DE102015120089A1 - Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips - Google Patents
Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips Download PDFInfo
- Publication number
- DE102015120089A1 DE102015120089A1 DE102015120089.9A DE102015120089A DE102015120089A1 DE 102015120089 A1 DE102015120089 A1 DE 102015120089A1 DE 102015120089 A DE102015120089 A DE 102015120089A DE 102015120089 A1 DE102015120089 A1 DE 102015120089A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- layer
- emitting diode
- light
- layer sequence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 101
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 3
- AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N alumane;indium Chemical compound [AlH3].[In] AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Zone (2), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt und einer Passivierungsschicht (10) angegeben, in der elektrische Ladungsträger statisch fixiert sind oder die zu einer Absättigung der Oberflächenzustände der Halbleiterschichtenfolge (1) führt. Die Passivierungsschicht (10) ist auf einer Seitenfläche (8) der Halbleiterschichtenfolge (1) aufgebracht und die Passivierungsschicht (10) überdeckt zumindest die aktive Zone (2).
Description
- Es werden ein Leuchtdiodenchip und ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips angegeben.
- Leuchtdiodenchips, insbesondere auf der Basis von InGaAlP weisen häufig aufgrund von nichtstrahlenden Verlusten in der aktiven strahlungserzeugenden Zone an geätzten Seitenflächen ein Effizienzmaximum bei vergleichsweise hohen Stromdichten auf. Dies begrenzt den Einsatz derartiger Leuchtdiodenchips bei geringen Stromdichten.
- Eine Aufgabe der vorliegenden Anmeldung ist es, einen Leuchtdiodenchip anzugeben, dessen Effizienzmaximum bei niedrigen Stromdichten liegt. Weiterhin ist es Aufgabe der vorliegenden Anmeldung ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Leuchtdiodenchips anzugeben.
- Diese Aufgaben werden durch einen Leuchtdiodenchip mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 sowie durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruches 10 gelöst.
- Vorteilhafte Ausführungsformen sowie Weiterbildungen des Leuchtdiodenchips und des Verfahrens sind Gegenstand der jeweils abhängigen Ansprüche.
- Gemäß einer Ausführungsform weist der Leuchtdiodenchip eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone auf, die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt.
- Besonders bevorzugt umfasst der Leuchtdiodenchip eine Passivierungsschicht, in der elektrische Ladungsträger statisch fixiert sind oder die zu einer Absättigung der Oberflächenzustände der Halbleiterschichtenfolge führt.
- Die Passivierungsschicht ist bevorzugt auf einer Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht und überdeckt bevorzugt zumindest die aktive Zone seitlich.
- Weiterhin ist es auch möglich, dass sich die Passivierungsschicht vollflächig über die Seitenfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge erstreckt. Alternativ oder zusätzlich kann die Passivierungsschicht auch zumindest teilweise auf einer Lichtaustrittsfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge oder des Leuchtdiodenchips angeordnet sein.
- Eine Idee der vorliegenden Anmeldung ist es, auf der Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge, und insbesondere im Bereich der aktiven strahlungserzeugenden Zone, statisch fixierte Ladungsträger anzuordnen, so dass sich im an die Passivierungsschicht angrenzenden Halbleitermaterial der Halbleiterschichtenfolge Ladungsträger mit entgegengesetzter elektrischer Ladung sammeln. Die statisch fixierten Ladungen in der Passvierungsschicht führen mit Vorteil zu einer Abschirmung der entgegengesetzt geladenen Sorte von Ladungsträger an der Seitenfläche. Da für nichtstrahlende Effekte beide Arten von Ladungsträgern lokal vorhanden sein müssen, wird die nichtstrahlende Rate, die zu Verlusten führt, an den in der Regel geätzen Seitenflächen deutlich verringert. Die Effizient des Leuchtdiodenchips wird so mit Vorteil erhöht.
- Besonders bevorzugt ist die Passivierungsschicht in direktem Kontakt mit dem Material der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Mit anderen Worten weist die Passivierungsschicht mit der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge besonders bevorzugt eine gemeinsame Grenzfläche auf.
- Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des Leuchtdiodenchips handelt es sich bei den statisch fixierten Ladungsträger um Elektronen.
- Besonders bevorzugt erzielen die statisch fixierten Ladungen in der Passivierungsschicht eine Verbiegung der Bandkante von Leitungsband und Valenzband in dem an die Passivierungsschicht angrenzenden Halbleitermaterial der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge. Auf diese Art und Weise reichern sich Ladungsträger aus dem Halbleitermaterial, deren Ladung entgegengesetzt ist zu der Ladung der statisch fixierten Ladungsträger in der Passivierungsschicht, in dem an die Pasivierungsschicht angrenzenden Halbleitermaterial an. Die statisch fixierten Ladungen in der Passvierungsschicht führen in der Regel mit Vorteil zu einer Abschirmung der entgegengesetzt geladenen Sorte von Ladungsträger an der Seitenfläche.
- Beispielsweise führen die statisch fixierten Ladungsträger in der Passivierungsschicht zu einer Bandkantenverbiegung im Bereich der Passivierungsschicht zu kleineren Energien, sodass sich hier Elektronen im Grenzbereich zur Halbleiterschichtenfolge anreichern. Aufgrund der lokal erhöhten Elektronendichte in der Passivierungsschicht sammeln sich im Gegenzug im angrenzenden Bereich der Halbleiterschichtenfolge positive Ladungsträger, beispielsweise Löcher. Der Bereich der Bandkantenverbiegung an der Grenzfläche Halbleiterschichtenfolge – Passivierungsschicht weist beispielsweise eine Ausdehnung zwischen 1 Nanometer und 100 Nanometer auf. Beispielsweise beträgt die Bandkantenverbiegung von Valenzbandkante und Leitungsbandkante mindestens 0,1 eV.
- Gemäß einer Ausführungsform weist die Ladungsträgerdichte der statisch fixierten Ladungsträger im Grenzbereich zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Passivierungsschicht mindestens 1011 cm–2 auf. Besonders bevorzugt weist die Ladungsträgerdichte der statisch fixierten Ladungsträger im Grenzbereich zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Passivierungsschicht mindestens 1012 cm–2 auf.
- Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform basiert die epitaktische Halbleiterschichtenfolge auf einem III/V-Halbleiterverbundmaterial.
- Bei dem III/V-Halbleiterverbundmaterial handelt es sich besonders bevorzugt um ein Phosphid-Halbleiterverbundmaterial. Ein Phosphid-Halbleiterverbundmaterial ist ein Halbleiterverbundmaterialien, das Phosphor enthält, wie die Materialien aus dem System InxAlyGa1-x-yP mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1. Insbesondere weist die epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge eines dieser Materialien auf oder besteht auf einem dieser Materialien.
- Die Passivierungsschicht weist bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 1 Nanometer und einschließlich 100 Nanometer auf. Besonders bevorzugt ist die Passivierungsschicht sehr dünn ausgebildet. Bevorzugt übersteigt die Dicke der Passivierungschicht 5 Nanometer nicht.
- Die statisch fixierten Ladungen in der Passvierungsschicht führen mit Vorteil zu einer Abschirmung der entgegengesetzt geladenen Sorte von Ladungsträger an der Seitenfläche. Da für nichtstrahlende Effekte beide Arten von Ladungsträgern lokal vorhanden sein müssen, wird die nichtstrahlende Rate, die zu Verlusten führt, an den Seitenflächen deutlich verringert. Dies führt insbesondere zu einer Effizienzerhöhung bei Leuchtdiodenchips mit geringer lateraler Ausdehnung. Besonders bevorzugt weisen die Leuchtdiodenchips daher eine Kantenlänge auf, die 1 Millimeter nicht überschreitet.
- Weiterhin ist die Effizienzerhöhung besonders effektiv bei einem Leuchtdiodenchip, der ein vergleichsweise hohes Verhältnis von Seitenfläche zu Lichtaustrittsfläche aufweist. Das Verhältnis von Seitenfläche zu Lichtaustrittsfläche des Leuchtdiodenchips beträgt bevorzugt mindestens 0,01.
- Die Passivierungsschicht weist bevorzugt eines der folgenden Materialien auf oder ist aus einem der folgenden Materialien gebildet: Aluminiumoxid, Siliziumoxid, Aluminiumphosphid, Indiumaluminiumphosphid.
- Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des Leuchtdiodenchips basiert die Halbleiterschichtenfolge auf einem Phosphid-Verbundhalbleitermaterial oder ist aus einem Phosphid-Verbundhalbleitermaterial gebildet, wobei die Passivierungsschicht in direktem Kontakt auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist. Die Passivierungsschicht weist hierbei besonders bevorzugt Aluminiumphosphid und/oder Aluminiumoxid auf. Beispielsweise ist es möglich, dass die Passivierungsschicht aus zwei Einzelschichten gebildet ist, von denen die eine Aluminiumphosphid aufweist oder aus Aluminiumphosphid besteht, während die andere Aluminiumoxid aufweist oder aus Aluminiumoxid besteht. Besonders bevorzugt ist hierbei die Aluminiumoxidschicht in direktem Kontakt mit dem Halbleitermaterial angeordnet.
- Weiterhin ist es auch möglich, dass die Passivierungsschicht ungeordnete Bereiche aufweist, von denen die einen Aluminiumphosphid aufweisen oder aus Aluminiumphosphid bestehen und die anderen Aluminiumoxid aufweisen oder aus Aluminiumoxid bestehen. Besonders bevorzugt ist hierbei die Passsivierungsschicht sehr dünn ausgebildet und weist lediglich einige Nanometer Dicke auf. Weiterhin überwiegen bei dieser Ausführungsform die Bereiche, die Aluminiumoxid aufweisen, die Bereiche, die Aluminiumphosphid aufweisen bevorzugt deutlich. Beispielsweise besteht die Passivierungsschicht zu mindestens 95% aus Aluminiumoxid.
- Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips wird zunächst eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone bereitgestellt, wobei die aktive Zone dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen.
- Auf eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge wird eine Passivierungsschicht aufgebracht, in der elektrische Ladungsträger statisch fixiert sind. Die Passivierungsschicht bedeckt hierbei zumindest die aktive strahlungserzeugende Zone der Halbleiterschichtenfolge.
- Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens werden Teile der Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge durch Ätzen, insbeondere durch Trockenätzen, erzeugt. Dies wird auch als Mesa-Ätzen bezeichnet. Die Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge wird in der Regel zunächst teilweise durch Ätzen erzeugt, während ein weiterer Teil der Seitenfläche schließlich durch einen anderen Trennprozess, wie beispielsweise Brechen, Sägen oder Laserschneiden, hergestellt werden. Besonders bevorzugt wird die aktive Zone der Halbleiterschichtenfolge durch Ätzen getrennt.
- Gemäß einer bevorzugt Ausführungsform des Verfahrens wird eine Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt, die auf einem Phosphid-Verbundhalbleitermaterial beruht oder aus einem Phosphid-Verbundhalbleitermaterial besteht. Zum Aufbringen der Passivierungsschicht wird in direktem Kontakt auf die Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge eine nicht-stöchiometrische Siliziumdioxidschicht (SiOx-Schicht) aufgebracht, bevorzugt durch thermisches Verdampfen.
- Dann wird in direktem Kontakt auf die nicht-stöchiometrische Siliziumdioxidschicht eine Aluminiumphosphidschicht (Al2O3-Schicht) aufgebracht, besonders bevorzugt durch ein ALD-Verfahren.
- Mit Atomlagenabscheidung (atomic layer deposition, ALD) ist vorliegend eine spezielle Form eines CVD-Verfahren bezeichnet.
- Bei einem CVD-Verfahren („chemical vapour deposition“, chemische Gasphasenabscheidung) wird die zu beschichtende Oberfläche in einem Volumen zur Verfügung gestellt. In dem Volumen wird weiterhin zumindest ein Ausgangsmaterial zur Verfügung gestellt, aus dem durch eine chemische Reaktion an der zu beschichtenden Oberfläche eine feste CVD-Schicht abgeschieden wird. In der Regel befindet sich in dem Volumen zumindest ein zweites Ausgangsmaterial, mit dem das erste Ausgangsmaterial unter Bildung der festen CVD-Schicht an der Oberfläche chemisch reagiert. Das CVD-Verfahren zeichnet sich somit durch mindestens eine chemische Reaktion an der zu beschichtenden Oberfläche zur Bildung der CVD-Schicht aus.
- Mit Atomlagenabscheidung (atomic layer deposition, ALD) ist vorliegend ein CVD-Verfahren bezeichnet, bei dem das erste gasförmige Ausgangsmaterial dem Volumen zugeführt wird, in dem die zu beschichtende Oberfläche bereitgestellt ist, so dass das erste gasförmige Ausgangsmaterial auf der Oberfläche adsorbiert. Nach einer bevorzugt vollständigen oder nahezu vollständigen Bedeckung der Oberfläche mit dem ersten Ausgangsmaterial wird der Teil des ersten Ausgangsmaterial, der noch gasförmig bzw. nicht auf der Oberfläche adsorbiert vorliegt, in der Regel wieder aus dem Volumen entfernt und das zweite Ausgangsmaterial zugeführt. Das zweite Ausgangsmaterial ist dafür vorgesehen, mit der an der Oberfläche adsorbierten, ersten Ausgangsverbindung unter Bildung einer festen ALD-Schicht chemisch zu reagieren.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird auf eine Halbleiterschichtenfolge, die auf einem Phosphid-Verbundhalbleitermaterial beruht, zum Aufbringen der Passivierungsschicht zunächt eine Aluminiumphosphidschicht (AlP-Schicht) in direktem Kontakt auf die Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht, beispielsweise epitaktisch.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird der Schichtverbund mit der Halbleiterschichtenfolge und den darauf aufgebrachten Schichten getempert. Die Temperatur zum Tempern liegt bevorzugt zwischen einschließlich 100 °C und einschließlich 800 °C.
- Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
- Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der
1 bis3 wird ein erstes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips näher erläutert. - Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der
4 und5 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips näher erläutert. -
6 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines Leuchtdiodenchips gemäß einem Ausführungsbeispiel. -
7 zeigt schematisch Leitungsband und Valenzband des Halbleitermaterials sowie der Passivierungsschicht des Leuchtdiodenchips gemäß einem Ausführungsbeispiel. -
8 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer Halbleiterprobe, anhand derer der positive Effekt der Passivierungsschicht experimentell bestätigt wird. -
9 zeigt Messungen der Photolumineszenzintensität der Probe mit dem Aufbau gemäß8 in Abhängigkeit der Dicke x der Aluminiumphosphidschicht. - Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
- Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der
1 bis3 wird zunächst eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge1 mit einer aktiven Zone2 bereitgestellt. Die aktive Zone2 ist hierbei dazu geeignet, im Betrieb des Leuchtdiodenchips elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Die Halbleiterschichtenfolge1 beruht besonders bevorzugt auf einem Phosphidverbundhalbleitermaterial. - Auf einer ersten Hauptfläche
3 der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge1 ist hierbei ein erster elektrischer Kontakt4 aufgebracht, während auf der zweiten Hauptfläche5 der Halbleiterschichtenfolge1 , die der ersten Hauptfläche3 gegenüberliegt, ein zweiter elektrischer Kontakt6 aufgebracht ist. Beispielsweise handelt es sich bei dem ersten elektrischen Kontakt4 um einen p-Kontakt und bei dem zweiten elektrischen Kontakt6 um einen n-Kontakt. - In einem nächsten Schritt, der schematisch in
2 dargestellt ist, wird eine nicht-stöchiometrische Siliziumoxidschicht7 (SiOx-Schicht) in direktem Kontakt auf die Seitenfläche8 der Halbleiterschichtenfolge1 mittels thermischen Verdampfens abgeschieden. Die nicht-stöchiometrische Siliziumdioxidschicht7 überdeckt hierbei insbesondere die aktive Zone2 . Weiterhin ist die zweite Hauptfläche5 der Halbleiterschichtenfolge1 sowie der erste elektrische Kontakt4 zumindest teilweise mit der nicht-stöchiometrische Siliziumoxidschicht7 bedeckt. - Wie schematisch in
3 dargestellt ist, wird dann in direktem Kontakt auf die nicht-stöchiometrische Siliziumoxidschicht7 eine Aluminiumoxidschicht9 (Al2O3-Schicht) aufgebracht, bevorzugt mit einem ALD-Verfahren. - Schließlich wird der Schichtverbund mit der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge
1 und der darauf aufgebrachten nicht-stöchiometrischen Siliziumoxidschicht7 und der Aluminiumoxidschicht9 getempert, sodass eine aluminiumoxidhaltige Schicht an der Grenzfläche zur Halbleiterschichtenfolge1 entsteht. Diese aluminiumoxidhaltige Schicht innerhalb der Passivierungsschicht10 weist statisch fixierte Ladungsträger, bevorzugt Elektronen auf. - Die nicht-stöchiometrische Siliziumoxidschicht
7 , die Aluminiumoxidschicht9 und die grenznahe aluminiumoxidhaltige Schicht bilden bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die Passivierungsschicht10 aus. - Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der
4 und5 wird in einem ersten Schritt wiederum eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge1 mit elektrischen Kontakten4 ,6 bereitgestellt, wie sie bereits anhand von1 beschrieben wurde. - In einem nächsten Schritt wird eine Aluminiumphosphidschicht
11 (AlP-Schicht) in direktem Kontakt auf die Seitenfläche8 der Halbleiterschichtenfolge1 aufgebracht, beispielsweise epitaktisch (5 ). Die Aluminiumphosphidschicht11 bedeckt hierbei insbesondere die aktive Zone2 und erstreckt sich bis auf die erste Hauptfläche3 der Halbleiterschichtenfolge und den ersten Kontakt4 . - Auch der Schichtverbund aus der
5 wird besonders bevorzugt in einem nächsten Schritt getempert (nicht dargestellt). Hierbei bildet sich das Aluminiumphosphid zumindest teilweise in Aluminiumoxid (AlxOy) um. - Die Aluminiumphosphid/oxidschicht
11 bildet bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die Passivierungsschicht10 aus. Diese weist fixierte elektrische Ladungsträger, bevorzugt Elektronen, angrenzend an das Halbleitermaterial der Halbleiterschichtenfolge1 auf. - Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der
1 bis3 sowie4 bis5 entsteht ein Leuchtdiodenchip, wie er beispielsweise in6 schematisch dargestellt ist. - Der Leuchtdiodenchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der
6 weist eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge1 basierend auf einem Phosphidverbundhalbleitermaterial auf. Die Halbleiterschichtenfolge1 umfasst eine aktive Zone2 , die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, die im Betrieb des Leuchtdiodenchips von einer Lichtaustrittsfläche12 ausgesandt wird. - Auf einer ersten Hauptfläche
3 der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge1 ist ein erster elektrischer Kontakt4 aufgebracht, während auf der zweiten Hauptfläche5 der Halbleiterschichtenfolge1 ein zweiter elektrischer Kontakt6 aufgebracht ist. - Auf der Seitenfläche
8 der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge1 sowie auf Teilen der Lichtaustrittsfläche12 des Leuchtdiodenchips ist eine Passivierungsschicht10 aufgebracht. Insbesondere erstreckt sich die Passivierungsschicht10 über die aktiven Zone2 . In der Passivierungsschicht10 befinden sich elektrische Ladungsträger, die statisch fixiert sind. Vorliegend handelt es sich bei den elektrischen Ladungsträgern um Elektronen. Weiterhin ist es auch möglich, dass die Passivierungschicht10 Oberflächenzustände des angrenzenden Halbleitermaterials absättigt. - Teile der Seitenfläche
8 der Halbleiterschichtenfolge1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der6 sind durch Trockenätzen erzielt worden. Diese Teile der Seitenfläche8 zeichnen sich vorliegend dadurch aus, dass sie schräg zu einer Mittelachse des Leuchtdiodenchips ausgebildet sind. Ein weiterer Teil der Seitenfläche8 der Halbleiterschichtenfolge1 ist vorliegend parallel zu einer Mittelachse des Leuchtdiodenchips angeordnet. Dieser Teil des Leuchtdiodenchips wurde durch einen anderen Trennprozess, beispielsweise mittels Sägen oder Lasertrennen, erzielt. -
7 zeigt schematisch den Verlauf der Leitungsbandkante CB und der Valenzbandkante VB im Bereich der Passivierungsschicht10 sowie der Halbleiterschichtenfolge1 . Die Passivierungsschicht10 umfasst vorliegend eine Aluminiumoxidschicht9 sowie eine nicht-stöchiometrische Siliziumoxidschicht7 . Im Bereich der Grenzfläche der Passivierungsschicht10 angrenzend an das Halbleitermaterial weist die Valenzbandkante VB sowie die Leitungsbandkante CB eine Absenkung hin zu niedrigeren Energien auf, in denen Elektronen statisch fixiert sind. Im Gegenzug bilden sich auf der Seite des angrenzenden Halbleitermaterials eine Erhöhung der Valenzbandkante VB, in der Löcher statisch fixiert sind. Auf diese Art und Weise entsteht an der Grenzfläche Halbleiterschichtenfolge1 – Passivierungsschicht10 eine Abschirmung für positive Ladungen, die eine nichtstrahlende Rekombination zumindest verringert. - Die Probe gemäß der schematischen Darstellung der
8 weist ein Galliumarsenidsubstrat13 auf, auf dem eine zirka 1 Mikrometer dicke InAlP-Schicht epitaktisch gewachsen ist. Auf der InAlP-Schicht ist wiederum eine zirka 300 Nanometer dicke InGaAlP-Halbleiterschichtenfolge1 mit einer aktiven Zone2 epitaktisch gewachsen, die Strahlung mit einer Wellenlänge von zirka 620 Nanometer emittiert. - Auf die epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge
1 ist wiederum eine Aluminiumphosphidschicht11 mit einer sehr geringen Dicke x aufgebracht. Experimentell wurde gezeigt, dass sich die Aluminiumphosphidschicht11 an Luft nahezu vollständig in eine Aluminiumoxidschicht (AlxOy-Schicht) umwandelt. - Die Dicke der Aluminiumphosphid/oxidschicht
11 x wurde nun variiert und die Photolumineszenz der Probe gemessen. Die an der Probe gemäß8 gemessenen Werte IPL der Photolumineszenz sind in9 in Abhängigkeit der Dicke x aufgetragen. Die Messung gemäß9 zeigt, dass bei einer Dicke x von zirka 2 Nanometer die Photolumineszenz um einen Faktor10 gegenüber einer Probe ohne Aluminiumphosphid/oxidschicht11 erhöht ist. - Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Claims (15)
- Leuchtdiodenchip mit: – einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (
1 ) mit einer aktiven Zone (2 ), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt, und – einer Passivierungsschicht (10 ), in der elektrische Ladungsträger statisch fixiert sind oder die zu einer Absättigung der Oberflächenzustände der Halbleiterschichtenfolge (1 ) führt, wobei die Passivierungsschicht (10 ) auf einer Seitenfläche (8 ) der Halbleiterschichtenfolge (1 ) aufgebracht ist und die Passivierungsschicht (10 ) zumindest die aktive Zone (2 ) überdeckt. - Leuchtdiodenchip nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die statisch fixierten Ladungsträger Elektronen sind.
- Leuchtdiodenchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die statisch fixierten Ladungsträger der Passivierungsschicht (
10 ) zu einer Verbiegung der Leitungsbandkante (CB) und der Valenzbandkante (VB) in dem an die Passivierungsschicht (10 ) angrenzenden Halbleitermaterial der epitaktische Halbleiterschichtenfolge (1 ) führt, so dass sich Ladungsträger, deren Ladung entgegengesetzt zu der Ladung der statisch fixierten Ladungsträgern sind, in dem Halbleitermaterial anreichern. - Leuchtdiodenchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (
1 ) auf einem III/V-Halbleiterverbundmaterial basiert. - Leuchtdiodenchip nach dem vorherigen Anspruch, bei dem das III/V-Halbleiterverbundmaterial ein Phosphid-Halbleiterverbundmaterial ist.
- Leuchtdiodenchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Passivierungsschicht (
10 ) eine Dicke zwischen einschließlich 1 Nanometer und einschließlich 100 Nanometer aufweist. - Leuchtdiodenschip nach einem der obigen Ansprüche, dessen Kantenlänge 1 Millimeter nicht überschreitet.
- Leuchtdiodenchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Passivierungsschicht (
10 ) eines der folgenden Materialien aufweist: Aluminiumoxid, Siliziumoxid, Aluminiumphosphid, Indiumaluminiumphosphid. - Leuchtdiodenchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (
1 ) auf einem Phosphidverbundhalbleitermaterial basiert und die Passivierungsschicht in direktem Kontakt auf die Halbleiterschichtenfolge (1 ) aufgebracht ist, wobei die Passivierungsschicht (10 ) eine Aluminiumphosphidschicht (11 ) und eine Aluminiumoxidschicht (9 ) aufweist. - Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen einer epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (
1 ) mit einer aktiven Zone (2 ), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, – Aufbringen einer Passivierungsschicht (10 ) auf eine Seitenfläche (8 ) der Halbleiterschichtenfolge (1 ), so dass in der Passivierungsschicht (10 ) elektrische Ladungsträger statisch fixiert werden oder Oberflächenzustände der Halbleiterschichtenfolge (1 ) abgesättigt werden. - Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Seitenfläche (
8 ) der Halbleiterschichtenfolge (1 ) durch Ätzen erzeugt werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 11, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (
1 ) auf einem Phosphidverbundhalbleitermaterial beruht und zum Aufbringen der Passivierungsschicht (10 ) die folgenden Schritte durchgeführt werden: – Aufbringen einer nicht-stöchiometrischen Siliziumoxidschicht (7 ) in direktem Kontakt auf die Seitenfläche (8 ) der Halbleiterschichtenfolge (1 ), – Aufbringen einer Aluminumoxidschicht (9 ) in direktem Kontakt auf die Siliziumoxidschicht (7 ), – Tempern des Schichtverbundes, so dass eine aluminiumoxid-haltige Schicht an der Grenzfläche zwischen Passivierungsschicht (10 ) und Halbleiterschichtenfolge (1 ) entsteht. - Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Siliziumdioxidschicht durch thermisches Verdampfen und die Aluminiumoxidschicht durch ein ALD-Verfahren abgeschieden werden.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 11, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (
1 ) auf einem Phosphidverbundhalbleitermaterial beruht und zum Aufbringen der Passivierungsschicht (10 ) die folgenden Schritte durchgeführt werden: – Aufbringen einer Aluminiumphosphidschicht (11 ) in direktem Kontakt auf die Seitenfläche (8 ) der Halbleiterschichtenfolge (1 ). - Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, bei dem der Schichtverbund mit der Halbleiterschichtenfolge (
1 ) und den darauf aufgebrachten Schichten getempert wird.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015120089.9A DE102015120089A1 (de) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips |
US15/777,633 US10580938B2 (en) | 2015-11-19 | 2016-11-17 | Light-emitting diode chip, and method for manufacturing a light-emitting diode chip |
CN201680067380.8A CN108292697B (zh) | 2015-11-19 | 2016-11-17 | 发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法 |
DE112016005319.3T DE112016005319B4 (de) | 2015-11-19 | 2016-11-17 | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips |
PCT/EP2016/078032 WO2017085200A1 (de) | 2015-11-19 | 2016-11-17 | Leuchtdiodenchip und verfahren zur herstellung eines leuchtdiodenchips |
JP2018521629A JP2018536282A (ja) | 2015-11-19 | 2016-11-17 | 発光ダイオードチップおよび発光ダイオードチップの製造方法 |
TW105137868A TWI620341B (zh) | 2015-11-19 | 2016-11-18 | 發光二極體晶片及用於製造發光二極體晶片之方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015120089.9A DE102015120089A1 (de) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102015120089A1 true DE102015120089A1 (de) | 2017-05-24 |
Family
ID=57326429
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102015120089.9A Withdrawn DE102015120089A1 (de) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips |
DE112016005319.3T Active DE112016005319B4 (de) | 2015-11-19 | 2016-11-17 | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112016005319.3T Active DE112016005319B4 (de) | 2015-11-19 | 2016-11-17 | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10580938B2 (de) |
JP (1) | JP2018536282A (de) |
CN (1) | CN108292697B (de) |
DE (2) | DE102015120089A1 (de) |
TW (1) | TWI620341B (de) |
WO (1) | WO2017085200A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018228993A1 (de) * | 2017-06-12 | 2018-12-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip und verfahren zur herstellung eines leuchtdiodenchips |
FR3077931A1 (fr) * | 2018-02-14 | 2019-08-16 | Centre National De La Recherche Scientifique | Dispositif a semi-conducteur avec structure de passivation des surfaces recombinantes |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017108199A1 (de) | 2017-04-18 | 2018-10-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Betriebsverfahren für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130105836A1 (en) * | 2011-10-26 | 2013-05-02 | Sony Corporation | Light emitting element, method of manufacturing the same, and light emitting device |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2133928B (en) | 1982-12-04 | 1986-07-30 | Plessey Co Plc | Coatings for semiconductor devices |
DE102004029412A1 (de) * | 2004-02-27 | 2005-10-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips |
US7791061B2 (en) | 2004-05-18 | 2010-09-07 | Cree, Inc. | External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces |
KR101232507B1 (ko) * | 2006-04-10 | 2013-02-12 | 삼성전자주식회사 | 표면발광소자 및 그의 제조방법 |
KR100867541B1 (ko) | 2006-11-14 | 2008-11-06 | 삼성전기주식회사 | 수직형 발광 소자의 제조 방법 |
TW200841393A (en) | 2007-04-02 | 2008-10-16 | Miin-Jang Chen | Optoelectronic device and method of fabricating the same |
JP2011517851A (ja) | 2008-03-25 | 2011-06-16 | ラティス パワー (チアンシ) コーポレイション | 両側パッシベーションを有する半導体発光デバイス |
CN102067345A (zh) | 2008-08-19 | 2011-05-18 | 晶能光电(江西)有限公司 | 用于制备具有双面钝化的半导体发光器件的方法 |
DE102009035429A1 (de) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
TWI408834B (zh) * | 2010-04-02 | 2013-09-11 | Miin Jang Chen | 基於奈米晶粒之光電元件及其製造方法 |
KR101782081B1 (ko) | 2010-08-30 | 2017-09-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
CN102544009B (zh) * | 2010-12-08 | 2014-03-26 | 中国科学院微电子研究所 | 一种高迁移率cmos集成单元 |
TW201310667A (zh) * | 2011-08-17 | 2013-03-01 | Epistar Corp | 太陽能電池 |
KR101867999B1 (ko) * | 2011-10-31 | 2018-06-18 | 삼성전자주식회사 | Iii-v족 물질층을 형성하는 방법, iii-v족 물질층을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법 |
TWI452714B (zh) * | 2012-01-20 | 2014-09-11 | Univ Nat Taiwan | 太陽能電池及其製造方法 |
TWI455333B (zh) * | 2012-04-09 | 2014-10-01 | Sino American Silicon Prod Inc | 太陽能電池 |
DE112012006689B4 (de) * | 2012-07-10 | 2022-05-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Verkapselung eines optoelektronischen Bauelements und Leuchtdioden-Chip |
FI20135967L (fi) | 2013-09-27 | 2015-03-28 | Lumichip Oy | Asennustason monitoiminen kapselointikerros ja menetelmä sen valmistamiseksi |
US9768345B2 (en) * | 2013-12-20 | 2017-09-19 | Apple Inc. | LED with current injection confinement trench |
US9865772B2 (en) * | 2015-01-06 | 2018-01-09 | Apple Inc. | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
US9484492B2 (en) * | 2015-01-06 | 2016-11-01 | Apple Inc. | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
US9601659B2 (en) * | 2015-01-06 | 2017-03-21 | Apple Inc. | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
IL238368B (en) * | 2015-04-19 | 2019-08-29 | Semi Conductor Devices An Elbit Systems Rafael Partnership | light sensor |
DE102015108529A1 (de) * | 2015-05-29 | 2016-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaserdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode |
DE102015212477A1 (de) * | 2015-07-03 | 2017-01-05 | Osram Oled Gmbh | Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements |
DE102015120323A1 (de) | 2015-11-24 | 2017-05-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip mit einer reflektierenden Schichtenfolge |
-
2015
- 2015-11-19 DE DE102015120089.9A patent/DE102015120089A1/de not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-11-17 US US15/777,633 patent/US10580938B2/en active Active
- 2016-11-17 JP JP2018521629A patent/JP2018536282A/ja active Pending
- 2016-11-17 CN CN201680067380.8A patent/CN108292697B/zh active Active
- 2016-11-17 WO PCT/EP2016/078032 patent/WO2017085200A1/de active Application Filing
- 2016-11-17 DE DE112016005319.3T patent/DE112016005319B4/de active Active
- 2016-11-18 TW TW105137868A patent/TWI620341B/zh active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130105836A1 (en) * | 2011-10-26 | 2013-05-02 | Sony Corporation | Light emitting element, method of manufacturing the same, and light emitting device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018228993A1 (de) * | 2017-06-12 | 2018-12-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip und verfahren zur herstellung eines leuchtdiodenchips |
US11107954B2 (en) | 2017-06-12 | 2021-08-31 | Osram Oled Gmbh | Light-emitting diode chip, and method for manufacturing a light-emitting diode chip |
FR3077931A1 (fr) * | 2018-02-14 | 2019-08-16 | Centre National De La Recherche Scientifique | Dispositif a semi-conducteur avec structure de passivation des surfaces recombinantes |
WO2019158430A1 (fr) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Centre National De La Recherche Scientifique | Dispositif à semi-conducteur avec structure de passivation des surfaces recombinantes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10580938B2 (en) | 2020-03-03 |
DE112016005319B4 (de) | 2024-02-15 |
CN108292697B (zh) | 2020-03-06 |
WO2017085200A1 (de) | 2017-05-26 |
CN108292697A (zh) | 2018-07-17 |
US20180374994A1 (en) | 2018-12-27 |
TWI620341B (zh) | 2018-04-01 |
DE112016005319A5 (de) | 2018-08-09 |
TW201727935A (zh) | 2017-08-01 |
JP2018536282A (ja) | 2018-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112014005954B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils | |
DE102010053362B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement | |
EP1556904A2 (de) | Verfahren zum herstellen einer leuchtdioden-lichtquelle mit lumineszenz-konversionselement | |
DE102010024079A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip | |
WO1998007187A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiterkörpern mit movpe-schichtenfolge | |
EP3365923A1 (de) | Leuchtdiodenchip und verfahren zur herstellung eines leuchtdiodenchips | |
DE112016005319B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips | |
WO2018228993A1 (de) | Leuchtdiodenchip und verfahren zur herstellung eines leuchtdiodenchips | |
DE102015117662B4 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips | |
EP1739758A2 (de) | Strahlungsemittierender optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Diffusionsbarriere | |
DE102011117381A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips | |
DE102018119688B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem ersten Kontaktelement, welches einen ersten und einen zweiten Abschnitt aufweist sowie Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements | |
EP2304816B1 (de) | Elektrolumineszierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer elektrolumineszierenden vorrichtung | |
WO2014095353A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip | |
DE102013107971A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip, Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips | |
WO2016198620A1 (de) | Verfahren zur herstellung von optoelektronischen konversions-halbleiterchips und verbund von konversions-halbleiterchips | |
WO2021099100A2 (de) | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
WO2020088988A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines leuchtdiodenchips mit einer konverterschicht und leuchtdiodenchip | |
WO2017140615A1 (de) | Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements | |
DE102018101086A1 (de) | Epitaktisches konversionselement, verfahren zur herstellung eines epitaktischen konversionselements, strahlungsemittierende rgb-einheit und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden rgb-einheit | |
DE10245632B4 (de) | Elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
WO2021110585A1 (de) | Strahlungsemittierender halbleiterchip | |
WO2020244949A1 (de) | Halbleiterbauelement mit strahlungskonversionselement und verfahren zum herstellen von strahlungskonversionselementen | |
EP3069389A1 (de) | Halbleiterschichtenfolge und verfahren zu deren herstellung | |
WO2020234163A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R163 | Identified publications notified | ||
R118 | Application deemed withdrawn due to claim for domestic priority |