KR20130068885A - 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법 및 장치 - Google Patents

발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 측에서 따른 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 장치는, 리플렉터 물질이 균일하게 주입될 수 있는 주입기를 포함함으로써 리플렉터를 균일하게 성형할 수 있다. 즉, 복수개의 리플렉터를 동시에 형성하는 경우 주입기 내의 압력 차이를 이용함으로써 리플렉터의 형상, 높이 등을 균일하게 형성할 수 있으며, 리플렉터의 미성형 또는 불량율을 감소시킬 수 있다.

Description

발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법 및 장치{METHOD AND DEVICE FOR FORMING REFLECTOR IN LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법 및 장치가 개시된다. 더욱 상세하게는, 리플렉터의 균일한 성형이 가능하고 리플렉터의 높이를 조절하여 원하는 지향각을 확보할 수 있는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법 및 장치가 개시된다.
발광소자(Light Emitting Device, LED)는 전류가 흐를 때 빛을 내는 반도체 발광장치이다. 발광소자는 긴 수명, 낮은 소비전력, 빠른 응답속도 및 우수한 초기 구동특성 등으로 인해 조명 장치, 자동차의 헤드라이트와 실내등, 전광판, 디스플레이 장치의 백라이트 등에 널리 적용되고 있으며, 그 적용 분야가 점차 확대되고 있다.
최근에는 발광소자가 다양한 색의 광원으로 사용되고 있다. 조명용의 백색 발광소자 등 고출력, 고휘도 발광소자에 대한 수요가 증가함에 따라, 발광소자 패키지의 성능과 신뢰성을 향상시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 발광소자 제품의 성능을 높이기 위해서는, 우수한 광효율을 갖는 발광소자 자체와 함께, 광을 효율적으로 추출하고 색순도가 우수하며 제품들 간의 특성이 균일한 발광소자 패키지가 동시에 확보되어야 한다.
발광소자 패키지를 PCB 위에 실장하여 모듈화하는 구조는 발광소자 모듈의 소형화에 한계가 있으며, 2번 이상의 실장 공정에서 불량율이 다수 발생하여 발광소자 모듈의 가격을 떨어뜨리기 어렵게 하는 요소로 작용한다. 또한, 발광소자 자체의 휘도 및 파장 편차, 리드 프레임 등의 기구물 제작 공차, 형광체 도포 및 렌즈 성형 등의 공정 공차 등에 의해 발광소자 패키지의 휘도 및 색의 편차가 발생할 수 있다.
또한, 발광소자 패키지에서 발광소자 칩을 보호하기 위해 리플렉터(reflector)를 형성할 수 있다. 리플렉터는, 가시광 영역에서 반사율이 우수하며, 유동성이 있는 재료를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)과 같이 수평방향으로 주입하여 형성할 수 있다. 다만, 리드 프레임의 크기가 대형화되어 복수개의 리플렉터를 형성하는 경우, 유동성 재료가 수평 방향으로 주입되는 시작점과 끝점의 거리가 멀어 끝점으로 갈수록 리플렉터가 미성형되거나 불량율이 발생할 가능성이 크다.
리플렉터의 균일한 성형이 가능하고 리플렉터의 높이를 조절하여 원하는 지향각을 확보할 수 있는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법 및 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 장치는, 리플렉터 물질이 저장된 저장부에서 배출되는 상기 리플렉터 물질을 리드 프레임 상에 분사하는 주입기, 상기 주입기의 하부에 배치되며, 패턴이 형성된 상부 금형, 및 상기 리드 프레임을 지지하는 하부 금형을 포함한다.
본 발명의 일 측에 따르면, 상기 주입기는, 상기 저장부에서 배출되는 상기 리플렉터 물질이 이동되는 주입관, 및 상기 주입관과 연결되며 상기 리플렉터 물질을 상기 리드 프레임 상으로 배출하는 주입홀을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측에 따르면, 상기 주입관은 상기 리플렉터 물질이 주입되는 위치에서 멀어질수록 직경이 작아질 수 있다.
본 발명의 일 측에 따르면, 상기 주입홀은 복수개이며, 상기 주입홀들은 상기 주입관 내에서 동일선 상에 위치할 수 있다.
본 발명의 일 측에 따르면, 상기 주입기와 상기 상부 금형이 일체로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법은, 리플렉터 물질이 저장된 저장부 및 상기 저장부로부터 배출되는 상기 리플렉터 물질을 분사하는 주입기를 준비하는 단계, 상기 주입기의 하부에 배치되며, 패턴이 형성된 상부 금형을 준비하는 단계, 상기 리플렉터 물질이 분사되는 리드 프레임 및 상기 리드 프레임을 지지하는 하부 금형을 준비하는 단계, 상기 주입기를 통해 상기 리플렉터 물질을 상기 리드 프레임 상에 분사하는 단계, 및 상기 상부 금형 및 상기 하부 금형을 가압하여 제1 리플렉터를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 측에 따르면, 상기 주입기는, 상기 저장부에서 배출되는 상기 리플렉터 물질이 이동되는 주입관, 및 상기 주입관과 연결되며 상기 리플렉터 물질을 상기 리드 프레임 상으로 배출하는 주입홀을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측에 따르면, 상기 주입관은 상기 리플렉터 물질이 주입되는 위치에서 멀어질수록 직경이 작아질 수 있다.
본 발명의 일 측에 따르면, 상기 주입홀은 복수개이며, 상기 주입홀들은 상기 주입관 내에서 동일선 상에 위치할 수 있다.
본 발명의 일 측에 따르면, 상기 제1 리플렉터 상에 제2 리플렉터를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측에 따르면, 상기 주입기를 세척하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측에 따르면, 상기 제1 리플렉터 및 상기 제2 리플렉터는 투명한 재질의 물질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 측에 따르면, 상기 제1 리플렉터 및 상기 제2 리플렉터는 상이한 물질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 측에서 따른 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 장치는, 리플렉터 물질이 균일하게 주입될 수 있는 주입기를 포함함으로써 리플렉터를 균일하게 성형할 수 있다. 즉, 복수개의 리플렉터를 동시에 형성하는 경우 주입기 내의 압력 차이를 이용함으로써 리플렉터의 형상, 높이 등을 균일하게 형성할 수 있으며, 리플렉터의 미성형 또는 불량율을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 측에 따른 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 장치에서 주입기를 확대하여 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 장치에서 주입기의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 일 측에 따른 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 측에 따른 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법을 나타내는 도면이다.
본 발명의 설명에 있어서, 각 층, 부 또는 면 등이 각 층, 부 또는 면 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
이하에서는 하기의 도면을 참조하여 본 발명에 따른 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법 및 장치를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 측에 따른 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 장치를 나타내는 도면이다.
본 발명의 일 측에 따른 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 장치는, 주입기(300), 상부 금형(210), 하부 금형(220)을 포함한다.
주입기(300)는 저장부(100)로부터 이송된 리플렉터 물질(500)을 리드 프레임(400) 상에 분사한다. 즉, 주입기(300)를 통해 유동성 물질인 리플렉터 물질(500)이 리드 프레임(400) 상으로 배출된다.
주입기(300)는 주입관(310) 및 주입홀(320)을 포함한다. 주입관(310)은 저장부(100)에서 배출되는 리플렉터 물질(500)이 이동되는 통로 역할을 한다. 주입관(310)은 리플렉터 물질(500)이 주입되는 위치로부터 멀어질수록 직경이 작아질 수 있다. 일 예로, 도 2에서와 같이, 주입관(310)은 테이퍼(taper) 형상일 수 있다. 즉, 리플렉터 물질(500)이 주입관(310)의 일측에서 주입되는 경우, 리플렉터 물질(500)의 주입이 시작되는 지점에서는 직경이 크며, 주입관(310)의 타측으로 갈수록 직경이 작을 수 있다.
결국, 리플렉터 물질(500)의 주입이 시작되는 지점에서는 직경이 커서 압력이 낮으며, 리플렉터 물질(500)의 주입이 시작되는 지점으로부터 가장 멀리 떨어진 지점에서는 직경이 작아서 압력이 상대적으로 높기 때문에 리플렉터 물질(500)이 균일하게 리드 프레임(400) 상으로 배출될 수 있다.
또한, 도 3에서와 같이, 리플렉터 물질(500)이 주입관(310)의 중앙부에서 주입되는 경우, 리플렉터 물질(500)의 주입이 시작되는 중앙부에서는 직경이 크며, 주입관(310)의 양쪽 말단으로 갈수록 직경이 작을 수 있다. 결국, 주입관(310)의 중앙부에서는 직경이 커서 압력이 낮으며, 주입관(310)의 양쪽 말단은 직경이 작아서 압력이 상대적으로 높기 때문에 리플렉터 물질(500)이 균일하게 리드 프레임(400) 상으로 배출될 수 있다.
이와 같이 주입관(310) 내부의 압력 차이를 이용한 경우, 주입관(310)의 형상은 상기의 예에 제한되지 않으며, 다양한 형상으로 변경될 수 있다. 또한, 하기의 주입홀(320)의 위치에 따라 주입관(310)의 형상이 달라질 수 있다.
따라서, 주입관(310)의 형상을 달리하고 주입관(310) 내부의 압력 차이를 이용함으로써 리플렉터 물질(500)이 리드 프레임(400) 상으로 균일하게 배출되어, 리플렉터의 미성형 및 불량율을 감소시킬 수 있다.
주입홀(320)은 주입관(310)과 연결되며, 리플렉터 물질(500)을 리드 프레임(400) 상으로 배출하는 역할을 한다.
주입홀(320)은 주입관(310) 내에서 동일선 상에 위치할 수 있다. 즉, 도 2 및 도 3에서와 같이, 리플렉터 물질(500)의 주입이 시작되는 지점으로부터 멀어질수록, 주입관(310) 내부에 위치되는 주입홀(320)의 일부분이 주입관(310) 외부에 위치되는 주입홀(320)의 일부분보다 더 적을 수 있다. 주입홀(320) 중 주입관(310) 내부에 들어와 있는 영역이 리플렉터 물질(500)의 주입이 시작되는 지점으로부터 멀어질수록 더 적은 비중을 차지한다.
이로 인해, 리플렉터 물질(500)의 주입이 시작되는 지점에서는 압력이 낮고 주입홀(320)이 주입관(310)의 내부에 더 많이 들어와 있으며, 리플렉터 물질(500)의 주입이 시작되는 지점에서 가장 멀리 떨어진 영역에서는 압력이 높고 주입홀(320)이 주입관(310)의 내부에 더 적게 들어와 있기 때문에, 리플렉터 물질(500)을 리드 프레임(400) 상으로 균일하게 배출할 수 있다.
결국, 복수개의 리플렉터를 동시에 형성하는 경우, 주입관 및 주입홀에 따른 주입기 내의 압력 차이를 이용함으로써 리플렉터의 형상, 높이 등을 균일하게 형성할 수 있으며, 리플렉터의 미성형 또는 불량율을 감소시킬 수 있다.
상부 금형(210)은 주입기(300)의 하부에 배치되며, 상부 금형(210)에는 패턴이 형성되어 있다. 상부 금형(210)의 패턴 사이에 주입홀(320)이 배치되며, 하부 금형(220)은 리드 프레임(400)을 지지한다. 주입홀(320)을 통해 리드 프레임(400) 상으로 배출된 리플렉터 물질(500)을 상부 금형(210)과 하부 금형(220)으로 가압한 후 경화시켜 리플렉터를 형성한다. 또한, 주입기(300)와 상부 금형(210)은 일체로 형성될 수 있다.
이하에서는 상기의 장치를 이용하여 리플렉터를 형성하는 방법에 대해 상세하게 설명하기로 한다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 측에 따른 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 4a 내지 도 4d를 참조하면, 본 발명의 일 측에 따른 발광소자 패키지에서 리플렉터를 제조하는 방법은, 리플렉터 물질(500)이 저장된 저장부(100) 및 저장부(100)로부터 배출되는 리플렉터 물질(500)을 분사하는 주입기(300)를 준비하는 단계, 주입기(300)의 하부에 배치되며, 패턴이 형성된 상부 금형(210)을 준비하는 단계, 리플렉터 물질(500)이 분사되는 리드 프레임(400) 및 리드 프레임(400)을 지지하는 하부 금형(220)을 준비하는 단계, 주입기(300)를 통해 리플렉터 물질(500)을 리드 프레임(400) 상에 분사하는 단계, 그리고 상부 금형(210) 및 하부 금형(220)을 가압하여 제1 리플렉터(510)를 형성하는 단계를 포함한다.
먼저, 리플렉터 물질(500)이 저장된 저장부(100) 및 리플렉터를 형성하기 위한 리드 프레임(400)을 준비한다. 또한, 주입기(300), 상부 금형(210) 및 하부 금형(220)을 포함하는 상기의 장치를 준비한다. 이후, 저장부(100)로부터 리플렉터 물질(500)을 배출하여 주입기(300)의 주입관(310)으로 주입한다.
주입관(310)에 주입된 리플렉터 물질(500)은 주입홀(320)을 통해 리드 프레임(400) 상으로 배출된다. 이때, 주입관(310)은 리플렉터 물질(500)이 주입되는 위치에서 멀어질수록 직경이 작아질 수 있다. 리플렉터 물질(500)의 주입이 시작되는 지점에서는 직경이 커서 압력이 낮으며, 리플렉터 물질(500)의 주입이 시작되는 지점 가장 멀리 떨어진 지점에서는 직경이 작아서 압력이 상대적으로 높기 때문에 리플렉터 물질(500)이 균일하게 리드 프레임(400) 상으로 배출될 수 있다.
또한, 주입홀(320)은 주입관(310) 내에서 동일선 상에 위치할 수 있다. 즉, 리플렉터 물질(500)의 주입이 시작되는 지점으로부터 멀어질수록, 주입관(310) 내부에 위치되는 주입홀(320)의 영역이 주입관(310) 외부에 위치되는 주입홀(320)의 영역보다 더 적을 수 있다.
이로 인해, 리플렉터 물질(500)의 주입이 시작되는 지점에서는 압력이 낮고 주입홀(320)이 주입관(310)의 내부에 더 많이 들어와 있으며, 리플렉터 물질(500)의 주입이 시작되는 지점에서 가장 멀리 떨어진 영역에서는 압력이 높고 주입홀(320)이 주입관(310)의 내부에 더 적게 들어와 있기 때문에, 리플렉터 물질(500)을 리드 프레임(400) 상으로 균일하게 배출할 수 있다.
상기에 설명한 바와 같이, 주입관(310) 내부의 압력 차이를 이용하고, 주입홀(320)이 동일선 상에 위치함으로써 리플렉터 물질(500)을 리드 프레임(400) 상으로 균일하게 배출할 수 있다.
리드 프레임(400) 상으로 배출된 리플렉터 물질(500)을 상부 금형(210) 및 하부 금형(220)으로 가압한 후 경화하여 제1 리플렉터(510)를 형성할 수 있다. 제1 리플렉터(510)는 실리콘(silicone), 유기변성 실리콘이나, EMC(Epoxy Mold Compound) 또는 백색 에폭시 등과 같은 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
또한, 광에 대한 반사율을 높이기 위하여, 제1 리플렉터(510)는 상술한 물질들에 이산화티타늄(TiO2)이나 반사성 충진제를 포함할 수 있다. 반사성 충진제로는 실리카(SiO2), 알루미나, 알루미늄 카바이드(Al-C) 및 유리 섬유 등이 있을 수 있다.
본 발명의 일 측에서는, 제1 리플렉터(510)의 높이를 낮게 형성하여 지향각을 넓힐 수 있다. 즉, 어플리케이션에 따라 원하는 지향각이 넓은 경우, 상기와 같은 장치를 이용하여 제1 리플렉터(510)의 높이를 낮게 형성할 수 있다.
또한, 필요에 따라 제1 리플렉터(510) 상에 제2 리플렉터(520)를 더 형성할 수 있으며, 제2 리플렉터(520)는 투명한 물질로 형성되어 넓은 지향각을 유지할 수 있다. 제1 리플렉터(510) 및 제2 리플렉터(520)는 투명한 재질의 물질로 형성될 수 있다. 반면, 제1 리플렉터(510) 및 제2 리플렉터(520)는 상이한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 제2 리플렉터(520)는 반투명 또는 불투명 재질의 물질로 형성되어, 지향각을 좁힐 수도 있다. 반투명 또는 불투명 재질의 물질로는, 반투명 에폭시, 검정색 에폭시(Black Epoxy), 우레탄, 아크릴 등이 있을 수 있다.
제2 리플렉터(520)가 반투명, 특히, 검정색과 같이 불투명 재질의 물질로 형성될 경우, 발광소자 패키지에서 명암비(contrast)가 높아져 선명한 컬러의 광을 구현할 수 있다. 예를 들어, 청색(Blue), 녹색(Green) 및 적색(Red)의 광을 발생하는 발광소자 칩으로 이루어진 발광소자 패키지를 전광판에 이용할 경우, 제2 리플렉터(520)가 반투명 또는 불투명 재질이면 백색 재질에 비해 전광판의 명암비(contrast)가 높아진다. 이는 발광소자 칩이 모두 오프(off) 상태인 경우, 그 효과가 두드러진다. 이와 같이, 제1 리플렉터(510) 및 제2 리플렉터(520)의 재질은 어플리케이션의 사양에 따라 달라질 수 있다.
도 5a 내지 도 5d를 참조하여, 제1 리플렉터(510)가 형성된 후 제2 리플렉터(520)가 형성되는 과정을 간단히 설명하면 하기와 같다.
리드 프레임(400) 상에 성형된 제1 리플렉터(510)를 하부 금형(220)에 배치한다. 이후, 주입기(300)를 통해 리플렉터 물질을 분사하고, 상부 금형(210) 및 하부 금형(220)으로 가열한 후, 경화하여 제2 리플렉터(520)를 제조한다.
이때, 제2 리플렉터(520)를 형성하기 전에, 주입기(300)를 세척할 수 있다. 즉, 제1 리플렉터(510) 형성시 주입관(310) 및 주입홀(320)에 남아있는 리플렉터 물질을 제거하기 위해 세척과정을 거칠 수 있다. 이러한 세척 과정에서 필요한 경우 리플렉터 물질을 제거하기 위한 이형제 등을 사용할 수 있다.
나아가, 주입기(300) 상부에 온도 컨트롤러(temperature controler)(미도시)를 배치함으로써, 리플렉터 물질(500)이 주입관(310) 및 주입홀(320)을 통해 원활하게 흐를 수 있도록 온도를 조절할 수 있다. 즉, 리플렉터 물질은 유동성 물질이므로, 온도에 따라 유속이 달라질 수 있기 때문에, 주입기 상부 등에 배치된 온도 컨트롤러를 통해 흐름을 원활하게 할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 저장부 210 : 상부 금형
220 : 하부 금형 300 : 주입기
310 : 주입관 320 : 주입홀
400 : 리드 프레임 500 : 리플렉터 물질
510 : 제1 리플렉터 520 : 제2 리플렉터

Claims (13)

  1. 리플렉터 물질이 저장된 저장부에서 배출되는 상기 리플렉터 물질을 리드 프레임 상에 분사하는 주입기;
    상기 주입기의 하부에 배치되며, 패턴이 형성된 상부 금형; 및
    상기 리드 프레임을 지지하는 하부 금형;
    을 포함하는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 주입기는,
    상기 저장부에서 배출되는 상기 리플렉터 물질이 이동되는 주입관; 및
    상기 주입관과 연결되며 상기 리플렉터 물질을 상기 리드 프레임 상으로 배출하는 주입홀을 포함하는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 주입관은 상기 리플렉터 물질이 주입되는 위치에서 멀어질수록 직경이 작아지는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 주입홀은 복수개이며, 상기 주입홀들은 상기 주입관 내에서 동일선 상에 위치하는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 주입기와 상기 상부 금형이 일체로 형성된 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 장치.
  6. 리플렉터 물질이 저장된 저장부 및 상기 저장부로부터 배출되는 상기 리플렉터 물질을 분사하는 주입기를 준비하는 단계;
    상기 주입기의 하부에 배치되며, 패턴이 형성된 상부 금형을 준비하는 단계;
    상기 리플렉터 물질이 분사되는 리드 프레임 및 상기 리드 프레임을 지지하는 하부 금형을 준비하는 단계;
    상기 주입기를 통해 상기 리플렉터 물질을 상기 리드 프레임 상에 분사하는 단계; 및
    상기 상부 금형 및 상기 하부 금형을 가압하여 제1 리플렉터를 형성하는 단계;
    를 포함하는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 주입기는,
    상기 저장부에서 배출되는 상기 리플렉터 물질이 이동되는 주입관; 및
    상기 주입관과 연결되며 상기 리플렉터 물질을 상기 리드 프레임 상으로 배출하는 주입홀을 포함하는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 주입관은 상기 리플렉터 물질이 주입되는 위치에서 멀어질수록 직경이 작아지는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 주입홀은 복수개이며, 상기 주입홀들은 상기 주입관 내에서 동일선 상에 위치하는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제1 리플렉터 상에 제2 리플렉터를 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 주입기를 세척하는 단계를 더 포함하는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 리플렉터 및 상기 제2 리플렉터는 투명한 재질의 물질로 형성되는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 리플렉터 및 상기 제2 리플렉터는 상이한 물질로 형성되는 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법.
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