CN111384282B - 封装薄膜及其制备方法和发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种封装薄膜及其制备方法和发光显示装置。所述封装薄膜，包括依次层叠的N层无机薄膜，所述N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，且所述封装薄膜用于封装光电器件时，所述第1层无机薄膜与所述发光器件的顶电极相邻；其中，N为等于或大于2的整数。该封装薄膜用于封装光电器件时，可以在有效防止空气中的水氧进入器件内部的前提下，同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射，可以提高器件的发光效率和使用寿命。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种封装薄膜及其制备方法和发光显示装置。
背景技术
相对于有机发光染料和无机荧光粉而言，半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)以其优异的光学和器件稳定性等良好的特点使得量子点发光二极管在光电、光伏和生物标记领域具有广泛的应用空间，尤其是在发光二极管方面的应用，量子点发光二极管将会引领显示屏和固态照明行业新一代产品的开发。
尽管通过对量子点材料的改进使得QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其出光效率与产业化生产的要求还相差较远。传统的QLED器件包括Al+ITO衬底/PEDOT：PSS/poly-TPD/量子点发光层/ZnO/Mg-Ag合金+封装盖板玻璃层，传统的光电器件封装技术是在水、氧含量低于1ppm的手套箱中完成的。将制作好的器件由手套箱内的线形机械手传入手套箱内。后盖板由调整好程序的自动涂胶机完成UV胶的涂敷，将制作好的光电器件基板与涂好UV胶的后盖板对准贴合，经过UV曝光以后就形成了一个与大气环境隔开的壁障，该壁障能有效防止空气中的水、氧进入光电器件内部，避免了与之发生反应。该封装方法能够成功耦合出QLED外部的比例却不高，从而影响了器件的出光效率。
当前，商用的光电器件的封装技术正从传统的盖板式封装向新型薄膜一体化封装发展。薄膜封装的出现使柔性显示的梦想得以实现，不过现阶段封装寿命和稳定性有待更进一步提高，成本优势也不大，与传统封装相比优势不是十分明显。在典型的平面结构顶发光形式QLED器件内，要达到高照明效率的QLED器件，必须要提升光输出耦合效率，想方设法将局限的光藕合出来。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种封装薄膜及其制备方法和发光显示装置，旨在解决现有光电器件的封装效果不理想，从而影响器件的出光效率和使用寿命的技术问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明一方面提供一种封装薄膜，包括依次层叠的N层无机薄膜，所述N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，且所述封装薄膜用于封装光电器件时，所述第1层无机薄膜与所述发光器件的顶电极相邻；其中，N为等于或大于2的整数。
本发明提供的封装薄膜是一种新的封装盖板无机玻璃，用于封装光电器件，所述封装薄膜中具有梯度折射率的多层无机透明薄膜，即封装薄膜中层叠的N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，这样，当该封装薄膜用于封装光电器件时，可以在有效防止空气中的水氧进入器件内部的前提下，同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射，从而增加光的导出，最终可以提高器件的发光效率，同时，该封装薄膜相对于传统的盖板封装玻璃具备轻、薄、高效的特点，而且克服了玻璃易碎的缺陷，最终提高了器件的使用寿命。
本发明另一方面提供一种封装薄膜的制备方法，包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上制备封装薄膜；
其中，所述封装薄膜包括依次层叠的N层无机薄膜，所述N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，且所述第1层无机薄膜与所述基板相邻，N为等于或大于2的整数。
本发明提供的封装薄膜的制备方法工，工艺简单易行，通过在基板上先后依次制备层叠的N层无机薄膜，从而得到封装薄膜；该制备方法得到的封装薄膜用于封装光电器件时，可以在有效防止空气中的水氧进入器件内部的前提下，同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射，可以提高器件的发光效率和使用寿命。
最后，本发明还提供一种发光显示装置，包括光电器件和设置在所述光电器件上的封装层，所述封装层为本发明所述的封装薄膜或本发明所述的制备方法得到的封装薄膜。
本发明提供的发光显示装置用本发明特有的封装薄膜作为封装层进行封装，因此，该发光装置不仅可以有效防止空气中的水氧进入器件内部，同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射，因此具有很好的发光效率和使用寿命。
附图说明
图1为本发明的封装薄膜的光线出光示意图；
图2为本发明一实施例的发光显示装置示意图；
图3为本发明另一实施例的发光显示装置示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一方面，本发明实施例提供了一种封装薄膜，包括依次层叠的N层无机薄膜，所述N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，且所述封装薄膜用于封装光电器件时，所述第1层无机薄膜与所述发光器件的顶电极相邻；其中，N为等于或大于2的整数。
本发明实施例提供的封装薄膜是一种新的封装盖板无机玻璃，用于封装光电器件，所述封装薄膜中具有梯度折射率的多层无机透明薄膜，即封装薄膜中层叠的N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，这样，当该封装薄膜用于封装光电器件时，可以在有效防止空气中的水氧进入器件内部的前提下，同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射，从而增加光的导出，最终可以提高器件的发光效率，同时，该封装薄膜相对于传统的盖板封装玻璃具备轻、薄、高效的特点，而且克服了玻璃易碎的缺陷，最终提高了器件的使用寿命。
具体地，所述光电器件为顶发射发光器件。
进一步地，在本发明实施例提供的所述封装薄膜中，包括依次层叠的2-10层无机薄膜。
进一步地，在本发明实施例提供的所述封装薄膜封装光电器件时，其中的第1层无机薄膜与被封装的发光器件的顶电极相邻，且第1层无机薄膜使用的材料可以是与顶电极(顶电极一般为AgMg合金，折射率n＝1)的折射率类似的材料；优选地，所述第1层无机薄膜与所述光电器件的顶电极的折射率之差≤0.3，一方面使得顶电极和阴极之间折射率差异较小，光从器件射入至第1层无机薄膜时，入射角变化较小，另一方面使得顶电极至第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，使光更容易导出。
本发明实施例提供的封装薄膜中的N层无机薄膜中，各层的无机薄膜所使用的材料为无机纳米材料，具体可以是实心纳米粒子或空心纳米粒子(如纳米球)、实心纳米棒或空心纳米棒，只要无机材料组成的N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大即可。
进一步地，所述第1层无机薄膜的材料选自氟化镁纳米材料；而所述封装薄膜中的第2层无机薄膜到第N层无机薄膜(即除了第1层无机薄膜之外，剩余的无机薄膜)的材料分别独立选自氧化钛(TiO2，n＝2.3)纳米材料、氧化锆(ZrO2，n＝2.0)纳米材料、氧化锌(ZnO，n＝2.0)纳米材料和氧化硅(SiO2，n＝1.4)纳米材料中的至少一种，因此，根据第1层无机薄膜、第2层到第N层无机薄膜不同的材料选择，可以使得所述第N层无机薄膜与第N-1层无机薄膜的折射率之差的范围为0.1-1.0，可以理解地是，第N层无机薄膜与第N-1层无机薄膜的折射率之差的范围为0.1-1.0时都是可行的，具体本领域技术人员可以根据实际情况，结合制作成本，出光效果，适应性选择合适的各层无机薄膜材料。
进一步地，所述封装薄膜包括依次层叠的3层无机薄膜；其中，第1层无机薄膜的材料为氟化镁纳米棒(优选氟化镁空心纳米棒，折射率最低为1.3)，第2层无机薄膜的材料为空心纳米粒子，第3层无机薄膜的材料为实心纳米粒子；更优选地，所述空心纳米粒子和所述实心纳米粒子的化学成分相同。空心纳米粒子一般比实心纳米粒子的粒径大，因此，空心纳米粒子制成的薄膜相对实心纳米粒子制成的薄膜的孔隙率也就大，由于材料孔隙率越大，其对应的折射率越低，空心结构的减反射膜材料可以很大程度地降低膜层折射率，如此可以进一步实现从第2层无机薄膜和第3层无机薄膜的折射率依次增大；该优选的封装薄膜中的三层无机薄膜界面可以更好匹配，形成良好的覆盖阶梯，能够有效的阻隔水氧对器件的侵蚀，更好地提高器件的寿命；同时由于采用空心纳米粒子组成的第2层无机薄膜和实心纳米粒子组成的第3层无机薄之间化学成分相同，使得两层薄膜除具备良好的阶梯折射率之外，同时两层薄膜之间界面更匹配，减少了膜层界面之间的间隙，高了封装膜的稳定性。
本发明一优选实施例中，如图1和图2所示，封装薄膜包括依次层叠的3层无机薄膜；其中，第1层无机薄膜为MgF2纳米棒膜(折射率为1.3)，第2层无机薄膜为H-SiO2膜(即空心二氧化硅纳米粒子膜，折射率约为1.35)，第3层无机薄膜为SiO2膜(即实心二氧化硅纳米粒子膜折射率约为1.4，与第2层折射率差为0.05)。该封装薄膜从MgF2纳米棒膜到SiO2膜的折射率n依次增大，因此，当用于封装光电器件时，可减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射，从而增加光的导出。
进一步地，在本发明实施例提供的所述封装薄膜，所述第N层无机薄膜被修饰剂进行表面疏水修饰处理。由于该封装薄膜表面的第N层无机薄膜经过表面疏水修饰，从而提高了封装薄膜的自清洁能力，减少了灰尘对出光的散射和水分的渗透。该修饰剂优选为六甲基二硅胺烷(HMDS)。
进一步地，在本发明实施例提供的所述封装薄膜，所述封装薄膜中的每层无机薄膜的厚度分别独立为50-150nm。即第1层无机薄膜的厚度可以为50-150nm，第2层无机薄膜的厚度可以为50-150nm，第3层无机薄膜的厚度可以为50-150nm，依次类推。
另一方面，本发明实施例还提供了一种封装薄膜的制备方法，包括如下步骤：
S01：提供基板；
S02：在所述基板上制备封装薄膜；
其中，所述封装薄膜包括依次层叠的N层无机薄膜，所述N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，且所述第1层无机薄膜与所述基板相邻，N为等于或大于2的整数。
本发明实施例提供的封装薄膜的制备方法工，工艺简单易行，通过在基板上先后依次制备层叠的N层无机薄膜，从而得到封装薄膜；该制备方法得到的封装薄膜用于封装光电器件时，可以在有效防止空气中的水氧进入器件内部的前提下，同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射，可以提高器件的发光效率和使用寿命。
具体地，所述基板上制备光电器件，即封装薄膜直接制备在光电器件上。该光电器件可以是量子点发光二极管或有机发光二极管。进一步地，上述封装薄膜包括依次层叠的2-10层无机薄膜。上述封装薄膜的材料和厚度以及折射率的选择上文已详细阐述。
本发明实施的上述封装薄膜的制备方法中，各层无机薄膜可以采用真空镀膜或溶液法制备。具体地，以本图2中的封装薄膜的结构为例，三层结构的折射率从小到大分别采用真空镀膜及打印的方法制备成膜，既保证各层膜界面的明锐，又要提高膜层之间的结合力，第1层无机薄膜采用真空镀膜的方法制备MgF2纳米棒膜，或者采用溶液法先制备MgF2棒状溶液然后以打印方式制备MgF2纳米棒膜；第2层无机薄膜和第3层无机薄膜均采用溶液法制备，即先制备实心氧化硅粒子溶胶和空心氧化硅粒子溶胶，然后采用打印或者提拉的方法制备相应的薄膜。
具体地，其中第1层无机薄膜即MgF2纳米棒膜厚度约为50-150nm之间，真空镀膜方法包括射频磁控溅射的方法，溅射气压为1-1.5Pa，溅射功率为80-300W。第2层无机薄膜和第3层无机薄膜厚度均为50-150nm之间。
最后，在所述基板上制备封装薄膜之后，还包括如下步骤：将所述封装薄膜置于修饰剂气氛中，进行表面疏水修饰处理。通过对封装薄膜进行表面疏水处理，既提高了薄膜的疏水性，又能够让封装薄膜保持一个自清洁状态，减少灰尘对于出光的散射。修饰剂优选为六甲基二硅氮烷，具体过程为，将封装薄膜置于六甲基二硅氮烷气氛中，在50℃条件下修饰48h，自然冷却至室温。
最后，本发明实施了还提供一种发光显示装置，如图2所示，包括光电器件和设置在所述光电器件上的封装层，所述封装层为本发明实施例所述的封装薄膜或本发明实施例所述的制备方法得到的封装薄膜。
本发明实施例提供的发光显示装置用本发明实施例特有的封装薄膜作为封装层进行封装，因此，该发光装置不仅可以有效防止空气中的水氧进入器件内部，同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射，因此具有很好的发光效率和使用寿命。
在一优选实施例中，如图3所示，该发光显示装置，依次包括衬底、底电极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(R、G、B)、电子传输层(ETL)、顶电极以及封装层。
其中，所述的底电极采用磁控溅射Al电极和ITO薄膜，Al/ITO电极厚度约为30-50nm；其中一个实施例为：在Al/ITO衬底上制备空穴注入材料PEDOT：PSS，厚度约为30-40nm和空穴传输材料poly-TPD,厚度约为30-50nm后，再制备一层发光层，发光层厚度为30-60nm。发光层退火后，再在发光层上制备电子传输层ZnO，电子传输层厚度约为50-150nm及顶电极Ag/Mg合金，蒸镀厚度为30-50nm，蒸镀速度为0.1-0.3nm/s。
本发明实施例中所述的空穴可以是但不限于PEDOT：PSS。本发明实施例中所述的空穴传输材料可以但不限于是poly-TPD，TFB等有机传输材料及NiO,MoO3等无机传输材料及其复合物。本发明实施例中所述的发光层(R、G、B)材料可以但是不限于核壳量子点、基于渐变壳的量子点、磷光或者萤光发光材料。本发明实施例中所述的电子传输层可以但是不限于ZnO，Cs2CO3等无机材料或者Alq3等有机传输材料。
本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
实施例1
本实施例提供一种电子装置。其包括衬底，结合于所述衬底上的QLED电子元件和用于封装所述QLED电子元件的封装薄膜。所述电子装置的结构为：Al+ITO衬底(50nm)/PEDOT：PSS(50nm)/poly-TPD(30nm)/量子点发光层(20nm)/ZnO(30nm)/Mg-Ag合金(50nm)/封装层(300mm)。
在AL+ITO衬底上按照本实施例QLED结构依次形成各层，从而形成QLED；
其中，所述封装层的材料为MgF2薄膜/H-SiO2薄膜/SiO2薄膜，所述MgF2膜厚度为100nm，采用射频磁控溅射的方法制备，本底真空为1*10-4Pa,溅射压强为0.8Pa溅射功率为80W，溅射时间为180s，溅射厚度为100nm，所述H-SiO2薄膜和SiO2薄膜均采用溶液法制备溶胶，然后在进行打印成膜。
实心SiO2溶液的制备：2.02mL氨水(NH3·H2O,28％)加入65.5mL无水乙醇(EtOH,99.9％)，30℃水浴搅拌，逐滴加入6.67mL正硅酸乙酯(TEOS,99％)中，反应6h后陈化4d，除氨稀释SiO2，质量分数为1wt％，得到相应的实心SiO2溶液；
空心SiO2溶液的制备：0.12g聚丙烯酸(PAA,Mw≈5000,30wt％)溶于6mL NH3·H2O中，再加入120mL EtOH混合搅拌均匀，每隔10min逐滴加入0.36mL TEOS，共滴加5次，剧烈搅拌10h后除氨，调整H-SiO2质量分数为2wt％，得到相应的H-SiO2溶液；
添加一定量的溶剂(正辛烷)，表面活性剂，粘接剂等制备成为墨水，通过打印滴数控制相应膜层厚度，打印滴数为15滴制备得到H-SiO2薄膜/SiO2薄膜，厚度均为100nm。
将三层封装膜制备完成之后，将封装薄膜置于六甲基二硅氮烷(HMDS)气氛中，在50℃条件下修饰48h，自然冷却至室温，即完成封装层制备。
实施例2
本实施例提供一种电子装置。其包括衬底，结合于所述衬底上的QLED电子元件和用于封装所述QLED电子元件的封装薄膜。所述电子装置的结构为：Al+ITO衬底(50nm)/PEDOT：PSS(50nm)/poly-TPD(30nm)/量子点发光层(20nm)/ZnO(30nm)/Mg-Ag合金(50nm)/封装层(300nm)。在AL+ITO衬底上按照本实施例QLED结构依次形成各层，从而形成QLED；
其中，所述封装层的材料为MgF2薄膜/H-TiO2薄膜/TiO2薄膜，所述MgF2膜厚度为100nm，采用射频磁控溅射的方法制备，本底真空为1*10-4Pa,溅射压强为0.8Pa溅射功率为80W，溅射时间为180s，溅射厚度为100nm；所述H-TiO2薄膜和TiO2薄膜均采用溶液法制备溶胶，然后在进行打印成膜。
实心TiO2溶液的制备：1.7mL氨水(NH3·H2O,28％)加入40mL无水乙醇(EtOH,99.9％)，50℃水浴搅拌，逐滴加入5.7mL钛酸丁酯中，反应4h后陈化4d，除氨稀释TiO2，质量分数为2wt％，得到相应的实心TiO2溶液；
空心TiO2溶液的制备：0.2g聚丙烯酸(PAA,Mw≈5000,30wt％)溶于8mLNH3·H2O中，再加入100mL EtOH混合搅拌均匀，每隔10min逐滴加入0.5mL钛酸丁酯,共滴加5次，剧烈搅拌10h后除氨，调整H-TiO2质量分数为3wt％，得到相应的H-TiO2溶液；
添加一定量的溶剂(水)，表面活性剂，粘接剂等制备成为墨水，通过打印滴数控制相应膜层厚度，打印滴数为15滴制备得到H-TiO2薄膜/TiO2薄膜，厚度均为100nm；
将三层封装膜制备完成之后，将封装薄膜置于六甲基二硅氮烷(HMDS)气氛中，在50℃条件下修饰48h，自然冷却至室温，即完成封装层制备。
实施例3
本实施例提供一种电子装置。其包括衬底，结合于所述衬底上的QLED电子元件和用于封装所述QLED电子元件的封装薄膜。所述电子装置的结构为：Al+ITO衬底(50nm)/PEDOT：PSS(50nm)/poly-TPD(30nm)/量子点发光层(20nm)/ZnO(30nm)/Mg-Ag合金(50nm)/封装层(210nm)。在AL+ITO衬底上按照本实施例QLED结构依次形成各层，从而形成QLED；
其中，所述封装薄膜的材料为MgF2薄膜/H-SiO2薄膜/SiO2薄膜，所述MgF2膜厚度为50nm，
空心棒状MgF2溶胶的制备：1.73g四水合乙酸镁(Mg(CH3COO)2·4H2O,99％)溶于38g无水甲醇(CH3OH,99.9％)中，缓慢滴加由9.3gCH3OH稀释的0.645g氟酸(HF,40wt％)溶液，常温反应30min后，240℃烘箱反应24h，制得MgF2溶液，
添加一定量的溶剂(乙醇)，表面活性剂，粘接剂等制备成为MgF2墨水，通过打印滴数控制相应膜层厚度，打印滴数为7滴时，MgF2薄膜约为50nm厚度；
实心SiO2溶液的制备：2.02mL氨水(NH3·H2O,28％)加入65.5mL无水乙醇(EtOH,99.9％),30℃水浴搅拌,逐滴加入6.67mL正硅酸乙酯(TEOS,99％)中，反应6h后陈化4d，除氨稀释SiO，质量分数为1wt％，得到相应的实心SiO2溶液；
空心SiO2溶液的制备：0.12g聚丙烯酸(PAA,Mw≈5000,30wt％)溶于6mL NH3·H2O中，再加入120mL EtOH混合搅拌均匀，每隔10min逐滴加入0.36mL TEOS，共滴加5次，剧烈搅拌10h后除氨，调整H-SiO2质量分数为2wt％，得到相应的H-SiO2溶液；
添加一定量的溶剂(水)，表面活性剂，粘接剂等制备成为墨水，通过打印滴数控制相应膜层厚度，打印滴数为12滴制备得到H-TiO2薄膜/TiO2薄膜，厚度均为80nm。
将三层封装膜制备完成之后，将封装薄膜置于六甲基二硅氮烷(HMDS)气氛中，在50℃条件下修饰48h，自然冷却至室温，即完成封装层制备。
总之，本发明实施例的装层薄膜结构的多层无机薄膜形成良好的覆盖阶梯，壳减少膜层的缺陷，能够较好的阻隔水氧对器件的渗透，同时通过梯度折射率多层膜的封装薄膜制备，针对顶发光器件提高了可见光的透过率；并且针对封装薄膜的表面进行疏水处理，使得封装薄膜具备自清洁能力和隔绝水氧能力。另外，相对于传统的盖板封装，此种封装薄膜具备轻、薄、高效等特点，又克服了玻璃易碎的缺陷，可最大程度延长光电器件的使用寿命，从而使得自发光显示技术得到更广泛的应用。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种封装薄膜，其特征在于，所述封装薄膜由依次层叠的N层无机薄膜组成，所述N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，且所述封装薄膜用于封装光电器件时，所述第1层无机薄膜与所述光电器件的顶电极相邻；其中，N为等于或大于2的整数。
2.如权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述封装薄膜包括依次层叠的2-10层无机薄膜；和/或
所述第1层无机薄膜与所述光电器件的顶电极的折射率之差的绝对值≤0.3；和/或，
所述第N层无机薄膜与第N-1层无机薄膜的折射率之差的范围为0.05-1.0。
3.如权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述第1层无机薄膜的材料选自氟化镁纳米材料；和/或，
所述封装薄膜中的第2层无机薄膜到第N层无机薄膜的材料分别独立选自氧化钛纳米材料、氧化锆纳米材料、氧化锌纳米材料和氧化硅纳米材料中的至少一种。
4.如权利要求1-3任一项所述的封装薄膜，其特征在于，所述封装薄膜包括依次层叠的3层无机薄膜；其中，第1层无机薄膜的材料为氟化镁纳米棒，第2层无机薄膜的材料为空心纳米粒子，第3层无机薄膜的材料为实心纳米粒子。
5.如权利要求4所述的封装薄膜，其特征在于，所述空心纳米粒子和所述实心纳米粒子的化学成分相同。
6.如权利要求1-3任一项所述的封装薄膜，其特征在于，所述第N层无机薄膜被修饰剂进行表面疏水修饰处理；和/或，
所述封装薄膜中的每层无机薄膜的厚度分别独立为50-150nm。
7.一种封装薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供具有光电器件的基板；
在所述基板上的所述光电器件上制备封装薄膜；
其中，所述封装薄膜由依次层叠的N层无机薄膜组成，所述N层无机薄膜中，从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大，且所述第1层无机薄膜与所述基板上的所述光电器件相邻，N为等于或大于2的整数。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述封装薄膜包括依次层叠的2-10层无机薄膜；和/或，
所述第1层无机薄膜与所述光电器件的顶电极的折射率之差的绝对值≤0.3；和/或，
所述第1层无机薄膜的材料选自氟化镁纳米材料；和/或，
所述封装薄膜中的第2层无机薄膜到第N层无机薄膜的材料分别独立选自氧化钛纳米材料、氧化锆纳米材料、氧化锌纳米材料和氧化硅纳米材料中的至少一种；和/或，
所述封装薄膜包括依次层叠的3层无机薄膜；其中，第1层无机薄膜的材料为氟化镁纳米棒，第2层无机薄膜的材料为空心纳米粒子，第3层无机薄膜的材料为实心纳米粒子。
9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述基板上制备封装薄膜之后，还包括如下步骤：将所述封装薄膜置于修饰剂气氛中，进行表面疏水修饰处理。
10.一种发光显示装置，包括光电器件和设置在所述光电器件上的封装层，其特征在于，所述封装层为权利要求1-6任一项所述的封装薄膜或权利要求7-9任一项所述的制备方法得到的封装薄膜。
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