KR20130047453A - Ｉｉｉ-ｖ족 물질층을 형성하는 방법, ｉｉｉ-ｖ족 물질층을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
III-V족 물질층을 형성하는 방법, III-V족 물질층을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자는 기판, 상기 기판 상에 형성된 III-V족 채널층, 상기 채널층 상에 형성된 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 이격된 소스 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 III-V족 채널층의 하단부 둘레에 공극이 존재한다. 상기 III-V족 채널층은 2원계 물질, 3원계 물질 또는 4원계 물질을 포함할 수 있다.
Description
본 발명의 일 실시예는 반도체 소자 및 그 제조방법과 관련된 것으로써, 보다 자세하게는 III-V족 물질층을 형성하는 방법, III-V족 물질층을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 집적도가 높아지면서 반도체 소자를 구성하는 요소들의 사이즈가 작아지고, 요소들 사이의 간격도 좁아진다. 예컨대, 실리콘(Si) 기반 트랜지스터의 경우, 소스, 드레인 및 게이트의 사이즈가 작아질 뿐 아니라, 소스, 드레인 및 게이트 사이의 간격도 좁아진다. 게이트 사이즈가 작아지면서 채널길이가 짧아지고, 이에 따른 짧은 채널 효과(short channel effect)가 발생되어 트랜지스터의 특성이 저하된다. 트랜지스터의 게이트 사이즈 한계를 극복하기 위한 대안으로 트랜지스터의 채널 물질을 III-V 족 물질로 대체하는 방법이 제안되고 있다. 그러나 III-V 물질과 실리콘(Si) 사이의 결정 상수 차이와 열전도도 차이로 인해 두 물질의 계면에 많은 결함을 발생되고, 이러한 결함들 때문에 디바이스 응용에 한계가 있다.
본 발명의 일 실시예는 결함을 포함하지 않거나 결함을 크게 줄인 III-V족 물질층을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 이러한 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 상기 반도체 소자에 사용되는 III-V족 물질층의 형성방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 III-V족 물질을 포함하는 반도체 소자는 기판, 상기 기판 상에 형성된 III-V족 채널층, 상기 채널층 상에 형성된 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 이격된 소스 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 III-V족 채널층의 하단부 둘레에 공극이 존재한다.
상기 III-V족 채널층은 2원계 물질, 3원계 물질 또는 4원계 물질을 포함할 수 있다.
상기 III-V족 채널층 주변에 상기 III-V족 채널층보다 낮고, 일부는 III-V족 채널층와 이격된 절연층이 존재할 수 있다.
상기 절연층은 순차적으로 적층된 제1 및 제2 절연층이고, 상기 제1 절연층은 상기 III-V족 채널층과 이격되어 있다.
상기 제1 및 제2 절연층은 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 실리콘 질화막일 수 있다.
상기 제2 절연층은 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물 또는 실리콘 질화막일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 III-V족 물질을 포함하는 반도체 소자의 제조방법은 기판 상에 제1 및 제2 절연층을 형성하고, 상기 제2 절연층에 상기 제1 절연층의 상부면의 일부가 노출되는 홈을 형성하고, 상기 제1 절연층의 노출된 부분을 제거하여 상기 기판을 노출시키고, 상기 제2 절연층 아래에 언더 컷을 형성하고, 상기 언더 컷 사이의 상기 기판 상에 상기 홈을 채우는 III-V족 물질층을 선택적으로 성장시키고, 상기 제2 절연층의 일부를 제거하여 상기 III-V족 물질층의 측면 일부를 노출시키고, 상기 III-V족 물질층의 상부면과 노출된 측면을 덮는 게이트 절연층을 형성하고, 상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하며, 상기 III-V족 물질층 상에 상기 게이트 전극과 이격되는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 과정을 포함한다.
이러한 제조방법에서, 상기 제1 및 제2 절연층은 실리콘 산화물과 실리콘 질화물 및 알루미늄 산화물 중 선택된 서로 다른 물질로 형성할 수 있다.
상기 III-V족 물질층은 적어도 하나의 III족 원소와 적어도 하나의 V족 원소를 포함하는, 2원계, 3원계 또는 4원계 물질로 형성할 수 있다.
상기 III-V족 물질층이 형성되는 위치에서 상기 제1 및 제2 절연층으로 이루어진 절연층의 종횡비는 0.1~4일 수 있다.
상기 언더 컷 사이의 상기 기판 상에 상기 홈을 채우는 III-V족 물질층을 선택적으로 성장시키는 과정은, 상기 언더 컷 사이의 상기 기판 상에 상기 홈을 채우고, 상기 제2 절연층 보다 높게 III-V족 물질층을 성장시키고, 상기 III-V족 물질층을 연마하여 상기 III-V족 물질층의 높이를 상기 제2 절연층의 높이로 낮추는 과정을 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 III-V족 물질층의 형성방법은 기판 상에 제1 및 제2 절연층을 형성하고, 상기 제2 절연층에 상기 제1 절연층의 상부면의 일부가 노출되는 홈을 형성하고, 상기 제1 절연층의 노출된 부분을 제거하여 상기 기판을 노출시키고, 상기 제2 절연층 아래에 언더 컷을 형성하고, 상기 언더 컷 사이의 상기 기판 상에 상기 홈을 채우는 III-V족 물질층을 선택적으로 성장시키는 과정을 포함한다.
이러한 형성방법은 상기 제2 절연층의 일부를 제거하여 상기 III-V족 물질층의 측면 일부를 노출시키는 과정을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자는 실리콘 기판의 선택된 영역에 III-V족 물질, 예컨대 III-V족 화합물 반도체를 성장시키는 과정에서 성장되는 III-V족 물질의 하단부 주변에 만들어진 공극(empty space)을 포함한다. 이러한 공극에 의해 III-V족 물질의 성장 과정에서 III-V족 물질과 실리콘 기판 사이의 격자상수 및 열 전도율 차이로 인해 III-V족 물질이 받은 스트레스가 완화된다. 이에 따라 III-V족 물질의 성장시에 형성되는 결함은 대부분 III-V족 물질의 하단부에 존재하게 되어 III-V족 물질의 하단부 위쪽 부분은 결함을 거의 포함하지 않는 고 품질의 물질로 성장될 수 있다. 이렇게 성장된 III-V족 물질을 채널로 사용하거나 III-V족 화합물 반도체 기판으로 사용함으로써, 실리콘(Si)을 기반으로 한 반도체 소자보다 전기적 및 동작 특성이 향상된 반도체 소자를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 III-V족 물질 채널층을 포함하는 반도체 소자의 단면도이다.
도 2는 도 1을 2-2’방향으로 절개한 단면도이다.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 의한 III-V족 물질 채널층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 단계별로 나타낸 단면도들이다.
도 2는 도 1을 2-2’방향으로 절개한 단면도이다.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 의한 III-V족 물질 채널층을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 단계별로 나타낸 단면도들이다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 의한 III-V족 물질층을 형성하는 방법, III-V족 물질층을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
III-V족 물질층을 형성하는 방법은 반도체 소자의 제조 방법에서 함께 설명한다.
먼저, 본 발명의 일 실시예에 의한 III-V족 물질층을 포함하는 반도체 소자에 대해 설명한다.
도 1을 참조하면, 기판(30)의 일부 영역 상에 III-V족 물질층(42)이 존재한다. 기판(30)은, 예를 들면 실리콘 기판일 수 있다. III-V족 물질층(42)은 트랜지스터의 채널층일 수 있다. III-V족 물질층(42)은, 예를 들면 III-V족 화합물 반도체층일 수 있다. 상기 III-V족 화합물 반도체층은, 예를 들면 2원계 물질, 3원계 물질 또는 4원계 물질을 포함할 수 있다. 상기 2원계 물질은, 예를 들면 GaAs, GaP, InP, InAs, GaSb, InSb, AlP, AlAs 또는 AlSb일 수 있다. 상기 3원계와 4원계 물질은, 예를 들면 In, Ga 및 Al 중 적어도 하나의 III족 원소와 As, P 및 Sb 중 적어도 하나의 V족 원소를 포함할 수 있다. III-V족 물질층(42) 양쪽에 순차적으로 적층된 제1 및 제2 절연층(32, 34)이 형성되어 있다. 제1 절연층(32) 상에 형성된 제2 절연층(34)의 상부면은 III-V족 물질층(42)의 상부면 보다 낮다. 제2 절연층(34)은 III-V족 물질층(42)의 측면에 접촉된다. 그러나 제1 절연층(32)은 III-V족 물질층(42)과 접촉되지 않는다. 곧, 제1 절연층(32)은 III-V족 물질층(42)과 이격되어 있다. 이에 따라 제1 절연층(32)과 III-V족 물질층(42) 사이에는 공극 또는 빈공간(empty space)(36)이 존재한다. 공극(36)의 부피는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자의 제조 과정에서 조절할 수 있다. 이러한 공극(36)이 존재함으로써, III-V족 물질층(42)이 성장될 때, 기판(30)과의 격자상수 및 열 전도율 차이 등으로 인해 III-V족 물질층(42)이 받을 수 있는 스트레스를 완화시킬 수 있다. 또한, 공극(36)이 존재함으로 인해, III-V족 물질층(42)이 성장될 때 형성되는 결함(50)은 III-V족 물질층(42)의 하단부로 제한될 수 있다. 제1 및 제2 절연층(32, 34)은 식각 선택비가 서로 다른 물질일 수 있다. 제1 절연층(32)은, 예를 들면 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 실리콘 질화물로 형성된 것일 수 있다. 제2 절연층(34)은, 예를 들면 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물 또는 실리콘 질화물로 형성된 것일 수 있다.
도면에서 결함(50)은 직선으로 도시하였으나, 이는 단순히 상징적인 것이다. 결함(50)은 사선 방향으로 존재할 수도 있고, 비 직선 형태로 존재할 수도 있다. III-V족 물질층(42)의 돌출된 부분, 곧 제2 절연층(34)보다 높은 부분은 결함(50)을 포함하지 않는다. III-V족 물질층(42)의 돌출된 부분의 상부면과 측면 상에 게이트 절연층(56)이 존재한다. 게이트 절연층(56)은, 예를 들면 실리콘 산화물일 수 있다. 게이트 절연층(56) 상에 게이트 전극(58)이 존재한다. 게이트 전극(58)은 III-V족 물질층(42)의 상기 돌출된 부분을 덮는다. 따라서 도 1의 반도체 소자는 핀형 트랜지스터가 된다.
도 2는 도 1을 2-2’방향으로 절개한 단면을 보여준다.
도 2를 참조하면, III-V족 물질층(42) 상에 소스 및 드레인 전극(62, 64)이 이격되게 구비되어 있다. 소스 전극(62)과 드레인 전극(64) 사이의 III-V족 물질층(42) 상에 게이트 절연층(56)이 구비되고, 게이트 절연층(56) 상에 게이트 전극(58)이 존재한다. 소스 및 드레인 전극(62, 64)은 이격되어 있다. 소스 및 드레인 전극(62, 64) 사이에 게이트 절연층(56)과 게이트 전극(58)이 존재한다.
다음에는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자의 제조방법을 도 3 내지 도 9를 참조하여 설명한다.
도 3을 참조하면, 기판(30) 상에 제1 절연층(32)을 형성한다. 제1 절연층(32)은, 예를 들면 실리콘 산화물로 형성할 수 있다. 제1 절연층(32) 상에 제2 절연층(34)을 형성한다. 제2 절연층(34)은 제1 절연층(32)에 대해 식각 선택비가 다른 절연 물질일 수 있다. 제2 절연층(34)은, 예를 들면 실리콘 질화물로 형성할 수 있다. 제2 절연층(34) 상에 제2 절연층(34)의 일부 영역을 한정하는 마스크(M1)를 형성한다. 마스크(M1)의 형성으로 후속 공정에서 III-V족 물질층이 형성될 영역이 정해질 수 있다. 마스크(M1)는, 예를 들면 감광막 패턴일 수 있다. 마스크(M1) 형성 후, 제2 절연층(34)의 노출된 부분을 제거한다. 제2 절연층(34)의 노출된 부분의 제거는, 예를 들면 이방성 건식 식각 방법으로 수행할 수 있고, 제1 절연층(32)이 노출될 때까지 실시할 수 있다. 제2 절연층(34)의 노출된 부분이 제거되면서 도 4에 도시한 바와 같이, 제2 절연층(34)의 노출된 부분 아래의 제1 절연층(32)이 노출된다.
도 5에서 제1 및 제2 절연층(32, 34)으로 이루어진 절연층의 종횡비(H1/W1)는 0.1 이상일 수 있는데, 예를 들면 0.1~4 정도일 수 있다.
다음, 도 6을 참조하면, 기판(30)의 상부면의 노출된 영역 상에 III-V족 물질층(42)을 형성한다. III-V족 물질층(42)은 제2 절연층(34)의 홈(34A)을 통해서 형성되고 제2 절연층(34)보다 높게 형성한다. 이러한 III-V족 물질층(42)은 에피텍시(epitaxy) 방법을 이용하여 성장시킨다. 이러한 에피텍시 방법에서 III-V족 물질층(42)의 소스가스는 제2 절연층(34)에 형성된 홈(또는 개구부)(34A)를 통해서 기판(30) 상에 도달된다. 따라서 기판(30)의 상부면의 노출된 부분에서 III-V족 물질층(42)이 형성되는 영역은 제2 절연층(34)에 형성된 홈(34A)에 의해 한정된다. 이에 따라 III-V족 물질층(42)은 기판(30)의 상부면의 선택된 영역에만 형성되는 선택 영역 성장(selective area growth)(SAG)이 이루어질 수 있다. 이러한 선택 영역 성장으로 인해 III-V족 물질층(42)은 제2 절연층(34)에 형성된 홈(34A) 아래의 기판(30) 상에만, 언더 컷(도 5의 60) 사이의 기판(30) 상에만 형성되고, 언더 컷 영역(도 5의 60)에는 형성되지 않는다. 이에 따라 III-V족 물질층(42)과 제1 절연층(32) 사이에는 공극(36)이 형성된다. 공극(36)의 존재로 인해 III-V족 물질층(42)의 성장시에 기판(30)과의 관계에서 III-V족 물질층(42)이 받는 스트레스는 완화될 수 있다. 이에 따라 III-V족 물질층(42)에 형성되는 결함(50)은 III-V족 물질층(36)의 하단부로 한정되고, III-V족 물질층(42)의 상단부로 성장되지 않는다. 그러므로 III-V족 물질층(42)의 상단부는 결함을 거의 포함하지 않게 된다. III-V족 물질층(42)의 도 1에서 설명한 물질로 형성할 수 있다.
III-V족 물질층(42)을 형성한 다음, IIII-V족 물질층(42)을 연마한다. 이때, 상기 연마는 III-V족 물질층(42)의 상부면이 도 7에 도시한 바와 같이 제2 절연층(34)의 상부면과 동일한 높이가 될 때까지 실시한다. III-V족 물질층(42)의 연마는, 예를 들면 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing)(CMP) 방식을 이용하여 수행할 수 있다.
다음, 도 7에 도시한 결과물에서 III-V족 물질층(42) 둘레의 제2 절연층(34)의 일부를 제거하여 도 8에 도시한 바와 같이 III-V족 물질층(42)의 상단부가 돌출되도록 한다.
다음, 도 9에 도시한 바와 같이, III-V족 물질층(42)의 돌출부의 측면 및 상부면에 게이트 절연층(56)을 형성한다. 도 2에서 알 수 있듯이, 게이트 절연층(56)은 채널층으로 사용되는 III-V족 물질층(42)의 일부 구간에만 형성한다. 게이트 절연층(56)은, 예들 들면 실리콘 산화물로 형성할 수 있다. 이어서 게이트 절연층(56) 상에 게이트 전극(58)을 형성한다. 게이트 전극(58)을 형성할 때, 도 2에 도시한 바와 같이, 게이트 절연층(56)으로부터 이격된 위치에 소스 및 드레인 전극(62, 64)도 형성한다.
이렇게 해서 III-V족 물질층(42)을 채널층으로 사용하는 핀형 트랜지스터가 형성된다.
한편, 상기 III-V족 물질층(42)의 돌출 부분을 연마한 다음, 제2 절연층(34)의 일부를 제거하지 않는 상태에서, 곧 도 7의 결과물에서 III-V족 물질층(42)을 기판으로 해서 그 위에 다른 반도체 소자, 예를 들면 태양전지 등을 형성할 수도 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
30:기판 32, 34:제1 및 제2 절연층
34A:홈 36:공극(빈 공간)
42:III-V족 물질층(채널층) 56:게이트 절연층
58:게이트 전극 60:언더 컷
62:소스전극 64:드레인 전극
M1:마스크
34A:홈 36:공극(빈 공간)
42:III-V족 물질층(채널층) 56:게이트 절연층
58:게이트 전극 60:언더 컷
62:소스전극 64:드레인 전극
M1:마스크
Claims (17)
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 III-V족 채널층;
상기 채널층 상에 형성된 게이트 절연층; 및
상기 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 이격된 소스 및 드레인 전극을 포함하고,
상기 III-V족 채널층의 하단부와 상기 절연층 사이에 공극이 존재하는 반도체 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 III-V족 채널층은 2원계 물질, 3원계 물질 또는 4원계 물질을 포함하는 반도체 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 III-V족 채널층 주변에 상기 III-V족 채널층보다 낮고, 일부는 III-V족 채널층과 이격된 절연층이 존재하는 반도체 소자. - 제 3 항에 있어서,
상기 절연층은 순차적으로 적층된 제1 및 제2 절연층이고, 상기 제1 절연층과 상기 III-V족 채널층 사이에 상기 공극이 존재하는 반도체 소자. - 제 4 항에 있어서,
상기 제1 절연층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 알루미늄 산화물인 반도체 소자. - 제 4 항에 있어서,
상기 제2 절연층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 알루미늄 산화물인 반도체 소자. - 기판 상에 제1 및 제2 절연층을 형성하는 단계;
상기 제2 절연층에 상기 제1 절연층의 상부면의 일부가 노출되는 홈을 형성하는 단계;
상기 제1 절연층의 노출된 부분을 제거하여 상기 기판을 노출시키고, 상기 제2 절연층 아래에 언더 컷을 형성하는 단계;
상기 언더 컷 사이의 상기 기판 상에 상기 홈을 채우는 III-V족 물질층을 선택적으로 성장시키는 단계;
상기 제2 절연층의 일부를 제거하여 상기 III-V족 물질층의 측면 일부를 노출시키는 단계;
상기 III-V족 물질층의 상부면과 노출된 측면을 덮는 게이트 절연층을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및
상기 III-V족 물질층 상에 상기 게이트 전극과 이격되는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 절연층은 실리콘 산화물과 실리콘 질화물 및 알루미늄 산화물 중 선택된 서로 다른 물질로 형성하는 반도체 소자의 제조방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 III-V족 물질층은 적어도 하나의 III족 원소와 적어도 하나의 V족 원소를 포함하는, 2원계, 3원계 또는 4원계 물질로 형성하는 반도체 소자의 제조방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 III-V족 물질층이 형성되는 위치에서 상기 제1 및 제2 절연층으로 이루어진 절연층의 종횡비는 0.1~4인 반도체 소자의 제조방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 언더 컷 사이의 상기 기판 상에 상기 홈을 채우는 III-V족 물질층을 선택적으로 성장시키는 단계는,
상기 언더 컷 사이의 상기 기판 상에 상기 홈을 채우고, 상기 제2 절연층 보다 높게 III-V족 물질층을 성장시키는 단계; 및
상기 III-V족 물질층을 연마하여 상기 III-V족 물질층의 높이를 상기 제2 절연층의 높이로 낮추는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조방법. - 기판 상에 제1 및 제2 절연층을 형성하는 단계;
상기 제2 절연층에 상기 제1 절연층의 상부면의 일부가 노출되는 홈을 형성하는 단계;
상기 제1 절연층의 노출된 부분을 제거하여 상기 기판을 노출시키고, 상기 제2 절연층 아래에 언더 컷을 형성하는 단계; 및
상기 언더 컷 사이의 상기 기판 상에 상기 홈을 채우는 III-V족 물질층을 선택적으로 성장시키는 단계;를 포함하는 III-V족 물질층 형성방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 제2 절연층의 일부를 제거하여 상기 III-V족 물질층의 측면 일부를 노출시키는 단계를 더 포함하는 III-V족 물질층 형성방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 절연층은 실리콘 산화물과 실리콘 질화물 및 알루미늄 산화물 중 선택된 서로 다른 물질로 형성하는 III-V족 물질층 형성방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 III-V족 물질층은 적어도 하나의 III족 원소와 적어도 하나의 V족 원소를 포함하는, 2원계, 3원계 또는 4원계 물질로 형성하는 III-V족 물질층 형성방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 III-V족 물질층이 형성되는 위치에서 상기 제1 및 제2 절연층으로 이루어진 절연층의 종횡비는 0.1~4인 III-V족 물질층 형성방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 언더 컷 사이의 상기 기판 상에 상기 홈을 채우는 III-V족 물질층을 선택적으로 성장시키는 단계는,
상기 언더 컷 사이의 상기 기판 상에 상기 홈을 채우고, 상기 제2 절연층 보다 높게 III-V족 물질층을 성장시키는 단계; 및
상기 III-V족 물질층을 연마하여 상기 III-V족 물질층의 높이를 상기 제2 절연층의 높이로 낮추는 단계;를 포함하는 III-V족 물질층 형성방법.
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