KR20130061183A

KR20130061183A - 세라믹스 소결체의 제조방법, 세라믹스 소결체 및 세라믹스 히터

Info

Publication number: KR20130061183A
Application number: KR1020137010379A
Authority: KR
Inventors: 사토시 히라노; 도시히로 다치카와; 준이치 미야하라; 도시히코 하나마치
Original assignee: 니혼 하츠쵸 가부시키가이샤
Priority date: 2010-10-29
Filing date: 2011-10-24
Publication date: 2013-06-10
Also published as: US20130200067A1; TWI466847B; JP2012096948A; CN103180268A; KR101462123B1; CN103180268B; JP5341049B2; TW201223915A; US10462850B2; WO2012057091A1

Abstract

소결할 때 내부에 매설된 내열성 금속재료의 탄화를 억제하여, 내열성 금속재료의 도전성의 저하를 방지하는 세라믹스 소결체의 제조방법, 세라믹스 소결체 및 세라믹스 히터를 제공한다.
본 발명의 세라믹스 소결체는, 내열성 금속재료로 이루어지는 히터선(2)과, 히터선(2)의 표면에 형성되며, 금속탄화물의 표준생성 자유에너지가 히터선(2)을 형성하는 재료보다도 작은 금속재료로 이루어지는 금속 피막과, 금속 피막이 형성된 히터선(2)을 세라믹스 기체의 원재료인 분체 내의 소정의 위치에 배설하고, 가압 성형된 세라믹스 성형체를 구비하는 프리세라믹스를 소결하여 형성되며, 상기 소결시에 금속 피막이 탄화되어 금속탄화물 피막(4)이 형성되어 있다.

Description

세라믹스 소결체의 제조방법, 세라믹스 소결체 및 세라믹스 히터{METHOD FOR PRODUCING CERAMIC SINTERED BODY, CERAMIC SINTERED BODY, AND CERAMIC HEATER}

본 발명은, 세라믹스 소결체의 제조방법, 세라믹스 소결체 및 세라믹스 히터에 관한 것이다.

종래, 반도체의 제조 프로세스, 예를 들면, CVD나 에칭 등의 처리에 있어서, 웨이퍼를 가열하기 위해, 세라믹스로 이루어지는 히터 플레이트 내에 발열체를 매설한 세라믹스 히터가 사용되고 있다. 당해 세라믹스 히터는, 발열체로서, 내열성을 가지는 몰리브덴 등의 금속을 세라믹스 기체(基體) 내에 매설하여 성형한 후, 성형한 세라믹스 기체를 고온에서 가열 소결하고 있는데, 소결시에 매설 금속이 분말 중의 탄소분과 반응하여 탄화됨으로써, 불균일하게 도전성이 저하되어, 히터 플레이트에 온도분포가 생긴다고 하는 문제를 가지고 있었다.

이에 비하여, 세라믹스 기체에 매설하는 금속제의 발열체를, 같은 재료로 이루어지는 금속 부재로 비도통 상태에서 둘러싸고, 당해 발열체를 매설한 세라믹스 기체를 소성하여, 상기 금속 부재를 상기 발열체에 우선하여 탄화 또는 산화시킴으로써, 높은 균열성(均熱性)을 가지는 세라믹스 히터를 제공하는 기술이 개시되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).

일본 공개특허 2009-295960호 공보

그러나, 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 발열체를 금속 부재에 의해 비도통 상태에서 둘러싸는 데에 수고가 든다는 문제를 가진다.

본 발명은, 상기를 감안하여 이루어진 것이며, 소결시에 내부에 매설된 금속재료의 탄화를 억제 및 안정화하여, 금속의 도전성의 저하를 방지하는 세라믹스 소결체의 제조방법, 세라믹스 소결체 및 세라믹스 히터를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 세라믹스 소결체의 제조방법은, 내열성 금속재료의 표면에, 금속탄화물의 표준생성 자유에너지가 당해 내열성 금속재료보다 작은 금속재료로 이루어지는 금속 피막을 형성하는 피막형성 스텝과, 상기 피막형성 스텝에서 피막을 형성한 상기 내열성 금속재료를, 세라믹스 기체의 원재료인 분체 내의 소정의 위치에 배설하고, 가압 성형하여 세라믹스 성형체를 성형하는 성형 스텝과, 상기 성형 스텝에서 성형한 세라믹스 성형체를 소결하여 세라믹스 소결체를 생성하는 소결 스텝을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 세라믹스 소결체의 제조방법은, 상기 발명에 있어서, 상기 내열성 금속재료는, 몰리브덴 혹은 몰리브덴 합금, 또는 텅스텐 혹은 텅스텐 합금, 니오브 혹은 니오브 합금으로부터 선택되는 고융점 저열팽창 금속인 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 세라믹스 소결체의 제조방법은, 상기 발명에 있어서, 상기 금속 피막은, 티탄, 알루미늄, 탄탈 또는 지르코늄으로부터 형성되는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 세라믹스 소결체의 제조방법은, 상기 발명에 있어서, 상기 세라믹스 기체는, 질화 알루미늄, 질화규소 또는 산화 알루미늄인 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 세라믹스 소결체의 제조방법은, 상기 발명에 있어서, 상기 세라믹스 소결체의 소결 온도는, 1300∼2000℃인 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 세라믹스 소결체의 제조방법은, 상기 발명에 있어서, 상기 금속 피막의 두께는 0.10∼10.0㎛인 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 세라믹스 소결체는, 내열성 금속재료와, 상기 내열성 금속재료의 표면에 형성되며, 금속탄화물의 표준생성 자유에너지가 상기 내열성 금속재료보다도 작은 금속재료로 이루어지는 금속 피막과, 상기 금속 피막이 형성된 내열성 금속재료를 세라믹스 기체의 원재료인 분체 내의 소정의 위치에 배설하고, 가압 성형된 세라믹스 성형체를 구비하는 프리세라믹스를 소결하여 형성되며, 상기 소결시에 상기 금속 피막이 탄화되어 금속탄화물 피막이 형성되는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 세라믹스 소결체는, 상기 발명에 있어서, 상기 내열성 금속재료는, 몰리브덴 혹은 몰리브덴 합금, 또는 텅스텐 혹은 텅스텐 합금, 또는 니오브 혹은 니오브 합금으로부터 선택되는 고융점 저열팽창 금속인 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 세라믹스 소결체는, 상기 발명에 있어서, 상기 금속 피막은, 티탄, 알루미늄, 탄탈 또는 지르코늄으로부터 형성되는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 세라믹스 소결체는, 상기 발명에 있어서, 상기 세라믹스 기체는, 질화 알루미늄, 질화규소 또는 산화 알루미늄인 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 세라믹스 소결체는, 상기 발명에 있어서, 상기 세라믹스 소결체의 소결 온도는, 1300∼2000℃인 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 세라믹스 소결체는, 상기 발명에 있어서, 상기 금속 피막의 두께는 0.10∼10.0㎛인 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 세라믹스 히터는, 상기 중 어느 하나에 기재된 세라믹스 소결체를 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 내열성 금속재료에, 금속탄화물의 표준생성 자유에너지가 당해 내열성 금속재료보다 작은 금속재료로 이루어지는 금속 피막을 형성하고, 당해 금속 피막을 형성한 내열성 금속성 재료를 세라믹스 재료 내에 매설하여 가압 성형하고, 성형한 세라믹스 성형체를 소결함으로써, 당해 금속 피막이 세라믹스 중의 탄소와 우선적으로 반응하기 때문에, 내열성 금속재료의 탄화를 억제하여 도전성의 저하를 방지함과 함께, 상기 내열성 금속재료가 탄화된 경우이더라도, 그 탄화 반응을 안정화하여 내열성 금속재료의 도전성의 불균일화를 억제할 수 있다는 효과를 갖는다.

도 1은, 본 발명의 실시형태에 관련된 세라믹스 히터의 히터선의 배선의 일례를 나타낸 평면도이다.
도 2는, 도 1의 세라믹스 히터의 A-A선의 단면도이다.
도 3은, 도 1의 세라믹스 히터의 B-B선의 일부 확대 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 실시형태에 관련된 세라믹스 히터의 제조 공정을 설명하는 단면도이다.
도 5는, 본 발명의 실시형태에 관련된 세라믹스 히터의 제조 공정을 설명하는 단면도이다.
도 6은, 본 발명의 실시형태에 관련된 세라믹스 히터의 제조 공정을 설명하는 단면도이다.
도 7은, 본 발명의 실시형태에 관련된 세라믹스 히터의 제조 공정을 설명하는 단면도이다.
도 8은, 종래예에 관련된 세라믹스 히터의 일부 단면을 나타낸 사진이다.
도 9는, 실시예 1에 관련된 세라믹스 히터의 일부 단면을 나타낸 사진이다.

이하에, 본 발명의 실시형태에 관련된 세라믹스 소결체의 제조방법, 세라믹스 소결체 및 세라믹스 히터에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 도면에 있어서, 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고 있다. 또한, 도면은 모식적인 것이며, 부위의 치수 및 두께와의 관계나, 각 부위의 치수 및 두께의 비율은 현실의 것과 다르다는 것에 유의해야 한다.

본 발명의 실시형태에 관련된 세라믹스 히터(10)는, 원반 형상의 히터 플레이트(1)와, 히터 플레이트(1)에 매설된 박(箔) 형상의 히터선(2)을 구비하고 있다. 도 1은, 본 발명의 실시형태에 관련된 세라믹스 히터(10)의 히터선의 배선의 일례를 나타낸 평면도이다. 도 2는, 도 1의 세라믹스 히터(10)의 A-A선의 단면도이다. 도 3은, 도 1의 세라믹스 히터(10)의 B-B선의 일부 확대 단면도이다.

히터 플레이트(1)는, 반도체 제조 공정에 있어서, 웨이퍼에 에칭 또는 성막 등을 하기 위한 탑재판으로서 기능한다. 히터 플레이트(1)는, 웨이퍼 등의 워크의 형상에 따라, 200∼500㎜ 정도의 원반 형상을 이룬다. 히터 플레이트(1)의 재료로서는, 질화 알루미늄(AlN), 질화규소(SiNx), 산화 알루미늄(Al₂O₃) 등이 알맞게 사용된다. 히터 플레이트(1)는, 사용하는 재료 및 소결 조제(助劑)에 따른 온도에서 소결되며, 예를 들면, 질화 알루미늄(AlN)은 1600∼2000℃, 질화규소(SiNx)는 1600∼2000℃, 산화 알루미늄(Al₂O₃)은 1300∼1600℃에서 각각 소결된다.

히터선(2)은, 도 1에 나타낸 바와 같이 히터 플레이트(1) 내에 소용돌이 형상으로 배선되어 매설되어 있다. 히터선(2)에는, 내열성의 금속재료, 예를 들면, 몰리브덴 혹은 몰리브덴 합금, 텅스텐 혹은 텅스텐 합금, 또는 니오브 혹은 니오브 합금으로부터 선택되는 고융점 저열팽창 금속이 알맞게 사용된다. 히터선(2)은, 두께(T)가 25∼200㎛, 폭(W)이 1∼10㎜의 박 형상을 이룬다. 그러나, 박 형상 외에 단면이 직사각형, 또는 원형을 이루는 선 형상이나 코일 형상의 히터선의 사용도 가능하다.

히터선(2)의 표면에는, 도 3에 나타낸 바와 같이 금속탄화물 피막(4)이 형성되어 있다. 금속탄화물 피막(4)은, 히터선(2)의 표면에 형성된 금속 피막(4a)(도 4 참조)이, 히터 플레이트(1)의 소결에 의해 탄화되어 형성된다. 금속 피막(4a)의 재료(Ma)는, 금속탄화물(MaC)의 표준생성 자유에너지(△G⁰ _MaC)가, 히터선(2)의 금속재료(Mb)의 탄화물(MbC)의 표준생성 자유에너지(△G⁰ _MbC)보다 작은 재료로부터 선택된다.

금속 피막(4a)의 재료 선정의 기준이 되는 금속탄화물의 표준생성 자유에너지는, 소정의 온도범위에 있어서의 표준반응 자유에너지를 사용한다. 본 실시형태에서는, 히터 플레이트(1)의 소결온도 근방에 있어서의 금속탄화물의 표준반응 자유에너지를 기준으로 하여 판단한다. 소결온도 근방에 있어서의 금속탄화물의 표준반응 자유에너지가, 히터선(2)의 금속재료의 금속탄화물의 표준반응 자유에너지보다도 작은 재료로부터 선택되는 금속 피막(4a)을 히터선(2)의 표면에 형성함으로써, 소결시에 금속 피막(4a)이 히터선(2)의 재료보다 우선적으로 히터 플레이트(1) 내에 수ppm의 오더로 함유되는 탄소와 반응하여 금속탄화물 피막(4)이 형성된다. 금속 피막(4a)을 히터선(2)의 표면에 형성함으로써, 히터선(2)의 재료인 금속의 탄화를 억제할 수 있다. 또한, 금속 피막(4a)에 의해 트랩되지 못한 탄소에 의해 히터선(2)의 금속재료가 탄화된 경우이더라도, 그 금속재료의 탄화물 층은, 히터선(2)과 금속탄화물 피막(4)과의 사이에 거의 균일하게 형성되기 때문에, 히터 플레이트(1) 내에 배선되는 히터선(2)의 도전성의 불균일화를 억제하여, 세라믹스 히터(10)의 온도분포의 발생을 방지할 수 있다.

금속 피막(4a)으로서, 티탄, 알루미늄, 탄탈 또는 지르코늄이 적합하나, 소결 온도나 히터선 금속종에 따라서는, 칼슘, 크롬, 바나듐 등도 사용할 수 있다. 히터선(2)으로서 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 사용하는 경우, 금속 피막(4a)으로서는 티탄이 알맞게 사용된다. 금속 피막(4a)의 두께는, 0.10∼10.0㎛로 하는 것이 바람직하다. 너무 얇게 하면, 히터선(2)의 탄화를 효과적으로 억제할 수 없고, 또 너무 두껍게 하면, 가열시의 열팽창 차이에 의한 영향이 커지기 때문이다.

히터선(2)의 양단(兩端)에는 전극단자(3)가 접속된다. 전극단자(3)는, 히터 플레이트(1)에 납땜 등에 의해 고정된다. 전극단자(3)에 전압을 인가하여, 히터선(2)에 전류를 흐르게 함으로써, 히터선(2)이 발열하여, 히터 플레이트(1)에 올려 놓여진 워크를 가열한다.

다음으로, 본 실시형태에 관련된 세라믹스 히터(10)의 제조방법에 대해 설명한다. 도 4∼도 7은, 본 발명의 실시형태에 관련된 세라믹스 히터(10)의 제조 공정을 설명하는 단면도이다.

먼저, 히터선(2)의 표면에 금속 피막(4a)을 형성한다(도 4 참조). 금속 피막(4a)은, 증착이나 스퍼터링 등에 의해 히터선(2)의 표면에 형성된다. 또는, 금속 피막(4a)의 재료로 이루어지는 2장의 금속 박으로 히터선(2)을 상하에서 덮고, 압연 접착함으로써 히터선(2)에 금속 피막(4a)을 형성해도 된다. 또는 용사(溶射) 등의 방법으로 히터선(2)의 표면에 금속 피막(4a)을 형성해도 된다.

히터 플레이트(1)는, 먼저, 하부 성형체(1a)가 가압 성형된다. 하부 성형체(1a)는, 히터 플레이트(1)의 원료인 세라믹스 분체를, 소정량 금형에 충전하고 가압 성형하여 형성한다.

다음으로, 도 5에 나타낸 바와 같이, 성형한 하부 성형체(1a) 상에, 금속 피막(4a)을 형성한 히터선(2)을 소정의 위치에 배선한다.

히터선(2)을 배선 후, 도 6에 나타낸 바와 같이, 히터선(2)을 배선한 하부 성형체(1a) 상에, 소정량의 세라믹스 분체를 더 충전하고, 금형으로 가압 성형하여 상부 성형체(1b)를 성형하여, 세라믹스 성형체(1c)를 형성한다.

계속해서, 도 7에 나타낸 바와 같이, 세라믹스 성형체(1c)를 소결한다. 세라믹스 원료로서, 질화 알루미늄을 사용하는 경우에는, 질소 분위기 중에서, 1600∼2000℃, 10∼40MPa로 수 시간 가열 압축하여 행한다.

세라믹스 성형체(1c)를 소결하여, 세라믹스 소결체인 히터 플레이트(1)를 형성할 때, 히터선(2)의 표면에 형성된 금속 피막(4a)은, 히터선(2)의 금속재료에 우선하여 세라믹스 성형체(1c) 중의 탄소분과 반응하여, 금속탄화물 피막(4)을 형성한다. 이에 의해, 히터선(2)의 도전성의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 금속탄화물 피막(4)이 형성됨으로써, 히터선(2)의 금속재료가 탄화되는 경우이더라도, 당해 금속재료의 탄화를 안정화하여, 히터 플레이트 내에 배선되는 히터선(2)의 도전성의 불균일화를 억제할 수 있다.

소결 후, 히터 플레이트(1)를 절삭 가공하여, 외부로부터 전력을 공급하기 위한 전극단자(3)를 형성한다.

이상, 본 실시형태에서는 세라믹스 히터에 대해 설명하였으나, 본 발명의 세라믹스 소결체의 제조방법 및 세라믹스 소결체는, 도전성 금속을 매설한 세라믹스 제품, 예를 들면, 정전 척(chuck) 기능을 구비한 스테이지나, 플라즈마 에칭 장치나 플라즈마 CVD 장치 등의 고주파 전극을 내장하는 세라믹스제의 스테이지 등에도 사용할 수 있다.

[실시예]

본 실시형태에 관련된 세라믹스 히터(10)의 성능을 확인하기 위해, 이하의 시험을 행하였다. 히터 플레이트(1)의 재료로서 질화 알루미늄을 사용한다. 순 몰리브덴의 금속 박으로부터 2㎜×6700㎜×75㎛ 사이즈의 히터선(2)을 형성하고, 이 히터선(2)의 표면에 1㎛ 두께의 티탄을 재료로 하는 금속 피막(4a)을 스퍼터링에 의해 형성하였다. 금속 피막(4a)을 형성한 히터선(2)을 히터 플레이트(1) 내의 소정의 위치에 배선하고, 가압 성형하고, 소결(소결 온도 1800℃, 압력 20MPa, 6시간)하여 세라믹스 히터(10)를 제조하였다.

도 8은, 종래예 1에 관련된 세라믹스 히터의 일부 단면을 나타낸 사진이다. 도 9는, 실시예 1에 관련된 세라믹스 히터(10)의 일부 단면을 나타낸 사진이다. 종래예 1은, 히터 플레이트(1)의 재료는 질화 알루미늄, 순 몰리브덴의 금속 박으로부터 2㎜×6700㎜×75㎛ 사이즈의 히터선(2)을 형성하고, 당해 히터선(2)을 히터 플레이트(1) 내의 소정의 위치에 배선하고, 가압 성형하고, 소결(소결 온도 1800℃, 압력 20MPa, 6시간)하여 제조한 것이며, 실시예 1과는, 몰리브덴의 히터선(2)의 표면에 티탄의 금속 피막(4a)을 형성하지 않은 점만 다르다.

도 8에 나타낸 바와 같이, 히터선(2)의 표면에 금속 피막(4a)이 형성되지 않은 종래예 1에서는, 탄화 몰리브덴(5)이, 히터선(2) 내에 불균일하게 형성되어 있다. 이에 비해, 실시예 1에 관련된 세라믹스 히터(10)는, 도 9에 나타낸 바와 같이, 히터선(2)과 금속탄화물 피막(4)(탄화 티탄)과의 사이에, 거의 균일하게 탄화 몰리브덴(5)이 형성되며, 탄화 몰리브덴(5)이 생성되는 비율도 종래예 1보다도 작아져 있는 것을 알 수 있다.

또, 표 1에 실시예 1과 종래예 1의 히터선(2)의 전기 저항치를 나타낸다. 표 1의 참고예 1은, 실시예 1의 세라믹스 히터를 소결하기 전에 측정한 히터선(2)의 전기 저항치이다. 표 1에 나타낸 바와 같이, 종래예 1에서는, 소결 전 2.1Ω이었던 전기 저항치가 소결 후 4.0Ω(90% 상승)까지 증가한 것에 비하여, 실시예 1에서는 소결 후 2.9Ω(38% 상승)로, 그 증가가 대폭 억제되어 있음을 알 수 있다.

실시예 1에 나타낸 바와 같이, 몰리브덴으로 이루어지는 히터선(2)의 표면에, 세라믹스 히터의 소결 온도(1800℃) 근방에서의 금속탄화물의 표준생성 자유에너지가, 탄화 몰리브덴보다 작은 티탄에 의해 금속 피막(4a)을 형성하여 소결한 세라믹스 히터(10)의 전기 저항치의 상승을 대폭 억제할 수 있다.

이상과 같이, 본 발명의 세라믹스 소결체의 제조방법, 세라믹스 소결체 및 세라믹스 히터는, 반도체 제조 장치에 사용 가능하며, 특히 고품질인 웨이퍼를 제조하는 데에도 적합하다.

1. 히터 플레이트 2. 히터선
3. 전극단자 4a. 금속 피막
4. 금속탄화물 피막 5. 탄화 몰리브덴
10. 세라믹스 히터

Claims

내열성 금속재료의 표면에, 금속탄화물의 표준생성 자유에너지가 당해 내열성 금속재료보다 작은 금속재료로 이루어지는 금속 피막을 형성하는 피막형성 스텝과,
상기 피막형성 스텝에서 피막을 형성한 상기 내열성 금속재료를, 세라믹스 기체(基體)의 원재료인 분체 내의 소정의 위치에 배설하고, 가압 성형하여 세라믹스 성형체를 성형하는 성형 스텝과,
상기 성형 스텝에서 성형한 세라믹스 성형체를 소결하여 세라믹스 소결체를 생성하는 소결 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹스 소결체의 제조방법.
제 1항에 있어서,
상기 내열성 금속재료는, 몰리브덴 혹은 몰리브덴 합금, 텅스텐 혹은 텅스텐 합금, 니오브 혹은 니오브 합금으로부터 선택되는 고융점 저열팽창 금속인 것을 특징으로 하는 세라믹스 소결체의 제조방법.
제 1항에 있어서,
상기 금속 피막은, 티탄, 알루미늄, 탄탈 또는 지르코늄으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹스 소결체의 제조방법.
제 1항에 있어서,
상기 세라믹스 기체는, 질화 알루미늄, 질화규소 또는 산화 알루미늄인 것을 특징으로 하는 세라믹스 소결체의 제조방법.
제 1항에 있어서,
상기 세라믹스 소결체의 소결 온도는, 1300∼2000℃인 것을 특징으로 하는 세라믹스 소결체의 제조방법.
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 피막의 두께는 0.10∼10.0㎛인 것을 특징으로 하는 세라믹스 소결체의 제조방법.
내열성 금속재료와,
상기 내열성 금속재료의 표면에 형성되며, 금속탄화물의 표준생성 자유에너지가 상기 내열성 금속재료보다도 작은 금속재료로 이루어지는 금속 피막과,
상기 금속 피막이 형성된 내열성 금속재료를 세라믹스 기체의 원재료인 분체 내의 소정의 위치에 배설하고, 가압 성형된 세라믹스 성형체를 구비하는 프리세라믹스를 소결하여 형성되며, 상기 소결시에 상기 금속 피막이 탄화되어 금속탄화물 피막이 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹스 소결체.
제 7항에 있어서,
상기 내열성 금속재료는, 몰리브덴 혹은 몰리브덴 합금, 텅스텐 혹은 텅스텐 합금, 니오브 혹은 니오브 합금으로부터 선택되는 고융점 저열팽창 금속인 것을 특징으로 하는 세라믹스 소결체.
제 7항에 있어서,
상기 금속 피막은, 티탄, 알루미늄, 탄탈 또는 지르코늄으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹스 소결체.
제 7항에 있어서,
상기 세라믹스 기체는, 질화 알루미늄, 질화규소 또는 산화 알루미늄인 것을 특징으로 하는 세라믹스 소결체.
제 7항에 있어서,
상기 세라믹스 소결체의 소결 온도는, 1300∼2000℃인 것을 특징으로 하는 세라믹스 소결체.
제 7항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 피막의 두께는 0.10∼10.0㎛인 것을 특징으로 하는 세라믹스 소결체.
제 7항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 기재된 세라믹스 소결체를 구비하는 것을 특징으로 하는 세라믹스 히터.