 탄화수소 화합물 또는 그 유도체, 페난트롤린(phenanthroline), 바소페난트롤린(bathophenanthroline), 페난트리딘(phenanthridine), 아크리딘(acridine), 퀴놀린(quinoline), 키노사린(quinoxaline) 또는 페나진(phenazine) 등의 복소환화합물 또는 그 유도체 등이 예시될 수 있다. 또한, 플루오르세인(fluoroceine), 페리렌(perylene), 프타로페리렌(phthaloperylene), 나프타로페리렌(naphthaloperylene), 페리논(perynone), 프타로페리논, 나프타로페리논, 디페닐부타디엔(diphenylbutadiene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 옥사디아졸(oxadiazole), 아르다진(aldazine), 비스벤조옥사조린(bisbenzoxazoline), 비스스티릴(bisstyryl), 피라진(pyrazine), 사이크로펜타디엔(cyclopentadiene), 옥신(oxine), 아미노퀴놀린(aminoquinoline), 이민(imine), 디페닐에틸렌, 비닐안트라센, 디아미노카르바졸(diaminocarbazole), 피란(pyrane), 티오피란(thiopyrane), 폴리메틴(polymethine), 메로시아닌(merocyanine), 퀴나크리돈(quinacridone) 또는 루부렌(rubrene) 등이나 그 유도체, 일본특허공개 제1988-295695호, 일본특허공개 제1996-22557호, 일본특허공개 제1996-81472호, 일본특허공개 제1993-009470호 또는 일본특허공개 제1993-017764호 등의 공보에서 개시하는 금속 킬레이트 착체 화합물, 예를 들면, 금속 킬레이트화 옥사노이드화합물인 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄[tris(8-quinolinolato)aluminium], 비스(8-퀴놀리노라토)마그네슘, 비스[벤조(에프)-8-퀴놀뤼노라토]아연{bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 트리스(8-퀴놀리노라토)인디엄[tris(8-quinolinolato)indium], 트리스(5-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 8-퀴놀리노라토리튬, 트리스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)갈륨, 비스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)칼슘 등의 8-퀴놀리노라토 또는 그 유도체를 배립자로 하나 이상 가지는 금속 착체, 일본특허공개 제1993-202011호, 일본특허공개 제1995-179394호, 일본특허공개 제1995-278124호 또는 일본특허공개 제1995-228579호 등의 공보에 개시된 옥사디아졸(oxadiazole) 화합물, 일본특허공개 제1995-157473호 공보 등에 개시된 트리아진(triazine) 화합물, 일본특허공개 제1994-203963호 공보 등에 개시된 스틸벤(stilbene) 유도체나, 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 일본특허공개 제1994-132080호 또는 일본특허공개 제1994-88072호 공보 등에 개시된 스티릴 유도체, 일본특허공개 제1994-100857호나 일본특허공개 제1994-207170호 공보 등에 개시된 디올레핀 유도체; 벤조옥사졸(benzooxazole) 화합물, 벤조티아졸(benzothiazole) 화합물 또는 벤조이미다졸(benzoimidazole) 화합물 등의 형광 증백제; 1,4-비스(2-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(3-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸스티릴)벤젠, 디스티릴벤젠, 1,4-비스(2-에틸스티릴)벤질, 1,4-비스(3-에틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-메틸벤젠 또는 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-에틸벤젠 등과 같은 디스티릴벤젠(distyrylbenzene) 화합물; 2,5-비스(4-메틸스티릴)피라진, 2,5-비스(4-에틸스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(1-나프틸)비닐]피라진, 2,5-비스(4-메톡시스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(4-비페닐)비닐]피라진 또는 2,5-비스[2-(1-피레닐)비닐]피라진 등의 디스티릴피라진(distyrylpyrazine) 화합물, 1,4-페닐렌디메틸리딘, 4,4'-페닐렌디메틸리딘, 2,5-크실렌디메틸리딘, 2,6-나프틸렌디메틸리딘, 1,4-비페닐렌디메틸리딘, 1,4-파라-테레페닐렌디메텔리딘, 9,10-안트라센디일디메틸리딘(9,10-anthracenediyldimethylidine) 또는 4,4'-(2,2-디-티-부틸페닐비닐)비페닐, 4,4'-(2,2-디페닐비닐)비페닐 등과 같은 디메틸리딘(dimethylidine) 화합물 또는 그 유도체, 일본특허공개 제1994-49079호 또는 일본특허공개 제1994-293778호 공보 등에 개시된 실라나민(silanamine) 유도체, 일본특허공개 제1994-279322호 또는 일본특허공개 제1994-279323호 공보 등에 개시된 다관능 스티릴 화합물, 일본특허공개 제1994-107648호 또는 일본특허공개 제1994-092947호 공보 등에 개시되어 있는 옥사디아졸 유도체, 일본특허공개 제1994-206865호 공보 등에 개시된 안트라센 화합물, 일본특허공개 제1994-145146호 공보 등에 개시된 옥시네이트(oxynate) 유도체, 일본특허공개 제1992-96990호 공보 등에 개시된 테트라페닐부타디엔 화합물, 일본특허공개 제1991-296595호 공보 등에 개시된 유기 삼관능 화합물, 일본특허공개 제1990-191694호 공보 등에 개시된 쿠마린(coumarin)유도체, 일본특허공개 제1990-196885호 공보 등에 개시된 페리렌(perylene) 유도체, 일본특허공개 제1990-255789호 공보 등에 개시된 나프탈렌 유도체, 일본특허공개 제1990-289676호나 일본특허공개 제1990-88689호 공보 등에 개시된 프탈로페리논(phthaloperynone) 유도체 또는 일본특허공개 제1990-250292호 공보 등에 개시된 스티릴아민 유도체 등도 저굴절 유기층에 포함되는 전자 수용성 유기 화합물로서 사용될 수 있다.

유기 화합물은, 통상적으로 굴절률이 1.7 내지 1.8 정도이다. 이러한 유기 화합물을 포함하는 저굴절 유기층의 굴절률을 낮은 수준으로 유지하기 위하여 저굴절 유기층은, 낮은 굴절률을 가지는 재료(이하, 저굴절 재료로 호칭할 수 있다.)를 상기 유기 화합물과 함께 포함할 수 있다. 이러한 저굴절 재료로는, 예를 들면, 예를 들면, 1.60 또는 그 이하의 굴절률을 가지는 재료가 예시될 수 있다. 상기 저굴절 재료의 굴절률의 하한은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면, 상기 재료는 0.5 이상 또는 0.7 이상의 굴절률을 가지는 재료일 수 있다. 상기 재료로는, 불화 리튬(LiF), 불화 마그네슘(MgF₂), 불화 칼륨(KF), 불화 나트륨(NaF), 불화 알루미늄(AlF₂), 불화 바륨(BaF₂), 불화 베릴륨(BeF₂), 불화 카드뮴(CdF₂), 불화 칼슘(CaF₂), 불화 세슘(CsF), 불화 토륨(ThF₄), 불화 이트륨(YF₃), 염화 철(FeCl₂), 산화 바나듐(V₂O₅) 또는 Na₂Al₃F₁₄인(Chiolote) 등에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물 등이 예시될 수 있다.

저굴절 유기층에 포함되는 상기 저굴절 재료의 함량은, 저굴절 유기층이 상기 기술한 범위의 굴절률을 가지도록 조절되는 한 특별히 제한되지 않는다. 하나의 예시에서 상기 저굴절 재료는, 저굴절 유기층에 포함되는 유기 화합물 100 중량부 대비 150 중량부 이하, 140 중량부 이하, 130 중량부 이하, 120 중량부 이하, 110 중량부 이하 또는 100 중량부 이하일 수 있다. 본 명세서에서 단위 중량부는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 각 성분간의 중량의 비율을 의미한다. 상기 저굴절 재료의 비율의 하한은, 저굴절 유기층의 굴절률에 따라 결정되는 것으로 특별히 제한되는 것은 아니다.

상기와 같이 유기 화합물과 저굴절률의 재료를 함께 포함하는 저굴절 유기층은, 예를 들면, 상기 유기 화합물과 저굴절률이 재료를 사용한 공증착 방식으로 형성할 수 있다.

저굴절 유기층은, 두께가 예를 들면, 15 nm 이상, 18 nm 이상, 20 nm 이상, 30 nm 이상, 40 nm 이상, 50 nm 이상, 55 nm 이상, 60 nm 이상, 65 nm 이상 또는 70 nm 이상일 수 있다. 이러한 범위에서 소자의 감쇄 효과를 최소화하고 광추출 효율을 극대화할 수 있다. 상기 저굴절 유기층의 두께의 상한은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면 상기 저굴절 유기층은, 두께가 150 nm 이하, 100 nm 이하 또는 85 nm 이하일 수 있다.

발광층은, 예를 들면, 이 분야에 공지된 다양한 형광 또는 인광 유기 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 발광층은 또한 전술한 전자 수용성 유기 화합물이나 후술하는 전자 공여성 유기 화합물 중에서 발광 특성을 나타내는 종류를 적절히 채용하여 형성할 수 있다.

발광층 재료로는, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트) 알루미늄(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3), 4-MAlq3 또는 Gaq3 등의 Alq 계열의 재료, C-545T(C₂₆H₂₆N₂O₂S), DSA-아민, TBSA, BTP, PAP-NPA, 스피로-FPA, Ph₃Si(PhTDAOXD), PPCP(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene) 등과 같은 시클로페나디엔(cyclopenadiene) 유도체, DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl), 디스티릴 벤젠 또는 그 유도체 또는 DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI; 또는 Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon₂Ir(acac), (C₆)₂Ir(acac), bt₂Ir(acac), dp₂Ir(acac), bzq₂Ir(acac), bo₂Ir(acac), F₂Ir(bpy), F₂Ir(acac), op₂Ir(acac), ppy₂Ir(acac), tpy₂Ir(acac), FIrppy(fac-tris[2-(4,5'-difluorophenyl)pyridine-C'2,N] iridium(III)) 또는 Btp₂Ir(acac)(bis(2-(2'-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3')iridium(acetylactonate)) 등과 같은 인광 재료 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광층은, 상기 재료를 호스트(host)로 포함하고, 또한 페릴렌(perylene), 디스티릴비페닐(distyrylbiphenyl), DPT, 퀴나크리돈(quinacridone), 루브렌(rubrene), BTX, ABTX 또는 DCJTB 등을 도펀트로 포함하는 호스트-도펀트 시스템(Host-Dopant system)을 가질 수도 있다.

유기 적층 구조는, 저굴절 유기층과 발광층을 적어도 포함하는 한, 이 분야에서 공지된 다른 층을 함께 포함하여 다양한 형태로 존재할 수 있다.

예를 들어, 저굴절 유기층이 전자 수용성 유기 화합물을 포함하여, 전자 수송층으로 작용하는 경우에는, 유기 적층 구조에 추가로 포함될 수 있는 층으로는, 정공 주입층(HIL; Hole Injecting Layer), 정공 수송층(HTL; Hole Transporting Layer), 전자 주입층(EIL; Electron Injecting Layer) 또는 정공 저지층(HBL; Hole Blocking Layer) 등이 예시될 수 있다.

상기에서 정공 주입층은, 예를 들면, 정공 주입성 전극층과 접하여 추가로 포함되어 전극층으로부터 유기 적층 구조로의 원활한 정공의 주입을 보조하는 역할을 하는 층일 수 있다. 또한, 정공 수송층은 예를 들면, 발광층과 정공 주입성 전극층의 사이에 존재하고, 발광층의 HOMO(highest occupied molecular orbital) 레벨보다 높은 수준의 HOMO 레벨을 가져서 원활한 정공의 수송을 보조할 수 있다.

정공 주입층 또는 정공 수송층은, 예를 들면, 전자 공여성 유기 화합물(electron donating organic compound)을 포함할 수 있다. 전자 공여성 유기 화합물로는, N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐, 2,2-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)프로판, N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐, 비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)페닐메탄, N,N'-디페닐-N,N'-디(4-메톡시페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-비스(디페닐아미노)쿠아드리페닐[4,4'-bis(diphenylamino)quadriphenyl], 4-N,N-디페닐아미노-(2-디페닐비닐)벤젠, 3-메톡시-4'-N,N-디페닐아미노스틸벤젠, N-페닐카르바졸, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)시크로헥산, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)-4-페닐시크로헥산, 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄, N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[4-(디-p-톨릴아미노)스티릴]스틸벤, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐 N-페닐카르바졸, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]비페닐페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(8-플루오란테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]비페닐(4,4'-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl), 2,6-비스(디-p-톨릴아미노)나프탈렌, 2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌, 2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N,N-디(2-나프틸)아미노]테르페닐, 4,4'-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)페닐]아미노}비페닐, 4,4'-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]비페닐, 2,6-비스[N,N-디-(2-나프틸)아미노]플루오렌 또는 4,4'-비스(N,N-디-p-톨릴아미노)테르페닐, 및 비스(N-1-나프틸)(N-2-나프틸)아민 등과 같은 아릴 아민 화합물이 대표적으로 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

정공 주입층이나 정공 수송층은, 상기 유기화합물을 고분자 중에 분산시키거나, 상기 유기 화합물로부터 유래한 고분자를 사용하여 형성할 수도 있다. 또한, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체 등과 같이 소위 π-공역 고분자(π-conjugated polymers), 폴리(N-비닐카르바졸) 등의 정공 수송성 비공역 고분자 또는 폴리실란의 σ 공역 고분자 등도 사용될 수 있다.

정공 주입층은, 필요에 따라서 구리 프탈로시아닌과 같은 금속 프탈로시아닌 또는 비금속 프탈로시아닌, 카본막 및 폴리아닐린 등의 전기적으로 전도성인 고분자 들을 사용하여 형성하거나, 상기 아릴 아민 화합물을 산화제로 하여 루이스산(Lewis acid)과 반응시켜서 형성할 수도 있다.

전자 주입층은, 전극층으로부터 유기 적층 구조로의 전자의 주입을 보조하는 층으로서, 필요한 경우에 전자 주입성 전극층과 접하여 추가로 포함될 수 있다. 전자 주입층은, 예를 들면, LiF 또는 CsF 등과 같은 공지의 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 정공 저지층은, 정공 주입성 전극층으로부터 주입된 정공이 발광층을 지나 전자 주입성 전극층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광층과 전자 주입성 전극층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.

유기 적층 구조는, 다양한 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어 저굴절 유기층이 전자 수송층으로 작용하는 경우에 상기 유기 적층 구조는, 예를 들면, 정공 주입성 전극층으로부터 순차적으로 발광층 및 저굴절 유기층이 형성된 형태, 발광층, 저굴절 유기층 및 전자 주입층이 형성된 형태, 정공 수송층, 발광층 및 저굴절 유기층이 형성된 형태, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 저굴절 유기층이 형성된 형태, 정공 수송층, 발광층, 정공 저지층 및 저굴절 유기층이 형성된 형태, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 정공 저지층 및 저굴절 유기층이 형성된 형태, 정공 수송층, 발광층, 저굴절 유기층 및 전자 주입층이 형성된 형태, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 저굴절 유기층 및 전자 주입층이 형성된 형태 등을 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 필요한 경우, 상기 유기 적층 구조는, 2층 이상의 발광층을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 2층 이상의 발광층을 포함하는 구조로는, 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극층이나 전하 발생층(CGL; Charge Generating Layer) 등에 의해 분할되어 있는 2개 이상의 발광층이 유기 적층 구조에 적절한 위치에 존재하는 구조를 예시할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

상기 유기발광소자는 산란층을 또한 포함한다. 산란층은, 상기 저굴절 유기층과의 상호 작용을 통하여 소자의 광추출 효율을 높일 수 있는 층이고, 입사되는 광을 산란시킬 수 있는 작용을 하는 것이라면 임의의 공지된 재료 및 구조로 형성될 수 있다.

하나의 예시에서 산란층은, 산란 입자를 포함하는 층일 수 있다. 도 2는, 산란 입자(301)를 포함하는 산란층이 기재층(105)에 형성되어 있는 형태를 예시적으로 나타낸다. 도 2의 산란층은, 산란 입자(301)와 바인더(302)를 포함한다.

본 명세서에서 용어 「산란 입자」는, 예를 들면, 산란층을 형성하는 바인더 또는 후술하는 평탄층과는 상이한 굴절률을 가지는 입자를 의미할 수 있다. 이러한 입자로는, 1.0 내지 3.5의 굴절률, 예를 들면, 1.0 내지 2.0 또는 1.2 내지 1.8 정도이나 2.1 내지 3.5 또는 2.2 내지 3.0 정도의 굴절률을 가지고, 평균 입경이 50 nm 내지 20,000 nm 또는 100 nm 내지 5,000 nm 정도인 입자가 예시될 수 있다. 상기 입자는, 구형, 타원형, 다면체 또는 무정형과 같은 형상을 가질 수 있으나, 상기 형태는 특별히 제한되는 것은 아니다. 산란 입자로는, 예를 들면, 폴리스티렌 또는 그 유도체, 아크릴 수지 또는 그 유도체, 실리콘 수지 또는 그 유도체, 또는 노볼락 수지 또는 그 유도체 등과 같은 유기 재료, 또는 실리카, 알루미나, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄과 같은 무기 재료를 포함하는 입자가 예시될 수 있다. 산란 입자는, 상기 재료 중에 어느 하나의 재료만을 포함하거나, 상기 중 2조 이상의 재료를 포함하여 형성될 수 있고, 필요에 따라서는 코어/셀 형태의 입자 또는 중공 입자 형태의 입자로 형성될 수도 있다.

산란층은 상기 산란 입자를 유지하는 바인더를 추가로 포함할 수 있다. 바인더로는, 예를 들면, 상기 산란 입자를 유지할 수 있는 재료로서, 인접하는 다른 소재, 예를 들면, 기재층(105)과 동등한 굴절률을 가지는 소재를 사용할 수 있다. 바인더로는, 예를 들면, 폴리이미드, 플루오렌 고리를 가지는 카도계 수지(caldo resin), 우레탄, 에폭시드, 폴리에스테르 또는 아크릴레이트 계열의 열 또는 광경화성의 단량체성, 올리고머성 또는 고분자성 유기 재료나 산화 규소, 질화 규소(silicon nitride), 옥시질화 규소(silicon oxynitride) 또는 폴리실록산 등의 무기 재료 또는 유무기 복합 재료 등을 사용할 수 있다.

산란층은, 예를 들면, 요철 구조를 가지는 층일 수 있다. 도 3은, 기재층(105)상에 요철 구조를 가지는 산란층(401)이 형성된 경우를 예시적으로 보여주는 도면이다. 산란층의 요철 구조를 적절하게 조절할 경우에 입사되는 광을 산란시킬 수 있다.

요철 구조를 가지는 산란층은, 예를 들면, 상기에서 언급한 열 또는 광 경화성 재료를 경화시키는 과정에서 목적하는 형상의 요철 구조를 전사할 수 있는 금형과 접촉시킨 상태로 사기 재료를 경화시키거나, 산란층을 형성할 재료의 층을 미리 형성한 후에 에칭 공정 등을 통해 형성할 수 있다. 다른 방식으로는 산란층을 형성하는 바인더 내에 적절한 크기 및 형상을 가지는 입자를 배합하는 방식으로 형성할 수도 있다. 이러한 경우에 상기 입자는 반드시 산란 기능을 가지는 입자일 필요는 없으나, 산란 기능을 가지는 입자를 사용하여도 무방하다.

산란층은, 예를 들면, 습식 코팅(wet coating) 방식으로 재료를 코팅하고, 열의 인가 또는 광의 조사 등의 방식이나, 졸겔 방식으로 재료를 경화시키는 방식이나, CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 방식 등과 같은 증착 방식 또는 마이크로엠보싱 방식 등을 통하여 형성할 수 있다.

유기발광소자는 산란층의 상부에 형성되는 평탄층을 추가로 포함할 수 있다. 도 4 및 5는, 평탄층이 추가로 형성된 유기발광소자를 예시적으로 보여주는 도면이고, 도 4는, 도 2와 같은 구조의 산란층상에 평탄층(501)이 형성된 경우를 나타내며, 도 5는 도 3과 같은 구조의 산란층상에 평탄층(501)이 형성된 경우를 나타낸다.

평탄층은, 산란층상에 정공 주입성 전극층 등의 전극층이 형성될 수 있는 표면을 제공하고, 경우에 따라서는 산란층과의 상호 작용을 통하여 보다 우수한 광추출 효율을 구현할 수 있다. 평탄층은, 예를 들면, 인접하는 전극층과 동등한 굴절률을 가질 수 있고, 예를 들면, 1.8 내지 3.5 또는 2.2 내지 3.0 정도의 굴절률을 가질 수 있다.

이러한 평탄층은, 예를 들면, 높은 굴절률을 가지고, 평균 입경이 1 nm 내지 100 nm, 10 nm 내지 90 nm, 20 nm 내지 80 nm, 30 nm 내지 70 nm, 30 nm 내지 60 nm 또는 30 nm 내지 50 nm 정도인 고굴절 입자를 평탄층을 형성하는 바인더와 혼합하는 방법으로 형성할 수 있다. 상기 고굴절 입자로는, 예를 들면, 알루미나, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄 등이 예시될 수 있다. 하나의 예시에서 상기 고굴절 입자로는, 산화 티탄, 예를 들면, 루틸형의 산화 티탄을 사용할 수 있다. 루틸형의 산화 티탄은 여타의 입자에 비하여 높은 굴절률을 가지고, 따라서 평탄층을 형성할 재료 내에서 고굴절 입자의 함량을 상대적으로 소량으로 하는 경우에도 높은 굴절률을 가지는 평탄층의 구현이 가능하다. 재료 내에서 고굴절 입자의 비율이 상대적으로 낮을 경우, 보다 높은 품질의 평탄층의 구현이 가능하다.

다른 예시에서 평탄층은, 지르코늄, 티탄 또는 세륨 등의 금속의 알콕시드 또는 아실레이트(acylate) 등의 화합물을 카복실기 또는 히드록시기 등의 극성기를 가지는 바인더와 배합한 소재를 사용하여 형성할 수도 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 등의 화합물은 바인더에 있는 극성기와 축합 반응하고, 바인더의 골격 내에 상기 금속을 포함시켜 고굴절률을 구현할 수 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 화합물의 예로는, 테트라-n-부톡시 티탄, 테트라이소프로폭시 티탄, 테트라-n-프로폭시 티탄 또는 테트라에톡시 티탄 등의 티탄 알콕시드, 티탄 스테아레이트(stearate) 등의 티탄 아실레이트, 티탄 킬레이트류, 테트라-n-부톡시지르코늄, 테트라-n-프로폭시 지르코늄, 테트라이소프로폭시 지르코늄 또는 테트라에톡시 지르코늄 등의 지르코늄 알콕시드, 지르코늄 트리부톡시스테아레이트 등의 지르코늄 아실레이트, 지르코늄 킬레이트류 등이 예시될 수 있다. 또한, 상기 극성기를 가지는 바인더로는, 상기 산란층의 항목에서 기술한 바인더 중에서 적정한 종류가 선택되어 사용될 수 있다.

평탄층은, 또한 티탄 알콕시드 또는 지르코늄 알콕시드 등의 금속 알콕시드 및 알코올 또는 물 등의 용매를 배합하여 코팅액을 제조하고, 이를 도포한 후에 적정한 온도에서 소성하는 졸겔 코팅 방식으로 형성할 수도 있다.

산란층 또는 산란층과 그 상부에 형성되는 평탄층은 그 상부에 형성되는 정공 또는 전자 주입성 전극층에 비하여 작은 투영 면적을 가질 수 있다. 산란층 또는 산란층과 평탄층은 상기 기재층에 비하여도 작은 투영 면적을 가질 수 있다. 본 명세서에서 용어 「투영 면적」은, 유기발광소자 또는 상기 기재층을 그 표면의 법선 방향의 상부 또는 하부에서 관찰하였을 때에 인지되는 대상물의 투영의 면적, 예를 들면, 상기 기재층, 산란층 또는 전극층 등의 면적을 의미한다. 따라서, 예를 들어, 상기 언급한 바와 같이 산란층의 표면이 요철 형상으로 형성되어 있는 등의 이유로 실질적인 표면적은 전극층에 비하여 넓은 경우에도 상기 산란층을 상부에서 관찰하였을 경우에 인지되는 면적이 상기 전극층을 상부에서 관찰하였을 경우에 인지되는 면적에 비하여 작다면 상기 산란층은 상기 전극층에 비하여 작은 투영 면적을 가지는 것으로 해석된다.

산란층은 기재층에 비하여 투영 면적이 작고, 또한 전극층에 비하여 투영 면적이 작게 된다면 다양한 형태로 존재할 수 있다. 예를 들면, 산란층(104)은 도 6과 같이 기재층(105)의 테두리를 제외한 부분에만 형성되어 있거나, 도 7와 같이 기재층(105)의 테두리에 산란층(104)이 일부 잔존할 수도 있다.

도 8은, 도 6의 산란층을 상부에서 관찰한 경우를 예시적으로 보여주는 도면이다. 도 8에 나타난 바와 같이 상부에서 관찰할 때에 인지되는 전자 또는 정공 주입성 전극층(101)의 면적(A), 즉 상기 전극층(101)의 투영 면적(A)은 그 하부에 있는 산란층(104)의 투영 면적(B)에 비하여 넓다. 전극층(101)의 투영 면적(A) 및 상기 산란층의 투영 면적(B)의 비율(A/B)은, 예를 들면, 1.04 이상, 1.06 이상, 1.08 이상, 1.1 이상 또는 1.15 이상일 수 있다. 산란층의 투영 면적이 상기 전극층의 투영 면적에 비하여 작다면, 후술하는 바와 같이 산란층이 외부로 노출되지 않는 구조의 구현이 가능하기 때문에 상기 투영 면적의 비율(A/B)의 상한은 특별히 제한되지 않는다. 일반적인 제작 환경을 고려하면 상기 비율(A/B)의 상한은, 예를 들면, 약 2.0, 약 1.5, 약 1.4, 약 1.3 또는 약 1.25일 수 있다. 상기에서 전자 주입성 또는 정공 주입성 전극층은 산란층이 형성되어 있지 않은 상기 기재층의 상부에도 형성되어 있을 수 있다. 상기 전극층은 상기 기재층과 접하여 형성되어 있거나, 혹은 기재층과의 사이에 추가적인 요소를 포함하여 형성되어 있을 수 있다. 이러한 구조에 의하여 산란층이 외부로 노출되지 않은 구조를 구현할 수 있다.

예를 들어, 도 8과 같이 전자 주입성 또는 정공 주입성 전극층은, 상부에서 관찰한 때에 산란층의 모든 주변부를 벗어난 영역을 포함하는 영역까지 형성되어 있을 수 있다. 이 경우, 예를 들어, 도 7과 같이 기재층상에 복수의 산란층(104)이 존재할 경우에는 상기 산란층(104) 중에서 적어도 하나의 산란층, 예를 들면, 적어도 그 상부에 상기 유기층이 존재하는 산란층의 모든 주변부를 벗어난 영역을 포함하는 영역까지 전극층(101)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 7의 구조에서 우측과 좌측의 테두리에 존재하는 산란층의 상부에도 유기층이 형성된다면, 도 7의 구조는 좌측과 우측으로 연장되어 상기 우측과 좌측의 테두리에 존재하는 산란층의 모든 주변주를 벗어난 영역까지 전극층이 형성되도록 구조가 변경될 수 있다. 상기와 같은 구조에서 하부에 산란층이 형성되어 있지 않은 전극층에 후술하는 봉지 구조를 부착하면 산란층이 외부로 노출되지 않는 구조를 형성할 수 있다. 이에 의해서 상기 산란층 또는 산란층과 평탄층이 외부로부터 수분이나 산소 등이 침투하는 루트가 되는 것을 방지하고, 봉지 구조와 전극층과 기재층의 부착력 또는 외부 전원과 전극층의 부착을 안정적으로 확보할 수 있으며, 소자의 외곽 부분의 표면 경도도 우수하게 유지할 수 있다.

투영 면적의 조절은, 예를 들면, 전극층을 형성하는 증착 또는 스퍼터링 공정에서 상기 산란층 등에 비하여 넓은 투영 면적으로 전극층을 형성하여 수행할 수 있으며, 필요한 경우에 산란층 및/또는 평탄층의 소정 부위를 제거하여 패터닝할 수도 있다.

유기발광소자는, 외부의 수분 또는 산소 등을 차단하기 위한 적절한 봉지 구조 내에 존재할 수 있다. 즉, 유기발광소자는, 상기 전극층과 유기 적층 구조를 보호하는 봉지 구조를 추가로 포함할 수 있다. 봉지 구조는, 예를 들면, 글라스캔 또는 금속캔 등과 같은 캔이거나, 상기 유기 적층 구조 등의 전면을 덮고 있는 필름일 수 있다.

도 9는, 순차 형성된 전자 주입성 전극층(102)과 유기 적층 구조(103)을 보호하는 봉지 구조(901)로서 글라스캔 또는 금속캔 등과 같은 캔 구조의 봉지 구조(901)를 추가로 포함하는 형태를 예시적으로 보여준다. 도 9와 같이 봉지 구조(901)는, 예를 들면, 접착제(902)에 의해서 정공 주입성 전극층(101)에 부착되어 있을 수 있다. 봉지 구조는, 예를 들면, 하부에 산란층(104)이 존재하지 않는 정공 주입성 전극층(101)에 접착되어 있을 수 있다. 예를 들면, 도 9와 같이 봉지 구조(901)는, 기재층(105)의 말단 테두리상에 존재하는 전극층(101)에 접착제(902)에 의해 부착되어 있을 수 있다. 이러한 방식으로 봉지 구조를 통한 보호 효과를 극대화할 수 있다.

봉지 구조는, 예를 들면, 유기 적층 구조와 전자 주입성 전극층의 전면을 피복하고 있는 필름일 수 있다. 도 10은, 유기 적층 구조(103)와 전자 주입성 전극층(102)의 전면을 덮고 있는 필름 형태의 봉지 구조(1001)를 예시적으로 나타내고 있다. 예를 들면, 필름 형태의 봉지 구조(1001)는, 도 10과 같이 유기 적층 구조(103)와 전극층(102)의 전면을 피복하면서, 산란층(104) 및 정공 주입성 전극층(101)이 형성되어 있는 기재층(105)의 상부의 제 2 기판(1002)을 서로 접착시키고 있는 구조를 가질 수 있다. 상기에서 제 2 기판(1002)으로는, 예를 들면, 유리 기판, 금속 기판, 고분자 필름 또는 배리어층 등이 예시될 수 있다. 필름 형태의 봉지 구조는, 예를 들면, 에폭시 수지 등과 같이 열 또는 자외선(UV)의 조사 등에 의해 경화되는 액상의 재료를 도포하고, 경화시켜서 형성하고나, 혹은 상기 에폭시 수지 등을 사용하여 미리 필름 형태로 제조된 접착 시트 등을 사용하여 기판과 상부 기판을 라미네이트하는 방식으로 형성할 수 있다.

봉지 구조는, 필요한 경우, 산화 칼슘, 산화 베릴륨 등의 금속 산화물, 염화 칼슘 등과 같은 금속 할로겐화물 또는 오산화 인 등과 같은 수분 흡착제 또는 게터재 등을 포함할 수 있다. 수분 흡착제 또는 게터재는, 예를 들면, 필름 형태의 봉지 구조의 내부에 포함되어 있거나, 혹은 캔 구조의 봉지 구조의 소정 위치에 존재할 수 있다. 봉지 구조는 또한 배리어 필름이나 전도성 필름 등을 추가로 포함할 수 있다.

상기 봉지 구조는, 예를 들면, 도 9 또는 10에 나타난 바와 같이, 하부에 산란층(104)이 형성되어 있지 않은 정공 주입성 전극층(101)의 상부에 부착되어 있을 수 있다. 이에 따라서 상기 산란층 등이 외부로 노출되지 않는 밀봉 구조를 구현할 수 있다. 상기 밀봉 구조는, 예를 들면, 산란층의 전면이 상기 기재층, 전극층 및/또는 봉지 구조에 의해 둘러싸이거나, 또는 상기 기재층, 전극층 및/또는 봉지 구조를 포함하여 형성되는 밀봉 구조에 의해서 둘러싸여서 외부로 노출되지 않는 상태를 의미할 수 있다. 밀봉 구조는, 기재층, 전극층 및/또는 봉지 구조만으로 형성되거나, 산란층 또는 산란층과 평탄층이 외부로 노출되지 않도록 형성되는 한, 상기 기재층, 전극층 및 봉지 구조를 포함하고, 또한 다른 요소, 예를 들면, 전도 물질이나 중간층 등도 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 도 9 또는 10에서 기재층(105)과 전극층(101)이 접하는 부분 또는 전극층(101)과 봉지 구조(901, 1001)가 접하는 부분 또는 그 외의 위치에 다른 요소가 존재할 수 있다. 상기 다른 요소로는 저투습성의 유기 물질, 무기 물질 또는 유무기 복합 물질이나, 절연층 또는 보조 전극층 등이 예시될 수 있다.

본 출원은 또한 상기와 같은 유기발광소자의 용도에 관한 것이다. 상기 유기발광소자는, 예를 들면, 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)의 백라이트, 조명 장치, 각종 센서, 프린터, 복사기 등의 광원, 차량용 계기 광원, 신호등, 표시등, 표시장치, 면상발광체의 광원, 디스플레이, 장식 또는 각종 라이트 등에 효과적으로 적용될 수 있다. 하나의 예시에서 본 출원은, 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치에 관한 것이다. 상기 조명 장치 또는 기타 다른 용도에 상기 유기발광소자가 적용될 경우에, 상기 장치 등을 구성하는 다른 부품이나 그 장치의 구성 방법은 특별히 제한되지 않고, 상기 유기발광소자가 사용되는 한, 해당 분야에 공지되어 있는 임의의 재료나 방식이 모두 채용될 수 있다.

본 출원의 예시적인 유기발광소자는, 예를 들면, 반사 전극층의 광 흡수 및 표면 플라즈몬에 의한 감쇄 커플링을 최소화하고, 우수한 발광 효율을 나타낼 수 있다.

도 1은, 예시적인 유기발광소자를 나타내는 도면이다.
도 2 및 3은, 예시적인 산란층을 나타내는 도면이다.
도 4 및 5는, 평탄층이 형성되어 있는 유기발광소자를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 6 내지 8은, 예시적인 유기발광소자의 기재층, 산란층 및 정공 주입성 전극층의 형태를 보여주는 도면이다.
도 9 및 10은, 예시적인 유기발광소자를 보여주는 도면이다.

이하, 실시예 및 비교예를 통하여 상기 유기발광소자를 구체적으로 설명하지만, 상기 유기발광소자의 범위가 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.

실시예 1.

테트라메톡시 실란 10 g에 굴절률이 약 1.52인 고분자 비드(XX75BO, 평균 직경: 약 3 ㎛, Sekisui제) 1g을 충분히 분산시켜서 졸겔 코팅액을 제조하였다. 이어서 제조된 코팅액을 유리 기판에 코팅하고, 졸겔 반응을 진행시켜서 산란층을 형성하였다. 그 후, 동일하게 테트라메톡시 실란을 포함하는 졸겔 코팅액에 평균 입경이 약 10 nm이고, 굴절률이 약 2.5 정도인 고굴절 산화 티탄 입자를 배합한 고굴절 코팅액을 산란층의 상부에 코팅한 후에 동일하게 졸겔 반응을 진행하여 굴절률이 약 1.8 정도인 평탄층을 형성하였다. 그 후 형성된 층에 레이저를 조사하여 잔존하는 광산란층과 평탄층의 위치가 이어서 형성되는 유기층의 발광 영역에 대응될 수 있도록 상기 광산란층과 평탄층의 일부를 제거하였다. 제거 후에 공지의 스퍼터링 방식으로 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 정공 주입성 전극층을 상기 유리 기판의 전면에 두께로 형성하였다. 이어서 공지의 증착 방식을 통해 알파-NPD(N,N'-Di-[(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl]-1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine)를 포함하는 정공 주입층 및 발광층(4,4'4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine (TCTA):Firpic, TCTA:Fir6)을 순차 형성하였다. 이어서, 상기 발광층의 상부에 전자 수송성 화합물인 TCTA(4,4'4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine) 및 저굴절 재료인 LiF(굴절률: 약 1.39)를 전체 층의 굴절률이 1.66 정도가 되도록 공증착하여 저굴절 유기층을 약 70 nm의 두께로 형성하였다. 이어서, 전자 주입성 반사 전극으로서 알루미늄(Al) 전극을 진공 증착 방식으로 상기 저굴절 유기층의 상부에 형성하여 소자를 제조하였다. 이어서 Ar 가스 분위기의 글로브 박스에서 상기 소자에 봉지 구조를 부착하여 장치를 제조하였다. 그 후 장치를 공기 중으로 꺼내 적분 반구에서 전류 밀도가 3mAcm-2일 때의 전압-전류 특성, 휘도와 효율 등을 측정하였다. 한편 상기에서 굴절률은 Nanoview사의 ellipsometer를 사용하여 약 550 nm의 파장에서 측정한 수치이다.

비교예 1.

발광층상에 저굴절 유기층을 형성하지 않고, 전자 수송성 화합물인 TCTA(4,4'4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine)만의 층을 약 70 nm의 두께로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 유기발광소자를 제조하였다.

비교예 2.

산란층과 평탄층을 형성하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 유기발광소자를 제조하였다.

비교예 3.

산란층과 평탄층을 형성하지 않고, 또한 발광층상에 저굴절 유기층을 형성하지 않는 대신 전자 수송성 화합물인 TCTA(4,4'4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine)만의 층을 약 70 nm의 두께로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 유기발광소자를 제조하였다.

비교예 4.

발광층상에 저굴절 유기층을 형성하지 않고, 전자 수송성 화합물인 TCTA(4,4'4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine) 및 굴절률이 약 1.79인 산화 이트륨(Y₂O₃)의 공증착층을 약 70 nm의 두께로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 유기발광소자를 제조하였다.

비교예 5.

발광층상에 저굴절 유기층을 형성하지 않고, 전자 수송성 화합물인 TCTA(4,4'4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine)만의 층을 약 20 nm의 두께로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 유기발광소자를 제조하였다.

상기 실시예 및 비교예에 대한 성능 평가의 결과는 하기 표 1과 같다. 하기 표 1에서 절대 양자 효율의 평가는 공지의 방식으로 수행하였다.

	구동 전압(V)	절대 양자 효율(%)
실시예 1	2.7	48.1
비교예 1	2.8	30.6
비교예 2	2.7	19.2
비교예 3	2.7	16.5
비교예 4	3.2	29.1
비교예 5	2.5	20.1

100, 200: 유기발광소자
101, 102: 전극층
103: 유기 적층 구조
1031: 저굴절 유기층
1032: 발광층
105: 기재층
301: 산란 입자
302: 바인더
104, 401: 산란층
501: 평탄층

Claims

전자 주입성 전극층과 정공 주입성 전극층; 상기 전자 및 정공 주입성 전극층의 사이에 존재하고, 굴절률이 1.7 이하인 저굴절 유기층 및 발광층을 포함하는 유기 적층 구조; 및 상기 정공 또는 전자 주입성 전극층의 상기 유기 적층 구조에 인접하는 면과는 반대측면에 접하거나 인접하여 형성되어 있는 산란층을 포함하는 유기발광소자.
제 1 항에 있어서, 기재층을 추가로 포함하고, 정공 주입성 전극층, 유기 적층 구조 및 전자 주입성 전극층이 상기 기재층상에 순차로 형성되어 있는 유기발광소자.
제 2 항에 있어서, 산란층이 정공 주입성 전극층과 기재층의 사이에 존재하는 유기발광소자.
제 2 항에 있어서, 정공 주입성 전극층이 투명 전극층이고, 전자 주입성 전극층이 반사 전극층인 유기발광소자.
제 2 항에 있어서, 저굴절 유기층은 전자 수용성 유기 화합물을 포함하는 유기발광소자.
제 5 항에 있어서, 저굴절 유기층은 전자 주입성 전극층과 접하여 형성되어 있는 유기발광소자.
제 1 항에 있어서, 저굴절 유기층은, 굴절률이 1.66 이하인 저굴절 재료를 포함하는 유기발광소자.
제 7 항에 있어서, 저굴절 재료는, 불화 리튬(LiF), 불화 마그네슘(MgF₂), 불화 칼륨(KF), 불화 나트륨(NaF), 불화 알루미늄(AlF₂), 불화 바륨(BaF₂), 불화 베릴륨(BeF₂), 불화 카드뮴(CdF₂), 불화 칼슘(CaF₂), 불화 세슘(CsF), 불화 토륨(ThF₄), 불화 이트륨(YF₃), 염화 철(FeCl₂), 산화 바나듐(V₂O₅) 또는 Na₂Al₃F₁₄인(Chiolote)인 유기발광소자.
제 7 항에 있어서, 저굴절 유기층은, 5 내지 200%의 저굴절 재료를 포함하는 유기발광소자.
제 1 항에 있어서, 저굴절 유기층은, 두께가 15 nm 이상인 유기발광소자.
제 1 항에 있어서, 산란층은, 굴절률이 1.0 내지 3.5이고, 평균 입경이 50 nm 내지 20,000 nm인 산란 입자를 포함하는 유기발광소자.
제 1 항에 있어서, 산란층은 요철 구조를 포함하는 유기발광소자.
제 1 항에 있어서, 산란층의 상부에 형성되어 있는 평탄층을 추가로 포함하는 유기발광소자.
제 13 항에 있어서, 평탄층은, 굴절률이 1.8 내지 3.5인 유기발광소자.
제 13 항에 있어서, 평탄층은, 평균 입경이 1 nm 내지 100 nm인 고굴절 입자를 포함하는 유기발광소자.
제 15 항에 있어서, 고굴절 입자는 루틸형 산화 티탄인 유기발광소자.
제 3 항에 있어서, 산란층의 투영 면적은 정공 주입성 전극층의 투영 면적에 비하여 작으며, 정공 주입성 전극층은 상기 산란층의 상부 및 상기 산란층이 형성되어 있지 않은 기재층의 상부 모두에 형성되어 있는 유기발광소자.
제 17 항에 있어서, 유기 적층 구조와 전자 주입성 전극층을 보호하는 봉지 구조를 추가로 포함하고, 상기 봉지 구조는 하부에 산란층이 형성되어 있지 않은 정공 주입성 전극층의 상부에 부착되어 있는 유기발광소자.
제 18 항에 있어서, 봉지 구조는 글라스캔 또는 금속캔이거나, 유기 적층 구조와 전자 주입성 전극층의 전면을 덮고 있는 필름인 유기발광소자.
제 1 항의 유기발광소자를 포함하는 조명.